JPH1079577A

JPH1079577A - 配線基板の製造方法及び配線基板

Info

Publication number: JPH1079577A
Application number: JP8253763A
Authority: JP
Inventors: Hajime Yoshikawa; 肇吉川; Futoshi Sonoda; 太園田
Original assignee: NGK Spark Plug Co Ltd
Current assignee: Niterra Co Ltd
Priority date: 1996-09-03
Filing date: 1996-09-03
Publication date: 1998-03-24

Abstract

(57)【要約】【課題】無電解メッキの施される配線相互に短絡を発
生させない黒色の配線基板及びその製造方法を提供す
る。【解決手段】モリブデン又は／及びタングステンを
０．０１重量部以下添加したアルミナからなる第１のグ
リーンシート６１と、黒色化用金属を含ませたアルミナ
からなる第２のグリーンシート６２とを積層成する。該
第１のグリーンシート６１上には、ボンディングパッド
用メタライズインク６７を形成しておく。この積層体７
０を還元雰囲気中で焼成した後、ボンディングパッド２
０へ無電解メッキによりメッキを施す。該第１のグリー
ンシート６１を焼成してなるセラミック層５１の上にモ
リブデン又は／及びタングステンが露出しないため、無
電解メッキによりメッキを施す際に、該セラミック層５
１上にメッキが析出しボンディングパッド２０を短絡さ
せない。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、集積回路チップ等
の電子部品を実装するセラミック製の配線基板の製造方
法及び配線基板に関し、特に、セラミック材料に黒色の
発色剤を混入して遮光性を持たせた多層式の配線基板の
製造方法及び配線基板に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】従来の乳白色のセラミック製の集積回路
用配線基板に代わって、現在黒色（暗色、黒褐色等の着
色を含む、以下単に黒色ということもある）の集積回路
用配線基板が多く用いられている。集積回路用配線基板
を黒色に形成するのは、先ず、集積回路の中には、ＥＰ
ＲＯＭのように光に反応するタイプがあるので遮光する
ためであり、また、ワイヤボンディングが行い易くなる
からである。即ち、集積回路の入出力端子と配線基板の
ボンディングパッドとをワイヤボンディングする際に、
配線基板の位置合わせ用ターゲットマークをセンサで自
動検知して位置合わせを行う。このとき、金メッキによ
り金色に光るターゲットマークは、配線基板が黒色であ
る方が、コントラストがより鮮明となって、センサで自
動検知し易くなる。更に、集積回路用配線基板を黒色に
形成した方が、汚れが付着しても目立たないという利点
もある。この黒化のための発色剤については、酸化クロ
ム（Ｃｒ₂Ｏ₃）やモリブデン（Ｍｏ）、タングステン
（Ｗ）等が用いられ、本出願人の出願に係る特公昭６１
−１２８６８号に詳細に述べられている。また、酸化チ
タン（ＴｉＯ₂）が用いられることもある。

【０００３】集積回路用配線基板の１例について、図５
（Ａ）を参照して説明する。図中には２個のチップが載
置されるマルチチップモジュール１１０の平面視を示し
ている。それぞれチップを収容するキャビティ１３２、
１３４の回りには、段部１３６、１３８が形成され、該
段部１３６、１３８の上面には、チップの入出力端子と
接続されるボンディングパッド１２０、１２２、１２４
が列をなすように形成されている。ここで、ボンディン
グパッド１２２とボンディングパッド１２４とは、図示
しない内部配線で各々接続されており、該キャビティ１
３２に収容されるチップと、キャビティ１３４に収容さ
れるチップと接続するバスラインを形成する。ボンディ
ングパッド１２０、１２２、１２４には、金あるいはア
ルミワイヤでのボンディングを容易にするため、表面に
金メッキが施されている。ここで、バスラインを形成す
るボンディングパッド１２２、１２４には、外部から電
解メッキのための電流を流すことができないため、ボン
ディングパッド１２０、１２２、１２４やその他の部分
へのメッキは、無電解メッキにより行われる。ボンディ
ングパッド１２２、１２４を形成する配線は他と接続し
ない独立配線となっているからである。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】図５（Ａ）に示すサー
クルＣ部を拡大して図５（Ｂ）に示す。現在、集積回路
チップの高集積化が進み、配線基板の配線をファインピ
ッチで行うことが求められている。このため、ボンディ
ングパッド１２０等は幅１００μｍ程度に、また、ボン
ディングパッド間の間隔は３０μｍ程度まで狭められて
いる。ここで、上述したようにボンディングパッド１２
０等に無電解メッキを施す際に、ボンディングパッド１
２０等の載置された段部１３６、１３８の上面にもメッ
キ１５０が析出し、例えばボンディングパッド１２０
ａ、ボンディングパッド１２０ｂを短絡させる事態を発
生している。

