JPH11102861A5 - - Google Patents

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JPH11102861A5
JPH11102861A5 JP1997260303A JP26030397A JPH11102861A5 JP H11102861 A5 JPH11102861 A5 JP H11102861A5 JP 1997260303 A JP1997260303 A JP 1997260303A JP 26030397 A JP26030397 A JP 26030397A JP H11102861 A5 JPH11102861 A5 JP H11102861A5
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Families Citing this family (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6730368B1 (en) * 1997-09-25 2004-05-04 Kabushiki Kaisha Toshiba Method of preparing a poly-crystalline silicon film
JP4174862B2 (ja) * 1998-08-04 2008-11-05 ソニー株式会社 薄膜トランジスタの製造方法および半導体装置の製造方法
JP2004523878A (ja) * 2000-08-28 2004-08-05 アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド ガラス基板の予備ポリコーティング
JP5127101B2 (ja) * 2001-06-28 2013-01-23 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
JP6204917B2 (ja) * 2011-10-07 2017-09-27 アプライド マテリアルズ インコーポレイテッドApplied Materials,Incorporated アルゴンガス希釈によるシリコン含有層を堆積するための方法
KR101734386B1 (ko) 2015-06-03 2017-05-12 에이피시스템 주식회사 박막 증착장치 및 기판처리방법
CN118207622A (zh) * 2024-03-18 2024-06-18 江苏豪林能源科技有限公司 一种多晶硅制品的低温制备系统

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5766344A (en) * 1991-09-21 1998-06-16 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for forming a semiconductor
US5366926A (en) * 1993-06-07 1994-11-22 Xerox Corporation Low temperature process for laser dehydrogenation and crystallization of amorphous silicon
JPH07221035A (ja) * 1994-02-07 1995-08-18 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 基板処理装置およびその動作方法
JPH09246198A (ja) * 1996-03-01 1997-09-19 Matsushita Electric Ind Co Ltd 高易動度多結晶シリコン薄膜の製造方法
JP3193333B2 (ja) * 1997-10-24 2001-07-30 株式会社半導体エネルギー研究所 マルチチャンバー装置

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