JPH1092812A - シリコン酸化膜の製造方法 - Google Patents
シリコン酸化膜の製造方法Info
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- JPH1092812A JPH1092812A JP24340596A JP24340596A JPH1092812A JP H1092812 A JPH1092812 A JP H1092812A JP 24340596 A JP24340596 A JP 24340596A JP 24340596 A JP24340596 A JP 24340596A JP H1092812 A JPH1092812 A JP H1092812A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 薄膜であり且つ信頼性の高い高品質のシリコ
ン酸化膜を形成することの可能なシリコン酸化膜の製造
方法を提供する。 【解決手段】 シリコン基板１に対して、ＨＣｌを添加
した雰囲気中で熱酸化を行い、所定膜厚の第１のシリコ
ン酸化膜２を形成する。このとき、この第１のシリコン
酸化膜２が形成されたシリコン基板１に対して、次の工
程でアニール処理を行ったときに、シリコン基板１の表
面に表面荒れ等が生じず、且つ、シリコン基板表面付近
の格子間酸素の拡散が防止されない程度のシリコン酸化
膜を形成する。その後、このシリコン基板１に対してア
ニール処理を行うと、シリコン基板１の表面付近が無欠
陥層化されると共にＳｉ−ＳｉＯ2 界面が平坦化され
る。よって、アニール処理後、このシリコン基板１に対
して、さらに熱酸化し、第２のシリコン酸化膜３を形成
することにより、信頼性の高い高品質なシリコン酸化膜
を得ることができる。
ン酸化膜を形成することの可能なシリコン酸化膜の製造
方法を提供する。 【解決手段】 シリコン基板１に対して、ＨＣｌを添加
した雰囲気中で熱酸化を行い、所定膜厚の第１のシリコ
ン酸化膜２を形成する。このとき、この第１のシリコン
酸化膜２が形成されたシリコン基板１に対して、次の工
程でアニール処理を行ったときに、シリコン基板１の表
面に表面荒れ等が生じず、且つ、シリコン基板表面付近
の格子間酸素の拡散が防止されない程度のシリコン酸化
膜を形成する。その後、このシリコン基板１に対してア
ニール処理を行うと、シリコン基板１の表面付近が無欠
陥層化されると共にＳｉ−ＳｉＯ2 界面が平坦化され
る。よって、アニール処理後、このシリコン基板１に対
して、さらに熱酸化し、第２のシリコン酸化膜３を形成
することにより、信頼性の高い高品質なシリコン酸化膜
を得ることができる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、シリコン酸化膜の
製造方法に関し、特に、ＭＯＳ構造電界効果トランジス
タ等の表面平坦性が要求されるシリコン基板に対してシ
リコン酸化膜を形成する、シリコン酸化膜の製造方法で
ある。
製造方法に関し、特に、ＭＯＳ構造電界効果トランジス
タ等の表面平坦性が要求されるシリコン基板に対してシ
リコン酸化膜を形成する、シリコン酸化膜の製造方法で
ある。
【０００２】
【従来の技術】近年、例えばＭＯＳ構造の電界効果トラ
ンジスタを構成するゲート酸化膜、或いは不揮発性メモ
リに使用されるトンネル酸化膜等、半導体装置の酸化膜
においては、高品質であり且つ薄膜のシリコン酸化膜が
要求されている。
ンジスタを構成するゲート酸化膜、或いは不揮発性メモ
リに使用されるトンネル酸化膜等、半導体装置の酸化膜
においては、高品質であり且つ薄膜のシリコン酸化膜が
要求されている。
【０００３】従来、このようなシリコン酸化膜は、シリ
コン基板を洗浄した後、酸素雰囲気中、或いは、水蒸気
雰囲気中で加熱し、熱酸化を行うことにより形成してい
る。また、シリコン酸化膜を形成した後、アニール処理
等を行っている。
コン基板を洗浄した後、酸素雰囲気中、或いは、水蒸気
雰囲気中で加熱し、熱酸化を行うことにより形成してい
