JPH11110302A - 半導体記憶装置およびそれを備える販売処理装置 - Google Patents

半導体記憶装置およびそれを備える販売処理装置

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JPH11110302A
JPH11110302A JP26445697A JP26445697A JPH11110302A JP H11110302 A JPH11110302 A JP H11110302A JP 26445697 A JP26445697 A JP 26445697A JP 26445697 A JP26445697 A JP 26445697A JP H11110302 A JPH11110302 A JP H11110302A
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 電子式金銭登録機などの売上データ記憶用に
不揮発性半導体メモリを使用するメモリユニットを用
い、エラー発生時も含めて読出し処理を効率的に行う。 【解決手段】 不揮発性半導体メモリのメモリエリア2
0を第1エリア21および第2エリア22に分ける。売
上データは、第1エリア21の先頭アドレスからのデー
タレコード31a,31b,31c,31d,31eに
順次書込む。フラグエリア31af,31bf,31c
f,31df,31efには、それぞれ売上データ書込
みが正常に行われたか否かを示すフラグを書込む。書込
みエラーが発生している売上データ「C」、「E」は、
第2エリア22の先頭アドレスから順次データレコード
32c,32eに新たに書込む。書込みエラーが生じて
いないデータレコード31a,31b,31dは第1エ
リア21の先頭アドレスから順次読出すことができるの
で、データの読出しを効率よく行うことができる。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、データの書込みが
可能で、しかも不揮発性の半導体メモリを使用するメモ
リカードなどの半導体記憶装置、および売上データの記
憶用に半導体記憶装置を備える電子式金銭登録機やPO
Sターミナルなどの販売処理装置に関する。
【0002】
【従来の技術】従来から、電気的に書込みが可能で、不
揮発性のEP−ROMやフラッシュメモリが、メモリカ
ードなどの半導体記憶装置に使用されている。EP−R
OMやフラッシュメモリは、一旦、記憶させたデータが
電源の供給を停止しても保持される不揮発性の半導体メ
モリであり、比較的大容量でかつ高速の読出しが可能で
あるので、広く用いられている。不揮発性半導体メモリ
に、一旦、正常にデータが書込まれると、書込まれたデ
ータは消去されるまで確実に保持される。不揮発性半導
体メモリから記憶内容を消去するためには、通常の動作
状態とは異なる制御あるいは電圧などを必要とし、通常
の動作状態では記憶内容が変化しないので、信頼性が高
い。このため、金銭を扱う電子式金銭登録機やPOS
(Point Of Sale)ターミナルなどの売上データ記憶用
に、好適に用いられている。たとえば特開平5−464
90には、電気的に消去および書込みが可能なEEPR
OMを使用するメモリカード装置を、電子スチルカメラ
装置等で画像データの記憶に用いる先行技術が開示され
ている。
【0003】不揮発性の半導体メモリは、正常に書込ま
れるデータを確実に保持するため、データの書込みその
ものは簡単ではない。このため、データの書込みの際に
書込みエラーが発生し、データの書込みを正常に行うこ
とができない可能性がある。書込みが正常に行われてい
るか否かは、書込むデータと書込まれたデータとを照合
することによって判別することができ、データに違いが
あればエラーとして検出される。特開平5−46490
の先行技術では、複数ページに区分けされるEEPRO
Mに対して、ページ毎にエラーの有無を検出し、特定の
ページをエラーフラグエリアとして、各ページのエラー
発生の有無を示すエラーフラグを記録している。エラー
発生ページの書込みデータは、空きページに置換えて書
込み、エラー発生ページに書込むデータは全部置換え先
アドレスを示すアドレスデータに変える。読出し時に
は、エラーフラグエリアを参照してエラー発生ページを
判別し、エラー発生ページ全体からアドレスデータを読
出して、多数決で置換え先アドレスを判別し、判別した
アドレスに基づいて置換えページからデータを読出すよ
うにしている。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】特開平5−46490
の先行技術では、エラー発生ページに対応する置換先ア
ドレスは、エラー発生ページに書込まれた多数のアドレ
スから多数決で判別するので、半導体メモリへの書込み
制御装置は、置換え先のアドレスを決定した後、エラー
発生ページにそのアドレスを書込む制御を行わなければ
ならない。このためコントローラなどの機能が複雑化す
るとともに、置換先アドレスを書込むための時間分だけ
エラー発生時の書込み時間が長くなる。また不揮発性半
導体メモリで書込みエラーが発生するページには、エラ
ーとなりやすいメモリセルが含まれている可能性が大き
いので、多数決で確実に置換先アドレスを判別するため
には、1つのページのデータ量が大きく、置換先アドレ
スの書込み数が大きい必要がある。置換先アドレスの読
込み時には、多数のデータを読込んで多数決で置換先ア
ドレスを決定する必要があるので、後のデータ検索は困
難で、読出し速度が低速になってしまう。
【0005】本発明の目的は、エラー発生時を含めてデ
ータの書込みおよび読出しを容易かつ高速に行うことが
できる半導体記憶装置およびそれを備える販売処理装置
を提供することである。
【0006】
【課題を解決するための手段】本発明は、書込み可能な
不揮発性の半導体メモリを使用する半導体記憶装置にお
いて、半導体メモリは、予め規定されるバイト数単位の
データレコードに区切られる第1メモリエリアに区分さ
れるとともに、書込み状態をフラグとして書込むための
フラグエリアを有し、データ書込み時に正常に書込みが
できたか否かを検出する書込みエラー検出手段と、書込
