JPH1090345A - 半導体素子の検査装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 使用するプローブの材質とか形状・寸法に関
して制限されることもなく、測定までの待ち時間を要せ
ず、効率的に、温度依存性半導体素子の所定温度での電
気的諸特性を正確に測定することができる検査装置を提
供すること。 【解決手段】 第２加熱器によりプローブホルダーを予
備的に上記基準温度に応じた温度に加熱するとともに該
第２加熱器によるプローブホルダーの加熱作用を第２温
度調節器により制御して第２温度センサにより検出され
るプローブホルダーの温度が第１温度センサにより検出
される上記試料載置台の温度に追従するようにする。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は半導体素子の検査装
置、更に詳しくは、半導体ＬＤチップ等の温度依存性半
導体素子の電気的諸特性を検査する検査装置に関する。

【０００２】

【従来の技術】従来、半導体ＬＤチップ等の温度依存性
半導体素子の製造工程において、製造された半導体素子
の検査にあたり、図８に示すように、導電性の検査試料
載置台１にペルチェ素子等の発熱素子２を取り付け、公
知の方法で該発熱素子２の発熱を制御して試料載置台１
を検査しようとする半導体素子に見合った所定温度に加
熱し、該試料載置台１に検査しようとする半導体素子又
はチップ３を載せ、電気絶縁性プローブホルダー４に装
着されかつ検査制御回路５と電気接続されたプローブ６
の先端部を、上記試料載置台１に載せて所定温度に加熱
された半導体素子３と接触させ、該半導体素子３に所定
の検査電圧信号を印加しながら半導体素子の電気的諸特
性を測定して行っていた。

【０００３】しかしながら、一般に、検査試料の半導体
素子の体積は０．１ｍｍ³程度以下の大きさで熱容量が
小さく、そのような半導体素子に上記プローブの先端部
を接触させた際、該半導体素子の温度が急激に変化して
所定温度での半導体素子の電気的諸特性を正確に測定す
ることが出来なかった。これに対し、検査試料の半導体
素子にプローブを接触させた状態を維持して該検査試料
が所定温度となるまで待つ方法が考えられるが、これで
は、実際に測定するまでに可成りの待ち時間を要し、１
つの半導体素子あたりの検査工数が大きく、特に、大量
製造工程においては製造コストアップを招来し、即座に
実施し難い。

【０００４】また、上記従来形式の装置において、所要
の測定精度を得るにはプローブの先端部と検査試料との
接触電気抵抗の変動を最小限のものとする必要がある。
そのために、該プローブの先端部を太くして半導体素子
との接触面積を大きくしようとすると、電気諸特性の測
定時、該プローブの先端部からの熱の放散又は流入が激
しくて測定状態が熱的に不安定となる。これに対し、熱
の流動を抑制するためにプローブの先端部を細くして尖
らせると、接触時に検査試料を損傷する危険性が増し、
いずれにしても安定した接触電気抵抗を得ることが困難
であり、使用し得るプローブに、特に、その形態とか熱
的特性に関して制限されるという問題があった。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】本発明は、上記問題点
を完全に解消するためになされたものであって、使用す
るプローブの材質とか形状・寸法に関して制限されるこ
ともなく、測定までの待ち時間を要せず、効率的に、温
度依存性半導体素子の所定温度での電気的諸特性を正確
に測定することができる、検査装置を提供することを目
的とする。

【０００６】

【課題を解決するための手段】本発明は、上記目的を達
成するために、上記試料載置台の温度を検出する第１温
度センサ、該試料載置台を加熱する第１加熱器及び上記
第１温度センサの出力に基づいて第１加熱器を調節して
上記試料載置台の温度を所定温度に調節する第１温度調
節器に加えて、上記プローブを保持するプローブホルダ
ーの温度を検出する第２温度センサ、該プローブホルダ
ーを加熱する第２加熱器及び上記第１及び第２温度セン
サの出力の偏差に基づき第２加熱器を制御して上記プロ
ーブホルダーの温度を調節する、第２温度調節器を設
け、上記試料載置台に載置された半導体素子の検査時、
上記第２温度調節器により第２温度センサによるプロー
ブホルダーの検出温度が第１温度センサによる試料載置
台の検出温度と等しくなるようにしたことを特徴とす
る。ここで、上記第１加熱器及び第２加熱器とは、単に
発熱作用を行うものに限らず、吸熱作用をも行うものを
含み、それぞれ、上記試料載置台及びプローブホルダー
を所定温度に加熱するものをいう。