る。また、シリコン酸化膜を形成した後、アニール処理
等を行っている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記従
来の酸化膜の製造方法では、シリコン酸化膜が１０〔ｎ
ｍ〕程度の薄膜となるのに伴って、信頼性の高い酸化膜
を得ることは困難になりつつある。つまり、シリコン酸
化膜の信頼性を表す無欠陥層のレベルや、ＴＤＤＢ（Ｔ
ｉｍｅ−Ｄｅｐｅｎｄｅｎｔ Ｄｉｅｌｅｃｔｒｉｃ
Ｂｒｅａｋｄｏｗｎ）寿命等については、十分満足のい
く値を得ることができていない。そのため、薄膜化の点
では要求を満たしているが、信頼性の点において、十分
ではないという問題がある。
来の酸化膜の製造方法では、シリコン酸化膜が１０〔ｎ
ｍ〕程度の薄膜となるのに伴って、信頼性の高い酸化膜
を得ることは困難になりつつある。つまり、シリコン酸
化膜の信頼性を表す無欠陥層のレベルや、ＴＤＤＢ（Ｔ
ｉｍｅ−Ｄｅｐｅｎｄｅｎｔ Ｄｉｅｌｅｃｔｒｉｃ
Ｂｒｅａｋｄｏｗｎ）寿命等については、十分満足のい
く値を得ることができていない。そのため、薄膜化の点
では要求を満たしているが、信頼性の点において、十分
ではないという問題がある。
【０００５】そこで、この発明は、上記従来の問題に着
目してなされたものであり、高品質であり且つ薄膜のシ
リコン酸化膜を形成することの可能なシリコン酸化膜の
製造方法を提供することを目的としている。
目してなされたものであり、高品質であり且つ薄膜のシ
リコン酸化膜を形成することの可能なシリコン酸化膜の
製造方法を提供することを目的としている。
【０００６】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明の請求項１に係るシリコン酸化膜の製造方法
は、シリコン基板の表面にシリコン酸化膜を形成した
後、アニール処理を行うようにしたシリコン酸化膜の製
造方法において、前記アニール処理を、当該アニール処
理の実施により前記シリコン基板の格子間酸素の除去が
可能であり、且つ前記アニール処理に伴う前記シリコン
基板の表面荒れの発生を防止可能な膜厚のシリコン酸化
膜を形成した時点で行い、その後、さらにシリコン酸化
膜を形成するようにしたことを特徴としている。
に、本発明の請求項１に係るシリコン酸化膜の製造方法
は、シリコン基板の表面にシリコン酸化膜を形成した
後、アニール処理を行うようにしたシリコン酸化膜の製
造方法において、前記アニール処理を、当該アニール処
理の実施により前記シリコン基板の格子間酸素の除去が
可能であり、且つ前記アニール処理に伴う前記シリコン
基板の表面荒れの発生を防止可能な膜厚のシリコン酸化
膜を形成した時点で行い、その後、さらにシリコン酸化
膜を形成するようにしたことを特徴としている。
【０００７】この請求項１の発明によれば、シリコン基
板の表面にシリコン酸化膜を形成する際に、シリコン酸
化膜が形成されたシリコン基板に対してアニール処理を
行った時に、シリコン基板の格子間酸素の拡散が阻害さ
れず、且つ、シリコン基板表面に凹凸等が生じる表面荒
れが発生することのない膜厚のシリコン酸化膜が形成さ
れた時点で、アニール処理が行われる。そして、その
後、このアニール処理を施したシリコン酸化膜上に、さ
らにシリコン酸化膜が形成される。
板の表面にシリコン酸化膜を形成する際に、シリコン酸
化膜が形成されたシリコン基板に対してアニール処理を
行った時に、シリコン基板の格子間酸素の拡散が阻害さ
れず、且つ、シリコン基板表面に凹凸等が生じる表面荒
れが発生することのない膜厚のシリコン酸化膜が形成さ
れた時点で、アニール処理が行われる。そして、その
後、このアニール処理を施したシリコン酸化膜上に、さ
らにシリコン酸化膜が形成される。
【０００８】このとき、アニール処理は、シリコン基板
の格子間酸素の拡散が可能であり、且つシリコン基板表
面に凹凸が生じる表面荒れ等の発生を防止することの可
能な膜厚のシリコン酸化膜が形成された時点で行われる
