JPH11202530A - 電子写真感光体及び電子写真画像形成装置 - Google Patents
電子写真感光体及び電子写真画像形成装置Info
- Publication number
- JPH11202530A JPH11202530A JP351198A JP351198A JPH11202530A JP H11202530 A JPH11202530 A JP H11202530A JP 351198 A JP351198 A JP 351198A JP 351198 A JP351198 A JP 351198A JP H11202530 A JPH11202530 A JP H11202530A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- electrophotographic
- protective layer
- image
- layer
- image forming
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Discharging, Photosensitive Material Shape In Electrophotography (AREA)
- Photoreceptors In Electrophotography (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 光散乱やブリードがなく、光学的に均一な状
態の表面保護層であって低表面エネルギーと硬度や強度
等の機械的特性に優れ、かつ耐アーク放電等による劣化
による表面抵抗の低下がなく、高湿下においても高品位
の画像を保つことのできる高解像かつ帯電安定性に優れ
た電子写真感光体及び該感光体を有する電子写真画像形
成装置を提供する。 【解決手段】 支持体上に感光層及び保護層を有する電
子写真感光体において、該保護層がコロイダルシリカ及
びシロキサン樹脂を含有し、かつ導電性粒子を含有する
電子写真感光体及び該感光体を有する電子写真画像形成
装置。
態の表面保護層であって低表面エネルギーと硬度や強度
等の機械的特性に優れ、かつ耐アーク放電等による劣化
による表面抵抗の低下がなく、高湿下においても高品位
の画像を保つことのできる高解像かつ帯電安定性に優れ
た電子写真感光体及び該感光体を有する電子写真画像形
成装置を提供する。 【解決手段】 支持体上に感光層及び保護層を有する電
子写真感光体において、該保護層がコロイダルシリカ及
びシロキサン樹脂を含有し、かつ導電性粒子を含有する
電子写真感光体及び該感光体を有する電子写真画像形成
装置。
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、電子写真方式を用
いた複写機、プリンター、ファクシミリ及び製版システ
ム等に広く用いることのできる電子写真感光体及びそれ
を有する電子写真画像形成装置に関するものであり、更
に詳しくは、帯電安定性に優れ、かつ高い画像均一性と
耐摩耗性等の耐久性に優れ、また表面エネルギーの小さ
いことによる耐汚染性及び滑り性に優れた表面保護層を
有する電子写真感光体及びそれを有する電子写真画像形
成装置に関するものである。
いた複写機、プリンター、ファクシミリ及び製版システ
ム等に広く用いることのできる電子写真感光体及びそれ
を有する電子写真画像形成装置に関するものであり、更
に詳しくは、帯電安定性に優れ、かつ高い画像均一性と
耐摩耗性等の耐久性に優れ、また表面エネルギーの小さ
いことによる耐汚染性及び滑り性に優れた表面保護層を
有する電子写真感光体及びそれを有する電子写真画像形
成装置に関するものである。
【0002】
【従来の技術】電子写真感光体には、適用される電子写
真プロセスに応じた所要の感度、電気特性及び光学特性
等を備えていることはもちろんであるが、特に、繰り返
し使用される感光体の表面には、コロナ帯電及びローラ
ー帯電等の帯電プロセス、現像プロセス、転写プロセス
及びクリーニングプロセス等により電気的あるいは機械
的な影響が直接に加えられるために、それらに対する耐
久性が要求される。
真プロセスに応じた所要の感度、電気特性及び光学特性
等を備えていることはもちろんであるが、特に、繰り返
し使用される感光体の表面には、コロナ帯電及びローラ
ー帯電等の帯電プロセス、現像プロセス、転写プロセス
及びクリーニングプロセス等により電気的あるいは機械
的な影響が直接に加えられるために、それらに対する耐
久性が要求される。
【0003】具体的には、摺擦による感光体表面の摩耗
や傷の発生や高湿下における帯電時に発生し易い電気的
な感光体表面の劣化等に対する耐久性が要求される。特
に、ローラー帯電方式等の放電現象を用いた帯電方式に
おいては高エネルギーのアーク放電に対する耐久性が要
求される。
や傷の発生や高湿下における帯電時に発生し易い電気的
な感光体表面の劣化等に対する耐久性が要求される。特
に、ローラー帯電方式等の放電現象を用いた帯電方式に
おいては高エネルギーのアーク放電に対する耐久性が要
求される。
【0004】また、トナーによる現像とクリーニングの
繰り返し等に起因した、感光体表面へのトナーの付着と
いう問題もあり、これに対しては感光体表面のクリーニ
ング性の向上が求められている。
繰り返し等に起因した、感光体表面へのトナーの付着と
いう問題もあり、これに対しては感光体表面のクリーニ
ング性の向上が求められている。
【0005】上記のような感光体表面に要求される様々
な特性を満たすために、感光層上に種々の樹脂を主成分
とする表面保護層を設ける試みがなされている。例え
ば、特開昭57−30843号公報には、導電性粒子と
して金属酸化物粒子を添加することによって抵抗を制御
した保護層が提案されている。
な特性を満たすために、感光層上に種々の樹脂を主成分
とする表面保護層を設ける試みがなされている。例え
ば、特開昭57−30843号公報には、導電性粒子と
して金属酸化物粒子を添加することによって抵抗を制御
した保護層が提案されている。
【0006】また、保護層のみでなく電荷輸送層中に種
々の物質を添加することで感光体表面の物性を改善する
ことも検討されている。例えば、シリコーン樹脂の低表
面エネルギーに注目した添加物としては下記のようなも
のが報告されている。
々の物質を添加することで感光体表面の物性を改善する
ことも検討されている。例えば、シリコーン樹脂の低表
面エネルギーに注目した添加物としては下記のようなも
のが報告されている。
【0007】シリコーンオイル(特開昭61−1329
54号公報)、ポリジメチルシロキサン、シリコーン樹
脂粉体(特開平4−324454号公報)、架橋シリコ
ーン樹脂、ポリ(カーボネートシリコン)ブロック共重
合体、シリコーン変成ポリウレタン、シリコーン変成ポ
リエステル、熱硬化性シリコーン樹脂(特公平5−46
940号公報)低表面エネルギーの代表的なポリマーと
してはフッ素系高分子があり、該フッ素系高分子として
添加できるものとしては下記のものがある。
54号公報)、ポリジメチルシロキサン、シリコーン樹
脂粉体(特開平4−324454号公報)、架橋シリコ
ーン樹脂、ポリ(カーボネートシリコン)ブロック共重
合体、シリコーン変成ポリウレタン、シリコーン変成ポ
リエステル、熱硬化性シリコーン樹脂(特公平5−46
940号公報)低表面エネルギーの代表的なポリマーと
してはフッ素系高分子があり、該フッ素系高分子として
添加できるものとしては下記のものがある。
【0008】ポリテトラフルオロエチレン粉体、フッ化
カーボン粉末
カーボン粉末
【0009】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、金属酸
化物等を含む表面保護層はかなりの硬度を有するものが
得られるが表面エネルギーは大きくなり易いためにクリ
ーニング性等に問題がある。
化物等を含む表面保護層はかなりの硬度を有するものが
得られるが表面エネルギーは大きくなり易いためにクリ
ーニング性等に問題がある。
【0010】また、従来用いられていた方法では、金属
酸化物粒子の結着樹脂中での分散性や凝集性、また保護
層に用いた際の導電性や透明度に問題があり、保護層表
面の不均一性やムラ等による画像欠陥、繰り返し帯電に
よる残留電位の上昇、また感度低下といった現象が起こ
り易かった。
酸化物粒子の結着樹脂中での分散性や凝集性、また保護
層に用いた際の導電性や透明度に問題があり、保護層表
面の不均一性やムラ等による画像欠陥、繰り返し帯電に
よる残留電位の上昇、また感度低下といった現象が起こ
り易かった。
【0011】また、電子写真感光体用の保護層に金属酸
化物粒子を分散するのは、保護層自体の電気抵抗を制御
し電子写真プロセスの繰り返しにおける感光体内での残
留電位の増加を防止するのがその主な目的であり、他
方、電子写真感光体用の保護層の適切な抵抗値は1010
〜1015Ω・cmであることが示されている。しかしな
がら、前記の範囲の抵抗値においては、保護層の電気抵
抗はイオン電導によって影響を受け易く、そのために環
境の変化によって電気抵抗が大きく変化する傾向にあ
る。特に、金属酸化物粒子を膜中に分散している場合に
は、金属酸化物粒子表面の吸水性が高いために、全環境
において、しかも電子写真プロセスの繰り返しを行う際
に、保護層の抵抗を前記範囲内に保つことはこれまで非
常に困難であった。
化物粒子を分散するのは、保護層自体の電気抵抗を制御
し電子写真プロセスの繰り返しにおける感光体内での残
留電位の増加を防止するのがその主な目的であり、他
方、電子写真感光体用の保護層の適切な抵抗値は1010
〜1015Ω・cmであることが示されている。しかしな
がら、前記の範囲の抵抗値においては、保護層の電気抵
抗はイオン電導によって影響を受け易く、そのために環
境の変化によって電気抵抗が大きく変化する傾向にあ
る。特に、金属酸化物粒子を膜中に分散している場合に
は、金属酸化物粒子表面の吸水性が高いために、全環境
において、しかも電子写真プロセスの繰り返しを行う際
に、保護層の抵抗を前記範囲内に保つことはこれまで非
常に困難であった。
【0012】また、一般的に保護層に粒子を分散させた
場合、分散粒子による入射光の散乱を防ぐためには、入
射光の波長よりも粒子の粒径が小さいこと、即ち、0.
3μm以下であることが必要である。しかし、一般に金
属酸化物粒子は樹脂溶液中において凝集傾向が強く均一
な分散が困難であり、いったん分散しても二次凝集や沈
降が起こるために安定して0.3μm以下の分散膜を製
造することは非常に困難であった。更に、透明度や導電
均一性を向上させるためには、更に粒径の細かい超微粒
子粉体(一次粒径0.1μm以下)を分散することが有
効であるが、このような超微粒子は、更に分散性や分散
安定性が悪くなる傾向にあった。更に、特に高湿下にお
いて、繰り返し帯電により発生するオゾンやNOX 等の
コロナ生成物等が表面に付着することにより感光体の表
面抵抗の低下を引き起こし、画像流れが発生する等の問
題によりいまだ保護層として満足できる電子写真特性を
示すものが得られていないのが現状である。
場合、分散粒子による入射光の散乱を防ぐためには、入
射光の波長よりも粒子の粒径が小さいこと、即ち、0.
3μm以下であることが必要である。しかし、一般に金
属酸化物粒子は樹脂溶液中において凝集傾向が強く均一
な分散が困難であり、いったん分散しても二次凝集や沈
降が起こるために安定して0.3μm以下の分散膜を製
造することは非常に困難であった。更に、透明度や導電
均一性を向上させるためには、更に粒径の細かい超微粒
子粉体(一次粒径0.1μm以下)を分散することが有
効であるが、このような超微粒子は、更に分散性や分散
安定性が悪くなる傾向にあった。更に、特に高湿下にお
いて、繰り返し帯電により発生するオゾンやNOX 等の
コロナ生成物等が表面に付着することにより感光体の表
面抵抗の低下を引き起こし、画像流れが発生する等の問
題によりいまだ保護層として満足できる電子写真特性を
示すものが得られていないのが現状である。
【0013】一方、電荷輸送層中に種々の物質を添加す
ることで感光体表面の物性を改善する試みとしてシリコ
ーン系樹脂の添加が挙げられ、シリコーン系樹脂は表面
エネルギーが小さい点で優れているが、他の樹脂に対し
て十分な相溶性を示さないため、添加系では凝集し易く
光散乱を生じたり、ブリードして表面に偏析するために
安定した特性を示さない等の問題があった。また、シリ
コーン系樹脂単独で用いた場合には硬度が不十分であ
り、感光層を侵さない溶剤系、例えばアルコールや水等
を使用する場合には該シリコーン系樹脂の表面エネルギ
ーは大きくなり易いためクリーニング性等に問題があ
る。
ることで感光体表面の物性を改善する試みとしてシリコ
ーン系樹脂の添加が挙げられ、シリコーン系樹脂は表面
エネルギーが小さい点で優れているが、他の樹脂に対し
て十分な相溶性を示さないため、添加系では凝集し易く
光散乱を生じたり、ブリードして表面に偏析するために
安定した特性を示さない等の問題があった。また、シリ
コーン系樹脂単独で用いた場合には硬度が不十分であ
り、感光層を侵さない溶剤系、例えばアルコールや水等
を使用する場合には該シリコーン系樹脂の表面エネルギ
ーは大きくなり易いためクリーニング性等に問題があ
る。
【0014】その他、低表面エネルギーのポリマーであ
るポリテトラフルオロエチレンに代表されるフッ素系高
分子は一般に溶媒に不溶であり、分散性も不良であるこ
とから、平滑な感光体表面を得ることが困難であり、屈
折率も小さいことから光散乱が生じ易く、それによる潜
像の劣化を生じる問題点があった。
るポリテトラフルオロエチレンに代表されるフッ素系高
分子は一般に溶媒に不溶であり、分散性も不良であるこ
とから、平滑な感光体表面を得ることが困難であり、屈
折率も小さいことから光散乱が生じ易く、それによる潜
像の劣化を生じる問題点があった。
【0015】また、ポリカーボネート、ポリアクリルエ
ステル、ポリエステル及びポリテトラフルオロエチレン
等の高分子化合物は一般に耐アーク放電性が十分でな
く、放電により高分子主鎖が切断されることから容易に
劣化してしまう問題点があった。
ステル、ポリエステル及びポリテトラフルオロエチレン
等の高分子化合物は一般に耐アーク放電性が十分でな
く、放電により高分子主鎖が切断されることから容易に
劣化してしまう問題点があった。
【0016】本発明の目的は、前記の問題点に対して光
散乱やブリードがなく、光学的に均一な状態の表面保護
層であって低表面エネルギーと硬度や強度等の機械的特
性に優れ、かつ耐アーク放電等による劣化による表面抵
抗の低下がなく、高湿下においても高品位の画像を保つ
ことのできる高解像かつ帯電安定性に優れた電子写真感
光体及び該感光体を有する電子写真画像形成装置を提供
することにある。
散乱やブリードがなく、光学的に均一な状態の表面保護
層であって低表面エネルギーと硬度や強度等の機械的特
性に優れ、かつ耐アーク放電等による劣化による表面抵
抗の低下がなく、高湿下においても高品位の画像を保つ
ことのできる高解像かつ帯電安定性に優れた電子写真感
光体及び該感光体を有する電子写真画像形成装置を提供
することにある。
【0017】
【課題を解決するための手段】即ち、本発明の第1の発
明は、支持体上に感光層及び保護層を有する電子写真感