【０００５】この原因を検討した結果、上述した配線基
板を黒色にするため発色剤として添加しているモリブデ
ンやタングステンに原因があることが分かった。即ち、
ボンディングパッド等を形成する配線を構成するタング
ステン等のメタライズインクを酸化させないため、配線
基板を還元雰囲気中で焼成して形成するが、この還元雰
囲気によって、配線基板表面の発色用モリブデンやタン
グステンが、金属に還元され、あるいは酸化されないで
金属のまま存在する。そして、無電解メッキ工程におい
てこの配線基板表面のモリブデン等を核としてメッキが
析出すると考えられた。

【０００６】本発明は、上述した課題を解決するために
なされたものであり、その目的とするところは、無電解
メッキの施される配線相互に短絡を発生させない黒色の
配線基板及びその製造方法を提供することにある。

【０００７】

【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
め、請求項１の配線基板の製造方法は、Ｍｏ及びＷを含
まず、あるいはＭｏ又は／及びＷを焼成後のセラミック
成分に対して０．１ｗｔ％以下を含みアルミナを主成分
とする第１のグリーンシートを形成する工程と、Ｍｏ又
は／及びＷを含み、アルミナを主成分とし、焼成により
黒色化する第２のグリーンシートを複数形成する工程
と、少なくとも１つの前記第１のグリーンシート上に配
線を形成する工程と、前記第１及び第２のグリーンシー
トを積層する工程であって、該第１のグリーンシート上
に形成された配線の一部が外部に露出するように積層す
る工程と、前記工程により形成した積層体を還元雰囲気
中で焼成して配線基板とする工程と、前記配線基板の前
記配線の露出部へ無電解メッキによりメッキを施す工程
と、から成ることを技術的特徴とする。

【０００８】上記の目的を達成するため、請求項２の配
線基板の製造方法は、前記第１のグリーンシートに形成
され外部に露出する前記配線の露出部が、列設されたボ
ンディングパッドであることを技術的特徴とする。

【０００９】上記の目的を達成するため、請求項３の配
線基板の製造方法は、アルミナを主成分とする複数のセ
ラミック層を積層してなり、該セラミック層上に形成さ
れ、Ｍｏ又はＷを主成分とし、外部に露出し、露出面に
無電解メッキによるメッキ層を形成するための露出配線
層を少なくとも１つ備える配線基板であって、上部に該
露出配線層を有する前記セラミック層のうち少なくとも
１つの特定セラミック層に含まれるＭｏ又は／及びＷの
含有量が０．１ｗｔ％以下であり、黒色化された他のセ
ラミック層に含まれるＭｏ又は／及びＷの含有量に比し
て少なくされていることを技術的特徴とする。

【００１０】上記の目的を達成するため、請求項４の配
線基板の製造方法は、前記特定セラミック層上に形成さ
れた前記露出配線層が、列設されたボンディングパッド
であることを技術的特徴とする。

【００１１】上記の目的を達成するため、請求項５の配
線基板の製造方法は、前記特定セラミック層は、酸化ク
ロム、酸化チタンのうち少なくとも１種を含み、黒色化
されていることを技術的特徴とする。

