JPH1062502A - 被測定デバイスの故障解析方法、故障解析装置及び故障解析システム - Google Patents

被測定デバイスの故障解析方法、故障解析装置及び故障解析システム

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JPH1062502A
JPH1062502A JP8219758A JP21975896A JPH1062502A JP H1062502 A JPH1062502 A JP H1062502A JP 8219758 A JP8219758 A JP 8219758A JP 21975896 A JP21975896 A JP 21975896A JP H1062502 A JPH1062502 A JP H1062502A
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JP
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light emitting
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failure
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JP8219758A
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Eiji Yoshida
映二 吉田
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Mitsubishi Electric Corp
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    • G01R31/00Arrangements for testing electric properties; Arrangements for locating electric faults; Arrangements for electrical testing characterised by what is being tested not provided for elsewhere
    • G01R31/28Testing of electronic circuits, e.g. by signal tracer
    • G01R31/302Contactless testing
    • G01R31/308Contactless testing using non-ionising electromagnetic radiation, e.g. optical radiation
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 解析者が設計者に頼らず、発光解析装置での
簡単かつ高精度、短時間での故障箇所特定を実現する故
障解析方法及び装置を得る。 【解決手段】 発光解析装置4により検出された発光像
5上の発光箇所7の座標を自動認識し(ステップS
5)、その座標をレイアウトパターン(データ)上の座
標に自動変換(ステップS7)し、レイアウトパターン
8上の発光箇所10を自動表示(ステップS11)し、
レイアウトパターン上の座標から発光箇所のネットリス
ト(データ)上のノード名を自動認識(ステップS1
2)し、ネットリストll上に発光ノード名LNとして
自動表示(ステップS13)し、さらに発光ノード名L
Nから回路図(データ)上の発光ノードを回路図CF上
に発光箇所14として自動表示(ステップS15)す
る。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】この発明は、発光解析装置を
用いた被測定デバイス(半導体デバイス)の故障箇所特
定を迅速かつ高精度化した故障解析方法及び装置に関す
るものである。
【0002】
【従来の技術】近年、半導体デバイスの故障解析技術の
うち故障箇所特定の迅速化・高精度化が重要なウェイト
を占めてきている。今後ますます大規模化、複雑化、高
速化しつつある半導体デバイスの故障箇所を特定するに
は、外部に出力された不良情報だけでなく内部回路の情
報も調べる必要がある。
【0003】内部回路の情報を調べるための半導体解析
装置の1つとして、被測定デバイス(半導体デバイス)
