JPH1069198A - 電子写真装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 定着性の向上した微粒子トナーと新規な感光
体からなる高画質対応の高速電子写真装置を用いても、
ドラム表面へのトナー融着を発生させることなくクリー
ニング性能を維持し、感光体の製造コストを増大させる
ことがない。 【解決手段】 円筒状感光体、帯電器、静電潜像の形成
手段、静電潜像からトナー像を形成する手段、トナー像
を転写する手段、トナー像転写後に残留するトナーをブ
レードでクリーニングする機構を有する電子写真装置に
おいて、前記ブレードが、（１）ＪＩＳ硬度６８度以上
７６度以下、（２）０．２ ≦ Ｌ／Ｄ ≦１．２、
（３）０．５ ≦ Ｄ ≦ ５、（４）３００ ≦ Ｐ ≦ １
０００ （但し、Ｌはブレードの自由長（ｍｍ）、Ｄは
ブレードの厚さ（ｍｍ）、Ｐはブレードの押しつけ総圧
力（ｇ）を示す。）を満足するものであることを特徴と
する電子写真装置。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は円筒状感光体を用い
これを回転させて帯電・露光・現像・転写・クリーニン
グを連続して行う電子写真装置に関する。

【０００２】より詳しくはクリーニングブレードの自由
長と厚さを規定し、新規な感光体を用いることで全環境
下での良好な画質と、安定したクリーニング性を可能に
する高品質電子写真装置に関する。

【０００３】

【従来の技術】従来、電子写真法としては、米国特許第
２２９７６９２号明細書、特公昭４２−２３９１０号公
報及び特公昭４３−２４７４８号公報に記載されている
如く、多数の方法が知られている。一般には光導電性物
質を利用し、種々の手段により感光体上に電気的潜像を
形成し、ついで該潜像をトナー（現像剤）を用いて現像
し、必要に応じて紙等の転写材にトナー画像を転写した
後、加熱、圧力、加熱加圧あるいは溶剤蒸気などにより
定着し複写物を得るものである。この上記工程におい
て、転写材へトナー画像を転写した後でも感光体上に
は、未転写のトナーが残るため、これまではクリーニン
グ工程により該未転写トナーを回収し、いわゆる廃トナ
ーとして系外に排出していた。

【０００４】近年の情報処理量の増大にともない、コピ
ーボリュームの大きな複写機やレーザービームプリンタ
ー等の電子写真装置（すなわち大型の高速機）の需要が
さらに大きくなりつつある。

【０００５】電子写真において、感光体における感光層
を形成する光導電材料としては、高感度で、ＳＮ比［光
電流（Ｉｐ）／暗電流（Ｉｄ）］が高く、照射する電磁
波のスペクトル特性に適合した吸収スペクトルを有する
こと、光応答性が早く、所望の暗抵抗値を有すること、
使用時において人体に対して無害であること等の特性が
要求される。特に、事務機としてオフィスで使用される
画像形成装置内に組み込まれる電子写真用感光体の場合
には、上記の使用時における無公害性は重要な点であ
る。このような点に優れた性質を示す光導電材料に水素
化アモルファスシリコン（以下、「ａ−Ｓｉ：Ｈ」と表
記する）があり、例えば、特公昭６０−３５０５９号公
報には電子写真用感光体としての応用が記載されてい
る。

【０００６】ａ−Ｓｉ：Ｈを用いた電子写真用感光体
は、一般的には、導電性支持体を５０℃〜４００℃に加
熱し、該支持体上に真空蒸着法、スパッタリング法、イ
オンプレーティング法、熱ＣＶＤ法、光ＣＶＤ法、プラ
ズマＣＶＤ法等の成膜法によりａ−Ｓｉからなる光導電
層を形成する。中でもプラズマＣＶＤ法、すなわち、原
料ガスを直流または高周波あるいはマイクロ波グロー放
電によって分解し、支持体上にａ−Ｓｉ堆積膜を形成す
る方法が好適なものとして実用に付されている。

【０００７】また、特開昭５４−８３７４６号公報にお
いては、導電性支持体と、ハロゲン原子を構成要素とし
て含むａ−Ｓｉ（以下、「ａ−Ｓｉ：Ｘ」と表記する）
光導電層からなる電子写真用感光体が提案されている。
当該公報においては、ａ−Ｓｉにハロゲン原子を１乃至
４０原子％含有させることにより、耐熱性が高く、電子
写真用感光体の光導電層として良好な電気的、光学的特
性を得ることができるとしている。

【０００８】また、特開昭５７−１１５５６号公報に
は、ａ−Ｓｉ堆積膜で構成された光導電層を有する光導
電部材の、暗抵抗値、光感度、光応答性等の電気的、光
学的、光導電的特性及び耐湿性等の使用環境特性、さら
には経時安定性について改善を図るため、シリコン原子
を母体としたアモルファス材料で構成された光導電層上
に、シリコン原子及び炭素原子を含む非光導電性のアモ
ルファス材料で構成された表面層を設ける技術が記載さ
れている。

【０００９】さらに、特開昭６０−６７９５１号公報に
は、アモルファスシリコン、炭素、酸素及び弗素を含有
してなる透光絶縁性オーバーコート層を積層する感光体
についての技術が記載され、特開昭６２−１６８１６１
号公報には、表面層として、シリコン原子と炭素原子と
４１〜７０原子％の水素原子を構成要素として含む非晶
質材料を用いる技術が記載されている。

【００１０】さらに、特開昭５７−１５８６５０号公報
には、水素を１０〜４０原子％含有し、赤外吸収スペク
トルの２１００ｃｍ^-1と２０００ｃｍ^-1の吸収ピークの
吸収係数比が０．２〜１．７であるａ−Ｓｉ：Ｈを光導
電層に用いることにより高感度で高抵抗な電子写真用感
光体が得られることが記載されている。

【００１１】一方、特開昭６０−９５５５１号公報に
は、アモルファスシリコン感光体の画像品質向上のため
に、感光体表面近傍の温度を３０乃至４０℃に維持して
帯電、露光、現像及び転写といった画像形成工程を行う
ことにより、感光体表面での水分の吸着による表面抵抗
の低下とそれに伴って発生する画像流れを防止する技術
が開示されている。

【００１２】これらの技術により、電子写真用感光体の
電気的、光学的、光導電的特性及び使用環境特性が向上
し、それに伴って画像品質も向上してきた。

【００１３】一方、高速に対応した電子写真特性の向上
と、より精彩な画質を要求される昨今においては、感光
体特性の改善と共に、トナーの小粒径化が進められてお
り、コールターカウンター等による重量平均粒径が０．
００５〜０．００８ｍｍであるものが多く使われてい
る。

【００１４】転写材にトナー画像を定着させる能力は、
定着器内で転写材のトナー画像にいかに加熱するかに掛
かっており、高速化に当たって、転写材が定着器内を通
過する時間が短くなると、定着器の温度をさらに上昇さ
せる必要が生じ、電子写真装置全体の消費電力の約８割
を占める定着器の消費電力をさらに増加させざるを得な
い。

【００１５】しかし、市場ニーズとしての消費電力低減
は重要な課題であり、これを解決すべくトナー自体の定
着性向上が進められている。ところが、定着性を向上さ
せるとトナーが感光体表面に融着を起こしやすくなる。
また、粒径が小さいことも、融着に対してはさらに不利
な方向である。

【００１６】そのため、感光体にトナーが付着しにくく
したり、付着したトナーを削りとる能力を高めるために
ブレード硬度を高めるなどの対策が必要であるが、ブレ
ードの硬度を高めることは、ブレードの特性としてはゴ
ム的状態からガラス状態に近づく為、材質としては脆く
なる方向である。

【００１７】ａ−Ｓｉ感光体は、表面硬度が高く、繰り
返し使用により感光体表面が削れる等の画像品質低下を
引き起こすことはないが、ａ−Ｓｉ感光体の表面にはそ
の製法上、通常多数の突起を有している。突起の高さは
概ね２〜３μｍのものがほとんどであるが、稀に１０μ
ｍを越えるものもあり、そのような突起はブレードにダ
メージを与えることがある。特に上記のような硬度を高
めたブレードは脆いため、プロセススピードが４００ｍ
ｍ／ｓｅｃ以上でダメージを受けると欠けが生じ、クリ
ーニング性能を維持できなくなることがあった。

【００１８】従って、クリーニング性能を維持する唯一
の手段は、突起の高さを５〜６μｍ以下に制限する事で
あったが、製造工程においてダスト管理や成膜プロセス
中に発生する微粉等の管理を徹底し、かつできあがった
感光体の表面を検査して、突起の高さを確認するといっ
た配慮が必要であり、ドラム製造工程における歩留まり
の低減とコストの増大を招いていた。

【００１９】一方、クリーニング性を向上する為に、特
開昭５４−１４３１４９に記載されている様な溝付きブ
レードや、特開昭５７−１２４７７７に記載されている
様な突起付きブレード等が考案されているが、プロセス
スピードが４００ｍｍ／ｓｅｃ以上で、定着性の向上し
た微粒子トナーとａ−Ｓｉ感光体からなる電子写真装置
に好適なクリーニングシステムについては解決手段が示
されていない。

【００２０】こうした状況から、高画質対応の高速電子
写真装置に好適なクリーニングシステムが求められてい
る。

【００２１】図１は複写機の画像形成プロセスの一例を
示す概略図であって、矢印Ｘ方向に回転する、面状内面
ヒータ１２３によって温度コントロールされた、感光体
１０１の周辺には、主帯電器１０２、静電潜像形成部位
１０３、現像器１０４、転写紙供給系１０５、転写帯電
器１０６（ａ）、分離帯電器１０６（ｂ）、クリーナー
１０７、搬送系１０８、除電光源１０９などが配設され
ている。

【００２２】以下、さらに具体例を以て画像形成プロセ
スを説明すると、感光体１０１は＋６〜８ｋＶの高電圧
を印加した主帯電器１０２により一様に帯電され、これ
に静電潜像形成部位、すなわちランプ１１０から発した
光が原稿台ガラス１１１上に置かれた原稿１１２に反射
し、ミラー１１３、１１４、１１５を経由し、レンズユ
ニット１１７のレンズ１１８によって結像され、ミラー
１１６を経由し、導かれ投影された静電潜像が形成され
る。この潜像に現像器１０４からトナーが供給されてト
ナー像となる。

【００２３】一方、転写紙供給系１０５を通って、レジ
ストローラ１２２によって先端タイミングを調整され、
感光体方向に供給される転写材Ｐは＋７〜８ｋＶの高電
圧を印加した転写帯電器１０６（ａ）と感光体１０１の
間隙において背面から、トナーとは反対極性の電界を与
えられ、これによって感光体表面のトナー像は転写材Ｐ
に転移する。１２〜１４ｋＶｐ−ｐ、３００〜６００Ｈ
ｚの高圧ＡＣ電圧を印加した分離帯電器１０６（ｂ）に
より、転写材Ｐは転写紙搬送系１０８を通って定着装置
（不図示）に至り、トナー像は定着されて装置外に排出
される。

【００２４】感光体１０１上に残留するトナーはクリー
ナーユニット１０７のクリーニングブレード１２１によ
ってかき落とされ、残留する静電潜像は除電光源１０９
によって消去される。

【００２５】

【発明が解決しようとする課題】前述の様に、高速で、
より高画質が要求される中で、トナーの定着性向上、小
粒径化が進められてきたが、プロセススピードが４００
ｍｍ／ｓｅｃ以上でも良好な特性を示す新規なａ−Ｓｉ
感光体に好適なクリーニングシステムを成立させるに
は、融着とクリーニング性維持の観点から、硬度の高い
ブレードを用いて、コスト高であっても表面の突起の高
さを制限したａ−Ｓｉ感光体を用いるしかなかった。

【００２６】本発明は、高画質対応の高速電子写真装置
に好適なクリーニングシステムによって、定着性の向上
した微粒子トナーと新規な感光体からなる高画質対応の
高速電子写真装置を用いた場合であっても、ドラム表面
へのトナー融着を発生させることなくクリーニング性能
を維持し、感光体の製造コストを増大させることのない
電子写真装置を提供することを目的とするものである。

【００２７】即ち、本発明によれば、高画質対応の高速
電子写真装置の系においても融着発生のない高品質な画
像が得られ、また、高速機にもかかわらず、消費電力を
抑えて、省エネルギー問題を解決する事ができる。

【００２８】

【課題を解決するための手段】本発明は、円筒状感光
体、該感光体が回転する間に該感光体の表面を帯電させ
る帯電器、帯電した感光体表面を露光して静電潜像を形
成する手段、静電潜像にトナーを供給し現像してトナー
像を形成する手段、トナー像を転写する手段、およびト
ナー像を転写した後に感光体上に残留するトナーをブレ
ードによってクリーニングするクリーニング機構を有す
る電子写真装置において、前記ブレードが、 （１）ＪＩＳ硬度６８度以上７６度以下 （２）０．２ ≦ Ｌ／Ｄ ≦ １．２ （３）０．５ ≦ Ｄ ≦ ５ （４）３００ ≦ Ｐ ≦ １０００ （但し、Ｌはブレードの自由長（ｍｍ）、Ｄはブレード
の厚さ（ｍｍ）、Ｐはブレードの押しつけ総圧力（ｇ）
を示す。）を満足するものであることを特徴とする電子
写真装置に関する。