【００１２】上記の目的を達成するため、請求項６の配
線基板の製造方法は、アルミナを主成分とする複数のセ
ラミック層を積層してなり、該セラミック層上に形成さ
れ，Ｍｏ又は／及びＷを主成分とし、表面に露出し、露
出面に無電解メッキによるメッキ層を形成するための露
出配線層を少なくとも１つ備える配線基板であって、上
部に該露出配線層を有する前記セラミック層のうち少な
くとも１つの特定セラミック層のうち、該露出配線層と
の界面をなす上面側に形成された上面層に含まれるＭｏ
又は／及びＷの含有量が０．１ｗｔ％以下であり、該特
定セラミック層のうち該上面層以外の黒色化された部分
に含まれるＭｏ又は／及びＷの含有量に比して少なくさ
れていることを技術的特徴とする。

【００１３】

【作用及び効果】請求項１の構成では、外部に露出する
配線をＭｏやＷの含まれていないか、少量しか含んでい
ない第１のグリーンシート上に形成してあるため、該グ
リーンシートを積層した積層体を還元雰囲気中で焼成し
て配線基板とした際に、該第１のグリーンシートを焼成
してなるセラミック層の表面にＭｏやＷが露出しない
か、あるいは露出量がごく少ない。このため、配線基板
の配線の露出部へ無電解メッキによりメッキを施す際
に、第１のグリーンシートを焼成してなるセラミック層
上にメッキが析出しないので、配線相互が短絡しなくな
る。

【００１４】また、第２のグリーンシートは、焼成によ
り黒色化するようにしてあるため、配線基板を黒色にす
ることができる。

【００１５】更に、第２グリーンシートに、モリブデン
又は／及びタングステンを含ませてあるため、配線基板
を十分に黒色化する事ができ、高い電気絶縁性を保ちつ
つ低い誘電体損失と高い強度及び熱伝導率を有するセラ
ミック層を得ることができる。

【００１６】請求項２の構成では、第１のグリーンシー
トに形成され外部に露出する配線の露出部が列設された
ボンディングパッドであるので、パッド間のセラミック
層上にメッキが析出せず、パッド相互間を短絡させるこ
とがない。

【００１７】請求項３の構成では、特定セラミック層に
含まれるＭｏ又は／及びＷの含有量が、０．１ｗｔ％以
下であり、黒色化された他のセラミック層に含まれるそ
れの含有量よりも少なくされているので、特定セラミッ
ク層上に形成された露出配線層については、無電解メッ
キを施しても、特定セラミック層の表面にメッキが析出
しない、あるいは析出しがたいため、配線相互間で短絡
を生じることがない。また、黒色化された他のセラミッ
ク層はＭｏ又は／及びＷを比較的多く含んでいるので、
Ｍｏ等のために黒色化の程度が高く、配線基板は全体と
して黒色化されたものとすることができる。また、絶縁
抵抗を高く保ちつつ、低い誘電損失と高い強度や熱伝導
率を有するセラミック層とすることができる。

【００１８】請求項４の構成では、特定セラミック層上
に形成された露出配線層が列設されたボンディングパッ
ドであるので、パッド間の特定セラミック層上にメッキ
が析出せず、パッド相互間を短絡させることがない。

【００１９】請求項５の構成では、特定セラミック層
は、酸化クロム、酸化チタンを含むことにより黒色化さ
れている。従って、表面にメッキが析出することがな
く、かつ、その上に形成される露出配線層に施される金
メッキなどとの色調差が大きくなって判別が容易にな
り、またセンサ等による自動検査が容易に行える。

【００２０】請求項６の構成では、特定セラミック層の
うち上層面に含まれるＭｏ又は／及びＷの含有量が、
０．１ｗｔ％以下であり、上層面以外の部分に含まれる
それの含有量よりも少なくされているので、露出配線層
に無電解メッキを施しても、特定セラミック層（上層
面）の表面にメッキが析出しない、あるいは析出しがた
いので、配線相互間で短絡を生じることがない。また、
上層面以外の黒色化された部分に含まれるＭｏ又は／及
びＷの含有量は比較的多いので、Ｍｏ等のために黒色化
の程度が高く、配線基板は全体として黒色化されたもの
とすることができる。また、絶縁抵抗を高く保ちつつ、
低い誘電損失と高い強度や熱伝導率を有するセラミック
層とすることができる。