内部の故障箇所から発する微弱な光を検出することによ
って故障箇所を特定する発光解析装置がある。発光解析
装置は、被測定デバイス(半導体デバイス)を動作させ
た際に、そのデバイス内部の微小電流リーク箇所等にお
いて発生したホットキャリアなどによる発光を検出する
装置である。発光解析装置において検出された被測定デ
バイス(半導体デバイス)内部の発光箇所(故障箇所)
について詳細な解析を行うには、解析者がレイアウト図
や回路図のようなCADデータ上での発光箇所の位置を
認識する必要がある。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】現在では故障箇所の解
析は被測定デバイス(半導体デバイス)の設計者の協力
により行っている。将来にかけて半導体デバイスはます
ます大規模化、複雑化し、それにつれて故障解析はさら
に困難になると予想われ、発光解析装置などの半導体解
析装置で故障箇所を簡単かつ高精度に、短時間で特定す
る必要性が高くなる。
【0005】しかしながら、従来の発光解析装置を用い
た故障解析方法では、故障解析を行う度に設計者の協力
を得なければならず、非常に非効率であるという問題点
があった。
【0006】この発明は上記問題点を解決するためにな
されたもので、ますます大規模化、複雑化される半導体
デバイスに対応し、発光解析装置を用いた被測定デバイ
ス(半導体デバイス)の故障箇所特定について、解析者
が設計者に頼らず、発光解析装置での簡単かつ高精度、
短時間での故障箇所特定を実現する故障解析方法及び装
置を得ることを目的とする。
【0007】
【課題を解決するための手段】この発明に係る請求項1
記載の被測定デバイスの故障解析方法は、(a)被測定デ
バイスにおける所定の2次元位置を原点に設定するステ
ップと、(b)発光解析装置を用いて前記被測定デバイス
の動作時における発光像を得、該発光像から前記被測定
デバイスの発光箇所を検出するステップと、(c)前記発
光像と前記原点との位置関係に基づき、前記発光箇所の
前記原点からの座標である被測定デバイス発光座標を認
識するステップとを備えて構成される。
【0008】また、請求項2記載の被測定デバイスの故
障解析方法のように、(d)前記被測定デバイスに対応す
るレイアウトパターンと前記被測定デバイスとの相対的
位置関係を認識するステップと、(e)前記ステップ(d)で
認識された相対的位置関係に基づき、前記発光箇所の前
記レイアウトパターン上における位置を認識するステッ
プと、(f)前記レイアウトパターン上における前記発光
箇所の位置を視覚認識可能に表示するステップとをさら
に備えている。
【0009】さらに、請求項3記載の被測定デバイスの
故障解析方法のように、(g)前記被測定デバイスに対応
するネットリストと前記レイアウトパターンとの対応関
係を規定したレイアウトパターン・ネットリスト対応情
報に基づき、前記発光箇所に相当する前記ネットリスト
上のノードである発光ノードを認識するステップと、
(h)前記ネットリスト上における前記発光ノードを視覚
認識可能に表示するステップとをさらに備えてもよい。
【0010】加えて、請求項4記載の被測定デバイスの
故障解析方法のように、(i)前記被測定デバイスに対応
する回路図と前記ネットリストの対応関係を規定したネ
ットリスト・回路図対応情報に基づき、前記発光ノード
に相当する前記回路図上の位置を認識するステップと、
(j)前記回路図上における前記発光箇所を視覚認識可能
に表示するステップとをさらに備えてもよい。
【0011】また、請求項5記載の被測定デバイスの故
障解析方法のように、(g)前記被測定デバイスに対応す
る回路図と前記レイアウトパターンとの対応関係を規定
したレイアウトパターン・回路図対応情報に基づき、前
記発光箇所に相当する前記回路図上のノードである発光
ノードを認識するステップと、(h)前記回路図上におけ
る前記発光ノードを視覚認識可能に表示するステップと
をさらに備えてもよい。
【0012】この発明に係る請求項6記載の故障解析装
置は、被測定デバイスに電子ビームを照射し、その部分
から発生する二次電子を検出し、検出した二次電子に基
づき前記被測定デバイスに対する試験を行う電子ビーム
テスト手段と、動作時における被測定デバイスの発光像
を得、該発光像から前記被測定デバイスの発光箇所を検
出する発光箇所検出手段と、同一の被測定デバイスに対
して同一の環境下で、前記電子ビームテスト手段による
