JPH1069117A - 電子写真感光体、この電子写真感光体を用いた電子写真装置及びプロセスカートリッジ - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 光散乱やブリードがなく、低表面エネルギー
と優れた機械的及び電気的耐久性を達成した高解像な電
子写真感光体、該感光体を有する電子写真装置及びプロ
セスカートリッジを提供する。 【解決手段】 表面層が、下記平均単位式（Ｉ）で示さ
れるフッ素変成有機ケイ素樹脂を含有する電子写真感光
体、該感光体を有する電子写真装置及びプロセスカート
リッジ。 ｛Ｆ（ＣＦ₂)_a1−Ｑ₁ −Ｒ_1m1 ＳｉＯ
_(3-m1)/2｝_x1｛Ｆ（ＣＦ ₂)_a2−Ｑ₂ −Ｒ_2m2 ＳｉＯ
_(3-m2)/2｝_x2・・・｛Ｆ（ＣＦ₂)_ap−Ｑ_p −Ｒ_pmp Ｓｉ
Ｏ_(3-mp)/2｝_xp｛Ｒ'_1n1ＳｉＯ_(4-n1)/2｝_y1｛Ｒ'_2n2Ｓ
ｉＯ_(4-n2)/2｝_y2・・・｛Ｒ'_qnqＳｉＯ_(4-nq)/2｝_yq
（Ｉ） （式中、Ｒ₁ ，…，Ｒ_p ，Ｒ'₁，…，Ｒ'_qはアルキル基
またはアリール基であり、Ｑ₁ ，…，Ｑ_p はアルキレン
基である。）

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、複写機、プリンタ
ー及び製版システム等に広く用いる電子写真感光体、こ
の電子写真感光体を用いた電子写真装置及びプロセスカ
ートリッジに関する

【０００２】

【従来の技術】従来から、電子写真感光体には、コロナ
帯電及びローラー帯電等の帯電プロセス、現像プロセ
ス、転写プロセス及びクリーニングプロセス等により電
気的あるいは機械的な影響が直接に加えられるために、
それらに対する耐久性が要求される。

【０００３】具体的には、摺擦による感光体表面の摩耗
や傷、あるいは電気的な劣化等に対する耐久性が要求さ
れる。特に、ローラ帯電方式等の放電現象を用いた帯電
方式においては、高エネルギーのアーク放電に対する耐
久性が要求される。

【０００４】また、トナーによる現像とクリーニングの
繰り返しに起因した、感光体表面へのトナーの付着とい
う問題もあり、これに対しては感光体表面のクリーニン
グ性の向上が求められている。

【０００５】上記のような感光体表面に要求される様々
な特性を満たすために、感光層上に種々の樹脂を主成分
とする表面保護層を設ける試みがなされている。例え
ば、特開昭５７−３０８４３号公報には、導電性粒子と
して金属酸化物粒子を添加することによって抵抗を制御
した保護層が提案されている。

【０００６】また、保護層のみでなく電荷輸送層中に種
々の物質を添加することで感光体表面の物性を改善する
ことも検討されている。例えば、シリコーン樹脂の低表
面エネルギーに注目した添加物としては下記のようなも
のが報告されている。

【０００７】シリコーンオイル（特開昭６１−１３２９
５４号公報）、ポリジメチルシロキサン、シリコーン樹
脂粉体（特開平４−３２４４５４号公報）、架橋シリコ
ーン樹脂、ポリ（カーボネートーシリコーン）ブロック
共重合体、シリコーン変成ポリウレタン、シリコーン変
成ポリエステル、

【０００８】低表面エネルギーの代表的なポリマーとし
てはフッ素系高分子があり、該フッ素系高分子として感
光層に添加できるものとしては下記のものがある。

【０００９】ポリテトラフルオロエチレン粉体、フッ化
カーボン粉末、

【００１０】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、金属酸
化物等を含む表面保護層はかなりの硬度を有するものが
得られるが、表面エネルギーが大きくなり易いためにク
リーニング性等に問題があった。シリコーン系樹脂は表
面エネルギーが小さい点で優れているが他の樹脂に対し
て十分な相溶性を示さないため、感光体に添加した場
合、凝集し易く光散乱を生じたり、ブリードして表面に
析出するために、安定した特性を示さない等の問題があ
った。また、低表面エネルギーのポリマーであるポリテ
トラフルオロエチレン（ＰＴＦＥ）に代表されるフッ素
系高分子は一般に溶媒に不溶であり、分散性も不良であ
ることから、平滑な感光体表面を得ることが困難であ
り、屈折率も小さいことから光散乱が生じ易く、それに
よる潜像の劣化を生じる問題点があった。

【００１１】また、ポリカーボネート、ポリアクリルエ
ステル、ポリエステル及びポリテトラフルオロエチレン
等の高分子化合物は一般に耐アーク放電性が十分でな
く、放電により高分子主鎖が切断されることから容易に
劣化してしまう問題点があった。

【００１２】本発明の目的は、光散乱やブリードがな
く、低表面エネルギーと優れた機械的及び電気的耐久性
を達成した高解像な電子写真感光体、該感光体を有する
電子写真装置及びプロセスカートリッジを提供すること
である。

【００１３】

【課題を解決するための手段】即ち、本発明の電子写真
感光体は、支持体上に感光層を有する電子写真感光体に
おいて、該感光体の表面層が、下記平均単位式（Ｉ）で
示されるフッ素変成有機ケイ素樹脂を含有するものであ
る。 ｛Ｆ（ＣＦ₂)_a1−Ｑ₁ −Ｒ_1m1 ＳｉＯ_(3-m1)/2｝_x1｛Ｆ（ＣＦ₂)_a2−Ｑ₂ −Ｒ_{2m 2} ＳｉＯ_(3-m2)/2｝_x2・・・｛Ｆ（ＣＦ₂)_ap−Ｑ_p −Ｒ_pmp ＳｉＯ_(3-mp)/2｝_xp ｛Ｒ'_1n1ＳｉＯ_(4-n1)/2｝_y1｛Ｒ'_2n2ＳｉＯ_(4-n2)/2｝_y2・・・｛Ｒ'_qnqＳｉＯ _(4-nq)/2 ｝_yq （Ｉ） （式中、Ｒ₁ ，…，Ｒ_p ，Ｒ'₁，…，Ｒ'_qはアルキル基
またはアリール基であり、Ｑ₁ ，…，Ｑ_p はアルキレン
基である。ｍ₁ ，…，ｍ_p は０〜２の整数であり、ｎ
₁ ，…，ｎ_q は０〜３の整数であり、ａ₁ ，…，ａ_p は
整数であり、ｘ₁ 及びｙ₁ は０を越える数であり、ｘ
₂ ，…，ｘ_p 、ｙ₂ ，…，ｙ_q は０以上の数である。）

【００１４】

【発明の実施の形態】本発明の電子写真感光体は、支持
体上に感光層を有するもので、前記感光体の表面層に下
記平均単位式（Ｉ）で示されるフッ素変成有機ケイ素樹
脂を含有するものである。 平均単位式（Ｉ） ｛Ｆ（ＣＦ₂)_a1−Ｑ₁ −Ｒ_1m1 ＳｉＯ_(3-m1)/2｝_x1｛Ｆ（ＣＦ₂)_a2−Ｑ₂ −Ｒ_{2m 2} ＳｉＯ_(3-m2)/2｝_x2・・・｛Ｆ（ＣＦ₂)_ap−Ｑ_p −Ｒ_pmp ＳｉＯ_(3-mp)/2｝_xp ｛Ｒ'_1n1ＳｉＯ_(4-n1)/2｝_y1｛Ｒ'_2n2ＳｉＯ_(4-n2)/2｝_y2・・・｛Ｒ'_qnqＳｉＯ _(4-nq)/2 ｝_yq （Ｉ） （式中、Ｒ₁ ，…，Ｒ_p ，Ｒ'₁，…，Ｒ'_qはアルキル基
またはアリール基であり、Ｑ₁ ，…，Ｑ_p はアルキレン
基である。ｍ₁ ，…，ｍ_p は０〜２の整数であり、ｎ
₁ ，…，ｎ_q は０〜３の整数であり、ａ₁ ，…，ａ_p は
整数であり、ｘ₁ 及びｙ₁ は０を越える数であり、ｘ
₂ ，…，ｘ_p 、ｙ₂ ，…，ｙ_q は０以上の数である。）

【００１５】本発明において、表面層とは感光層が保護
層を有する場合には、保護層を意味する。保護層を有さ
ない場合には感光層を意味する。感光層が保護層を有さ
ず、しかも多層で構成されている場合には、感光層を構
成する層のうちで、支持体から一番離れている層をい
う。

【００１６】上記式（Ｉ）中のＲ₁ ，…，Ｒ_p ，Ｒ'₁，
…，Ｒ'_qは炭素数１〜１２のアルキル基またはアリール
基が好ましい。

【００１７】アルキル基としては直鎖状、分岐状、環状
のいずれでもよく、例えばメチル基、エチル基、プロピ
ル基、イソプロピル基、ブチル基、ペンチル基、ヘキシ
ル基、シクロヘキシル基、ヘプチル基、オクチル基、ノ
ニル基、デシル基、ウンデシル基及びドデシル基等が好
ましい。炭素数が大きいアルキル基は表面層を形成した
場合に機械的強度が減少するために好ましくない。アリ
ール基としてはフェニル基、トリル基、キシリル基、ナ
フチル基及びビフェニル基等が好ましく用いられる。炭
素数が大きいアリール基は表面層を形成した場合に耐ア
ーク放電性が減少するために好ましくない。

【００１８】Ｑ₁ ，…，Ｑ_p は炭素数２〜６のアルキレ
ン基が好ましく、例えばエチレン基及びプロピレン基等
が好ましい。ｍ₁ ，…，ｍ_p は０〜２の整数であり、ｎ
₁ ，…，ｎ_q は０〜３の整数であり、ａ₁ ，…，ａ_p は
整数であり、ｘ₁ 及びｙ₁ は０を越える数であり、ｘ
₂ ，…，ｘ_p 、ｙ₂ ，…，ｙ_q は０以上の数である。た
だし、（ｘ₁ ＋ｘ₂ ＋…＋ｘ_p ）：（ｙ₁ ＋ｙ₂ ＋…＋
ｙ_q ）＝１：２０〜１：５の範囲が好ましい。

