KR20020007167A - 웨이퍼 패턴 관찰방법 및 장치 - Google Patents

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KR20020007167A KR1020010041181A KR20010041181A KR20020007167A KR 20020007167 A KR20020007167 A KR 20020007167A KR 1020010041181 A KR1020010041181 A KR 1020010041181A KR 20010041181 A KR20010041181 A KR 20010041181A KR 20020007167 A KR20020007167 A KR 20020007167A
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마츠오카료이치
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핫토리 쥰이치
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Abstract

관찰위치 지시부(8)가 CAD 데이터에 따라 웨이퍼(4) 상에 형성된 웨이퍼 패턴의 복수의 관리 포인트를 결정하고, 그 결정된 복수의 관리 포인트에 따른 관찰좌표 데이터(D)를 생성하여, 그 관찰좌표 데이터(D)에 따라 네비게이션 유닛(5)을 동작시켜 패턴 관찰장치 본체(3)를 복수의 관리 포인트의 위치에 순차 자동으로 맞춰 관찰하도록 하였다.

Description

웨이퍼 패턴 관찰방법 및 장치{WAFER PATTERN OBSERVATION METHOD AND DEVICE}
본 발명은 CAD 데이터를 이용하여 관찰위치를 결정하도록 한 웨이퍼 패턴 관찰방법 및 장치에 관한 것이다.
각종 반도체의 제조공정에서, 웨이퍼 상에 웨이퍼 패턴(이하, 간단히 패턴이라 함)이 계획대로 형성되어 있는지 여부의 체크 또는 형성된 패턴에 결함이 있는지 여부의 체크 등의 필요가 생긴 경우, 웨이퍼 패턴 관찰장치가 사용된다. 이러한 목적으로 쓰이는 웨이퍼 패턴 관찰장치는 웨이퍼 상에 형성된 패턴 중 수∼수십 평방 μm 정도의 면적 내에 있는 관찰대상 패턴부분을 고배율로 확대하여 관찰하는 것이기 때문에, 웨이퍼 패턴 관찰장치의 관찰시야는 웨이퍼 상의 원하는 관찰위치에 고정밀도로 위치해야 한다.
종래 기술에 있어서는, 작업자의 직감이나 경험 등에 따라 웨이퍼 상의 관찰 포인트를 결정하고, 이렇게 하여 결정된 관찰 포인트에 대해서 웨이퍼 패턴 관찰장치의 관찰시야의 위치를 하나 하나 손으로 맞춰 필요한 패턴 관찰을 순차로 하고 있다.
따라서, 종래의 웨이퍼 패턴 관찰방법에 의하면 다음과 같은 문제점이 있었다.
(1) 웨이퍼 상에 형성된 패턴을 충분히 체크하기 위해서는 상당수의 관리 포인트의 설정이 필요하지만, 작업자가 직감과 경험에 의지하여 필요한 관리 포인트의 설정을 다수 지점에 걸쳐 하는 것은 불가능하고, 그 결과, 신뢰성 있는 패턴 관찰을 실현할 수는 없다.
(2) 관찰위치의 결정을 수공에 의지하고 있기 때문에, 관찰위치의 결정에 시간이 걸리고 작업효율이 나쁘다. 특히 다품종을 관찰하는 경우에는 작업효율의 저하가 현저해진다.
(3) 웨이퍼 패턴 관찰장치를 수공으로 조작하여 필요한 패턴 관찰을 하기 때문에 패턴 관찰에 시간이 걸리고 효율적이지 않다.
본 발명의 목적은 종래 기술에 있어서의 전술한 문제점을 해결할 수 있는 웨이퍼 패턴 관찰방법 및 장치를 제공하는 것에 있다.
상기 과제를 해결하기 위해, 본 발명에 의하면, CAD 데이터에 따라 웨이퍼 상에 형성된 웨이퍼 패턴의 복수의 관리 포인트를 패턴 관찰장치로 확대하여 관찰하기 위한 웨이퍼 패턴 관찰방법에 있어서, 상기 CAD 데이터의 해석에 의해 복수의 관리 포인트를 결정하여, 그 결정된 복수의 관리 포인트에 따른 1군의 관찰좌표 데이터를 취득하고, 그 1군의 관찰좌표 데이터에 따라 상기 CAD 데이터를 참조해 위치 네비게이션을 실행하여, 상기 웨이퍼 패턴의 상기 결정된 복수의 관리 포인트를 순차 관찰하도록 한 웨이퍼 패턴 관찰방법이 제안된다.