試験と前記発光箇所検出手段による発光箇所の検出とが
実行可能なように、前記電子ビームテスト手段と前記発
光箇所検出手段とを収納した収納手段とを備えて構成さ
れる。
【0013】この発明に係る請求項7記載の故障解析シ
ステムは、各々が被測定デバイスに対する故障解析が可
能な複数の故障解析装置を備え、前記複数の故障解析装
置は、被測定デバイスの動作時おける発光像を得て、該
発光像に基づき請求項1ないし請求項5記載のうちいず
れか1項記載の被測定デバイスの故障解析方法を実行可
能な発光像用故障解析装置を少なくとも1つ含み、前記
複数の故障解析装置間でネットワークを構築している。
【0014】また、請求項8記載の故障解析システムの
ように、請求項1ないし請求項5記載のうちいずれか1
項記載の被測定デバイスの故障解析方法が実行可能な故
障解析プログラムを前記ネットワーク上で共有してもよ
い。
【0015】
【発明の実施の形態】
<実施の形態1>図1はこの発明の実施の形態1である
故障解析方法で用いる発光解析装置の構成を示す説明図
である。図1に示すように、DUTボード2上に被測定
デバイス(半導体デバイス)3が配置され、テストパタ
ーン発生器1によりテストパターンが入力されることに
より駆動されて動作する被測定デバイス3内部の故障箇
所(例えば微小電流リーク箇所等)から発する微弱な光
は、この発光解析装置4により検出される。
【0016】図2はこの発明の実施の形態1である故障
解析方法の処理の流れを示すフローチャートである。な
お、以下の説明における自動処理はすべてコンピュータ
のソフトウェア処理で自動的に実行可能な処理を意味す
る。
【0017】同図を参照して、まず、ステップS1で、
手動による被測定デバイス3のアライメント処理を行
い、被測定デバイス3内の所定の位置を原点に設定す
る。例えば、被測定デバイス3の原点が、図3の(a)に
示すように、発光像5の中心6と一致するように設定し
て、そのステージ座標を記憶しておく。なお、ステージ
座標とは予め設定されている絶対的な座標である。
【0018】次に、ステップS2で、図1で示した発光
解析装置4を用いて、被測定デバイス3内部の故障箇所
から発生される発光箇所を検出する。以降、発光解析装
置4により被測定デバイス3の発光箇所が複数検出され
たとして説明する。
【0019】そして、ステップS3で、図4に示すよう
に、被測定デバイス3における複数の発光箇所7それぞ
れについて発光量の位置分布を測定しそれぞれのピーク
点について、カメラ視野内の座標(カメラ視野の中心が
原点)をカメラの倍率とピクセル数から求める。
【0020】その後、ステップS4で、発光像5の中心
座標を自動認識する。すなわち、被測定デバイス3内の
任意の箇所で発光像5が観察された際、発光像5のステ
ージ座標によって、被測定デバイス3の原点から発光像
の中心6の座標を自動認識する。
【0021】そして、ステップS5で発光箇所7それぞ
れのピーク点の座標を自動認識する。発光像の中心6の
座標がカメラ視野内の中心になるという関係に基づき、
発光像5上の発光箇所7における発光量分布のピーク点
の被測定デバイス3の原点からの座標を自動認識する。
そして、この座標を発光像5上の発光箇所7の座標とす
る。
【0022】次に、ステップS6で手動によるアライメ
ント処理により被測定デバイス3内の原点に相当するレ
イアウトパターン8の位置を認識し、例えば、レイアウ
トパターン8の中心9が仮原点になるように移動する。
【0023】その後、ステップS7で、レイアウトパタ
ーン8の仮原点を実際のレイアウトパターン8の座標に
自動変換する。なお、レイアウトパターン8の実際の原
点はあらかじめ設計時に定められている。
【0024】そして、ステップS8で、ステップS5で
認識された発光像5上の発光箇所7の座標を自動的にデ
ータ転送し、ステップS9で、レイアウトパターン8の
仮原点とレイアウトパターン8の実際の原点との相関関
係から、発光像5上の発光箇所7の座標をレイアウトパ
ターン8上の座標に自動変換する。
【0025】そして、ステップS10で、レイアウトパ
ターン8上の発光箇所の座標が認識され、ステップS1
1で、図3の(d)に示すように、レイアウトパターン8
上に発光箇所として識別できるようなマークを用い、点
灯または点滅によりレイアウトパターン8上の発光箇所
10を自動表示する。
【0026】そして、ステップS12で、認識されたレ
イアウトパターン8上の発光箇所10の座標から、レイ