【００２１】

【発明の実施の形態】以下、本発明を具体化した実施態
様について図を参照して説明する。図１（Ａ）は、本発
明の第１実施態様に係る配線基板の平面図を示し、図１
（Ｂ）は、該配線基板のＢ−Ｂ断面を示している。該配
線基板１０は、複数のＩＣチップを搭載するマルチチッ
プモジュールタイプであって、ＩＣチップを収容するた
めの２つのキャビティ３２、３４が形成され、このキャ
ビティ３２、３４の周囲には段部３６、３８が形成さ
れ、該段部３６、３８の上面には、ＩＣチップとの接続
を取るためのボンディングパッド２０、２２、２４が配
設されている。図１（Ｂ）に示すボンディングパッド２
０は、配線基板の下面に設けられたマサーボードへの接
続用のバンプ４０と、該配線基板内の内部配線４２を介
して接続されている。他方、ボンディングパッド２４と
ボンディングパッド２６とは、キャビティ３２に収容さ
れるＩＣチップとキャビティ３４に収容されるＩＣチッ
プとを接続するためのバスラインであって、外部との接
続は取られていない。

【００２２】この配線基板は、黒色化するためのＭｏや
Ｗ、及びＣｒ₂Ｏ₃を添加した第２のアルミナグリーン
シートを焼成して成る第２のセラミック層５２と、これ
らの発色剤を添加しない第１のアルミナグリーンシート
を焼成して成る第１のセラミック層（特定セラミック
層）５１とから構成されており、該第１のセラミック層
５１は、ボンディングパッド２２、２４、２６の下層に
配設され、それ以外には第２のセラミック層５２が配設
されている。

【００２３】ここで、この配線基板の製造方法につい
て、図２及び図３を参照して説明する。まず、図２に示
す工程（Ａ）にて、配線基板を黒色化させるための発色
剤を添加した第２のグリーンシート６２を形成する。こ
こでは、アルミナ含有率９９．８％、平均粒径１μｍの
α−Ａｌ₂Ｏ₃粉末９４％及び残部ＳｉＯ₂：ＭｇＯ：
ＣａＯ比６：１：１のガラスフリットからなるアルミナ
磁器配合物１００重量部に対して、平均粒径１μｍのＣ
ｒ₂Ｏ₃、該Ｃｒ₂Ｏ₃と等量以下の金属モリブデン及
び／又はＷを、特公昭６１−１２８６８号に詳細に述べ
られているように合計０．５〜８．０重量部添加した原
材料に、ブチラール樹脂をトリクロールエチレンと共に
加えてスラリーとした。これからドクターブレード法に
よって厚さ０．２５mmのシートとし、これより所定寸法
の長方形に切断して、第２のグリーンシート６２を形成
する。

【００２４】ここで、図１（Ｂ）に示すキャビティの下
側、即ち、開口部の形成されない部位に配設される第２
のグリーンシート６２について、工程（Ｂ）に示すよう
に所定位置にスルーホール６４を穿設し、タングステン
粉末をスラリー状にして成るメタライズインクを該スル
ーホール６４へ充填すると共に、第２のグリーンシート
６２上に所定配線パターン６６をスクリーン印刷により
塗布する。

【００２５】他方、図１（Ｂ）に示すキャビティの形成
される位置に配設される第２のグリーンシート６２につ
いて、工程（Ｃ）に示すように所定位置に開口部６８及
びスルーホール６４を穿設した後、工程（Ｄ）に示すよ
うに、メタライズインクを該スルーホール６４へ充填す
ると共に、第２のグリーンシート６２上に所定配線パタ
ーン６６をスクリーン印刷により塗布する。