光体において、該保護層がコロイダルシリカ及びシロキ
サン樹脂を含有し、かつ導電性粒子を含有することを特
徴とする電子写真感光体である。
明は、支持体上に感光層及び保護層を有する電子写真感
光体において、該保護層がコロイダルシリカ及びシロキ
サン樹脂を含有し、かつ導電性粒子を含有することを特
徴とする電子写真感光体である。
【0018】本発明で述べるシロキサン樹脂は、OH基
及びOR基等の加水分解性基をケイ素原子あたり3つ有
するケイ素化合物の縮合により得られるシリコーン樹脂
もしくは部分縮合したオリゴマーのことを意味する。
及びOR基等の加水分解性基をケイ素原子あたり3つ有
するケイ素化合物の縮合により得られるシリコーン樹脂
もしくは部分縮合したオリゴマーのことを意味する。
【0019】本発明の第2の発明は、電子写真感光体上
に露光により潜像を形成し、その形成された潜像を現像
して画像を得る電子写真画像形成装置において、該画像
形成装置が、該感光体を帯電する手段及び得られた潜像
をトナーにより現像する手段を有し、該感光体が支持体
上に感光層及び保護層を有する電子写真感光体であっ
て、該保護層がコロイダルシリカ及びシロキサン樹脂を
含有し、かつ導電性粒子を含有することを特徴とする電
子写真画像形成装置である。
に露光により潜像を形成し、その形成された潜像を現像
して画像を得る電子写真画像形成装置において、該画像
形成装置が、該感光体を帯電する手段及び得られた潜像
をトナーにより現像する手段を有し、該感光体が支持体
上に感光層及び保護層を有する電子写真感光体であっ
て、該保護層がコロイダルシリカ及びシロキサン樹脂を
含有し、かつ導電性粒子を含有することを特徴とする電
子写真画像形成装置である。
【0020】
【発明の実施の形態】以下、本発明を更に詳細に説明す
る。
る。
【0021】本発明の電子写真感光体の保護層は、コロ
イダルシリカ及びシロキサン樹脂を含有し、かつ導電性
粒子を含有しており、本発明に用いる電子写真感光体保
護層用組成物を電子写真感光体の表面に塗布し、乾燥
し、硬化することにより形成される。本発明に用いる電
子写真感光体保護層用組成物は、少なくとも下記の
(a)〜(d)の4成分からなる。 (a)コロイダルシリカ (b)R−Si(OR′)3 の部分縮合により形成され
るシロキサン樹脂 (式中、Rは炭素数1〜3のアルキル基、ビニル基、C
n F2n+1C2 H4 −基(n=1〜18)、γ−グリシド
キシプロピル基及びγ−メタクリロオキシプロピル基か
らなる群より選ばれた少なくともひとつの基を表わす。
R′は水素原子及び炭素数1〜3のアルキル基からなる
群より選ばれた少なくともひとつの基を表わす。) (c)低級脂肪族アルコール及び水からなる群より選ば
れた少なくともひとつの溶剤 (d)導電性粒子 電子写真感光体保護層用組成物は、コロイダルシリカ及
びシロキサン樹脂が1〜50重量%低級アルコール−水
混合溶液中に分散されているものが好ましい。固形分が
50重量%を超えると組成物が劣化し易く、ゲル化等の
ために良好に塗膜が形成されにくくなる傾向がある。1
重量%未満では形成される保護層の強度が十分でなくな
る傾向がある。
イダルシリカ及びシロキサン樹脂を含有し、かつ導電性
粒子を含有しており、本発明に用いる電子写真感光体保
護層用組成物を電子写真感光体の表面に塗布し、乾燥
し、硬化することにより形成される。本発明に用いる電
子写真感光体保護層用組成物は、少なくとも下記の
(a)〜(d)の4成分からなる。 (a)コロイダルシリカ (b)R−Si(OR′)3 の部分縮合により形成され
るシロキサン樹脂 (式中、Rは炭素数1〜3のアルキル基、ビニル基、C
n F2n+1C2 H4 −基(n=1〜18)、γ−グリシド
キシプロピル基及びγ−メタクリロオキシプロピル基か
らなる群より選ばれた少なくともひとつの基を表わす。
R′は水素原子及び炭素数1〜3のアルキル基からなる
群より選ばれた少なくともひとつの基を表わす。) (c)低級脂肪族アルコール及び水からなる群より選ば
れた少なくともひとつの溶剤 (d)導電性粒子 電子写真感光体保護層用組成物は、コロイダルシリカ及
びシロキサン樹脂が1〜50重量%低級アルコール−水
混合溶液中に分散されているものが好ましい。固形分が
50重量%を超えると組成物が劣化し易く、ゲル化等の
ために良好に塗膜が形成されにくくなる傾向がある。1
重量%未満では形成される保護層の強度が十分でなくな
る傾向がある。
【0022】また、固形分におけるコロイダルシリカの
割合は10〜70重量%であることが好ましく、シロキ
サン樹脂は30〜90重量%であることが好ましい。シ
ロキサン樹脂の固形分に占める割合が30重量%未満で
は脆くなり良好な膜が形成されにくくクラック等が入り
易くなる傾向があり、コロイダルシリカの割合が10重
量%未満では形成された保護層の硬度が十分でなくなる
傾向がある。
割合は10〜70重量%であることが好ましく、シロキ
サン樹脂は30〜90重量%であることが好ましい。シ
ロキサン樹脂の固形分に占める割合が30重量%未満で
は脆くなり良好な膜が形成されにくくクラック等が入り
易くなる傾向があり、コロイダルシリカの割合が10重
量%未満では形成された保護層の硬度が十分でなくなる
傾向がある。
【0023】コロイダルシリカとしては市販の水分散系
のものが用いられる(商品名“Ludox”及び“Na
lcoag”等)。粒径は5〜150nmであることが
好ましく、分散安定性と光学特性の点で10nm〜30
nmであることがより好ましい。コロイダルシリカとし
てはNa2 O等のアルカリ金属酸化物の含有量が2重量
%未満であることが好ましい。分散溶剤としてはメタノ
ール、エタノール、イソプロパノール、t−ブタノール
及びn−ブタノール等の低級脂肪族アルコールと水の混
合溶剤系が好ましいが、その他のグリコール及びアセト
ン等の水可溶性の溶剤を更に添加してもよい。
のものが用いられる(商品名“Ludox”及び“Na
lcoag”等)。粒径は5〜150nmであることが
好ましく、分散安定性と光学特性の点で10nm〜30
nmであることがより好ましい。コロイダルシリカとし
てはNa2 O等のアルカリ金属酸化物の含有量が2重量
%未満であることが好ましい。分散溶剤としてはメタノ
ール、エタノール、イソプロパノール、t−ブタノール
及びn−ブタノール等の低級脂肪族アルコールと水の混
合溶剤系が好ましいが、その他のグリコール及びアセト
ン等の水可溶性の溶剤を更に添加してもよい。
【0024】本発明に用いられる導電性粒子としては、
金属、金属酸化物及びカーボンブラック等が挙げられ
る。金属としては、アルミニウム、亜鉛、銅、クロム、
ニッケル、ステンレス及び銀等、またはこれらの金属を
プラスチックの粒子の表面に蒸着したもの等が挙げられ
る。金属酸化物としては、酸化亜鉛、酸化チタン、酸化
スズ、酸化アンチモン、酸化インジウム、酸化ビスマ
ス、スズをドープした酸化インジウム、アンチモンをド
ープした酸化スズ及びアンチモンをドープした酸化ジル
コニウム等が挙げられる。これらは単独で用いること
も、2種以上を組み合わせて用いることもできる。2種
以上を組み合わせて用いる場合は、単に混合しても、固
溶体や融着の形にしてもよい。
金属、金属酸化物及びカーボンブラック等が挙げられ
る。金属としては、アルミニウム、亜鉛、銅、クロム、
ニッケル、ステンレス及び銀等、またはこれらの金属を
プラスチックの粒子の表面に蒸着したもの等が挙げられ
る。金属酸化物としては、酸化亜鉛、酸化チタン、酸化
スズ、酸化アンチモン、酸化インジウム、酸化ビスマ
ス、スズをドープした酸化インジウム、アンチモンをド
ープした酸化スズ及びアンチモンをドープした酸化ジル
コニウム等が挙げられる。これらは単独で用いること
も、2種以上を組み合わせて用いることもできる。2種
以上を組み合わせて用いる場合は、単に混合しても、固
溶体や融着の形にしてもよい。
【0025】本発明に用いられる導電性粒子の平均粒径
は保護層の透明性の点で0.3μm以下であることが好
ましく、特には0.1μm以下であることが好ましい。
は保護層の透明性の点で0.3μm以下であることが好
ましく、特には0.1μm以下であることが好ましい。
【0026】また、本発明においては上述したような導
電性粒子の中でも、透明性等の点で金属酸化物を用いる
ことが特に好ましい。
電性粒子の中でも、透明性等の点で金属酸化物を用いる
ことが特に好ましい。
【0027】結着樹脂と導電性粒子との割合は直接的に
保護層の抵抗を決定する値であり、保護層の抵抗が10
9 〜1015Ω・cmの範囲になるように設定する。
保護層の抵抗を決定する値であり、保護層の抵抗が10
9 〜1015Ω・cmの範囲になるように設定する。
【0028】本発明においては前記保護層中に、分散
性、結着性や耐候性を向上させる目的でカップリング剤
や酸化防止剤等の添加物を加えてもよい。保護層は前記
結着樹脂中に金属酸化物を分散した溶液を塗布し、硬化
して形成する。
性、結着性や耐候性を向上させる目的でカップリング剤
や酸化防止剤等の添加物を加えてもよい。保護層は前記
結着樹脂中に金属酸化物を分散した溶液を塗布し、硬化
して形成する。
【0029】導電性粒子の分散方法としては、ホモジナ
イザー、ボールミル、サンドミル、ロールミル及び超音
波といった方法が挙げられるが、前述した、一次粒径の
粒径まで分散可能であれば特に限定されるものではな
い。
イザー、ボールミル、サンドミル、ロールミル及び超音
波といった方法が挙げられるが、前述した、一次粒径の
粒径まで分散可能であれば特に限定されるものではな
い。
【0030】電子写真感光体保護層用組成物は無機酸も
しくは有機酸を用いることによりpH3.0〜6.0の
酸性状態に調整されることが好ましい。強酸を用いると
組成物の安定性等に好ましくない影響を与え易いので、
より好ましくは弱酸が用いられpH4.0〜5.5の酸
性状態に調整される。
しくは有機酸を用いることによりpH3.0〜6.0の
酸性状態に調整されることが好ましい。強酸を用いると
組成物の安定性等に好ましくない影響を与え易いので、
より好ましくは弱酸が用いられpH4.0〜5.5の酸
性状態に調整される。
【0031】電子写真感光体の表面に塗布された電子写
真感光体保護層用組成物は乾燥後、熱硬化されることに
より硬度、強度、低表面エネルギー及び耐放電性が発現
する。熱硬化は高温であるほど完全に進行するが、電子
写真感光体特性に悪影響を与えない範囲で選ばれる。好
ましくは80℃〜180℃で熱硬化されるが、より好ま
しくは100〜150℃で行われる。
真感光体保護層用組成物は乾燥後、熱硬化されることに
より硬度、強度、低表面エネルギー及び耐放電性が発現
する。熱硬化は高温であるほど完全に進行するが、電子
写真感光体特性に悪影響を与えない範囲で選ばれる。好
ましくは80℃〜180℃で熱硬化されるが、より好ま
しくは100〜150℃で行われる。
【0032】熱硬化の時間としては長時間であるほど硬
化は進むが、その処理温度において電子写真感光体特性
に悪影響を与えない範囲で選ばれる。熱硬化の処理時間
は一般的には10分〜12時間程度で行われる。
化は進むが、その処理温度において電子写真感光体特性
に悪影響を与えない範囲で選ばれる。熱硬化の処理時間
は一般的には10分〜12時間程度で行われる。
【0033】乾燥後、熱硬化して得られた保護層は少な
くともコロイダルシリカとしてSiO2 で示される成分
及びRSiO3/2 で示されるところのシロキサン樹脂を
含有している。
くともコロイダルシリカとしてSiO2 で示される成分
及びRSiO3/2 で示されるところのシロキサン樹脂を
含有している。
【0034】ここで、Rは炭素数1〜3のアルキル基、
ビニル基、Cn F2n+1C2 H4 −基(n=1〜18)、
γ−グリシドキシプロピル基及びγ−メタクリロオキシ
プロピル基からなる群より選ばれた少なくともひとつの
基を表わす。
ビニル基、Cn F2n+1C2 H4 −基(n=1〜18)、
γ−グリシドキシプロピル基及びγ−メタクリロオキシ
プロピル基からなる群より選ばれた少なくともひとつの
基を表わす。
【0035】保護層の膜厚は0.1〜4μmであること
が好ましい。0.1μm未満では表面硬度や強度が十分
でなく耐久性が低下し易く、4μmを超えると現像時に
潜像によって形成されるコントラストポテンシャルが劣
化し易い。より好ましくは0.2〜3.0μmである。
が好ましい。0.1μm未満では表面硬度や強度が十分
でなく耐久性が低下し易く、4μmを超えると現像時に
潜像によって形成されるコントラストポテンシャルが劣
化し易い。より好ましくは0.2〜3.0μmである。
【0036】保護層はクリーニング性及び耐汚染性を満
足するために低表面エネルギーであることが好ましく、
水の接触角で測定される低表面エネルギー性としては9
0度以上が好ましい。90度未満では電子写真プロセス
による繰り返し使用によって表面に帯電生成物やトナ
ー、紙からもたらされる脱落物が付着し易く、クリーニ
ング不良や表面抵抗の低下による潜像の劣化(画像流
れ)を生じ易い。より好ましくは95度以上である。
足するために低表面エネルギーであることが好ましく、
水の接触角で測定される低表面エネルギー性としては9
0度以上が好ましい。90度未満では電子写真プロセス
による繰り返し使用によって表面に帯電生成物やトナ
ー、紙からもたらされる脱落物が付着し易く、クリーニ
ング不良や表面抵抗の低下による潜像の劣化(画像流
れ)を生じ易い。より好ましくは95度以上である。
【0037】保護層の体積抵抗は1×109 〜1×10
15Ωcmであることが好ましい。1×109 Ωcm未満
では形成された潜像の電荷が拡散するため劣化し易く、
1×1015Ωcmを超えると電子写真感光体として露光
後、現像までに電荷が十分に移動できないために見かけ
上感度が低下し、残留電位も高くなり易い。
15Ωcmであることが好ましい。1×109 Ωcm未満
では形成された潜像の電荷が拡散するため劣化し易く、
1×1015Ωcmを超えると電子写真感光体として露光
後、現像までに電荷が十分に移動できないために見かけ
上感度が低下し、残留電位も高くなり易い。
【0038】また、電位抵抗のみでなく残存しているシ
ラノール基等の加水分解性基によっても残留電位が高く
なる傾向があるため、できる限り残存しないようにする
ことが望ましい。好ましくは加水分解性基がSiOH基
換算での割合が0.1重量%以下であり、より好ましく
は0.01重量%以下である。
ラノール基等の加水分解性基によっても残留電位が高く
なる傾向があるため、できる限り残存しないようにする
ことが望ましい。好ましくは加水分解性基がSiOH基
換算での割合が0.1重量%以下であり、より好ましく
は0.01重量%以下である。
【0039】保護層は、コロイダルシリカ及びシロキサ
ン樹脂を必須の成分として含む樹脂組成物を用い、これ
らは米国特許4027073号明細書や米国特許394
4702号明細書に記載されている方法で製造できる。
ン樹脂を必須の成分として含む樹脂組成物を用い、これ
らは米国特許4027073号明細書や米国特許394
4702号明細書に記載されている方法で製造できる。
【0040】シリコーン系のハードコート樹脂は、加水
分解性基を分子中に有する多官能性有機ケイ素化合物の