アウトパターン8上の発光箇所10に相当するネットリ
スト上のノード(端子)名を自動認識する。ノード名の
認識は、レイアウトパターン上の座標とネットリストと
のデータの対応関係を規定したレイアウトパターン・ネ
ットリスト対応情報を予め準備し、このレイアウトパタ
ーン・ネットリスト対応情報に基づくことにより可能と
なる。例えば、図3の(b)に示すように、レイアウトパ
ターン8上の発光箇所10をネットリスト11上の発光
ノード名LNとして認識することができる。
【0027】その後、ステップS13において、ステッ
プS12で認識されたネットリスト11上の発光ノード
が視覚的に識別できるように自動表示する。
【0028】次に、ステップS14で、認識されたネッ
トリストデータ上の発光ノード名LNから、回路データ
上の発光ノードを自動認識する。回路データ上の発光ノ
ードが認識は、ネットリストと回路図とのデータの対応
関係を規定したネットリスト・回路図対応情報を予め準
備し、このネットリスト・回路図対応情報に基づくこと
により可能となる。例えば、図3の(a)に示すように、
ネットリスト上の発光ノード名LNを回路図CF上の発
光箇所14として認識することができる。
【0029】その後、ステップS15において、ステッ
プS14で認識された回路図CF上の発光箇所14が視
覚的に識別できるように自動表示する。
【0030】このように、この発明の実施の形態1によ
る故障解析方法は、発光解析装置4により検出された発
光像5上の発光箇所7の座標を自動認識し(ステップS
5)、その座標をレイアウトパターン(データ)上の座
標に自動変換(ステップS7)し、レイアウトパターン
8上の発光箇所10を自動表示(ステップS11)し、
レイアウトパターン上の座標から発光箇所のネットリス
ト(データ)上のノード名を自動認識(ステップS1
2)し、ネットリストll上に発光ノード名LNとして
自動表示(ステップS13)し、さらに発光ノード名L
Nから回路図(データ)上の発光ノードを回路図CF上
に発光箇所14として自動表示(ステップS15)して
いる。
【0031】したがって、故障解析者は、被測定デバイ
ス3の発光箇所の位置、レイアウトパターン8上の発光
箇所10の位置、ネットリスト11上の発光ノード名L
N及び回路図CF上の発光箇所14を解析材料にするこ
とにより、故障解析者は、被測定デバイス3の設計者に
頼ることなく、高精度に故障箇所を特定することができ
る。
【0032】また、一連の工程を、手動によるアライメ
ント処理以外はコンピュータ等を利用した自動処理によ
り行うため、簡単かつ短時間で被測定デバイス3の故障
箇所を特定することができる。
【0033】<実施の形態2>図5はこの発明の実施の
形態2である故障解析方法の処理の流れを示すフローチ
ャートである。なお、以下の説明における自動処理はす
べてコンピュータのソフトウェア処理で自動的に実行可
能な処理を意味する。
【0034】同図を参照して、まず、ステップS21
で、手動による被測定デバイス3のアライメント処理を
行い、被測定デバイス3内の所定の位置を原点に設定す
る。
【0035】次に、ステップS22で、図1で示した発
光解析装置4を用いて、被測定デバイス3内部の故障箇
所から発生される発光箇所を検出する。以降、発光解析
装置4により被測定デバイス3の発光箇所が複数検出さ
れたとして説明する。
【0036】そして、ステップS23で、図4に示すよ
うに、被測定デバイス3における複数の発光箇所7それ
ぞれについて発光量の位置分布を測定しそれぞれのピー
ク点について、カメラ視野内の座標(カメラ視野の中心
が原点)をカメラの倍率とピクセル数から求める。
【0037】その後、ステップS24で、発光像5の中
心座標を自動認識する。すなわち、被測定デバイス3内
の任意の箇所で発光像5が観察された際、発光像5のス
テージ座標によって、被測定デバイス3の原点から発光
像の中心6の座標を自動認識する。
【0038】そして、ステップS25で発光箇所7それ
ぞれのピーク点の座標を自動認識する。発光像の中心6
の座標がカメラ視野内の中心になるという関係に基づ
き、発光像5上の発光箇所7における発光量分布のピー
ク点の被測定デバイス3の原点からの座標を自動認識す
る。そして、この座標を発光像5上の発光箇所7の座標
とする。
【0039】次に、ステップS26で手動によるアライ
メント処理により被測定デバイス3内の原点に相当する
レイアウトパターン8の位置を認識する。
