JPH1064966A - 金属の回収容器及び金属の回収方法 - Google Patents
金属の回収容器及び金属の回収方法Info
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- JPH1064966A JPH1064966A JP8222343A JP22234396A JPH1064966A JP H1064966 A JPH1064966 A JP H1064966A JP 8222343 A JP8222343 A JP 8222343A JP 22234396 A JP22234396 A JP 22234396A JP H1064966 A JPH1064966 A JP H1064966A
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- container
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Abstract
(57)【要約】
【課題】溶液を回収する際に、回収液がウエハの裏面へ
回り込むため金属汚染量を精度よく測定することができ
ない。 【解決手段】回収容器はテフロン製シャーレ１からな
り、このシャーレは、中央部に向けてくぼみ２Ａを有
し、シャーレの内径はウエハの外形と同じ大きさで、ウ
エハのオリエンテーションフラット３Ａまたはノッチに
当たる部分にはこの形状にあった段差２Ｂを有する。ウ
エハとシャーレの間の空間に回収溶液（ＨＦ系溶液）を
入れ、被測定ウエハ表面を下向きにしてシャーレにセッ
トし、シャーレを揺動することによって酸化膜の溶解と
同時に金属汚染物を回収する。
回り込むため金属汚染量を精度よく測定することができ
ない。 【解決手段】回収容器はテフロン製シャーレ１からな
り、このシャーレは、中央部に向けてくぼみ２Ａを有
し、シャーレの内径はウエハの外形と同じ大きさで、ウ
エハのオリエンテーションフラット３Ａまたはノッチに
当たる部分にはこの形状にあった段差２Ｂを有する。ウ
エハとシャーレの間の空間に回収溶液（ＨＦ系溶液）を
入れ、被測定ウエハ表面を下向きにしてシャーレにセッ
トし、シャーレを揺動することによって酸化膜の溶解と
同時に金属汚染物を回収する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体ウエハ表面
の金属汚染量を測定するための、金属の回収容器及び金
属の回収方法に関するものである。
の金属汚染量を測定するための、金属の回収容器及び金
属の回収方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】半導体ウエハ表面に存在する汚染金属の
分析方法として、原子吸収法（ＡＡＳ）あるいは、誘導
結合プラズマ質量分析法（ＩＣＰ−ＭＳ）が用いられて
いる。これらの分析に用いる試料溶液は、一般的に図４
及び図５に示す操作によって作成される。
分析方法として、原子吸収法（ＡＡＳ）あるいは、誘導
結合プラズマ質量分析法（ＩＣＰ−ＭＳ）が用いられて
いる。これらの分析に用いる試料溶液は、一般的に図４
及び図５に示す操作によって作成される。
【０００３】まず図４（ａ）に示すように、ウエハ３の
上に存在する酸化膜１１の表面にＨＦ蒸気１３を吹き付
け、表面の酸化膜１１を溶解し、図４（ｂ）に示すよう
にシリコン表面がむき出しの状態にする。次に図４
（ｃ）に示すように、回収溶液４をウエハ３上に滴下
し、この液滴を転がしてシリコンウエハ表面を走査し、
金属汚染物１２を液滴中に回収する。例えば、図５に示
すような渦巻状走査や左右走査を施すことによって、ウ
エハ３上の金属汚染物を回収する。回収した溶液は、ピ
ペット等を用いて採取し、分析用の試料容器に移し換
え、原子吸光法（ＡＡＳ）あるいは誘導結合プラズマ質
量分析法（ＩＣＰ−ＭＳ）によって金属汚染量を分析す
る。
上に存在する酸化膜１１の表面にＨＦ蒸気１３を吹き付