복수의 관리 포인트를 결정하기 위한 CAD 데이터의 해석은, 석판인쇄 시뮬레이션, 디바이스 시뮬레이션, 프로세스 시뮬레이션, 에칭 시뮬레이션, CAD 패턴 밀도 해석방법 등을 이용하여 실행될 수 있다. 이와 같이, CAD 데이터의 해석에 따라 관리 포인트를 결정함으로써 적절한 관리 포인트를 단시간에 얻을 수 있고, 또한 결정된 관리 포인트의 위치를 맞추는 네비게이션 방법을 사용하여 자동으로 순차 관찰하는 것이 가능하다.
본 발명에 의하면, 또한, CAD 데이터에 따라 웨이퍼 상에 형성된 웨이퍼 패턴의 복수의 관리 포인트를 패턴 관찰장치로 확대하여 관찰하기 위한 웨이퍼 패턴 관찰장치에 있어서, 패턴 관찰장치 본체, 상기 CAD 데이터를 해석하여 복수의 관리 포인트를 결정하는 결정수단, 그 결정수단에 의해 결정된 복수의 관리 포인트에 따라 1군의 관찰좌표 데이터를 취득하는 수단, 및 그 1군의 관찰좌표 데이터와 상기 CAD 데이터에 따라 상기 패턴 관찰장치 본체에 의한 패턴 관찰을 위한 관찰위치맞춤을 순차 자동으로 행하는 CAD 네비게이션장치를 구비한 웨이퍼 패턴 관찰장치가 제공된다.
이 경우에도, 복수의 관리 포인트를 결정하기 위한 CAD 데이터의 해석은, 석판인쇄 시뮬레이션, 디바이스 시뮬레이션, 프로세스 시뮬레이션, 에칭 시뮬레이션, CAD 패턴 밀도 해석방법 등을 이용하여 실행될 수 있다.
패턴 관찰장치의 관찰시야를 필요한 관리 포인트의 위치에 맞추기 위해 상기 위치 네비게이션이, 상기 관리 포인트의 관찰중심이 관찰시야에 들어가도록 저배율로 상기 패턴 관찰장치의 관찰위치를 맞춰 상기 웨이퍼 패턴의 저배율 패턴 화상 데이터를 얻고, 상기 저배율 패턴화상 데이터와 이것에 해당하는 CAD 도형 데이터로부터 상기 관찰중심과 상기 관찰시야의 중심간의 오프셋 량을 연산하여, 상기 오프셋 량에 따라 상기 관찰중심이 상기 관찰시야의 중심과 일치하도록 상기 웨이퍼의 상대위치제어를 하도록 한 네비게이션 방법에 의해 실행될 수 있다.
도 1은 본 발명에 의한 웨이퍼 패턴 관찰 시스템의 실시예의 일례를 나타내는 시스템 구성도이다.
도 2는 도 1에 나타낸 관찰위치 지시부의 구성의 일례를 나타내는 블록도이다.
도 3은 도 1에 나타낸 네비게이션 유닛의 동작을 설명하기 위한 순서도이다.
도 4는 도 1에 나타낸 네비게이션 유닛의 장치구성의 일례를 설명하기 위한 블록도이다.
<도면의 주요부분에 대한 부호의 설명>
1 웨이퍼 패턴 관찰 시스템 2 스테이지
3 패턴 관찰장치 본체 4 웨이퍼
5 네비게이션 유닛 5A 입력부
5B 버퍼 메모리 6 메모리
7 위치제어 유닛 8 관찰위치 지시부
8A 결정부 8B 관찰좌표 데이터 출력부
51 CAD 장치
53 저배율 패턴 화상 데이터 취득부 54 화상 메모리
55 에지 추출부 56 CAD 선분 데이터 절단부
57 버퍼 메모리 58 비교 매칭부
59 스테이지 위치 보정부 D 관찰좌표 데이터
D1 저배율 패턴 화상 데이터 D2 에지 선분 데이터
D3 CAD 선분 데이터 D4 오프셋 량 데이터
S1 위치설정신호 S2 위치보정신호
S52 지시신호 S53 배율설정신호
이하, 도면을 참조하여 본 발명의 실시예의 일례에 관해 상세히 설명한다.