【0040】その後、ステップS27で、レイアウトパ
ターン8の仮原点を実際のレイアウトパターン8の座標
に自動変換する。
【0041】そして、ステップS28で、ステップS2
5で認識された発光像5上の発光箇所7の座標を自動的
にデータ転送し、ステップS29で、レイアウトパター
ン8の仮原点とレイアウトパターン8の実際の原点との
相関関係から、発光像5上の発光箇所7の座標をレイア
ウトパターン8上の座標に自動変換する。
【0042】そして、ステップS30で、レイアウトパ
ターン8上の発光箇所の座標が認識され、ステップS3
1で、図3の(d)に示すように、レイアウトパターン8
上に発光箇所として識別できるようなマークを用い、点
灯または点滅によりレイアウトパターン8上の発光箇所
10を自動表示する。
【0043】次に、ステップS32で、認識されている
レイアウトパターン8上の発光箇所10から、回路デー
タ上の発光ノードを自動認識する。回路データ上の発光
ノードの認識は、レイアウトパターン8と回路図とのデ
ータの対応関係を規定したレイアウトパターン・回路図
対応情報を予め準備し、このレイアウトパターン・回路
図対応情報に基づくことにより可能となる。例えば、図
3の(a)に示すように、レイアウトパターン8上の発光
箇所10を回路図CF上の発光箇所14として直接認識
する。
【0044】その後、ステップS33において、ステッ
プS32で認識された回路図CF上の発光箇所14が視
覚的に識別できるように表示する。
【0045】このように、この発明の実施の形態2によ
る故障解析方法は、発光解析装置4により検出された発
光像5上の発光箇所7の座標を自動認識(ステップS2
5)し、その座標をレイアウトパターン上の座標に自動
変換(ステップS27)し、レイアウトパターン8上の
発光箇所10を自動表示(ステップS31)し、レイア
ウトパターン上の座標から回路図上の発光ノードを回路
図CF上に発光箇所14として自動表示(ステップS3
3)している。
【0046】したがって、故障解析者は、被測定デバイ
ス3の発光箇所の位置、レイアウトパターン8上の発光
箇所10の位置及び回路図上の発光箇所を解析材料にす
ることにより、被測定デバイス3の設計者に頼ることな
く、高精度に故障箇所を特定することができる。
【0047】また、一連の工程を、手動によるアライメ
ント処理以外はコンピュータ等を利用した自動処理によ
り行うため、簡単かつ短時間で被測定デバイス3の故障
箇所を特定することができる。
【0048】また、実施の形態2の故障解析方法は、ネ
ットリストを用いることなく、レイアウトパターン上の
発光箇所から直接的に回路図上のおける発光ノードを認
識しているため、その分、回路図上の発光ノードを認識
するのに要する時間短縮を図ることができる。
【0049】<実施の形態3>図6はこの発明の実施の
形態3である故障解析ネットワークシステムの構成を示
す説明図である。同図に示すように、発光解析装置
4′、FIB(集束イオンビーム)装置15、EB(電
子ビーム)テスタ装置16など半導体故障解析装置をネ
ットワーク用バス17を介して相互に接続してネットワ
ークシステムを構築している。これらの故障解析装置
4′,14,18のうちいずれかの解析装置で検出され
た故障箇所(発光箇所)の座標データを他の半導体解析
装置にネットワーク用バス17を介して転送し、その座
標データを他の半導体解析装置において共有化する。な
お、発光解析装置4′はコンピュータ29が具備され、
実施の形態1あるいは実施の形態2で示した故障解析機
能が備わっており、FIB装置15,EBテスタ装置1
6にもそれぞれコンピュータ29が具備されており、既
存の故障解析機能が備わっている。
【0050】実施の形態3の故障解析ネットワークシス
テムは、複数の故障解析装置間でネットワークを構築し
て、各故障解析装置間で座標データ等のやりとりを双方
向で行うことにより、各故障解析装置で検出された故障
(不良)検出情報を即座に共有化できるため、故障解析
の迅速化、効率化、容易化を図ることができる。
【0051】<実施の形態4>また、図6で示した故障
解析ネットワークシステム上に、実施の形態1あるいは
実施の形態2の故障解析方法をソフトウェア処理により
実現するCADナビゲーションソフトを、図7に示すよ
うに、サーバ28に格納して各故障解析装置で共有でき
るようにネットワークを構成したのが実施の形態4の故
障解析ネットワークシステムである。すなわち、CAD