【００１９】本発明におけるフッ素変成有機ケイ素樹脂
は軟化点が３０℃以上であることが好ましく、３０℃以
上の軟化点を有するためには、Ｒ₁ ，…，Ｒ_p ，Ｒ'₁，
…，Ｒ'_qがフェニル基等のアリール基であることが好ま
しい。また、本樹脂は、若干の残存シラノール基やアル
コキシ基を含んでいてもよい。Ｒ₁ ，…，Ｒ_p ，Ｒ'₁，
…，Ｒ'_qに占めるアリール基の割合は２０モル％以上が
好ましい。本発明で使用するフッ素変成有機ケイ素樹脂
の重量平均分子量は１０００〜１０００００が好まし
い。重量平均分子量が小さいと表面層の機械的強度が十
分でない場合があり、逆に大きすぎると、結着樹脂との
相溶性が悪くなり易く、白濁や電荷輸送能の低下を生じ
る場合がある。本発明において重量平均分子量はＧＰＣ
（ゲルパーミエーションクロマトグラフィー）で測定し
た値である。

【００２０】本発明におけるフッ素変成有機ケイ素樹脂
としては、下記の平均単位式で表わされるものが例示さ
れる。

【００２１】 ｛F(CF₂)₄C₂H₄SiO_3/2 ｝_0.1 ｛(CH₃)₃SiO_1/2｝_0.9 (SiO_4/2)_1.0 ｛F(CF₂)₄C₂H₄(CH₃)SiO_2/2｝_0.1 ｛(CH₃)₃SiO_1/2｝_0.9 (SiO_4/2)_1.0 ｛F(CF₂)₈C₂H₄(CH₃)SiO_2/2｝₁ ｛(C₆H₅)₂SiO_2/2 ｝₁₀ ｛F(CF₂)₈C₂H₄SiO_3/2 ｝₁ ｛(CH₃)₂SiO_2/2｝₁₈｛(C₆H₅)SiO_3/2｝₂ ｛F(CF₂)₄C₂H₄SiO_3/2 ｝₁ ｛(CH₃)SiO_3/2 ｝₉ ｛F(CF₂)₄C₂H₄SiO_3/2 ｝₁ ｛(C₆H₅)SiO_3/2｝₉ ｛F(CF₂)₄C₂H₄SiO_3/2 ｝₁ ｛(CH₃)₃SiO_1/2｝_1.2 ｛SiO_4/2｝_1.0 ｛(C₆H₅)SiO_3/2｝₉ ｛F(CF₂)₄C₂H₄SiO_3/2 ｝₁ ｛(C₆H₅)₂SiO_2/2 ｝₉ ｛F(CF₂)₈C₂H₄(CH₃)SiO_2/2｝₁ ｛(C₆H₅)₂SiO_2/2 ｝₈ ｛(C₆H₅)SiO_3/2｝₁ ｛F(CF₂)₈C₂H₄SiO_3/2 ｝₁ ｛(CH₃)₃SiO_1/2｝_0.7 ｛SiO_4/2｝_1.0 ｛(C₆H₅)₂SiO_2/2 ｝₁₀ ｛F(CF₂)₈C₂H₄(CH₃)SiO_2/2｝₁ ｛(CH₃)₃SiO_1/2｝_0.7 ｛SiO_4/2｝_1.0 ｛(C₆H₅)₂SiO_2/2 ｝₈ ｛F(CF₂)₈C₂H₄SiO_3/2 ｝₁ ｛(C₆H₅)SiO_3/2｝₉ ｛F(CF₂)₈C₂H₄SiO_3/2 ｝₁ ｛(C₆H₅)₂SiO_2/2 ｝₉ ｛F(CF₂)₈C₂H₄SiO_3/2 ｝₁ ｛(C₆H₅)₂SiO_2/2 ｝₅ ｛(C₆H₅)SiO_3/2｝₅ ｛F(CF₂)₄C₂H₄SiO_3/2 ｝₁ ｛(CH₃)₂SiO_2/2｝₁ ｛(C₆H₅)SiO_3/2｝₆ ｛(CF₃)C₂H₄SiO_3/2 ｝₁ ｛F(CH₂)₈C₂H₄SiO_3/2 ｝₁ ｛(CH₃)₃SiO_1/2｝₃ ｛(C₆H₅)₂SiO_2/2 ｝₁₃ ｛F(CF₂)₈C₂H₄SiO_3/2 ｝₁ ｛(CH₃)₃SiO_1/2｝₅ ｛(C₆H₅)₂SiO_2/2 ｝₆ ｛SiO_{4 /2} ｝₆ ｛(CF₃)C₂H₄SiO_3/2 ｝₃ ｛(CH₃)₃SiO_1/2｝₄ ｛(C₆H₅)SiO_3/2｝₄ ｛SiO_4/2｝ ₁₀ ｛(CF₃)C₂H₄SiO_3/2 ｝₃ ｛F(CF₂)₄C₂H₄SiO_3/2 ｝₁ ｛(C₆H₅)SiO_3/2｝₁₀｛Si O_4/2｝₄ ｛(CF₃)C₂H₄SiO_3/2 ｝₃ ｛F(CH₂)₈C₂H₄SiO_3/2 ｝₁ ｛(CH₃)₃SiO_1/2｝₁₀ ｛(C₆H₅)₂SiO_2/2 ｝₁₀ ｛(CF₃C₂H₄)₂SiO_2/2｝₂ ｛(CH₃)₃SiO_1/2｝₈ ｛(C₆H₅)₂SiO_2/2 ｝₈ ｛SiO_4/2 ｝₂ ｛F(CF₂)₈C₂H₄SiO_3/2 ｝₁ ｛(CH₃)₃SiO_1/2｝₈ ｛(C₆H₅)₂SiO_3/2 ｝₈ ｛SiO_{4 /2} ｝₄ ｛(CF₃)C₂H₄SiO_3/2 ｝₂ ｛F(CF₂)₄C₂H₄SiO_3/2 ｝₁ ｛F(CF₂)₈C₂H₄SiO_3/2 ｝ ₁ ｛(CH₃)₃SiO_1/2｝₅ ｛(C₆H₅)₂SiO_2/2 ｝₁₅

【００２２】本発明に使用するフッ素変成有機ケイ素樹
脂は、一般的なオルガノポリシロキサンの製造方法によ
り製造することができる。

【００２３】一般的なオルガノポリシロキサンの製造方
法としては、特公昭２６−２６９６号、特公昭２８−６
２９７号に記載されている方法を始めとして、Ｃｈｅｍ
ｉｓｔｒｙ ａｎｄ Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ ｏｆ Ｓ
ｉｌｉｃｏｎｅｓ，Ｃｈａｐｔｅｒ５，ｐ．１９１〜
（Ｗａｌｔｅｒ Ｎｏｌｌ，Ａｃａｄｅｍｉｃ Ｐｒｅ
ｓｓ，Ｉｎｃ．１９６８）のシロキサンポリマー合成方
法がある。

【００２４】例えば、オルガノアルコキシシランやオル
ガノハロゲノシランを有機溶媒中に溶解し、酸あるいは
塩基存在下で加水分解及び縮合することによって重合
し、その後溶媒を除去することによって合成される。

【００２５】以下に、フッ素変成有機ケイ素樹脂を含有
する電荷輸送層を有する電子写真感光体を例に本発明を
説明する。

【００２６】電子写真感光体の支持体としては支持体自
体が導電性を有するもの、例えば、アルミニウム、アル
ミニウム合金、銅、亜鉛、ステンレス、クロム、チタ
ン、ニッケル、マグネシウム、インジウム、金、白金、
銀及び鉄等を用いることができる。その他にアルミニウ
ム、酸化インジウム、酸化スズ及び金等を蒸着等により
プラスチック等の誘電体支持体に被膜形成し、導電層と
したものや、導電性微粒子をプラスチックや紙に混合し
たもの等を用いることができる。これらの導電性支持体
は均一な導電性が求められるとともに平滑な表面が重要
である。表面の平滑性はその上層に形成される下引き
層、電荷発生層及び電荷輸送層の均一性に大きな影響を
与えることから、その表面粗さは０．３μｍ以下が好ま
しい。

【００２７】特に、導電性微粒子をポリマーバインダー
中に分散して塗布することにより得られる導電層を被覆
した支持体は、形成が容易であり、均質な表面を有する
ため好ましく使用される。このとき用いられる導電性微
粒子の１次粒径は１００ｎｍ以下であり、より好ましく
は５０ｎｍ以下のものが用いられる。導電性微粒子とし
ては、導電性酸化亜鉛、導電性酸化チタン、Ａｌ、Ａ
ｕ、Ｃｕ、Ａｇ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｆｅ、カーボンブラッ
ク、ｌＴＯ、酸化スズ、酸化インジウム及びインジウム
等が用いられ、またこれらを絶縁性微粒子の表面にコー
ティングして用いてもよい。前記導電性微粒子の含有量
は導電層の体積抵抗が十分に低くなるように使用され、
好ましくは１×１０¹⁰Ωｃｍ以下の抵抗となるように添
加される。より好ましくは１×１０⁸ Ωｃｍ以下で用い
られる。

【００２８】レーザー等のコヒーレントな光源を用いて
露光する場合は干渉による画像劣化を防止するために上
記導電性支持体の表面に凹凸を形成することも可能であ
る。このときは電荷注入や残留電位のむら等の欠陥が生
じにくいように使用する波長の１／２λ程度の凹凸を数
μｍ以下の直径のシリカビーズ等の絶縁物を分散するこ
とに１０μｍ以下の周期で形成して用いることが可能で
ある。