みエラー検出手段の検出結果に応答して、書込み状態を
フラグとして書込むフラグ書込み手段と、記憶すべきデ
ータを順次第1メモリエリアのデータレコードに書込
み、書込みエラー検出手段が書込みエラーを検出する
と、そのデータを第2メモリエリアのデータレコードに
新たに書込む書込み切換え手段とを含むことを特徴とす
る半導体記憶装置である。
【0007】本発明に従えば、書込み切換え手段は、半
導体メモリの第1メモリエリアに記録すべきデータを順
次書込むので、読出し処理を効率的に行うことができ、
読出しの高速化を図ることができる。書込みエラー検出
手段が、第1メモリエリアのデータレコードに書込み切
換え手段がデータを書込んだときに書込みエラーを検出
すると、フラグ書込み手段がエラーをフラグエリアに書
込むとともに、書込み切換え手段は第2メモリエリアの
データレコードに書込みエラーが検出されたデータを新
たに書込むので、記憶すべきデータを確実に記憶するこ
とができる。
【0008】また本発明は、前記フラグエリアを参照し
ながら、前記第1メモリエリアのデータレコードから順
次データを読出し、書込みエラーを示すフラグが書込ま
れているときには、前記第2メモリエリアのデータレコ
ードからデータを読出すように切換える読出し切換え手
段を備えることを特徴とする。
【0009】本発明に従えば、読出し切換え手段は、フ
ラグエリアを参照しながら第1メモリエリアのデータレ
コードから順次データを読出し、書込みエラーを示すフ
ラグが書込まれていないときには高速でデータの読出し
を行うことができる。書込みエラーを示すフラグが書込
まれているときには、第2メモリエリアのデータレコー
ドからデータを読出すように切換えるので、半導体メモ
リに記憶されているデータを確実に読出すことができ
る。
【0010】また本発明で、前記書込み切換え手段は、
書込みエラー検出時に、前記第2メモリエリアの先頭ア
ドレスから、順次書込みを行うことを特徴とする。
【0011】本発明に従えば、書込み切換え手段による
第2メモリエリアでの書込みエラー検出時のデータの書
込みは、第2メモリエリア先頭アドレスから順次行われ
るので、データの読出しの際の効率を高めることができ
る。
【0012】また本発明で、前記第2メモリは前記第1
メモリに後続するアドレス領域に設けられ、前記書込み
切換え手段は、書込みエラー検出時に、第2メモリエリ
アの最後方のアドレスから、順次書込みを行うことを特
徴とする。
【0013】本発明に従えば、書込み切換え手段は、エ
ラー検出時のデータの第2メモリエリアへの書込みを、
第2メモリエリアの最後方のアドレスから順次行う。第
1メモリエリアに続けて第2メモリエリアを半導体メモ
リに設けておくので、書込みエラーの発生状態に応じて
第1メモリエリアの拡大または第2メモリエリアの拡大
を図り、半導体メモリを効率よく使用することができ
る。
【0014】また本発明で、前記フラグエリアは、前記
データレコード毎に設けられ、前記フラグ書込み手段
は、前記書込み切換え手段がデータの書込みを行う毎
に、データが書込まれたデータレコードに書込み状態を
フラグとして書込むことを特徴とする。
【0015】本発明に従えば、フラグエリアがデータレ
コード毎に設けられて、フラグ書込み手段が書込み切換
え手段のデータ書込み毎にデータが書込まれたデータレ
コードに書込み状態をフラグとして書込むので、データ
を読出す際にフラグも読出すことができ、書込みエラー
の有無の判断を迅速に行うことができる。
【0016】また本発明で、前記書込み切換え手段は、
前記第2メモリエリアでの書込み時に書込みエラーが検
出されると、次のデータレコードに書込みを行うことを
特徴とする。
【0017】本発明に従えば、書込み切換え手段によっ
て、第1メモリエリアへのデータ書込み時に書込みエラ
ーが発生したときに第2メモリエリアに対して行われる
データ書込みは、データ書込みエラーが検出されると次
のデータレコードに書込みが行われるので、書込みエラ
ーが検出されなくなるまで順次データの書込みが行わ
れ、確実にデータを記憶させ、データの記憶の漏れの発
生を防ぐことができる。
【0018】さらに本発明は、前記記憶すべきデータが
売上データであり、前記半導体メモリがEP−ROMま
たはフラッシュメモリであることを特徴とする半導体記
憶装置を備える販売処理装置である。
【0019】本発明に従えば、書込みおよび読出しを高
速化した半導体記憶装置に売上データを記憶し、確実に
記憶させておくことができる。半導体メモリとしては、
EP−ROMまたはフラッシュメモリが用いられるの
で、バックアップ電池などは不要であり、小形で大容量
の記憶を行うことができる。
【0020】また本発明は、前記第2メモリエリアの空
きエリアの有無を検出するメモリエリア残量検出手段
と、メモリエリア残量検出手段が第2メモリエリアの空
きエリアがないことを検出するときに、警告報知を発す
るメモリエリア残量警告報知手段とを備えることを特徴
とする。
【0021】本発明に従えば、メモリエリア残量検出手
段によって第2メモリエリアの空きエリアがなくなって
いると検出されるときには、メモリエリア残量警告報知
手段によって警告報知が発せられるので、販売処理装置
のオペレータに半導体記憶装置の交換を促すことがで
き、警告報知が発生されるまでは、書込みエラーが発生
しても第2メモリエリアに確実にデータが記憶されるの
で、安心して半導体記憶装置に売上データを記憶させる
ことができる。
【0022】
【発明の実施の形態】図1は、本発明の実施の各形態で
用いる販売処理装置としての電子式金銭登録機の概略的
な電気的構成を示す。電子式金銭登録機全体のコントロ
ールは、CPU1によって行われる。CPU1が、周辺
の装置をコントロールするためのマイクロ命令や、固定
的な表示、印字メッセージテーブル等は、予めROM2
に記憶される。表示用のバッファ、現在の操作担当者、
管理者コード、設定データ等は、RAM3に格納記憶さ
れる。各種エラー等の警告は、ブザー4から発生され
る。売上金やつり銭、小切手等は、ドロワ5に収納され
る。プリンタI/F6は、プリンタ7とCPU1との間
のインタフェースを行い、プリンタコントローラ、プリ