加水分解縮合物からなる。官能性基数が多いほど強度が
上がるため、生成した樹脂は硬くなる。その中でも、4
官能性有機ケイ素の替わりにコロイダルシリカを使用し
3官能性有機ケイ素を用いたものでは、コロイダルシリ
カの粒径、その添加量及び3官能性有機ケイ素の加水分
解縮合を調節することにより、硬度が高くかつ成膜性に
優れた樹脂が得られる。
分解性基を分子中に有する多官能性有機ケイ素化合物の
加水分解縮合物からなる。官能性基数が多いほど強度が
上がるため、生成した樹脂は硬くなる。その中でも、4
官能性有機ケイ素の替わりにコロイダルシリカを使用し
3官能性有機ケイ素を用いたものでは、コロイダルシリ
カの粒径、その添加量及び3官能性有機ケイ素の加水分
解縮合を調節することにより、硬度が高くかつ成膜性に
優れた樹脂が得られる。
【0041】好適なコロイダルシリカとしては、平均粒
径が5〜150nmであり、これを前述の範囲で水を含
む低級アルコール中に分散させ、加水分解性基を有する
3官能性の有機ケイ素化合物を酸あるいはアルカリ存在
下で加水分解することで製造される。反応終了後に更
に、必要に応じて低級アルコール、硬化触媒及びレベリ
ング剤等を加える。これをプラスチック基板上に、デイ
ップ、スプレー、バーコート及びスピンコート等により
コートされる。溶媒を除去した後、一般的には80〜1
50℃の範囲で加熱硬化させることにより被膜が形成さ
れる。硬化温度はコート基材プラスチックの熱変形温度
以下の温度で行なうのが好ましい。
径が5〜150nmであり、これを前述の範囲で水を含
む低級アルコール中に分散させ、加水分解性基を有する
3官能性の有機ケイ素化合物を酸あるいはアルカリ存在
下で加水分解することで製造される。反応終了後に更
に、必要に応じて低級アルコール、硬化触媒及びレベリ
ング剤等を加える。これをプラスチック基板上に、デイ
ップ、スプレー、バーコート及びスピンコート等により
コートされる。溶媒を除去した後、一般的には80〜1
50℃の範囲で加熱硬化させることにより被膜が形成さ
れる。硬化温度はコート基材プラスチックの熱変形温度
以下の温度で行なうのが好ましい。
【0042】このようにして形成されたシロキサン樹脂
は、鉛筆硬度で数H〜9Hの硬度を発現できる。ハード
コートレジンは適用基板材料に応じて、基板表面との密
着性を向上させる目的で、基板表面を例えばシランカッ
プリング剤といわれるシラン化合物で表面処理したり、
あるいは化学的方法や物理的方法で表面を変成させて密
着性を向上させることは通常行なわれていることであ
る。
は、鉛筆硬度で数H〜9Hの硬度を発現できる。ハード
コートレジンは適用基板材料に応じて、基板表面との密
着性を向上させる目的で、基板表面を例えばシランカッ
プリング剤といわれるシラン化合物で表面処理したり、
あるいは化学的方法や物理的方法で表面を変成させて密
着性を向上させることは通常行なわれていることであ
る。
【0043】本発明の保護層を有する電子写真感光体を
製造する例を下記に示す。
製造する例を下記に示す。
【0044】電子写真感光体の支持体としては、導電性
を有するものであればいずれのものも用いることがで
き、支持体自体が導電性を有するもの、例えばアルミニ
ウム、アルミニウム合金、銅、亜鉛、ステンレス、クロ
ム、チタン、ニッケル、マグネシウム、インジウム、
金、白金、銀及び鉄等の他に、アルミニウム、酸化イン
ジウム、酸化スズ及び金等を蒸着等によりプラスチック
等の誘電体支持体に被膜形成し、導電層としたものや、
導電性微粒子をプラスチックや紙に混合したもの等を用
いることができる。これらの支持体は均一な導電性が求
められるとともに平滑な表面が重要である。
を有するものであればいずれのものも用いることがで
き、支持体自体が導電性を有するもの、例えばアルミニ
ウム、アルミニウム合金、銅、亜鉛、ステンレス、クロ
ム、チタン、ニッケル、マグネシウム、インジウム、
金、白金、銀及び鉄等の他に、アルミニウム、酸化イン
ジウム、酸化スズ及び金等を蒸着等によりプラスチック
等の誘電体支持体に被膜形成し、導電層としたものや、
導電性微粒子をプラスチックや紙に混合したもの等を用
いることができる。これらの支持体は均一な導電性が求
められるとともに平滑な表面が重要である。
【0045】表面の平滑性はその上層に形成される下引
き層、電荷発生層及び電荷輸送層の均一性に大きな影響
を与えることから、その表面粗さは1.0μm以下が好
ましい。1.0μmを超える凹凸は下引き層や電荷発生
層のような薄い層に印加される局所電場を変化させてし
まうためにその特性が大きく変化してしまい電荷注入や
残留電位のむら等の欠陥を生じ易い。
き層、電荷発生層及び電荷輸送層の均一性に大きな影響
を与えることから、その表面粗さは1.0μm以下が好
ましい。1.0μmを超える凹凸は下引き層や電荷発生
層のような薄い層に印加される局所電場を変化させてし
まうためにその特性が大きく変化してしまい電荷注入や
残留電位のむら等の欠陥を生じ易い。
【0046】特に、導電性微粒子をポリマーバインダー
中に分散して塗布することにより得られる導電層は形成
が容易であり、均質な表面を形成することに適してい
る。このとき用いられる導電性微粒子の1次粒径は好ま
しくは100nm以下であり、より好ましくは50nm
以下のものが用いられる。導電性微粒子としては、導電
性酸化亜鉛、導電性酸化チタン、Al,Au,Cu,A
g,Co,Ni,Fe、カーボンブラック、ITO、酸
化スズ、酸化インジウム及びインジウム等が用いられ、
これらを絶縁性微粒子の表面にコーティングして用いて
もよい。前記導電性微粒子の含有量は体積抵抗が十分に
低くなるように使用され、好ましくは1×1010Ωcm
以下の抵抗となるように添加される。より好ましくは1
×108 Ωcm以下で用いられる。
中に分散して塗布することにより得られる導電層は形成
が容易であり、均質な表面を形成することに適してい
る。このとき用いられる導電性微粒子の1次粒径は好ま
しくは100nm以下であり、より好ましくは50nm
以下のものが用いられる。導電性微粒子としては、導電
性酸化亜鉛、導電性酸化チタン、Al,Au,Cu,A
g,Co,Ni,Fe、カーボンブラック、ITO、酸
化スズ、酸化インジウム及びインジウム等が用いられ、
これらを絶縁性微粒子の表面にコーティングして用いて
もよい。前記導電性微粒子の含有量は体積抵抗が十分に
低くなるように使用され、好ましくは1×1010Ωcm
以下の抵抗となるように添加される。より好ましくは1
×108 Ωcm以下で用いられる。
【0047】レーザー等のコヒーレントな光源を用いて
露光する場合は干渉による画像劣化を防止するために上
記導電性支持体の表面に凹凸を形成することも可能であ
る。このときは電荷注入や残留電位のむら等の欠陥が生
じにくいように使用する波長の1/2λ程度の凹凸を数
μm以下の直径のシリカビーズ等の絶縁物を分散するこ
とにより10μm以下の周期で形成して用いることが可
能である。
露光する場合は干渉による画像劣化を防止するために上
記導電性支持体の表面に凹凸を形成することも可能であ
る。このときは電荷注入や残留電位のむら等の欠陥が生
じにくいように使用する波長の1/2λ程度の凹凸を数
μm以下の直径のシリカビーズ等の絶縁物を分散するこ
とにより10μm以下の周期で形成して用いることが可
能である。
【0048】導電性支持体と感光層の中間に、注入阻止
機能と接着機能を持つ下引き層を設けることもできる。
下引き層としてはカゼイン、ポリビニルアルコール、ニ
トロセルロース、エチレン−アクリル酸コポリマー、ポ
リビニルブチラール、フェノール樹脂、ポリアミド、ポ
リウレタン及びゼラチン等によって形成することができ
る。下引き層の膜厚は好ましくは0.1〜10μm、よ
り好ましくは0.3〜3μmである。
機能と接着機能を持つ下引き層を設けることもできる。
下引き層としてはカゼイン、ポリビニルアルコール、ニ
トロセルロース、エチレン−アクリル酸コポリマー、ポ
リビニルブチラール、フェノール樹脂、ポリアミド、ポ
リウレタン及びゼラチン等によって形成することができ
る。下引き層の膜厚は好ましくは0.1〜10μm、よ
り好ましくは0.3〜3μmである。
【0049】感光層としては電荷発生層と電荷輸送層か
らなる機能分離タイプのものや電荷発生と電荷輸送を同
一の層で行う単層タイプが用いられる。
らなる機能分離タイプのものや電荷発生と電荷輸送を同
一の層で行う単層タイプが用いられる。
【0050】電荷発生材料としては、例えば、セレン−
テルル、ピリリウム系染料、チオピリリウム系染料、フ
タロシアニン系顔料、アントアントロン系顔料、ジベン
ズピレンキノン系顔料、ピラントロン系顔料、トリスア
ゾ系顔料、ジスアゾ系顔料、アゾ系顔料、インジゴ系顔
料、キナクリドン系顔料及びシアニン系顔料等が用いる
られる。
テルル、ピリリウム系染料、チオピリリウム系染料、フ
タロシアニン系顔料、アントアントロン系顔料、ジベン
ズピレンキノン系顔料、ピラントロン系顔料、トリスア
ゾ系顔料、ジスアゾ系顔料、アゾ系顔料、インジゴ系顔
料、キナクリドン系顔料及びシアニン系顔料等が用いる
られる。
【0051】電荷輸送性化合物は電子輸送性化合物と正
孔輸送性化合物に大別される。
孔輸送性化合物に大別される。
【0052】電子輸送性化合物としては、2,4,7−
トリニトロフルオレノン、2,4,5,7−テトラニト
ロフルオレノン、クロラニル、テトラシアノキノジメタ
ン、及びアルキル置換ジフェノキノン等の電子受容性化
合物やこれらの電子受容性化合物を高分子化したものが
挙げられる。正孔輸送性化合物としては、ピレン及びア
ントラセン等の多環芳香族化合物、カルバゾール、イン
ドール、オキサゾール、チアゾール、オキサチアゾー
ル、ピラゾール、ピラゾリン、チアジアゾール及びトリ
アゾール等の複素環化合物、p−ジエチルアミノベンズ
アルデヒド−N,N−ジフェニルヒドラゾン及びN,N
−ジフェニルヒドラジノ−3−メチリデン−9−エチル
カルバゾール等のヒドラゾン系化合物、α−フェニル−
4′−N,N−ジフェニルアミノスチルベン及び5−
(4−(ジ−p−トリルアミノ)ベンジリデン)−5H
−ジベンゾ(a,d)シクロヘプテン等のスチリル系化
合物、ベンジジン系化合物及びトリアリールアミン系化
合物あるいはこれらの化合物からなる基を主鎖または側
鎖に有する高分子化合物(ポリ−N−ビニルカルバゾー
ル、ポリビニルアントラセン等)が挙げられる。
トリニトロフルオレノン、2,4,5,7−テトラニト
ロフルオレノン、クロラニル、テトラシアノキノジメタ
ン、及びアルキル置換ジフェノキノン等の電子受容性化
合物やこれらの電子受容性化合物を高分子化したものが
挙げられる。正孔輸送性化合物としては、ピレン及びア
ントラセン等の多環芳香族化合物、カルバゾール、イン
ドール、オキサゾール、チアゾール、オキサチアゾー
ル、ピラゾール、ピラゾリン、チアジアゾール及びトリ
アゾール等の複素環化合物、p−ジエチルアミノベンズ
アルデヒド−N,N−ジフェニルヒドラゾン及びN,N
−ジフェニルヒドラジノ−3−メチリデン−9−エチル
カルバゾール等のヒドラゾン系化合物、α−フェニル−
4′−N,N−ジフェニルアミノスチルベン及び5−
(4−(ジ−p−トリルアミノ)ベンジリデン)−5H
−ジベンゾ(a,d)シクロヘプテン等のスチリル系化
合物、ベンジジン系化合物及びトリアリールアミン系化
合物あるいはこれらの化合物からなる基を主鎖または側
鎖に有する高分子化合物(ポリ−N−ビニルカルバゾー
ル、ポリビニルアントラセン等)が挙げられる。
【0053】次に、電荷輸送性化合物の具体例を以下に
示す。
示す。
【0054】
【化1】
【0055】
【化2】
【0056】
【化3】
【0057】
【化4】
【0058】
【化5】
【0059】
【化6】
【0060】
【化7】
【0061】
【化8】
【0062】
【化9】
【0063】
【化10】
【0064】
【化11】
【0065】
【化12】
【0066】
【化13】
【0067】
【化14】
【0068】
【化15】
【0069】
【化16】
【0070】
【化17】
【0071】
【化18】
【0072】
【化19】
【0073】
【化20】
【0074】
【化21】
【0075】
【化22】
【0076】
【化23】
【0077】
【化24】
【0078】
【化25】
【0079】
【化26】
【0080】
【化27】
【0081】
【化28】
【0082】
【化29】
【0083】
【化30】
【0084】
【化31】
【0085】
【化32】
【0086】
【化33】
【0087】
【化34】
【0088】
【化35】
【0089】
【化36】 上記電荷発生材料や電荷輸送性化合物は必要に応じてバ
インダーポリマーが用いられる。バインダーポリマーの
例としては、スチレン、酢酸ビニル、塩化ビニル、アク
リル酸エステル、メタクリル酸エステル、フッ化ビニリ
デン及びトリフルオロエチレン等のビニル化合物の重合
体及び共重合体、ポリビニルアルコール、ポリビニルア
セタール、ポリカーボネート、ポリエステル、ポリスル
ホン、ポリフェニレンオキサイド、ポリウレタン、セル
ロース樹脂、フェノール樹脂、メラミン樹脂、ケイ素樹
脂及びエポキシ樹脂等が挙げられる。
インダーポリマーが用いられる。バインダーポリマーの
例としては、スチレン、酢酸ビニル、塩化ビニル、アク
リル酸エステル、メタクリル酸エステル、フッ化ビニリ
デン及びトリフルオロエチレン等のビニル化合物の重合
体及び共重合体、ポリビニルアルコール、ポリビニルア
セタール、ポリカーボネート、ポリエステル、ポリスル
ホン、ポリフェニレンオキサイド、ポリウレタン、セル
ロース樹脂、フェノール樹脂、メラミン樹脂、ケイ素樹
脂及びエポキシ樹脂等が挙げられる。
【0090】特に、本発明に用いる電荷輸送層用の高分
子化合物は、前記電荷輸送性化合物と相溶するものが用
いられる。代表的な高分子化合物としてはポリエステ
ル、ポリカーボネート、ポリスチレン、ポリメタクリル
酸エステル及びポリアクリル酸エステル等がある。
子化合物は、前記電荷輸送性化合物と相溶するものが用
いられる。代表的な高分子化合物としてはポリエステ
ル、ポリカーボネート、ポリスチレン、ポリメタクリル
酸エステル及びポリアクリル酸エステル等がある。
【0091】電荷輸送層に用いられる電荷輸送性化合物
は電荷輸送層の固形分に対して20〜70重量%が好ま
しい。20重量%未満では十分な電荷移動能が得られに
くいために残留電位の増加等が生じ易い。70重量%を
超えると電荷輸送層の機械的強度が低下し易いために十
分な耐久性が得られにくい。
は電荷輸送層の固形分に対して20〜70重量%が好ま
しい。20重量%未満では十分な電荷移動能が得られに
くいために残留電位の増加等が生じ易い。70重量%を
超えると電荷輸送層の機械的強度が低下し易いために十
分な耐久性が得られにくい。
【0092】電荷輸送層に用いられる高分子化合物は電
荷輸送層の固形分に対して20〜80重量%が好まし
い。80重量%を超えると十分な電荷移動能が得られに
くいために残留電位の増加及び電気的耐久性低下、低表
面エネルギー化の効果低減等が生じ易い。20重量%未
満では電荷輸送層の機械的強度が低下し易いために十分
な耐久性が得られにくい。
荷輸送層の固形分に対して20〜80重量%が好まし
い。80重量%を超えると十分な電荷移動能が得られに
