JPH1065484A - 圧電共振子 - Google Patents
圧電共振子Info
- Publication number
- JPH1065484A JPH1065484A JP8241188A JP24118896A JPH1065484A JP H1065484 A JPH1065484 A JP H1065484A JP 8241188 A JP8241188 A JP 8241188A JP 24118896 A JP24118896 A JP 24118896A JP H1065484 A JPH1065484 A JP H1065484A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- piezoelectric
- resonator
- electrodes
- substrate
- piezoelectric resonator
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 31
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 claims abstract description 21
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 150000004706 metal oxides Chemical group 0.000 claims description 3
- 229910000881 Cu alloy Inorganic materials 0.000 abstract description 3
- YOCUPQPZWBBYIX-UHFFFAOYSA-N copper nickel Chemical compound [Ni].[Cu] YOCUPQPZWBBYIX-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 3
- 230000010287 polarization Effects 0.000 abstract description 3
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 abstract description 3
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 abstract description 2
- 238000009413 insulation Methods 0.000 abstract 4
- 239000000615 nonconductor Substances 0.000 abstract 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 abstract 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 abstract 1
- 229910010293 ceramic material Inorganic materials 0.000 description 7
- 238000000034 method Methods 0.000 description 5
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 239000000463 material Substances 0.000 description 3
- 238000013016 damping Methods 0.000 description 2
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 description 2
Landscapes
- Piezo-Electric Or Mechanical Vibrators, Or Delay Or Filter Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】部品数の削減が可能で、製品に要求される特性
に沿ったＱｍが得られる圧電共振子を提供する。 【解決手段】圧電セラミックス基板１の両面に電極４，
５を形成し、対向する電極４，５間で圧電振動を励振さ
せる。少なくとも一面の電極４，５と圧電セラミックス
基板１との間に絶縁層２，３を設けることにより、セラ
ミック材料が持つＱｍを低下させ、目的とする特性に沿
ったＱｍが得られる。
に沿ったＱｍが得られる圧電共振子を提供する。 【解決手段】圧電セラミックス基板１の両面に電極４，