ンタドライバおよびタイミング信号発生回路などを含
む。プリンタ7は、レシートやジャーナル用紙に、取引
や点検あるいは精算結果のデータなどを印字する。キー
ディスプレイコントローラであるKDC8は、モードス
イッチであるモードSW9、キーボードであるKEY1
0およびディスプレイ11に対する制御を行う。モード
SW9は、登録、設定、点検、精算等の操作モードを選
択する。登録や設定のためのデータは、KEY10から
入力する。入力データ、エラー表示あるいは操作ガイド
等の表示は、ディスプレイ11によって行われれる。
【0023】記憶装置であるメモリユニット12は、電
子式金銭登録機としての売上データの格納および記憶の
ために設けられる。メモリユニット12内には、EP−
ROMまたはフラッシュメモリを使用する書込み可能な
不揮発性の半導体メモリであるメモリ13と、その書込
みおよび読出しの制御を行うコントローラ14が含まれ
る。メモリユニット12は、たとえばICカードとして
構成され、電子式金銭登録機に着脱可能である。売上デ
ータをメモリユニット12に記憶させた状態で、メモリ
ユニット12を電子式金銭登録機から除去すると、他の
装置、たとえばホストコンピュータなどにメモリユニッ
ト12を移動し、売上データの処理が可能となる。
【0024】図2は、図1のメモリ13に売上データを
格納記憶するためのメモリエリア構成を示す。メモリ1
3のメモリエリア20は、CPU1から送られる売上デ
ータを最初に書込む第1エリア21、最初の書込みにお
いて書込みエラーが発生したとき、代わりに書込みエラ
ーが発生した同一の売上データを書込むための第2エリ
ア22に区分され、日々実施される精算処理毎に、集計
された1日の売上データが自動的に規定のバイト数で書
込まれる。また第1エリア21の前には、第1エリアお
よび第2エリアに書込まれる各項目のデータレコードの
大きさを示す規定バイト数が、データ形式23として書
込まれるブロックが設けられる。このブロックは、メモ
リユニット12を電子式金銭登録機に最初に装着すると
きに書込まれ、以後売上データを書込む際にデータ形式
の照合のために使用される。
【0025】図3は、本発明の実施の第1形態として、
第1エリア21でデータを書込む際に、書込みエラーが
発生するとき代替となる第2エリア22にデータを書込
む開始アドレスを、第2エリア22の先頭アドレスとす
る場合の書込み状態を示す。最初の精算処理によって書
込まれる売上データ「A」は、データレコード31aに
書込まれる。売上データ「A」を書込んだとき、正しく
書込みができたことを示す書込みフラグ「1」は、デー
タレコード31aに設けられるフラグエリア31afに
書込まれる。続いて2回目の精算処理において書込まれ
る売上データ「B」は、次のデータレコード31bに書
込まれる。売上データ「B」を書込んだとき正しく書込
みができたことを示す書込みフラグ「1」は、データレ
コード31bに設けられるフラグエリア31bfに書込
まれる。以降、順次精算処理毎に、「C」、「D」、
「E」がデータレコード31c,31d,31eに書込
まれる。書込みフラグはフラグエリア31cf,31d
f,31efにそれぞれ書込まれる。
【0026】図3では、売上データ「C」および売上デ
ータ「E」を書込んだときに書込みエラーが発生してい
ることを、フラグエリア31cf,31efの書込みフ
ラグを「0」として示している。売上データ「C」を書
込んだときに、正常に書込みができなかったための代替
エリアは、第2エリア22の開始アドレスから取られる
ので、データレコード32cにデータが書込まれる。デ
ータレコード32cに設けられるフラグエリア32cf
には、データの書込みが正常に行われたことを示す書込
みフラグ「1」が書込まれる。同様に、売上データ
「E」を書込んだときに、正常に書込みができなかった
ための代替エリアである第2エリア22の売上データ
「C」のデータレコード32cに続くデータレコード3
2eには、売上データ「E」を書込み、正常に書込みが
できたことを示す書込みフラグ「1」もフラグエリア3
2efに書込んでいる。なお、図3で第2エリア22に
書込まれるデータは、本来書込まれるべき第1エリア2
1のデータと区別するため、「′」を付加している。
【0027】図4は、本発明の実施の第2形態として、
図2に示すメモリエリア20の第2エリア22に、第1
エリア21への書込み時にエラーが発生したときの代替
として書込みを行う開始アドレスを、最後方アドレスと
したときの書込み状態を示す。最初の精算処理によって
書込まれる売上データ「A」は、データレコード41a
に書込まれる。売上データ「A」を書込んだときに正し
く書込みができたことを示す書込みフラグ「1」は、デ
ータレコード41aに設けられるフラグエリア41af
に書込まれる。続いて2回目の精算処理において書込ま
れる売上データ「B」は、データレコード41bに書込
まれ、書込みが正しく行われたことを示す書込みフラグ
はフラグエリア41bfに書込まれる。以降、順次精算
処理毎に、売上データ「C」、「D」、「E」が、デー
タレコード41c,41d,41eに順次書込まれ、書
込みフラグもフラグエリア41cf,41df,41e
fにそれぞれ書込まれる。本実施形態では、売上データ
「C」および売上データ「E」を書込んだときに、書込
みエラーが発生し、フラグエリア41cfおよびフラグ
エリア41efに書込まれている書込みフラグが「0」
となっている。
【0028】売上データ「C」を書込んだとき、正常に
書込みができなかったための代替エリアは、第2エリア
22の最後方アドレスのデータレコード42cに書込ま
れる。データレコード42cに設けられるフラグエリア
42cfには、売上データ「C」が正常に書込みできた
ことを示す書込みフラグ「1」が書込まれる。同様に売
上データ「E」を書込んだとき正常に書込みができなか
ったための代替エリアである第2エリアのデータレコー
ド42cに続くデータレコード42eには、売上データ
「E」が書込まれ、データレコード42eに設けられる
フラグエリア42efには正常に書込みができたことを
示すフラグ「1」が書込まれる。なお、図4でも、代替