から、アニール処理を実施することによりシリコン基板
に表面荒れ等が生じることはなく、また、アニール処理
による格子間酸素の拡散が確実に行われ、高品質なシリ
コン酸化膜が得られる。
の格子間酸素の拡散が可能であり、且つシリコン基板表
面に凹凸が生じる表面荒れ等の発生を防止することの可
能な膜厚のシリコン酸化膜が形成された時点で行われる
から、アニール処理を実施することによりシリコン基板
に表面荒れ等が生じることはなく、また、アニール処理
による格子間酸素の拡散が確実に行われ、高品質なシリ
コン酸化膜が得られる。
【０００９】また、本発明の請求項２に係るシリコン酸
化膜の製造方法は、前記シリコン酸化膜をＨＣｌを添加
した雰囲気中で形成することを特徴としている。
化膜の製造方法は、前記シリコン酸化膜をＨＣｌを添加
した雰囲気中で形成することを特徴としている。
【００１０】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態を説明
する。酸化膜の形成に先立ち、まずシリコン基板を洗浄
し、更に、希フッ酸洗浄及び純水洗浄を行い、その後乾
燥する。
する。酸化膜の形成に先立ち、まずシリコン基板を洗浄
し、更に、希フッ酸洗浄及び純水洗浄を行い、その後乾
燥する。
【００１１】これにより、シリコン基板表面の有機物や
金属イオンが除去され、さらに、シリコン基板の表面に
形成された自然酸化膜等が取り除かれ、不純物の付着し
ていない、酸化膜形成領域がシリコン基板表面に得られ
る。
金属イオンが除去され、さらに、シリコン基板の表面に
形成された自然酸化膜等が取り除かれ、不純物の付着し
ていない、酸化膜形成領域がシリコン基板表面に得られ
る。
【００１２】次に、洗浄されたシリコン基板を熱酸化炉
内に入れ、シリコン酸化膜を形成する。このとき、酸化
雰囲気中にＨＣｌを含ませて熱酸化を行う。これは、Ｈ
Ｃｌガスを用いることが、シリコン基板表面に極微量に
残存している汚染金属の除去に有効であるためである。
また、この熱酸化の際には、後述のアニール処理で表面
荒れ等の表面欠陥が生じないとして予め設定した所定膜
厚、例えば約５〔ｎｍ〕程度のシリコン酸化膜を形成す
る。
内に入れ、シリコン酸化膜を形成する。このとき、酸化
雰囲気中にＨＣｌを含ませて熱酸化を行う。これは、Ｈ
Ｃｌガスを用いることが、シリコン基板表面に極微量に
残存している汚染金属の除去に有効であるためである。
また、この熱酸化の際には、後述のアニール処理で表面
荒れ等の表面欠陥が生じないとして予め設定した所定膜
厚、例えば約５〔ｎｍ〕程度のシリコン酸化膜を形成す
る。
【００１３】この結果、図１（ａ）に示すように、汚染
金属等が除去されたシリコン基板１に所定膜厚（例えば
５〔ｎｍ〕）の第１のシリコン酸化膜２が形成される。
次に、熱酸化炉内の雰囲気ガスを窒素ガスに交換し、第
１のシリコン酸化膜２が形成されたシリコン基板１に対
し、９００〜１２００〔℃〕の高温でアニール処理を行
う（アニール工程）。
金属等が除去されたシリコン基板１に所定膜厚（例えば
５〔ｎｍ〕）の第１のシリコン酸化膜２が形成される。
次に、熱酸化炉内の雰囲気ガスを窒素ガスに交換し、第
１のシリコン酸化膜２が形成されたシリコン基板１に対
し、９００〜１２００〔℃〕の高温でアニール処理を行
う（アニール工程）。
【００１４】この結果、第１のシリコン酸化膜２の下の
シリコン基板１に含まれる格子間酸素が第１のシリコン
酸化膜２を通して外方に拡散され、シリコン基板１の表
面付近が無欠陥層化される。
シリコン基板１に含まれる格子間酸素が第１のシリコン
酸化膜２を通して外方に拡散され、シリコン基板１の表
面付近が無欠陥層化される。
【００１５】この時、第１のシリコン酸化膜２が厚すぎ
る場合には、格子間酸素の外方への拡散が阻害され、ま
た薄すぎる場合には、窒素アニールによるいわゆるサー
マルエッチにより、シリコン基板１の表面に凹凸が生じ
る表面荒れが生じる。しかしながら、アニール処理を実
行することに伴う表面荒れが生じない膜厚として予め設