도 1은, 본 발명에 의한 웨이퍼 패턴 관찰 시스템의 실시예의 일례를 나타내는 시스템 구성도이다.
웨이퍼 패턴 관찰 시스템(1)에 있어서, 2는 스테이지, 3은 패턴 관찰장치 본체이고, 스테이지(2) 위에 세팅된 웨이퍼(4) 상에 형성되어 있는 패턴(도시 생략)의 소정 위치를 패턴 관찰장치 본체(3)로 고배율로 확대하여 관찰하기 위해 네비게이션 유닛(5)이 마련된다. 그리고, 외부에 마련된 메모리(6)내에는 웨이퍼(4)에 형성되어 있는 패턴의 CAD 도형 데이터가 저장되어 있다.
네비게이션 유닛(5)은 메모리(6)내의 CAD 도형 데이터 중 필요한 부분을 참조하여, 스테이지(2)와 패턴 관찰장치 본체(3)간의 상대위치를 스테이지 오차만큼정하기 위한 오프셋 량 데이터를 연산하고, 이 오프셋 량 데이터에 따라 위치제어유닛(7)을 작동시켜, 패턴 관찰장치 본체(3)의 위치를 웨이퍼(4) 상의 소정 위치에 정확히 맞추도록 구성되어 있다.
네비게이션 유닛(5)은 마이크로컴퓨터를 포함하는 공지된 컴퓨터 장치에 소정의 네비게이션 프로그램을 설치하여 이루어지며, 네비게이션 유닛(5)은 이 네비게이션 프로그램에 따라 동작한다. 이것에 의해 웨이퍼(4)의 패턴을 고배율로 확대하여 관찰하는 데 필요한 패턴 관찰장치 본체(3)의 관찰시야의 자동 위치맞춤이 고정밀도로 행해지게 된다.
부호 8로 나타낸 것은, 메모리(6)내에 저장되어 있는 CAD 도형 데이터에 따라 웨이퍼(4) 상에 형성되어 있는 패턴(도시 생략)의 복수의 관리 포인트를 상기 CAD 도형 데이터의 해석을 함으로써 결정하여, 결정된 복수의 관리 포인트에 따른 1군의 관찰좌표 데이터(D)를 소정의 관찰위치를 나타내는 데이터로서 네비게이션 유닛(5)의 입력부(5A)에 제공하기 위한 관찰위치 지시부이고, 이 관찰 위치 지시부(8)는 웨이퍼(4) 상에 형성되어 있는 패턴의 복수의 관리 포인트를 자동적으로 결정할 수 있다.
네비게이션 유닛(5)은, 관찰위치 지시부(8)로부터 입력부(5A)에 공급된 관찰좌표 데이터(D)에 따라서, 패턴 관찰장치 본체(3)의 관찰시야를 관찰좌표 데이터(D)에 의해 나타낸 복수의 관찰위치에 순차 위치를 맞추게 되어있다.
도 2는 관찰위치 지시부(8)의 구성의 일례를 나타내고 있다. 관찰위치 지시부(8)는, 메모리(6)로부터 독출된 CAD 도형 데이터에 근거하는 석판인쇄 시뮬레이션을 행하여, 노출이나 포커스 상태 또는 빛의 강도 등으로부터 웨이퍼(4) 상에 실제로 형성되는 패턴의 형상을 시뮬레이션에 의해 구하고, 이 시뮬레이션에 의해서 얻어진 패턴형상을 CAD 도형 데이터에 의한 형상과 포개어 양자 사이의 차분을 구하여, 이 결과로부터 완성된 패턴에 있어서 관리해야 할 포인트를 복수 위치에 결정하기 위한 결정부(8A)와, 결정부(8A)에서 결정된 복수의 관리 포인트에 따라 이들 관리 포인트를 관찰하는 데 필요한 1군의 관찰좌표 데이터를 얻기 위한 관찰좌표 데이터 출력부(8B)를 구비하며, 관찰좌표 데이터 출력부(8B)에서 관찰좌표 데이터(D)가 출력된다.
도 3은, 전술한 바와 같이 하여 얻어지는 관찰좌표 데이터(D)에 따라 패턴 관찰장치 본체(3)의 관찰시야의 위치를 순차 맞추기 위해 네비게이션 유닛(5)에 설치되어 있는 네비게이션 프로그램의 순서도이며, 이하, 도 3을 참조하여 네비게이션 유닛(5)에 의한 네비게이션 동작에 관해 설명한다.