【０００７】

【発明の実施の形態】図１及び図２に示す本発明の一実
施例の検査装置１０において、基台１１に水平に敷設さ
れたスライドレール１２に、横方向（Ｙ軸方向）に摺動
可能とされる移動台１４が設けられる。移動台１４は、
階層状に設けられた３つの位置微調用の調整台、すなわ
ち、Ｙ軸方向位置調整台１５、Ｘ軸方向位置調整台１６
及びθ方向又は回転角位置調整台１７により構成され
る。移動台１４の最上階の回転角度位置調整台１７上に
試料載置台２０が固定される。

【０００８】Ｙ及びＸ軸方向位置調整台１５及び１６
に、それぞれ、マイクロメータ１８（図１中、マイクロ
メータカラーのみを示す）及び１９が装着される一方、
回転角位置調整台１７に、図示しない回転角度目盛盤が
設けられる。これら位置調整台１５及び１６は、それぞ
れ、公知の方法でマイクロメータ１８及び１９を介し
て、試料載置台２０のＹ及びＸ軸方向における位置が微
調整可能とされる。また、上記回転角度目盛盤を介し
て、位置調整台１７の回転角度位置が微調整可能とされ
る。

【０００９】試料載置台２０は、４角形状のアルミニュ
ーム製ブロック２１と、該ブロック２１に固定されかつ
凹部２３内に第１加熱器２４を装着した電気絶縁性の加
熱器保持板２５と、該加熱器保持板２５に固定される導
電性の試料固定板２６とにより構成される。第１加熱器
２４として、例えば、ペルチェ素子を用いて形成された
小松エレクトロニクス社製のサーモ・モジュール（商標
名）を使用することができる。該加熱素子又はモジュー
ル（第１加熱器）を上記加熱器保持板２５の凹部２３に
取り付けるにあたり、好ましくは、該モジュールの表面
にシリコングリースを塗布し、該シリコングリースによ
り当該モジュールと保持板２５間の熱結合を強化する。
また、上記試料固定板２６として、例えば、銅とかアル
ミニューム等の熱伝導性の良い材料を用いて形成し、好
ましくは、その表面に酸化防止用に金めっきを施したも
のを用いることができる。

【００１０】試料固定板２６は、図３に示すように、Ｘ
軸方向に延びる帯状の隆起した試料固定台部２７を有す
る。この試料固定台部２７の表面部に、下方部に設けら
れた真空穴２８と連絡した試料吸着孔２９が形成される
とともに該試料吸着孔２９の近くに温度センサ取り付け
用の穴３１が設けられる。この穴３１に、上記試料固定
台部２７の温度を検出する、サーミスタ素子を用いて構
成した第１温度センサ３０（図７参照）が図示しない熱
結合強化用のシリコングリースを塗布して装着される。

【００１１】半導体素子の検査にあたり、移動台１４は
スライドレール１２に沿って基台１１の左側部の試料設
定ステージに移動され、図１中、概略的に一部分のみを
示す光学顕微鏡３３の下方の所定位置に停止させられ
る。次いで、該顕微鏡３３を使用して試料載置台２０に
おける試料固定部２７の吸着孔２９の位置に検査試料、
例えば半導体ＬＤチップが載置され、吸着孔２９を介し
て固定される。その後、上記位置微調整台１５、１６及
び１７を用いて試料固定部２７における検査試料の位置
決めがなされる。

【００１２】図１における右側部の検査ステージに、図
２に詳細に示すように、スライドレール１２の後方に支
柱３５がボルト止めされる。この支柱３５の上端部に、
スライドレール１２側に張り出すように、ブラケット３
６が取り付けられるとともに該ブラケット３６より下方
の位置に垂直に下方へ延びるスライドレール３８が設け
られる。スライドレール３８に平板状のホルダー支持腕
４０の一端部が支持され、該支持腕４０は、下記する支
持棒４５を介してスライドレール３８に沿って水平姿勢
をもって昇降可能とされる。

