JP2002033365A - ウエハパターン観察方法及び装置 - Google Patents
ウエハパターン観察方法及び装置Info
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- Investigating Materials By The Use Of Optical Means Adapted For Particular Applications (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 ウエハパターンの管理ポイントを自動的に決
定してそれらの観察画像を自動的に取得できるようにす
ること。 【解決手段】 観察位置指示部８によって、ＣＡＤデー
タに基づいてウエハ４上に形成されたウエハパターンの
複数の管理ポイントをメモリ６内に格納されている上記
ＣＡＤデータを解析することにより決定すると共に決定
された複数の管理ポイントに従う観察座標データＤを生
成し、該観察座標データＤに従ってナビゲーションユニ
ット５を動作させ、パターン観察装置本体３を複数の管
理ポイントに順次自動的に位置合わせして観察するよう
にした。
定してそれらの観察画像を自動的に取得できるようにす
ること。 【解決手段】 観察位置指示部８によって、ＣＡＤデー
タに基づいてウエハ４上に形成されたウエハパターンの
複数の管理ポイントをメモリ６内に格納されている上記
ＣＡＤデータを解析することにより決定すると共に決定
された複数の管理ポイントに従う観察座標データＤを生
成し、該観察座標データＤに従ってナビゲーションユニ
ット５を動作させ、パターン観察装置本体３を複数の管
理ポイントに順次自動的に位置合わせして観察するよう
にした。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、ＣＡＤデータを用
いて観察位置を決定するようにしたウエハパターン観察
方法及び装置に関するものである。
いて観察位置を決定するようにしたウエハパターン観察
方法及び装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】各種半導体の製造工程において、ウエハ
上にウエハパターン（以後、単にパターンと称する）が
予定通り形成されているか否かのチェック又は形成され
たパターンに欠陥が生じているか否かのチェック等の必
要が生じた場合、ウエハパターン観察装置が用いられて
いる。このような目的で用いられるウエハパターン観察
装置はウエハ上に形成されたパターンのうち数〜数十μ
ｍ角程度の面積内にある観察対象パターン部分を高倍率
で拡大して観察するものであるから、ウエハパターン観
察装置の観察視野はパターン上の所望の観察位置に高精
度に位置合わせされることが必要である。
上にウエハパターン（以後、単にパターンと称する）が
予定通り形成されているか否かのチェック又は形成され
たパターンに欠陥が生じているか否かのチェック等の必
要が生じた場合、ウエハパターン観察装置が用いられて
いる。このような目的で用いられるウエハパターン観察
装置はウエハ上に形成されたパターンのうち数〜数十μ
ｍ角程度の面積内にある観察対象パターン部分を高倍率
で拡大して観察するものであるから、ウエハパターン観
察装置の観察視野はパターン上の所望の観察位置に高精
度に位置合わせされることが必要である。
【０００３】そこで、従来においては、作業者が勘や経
験等に従ってパターン上の観察点を決定し、このように
して決定された観察点の１つ１つについてウエハパター
ン観察装置の観察視野の位置合わせを人手により行い、
順次所要のパターン観察を行っている。
験等に従ってパターン上の観察点を決定し、このように
して決定された観察点の１つ１つについてウエハパター
ン観察装置の観察視野の位置合わせを人手により行い、
順次所要のパターン観察を行っている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】したがって、従来のウ
エハパターン観察方法によると次のような問題点があっ
た。 （１）ウエハ上に形成されたパターンを充分にチェック
するには相当数の管理ポイントの設定が必要であるが、
