JPH1083590A - 光磁気記録媒体の記録再生方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】記録密度を一段と高くし得る光磁気記録媒体の
記録再生方法を提案する。 【解決手段】基板４の信号パターン層５上に形成された
所定の光磁気記録層５と50〜200 〔μｍ〕の厚みを有す
る光透過層１０との間に、樹脂を充填した後硬化させ
て、光透過層１０を基板４に接着するようにしたことに
より、光透過層側１０から光磁気記録層５に記録及び又
は再生し得る。かくして、レーザ光を照射する光透過層
１０側の対物レンズの開口率を一段と高くすることがで
き、これにより情報の記録密度を一段と高密度化し得る
と共に、レーザ光を照射する光透過層側から印加する外
部磁界として低磁界のものを用いることができる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は光磁気記録媒体の記
録再生方法に関し、一段と記録密度を高くする場合に適
用して好適なものである。

【０００２】

【従来の技術】従来、この種の光デイスクの製造方法に
おいては、紫外線硬化樹脂を用いて光デイスクを複製す
るようになされた２Ｐ(photo polymerization)法が提案
されている( 特願昭 61-111199号、特願昭61-146731
号）。

【０００３】すなわち２Ｐ法においては、まず図２
（Ａ）に示すように、記録信号に応じて微細な凹凸パタ
ーンが形成されたデイスクスタンパ１及び厚さ約 1.2
〔mm〕程度でなるガラス基板２間に、紫外線照射前は液
状でなる紫外線硬化樹脂３を挟むと共に、加圧ローラ
（図示せず）等を用いてガラス基板２側から加圧するこ
とにより、スタンパ１及びガラス基板２間に紫外線硬化
樹脂３を充填する。

【０００４】続いて、図２（Ｂ）に示すように、ガラス
基板２側から紫外線ランプ等でなる光源ＵＶから発せら
れる紫外線光Ｌ_UVを照射して、紫外線硬化樹脂３を硬化
させた後、図２（Ｃ）に示すように、この紫外線硬化樹
脂３をガラス基板２と共にスタンパ１から剥離する。

【０００５】これにより、図２（Ｄ）に示すように、ガ
ラス基板２上にスタンパ１の微細な凹凸パターンを転写
した厚さ数〔μm 〕〜数十〔μm 〕でなる信号パターン
転写層３Ａを形成する。

【０００６】この後、図２（Ｅ）に示すように、信号パ
ターン転写層３Ａが形成されてなる転写ガラス基板４の
ピツト側から、例えばスパツタリングや真空蒸着又はス
ピンコート等の手法を用いてアルミニウム反射層５を形
成した後、当該アルミニウム反射層５側に樹脂材料で保
護層６を形成し、このようにしてスタンパ１の凹凸パタ
ーンに応じたピツトパターンが形成された光デイスク７
を製造し得るようになされている。

【０００７】

【発明が解決しようとする課題】ところで上述のように
して製造された光デイスク７や光磁気記録層を有する光
磁気デイスクを用いる光デイスク装置又は光磁気デイス
ク装置においては、記録密度を高密度化するため、光デ
イスク７又は光磁気デイスクに照射するレーザ光Ｌの波
長を短くすると共に、対物レンズ８の開口率（ＮＡ(num
erical aperture)) を高くすることが行われている。

【０００８】ところが上述の光デイスク７は、ガラス基
板２側に対物レンズ８を配置し、当該対物レンズ８を通
じてレーザ光Ｌを照射し、この結果アルミニウム反射層
で反射された反射光に基づいて信号を読み取るようにな
されている。

【０００９】従つて対物レンズ８及びアルミニウム反射
層５の間には、ガラス基板２の厚さ（＝1.2 〔mm〕) に
信号パターン転写層３Ａの厚さ（＝数〔μm 〕〜数十
〔μm〕）を加えた間隔が最低限存在し、このため対物
レンズ８の高ＮＡ化が実際上困難であつた。

【００１０】この問題を解決するため光デイスク７のガ
ラス基板２を薄型化することが考えられるが、このよう
にすると、光デイスク７の表面の傷や塵がアルミニウム
反射層５に大きな影響を与えると共に、ガラス基板２の
反りが増加することにより、光デイスク７のスキュー量
が増大する問題がある。

【００１１】またこれに加えて、このような場合製造方
法によつては、複屈折の増加が予想されると共に、アル
ミニウム反射層５の周囲の環境変化に対する耐久性が劣
化するおそれもあり、解決策としては未だ不十分であつ
た。