【００２６】ここで、図１（Ｂ）を参照して上述したボ
ンディングパッド２２、２４、２６の下層に配設される
第１のセラミック層５１となるＭｏやＷ、Ｃｒ₂Ｏ₃を
添加しない第１のグリーンシート６１を形成する（図２
に示す工程（Ｅ））。ここでは、アルミナ含有率９９．
８％、平均粒径１μｍのα−Ａｌ₂Ｏ₃粉末９４％及び
残部ＳｉＯ₂：ＭｇＯ：ＣａＯ比６：１：１のガラスフ
リットからなるアルミナ磁器配合物から成る原材料に、
ブチラール樹脂をトリクロールエチレンと共に加えてス
ラリーとした。これからドクターブレード法によって厚
さ０．２５mmのシートとし、これより所定寸法の長方形
に切断して、第１のグリーンシート６１を形成する。

【００２７】そして、工程（Ｆ）に示すように所定位置
に開口部６８及びスルーホール６４を穿設した後、工程
（Ｇ）に示すように、メタライズインクを該スルーホー
ル６４へ充填すると共に、第１のグリーンシート６１上
にボンディングパッド２０、２２、２４（図１（Ｂ）参
照）となる配線パターン６７をスクリーン印刷により塗
布する。

【００２８】その後、図３に示す工程（Ｈ）のように、
第１のグリーンシート６１及び第２のグリーンシート６
２を積層してグリーンシートの積層体７０を構成する。
ここでは、第１のグリーンシート６１に形成された配線
パターン６７、即ち、焼成後にボンディングパッド２
０、２２、２４（図１（Ｂ）参照）となる配線パターン
６７の一部を外部に露出させるように積層する。なお、
最下層の下面にはバンプ４０となるバンプパターン５０
も形成されている。

【００２９】その後、上記積層体７０を、工程（Ｉ）に
おいて同時焼成して配線基板１０を形成する。ここで
は、還元雰囲気として水素中において１４５０〜１６５
０°Ｃ、好ましくは約１５００〜１６００°Ｃで焼成
し、第１のグリーンシート６１を第１のセラミック層５
１へ、また、第２のグリーンシート６２を第２のセラミ
ック層５２へと焼結させる。この焼成の際に、積層体７
０は２割程度収縮して焼結する。ここで、第２のセラミ
ック層５２は、上記ＭｏやＷ、及びＣｒ₂Ｏ₃によって
黒色化する。他方、第１のセラミック５１は、Ｍｏや
Ｗ、及びＣｒ₂Ｏ₃が含まれていないため、本来乳白色
になるのであるが、紅みかかった色に成る。これは、上
記焼成の際に、隣接している第２グリーンシート６２中
のＣｒが拡散・進入するためと考えられる。

【００３０】引き続き、焼成後の配線基板１０の下面に
マザーボードとの接続用のバンプ４０（図１（Ｂ）参
照）を取り付けた後、無電解メッキによって、上記第１
のセラミック層５１上のボンディングパッド２０、２
２、２４にメッキ層を形成し、ボンディングパッドの酸
化を防ぐと共に、ＩＣチップへのワイヤーボンディング
を行い易いようにする。

【００３１】まず、第１メッキ層として、硫酸ニッケル
とＤＭＡＢジメチルアミンボランを還元剤として含む無
電解メッキ液（奥野製薬（株）製のトップケミアロイＢ
−１（商品名））を用いてＮｉ−Ｂメッキを厚さ１．５
μｍ被着、形成した。次いで、第２メッキ層として、硫
酸ニッケルと次亜りん酸ナトリウムを還元剤として含む
無電解メッキ液（上村工業（株）製のニムデン７８Ｓ
（商品名））を用いて、Ｎｉ−Ｐメッキを厚さ２．５μ
ｍ被着形成した。最後に、水酸化ホウ素ナトリウムを還
元剤として含む無電解メッキ液（奥野製薬（株）製のＯ
ＰＣムデンゴールド２５）を用いて、厚さ２．０μｍの
Ａｕメッキ層を被着形成した。