【００１３】ホルダー支持腕４０の一方の支持端部に近
い部分に連結部４１が形成される。この連結部４１に、
ブラケット３６に形成された貫通穴３７を遊嵌状に挿通
させた伸長可能な入れ子式の支持棒４５の一端部（下端
部）が連結されるとともにその他端部（上端部）に形成
された膨大頭部４６を介して上記貫通穴３７の開口縁部
に掛け止め可能とされる。また、ブラケット３６に、図
４に詳細に示すように、ホルダー支持腕４０を所定の高
さ位置に固定する、止め金５０が回転軸５１を介して装
着される。この止め金５０に形成された起立突片部５２
に操作者の一方の手の指を押し当て、該止め金５０を回
転軸５１を中心として時計回りに回転させるとともに操
作者のもう一方の手でホルダー支持腕４０を持ち上げて
上記支持棒４５の外周部の所定位置に形成された図示し
ない環状溝をブラケット３６の貫通穴３７より上方に突
出させ、該環状溝に止め金５０の他端部に形成した掛止
め用切欠き５３の周縁部を噛み合わせることにより、ホ
ルダー支持腕４０が所定の高さ位置に固定される。

【００１４】さらに、ブラケット３６の貫通穴３７の近
くに取り付けられたばね支持部材５５にコイルばね５６
の一端部が取り付けられるとともに該コイルばね５６の
他端部がホルダー支持腕４０の連結部４１の近くの位置
に固定される。この構成により、操作者が止め金５０に
よる支持棒４５の掛け止めを解除し、該ホルダー支持腕
４０を試料載置台２０に載置された検査試料に向けて押
し下げて該ホルダー支持腕４０に取り付けられたプロー
ブホルダー６０のプローブ７０の先端部を上記検査試料
と接触させた際の衝撃を有効に緩和することができる。
また、コイルばね５６の長さ及びばね力を適当に設定す
ることにより、上記プローブ７０の先端部を検査試料に
ほぼ一定の接触圧をもって該検査試料に傷を付けること
なく、円滑に接触させることができる。

【００１５】ホルダー支持腕４０の自由端部にプローブ
ホルダー６０が取り付けられる。プローブホルダー６０
は加熱器保持板６１と板体状のプローブ保持体６５とに
より構成される。加熱器保持板６１は電気絶縁性材料を
用いて４角形板状に形成される。加熱器保持板６１は、
セラミック材料とか耐熱性合成樹脂材料等、好ましくは
高比熱を有する、電気絶縁性材料を用いて形成される。
この加熱器保持板６１に形成された図示しない凹部内
に、ペルチェ素子を用いて構成された第２加熱器６３
（図７参照）が図示しないビスを用いて固定される。第
２加熱器６３として、例えば、上記第１加熱器２４と同
様、ペルチェ素子により形成された小松エレクトロニク
ス社製サーモ・モジュール（商標名）を使用することが
できる。

【００１６】プローブ保持体６５は、図５に示すよう
に、上記加熱器保持板６１に重ね合わせ可能に概略４角
形板体状に形成される。このプローブ保持体６５は、例
えば、銅、アルミニューム等の熱良導性の導電材料と
か、アルミナ等の熱良導性の電気絶縁材料を用いて形成
される。このプローブ保持体６５の裏面は平坦に形成さ
れ、上記保持板６１に固着された第２加熱器６３と直接
熱的に結合される。プローブ保持体６５の中央部に帯状
に隆起したプローブ固定部６６が形成され、該固定部６
６に形成された貫通穴６７に、円柱状のプローブ７０を
挿入して図示しないビスを用いて固定される。また、プ
ローブ固定部６６の表面部であって上記貫通穴６７の近
くに形成された小さな穴６８に、該プローブ固定部６６
の温度を検出する第２温度センサ６９（図７参照）が図
示しない熱結合強化用のシリコングリースとともに挿入
して取り付けられる。

【００１７】上記第１温度センサ２４及び第２温度セン
サ６９として、半導体サーミスタ素子を用いたものに限
らず、熱電対素子を用いて形成したものとか又は非接触
型の赤外線温度センサを用いることができる。