くいために残留電位の増加及び電気的耐久性低下、低表
面エネルギー化の効果低減等が生じ易い。20重量%未
満では電荷輸送層の機械的強度が低下し易いために十分
な耐久性が得られにくい。
【0093】単層感光体として用いる場合は前記電荷発
生材料と電荷輸送性化合物と高分子化合物を組み合わせ
てなる組成物を用いることにより良好な特性が得られ
る。
生材料と電荷輸送性化合物と高分子化合物を組み合わせ
てなる組成物を用いることにより良好な特性が得られ
る。
【0094】感光層には前記化合物以外にも機械的特性
の改良や耐久性向上のために添加剤を用いることができ
る。このような添加剤としては、酸化防止剤、紫外線吸
収剤、安定化剤、架橋剤、潤滑剤及び導電性制御剤等が
用いられる。
の改良や耐久性向上のために添加剤を用いることができ
る。このような添加剤としては、酸化防止剤、紫外線吸
収剤、安定化剤、架橋剤、潤滑剤及び導電性制御剤等が
用いられる。
【0095】以上のようにして形成された感光層の上
に、前述の本発明に用いられる保護層が形成される。保
護層を形成するための組成物に用いる溶剤は感光層を侵
さないものが好ましく、浸漬コーティング法やブレード
コート法及びロールコート法等により塗布される。感光
層を侵すような溶剤を用いる場合であってもスプレー塗
布法を用いることにより影響を低下させることが可能で
ある。
に、前述の本発明に用いられる保護層が形成される。保
護層を形成するための組成物に用いる溶剤は感光層を侵
さないものが好ましく、浸漬コーティング法やブレード
コート法及びロールコート法等により塗布される。感光
層を侵すような溶剤を用いる場合であってもスプレー塗
布法を用いることにより影響を低下させることが可能で
ある。
【0096】本発明の電子写真感光体は硬度が高く、金
属酸化物微粒子の分散性のよい均質な保護層を形成する
ことができたため、ムラ、カブリや黒ポチ等の画像欠陥
がなく、耐摩耗性や耐環境性が非常に高く、しかも電子
写真特性に優れている。
属酸化物微粒子の分散性のよい均質な保護層を形成する
ことができたため、ムラ、カブリや黒ポチ等の画像欠陥
がなく、耐摩耗性や耐環境性が非常に高く、しかも電子
写真特性に優れている。
【0097】本発明の電子写真感光体は電子写真複写
機、レーザープリンター、LEDプリンター及び液晶シ
ャッター式プリンター等の電子写真装置一般に適応する
が、更に、電子写真技術を応用したディスプレー、記
録、軽印刷、製版及びファクシミリ等の装置にも幅広く
適用することができる。
機、レーザープリンター、LEDプリンター及び液晶シ
ャッター式プリンター等の電子写真装置一般に適応する
が、更に、電子写真技術を応用したディスプレー、記
録、軽印刷、製版及びファクシミリ等の装置にも幅広く
適用することができる。
【0098】次に、本発明の電子写真感光体を用いた電
子写真画像形成装置について説明する。
子写真画像形成装置について説明する。
【0099】本発明の電子写真感光体に帯電し露光によ
り潜像を形成することにより、耐久性の優れた、常に高
画質の画像が得ることが可能となったが、特に画像形成
装置の中で高速かつ低騒音プリンターとして、電子写真
方式を採用したレーザービームプリンターもしくはデジ
タル方式の複写機及びファクス等に対して高画質化及び
高耐久化の効果が大きい。
り潜像を形成することにより、耐久性の優れた、常に高
画質の画像が得ることが可能となったが、特に画像形成
装置の中で高速かつ低騒音プリンターとして、電子写真
方式を採用したレーザービームプリンターもしくはデジ
タル方式の複写機及びファクス等に対して高画質化及び
高耐久化の効果が大きい。
【0100】電子写真方式を採用したレーザービームプ
リンターもしくはデジタル方式の複写機及びファクス等
は文字及び図形等の画像を感光体にレーザービームを当
てるか、当てないかで形成する2値記録である。そし
て、一般には文字及び図形等の記録は中間調を必要とし
ないのでプリンターの構造も簡便にできる。
リンターもしくはデジタル方式の複写機及びファクス等
は文字及び図形等の画像を感光体にレーザービームを当
てるか、当てないかで形成する2値記録である。そし
て、一般には文字及び図形等の記録は中間調を必要とし
ないのでプリンターの構造も簡便にできる。
【0101】ところが、このような2値記録方式であっ
ても中間調を表現できるプリンターがある。かかるプリ
ンターとしてはディザ法や濃度パターン法等を採用した
ものがよく知られている。しかし、周知のごとくディザ
法や濃度パターン法等を採用したプリンターでは高解像
度が得られない。そこで、近年、記録密度を低下させず
に高解像度で、各画素において中間調を形成する方式
(PWM方式)が提案されている。
ても中間調を表現できるプリンターがある。かかるプリ
ンターとしてはディザ法や濃度パターン法等を採用した
ものがよく知られている。しかし、周知のごとくディザ
法や濃度パターン法等を採用したプリンターでは高解像
度が得られない。そこで、近年、記録密度を低下させず
に高解像度で、各画素において中間調を形成する方式
(PWM方式)が提案されている。
【0102】この方式は、画像信号によって、レーザー
ビームを照射する時間を変調することにより中間調画素
形成を行うもので、この方式によれば高解像度かつ高階
調性の画像を形成でき、従って、特に高解像度と高階調
性を必要とするカラー画像形成装置はとくに適してい
る。即ち、この方式によると、1画素毎にビームスポッ
トにより形成されるドットの面積階調を行うことができ
解像度を低下させることなく中間調を表現できる。
ビームを照射する時間を変調することにより中間調画素
形成を行うもので、この方式によれば高解像度かつ高階
調性の画像を形成でき、従って、特に高解像度と高階調
性を必要とするカラー画像形成装置はとくに適してい
る。即ち、この方式によると、1画素毎にビームスポッ
トにより形成されるドットの面積階調を行うことができ
解像度を低下させることなく中間調を表現できる。
【0103】ところが、このPWM方式においても、更
に画素密度を上げていくと露光スポット径に対して画素
が相対的に小さくなるために露光時間変調による階調を
十分にとることができないという問題点がある。
に画素密度を上げていくと露光スポット径に対して画素
が相対的に小さくなるために露光時間変調による階調を
十分にとることができないという問題点がある。
【0104】そこで、階調性を保持したまま解像度を向
上するためには、露光スポット径をより小さくする必要
がある。そのためには、例えばレーザーを用いた走査光
学系を使用するときにはレーザー光の波長を短波長化す
ること、f−θレンズのNAを大きくすること等が必要
となるが、このような方法を用いると高価なレーザーの
使用やレンズ、スキャナーの大型化、焦点深度の低下に
よる要求される機械精度の上昇等から装置の大型化やコ
スト上昇は避け難い。
上するためには、露光スポット径をより小さくする必要
がある。そのためには、例えばレーザーを用いた走査光
学系を使用するときにはレーザー光の波長を短波長化す
ること、f−θレンズのNAを大きくすること等が必要
となるが、このような方法を用いると高価なレーザーの
使用やレンズ、スキャナーの大型化、焦点深度の低下に
よる要求される機械精度の上昇等から装置の大型化やコ
スト上昇は避け難い。
【0105】また、LEDアレイや液晶シャッターアレ
イ等の固体スキャナーにおいてもスキャナー自体の価格
の上昇、取り付け精度の上昇及び電気駆動回路のコスト
上昇は避け難い。
イ等の固体スキャナーにおいてもスキャナー自体の価格
の上昇、取り付け精度の上昇及び電気駆動回路のコスト
上昇は避け難い。
【0106】更に、前述のように光スポットを微小化し
ていった場合でも電子写真方式において良好な階調再現
性を得ることは困難であり、電気的な処理により、階調
性を疑似的に再現しているに過ぎなかった。
ていった場合でも電子写真方式において良好な階調再現
性を得ることは困難であり、電気的な処理により、階調
性を疑似的に再現しているに過ぎなかった。
【0107】以上のような問題点が存在するにもかかわ
らず、近年、電子写真方式を用いた画像形成装置に要求
される解像度及び階調性はますます上昇している。
らず、近年、電子写真方式を用いた画像形成装置に要求
される解像度及び階調性はますます上昇している。
【0108】このような状況に対して、現像に用いられ
るトナーの粒子径を小さくして解像度、階調性を向上す
ることや現像条件をより均質にして改善することが試み
られている。
るトナーの粒子径を小さくして解像度、階調性を向上す
ることや現像条件をより均質にして改善することが試み
られている。
【0109】しかしながら、このような改善を行っても
肉眼で認識可能な400線から600線の256階調の
フルカラー画像データ等の階調データの再現性及び文字
等の2値画像の高解像な再現が十分でなかった。
肉眼で認識可能な400線から600線の256階調の
フルカラー画像データ等の階調データの再現性及び文字
等の2値画像の高解像な再現が十分でなかった。
【0110】前述のように、通常肉眼で識別できる画像
としては400dpi、256階調程度であるが、この
場合の最小解像面積は16μm2 程度であり、5000
dpi以上の解像度に相当するものである。また、この
ような高解像度を実現するためには光ビームのスポット
面積を微細化する必要があるが単にスポット面積を微細
化するのみでは上記のような高画質を実現することがで
きなかった。
としては400dpi、256階調程度であるが、この
場合の最小解像面積は16μm2 程度であり、5000
dpi以上の解像度に相当するものである。また、この
ような高解像度を実現するためには光ビームのスポット
面積を微細化する必要があるが単にスポット面積を微細
化するのみでは上記のような高画質を実現することがで
きなかった。
【0111】このような問題点に対して検討したとこ
ろ、光ビームを照射して潜像を形成するところの電子写
真画像形成装置において感光体の感光層の膜厚と照射ス
ポット面積の積と階調再現性の間に一定の関係があるこ
とを見い出し、スポット面積と感光体の感光層の膜厚の
積が20000μm3 以下とすることで400dpi、
256階調を実現するところのきわめて優れた画像品質
を得ることを可能とした。
ろ、光ビームを照射して潜像を形成するところの電子写
真画像形成装置において感光体の感光層の膜厚と照射ス
ポット面積の積と階調再現性の間に一定の関係があるこ
とを見い出し、スポット面積と感光体の感光層の膜厚の
積が20000μm3 以下とすることで400dpi、
256階調を実現するところのきわめて優れた画像品質
を得ることを可能とした。
【0112】このことは従来の電子写真画像形成装置に
おいては光スポット面積を微細化しているにもかかわら
ず、感光体上に形成される潜像及び現像の条件が十分で
ないためであると考えられる。即ち、潜像を形成するた
めの光キャリアが感光層を走行する間に拡散を生じるた
めに光スポットによって与えられた画像情報が劣化して
しまう現象や形成された潜像により生じる電位ポテンシ
ャルのコントラストが導電性支持体までに存在する空間
により低下する現象が生じることにより、初期に光スポ
ットにより与えられた画像情報が大きく劣化してしまう
ことにより画質の低下が発生しているものと考えられ
る。
おいては光スポット面積を微細化しているにもかかわら
ず、感光体上に形成される潜像及び現像の条件が十分で
ないためであると考えられる。即ち、潜像を形成するた
めの光キャリアが感光層を走行する間に拡散を生じるた
めに光スポットによって与えられた画像情報が劣化して
しまう現象や形成された潜像により生じる電位ポテンシ
ャルのコントラストが導電性支持体までに存在する空間
により低下する現象が生じることにより、初期に光スポ
ットにより与えられた画像情報が大きく劣化してしまう
ことにより画質の低下が発生しているものと考えられ
る。
【0113】上記に示すように光ビームのスポット面積
と感光体の感光層の膜厚の積を20000μm3 以下と
することにより、前記のキャリアの拡散や現像性の低下
を生じることなく良好な画像形成を可能とするものであ
る。
と感光体の感光層の膜厚の積を20000μm3 以下と
することにより、前記のキャリアの拡散や現像性の低下
を生じることなく良好な画像形成を可能とするものであ
る。
【0114】これは、一般的に実現可能な微小光スポッ
ト径から求められるスポット面積で用いる感光体の感光
層の膜厚、主として正孔輸送層の膜厚としては12μm
以下が適していることを示している。
ト径から求められるスポット面積で用いる感光体の感光
層の膜厚、主として正孔輸送層の膜厚としては12μm
以下が適していることを示している。
【0115】前述のように感光層の膜厚は薄い方が望ま
しいが、同一帯電電位におけるピンホールや感度の低下
等を発生することから1μm以上の膜厚が望まれる。よ
り望ましくは3μm以上の膜厚で用いられる。
しいが、同一帯電電位におけるピンホールや感度の低下
等を発生することから1μm以上の膜厚が望まれる。よ
り望ましくは3μm以上の膜厚で用いられる。
【0116】
【実施例】以下、具体的実施例を挙げて本発明を更に詳
細に説明する。
細に説明する。
【0117】図1に本発明の電子写真感光体の断面の概
略図を示す平面図を示す。
略図を示す平面図を示す。
【0118】本発明の電子写真感光体は表面に保護層を
有するが、これは保護層用組成物を電荷輸送層の上に塗
工し、加熱乾燥することによって図1(A)に示すよう
にして用いることも電荷発生層の上に直接塗工すること
で図1(B)に示すようにすることも可能である。
有するが、これは保護層用組成物を電荷輸送層の上に塗
工し、加熱乾燥することによって図1(A)に示すよう
にして用いることも電荷発生層の上に直接塗工すること
で図1(B)に示すようにすることも可能である。
【0119】高解像度の記録を行うためには、図1の電
荷輸送層の膜厚(L)と記録される画像の解像度(S)
の比(S/L)を大きくする必要があり、比が小さいと
フォトキャリアーの拡散により潜像はぼやけてしまい、
良好な画像は得られない。比(S/L)は4以上が望ま
しく、より望ましくは5以上である。
荷輸送層の膜厚(L)と記録される画像の解像度(S)
の比(S/L)を大きくする必要があり、比が小さいと
フォトキャリアーの拡散により潜像はぼやけてしまい、
良好な画像は得られない。比(S/L)は4以上が望ま
しく、より望ましくは5以上である。
【0120】また、電子写真感光体上に形成された潜像
を現像剤にて可視化する工程においても得られる電位ポ
テンシャルのコントラストが前述の比により影響を受け
る。同様に比は大きい方が好ましく、解像度を向上する
ためには電荷輸送層の膜厚の低減が求められている。
を現像剤にて可視化する工程においても得られる電位ポ
テンシャルのコントラストが前述の比により影響を受け
る。同様に比は大きい方が好ましく、解像度を向上する
ためには電荷輸送層の膜厚の低減が求められている。
【0121】現在、求められている解像度は400dp
i以上、より望ましくは500dpi以上であり、用い
られる電荷輸送層の膜厚は15μm以下、より望ましく
は12μm以下で用いられる。
i以上、より望ましくは500dpi以上であり、用い