【００３２】図４に、図３の工程（Ｉ）に於ける配線基
板１０のボンディングパッド２０のＦ矢視の拡大図を示
す。このボンディングパッド２０は、幅１００μｍに形
成され、ボンディングパッド２０間には３０μｍの絶縁
間隔が設けられている。この無電解メッキの際に、第１
実施態様では、図５（Ｂ）を参照して上述した従来技術
の配線基板と異なり、ボンディングパッド２０の下層の
第１セラミック層５１（段部３６）上に、メッキを析出
することが無いため、ボンディングパッド相互を短絡さ
せることがない。

【００３３】ここで、Ｃｒ₂Ｏ₃、ＴｉＯ₂については
酸素との結合力が高く、還元雰囲気中でも還元されず焼
成時にも酸化物の状態を保つため、メッキを析出させる
ことがない。他方、Ｗ、Ｍｏについては酸素との結合力
が弱く、還元雰囲気中で還元され金属となりメッキを析
出させると推測される。

【００３４】このため、第１セラミック層５１の表面の
Ｗ、Ｍｏ分がどの程度であれば、ボンディングパッドを
短絡させないかについて実験を行った。ここでは、１０
倍の拡大鏡で観察して余剰メッキの認められたものを不
良品とした。この不良品を従来技術の配線基板と同様に
３０％以上の確率で発生させる配線基板について、第１
セラミック層５１の断面におけるＷ、Ｍｏの含有率を測
定したところ、０．３ｗｔ％であった。他方、不良品を
ほとんど発生させない（５０個試験を行い１つも不良が
発生しない）本実施態様の配線基板の第１セラミック層
５１の断面のＷ、Ｍｏを測定したところ、０．１ｗｔ％
以下であった。即ち、第１セラミック層５１のＷ、Ｍｏ
値を、０．１ｗｔ％以下となるように、第２グリーンシ
ートのＷ、Ｍｏ添加値を調整することで、無電解メッキ
の施される配線パターン相互に短絡を発生させることな
く、黒色の集積回路用配線基板を製造できることが判明
した。

【００３５】引き続き、本発明の第２実施態様について
説明する。なお、この第２実施態様の説明において、第
１実施態様の配線基板の製造方法と、発色剤の成分を除
き、ほぼ同一であるため、第１実施態様の説明において
参照した図及び参照番号をそのまま参照して説明を行う
と共に、第１実施態様と同様な構成については詳細な説
明を省略する。

【００３６】上述した第１実施態様においては、第１の
グリーンシート６１には、発色剤成分を含ませなかった
が、第２実施態様においては、第１のグリーンシート６
１側にも発色剤成分を含ませてある。ここでは、例Ａ〜
例Ｆの成分調整を行った第１グリーンシート６１を用意
して試験を行った。例Ａ．第１グリーンシート６１を構成するアルミナに酸
化クロム（Ｃｒ₂Ｏ₃）を０．５〜８重量部添加した。例Ｂ．モリブデン又は／及びタングステンを０．１重量
部以下添加し、該モリブデン又はタングステンとの合計
で、酸化クロムを０．５〜８重量部添加した。例Ｃ．第１グリーンシート６１を構成するアルミナに酸
化チタンを０．５〜２重量部添加した。例Ｄ．モリブデン又は／及びタングステンを０．１重量
部以下添加し、該モリブデン又はタングステンとの合計
で、酸化チタンを０．５〜２重量部添加した。例Ｅ．第１グリーンシート６１を構成するアルミナに酸
化チタンを０．５〜２重量部及び酸化クロムを合計で１
〜８重量部添加した。例Ｆ．モリブデン又は／及びタングステンを０．１重量
部以下添加し、酸化チタンを０．５〜２重量部、及び、
該モリブデン、タングステン、酸化チタンとの合計で酸
化クロムを１〜８重量部添加した。

【００３７】上記例Ａ及びＢの酸化クロムを添加した第
１セラミック層は、紅色の色調を示した。また、例Ｃ及
びＤの酸化チタンのみを添加した第１セラミック層は、
灰色の色調を示した。さらに、例Ｅ及びＦの酸化チタン
及び酸化クロムを添加した第１セラミック層は暗紅色の
色調を示した。