【００２９】

【発明の実施の形態】以下に図面を参照しながら、本発
明に用いられるクリーニング機構およびブレードについ
て説明する。

【００３０】図４は本発明にかかわるクリーナーの一例
を示す概略図であって、矢印Ｘ方向に回転する感光体４
０１の周辺には、本発明の特徴であるブレード４０２、
背板４０３、ブレード押さえ板４０４、支持台４０５な
どが配設されている。

【００３１】ブレード４０２は、ＪＩＳ硬度は通常６８
度以上７６度以下の材質で板状の形態を有しており、背
板４０３およびブレード押さえ板４０４によって挟み込
まれた状態で支持台４０５に固定されている。ＪＩＳ硬
度は、７０度以上７５度以下であることがさらに好まし
い。ブレードの材質は通常ウレタン等のゴムである。

【００３２】Ｄはブレードの厚さで、０．５ ≦ Ｄ（ｍ
ｍ） ≦ ５、好ましくは１ ≦ Ｄ（ｍｍ） ≦ ４、最も
好ましくは２ ≦ Ｄ（ｍｍ） ≦ ３である。

【００３３】ａはブレードの幅で、通常２〜４０ｍｍ程
度であり、例えば２０ｍｍ程度に設定される。ｂはブレ
ード押さえ板４０４からブレード先端までの長さで、通
常１〜３０ｍｍ程度であり、例えば６ｍｍ程度に設定さ
れる。

【００３４】Ｌは背板４０３からブレード先端までの長
さ（以下、自由長という）で、０．２ ≦ Ｌ／Ｄ ≦
１．２、好ましくは０．３ ≦ Ｌ／Ｄ ≦ １、最も好ま
しくは０．４ ≦ Ｌ／Ｄ ≦ ０．８である。Ｌ／Ｄが１
であるとすると、Ｄを３ｍｍに設定したときは、Ｌは３
ｍｍである。

【００３５】また、ブレードの長さ（感光体の軸方向の
長さ）は、感光体の横幅（軸方向長さ）と通常同程度で
ある。

【００３６】以上の構成でブレードは感光体に押しつけ
られ、感光体接触部でブレードは変形し、厳密には面接
触となる。上記条件において、接触部に掛ける総圧力Ｐ
は、３００ ≦ Ｐ （ｇ）≦ １０００、好ましくは３５
０ ≦ Ｐ （ｇ）≦ ８００、最も好ましくは４００ ≦
Ｐ （ｇ）≦ ６００である。

【００３７】画像形成プロセスを説明すると、感光体１
０１は矢印Ｘ方向に所定のプロセススピード（感光体表
面の移動速度をいう。以下同じ。）で回転し、＋６〜８
ｋＶの高電圧を印加した主帯電器１０２により一様に帯
電され、これに静電潜像形成部位、すなわちランプ１１
０から発した光が原稿台ガラス１１１上に置かれた原稿
１１２に反射し、ミラー１１３、１１４、１１５を経由
し、レンズユニット１１７のレンズ１１８によって結像
され、ミラー１１６を経由し、導かれ投影された静電潜
像が形成される。この潜像に現像器１０４からトナーが
供給されてトナー像となる。

【００３８】一方、転写紙供給系１０５を通って、レジ
ストローラ１２２によって先端タイミングを調整され、
感光体方向に供給される転写材Ｐは＋７〜８ｋＶの高電
圧を印加した転写帯電器１０６（ａ）と感光体１０１の
間隙において背面から、トナーとは反対極性の電界を与
えられ、これによって感光体表面のトナー像は転写材Ｐ
に転移する。１２〜１４ｋＶｐ−ｐ、３００〜６００Ｈ
ｚの高圧ＡＣ電圧を印加した分離帯電器１０６（ｂ）に
より、転写材Ｐは、転写紙搬送系１０８を通って定着装
置（不図示）に至り、トナー像は定着されて装置外に排
出される。

【００３９】感光体１０１上に残留するトナーはクリー
ナーユニット１０７のクリーニングブレード１２１によ
ってかき落とされ、残留する静電潜像は除電光源１０９
によって消去される。

【００４０】本発明では、ブレードを感光体の軸方向に
周期的に往復運動をさせる機構を設けることもできる。
例えば、ブレードを固定したブレード支持台４０５を、
感光体の軸方向にスライドする機構を介して固定し、適
当な動力手段によりブレード支持台を往復させることで
達成することができる。

【００４１】これにより、ブレードに異物が挟まった場
合にも外れやすくなり、また感光体に突起があってブレ
ードにダメージを与えるような場合であっても、ダメー
ジが軸方向に分散されるので、１部分にだけ集中して大
きなダメージとならない効果がある。

【００４２】本発明で用いられるトナーは、特に制限は
ないが、より精彩な画質を得るために小粒径のトナーが
好ましく、特に、コールターカウンター等による重量平
均粒径が０．００５〜０．００８ｍｍであるものが好ま
しい。小粒子のトナーは、感光体に融着を起こしやすい
が、本願によれば、小粒子のトナーを用いても前記ブレ
ードを用いることで融着を起こすことなく、精細な画質
を得ることができる。

【００４３】また、トナーの定着性は、２０％以下、好
ましくは１０％以下のものが用いられる。転写材にトナ
ー画像を定着させる能力は、定着器内で転写材のトナー
画像にいかに加熱するかに掛かっており、高速化に伴
い、転写材が定着器内を通過する時間が短くなると、定
着器の温度を上昇させる必要が生じている。しかし、装
置全体の約８割をも占める定着器での消費電力を、でき
るだけ増加させないために、トナー自体の定着性向上が
進められている。しかし、定着性が向上すると感光体に
対してトナーが融着し易くなる問題がある。本発明によ
れば、定着性の高い５％以下のトナーを用いても融着を
起こすことなく、鮮明な画質を得ることができる。尚、
定着性は、室温１０℃における定着後の画像をシルボン
紙で擦り取った際の擦り取れ率で定義し、画像濃度をＤ
０、擦り後濃度をＤ１としたとき、（Ｄ０−Ｄ１）／Ｄ
０×１００（％）で表す量で、数値が大きいほど定着性
が悪いことを意味する。

【００４４】また、プロセススピードは、適宜設定する
ことができ、低速に設定しても良いが、装置の高速化の
ためには４００ｍｍ／ｓｅｃ以上とすることが好まし
い。プロセススピードを高速にすると、通常ブレードの
ダメージが問題となるが前記のブレード条件を用いるこ
とで、本願によれば４００ｍｍ／ｓｅｃ以上の高速にお
いてもブレードのダメージが問題にならない。但し、高
速過ぎるのも現実的ではないので通常は８００ｍｍ／ｓ
ｅｃ以下である。

【００４５】本発明で用いる感光体としては、高速化し
ても帯電能が低下せず、温度依存性が小さく、光メモリ
ーが少なく、画像流れの生じない感光体が好ましい。

【００４６】好ましい感光体としては、導電性支持体
と、シリコン原子を母体として水素原子および／または
ハロゲン原子を含有する非単結晶材料からなる光導電性
を示す光導電層を有する感光層で構成され、該光導電層
が、少なくとも光の入射する部分において、サブバンド
ギャップ光吸収スペクトルから得られる指数関数裾の特
性エネルギーが５０〜６０ｍｅＶ、かつ伝導帯端下０．
４５〜０．９５ｅＶにおける局在状態密度が１×１０¹⁴
〜１×１０¹⁶ｃｍ^-3であるものが挙げられる。

【００４７】感光体の表面の突起の高さは、感光体表面
１００ｃｍ²あたり高さ（表面の平均面に対して）０．
０１５ｍｍを越える突起の個数が１個以下であるが好ま
しい。特に上記の特性を有する感光体は表面硬度が高
く、突起が高いとブレードにダメージを与えやすいが、
本願のブレード条件によれば、高さ０．０１５ｍｍ程度
の突起がある感光体であっても使用することができるの
で、感光体製造の歩留まりを向上し、コストを低減する
ことができる。さらに、感光体表面１００ｃｍ²あたり
高さ（表面の平均面に対して）０．０１０ｍｍを越える
突起の個数を１個以下とするとさらにブレードのダメー
ジを少なくすることができる。

【００４８】このような突起の高さの低い感光体を製造
するには、後述する製造工程で、突起成長の核となる粒
子を極力排除することで達成することができる。例え
ば、基板保管時に付着したダストを極力取り除くための
に洗浄条件を管理したり、搬送時の基板へのダスト付着
を極力減らすために室内クリーン度およびメカ部品から
のダスト発生を管理したり、さらに成膜時に感光体以外
に付いた膜が剥がれて感光体に付着するのを避けるため
に密着性を向上させるとよい。

【００４９】また本発明では、得られた感光体の表面を
研磨することで、感光体表面１００ｃｍ²あたり高さ
０．０１５ｍｍを越える突起の個数が１個以下、好まし
くは感光体表面１００ｃｍ²あたり高さ０．０１０ｍｍ
を越える突起の個数が１個以下としても良い。

【００５０】前記の好ましい感光体について以下にさら
に詳細に説明する。

【００５１】本発明に用いる好適なアモルファスシリコ
ン感光体について以下に述べる。

【００５２】本発明者らは、アモルファスシリコン感光
体の光導電層のキャリアの挙動に着目し、バンドギャッ
プ内の局在状態分布と帯電能の温度依存性や光メモリー
との関係について鋭意検討した結果、シリコン原子を母
体とし、水素原子（または水素原子およびハロゲン原
子）を含有する非単結晶材料で構成された光導電層を有
する感光体において、その層構造を特定化するように設
計されて作製された感光体は、実用上著しく優れた特性
を示すばかりでなく、あらゆる点において従来の感光体
を凌駕し、特に画像形成装置用の感光体として優れた特
性を有していることを見いだした。

【００５３】前述のように本発明で用いる感光体として
は、導電性支持体と、シリコン原子を母体として水素原
子および／またはハロゲン原子を含有する非単結晶材料
からなる光導電性を示す光導電層を有する感光層で構成
され、該光導電層が、少なくとも光の入射する部分にお
いて、サブバンドギャップ光吸収スペクトルから得られ
る指数関数裾の特性エネルギーが５０〜６０ｍｅＶ、か
つ伝導帯端下０．４５〜０．９５ｅＶにおける局在状態
密度が１×１０¹⁴〜１×１０¹⁶ｃｍ^-3であるものが好ま
しく、この中でも、光導電層が１０〜３０原子％の水素
を含み、赤外吸収スペクトルから得られるＳｉ−Ｈ₂ ／
Ｓｉ−Ｈ強度比が０．１〜０．５であり、かつ伝導帯端
下０．４５〜０．９５ｅＶにおける局在状態密度が３×
１０¹⁴〜５×１０¹⁵ｃｍ^-3であることがさらに好まし
い。

【００５４】このような構成をとるように設計された電
子写真用感光体は、帯電能の温度依存性や光メモリーの
問題を解決し、極めて優れた電気的、光学的、光導電的
特性、画像品質、耐久性及び使用環境特性を示す。

【００５５】一般的に、ａ−Ｓｉ：Ｈのバンドギャップ
内には、Ｓｉ−Ｓｉ結合の構造的な乱れに基づくテイル
（裾）準位と、Ｓｉの未結合手（ダングリングボンド）
等の構造欠陥に起因する深い準位が存在する。これらの
準位は電子、正孔の捕獲、再結合中心として働き素子の
特性を低下させる原因になることが知られている。

【００５６】このようなバンドギャップ中の局在準位の
状態を測定する方法として、一般に深準位分光法、等温
容量過渡分光法、光熱偏向分光法、一定光電流法等が用
いられている。なかでも一定光電流法［Constant Photo
current Method: 以後、「ＣＰＭ」と略記する］は、ａ
−Ｓｉ：Ｈの局在準位に基づくサブギャップ光吸収スペ
クトルを簡便に測定する方法として有用である。

【００５７】本発明者らは、ＣＰＭによって測定された
光吸収スペクトルから求められる指数関数裾（アーバッ
クテイル）の特性エネルギー（以下、「Ｅｕ」と略記す
る）や局在状態密度（以下、「Ｄ．Ｏ．Ｓ．」と略記す
る）と感光体特性との相関を種々の条件にわたって調べ
た結果、Ｅｕ及びＤ．Ｏ．Ｓ．がａ−Ｓｉ感光体の温度
特性や光メモリーと密接な関係にあることを見いだし
た。