作業員が勘と経験とに頼って必要な管理ポイントの設定
を多数箇所にわたって行うことは不可能であり、この結
果、信頼性のあるパターン観察を達成することができな
い。 （２）観察位置の決定を人手に頼っているため、観察位
置の決定に時間が掛かり、作業効率が悪い。特に多品種
のものを観察する場合には作業効率の低下が顕著とな
る。 （３）ウエハパターン観察装置を人手によって操作して
所要のパターン観察を行うためパターン観察に時間が掛
かり、効率的でない。
エハパターン観察方法によると次のような問題点があっ
た。 （１）ウエハ上に形成されたパターンを充分にチェック
するには相当数の管理ポイントの設定が必要であるが、
作業員が勘と経験とに頼って必要な管理ポイントの設定
を多数箇所にわたって行うことは不可能であり、この結
果、信頼性のあるパターン観察を達成することができな
い。 （２）観察位置の決定を人手に頼っているため、観察位
置の決定に時間が掛かり、作業効率が悪い。特に多品種
のものを観察する場合には作業効率の低下が顕著とな
る。 （３）ウエハパターン観察装置を人手によって操作して
所要のパターン観察を行うためパターン観察に時間が掛
かり、効率的でない。
【０００５】本発明の目的は、したがって、従来技術に
おける上述の問題点を解決することができるウエハパタ
ーン観察方法及び装置を提供することにある。
おける上述の問題点を解決することができるウエハパタ
ーン観察方法及び装置を提供することにある。
【０００６】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するた
め、本発明によれば、ＣＡＤデータに基づいてウエハ上
に形成されたウエハパターンの複数の管理ポイントをパ
ターン観察装置で拡大して観察するためのウエハパター
ン観察方法であって、前記ＣＡＤデータの解析により複
数の管理ポイントを決定し、決定された複数の管理ポイ
ントに従う一群の観察座標データを得、該一群の観察座
標データに従い前記ＣＡＤデータを参照して位置合わせ
ナビゲーションを行い、前記ウエハパターンの前記決定
された複数の管理ポイントを順次観察するようにしたウ
エハパターン観察方法が提案される。
め、本発明によれば、ＣＡＤデータに基づいてウエハ上
に形成されたウエハパターンの複数の管理ポイントをパ
ターン観察装置で拡大して観察するためのウエハパター
ン観察方法であって、前記ＣＡＤデータの解析により複
数の管理ポイントを決定し、決定された複数の管理ポイ
ントに従う一群の観察座標データを得、該一群の観察座
標データに従い前記ＣＡＤデータを参照して位置合わせ
ナビゲーションを行い、前記ウエハパターンの前記決定
された複数の管理ポイントを順次観察するようにしたウ
エハパターン観察方法が提案される。
【０００７】複数の管理ポイントを決定するためのＣＡ
Ｄデータの解析は、リソグラフィシミュレーション、デ
バイスシミュレーション、プロセスシミュレーション、
エッチングシミュレーション、ＣＡＤパターン密度等の
解析手法を用いて行うことができる。このように、ＣＡ
Ｄデータの解析に基づいて管理ポイントを決定すること
により、適切な管理ポイントを短時間で得る事ができ、
且つ決定された管理ポイントを位置合わせナビゲーショ
ン手法を用いて自動的に順次観察することができる。
Ｄデータの解析は、リソグラフィシミュレーション、デ
バイスシミュレーション、プロセスシミュレーション、
エッチングシミュレーション、ＣＡＤパターン密度等の
解析手法を用いて行うことができる。このように、ＣＡ
Ｄデータの解析に基づいて管理ポイントを決定すること
により、適切な管理ポイントを短時間で得る事ができ、
且つ決定された管理ポイントを位置合わせナビゲーショ
ン手法を用いて自動的に順次観察することができる。
【０００８】本発明によれば、また、ＣＡＤデータに基
づいてウエハ上に形成されたウエハパターンの複数の管
理ポイントをパターン観察装置で拡大して観察するため
のウエハパターン観察装置であって、パターン観察装置
本体と、前記ＣＡＤデータを解析して複数の管理ポイン
トを決定する決定手段と、該決定手段により決定された
複数の管理ポイントに基づいて一群の観察座標データを