【００３８】この例Ａ〜例Ｆの配線基板について、メッ
キを施した際に、ボンディングパッドを短絡させるか否
かについて実験を行った。ここでは、上述した第１実施
態様と同様にして、余剰メッキの析出の有無を、例Ａ〜
例Ｆの配線基板を５０個ずつ用意して確認した。この結
果、例Ａ〜例Ｆの配線基板５０個に全てにおいて、ボン
ディングパッド間で余剰メッキが発生しなかった。

【００３９】この不良品を発生させない例Ａ〜例Ｆの配
線基板について、第１セラミック層（特定セラミック
層）５１のＷ及びＭｏの含有率を測定したところ、いず
れの例も第１実施態様と同様に０．１ｗｔ％以下であっ
た。即ち、第１のグリーンシートにＣｒ₂Ｏ₃やＴｉＯ
₂を含ませるか否かに関わらず、第１セラミック層５１
のＷ、Ｍｏ値を、０．１ｗｔ％以下となるように第１グ
リーンシートと第２グリーンシートとのＭｏやＷの成分
量を調整することで、無電解メッキの施される配線パタ
ーン相互に短絡を発生させることなく黒色の集積回路用
配線基板を製造できることが判明した。

【００４０】上述した第１、第２実施態様においては、
第１セラミック層以外、即ち、配線基板の大部分を構成
する第２セラミック層に黒化剤として、モリブデン又は
タングステンを含ませてあるため、第２セラミック層を
十分に黒色化することができ、集積回路用配線基板の電
気絶縁性を高く保ちつつ、低い誘電体損失と、高い強度
及び熱伝導率を得ることができる。

【００４１】上述した第１、第２実施態様では、集積回
路用配線基板を黒色に形成できるため、遮光性が高く、
ＥＰＲＯＭのように光に反応するタイプの集積回路を誤
動作させることがない。また、ワイヤボンディングを行
う際に、金メッキにより金色に光るターゲットマークと
黒色の配線基板との間のコントラストが鮮明であるた
め、配線基板の位置合わせ用ターゲットマークをセンサ
で自動検知し易い。更に、集積回路用配線基板を黒色に
してあるため、汚れが付着しても目立たない。

【００４２】上述した実施様態においては、第１のセラ
ミック層５１のＭｏやＷの含有量を０．１ｗｔ％以下と
した例を示したが、上部に例えばボンディングパッドの
ような露出配線層を有するセラミック層（特定セラミッ
ク層）のうち、上面側に形成された上面層に含まれるＭ
ｏ又は／及びＷの含有量が０．１ｗｔ％以下であり、こ
の上面層以外の黒色化された部分、即ち特定セラミック
層のうち上面層より下層部分に含まれるそれよりも少な
くされていてもよい。具体的には、ボンディングパッド
等の配線層を印刷するグリーンシート上面に、予めＭｏ
やＷを含有しないかあるいは含有量の少ない、アルミナ
を主成分とするセラミックペーストを、スクリーン印刷
あるいはローラー転写により塗布・乾燥しておき、この
上に配線層を印刷形成する手法があげられる。

【００４３】このようにすると、上記第１及び第２実施
様態のように別途第１のグリーンシートを形成する必要
がなく、ＭｏやＷが（多く）含まれているグリーンシー
ト上に、ＭｏやＷを含まないあるいは少量しか含まない
セラミックペーストを塗布するだけで、あとは通常と同
様にして配線基板を形成すればよく、しかも、このグリ
ーンシート上にセラミックペーストを塗布したものを焼
結した特定セラミックにおいて、その上面に余剰メッキ
が発生しないため、この上面に形成される露出配線層に
おいて短絡が発生しない。さらに、セラミックペースト
で塗布するだけであるので、特定セラミック層のうち上
面層の厚さは薄くすることができ、薄くすると黒色化さ
れる通常の下層部分の色が透けるため、露出配線層（例
えばボンディングパッド）との色調差が大きくなって、
認識容易で自動検査等が容易にできる。なお、セラミッ
クペースト中に酸化クロムや酸化チタン等をも添加して
焼成により上層面をも黒色化するようにしても良い。