【００５８】ドラムヒーター等で感光体を加熱したとき
に帯電能が低下する原因として、熱励起されたキャリア
（以下、熱励起キャリアと呼ぶ）が帯電時の電界に引か
れてバンド裾の局在準位やバンドギャップ内の深い局在
準位への捕獲、放出を繰り返しながら表面に走行し、表
面電荷を打ち消してしまうことが挙げられる。このと
き、帯電器を通過する間に表面に到達する熱励起キャリ
アについては帯電能の低下にはほとんど影響がないが、
深い準位に捕獲された熱励起キャリアは、帯電器を通過
した後に表面へ到達して表面電荷を打ち消すために温度
特性として観測される。また、帯電器を通過した後に熱
励起された熱励起キャリアも表面電荷を打ち消し帯電能
の低下を引き起こす。したがって、感光体の使用温度領
域における熱励起キャリアの生成を抑え、なおかつ該熱
励起キャリアの走行性を向上させることが温度特性の向
上のために必要である。

【００５９】さらに、光メモリーはブランク露光や像露
光によって生じた光キャリアがバンドギャップ内の局在
準位に捕獲され、光導電層内に該光キャリアが残留する
ことによって生じる。すなわち、ある複写工程において
生じた光キャリアのうち光導電層内に残留した光キャリ
アが、次回の帯電時あるいはそれ以降に表面電荷による
電界によって掃き出され、光の照射された部分の電位が
他の部分よりも低くなり、その結果画像上に濃淡が生じ
る。したがって、光キャリアが光導電層内に残留するこ
となく、１回の複写工程で走行するように、光キャリア
の走行性を改善しなければならない。

【００６０】したがって、上記の感光体のごとくＥｕ及
び特定のエネルギー範囲のＤ．Ｏ．Ｓ．を制御すること
により、熱励起キャリアの生成が抑えられ、なおかつ熱
励起キャリアや光キャリアが局在準位に捕獲される割合
を小さくすることができるために上記キャリア（以下、
電荷キャリアと呼ぶ）の走行性が著しく改善される。そ
の結果、感光体の使用温度領域での温度特性が飛躍的に
改善され、同時に光メモリーの発生を抑制することがで
きるために、感光体の使用環境に対する安定性が向上
し、ハーフトーンが鮮明に出てかつ解像力の高い高品質
の画像を安定して得ることができる。

【００６１】以下、図面にしたがって本発明に用いられ
る感光体について詳細に説明する。

【００６２】図９は、本発明に用いられる電子写真用感
光体の層構成を説明するための模式的構成図である。

【００６３】図９（ａ）に示す電子写真用感光体１１０
０は、感光体用としての支持体１１０１の上に、感光層
１１０２が設けられている。該感光層１１０２はａ−Ｓ
ｉ：Ｈ，Ｘからなり光導電性を有する光導電層１１０３
で構成されている。

【００６４】図９（ｂ）は、本発明の電子写真用感光体
の他の層を説明するための模式的構成図である。図９
（ｂ）に示す電子写真用感光体１１００は、感光体用と
しての支持体１１０１の上に、感光層１１０２が設けら
れている。該感光層１１０２はａ−Ｓｉ：Ｈ，Ｘからな
り光導電性を有する光導電層１１０３と、アモルファス
シリコン系表面層１１０４とから構成されている。

【００６５】図９（ｃ）は、本発明の電子写真用感光体
の他の層構成を説明するための模式的構成図である。図
９（ｃ）に示す電子写真用感光体１１００は、感光体用
としての支持体１１０１の上に、感光層１１０２が設け
られている。該感光層１１０２はａ−Ｓｉ：Ｈ，Ｘから
なり光導電性を有する光導電層１１０３と、アモルファ
スシリコン系表面層１１０４と、アモルファスシリコン
系電荷注入阻止層１１０５とから構成されている。

【００６６】図９（ｄ）は、本発明の電子写真用感光体
のさらに他の層構成を説明するための模式的構成図であ
る。図９（ｄ）に示す電子写真用感光体１１００は、感
光体用としての支持体１１０１の上に、感光層１１０２
が設けられている。該感光層１１０２は光導電層１１０
３を構成するａ−Ｓｉ：Ｈ，Ｘからなる電荷発生層１１
０６ならびに電荷輸送層１１０７と、アモルファスシリ
コン系表面層１１０４とから構成されている。

【００６７】本発明において使用される支持体として
は、導電性支持体が好ましい。導電性支持体の材料とし
ては、Ａｌ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ａｕ、Ｉｎ、Ｎｂ、Ｔｅ、
Ｖ、Ｔｉ、Ｐｔ、Ｐｄ、Ｆｅ等の金属、及びこれらの合
金、例えばステンレス等が挙げられる。また、ポリエス
テル、ポリエチレン、ポリカーボネート、セルロースア
セテート、ポリプロピレン、ポリ塩化ビニル、ポリスチ
レン、ポリアミド等の合成樹脂のフィルムまたはシー
ト、ガラス、セラミック等の電気絶縁性材料の少なくと
も感光層を形成する側の表面を導電処理したものも用い
ることができる。

【００６８】本発明において使用される支持体１１０１
の形状は平滑表面あるいは凹凸表面の円筒状または板状
無端ベルト状であることができ、その厚さは、所望通り
の電子写真用感光体１１００を形成し得るように適宜決
定するが、電子写真用感光体１１００としての可撓性が
要求される場合には、支持体１１０１としての機能が充
分発揮できる範囲内で可能な限り薄くすることができ
る。しかしながら、支持体１１０１は製造上及び取り扱
い上、機械的強度等の点から通常は１０μｍ以上が好ま
しい。また、必要に応じてバックアップローラーで保持
することも可能である。

【００６９】特にレーザー光等の可干渉性光を用いて像
記録を行う場合には、可視画像において現れる、いわゆ
る干渉縞模様による画像不良をより効果的に解消するた
めに、帯電キャリアの減少が実質的にない範囲で支持体
１１０１の表面に凹凸を設けてもよい。支持体１１０１
の表面に設けられる凹凸は、特開昭６０−１６８１５６
号公報、同６０−１７８４５７号公報、同６０−２２５
８５４号公報等に記載された公知の方法により作製され
る。

【００７０】また、レーザー光等の可干渉光を用いた場
合の干渉縞模様による画像不良をより効果的に解消する
別の方法として、帯電キャリアの減少が実質的にない範
囲で支持体１１０１の表面に複数の球状痕跡窪みによる
凹凸形状を設けてもよい。すなわち、支持体１１０１の
表面が電子写真用感光体１１００に要求される解像力よ
りも微少な凹凸を有し、しかも該凹凸は、複数の球状痕
跡窪みによるものである。支持体１１０１の表面に設け
られる複数の球状痕跡窪みによる凹凸は、特開昭６１−
２３１５６１号公報に記載された公知の方法により作製
される。

【００７１】また、レーザー光等の可干渉光を用いた場
合の干渉縞模様による画像不良をより効果的に解消する
さらに別の方法として、感光層１１０２内、あるいは該
層１１０２の下側に光吸収層等の干渉防止層あるいは領
域を設けてもよい。

【００７２】次に光導電層１１０３を、支持体１１０１
上、または必要に応じてして下引き層（不図示）を支持
体上に形成した上に、真空堆積膜形成方法によって、所
望の特性が得られるように適宜成膜パラメーターの数値
条件を設定して作製する。具体的には、例えばグロー放
電法（低周波ＣＶＤ法、高周波ＣＶＤ法またはマイクロ
波ＣＶＤ法等の交流放電ＣＶＤ法、あるいは直流放電Ｃ
ＶＤ法等）、スパッタリング法、真空蒸着法、イオンプ
レーティング法、光ＣＶＤ法、熱ＣＶＤ法等の種々の薄
膜堆積法によって形成することができる。これらの薄膜
堆積法は、製造条件、設備資本投資下の負荷程度、製造
規模、作製される電子写真用感光体に必要とされる特性
等の要因によって適宜選択されて採用されるが、所望の
特性を有する電子写真用感光体を製造するに当たっての
条件の制御が比較的容易であることからグロー放電法、
特にＲＦ帯またはＶＨＦ帯の電源周波数を用いた高周波
グロー放電法が好適である。

【００７３】グロー放電法によって光電導層１１０３を
形成するには、基本的にはシリコン原子（Ｓｉ）を供給
し得るＳｉ供給用の原料ガスと、水素原子（Ｈ）を供給
し得るＨ供給用の原料ガスまたは／及びハロゲン原子
（Ｘ）を供給し得るＸ供給用の原料ガスを、内部が減圧
にし得る反応容器内に所望のガス状態で導入して、該反
応容器内にグロー放電を生起させ、あらかじめ所定の位
置に設置されてある所定の支持体１１０１上にａ−Ｓ
ｉ：Ｈ，Ｘからなる層を形成すればよい。

【００７４】また、この光導電層１１０３中には、好ま
しくは水素原子（または水素原子およびハロゲン原子）
を含有することが必要であるが、これはシリコン原子の
未結合手を補償し、層品質の向上、特に光導電性及び電
荷保持特性を向上させるために必須不可欠であるからで
ある。よって水素原子の含有量は、シリコン原子と水素
原子の和（または、さらにハロゲン原子を加えた量）に
対して好ましくは１０〜３０原子％、より好ましくは１
５〜２５原子％とするのが望ましい。

【００７５】本発明において使用されるＳｉ供給用ガス
となり得る物質としては、ＳｉＨ₄、Ｓｉ₂ Ｈ₆ 、Ｓｉ₃
Ｈ₈ 、Ｓｉ₄ Ｈ₁₀等のガス状態の、またはガス化し得
る水素化珪素（シラン類）が有効に使用されるものとし
て挙げられ、さらに層作製時の取り扱い易さ、Ｓｉ供給
効率の良さ等の点でＳｉＨ₄ 、Ｓｉ₂ Ｈ₆ が好ましいも
のとして挙げられる。

【００７６】そして、形成される光導電層１１０３中に
水素原子を構造的に導入し、水素原子の導入割合の制御
をいっそう容易になるように図り、本発明の目的を達成
する膜特性を得るために、これらのガスにさらにＨ₂ 及
び／またはＨｅあるいは水素原子を含む珪素化合物のガ
スも所望量混合して層形成することが必要である。ま
た、各ガスは単独種のみでなく所定の混合比で複数種混
合しても差し支えない。

【００７７】また本発明において使用されるハロゲン原
子供給用の原料ガスとして有効なのは、例えばハロゲン
ガス、ハロゲン化物、ハロゲンを含むハロゲン間化合
物、ハロゲンで置換されたシラン誘導体等のガス状のま
たはガス化し得るハロゲン化合物が好ましくは挙げられ
る。また、さらにはシリコン原子とハロゲン原子とを構
成要素とするガス状のまたはガス化し得る、ハロゲン原
子を含む水素化珪素化合物も有効なものとして挙げるこ
とができる。本発明において好適に使用し得るハロゲン
化合物としては、具体的には弗素ガス（Ｆ₂ ）、Ｂｒ
Ｆ、ＣｌＦ、ＣｌＦ ₃ 、ＢｒＦ₃ 、ＢｒＦ₅ 、ＩＦ₃ 、
ＩＦ₇ 等のハロゲン間化合物を挙げることができる。ハ
ロゲン原子を含む珪素化合物、いわゆるハロゲン原子で
置換されたシラン誘導体としては、具体的には、例えば
ＳｉＦ₄ 、Ｓｉ₂ Ｆ₆ 等の弗化珪素が好ましいものとし
て挙げることができる。

【００７８】光導電層１１０３中に含有される水素原子
（または水素原子およびハロゲン原子）の量を制御する
には、例えば支持体１１０１の温度、水素原子（または
水素原子およびハロゲン原子）を含有させるために使用
される原料物質の反応容器内へ導入する量、放電電力等
を制御すればよい。

【００７９】本発明においては、光導電層１１０３には
必要に応じて伝導性を制御する原子を含有させることが
好ましい。伝導性を制御する原子は、光導電層１１０３
中に万遍なく均一に分布した状態で含有されてもよい
し、あるいは層厚方向には不均一な分布状態で含有して
いる部分があってもよい。

【００８０】前記伝導性を制御する原子としては、半導
体分野における、いわゆる不純物を挙げることができ、
ｐ型伝導特性を与える周期律表第IIIb族に属する原子
（以後「第IIIb族原子」と略記する）またはｎ型伝導特
性を与える周期律表第Ｖｂ族に属する原子（以後「第Ｖ
ｂ族原子」と略記する）を用いることができる。

【００８１】第IIIb族原子としては、具体的には、硼素
（Ｂ）、アルミニウム（Ａｌ）、ガリウム（Ｇａ）、イ
ンジウム（Ｉｎ）、タリウム（Ｔｌ）等があり、特に
Ｂ、Ａｌ、Ｇａが好適である。第Ｖｂ族原子としては、
具体的には燐（Ｐ）、砒素（Ａｓ）、アンチモン（Ｓ
ｂ）、ビスマス（Ｂｉ）等があり、特にＰ、Ａｓが好適
である。