【００２９】導電性支持体と感光層の中間に、注入阻止
機能と接着機能をもつ下引き層を設けることもできる。
下引き層としてはカゼイン、ポリビニルアルコール、ニ
トロセルロース、エチレン−アクリル酸コポリマー、ポ
リビニルブチラール、フェノール樹脂、ポリアミド、ポ
リウレタン及びゼラチン等によって形成することができ
る。下引き層の膜厚は０．１〜１０μｍが好ましく、更
に０．３〜３μｍが好ましい。

【００３０】感光層は単一層でもかまわないが、支持体
側から順に電荷発生層及び電荷輸送層を積層して構成す
るのが好ましい。また、支持体側から順に電荷輸送層及
び電荷発生層を積層してもよい。

【００３１】感光層が単一層の場合、感光層は電荷発生
材料と、電荷輸送材料と、前述した式（Ｉ）で示される
フッ素変成有機ケイ素樹脂と、結着樹脂とを、溶媒で混
合して通常のコーティング法により成膜して形成する。

【００３２】感光層が、電荷発生層及び電荷輸送層で構
成される場合、電荷発生層は少なくとも電荷発生材料
と、結着樹脂とを、溶媒で混合して通常のコーティング
法により成膜して形成する。電荷輸送層は少なくとも電
荷輸送材料と、結着樹脂とを、溶媒で混合して通常のコ
ーティング法により成膜して形成する。更に、本発明で
は支持体から遠い方の層に前述した式（Ｉ）で示される
フッ素変成有機ケイ素樹脂を含有する。

【００３３】電荷発生材料としては、例えば、セレンー
テルル、ピリリウム系染料、チオピリリウム系染料、フ
タロシアニン系顔料、アントアントロン系顔料、ジベン
ズピレンキノン系顔料、ピラントロン系顔料、トリスア
ゾ系顔料、ジスアゾ系顔料、アゾ系顔料、インジゴ系顔
料、キナクリドン系顔料及びシアニン系顔料等を用いる
ことができる。

【００３４】電荷輸送材料は電子輸送性化合物と正孔輸
送性化合物に大別される。

【００３５】電子輸送性化合物としては、例えば２，
４，７−トリニトロフルオレノン、２，４，５，７−テ
トラニトロフルオレノン、クロラニル、テトラシアノキ
ノジメタン、及びアルキル置換ジフェノキノン等の電子
受容性化合物やこれらの電子受容性化合物を高分子化し
たものが挙げられる。正孔輸送性化合物としては、例え
ばピレン、及びアントラセン等の多環芳香族化合物、カ
ルバゾール、インドール、オキサゾール、チアゾール、
オキサチアゾール、ピラゾール、ピラゾリン、チアジア
ゾール及びトリアゾール等の複素環化合物、ｐ−ジエチ
ルアミノベンズアルデヒド−Ｎ，Ｎ−ジフェニルヒドラ
ゾン及びＮ，Ｎ−ジフェニルヒドラジノ−３−メチリデ
ン−９−エチルカルバゾール等のヒドラゾン系化合物、
α−フェニル−４′−Ｎ，Ｎ−ジフェニルアミノスチル
ベン及び５−（４−（ジ−ｐ−トリルアミノ）ベンジリ
デン）−５Ｈ−ジベンゾ（ａ，ｄ）シクロヘプテン等の
スチリル系化合物、ベンジジン系化合物及びトリアリー
ルアミン系化合物あるいはこれらの化合物からなる基を
主鎖または側鎖に有する高分子化合物（ポリ−Ｎ−ビニ
ルカルバゾール、ポリビニルアントラセン等）が挙げら
れる。

【００３６】各層に用いる結着樹脂としては、例えばス
チレン、酢酸ビニル、塩化ビニル、アクリル酸エステ
ル、メタクリル酸エステル、フッ化ビニリデン及びトリ
フルオロエチレン等のビニル化合物の重合体あるいは共
重合体、更にはポリビニルアルコール、ポリビニルアセ
タール、ポリカーボネート、ポリエステル、ポリスルホ
ン、ポリフェニレンオキサイド、ポリウレタン、セルロ
ース樹脂、フェノール樹脂、メラミン樹脂、有機ケイ素
樹脂及びエポキシ樹脂等が挙げられる。

【００３７】感光層が単一層の場合、フッ素変成有機ケ
イ素樹脂の含有量は、感光層の固形分に対して５〜７０
重量％、更には１０〜５０重量％が好ましい。フッ素変
成有機ケイ素樹脂の含有量が少なすぎると表面エネルギ
ーの低減が十分でなかったり、電気的耐久性が低下する
等の問題が生じる場合がある。逆に、フッ素変成有機ケ
イ素樹脂の含有量が多すぎると、感光層の機械的強度や
電荷輸送能が低下する場合がある。電荷発生材料の含有
量は、感光層の固形分に対して３〜３０重量％が好まし
い。電荷輸送材料の含有量は、感光層の固形分に対して
２０〜７０重量％が好ましい。

【００３８】感光層を、電荷発生層及び電荷輸送層で構
成する場合、フッ素変成有機ケイ素樹脂の含有量は、表
面層の固形分に対して５〜７０重量％、更には１０〜５
０重量％が好ましい。フッ素変成有機ケイ素樹脂の含有
量が少なすぎると本発明の効果が十分得られず、逆にフ
ッ素変成有機ケイ素樹脂の含有量が多すぎると表面層の
機械的強度が十分に得られない場合がある。電荷発生材
料の含有量は、電荷発生層の固形分に対して２０〜８０
重量％、更には３０〜７０重量％が好ましい。電荷輸送
材料の含有量は、電荷輸送層の固形分に対して２０〜７
０重量％が好ましい。

【００３９】感光層の厚みは、単一層の場合、３〜４０
μｍが好ましい。電荷発生層の厚みは、０．０５〜１．
０μｍ、更には０．１〜０．５μｍが好ましい。電荷輸
送層の厚みは、１〜３０μｍ、更には３〜２０μｍが好
ましい。

【００４０】感光層上には、必要に応じて保護層を設け
てもよい。感光層上に保護層を設ける場合、保護層に前
記平均単位式（Ｉ）のフッ素変成有機ケイ素樹脂を含有
する。この場合、フッ素変成有機ケイ素樹脂の含有量
は、保護層の固形分に対して１０〜８０重量％、更には
２０〜６０重量％が好ましい。フッ素変成有機ケイ素樹
脂の含有量が少なすぎると本発明の効果が十分得られ
ず、逆に多すぎると保護層の機械的強度が十分に得られ
ない場合がある。

【００４１】保護層は、フッ素変成有機ケイ素樹脂とポ
リビニルブチラール、ポリエステル、ポリカーボネート
（ポリカーボネートＺ、変性ポリカーボネート等）、ナ
イロン、ポリイミド、ポリアリレート、ポリウレタン、
スチレン−ブタジエン−コポリマー、スチレン−アクリ
ル酸コポリマー、スチレン−アクリロニトリルコポリマ
ーなどの樹脂を適当な有機溶剤によって溶解し、感光層
の上に塗布、乾燥して形成できる。保護層の膜厚は、
０．０５〜２０μｍが好ましい。また、保護層中に導電
性粒子や紫外線吸収剤などを含ませてもよい。導電性粒
子としては、例えば酸化錫粒子等の金属酸化物が好まし
い。

【００４２】次に、本発明の電子写真感光体を用いた電
子写真装置について説明する。

【００４３】図１において、１は本発明のドラム型感光
体であり軸１ａを中心に矢印方向に所定の周速度で回転
駆動する。感光体１はその回転過程で帯電手段２により
その周面に正または負の所定電位の均一帯電を受け、次
いで露光部３にて不図示の像露光手段により光像露光Ｌ
（スリット露光あるいはレーザービーム走査露光など）
を受ける。これにより感光体周面に像露光に対応した静
電潜像が順次形成されていく。その静電潜像は、次いで
現像手段４でトナー現像され、そのトナー現像像がコロ
ナ転写手段５により不図示の給紙部から感光体１と転写
手段５との間に感光体１の回転と同期取り出されて給送
された記録材９の面に順次転写されていく。像転写を受
けた記録材９は感光体面から分離されて像定着手段８へ
導入されて像定着を受けて複写物（コピー）として機外
へプリントアウトされる。像転写後の感光体１の表面は
クリーニング手段６にて転写残りトナーの除去を受けて
清浄面化され、前露光手段７により除電処理がされて繰
り返して像形成に使用される。感光体１の均一帯電手段
２としてはコロナ帯電装置が一般に広く使用されてい
る。

【００４４】また、図２及び図３に示すように、帯電手
段として直接帯電部材１０を用い、電圧印加された直接
帯電部材１０を感光体１に接触させることにより感光体
１の帯電を行ってもよい（この帯電方式を、以下直接帯
電という）。図２及び３に示す装置では感光体１上のト
ナー像も直接帯電部材２３で記録材９に転写される。即
ち、電圧印加された直接帯電部材２３を記録材９に接触
させることにより感光体１上のトナー像を記録材９に転
写させる。

【００４５】また、図２に示す装置では、少なくとも感
光体１、直接帯電部材１０及び現像手段４を容器２０に
納めてひとつの電子写真装置ユニットとし、この装置ユ
ニットを装置本体のレールなどの案内手段を用いて着脱
自在に構成している。クリーニング手段６は容器２０内
に配置してもしなくてもよい。

【００４６】更に、図３に示す装置では、少なくとも感
光体１及び直接帯電部材１０を第１の容器２１に納めて
第１の電子写真装置ユニットとし、少なくとも現像手段
４を容器２２に納めて第２の電子写真装置ユニットと
し、これら第１の装置ユニットと、第２の装置ユニット
とを着脱自在に構成している。クリーニング手段６は容
器２１内に配置してもしなくてもよい。

【００４７】一方、近年、電子写真方式を用いた画像形
成装置に要求される解像度、階調性はますます上昇して
いる。このような要求に対して検討したところ、光ビー
ムを照射して潜像を形成するところの電子写真画像形成
装置において、感光体の感光層の膜厚と照射スポット面
積の積と階調再現性の間に一定の関係があることを見い
出した。すなわち、スポット面積と感光体の感光層の膜
厚の積が２００００μｍ³ 以下とすることで４００ｄｐ
ｉ、２５６階調を実現することができる。

