JP2018066578A - 評価装置および半導体チップの評価方法 - Google Patents
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Abstract
Description
図1は、実施の形態1に係る評価装置の正面図である。本実施の形態に係る評価装置1は、ステージ3を備える。ステージ3は、真空吸着機構を備えたチャックステージである。ステージ3の上には、試験治具7が設けられる。ステージ3は試験治具7を固定する台座である。真空吸着機構によって、試験治具7はステージ3に固定される。試験治具7には、評価対象である半導体チップが収納されている。試験治具7の上部には、複数のプローブ10が設けられる。複数のプローブ10は、絶縁板16に接続されている。絶縁板16には、接続部8Aを介して信号線6Aの一端が接続される。信号線6Aの他端は、評価部4に接続される。
図13は、実施の形態2に係る試験治具および断熱部の断面図である。本実施の形態に係る断熱部426には、半導体チップ5が備える電極である接続パッド18の上部に、開口480が形成されている。開口480は、接続パッド18と重なる位置に形成される。また、開口480は、幅が接続パッド18の幅と同じである。
図14は、実施の形態3に係る試験治具および断熱部の平面図である。本実施の形態では、試験治具507の上に断熱部526が設けられている。断熱部526は、複数の部分に分割されている。本実施の形態では、断熱部526は4つに分割されている。断熱部526は、第1部分561、第2部分562、第3部分563および第4部分564を備える。
図19は、実施の形態4に係る試験治具および断熱部の平面図である。本実施の形態に係る着脱部は、クランプ部735を備える。クランプ部735は、断熱部726と試験治具707を挟み込む。本実施の形態では、クランプ部735によって断熱部726が試験治具707に固定される。
図22は、実施の形態5に係る試験治具および断熱部の断面図である。試験治具807の側面には切り欠き部841が形成される。断熱部826は、試験治具807の第1面71を覆う上面部843を備える。上面部843の端部には、試験治具807の側面を覆う側面部844が設けられる。本実施の形態に係る断熱部826は、試験治具807の側面の少なくとも一部を覆う。
Claims (25)
- 真空吸着機構を備えたステージと、
第1面と、前記第1面と反対の面であり前記ステージに対向する第2面とを有し、前記第1面には、半導体チップを収納可能な第1凹部が複数形成され、前記複数の第1凹部の各々の底面から前記第2面に至る貫通孔が形成された試験治具と、
前記試験治具の上部に設けられた複数のプローブと、
前記複数のプローブに電流を供給する評価部と、
前記第1面に設けられ、前記試験治具よりも熱伝導率が低い断熱部と、
を備えることを特徴とする評価装置。 - 前記断熱部は、前記半導体チップが備える電極の上部に、幅が前記電極の幅以上である開口が形成されていることを特徴とする請求項1に記載の評価装置。
- 前記断熱部は、前記半導体チップの上部に、幅が前記半導体チップの幅以上である開口が形成されていることを特徴とする請求項1または2に記載の評価装置。
- 前記断熱部は、前記複数の第1凹部のうち少なくとも1つの上部に、幅が前記第1凹部の幅以上である開口が形成されていることを特徴とする請求項1〜3の何れか1項に記載の評価装置。
- 前記断熱部は、前記複数の第1凹部の少なくとも1つの上部に突出した庇を有することを特徴とする請求項1〜3の何れか1項に記載の評価装置。
- 前記試験治具の前記第1面に第2凹部が形成されることで、前記試験治具と前記断熱部に囲まれた第1断熱空間が設けられることを特徴とする請求項1〜5の何れか1項に記載の評価装置。
- 前記第2凹部には断熱材が設けられることを特徴とする請求項6に記載の評価装置。