【００１８】プローブ７０は、図６に示すように、導電
性の円筒状ケース７１と、導電性金属棒から形成された
プローブ本体７２と、コイルばね７３とにより構成され
る。円筒状ケース７１にくびれ部７４が形成され、ケー
ス７１内に挿入された円錐状先端部を有する導電性金属
棒から成るプローブ本体７２が該ケース７１のくびれ部
７４を介して固定されるとともに該プローブ本体７２の
後端面を圧接するようにコイルばね７３が装着される。
この円筒状ケース７１の後端部は詳細に後述する検査制
御回路８０の測定部８２（図７参照）と接続される。

【００１９】上記プローブ７０は、上記の電気接触抵抗
を安定化するコイルばね７３を内蔵したものに限らず、
単に、導電性金属棒を用いて円錐状の先端部を形成した
ものであってもよい。

【００２０】図７は、本発明の検査装置における温度制
御系を含む電気回路を示す。この電気回路において、検
査制御回路８０、第１温度センサ３０及び第２温度セン
サ６９のアナログ出力信号をディジタル信号に変換する
Ａ／Ｄ変換器８５及び８６並びにキーボード８８を除く
各構成部分は、図１及び図２に示すものと等価のもので
あり、同一符号を付してその説明を省略する。

【００２１】図７において、検査制御回路８０は、キー
ボード８８を介して入力される種々の検査条件データを
受けてディジタル信号に変換するデータ入力部８１、検
査しようとする試料の半導体素子、例えば、ＬＤチップ
の温度依存性電気的諸特性を測定する測定部８２、試料
載置台２０の試料固定台部２７の加熱温度を制御する第
１温度調節部８３及び電気的諸特性測定用プローブ７０
のプローブホルダー６０の加熱温度を制御する第２温度
調節部８４を含む。

【００２２】データ入力部８１は、キーボード８８を介
して公知の方法で入力される、検査条件、例えば、検査
試料に印加する検査電圧信号、試料加熱温度（試料加熱
基準温度）等をディジタル信号に変換するとともに図示
しないメモリーに格納する電子回路により構成される。

【００２３】測定部８２は、プローブ７０に、上記メモ
リーに設定された検査電圧信号を供給するとともに該プ
ローブ７０を検査試料の半導体チップと接触させた際、
該チップに流れる電流を測定し、その測定値に基づき電
気的諸特性を測定する電気回路により構成される。

【００２４】第１温度調節部８３は、検査時、第１加熱
器２４のペルチェ素子に、上記メモリーに設定された試
料加熱基準温度Ｔ０に見合った電力を供給して発熱させ
る一方、第１温度センサ３０からＡ／Ｄ変換器８５を介
して入力される、試料載置台２０における試料固定台部
２７の検出温度Ｔ１と上記試料加熱基準温度Ｔ０との偏
差ΔＴ１０に基づき、試料固定台部２７が検査試料の予
め定められた加熱温度、すなわち、上記基準温度Ｔ０と
なるように、上記第１加熱器２４に供給する電力を制御
する電力トランジスター等の半導体電力素子を用いて構
成した、閉ループ型の電力制御回路を含む。この電力制
御回路は、ＵＪＴ（ユニジャンクショントランジスタ
ー）等を用いて形成されたゲートトリガー回路によりサ
イリスターとかトライアック等の交流電力制御半導体素
子の位相を制御するように構成したものであってもよ
い。

【００２５】第２温度調節部８４は、検査時、第２加熱
器６３のペルチェ素子がプローブホルダー６０における
プローブ保持体６５、したがって該保持体６５と熱的に
結合されたプローブ７０を上記基準温度Ｔ０に対応した
温度に予備的に加熱するように、該第２加熱器６３の発
熱素子に所定の電力を供給する一方、第１温度センサ３
０からＡ／Ｄ変換器８５を介して入力される試料固定部
２６の検出温度Ｔ１と、第２温度センサ６９からＡ／Ｄ
変換器８６を介して入力されるプローブ保持体６５の検
出温度Ｔ２との偏差ΔＴ１２に基づき第２加熱器６３の
発熱素子への供給電力を制御し、これにより第２温度セ
ンサ６９による上記試料固定部２６、すなわち、プロー
ブホルダー６０の検出温度が第１温度センサ３０による
試料載置台２０の試料固定部２６の検出温度と等しくな
るようにする電力制御回路を含む。このような電力制御
回路として、上記第１温度調節部８３におけると同様、
それ自体公知の直流又は交流電力制御回路を使用するこ
とができる。