【００４８】これは、一般的に実現可能な微小光を用い
る感光体の感光層の膜厚、主として電荷輸送層の膜厚
は、１２μｍ以下が適していることを示している。この
ように感光層の膜厚は薄い方が望ましいが、同一帯電電
位におけるピンホールや感度の低下等を発生することか
ら１μｍ以上の膜厚が望まれる。より望ましくは３μｍ
以上の膜厚で用いられる。

【００４９】図４に示すように、光ビーム３０のスポッ
ト面積はピーク強度の１／ｅ² に減少するまでの部分で
表わされる。用いられる光ビームとしては半導体レーザ
を用いた走査光学系、及びＬＥＤや液晶シャッター等の
固体スキャナー等があり、光強度分布についてもガウス
分布及びローレンツ分布等があるが、それぞれのピーク
強度の１／ｅ² までの部分をスポット面積とする。光ス
ポットは一般的には図４に示すように楕円形の形状を有
している。Ｍは主走査方向のスポット径で、Ｓは副走査
方向のスポット径である。

【００５０】本発明の電子写真装置の他の例を図５及び
図６を用いて説明する。

【００５１】図５において、まず、原稿台１０上に原稿
Ｇを複写すべき面を下側にしてセットする。次に、コピ
ーボタンを押すことにより複写が開始される。原稿照射
用ランプ、短焦点レンズアレイ及びＣＣＤセンサーが一
体となったユニット１０９が原稿を照射しながら走査す
ることにより、その照射走査光が、短焦点レンズアレイ
によって結像されてＣＣＤセンサーに入射される。ＣＣ
Ｄセンサーは受光部、転送部及び出力部より構成されて
いる。ＣＣＤ受光部において光信号が電気信号に変換さ
れ、転送部でクロックパルスに同期して順次出力部へ転
送され、出力部において電荷信号を電圧信号に変換し、
増幅、低インピーダンス化して出力する。このようにし
て得られたアナログ信号をデジタル信号に変換し、更に
画像の特性に応じて解像度、階調性を最適化するところ
の画像処理を行って出力するためのデジタル信号に変換
してプリンター部に送られる。コンピュータ等から出力
する場合には解像度、階調再現方法等を選択して望まし
い画像が得られるように処理し変換してプリンター部に
送られる。プリンター部においては、上記の画像信号を
受けて以下のようにして静電潜像を形成する。本発明の
感光ドラム１０１は、中心支軸を中心に所定の周速度で
回転駆動され、その回転過程に帯電器１０３により所定
の電圧の正極性または負極性の一様な帯電処理を受け、
その一様帯電面に画像信号に対応してＯＮ，ＯＦＦ発光
される固体レーザー素子の光を高速で回転する回転多面
鏡によって走査することにより感光ドラム１０１面に
は、原稿画像に対応した静電潜像が順次に、形成されて
いく。１０２は前露光手段、１０３は帯電手段、１０４
は現像手段、１０５はクリーニング手段、１０６は定着
手段である。

【００５２】図６に本発明のカラー複写機の概略図を示
す。

【００５３】図６において２０１はイメージスキャナ部
であり、原稿を読み取り、デジタル信号処理を行う部分
である。また、２００はプリンター部であり、イメージ
スキャナ２０１に読み取られた原稿画像に対応した画像
を用紙にフルカラーでプリント出力する部分である。

【００５４】イメージスキャナ部２０１において、２０
２は原稿厚板であり、原稿台ガラス（以下プラテン）２
０３上の原稿２０４を固定するために用いられる。原稿
２０４は、ハロゲンランプ２０５の光で照射される。原
稿２０４からの反射光はミラー２０６，２０７に導か
れ、レンズ２０８により３本のＣＣＤラインセンサーで
構成される３ラインセンサー（以下ＣＣＤという）２１
０上に像を結ぶ。ＣＣＤ２１０は原稿からの光情報を色
分解して、フルカラー情報のうちレッド（Ｒ）、グリー
ン（Ｇ）、ブルー（Ｂ）成分として信号処理部２０９に
送られる。なお、２０５，２０６は速度ｖで、２０７は
１／２ｖでラインセンサーの電気的走査方向（以下、主
走査方向）に対して垂直方向（以下、副走査方向）に機
械的に動くことにより、原稿全面を走査する。

【００５５】２１１は標準白色板であり、シェーディン
グ補正時に、センサー２１０−２〜２１０−４それぞれ
Ｒ，Ｇ，Ｂの成分のラインセンサーに対応する読み取り
データの補正のためのデータを発生するために用いられ
る。

【００５６】この標準白色板は可視光に対してほぼ均一
の反射特性を示している。この標準白色板を用いてＲ，
Ｇ，Ｂの可視センサー２１０−２〜２１０−４の出力デ
ータの補正に用いる。

【００５７】信号処理部２０９では読み取られた信号を
電気的に処理し、マゼンタ（Ｍ）、シアン（Ｃ）、イエ
ロー（Ｙ）、ブラック（ＢＫ）の各成分に分解し、プリ
ンター部２００に送る。また、イメージスキャナ部２０
１における一回の原稿走査（スキャン）につき、Ｍ，
Ｃ，Ｙ，ＢＫの内、一つの成分が順次に、プリンター２
００に送られ、計４回の原稿走査により一回のカラー画
像形成が完成する。

【００５８】イメージスキャナ部２０１より送られてく
るＭ，Ｃ，Ｙ，ＢＫの画像信号は、レーザードライバ２
１２に送られる。レーザードライバ２１２は画像信号に
応じ、半導体レーザー２１３を変調駆動する。レーザー
光はポリゴンミラー２１４、ｆ−θレンズ２１５、ミラ
ー２１６を介し、感光体ドラム２１７上を走査する。

【００５９】２１９〜２２２は現像器であり、マゼンタ
現像器２１９、シアン現像器２２０、イエロー現像器２
２１、ブラック現像器２２２より構成され、４つの現像
器が交互に感光体ドラムに接し、感光体ドラム２１７上
に形成されたＭ，Ｃ，Ｙ，ＢＫの静電潜像を対応するト
ナーで現像する。

【００６０】２２３は転写ドラムで、用紙カセット２２
４または２２５より給紙された用紙をこの転写ドラム２
２３に巻付け、感光体ドラム２１７上に現像されたトナ
ー像を用紙に転写する。このようにしてＭ，Ｃ，Ｙ，Ｂ
Ｋの４色が順次転写された後に、用紙は定着ユニット２
２６を通過して定着後、排紙される。 ［実施例］以下のようにしてフッ素変成有機ケイ素樹脂
を合成した。

【００６１】合成例１ フラスコに、水２４ｇ及びトルエン９０ｇの混合液を入
れ、これらを撹拌しながらこの中に、式：Ｃ₈ Ｆ₁₇Ｃ₂
Ｈ₄ ＳｉＣｌ₃ で表わされるヘプタデカフルオロデシル
トリクロロシラン２３ｇ、ジフェニルジクロロシラン１
０１ｇ及びトルエン１２０ｇの混合液を滴下した。

【００６２】滴下終了後、２時間混合した。次いで、こ
れを静置して水層を分離し、得られた有機溶剤層を純
水、１０重量％の重曹水、純水の順で繰り返し洗浄し
た。洗浄後、加熱により有機溶剤を除去して、下記の
式： ｛Ｆ（ＣＦ₂ ）₈ Ｃ₂ Ｈ₄ ＳｉＯ_3/2 ｝_X ｛（Ｃ
₆ Ｈ₅ ）₂ ＳｉＯ_2/2 ｝_y （式中、ｘは平均１であり、ｙは平均１０である。）で
示されるフッ素変成有機ケイ素樹脂８７ｇを得た。この
樹脂は７０℃の軟化点を有する白色の固体であった。重
量平均分子量は８．３×１０⁴ であった。

【００６３】合成例２ フラスコに、水２４ｇ及びトルエン７０ｇの混合液を入
れ、これらを撹拌しながらこの中に、式：Ｃ₈ Ｆ₁₇Ｃ₂
Ｈ₄ ＳｉＣｌ₃ で表わされるヘプタデカフルオロデシル
トリクロロシラン２３ｇ、ジフェニルジクロロシラン７
１ｇ、フェニルトリクロロシラン２５ｇ及びトルエン１
２０ｇの混合液を滴下した。

【００６４】滴下終了後、２時間混合した。次いで、こ
れを静置して水層を分離し、得られた有機溶剤層を純
水、１０重量％の重曹水、純水の順で繰り返し洗浄し
た。洗浄後、加熱により有機溶剤を除去して、下記の
式： ｛Ｆ（ＣＦ₂ ）₈ Ｃ₂ Ｈ₄ ＳｉＯ_3/2 ｝_X ｛（Ｃ
₆ Ｈ₅ ）₂ ＳｉＯ_2/2 ｝_y｛（Ｃ₆ Ｈ₅ ）ＳｉＯ_3/2 ｝_z （式中、ｘ：ｙ：ｚは平均１：７：３である。）で示さ
れるフッ素変成有機ケイ素樹脂８２ｇを得た。この樹脂
は３０〜４０℃の軟化点を有する白色の固体であった。
重量平均分子量は１．１×１０⁴ であった。

【００６５】合成例３ ｛Ｆ（ＣＦ₂ ）₄ Ｃ₂ Ｈ₄ ＳｉＯ_3/2 ｝_X ｛（ＣＨ₃ ）
₂ ＳｉＯ_2/2 ｝_y1｛（Ｃ₆ Ｈ₅ ）ＳｉＯ_3/2 ｝_y2 フラスコに、水１０ｇ、イソプロパノール２ｇ及びトル
エン２０ｇの混合液を入れ、これらを撹拌しながらこの
中に、式：Ｃ₄ Ｆ₉ Ｃ₂ Ｈ₄ ＳｉＣｌ₃ １１．４ｇ、
Ｍｅ₂ ＳｉＣｌ₂ ２．６ｇ、フェニルトリクロロシラ
ン２７．５ｇ及びトルエン３０ｇの混合液を滴下した。

