JPH01270242A - プローバ装置 - Google Patents

プローバ装置

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Publication number
JPH01270242A
JPH01270242A JP63098511A JP9851188A JPH01270242A JP H01270242 A JPH01270242 A JP H01270242A JP 63098511 A JP63098511 A JP 63098511A JP 9851188 A JP9851188 A JP 9851188A JP H01270242 A JPH01270242 A JP H01270242A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
temperature
probe
stage
semiconductor chip
measurement
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP63098511A
Other languages
English (en)
Inventor
Hiroyuki Oyabu
裕之 大薮
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Sumitomo Electric Industries Ltd
Original Assignee
Sumitomo Electric Industries Ltd
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Filing date
Publication date
Application filed by Sumitomo Electric Industries Ltd filed Critical Sumitomo Electric Industries Ltd
Priority to JP63098511A priority Critical patent/JPH01270242A/ja
Publication of JPH01270242A publication Critical patent/JPH01270242A/ja
Pending legal-status Critical Current

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  • Measuring Leads Or Probes (AREA)
  • Tests Of Electronic Circuits (AREA)
  • Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明はプローバ装置に関し、特に詳細には、半導体チ
ップ上の回路の温度特性検査に適したプローバ装置に関
する。
〔従来技術〕
半導体チップ上の回路の電気特性の検査は、半導体チッ
プ上の所定の回路に測定用プローブを当接させ、電圧等
を印加又は測定することにより行っている。特に温度特
性の検査においては、半導体チップを載せているステー
ジを所定の温度に加熱し、一定の温度に到達した時の回
路の電気特性を測定していた。
この様な温度特性を測定できるプローバ装置では、半導
体チップを載置するステージが設けられ、このステージ
には、ヒータが設けられている。更に、このステージに
は、それ自身の温度を測定するための熱電対が設けられ
ている。これらのヒータ及び熱電対はそれぞれ温度制御
装置に接続され、所定の温度プロファイルに従って、ス
テージの温度を変更することができる。一方、半導体チ
ップ上の回路に当接するプローブはプローブ支持部材を
介して固定台に固定されており、このプローブ支持部材
は、そこに固定した測定用プローブの位置を調節できる
調節機構を有している。そして、これらの測定用プロー
ブは電気測定装置に電気的に接続されている。ここで検
査作業者は半導体チップ上に設置された実体顕微鏡を覗
いて測定用プローブの先端を回路の所定の位置に調節当
接させ、固定し、ステージを所定の温度に上昇させて、
電気特性を測定していた。
〔発明の解決しようとする課題〕
半導体チップ上の回路の温度特性を測定するには、上記
のようにステージを所定の温度に上昇させなければなら
ないが、このステージの温度上昇にともなって、ステー
ジが熱膨張する。その熱膨張した状態を第5図に示す。
この図において一点鎖線は膨脹したステージの外形を示
す。この図からもわかるように、ステージ2の上面は上
昇し、それにともない、その上面に搭載された半導体チ
ップ1の上面も上昇する。そのため、ステージ2の温度
が低い状態で、半導体チップ上の回路に正確に当接した
測定用プローブ6の先端は、半導体チップの上昇により
押し上げられ、測定用プローブ6が点線のごとく撓い、
測定用プローブ6の針圧が高くなってしまう。測定用プ
ローブ6の針圧が変動すると、測定用プローブの接触部
に於ける接触抵抗が変動し正確な測定ができない。そこ
で検査作業者は、測定用プローブの針圧を一定に保つた
め、常に測定用プローブの位置を調節しなければならず
、検査作業に手間が掛り、温度特性の自動測定を行うこ
とができなかった。
本発明は上記問題点を解決し、温度特性の自動測定を可
能にするプローバ装置を提供することを目的とする。
〔課題を解決するための手段〕
本発明のプローバ装置では、半導体チップをその上に搭
載するステージと、測定用プローブと、前記測定用プロ
ーブを保持する保持手段と、前記ステージ上の半導体チ
ップを加熱し、半導体チップの温度を調節する温度調節
手段と、前記測定用プローブの先端の位置を前記半導体
チップの温度に応じて調節する位置調整手段とを有する
ことを特徴とする。
〔作用〕
本発明のプローバ装置では、半導体チップを搭載するス
テージの温度状態に応じて、n1定用プローブの先端位
置を自動的に調節し、プローブの針圧を一定に保持する
ことを可能にしている。
〔実施例〕
以下図面を参照しつつ本発明に従う実施例について説明
する。
同一符号を付した要素は同一機能を有するため重複する
説明は省略する。
第1図は本発明に従う第1の実施例のプローバ装置の概
略構成を示す。
この図に示すように、プローバ装置には半導体チップ1