け、表面の酸化膜１１を溶解し、図４（ｂ）に示すよう
にシリコン表面がむき出しの状態にする。次に図４
（ｃ）に示すように、回収溶液４をウエハ３上に滴下
し、この液滴を転がしてシリコンウエハ表面を走査し、
金属汚染物１２を液滴中に回収する。例えば、図５に示
すような渦巻状走査や左右走査を施すことによって、ウ
エハ３上の金属汚染物を回収する。回収した溶液は、ピ
ペット等を用いて採取し、分析用の試料容器に移し換
え、原子吸光法（ＡＡＳ）あるいは誘導結合プラズマ質
量分析法（ＩＣＰ−ＭＳ）によって金属汚染量を分析す
る。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】シリコンウエハにＨＦ
蒸気を吹き付けて表面の酸化膜を溶解する際、酸化膜の
膜厚が厚いと、ＨＦ蒸気を吹き付ける時間が長くなるた
め、表面にＨＦを含んだ液滴が溜まる。ウエハ表面に溜
まった液滴が多くなると、ウエハのエッジ部分から裏面
に回り込みやすくなる。例えば、ウエハ側面あるいは裏
面に酸化膜が存在する場合、回収溶液でウエハの全面を
隅々まで走査しようとすると、回収溶液がエッジ部分か
ら裏面に回り込みやすくなる。従って、裏面に回り込ん
だ回収溶液は採取することが出来ない為、測定結果に大
きな誤差を生ずる。
蒸気を吹き付けて表面の酸化膜を溶解する際、酸化膜の
膜厚が厚いと、ＨＦ蒸気を吹き付ける時間が長くなるた
め、表面にＨＦを含んだ液滴が溜まる。ウエハ表面に溜
まった液滴が多くなると、ウエハのエッジ部分から裏面
に回り込みやすくなる。例えば、ウエハ側面あるいは裏
面に酸化膜が存在する場合、回収溶液でウエハの全面を
隅々まで走査しようとすると、回収溶液がエッジ部分か
ら裏面に回り込みやすくなる。従って、裏面に回り込ん
だ回収溶液は採取することが出来ない為、測定結果に大
きな誤差を生ずる。
【０００５】また、ＨＦ蒸気から生じた液滴がウエハ上
に多く残留すると、回収溶液中に含まれる金属の濃度が
低くなり、測定感度が低下する。
に多く残留すると、回収溶液中に含まれる金属の濃度が
低くなり、測定感度が低下する。
【０００６】本発明の目的は、汚染金属の回収が容易で
金属汚染量の測定精度を向上させることのできる金属の
回収容器及び金属の回収方法を提供することにある。
金属汚染量の測定精度を向上させることのできる金属の
回収容器及び金属の回収方法を提供することにある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】第１の発明の金属の回収
容器は、中央部に向って湾曲したくぼみを有する耐酸性
容器とこの容器の周囲に形成され半導体ウエハの形状に
合った段差と、容器の揺動操作がしやすいように湾曲状
に形成された底部とを含むことを特徴とするものであ
る。
容器は、中央部に向って湾曲したくぼみを有する耐酸性
容器とこの容器の周囲に形成され半導体ウエハの形状に
合った段差と、容器の揺動操作がしやすいように湾曲状
に形成された底部とを含むことを特徴とするものであ
る。
【０００８】第２の発明の金属の回収方法は、被測定面
を下向きにしたウエハを、中央部に向って湾曲したくぼ
みを有する耐酸性の回収容器にセットしたのち、ウエハ
と回収容器との間に回収溶液を入れ、前記ウエハの被測
定面に形成された被測定膜を溶解し、被測定膜中の金属
を回収液中に移すことを特徴とするものである。
を下向きにしたウエハを、中央部に向って湾曲したくぼ
みを有する耐酸性の回収容器にセットしたのち、ウエハ
と回収容器との間に回収溶液を入れ、前記ウエハの被測
定面に形成された被測定膜を溶解し、被測定膜中の金属
を回収液中に移すことを特徴とするものである。
【０００９】
【作用】本発明は、中央部に向けて湾曲し、周囲にウエ
ハの形状に合った段差を有する回収容器にウエハをセッ
トし、ウエハと容器間に回収溶液を入れる為、ウエハ表
面の金属汚染物を回収溶液に含ませるための液滴走査作
業時に回収溶液がウェハ裏面に回り込むことを防止でき