【００８２】光導電層１１０３に含有される伝導性を制
御する原子の含有量としては、好ましくは１×１０^-2〜
１×１０⁴ 原子ｐｐｍ、より好ましくは５×１０^-2〜５
×１０³ 原子ｐｐｍ、最適には１×１０^-1〜１×１０³
原子ｐｐｍである。

【００８３】伝導性を制御する原子、例えば第IIIb族原
子あるいは第Ｖｂ族原子を構造的に導入するには、層形
成の際に、第IIIb族原子導入用の原料物質あるいは第Ｖ
ｂ族原子導入用の原料物質をガス状態で反応容器中に、
光導電層１１０３を形成するための他のガスと共に導入
してやればよい。第IIIb族原子導入用の原料物質あるい
は第Ｖｂ族原子導入用の原料物質となり得るものとして
は、常温常圧でガス状のまたは少なくとも層形成条件下
で容易にガス化し得るものを採用するのが望ましい。

【００８４】そのような第IIIb族原子導入用の原料物質
としては具体的には、硼素原子導入用としては、Ｂ₂ Ｈ
₆ 、Ｂ₄ Ｈ₁₀、Ｂ₅ Ｈ₉ 、Ｂ₅ Ｈ₁₁、Ｂ₆ Ｈ₁₀、Ｂ₆ Ｈ
₁₂、Ｂ₆ Ｈ₁₄等の水素化硼素、ＢＦ₃ 、ＢＣｌ₃ 、ＢＢ
ｒ₃ 等のハロゲン化硼素等が挙げられる。この他、Ａｌ
Ｃｌ₃ 、ＧａＣｌ₃ 、Ｇａ（ＣＨ₃ ）₃ 、ＩｎＣｌ₃、
ＴｌＣｌ₃ 等も挙げることができる。

【００８５】第Ｖｂ族原子導入用の原料物質として有効
に使用されるのは、燐原子導入用としては、ＰＨ₃ 、Ｐ
₂ Ｈ₄ 等の水素化燐、ＰＨ₄ Ｉ、ＰＦ₃ 、ＰＦ₅ 、ＰＣ
ｌ₃、ＰＣｌ₅ 、ＰＢｒ₃ 、ＰＢｒ₅ 、ＰＩ₃ 等のハロ
ゲン化燐が挙げられる。この他、ＡｓＨ₃ 、ＡｓＦ₃ 、
ＡｓＣｌ₃ 、ＡｓＢｒ₃ 、ＡｓＦ₅ 、ＳｂＨ₃ 、ＳｂＦ
₃ 、ＳｂＦ₅ 、ＳｂＣｌ₃ 、ＳｂＣｌ₅ 、ＢｉＨ₃ 、Ｂ
ｉＣｌ₃ 、ＢｉＢｒ₃等も第Ｖｂ族原子導入用の出発物
質の有効なものとして挙げることができる。

【００８６】また、これらの伝導性を制御する原子導入
用の原料物質を必要に応じてＨ₂ 及び／またはＨｅによ
り希釈して使用してもよい。

【００８７】さらに本発明においては、光導電層１１０
３に炭素原子及び／または酸素原子及び／または窒素原
子を含有させることも有効である。炭素原子及び／また
は酸素原子及び／または窒素原子の含有量はシリコン原
子、炭素原子、酸素原子及び窒素原子の和に対して好ま
しくは１×１０^-5〜１０原子％、より好ましくは１×１
０^-4〜８原子％、最適には１×１０^-3〜５原子％が望ま
しい。炭素原子及び／または酸素原子及び／または窒素
原子は、光導電層中に万遍なく均一に含有されてもよい
し、光導電層の層厚方向に含有量が変化するような不均
一な分布をもたせた部分があってもよい。

【００８８】本発明において、光導電層１１０３の層厚
は所望の電子写真特性及び経済的効果等を考慮し設定す
ることができるが、好ましくは２０〜５０μｍ、より好
ましくは２３〜４５μｍ、最適には２５〜４０μｍであ
る。

【００８９】本発明の目的を達成し、所望の膜特性を有
する光導電層１１０３を形成するには、Ｓｉ供給用のガ
スと希釈ガスとの混合比、反応容器内のガス圧、放電電
力ならびに支持体温度を適宜設定することが必要であ
る。

【００９０】希釈ガスとして使用するＨ₂ 及び／または
Ｈｅの流量は、層設計にしたがって適宜最適範囲が選択
されるが、Ｓｉ供給用ガスに対してＨ₂ 及び／またはＨ
ｅを、通常３〜３０倍、好ましくは４〜１５倍、最適に
は５〜１０倍の範囲に制御することが望ましい。

【００９１】反応容器内のガス圧も同様に層設計にした
がって適宜最適範囲が選択されるが、通常の場合１×１
０^-4〜１０Ｔｏｒｒ、好ましくは５×１０^-4〜５Ｔｏｒ
ｒ、最適には１×１０^-3〜１Ｔｏｒｒとするのが好まし
い。

【００９２】放電電力もまた同様に層設計にしたがって
適宜最適範囲が選択されるが、Ｓｉ供給用のガスの流量
（単位：ｓｃｃｍ（標準状態の気体の１分間の流量（ｃ
ｃ）））に対する放電電力（単位：Ｗ）を、通常の場合
２〜７倍（Ｗ／ｓｃｃｍ）、好ましくは２．５〜６倍
（Ｗ／ｓｃｃｍ）、最適には３〜５倍（Ｗ／ｓｃｃｍ）
の範囲に設定することが望ましい。

【００９３】さらに、支持体１１０１の温度は、層設計
にしたがって適宜最適範囲が選択されるが、好ましくは
２００〜３５０℃、より好ましくは２３０〜３３０℃、
最適には２５０〜３１０℃とするのが望ましい。

【００９４】本発明においては、光導電層を形成するた
めの支持体温度、ガス圧の望ましい数値範囲として前記
した範囲が挙げられるが、条件は通常は独立的に別々に
決められるものではなく、所望の特性を有する光受容部
材を形成すべく相互的かつ有機的関連性に基づいて最適
値を決めるのが望ましい。

【００９５】本発明においては、上述のようにして支持
体１１０１上に形成された光導電層１１０３の上に、さ
らにアモルファスシリコン系の表面層１１０４を形成す
ることが好ましい。この表面層１１０４は自由表面１１
１０を有し、主に耐湿性、連続繰り返し使用特性、電気
的耐圧性、使用環境特性、耐久性を向上させるために設
けられる。

【００９６】また、この構成では、感光層１１０２を構
成する光導電層１１０３と表面層１１０４とを形成する
非晶質材料の各々がシリコン原子という共通の構成要素
を有しているので、積層界面において化学的な安定性の
確保が十分なされている。

【００９７】表面層１１０４は、アモルファスシリコン
系の材料であれば特に制限はないが、例えば、水素原子
（Ｈ）及び／またはハロゲン原子（Ｘ）を含有し、さら
に炭素原子を含有するアモルファスシリコン（以下「ａ
−ＳｉＣ：Ｈ，Ｘ」と表記する）、水素原子（Ｈ）及び
／またはハロゲン原子（Ｘ）を含有し、さらに酸素原子
を含有するアモルファスシリコン（以下「ａ−ＳｉＯ：
Ｈ，Ｘ」と表記する）、水素原子（Ｈ）及び／またはハ
ロゲン原子（Ｘ）を含有し、さらに窒素原子を含有する
アモルファスシリコン（以下「ａ−ＳｉＮ：Ｈ，Ｘ」と
表記する）、水素原子（Ｈ）及び／またはハロゲン原子
（Ｘ）を含有し、さらに炭素原子、酸素原子、窒素原子
の少なくとも一つを含有するアモルファスシリコン（以
下「ａ−ＳｉＣＯＮ：Ｈ，Ｘ」と表記する）等の材料を
用いることができる。

【００９８】この中でも、ａ−ＳｉＣ：Ｈ，Ｘ、およ
び、少なくとも炭素原子を含有するａ−ＳｉＣ，Ｏ，
Ｎ：Ｈ，Ｘ等のａ−ＳｉＣを主成分とするものが好まし
い。

【００９９】本発明において、その目的を効果的に達成
するために、表面層１１０４は真空堆積膜形成方法によ
って、所望特性が得られるように適宜成膜パラメーター
の数値条件が設定されて作製される。具体的には、例え
ばグロー放電法（低周波ＣＶＤ法、高周波ＣＶＤ法また
はマイクロ波ＣＶＤ法等の交流放電ＣＶＤ法、あるいは
直流放電ＣＶＤ法等）、スパッタリング法、真空蒸着
法、イオンプレーティング法、光ＣＶＤ法、熱ＣＶＤ法
等の数々の薄膜堆積法によって形成することができる。
これらの薄膜堆積法は、製造条件、設備資本投資下の負
荷程度、製造規模、作製される電子写真用感光体に所望
される特性等の要因によって適宜選択されて採用される
が、感光体の生産性から光導電層と同等の堆積法による
ことが好ましい。

【０１００】例えば、グロー放電法によってａ−Ｓｉ
Ｃ：Ｈ，Ｘよりなる表面層１１０４を形成するには、基
本的にはシリコン原子（Ｓｉ）を供給し得るＳｉ供給用
の原料ガス、炭素原子（Ｃ）を供給し得るＣ供給用の原
料ガスと、水素原子（Ｈ）を供給し得るＨ供給用の原料
ガスまたは／及びハロゲン原子（Ｘ）を供給し得るＸ供
給用の原料ガスを、内部を減圧にし得る反応容器内に所
望のガス状態で導入して、該反応容器内にグロー放電が
生起させ、あらかじめ所定の位置に設置された光導電層
１１０３を形成した支持体１１０１上にａ−ＳｉＣ：
Ｈ，Ｘからなる層を形成すればよい。

【０１０１】表面層をａ−ＳｉＣを主成分として構成す
る場合の炭素量は、シリコン原子と炭素原子の和に対し
て３０％から９０％の範囲が好ましい。

【０１０２】また、本発明において表面層１１０４中に
水素原子及び／またはハロゲン（好ましくはフッ素）原
子が含有されることが必要であるが、これはシリコン原
子の未結合手を補償し、層品質の向上、特に光導電性特
性及び電荷保持特性を向上させるために必須不可欠であ
る。水素含有量は、構成原子の総量に対して通常の場合
３０〜７０原子％、好適には３５〜６５原子％、最適に
は４０〜６０原子％とするのが望ましい。また、ハロゲ
ン原子の含有量として、通常の場合は０．０１〜１５原
子％、好適には０．１〜１０原子％、最適には０．６〜
４原子％とするのが望ましい。

【０１０３】水素及び／またはハロゲン原子含有量がこ
の範囲内で形成される感光体は、従来に比べ格段に優れ
ている。すなわち、表面層内に存在する欠陥（主にシリ
コン原子や炭素原子のダングリングボンド）は電子写真
用感光体の特性に悪影響を及ぼすことが知られている。
この悪影響としては、例えば自由表面から光導電層への
電荷の注入による帯電特性の劣化、使用環境、例えば高
い湿度のもとで表面構造が変化することによる帯電特性
の変動、さらにコロナ帯電時や光照射時に光導電層によ
り表面層に電荷が注入され、前記表面層内の欠陥に電荷
がトラップされることにより繰り返し使用時の残像現象
の発生等が挙げられる。

【０１０４】しかしながら表面層内の水素含有量を３０
原子％以上に制御することで表面層内の欠陥が大幅に減
少し、その結果、従来に比べて電気的特性及び高速連続
使用性が飛躍的に向上する。

【０１０５】一方、前記表面層中の水素含有量が７１原
子％以上になると表面層の硬度が低下するために、繰り
返し使用に耐えられなくなる場合がある。したがって、
表面層中の水素含有量を前記の範囲内に制御することが
格段に優れた電子写真特性を得る上で非常に重要な因子
の１つである。表面層中の水素含有量は、Ｈ₂ ガスの流
量、支持体温度、放電パワー、ガス圧等によって制御し
得る。

【０１０６】また、表面層中のハロゲン原子含有量を
０．０１原子％以上の範囲に制御することで表面層内の
シリコン原子と炭素原子の結合の発生をより効果的に達
成することが可能となる。さらに、表面層中のハロゲン
原子は、コロナ等のダメージによるシリコン原子と炭素
原子の結合の切断を効果的に防止する働きもある。

【０１０７】一方、表面層中のハロゲン原子含有量が１
５原子％を越えると表面層内のシリコン原子と炭素原子
の結合の発生の効果及びシリコン原子と炭素原子の結合
の切断を防止する効果がほとんど認められなくなる。さ
らに、過剰のハロゲン原子が表面層中のキャリアの走行
性を阻害するため、残留電位や光メモリーが顕著に現れ
てくる。したがって、表面層中のハロゲン含有量を前記
範囲内に制御することが所望の電子写真特性を得る上で
重要な因子の一つである。表面層中のハロゲン含有量
は、水素含有量と同様にＨ₂ ガスの流量、支持体温度、
放電パワー、ガス圧等によって制御し得る。