得る手段と、該一群の観察座標データと前記ＣＡＤデー
タとに応答し前記パターン観察装置本体によるパターン
観察のための観察位置合わせを順次自動的に行うＣＡＤ
ナビゲーション装置とを備えたことを特徴とするウエハ
パターン観察装置が提供される。
づいてウエハ上に形成されたウエハパターンの複数の管
理ポイントをパターン観察装置で拡大して観察するため
のウエハパターン観察装置であって、パターン観察装置
本体と、前記ＣＡＤデータを解析して複数の管理ポイン
トを決定する決定手段と、該決定手段により決定された
複数の管理ポイントに基づいて一群の観察座標データを
得る手段と、該一群の観察座標データと前記ＣＡＤデー
タとに応答し前記パターン観察装置本体によるパターン
観察のための観察位置合わせを順次自動的に行うＣＡＤ
ナビゲーション装置とを備えたことを特徴とするウエハ
パターン観察装置が提供される。
【０００９】この場合においても、複数の管理ポイント
を決定するためのＣＡＤデータの解析は、リソグラフィ
シミュレーション、デバイスシミュレーション、プロセ
スシミュレーション、エッチングシミュレーション、Ｃ
ＡＤパターン密度等の解析手法を用いて行うことができ
る。
を決定するためのＣＡＤデータの解析は、リソグラフィ
シミュレーション、デバイスシミュレーション、プロセ
スシミュレーション、エッチングシミュレーション、Ｃ
ＡＤパターン密度等の解析手法を用いて行うことができ
る。
【００１０】パターン観察装置の観察視野を所要の管理
ポイントに位置合わせするため、前記位置合わせナビゲ
ーションが、前記管理ポイントの観察中心が観察視野に
入るような低倍率にて前記パターン観察装置の観察位置
合わせを行って前記ウエハパターンの低倍率パターン画
像データを得、前記低倍率パターン画像データとこれに
対応したＣＡＤ図形データとから前記観察中心と前記観
察視野の中心との間のずれ量を演算し、前記ずれ量に基
づいて前記観察中心が前記観察視野の中心と一致するよ
う前記ウエハの相対位置制御を行うようにしたナビゲー
ション方法により実行されるようにすることもできる。
ポイントに位置合わせするため、前記位置合わせナビゲ
ーションが、前記管理ポイントの観察中心が観察視野に
入るような低倍率にて前記パターン観察装置の観察位置
合わせを行って前記ウエハパターンの低倍率パターン画
像データを得、前記低倍率パターン画像データとこれに
対応したＣＡＤ図形データとから前記観察中心と前記観
察視野の中心との間のずれ量を演算し、前記ずれ量に基
づいて前記観察中心が前記観察視野の中心と一致するよ
う前記ウエハの相対位置制御を行うようにしたナビゲー
ション方法により実行されるようにすることもできる。
【００１１】
【発明の実施の形態】以下、図面を参照して本発明の実
施の形態の一例につき詳細に説明する。
施の形態の一例につき詳細に説明する。
【００１２】図１は、本発明によるウエハパターン観察
システムの実施の形態の一例を示す概略システム構成図
である。
システムの実施の形態の一例を示す概略システム構成図
である。
【００１３】ウエハパターン観察システム１において、
２はステージ、３はパターン観察装置本体であり、ステ
ージ２の上にセットされたウエハ４上に形成されている
パターン（図示せず）の所定箇所をパターン観察装置本
体３で高倍率に拡大して観察するため、ナビゲーション
ユニット５が設けられている。そして、外部に設けられ
たメモリ６内には、ウエハ４に形成されているパターン
のＣＡＤ図形データが格納されている。
２はステージ、３はパターン観察装置本体であり、ステ
ージ２の上にセットされたウエハ４上に形成されている
パターン（図示せず）の所定箇所をパターン観察装置本
体３で高倍率に拡大して観察するため、ナビゲーション
ユニット５が設けられている。そして、外部に設けられ
たメモリ６内には、ウエハ４に形成されているパターン
のＣＡＤ図形データが格納されている。
【００１４】ナビゲーションユニット５は、メモリ６内
のＣＡＤ図形データのうちの必要部分を参照し、ステー
ジ２とパターン観察装置本体３との間の相対位置をステ
ージ誤差分だけ補正するためのずれ量データを演算し、
このずれ量データに従って位置制御ユニット７を作動さ