る。ウエハ全面を隅々まで走査でき、更に厚膜の酸化膜
を溶解して溶液を回収する際も裏面への回り込みを生ず
ることがない。また、本発明では、ＨＦ蒸気を用いず、
ＨＦ系の回収液のみでウエハ表面の酸化膜を溶解できる
ため、ＨＦ蒸気から生じる液滴によって回収液中の金属
汚染の濃度が薄められることはない。従って、金属汚染
量測定精度が向上でき、回収作業も簡便化できる。
ハの形状に合った段差を有する回収容器にウエハをセッ
トし、ウエハと容器間に回収溶液を入れる為、ウエハ表
面の金属汚染物を回収溶液に含ませるための液滴走査作
業時に回収溶液がウェハ裏面に回り込むことを防止でき
る。ウエハ全面を隅々まで走査でき、更に厚膜の酸化膜
を溶解して溶液を回収する際も裏面への回り込みを生ず
ることがない。また、本発明では、ＨＦ蒸気を用いず、
ＨＦ系の回収液のみでウエハ表面の酸化膜を溶解できる
ため、ＨＦ蒸気から生じる液滴によって回収液中の金属
汚染の濃度が薄められることはない。従って、金属汚染
量測定精度が向上でき、回収作業も簡便化できる。
【００１０】
【発明の実施の形態】次に本発明について図面を参照し
て説明する。図１（ａ），（ｂ）は本発明の第１の実施
の形態を説明する為の金属の回収容器の平面図及びＡ−
Ａ線断面図である。
て説明する。図１（ａ），（ｂ）は本発明の第１の実施
の形態を説明する為の金属の回収容器の平面図及びＡ−
Ａ線断面図である。
【００１１】図１（ａ），（ｂ）を参照すると回収容器
１０は、中央部に向ってくぼみ２Ａを有するテフロン製
シャーレ１からなり、特にこのシャーレ１の周囲にオリ
エンテーションフラット３Ａやノッチを含むウエハ３の
形状に合った段差２Ｂが形成され、更にその底部はシャ
ーレの揺動操作がしやすいように湾曲状に形成されてい
るものである。この為、シャーレ１にウエハ３を隙間な
く収めることができる。
１０は、中央部に向ってくぼみ２Ａを有するテフロン製
シャーレ１からなり、特にこのシャーレ１の周囲にオリ
エンテーションフラット３Ａやノッチを含むウエハ３の
形状に合った段差２Ｂが形成され、更にその底部はシャ
ーレの揺動操作がしやすいように湾曲状に形成されてい
るものである。この為、シャーレ１にウエハ３を隙間な
く収めることができる。
【００１２】セットしたウエハ３とシャーレ１との間に
できる空間は０．１〜１ｍｌ程度になるように設計され
ており、この空間には空間の体積より少ない量の回収液
を入れる。以下第２の実施の形態としてウエハ表面の汚
染金属の回収方法について図２を用いて説明する。
できる空間は０．１〜１ｍｌ程度になるように設計され
ており、この空間には空間の体積より少ない量の回収液
を入れる。以下第２の実施の形態としてウエハ表面の汚
染金属の回収方法について図２を用いて説明する。
【００１３】まず、図２（ａ）に示すように、中央部に
向けて湾曲した窪みを有するテフロン製シャーレ１の中
央に、ピペット５を用いて回収溶液４を滴下する。滴下
する回収液の量は、０．１〜１．０ｍｌ程度で、この回
収溶液の組成は、ＨＦ濃度が０．５〜１０％程度、過酸
化水素水が１〜２０％程度である。
向けて湾曲した窪みを有するテフロン製シャーレ１の中
央に、ピペット５を用いて回収溶液４を滴下する。滴下
する回収液の量は、０．１〜１．０ｍｌ程度で、この回
収溶液の組成は、ＨＦ濃度が０．５〜１０％程度、過酸
化水素水が１〜２０％程度である。
【００１４】次に、図２（ｂ）に示すように、被測定面
であるウエハ３の表面を下にして、ウエハ３の裏面を真
空ピンセット６で吸着する。そして、図２（ｃ）に示す
ように、ウエハ３をシャーレ１の段差部分にはめ込んだ
後、真空ピンセットの吸引を止めて、シャーレ１にウエ
ハ３をセットする。このときウエハ３とシャーレ１の間
にできる空間は０．１〜１．０ｍｌ程度になるように設
計されている。
であるウエハ３の表面を下にして、ウエハ３の裏面を真
空ピンセット６で吸着する。そして、図２（ｃ）に示す
ように、ウエハ３をシャーレ１の段差部分にはめ込んだ