ナビゲーションソフトは、発光像(SEM像やFIB像
を含む)とCADデータ(レイアウトパターン、ネット
リスト、回路図等)との対応づけを可能にしたプログラ
ムである。
【0052】実施の形態4の故障解析ネットワークシス
テムは、複数の故障解析装置のうち一の故障解析装置が
CADナビゲーションソフトを実行して行う遠隔操作に
より発光解析装置4′から得られる発光像に基づく故障
解析を行うことができる。
【0053】このように、実施の形態4の故障解析ネッ
トワークシステムは、CADナビゲーションソフトのネ
ットワーク上での共有化を実現することにより、実施の
形態3の効果に加え、解析環境の統一化、ソフト(CA
Dナビゲーションソフト)の共有によるコストの低減を
図ることができる。
【0054】<実施の形態5>図8はこの発明の実施の
形態5であるEBテスタ装置の構成を示す説明図であ
る。同図に示すように、真空チャンバ18は、DUTボ
ード2上の被測定デバイス3を内部に配置し、その上部
に、イメージインテンシファイアカメラ19、CCDカ
メラ20及び光学顕微鏡21を設置し、これらの装置1
9〜21は制御ボックス22により制御される。また、
コントローラーEWS(Enginering WorkStation)23
により、真空チャンバ18及び制御ボックス22の操作
を行うことができる。
【0055】なお、24は二次電子検出器、25は電子
銃であり、被測定デバイス3に電子銃25から電子ビー
ムを照射し、その部分から発生する二次電子を二次電子
検出器24で検出し、検出した二次電子のエネルギー変
化から回路の電圧を測定することによりEBテストと行
うことができる。なお、二次電子検出器24及び電子銃
25も制御ボックス22により制御される。
【0056】イメージインテンシファイアカメラ19、
CCDカメラ20は発光像取得に用い、光学顕微鏡21
は被測定デバイス3の位置合わせ用等に用いる。コント
ローラーEWS23は実施の形態1及び実施の形態2で
示した故障解析方法における自動処理部分及びEBテス
トにおける自動処理部分を実行制御する。
【0057】このような構成のEBテスタ装置は、真空
チャンバ18内でイメージインテンシファイアカメラ1
9あるいはCCDカメラ20で検出された被測定デバイ
ス3の発光箇所に基づき、発光解析を通常のEBテスト
とともに行うことができる。
【0058】したがって、実施の形態5のEBテスタ装
置は、真空チャンバ18内から被測定デバイス(半導体
デバイス)3を取り出さずに、同一の被測定デバイス3
に対し同一の環境下でEBテスティング解析と実施の形
態1や実施の形態2で示した故障解析方法とを切り替え
て行うことができる。
【0059】その結果、2つの解析機能を一つの故障解
析装置内にもたせたことによるコスト低減、解析環境の
統一化による解析の迅速化、効率化、容易化、操作性の
向上などを図ることができる。
【0060】
【発明の効果】以上説明したように、この発明における
請求項1記載の故障解析方法は、ステップ(c)で発光像
と原点との位置関係に基づき、発光箇所の原点からの座
標である被測定デバイス発光座標を認識し、被測定デバ
イス発光座標を解析材料にすることにより、解析者が設
計者に頼らず、発光解析装置を用いて高精度で故障箇所
を特定することができる。
【0061】また、ステップ(c)はコンピュータ等を用
いて自動的に処理することが可能であるため、簡単かつ
短時間で被測定デバイスの故障箇所を特定することがで
きる。
【0062】請求項2記載の故障解析方法は、ステップ
(d)で、レイアウトパターンと被測定デバイスとの相対
的位置関係を認識し、ステップ(e)で、ステップ(d)で認
識された相対的位置関係に基づき、発光箇所のレイアウ
トパターン上における位置を認識し、ステップでレイア
ウトパターン上における発光箇所の位置を視覚認識可能
に表示している。
【0063】したがって、レイアウトパターン上の発光
箇所を解析材料にすることにより、解析者が設計者に頼
らず、発光解析装置を用いて高精度に故障箇所を特定す
ることができる。
【0064】また、ステップ(d)〜(f)はコンピュータ等
を用いて自動的に処理することが可能であるため、簡単
かつ短時間で被測定デバイスの故障箇所を特定すること
ができる。
【0065】請求項3記載の故障解析方法は、ステップ
(g)で、レイアウトパターン・ネットリスト対応情報に
基づき、発光箇所に相当するネットリスト上のノードで