【００６６】滴下終了後、２時間混合した。次いで、こ
れを静置して水層を分離し、得られた有機溶剤層を純
水、４重量％の重曹水、純水の順で繰り返し洗浄した。
洗浄後、加熱により有機溶剤を除去して、下記の式： ｛Ｆ（ＣＦ₂ ）₄ Ｃ₂ Ｈ₄ ＳｉＯ_3/2 ｝_X ｛（ＣＨ₃ ）
₂ ＳｉＯ_2/2 ｝_y1｛（Ｃ₆ Ｈ₅ ）ＳｉＯ_3/2 ｝_y2 （式中、ｘは平均１であり、ｙ₁ は平均１であり、ｙ₂
は平均６である。）で示されるフッ素変成有機ケイ素樹
脂２１ｇを得た。この樹脂は５０〜６０℃の軟化点を有
する白色の固体であった。重量平均分子量は４．９×１
０⁴ であった。

【００６７】合成例４ ｛（ＣＦ₃ ）Ｃ₂ Ｈ₄ ＳｉＯ_3/2 ｝_X1｛Ｆ（ＣＦ₂ ）₈
Ｃ₂ Ｈ₄ ＳｉＯ_3/2 ｝ _X2｛（ＣＨ₃ ）₃ ＳｉＯ_1/2 ｝_y1
｛（Ｃ₆ Ｈ₅ ）₂ ＳｉＯ_2/2 ｝_y2 フラスコに、水２０ｇ及びトルエン９０ｇの混合液を入
れ、これらを撹拌しながらこの中に、式：（ＣＦ₃ ）Ｃ
₂ Ｈ₄ ＳｉＣｌ₃ ４．７ｇ、Ｃ₈ Ｈ₁₇Ｃ₂ Ｈ ₄ ＳｉＣ
ｌ₃ １１．６ｇ、Ｍｅ₃ ＳｉＣｌ ５．６ｇ、ジフェ
ニルジクロロシラン７５．９ｇ及びトルエン１２０ｇの
混合液を滴下した。

【００６８】滴下終了後、２時間混合した。次いで、こ
れを静置して水層を分離し、得られた有機溶剤層を純
水、４重量％の重曹水、純水の順で繰り返し洗浄した。
洗浄後、加熱により有機溶剤を除去して、下記の式： ｛（ＣＦ₃ ）Ｃ₂ Ｈ₄ ＳｉＯ_3/2 ｝_X1｛Ｆ（ＣＦ₂ ）₈
Ｃ₂ Ｈ₄ ＳｉＯ_3/2 ｝ _X2｛（ＣＨ₃ ）₃ ＳｉＯ_1/2 ｝_y1
｛（Ｃ₆ Ｈ₅ ）₂ ＳｉＯ_2/2 ｝_y2 （式中、ｘ₁ は平均１であり、ｘ₂ は平均１であり、ｙ
₁ は平均３であり、ｙ₂は平均１３である。）で示され
るフッ素変成有機ケイ素樹脂６１ｇを得た。この樹脂は
６０〜７０℃の軟化点を有する白色の固体であった。重
量平均分子量は８．４×１０³ であった。

【００６９】合成例５ ｛Ｆ（ＣＦ₂ ）₈ Ｃ₂ Ｈ₄ ＳｉＯ_3/2 ｝_X ｛（ＣＨ₃ ）
₃ ＳｉＯ_1/2 ｝_y1｛（Ｃ₆ Ｈ₅ ）₂ ＳｉＯ_2/2 ｝_y2｛Ｓ
ｉＯ_4/2 ｝_y3 フラスコに、３６重量％塩酸水２４ｇ及びトルエン１０
０ｇの混合液を入れ、これらを撹拌しながらこの中に、
式：Ｃ₈ Ｆ₁₇Ｃ₂ Ｈ₄ ＳｉＣｌ₃ １１．５ｇ、Ｍｅ₃
ＳｉＣｌ １１．０ｇ、ジフェニルジクロロシラン２
５．１ｇ、Ｓｉ（ＯＣ₂ Ｈ₅ ）₄ ２０．４ｇ及びトル
エン１００ｇの混合液を滴下した。

【００７０】滴下終了後、２時間混合した。次いで、こ
れを静置して水層を分離し、得られた有機溶剤層を純
水、４重量％の重曹水、純水の順で繰り返し洗浄した。
洗浄後、加熱により有機溶剤を除去して、下記の式： ｛Ｆ（ＣＦ₂ ）₈ Ｃ₂ Ｈ₄ ＳｉＯ_3/2 ｝_X ｛（ＣＨ₃ ）
₃ ＳｉＯ_1/2 ｝_y1｛（Ｃ₆ Ｈ₅ ）₂ ＳｉＯ_2/2 ｝_y2｛Ｓ
ｉＯ_4/2 ｝_y3 （式中、ｘは平均１であり、ｙ₁ は平均５であり、ｙ₂
は平均５であり、ｙ₃ は平均６である。）で示されるフ
ッ素変成有機ケイ素樹脂３７ｇを得た。この樹脂の軟化
点は２００℃以上で、白色の固体であった。重量平均分
子量は４．５×１０³ であった。

【００７１】実施例１ 合成例１の樹脂、４−［２−（トリエトキシシリル）エ
チル］トリフェニルアミン及びポリカーボネート樹脂
（商品名 Ｚ−２００、三菱瓦斯化学（株）製）を固形
分としてそれぞれ２０重量％、４０重量％、４０重量％
となるようにＴＨＦに溶解した。

【００７２】これをガラス板にバーコートを用いて塗布
し、１２０度で１時間乾燥した。乾燥後、１０μｍの透
明で均一な膜が得られた。顕微鏡で観察したところ均一
フィルムが形成されたことが判明した。

【００７３】更に、このサンプルを分光光度計にて６０
０ｎｍの波長における吸収を測定したところ膜厚１μｍ
あたりの吸光度として０．００１が得られ透明であっ
た。

【００７４】また、水の接触角を測定したところ１０５
ｄｅｇと低表面エネルギー化されており良好であった。

【００７５】実施例２ 合成例２の樹脂、４−［２−（トリエトキシシリル）エ
チル］トリフェニルアミン及びポリカーボネート樹脂
（商品名 Ｚ−２００、三菱瓦斯化学（株）製）を固形
分としてそれぞれ２０重量％、４０重量％、４０重量％
となるようにＴＨＦに溶解した。

【００７６】これをガラス板にバーコートを用いて塗布
し、１２０度で１時間乾燥した。乾燥後、１０μｍの透
明で均一な膜が得られた。顕微鏡で観察したところ均一
フィルムが形成されたことが判明した。

【００７７】更に、このサンプルを分光光度計にて６０
０ｎｍの波長における吸収を測定したところ膜厚１μｍ
あたりの吸光度として０．００１が得られ透明であっ
た。

【００７８】また、水の接触角を測定したところ１０７
ｄｅｇと低表面エネルギー化されており良好であった。

【００７９】実施例３ 合成例２の樹脂、４−［２−（トリエトキシシリル）エ
チル］トリフェニルアミン及びポリカーボネート樹脂
（商品名 Ｚ−２００、三菱瓦斯化学（株）製）を固形
分としてそれぞれ２０重量％、４０重量％、４０重量％
となるようにＴＨＦに溶解した。

【００８０】これを５０μｍ厚のアルミニウム板にバー
コートを用いて塗布し、１２０度で１時間乾燥した。乾
燥後、２０μｍの透明で均一な膜が得られた。顕微鏡で
観察したところ均一フィルムが形成されたことが判明し
た。

【００８１】更に、このサンプルに導電性ゴムローラを
当接させてアルミニウム板をアースとして導電性ゴムロ
ーラに−６００Ｖを印加して、更に、ピーク間１５００
Ｖ、１５００Ｈｚの交流を重畳させることにより帯電に
よる劣化試験を１時間行った。劣化試験により導電性ゴ
ムローラが前記サンプルに当接している部分の近傍に放
電による凹みが生じ、その凹みの深さを耐放電性の評価
として測定した。その結果本実施例のシートにおける凹
みは０．３μｍときわめて小さいものであった。

【００８２】実施例４ 鏡面加工により作成した外径６０ｍｍのアルミニウムシ
リンダーに陽極酸化によりアルマイトを形成したものを
導電性支持体として用いた。

【００８３】次に、電荷発生層として下記のビスアゾ顔
料５部（重量部、以下同様）をシクロヘキサノン９５部
にポリビニルベンザール（ベンザール化度７５％以上）
２部を溶解した液に加え、サンドミルで２０時間分散し
た。

【００８４】この分散液を前記導電性支持体の上に乾燥
後の膜厚が０．２μｍとなるように浸漬コーティング法
で塗工した。

【００８５】

【化１】

【００８６】次いで、下記の構造式を有するトリアリー
ルアミン化合物５部と合成例１の樹脂２．５部及びポリ
カーボネート樹脂（商品名 Ｚ−４００、三菱瓦斯化学
（株）製）５部をテトラハイドロフラン７０部に溶解し
た電荷輸送層用の液を前記の電荷発生層の上に浸漬コー
ティング法により乾燥後１２μｍの膜厚に塗工した。

【００８７】

【化２】

【００８８】−７００Ｖに帯電して波長６８０ｎｍで電
子写真特性を測定したところ、Ｅ1/2 （−３５０Ｖまで
帯電電位が減少する露光量）＝１．２μＪ／ｃｍ² 、残
留電位４８Ｖと良好であった。

【００８９】本電子写真感光体をキヤノン製デジタル複
写機ＧＰ５５（ローラー帯電方式）を前述の照射スポッ
ト径となるように改造した評価機にて初期帯電−４００
Ｖにて画像評価を行ったところ、初期及び５０００枚耐
久試験後も、均一性の優れた画像出力が得られ、階調再
現性も４００ｄｐｉにて２５６階調ときわめて良好であ
り、感光体の摩耗量も１０００枚の耐久試験あたり０．
４μｍと少なかった。