後、真空ピンセットの吸引を止めて、シャーレ１にウエ
ハ３をセットする。このときウエハ３とシャーレ１の間
にできる空間は０．１〜１．０ｍｌ程度になるように設
計されている。
【００１５】回収溶液は、回収する金属汚染物の種類に
応じて、ＨＦ，ＨＣｌ，Ｈ2 Ｏ2 などの酸または酸化剤
とＨ2 Ｏの混合溶液を用いる。回収溶液の組成は、ＨＦ
溶液又はＨＦ＋Ｈ2 Ｏ2 溶液又はＨＣｌ＋Ｈ2 Ｏ2 溶液
を用いる。この回収溶液のＨＦとＨＣｌの濃度は０．１
〜１０％とする。０．１％以下では厚さ１μｍ以上の酸
化膜の溶解に長時間を要し実用的でなく、又１０％以上
では分析装置を腐食する等の悪影響がある。Ｈ2 Ｏ2 の
濃度も０．１〜１０％のものを用いる。
応じて、ＨＦ，ＨＣｌ，Ｈ2 Ｏ2 などの酸または酸化剤
とＨ2 Ｏの混合溶液を用いる。回収溶液の組成は、ＨＦ
溶液又はＨＦ＋Ｈ2 Ｏ2 溶液又はＨＣｌ＋Ｈ2 Ｏ2 溶液
を用いる。この回収溶液のＨＦとＨＣｌの濃度は０．１
〜１０％とする。０．１％以下では厚さ１μｍ以上の酸
化膜の溶解に長時間を要し実用的でなく、又１０％以上
では分析装置を腐食する等の悪影響がある。Ｈ2 Ｏ2 の
濃度も０．１〜１０％のものを用いる。
【００１６】また、被溶解膜（酸化膜）が厚い場合に
は、溶解速度を高めるため、６０℃程度までシャーレ全
体を昇温しても良い。シャーレの内径はウエハの外形と
同じ大きさで、ウエハの形状に合った段差を設けてい
る。これによりウエハ３がテフロン製シャーレ１に隙間
なく収まる。
は、溶解速度を高めるため、６０℃程度までシャーレ全
体を昇温しても良い。シャーレの内径はウエハの外形と
同じ大きさで、ウエハの形状に合った段差を設けてい
る。これによりウエハ３がテフロン製シャーレ１に隙間
なく収まる。
【００１７】次に、ウエハ全面の酸化膜を溶解しなが
ら、金属汚染物５を回収溶液に回収するための操作を行
う。この時の液滴走査は、図２（ｄ）に示すように、ウ
エハ３をテフロン製シャーレ１に押し当てた状態で、前
後左右または回転などの揺動動作により行なう。この揺
動動作が行い易いように、シャーレ１の底部は湾曲状に
なっている。
ら、金属汚染物５を回収溶液に回収するための操作を行
う。この時の液滴走査は、図２（ｄ）に示すように、ウ
エハ３をテフロン製シャーレ１に押し当てた状態で、前
後左右または回転などの揺動動作により行なう。この揺
動動作が行い易いように、シャーレ１の底部は湾曲状に
なっている。
【００１８】走査作業が終了し後、図２（ｅ）に示すよ
うに、ウエハ３の裏面を真空ピンセット６で吸引し、ウ
エハ３の片側を斜めに少し上げながらウエハ３を取り外
す。この際、シャーレ１にウエハ３の一部が接触してい
る状態で振動を与え、ウエハ表面に付着している液滴を
すべてシャーレ１上に移動させる。シャーレ１からウエ
ハ３を取り除いた後、図２（ｆ）に示すように、シャー
レ１の中央部に回収液が溜まった状態になる。このよう
にシャーレに溜まった分析用の回収溶液は、ピペット５
などを用いて採取し、分析用の試料容器に移し換える。
分析対象の元素は、Ｆｅ，Ｎａ，Ｃｕ，Ｃｒ，Ｎｉ等で
ある。
うに、ウエハ３の裏面を真空ピンセット６で吸引し、ウ
エハ３の片側を斜めに少し上げながらウエハ３を取り外
す。この際、シャーレ１にウエハ３の一部が接触してい
る状態で振動を与え、ウエハ表面に付着している液滴を
すべてシャーレ１上に移動させる。シャーレ１からウエ
ハ３を取り除いた後、図２（ｆ）に示すように、シャー
レ１の中央部に回収液が溜まった状態になる。このよう
にシャーレに溜まった分析用の回収溶液は、ピペット５
などを用いて採取し、分析用の試料容器に移し換える。
分析対象の元素は、Ｆｅ，Ｎａ，Ｃｕ，Ｃｒ，Ｎｉ等で
ある。
【００１９】図２（ａ）〜（ｆ）に示す一連の回収操作
を終了した後、使用したテフロン製シャーレ１は、ＨＦ
とＨＮＯ3 の混合液などを用いて洗浄する。この場合、
シャーレを複数個用意し、操作済みのシャーレと洗浄済