ある発光ノードを認識し、ステップ(h)でネットリスト
上における発光ノードを視覚認識可能に表示している。
【0066】したがって、ネットリスト上における発光
ノードを解析材料にすることにより、解析者が設計者に
頼らず、発光解析装置を用いて高精度に故障箇所を特定
することができる。
【0067】また、ステップ(g),(h)はコンピュータ等
を用いて自動的に処理することが可能であるため、簡単
かつ短時間で被測定デバイスの故障箇所を特定すること
ができる。
【0068】請求項4記載の故障解析方法は、ステップ
(i)で、ネットリスト・回路図対応情報に基づき、発光
ノードに相当する回路図上の位置を認識し、ステップ
(j)で回路図上における発光ノードを視覚認識可能に表
示している。
【0069】したがって、回路図上における発光ノード
を解析材料にすることにより、解析者が設計者に頼ら
ず、発光解析装置を用いて高精度に故障箇所を特定する
ことができる。
【0070】また、ステップ(i),(j)はコンピュータ等
を用いて自動的に処理することが可能であるため、簡単
かつ短時間で被測定デバイスの故障箇所を特定すること
ができる。
【0071】請求項5記載の故障解析方法は、ステップ
(g)で、レイアウトパターン・回路図対応情報に基づ
き、発光箇所に相当する回路図上のノードである発光ノ
ードを認識し、ステップ(h)で、回路図上における発光
ノードを視覚認識可能に表示している。
【0072】したがって、回路図上における発光ノード
を解析材料にすることにより、解析者が設計者に頼ら
ず、発光解析装置を用いて高精度に故障箇所を特定する
ことができる。
【0073】また、ステップ(g),(h)はコンピュータ等
を用いて自動的に処理することが可能であるため、簡単
かつ短時間で被測定デバイスの故障箇所を特定すること
ができる。
【0074】さらに、ネットリストを用いることなく、
レイアウトパターン上の発光箇所から直接適に回路図上
のおける発光ノードを認識しているため、その分の時間
短縮を図ることができる。
【0075】この発明における請求項6記載の故障解析
装置は収納手段内に、同一の被測定デバイスに対して同
一の環境下で、電子ビーム手段による試験と発光箇所検
出手段による発光箇所の検出とが実行可能なように、電
子ビームテスト手段と発光箇所検出手段とを収納してい
る。
【0076】したがって、同一の被測定デバイスに対し
て同一の環境下で、電子ビーム手段による試験と発光箇
所検出手段による発光箇所の検出とを切り替えて行うこ
とができる。
【0077】その結果、故障解析装置の単一化によるコ
スト低減、解析環境の統一化による解析の迅速化、効率
化、容易化、操作性の向上などを図ることができる。
【0078】この発明における請求項7記載の故障解析
システムは、各々が被測定デバイスに対する故障解析が
可能な複数の故障解析装置間でネットワークを構築して
いるため、故障解析装置間で故障箇所の座標データ等の
やりとりを双方向で行うことにより、各故障解析装置で
検出された故障解析情報を即座に共有化できるため、故
障解析の迅速化、効率化、容易化を図ることができる。
【0079】さらに、請求項8記載の故障解析システム
は、請求項1ないし請求項5記載のうちいずれか1項記
載の被測定デバイスの故障解析方法が実行可能な故障解
析プログラムをネットワーク上で共有したため、複数の
故障解析装置それぞれが発光像用故障解析装置で検出さ
れた発光像に基づく故障解析プログラムの実行が可能に
なり、故障解析環境の統一化、故障解析プログラムの共
有によるコストの低減を図ることができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】 この発明の実施の形態1の故障解析方法で用
いる発光解析装置の構成を示す説明図である。
【図2】 実施の形態1の故障解析方法の処理の流れを
示すフローチャートである。
【図3】 実施の形態1の動作説明用の説明図である。
【図4】 実施の形態1の動作説明用の説明図である。
【図5】 実施の形態2の故障解析方法の処理の流れを
示すフローチャートである。
【図6】 実施の形態3の故障解析ネットワークシステ
ムの構成を示す説明図である。
【図7】 実施の形態4の故障解析ネットワークシステ
ムの構成を示す説明図である。
【図8】 実施の形態5のEBテスタ装置の構成を示す
説明図である。
【符号の説明】
1 テストパターン発生器、2 DUTボード、3 被