定した所定膜厚のシリコン酸化膜を形成したから、シリ
コン基板表面の表面荒れの発生を防止することができ
る。
る場合には、格子間酸素の外方への拡散が阻害され、ま
た薄すぎる場合には、窒素アニールによるいわゆるサー
マルエッチにより、シリコン基板１の表面に凹凸が生じ
る表面荒れが生じる。しかしながら、アニール処理を実
行することに伴う表面荒れが生じない膜厚として予め設
定した所定膜厚のシリコン酸化膜を形成したから、シリ
コン基板表面の表面荒れの発生を防止することができ
る。
【００１６】また、窒素アニール処理は、いわゆるマイ
クロラフネスの改善にも有効であり、Ｓｉ−ＳｉＯ2 界
面には、原子レベルでの微小な凹凸が存在するが、高温
でアニール処理を行うことにより、原子の再配列が起こ
り、平坦なＳｉ−ＳｉＯ2 界面が得られる。
クロラフネスの改善にも有効であり、Ｓｉ−ＳｉＯ2 界
面には、原子レベルでの微小な凹凸が存在するが、高温
でアニール処理を行うことにより、原子の再配列が起こ
り、平坦なＳｉ−ＳｉＯ2 界面が得られる。
【００１７】次に、熱酸化炉内の雰囲気ガスの交換を行
い、窒素ガスから例えば酸素ガスに交換して熱酸化を行
い、先に形成した第１のシリコン酸化膜２上に、新たに
第２のシリコン酸化膜３を形成する。この場合も、第１
のシリコン酸化膜２を形成した場合と同様に、酸化雰囲
気中にＨＣｌを含ませて熱酸化を行う。
い、窒素ガスから例えば酸素ガスに交換して熱酸化を行
い、先に形成した第１のシリコン酸化膜２上に、新たに
第２のシリコン酸化膜３を形成する。この場合も、第１
のシリコン酸化膜２を形成した場合と同様に、酸化雰囲
気中にＨＣｌを含ませて熱酸化を行う。
【００１８】この結果、図１（ｂ）に示すように、第１
のシリコン酸化膜２と第２のシリコン酸化膜３とからな
る、所望の膜厚のシリコン酸化膜４が形成される。した
がって、第２のシリコン酸化膜３は、窒素アニール処理
を行うことによってＳｉ−ＳｉＯ2 界面のマイクロラフ
ネスが改善され、原子レベルに至るまで平坦化された、
シリコン基板及びシリコン酸化膜からなるシリコン層上
に形成されることになり、極めて高品質な酸化膜を得る
ことができる。
のシリコン酸化膜２と第２のシリコン酸化膜３とからな
る、所望の膜厚のシリコン酸化膜４が形成される。した
がって、第２のシリコン酸化膜３は、窒素アニール処理
を行うことによってＳｉ−ＳｉＯ2 界面のマイクロラフ
ネスが改善され、原子レベルに至るまで平坦化された、
シリコン基板及びシリコン酸化膜からなるシリコン層上
に形成されることになり、極めて高品質な酸化膜を得る
ことができる。
【００１９】よって、シリコン酸化膜を形成する際に、
シリコン基板に所定膜厚のシリコン酸化膜を形成した時
点でアニール処理を行うことによって、シリコン基板１
に無欠陥層が形成されると共に、Ｓｉ−ＳｉＯ2 界面が
平坦化される。そして、このシリコン基板に対し、さら
にシリコン酸化膜を形成することによって、所望の膜厚
の信頼性の高いシリコン酸化膜を得ることができる。
シリコン基板に所定膜厚のシリコン酸化膜を形成した時
点でアニール処理を行うことによって、シリコン基板１
に無欠陥層が形成されると共に、Ｓｉ−ＳｉＯ2 界面が
平坦化される。そして、このシリコン基板に対し、さら
にシリコン酸化膜を形成することによって、所望の膜厚
の信頼性の高いシリコン酸化膜を得ることができる。
【００２０】また、熱酸化によりシリコン酸化膜を形成
しているから、高精度に膜厚制御を行うことができ薄膜
の酸化膜を形成することができ、熱酸化を行う際に、雰
囲気中にＨＣｌを含ませているから、シリコン基板１或
いはシリコン酸化膜２の表面の不純物を除去することが
でき、より高品質なシリコン酸化膜を得ることができ
る。
しているから、高精度に膜厚制御を行うことができ薄膜
の酸化膜を形成することができ、熱酸化を行う際に、雰
囲気中にＨＣｌを含ませているから、シリコン基板１或
いはシリコン酸化膜２の表面の不純物を除去することが
でき、より高品質なシリコン酸化膜を得ることができ