みのシャーレを交換することで効率的に操作を継続する
ことができる。
を終了した後、使用したテフロン製シャーレ１は、ＨＦ
とＨＮＯ3 の混合液などを用いて洗浄する。この場合、
シャーレを複数個用意し、操作済みのシャーレと洗浄済
みのシャーレを交換することで効率的に操作を継続する
ことができる。
【００２０】このようにして複数のウエハ表面の金属汚
染量としてＦｅを測定した結果を従来の回収法の結果と
共に図３に示す。図３に示したように本発明の実施の形
態によれば、金属汚染量の測定精度を向上させることが
できる。
染量としてＦｅを測定した結果を従来の回収法の結果と
共に図３に示す。図３に示したように本発明の実施の形
態によれば、金属汚染量の測定精度を向上させることが
できる。
【００２１】
【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、ウ
エハ表面の金属汚染物を回収溶液に回収するための液滴
操作作業において、回収溶液がウエハ裏面に回り込むこ
とを防止できる。又ウエハ全面を隅々まで走査できる
為、金属汚染量測定精度が向上し、回収作業も簡便化で
きるという効果がある。
エハ表面の金属汚染物を回収溶液に回収するための液滴
操作作業において、回収溶液がウエハ裏面に回り込むこ
とを防止できる。又ウエハ全面を隅々まで走査できる
為、金属汚染量測定精度が向上し、回収作業も簡便化で
きるという効果がある。
【図１】本発明の第１の実施の形態を説明する為の回収
容器の上面図及び断面図。
容器の上面図及び断面図。
【図２】本発明の第２の実施の形態の回収方法を説明す
る為の断面図。
る為の断面図。
【図３】本発明の効果を説明する為の金属汚染量の分析
結果を示す図。
結果を示す図。
【図４】従来の金属汚染物の回収方法を説明する為のウ
エハの断面図。
エハの断面図。
【図５】従来の金属汚染物の回収方法を説明する為のウ
エハの上面図。
エハの上面図。
１ テフロン製シャーレ ２Ａ くぼみ ２Ｂ 段差 ３ ウエハ ３Ａ オリエンテーションフラット ４ 回収溶液 ５ ピペット ６ 真空ピンセット １０ 回収容器 １１ 酸化膜 １２ 金属汚染物 １３ ＨＦ蒸気
Claims (4)
- 【請求項１】 中央部に向って湾曲したくぼみを有する
耐酸性容器と、この容器の周囲に形成され半導体ウエハ
の形状に合った段差と、容器の揺動操作がしやすいよう
に湾曲状に形成された底部とを含むことを特徴とする金
属の回収容器。 - 【請求項２】 被測定面を下向きにしたウエハを、中央
部に向って湾曲したくぼみを有する耐酸性の回収容器に
セットしたのち、ウエハと回収容器との間に回収溶液を
入れ、前記ウエハの被測定面に形成された被測定膜を溶
解し、被測定膜中の金属を回収液中に移すことを特徴と
する金属の回収方法。 - 【請求項３】 回収溶液は弗酸を含む溶液又は弗酸と過
酸化水素を含む溶液又は塩酸と過酸化水素とを含む溶液
である請求項２記載の金属の回収方法。 - 【請求項４】 回収溶液中の弗酸又は塩酸の濃度はそれ
ぞれ０．１〜１０％である請求項３記載の金属の回収方
法。
Priority Applications (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8222343A JP2882377B2 (ja) | 1996-08-23 | 1996-08-23 | 金属の回収容器及び金属の回収方法 |
| US08/915,273 US5994142A (en) | 1996-08-23 | 1997-08-20 | Method for collecting a metallic contaminants from a wafer |
| GB9717747A GB2316483B (en) | 1996-08-23 | 1997-08-21 | Method and apparatus for use in collecting metallic contaminants |