を搭載するステージ2と、測定用プローブ6を保持する
保持台9が設けられている。この保持台9は固定台9a
に固定されている。このステージ2は、それ自身を加熱
するためのヒータ3と、それ自身の上面の実際の温度を
測定するための熱電対4とを内蔵している。これらのヒ
ータ3及び熱電対4は温度制御装置5に接続され、ステ
ージ2の温度はこの温度制御装置5により制御されてい
る。一方、測定用プローブ6は保持台9に固定されてお
り、この保持台9には測定用プローブ6の位置を調節す
るための調節機構8が設けられている。そして、この測
定用プローブ6は電気特性測定装置11に接続されてい
る。
この保持台9の拡大図を第2図(a)に示ア。
この図に示すように、測定用プローブ6は保持台9に設
けられた貫通穴9bにその基端部が摺動可能に保持され
ている。そして、この測定用プローブ6の基端部先端に
は錘12が固定されている。
このように構成することにより、測定用プローブ6の先
端部6aが矢印A方向に押し上げられた時この先端部6
aの移動にしたがって測定用プローブ6全体が保持台9
に設けられた貫通穴9bに沿って矢印A方向に移動する
ことができる。そして貫通穴9bの断面形状を第2図(
b)に示すように矩形状に形成し、測定用プローブ6の
この貫通穴9bに挿入される部分もこの断面形状になら
って矩形状に形成しておく。このように構成することに
より、測定用プローブ6が温度特性測定中回転せず、最
初の当接調整後、当接位置が変わるのを防止できる。こ
の断面形状は矩形に限定されず、円形以外形状であれば
同様な効果を得ることができる。更に、この測定用プロ
ーブ6の先端部6aが半導体チップに当接している場合
、その当接部における針圧は測定用プローブ6の自重と
錘12の重さとの和になる。したがって、ステージ2が
熱膨脹して、測定用プローブ6の先端部6aが当接して
いる半導体チップ1の上面が上昇しても、測定用プロー
ブ6がこの上昇に伴って移動し、その針圧が一定に保た
れる。
次に本発明に従う第2の実施例を説明する。この第2の
実施例では、保持台9と測定用プローブ6の構成のみが
第1の実施例と違っている。そのため、保持台9と測定
用プローブ6のみについて第3図を用いて説明する。
この第2の実施例では、測定用プローブ6の中間部に測
定用プローブ6の材質の熱膨張率より小さい熱膨張率を
有する材料より成る温度変形部材6bを貼り付ける。そ
してこの測定用プローブ6の基端を保持台9に固定する
。ステージ2の温度が上昇するのに伴い、その周囲の温
度が上昇し、ステージ2の温度と周囲温度とは一定の関
係を有していることが知られている。この第2の実施例
では、この周囲温度の上昇によるバイメタル効果を利用
し、ステージ2の上面の上昇にしたがって測定用プロー
ブ6の中間部が屈曲し先端部6aを上昇させている。こ
のように構成することにより、ステージ2の温度が上昇
し、その上面が上昇しても、その上昇にしたがって、測
定用プローブ6の先端部6aが上昇し、針圧が一定に保
たれる。
次に本発明に従う第3の実施例について説明する。この
第3の実施例では、測定用プローブ6の構成のみが第2
の実施例と違っているため、測定用プローブ6のみにつ
いて第4図を用いて説明する。
この第3の実施例では、測定用プローブ6の中間部に圧
電素子等の印加する電圧にしたがってその形状が変化す
るを電圧変形部材6Cを貼り付けである。そしてこの変
形部材6Cの供給電圧端子6dを温度制御装置5に接続
しておく。温度制御装置5は熱電対4により測定された
ステージ2の温度に基づいて電圧変形部材6Cの変形す
べき量を計算し、この変形量をおこさせる印加電圧を計
算し、電圧変形部材6Cに印加する。このように構成す
ることにより、ステージ2の温度が上昇し、ステージ2
の上面が上昇しても、その上昇にしたがって、測定用プ
ローブ6の先端部6aが上昇し、針圧が一定に保たれる
このようなプローバ装置を使用し、半導体チップ上の回
路の温度特性を測定する時の装置の動作について説明す
る。
まず半導体チップ1をステージ2上に載置し固定する。
この固定方法は、真空吸着を利用すると着脱が便利であ
る。次に、半導体チップ上に設置された実体顕微鏡10
を覗きつつ調節機構8を動かし、測定用プローブ6の先
端が半導体チップ1上の所定の位置に当接させる。次に
、温度制御装置5を作動させ、ヒータ3によりステージ
2の上面を所定の温度状態にする。ステージ2の上面が
所定の温度状態に到達したら、測定用プローブ6を介し
て回路の電気特性を電気測定装置11にて測定する。こ
のステージ2の温度状態は熱電対4を介して温度制御装
置5によりモニターされている。
上記実施例では、測定用プローブ6の先端部6aは、ス
テージ2の温度上昇に伴なう上面の上昇に応じて自動的
に上昇し、常に測定用プローブ6の半導体チップに対す
る針圧を一定に保っている。
これにより、この装置を用いて温度特性検査を行う際、
検査作業者が常時、測定用プローブを調整する必要がな
く自動111J定が可能になる。
本発明は上記実施例に限定されるものでなく、種々の変
形例が考えられ得る。
具体的には、上記実施例では、ステージ2の加熱をヒー
タを用いて行っているが、この代わりに半導体チップに
熱風を吹き付けるようにしてもよい。
〔発明の効果〕
本発明のプローブ装置では、半導体チップ上の回路の温
度特性測定中、自動的に測定用プローブの針圧を一定に
するようにしているので、簡単でかつ正確な回路の温度
特性を測定することができる。
本発明により、半導体チップ上に形成した回路の温度特
性が自動的にできるので、半導体装置の製造の自動化か
実現可能になる。
【図面の簡単な説明】
第1図は、本発明の第1の実施例の概略構成図、第2図
は、第1の実施例の保持台及び測定用プローブの拡大図
、第3図は、本発明の第2の実施例の保持台及び測定用
プローブの概略構成図、第4図は、本発明の第3の実施
例の保持台及び測定用プローブの概略構成図、第5図は
、ステージの熱膨張状態を説明する図である。 1・・・半導体チップ、2・・・ステージ、3・・・ヒ
ータ、4・・・熱電対、5・・・温度制御装置、6・・
・測定用プローブ、6a・・・先端部、6b・・・温度
変形部材、6C・・・電圧変形部材、8・・・調節機構
、9・・・保持台、9a・・・固定台、10・・・実体
顕微鏡、11・・・電気測定装置。 保持台 第2図 温度変形部材 第3図 電圧変形部材 第4図 第5図

