JPH08203293A - メモリ装置 - Google Patents

メモリ装置

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JPH08203293A
JPH08203293A JP2762495A JP2762495A JPH08203293A JP H08203293 A JPH08203293 A JP H08203293A JP 2762495 A JP2762495 A JP 2762495A JP 2762495 A JP2762495 A JP 2762495A JP H08203293 A JPH08203293 A JP H08203293A
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JP
Japan
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pointer
cell
writing
Prior art date
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Pending
Application number
JP2762495A
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English (en)
Inventor
敏人 ▲吉▼田
Toshito Yoshida
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Nissin Electric Co Ltd
Original Assignee
Nissin Electric Co Ltd
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Publication date
Application filed by Nissin Electric Co Ltd filed Critical Nissin Electric Co Ltd
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Abstract

(57)【要約】 【目的】 不揮発性メモリの長寿命化を図る。 【構成】 再書込み可能な不揮発性メモリに、アドレス
順に択一的に選択される複数のデータ領域を設け、各デ
ータ領域の一部にポインタ領域を設け、不揮発性メモリ
の書込み制御手段として、データ書込み毎に使用領域の
ポインタにより指定された書込みアドレスのセルにデー
タを書込む手段と、データ書込み毎に使用領域の故障セ
ルの発生を監視する手段と、データ書込みの正常時書込
終了毎にポインタを巡回的に更新する手段と、データ書
込みの異常時ポインタを参照して使用領域をつぎのデー
タ領域に切換える手段と、データ書込みの異常時切換後
の使用領域に切換前の使用領域の全データを転写し,切
換後の使用領域のポインタ領域にポインタを初期設定す
る手段とを備える。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、EEPROM等の再書
込み可能な不揮発性メモリを使用し、その一定の領域の
各アドレスのセルに状態監視等のデータがアドレス順に
巡回的に書込まれるメモリ装置に関する。
【0002】
【従来の技術】従来、配電系統の遠方監視制御は、本発
明の1実施例の図2に示すように、区分開閉器1毎に制
御子局2を設け、この制御子局2により、事故の監視及
び電力会社営業所等の親局との情報のやりとりに基づ
き、自局の区分開閉器1を制御して行われる。
【0003】そして、各制御子局2は変圧器3,4を介
して自局の区分開閉器1の電源側,負荷側に接続され、
変圧器3,4を介した系統電力のいずれか一方によりマ
イクロコンピュータ構成の制御部5,モデム6等の内部
回路が給電されて動作する。
【0004】さらに、制御部5は変圧器3,4の2次側
電圧等から配電系統の自局の電源側,負荷側の短絡等の
事故の発生を監視して検出し、必要に応じて自局の区分
開閉器1を開放する。
【0005】また、配電系統及び自局の区分開閉器1等
の状態監視に基づき、前記事故の発生等の異常を検出す
ると、制御部5はその内容等を示す異常記録のデータ
を、再書込み可能な不揮発性メモリとしてのEEPRO
M7に書込む。
【0006】さらに、制御部5はモデム6を介して例え
ば配電線搬送方式で親局と情報をやりとりし、親局から
の制御指令にしたがって区分開閉器1の再閉路等を行う
とともに、親局の要求等に基づき、EEPROM7の内
容を読出して親局に送る。
【0007】ところで、前記異常記録のデータは最新の
一定数が確保されれば、その後の事故解析等に十分であ
る。一方、EEPROM7には汎用の市販のものが用い
られ、通常、その容量は必要容量より十分に大きい。
【0008】そして、従来はEEPROM7の必要容量
に相当する一定領域のみを前記異常記録のデータの書込
みに使用している。そして、前記一定領域の書込みはE
EPROM7とともにメモリ装置を構成する制御部5の
書込み制御手段により、当該領域の各アドレスのセルを
アドレス順に巡回的にアクセスして行われる。
【0009】なお、各アドレスのセルに異常記録のデー
タが1つずつ書込まれる。また、各セルの書込みは、具
体的には、前記一定領域の一部に書込みアドレスのポイ
ンタ領域を設け、異常記録のデータが発生する毎に前記
書込み制御手段により図4の処理を実行して行われる。
【0010】すなわち、異常記録のデータの書込みが発