【００２６】上記第１加熱器２４及び第２加熱器６３
は、発熱及び吸熱を行うペルチェ素子を用いたものに限
らず、例えば、正特性サーミスタ素子等のセラミック抵
抗発熱素子とか、金属抵抗発熱線を用いて構成したもの
であってもよい。また、これら加熱器２４及び６３とし
て、平板状のセラミック抵抗発熱素子を、例えば、シリ
コンゴム等で包皮して形成された発熱モジュールとか、
金属抵抗発熱線を酸化マグネシウム等の電気絶縁物中に
埋設して構成されたシーズヒータを使用することができ
る。

【００２７】上記第１温度調節部８３及び第２温度調節
部８４は、それぞれ第１加熱器２４及び第２加熱器６３
に連続的に上記試料加熱基準温度Ｔ０に応じた電力を供
給して連続的に発熱させるものに限らず、所定の繰り返
し周波数をもって断続的に上記電力を供給して間欠的に
発熱させるように構成したものであってもよい。このよ
うに電気加熱器の発熱素子に断続的に電力を供給するに
あたり、その繰り返し周期とか、デューティーファクタ
ーを変化させることにより、加熱器の発熱特性を有効に
変化させて試料載置台２０における試料固定部２７及び
プローブホルダー６０のプローブ保持体６５の加熱温度
を精密にかつ簡単に調節可能であり、当該第１及び第２
温度調節部（温度調節器）を有効に簡略化することがで
きる。

【００２８】

【発明の効果】本発明の検査装置によれば、第１加熱器
により加熱される試料載置台が検査しようとする検査試
料の半導体素子に見合わせて予め定められた基準温度を
維持するように、閉ループ型の第１温度調節器により試
料載置台の加熱温度を制御することに加え、第２加熱器
によりプローブホルダーを予備的に上記基準温度に応じ
た温度に加熱するとともに該第２加熱器によるプローブ
ホルダーの加熱作用を第２温度調節器により制御して第
２温度センサにより検出される、プローブホルダー、し
たがって該ホルダーに保持されたプローブの加熱温度を
第１温度センサにより検出される上記試料載置台の加熱
温度に追従させる、すなわち、該プローブと該試料載置
台に載置された半導体素子間の温度勾配を実質的に零と
なるようにしたから、検査時、上記試料載置台に載置さ
れて所定温度に加熱された半導体素子に上記プローブを
接触させても、該プローブと半導体素子間に熱流動が発
生せず、該半導体素子を所定温度に維持させ、待ち時間
を要することなく、能率的にかつ正確に、所定温度での
電気的諸特性の測定を行うことができる。

【００２９】また、上記プローブホルダーと熱的に結合
されたプローブを、検査される半導体素子と実質的に同
等の温度に加熱するようにしてプローブ自体の熱容量等
が検査時の測定動作に何ら影響を及ぼさないようにした
から、該プローブの材質とか形状とか寸法は自由に選択
することができ、それだけ装置の設計条件が緩和され、
安価に製作することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】 本発明の検査装置の試料設定ステージ及び検
査ステージにおける概略正面図を示す。

【図２】 図１の装置の検査ステージの側面図を示す。

【図３】 図１の装置に適用できる試料固定板の斜視図
を示す。

【図４】 図１の装置におけるブラケット及び止め金の
平面図を示す。

【図５】 図１の装置に適用できるプローブ保持体の斜
視図を示す。

【図６】 図１の装置に適用できるプローブの縦断面図
を示す。

【図７】 図１の装置における温度制御系を含む電気回
路図を示す。

【図８】 従来形式の半導体素子の検査装置の概略構成
説明図である。

【符号の説明】

１０ 本発明の検査装置 １４ 移動台 １５ Ｙ軸方向位置調整台 １６ Ｘ軸方向位置調整台 １７ θ方向又は回転角位置調整台 １８ マイクロメータ １９ マイクロメータ ２０ 試料載置台 ２４ 第１加熱器 ２６ 試料固定板 ２７ 試料固定台部 ２８ 真空穴 ２９ 試料吸着孔 ３０ 第１温度センサ ３３ 光学顕微鏡 ３５ 支柱 ３６ ブラケット ４０ ホルダー支持腕 ４５ 支持棒 ５０ 止め金 ５３ 掛止め用切欠き ５６ コイルばね ６０ プローブホルダー ６３ 第２加熱器 ６５ プローブ保持体 ６９ 第２温度センサ ７０ プローブ ８０ 検査制御回路 ８１ データ入力部 ８２ 測定部 ８３ 第１温度調節部 ８４ 第２温度調節部