５を形成し、対向する電極４，５間で圧電振動を励振さ
せる。少なくとも一面の電極４，５と圧電セラミックス
基板１との間に絶縁層２，３を設けることにより、セラ
ミック材料が持つＱｍを低下させ、目的とする特性に沿
ったＱｍが得られる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は圧電共振子、特にＱ
ｍの調整が可能な圧電共振子に関するものである。
ｍの調整が可能な圧電共振子に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】近年、デジタル化が進むにつれ、ラダー
型フィルタの群遅延特性（Ｇ．Ｄ．Ｔ．特性）が重要視
された品種が多くなっている。セラミック共振子を用い
てその要求を満たすためには、セラミック共振子のＱｍ
を１００〜２００程度に低く抑える必要がある。しか
し、従来の圧電共振子においては、セラミック材料その
もののＱｍに依存していたため、要求するＱｍの材料が
開発されないと、製品としても要求するＱｍのものが得
られず、商品化できないという状況にあった。
型フィルタの群遅延特性（Ｇ．Ｄ．Ｔ．特性）が重要視
された品種が多くなっている。セラミック共振子を用い
てその要求を満たすためには、セラミック共振子のＱｍ
を１００〜２００程度に低く抑える必要がある。しか
し、従来の圧電共振子においては、セラミック材料その
もののＱｍに依存していたため、要求するＱｍの材料が
開発されないと、製品としても要求するＱｍのものが得
られず、商品化できないという状況にあった。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】このような問題に対処
するため、Ｑｍの大きな圧電共振子の振動をゴムシート
等を用いて機械的にダンピングし、見かけ上のＱｍを低
下させる方法や、ラダー型フィルタを構成する共振子に
抵抗を並列・直列に結線し、回路的に群遅延特性を改良
する方法などが用いられていた。しかし、これらの方法
はフィルタを構成する部品の増加につながり、コスト高
になるという欠点があった。
するため、Ｑｍの大きな圧電共振子の振動をゴムシート
等を用いて機械的にダンピングし、見かけ上のＱｍを低
下させる方法や、ラダー型フィルタを構成する共振子に
抵抗を並列・直列に結線し、回路的に群遅延特性を改良
する方法などが用いられていた。しかし、これらの方法
はフィルタを構成する部品の増加につながり、コスト高
になるという欠点があった。
【０００４】そこで、本発明の目的は、部品数の削減が
可能で、製品に要求される特性に沿ったＱｍが得られる
圧電共振子を提供することにある。
可能で、製品に要求される特性に沿ったＱｍが得られる
圧電共振子を提供することにある。
【０００５】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、本発明は、圧電セラミックス基板の両面に電極を形
成し、対向する電極間で圧電振動を励振させるようにし
た圧電共振子において、少なくとも一面の電極と圧電セ
ラミックス基板との間に、絶縁層が設けられていること
を特徴とするものである。
め、本発明は、圧電セラミックス基板の両面に電極を形
成し、対向する電極間で圧電振動を励振させるようにし
た圧電共振子において、少なくとも一面の電極と圧電セ
ラミックス基板との間に、絶縁層が設けられていること
を特徴とするものである。
【０００６】要求するＱｍより高いＱｍを有するセラミ
ックス基板の上に絶縁層を形成し、その上に電極を積層
して形成する。その後、直流の高圧電圧を印加すること
により、セラミックス基板の分極処理を行い、圧電特性
を付与する。このようにして得られたフィルタ素子のＱ
ｍは、材料の持つＱｍより低くでき、目的とする特性に
沿ったＱｍを得ることができる。Ｑｍは一般に絶縁層の
厚みが厚くなると低下する傾向を有するので、絶縁層の
厚みを調整することにより、Ｑｍ値をセラミックス材料
を変えずにコントロールすることが可能である。
ックス基板の上に絶縁層を形成し、その上に電極を積層
して形成する。その後、直流の高圧電圧を印加すること
により、セラミックス基板の分極処理を行い、圧電特性
を付与する。このようにして得られたフィルタ素子のＱ
ｍは、材料の持つＱｍより低くでき、目的とする特性に
沿ったＱｍを得ることができる。Ｑｍは一般に絶縁層の
厚みが厚くなると低下する傾向を有するので、絶縁層の
厚みを調整することにより、Ｑｍ値をセラミックス材料
を変えずにコントロールすることが可能である。
【０００７】ラダー型フィルタには拡がり振動モード共
振子が用いられるが、この拡がり振動モード共振子に本