【００１２】また光磁気デイスクにおいても同様に、図
２について上述したアルミニウム反射層５に代えて光磁
気記録層を形成した場合、ガラス基板２側に配置された
対物レンズ８の高ＮＡ化が困難になる問題があつた。

【００１３】本発明は以上の点を考慮してなされたもの
で、記録密度を一段と高くし得る光磁気記録媒体の記録
再生方法を提案しようとするものである。

【００１４】

【課題を解決するための手段】かかる課題を解決するた
め本発明においては、基板上に微細な凹凸パターンでな
る信号パターン層が形成され、信号パターン層上に垂直
磁化膜による光磁気記録層が形成され、光磁気記録層上
に厚さ50〜 200〔μｍ〕の光透過層を設けた光磁気記録
媒体の記録再生方法において、光透過層を通じて光磁気
記録層にレーザ光を照射し、かつ光透過層側から外部磁
界を印加することにより、光透過層の厚みが小さい分、
レーザ光の照射側において設けられる対物レンズの開口
率を一段と高くすることができる。従つて、光磁気記録
層に対して一段と高密度で情報を記録又は記録再生する
ことができる。また、光透過層の厚みが小さい分、当該
光透過層側から印加する外部磁界として低磁界のものを
用いることができる。

【００１５】

【発明の実施の形態】以下図面について、本発明の一実
施の形態を詳述する。

【００１６】図１は光デイスクの製造方法の原理を説明
するものであり、まず図１（Ａ）に示すように、２Ｐ法
（図２（Ａ）〜（Ｄ））によつて信号パターン転写層３
Ａが形成された転写ガラス基板４の信号パターン転写層
３Ａ上に、スパツタリング等の手法でアルミニウム反射
層５を形成する。

【００１７】続いて、転写ガラス基板４のアルミニウム
反射層５側に、厚さ50〜200 〔μm〕でなる薄型カバー
ガラス１０を配し、この転写ガラス基板４及び薄型カバ
ーガラス１０間に、数センチポアズ〜数十センチポアズ
の粘度の液状でなる紫外線硬化樹脂１１を挟んだ後、加
圧ローラ（図示せず）を用いて薄型カバーガラス１０側
から加圧することにより、転写ガラス基板４及び薄型カ
バーガラス１０間に紫外線硬化樹脂１１を充填する。

【００１８】続いて、図１（Ｂ）に示すように、光源Ｕ
Ｖから発せられる紫外線光Ｌ_UVを照射して紫外線硬化樹
脂１１を硬化させ、厚さ数〔μm 〕でなる透明ＵＶ接着
層１１Ａを形成し、この結果、薄型カバーガラス１０を
転写ガラス基板４に接着する。

【００１９】これにより、図１（Ｃ）に示すように、薄
型カバーガラス１０及び透明ＵＶ接着層１１Ａを通じ
て、アルミニウム反射層５のピツトパターンを再生し得
る光デイスク１２を製造するようになされている。

【００２０】なお、上述のようにして製造された光デイ
スク１２に対して、薄型カバーガラス１０側に配置した
対物レンズ１３を通じてレーザ光Ｌを照射する場合、対
物レンズ１３はアルミニウム反射層５に対して、薄型カ
バーガラス１０の厚さ（＝50〜200 〔μm 〕）に透明Ｕ
Ｖ接着層１１Ａの厚さ（＝数〔μm 〕）を加えた間隔ま
で接近させることができる。

【００２１】かくして、この光デイスク１２を用いる光
デイスク装置においては、対物レンズ１３を従来に比較
して一段とアルミニウム反射層５に接近させることがで
きることにより、対物レンズ１３として一段と高いＮＡ
を有するものを用いることができ、かくするにつき、従
来に比して一段と高密度記録が可能な光デイスク１２を
得ることができる。

【００２２】以上の方法によれば、転写ガラス基板４上
のアルミニウム反射層５と薄型カバーガラス１０との間
に、樹脂１１を充填した後硬化させて薄型カバーガラス
１０を転写ガラス基板４に接着するようにしたことによ
り、薄型カバーガラス１０側からアルミニウム反射層５
を再生し得る光デイスク１２を製造し得、かくするにつ
き、対物レンズ１３及びアルミニウム反射層５間の間隔
を、従来に比して格段的に短くすることにより、対物レ
ンズ１３の高ＮＡ化を可能にし得、かくして、簡易な工
程で高密度記録再生が可能な光デイスク１２を製造し得
る光デイスクの製造方法を実現できる。

