JPH04359445A - 温度試験用プロービング装置 - Google Patents
温度試験用プロービング装置Info
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- JPH04359445A JPH04359445A JP13406191A JP13406191A JPH04359445A JP H04359445 A JPH04359445 A JP H04359445A JP 13406191 A JP13406191 A JP 13406191A JP 13406191 A JP13406191 A JP 13406191A JP H04359445 A JPH04359445 A JP H04359445A
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- 239000000523 sample Substances 0.000 claims abstract description 45
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Landscapes
- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
- Testing Of Individual Semiconductor Devices (AREA)
- Measuring Leads Or Probes (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、温度試験用プロービン
グ装置のプローブカードの改良に関するものである。
グ装置のプローブカードの改良に関するものである。
【0002】近年の半導体装置のパッケージ試験歩留の
向上及び半導体チップの製造工程への速やかなフィード
バックを行うために、半導体ウエーハ試験を所定の設定
温度において行うようになっているが、従来は半導体ウ
エーハを載置するウエーハステージの温度のみを所定の
設定温度に設定しており、プローブカードは常温のまま
であるため、半導体ウエーハを所定の設定温度において
試験を行う場合には半導体ウエーハの温度が変化するの
で、プローブカードが所定の温度になるまで待つことが
必要である。
向上及び半導体チップの製造工程への速やかなフィード
バックを行うために、半導体ウエーハ試験を所定の設定
温度において行うようになっているが、従来は半導体ウ
エーハを載置するウエーハステージの温度のみを所定の
設定温度に設定しており、プローブカードは常温のまま
であるため、半導体ウエーハを所定の設定温度において
試験を行う場合には半導体ウエーハの温度が変化するの
で、プローブカードが所定の温度になるまで待つことが
必要である。
【0003】以上のような状況から、半導体ウエーハを
所定の設定温度において試験を行う場合に、プローブカ
ードが所定の温度になるまで待たずに試験を開始するこ
とが可能な温度試験用プロービング装置が要望されてい
る。
所定の設定温度において試験を行う場合に、プローブカ
ードが所定の温度になるまで待たずに試験を開始するこ
とが可能な温度試験用プロービング装置が要望されてい
る。
【0004】
【従来の技術】従来の温度試験用プロービング装置につ
いて、図3〜図5により詳細に説明する。
いて、図3〜図5により詳細に説明する。
【0005】図3は半導体ウエーハを示す図、図4は半
導体チップを示す図であり、図5は従来の温度試験用プ
ロービング装置を示す図である。図3に示すように半導
体ウエーハ6には半導体チップ7が規則正しく形成され
ており、この半導体チップ7には図4に示すように周辺
部に電極7aが形成されている。
導体チップを示す図であり、図5は従来の温度試験用プ
ロービング装置を示す図である。図3に示すように半導
体ウエーハ6には半導体チップ7が規則正しく形成され
ており、この半導体チップ7には図4に示すように周辺
部に電極7aが形成されている。
【0006】温度試験用プロービング装置においては図
5に示すように、温度センサ1bにより検知された温度
に基づき温度制御装置2により制御される温度可変部1
aにより所定の設定温度に保持されているウエーハステ
ージ1の表面に半導体チップが形成されている半導体ウ
エーハ6が載置されている。
5に示すように、温度センサ1bにより検知された温度
に基づき温度制御装置2により制御される温度可変部1
aにより所定の設定温度に保持されているウエーハステ
ージ1の表面に半導体チップが形成されている半導体ウ
エーハ6が載置されている。
【0007】多層配線層からなるプローブカード13の
中心部には、この多層配線層の導電層に接続されたタン
グステンからなるプローブ針14が設けられており、こ
のプローブ針14の先端を半導体ウエーハ6上に形成さ
れている半導体チップの電極に接触させてこの半導体チ
ップの特性を測定している。
中心部には、この多層配線層の導電層に接続されたタン
グステンからなるプローブ針14が設けられており、こ
のプローブ針14の先端を半導体ウエーハ6上に形成さ
れている半導体チップの電極に接触させてこの半導体チ
ップの特性を測定している。
【0008】
【発明が解決しようとする課題】以上説明した従来の温