せ、パターン観察装置本体３の観察視野をウエハ４上の
所定箇所に正確に位置合わせするように構成されてい
る。
のＣＡＤ図形データのうちの必要部分を参照し、ステー
ジ２とパターン観察装置本体３との間の相対位置をステ
ージ誤差分だけ補正するためのずれ量データを演算し、
このずれ量データに従って位置制御ユニット７を作動さ
せ、パターン観察装置本体３の観察視野をウエハ４上の
所定箇所に正確に位置合わせするように構成されてい
る。
【００１５】ナビゲーションユニット５は、マイクロコ
ンピュータを含んで成る公知のコンピュータ装置に所定
のナビゲーションプログラムをセットして成るものであ
り、ナビゲーションユニット５はこのナビゲーションプ
ログラムに従って動作し、これによりウエハ４のパター
ンを高倍率に拡大して観察するのに必要なパターン観察
装置本体３の観察視野の自動位置合わせが高精度にて行
われるようになっている。
ンピュータを含んで成る公知のコンピュータ装置に所定
のナビゲーションプログラムをセットして成るものであ
り、ナビゲーションユニット５はこのナビゲーションプ
ログラムに従って動作し、これによりウエハ４のパター
ンを高倍率に拡大して観察するのに必要なパターン観察
装置本体３の観察視野の自動位置合わせが高精度にて行
われるようになっている。
【００１６】符号８で示されるのは、メモリ６内に格納
されているＣＡＤ図形データに基づいてウエハ４上に形
成されているパターン（図示せず）の複数の管理ポイン
トを上記ＣＡＤ図形データの解析を行うことにより決定
し、決定された複数の管理ポイントに従う一群の観察座
標データＤを所要の観察箇所を示すデータとしてナビゲ
ーションユニット５の入力部５Ａに与えるための観察位
置指示部であり、ウエハ４上に形成されているパターン
の複数の管理ポイントの決定を自動的に行うことができ
る構成となっている。
されているＣＡＤ図形データに基づいてウエハ４上に形
成されているパターン（図示せず）の複数の管理ポイン
トを上記ＣＡＤ図形データの解析を行うことにより決定
し、決定された複数の管理ポイントに従う一群の観察座
標データＤを所要の観察箇所を示すデータとしてナビゲ
ーションユニット５の入力部５Ａに与えるための観察位
置指示部であり、ウエハ４上に形成されているパターン
の複数の管理ポイントの決定を自動的に行うことができ
る構成となっている。
【００１７】ナビゲーションユニット５は、観察位置指
示部８から入力部５Ａに与えられた観察座標データＤに
従い、パターン観察装置本体３の観察視野を観察座標デ
ータＤによって示される複数の観察位置に順次位置合わ
せする構成となっている。
示部８から入力部５Ａに与えられた観察座標データＤに
従い、パターン観察装置本体３の観察視野を観察座標デ
ータＤによって示される複数の観察位置に順次位置合わ
せする構成となっている。
【００１８】図２には、観察位置指示部８の構成の一例
が示されている。観察位置指示部８は、メモリ６から読
み出されたＣＡＤ図形データに基づくリソグラフィシミ
ュレーションを行い、露光やフォーカス状態、または光
の強度等からウエハ４上に実際に形成されるパターンの
形状をシミュレーションにより求め、このシミュレーシ
ョンによって得られたパターン形状をＣＡＤ図形データ
による形状との重ね合わせを行って両者間の差分を求
め、この結果から出来上がったパターンにおいて管理す
べきポイントを複数箇所決定するための決定部８Ａと、
決定部８Ａにおいて決定された複数の管理ポイントに基
づいてこれらの管理ポイントを観察するために必要な一
群の観察座標データを得るための観察座標データ出力部
８Ｂとを備え、観察座標データ出力部８Ｂから観察座標
データＤが出力される。
が示されている。観察位置指示部８は、メモリ６から読
み出されたＣＡＤ図形データに基づくリソグラフィシミ
ュレーションを行い、露光やフォーカス状態、または光
の強度等からウエハ４上に実際に形成されるパターンの
形状をシミュレーションにより求め、このシミュレーシ
ョンによって得られたパターン形状をＣＡＤ図形データ
による形状との重ね合わせを行って両者間の差分を求
め、この結果から出来上がったパターンにおいて管理す
べきポイントを複数箇所決定するための決定部８Ａと、