発明構造を適用すると、群遅延特性に優れたラダー型フ
ィルタを容易に得ることができる。
振子が用いられるが、この拡がり振動モード共振子に本
発明構造を適用すると、群遅延特性に優れたラダー型フ
ィルタを容易に得ることができる。
【０００８】絶縁層としては種々のものが考えられる
が、薄膜化が容易でかつ電極およびセラミックス材料と
の密着性を確保するため、金属酸化膜を用いるのが望ま
しい。金属酸化膜は、セラミックス材料の上に薄膜状の
金属膜を形成した後、これを酸化処理して不導体化する
ことにより、容易に形成できる。
が、薄膜化が容易でかつ電極およびセラミックス材料と
の密着性を確保するため、金属酸化膜を用いるのが望ま
しい。金属酸化膜は、セラミックス材料の上に薄膜状の
金属膜を形成した後、これを酸化処理して不導体化する
ことにより、容易に形成できる。
【０００９】本発明の圧電共振子は、拡がり振動モード
の共振子のほか、厚み縦振動や厚みすべり振動などの他
の振動モードの共振子にも適用できる。したがって、本
発明はラダー型フィルタ以外にも適用可能である。
の共振子のほか、厚み縦振動や厚みすべり振動などの他
の振動モードの共振子にも適用できる。したがって、本
発明はラダー型フィルタ以外にも適用可能である。
【００１０】
【発明の実施の形態】図１は本発明にかかる圧電共振子
の第１実施例を示す。この実施例の圧電共振子は、ラダ
ー型フィルタの並列共振子として用いられる拡がり振動
モードを利用した共振子であり、方形状の圧電セラミッ
ク基板１と、その両面の全面に形成された絶縁層２，３
と、絶縁層２，３の上に全面に積層された電極４，５と
を備えている。
の第１実施例を示す。この実施例の圧電共振子は、ラダ
ー型フィルタの並列共振子として用いられる拡がり振動
モードを利用した共振子であり、方形状の圧電セラミッ
ク基板１と、その両面の全面に形成された絶縁層２，３
と、絶縁層２，３の上に全面に積層された電極４，５と
を備えている。
【００１１】圧電セラミック基板１としては、厚みが
０．３５ｍｍで、Ｑｍが５００〜６００程度のＰＺＴ系
セラミックスを用い、その両面にニッケル銅合金などの
薄膜金属膜をスパッタリングで片面０．３〜０．９μｍ
程度の厚みで形成する。その後、基板１をピーク温度が
８５０℃程度の酸化雰囲気の加熱炉に約９０分間通し、
金属膜を酸化させて不導体化し、絶縁層２，３とする。
その後、絶縁層２，３の上にニッケル銅合金の電極４，
５をスパッタリングで同程度の厚み（例えば１．０μｍ
程度）に形成する。電極４，５の形成後、ＤＣ高圧電圧
を印加して分極処理を行い、基板１に圧電特性を付与す
る。その後、フィルタ用素子としての加工を行うことに
より、Ｑｍの低い圧電共振子を作成した。
０．３５ｍｍで、Ｑｍが５００〜６００程度のＰＺＴ系
セラミックスを用い、その両面にニッケル銅合金などの
薄膜金属膜をスパッタリングで片面０．３〜０．９μｍ
程度の厚みで形成する。その後、基板１をピーク温度が
８５０℃程度の酸化雰囲気の加熱炉に約９０分間通し、
金属膜を酸化させて不導体化し、絶縁層２，３とする。
その後、絶縁層２，３の上にニッケル銅合金の電極４，
５をスパッタリングで同程度の厚み（例えば１．０μｍ
程度）に形成する。電極４，５の形成後、ＤＣ高圧電圧
を印加して分極処理を行い、基板１に圧電特性を付与す
る。その後、フィルタ用素子としての加工を行うことに
より、Ｑｍの低い圧電共振子を作成した。
【００１２】図２は絶縁層の厚みとＱｍとの関係を示す
図である。この図から明らかなように、絶縁層の厚みが
厚くなるに従い、Ｑｍが低下していることが分かる。こ
の関係を用いることによって、セラミックス材料を変更
せずに、Ｑｍ値をコントロールすることが可能である。
図である。この図から明らかなように、絶縁層の厚みが
厚くなるに従い、Ｑｍが低下していることが分かる。こ
の関係を用いることによって、セラミックス材料を変更
せずに、Ｑｍ値をコントロールすることが可能である。
【００１３】図３は本発明の第２実施例を示す。この実
施例も拡がり振動モードの圧電共振子であり、６は圧電
セラミックス基板、７，８は基板６の表裏面に形成され
た絶縁層、９，１０は絶縁層７，８の上に積層された電
極である。表側の電極９は部分電極であり、裏側の電極
１０は全面電極である。また、絶縁層７，８も電極９，
１０と対応する形状に形成されている。なお、この実施
例における絶縁層７，８および電極９，１０の厚みや材
質などの条件は図１に記載の圧電共振子と同様である。
施例も拡がり振動モードの圧電共振子であり、６は圧電
セラミックス基板、７，８は基板６の表裏面に形成され
た絶縁層、９，１０は絶縁層７，８の上に積層された電