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1、半導体チップをその上に搭載するステージと、測定
    用プローブと、前記測定用プローブを保持する保持手段
    と、前記ステージ上の半導体チップを加熱し、半導体チ
    ップの温度を調節する温度調節手段と、前記測定用プロ
    ーブの先端の位置を前記半導体チップの温度に応じて調
    節する位置調整手段とを有するプローバ装置。 2、前記位置調整手段が前記保持手段に設けられた貫通
    穴であり、前記測定用プローブが前記貫通穴に挿入され
    摺動可能に保持されている請求項1記載のプローバ装置
    。 3、前記位置調整手段が温度に応じてその形状が変化す
    る形状変形部材であって、前記測定用プローブの中間部
    に固定されている請求項1記載のプローバ装置。 4、前記形状変形部材が、周囲の温度に応じてその形状
    が変化する請求項3記載のプローバ装置。 5、前記形状変形部材が、前記ステージの温度に応じた
    電圧により、その形状が変化する部材である請求項3記
    載のプローバ装置。
JP63098511A 1988-04-21 1988-04-21 プローバ装置 Pending JPH01270242A (ja)

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JP63098511A JPH01270242A (ja) 1988-04-21 1988-04-21 プローバ装置

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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2012054526A (ja) * 2010-09-01 2012-03-15 Star Technologies Inc 半導体デバイス用高速プロービング装置及びそのためのプローブステージ
JP2018066578A (ja) * 2016-10-17 2018-04-26 三菱電機株式会社 評価装置および半導体チップの評価方法
JP2020188046A (ja) * 2019-05-10 2020-11-19 信越半導体株式会社 プローブカード

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JP2018066578A (ja) * 2016-10-17 2018-04-26 三菱電機株式会社 評価装置および半導体チップの評価方法
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