る。
【００２１】なお、上記実施の形態では、窒素ガスによ
るアニール処理を行うようにした場合について説明した
が、これに限らず、水素ガス等を適用することも可能で
ある。
るアニール処理を行うようにした場合について説明した
が、これに限らず、水素ガス等を適用することも可能で
ある。
【００２２】また、上記実施の形態では、５〔ｎｍ〕程
度の第１のシリコン酸化膜２を形成した時点で、９００
〜１２００〔℃〕でアニール処理を行う場合について説
明したが、これに限らず、アニール処理を実施すること
により、シリコン基板１の表面荒れの発生を防止可能で
あり、且つ、シリコン基板１の格子間酸素の除去が可能
な膜厚であればよい。この膜厚は、アニール処理実施時
の温度条件等の環境条件に応じて、実験的に求めればよ
い。
度の第１のシリコン酸化膜２を形成した時点で、９００
〜１２００〔℃〕でアニール処理を行う場合について説
明したが、これに限らず、アニール処理を実施すること
により、シリコン基板１の表面荒れの発生を防止可能で
あり、且つ、シリコン基板１の格子間酸素の除去が可能
な膜厚であればよい。この膜厚は、アニール処理実施時
の温度条件等の環境条件に応じて、実験的に求めればよ
い。
【００２３】
【実施例】以下、本発明の実施例を説明する。希フッ
酸，純水等で洗浄を行った後、乾燥させたシリコン基板
に対し、２％ＨＣｌを添加した酸素雰囲気中で、８５０
〔℃〕で熱酸化を行い、５〔ｎｍ〕のシリコン酸化膜を
形成した。
酸，純水等で洗浄を行った後、乾燥させたシリコン基板
に対し、２％ＨＣｌを添加した酸素雰囲気中で、８５０
〔℃〕で熱酸化を行い、５〔ｎｍ〕のシリコン酸化膜を
形成した。
【００２４】次に、シリコン酸化膜を形成したシリコン
基板に対し、窒素アニール処理を１１００〔℃〕で３０
分行い、シリコン基板表面近傍の無欠陥層化を図った。
次に、窒素アニール処理を行ったシリコン基板に対し、
２％ＨＣｌを添加した酸素雰囲気中で、８５０〔℃〕で
熱酸化を行い、５〔ｎｍ〕のシリコン酸化膜を形成し、
最終的に１０〔ｎｍ〕のシリコン酸化膜を得た。
基板に対し、窒素アニール処理を１１００〔℃〕で３０
分行い、シリコン基板表面近傍の無欠陥層化を図った。
次に、窒素アニール処理を行ったシリコン基板に対し、
２％ＨＣｌを添加した酸素雰囲気中で、８５０〔℃〕で
熱酸化を行い、５〔ｎｍ〕のシリコン酸化膜を形成し、
最終的に１０〔ｎｍ〕のシリコン酸化膜を得た。
【００２５】このようにして形成したシリコン酸化膜に
対して、一定のトンネル電流を流し、絶縁破壊するまで
の時間である、ＴＤＤＢ寿命を測定した。その結果、１
５０秒であった。
対して、一定のトンネル電流を流し、絶縁破壊するまで
の時間である、ＴＤＤＢ寿命を測定した。その結果、１
５０秒であった。
【００２６】これに対し、第１の比較例として、上記実
施例と同様に、洗浄した後乾燥したシリコン基板に対
し、２％ＨＣｌを添加した酸素雰囲気中で、８５０
〔℃〕で熱酸化を行い、一度のシリコン酸化膜形成工程
で、１０〔ｎｍ〕のシリコン酸化膜を形成した。
施例と同様に、洗浄した後乾燥したシリコン基板に対
し、２％ＨＣｌを添加した酸素雰囲気中で、８５０
〔℃〕で熱酸化を行い、一度のシリコン酸化膜形成工程
で、１０〔ｎｍ〕のシリコン酸化膜を形成した。
【００２７】次に、このシリコン酸化膜を形成したシリ
コン基板に対し、窒素アニール処理を１１００〔℃〕で
３０分行った。上記実施例と同様にして、１０〔ｎｍ〕
のシリコン酸化膜が形成されたシリコン基板に対し、シ
リコン酸化膜のＴＤＤＢ寿命を測定した。その結果、１
２０秒であった。
コン基板に対し、窒素アニール処理を１１００〔℃〕で
３０分行った。上記実施例と同様にして、１０〔ｎｍ〕
のシリコン酸化膜が形成されたシリコン基板に対し、シ
リコン酸化膜のＴＤＤＢ寿命を測定した。その結果、１
２０秒であった。
【００２８】また、第２の比較例として、上記実施例と
同様に、洗浄した後乾燥したシリコン基板に対し、６７