測定デバイス、4 発光解析装置、5 発光像、7,1
0,14 発光箇所、8 レイアウトパターン、11
ネットリスト、CF 回路図、LN 発光ノード名。

Claims (8)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 (a)被測定デバイスにおける所定の2次
    元位置を原点に設定するステップと、 (b)発光解析装置を用いて前記被測定デバイスの動作時
    における発光像を得、該発光像から前記被測定デバイス
    の発光箇所を検出するステップと、 (c)前記発光像と前記原点との位置関係に基づき、前記
    発光箇所の前記原点からの座標である被測定デバイス発
    光座標を認識するステップと、を備える被測定デバイス
    の故障解析方法。
  2. 【請求項2】 (d)前記被測定デバイスに対応するレイ
    アウトパターンと前記被測定デバイスとの相対的位置関
    係を認識するステップと、 (e)前記ステップ(d)で認識された相対的位置関係に基づ
    き、前記発光箇所の前記レイアウトパターン上における
    位置を認識するステップと、 (f)前記レイアウトパターン上における前記発光箇所の
    位置を視覚認識可能に表示するステップと、をさらに備
    える請求項1記載の被測定デバイスの故障解析方法。
  3. 【請求項3】 (g)前記被測定デバイスに対応するネッ
    トリストと前記レイアウトパターンとの対応関係を規定
    したレイアウトパターン・ネットリスト対応情報に基づ
    き、前記発光箇所に相当する前記ネットリスト上のノー
    ドである発光ノードを認識するステップと、 (h)前記ネットリスト上における前記発光ノードを視覚
    認識可能に表示するステップと、をさらに備える請求項
    2記載の被測定デバイスの故障解析方法。
  4. 【請求項4】 (i)前記被測定デバイスに対応する回路
    図と前記ネットリストの対応関係を規定したネットリス
    ト・回路図対応情報に基づき、前記発光ノードに相当す
    る前記回路図上の位置を認識するステップと、 (j)前記回路図上における前記発光箇所を視覚認識可能
    に表示するステップと、をさらに備える請求項3記載の
    被測定デバイスの故障解析方法。
  5. 【請求項5】 (g)前記被測定デバイスに対応する回路
    図と前記レイアウトパターンとの対応関係を規定したレ
    イアウトパターン・回路図対応情報に基づき、前記発光
    箇所に相当する前記回路図上のノードである発光ノード
    を認識するステップと、 (h)前記回路図上における前記発光ノードを視覚認識可
    能に表示するステップと、をさらに備える請求項2記載
    の被測定デバイスの故障解析方法。
  6. 【請求項6】 被測定デバイスに電子ビームを照射し、
    その部分から発生する二次電子を検出し、検出した二次
    電子に基づき前記被測定デバイスに対する試験を行う電
    子ビームテスト手段と、 動作時における被測定デバイスの発光像を得、該発光像
    から前記被測定デバイスの発光箇所を検出する発光箇所
    検出手段と、 同一の被測定デバイスに対して同一の環境下で、前記電
    子ビームテスト手段による試験と前記発光箇所検出手段
    による発光箇所の検出とが実行可能なように、前記電子
    ビームテスト手段と前記発光箇所検出手段とを収納した
    収納手段と、を備える故障解析装置。
  7. 【請求項7】 各々が被測定デバイスに対する故障解析
    が可能な複数の故障解析装置を備え、前記複数の故障解
    析装置は、被測定デバイスの動作時おける発光像を得
    て、該発光像に基づき請求項1ないし請求項5記載のう
    ちいずれか1項記載の被測定デバイスの故障解析方法を
    実行可能な発光像用故障解析装置を少なくとも1つ含
    み、 前記複数の故障解析装置間でネットワークを構築して得
    られる故障解析システム。
  8. 【請求項8】 請求項1ないし請求項5記載のうちいず
    れか1項記載の被測定デバイスの故障解析方法が実行可
    能な故障解析プログラムを前記ネットワーク上で共有し
    たことを特徴とする、請求項7記載の故障解析システ
    ム。
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