られる電荷輸送層の膜厚は15μm以下、より望ましく
は12μm以下で用いられる。
【0122】図2に本発明の電子写真感光体を用いた電
子写真画像形成装置における照射光強度分布と導電性支
持体に到達した照射光の光強度分布を示す。
子写真画像形成装置における照射光強度分布と導電性支
持体に到達した照射光の光強度分布を示す。
【0123】該光ビームのスポット面積はピーク強度の
1/e2 に減少するまでの部分で表わされる。用いられ
る光ビームとしては半導体レーザーを用いた走査光学
系、及びLEDや液晶シャッター等の固体スキャナー等
があり、光強度分布についてもガウス分布及びローレン
ツ分布等があるがそれぞれのピーク強度の1/e2 まで
の部分をスポット面積とする。光スポットは一般的には
図2に示すように楕円形の形状を有している。
1/e2 に減少するまでの部分で表わされる。用いられ
る光ビームとしては半導体レーザーを用いた走査光学
系、及びLEDや液晶シャッター等の固体スキャナー等
があり、光強度分布についてもガウス分布及びローレン
ツ分布等があるがそれぞれのピーク強度の1/e2 まで
の部分をスポット面積とする。光スポットは一般的には
図2に示すように楕円形の形状を有している。
【0124】光ビームのスポット面積は4000μm2
以下で用いられる。4000μm2を超えて400dp
i、256階調の画像信号を与えた場合に隣接画素の重
複による影響が大きくなり、階調再現性が不安定となる
ことから好ましくない。
以下で用いられる。4000μm2を超えて400dp
i、256階調の画像信号を与えた場合に隣接画素の重
複による影響が大きくなり、階調再現性が不安定となる
ことから好ましくない。
【0125】本発明における階調再現性は、400dp
iの解像度において光ビームの照射量を256階調分直
線的に変化させた場合に画像濃度が照射量に比例する部
分で定義される。図3に本発明における階調再現性の測
定の模式図を示す。
iの解像度において光ビームの照射量を256階調分直
線的に変化させた場合に画像濃度が照射量に比例する部
分で定義される。図3に本発明における階調再現性の測
定の模式図を示す。
【0126】本発明の画像形成装置を用いて画像評価を
行った。
行った。
【0127】本発明の画像形成装置としてデジタルフル
カラー複写機及びレーザービームプリンターを改造して
680nm、100mWの半導体レーザーを用いて感光
体上でのスポット径は副走査方向の1/e2 で400線
相当の63.5μm一定として、主走査方向の1/e2
スポット径は20μmとし、該光スポットに対して25
6階調のPWM変調もしくは600dpi相当の画素変
調を行って画像出力し評価測定した。前記、光スポット
のスポット面積は約1000μm2 である。 [電子写真感光体保護層用組成物] (調液例1)フラスコにコロイダルシリカ(固形分40
重量%)の水性分散液8.7gを取り、撹拌しながらコ
ロイダルシリカ(固形分30重量%)のイソプロピルア
ルコール分散液20.5g、メチルトリエトキシシラン
25.6g、3,3,4,4,5,5,6,6,6−ノ
ナフルオロヘキシルトリメトキシシラン5.9g及び酢
酸3.2gを添加した。添加後、混合溶液を65〜70
℃に加熱し、2時間反応させた。その後、イソプロピル
アルコール21.7gで希釈し、硬化触媒としてベンジ
ルトリメチルアンモニウムアセテート2.4gを添加
し、更にポリエーテル変成ジメチルシリコーンの10重
量%エタノール溶液0.16gを添加した。
カラー複写機及びレーザービームプリンターを改造して
680nm、100mWの半導体レーザーを用いて感光
体上でのスポット径は副走査方向の1/e2 で400線
相当の63.5μm一定として、主走査方向の1/e2
スポット径は20μmとし、該光スポットに対して25
6階調のPWM変調もしくは600dpi相当の画素変
調を行って画像出力し評価測定した。前記、光スポット
のスポット面積は約1000μm2 である。 [電子写真感光体保護層用組成物] (調液例1)フラスコにコロイダルシリカ(固形分40
重量%)の水性分散液8.7gを取り、撹拌しながらコ
ロイダルシリカ(固形分30重量%)のイソプロピルア
ルコール分散液20.5g、メチルトリエトキシシラン
25.6g、3,3,4,4,5,5,6,6,6−ノ
ナフルオロヘキシルトリメトキシシラン5.9g及び酢
酸3.2gを添加した。添加後、混合溶液を65〜70
℃に加熱し、2時間反応させた。その後、イソプロピル
アルコール21.7gで希釈し、硬化触媒としてベンジ
ルトリメチルアンモニウムアセテート2.4gを添加
し、更にポリエーテル変成ジメチルシリコーンの10重
量%エタノール溶液0.16gを添加した。
【0128】次に、この溶液を固形分30重量%になる
ようにイソプロピルアルコールで希釈した溶液100g
を調製し、この溶液に対して一次粒子の平均粒径0.0
4μmの酸化スズ微粒子30gを混合し、更にイソプロ
ピルアルコール90gを加えサンドミルで120時間分
散することにより保護層用の塗工液を得た。
ようにイソプロピルアルコールで希釈した溶液100g
を調製し、この溶液に対して一次粒子の平均粒径0.0
4μmの酸化スズ微粒子30gを混合し、更にイソプロ
ピルアルコール90gを加えサンドミルで120時間分
散することにより保護層用の塗工液を得た。
【0129】(調液例2)フラスコにコロイダルシリカ
(固形分40重量%)の水性分散液3.9gを取り、撹
拌しながらコロイダルシリカ(固形分30重量%)のイ
ソプロピルアルコール分散液26.8g、メチルトリエ
トキシシラン1.5g、γ−グリシドキシプロピルトリ
メトキシシラン1.9g、3,3,4,4,5,5,
6,6,6−ノナフルオロヘキシルトリメトキシシラン
2.4g及び酢酸3.1gを添加した。添加後、混合溶
液を65〜70℃に加熱し、2時間反応させた。その
後、イソプロピルアルコール23.3gで希釈し、硬化
触媒としてベンジルトリメチルアンモニウムアセテート
2.4gを添加し、更にポリエーテル変成ジメチルシリ
コーンの10重量%エタノール溶液0.16gを添加し
た。
(固形分40重量%)の水性分散液3.9gを取り、撹
拌しながらコロイダルシリカ(固形分30重量%)のイ
ソプロピルアルコール分散液26.8g、メチルトリエ
トキシシラン1.5g、γ−グリシドキシプロピルトリ
メトキシシラン1.9g、3,3,4,4,5,5,
6,6,6−ノナフルオロヘキシルトリメトキシシラン
2.4g及び酢酸3.1gを添加した。添加後、混合溶
液を65〜70℃に加熱し、2時間反応させた。その
後、イソプロピルアルコール23.3gで希釈し、硬化
触媒としてベンジルトリメチルアンモニウムアセテート
2.4gを添加し、更にポリエーテル変成ジメチルシリ
コーンの10重量%エタノール溶液0.16gを添加し
た。
【0130】次に、この溶液を固形分30重量%になる
ようにイソプロピルアルコールで希釈した溶液100g
を調製し、この溶液に対して一次粒子の平均粒径0.0
2μmのアンチモン含有酸化スズ微粒子20gを混合
し、更にイソプロピルアルコール90gを加えサンドミ
ルで96時間分散することにより保護層用の塗工液を得
た。
ようにイソプロピルアルコールで希釈した溶液100g
を調製し、この溶液に対して一次粒子の平均粒径0.0
2μmのアンチモン含有酸化スズ微粒子20gを混合
し、更にイソプロピルアルコール90gを加えサンドミ
ルで96時間分散することにより保護層用の塗工液を得
た。
【0131】(調液例3)フラスコにコロイダルシリカ
(固形分40重量%)の水性分散液30.0gを取り、
撹拌しながらメチルトリメトキシシラン21.5gと酢
酸3.5gとの混合物の全体の1/3を添加した。添加
後、混合溶液を55℃まで加熱し、急激な発熱が観測さ
れたら直ちに氷冷し、フラスコ内の温度を50〜60℃
に保ちながら残りの混合物を添加した。反応溶液を20
℃まで冷却し、温度が安定したら30分撹拌する。その
後、イソプロピルアルコール17.8gで反応溶液を希
釈し、ジブチル錫ジ−2−エチルヘキソエート2.8g
を徐々に添加しベンジルトリメチルアンモニウムアセテ
ート、更にポリエーテル変成ジメチルシリコーンの10
重量%エタノール溶液0.16gを添加した。得られた
反応混合物は沈殿物を除去した。
(固形分40重量%)の水性分散液30.0gを取り、
撹拌しながらメチルトリメトキシシラン21.5gと酢
酸3.5gとの混合物の全体の1/3を添加した。添加
後、混合溶液を55℃まで加熱し、急激な発熱が観測さ
れたら直ちに氷冷し、フラスコ内の温度を50〜60℃
に保ちながら残りの混合物を添加した。反応溶液を20
℃まで冷却し、温度が安定したら30分撹拌する。その
後、イソプロピルアルコール17.8gで反応溶液を希
釈し、ジブチル錫ジ−2−エチルヘキソエート2.8g
を徐々に添加しベンジルトリメチルアンモニウムアセテ
ート、更にポリエーテル変成ジメチルシリコーンの10
重量%エタノール溶液0.16gを添加した。得られた
反応混合物は沈殿物を除去した。
【0132】次に、この溶液を固形分30重量%になる
ようにイソプロピルアルコールで希釈した溶液100g
を調製し、この溶液に対して一次粒子の平均粒径0.0
4μmの酸化スズ微粒子30gを混合し、更にイソプロ
ピルアルコール90gを加えサンドミルで120時間分
散することにより保護層用の塗工液を得た。
ようにイソプロピルアルコールで希釈した溶液100g
を調製し、この溶液に対して一次粒子の平均粒径0.0
4μmの酸化スズ微粒子30gを混合し、更にイソプロ
ピルアルコール90gを加えサンドミルで120時間分
散することにより保護層用の塗工液を得た。
【0133】(調液例4)メチルシロキサン単位50モ
ル%、ジメチルシロキサン単位10モル%及び3,3,
4,4,5,5,6,6,6−ノナフルオロヘキシルシ
ロキサン単位10モル%からなる1重量%のシラノール
基を含むシロキサン樹脂100gをトルエン100gに
溶解し、これに、ジブチル錫アセテート2gを加え均一
な溶液にした。
ル%、ジメチルシロキサン単位10モル%及び3,3,
4,4,5,5,6,6,6−ノナフルオロヘキシルシ
ロキサン単位10モル%からなる1重量%のシラノール
基を含むシロキサン樹脂100gをトルエン100gに
溶解し、これに、ジブチル錫アセテート2gを加え均一
な溶液にした。
【0134】次に、この溶液を固形分30重量%になる
ようにイソプロピルアルコールで希釈した溶液100g
を調製し、この溶液に対して一次粒子の平均粒径0.0
4μmの酸化スズ微粒子30gを混合し、更にイソプロ
ピルアルコール90gを加えサンドミルで96時間分散
することにより保護層用の塗工液を得た。
ようにイソプロピルアルコールで希釈した溶液100g
を調製し、この溶液に対して一次粒子の平均粒径0.0
4μmの酸化スズ微粒子30gを混合し、更にイソプロ
ピルアルコール90gを加えサンドミルで96時間分散
することにより保護層用の塗工液を得た。
【0135】(調液例5)フラスコにコロイダルシリカ
(固形分40重量%)の水性分散液4.1gを取り、撹
拌しながらコロイダルシリカ(固形分30重量%)のイ
ソプロピルアルコール分散液26.5g、メチルトリエ
トキシシラン1.8g、γ−グリシドキシプロピルトリ
メトキシシラン2.4g、n−パーフルオロオクチルエ
チルトリエトキシシラン1.1g及び酢酸3.1gを添
加した。添加後、混合溶液を65〜70℃に加熱し、2
時間反応させた。その後、イソプロピルアルコール2
3.1gで希釈し、硬化触媒としてジブチル錫ジ−2−
エチルヘキソエート2.8gを添加し、更にポリエーテ
ル変成ジメチルシリコーンの10重量%エタノール溶液
0.16gを添加した。
(固形分40重量%)の水性分散液4.1gを取り、撹
拌しながらコロイダルシリカ(固形分30重量%)のイ
ソプロピルアルコール分散液26.5g、メチルトリエ
トキシシラン1.8g、γ−グリシドキシプロピルトリ
メトキシシラン2.4g、n−パーフルオロオクチルエ
チルトリエトキシシラン1.1g及び酢酸3.1gを添
加した。添加後、混合溶液を65〜70℃に加熱し、2
時間反応させた。その後、イソプロピルアルコール2
3.1gで希釈し、硬化触媒としてジブチル錫ジ−2−
エチルヘキソエート2.8gを添加し、更にポリエーテ
ル変成ジメチルシリコーンの10重量%エタノール溶液
0.16gを添加した。
【0136】次に、この溶液を固形分30重量%になる
ようにイソプロピルアルコールで希釈した溶液100g
を調製し、この溶液に対して一次粒子の平均粒径0.0
4μmの酸化スズ微粒子30gを混合し、更にイソプロ
ピルアルコール90gを加えサンドミルで120時間分
散することにより保護層用の塗工液を得た。
ようにイソプロピルアルコールで希釈した溶液100g
を調製し、この溶液に対して一次粒子の平均粒径0.0
4μmの酸化スズ微粒子30gを混合し、更にイソプロ
ピルアルコール90gを加えサンドミルで120時間分
散することにより保護層用の塗工液を得た。
【0137】(実施例1)鏡面加工により作成した外径
30mmのアルミニウムシリンダーに陽極酸化によりア
ルマイトを形成したものを導電性支持体として用いた。
30mmのアルミニウムシリンダーに陽極酸化によりア
ルマイトを形成したものを導電性支持体として用いた。
【0138】次に、電荷発生層として下記のビスアゾ顔
料5部(重量部、以下同様)をシクロヘキサノン95部
にポリビニルベンザール(ベンザール化度75重量%以
上)2部を溶解した液に加え、サンドミルで20時間分
散した。この分散液を導電性支持体の上に乾燥後の膜厚
が0.2μmとなるように浸漬コーティング法で塗工し
た。
料5部(重量部、以下同様)をシクロヘキサノン95部
にポリビニルベンザール(ベンザール化度75重量%以
上)2部を溶解した液に加え、サンドミルで20時間分
散した。この分散液を導電性支持体の上に乾燥後の膜厚
が0.2μmとなるように浸漬コーティング法で塗工し
た。
【0139】
【化37】 次に、下記の構造式を有するトリアリールアミン化合物
5部及びポリカーボネート樹脂(商品名Z−400、三
菱ガス化学(株)製)5部をテトラハイドロフラン70
部に溶解した電荷輸送層用の液を前記の電荷発生層の上
に浸漬コーティング法により乾燥後10μmの膜厚に塗
工した。
5部及びポリカーボネート樹脂(商品名Z−400、三
菱ガス化学(株)製)5部をテトラハイドロフラン70
部に溶解した電荷輸送層用の液を前記の電荷発生層の上
に浸漬コーティング法により乾燥後10μmの膜厚に塗
工した。
【0140】
【化38】 次に、調液例1の感光体保護層用組成物を前記電荷輸送
層の上に浸漬コーティング法により塗布し、110℃で
4時間乾燥熱処理後1.0μmの膜厚にして、電子写真
感光体を作製した。この感光体を−700Vに帯電して
波長680nmで電子写真特性を測定したところE1/
2(−350Vまで帯電電位が減少する露光量)=1.
2μJ/cm2 、残留電位27Vと良好であった。
層の上に浸漬コーティング法により塗布し、110℃で
4時間乾燥熱処理後1.0μmの膜厚にして、電子写真
感光体を作製した。この感光体を−700Vに帯電して
波長680nmで電子写真特性を測定したところE1/
2(−350Vまで帯電電位が減少する露光量)=1.