極である。表側の電極９は部分電極であり、裏側の電極
１０は全面電極である。また、絶縁層７，８も電極９，
１０と対応する形状に形成されている。なお、この実施
例における絶縁層７，８および電極９，１０の厚みや材
質などの条件は図１に記載の圧電共振子と同様である。
【００１４】図４は、本発明における圧電共振子（Ｑｍ
＝１７０）を用いたラダー型フィルタと、従来の圧電共
振子（Ｑｍ＝５００）を用いたラダー型フィルタとの
Ｇ．Ｄ．Ｔ．特性とフィルタ振幅特性とを比較した結果
を示す。なお、ラダー型フィルタの回路構成は図５に示
す通りである。本発明のラダー型フィルタでは、その並
列共振子Ｐとして図１に記載の圧電共振子を用い、直列
共振子Ｓとして図３に記載の圧電共振子を用いた。
＝１７０）を用いたラダー型フィルタと、従来の圧電共
振子（Ｑｍ＝５００）を用いたラダー型フィルタとの
Ｇ．Ｄ．Ｔ．特性とフィルタ振幅特性とを比較した結果
を示す。なお、ラダー型フィルタの回路構成は図５に示
す通りである。本発明のラダー型フィルタでは、その並
列共振子Ｐとして図１に記載の圧電共振子を用い、直列
共振子Ｓとして図３に記載の圧電共振子を用いた。
【００１５】図４に示すように、３ｄＢバンド幅内の
Ｇ．Ｄ．Ｔ．偏差が、従来では６８μｓであったのに対
し、本発明では３２μｓまで半減している。したがっ
て、良好なフィルタ特性が得られたことが証明された。
Ｇ．Ｄ．Ｔ．偏差が、従来では６８μｓであったのに対
し、本発明では３２μｓまで半減している。したがっ
て、良好なフィルタ特性が得られたことが証明された。
【００１６】図６は本発明の第３実施例を示し、この実
施例も拡がり振動モードの圧電共振子である。１１は圧
電セラミックス基板、１２は基板１１の表面にのみ形成
された絶縁層、１３は絶縁層１２の上に積層された表側
電極、１４は基板１１の裏面に形成された裏側電極であ
る。電極１３，１４は共に全面電極である。この実施例
の場合も、基板１１の表面に形成された絶縁層１２によ
って、セラミックス材料が持つＱｍより低いＱｍ値の圧
電共振子を得ることができる。なお、この実施例におい
て、表裏いずれかの電極１３，１４は部分電極であって
もよい。
施例も拡がり振動モードの圧電共振子である。１１は圧
電セラミックス基板、１２は基板１１の表面にのみ形成
された絶縁層、１３は絶縁層１２の上に積層された表側
電極、１４は基板１１の裏面に形成された裏側電極であ
る。電極１３，１４は共に全面電極である。この実施例
の場合も、基板１１の表面に形成された絶縁層１２によ
って、セラミックス材料が持つＱｍより低いＱｍ値の圧
電共振子を得ることができる。なお、この実施例におい
て、表裏いずれかの電極１３，１４は部分電極であって
もよい。
【００１７】図７，図８は本発明の第４実施例を示し、
この実施例は拡がり振動モードを利用したｋＨｚ帯の３
端子フィルタである。このフィルタは、方形の圧電セラ
ミックス基板１５を有し、その表面中央部にＸ字電極１
６とその周囲にリング電極１７とが形成され、裏面には
全面のアース電極１８が形成されている。この場合にお
いて、Ｘ字電極１６およびリング電極１７と基板１５と
の間には絶縁層１９，２０が形成され、アース電極１８
と基板１５との間にも絶縁層２１が形成されている。な
お、絶縁層１９〜２１のいずれかを省略することも可能
である。
この実施例は拡がり振動モードを利用したｋＨｚ帯の３
端子フィルタである。このフィルタは、方形の圧電セラ
ミックス基板１５を有し、その表面中央部にＸ字電極１
６とその周囲にリング電極１７とが形成され、裏面には
全面のアース電極１８が形成されている。この場合にお
いて、Ｘ字電極１６およびリング電極１７と基板１５と
の間には絶縁層１９，２０が形成され、アース電極１８
と基板１５との間にも絶縁層２１が形成されている。な
お、絶縁層１９〜２１のいずれかを省略することも可能
である。
【００１８】図９，図１０は本発明の第５実施例を示
し、この実施例も拡がり振動モードを利用したｋＨｚ帯
の３端子フィルタである。このフィルタは、方形の圧電
セラミックス基板２２を有し、その表面中央部にドット
状電極２３とその周囲にリング電極２４とが形成され、
裏面には全面のアース電極２５が形成されている。この
場合において、ドット状電極２３およびリング電極２４
と基板２２との間には絶縁層２６，２７が形成され、ア
ース電極２５と基板２２との間にも絶縁層２８が形成さ
れている。なお、絶縁層２６〜２８のいずれかを省略す
ることも可能である。
し、この実施例も拡がり振動モードを利用したｋＨｚ帯
の３端子フィルタである。このフィルタは、方形の圧電
セラミックス基板２２を有し、その表面中央部にドット