【０１０８】表面層の形成において使用されるシリコン
（Ｓｉ）供給用ガスとなり得る物質としては、ＳｉＨ
₄ 、Ｓｉ₂ Ｈ₆ 、Ｓｉ₃ Ｈ₈ 、Ｓｉ₄ Ｈ₁₀等のガス状態
の、またはガス化し得る水素化珪素（シラン類）が有効
に使用されるものとして挙げられ、さらに層作製時の取
り扱い易さ、Ｓｉ供給効率の良さ等の点でＳｉＨ₄ 、Ｓ
ｉ₂ Ｈ₆ が好ましいものとして挙げられる。また、これ
らのＳｉ供給用の原料ガスを必要に応じてＨ₂ 、Ｈｅ、
Ａｒ、Ｎｅ等のガスにより希釈して使用してもよい。

【０１０９】炭素供給用ガスとなり得る物質としては、
ＣＨ₄ 、Ｃ₂ Ｈ₆ 、Ｃ₃ Ｈ₈ 、Ｃ₄Ｈ₁₀等のガス状態
の、またはガス化し得る炭化水素が有効に使用されるも
のとして挙げられ、さらに層作製時の取り扱い易さ、Ｓ
ｉ供給効率の良さ等の点でＣＨ ₄ 、Ｃ₂ Ｈ₆ が好ましい
ものとして挙げられる。また、これらのＣ供給用の原料
ガスを必要に応じてＨ₂ 、Ｈｅ、Ａｒ、Ｎｅ等のガスに
より希釈して使用してもよい。

【０１１０】窒素または酸素供給用ガスとなり得る物質
としては、ＮＨ₃ 、ＮＯ、Ｎ₂ Ｏ、ＮＯ₂ 、Ｈ₂ Ｏ、Ｏ
₂ 、ＣＯ、ＣＯ₂ 、Ｎ₂ 等のガス状態の、またはガス化
し得る化合物が有効に使用されるものとして挙げられ
る。また、これらの窒素、酸素供給用の原料ガスを必要
に応じてＨ₂ 、Ｈｅ、Ａｒ、Ｎｅ等のガスにより希釈し
て使用してもよい。

【０１１１】また、形成される表面層１１０４中に導入
される水素原子の導入割合の制御をいっそう容易にする
ために、これらのガスにさらに水素ガスまたは水素原子
を含む珪素化合物のガスも所望量混合して層形成するこ
とが好ましい。また、各ガスは単独種のみでなく所定の
混合比で複数種混合しても差し支えないものである。

【０１１２】ハロゲン原子供給用の原料ガスとして有効
なのは、例えばハロゲンガス、ハロゲン化物、ハロゲン
を含むハロゲン間化合物、ハロゲンで置換されたシラン
誘導体等のガス状のまたはガス化し得るハロゲン化合物
が好ましく挙げられる。また、さらにはシリコン原子と
ハロゲン原子とを構成要素とするガス状のまたはガス化
し得る、ハロゲン原子を含む水素化珪素化合物も有効な
ものとして挙げることができる。

【０１１３】本発明において好適に使用し得るハロゲン
化合物としては、具体的には弗素ガス（Ｆ₂ ）、Ｂｒ
Ｆ、ＣｌＦ、ＣｌＦ₃ 、ＢｒＦ₃ 、ＢｒＦ₅ 、ＩＦ₃ 、
ＩＦ₇等のハロゲン間化合物を挙げることができる。ハ
ロゲン原子を含む珪素化合物、いわゆるハロゲン原子で
置換されたシラン誘導体としては、具体的には、例えば
ＳｉＦ₄ 、Ｓｉ₂ Ｆ₆ 等の弗化珪素が好ましいものとし
て挙げることができる。

【０１１４】表面層１１０４中に含有される水素原子及
び／またはハロゲン原子の量を制御するには、例えば支
持体１１０１の温度、水素原子及び／またはハロゲン原
子を含有させるために使用される原料物質の反応容器内
へ導入する量、放電電力等を制御すればよい。

【０１１５】炭素原子及び／または酸素原子及び／また
は窒素原子は、表面層中に万遍なく均一に含有されてい
てもよいし、表面層の層厚方向に含有量が変化するよう
な不均一な分布をもたせた部分があってもよい。

【０１１６】さらに本発明においては、表面層１１０４
には必要に応じて伝導性を制御する原子を含有させるこ
とが好ましい。伝導性を制御する原子は、表面層１１０
４中に万遍なく均一に分布した状態で含有されてもよい
し、あるいは層厚方向には不均一な状態で含有している
部分があってもよい。

【０１１７】前記の伝導性を制御する原子としては、半
導体分野における、いわゆる不純物を挙げることがで
き、ｐ型伝導特性を与える周期律表第IIIb族原子または
ｎ型伝導特性を与える周期律表第Ｖｂ族原子を用いるこ
とができる。

【０１１８】第IIIb族原子としては、具体的には、硼素
（Ｂ）、アルミニウム（Ａｌ）、ガリウム（Ｇａ）、イ
ンジウム（Ｉｎ）、タリウム（Ｔｌ）等があり、特に
Ｂ、Ａｌ、Ｇａが好適である。第Ｖｂ族原子としては、
具体的には燐（Ｐ）、砒素（Ａｓ）、アンチモン（Ｓ
ｂ）、ビスマス（Ｂｉ）等があり、特にＰ、Ａｓが好適
である。

【０１１９】表面層１１０４に含有される伝導性を制御
する原子の含有量としては、好ましくは１×１０^-3〜１
×１０³ 原子ｐｐｍ、より好ましくは１×１０^-2〜５×
１０ ² 原子ｐｐｍ、最適には１×１０^-1〜１×１０² 原
子ｐｐｍである。伝導性を制御する原子、例えば第IIIb
族原子あるいは第Ｖｂ族原子を構造的に導入するには、
層形成の際に、第IIIb族原子導入用の原料物質あるいは
第Ｖｂ族原子導入用の原料物質をガス状態で反応容器中
に、表面層１１０４を形成するための他のガスと共に導
入してやればよい。第IIIb族原子導入用の原料物質ある
いは第Ｖｂ族原子導入用の原料物質となり得るものとし
ては、常温常圧でガス状のまたは、少なくとも層形成条
件下で容易にガス化し得るものを採用するのが望まし
い。そのような第IIIb族原子導入用の原料物質としては
具体的には、硼素原子導入用としては、Ｂ₂ Ｈ₆ 、Ｂ₄
Ｈ₁₀、Ｂ₅ Ｈ₉ 、Ｂ₅ Ｈ₁₁、Ｂ₆ Ｈ₁₀、Ｂ₆ Ｈ₁₂、Ｂ₆
Ｈ₁₄等の水素化硼素、ＢＦ₃ 、ＢＣｌ₃ 、ＢＢｒ₃ 等の
ハロゲン化硼素等が挙げられる。この他、ＡｌＣｌ₃ 、
ＧａＣｌ₃ 、Ｇａ（ＣＨ₃ ）₃ 、ＩｎＣｌ₃ 、ＴｌＣｌ
₃ 等も挙げることができる。

【０１２０】第Ｖｂ族原子導入用の原料物質として、有
効に使用されるのは、燐原子導入用としてはＰＨ₃ 、Ｐ
₂ Ｈ₄ 等の水素化燐、ＰＨ₄ Ｉ、ＰＦ₃ 、ＰＦ₅ 、ＰＣ
ｌ₃、ＰＣｌ₅ 、ＰＢｒ₃ 、ＰＢｒ₅ 、ＰＩ₃ 等のハロ
ゲン化燐が挙げられる。この他、ＡｓＨ₃ 、ＡｓＦ₃ 、
ＡｓＣｌ₃ 、ＡｓＢｒ₃ 、ＡｓＦ₅ 、ＳｂＨ₃ 、ＳｂＦ
₃ 、ＳｂＦ₅ 、ＳｂＣｌ₃ 、ＳｂＣｌ₅ 、ＢｉＨ₃ 、Ｂ
ｉＣｌ₃ 、ＢｉＢｒ₃等も第Ｖｂ族原子導入用の出発物
質の有効なものとして挙げることができる。

【０１２１】また、これらの伝導性を制御する原子導入
用の原料物質を必要に応じてＨ₂ 、Ｈｅ、Ａｒ、Ｎｅ等
のガスにより希釈して使用してもよい。

【０１２２】表面層１１０４の層厚としては、通常０．
０１〜３μｍ、好適には０．０５〜２μｍ、最適には
０．１〜１μｍとされるのが望ましいものである。層厚
が０．０１μｍよりも薄いと感光体を使用中に摩耗等の
理由により表面層が失われてしまい、３μｍを越えると
残留電位の増加等の電子写真特性の低下がみられる。

【０１２３】表面層１１０４は、その要求される特性が
所望通りに得られるように注意深く形成される。すなわ
ち、Ｓｉ、Ｃ及び／またはＮ及び／またはＯ、Ｈ及び／
またはハロゲンを構成要素とする表面層は、その形成条
件によって構造的には結晶からアモルファスまでの形態
を取り、電気物性的には導電性から半導体性、絶縁性ま
での間の性質を、また、光導電的性質から非光導電的性
質までの間の性質を各々示すので、本発明においては、
目的に応じた所望の特性を有する化合物が形成されるよ
うに、その形成条件の選択が厳密になされる。

【０１２４】例えば、表面層１１０４を耐圧性の向上を
主な目的として設けるには、使用環境において電気絶縁
性的挙動の顕著な非単結晶材料として作製される。

【０１２５】また、連続繰り返し使用特性や使用環境特
性の向上を主たる目的として表面層１１０４を設ける場
合には、上記の電気絶縁性の度合いはある程度緩和さ
れ、照射される光に対してある程度の感度を有する非単
結晶材料として形成される。

【０１２６】さらに、表面層の低抵抗による画像流れを
防止し、あるいは残留電位等の影響を防止するために、
一方では帯電効率を良好にするために、層作製に際し
て、その抵抗値が１×１０¹⁰〜１×¹⁵Ωｃｍとなるよう
に適宜に制御することが好ましい。

【０１２７】本発明の目的を達成し得る特性を有する表
面層１１０４を形成するには、支持体１１０１の温度、
反応容器内のガス圧を、適宜設定する必要がある。

【０１２８】支持体１１０１の温度（Ｔｓ）は、層設計
にしたがって適宜最適範囲が選択されるが、好ましくは
２００〜３５０℃、より好ましくは２３０〜３３０℃、
最適には２５０〜３００℃とするのが望ましい。

【０１２９】反応容器内のガス圧も同様に層設計にした
がって適宜最適範囲が選択されるが、通常の場合、好ま
しくは１×１０^-4〜１０Ｔｏｒｒ、より好ましくは５×
１０ ^-4〜５Ｔｏｒｒ、最適には１×１０^-3〜１Ｔｏｒｒ
とするのが好ましい。

【０１３０】本発明においては、表面層を形成するため
の支持体温度、ガス圧の望ましい数値範囲として前記し
た範囲が挙げられるが、条件は通常は独立に別々に決め
られるものではなく、所望の特性を有する感光体を形成
すべく相互的かつ有機的関連性に基づいて最適値を決め
るのが望ましい。

【０１３１】さらに本発明においては、光導電層と表面
層の間に、炭素原子、酸素原子、窒素原子の含有量を表
面層より減らしたブロッキング層（下部表面層）を設け
ることも帯電能等の特性をさらに向上させるためには有
効である。

【０１３２】また表面層１１０４と光導電層１１０３と
の間に炭素原子及び／または酸素原子及び／または窒素
原子の含有量が光導電層１１０３に向かって減少するよ
うに変化する領域を設けてもよい。これにより表面層と
光導電層の密着性を向上させ、界面での光の反射による
干渉の影響をより少なくすることができる。

【０１３３】本発明で用いる電子写真用感光体において
は、導電性支持体と光導電層との間に、導電性支持体側
からの電荷の注入を阻止する働きのある電荷注入阻止層
を設けるのがいっそう効果的である。すなわち、電荷注
入阻止層は感光層が一定極性の帯電処理をその自由表面
に受けた際、支持体側より光導電層側に電荷が注入され
るのを阻止する機能を有し、逆の極性の帯電処理を受け
た際にはそのような機能は発揮されない、いわゆる極性
依存性を有している。そのような機能を付与するため
に、電荷注入阻止層には伝導性を制御する原子を光導電
層に比べ比較的多く含有させる。

【０１３４】該層に含有される伝導性を制御する原子
は、該層中に万遍なく均一に分布されてもよいし、ある
いは層厚方向には万遍なく含有されてはいるが、不均一
に分布する状態で含有している部分があってもよい。分
布濃度が不均一な場合には、支持体側に多く分布するよ
うに含有させるのが好適である。