2μJ/cm2 、残留電位27Vと良好であった。
【0141】また、調液例1の保護層用組成物をガラス
基盤上にバーコートを用いて塗布し、110℃で4時間
乾燥熱処理した。乾燥後、2μmの透明で均一な膜が得
られた。このサンプルの櫛型電極により測定した体積抵
抗は7.9×1012Ωcmであった。
基盤上にバーコートを用いて塗布し、110℃で4時間
乾燥熱処理した。乾燥後、2μmの透明で均一な膜が得
られた。このサンプルの櫛型電極により測定した体積抵
抗は7.9×1012Ωcmであった。
【0142】本電子写真感光体をキヤノン製デジタル複
写機GP215(ローラー帯電方式)を前述の照射スポ
ット径となるように改造した評価機にて初期帯電−60
0Vにて画像評価を行ったところ、初期及び5000枚
耐久試験後も、均一性の優れた画像出力が得られ、階調
再現性も400dpiにて256階調ときわめて良好で
あり、感光体の摩耗量も5000枚の耐久試験あたり
0.1μmと少なかった。また、感光体の表面の水の接
触角を測定すると初期が94度に対して、5000枚耐
久試験後も91度と良好であった。
写機GP215(ローラー帯電方式)を前述の照射スポ
ット径となるように改造した評価機にて初期帯電−60
0Vにて画像評価を行ったところ、初期及び5000枚
耐久試験後も、均一性の優れた画像出力が得られ、階調
再現性も400dpiにて256階調ときわめて良好で
あり、感光体の摩耗量も5000枚の耐久試験あたり
0.1μmと少なかった。また、感光体の表面の水の接
触角を測定すると初期が94度に対して、5000枚耐
久試験後も91度と良好であった。
【0143】また、上記複写機を10℃・15%の低温
低湿下及び35℃・85%の高温高湿下での画像評価を
行ったところ、ムラや黒ポチのない良好な画像を得るこ
とができた。
低湿下及び35℃・85%の高温高湿下での画像評価を
行ったところ、ムラや黒ポチのない良好な画像を得るこ
とができた。
【0144】(実施例2)導電性支持体として鏡面加工
により作成した外径80mmのアルミニウムシリンダー
に陽極酸化によりアルマイトを形成したものを用いる以
外は実施例1と同様にして電子写真感光体を作製した。
により作成した外径80mmのアルミニウムシリンダー
に陽極酸化によりアルマイトを形成したものを用いる以
外は実施例1と同様にして電子写真感光体を作製した。
【0145】本電子写真感光体をキヤノン製デジタル複
写機CLC500(コロナ帯電方式)を前述の照射スポ
ット径となるように改造した評価機にて初期帯電−50
0Vにて画像評価を行ったところ、初期及び5000枚
耐久試験後も、均一性の優れた画像出力が得られ、階調
再現性も400dpiにて256階調ときわめて良好で
あり、感光体の摩耗量も5000枚の耐久試験あたり
0.1μm以下と極めて少なかった。
写機CLC500(コロナ帯電方式)を前述の照射スポ
ット径となるように改造した評価機にて初期帯電−50
0Vにて画像評価を行ったところ、初期及び5000枚
耐久試験後も、均一性の優れた画像出力が得られ、階調
再現性も400dpiにて256階調ときわめて良好で
あり、感光体の摩耗量も5000枚の耐久試験あたり
0.1μm以下と極めて少なかった。
【0146】また、感光体の表面の水の接触角を測定す
ると初期が94度に対して5000枚耐久試験後も92
度と良好であった。
ると初期が94度に対して5000枚耐久試験後も92
度と良好であった。
【0147】更に、10000枚の耐久試験を行ったと
ころ、保護層が剥れ落ちることはなかった。
ころ、保護層が剥れ落ちることはなかった。
【0148】また、上記複写機を10℃・15%の低温
低湿下及び35℃・85%の高温高湿下での画像評価を
行ったところ、ムラや黒ポチのない良好な画像を得るこ
とができた。
低湿下及び35℃・85%の高温高湿下での画像評価を
行ったところ、ムラや黒ポチのない良好な画像を得るこ
とができた。
【0149】(実施例3)引き抜き加工により得られた
外径30mmのアルミニウムシリンダーを導電性支持体
として用いて、導電層としてフェノール樹脂(商品名プ
ライオーフェン、大日本インキ化学工業(株)製)16
7部をメチルセロソルブ100部に溶解したものへ導電
性硫酸バリウム超微粒子(1次粒径50nm)200部
及び平均粒径2μmのシリコーン樹脂粒子3部を分散し
たものを浸漬コーティング法により、乾燥後の膜厚が1
5μmとなるように塗工した。
外径30mmのアルミニウムシリンダーを導電性支持体
として用いて、導電層としてフェノール樹脂(商品名プ
ライオーフェン、大日本インキ化学工業(株)製)16
7部をメチルセロソルブ100部に溶解したものへ導電
性硫酸バリウム超微粒子(1次粒径50nm)200部
及び平均粒径2μmのシリコーン樹脂粒子3部を分散し
たものを浸漬コーティング法により、乾燥後の膜厚が1
5μmとなるように塗工した。
【0150】下引き層としてアルコール可溶性共重合ナ
イロン(商品名アミランCM−8000、東レ(株)
製)5部をメタノール95部に溶解した溶液を浸漬コー
ティング法により塗工した。80℃で10分間乾燥し
て、膜厚が1μmの下引き層を形成した。
イロン(商品名アミランCM−8000、東レ(株)
製)5部をメタノール95部に溶解した溶液を浸漬コー
ティング法により塗工した。80℃で10分間乾燥し
て、膜厚が1μmの下引き層を形成した。
【0151】次に、電荷発生層としてオキシチタニウム
フタロシアニン顔料5部をシクロヘキサノン95部にポ
リビニルベンザール(ベンザール化度75重量%以上)
2部を溶解した液に加え、サンドミルで2時間分散し
た。
フタロシアニン顔料5部をシクロヘキサノン95部にポ
リビニルベンザール(ベンザール化度75重量%以上)
2部を溶解した液に加え、サンドミルで2時間分散し
た。
【0152】この分散液を先に形成した下引き層の上に
乾燥後の膜厚が0.2μmとなるように浸漬コーティン
グ法で塗工した。
乾燥後の膜厚が0.2μmとなるように浸漬コーティン
グ法で塗工した。
【0153】次に、実施例1で用いたトリアリールアミ
ン化合物5部及びポリカーボネート樹脂(商品名Z−4
00、三菱ガス化学(株)製)5部をテトラハイドロフ
ラン70部に溶解した電荷輸送層用の液を前記の電荷発
生層の上に浸漬コーティング法により乾燥後10μmの
膜厚に塗工した。
ン化合物5部及びポリカーボネート樹脂(商品名Z−4
00、三菱ガス化学(株)製)5部をテトラハイドロフ
ラン70部に溶解した電荷輸送層用の液を前記の電荷発
生層の上に浸漬コーティング法により乾燥後10μmの
膜厚に塗工した。
【0154】次に、上記電荷輸送層の上に調液例2の感
光体保護層用組成物を浸漬コーティング法により塗布
し、110℃で4時間乾燥熱処理を行い、膜厚が0.8
μmの保護層を有する電子写真感光体を得た。
光体保護層用組成物を浸漬コーティング法により塗布
し、110℃で4時間乾燥熱処理を行い、膜厚が0.8
μmの保護層を有する電子写真感光体を得た。
【0155】上記感光体を−700Vに帯電して波長6
80nmで電子写真特性を測定したところ、E1/2
(−350Vまで帯電電位が減少する露光量)=0.1
μJ/cm2 、残留電位40Vと良好であった。
80nmで電子写真特性を測定したところ、E1/2
(−350Vまで帯電電位が減少する露光量)=0.1
μJ/cm2 、残留電位40Vと良好であった。
【0156】また、調液例2の保護層用組成物をガラス
基盤上にバーコートを用いて塗布し、110℃で4時間
乾燥熱処理した。乾燥後、2μmの透明で均一な膜が得
られた。このサンプルを櫛型電極により測定した体積抵
抗は4.8×1012Ωcmであった。
基盤上にバーコートを用いて塗布し、110℃で4時間
乾燥熱処理した。乾燥後、2μmの透明で均一な膜が得
られた。このサンプルを櫛型電極により測定した体積抵
抗は4.8×1012Ωcmであった。
【0157】本電子写真感光体をキヤノン製デジタル複
写機GP215(ローラー帯電方式)を前述の照射スポ
ット径となるように改造した評価機にて初期帯電−60
0Vにて画像評価を行ったところ、初期及び5000枚
耐久試験後も、均一性の優れた画像出力が得られ、階調
再現性も400dpiにて256階調ときわめて良好で
あり、感光体の摩耗量も5000枚の耐久試験あたり
0.1μmと少なかった。また、感光体の表面の水の接
触角を測定すると初期が94度に対して、5000枚耐
久試験後も90度と良好であった。
写機GP215(ローラー帯電方式)を前述の照射スポ
ット径となるように改造した評価機にて初期帯電−60
0Vにて画像評価を行ったところ、初期及び5000枚
耐久試験後も、均一性の優れた画像出力が得られ、階調
再現性も400dpiにて256階調ときわめて良好で
あり、感光体の摩耗量も5000枚の耐久試験あたり
0.1μmと少なかった。また、感光体の表面の水の接
触角を測定すると初期が94度に対して、5000枚耐
久試験後も90度と良好であった。
【0158】また、上記複写機を10℃・15%の低温
低湿下及び35℃・85%の高温高湿下での画像評価を
行ったところ、ムラや黒ポチのない良好な画像を得るこ
とができた。
低湿下及び35℃・85%の高温高湿下での画像評価を
行ったところ、ムラや黒ポチのない良好な画像を得るこ
とができた。
【0159】(比較例1)保護層用として調液例4の塗
工液を用いること以外は実施例1と同様にして電子写真
感光体を作製した。
工液を用いること以外は実施例1と同様にして電子写真
感光体を作製した。
【0160】また、調液例4の保護層用組成物をガラス
基盤上にバーコートを用いて塗布し、110℃で4時間
乾燥熱処理した。乾燥後、3μmの透明で均一な膜が得
られた。このサンプルの櫛型電極により測定した体積抵
抗は2.9×1013Ωcmであった。
基盤上にバーコートを用いて塗布し、110℃で4時間
乾燥熱処理した。乾燥後、3μmの透明で均一な膜が得
られた。このサンプルの櫛型電極により測定した体積抵
抗は2.9×1013Ωcmであった。
【0161】本電子写真感光体をキヤノン製デジタル複
写機GP215(ローラー帯電方式)を用いて実施例1
と同様の評価を行ったところ、初期においては干渉縞や
黒ポチが認められ、また5000枚の耐久試験後におい
ては画像にスジが認められた。感光体の摩耗量は500
0枚の耐久試験後で4μmと大きく削れていた。また、
感光体の表面の水の接触角を測定すると初期が94度に
対して、5000枚耐久試験後は75度と低下してい
た。
写機GP215(ローラー帯電方式)を用いて実施例1
と同様の評価を行ったところ、初期においては干渉縞や
黒ポチが認められ、また5000枚の耐久試験後におい
ては画像にスジが認められた。感光体の摩耗量は500
0枚の耐久試験後で4μmと大きく削れていた。また、
感光体の表面の水の接触角を測定すると初期が94度に
対して、5000枚耐久試験後は75度と低下してい
た。
【0162】また、上記複写機を10℃・15%の低温
低湿下及び35℃・85%の高温高湿下での画像評価を
行ったところ、ムラや黒ポチの発生が認められた。
低湿下及び35℃・85%の高温高湿下での画像評価を
行ったところ、ムラや黒ポチの発生が認められた。
【0163】(実施例4)引き抜き加工により得られた
外径30mmのアルミニウムシリンダーを導電性支持体
として用いて、導電層としてフェノール樹脂(商品名プ
ライオーフェン、大日本インキ化学工業(株)製)16
7部をメチルセロソルブ100部に溶解したものへ導電
性硫酸バリウム超微粒子(1次粒径50nm)200部
及び平均粒径2μmのシリコーン樹脂粒子3部を分散し
たものを浸漬コーティング法により、乾燥後の膜厚が1
5μmとなるように塗工した。
外径30mmのアルミニウムシリンダーを導電性支持体
として用いて、導電層としてフェノール樹脂(商品名プ
ライオーフェン、大日本インキ化学工業(株)製)16
7部をメチルセロソルブ100部に溶解したものへ導電
性硫酸バリウム超微粒子(1次粒径50nm)200部
及び平均粒径2μmのシリコーン樹脂粒子3部を分散し
たものを浸漬コーティング法により、乾燥後の膜厚が1
5μmとなるように塗工した。
【0164】下引き層としてアルコール可溶性共重合ナ
イロン(商品名アミランCM−8000、東レ(株)
製)5部をメタノール95部に溶解した溶液を浸漬コー
ティング法により塗工した。80℃で10分間乾燥し
て、膜厚が1μmの下引き層を形成した。
イロン(商品名アミランCM−8000、東レ(株)
製)5部をメタノール95部に溶解した溶液を浸漬コー
ティング法により塗工した。80℃で10分間乾燥し
て、膜厚が1μmの下引き層を形成した。
【0165】次に、電荷発生層としてオキシチタニウム
フタロシアニン顔料5部をシクロヘキサノン95部にポ
リビニルベンザール(ベンザール化度75重量%以上)
2部を溶解した液に加え、サンドミルで2時間分散し
た。
フタロシアニン顔料5部をシクロヘキサノン95部にポ
リビニルベンザール(ベンザール化度75重量%以上)
2部を溶解した液に加え、サンドミルで2時間分散し
た。
【0166】この分散液を先に形成した下引き層の上に
乾燥後の膜厚が0.2μmとなるように浸漬コーティン
グ法で塗工した。
乾燥後の膜厚が0.2μmとなるように浸漬コーティン
グ法で塗工した。
【0167】次に、実施例1で用いたトリアリールアミ
ン化合物5部とポリカーボネート樹脂(商品名Z−40
0、三菱ガス化学(株)製)5部をテトラハイドロフラ
ン70部に溶解した電荷輸送層用の液を前記の電荷発生
層の上に浸漬コーティング法により乾燥後10μmの膜
厚に塗工した。
ン化合物5部とポリカーボネート樹脂(商品名Z−40
0、三菱ガス化学(株)製)5部をテトラハイドロフラ
ン70部に溶解した電荷輸送層用の液を前記の電荷発生
層の上に浸漬コーティング法により乾燥後10μmの膜
厚に塗工した。
【0168】次に、上記電荷輸送層の上に調液例4の感
光体保護層用組成物を浸漬コーティング法により塗布
し、110℃で4時間乾燥熱処理を行い、膜厚が1.0
μmの保護層を有する電子写真感光体を得た。
光体保護層用組成物を浸漬コーティング法により塗布
し、110℃で4時間乾燥熱処理を行い、膜厚が1.0
μmの保護層を有する電子写真感光体を得た。
【0169】上記感光体を−700Vに帯電して波長6
80nmで電子写真特性を測定したところ、E1/2
(−350Vまで帯電電位が減少する露光量)=0.1
μJ/cm2 、残留電位52Vと良好であった。
80nmで電子写真特性を測定したところ、E1/2
(−350Vまで帯電電位が減少する露光量)=0.1
μJ/cm2 、残留電位52Vと良好であった。
【0170】また、調液例5の保護層用組成物をガラス
基盤上にバーコートを用いて塗布し、110℃で4時間
乾燥熱処理した。乾燥後、3μmの透明で均一な膜が得
られた。このサンプルを櫛型電極により測定した体積抵
抗は5.6×1012Ωcmであった。
基盤上にバーコートを用いて塗布し、110℃で4時間
乾燥熱処理した。乾燥後、3μmの透明で均一な膜が得
られた。このサンプルを櫛型電極により測定した体積抵
抗は5.6×1012Ωcmであった。
【0171】本電子写真感光体をキヤノン製レーザービ
ームプリンター(LBP−8Mark、)の改造機(前
述の照射スポット条件に改造、ACローラー帯電器使
用)にて初期帯電−500Vにて画像評価を行ったとこ
ろ、4000枚の耐久試験後の感光体の摩耗量は0.1
μm以下ときわめて少なく、耐久後の水の接触角も99
度と良好で、画像の劣化もなく、600dpi相当の入
力信号においてのハイライト部の1画素再現性も十分で
あった。 (比較例2)実施例3において保護層を設けないこと以
外は実施例3と同様にして電子写真感光体を作製し、実
施例3と同様に評価を行った。その結果、初期において
は実施例3と同様に均一性の優れた画像出力が得られ、
階調再現性も400dpiにて256階調ときわめて良
好であったが、複写耐久試験を行ったところ、感光体の
摩耗量も5000枚の耐久試験あたり5μmと大きく、
次第に帯電能の低下が認められた。また、感光体の表面
の水の接触角を測定すると初期が87度に対して、50
00枚耐久試験後も65度と低下しており、耐久試験後
は感光体表面に一部トナーの融着が認められた。
ームプリンター(LBP−8Mark、)の改造機(前
述の照射スポット条件に改造、ACローラー帯電器使
用)にて初期帯電−500Vにて画像評価を行ったとこ
ろ、4000枚の耐久試験後の感光体の摩耗量は0.1
μm以下ときわめて少なく、耐久後の水の接触角も99
度と良好で、画像の劣化もなく、600dpi相当の入
力信号においてのハイライト部の1画素再現性も十分で
あった。 (比較例2)実施例3において保護層を設けないこと以
外は実施例3と同様にして電子写真感光体を作製し、実
施例3と同様に評価を行った。その結果、初期において
は実施例3と同様に均一性の優れた画像出力が得られ、
階調再現性も400dpiにて256階調ときわめて良
好であったが、複写耐久試験を行ったところ、感光体の
摩耗量も5000枚の耐久試験あたり5μmと大きく、
次第に帯電能の低下が認められた。また、感光体の表面
の水の接触角を測定すると初期が87度に対して、50
00枚耐久試験後も65度と低下しており、耐久試験後
は感光体表面に一部トナーの融着が認められた。