度試験用プロービング装置においては、ウエーハステー
ジの温度のみを温度センサ、温度制御装置及び温度可変
部により所定の温度に保持しているが、プローブ針を設
けたプローブカードは常温のままのため、半導体チップ
の特性を測定する場合には、プローブカードを半導体ウ
エーハの上方に静止させてプローブカードが所定の温度
になるまで待つことが必要であるという問題点があった
。
度試験用プロービング装置においては、ウエーハステー
ジの温度のみを温度センサ、温度制御装置及び温度可変
部により所定の温度に保持しているが、プローブ針を設
けたプローブカードは常温のままのため、半導体チップ
の特性を測定する場合には、プローブカードを半導体ウ
エーハの上方に静止させてプローブカードが所定の温度
になるまで待つことが必要であるという問題点があった
。
【0009】本発明は以上のような状況から、半導体ウ
エーハを所定の設定温度において試験を行う場合に、プ
ローブカードが所定の温度になるまで待たずに試験を行
うことが可能となる温度試験用プロービング装置の提供
を目的としたものである。
エーハを所定の設定温度において試験を行う場合に、プ
ローブカードが所定の温度になるまで待たずに試験を行
うことが可能となる温度試験用プロービング装置の提供
を目的としたものである。
【0010】
【課題を解決するための手段】本発明の温度試験用プロ
ービング装置は、温度制御装置により所定の設定温度に
保持されているウエーハステージの表面に載置した半導
体ウエーハに形成されている半導体チップの電極に、多
層配線層からなるプローブカードの中心部に設けたプロ
ーブ針を接触させてこの半導体チップの特性を測定する
温度試験用プロービング装置において、このプローブカ
ードに設けた温度可変部と温度センサと、この温度セン
サにより検知したこのプローブカードの温度によりこの
温度可変部を制御する温度制御装置とを具備するように
構成する。
ービング装置は、温度制御装置により所定の設定温度に
保持されているウエーハステージの表面に載置した半導
体ウエーハに形成されている半導体チップの電極に、多
層配線層からなるプローブカードの中心部に設けたプロ
ーブ針を接触させてこの半導体チップの特性を測定する
温度試験用プロービング装置において、このプローブカ
ードに設けた温度可変部と温度センサと、この温度セン
サにより検知したこのプローブカードの温度によりこの
温度可変部を制御する温度制御装置とを具備するように
構成する。
【0011】
【作用】即ち本発明においては、プローブカードに温度
可変部と温度センサとを設け、この温度センサによりプ
ローブカードの温度を検知し、この温度に基づき温度制
御装置により温度可変部を用いてプローブカードの温度
を所定の温度に保つことができるから、プローブカード
及びプローブ針の温度を所定の設定温度に保持すること
が可能となるので、半導体ウエーハを所定の設定温度に
おいて試験を行う場合に、プローブカードが所定の温度
になるまで待たずに試験を開始することが可能となる。
可変部と温度センサとを設け、この温度センサによりプ
ローブカードの温度を検知し、この温度に基づき温度制
御装置により温度可変部を用いてプローブカードの温度
を所定の温度に保つことができるから、プローブカード
及びプローブ針の温度を所定の設定温度に保持すること
が可能となるので、半導体ウエーハを所定の設定温度に
おいて試験を行う場合に、プローブカードが所定の温度
になるまで待たずに試験を開始することが可能となる。
【0012】
【実施例】以下図1〜図4により本発明の一実施例の温
度試験用プロービング装置について詳細に説明する。
度試験用プロービング装置について詳細に説明する。
【0013】図1は本発明による一実施例の温度試験用
プロービング装置を示す図、図2は図1のA−A矢視図
、図3は図1のB−B矢視図、図4は図3のC部拡大図
である。
プロービング装置を示す図、図2は図1のA−A矢視図
、図3は図1のB−B矢視図、図4は図3のC部拡大図
である。
【0014】本発明の一実施例においては従来の場合と
同様に、図1に示すように温度センサ1bにより検知さ
れた温度に基づき温度制御装置2により制御される温度
可変部1aにより所定の設定温度に保持されているウエ
ーハステージ1の表面に、半導体チップが形成されてい
る半導体ウエーハ6が載置されており、多層配線層から
なるプローブカード3の中心部にはこの多層配線層の導
電層に接続されたプローブ針4が設けられており、この
プローブ針4の先端を図4に示す半導体チップ7の電極
7aに接触させてこの半導体チップ7の特性を測定して
いる。
同様に、図1に示すように温度センサ1bにより検知さ
れた温度に基づき温度制御装置2により制御される温度
可変部1aにより所定の設定温度に保持されているウエ
ーハステージ1の表面に、半導体チップが形成されてい
る半導体ウエーハ6が載置されており、多層配線層から
なるプローブカード3の中心部にはこの多層配線層の導
電層に接続されたプローブ針4が設けられており、この
プローブ針4の先端を図4に示す半導体チップ7の電極
7aに接触させてこの半導体チップ7の特性を測定して
いる。
【0015】本発明の場合は、このプローブカード3の
温度を所定の設定温度に保持できるよう図1に示すよう
