JP2022089153A - 半導体レーザ検査装置及び半導体レーザ検査方法 - Google Patents
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Abstract
Description
図1は、実施の形態1に係る半導体レーザ検査装置を示すブロック図である。加熱冷却器1は、半導体レーザ素子2を載せるステージである。加熱冷却器3の上にプローブホルダ4が取り付けられている。加熱冷却器1及び加熱冷却器3は、温度を高温側だけでなく低温側にも制御可能なペルチェ素子などを有する。
図2は、実施の形態2に係る半導体レーザ検査装置を示すブロック図である。実施の形態1の加熱冷却器1の代わりに、断熱材14の上に設けた薄い金属板15に半導体レーザ素子2を載せて測定を行う。バネ16の一端が金属板15の上面に接続され、バネ16の他端がプローブホルダ4の下面に接続されている。このバネ16が金属板15とプローブホルダ4を熱的に結合する。その他の構成は実施の形態1と同様である。
図5は、実施の形態3に係る半導体レーザ検査装置を示すブロック図である。実施の形態1の加熱冷却器3の代わりに、断熱材21の上にプローブホルダ4が取り付けられている。微動台9は断熱材21及びプローブホルダ4を上下方向及び水平方向に動かす。バネ16の一端が加熱冷却器1の上面に接続され、バネ16の他端がプローブホルダ4の下面に接続されている。このバネ16が加熱冷却器1とプローブホルダ4を熱的に結合する。その他の構成は実施の形態1と同様である。
図7は、実施の形態4に係る半導体レーザ検査装置を示すブロック図である。プローブホルダ4又は測定用プローブ8に設けられた穴に温度センサ22が取り付けられている。温度センサ22は測定用プローブ8の温度を測定する。
図8は、実施の形態5に係る半導体レーザ検査装置を示すブロック図である。半導体レーザ素子2の出射光の波長を測定する波長計23が実施の形態1の構成に追加されている。半導体レーザ素子2の検査を開始する前に以下のように加熱冷却器3の温度を予め調整する。
図10は、実施の形態6に係る半導体レーザ検査方法を説明するためのブロック図である。金属板15の上に載せたレーザ素子の出射光の波長を測定する波長計23が実施の形態2の構成に追加されている。半導体レーザ素子2の検査を開始する前に以下のように加熱冷却器3の温度を予め調整する。
図11は、実施の形態7に係る半導体レーザ検査方法を説明するためのブロック図である。加熱冷却器1の上に載せたレーザ素子の出射光の波長を測定する波長計23が実施の形態3の構成に追加されている。半導体レーザ素子2の検査を開始する前に以下のように加熱冷却器1の温度を予め調整する。
Claims (6)
- 半導体レーザ素子を載せる金属板と、
加熱冷却器と、
前記加熱冷却器の上に取り付けられたプローブホルダと、
前記プローブホルダの先端に固定された測定用プローブと、
前記加熱冷却器及び前記プローブホルダを動かして前記測定用プローブの先端を前記半導体レーザ素子に当てる微動台と、
前記測定用プローブを介して前記半導体レーザ素子に検査信号を入力する検査装置と、
前記金属板の上面に一端が接続され、前記プローブホルダの下面に他端が接続され、前記金属板と前記プローブホルダを熱的に結合するバネとを備えることを特徴とする半導体レーザ検査装置。 - 前記金属板の下面の四隅に支柱が取り付けられ、
前記金属板の前記下面が中空となっていることを特徴とする請求項1に記載の半導体レーザ検査装置。 - 半導体レーザ素子を載せる加熱冷却器と、
プローブホルダと、
前記プローブホルダの先端に固定された測定用プローブと、
前記プローブホルダを動かして前記測定用プローブの先端を前記半導体レーザ素子に当てる微動台と、
前記測定用プローブを介して前記半導体レーザ素子に検査信号を入力する検査装置と、
前記加熱冷却器の上面に一端が接続され、前記プローブホルダの下面に他端が接続され、前記加熱冷却器と前記プローブホルダを熱的に結合するバネとを備えることを特徴とする半導体レーザ検査装置。 - 前記バネの熱伝導率は200W/m・Kより高いことを特徴とする請求項1~3の何れか1項に記載の半導体レーザ検査装置。
- 請求項1又は2に係る半導体レーザ検査装置の前記金属板の上に、予め波長と温度の関係が分かっている温度設定用レーザ素子を載せ、前記加熱冷却器の温度を変えながら前記温度設定用レーザ素子の出力光の波長を波長計で測定し、所望の温度に対応する波長になった時点で前記加熱冷却器の温度を固定する工程と、
前記温度設定用レーザ素子を前記金属板から取り外した後、前記加熱冷却器の温度を固定した状態で前記金属板に前記半導体レーザ素子を載せ、前記測定用プローブの先端を前記半導体レーザ素子に当てて前記半導体レーザ素子の検査を行う工程とを備えることを特徴とする半導体レーザ検査方法。 - 請求項3に係る半導体レーザ検査装置の前記加熱冷却器の上に、予め波長と温度の関係が分かっている温度設定用レーザ素子を載せ、前記加熱冷却器の温度を変えながら前記温度設定用レーザ素子の出力光の波長を波長計で測定し、所望の温度に対応する波長になった時点で前記加熱冷却器の温度を固定する工程と、
前記温度設定用レーザ素子を前記加熱冷却器から取り外した後、前記加熱冷却器の温度を固定した状態で前記加熱冷却器に前記半導体レーザ素子を載せ、前記測定用プローブの先端を前記半導体レーザ素子に当てて前記半導体レーザ素子の検査を行う工程とを備えることを特徴とする半導体レーザ検査方法。
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