【0172】(実施例5)引き抜き加工により得られた
外径30mmのアルミニウムシリンダーを用いて、導電
層としてフェノール樹脂(商品名プライオーフェン、大
日本インキ化学工業(株)製)167部をメチルセロソ
ルブ100部に溶解したものへ導電性硫酸バリウム超微
粒子(1次粒径50nm)200部及び平均粒径2μm
のシリコーン樹脂粒子3部を分散したものを浸漬コーテ
ィング法により、乾燥後の膜厚が15μmとなるように
塗工した。
外径30mmのアルミニウムシリンダーを用いて、導電
層としてフェノール樹脂(商品名プライオーフェン、大
日本インキ化学工業(株)製)167部をメチルセロソ
ルブ100部に溶解したものへ導電性硫酸バリウム超微
粒子(1次粒径50nm)200部及び平均粒径2μm
のシリコーン樹脂粒子3部を分散したものを浸漬コーテ
ィング法により、乾燥後の膜厚が15μmとなるように
塗工した。
【0173】下引き層としてアルコール可溶性共重合ナ
イロン(商品名アミランCM−8000、東レ(株)
製)5部をメタノール95部に溶解した溶液を浸漬コー
ティング法により塗工した。80℃で10分間乾燥し
て、膜厚が1μmの下引き層を形成した。
イロン(商品名アミランCM−8000、東レ(株)
製)5部をメタノール95部に溶解した溶液を浸漬コー
ティング法により塗工した。80℃で10分間乾燥し
て、膜厚が1μmの下引き層を形成した。
【0174】次に、電荷発生層としてオキシチタニウム
フタロシアニン顔料5部をシクロヘキサノン95部にポ
リビニルベンザール(ベンザール化度75重量%以上)
2部を溶解した液に加え、サンドミルで2時間分散し
た。
フタロシアニン顔料5部をシクロヘキサノン95部にポ
リビニルベンザール(ベンザール化度75重量%以上)
2部を溶解した液に加え、サンドミルで2時間分散し
た。
【0175】この分散液を先に形成した下引き層の上に
乾燥後の膜厚が0.2μmとなるように浸漬コーティン
グ法で塗工した。
乾燥後の膜厚が0.2μmとなるように浸漬コーティン
グ法で塗工した。
【0176】次に、実施例1で用いたトリアリールアミ
ン化合物5部とポリカーボネート樹脂(商品名Z−40
0、三菱ガス化学(株)製)5部をテトラハイドロフラ
ン70部に溶解した電荷輸送層用の液を前記の電荷発生
層の上に浸漬コーティング法により乾燥後10μmの膜
厚に塗工した。
ン化合物5部とポリカーボネート樹脂(商品名Z−40
0、三菱ガス化学(株)製)5部をテトラハイドロフラ
ン70部に溶解した電荷輸送層用の液を前記の電荷発生
層の上に浸漬コーティング法により乾燥後10μmの膜
厚に塗工した。
【0177】次に、調液例3の感光体保護層用組成物を
前記電荷輸送層の上に浸漬コーティング法により塗布
し、110℃で4時間乾燥熱処理後、1.5μmの膜厚
にして電子写真感光体を作製した。
前記電荷輸送層の上に浸漬コーティング法により塗布
し、110℃で4時間乾燥熱処理後、1.5μmの膜厚
にして電子写真感光体を作製した。
【0178】この感光体を−700Vに帯電して波長6
80nmで電子写真特性を測定したところ、E1/2
(−350Vまで帯電電位が減少する露光量)=0.1
1μJ/cm2 、残留電位42Vと良好であった。
80nmで電子写真特性を測定したところ、E1/2
(−350Vまで帯電電位が減少する露光量)=0.1
1μJ/cm2 、残留電位42Vと良好であった。
【0179】本電子写真感光体をキヤノン製レーザービ
ームプリンターP270の改造機(前述の照射スポット
条件に改造、ACローラー帯電器使用)にて初期帯電−
500Vにて画像評価を行ったところ、4000枚の耐
久試験後の感光体の摩耗量は0.2μm以下ときわめて
少なく、耐久後の水の接触角も99度と良好で、画像の
劣化もなく、600dpi相当の入力信号においてのハ
イライト部の1画素再現性がやや不十分であった。
ームプリンターP270の改造機(前述の照射スポット
条件に改造、ACローラー帯電器使用)にて初期帯電−
500Vにて画像評価を行ったところ、4000枚の耐
久試験後の感光体の摩耗量は0.2μm以下ときわめて
少なく、耐久後の水の接触角も99度と良好で、画像の
劣化もなく、600dpi相当の入力信号においてのハ
イライト部の1画素再現性がやや不十分であった。
【0180】図4に本発明の実施例を示す画像形成装置
について簡単に説明する。
について簡単に説明する。
【0181】まず、原稿台10上に原稿Gを複写すべき
面を下側にしてセットする。次に、コピーボタンを押す
ことにより複写が開始される。原稿照射用ランプ、短焦
点レンズアレイ及びCCDセンサーが一体のユニット9
が原稿を照射しながら走査することにより、その照射走
査光が、短焦点レンズアレイによって結像されてCCD
センサーに入射される。CCDセンサーは受光部、転送
部及び出力部より構成されている。CCD受光部におい
て光信号が電気信号に変換され、転送部でクロックパル
スに同期して順次出力部へ転送され、出力部において電
荷信号を電圧信号に変換し、増幅、低インピーダンス化
して出力する。このようにして得られたアナログ信号を
デジタル信号に変換し、更に画像の特性に応じて解像
度、階調性を最適化するところの画像処理を行って出力
するためのデジタル信号に変換してプリンター部に送ら
れる。コンピュータ等から出力する場合には解像度、階
調再現方法等を選択して望ましい画像が得られるように
処理し変換してプリンター部に送られる。プリンター部
においては、上記の画像信号を受けて以下のようにして
静電潜像を形成する。本発明の感光ドラム1は、中心支
軸を中心に所定の周速度で回転駆動され、その回転過程
に帯電器3により所定の電圧の正極性または負極性の一
様な帯電処理を受け、その一様帯電面に画像信号に対応
してON,OFF発光される固体レーザー素子の光を高
速で回転する回転多面鏡によって走査することにより感
光ドラム1面には、原稿画像に対応した静電潜像が順次
に、形成されていく。
面を下側にしてセットする。次に、コピーボタンを押す
ことにより複写が開始される。原稿照射用ランプ、短焦
点レンズアレイ及びCCDセンサーが一体のユニット9
が原稿を照射しながら走査することにより、その照射走
査光が、短焦点レンズアレイによって結像されてCCD
センサーに入射される。CCDセンサーは受光部、転送
部及び出力部より構成されている。CCD受光部におい
て光信号が電気信号に変換され、転送部でクロックパル
スに同期して順次出力部へ転送され、出力部において電
荷信号を電圧信号に変換し、増幅、低インピーダンス化
して出力する。このようにして得られたアナログ信号を
デジタル信号に変換し、更に画像の特性に応じて解像
度、階調性を最適化するところの画像処理を行って出力
するためのデジタル信号に変換してプリンター部に送ら
れる。コンピュータ等から出力する場合には解像度、階
調再現方法等を選択して望ましい画像が得られるように
処理し変換してプリンター部に送られる。プリンター部
においては、上記の画像信号を受けて以下のようにして
静電潜像を形成する。本発明の感光ドラム1は、中心支
軸を中心に所定の周速度で回転駆動され、その回転過程
に帯電器3により所定の電圧の正極性または負極性の一
様な帯電処理を受け、その一様帯電面に画像信号に対応
してON,OFF発光される固体レーザー素子の光を高
速で回転する回転多面鏡によって走査することにより感
光ドラム1面には、原稿画像に対応した静電潜像が順次
に、形成されていく。
【0182】図5は、前記の装置においてレーザー光を
走査するレーザー走査部300(図4では100)の概
略機構を示すものである。
走査するレーザー走査部300(図4では100)の概
略機構を示すものである。
【0183】このレーザー走査部300によりレーザー
光を走査する場合には、まず入力された画像信号に基づ
き発光信号発生器301により、固体レーザー素子30
2から放射されたレーザー光は、コリメーターレンズ系
303により概略平行な光束に変換され、更に矢印b方
向に回転する回転多面鏡304により矢印c方向に走査
されるとともにfθレンズ群305a、305b及び3
05cにより感光ドラム等の被走査面306にスポット
状に結像される。
光を走査する場合には、まず入力された画像信号に基づ
き発光信号発生器301により、固体レーザー素子30
2から放射されたレーザー光は、コリメーターレンズ系
303により概略平行な光束に変換され、更に矢印b方
向に回転する回転多面鏡304により矢印c方向に走査
されるとともにfθレンズ群305a、305b及び3
05cにより感光ドラム等の被走査面306にスポット
状に結像される。
【0184】このようなレーザー光の走査により被走査
面306上には画像一走査分の露光分布が形成され、該
被走査面306を前記走査方向とは垂直に所定量だけス
クロールさせれば、該被走査面306上に画像信号に応
じた露光分布が得られる。
面306上には画像一走査分の露光分布が形成され、該
被走査面306を前記走査方向とは垂直に所定量だけス
クロールさせれば、該被走査面306上に画像信号に応
じた露光分布が得られる。
【0185】本実施例においては、レーザーPWM方式
(パルス幅変調)を用いて、1画素の面積階調による多
値記録を行ったため、PWM方式について簡単に説明す
る。図6はパルス幅変調回路の1例を示す回路ブロック
図、図7はパルス幅変調回路の動作を示すタイミングチ
ャートである。
(パルス幅変調)を用いて、1画素の面積階調による多
値記録を行ったため、PWM方式について簡単に説明す
る。図6はパルス幅変調回路の1例を示す回路ブロック
図、図7はパルス幅変調回路の動作を示すタイミングチ
ャートである。
【0186】図6において401は8ビットのデジタル
画像信号をラッチするTTLラッチ回路、402はTT
L論理レベルをECL論理レベルに変換する高速レベル
変換器、403はECL論理レベルをアナログ信号に変
換する高速D/Aコンバーターである。404はPWM
信号を発生するECLコンパレーター、405はECL
論理レベルをTTL論理レベルに変換するレベル変換
器、406はクロック信号2fを発振するクロック発振
器、407はクロック信号2fに同期して略理想的三角
波信号を発生する三角波発生器、408はクロック信号
2fを1/2分周して画像クロック信号fを作成してい
る1/2分周器である。これによりクロック信号2fは
画像クロック信号fの2倍の周期を有していることとな
る。なお、回路を高速動作させるために、随所にECL
論理回路を配している。
画像信号をラッチするTTLラッチ回路、402はTT
L論理レベルをECL論理レベルに変換する高速レベル
変換器、403はECL論理レベルをアナログ信号に変
換する高速D/Aコンバーターである。404はPWM
信号を発生するECLコンパレーター、405はECL
論理レベルをTTL論理レベルに変換するレベル変換
器、406はクロック信号2fを発振するクロック発振
器、407はクロック信号2fに同期して略理想的三角
波信号を発生する三角波発生器、408はクロック信号
2fを1/2分周して画像クロック信号fを作成してい
る1/2分周器である。これによりクロック信号2fは
画像クロック信号fの2倍の周期を有していることとな
る。なお、回路を高速動作させるために、随所にECL
論理回路を配している。
【0187】かかる構成からなる回路動作を図7のタイ
ミングチャートを参照して説明する。信号(a)はクロ
ック信号2f、信号(b)は画像クロック信号fを示し
ており、図示のごとく画像信号と関係つけてある。ま
た、三角波発生器内部においても、三角波信号のデュー
ティー比を50%に保つために、クロック信号2fをい
ったん1/2分周してから三角波信号(c)を発生させ
ている。更に、この三角波信号(c)はECLレベルに
変換されて三角波信号(d)になる。
ミングチャートを参照して説明する。信号(a)はクロ
ック信号2f、信号(b)は画像クロック信号fを示し
ており、図示のごとく画像信号と関係つけてある。ま
た、三角波発生器内部においても、三角波信号のデュー
ティー比を50%に保つために、クロック信号2fをい
ったん1/2分周してから三角波信号(c)を発生させ
ている。更に、この三角波信号(c)はECLレベルに
変換されて三角波信号(d)になる。
【0188】一方、画像信号は00h(白)〜FFh
(黒)まで256階調レベルで変化する。なお、記号
‘h’は16進数表示を示している。そして、画像信号
(e)はいくつかの画像信号値についてそれらをD/A
変換したECL電圧レベルを示している。例えば、第1
画素は黒画素レベルのFFh、第2画素は中間調レベル
の80h、第3画素は中間調レベルの40h、第4画素
は中間調レベルの20hの各電圧を示している。コンパ
レーターは三角波信号(d)と画像信号(e)を比較す
ることにより、形成すべき画素濃度に応じたパルス幅
T,t2 ,t3 ,t4等のPWM信号を発生する。そし
て、このPWM信号は、0Vまたは5VのTTLレベル
に変換されてPWM信号(f)になりレーザードライバ
回路に入力される。このようにして得られたPWM信号
値に対応して1画素あたりの露光時間を変化させること
により1画素で最大256階調を得ることが可能とな
る。
(黒)まで256階調レベルで変化する。なお、記号
‘h’は16進数表示を示している。そして、画像信号
(e)はいくつかの画像信号値についてそれらをD/A
変換したECL電圧レベルを示している。例えば、第1
画素は黒画素レベルのFFh、第2画素は中間調レベル
の80h、第3画素は中間調レベルの40h、第4画素
は中間調レベルの20hの各電圧を示している。コンパ
レーターは三角波信号(d)と画像信号(e)を比較す
ることにより、形成すべき画素濃度に応じたパルス幅
T,t2 ,t3 ,t4等のPWM信号を発生する。そし
て、このPWM信号は、0Vまたは5VのTTLレベル
に変換されてPWM信号(f)になりレーザードライバ
回路に入力される。このようにして得られたPWM信号
値に対応して1画素あたりの露光時間を変化させること
により1画素で最大256階調を得ることが可能とな
る。
【0189】本実施例はPWM方式による階調制御を用
いたが、ディザ法等の面積階調法やレーザー光強度変調
を用いることも可能であり、更に、それらを組み合わせ
てもよい。
いたが、ディザ法等の面積階調法やレーザー光強度変調
を用いることも可能であり、更に、それらを組み合わせ
てもよい。
【0190】このようにして、図4の感光ドラム1に形
成された静電潜像は現像装置4により現像され、形成さ
れたトナー像は、転写帯電器7によって転写材上に静電
転写される。その後、転写材は分離帯電器8によって静
電分離されて定着器6へと搬送され、熱定着されて画像
が出力される。2は除電露光部である。
成された静電潜像は現像装置4により現像され、形成さ
れたトナー像は、転写帯電器7によって転写材上に静電
転写される。その後、転写材は分離帯電器8によって静
電分離されて定着器6へと搬送され、熱定着されて画像
が出力される。2は除電露光部である。
【0191】一方、トナー像転写後の感光ドラム1の面
はクリーナー5によって転写残りトナー等の付着汚染物
の除去を受けて繰り返し画像形成に使用される。
はクリーナー5によって転写残りトナー等の付着汚染物
の除去を受けて繰り返し画像形成に使用される。
【0192】図8に本発明のカラー複写機の概略図を示
す。
す。
【0193】図8において201はイメージスキャナ部
であり、原稿を読み取り、デジタル信号処理を行う部分
である。また、200はプリンター部であり、イメージ
スキャナ201に読み取られた原稿画像に対応した画像
を用紙にフルカラーでプリント出力する部分である。
であり、原稿を読み取り、デジタル信号処理を行う部分
である。また、200はプリンター部であり、イメージ
スキャナ201に読み取られた原稿画像に対応した画像
を用紙にフルカラーでプリント出力する部分である。
【0194】イメージスキャナ部201において、20
2は原稿厚板であり、原稿台ガラス(以下プラテン)2
03上の原稿204を固定するために用いられる。原稿
204は、ハロゲンランプ205の光で照射される。原
稿204からの反射光はミラー206,207に導か
れ、レンズ208により3本のCCDラインセンサーで
構成される3ラインセンサー(以下CCDという)21
0上に像を結ぶ。CCD210は原稿からの光情報を色
分解して、フルカラー情報のうちレッド(R)、グリー
ン(G)、ブルー(B)成分として信号処理部209に
送られる。なお、205,206は速度vで、207は
1/2vでラインセンサーの電気的走査方向(以下、主
走査方向)に対して垂直方向(以下、副走査方向)に機
械的に動くことにより、原稿全面を走査する。
2は原稿厚板であり、原稿台ガラス(以下プラテン)2
03上の原稿204を固定するために用いられる。原稿
204は、ハロゲンランプ205の光で照射される。原
稿204からの反射光はミラー206,207に導か
れ、レンズ208により3本のCCDラインセンサーで
構成される3ラインセンサー(以下CCDという)21
0上に像を結ぶ。CCD210は原稿からの光情報を色
分解して、フルカラー情報のうちレッド(R)、グリー
ン(G)、ブルー(B)成分として信号処理部209に
送られる。なお、205,206は速度vで、207は
1/2vでラインセンサーの電気的走査方向(以下、主