관찰좌표 데이터(D)에 응답하여, 단계 11에서 우선 첫 번째 관찰위치(관리 포인트)를 나타내는 위치설정신호(S1)가 출력된다. 단계 12에서는, 위치제어유닛(7)이 위치설정신호(S1)에 응하여 스테이지(2)를 이동시키고, 이것에 의해, 패턴 관찰장치 본체(3)의 관찰시야의 중심이 이때 지정된 관찰위치의 관찰시야의 중심과 일치하도록 웨이퍼(4)가 패턴 관찰장치 본체(3)에 대하여 위치가 맞춰진다.
다음에, 단계 13에서는 네비게이션 유닛(5)으로부터의 지시에 의해 패턴 관찰장치 본체(3)의 관찰배율이, 지정된 관찰위치의 관찰시야의 중심이 패턴 관찰장치 본체(3)의 관찰시야에 들어가도록 적당히 저배율로 설정된다. 이 저배율은, 예컨대, 스테이지(2)의 스테이지 정밀도를 고려하여, 스테이지(2)의 위치 결정에 있어서 예견되는 위치설정오차가 있더라도 지정된 관찰위치의 관찰시야의 중심이 패턴 관찰장치 본체(3)의 관찰시야에 들어가도록 하는 배율로 정할 수 있다.
단계 14에서는, 네비게이션 유닛(5)으로부터의 지시에 의하여, 패턴 관찰장치 본체(3)에 의해 전술한 관찰조건 하에서 첫 번째 관찰위치에 대한 저배율 화상 데이터를 얻고, 그 얻어진 저배율 패턴 화상 데이터는 네비게이션 유닛(5)내의 버퍼 메모리(5B) 내에 저장된다.
단계 15에서는, 버퍼 메모리(5B) 내에 저장된 저배율 패턴 화상 데이터를 공지된 방법으로 처리하여 그 화상의 에지 추출을 하고, 이것에 의해 저배율 패턴 화상 데이터에 근거하는 관찰화상의 에지 선분 데이터가 취득된다.
단계 16에서는, 상기 취득한 저배율 패턴 화상 데이터에 해당하는 CAD 도형 데이터를 메모리(6)로부터 독출하여 버퍼 메모리(5B)에 저장한다. 이 CAD 도형 데이터는 패턴 관찰장치 본체(3)의 관찰중심을 중심점으로 하는 CAD 도형을 나타내는 데이터로 구성되고, 이 독출한 CAD 도형 데이터에 따라 CAD 선분 데이터를 얻는다. 이 CAD 선분 데이터는 CAD 도형에 따른 패턴의 선분을 나타내는 데이터이다.
단계 17에서는, 에지 선분 데이터와 CAD 선분 데이터를 비교하는 매칭처리를 하고, 이것에 의해 관찰중심과 패턴 관찰장치 본체(3)의 관찰시야의 중심간의 오프셋 량이 연산된다. 이 오프셋 량은 관찰평면 내에서의 이미지 시프트 량으로서 계산된다.
단계 18에서는, 단계 17에서 얻어진 오프셋 량에 따라, 관찰중심과 패턴 관찰장치 본체(3)의 관찰시야의 중심이 일치하도록 스테이지(2)를 이동시키기 위한 위치보정신호(S2)를 출력하고, 이것에 의해 관찰중심과 패턴 관찰장치 본체(3)의 관찰시야의 중심이 일치된다.
이상 설명한 대로, 네비게이션 유닛(5)에 의해서 우선 저배율 패턴 화상의 관찰중심과 패턴 관찰장치 본체(3)의 실제 관찰시야의 중심간의 오프셋 량이 연산되고, 이 오프셋 량을 스테이지 정밀도에 따른 위치 결정 오차라고 하여 그 오프셋 량만큼 스테이지(2)를 이동시킴으로써, 패턴 관찰장치 본체(3)의 관찰시야를 웨이퍼(4)의 패턴상의 원하는 관찰위치에 정확히 맞출 수 있다. 또한, 전술한 위치맞춤을 위한 각 동작은 패턴 관찰장치 본체(3)를 이동시킴으로써 행해질 수도 있다.
따라서, 네비게이션 유닛(5)을 이용하여 전술한 바와 같이 정확한 위치맞춤이 완료하면, 패턴 관찰장치 본체(3)의 배율을 필요한 고배율로 세팅함으로써 웨이퍼(4)의 패턴의 첫 번째 관찰위치에 대한 고배율 패턴 화상을 즉시 얻을 수 있다.