【００９０】また、感光体の表面の水の接触角を測定す
ると初期が１０４ｄｅｇに対して５０００枚耐久試験後
も９８ｄｅｇと良好であった。

【００９１】実施例５ 合成例１の樹脂、４−［２−（トリエトキシシリル）エ
チル］トリフェニルアミン及びポリカーボネート樹脂
（商品名 Ｚ−２００、三菱瓦斯化学（株）製）を固形
分としてそれぞれ２０重量％、４０重量％、４０重量％
となるようにＴＨＦに溶解した。

【００９２】これを５０μｍ厚のアルミニウム板にバー
コートを用いて塗布し、１２０度で１時間乾燥した。乾
燥後、２０μｍの透明で均一な膜が得られた。顕微鏡で
観察したところ均一フィルムが形成されたことが判明し
た。

【００９３】更に、このサンプルに導電性ゴムローラを
当接させてアルミニウム板をアースとして導電性ゴムロ
ーラに−６００Ｖを印加して、更に、ピーク間１５００
Ｖ、１５００Ｈｚの交流を重畳させることにより帯電に
よる劣化試験を１時間行った。劣化試験により導電性ゴ
ムローラが前記シートに当接している部分の近傍に放電
による凹みが生じ、その凹みの深さを耐放電性の評価と
して測定した。その結果本実施例のシートにおける凹み
は０．１μｍときわめて小さいものであった。

【００９４】実施例６ 鏡面加工により作成した外径８０ｍｍのアルミニウムシ
リンダーに陽極酸化によりアルマイトを形成したものを
用いて電荷発生層及び電荷輸送層は実施例４と同じ条件
で感光体を作成した。

【００９５】本電子写真感光体をキヤノン製デジタルカ
ラー複写機ＣＬＣ５００（コロナ帯電方式）を前述の照
射スポット径となるように改造した評価機にて初期帯電
−４００Ｖにて画像評価を行ったところ、初期及び５０
００枚耐久試験後も、均一性の優れた画像出力が得ら
れ、階調再現性も４００ｄｐｉにて２５６階調ときわめ
て良好であり、感光体の摩耗量も１０００枚の耐久試験
あたり０．２μｍと少なかった。

【００９６】また、感光体の表面の水の接触角を測定す
ると初期が１０４ｄｅｇに対して５０００枚耐久試験後
も９４ｄｅｇと良好であった。

【００９７】実施例７ 引き抜き加工により得られた外径３０ｍｍのアルミニウ
ムシリンダーを用いて導電層としてフェノール樹脂（商
品名 プライオーフェン、大日本インキ化学工業（株）
製）１６７部をメチルセロソルブ１００部に溶解したも
のへ導電性硫酸バリウム超微粒子（１次粒径５０ｎｍ）
２００部及び平均粒径２μｍのシリコーン樹脂粒子３部
を分散したものを浸漬コーティング法により、乾燥後の
膜厚が１５μｍとなるように塗工した。

【００９８】下引き層としてアルコール可溶性共重合ナ
イロン（商品名 アミランＣＭ−８０００、東レ（株）
製）５部をメタノール９５部に溶解した溶液を浸漬コー
ティング法により塗工した。８０℃で１０分間乾燥し
て、膜厚が１μｍの下引き層を形成した。

【００９９】次に、電荷発生層としてＩ型オキシチタニ
ウムフタロシアニン顔料５部をシクロヘキサノン９５部
にポリビニルベンザール（ベンザール化度７５％以上）
２部を溶解した液に加え、サンドミルで２時間分散し
た。

【０１００】この分散液を先に形成した下引き層の上に
乾燥後の膜厚が０．２μｍとなるように浸漬コーティン
グ法で塗工した。

【０１０１】次いで、合成例２で用いたフッ素変成有機
ケイ素樹脂２７．５部と実施例４で用いたトリアリール
アミン化合物５５部とポリカーボネート樹脂（商品名
Ｚ−４００、三菱瓦斯化学（株）製）５５部をテトラハ
イドロフラン７０部に溶解した電荷輸送層用の液を前記
の電荷発生層の上に浸漬コーティング法により乾燥後１
０μｍの膜厚に塗工した。

【０１０２】水の接触角は１０５度であった。

【０１０３】−７００Ｖに帯電して波長６８０ｎｍで電
子写真特性を測定したところ、Ｅ1/2 （−３５０Ｖまで
帯電電位が減少する露光量）＝０．１μＪ／ｃｍ² 、残
留電位４５Ｖと良好であった。

【０１０４】本電子写真感光体をキヤノン製レーザービ
ームプリンタＰ２７０の改造機（前述の照射スポット条
件に改造、ＡＣローラー帯電器使用）にて初期帯電−５
００Ｖにて画像評価を行ったところ、４０００枚の耐久
試験後の感光体の摩耗量は２μｍ以下ときわめて少な
く、耐久後の水の接触角も１００度と良好で、画像の劣
化もなく、６００ｄｐｉ相当の入力信号においてのハイ
ライト部の１画素再現性も十分であった。

【０１０５】実施例８ 実施例７と同様に引き抜き加工により得られた外径３０
ｍｍのアルミニウムシリンダーを用いて導電層としてフ
ェノール樹脂（商品名 プライオーフェン、大日本イン
キ化学工業（株）製）１６７部をメチルセロソルブ１０
０部に溶解したものへ導電性硫酸バリウム超微粒子（１
次粒径５０ｎｍ）２００部を分散したものを浸漬コーテ
ィング法により、乾燥後の膜厚が１０μｍとなるように
塗工した。この導電性支持体に実施例６と同様に１μｍ
の下引き層、０．２μｍの電荷発生層を形成した。

【０１０６】次に、実施例４において用いたトリアリー
ルアミン化合物５部とポリカーボネート樹脂（商品名
Ｚ−４００、三菱瓦斯化学（株）製）５部をクロロベン
ゼン７０部に溶解した電荷輸送層用の液を前記の電荷発
生層の上に浸漬コーティング法により乾燥後８μｍの膜
厚に塗工した。

【０１０７】前記電荷輸送層の上に実施例２で作成した
樹脂溶液をスプレーコーティング法により乾燥後４μｍ
となるように塗布した。

【０１０８】１１０℃にて２時間乾燥、熱硬化して本発
明の感光体を作成した。

【０１０９】水の接触角は１０９度であった。

【０１１０】−７００Ｖに帯電して波長６８０ｎｍで電
子写真特性を測定したところ、Ｅ1/2 （−３５０Ｖまで
帯電電位が減少する露光量）＝０．１４μＪ／ｃｍ² 、
残留電位３９Ｖと良好であった。

【０１１１】本電子写真感光体をキヤノン製レーザービ
ームプリンタＰ２７０の改造機（７８０ｎｍ、１００ｍ
Ｗの半導体レーザーを用いてレーザースポット径６０×
２０μｍ² に光学系を変更）にて初期帯電−５００Ｖに
て画像評価を行ったところ、４０００枚の耐久試験後の
感光体の摩耗量は２．５μｍときわめて少なく、水の接
触角は９８度と良好で黒ポチ等の電荷注入及び干渉縞に
よる画像の劣化もなく、６００ｄｐｉ相当の入力信号に
おいてのハイライト部の１画素再現性も十分であった。

【０１１２】実施例９ 引き抜き加工により得られた外径３０ｍｍのアルミニウ
ムシリンダーを用いて導電層としてフェノール樹脂（商
品名 プライオーフェン、大日本インキ化学工業（株）
製）１６７部をメチルセロソルブ１００部に溶解したも
のへ導電性硫酸バリウム超微粒子（１次粒径５０ｎｍ）
２００部及び平均粒径２μｍのシリコーン樹脂粒子３部
を分散したものを浸漬コーティング法により、乾燥後の
膜厚が１５μｍとなるように塗工した。

【０１１３】下引き層としてアルコール可溶性共重合ナ
イロン（商品名 アミランＣＭ−８０００、東レ（株）
製）５部をメタノール９５部に溶解した溶液を浸漬コー
ティング法により塗工した。８０℃で１０分間乾燥し
て、膜厚が１μｍの下引き層を形成した。

【０１１４】次に、電荷発生層としてＩ型オキシチタニ
ウムフタロシアニン顔料５部をシクロヘキサノン９５部
にポリビニルベンザール（ベンザール化度７５％以上）
２部を溶解した液に加え、サンドミルで２時間分散し
た。

【０１１５】この分散液を先に形成した下引き層の上に
乾燥後の膜厚が０．２μｍとなるように浸漬コーティン
グ法で塗工した。

【０１１６】次いで、合成例２で用いたフッ素変成有機
ケイ素樹脂２７．５部と実施例４で用いたトリアリール
アミン化合物５５部とポリカーボネート樹脂（商品名
Ｚ−４００、三菱瓦斯化学（株）製）５５部をテトラハ
イドロフラン７０部に溶解した電荷輸送層用の液を前記
の電荷発生層の上に浸漬コーティング法により乾燥後２
０μｍの膜厚に塗工した。

【０１１７】水の接触角は１０５度であった。

【０１１８】−７００Ｖに帯電して波長６８０ｎｍで電
子写真特性を測定したところ、Ｅ1/2 （−３５０Ｖまで
帯電電位が減少する露光量）＝０．１１μＪ／ｃｍ² 、
残留電位５１Ｖと良好であった。

【０１１９】本電子写真感光体をキヤノン製レーザービ
ームプリンタＰ２７０の改造機（前述の照射スポット条
件に改造、ＡＣローラー帯電器使用）にて初期帯電−５
００Ｖにて画像評価を行ったところ、４０００枚の耐久
試験後の感光体の摩耗量は２μｍ以下ときわめて少な
く、耐久後の水の接触角も１００度と良好で、画像の劣
化もなかったが６００ｄｐｉ相当の入力信号においての
ハイライト部の１画素再現性がやや不十分であった。