％Ｏ2 ，３３％Ｈ2 の水蒸気を含む酸素雰囲気中で、８
５０〔℃〕で熱酸化を行い、一度のシリコン酸化膜形成
工程で、１０〔ｎｍ〕のシリコン酸化膜を形成した。そ
の後、窒素アニール処理を行わなかった。
同様に、洗浄した後乾燥したシリコン基板に対し、６７
％Ｏ2 ，３３％Ｈ2 の水蒸気を含む酸素雰囲気中で、８
５０〔℃〕で熱酸化を行い、一度のシリコン酸化膜形成
工程で、１０〔ｎｍ〕のシリコン酸化膜を形成した。そ
の後、窒素アニール処理を行わなかった。
【００２９】上記実施例と同様にして、１０〔ｎｍ〕の
シリコン酸化膜が形成されたシリコン基板に対し、シリ
コン酸化膜のＴＤＤＢ寿命を測定した結果、１００秒で
あった。
シリコン酸化膜が形成されたシリコン基板に対し、シリ
コン酸化膜のＴＤＤＢ寿命を測定した結果、１００秒で
あった。
【００３０】したがって、第１及び第２の比較例に比較
して本実施例におけるＴＤＤＢ寿命は延長していること
から、アニール処理実施時のシリコン基板１の面荒れ等
の表面欠陥の発生を防止し、且つシリコン基板１の格子
間酸素の拡散を阻害することのない、所定膜厚のシリコ
ン酸化膜を形成した時点で、このシリコン基板に対して
窒素アニール処理を行い、その後、さらにシリコン酸化
膜を形成することにより、高品質なシリコン層を得るこ
とができることが確認された。
して本実施例におけるＴＤＤＢ寿命は延長していること
から、アニール処理実施時のシリコン基板１の面荒れ等
の表面欠陥の発生を防止し、且つシリコン基板１の格子
間酸素の拡散を阻害することのない、所定膜厚のシリコ
ン酸化膜を形成した時点で、このシリコン基板に対して
窒素アニール処理を行い、その後、さらにシリコン酸化
膜を形成することにより、高品質なシリコン層を得るこ
とができることが確認された。
【００３１】また、第１の比較例では、シリコン酸化膜
を１０〔ｎｍ〕形成した時点で窒素アニール処理を行っ
ているが、そのＴＤＤＢ寿命は本実施例よりも短いこと
から、１０〔ｎｍ〕のシリコン酸化膜では膜厚が厚す
ぎ、アニール処理による無欠陥層化が十分行われないこ
とが確認され、実施例のように、５〔ｎｍ〕のシリコン
酸化膜厚が適当であることが確認された。
を１０〔ｎｍ〕形成した時点で窒素アニール処理を行っ
ているが、そのＴＤＤＢ寿命は本実施例よりも短いこと
から、１０〔ｎｍ〕のシリコン酸化膜では膜厚が厚す
ぎ、アニール処理による無欠陥層化が十分行われないこ
とが確認され、実施例のように、５〔ｎｍ〕のシリコン
酸化膜厚が適当であることが確認された。
【００３２】また、シリコン酸化膜形成後、アニール処
理を行った実施例、或いは第１の比較例の方が、アニー
ル処理を行わない第２の比較例よりもＴＤＤＢ寿命が長
いことから、アニール処理を行うことにより、より高品
質なシリコン酸化膜を得ることができることが確認され
た。
理を行った実施例、或いは第１の比較例の方が、アニー
ル処理を行わない第２の比較例よりもＴＤＤＢ寿命が長
いことから、アニール処理を行うことにより、より高品
質なシリコン酸化膜を得ることができることが確認され
た。
【００３３】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によるシリ
コン酸化膜の製造方法は、シリコン基板表面にシリコン
酸化膜を形成する際に、シリコン酸化膜が形成されたシ
リコン基板に対してアニール処理を実施したときに、シ
リコン基板に表面荒れ等が生じることなく、且つ、シリ
コン基板の格子間酸素の拡散を阻害することのない膜厚
のシリコン酸化膜を形成した時点で、アニール処理を行
うようにしたから、シリコン基板に表面荒れ等が生じる
ことなく、且つ格子間酸素の拡散が行われ、高品質な信
頼性の高いシリコン酸化膜を得ることができる。特に、
ＨＣｌを添加した雰囲気中で前記シリコン酸化膜を形成
するから、シリコン基板表面等の不純物が除去され、高
品質なシリコン酸化膜を得ることができる。
コン酸化膜の製造方法は、シリコン基板表面にシリコン
酸化膜を形成する際に、シリコン酸化膜が形成されたシ