- 前記断熱部の前記試験治具と接する面に第3凹部が形成されることで、前記試験治具と前記断熱部に囲まれた第2断熱空間が設けられることを特徴とする請求項1〜7の何れか1項に記載の評価装置。
- 前記第3凹部には断熱材が設けられることを特徴とする請求項8に記載の評価装置。
- 前記断熱部は、セラミック板で形成されることを特徴とする請求項1〜9の何れか1項に記載の評価装置。
- 前記断熱部は、前記複数の第1凹部の少なくとも1つを覆う遮蔽部を備えることを特徴とする請求項1〜10の何れか1項に記載の評価装置。
- 前記遮蔽部は、前記遮蔽部の下の前記貫通孔を塞ぐ第1凸部を備えることを特徴とする請求項11に記載の評価装置。
- 前記断熱部は、前記試験治具の側面の少なくとも一部を覆うことを特徴とする請求項1〜12の何れか1項に記載の評価装置。
- 前記試験治具と前記断熱部を固定する着脱部を備えることを特徴とする請求項1〜13の何れか1項に記載の評価装置。
- 前記着脱部は、
前記断熱部の前記試験治具と接する面に形成された穴部と、
前記試験治具の前記第1面に形成され、前記穴部と嵌合する第2凸部と、
を備えることを特徴とする請求項14に記載の評価装置。 - 前記着脱部は、
前記断熱部の前記試験治具と接する面に形成された第2凸部と、
前記試験治具の前記第1面に形成され、前記第2凸部と嵌合する穴部と、
を備えることを特徴とする請求項14に記載の評価装置。 - 前記試験治具は側面に切り欠き部が形成され、
前記着脱部は、前記断熱部に形成され前記切り欠き部と嵌合する爪部を備えることを特徴とする請求項14に記載の評価装置。 - 前記着脱部は、前記断熱部と前記試験治具を挟み込むクランプ部を備えることを特徴とする請求項14に記載の評価装置。
- 前記断熱部は、複数の部分に分割されていることを特徴とする請求項1〜18の何れか1項に記載の評価装置。
- 前記複数の部分の少なくとも1つは、前記複数の第1凹部の少なくとも1つを覆う遮蔽部であることを特徴とする請求項19に記載の評価装置。
- 前記真空吸着機構は、複数の前記貫通孔の間を連結する吸着溝を備え、
前記吸着溝は、分断壁によって複数の領域に分断されていることを特徴とする請求項1〜20の何れか1項に記載の評価装置。 - 前記試験治具の前記第2面の外周部に設けられた枠部を備え、
前記枠部は柔軟性を有することを特徴とする請求項1〜21の何れか1項に記載の評価装置。 - 前記断熱部の上に、前記試験治具よりも熱伝導率が低い積層断熱部を備えることを特徴とする請求項1〜22の何れか1項に記載の評価装置。
- 前記積層断熱部の前記断熱部と接する面に第4凹部が形成されることで、前記断熱部と前記積層断熱部に囲まれた第3断熱空間が設けられることを特徴とする請求項23に記載の評価装置。
- 第1面と、前記第1面と反対の面である第2面とを有し、前記第1面には、半導体チップを収納可能な第1凹部が複数形成され、前記複数の第1凹部の各々の底面から前記第2面に至る貫通孔が形成された試験治具の前記第1面に、前記試験治具よりも熱伝導率が低い断熱部を設ける工程と、
前記複数の第1凹部の少なくとも1つの前記貫通孔の上に半導体チップを配置する工程と、
真空吸着機構を備えたステージの上に、前記ステージと前記第2面が対向するように前記半導体チップを収納した前記試験治具を配置する工程と、
前記真空吸着機構によって前記貫通孔から前記半導体チップを吸着する吸着工程と、
前記吸着工程よりも後に、前記半導体チップの温度を変化させる温度工程と、
前記吸着工程よりも後に、前記断熱部が設けられた前記試験治具の上部からプローブを前記半導体チップに接触させる工程と、
前記温度工程よりも後に、前記プローブと前記半導体チップが接触した状態で、前記プローブに電流を供給する工程と、
を備えることを特徴とする半導体チップの評価方法。
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