【０１２０】実施例１０ 引き抜き加工により得られた外径３０ｍｍのアルミニウ
ムシリンダーを用いて導電層としてフェノール樹脂（商
品名 プライオーフェン、大日本インキ化学工業（株）
製）１６７部をメチルセロソルブ１００部に溶解したも
のへ導電性硫酸バリウム超微粒子（１次粒径５０ｎｍ）
２００部及び平均粒径２μｍのシリコーン樹脂粒子３部
を分散したものを浸漬コーティング法により、乾燥後の
膜厚が１５μｍとなるように塗工した。

【０１２１】下引き層としてアルコール可溶性共重合ナ
イロン（商品名 アミランＣＭ−８０００、東レ（株）
製）５部をメタノール９５部に溶解した溶液を浸漬コー
ティング法により塗工した。８０℃で１０分間乾燥し
て、膜厚が１μｍの下引き層を形成した。

【０１２２】次に、電荷発生層としてＩ型オキシチタニ
ウムフタロシアニン顔料５部をシクロヘキサノン９５部
にポリビニルベンザール（ベンザール化度７５％以上）
２部を溶解した液に加え、サンドミルで２時間分散し
た。

【０１２３】この分散液を先に形成した下引き層の上に
乾燥後の膜厚が０．２μｍとなるように浸漬コーティン
グ法で塗工した。

【０１２４】次いで、合成例３で用いたフッ素変成有機
ケイ素樹脂４７．０部と実施例４で用いたトリアリール
アミン化合物５５部とポリカーボネート樹脂（商品名
Ｚ−４００、三菱瓦斯化学（株）製）５５部をテトラハ
イドロフラン１５０部に溶解した電荷輸送層用の液を前
記の電荷発生層の上に浸漬コーティング法により乾燥後
１２μｍの膜厚に塗工した。

【０１２５】水の接触角は１０２度であった。

【０１２６】−５５０Ｖに帯電して波長６８０ｎｍで電
子写真特性を測定したところ、Ｅ1/2 （−２７５Ｖまで
帯電電位が減少する露光量）＝０．１６μＪ／ｃｍ² 、
残留電位３０Ｖと良好であった。

【０１２７】本電子写真感光体をキヤノン製レーザービ
ームプリンタＰ２７０の改造機（前述の照射スポット条
件に改造、ＡＣローラー帯電器使用）にて初期帯電−５
００Ｖにて画像評価を行ったところ、４０００枚の耐久
試験後の感光体の摩耗量は２μｍ以下ときわめて少な
く、耐久後の水の接触角も９０度と良好で、画像の劣化
もなかった。

【０１２８】実施例１１ 引き抜き加工により得られた外径３０ｍｍのアルミニウ
ムシリンダーを用いて導電層としてフェノール樹脂（商
品名 プライオーフェン、大日本インキ化学工業（株）
製）１６７部をメチルセロソルブ１００部に溶解したも
のへ導電性硫酸バリウム超微粒子（１次粒径５０ｎｍ）
２００部及び平均粒径２μｍのシリコーン樹脂粒子３部
を分散したものを浸漬コーティング法により、乾燥後の
膜厚が１５μｍとなるように塗工した。

【０１２９】下引き層としてアルコール可溶性共重合ナ
イロン（商品名 アミランＣＭ−８０００、東レ（株）
製）５部をメタノール９５部に溶解した溶液を浸漬コー
ティング法により塗工した。８０℃で１０分間乾燥し
て、膜厚が１μｍの下引き層を形成した。

【０１３０】次に、電荷発生層としてＩ型オキシチタニ
ウムフタロシアニン顔料５部をシクロヘキサノン９５部
にポリビニルベンザール（ベンザール化度７５％以上）
２部を溶解した液に加え、サンドミルで２時間分散し
た。

【０１３１】この分散液を先に形成した下引き層の上に
乾燥後の膜厚が０．２μｍとなるように浸漬コーティン
グ法で塗工した。

【０１３２】次いで、合成例４で用いたフッ素変成有機
ケイ素樹脂７０部と実施例４で用いたトリアリールアミ
ン化合物５５部とポリカーボネート樹脂（商品名 Ｚ−
４００、三菱瓦斯化学（株）製）５５部をテトラハイド
ロフラン１５０部に溶解した電荷輸送層用の液を前記の
電荷発生層の上に浸漬コーティング法により乾燥後１５
μｍの膜厚に塗工した。

【０１３３】水の接触角は１１２度であった。

【０１３４】−７００Ｖに帯電して波長６８０ｎｍで電
子写真特性を測定したところ、Ｅ1/2 （−３５０Ｖまで
帯電電位が減少する露光量）＝０．２０μＪ／ｃｍ² 、
残留電位４０Ｖと良好であった。

【０１３５】本電子写真感光体をキヤノン製レーザービ
ームプリンタＰ２７０の改造機（前述の照射スポット条
件に改造、ＡＣローラー帯電器使用）にて初期帯電−５
００Ｖにて画像評価を行ったところ、４０００枚の耐久
試験後の感光体の摩耗量は３μｍ以下ときわめて少な
く、耐久後の水の接触角も１００度と良好で、画像の劣
化もなかった。

【０１３６】実施例１２ 引き抜き加工により得られた外径３０ｍｍのアルミニウ
ムシリンダーを用いて導電層としてフェノール樹脂（商
品名 プライオーフェン、大日本インキ化学工業（株）
製）１６７部をメチルセロソルブ１００部に溶解したも
のへ導電性硫酸バリウム超微粒子（１次粒径５０ｎｍ）
２００部及び平均粒径２μｍのシリコーン樹脂粒子３部
を分散したものを浸漬コーティング法により、乾燥後の
膜厚が１５μｍとなるように塗工した。

【０１３７】下引き層としてアルコール可溶性共重合ナ
イロン（商品名 アミランＣＭ−８０００、東レ（株）
製）５部をメタノール９５部に溶解した溶液を浸漬コー
ティング法により塗工した。８０℃で１０分間乾燥し
て、膜厚が１μｍの下引き層を形成した。

【０１３８】次に、電荷発生層としてＩ型オキシチタニ
ウムフタロシアニン顔料５部をシクロヘキサノン９５部
にポリビニルベンザール（ベンザール化度７５％以上）
２部を溶解した液に加え、サンドミルで２時間分散し
た。

【０１３９】この分散液を先に形成した下引き層の上に
乾燥後の膜厚が０．２μｍとなるように浸漬コーティン
グ法で塗工した。

【０１４０】次いで、合成例５で用いたフッ素変成有機
ケイ素樹脂２０部と実施例４で用いたトリアリールアミ
ン化合物５５部とポリカーボネート樹脂（商品名 Ｚ−
４００、三菱瓦斯化学（株）製）５５部をテトラハイド
ロフラン１５０部に溶解した電荷輸送層用の液を前記の
電荷発生層の上に浸漬コーティング法により乾燥後１２
μｍの膜厚に塗工した。

【０１４１】水の接触角は１０８度であった。

【０１４２】−５５０Ｖに帯電して波長６８０ｎｍで電
子写真特性を測定したところ、Ｅ1/2 （−２７５Ｖまで
帯電電位が減少する露光量）＝０．１９μＪ／ｃｍ² 、
残留電位２８Ｖと良好であった。

【０１４３】本電子写真感光体をキヤノン製レーザービ
ームプリンタＰ２７０の改造機（前述の照射スポット条
件に改造、ＡＣローラー帯電器使用）にて初期帯電−５
００Ｖにて画像評価を行ったところ、４０００枚の耐久
試験後の感光体の摩耗量は３μｍ以下ときわめて少な
く、耐久後の水の接触角も９３度と良好で、画像の劣化
もなかった。

【０１４４】比較例１ テフロン微粒子（タイキン工業（株）製、ルブロンＬＤ
−１、粒子径 約０．２μｍ）、４−［２−（トリエト
キシシリル）エチル］トリフェニルアミン及びポリカー
ボネート樹脂（商品名 Ｚ−２００、三菱瓦斯化学
（株）製）を固形分としてそれぞれ５重量％、４７．５
重量％、４７．５重量％となるようにＴＨＦに溶解し
た。

【０１４５】これをガラス板にバーコートを用いて塗布
し、１２０度で１時間乾燥したところ、乾燥後、１０μ
ｍの白濁した膜が得られた。顕微鏡で観察したところ凝
集したテフロン粒子が観測された。

【０１４６】更に、このサンプルを分光光度計にて６０
０ｎｍの波長における吸収を測定したところ膜厚１μｍ
あたりの吸光度として０．０２２が得られ、かなりの光
が散乱していることが確認された。

【０１４７】また、水の接触角を測定したところ８６ｄ
ｅｇと低表面エネルギー化は不十分であった。

【０１４８】比較例２ メチルポリシロキサン樹脂を主成分とする樹脂溶液の調
整 メチルシロキサン単位８０モル％、ジメチルシロキサン
単位２０モル％からなる１重量％のシラノール基を含む
シリコーン樹脂１０ｇをトルエン１０ｇに溶解し、均一
な溶液にした。

【０１４９】電荷輸送層への相溶性試験 上記メチルポリシロキサン樹脂溶液、４−［２−（トリ
エトキシシリル）エチル］トリフェニルアミン及びポリ
カーボネート樹脂（商品名 Ｚ−２００、三菱瓦斯化学
（株）製）を固形分としてそれぞれ５重量％、４７．５
重量％、４７．５重量％となるようにＴＨＦに溶解し
た。

【０１５０】これをガラス板にバーコートを用いて塗布
し、１２０度で１時間乾燥したところ、乾燥後、１０μ
ｍの白濁した凹凸のある膜が得られた。顕微鏡で観察し
たところ凝集した不均一な部分が観測された。

【０１５１】更に、このサンプルを分光光度計にて６０
０ｎｍの波長における吸収を測定したところ膜厚１μｍ
あたりの吸光度として０．０５が得られ、かなりの光が
散乱していることが確認された。