決定部８Ａにおいて決定された複数の管理ポイントに基
づいてこれらの管理ポイントを観察するために必要な一
群の観察座標データを得るための観察座標データ出力部
８Ｂとを備え、観察座標データ出力部８Ｂから観察座標
データＤが出力される。
【００１９】図３は、上述の如くして得られる観察座標
データＤに従ってパターン観察装置本体３の観察視野を
順次位置合わせるためナビゲーションユニット５にセッ
トされているナビゲーションプログラムのフローチャー
トを示すものであり、以下、図３を参照してナビゲーシ
ョンユニット５によるナビゲーション動作について説明
する。
データＤに従ってパターン観察装置本体３の観察視野を
順次位置合わせるためナビゲーションユニット５にセッ
トされているナビゲーションプログラムのフローチャー
トを示すものであり、以下、図３を参照してナビゲーシ
ョンユニット５によるナビゲーション動作について説明
する。
【００２０】観察座標データＤの入力に応答し、ステッ
プ１１において先ず第１番目の観察位置（管理ポイン
ト）を示す位置設定信号Ｓ１が出力される。ステップ１
２では、位置制御ユニット７が位置設定信号Ｓ１に応答
してステージ２を移動させ、これにより、パターン観察
装置本体３の観察視野の中心がこのときの指定された観
察箇所の観察中心と一致するよう、ウエハ４がパターン
観察装置本体３に対して位置決めされる。
プ１１において先ず第１番目の観察位置（管理ポイン
ト）を示す位置設定信号Ｓ１が出力される。ステップ１
２では、位置制御ユニット７が位置設定信号Ｓ１に応答
してステージ２を移動させ、これにより、パターン観察
装置本体３の観察視野の中心がこのときの指定された観
察箇所の観察中心と一致するよう、ウエハ４がパターン
観察装置本体３に対して位置決めされる。
【００２１】次のステップ１３では、ナビゲーションユ
ニット５からの指令により、パターン観察装置本体３の
観察倍率が、指定された観察箇所の観察中心がパターン
観察装置本体３の観察視野に入るような適宜の低倍率に
設定される。この低倍率は、例えば、ステージ２のステ
ージ精度を考慮し、ステージ２の位置決めにおいて予見
される位置設定誤差があっても指定された観察箇所の観
察中心がパターン観察装置本体３の観察視野に入るよう
な倍率に定めることができる。
ニット５からの指令により、パターン観察装置本体３の
観察倍率が、指定された観察箇所の観察中心がパターン
観察装置本体３の観察視野に入るような適宜の低倍率に
設定される。この低倍率は、例えば、ステージ２のステ
ージ精度を考慮し、ステージ２の位置決めにおいて予見
される位置設定誤差があっても指定された観察箇所の観
察中心がパターン観察装置本体３の観察視野に入るよう
な倍率に定めることができる。
【００２２】ステップ１４では、ナビゲーションユニッ
ト５からの指示により、パターン観察装置本体３によっ
て上述した観察条件の下で第１番目の観察位置における
低倍率パターン画像データを得、得られた低倍率パター
ン画像データはナビゲーションユニット５内のバッファ
メモリ５Ｂ内に格納される。
ト５からの指示により、パターン観察装置本体３によっ
て上述した観察条件の下で第１番目の観察位置における
低倍率パターン画像データを得、得られた低倍率パター
ン画像データはナビゲーションユニット５内のバッファ
メモリ５Ｂ内に格納される。
【００２３】ステップ１５では、バッファメモリ５Ｂ内
に格納された低倍率パターン画像データを公知の方法で
処理し、そのエッジ抽出を行い、これにより低倍率パタ
ーン画像データに基づく観察画像のエッジ線分データを
得る。
に格納された低倍率パターン画像データを公知の方法で
処理し、そのエッジ抽出を行い、これにより低倍率パタ
ーン画像データに基づく観察画像のエッジ線分データを
得る。
【００２４】次のステップ１６では、ステップ１４で得
られた低倍率パターン画像データに対応するＣＡＤ図形
データをメモリ６から読み出してバッファメモリ５Ｂに
格納する。このＣＡＤ図形データはパターン観察装置本
体３の観察中心を中心点としているＣＡＤ図形を表すデ
ータとなっており、この読み出されたＣＡＤ図形データ
に基づいてＣＡＤ線分データを得る。このＣＡＤ線分デ