【０１３５】しかしながら、いずれの場合にも支持体の
表面と平行面内方向においては、均一な分布で万遍なく
含有されることが面内方向における特性の均一化をはか
る点からも必要である。

【０１３６】電荷注入阻止層に含有される伝導性を制御
する原子としては、半導体分野における、いわゆる不純
物を挙げることができ、ｐ型伝導特性を与える周期律表
第IIIb族原子またはｎ型伝導特性を与える周期律表第Ｖ
ｂ族原子を用いることができる。

【０１３７】第IIIb族原子としては、具体的には、Ｂ
（ほう素）、Ａｌ（アルミニウム）、Ｇａ（ガリウ
ム）、Ｉｎ（インジウム）、Ｔａ（タリウム）等があ
り、特にＢ、Ａｌ、Ｇａが好適である。第Ｖｂ族原子と
しては、具体的にはＰ（リン）、Ａｓ（砒素）、Ｓｂ
（アンチモン）、Ｂｉ（ビスマス）等があり、特にＰ，
Ａｓが好適である。

【０１３８】電荷注入阻止層中に含有される伝導性を制
御する原子の含有量としては、本発明の目的が効果的に
達成できるように所望にしたがって適宜決定されるが、
好ましくは１０〜１×１０⁴ 原子ｐｐｍ、より好適には
５０〜５×１０³ 原子ｐｐｍ、最適には１×１０² 〜１
×１０³ 原子ｐｐｍとされるのが望ましい。

【０１３９】さらに電荷注入阻止層に、炭素原子、窒素
原子及び酸素原子の少なくとも一種を含有させることに
よって、該電荷注入阻止層に直接接触して設けられる他
の層との間の密着性を向上させることができる。

【０１４０】該層に含有される炭素原子または窒素原子
または酸素原子は該層中に万遍なく均一に分布されても
よいし、あるいは層厚方向には万遍なく含有されてはい
るが、不均一に分布する状態で含有している部分があっ
てもよい。しかしながら、いずれの場合にも支持体の表
面と平行面内方向においては、均一な分布で万遍なく含
有されることが面内方向における特性の均一化を図る点
からも必要である。

【０１４１】本発明における電荷注入阻止層の全層領域
に含有される炭素原子及び／または窒素原子及び／また
は酸素原子の含有量は、本発明の目的が効果的に達成さ
れるように適宜決定することができるが、一種の場合は
その量として、二種以上の場合はその総和として、好ま
しくは１×１０^-3〜５０原子％、より好適には５×１０
^-3〜３０原子％、最適には１×１０^-2〜１０原子％とす
るのが望ましい。

【０１４２】また、本発明における電荷注入阻止層に含
有される水素原子及び／またはハロゲン原子は層内に存
在する未結合手を補償し膜質を向上させる効果がある。
電荷注入阻止層中の水素原子またはハロゲン原子あるい
は水素原子とハロゲン原子の和の含有量は、好適には１
〜５０原子％、より好適には５〜４０原子％、最適には
１０〜３０原子％とするのが望ましい。

【０１４３】電荷注入阻止層の層厚は所望の電子写真特
性、及び経済的効果等を考慮し、好ましくは０．１〜５
μｍ、より好ましくは０．３〜４μｍ、最適には０．５
〜３μｍとするのが望ましい。

【０１４４】本発明において電荷注入阻止層を形成する
には、前述の光導電層を形成する方法と同様の真空堆積
法が採用される。

【０１４５】本発明の目的を達成し得る特性を有する電
荷注入阻止層１０５を形成するには、光導電層１１０３
と同様に、Ｓｉ供給用のガスと希釈ガスとの混合比、反
応容器内のガス圧、放電電力ならびに支持体１１０１の
温度を適宜設定することが必要である。

【０１４６】希釈ガスであるＨ₂ 及び／またはＨｅの流
量は、層設計にしたがって適宜最適範囲が選択される
が、Ｓｉ供給用ガスに対しＨ₂ 及び／またはＨｅを、通
常１〜２０倍、好ましくは３〜１５倍、最適には５〜１
０倍の範囲に制御することが望ましい。

【０１４７】反応容器内のガス圧も同様に層設計にした
がって適宜最適範囲が選択されるが、通常の場合１×１
０^-4〜１０Ｔｏｒｒ、好ましくは５×１０^-4〜５Ｔｏｒ
ｒ、最適には１×１０^-3〜１Ｔｏｒｒとするのが好まし
い。

【０１４８】放電電力もまた同様に層設計にしたがって
適宜最適範囲が選択されるが、Ｓｉ供給用のガスの流量
（ｓｃｃｍ）に対する放電電力（Ｗ）を、通常の場合１
〜７倍（Ｗ／ｓｃｃｍ）、好ましくは２〜６倍（Ｗ／ｓ
ｃｃｍ）、最適には３〜５倍（Ｗ／ｓｃｃｍ）の範囲に
設定することが望ましい。

【０１４９】さらに、支持体１１０１の温度は、層設計
にしたがって適宜最適範囲が選択されるが、通常の場
合、好ましくは２００〜３５０℃、より好ましくは２３
０〜３３０℃、最適には２５０〜３００℃とするのが望
ましい。

【０１５０】本発明においては、電荷注入阻止層を形成
するための希釈ガスの混合比、ガス圧、放電電力、支持
体温度の望ましい数値範囲として前記した範囲が挙げら
れるが、これらの層作製ファクターは通常は独立的に別
々に決められるものではなく、所望の特性を有する表面
層を形成すべく相互的かつ有機的関連性に基づいて各層
作製ファクターの最適値を決めるのが望ましい。

【０１５１】この他に、本発明で用いる電子写真用感光
体においては、感光層１１０２の前記支持体１１０１側
に、少なくともアルミニウム原子、シリコン原子、水素
原子まは／及びハロゲン原子が層厚方向に不均一な分布
状態で含有する層領域を有することが望ましい。

【０１５２】また、電子写真用感光体の支持体１１０１
と光導電層１１０３あるいは電荷注入阻止層１１０５と
の間の密着性の一層の向上を図る目的で、例えば、Ｓｉ
₃ Ｎ ₄ 、ＳｉＯ₂ 、ＳｉＯ、あるいはシリコン原子を母
体とし、水素原子及び／またはハロゲン原子と、炭素原
子及び／または酸素原子及び／または窒素原子とを含む
非晶質材料等で構成される密着層を設けてもよい。さら
に、前述のごとく、支持体からの反射光による干渉模様
の発生を防止するための光吸収層を設けてもよい。

【０１５３】次に、感光層を形成するための装置及び膜
形成方法について詳述する。

【０１５４】図２は電源周波数としてＲＦ帯を用いた高
周波プラズマＣＶＤ法（以後「ＲＦ−ＰＣＶＤ」と略記
する）による電子写真用感光体の製造装置の一例を示す
模式的な構成図である。図２に示す製造装置の構成は以
下の通りである。

【０１５５】この装置は大別すると、堆積装置２１０
０、原料ガスの供給装置２２００、反応容器２１１１内
を減圧にするための排気装置（図示せず）から構成され
ている。堆積装置２１００中の反応容器２１１１内には
円筒状支持体２１１２、支持体加熱用ヒーター２１１
３、原料ガス導入管２１１４が設置され、さらに高周波
マッチングボックス２１１５が接続されている。

【０１５６】原料ガス供給装置２２００は、ＳｉＨ₄ 、
ＧｅＨ₄ 、Ｈ₂ 、ＣＨ₄ 、Ｂ₂ Ｈ₆、ＰＨ₃ 等の原料ガ
スのボンベ２２２１〜２２２６とバルブ２２３１〜２２
３６、２２４１〜２２４６、２２５１〜２２５６及びマ
スフローコントローラ２２１１〜２２１６から構成さ
れ、各原料ガスのボンベはバルブ２２６０を介して反応
容器２１１１内のガス導入管２１１４に接続されてい
る。

【０１５７】この装置を用いた堆積膜の形成は、例えば
以下のように行うことができる。

【０１５８】まず、反応容器２１１１内に円筒状支持体
２１１２を設置し、不図示の排気装置例えば（真空ポン
プ）により反応容器２１１１内を排気する。続いて、支
持体加熱用ヒーター２１１３により、円筒状支持体２１
１２の温度を２００℃乃至３５０℃の所定の温度に制御
する。

【０１５９】堆積膜形成用の原料ガスを反応容器２１１
１に流入させるには、ガスボンベのバルブ２２３１〜２
２３６、反応容器のリークバルブ２１１７が閉じられて
いることを確認し、また、流入バルブ２２４１〜２２４
６、流出バルブ２２５１〜２２５６、補助バルブ２２６
０が開かれていることを確認して、まずメインバルブ２
１１８を開いて反応容器２１１１及びガス配管２１１６
内を排気する。

【０１６０】次に真空計２１１９の読みが約５×１０^-6
Ｔｏｒｒになった時点で補助バルブ２２６０、流出バル
ブ２２５１〜２２５６を閉じる。

【０１６１】その後、ガスボンベ２２２１〜２２２６よ
り各ガスをバルブ２２３１〜２２３６を開いて導入し、
圧力調整器２２６１〜２２６６により各ガス圧を２ｋｇ
／ｃｍ² 調整する。次に、流入バルブ２２４１〜２２４
６を徐々に開けて、各ガスをマスフローコントローラー
２２１１〜２２１６内に導入する。

【０１６２】以上のようにして成膜の準備が完了した
後、以下の手順で各層の形成を行う。

【０１６３】円筒状支持体２１１２が所定の温度になっ
たところで流出バルブ２２５１〜２２５６のうちの必要
なもの及び補助バルブ２２６０を徐々に開き、ガスボン
ベ２２２１〜２２２６から所定のガスをガス導入管２１
１４を介して反応容器２１１１内に導入する。次にマス
フローコントローラー２２１１〜２２１６によって各原
料ガスが所定の流量になるように調整する。その際、反
応容器２１１１内の圧力が１Ｔｏｒｒ以下の所定の圧力
になるように真空計２１１９を見ながらメインバルブ２
１１８の開口を調整する。内圧が安定したところで、周
波数１３．５６ＭＨｚのＲＦ電源（不図示）を所望の電
力に設定して、高周波マッチングボックス２１１５を通
じて反応容器３１１１内にＲＦ電力を導入し、グロー放
電を生起させる。この放電エネルギーによって反応容器
内に導入された原料ガスが分解され、円筒状支持体２１
１２上に所定のシリコンを主成分とする堆積膜が形成さ
れるところとなる。所望の膜厚の形成が行われた後、Ｒ
Ｆ電力の供給を止め、流出バルブを閉じて反応容器への
ガスの流入を止め、堆積膜の形成を終える。

【０１６４】同様の操作を複数回繰り返すことによっ
て、所望の多層構造の光受容層が形成される。

【０１６５】それぞれの層を形成する際には必要なガス
以外の流出バルブは全て閉じられている。また、それぞ
れのガスが反応容器２１１１内、流出バルブ２２５１〜
２２５６から反応容器２１１１に至る配管内に残留する
ことを避けるために、流出バルブ２２５１〜２２５６を
閉じ、補助バルブ２２６０を開き、さらにメインバルブ
２１１８を全開にして系内を一旦高真空に排気する操作
を必要に応じて行う。

【０１６６】また、膜形成の均一化を図るために、層形
成を行っている間は、支持体２１１２を駆動装置（不図
示）によって所定の速度で回転させることも有効であ
る。

【０１６７】さらに、上述のガス種及びバルブ操作は各
々の層の作製条件にしたがって適宜変更が加えられる。

【０１６８】次に電源にＶＨＦ帯の周波数を用いた高周
波プラズマＣＶＤ法（以後「ＶＦＨ−ＰＣＶＤ」と略記
する）法によって形成される画像形成応用感光体の製造
方法について説明する。

【０１６９】図２の堆積装置２１００部分を、図３に示
す堆積装置３１００に交換して原料ガス供給装置２２０
０と接続することにより、ＶＨＦ−ＰＣＶＤ法による電
子写真用感光体製造装置とすることができる。

【０１７０】この装置は大別すると、真空気密化構造の
反応容器３１１１、原料ガスの供給装置２２００、及び
反応容器内を減圧にするための排気装置（不図示）から
構成されている。反応容器３１１１内には円筒状支持体
３１１２、支持体加熱用ヒーター３１１３、原料ガス導
入管（不図示）、電極３１１５が設置され、電極にはさ
らに高周波マッチングボックス３１１６が接続されてい
る。また、反応容器３１１１内は排気管３１２１を通じ
て不図示の拡散ポンプに接続されている。