エリアに書込んだデータを、本来書込まれるべき第1エ
リア21のデータと区別するため、「′」を付加してい
る。
【0029】このように、第1エリア21と第2エリア
22とを連続して設け、第2エリア22の最後方アドレ
スより売上データを書込むことによって、図3に示すよ
うに固定した第2エリア22の開始アドレスからデータ
を書込む場合に比較し、書込みエラー発生が多かった場
合や書込みエラーが殆ど発生しなかった場合に、第1エ
リア21または第2エリア22に発生する空きエリアを
残さないで、メモリエリア20を有効に使用することを
可能にする。本実施形態では、図2に示す第1エリア2
1および第2エリア22の境界は、第1エリア21また
は第2エリア22の空きエリアがなくなるときに確定
し、空きエリアを残したままでメモリユニット12を交
換する事態を避け、メモリの空きエリアを残すことなく
有効に使用することを可能にする。したがって、通常書
込むメモリエリアと書込みエラー発生時に書込むメモリ
エリアとに挟まれたメモリエリアを、共通のメモリエリ
アとして使用することができる。
【0030】図5は、本発明の実施の第3形態として、
図4に示す実施形態と同様に、第2エリア22の最後方
アドレスから書込みを開始し、メモリエリアの残量検出
手段を設ける場合のメモリの書込み状態を示す。本実施
形態は、説明の便宜上、図4のメモリ使用状態に続けて
売上データを書込んでいる状態として示す。売上データ
の順次的な書込みを継続して、売上データ「Z」をデー
タレコード41zに書込んだとき、正常に書込みができ
なかったため、代替エリアである第2エリア22で利用
可能な最後方アドレスのデータレコード42zに売上デ
ータ「Z」を書込み、データレコード42zに設けられ
るフラグエリア42zfに正常に書込みができたことを
示す書込みフラグ「1」を書込む。このとき残りのメモ
リエリア43が1回の売上データを書込むためのデータ
レコードとして規定されているバイト数だけ確保するこ
とができないと判別されると、後述するような警告報知
を行う。また予め設定をしておけば、書込み可能な回数
が予め設定される回数以下となる場合、たとえば残り1
00回以下となる場合に、警告報知を行うようにするこ
とも可能である。
【0031】図6は、本発明の各実施形態で用いるデー
タ形式を示す。図6(1)は図2のデータ形式23の内
容、図6(2)はCPU1からメモリユニット12へ与
える書込みデータ、図6(3)は図1のメモリユニット
12からCPU1に応答する書込み結果データ、図6
(4)はCPU1からメモリユニット12への検索指示
データおよびメモリユニット12からCPU1への検索
データをそれぞれ示す。
【0032】図6(1)のデータ形式は、図6(2)に
示すメモリユニット12に書込む売上データの規定バイ
ト数の割当て形式を示し、販売処理装置としての装置設
置時に、CPU1からメモリユニット12に送られ、メ
モリ13のデータ形式23のエリアに書込まれる。デー
タとしては、各項目の規定バイト数50が含まれ、この
場合4つの項目51,52,53,54について、8バ
イト、4バイト、10バイトおよび10バイトのブロッ
クで構成されることを、それぞれ示している。他に書込
み開始精算回数、売上データ書込み開始アドレスも含ま
れる。データ形式23として書込まれた後では、売上デ
ータを書込む際のデータ形式の照合や、売上データの検
索の際などに使用される。
【0033】図6(2)には、売上データ60としての
実際のデータ形式を示す。最初の8バイトは年月日デー
タ61であり、次の4バイトは精算NOとも記載される
精算回数データ62であり、続く10バイトずつは売上
データ金額63,64である。最後に書込み結果を示す
書込み状態フラグ65が付加される。書込み状態フラグ
65は、売上データ60の書込みが正常に行われれば
「1」、書込みエラーであれば「0」がそれぞれ書込ま
れる。
【0034】この書込み結果は、図6(3)に示す書込
み結果データ66によって、メモリユニット12からC
PU1にも与えられる。書込み結果データ66は、フラ
グ66xと項目No66yとを含む。図6(2)の書込
み状態フラグ65は、フラグ66xにも反映される。項
目No66yは、図6(4)の項目データ67の項目N
o67aにも対応する。項目データ67では、データ6
7bに、項目No67aによって指定される項目のデー
タを、CPU1とメモリユニット12との間で転送す
る。
【0035】本実施形態では、図1のメモリユニット1
2に使用されているコンとローラ14の機能を低くし
て、コストを抑えているので、データ転送は項目別に分
割して転送するようにしている。機能の高いコントロー
ラ14を使用すれば、一括転送も可能である。
【0036】図7は、本発明の実施の第4形態としての
メモリエリア70の使用状態を示す。メモリエリア70
では、第1エリア71と第2エリア72との間に第1エ
リア用のエラーフラグエリア73を独立して備える。代
替エリアとなる第2エリア72へは、図3の実施形態と
同様に、先頭アドレスから順次書込みが行われ、データ
レコード毎にフラグエリアが設けられる。第1エリア7
1には、最初の精算処理による売上データ「A」がデー
タレコード71aに書込まれ、続いて2回目以降の売上
データ「B」、「C」、「D」、「E」が順次、データ
レコード71b,71c,71d,71eに順次書込ま
れる。書込み状態は、エラーフラグエリア73の各フラ
グエリア73af,73bf,73cf,73df,7
3efに、第1エリア71への対応する売上データの書
込み時に順次書込まれる。売上データ「C」、「E」を
書込んだとき、対応するフラグエリア73cf,73e
fが「0」で、正常に書込みができなかったことを示し
ている。このため、代替エリアである第2エリア72の
先頭アドレスからのデータレコード72c,72eに、
売上データ「C’」、「E’」がそれぞれの精算時に書
込まれており、正常に書込みが行われたことを示すフラ
グ「1」が、各データレコード72c,72eに付加さ
れたフラグエリア72cf,72efにそれぞれ書込ま
れている。なお、代替エリアである第2エリア72に書