走査方向)に対して垂直方向(以下、副走査方向)に機
械的に動くことにより、原稿全面を走査する。
【0195】211は標準白色板であり、シェーディン
グ補正時に、センサー210−2〜210−4それぞれ
R,G,Bの成分のラインセンサーに対応する読み取り
データの補正のためのデータを発生するために用いられ
る。
グ補正時に、センサー210−2〜210−4それぞれ
R,G,Bの成分のラインセンサーに対応する読み取り
データの補正のためのデータを発生するために用いられ
る。
【0196】この標準白色板は可視光に対してほぼ均一
の反射特性を示している。この標準白色板を用いてR,
G,Bの可視センサー210−2〜210−4の出力デ
ータの補正に用いる。
の反射特性を示している。この標準白色板を用いてR,
G,Bの可視センサー210−2〜210−4の出力デ
ータの補正に用いる。
【0197】信号処理部209では読み取られた信号を
電気的に処理し、マゼンタ(M)、シアン(C)、イエ
ロー(Y)、ブラック(BK)の各成分に分解し、プリ
ンター部200に送る。また、イメージスキャナ部20
1における一回の原稿走査(スキャン)につき、M,
C,Y,BKの内、一つの成分が面順次に、プリンター
200に送られ、計4回の原稿走査により一回のカラー
画像形成が完成する。
電気的に処理し、マゼンタ(M)、シアン(C)、イエ
ロー(Y)、ブラック(BK)の各成分に分解し、プリ
ンター部200に送る。また、イメージスキャナ部20
1における一回の原稿走査(スキャン)につき、M,
C,Y,BKの内、一つの成分が面順次に、プリンター
200に送られ、計4回の原稿走査により一回のカラー
画像形成が完成する。
【0198】イメージスキャナ部201より送られてく
るM,C,Y,BKの画像信号は、レーザードライバ2
12に送られる。レーザードライバ212は画像信号に
応じ、半導体レーザー213を変調駆動する。レーザー
光はポリゴンミラー214、f−θレンズ215、ミラ
ー216を介し、感光体ドラム217上を走査する。2
19〜222は現像器であり、マゼンタ現像器219、
シアン現像器220、イエロー現像器221、ブラック
現像器222より構成され、4つの現像器が交互に感光
体ドラムに接し、感光体ドラム217上に形成された
M,C,Y,BKの静電潜像を対応するトナーで現像す
る。
るM,C,Y,BKの画像信号は、レーザードライバ2
12に送られる。レーザードライバ212は画像信号に
応じ、半導体レーザー213を変調駆動する。レーザー
光はポリゴンミラー214、f−θレンズ215、ミラ
ー216を介し、感光体ドラム217上を走査する。2
19〜222は現像器であり、マゼンタ現像器219、
シアン現像器220、イエロー現像器221、ブラック
現像器222より構成され、4つの現像器が交互に感光
体ドラムに接し、感光体ドラム217上に形成された
M,C,Y,BKの静電潜像を対応するトナーで現像す
る。
【0199】223は転写ドラムで、用紙カセット22
4または225より給紙された用紙をこの転写ドラム2
23に巻付け、感光体ドラム217上に現像されたトナ
ー像を用紙に転写する。このようにしてM,C,Y,B
Kの4色が順次転写された後に、用紙は定着ユニット2
26を通過して定着後、排紙される。
4または225より給紙された用紙をこの転写ドラム2
23に巻付け、感光体ドラム217上に現像されたトナ
ー像を用紙に転写する。このようにしてM,C,Y,B
Kの4色が順次転写された後に、用紙は定着ユニット2
26を通過して定着後、排紙される。
【0200】前記、電子写真画像形成装置は半導体レー
ザーを用いてポリゴンによる走査光学系により感光体を
露光しているものであるが、ポリゴンのような機械的な
駆動部のない固体スキャナーとしてLEDプリンターヘ
ッドが用いられる。LEDプリンターヘッドは発光ダイ
オードを概略線状に集積したもので400dpi以上の
高解像度のものも作成されており、駆動部分がないこと
から、小型化に有利である。LEDプリンターヘッドか
らのスポット光は収束性ロッドレンズアレイにより感光
体上に結像される。このとき主走査方向の解像度はLE
Dプリンターヘッドの集積度により決められ、400d
piすなわち63.5μm間隔より高解像度のものが用
いられるが、副走査方向はロッドレンズアレイの集光性
能と感光体の移動速度により決められる。
ザーを用いてポリゴンによる走査光学系により感光体を
露光しているものであるが、ポリゴンのような機械的な
駆動部のない固体スキャナーとしてLEDプリンターヘ
ッドが用いられる。LEDプリンターヘッドは発光ダイ
オードを概略線状に集積したもので400dpi以上の
高解像度のものも作成されており、駆動部分がないこと
から、小型化に有利である。LEDプリンターヘッドか
らのスポット光は収束性ロッドレンズアレイにより感光
体上に結像される。このとき主走査方向の解像度はLE
Dプリンターヘッドの集積度により決められ、400d
piすなわち63.5μm間隔より高解像度のものが用
いられるが、副走査方向はロッドレンズアレイの集光性
能と感光体の移動速度により決められる。
【0201】LEDの発光の強度分布はガウス分布より
矩形的な分布を有しているが、ピーク強度の1/e2 の
強度を有している部分の面積について考慮すればよい。
矩形的な分布を有しているが、ピーク強度の1/e2 の
強度を有している部分の面積について考慮すればよい。
【0202】
【発明の効果】以上説明したように、コロイダルシリカ
及びシロキサン樹脂を含有し、更に導電性粒子を含有す
る組成物を感光層の表面保護層として用いることによ
り、高硬度で放電による劣化の少ないことから耐摩耗性
に優れ、かつ表面エネルギーが小さいことから汚染が少
なく、クリーニング性に優れ、しかも帯電の環境安定性
や残留電位等の電気特性の優れた電子写真感光体を実現
した。更に、該電子写真感光体は光散乱も少ないことか
らこれを用いた電子写真画像形成装置は耐久性が優れて
いるのみでなく、耐久後も良好な画像を提供することを
可能とした。特に、レーザー等のスポット光を用いるデ
ジタル方式の電子写真画像形成装置において、該感光層
の膜厚を耐久性を保ちつつ減少させることが可能となる
ために400dpiといった高解像度において256階
調の優れた階調再現性を有するむらのない高画像品位の
出力を得ることが可能となった。
及びシロキサン樹脂を含有し、更に導電性粒子を含有す
る組成物を感光層の表面保護層として用いることによ
り、高硬度で放電による劣化の少ないことから耐摩耗性
に優れ、かつ表面エネルギーが小さいことから汚染が少
なく、クリーニング性に優れ、しかも帯電の環境安定性
や残留電位等の電気特性の優れた電子写真感光体を実現
した。更に、該電子写真感光体は光散乱も少ないことか
らこれを用いた電子写真画像形成装置は耐久性が優れて
いるのみでなく、耐久後も良好な画像を提供することを
可能とした。特に、レーザー等のスポット光を用いるデ
ジタル方式の電子写真画像形成装置において、該感光層
の膜厚を耐久性を保ちつつ減少させることが可能となる
ために400dpiといった高解像度において256階
調の優れた階調再現性を有するむらのない高画像品位の
出力を得ることが可能となった。
【図1】(A)はコロイダルシリカ及びシロキサン樹脂
を含有し、かつ導電性粒子を含有する組成物を電荷輸送
層の表面保護層に用いた本発明の電子写真感光体の断面
の概略図であり、(B)はコロイダルシリカ及びシロキ
サン樹脂を含有し、かつ導電性粒子を含有する組成物を
電荷発生層の表面保護層に用いた本発明の電子写真感光
体の断面の概略図である。
を含有し、かつ導電性粒子を含有する組成物を電荷輸送
層の表面保護層に用いた本発明の電子写真感光体の断面
の概略図であり、(B)はコロイダルシリカ及びシロキ
サン樹脂を含有し、かつ導電性粒子を含有する組成物を
電荷発生層の表面保護層に用いた本発明の電子写真感光
体の断面の概略図である。
【図2】本発明の電子写真感光体における照射光ビーム
のスポット形状と導電性支持体に到達した光ビームの強
度分布を示す概略図である。
のスポット形状と導電性支持体に到達した光ビームの強
度分布を示す概略図である。
【図3】階調再現性の測定方法における光照射量と画像
濃度の関係を示す概略図である。
濃度の関係を示す概略図である。
【図4】本発明の電子写真画像形成装置の概略図であ
る。
る。
【図5】本発明のレーザー光走査部の概略図である。
【図6】本発明のレーザー光を制御するためのパルス幅
変調回路の回路ブロック図である。
変調回路の回路ブロック図である。
【図7】本発明のレーザー光を制御するためのパルス幅
変調回路の動作を示すタイミングチャートである。
変調回路の動作を示すタイミングチャートである。
【図8】本発明の電子写真画像形成装置のカラー複写機
の構成図である。
の構成図である。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 ▲吉▼永 和夫 東京都大田区下丸子3丁目30番2号 キヤ ノン株式会社内
Claims (13)
- 【請求項1】 支持体上に感光層及び保護層を有する電
子写真感光体において、該保護層がコロイダルシリカ及
びシロキサン樹脂を含有し、かつ導電性粒子を含有する
ことを特徴とする電子写真感光体。 - 【請求項2】 前記感光層が電荷発生層及び電荷輸送層
を有する請求項1記載の電子写真感光体。 - 【請求項3】 前記感光層の膜厚が12μm以下である
請求項1または2に記載の電子写真感光体。 - 【請求項4】 前記保護層が、コロイダルシリカの存在
下に縮合した、下記式(I) RSiO3/2 (I) (式中、Rは炭素数1〜3のアルキル基、ビニル基、C
n F2n+1C2 H4 −基(n=1〜18)、γ−グリシド
キシプロピル基及びγ−メタクリロオキシプロピル基か
らなる群より選ばれた少なくともひとつの基を表わ
す。)で表わされる化合物を含有する請求項1乃至3の
いずれかに記載の電子写真感光体。 - 【請求項5】 前記導電性粒子が金属酸化物からなる請
求項1乃至4のいずれかに記載の電子写真感光体。 - 【請求項6】 前記保護層の体積抵抗が1×109 〜1
×1015Ωcmである請求項1乃至5のいずれかに記載
の電子写真感光体。 - 【請求項7】 前記保護層の膜厚が0.2〜3.0μm
である請求項1乃至6のいずれかに記載の電子写真感光
体。 - 【請求項8】 電子写真感光体上に露光により潜像を形
成し、その形成された潜像を現像して画像を得る電子写
真画像形成装置において、 該画像形成装置が、該感光体を帯電する手段及び得られ
た潜像をトナーにより現像する手段を有し、 該感光体が支持体上に感光層及び保護層を有する電子写
真感光体であって、該保護層がコロイダルシリカ及びシ
ロキサン樹脂を含有し、かつ導電性粒子を含有すること
を特徴とする電子写真画像形成装置。 - 【請求項9】 入力信号で変調された光ビームを電子写
真感光体上に照射するとともに走査することによって潜
像を形成し、その形成された潜像を現像して画像を得る
電子写真画像形成装置において、 該画像形成装置が、記録される画像の解像度及び階調性
により該感光体への光ビームの露光量を制御する手段、
該感光体を帯電する手段及び得られた潜像をトナーによ
り現像する手段を有し、 該感光体が支持体上に感光層及び保護層を有する電子写
真感光体であって、該保護層がコロイダルシリカ及びシ
ロキサン樹脂を含有し、かつ導電性粒子を含有すること
を特徴とする電子写真画像形成装置。 - 【請求項10】 前記光ビームのスポット面積と感光層
の膜厚の積が、20000μm3 以下である請求項9記
載の電子写真画像形成装置。 - 【請求項11】 前記露光量を制御する手段が、露光時
間変調を含む請求項9または10に記載の電子写真画像
形成装置。 - 【請求項12】 前記光ビームが半導体レーザーにより
得られる請求項9乃至11のいずれかに記載の電子写真
画像形成装置。 - 【請求項13】 前記光ビームがLEDアレイにより得
られる請求項9乃至11のいずれかに記載の電子写真画
像形成装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP351198A JPH11202530A (ja) | 1998-01-09 | 1998-01-09 | 電子写真感光体及び電子写真画像形成装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP351198A JPH11202530A (ja) | 1998-01-09 | 1998-01-09 | 電子写真感光体及び電子写真画像形成装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH11202530A true JPH11202530A (ja) | 1999-07-30 |
Family
ID=11559397
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP351198A Pending JPH11202530A (ja) | 1998-01-09 | 1998-01-09 | 電子写真感光体及び電子写真画像形成装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH11202530A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2003345049A (ja) * | 2002-05-28 | 2003-12-03 | Canon Inc | 電子写真感光体、プロセスカートリッジおよび電子写真装置 |
-
1998
- 1998-01-09 JP JP351198A patent/JPH11202530A/ja active Pending
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2003345049A (ja) * | 2002-05-28 | 2003-12-03 | Canon Inc | 電子写真感光体、プロセスカートリッジおよび電子写真装置 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US6824939B2 (en) | Electrophotographic image forming method and apparatus | |
US5910386A (en) | Electrophotographic photosensitive member, and electrophotographic apparatus and process cartridge employing the same | |
KR0164001B1 (ko) | 전자사진 감광 부재, 이를 포함하는 프로세스 카트리지 및 화상 형성 장치 | |
EP0811885B1 (en) | Electrophotographic photosensitive member, and electrophotographic apparatus and process cartridge employing the same | |
JPH11202531A (ja) | 電子写真感光体及び電子写真画像形成装置 | |
JPH11218952A (ja) | 表面保護層を有する電子写真感光体 | |
JP3618962B2 (ja) | 電子写真感光体、この電子写真感光体を用いた電子写真装置及びプロセスカートリッジ | |
JP3681088B2 (ja) | 電子写真感光体、電子写真装置及びプロセスカートリッジ | |
JP2008151999A (ja) | 画像形成方法 | |
JPH11202530A (ja) | 電子写真感光体及び電子写真画像形成装置 | |
JPH11202527A (ja) | 電子写真感光体および電子写真画像形成装置 | |
JPH11202534A (ja) | 電子写真感光体および電子写真画像形成装置 | |
JPH11202532A (ja) | 電子写真感光体及び電子写真画像形成装置 | |
JPH11202528A (ja) | 電子写真感光体及び電子写真画像形成装置 | |
JP3865676B2 (ja) | 画像形成装置 | |
JPH11202524A (ja) | 電子写真感光体及び電子写真画像形成装置 | |
JPH11202526A (ja) | 電子写真感光体および電子写真画像形成装置 | |
JP4136622B2 (ja) | 画像形成装置及びプロセスカートリッジ | |
JPH11202533A (ja) | 電子写真感光体および電子写真画像形成装置 | |
JP2004029489A (ja) | 画像形成装置 | |
JP2004101710A (ja) | 電子写真感光体、該電子写真感光体を有するプロセスカートリッジ及び電子写真装置 | |
JPH11202518A (ja) | 電子写真感光体 | |
JP3286974B2 (ja) | 電子写真感光体、該電子写真感光体を有するプロセスカートリッジ及び画像形成装置 | |
JPH034232A (ja) | 電子写真感光体 | |
JPH1195462A (ja) | 電子写真感光体、プロセスカートリッジ及び電子写真装置 |