ータはＣＡＤ図形に従うパターンの線分を示すデータで
ある。
られた低倍率パターン画像データに対応するＣＡＤ図形
データをメモリ６から読み出してバッファメモリ５Ｂに
格納する。このＣＡＤ図形データはパターン観察装置本
体３の観察中心を中心点としているＣＡＤ図形を表すデ
ータとなっており、この読み出されたＣＡＤ図形データ
に基づいてＣＡＤ線分データを得る。このＣＡＤ線分デ
ータはＣＡＤ図形に従うパターンの線分を示すデータで
ある。
【００２５】そして、ステップ１７でエッジ線分データ
とＣＡＤ線分データとを比較するマッチング処理を行
い、これにより、観察中心とパターン観察装置本体３の
観察視野の中心との間のずれ量を演算する。このずれ量
は観察平面内でのイメージシフト量として計算される。
とＣＡＤ線分データとを比較するマッチング処理を行
い、これにより、観察中心とパターン観察装置本体３の
観察視野の中心との間のずれ量を演算する。このずれ量
は観察平面内でのイメージシフト量として計算される。
【００２６】ステップ１８では、ステップ１７で得られ
たずれ量に従い、観察中心とパターン観察装置本体３の
観察視野の中心とを一致させるようステージ２を移動さ
せるための位置補正信号Ｓ２を出力し、これにより観察
中心とパターン観察装置本体３の観察視野の中心とを一
致させる。
たずれ量に従い、観察中心とパターン観察装置本体３の
観察視野の中心とを一致させるようステージ２を移動さ
せるための位置補正信号Ｓ２を出力し、これにより観察
中心とパターン観察装置本体３の観察視野の中心とを一
致させる。
【００２７】以上の通り、ナビゲーションユニット５に
よって、先ず低倍率パターン画像における観察中心とパ
ターン観察装置本体３の実際の観察視野の中心とのずれ
量を演算し、このずれ量がステージ精度に従う位置決め
誤差であるとして、そのずれ量だけステージ２を移動さ
せることにより、パターン観察装置本体３の観察視野を
ウエハ４のパターンの所望の観察箇所に正確に位置合わ
せすることができる。なお、上述した位置合わせのため
の各動作は、パターン観察装置本体３を移動させて行う
こともできる。
よって、先ず低倍率パターン画像における観察中心とパ
ターン観察装置本体３の実際の観察視野の中心とのずれ
量を演算し、このずれ量がステージ精度に従う位置決め
誤差であるとして、そのずれ量だけステージ２を移動さ
せることにより、パターン観察装置本体３の観察視野を
ウエハ４のパターンの所望の観察箇所に正確に位置合わ
せすることができる。なお、上述した位置合わせのため
の各動作は、パターン観察装置本体３を移動させて行う
こともできる。
【００２８】したがって、ナビゲーションユニット５を
用いて上述の如く正確な位置合わせが完了したならば、
パターン観察装置本体３の倍率を所要の高倍率にセット
することによりウエハ４のパターンの第１番目の観察位
置の高倍率パターン画像を直ちに得ることができる。
用いて上述の如く正確な位置合わせが完了したならば、
パターン観察装置本体３の倍率を所要の高倍率にセット
することによりウエハ４のパターンの第１番目の観察位
置の高倍率パターン画像を直ちに得ることができる。
【００２９】以上の観察位置合わせ動作を、観察座標デ
ータＤに基づく第２番目以降の観察位置に基づいて順次
行うことにより観察位置指示部８において決定された複
数の管理ポイント全てについての観察画像を自動的に、
順次得ることができる。ウエハパターン観察システム１
は以上のように構成されているので、観察位置指示部８
によって適切な管理ポイントを短時間で得る事ができ、
且つ決定された管理ポイントをナビゲーションユニット
５によって自動的に順次位置合わせし、パターン観察装
置本体３によって観察画像を取得して観察することがで
きる。
ータＤに基づく第２番目以降の観察位置に基づいて順次
行うことにより観察位置指示部８において決定された複
数の管理ポイント全てについての観察画像を自動的に、
順次得ることができる。ウエハパターン観察システム１
は以上のように構成されているので、観察位置指示部８
によって適切な管理ポイントを短時間で得る事ができ、
且つ決定された管理ポイントをナビゲーションユニット
５によって自動的に順次位置合わせし、パターン観察装