込んだ売上データは、本来書込まれるべき第1エリア7
1に書込まれている売上データと区別するため、「’」
を付加している。
【0037】図8は、本発明の実施の第5形態としての
メモリエリア70の使用状態を示す。メモリエリア70
では、第1エリア71と第2エリア72との間に第1エ
リア用のエラーフラグエリア73を独立して備える。代
替エリアとなる第2エリア72へは、図4の実施形態と
同様に、最後方アドレスから順次書込みが行われ、デー
タレコード毎にフラグエリアが設けられる。説明の便宜
上、図7と同様の条件で第1エリア71およびエラーフ
ラグエリア73への書込みが行われている場合を想定す
る。売上データ「C」、「E」を書込みにエラーが生じ
ているので、代替エリアである第2エリア72の最後方
アドレスからのデータレコード74c,74eに、売上
データ「C’」、「E’」がそれぞれの精算時に書込ま
れており、正常に書込みが行われたことを示すフラグ
「1」が、各データレコード74c,74eに付加され
たフラグエリア74cf,74efにそれぞれ書込まれ
ている。なお、代替エリアである第2エリア72に書込
んだ売上データは、本来書込まれるべき第1エリア71
に書込まれている売上データと区別するため、「’」を
付加している。
【0038】このように、第2エリア72の最後方アド
レスから売上データを書込むことによって、図4および
図5の実施形態と同様に、メモリエリア70の有効利用
を図ることができる。すなわち、第2エリア72の開始
アドレスのような固定されたアドレスを開始アドレスと
して代替の売上データの書込みを行う場合に比較して、
書込みエラー発生が多かったときや、逆に書込みエラー
がほとんどなかったときにも空きエリアが残りにくく、
メモリエリア70を効率的に利用することができる。通
常書込む第1エリア71と、書込みエラー発生時の代替
エリアとなる第2エリア72との間に挟まれたメモリエ
リアを共通のメモリエリアとして、有効に使用すること
ができる。
【0039】図9は、本発明の実施の第6形態として、
図4の実施形態と同様なメモリエリア20の使用状態を
示す。第1エリア21への売上データ「C」および
「E」の書込み時にエラーが生じているので、売上デー
タ「C’」、「E’」がそれぞれの精算時に書込まれて
おり、正常に書込みが行われたことを示すフラグ「1」
が、データレコード75cに付加されたフラグエリア7
5cfには書込まれているけれども、データレコート7
5eのフラグエリア75efにはフラグ「0」が書込ま
れている。このため、売上データ「E’」は、次のデー
タレコード76eにも書込みが行われる。このときも正
常に書込まれず、エラーフラグ76efは「0」であ
る。次のデータレコード77eへの売上データ「C’」
は正常に行われ、フラグエリア77efに書込まれるフ
ラグも「1」となる。なお、代替エリアである第2エリ
ア72に書込んだ売上データは、本来書込まれるべき第
1エリア71に書込まれている売上データと区別するた
め、「’」を付加している。
【0040】本実施形態では、書込みエラーが発生し
て、代替エリアへ売上データの書込みを行う際にも書込
みエラーが発生すれば、正常に書込みができるようにな
るまで、書込みを継続する。このため、売上データを確
実に書込むことができる。また、第2エリア22の最後
方アドレスから売上データを書込むことによって、図4
および図5の実施形態と同様に、メモリエリア20の有
効利用を図ることができる。すなわち、第2エリア22
の開始アドレスのような固定されたアドレスを開始アド
レスとして代替の売上データの書込みを行う場合に比較
して、書込みエラー発生が多かったときや、逆に書込み
エラーがほとんどなかったときにも空きエリアが残りに
くく、メモリエリア20を効率的に利用することができ
る。通常書込む第1エリア21と、書込みエラー発生時
の代替エリアとなる第2エリア22との間に挟まれたメ
モリエリアを共通のメモリエリアとして、有効に使用す
ることができる。さらに図3と同様に、代替エリアの先
頭アドレスから売上データ「C’」および「E’」を順
次書込む場合であっても、正常に書込みができるまで順
次的に書込みを継続すれば、確実に書込みデータの書込
みを行うことができる。
【0041】図10は、図5の実施形態で、精算時にメ
モりユニット12の交換時期を報知するレシート80の
印字例を示す。1日の売上を集計出力するための精算処
理の際に、精算処理結果に基づいて売上データをメモリ
ユニット12に書込み、その時点の書込み可能なメモリ
エリア43の大きさに従って、メモリユニット交換時期
を報知する印字を行う。図1のモードSW9を「精算」
位置に切換え、KEY10の[現/預/替]キーを入力
操作することによって、精算処理が実行される。
【0042】精算処理が実行されると、最初の行81に
日付および実行時刻が印字される。次の行82には、レ
ジスタ番号およびレシート一連番号が印字される。次の
行83には精算処理を示す「*精算*」が印字される。
後続する行84,85,86,87には、予め設定され
る部門毎の売上個数、売上金額、構成比率、次の部門の
売上個数が順次印字される。「現在高」と印字してある
行88には、電子式金銭登録機のドロワ5に保管されて
いる現在高金額を印字し、精算の集計レポートの印字を
行う。
【0043】最後に、精算によって集計された売上デー
タをメモリユニット12に書込み、メモリ13の書込み
可能エリアの確認を行う。図6(1)に示すような規定
バイト数のに基づく演算によって、書込み可能回数を算
出し、「残精算回数」と印字されている行89に残って
いる精算回数90を印字する。規定の残積算回数に達し
たときにメモりユニット12の交換を促す印字を行い、
装置の管理者に交換時期を明確に伝え、トラブルの発生
を未然に防止することができる。
【0044】図11は、図1のKEY10の一例を示
す。[現/預/替]キー91は、前述のように、モード
SW9とともに精算処理の開始のために操作するととも
に、現金売り、現金預りおよび両替のときに使用する。
モードSW9は、設定、時刻表示、登録、点検および精
算の各種操作モードと、電源OFFとを切換える。紙送
りキー92は、レシート印字用のロール紙を送るときに