【０１５２】また、水の接触角を測定したところ１０３
ｄｅｇと低表面エネルギー化されており良好であった。

【０１５３】比較例３ フェニルポリシロキサン樹脂を主成分とする樹脂溶液の
調製 フェニルシロキサン単位４０モル％、ジフェニルシロキ
サン単位２０モル％、メチルシロキサン単位２０モル
％、ジメチルシロキサン単位２０％からなる１重量％の
シラノール基を含むシロキサン樹脂１２ｇをトルエン１
０ｇに溶解し、均一な溶液にした。

【０１５４】電荷輸送層への相溶性試験 上記メチルポリフェニルシロキ樹脂溶液、４−［２−
（トリエトキシシリル）エチル］トリフェニルアミン及
びポリカーボネート樹脂（商品名 Ｚ−２００、三菱瓦
斯化学（株）製）を固形分としてそれぞれ２０重量％、
４０重量％、４０重量％となるようにＴＨＦに溶解し
た。

【０１５５】これをガラス板にバーコートを用いて塗布
し、１２０度で１時間乾燥したところ、乾燥後、１０μ
ｍの白濁した膜が得られた。

【０１５６】更に、このサンプルを分光光度計にて６０
０ｎｍの波長における吸収を測定したところ膜厚１μｍ
あたりの吸光度として０．０１２が得られ、かなりの光
が散乱していることが確認された。

【０１５７】また、水の接触角を測定したところ８８ｄ
ｅｇと低表面エネルギー化は十分ではなかった。

【０１５８】比較例４ ４−［２−（トリエトキシシリル）エチル］トリフェニ
ルアミン及びポリカーボネート樹脂（商品名 Ｚ−２０
０、三菱瓦斯化学（株）製）を固形分としてそれぞれ５
０重量％、５０重量％となるようにＴＨＦに溶解した。

【０１５９】これを５０μｍ厚のアルミニウム板にバー
コートを用いて塗布し、１２０度で１時間乾燥したとこ
ろ、乾燥後、２０μｍの透明で均一な膜が得られた。顕
微鏡で観察したところ均一フィルムが形成されたことが
判明した。

【０１６０】更に、このサンプルに導電性ゴムローラを
当接させてアルミニウム板をアースとして導電性ゴムロ
ーラに−６００Ｖを印加して、更に、ピーク間１５００
Ｖ、１５００Ｈｚの交流を重畳させることにより帯電に
よる劣化試験を１時間行った。劣化試験により導電性ゴ
ムローラが前記シートに当接している部分の近傍に放電
による凹みが生じ、その凹みの深さを耐放電性の評価と
して測定した。

【０１６１】その結果上記のシートにおける凹みは１μ
ｍとかなり大きいものであった。

【０１６２】比較例５ 実施例４において用いたトリアリールアミン化合物５部
とポリカーボネート樹脂（商品名 Ｚ−４００、三菱瓦
斯化学（株）製）５部をクロロベンゼン７０部に溶解し
た電荷輸送層用の液を前記電荷発生層の上に浸漬コーテ
ィング法により乾燥後１２μｍの膜厚に塗工して実施例
４と同じキヤノン製レーザービームプリンタにて画像評
価を行ったところ、４０００枚の耐久試験後は干渉縞及
び黒ポチが認められ、摩耗量が５μｍと大きく、水の接
触角も７２度と小さいために不良であり、６００ｄｐｉ
でのハイライト部の１画素再現も不十分でムラがあっ
た。

【０１６３】比較例６ 引き抜き加工により得られた外径３０ｍｍのアルミニウ
ムシリンダーを用いて導電層としてフェノール樹脂（商
品名 プライオーフェン、大日本インキ化学工業（株）
製）１６７部をメチルセロソルブ１００部に溶解したも
のへ導電性硫酸バリウム超微粒子（１次粒径５０ｎｍ）
２００部及び平均粒径２μｍのシリコーン樹脂粒子３部
を分散したものを浸漬コーティング法により、乾燥後の
膜厚が１５μｍとなるように塗工した。

【０１６４】下引き層としてアルコール可溶性共重合ナ
イロン（商品名 アミランＣＭ−８０００、東レ（株）
製）５部をメタノール９５部に溶解した溶液を浸漬コー
ティング法により塗工した。８０℃で１０分間乾燥し
て、膜厚が１μｍの下引き層を形成した。

【０１６５】次に、電荷発生層としてＩ型オキシチタニ
ウムフタロシアニン顔料５部をシクロヘキサノン９５部
にポリビニルベンザール（ベンザール化度７５％以上）
２部を溶解した液に加え、サンドミルで２時間分散し
た。この分散液を先に形成した下引き層の上に乾燥後の
膜厚が０．２μｍとなるように浸漬コーティング法で塗
工した。

【０１６６】前記電荷発生層の上に実施例４において用
いたトリアリールアミン化合物５部とポリカーボネート
樹脂（商品名 Ｚ−４００、三菱瓦斯化学（株）製）５
部及びテフロン微粒子０．５部をクロロベンゼン７０部
に分散、溶解した電荷輸送層用の液を浸漬コーティング
法により乾燥後１２μｍの膜厚に塗工して実施例４と同
じキヤノン製レーザービームプリンタにて画像評価を行
ったところ、４０００枚の耐久試験後は摩耗量が４μｍ
程度であり、水の接触角も８９度とやや低表面エネルギ
ーであったが、６００ｄｐｉでのハイライト部の１画素
再現は耐久初期から不十分でムラがあった。

【０１６７】

【発明の効果】本発明の電子写真感光体は、特定のフッ
素変性有機ケイ素樹脂を表面層に用いているため、耐摩
耗性に優れ、かつ表面エネルギーが小さいことから汚染
が少なく、クリーニング性に優れる。しかも残留電位等
の電気特性に優れる。更に、該電子写真感光体は光散乱
も少ないことからこれを用いた電子写真画像形成装置は
耐久性が優れているのみでなく、耐久後も良好な画像を
提供する。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の電子写真装置の一例を示す正面図であ
る。

【図２】本発明の電子写真装置の他の例を示す正面図で
ある。

【図３】本発明の電子写真装置の他の例を示す正面図で
ある。

【図４】照射光ビームの強度分布とスポット面積の関係
を示す図である。

【図５】本発明の電子写真装置の他の例を示す正面図で
ある。

【図６】本発明の電子写真装置の他の例を示す正面図で
ある。

【符号の説明】

１ 電子写真感光体 ２ 帯電手段 ４ 現像手段 ５ 転写手段 ６ クリーニング手段 ７ 前露光手段 ９ 記録材 １０ 直接帯電部材

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 長尾 弥生 東京都大田区下丸子３丁目30番２号 キヤ ノン株式会社内 (72)発明者 小林 秀樹 千葉県市原市千種海岸２番２ 東レ・ダウ コーニング・シリコーン株式会社研究開発 本部内 (72)発明者 正富 亨 千葉県市原市千種海岸２番２ 東レ・ダウ コーニング・シリコーン株式会社研究開発 本部内

Claims (9)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 導電性支持体上に感光層を有する電子写
   真感光体において、該感光体の表面層が、下記平均単位
   式（Ｉ）で示されるフッ素変成有機ケイ素樹脂を含有す
   ることを特徴とする電子写真感光体。 ｛Ｆ（ＣＦ₂)_a1−Ｑ₁ −Ｒ_1m1 ＳｉＯ_(3-m1)/2｝_x1｛Ｆ（ＣＦ₂)_a2−Ｑ₂ −Ｒ_{2m 2} ＳｉＯ_(3-m2)/2｝_x2・・・｛Ｆ（ＣＦ₂)_ap−Ｑ_p −Ｒ_pmp ＳｉＯ_(3-mp)/2｝_xp ｛Ｒ'_1n1ＳｉＯ_(4-n1)/2｝_y1｛Ｒ'_2n2ＳｉＯ_(4-n2)/2｝_y2・・・｛Ｒ'_qnqＳｉＯ _(4-nq)/2 ｝_yq （Ｉ） （式中、Ｒ₁ ，…，Ｒ_p ，Ｒ'₁，…，Ｒ'_qはアルキル基
   またはアリール基であり、Ｑ₁ ，…，Ｑ_p はアルキレン
   基である。ｍ₁ ，…，ｍ_p は０〜２の整数であり、ｎ
   ₁ ，…，ｎ_q は０〜３の整数であり、ａ₁ ，…，ａ_p は
   整数であり、ｘ₁ 及びｙ₁ は０を越える数であり、ｘ
   ₂ ，…，ｘ_p 、ｙ₂ ，…，ｙ_q は０以上の数である。）
2. 【請求項２】 前記表面層が、感光層である請求項１記
   載の電子写真感光体。
3. 【請求項３】 前記表面層が、電荷輸送層である請求項
   １記載の電子写真感光体。
4. 【請求項４】 前記表面層が、電荷発生層である請求項
   １記載の電子写真感光体。
5. 【請求項５】 前記表面層が、保護層である請求項１記
   載の電子写真感光体。
6. 【請求項６】 Ｒ₁ ，…，Ｒ_p ，Ｒ'₁，…，Ｒ'_qが炭素
   数１〜１２であり、Ｑ₁ ，…，Ｑ_p が炭素数２〜６であ
   り、（ｘ₁ ＋ｘ₂ ＋…＋ｘ_p ）：（ｙ₁ ＋ｙ ₂ ＋…＋ｙ
   _q ）＝１：２０〜１：５である請求項１記載の電子写真
   感光体。
7. 【請求項７】 前記フッ素変成有機ケイ素樹脂の重量平
   均分子量が、１０００〜１０００００である請求項１記
   載の電子写真感光体。
8. 【請求項８】 請求項１記載の電子写真感光体と、前記
   電子写真感光体を帯電させる帯電手段と、帯電した前記
   電子写真感光体に対し像露光を行い静電潜像を形成する
   像露光手段と、静電潜像の形成された前記電子写真感光
   体をトナーで現像する現像手段とを有することを特徴と
   する電子写真装置。
9. 【請求項９】 帯電手段、現像手段、及びクリーニング
   手段のうちの少なくとも１つを、請求項１記載の電子写
   真感光体とともにひとまとめに構成したことを特徴とす
   るプロセスカートリッジ。