置本体３によって観察画像を取得して観察することがで
きる。
【００３０】図２に示した例では、管理ポイントを決定
するためのＣＡＤデータの解析手法としてリソグラフィ
シミュレーションを採用したが、他の手法を採用するこ
ともできる。以下にその他の手法を例示的に列挙する。 （１）デバイスシミュレーション ＣＡＤ図形データに基づいてデバイスをコンピュータ上
で作り、その電気的特性における観点から管理ポイント
を複数決定する。 （２）プロセスシミュレーション パターン形成のためのガス拡散時間やガス量をパラメー
タとしてシミュレーションを行い、製造されたパターン
の問題点を把握して管理ポイントを複数決定する。 （３）エッチングシミュレーション パターニングにおける露光やエッチング液の拡散をパラ
メータとして削り量をシミュレーションし、この観点か
ら問題点を把握して管理ポイントを複数決定する。 （４）ＣＡＤパターン密度 パターン図形の集合体の混み具合、混み合っている箇所
からすいている箇所への変化部分、露光像等からパター
ンが形成された場合の問題点を把握して管理ポイントを
複数決定する。
するためのＣＡＤデータの解析手法としてリソグラフィ
シミュレーションを採用したが、他の手法を採用するこ
ともできる。以下にその他の手法を例示的に列挙する。 （１）デバイスシミュレーション ＣＡＤ図形データに基づいてデバイスをコンピュータ上
で作り、その電気的特性における観点から管理ポイント
を複数決定する。 （２）プロセスシミュレーション パターン形成のためのガス拡散時間やガス量をパラメー
タとしてシミュレーションを行い、製造されたパターン
の問題点を把握して管理ポイントを複数決定する。 （３）エッチングシミュレーション パターニングにおける露光やエッチング液の拡散をパラ
メータとして削り量をシミュレーションし、この観点か
ら問題点を把握して管理ポイントを複数決定する。 （４）ＣＡＤパターン密度 パターン図形の集合体の混み具合、混み合っている箇所
からすいている箇所への変化部分、露光像等からパター
ンが形成された場合の問題点を把握して管理ポイントを
複数決定する。
【００３１】このように、ＣＡＤ図形データを様々な観
点から解析することにより、その時々に応じた適切な管
理ポイントを正確に把握し、短時間のうちに決定するこ
とができる。そして、これらの管理ポイントの各パター
ンをＣＡＤナビゲーションを用いて自動的に観察できる
ので、大量の管理ポイントの観察画像を自動運転で取得
できる。この結果、ウエハパターン生産の各種工程での
適切な問題監視が可能となり生産の効率化が図れる。
点から解析することにより、その時々に応じた適切な管
理ポイントを正確に把握し、短時間のうちに決定するこ
とができる。そして、これらの管理ポイントの各パター
ンをＣＡＤナビゲーションを用いて自動的に観察できる
ので、大量の管理ポイントの観察画像を自動運転で取得
できる。この結果、ウエハパターン生産の各種工程での
適切な問題監視が可能となり生産の効率化が図れる。
【００３２】図４は、図１に示したナビゲーションユニ
ット５の装置構成の一例を説明するための構成図であ
る。図４の各部のうち、図１の各部に対応する部分には
同一の符号を付してそれらの説明を省略する。
ット５の装置構成の一例を説明するための構成図であ
る。図４の各部のうち、図１の各部に対応する部分には
同一の符号を付してそれらの説明を省略する。
【００３３】ナビゲーションユニット５の装置構成につ
いて説明すると、５１はＣＡＤ装置で観察位置指示部８
からの観察座標データＤが入力されている。５３は低倍
率パターン画像データ取得部で、観察座標データＤによ
って観察箇所を指定されると、それにより出力される指
示信号Ｓ５２に応答して位置設定信号Ｓ１を出力して、
図３のステップ１２に説明したステージ２の位置決めが
実行される。一方、倍率設定信号Ｓ５３に応答してパタ
ーン観察装置本体３がステップ１３で説明したようにし
て低倍率に設定され、パターン観察装置本体３で得られ
た低倍率パターン画像データＤ１が低倍率パターン画像
データ取得部５３に送られ、画像メモリ５４に格納され
る。そして、エッジ抽出部５５において、画像メモリ５