使用する。支払キー93は、商品の売上とは別の支払が
あったときに使用する。[CL]キー94は、数字を入
力間違いしたとき、および連続の警告音を止めるときに
使用する。[×]キー95は、同じ商品を2個以上売る
とき、および設定時に使用する。[訂正]キー96は、
誤った登録を取消すときに使用する。[商品]キー97
は、個々の商品の注文/売上を登録するときに使用す
る。[小計]キー98は、小計を算出し、表示するとき
に使用する。テンキー99は、単価、金額、数量、担当
者コード等、数字を入力するとき使用する。
【0045】図12〜図15は、図1の電子式金銭登録
機の動作の処理手順を示す。図12は、常にモードSW
9の状態をチェックして操作モードの切換えを行ってい
る処理手順を示す。電子式金銭登録機には、設定、時刻
表示、登録、点検、精算の各種操作モードがあり、モー
ドSW9によって切換えられ、通常は売上処理を行う登
録モードに設定されている。モードSW9を電源OFF
の位置から切換えると、ステップa0から処理を開始
し、ステップa1でモードSW9が登録モードであるこ
とが確認されると、ステップa2の登録処理に進み、処
理が完了すればステップa1の状態チェックに戻る。
【0046】ステップa1でモードSW9が登録モード
でなければ、ステップa3で精算モードであるか否かを
チェックする。精算モードであれば、ステップa4で所
定のキー操作による集計処理などの精算処理を行い、ス
テップa5で精算レポートを印字出力する。ステップa
6では、精算処理の結果に基づく売上データを、所定の
データ形式に従ってメモりユニット12に転送し、書込
みを行う。データの書込みは、メモリ13の書込み仕様
に合わせてコントローラ14が行う。次のステップa7
では、メモリユニット12で売上データが正常に書込ま
れているか否かを、メモリユニット12からの転送デー
タによってチェックする。正常に書込まれていれば、ス
テップa8で、全項目の書込みが完了しているか否かを
チェックする。ステップa7で正常に書込まれていない
ときは、再送するためにステップa6に戻る。また、ス
テップa8で全項目の書込みが完了していないときは、
ステップa6に戻って、次の項目の売上データをメモリ
ユニット12に転送する。ステップa8で全項目の書込
みが完了すれば、ステップa9でメモリユニット12へ
の売上データの書込み、および精算処理を終了する。な
お、ステップa3でモードSW9が他のモードであると
きには、ステップa10で他のモード処理を行う。
【0047】図13は、設置処理の手順を示す。ステッ
プb1から設置処理を開始し、ステップb2では、メモ
リユニット12への売上データの書込みの基本となるデ
ータ形式23をメモリユニット12に書込む。ステップ
b3では、メモリユニット12からの転送データによっ
て、書込みが正常に行われたか否かをチェックする。正
常に書込みが行われていれば、ステップb4で低音ロン
グブザーを発し、正常に書込みが行われたことを操作者
に報知し、ステップb5で処理を終了する。ステップb
3で正常に書込みができなかったと判断されるときは、
ステップb6で高音連続ブザーを発し、正常に書込みが
できなかったことを示す報知を行う。ステップb7で
[CL]キー94が操作されるのを待つ。[CL]キー
94が操作されれば、高音連続ブザーを停止し、ステッ
プb8で処理を終了する。
【0048】図14は、メモリユニット12に書込まれ
ている売上データを検索し、印字する処理手順を示す。
ステップc0から処理を開始し、ステップc1ではJO
Bコードから検索方法を判別する。検索は、日付に基づ
く方法と、精算NOに基づく方法とがあり、JOBコー
ド1と2とに対応させている。
【0049】指定の日付で検索する場合は、JOBコー
ド1を入力し、ステップc2に移って指定する日付をた
とえば8桁でテンキー99から入力する。ステップc3
では、入力した日付を確定するため、[小計]キー98
が操作される。続いてステップc4で、検索を実行させ
るため、[現/預/替]キー91が操作される。ステッ
プc5では、日付を示す項目Noを付加して、入力され
た日付データをメモりユニット12に転送し、指定日付
での売上データの検索を実行させる。
【0050】指定の精算NOで検索する場合は、JOB
コード2を入力し、ステップc6に移って指定する精算
NOをたとえば4桁でテンキー99から入力する。ステ
ップc7では、入力した精算NOを確定するため、[小
計]キー98が操作される。続いてステップc8で、検
索を実行させるため、[現/預/替]キー91が操作さ
れる。ステップc9では、精算NOを示す項目Noを付
加して、入力された精算NOをメモリユニット12に転
送し、指定精算NOでの売上データの検索を実行させ
る。
【0051】ステップc5またはステップc9が終了す
ると、ステップc10で、CPU1は、メモリユニット
12から検索データが転送されるのを待つ。CPU1が
検索データを受取ると、ステップc12で検索データの
印字を行い、ステップc12で処理を終了する。本発明
に従うメモリユニット12では、売上データが第1エリ
ア21,71に精算処理の順序で書込まれているので、
高速に検索を行うことができる。
【0052】図15は、メモリユニット12のコントロ
ーラ14によるデータ検索の処理手順を示す。ステップ
d0で、メモリユニット12がCPU1から検索実行指
示を受取ると、その指示内容をチェックし、指示内容に
従った検索を実行するため、ステップd1で日付検索で
あるか否かをチェックする。検索指示が日付であるとき
は、ステップd2で、第1エリア21,71の最初のブ
ロックであるデータエリア21a,71aに書込まれて
いるデータの日付を読出す。ステップd3では、検索す
る指定日付の売上データの格納アドレスを特定するた
め、第1エリアの開始アドレスに、最初のデータエリア
の日付データと指定日付との差に規定バイト数を乗じた
バイト数を加算し、アドレスを算出する。ステップd4
では、算出したアドレスのデータを読出すデータリード
を行う。ステップd5で、読出されたデータの日付をチ
ェックし、検索指定の日付と一致するか否かをチェック