【０１７１】原料ガス供給装置２２００は、ＳｉＨ₄ 、
ＧｅＨ₄、 Ｈ₂ 、ＣＨ₄ 、Ｂ₂ Ｈ₆、ＰＨ₃ 等の原料ガ
スのボンベ２２２１〜２２２６とバルブ２２３１〜２２
３６、２２４１〜２２４６、２２５１〜２２５６及びマ
スフローコントローラー２２１１〜２２１６から構成さ
れ、各原料ガスのボンベはバルブ２２６０を介して反応
容器３１１１内のガス導入管（不図示）に接続されてい
る。また、円筒状支持体３１１２によって取り囲まれた
空間３１３０が放電空間を形成している。

【０１７２】ＶＨＦ−ＰＣＶＤ法によるこの装置での堆
積膜の形成は、以下のように行うことができる。

【０１７３】まず、反応容器３１１１内に円筒状支持体
３１１２を設置し、駆動装置３１２０によって支持体３
１１２を回転し、不図示の排気装置（例えば真空ポン
プ）により反応容器３１１１内を排気管３１２１を介し
て排気し、反応容器３１１１内の圧力を１×１０^-7Ｔｏ
ｒｒ以下に調整する。続いて、支持体加熱用ヒーター３
１１３により円筒状支持体３１１２の温度を２００℃乃
至３５０℃の所定の温度に加熱保持する。

【０１７４】堆積膜形成用の原料ガスを反応容器３１１
１に流入させるには、ガスボンベのバルブ２２３１〜２
２３６、反応容器のリークバルブ（不図示）が閉じられ
ていることを確認し、また、流入バルブ２２４１〜２２
４６、流出バルブ２２５１〜２２５６、補助バルブ２２
６０が開かれていることを確認して、まずメインバルブ
（不図示）を開いて反応容器３１１１及びガス配管（不
図示）内を排気する。

【０１７５】次に真空計（不図示）の読みが約５×１０
^-6Ｔｏｒｒになった時点で補助バルブ２２６０、流出バ
ルブ２２５１〜２２５６を閉じる。

【０１７６】その後、ガスボンベ２２２１〜２２２６よ
り各ガスをバルブ２２３１〜２２３６を開いて導入し、
圧力調整器２２６１〜２２６６により各ガス圧を２ｋｇ
／ｃｍ² に調整する。次に流入バルブ２２４１〜２２４
６を徐々に開けて、各ガスをマスフローコントローラー
２２１１〜２２１６内に導入する。

【０１７７】以上のようにして成膜の準備が完了した
後、以下のようにして円筒状支持体３１１５上に各層の
形成を行う。

【０１７８】円筒状支持体３１１２が所定の温度になっ
たところで流出バルブ２２５１〜２２５６のうちの必要
なもの及び補助バルブ２２６０を徐々に開き、ガスボン
ベ２２２１〜２２２６から所定のガスをガス導入管（不
図示）を介して反応容器３１１１内の放電空間３１３０
に導入する。次にマスフローコントローラー２２１１〜
２２１６）によって各原料ガスが所定の流量になるよう
に調整する。その際、放電空間３１３０内の圧力が１Ｔ
ｏｒｒ以下の所定の圧力になるように真空計（不図示）
を見ながらメインバルブ（不図示）の開口を調整する。

【０１７９】圧力が安定したところで、例えば周波数５
００ＭＨｚのＶＨＦ電源（不図示）を所望の電力に設定
して、マッチングボックス３１１６を通じて放電空間３
１３０にＶＨＦ電力を導入し、グロー放電を生起させ
る。かくして支持体３１１２により取り囲まれた放電空
間３１３０において、導入された原料ガスは、放電エネ
ルギーにより励起され解離し、円筒状支持体３１１２上
に所定の堆積膜が形成される。このとき、層形成の均一
化を図るため支持体回転用モーター３１２０によって、
所望の回転速度で回転させる。

【０１８０】所望の膜厚の形成が行われた後、ＶＨＦ電
力の供給を止め、流出バルブを閉じて反応容器へのガス
の流入を止め、堆積膜の形成を終える。

【０１８１】同様の操作を複数回繰り返すことによっ
て、所望の多層構造の感光層が形成される。

【０１８２】それぞれの層を形成する際には必要なガス
以外の流出バルブは全て閉じられている。また、それぞ
れのガスが反応容器３１１１内、流出バルブ２２５１〜
２２５６から反応容器３１１１に至る配管内に残留する
ことを避けるために、流出バルブ２２５１〜２２５６を
閉じ、補助バルブ２２６０を開き、さらにメインバルブ
（不図示）を全開にして系内を一旦高真空に排気する操
作を必要に応じて行う。

【０１８３】上述のガス種及びバルブ操作は各々の層の
作製条件にしたがって変更が加えられる。

【０１８４】いずれの方法においても、堆積膜形成時の
支持体温度は、特に２００℃以上３５０℃以下、好まし
くは２３０℃以上３３０℃以下、より好ましくは２５０
℃以上３００℃以下が好ましい。

【０１８５】支持体加熱用ヒーターは、真空仕様である
発熱体であればよく、より具体的にはシース状ヒーター
の巻き付けヒーター、板状ヒーター、セラミックヒータ
ー等の電気抵抗発熱体、ハロゲンランプ、赤外線ランプ
等の熱放射ランプ発熱体、液体、気体等を温媒とし熱交
換手段による発熱体等が挙げられる。加熱手段の表面材
質は、ステンレス、ニッケル、アルミニウム、銅等の金
属類、セラミックス、耐熱性高分子樹脂等を使用するこ
とができる。

【０１８６】それ以外にも、反応容器以外に加熱専用の
容器を設け、加熱した後、反応容器内に真空中で支持体
を搬送する方法が用いられる。

【０１８７】また、ＶＨＦ−ＰＣＶＤ法における放電空
間の圧力は、好ましくは１ｍＴｏｒｒ以上５００ｍＴｏ
ｒｒ以下、より好ましくは３ｍＴｏｒｒ以上３００ｍＴ
ｏｒｒ以下、最も好ましくは５ｍＴｏｒｒ以上１００ｍ
Ｔｏｒｒ以下に設定することが望ましい。

【０１８８】ＶＨＦ−ＰＣＶＤ法において放電空間に設
けられる電極の大きさ及び形状は、放電を乱さないなら
ばいずれのものでもよいが、実用上は直径１ｍｍ以上１
０ｃｍ以下の円筒状が好ましい。このとき、電極の長さ
も、支持体に電界が均一にかかる長さであれば任意に設
定できる。

【０１８９】電極の材質としては、表面が導電性となる
ものならば何れのものでもよく、例えばステンレス、Ａ
ｌ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ａｕ、Ｉｎ、Ｎｂ、Ｔｅ、Ｖ、Ｔｉ、
Ｐｔ、Ｐｂ、Ｆｅ等の金属、これらの合金または表面を
導電処理したガラス、セラミック、プラスチック等が通
常使用される。

【０１９０】

【実施例】次に、実施例により本発明をさらに具体的に
説明するが、本発明はこれらの実施例に限定されるもの
ではない。

【０１９１】［実施例１］図２に示すＲＦ−ＰＣＶＤ法
による電子写真用感光体の製造装置を用い、直径１０８
ｍｍの鏡面加工を施したアルミニウムシリンダー上に、
表１に示す条件で電荷注入阻止層、光導電層、表面層か
らなる感光体を作製した。さらに光導電層のＳｉＨ₄ と
Ｈ₂ との混合比、Ｂ₂ Ｈ₆ 導入量ならびに放電電力を変
えることによって、種々の感光体を作製した。

【０１９２】

【表１】 一方、円筒形のサンプルホルダーに設置したガラス基板
（コーニング社 ７０５９）ならびにＳｉウエハー上
に、光導電層の作製条件で膜厚約１μｍのａ−Ｓｉ膜を
堆積した。ガラス基板上の堆積膜にはＡｌのくし型電極
を蒸着し、ＣＰＭにより指数関数裾の特性エネルギー
（Ｅｕ）と局在状態密度（Ｄ．Ｏ．Ｓ．）を測定し、Ｓ
ｉウエハー上の堆積膜はＦＴＩＲ（フーリエ変換赤外吸
収スペクトル）により含有水素量を測定した。

【０１９３】そして、プロセススピード、ブレードの自
由長Ｌ、厚さＤ及び押しつけ総圧力Ｐを変化できるよう
に改造した図１に示すような電子写真装置（キヤノン製
ＮＰ６０６０をテスト用に改造）に、作製した感光体を
セットして、帯電能、温度特性、メモリー、画像流れを
評価した。

【０１９４】このときのＥｕと温度特性との関係を図５
に、Ｄ．Ｏ．Ｓ．とメモリー、画像流れとの関係を図
６、図７に示す。いずれのサンプルも水素含有量は１０
〜３０原子％の間であった。

【０１９５】この結果から、Ｅｕが５０〜６０ｍｅＶ、
かつＤ．Ｏ．Ｓ．が１×１０¹⁴〜１×１０¹⁶ｃｍ^-3であ
る感光体が、好ましい特性を有することがわかった。

【０１９６】また、ＥｕおよびＤ．Ｏ．Ｓ．が上記範囲
にある感光体ａと範囲外の感光体ｂの帯電能のプロセス
スピード依存性を比較した結果を図８に示す。ここで、
図８の感光体ａは、Ｅｕが５５ｍｅＶ、Ｄ．Ｏ．Ｓ．が
１×１０¹⁵ｃｍ^-3、感光体ｂは、Ｅｕが７０ｍｅＶ、
Ｄ．Ｏ．Ｓ．が１×１０¹⁷ｃｍ^-3である。測定は、帯電
能は感光体の温度を約４５℃、帯電器に流れる総電流を
約１ｍＡにしたときの現像器位置での暗部電位として、
プロセススピード依存性を測定した。

【０１９７】また、感光体ａおよび感光体ｂについて帯
電能、メモリーに関して、Ｂ₂ Ｈ₆量依存性を測定し、
◎：非常に優れている、○：優れている、△：実用上問
題ない、×：劣るの基準で判定した結果を表２に示す。

【０１９８】

【表２】 図８および表２の結果から、プロセススピードの増加と
共に帯電能は減少するが、上記範囲の特性を有する感光
体ａは、範囲外の感光体ｂと比べ、帯電能そのものが高
いばかりでなく、プロセススピード依存性が小さいこと
がわかった。そのため、Ｂ₂ Ｈ₆ 量を多少多めに仕込ん
で帯電能が低下しても実使用上は問題にならない。ま
た、感光体ａにおいては、そもそもメモリーがほとんど
ないほど改善されているが、Ｂ₂ Ｈ₆ 量を多少多めに仕
込むことで、全くメモリーをなくしてしまうことも可能
である事がわかった。

【０１９９】［実施例２］実施例１の表１の条件で作製
した感光体で表面の突起の高さが０．０１ｍｍのもの
（感光体表面１００ｃｍ²あたり高さ０．０１ｍｍを越
える突起の個数が１個以下であるものをいう。以下同様
に、例えば突起高さ０．０１５ｍｍの感光体とは、感光
体表面１００ｃｍ²あたり高さ０．０１５ｍｍを越える
突起の個数が１個以下であるものをいう。）を用い、図
４に示すようなブレードにて、自由長Ｌ、厚さＤ、押し
つけ総圧力Ｐ及び硬度を変化させ、融着、クリーニング
性について評価した。その結果を図１２、図１３、図１
４、図１５、図１６に示す。

【０２００】感光体表面の突起の高さの測定は、オリン
パス社製ディジタル式小型高倍率測定顕微鏡を用いて、
感光体表面と突起の先端にピントを合わせた際の対物レ
ンズの位置の差を測定して行った。

【０２０１】この結果から、ブレードの自由長をＬ（ｍ
ｍ）、厚さをＤ（ｍｍ）、押しつけ総圧力をＰ（ｇ）と
し、 （１）ＪＩＳ硬度６８度以上７６度以下 （２）０．２ ≦ Ｌ／Ｄ ≦ １．２ （３）０．５ ≦ Ｄ ≦ ５ （４）３００ ≦ Ｐ ≦ １０００ の条件を満たすときに融着、クリーニング性が良好であ
ることがわかった。ここで、Ｐ≧４００であっても、Ｌ
／Ｄ＞１であると、作用点がズレるなどの理由により、
融着レベルは悪い結果となっている。

【０２０２】［実施例３］感光体の表面の突起の高さを
異なるものを数種類用意し、図４に示すようなブレード
にて、表３のような設定Ａ（従来の設定範囲）と設定Ｂ
（本発明の設定範囲、但し硬度は不定）に対して、融
着、クリーニング性について評価した結果を図１０、図
１１に示す。