이상의 관찰위치 맞춤동작을 관찰좌표 데이터(D)에 근거하는 두 번째 위치 이후의 관찰위치에 따라 순차 행함으로써, 관찰위치 지시부(8)에 있어서 결정된 복수의 관리 포인트 모두에 대한 관찰화상을 자동적으로 순차 얻을 수 있다. 웨이퍼 패턴 관찰 시스템(1)은 이상 설명한 바와 같이 구성되어 있기 때문에, 관찰위치 지시부(8)에 의해 단시간에 적절한 관리 포인트를 얻는 것이 가능하고, 또한 결정된 관리 포인트를 네비게이션 유닛(5)에 의해 자동적으로 순차 위치를 맞춰 패턴 관찰장치 본체(3)에 의해 관찰화상을 취득하여 관찰할 수 있다.
도 2에 나타낸 예에서는, 관리 포인트를 결정하기 위한 CAD 데이터의 해석방법으로서 석판인쇄 시뮬레이션을 채용하였지만, 다른 방법을 채용할 수도 있다. 하기에 그 밖의 방법을 예시한다.
(1) 디바이스 시뮬레이션
CAD 도형 데이터에 따라 컴퓨터 상에서 디바이스를 만들고, 그 디바이스의 전기적 특성의 관점에서 복수의 관리 포인트를 결정한다.
(2) 프로세스 시뮬레이션
패턴형성을 위한 가스확산시간이나 가스 량을 파라미터로서 실행하여, 제조된 패턴의 문제점을 조사해 복수의 관리 포인트를 결정한다.
(3) 에칭 시뮬레이션
패턴형성을 위한 노출이나 에칭액의 확산을 파라미터로서 시뮬레이션하고, 그 관점에서 문제점을 조사하여 복수의 관리 포인트를 결정한다.
(4) CAD 패턴밀도
패턴도형의 집합체의 밀도, 고밀도 위치에서 저밀도 위치로의 변화부분, 노출화상 등으로부터 패턴이 형성된 경우의 문제점을 조사하여 복수의 관리 포인트를 결정한다.
이와 같이, CAD 도형 데이터를 여러 가지 관점에서 해석함으로써, 각 상황에 대해 적절한 관리 포인트를 정확히 파악하여 단시간 내에 결정할 수 있다. 그리고, 이들 관리 포인트의 각 패턴을 CAD 네비게이션을 사용하여 자동적으로 관찰할 수 있기 때문에, 대량의 관리 포인트의 관찰화상을 자동운전으로 취득할 수 있다. 이결과, 웨이퍼 패턴생산의 각종 공정에서의 적절한 문제감시가 가능해져 생산효율의 향상을 꾀할 수 있다.
도 4는, 도 1에 나타낸 네비게이션 유닛(5)의 장치구성의 일례를 설명하기 위한 구성도이다. 도 4에서 도 1의 각 부에 해당하는 부분에는 동일한 부호를 붙이고 그 부분의 설명은 생략한다.
네비게이션 유닛(5)의 장치구성에 관해 설명하면, 51은 CAD 장치로서 관찰위치 지시부(8)로부터의 관찰좌표 데이터(D)가 입력되어 있다. 53은 저배율 패턴 화상 데이터 취득부로서, 관찰좌표 데이터(D)에 의해 관찰위치가 지정되면, 출력되는 지시신호(S52)에 해당하는 위치설정신호(S1)가 그 저배율 패턴 화상 데이터 취득부(53)로부터 출력되고, 도 3의 단계 12에서 설명한 스테이지(2)의 위치 결정이 실행된다. 한편, 저배율 설정신호(S53)에 응하여 패턴 관찰장치 본체(3)가 단계 13에서 설명한 것과 같이 저배율로 설정되어, 패턴 관찰장치 본체(3)에 의해 얻어진 저배율 패턴 화상 데이터(D1)가 저배율 패턴 화상 데이터 취득부(53)에 보내지고 화상 메모리(54)에 저장된다. 그리고, 에지 추출부(55)에 있어서, 화상 메모리(54)에 저장되어 있는 저배율 패턴 화상 데이터에 따라 도 3의 단계 15에서 설명한 것과 같이 에지추출처리가 행해져 에지 선분 데이터(D2)가 출력된다.