にプローブカード3にニクロムなどの金属膜からなる温
度可変部3aを内蔵させて設け、温度センサ3bをプロ
ーブカード3の内部に設けており、この温度センサ3b
により検知されたプローブカード3の温度に基づき温度
制御装置5により温度可変部3aを用いてプローブカー
ド3の温度を所定の設定温度に保持することが可能とな
るから、ウエーハステージ1上の半導体ウエーハ6を試
験する場合にプローブカード3が所定の設定温度に達す
るまで待つ必要がなくなる。
温度を所定の設定温度に保持できるよう図1に示すよう
にプローブカード3にニクロムなどの金属膜からなる温
度可変部3aを内蔵させて設け、温度センサ3bをプロ
ーブカード3の内部に設けており、この温度センサ3b
により検知されたプローブカード3の温度に基づき温度
制御装置5により温度可変部3aを用いてプローブカー
ド3の温度を所定の設定温度に保持することが可能とな
るから、ウエーハステージ1上の半導体ウエーハ6を試
験する場合にプローブカード3が所定の設定温度に達す
るまで待つ必要がなくなる。
【0016】この場合のプローブカード3の多層配線層
の絶縁材としてはシリコン系の材料やテフロンを用いる
ことができ、所定の設定温度がより高温の場合にはセラ
ミックを用いる。
の絶縁材としてはシリコン系の材料やテフロンを用いる
ことができ、所定の設定温度がより高温の場合にはセラ
ミックを用いる。
【0017】上記の実施例は常温よりも高温の場合であ
るが、常温よりも低い温度の場合には、P型素子とN型
素子からなる2種類の熱電半導体、例えばビスマス・テ
ルル熱電半導体を金属電極で接合させ、直流電圧を印加
してこの接合部において熱が吸収される、所謂ペルチェ
効果を利用して半導体ウエーハ6の試験を行うことも可
能である。
るが、常温よりも低い温度の場合には、P型素子とN型
素子からなる2種類の熱電半導体、例えばビスマス・テ
ルル熱電半導体を金属電極で接合させ、直流電圧を印加
してこの接合部において熱が吸収される、所謂ペルチェ
効果を利用して半導体ウエーハ6の試験を行うことも可
能である。
【0018】本実施例では温度可変部3aを内蔵させて
いるが、プローブカード3の上表面或いは下表面に設け
てもよい。温度センサ3bとしてはバイメタル或いは低
温用の熱電対を用いることが可能であり、設置位置は温
度可変部3aの直近を避けることが必要である。
いるが、プローブカード3の上表面或いは下表面に設け
てもよい。温度センサ3bとしてはバイメタル或いは低
温用の熱電対を用いることが可能であり、設置位置は温
度可変部3aの直近を避けることが必要である。
【0019】
【発明の効果】以上の説明から明らかなように、本発明
によれプローブカードの温度をも所定の設定温度に保持
することが可能となるから、半導体ウエーハの試験を行
う場合にプローブカードの温度が所定の設定温度になる
までの待ち時間を設ける必要がなくなるので半導体ウエ
ーハの試験の生産性を向上させることができ、また周囲
の温度の影響を受けないから長時間安定した測定を行う
ことが可能となるので高精度の半導体ウエーハの試験を
行うことが可能となる等の利点があり、著しい経済的及
び、信頼性向上の効果が期待できる温度試験用プロービ
ング装置の提供が可能である。
によれプローブカードの温度をも所定の設定温度に保持
することが可能となるから、半導体ウエーハの試験を行
う場合にプローブカードの温度が所定の設定温度になる
までの待ち時間を設ける必要がなくなるので半導体ウエ
ーハの試験の生産性を向上させることができ、また周囲
の温度の影響を受けないから長時間安定した測定を行う
ことが可能となるので高精度の半導体ウエーハの試験を
行うことが可能となる等の利点があり、著しい経済的及
び、信頼性向上の効果が期待できる温度試験用プロービ
ング装置の提供が可能である。
【図1】 本発明による一実施例の温度試験用プロー
ビング装置を示す図、
ビング装置を示す図、
【図2】 図1のA−A矢視図、
【図3】 図1のB−B矢視図、
【図4】 図3のC部拡大図、
【図5】 従来の温度試験用プロービング装置を示す
図、
図、
1はウエーハステージ、
1aは温度可変部、
1bは温度センサ、
2は温度制御装置、
3はプローブカード、
3aは温度可変部、
3bは温度センサ、
4はプローブ針、
5は温度制御装置、
6は半導体ウエーハ、
7は半導体チップ、
7aは電極、
Claims (1)
- 【請求項1】 温度制御装置(2) により所定の設
定温度に保持されているウエーハステージ(1) の表
面に載置した半導体ウエーハ(6) に形成されている
半導体チップ(7) の電極(7a)に、多層配線層か
らなるプローブカード(3) の中心部に設けたプロー
ブ針(4) を接触させて前記半導体チップ(7) の
特性を測定する温度試験用プロービング装置において、
前記プローブカード(3) に設けた温度可変部(3a
)と温度センサ(3b)と、該温度センサ(3b)によ
り検知した前記プローブカード(3) の温度により前
記温度可変部(3a)を制御する温度制御装置(5)
と、を具備することを特徴とする温度試験用プロービン