【０２０３】

【表３】 図１０、図１１の結果から、ＪＩＳ硬度が高いブレード
は、融着に効果があるが、感光体表面の平均面に対する
突起部の高さが高い感光体を使用すると、ブレード欠け
によるクリーニング不良が発生しやすい。一方、ＪＩＳ
硬度が７３度のブレードは表面突起の高さが０．０１５
ｍｍ以下であれば、ブレード欠けによるクリーニング不
良は問題ないが、従来設定Ａでは融着に関して不満足の
結果である。一方、本発明の設定Ｂにおいては融着に関
しても問題のない事がわかった。即ち、本発明のブレー
ド条件を採用すると、表面突起の高さが０．０１５ｍｍ
の感光体に対しても、融着の問題と、欠けによるクリー
ニング不良の問題を同時に解決でき、従って、感光体製
造の歩留まりを向上できることがわかった。

【０２０４】［実施例４］次に、粒径、定着性の異なる
種々のトナーを用意し、突起部の高さが０．０１ｍｍの
感光体を用い、ブレードの設定を変えたものに対して、
融着の評価を行った結果を図１７、図１８に示す。定着
性とは、定着後の画像をシルボン紙で擦り取った際の擦
り取れ率で定義し、画像濃度をＤ０、擦り後濃度をＤ１
としたとき、（Ｄ０−Ｄ１）／Ｄ０×１００（％）で表
す量で、数値が大きいほど定着性が悪いことを意味す
る。

【０２０５】この結果から、トナー粒径が小さくなる
と、従来設定Ａでは融着に関して非常に不利であるが、
粒径０．００４ｍｍ以上のものでは、本発明の設定Ｂに
することで、融着に関して問題がなくなる。一方、トナ
ー粒径を大きくすると画質が低下するため、粒径は０．
００４〜０．００８ｍｍが良いことがわかった。また、
トナーの定着性が良くなると、従来設定Ａでは融着に関
して非常に不利であるが、本発明の設定Ｂにすること
で、融着に関して問題のない事がわかった。

【０２０６】［実施例５］ブレードを感光体の軸方向
（母線方向）に周期的に往復運動をさせる機構（レシプ
ロ機構ともいう）を設け、ＪＩＳ硬度７３度のブレード
を用い、ブレードの自由長Ｌを３ｍｍ、厚さＤを３ｍ
ｍ、押しつけ総圧力Ｐを４００ｇに設定し、実施例１と
同様に作製した感光体（Ｅｕが５５ｍｅＶ、Ｄ．Ｏ．
Ｓ．が１×１０¹⁵ｃｍ^-3、突起部の高さが０．０１ｍｍ
である感光体）を用い、粒径０．００７ｍｍ、定着性が
１０％であるトナーを用い、プロセススピード４００ｍ
ｍ／ｓｅｃで使用したところ、良好な電子写真特性が得
られた。即ち、レシプロ機構を設けることで、融着の問
題がさらに改善され、クリーニング性が向上する効果が
あった。

【０２０７】［実施例６］実施例１と同様に作製した、
Ｅｕが５５ｍｅＶ、Ｄ．Ｏ．Ｓ．が１×１０¹⁵ｃｍ^-3、
突起の高さが０．０２ｍｍである感光体の表面をラッピ
ングテープで研磨し、突起の高さを０．０１ｍｍにし
た。この感光体を用い、粒径０．００７ｍｍ、定着性が
１０％であるトナーを用い、ＪＩＳ硬度７３度のブレー
ドでブレードの自由長を３ｍｍ、厚さを３ｍｍ、押しつ
け総圧力を４００ｇに設定し、プロセススピード４００
ｍｍ／ｓｅｃで使用したところ、未研磨で突起部の高さ
が０．０１ｍｍであるものと同様に良好な電子写真特性
が得られた。

【０２０８】［実施例７］図３に示すＶＨＦ−ＰＣＶＤ
法による電子写真用感光体の製造装置を用い、直径１０
８ｍｍの鏡面加工を施したアルミニウムシリンダー上
に、表４に示す条件で電荷注入阻止層、光導電層、表面
層からなる感光体を作製した。さらに光導電層のＳｉＨ
₄ とＨ₂ との混合比、Ｂ₂ Ｈ₆ 導入量ならびに放電電力
を変えることによって、種々の感光体を作製した。

【０２０９】

【表４】 一方、円筒形のサンプルホルダーに設置したガラス基板
（コーニング社 ７０５９）ならびにＳｉウエハー上
に、光導電層の作製条件で膜厚約１μｍのａ−Ｓｉ膜を
堆積した。ガラス基板上の堆積膜にはＡｌのくし型電極
を蒸着し、ＣＰＭにより指数関数裾の特性エネルギー
（Ｅｕ）と局在状態密度（Ｄ．Ｏ．Ｓ．）を測定し、Ｓ
ｉウエハー上の堆積膜はＦＴＩＲにより含有水素量を測
定した。いずれのサンプルも水素含有量は１０〜３０原
子％の間であった。

【０２１０】その結果、ＶＨＦ−ＰＣＶＤ法による感光
体製造法でも、Ｅｕが５０〜６０ｍｅＶ、Ｄ．Ｏ．Ｓ．
が１×１０¹⁴〜１×１０¹⁶ｃｍ^-3の感光体を容易に製造
することができ、本発明のブレード条件を適用すること
により、帯電能、温度特性、メモリー、画像流れ、融着
ならびにクリーニング性に優れた品質の高い画像を得る
ことができた。

【０２１１】［比較例］ブレードの条件が、 （１）ＪＩＳ硬度６８度以上７６度以下 （２）０．２ ≦ Ｌ／Ｄ ≦ １．２ （３）０．５ ≦ Ｄ ≦ ５ （４）３００ ≦ Ｐ ≦ １０００ の範囲を満足しないものは、すでに図１０〜図１８に示
したように、融着やクリーニング性の点で十分でないこ
とが明らかになった。

【０２１２】以上の実施例、比較例の代表的結果につい
て表５および表６にまとめて示す。

【０２１３】

【表５】

【０２１４】

【表６】

【０２１５】

【発明の効果】本発明によれば、定着性の向上した微粒
子トナーと新規な感光体からなる高画質対応の高速電子
写真装置を用いた場合であっても、ドラム表面へのトナ
ー融着を発生させることなくクリーニング性能を維持
し、感光体の製造コストを増大させることのない電子写
真装置を提供することができる。

【０２１６】即ち、本発明によれば、高画質対応の高速
電子写真装置の系においても融着発生のない高品質な画
像を得られ、また、高速機にもかかわらず、消費電力を
抑えて、省エネルギー問題を解決する事ができる。

【０２１７】また、本願によれば、電子写真装置の高速
化における諸問題を解決することができ、上記クリーニ
ングシステムとの組み合わせにより、きわめて優れた電
気的特性、光学的特性、光導電特性、画像特性、耐久性
および使用環境特性を引き出す事が可能になった。

【図面の簡単な説明】

【図１】一般的な電子写真装置を説明するための模式的
断面図である。

【図２】本発明に用いられる電子写真用感光体の光受容
層を形成するための装置の一例で、ＲＦ帯の高周波を用
いたグロー放電法による電子写真用感光体の製造装置の
模式的説明図である。

【図３】本発明に用いられる電子写真用感光体の光受容
層を形成するための装置の一例で、ＶＨＦ帯の高周波を
用いたグロー放電法による電子写真用感光体の製造装置
の模式的説明図である。

【図４】本発明の一形態である電子写真装置を説明する
ためのブレード周辺の模式的断面図である。

【図５】電子写真用感光体における光導電層のアーバッ
クテイルの特性エネルギー（Ｅｕ）と温度特性との関係
を示す図である。

【図６】電子写真用感光体における光導電層の局在状態
密度（Ｄ．Ｏ．Ｓ．）と光メモリーとの関係を示す図で
ある。

【図７】電子写真用感光体における光導電層の局在状態
密度（Ｄ．Ｏ．Ｓ．）と画像流れとの関係を示す図であ
る。

【図８】帯電能のプロセススピード依存性を示す図であ
る。

【図９】本発明に用いられるアモルファスシリコン感光
体の層構成を説明する図である。

【図１０】電子写真用感光体の突起高さと融着との関係
を示す図である。

【図１１】電子写真用感光体の突起高さとブレード欠け
によるクリーニング不良との関係を示す図である。

【図１２】ブレードの（自由長／厚さ）と融着との関係
を示す図である。

【図１３】ブレードの（自由長／厚さ）と融着との関係
を示す図である。

【図１４】ブレードの押しつけ圧と融着、ブレード寿命
との関係を示す図である。

【図１５】ブレードの厚さと融着、クリーニング性との
関係を示す図である。

【図１６】ブレードのＪＩＳ硬度と融着、ブレード欠け
によるクリーニング不良との関係を示す図である。

【図１７】トナー粒径と融着、画質との関係を示す図で
ある。

【図１８】トナーの定着性と融着との関係を示す図であ
る。

【符号の説明】

１０１ 感光体 １０２ 主帯電器 １０３ 静電潜像形成部位 １０４ 現像器 １０７ クリーナーユニット １２３ 熱源（内面ヒータ） ４０１ 感光体 ４０２ ブレード ４０３ 背板 ４０４ ブレード押さえ板 ４０５ 支持台 Ｄ ブレードの厚さ Ｌ 自由長 ａ ブレードの幅 ｂ ブレード押さえ板４０４からブレード先端までの
長さ １１０１ 支持体 １１０２ 感光層 １１０３ 光導電層 １１０４ アモルファスシリコン系表面層 １１０５ アモルファスシリコン系電荷注入阻止層 １１０６ 電荷発生層 １１０７ 電荷輸送層 ２１００ 堆積装置 ２１１１ 反応容器 ２１１２ 円筒状支持体 ２１１３ 支持体加熱用ヒーター ２１１４ 原料ガス導入管 ２１１５ マッチングボックス ２１１６ 原料ガス配管 ２１１７ 反応容器リークバルブ ２１１８ メイン排気バルブ ２１１９ 真空計 ２２００ 原料ガス供給装置 ２２１１〜２２１６ マスフローコントローラー ２２２１〜２２２６ 原料ガスボンベ ２２３１〜２２３６ 原料ガスボンベバルブ ２２４１〜２２４６ ガス流入バルブ ２２５１〜２２５６ ガス流出バルブ ２２６１〜２２６６ 圧力調整器 ３１００ 堆積装置 ３１１１ 反応容器 ３１１２ 円筒状支持体 ３１１３ 支持体加熱用ヒーター ３１１４ 原料ガス配管 ３１１６ マッチングボックス

Claims (7)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 円筒状感光体、該感光体が回転する間に
   該感光体の表面を帯電させる帯電器、帯電した感光体表
   面を露光して静電潜像を形成する手段、静電潜像にトナ
   ーを供給し現像してトナー像を形成する手段、トナー像
   を転写する手段、およびトナー像を転写した後に感光体
   上に残留するトナーをブレードによってクリーニングす
   るクリーニング機構を有する電子写真装置において、 前記ブレードが、 （１）ＪＩＳ硬度６８度以上７６度以下 （２）０．２ ≦ Ｌ／Ｄ ≦ １．２ （３）０．５ ≦ Ｄ ≦ ５ （４）３００ ≦ Ｐ ≦ １０００ （但し、Ｌはブレードの自由長（ｍｍ）、Ｄはブレード
   の厚さ（ｍｍ）、Ｐはブレードの押しつけ総圧力（ｇ）
   を示す。）を満足するものであることを特徴とする電子
   写真装置。
2. 【請求項２】 前記感光体が、 導電性支持体と、シリコン原子を母体として水素原子お
   よび／またはハロゲン原子を含有する非単結晶材料から
   なる光導電性を示す光導電層を有する感光層で構成さ
   れ、 該光導電層が、少なくとも光の入射する部分において、
   サブバンドギャップ光吸収スペクトルから得られる指数
   関数裾の特性エネルギーが５０〜６０ｍｅＶ、かつ伝導
   帯端下０．４５〜０．９５ｅＶにおける局在状態密度が
   １×１０¹⁴〜１×１０¹⁶ｃｍ^-3であることを特徴とする
   請求項１記載の電子写真装置。
3. 【請求項３】 前記感光体の表面の突起が、感光体表面
   １００ｃｍ²あたり高さ０．０１５ｍｍを越える突起の
   個数が１個以下であることを特徴とする請求項１または
   ２に記載の電子写真装置。
4. 【請求項４】 前記感光体が、表面を研磨することによ
   り表面の突起が、感光体表面１００ｃｍ²あたり高さ
   ０．０１５ｍｍを越える突起の個数が１個以下となった
   ものであることを特徴とする請求項３記載の電子写真装
   置。
5. 【請求項５】 前記トナーの平均粒径が０．００５〜
   ０．００８ｍｍである請求項１〜４のいずれかに記載の
   電子写真装置。
6. 【請求項６】 前記感光体表面のプロセススピードが４
   ００ｍｍ／ｓｅｃ以上である請求項１〜５のいずれかに
   記載の電子写真装置。
7. 【請求項７】 前記ブレードを前記感光体の軸方向に周
   期的に往復運動をさせる機構を有している請求項１〜６
   のいずれかに記載の電子写真装置。