生すると、図4に示すように、ステップA1によりポイ
ンタ領域のポインタが読込まれ、つぎに、ステップA2
によりポインタが指定する書込みアドレスのセルに異常
記録のデータが書込まれ、さらに、ステップA3により
ポインタ領域のポインタの書込みアドレスがつぎのセル
を指定するアドレスに書換えられる。
【0011】
【発明が解決しようとする課題】前記従来のこの種メモ
リ装置の場合、EEPROM7等のこの種再書込み可能
な不揮発性メモリのいずれかのセルが寿命等で故障(破
損)すると、このセルに以降はデータが書込めなくなる
ため、不揮発性メモリが全体として使用できなくなり、
不揮発性メモリの使用寿命が短く、しかも、不経済であ
る問題点がある。本発明は、不揮発性メモリの長寿命化
を図ることを目的とする。
【0012】
【課題を解決するための手段】前記の目的を達成するた
めに、本発明のメモリ装置においては、再書込み可能な
不揮発性メモリに、アドレス順に択一的に選択される複
数のデータ領域を設け、各データ領域それぞれの一部
に、書込みアドレスのポインタが書込まれるポインタ領
域を設け、不揮発性メモリの書込み制御手段として、デ
ータ書込み毎に使用領域の前記ポインタにより指定され
た書込みアドレスのセルにデータを書込む手段と、デー
タ書込み毎に書込みの正常,異常を判別して使用領域の
故障セルの発生を監視する手段と、データ書込みの正常
時,書込終了毎にポインタを使用領域内のつぎの書込み
アドレスのポインタに巡回的に更新する手段と、故障セ
ルが発生したデータ書込みの異常時,ポインタ領域のポ
インタを参照して使用領域をつぎのデータ領域に切換え
る手段と、データ書込みの異常時,切換後の使用領域に
切換前の使用領域の全データを転写し,切換後の使用領
域のポインタ領域に前記故障セルに対応するセルのつぎ
のセルを指定するポインタを初期設定する手段とを備え
る。
【0013】
【作用】前記のように構成された本発明のメモリ装置の
場合、不揮発性メモリに複数のデータ領域が設けられ、
これらの領域がアドレス順に択一的に使用領域に選択さ
れる。
【0014】そして、使用領域に選択されたデータ領域
は、不揮発性メモリの書込み制御手段により、故障セル
が発生しない正常時、当該領域の一部に形成されたポイ
ンタ領域のポインタが指定する書込みアドレスにしたが
って各書込みアドレスのセルに巡回的にデータが書込ま
れる。
【0015】つぎに、データの書込みが異常になり、書
込みアドレスのセルの故障が発生すると、前記書込み制
御手段により、使用領域がアドレス順のつぎのデータ領
域に切換えられる。
【0016】さらに、切換後の新しい使用領域に、切換
前の使用領域に書込まれていたデータが転写されるとと
もに、前記新しい使用領域のポインタ領域に故障セルに
対応するセルのつぎのセル,すなわち切換前のつぎの書
込みアドレスに対応するアドレスを指定するポインタが
初期設定される。
【0017】そのため、使用領域のいずれかの書込みア
ドレスのセルに故障が発生すると、使用領域を切換える
とともにデータの連続性を確保してデータの書込みが継
続され、不揮発性メモリの長寿命化が図られる。
【0018】
【実施例】1実施例について、図1ないし図3を参照し
て説明する。この実施例では図2に示す配電系統の遠方
監視制御の制御子局2に設けられたメモリ装置に適用す
る。
【0019】このメモリ装置が従来装置と異なる点は、
つぎの(i)〜(iii) の点である。 (i)再書込み可能な不揮発性メモリとしてのEEPR
OM7に、アドレス順に択一的に選択される複数のデー
タ領域が設けられている。すなわち、EEPROM7は
図3に示すように、アドレス1100H〜11FFHの
第1のデータ領域#1,1200H〜12FFHの第2
のデータ領域#2,1300H〜13FFHの第3のデ
ータ領域#3が設けられている。なお、1100H,1
1FFH等のアドレスの末尾のHは16進を示す。ま
た、各領域#1〜#3の最大容量はそれぞれ256バイ
トである。
【0020】(ii)各データ領域#1〜#3はそれぞれ
××00H〜××FDHの書込領域aと××FEH〜×
×FFHのポインタ領域bとに分割され、各データ領域
#1〜#3それぞれの一部に、使用領域に選択されたと
きにつぎの書込みアドレスのポインタが書込まれるポイ
ンタ領域bが設けられている。
【0021】なお、××00H,××FDH等の××は
アドレスの上位2桁を示す。また、書込みアドレスは1
6ビットで構成され、××FEHのセルに、ポインタの
下位8ビットのアドレスが書込まれ、××FFHのセル
にその上位8ビットの領域指定ポインタが書込まれる。
【0022】(iii) EEPROM7の書込み制御手段
として制御部5にソフトウエア構成のつぎの(イ)〜
(ホ)の各手段を備えている。 (イ)データ書込み毎に使用領域のポインタにより指定
された書込みアドレスのセルにデータを書込む手段。 (ロ)データ書込み毎に書込みの正常,異常を判別して
使用領域の故障セルの発生を監視する手段。 (ハ)データ書込みの正常時、書込終了毎にポインタを
使用領域内のつぎの書込みアドレスのポインタに巡回的
に更新する手段。 (ニ)故障セルが発生したデータ書込みの異常時、ポイ
ンタを参照して使用領域をつぎのデータ領域に切換える
手段。 (ホ)データ書込みの異常時、切換後の使用領域に切換
前の使用領域の全データを転写し、切換後の使用領域の
ポインタ領域に故障セルに対応するセルのつぎのセルを
指定するポインタを初期設定する手段。
【0023】そして、異常記録のデータが発生してデー
タ書込みになると、制御部5の前記書込み制御手段が図
1の処理を実行し、まず、ステップB1により使用領域