【００２３】さらに上述の方法によれば、アルミニウム
反射層５の対物レンズ１３側にカバーガラス１０を接着
するようにしたことにより、平坦性、透明性に優れると
共に、透湿しにくくかつ傷や汚れに強い光デイスクを製
造し得る。

【００２４】また上述の方法によれば、基板として従来
同様のガラス基板を用いるようにしたことにより、面振
れやスキューの発生を未然に防止し得る。

【００２５】さらに上述の方法によれば、薄型カバーガ
ラス１０及び透明ＵＶ接着層１１Ａを通じて、アルミニ
ウム反射層５のピツトパターンを再生するようにしたこ
とにより、複屈折の発生を有効に除去し得る光デイスク
１２を製造できる。

【００２６】本発明の実施の形態による光磁気記録媒体
の記録再生方法に用いられる光磁気記録媒体は、図１に
ついて上述した光デイスク１２の製造方法において、ア
ルミニウム反射層５に代えて、スパツタリング等で垂直
磁化膜を形成することにより得られる。

【００２７】この場合対物レンズ側から外部磁界を印加
するようにすれば、磁気ヘツド及び垂直磁化膜間の間隔
を一段と短縮し得、かくして外部磁界として低磁界のも
のを用いることができることにより、光磁気ヘツドの構
成を一段と簡略化し得る。

【００２８】なお上述の実施の形態においては、基板と
してガラス基板を用いた場合について述べたが、本発明
はこれに限らず、基板側からレーザ光を照射する必要の
ないことから、セラミツクスや金属等種々の材質の基板
を用いても上述の実施の形態と同様の効果を実現でき
る。

【００２９】また上述の実施の形態においては、転写ガ
ラス基板４及び薄型カバーガラス１０間に紫外線硬化樹
脂１１を挟んで充填する場合について述べたが、本発明
はこれに限らず、予め紫外線硬化樹脂１１を転写ガラス
基板４又は薄型カバーガラス１０側に塗布しても良く、
さらに薄型カバーガラス１０に予めシランカツプリング
処理を施すようにしても良い。

【００３０】また上述の実施の形態においては、本発明
による光デイスクとして、光デイスクの片側からレーザ
光を照射してアルミニウム反射層の情報を再生するもの
に適用したが、これに限らず、基板に対して両面に２Ｐ
法によるアルミニウム反射層を形成し、この両面のアル
ミニウム反射層上にそれぞれ薄型カバーガラスを接着し
て、光デイスクの両側からレーザ光を照射してアルミニ
ウム反射層の情報を再生するようにしても良い。

【００３１】また上述の実施の形態においては、２Ｐ法
を用いて信号パターン転写層でなる信号パターン層を形
成した場合について述べたが、信号パターン層はこれに
限らず、イオンエツチング等により形成するようにして
も上述の実施の形態と同様の効果を実現できる。

【００３２】さらに上述の実施の形態においては、本発
明をデイスクの記録再生方法に適用したが、本発明はこ
れに限らず、光カード等他の光情報記録媒体の記録再生
方法に広く適用して好適なものである。

【００３３】

【発明の効果】上述のように本発明によれば、基板の信
号パターン層上に形成された所定の光磁気記録層と50〜
200 〔μｍ〕の厚みを有する光透過層との間に、樹脂を
充填した後硬化させて、光透過層を基板に接着するよう
にしたことにより、光透過層側から光磁気記録層に記録
及び又は再生し得る。かくして、レーザ光を照射する光
透過層側の対物レンズの開口率を一段と高くすることが
でき、これにより情報の記録密度を一段と高密度化し得
ると共に、レーザ光を照射する光透過層側から印加する
外部磁界として低磁界のものを用いることができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明による光デイスクの製造方法の原理を示
す略線図である。

【図２】２Ｐ法による光デイスクの製造方法を示す略線
図である。

【符号の説明】

１……スタンパ、２……ガラス基板、３、１１……紫外
線硬化樹脂、３Ａ……信号パターン転写層、５……アル
ミニウム反射層、８、１２……光デイスク、１０……薄
型カバーガラス。

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】基板上に微細な凹凸パターンでなる信号パ
   ターン層が形成され、 上記信号パターン層上に垂直磁化膜による光磁気記録層
   が形成され、 上記光磁気記録層上に厚さ50〜 200〔μｍ〕の光透過層
   を設けた光磁気記録媒体の記録再生方法であつて、 上記光透過層を通じて上記光磁気記録層にレーザ光を照
   射し、かつ上記光透過層側から外部磁界を印加するよう
   にしたことを特徴とする光磁気記録媒体の記録再生方
   法。