リコン基板に対してアニール処理を実施したときに、シ
リコン基板に表面荒れ等が生じることなく、且つ、シリ
コン基板の格子間酸素の拡散を阻害することのない膜厚
のシリコン酸化膜を形成した時点で、アニール処理を行
うようにしたから、シリコン基板に表面荒れ等が生じる
ことなく、且つ格子間酸素の拡散が行われ、高品質な信
頼性の高いシリコン酸化膜を得ることができる。特に、
ＨＣｌを添加した雰囲気中で前記シリコン酸化膜を形成
するから、シリコン基板表面等の不純物が除去され、高
品質なシリコン酸化膜を得ることができる。
【図１】本実施の形態におけるシリコン酸化膜の製造方
法の説明に供する説明図である。
法の説明に供する説明図である。
１ シリコン基板 ２ 第１のシリコン酸化膜 ３ 第２のシリコン酸化膜
Claims (2)
- 【請求項１】 シリコン基板の表面にシリコン酸化膜を
形成した後、アニール処理を行うようにしたシリコン酸
化膜の製造方法において、前記アニール処理を、当該ア
ニール処理の実施により前記シリコン基板の格子間酸素
の除去が可能であり、且つ前記アニール処理に伴う前記
シリコン基板の表面荒れの発生を防止可能な膜厚のシリ
コン酸化膜を形成した時点で行い、その後、さらにシリ
コン酸化膜を形成するようにしたことを特徴とするシリ
コン酸化膜の製造方法。 - 【請求項２】 前記シリコン酸化膜をＨＣｌを添加した
雰囲気中で形成することを特徴とするシリコン酸化膜の
製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24340596A JPH1092812A (ja) | 1996-09-13 | 1996-09-13 | シリコン酸化膜の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24340596A JPH1092812A (ja) | 1996-09-13 | 1996-09-13 | シリコン酸化膜の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1092812A true JPH1092812A (ja) | 1998-04-10 |
Family
ID=17103377
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP24340596A Pending JPH1092812A (ja) | 1996-09-13 | 1996-09-13 | シリコン酸化膜の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH1092812A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2002095830A1 (fr) * | 2001-05-22 | 2002-11-28 | Sony Corporation | Procede de production pour dispositif d'imagerie a l'etat solide |
-
1996
- 1996-09-13 JP JP24340596A patent/JPH1092812A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2002095830A1 (fr) * | 2001-05-22 | 2002-11-28 | Sony Corporation | Procede de production pour dispositif d'imagerie a l'etat solide |
| US6746939B2 (en) | 2001-05-22 | 2004-06-08 | Sony Corporation | Production method for solid imaging device |
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