状電極２３とその周囲にリング電極２４とが形成され、
裏面には全面のアース電極２５が形成されている。この
場合において、ドット状電極２３およびリング電極２４
と基板２２との間には絶縁層２６，２７が形成され、ア
ース電極２５と基板２２との間にも絶縁層２８が形成さ
れている。なお、絶縁層２６〜２８のいずれかを省略す
ることも可能である。
【００１９】
【発明の効果】以上の説明で明らかなように、本発明に
よれば、電極と圧電セラミックス基板との間に絶縁層を
設けることにより、現有のセラミック材料を用いてＱｍ
を自由に選択できるので、要求されるＱｍに合わせて製
品を作ることができ、需要に対して迅速に対応すること
ができる。また、圧電共振子の振動を機械的にダンピン
グしたり、回路的に群遅延特性を改良する方法のような
追加部品が不要となるので、部品数の削減が可能であ
り、コストを低減できる。
よれば、電極と圧電セラミックス基板との間に絶縁層を
設けることにより、現有のセラミック材料を用いてＱｍ
を自由に選択できるので、要求されるＱｍに合わせて製
品を作ることができ、需要に対して迅速に対応すること
ができる。また、圧電共振子の振動を機械的にダンピン
グしたり、回路的に群遅延特性を改良する方法のような
追加部品が不要となるので、部品数の削減が可能であ
り、コストを低減できる。
【図１】本発明にかかる圧電共振子の第１実施例の断面
図である。
図である。
【図２】絶縁層の厚みとＱｍとの関係を示す図である。
【図３】本発明にかかる圧電共振子の第２実施例の断面
図である。
図である。
【図４】本発明の圧電共振子を用いたラダー型フィルタ
と従来の圧電共振子を用いたラダー型フィルタのＧ．
Ｄ．Ｔ．特性の比較図である。
と従来の圧電共振子を用いたラダー型フィルタのＧ．
Ｄ．Ｔ．特性の比較図である。
【図５】一般的な４素子のラダー型フィルタの回路図で
ある。
ある。
【図６】本発明にかかる圧電共振子の第３実施例の断面
図である。
図である。
【図７】本発明にかかる圧電共振子の第４実施例の表面
図である。
図である。
【図８】図７のＸ−Ｘ線断面図である。
【図９】本発明にかかる圧電共振子の第５実施例の表面
図である。
図である。
【図１０】図９のＹ−Ｙ線断面図である。
１ 圧電セラミック基板 ２，３ 絶縁層 ４，５ 電極
Claims (3)
- 【請求項１】圧電セラミックス基板の両面に電極を形成
し、対向する電極間で圧電振動を励振させるようにした
圧電共振子において、 少なくとも一面の電極と圧電セラミックス基板との間
に、絶縁層が設けられていることを特徴とする圧電共振
子。 - 【請求項２】上記圧電共振子は拡がり振動モード共振子
であることを特徴とする請求項１に記載の圧電共振子。 - 【請求項３】上記絶縁層は金属酸化膜であることを特徴
とする請求項１または２に記載の圧電共振子。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8241188A JPH1065484A (ja) | 1996-08-23 | 1996-08-23 | 圧電共振子 |
| CN97117632A CN1118134C (zh) | 1996-08-23 | 1997-08-19 | 压电共振器 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8241188A JPH1065484A (ja) | 1996-08-23 | 1996-08-23 | 圧電共振子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1065484A true JPH1065484A (ja) | 1998-03-06 |
Family
ID=17070539
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8241188A Pending JPH1065484A (ja) | 1996-08-23 | 1996-08-23 | 圧電共振子 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH1065484A (ja) |
| CN (1) | CN1118134C (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20030064530A (ko) * | 2002-01-28 | 2003-08-02 | 엘지이노텍 주식회사 | 박막 용적 공진기 |