のポインタ領域bに書込まれているポインタを読込む。
このとき、例えば第2のデータ領域#2が使用領域であ
れば、データ領域#2の12FEH,12FFHのポイ
ンタが書込み制御手段に読込まれる。
【0024】そして、12FFHのセルに書込まれた上
位8ビットが領域を指定し、12FEHのセルに書込ま
れた下位8ビットが領域内のアドレスを指定し、両指定
により書込み制御手段がつぎの書込みアドレス,例えば
12A6Hを認識する。この認識に基づき、つぎにステ
ップB2によりアドレス12A6Hのセルに異常記録の
データを書込む。
【0025】つぎに、ステップB3によりアドレス12
A6Hのセルに書込まれたデータを読出し、読出したデ
ータと元の異常記録のデータとを比較して当該セルの書
込みの正常,異常を検出し、故障セルの発生を監視す
る。
【0026】そして、正常に書込みが行われていれば、
ステップB3を肯定(YES)で通過し、ステップB4
により12FEHのアドレスをつぎの0A7Hに書換
え、ポインタが指定する書込みアドレスを更新する。以
降、データ書込みが正常に行われる間は、データ書込み
が発生する毎に、ステップB1〜B4により当該使用領
域の各書込みアドレスのセルに順次にデータが書込まれ
る。
【0027】また、12FDHのセルまでデータが書込
まれると、ポインタの下位8ビットが00Hに戻り、当
該使用領域の先頭アドレス1200Hのセルから再書込
みされる。このくり返しにより、当該使用領域の各書込
みアドレスのセルに異常記録のデータが巡回的に書込ま
れる。
【0028】つぎに、書込みアドレスのセルが寿命によ
って破損等し、故障セルが発生すると、このセルのデー
タ書込み時、書込まれたデータと元のデータとの不一致
に基づき、ステップB3を否定(NO)で通過してステ
ップB5に移行する。
【0029】そして、このステップB5により12FF
Hのセルに書込まれたポインタの上位8ビットを参照
し、1200H+100H=1300Hの演算からつぎ
に使用するデータ領域#3を選択し、この選択にしたが
って使用領域をデータ領域#2から未使用のデータ領域
#3に切換える。
【0030】さらに、ステップB6により切換後の使用
領域(データ領域#3)に切換前の使用領域(データ領
域#2)の全書込みアドレスのデータが転写される。こ
の転写により、データ領域#3のアドレス1300H〜
13FDHにデータ領域#2のアドレス1200H〜1
2FDHの既記録の異常記録データが書込まれる。
【0031】また、前記演算により得られた上位2桁の
13Hを1200H+100H+0FFH=13FFH
から求めたアドレス13FFHのセルに書込み、12F
EHの0A6Hにより故障セルに対応するセルのつぎの
セルの書込みアドレス0A7Hを求め、この0A7Hを
1200H+100H+0FEH=13FEHから求め
たアドレス13FEHのセルに書込み、切換後の使用領
域のポインタ領域bに13A7Hのポインタを初期設定
する。
【0032】この初期設定に基づき、つぎにデータ書込
みが発生すると、使用領域としてのデータ領域#3のア
ドレス13A7Hのセルにデータが書込まれる。以降、
データ書込み毎にポインタが更新されて当該使用領域の
各書込みアドレス1300H〜13FDHのセルに巡回
的にデータが書込まれる。
【0033】したがって、使用領域に故障セルが発生し
ても、使用領域がデータ領域#1からデータ領域#2,
#3に順に切換えられ、EEPROM7の使用が継続さ
れる。しかも、切換後の使用領域に切換前の使用領域の
データが転写された後、故障セルに対応するセルのつぎ
のセルからデータが記録されるため、データの連続性も
確保される。そのため、EEPROM7の長寿命化が図
られる。
【0034】ところで、前記実施例では再書込み可能な
不揮発性メモリをEEPROM7として説明したが、こ
の不揮発性メモリがEPROM,バックアップされたR
AM等であっても同様に適用することができる。そし
て、種々の用途のメモリ装置に適用できるのは勿論であ
り、このとき、データ領域の数,容量等は実施例に限定
されるものではない。
【0035】
【発明の効果】本発明は、以上説明したように構成され
ているため、以下に記載する効果を奏する。不揮発性メ
モリ(EEPROM7)に複数のデータ領域#1〜#3
が設けられ、これらの領域#1〜#3がアドレス順に択
一的に使用領域に選択され、そのポインタ領域bのポイ
ンタにしたがって使用領域の各書込みアドレスのセルに
巡回的にデータが書込まれる。
【0036】そして、データの書込みが異常になり、書
込みアドレスのセルが故障すると、書込み制御手段によ
り、使用領域がアドレス順のつぎのデータ領域に切換え
られ、この領域に切換前の使用領域に書込まれていたデ
ータが転写されるとともに、そのポインタ領域bに故障
セルに対応するセルのつぎのセルを指定するポインタが
初期設定される。
【0037】したがって、使用領域のいずれかの書込み
アドレスのセルに故障が発生しても、使用領域を切換え
てデータの書込みを継続することができ、不揮発性メモ
リの長寿命化を図ることができ、経済的なメモリ装置を
提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の1実施例の処理説明用のフローチャー
トである。
【図2】本発明の1実施例の回路ブロック図である。
【図3】図2のEEPROMのメモリマップである。
【図4】従来例のフローチャートである。
【符号の説明】
5 書込み制御手段としての制御部 7 不揮発性メモリとしてのEEPROM #1,#2,#3 データ領域 b ポインタ領域