| KR1019970040114A KR100237722B1 (ko) | 1996-08-23 | 1997-08-22 | 웨이퍼로부터의 금속 오염물 회수 방법 |
| TW086112160A TW352411B (en) | 1996-08-23 | 1997-08-22 | Method and vessel for collecting metallic contaminants from a surface of a wafer |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8222343A JP2882377B2 (ja) | 1996-08-23 | 1996-08-23 | 金属の回収容器及び金属の回収方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1064966A true JPH1064966A (ja) | 1998-03-06 |
| JP2882377B2 JP2882377B2 (ja) | 1999-04-12 |
Family
ID=16780864
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8222343A Expired - Fee Related JP2882377B2 (ja) | 1996-08-23 | 1996-08-23 | 金属の回収容器及び金属の回収方法 |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5994142A (ja) |
| JP (1) | JP2882377B2 (ja) |
| KR (1) | KR100237722B1 (ja) |
| GB (1) | GB2316483B (ja) |
| TW (1) | TW352411B (ja) |
Families Citing this family (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6177279B1 (en) * | 1998-11-12 | 2001-01-23 | Memc Electronic Materials, Inc. | Ion extraction process for single side wafers |
| US6150175A (en) * | 1998-12-15 | 2000-11-21 | Lsi Logic Corporation | Copper contamination control of in-line probe instruments |
| US6799976B1 (en) | 1999-07-28 | 2004-10-05 | Nanonexus, Inc. | Construction structures and manufacturing processes for integrated circuit wafer probe card assemblies |
| DE60030882T2 (de) | 2000-01-06 | 2007-04-05 | Caliper Life Sciences, Inc., Mountain View | Vorrichtungen und verfahren für hochdurchsatz-probenentnahme und analyse |
| JP4377755B2 (ja) * | 2004-06-15 | 2009-12-02 | 株式会社東芝 | 全反射蛍光ｘ線分析方法 |
| JP5111760B2 (ja) * | 2005-12-21 | 2013-01-09 | 三星エスディアイ株式会社 | 電池用保護素子及び電池 |
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