グ装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP13406191A JPH04359445A (ja) | 1991-06-05 | 1991-06-05 | 温度試験用プロービング装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP13406191A JPH04359445A (ja) | 1991-06-05 | 1991-06-05 | 温度試験用プロービング装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH04359445A true JPH04359445A (ja) | 1992-12-11 |
Family
ID=15119453
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP13406191A Withdrawn JPH04359445A (ja) | 1991-06-05 | 1991-06-05 | 温度試験用プロービング装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH04359445A (ja) |
Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6464393B2 (en) | 1999-12-03 | 2002-10-15 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Surface temperature sensor head |
WO2004040321A1 (ja) * | 2002-10-31 | 2004-05-13 | Advantest Corporation | プローブカード |
JP2005508499A (ja) * | 2001-11-02 | 2005-03-31 | フォームファクター,インコーポレイテッド | プローブカードの熱誘発動作を補償する方法およびシステム |
JP2006108456A (ja) * | 2004-10-07 | 2006-04-20 | Japan Electronic Materials Corp | プローブ装置 |
JP2010151497A (ja) * | 2008-12-24 | 2010-07-08 | Micronics Japan Co Ltd | プローブカード |
US8680880B2 (en) | 2008-12-26 | 2014-03-25 | Kabushiki Kaisha Nihon Micronics | Method and apparatus for testing integrated circuit |
-
1991
- 1991-06-05 JP JP13406191A patent/JPH04359445A/ja not_active Withdrawn
Cited By (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6464393B2 (en) | 1999-12-03 | 2002-10-15 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Surface temperature sensor head |
JP2005508499A (ja) * | 2001-11-02 | 2005-03-31 | フォームファクター,インコーポレイテッド | プローブカードの熱誘発動作を補償する方法およびシステム |
WO2004040321A1 (ja) * | 2002-10-31 | 2004-05-13 | Advantest Corporation | プローブカード |
JP2006108456A (ja) * | 2004-10-07 | 2006-04-20 | Japan Electronic Materials Corp | プローブ装置 |
JP4610289B2 (ja) * | 2004-10-07 | 2011-01-12 | 日本電子材料株式会社 | プローブ装置 |
JP2010151497A (ja) * | 2008-12-24 | 2010-07-08 | Micronics Japan Co Ltd | プローブカード |
US8299812B2 (en) | 2008-12-24 | 2012-10-30 | Kabushiki Kaisha Nihon Micronics | Probe card |
US8680880B2 (en) | 2008-12-26 | 2014-03-25 | Kabushiki Kaisha Nihon Micronics | Method and apparatus for testing integrated circuit |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A300 | Application deemed to be withdrawn because no request for examination was validly filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 19980903 |