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 再書込み可能な不揮発性メモリに、アド
    レス順に択一的に選択される複数のデータ領域を設け、 前記各データ領域それぞれの一部に、書込みアドレスの
    ポインタが書込まれるポインタ領域を設け、 前記不揮発性メモリの書込み制御手段として、 データ書込み毎に使用領域の前記ポインタにより指定さ
    れた書込みアドレスのセルにデータを書込む手段と、 データ書込み毎に書込みの正常,異常を判別して使用領
    域の故障セルの発生を監視する手段と、 データ書込みの正常時,書込終了毎に前記ポインタを使
    用領域内のつぎの書込みアドレスのポインタに巡回的に
    更新する手段と、 前記故障セルが発生したデータ書込みの異常時,前記ポ
    インタを参照して使用領域をつぎのデータ領域に切換え
    る手段と、 データ書込みの異常時,切換後の使用領域に切換前の使
    用領域の全データを転写し,前記切換後の使用領域の前
    記ポインタ領域に前記故障セルに対応するセルのつぎの
    セルを指定するポインタを初期設定する手段とを備えた
    ことを特徴とするメモリ装置。
JP2762495A 1995-01-23 1995-01-23 メモリ装置 Pending JPH08203293A (ja)

Priority Applications (1)

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JP2762495A JPH08203293A (ja) 1995-01-23 1995-01-23 メモリ装置

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JP2762495A JPH08203293A (ja) 1995-01-23 1995-01-23 メモリ装置

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JP2762495A Pending JPH08203293A (ja) 1995-01-23 1995-01-23 メモリ装置

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JP (1) JPH08203293A (ja)

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0919967A3 (en) * 1997-09-29 2002-06-26 Sharp Kabushiki Kaisha Semiconductor memory device and sales processor having the same
JP2008039740A (ja) * 2006-08-10 2008-02-21 Yokogawa Electric Corp 伝送器及びメモリ装置
JP5014125B2 (ja) * 2005-05-30 2012-08-29 スパンション エルエルシー 半導体装置及びプログラムデータ冗長方法
CN113706738A (zh) * 2021-09-01 2021-11-26 陕西航空电气有限责任公司 一种航空交流起动控制器数据记录方法及系统

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