【００４４】なお、上述した実施態様においては、マル
チチップモジュールを例示したが、本発明は種々のタイ
プの集積回路用配線基板に適用することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】図１（Ａ）は、本発明の第１実施態様に係る配
線基板の平面図であり、図１（Ｂ）は、図１（Ａ）の配
線基板のＢ−Ｂ断面図である。

【図２】本発明の第１実施態様に係る配線基板の製造方
法の工程図である。

【図３】本発明の第１実施態様に係る配線基板の製造方
法の工程図である。

【図４】図３の工程（Ｉ）に於ける積層体のＦ矢視の拡
大図である。

【図５】図５（Ａ）は従来技術に係る配線基板の平面図
あり、図５（Ｂ）は図５（Ａ）のサークルＣの拡大図で
ある。

【符号の説明】

１０配線基板２０、２２、２４ボンディングパッド５１第１セラミック層５２第２セラミック層６１第１グリーンシート６２第２グリーンシート６６、６７配線パターン７０積層体

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】Ｍｏ及びＷを含まず、あるいはＭｏ又は／
及びＷを焼成後のセラミック成分に対して０．１ｗｔ％
以下を含みアルミナを主成分とする第１のグリーンシー
トを形成する工程と、Ｍｏ又は／及びＷを含み、アルミナを主成分とし、焼成
により黒色化する第２のグリーンシートを複数形成する
工程と、少なくとも１つの前記第１のグリーンシート上に配線を
形成する工程と、前記第１及び第２のグリーンシートを積層する工程であ
って、該第１のグリーンシート上に形成された配線の一
部が外部に露出するように積層する工程と、前記工程により形成した積層体を還元雰囲気中で焼成し
て配線基板とする工程と、前記配線基板の前記配線の露出部へ無電解メッキにより
メッキを施す工程と、を有することを特徴とする配線基
板の製造方法。
【請求項２】前記第１のグリーンシートに形成され外部
に露出する前記配線の露出部が、列設されたボンディン
グパッドであることを特徴とする請求項１に記載の配線
基板の製造方法。
【請求項３】アルミナを主成分とする複数のセラミック
層を積層してなり、該セラミック層上に形成され、Ｍｏ
又はＷを主成分とし、外部に露出し、露出面に無電解メ
ッキによるメッキ層を形成するための露出配線層を少な
くとも１つ備える配線基板であって、上部に該露出配線層を有する前記セラミック層のうち少
なくとも１つの特定セラミック層に含まれるＭｏ又は／
及びＷの含有量が０．１ｗｔ％以下であり、黒色化され
た他のセラミック層に含まれるＭｏ又は／及びＷの含有
量に比して少なくされていることを特徴とする配線基
板。
【請求項４】前記特定セラミック層上に形成された前記
露出配線層が、列設されたボンディングパッドであるこ
とを特徴とする請求項３に記載の配線基板。
【請求項５】前記特定セラミック層は、酸化クロム、酸
化チタンのうち少なくとも１種を含み、黒色化されてい
ることを特徴とする請求項３又は４に記載の配線基板。
【請求項６】アルミナを主成分とする複数のセラミック
層を積層してなり、該セラミック層上に形成され，Ｍｏ
又は／及びＷを主成分とし、表面に露出し、露出面に無
電解メッキによるメッキ層を形成するための露出配線層
を少なくとも１つ備える配線基板であって、上部に該露出配線層を有する前記セラミック層のうち少
なくとも１つの特定セラミック層のうち、該露出配線層
との界面をなす上面側に形成された上面層に含まれるＭ
ｏ又は／及びＷの含有量が０．１ｗｔ％以下であり、該
特定セラミック層のうち該上面層以外の黒色化された部
分に含まれるＭｏ又は／及びＷの含有量に比して少なく
されていることを特徴とする配線基板。