| CN113126181A (zh) * | 2021-03-08 | 2021-07-16 | 昆明理工大学 | 一种大气电场探测多旋翼无人机及其测量方法 |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE102005043034A1 (de) * | 2005-09-09 | 2007-03-15 | Siemens Ag | Vorrichtung und Verfahren zur Bewegung einer Flüssigkeit |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4760358A (en) * | 1985-08-07 | 1988-07-26 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Piezoelectric element |
| US5202600A (en) * | 1988-08-31 | 1993-04-13 | Seikosha Co., Ltd. | Piezoelectric device and related converting devices |
-
1996
- 1996-08-23 JP JP8241188A patent/JPH1065484A/ja active Pending
-
1997
- 1997-08-19 CN CN97117632A patent/CN1118134C/zh not_active Expired - Fee Related
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20030064530A (ko) * | 2002-01-28 | 2003-08-02 | 엘지이노텍 주식회사 | 박막 용적 공진기 |
| CN113126181A (zh) * | 2021-03-08 | 2021-07-16 | 昆明理工大学 | 一种大气电场探测多旋翼无人机及其测量方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN1182977A (zh) | 1998-05-27 |
| CN1118134C (zh) | 2003-08-13 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP4453701B2 (ja) | 弾性表面波装置 | |
| CN102017407A (zh) | 弹性边界波装置 | |
| JP2001211052A (ja) | 圧電共振子 | |
| JP2007235711A (ja) | 弾性表面波装置 | |
| JPH1065484A (ja) | 圧電共振子 | |
| JP3846406B2 (ja) | 電子部品、その製造方法、それを用いたフィルタおよびデュプレクサならびに電子通信機器 | |
| JP2001168674A (ja) | 圧電共振子及び電子機器 | |
| JPH1041104A (ja) | 正特性サーミスタ素体および正特性サーミスタ | |
| US6759792B2 (en) | Polarization method of a multi-layered piezoelectric body | |
| JPH0658978B2 (ja) | 圧電変位素子 | |
| JP3446677B2 (ja) | 圧電フィルタ装置 | |
| JP2967437B2 (ja) | 積層圧電素子磁器組成物 | |
| JP2001094382A (ja) | 弾性表面波装置およびその製造方法 | |
| WO2000070688A1 (fr) | Transducteur piezo-electrique stratifie | |
| JPH04243173A (ja) | 電歪効果素子 | |
| JP3912394B2 (ja) | 三重モード圧電フィルタの周波数調整方法 | |
| JP3256953B2 (ja) | モノリシック圧電フィルタ | |
| JPH11135302A (ja) | 正特性サーミスタ | |
| JPH07231238A (ja) | 弾性表面波変換器 | |
| JP3265667B2 (ja) | チップサーミスタ | |
| JP3975924B2 (ja) | 表面波装置及びその製造方法 | |
| JPH08139562A (ja) | チップ型圧電共振部品 | |
| JPH11330581A (ja) | 圧電トランスの製造方法 | |
| JPH0677554A (ja) | 積層型圧電素子の製造方法 | |
| JPS595719A (ja) | 酸化亜鉛薄膜の電極構造 |