한편, CAD 선분 데이터 절단부(56)에서는, 지시신호(S52)에 응답하여, 지시된 관찰위치에 해당하는 CAD 선분 데이터(D3)가 메모리(6)로부터 독출되어 버퍼 메모리(57)에 저장된다.
비교 매칭부(58)에서는, 에지 추출부(55)로부터의 에지 선분 데이터(D2)와버퍼 메모리(57)로부터의 CAD 선분 데이터(D3)를 비교하고 매칭처리가 실행되어 오프셋 량이 연산된다. 여기서의 연산처리는 도 3의 단계 17에서 설명한 처리에 해당한다. 비교 매칭부(58)에서 얻어진 오프셋 량을 나타내는 오프셋 량 데이터(D4)는 스테이지 위치 보정부(59)에 보내지고, 여기서 저배율 패턴 화상의 관찰중심과 패턴 관찰장치 본체(3)의 실제 관찰시야의 중심이 일치하도록 스테이지(2)를 이동시키기 위한 위치보정신호(S2)가 생성되어 위치제어유닛(7)에 보내진다.
본 발명에 의하면, CAD 도형 데이터를 여러 가지 관점에서 해석함으로써, 각 상황에 대해 적절한 관리 포인트를 정확히 파악하여 단시간 내에 결정할 수 있다. 그리고, 이들 관리 포인트의 각 패턴을 CAD 네비게이션을 사용하여 자동적으로 관찰할 수 있기 때문에, 대량의 관리 포인트의 관찰화상을 자동운전으로 취득할 수 있다. 이 결과, 웨이퍼 패턴생산의 각종 공정에서의 적절한 문제감시가 가능해져 생산효율의 향상을 꾀할 수 있다.

Claims (4)

  1. CAD 데이터에 따라 웨이퍼 상에 형성된 웨이퍼 패턴의 복수의 관리 포인트를 패턴 관찰장치로 확대하여 관찰하기 위한 웨이퍼 패턴 관찰방법에 있어서,
    상기 CAD 데이터의 해석에 의해 복수의 관리 포인트를 결정하여, 그 결정된 복수의 관리 포인트에 따른 1군의 관찰좌표 데이터를 취득하고, 그 1군의 관찰좌표 데이터에 따라 상기 CAD 데이터를 참조하여 위치 네비게이션을 실행하여, 상기 웨이퍼 패턴의 상기 결정된 복수의 관리 포인트를 순차 관찰하도록 한 것을 특징으로 하는 웨이퍼 패턴 관찰방법.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 복수의 관리 포인트의 결정을, 석판인쇄 시뮬레이션, 디바이스 시뮬레이션, 프로세스 시뮬레이션, 에칭 시뮬레이션 또는 CAD 패턴밀도 해석방법을 이용하여 실행하는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 패턴 관찰방법.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 위치 네비게이션이, 상기 관리 포인트의 관찰중심이 관찰시야에 들어가도록 저배율로 상기 패턴 관찰장치의 관찰위치를 맞춰 상기 웨이퍼 패턴의 저배율 패턴 화상 데이터를 얻고, 상기 저배율 패턴 화상 데이터와 그 저배율 패턴 화상 데이터에 해당하는 CAD 도형 데이터로부터 상기 관찰중심과 상기 관찰시야의 중심간의 오프셋 량을 연산하여, 이 오프셋 량에 따라 상기 관찰중심이 상기 관찰시야의 중심과 일치하도록 상기 웨이퍼의 상대위치제어를 하도록 한 CAD 네비게이션방법에 의해 실행되는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 패턴 관찰방법.
  4. CAD 데이터에 따라 웨이퍼 상에 형성된 웨이퍼 패턴의 복수의 관리 포인트를 패턴 관찰장치로 확대하여 관찰하기 위한 웨이퍼 패턴 관찰장치에 있어서,
    패턴 관찰장치 본체;
    상기 CAD 데이터를 해석하여 복수의 관리 포인트를 결정하는 결정수단;
    상기 결정수단에 의해 결정된 복수의 관리 포인트에 따라 1군의 관찰좌표 데이터를 취득하는 수단; 및
    상기 1군의 관찰좌표 데이터와 상기 CAD 데이터에 따라 상기 패턴 관찰장치 본체에 의한 패턴 관찰을 위한 관찰위치를 순차 자동으로 맞추는 CAD 네비게이션 장치를 구비하는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 패턴 관찰장치.
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