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 杉山 泰久 京都府亀岡市大井町並河３丁目13番１号 ダイトロンテクノロジー株式会社内 (72)発明者 佐藤 博 新潟県柏崎市城塚２番31号 株式会社スィ ンクス内

Claims (8)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 検査しようとする半導体素子を載置する
   試料載置台、 上記試料載置台に載置された半導体素子と接触させてそ
   の電気的諸特性を検出するプローブを固定するとともに
   該プローブと熱的に結合させた、プローブホルダー、 上記試料載置台を加熱する第１加熱器、 上記試料載置台の温度を検出する第１温度センサ、及び
   上記第１温度センサの出力に基づき上記第１加熱器を制
   御して上記試料載置台を予め定めた温度となるように調
   節する、第１温度調節器を有し、 上記第１温度調節器により所定温度に調節される試料載
   置台に載置した半導体素子に、上記プローブを接触させ
   て該プローブに電圧を印加しながら該半導体素子の電気
   的諸特性を検査する、半導体素子の検査装置において、 上記プローブホルダーの温度を検出する第２温度セン
   サ、 上記プローブホルダーを加熱する第２加熱器、及び上記
   第１及び第２温度センサの出力の偏差に基づき第２加熱
   器を制御して上記プローブホルダーの温度を調節する、
   第２温度調節器を設け、 上記試料載置台に載置された半導体素子の検査時、上記
   第２温度調節器により第２温度センサによるプローブホ
   ルダーの検出温度が第１温度センサによる試料載置台の
   検出温度と等しくなるようにしたことを特徴とする、半
   導体素子の検査装置。
2. 【請求項２】 試料載置台の近くに支柱を配置し、該支
   柱の上方部に、電気絶縁材製腕部材の一端に近い部分を
   懸吊するコイルばねを装着するとともに該腕部材の一端
   部を上下動可能に案内しかつ支持する案内支持機構部を
   取り付ける一方、上記腕部材の他端部にプローブホルダ
   ーを取り付け、検査時、上記腕部材を上記コイルばねを
   引き伸ばしながら上記案内支持機構部に沿って押し下げ
   ることにより該腕部材の他端部のプローブホルダーに固
   定されたプローブを上記試料載置台に載置された半導体
   素子と接触可能とする一方、上記腕部材の押し下げを解
   除した後、上記腕部材を上記案内支持機構部に沿って検
   査前の元の位置に復帰させ、該位置に掛け止め部材を介
   して係止するようにした、第１項記載の装置。
3. 【請求項３】 試料載置台の表面部に検査試料の吸着及
   びその離脱を可能とする真空孔を設けるとともに該真空
   孔の開口の近くに第１加熱器を配置した、第１項又は第
   ２項記載の装置。
4. 【請求項４】 プローブホルダーに複数のプローブを固
   定する一方、試料載置台の表面部に検査試料の吸着及び
   その離脱を可能とする複数の真空孔を設けるとともにこ
   れら真空孔の開口の近くに第１加熱器を配置した、第１
   項又は第２項記載の装置。
5. 【請求項５】 第１及び第２温度調節器が電源からそれ
   ぞれ第１及び第２加熱器に連続的に電力を供給して連続
   的に発熱させるようにした、第１項〜第４項のいずれか
   に記載の装置。
6. 【請求項６】 第１及び第２温度調節器が電源からそれ
   ぞれ第１及び第２加熱器に所定の繰り返し周波数をもっ
   て断続的に電力を供給して間欠的に発熱させるようにし
   た、第１項〜第４項のいずれかに記載の装置。
7. 【請求項７】 第１及び第２加熱器がペルチェ素子を用
   いて構成された、第５項又は第６項記載の装置。
8. 【請求項８】 検査試料の半導体素子が半導体ＬＤチッ
   プとされる、第１項〜第７項のいずれかに記載の装置。