する。日付が一致すれば、ステップd6で読出したデー
タの書込みフラグをチェックする。エラーフラグエリア
73が第1エリア71と別に設けられている場合は、読
出したデータに相当するエラーフラグをチェックする。
【0053】書込みエラーが発生していれば、ステップ
d7で第2エリア22,72を検索する。図3や図7の
実施形態のように、第2エリア22,72の先頭アドレ
スから順次書込まれる場合は、規定バイト数の1ブロッ
ク単位で、先頭アドレスから順次データエリアに書込ま
れているデータが指定の検索データであるか否かをチェ
ックし、指定の検索データを読出す。図4、図5、図
8、図9の実施形態のように、第2エリア22,72の
最後方アドレスから順次書込まれる場合は、規定バイト
数の1ブロック単位で、最後方アドレスから順次データ
エリアに書込まれているデータが指定の検索データであ
るか否かをチェックし、指定の検索データを読出す。図
5の実施形態では、第2エリア22の書込みでエラーが
発生すれば、正常に書込まれるまで、続けてデータの書
込みが行われているので、ステップd9で次のブロック
のデータレコードからデータの読出しを行い、ステップ
d8でのエラーチェックを繰返す。
【0054】ステップd6またはステップd8で書込み
エラー無しと判断されるときは、ステップd10に進
み、読出した検索データをCPU1に転送し、ステップ
d11で読出したデータの全項目を転送したか否かをチ
ェックする。残っている項目があれば、ステップd10
に戻って、転送を続ける。ステップd5で、日付が一致
しないと判断されるときには、ステップd12で、読出
したデータの日付と指定日付との差によって、前後のブ
ロックを規定バイト数単位で検索し、指定日付のデータ
を読出して、ステップd6に移る。
【0055】ステップd1で、日付検索ではないと判断
されるときは、ステップd13で精算NOでの検索であ
るか否かをチェックする。検索指示が精算NOである場
合、ステップd14で、第1エリア21,71の最初の
ブロックのデータレコードに書込まれているデータの精
算NOを読出す。次のステップd15では、検索する指
定精算NOの売上データの格納アドレスを特定するた
め、第1エリアの開始アドレスに、最初のデータエリア
の精算NOデータと指定精算NOとの差に規定バイト数
を乗じたバイト数を加算し、アドレスを算出する。ステ
ップd16では、算出したアドレスのデータを読出すデ
ータリードを行う。ステップd17で、読出されたデー
タの精算NOをチェックし、検索指定の精算NOと一致
するか否かをチェックする。精算NOが一致すれば、ス
テップd18で読出したデータの書込みフラグをチェッ
クする。エラーフラグエリア73が第1エリア71と別
に設けられている場合は、読出したデータに相当するエ
ラーフラグをチェックする。
【0056】書込みエラーが発生しているときは、ステ
ップd19〜d21で、前述のステップd7〜d9とそ
れぞれ同様の処理を行う。ステップd18またはステッ
プd20で書込みエラー無しと判断されるときは、ステ
ップd10に進む。ステップd17で、精算NOが一致
しないと判断されるときには、ステップd22で、読出
したデータの精算のと指定精算NOとの差によって、前
後のブロックを規定バイト数単位で検索し、指定精算N
Oのデータを読出して、ステップd18に移る。
【0057】ステップd11で全項目の転送が終了すれ
ば、ステップd23でデータ検索処理を終了する。ま
た、ステップd13で、精算NO検索ではないと判断さ
れるときは、ステップd24でメモリユニット12から
CPU1に、エラーであることを示すデータを転送す
る。他の検索モードを備えるようにすることもできる。
【0058】
【発明の効果】以上のように本発明によれば、書込み切
換え手段によって書込まれるデータは、第1メモリエリ
アのデータレコードに順次的に書込まれるので、書込み
エラーが発生していないデータの読出しを効率的に高速
に行うことができる。書込みエラーの有無はフラグエリ
アを参照することによって、容易に判断することができ
る。書込みエラーが発生しているデータは、第2メモリ
エリアに書込まれているので、第2メモリエリアのデー
タレコードから読出せば、確実にデータを読出すことが
できる。
【0059】また本発明によれば、半導体記憶装置に備
えられる読出し切換え手段は、フラグエリアを参照しな
がら第1メモリエリアのデータレコードから順次的にデ
ータを読出し、書込みエラーを示すフラグが書込まれて
いるデータレコードは、第2メモリエリアからデータを
読出すので、データの読出しを高速かつ確実に行うこと
ができる。
【0060】また本発明によれば、第1メモリエリアへ
の書込みエラー発生時に第2メモリエリアに書込まれる
データは、第2メモリエリアの先頭アドレスから順次書
込まれるので、第2メモリエリアからのデータの読出し
を高速かつ効率的に行うことができる。
【0061】また本発明によれば、第1メモリエリアへ
のデータ書込み時にエラーが検出されたときの第2メモ
リエリアへのデータの書込みを、第2メモリエリアの最
後方のアドレスから順次行うので、書込みエラーの発生
状態に応じて第1メモリエリアまたは第2メモリエリア
の拡大を図ることができ、半導体メモリを効率よく使用
することができる。
【0062】また本発明によれば、第1メモリエリアお
よび第2メモリエリアのデータレコードにはそれぞれフ
ラグを書込むフラグエリアが設けられるので、各データ
エリアからのデータの読出しに併せてフラグを読取るこ
とができ、フラグの参照を迅速かつ容易に行うことがで
きる。
【0063】また本発明によれば、第1メモリエリアへ
のデータの書込み時にエラーが検出されたときの第2メ
モリエリアへのデータの書込みは、エラーが検出されず
に正常な書込みが行われるまで、データエリアを順次代
えて行われるので、第2メモリエリア内に確実にデータ
を書込むことができる。
【0064】さらに本発明によれば、EP−ROMまた
はフラッシュメモリを半導体メモリとして使用し、売上
データの書込みと読出しとを高速かつ効率よく行うこと
ができる。半導体メモリとしてEP−ROMまたはフラ
ッシュメモリを用いるので、半導体記憶装置を小形化
し、かつ大容量化することができる。
【0065】また本発明によれば、半導体メモリの第2
メモリエリアに空きがなくなると警告報知が行われるの
で、販売処理装置のオペレータは半導体記憶装置の交換
時期を容易かつ適切に判断することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の実施の各形態で用いる販売処理装置の
概略的な電気的構成を示すブロック図である。
【図2】図1のメモリ13のメモリエリア構成を示す図
である。
【図3】本発明の実施の第1形態でのメモリ使用状態を
示す図である。
【図4】本発明の実施の第2形態でのメモリ使用状態を
示す図である。
【図5】本発明の実施の第3形態でのメモリ使用状態を
示す図である。
【図6】図2のデータ形式23の内容、図1のメモリユ
ニット12に書込まれる売上データの内容、メモリユニ
ット12からCPU1に応答する書込み結果データの内
容およびCPU1とメモリユニット12との間で転送が
行われるデータの形式を示す図である。
【図7】本発明の実施の第4形態でのメモリ使用状態を
示す図である。
【図8】本発明の実施の第5形態でのメモリ使用状態を
示す図である。
【図9】本発明の実施の第6形態でのメモリ使用状態を
示す図である。
【図10】本発明の実施の第3形態で精算処理結果に合
わせてメモリユニット交換時期を報知する印字が行われ
ている状態を示す図である。
【図11】図1のキーボードKEY10の例を示す図で
ある。
【図12】図1の販売処理装置の処理手順を示すフロー
チャートである。
【図13】図1の販売処理装置の処理手順を示すフロー
チャートである。
【図14】図1の販売処理装置の処理手順を示すフロー
チャートである。
【図15】図1の販売処理装置の処理手段を示すフロー
チャートである。
【符号の説明】 1 CPU 2 ROM 7 プリンタ 9 モードSW 10 KEY 12 メモリユニット 13 メモリ 14 コントローラ 20,70 メモリエリア 21,71 第1エリア 22,72 第2エリア 23 データ形式 31a,31b,31c,31d,31e,32c,3
2e,41a,41b,41c,41d,41e,41
z,42c,42e,42z,71a,71b,71
c,71d,71e,72c,72e,74c,74
e,75c,75e,76e,77e データレコード 31af,31bf,31cf,31df,31ef,
32cf,32ef,41af,41bf,41cf,
41df,41ef,41zf,42cf,42ef,
42zf,72cf,72ef,73af,73bf,
73cf,73df,73ef,74cf,74ef,
75cf,75ef,76ef,77ef フラグエリ
ア 43 メモリエリア 80 レシート 90 精算回数 91 [現/預/替]キー

Claims (8)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 書込み可能な不揮発性の半導体メモリを
    使用する半導体記憶装置において、 半導体メモリは、予め規定されるバイト数単位のデータ
    レコードに区切られる第1メモリエリアに区分されると
    ともに、書込み状態をフラグとして書込むためのフラグ
    エリアを有し、 データ書込み時に正常に書込みができたか否かを検出す
    る書込みエラー検出手段と、 書込みエラー検出手段の検出結果に応答して、書込み状
    態をフラグとして書込むフラグ書込み手段と、 記憶すべきデータを順次第1メモリエリアのデータレコ
    ードに書込み、書込みエラー検出手段が書込みエラーを
    検出すると、そのデータを第2メモリエリアのデータレ
    コードに新たに書込む書込み切換え手段とを含むことを
    特徴とする半導体記憶装置。
  2. 【請求項2】 前記フラグエリアを参照しながら、前記
    第1メモリエリアのデータレコードから順次データを読
    出し、書込みエラーを示すフラグが書込まれているとき
    には、前記第2メモリエリアのデータレコードからデー
    タを読出すように切換える読出し切換え手段を備えるこ
    とを特徴とする請求項1記載の半導体記憶装置。
  3. 【請求項3】 前記書込み切換え手段は、書込みエラー
    検出時に、前記第2メモリエリアの先頭アドレスから順
    次書込みを行うことを特徴とする請求項1または2記載
    の半導体記憶装置。
  4. 【請求項4】 前記第2メモリは前記第1メモリに後続
    するアドレス領域に設けられ、前記書込み切換え手段
    は、書込みエラー検出時に、第2メモリエリアの最後方
    のアドレスから、順次書込みを行うことを特徴とする請
    求項1または2記載の半導体記憶装置。
  5. 【請求項5】 前記フラグエリアは、前記データレコー
    ド毎に設けられ、 前記フラグ書込み手段は、前記書込み切換え手段がデー
    タの書込みを行う毎に、データが書込まれたデータレコ
    ードに書込み状態をフラグとして書込むことを特徴とす
    る請求項1〜4のいずれかに記載の半導体記憶装置。
  6. 【請求項6】 前記書込み切換え手段は、前記第2メモ
    リエリアでの書込み時に書込みエラーが検出されると、
    次のデータレコードに書込みを行うことを特徴とする請
    求項1〜5のいずれかに記載の半導体記憶装置。
  7. 【請求項7】 前記記憶すべきデータが売上データであ
    り、 前記半導体メモリがEP−ROMまたはフラッシュメモ
    リであることを特徴とする請求項1〜6のいずれかに記
    載の半導体記憶装置を備える販売処理装置。
  8. 【請求項8】 前記第2メモリエリアの空きエリアの有
    無を検出するメモリエリア残量検出手段と、 メモリエリア残量検出手段が第2メモリエリアの空きエ
    リアがないことを検出するときに、警告報知を発するメ
    モリエリア残量警告報知手段とを備えることを特徴とす
    る請求項7記載の販売処理装置。
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