４に格納されている低倍率パターン画像データに基づい
て図３のステップ１５で説明したようにしてエッジ抽出
処理が行われ、エッジ線分データＤ２が出力される。
いて説明すると、５１はＣＡＤ装置で観察位置指示部８
からの観察座標データＤが入力されている。５３は低倍
率パターン画像データ取得部で、観察座標データＤによ
って観察箇所を指定されると、それにより出力される指
示信号Ｓ５２に応答して位置設定信号Ｓ１を出力して、
図３のステップ１２に説明したステージ２の位置決めが
実行される。一方、倍率設定信号Ｓ５３に応答してパタ
ーン観察装置本体３がステップ１３で説明したようにし
て低倍率に設定され、パターン観察装置本体３で得られ
た低倍率パターン画像データＤ１が低倍率パターン画像
データ取得部５３に送られ、画像メモリ５４に格納され
る。そして、エッジ抽出部５５において、画像メモリ５
４に格納されている低倍率パターン画像データに基づい
て図３のステップ１５で説明したようにしてエッジ抽出
処理が行われ、エッジ線分データＤ２が出力される。
【００３４】一方、ＣＡＤ線分データ切出部５６では、
指示信号Ｓ５２に応答し、指示された観察箇所に相応し
たＣＡＤ線分データＤ３がメモリ６から読み出され、バ
ッファメモリ５７に格納される。
指示信号Ｓ５２に応答し、指示された観察箇所に相応し
たＣＡＤ線分データＤ３がメモリ６から読み出され、バ
ッファメモリ５７に格納される。
【００３５】比較マッチング部５８では、エッジ抽出部
５５からのエッジ線分データＤ２とバッファメモリ５７
からのＣＡＤ線分データＤ３とが比較され、マッチング
処理が実行されてずれ量が演算される。ここでの演算処
理は図３のステップ１７で説明した処理に相当してい
る。比較マッチング部５８で得られたずれ量を示すずれ
量データＤ４はステージ位置補正部５９に送られ、ここ
で低倍率パターン画像における観察中心とパターン観察
装置本体３の実際の観察視野の中心とを一致させるよう
にステージ２を移動させるための位置補正信号Ｓ２が作
られ、位置制御ユニット７に送られる。
５５からのエッジ線分データＤ２とバッファメモリ５７
からのＣＡＤ線分データＤ３とが比較され、マッチング
処理が実行されてずれ量が演算される。ここでの演算処
理は図３のステップ１７で説明した処理に相当してい
る。比較マッチング部５８で得られたずれ量を示すずれ
量データＤ４はステージ位置補正部５９に送られ、ここ
で低倍率パターン画像における観察中心とパターン観察
装置本体３の実際の観察視野の中心とを一致させるよう
にステージ２を移動させるための位置補正信号Ｓ２が作
られ、位置制御ユニット７に送られる。
【００３６】
【発明の効果】本発明によれば、ＣＡＤ図形データを様
々な観点から解析することにより、その時々に応じた適
切な管理ポイントを正確に把握し、短時間のうちに決定
することができる。そして、これらの管理ポイントの各
パターンをＣＡＤナビゲーションを用いて自動的に観察
できるので、大量の管理ポイントの観察画像を自動運転
で取得できる。この結果、ウエハパターン生産の各種工
程での適切な問題監視が可能となり生産の効率化が図れ
る。
々な観点から解析することにより、その時々に応じた適
切な管理ポイントを正確に把握し、短時間のうちに決定
することができる。そして、これらの管理ポイントの各
パターンをＣＡＤナビゲーションを用いて自動的に観察
できるので、大量の管理ポイントの観察画像を自動運転
で取得できる。この結果、ウエハパターン生産の各種工
程での適切な問題監視が可能となり生産の効率化が図れ
る。
【図１】本発明によるウエハパターン観察システムの実
施の形態の一例を示す概略システム構成図。
施の形態の一例を示す概略システム構成図。
【図２】図１に示した観察位置指示部の構成の一例を示
すブロック図。
すブロック図。
【図３】図１に示したナビゲーションユニットの動作を
説明するためのフローチャート。
説明するためのフローチャート。
【図４】図１に示したナビゲーションユニットの装置構
成の一例を説明するためのブロック図。
成の一例を説明するためのブロック図。
１ ウエハパターン観察システム ２ ステージ ３ パターン観察装置本体 ４ ウエハ ５ ナビゲーションユニット ５Ａ 入力部 ５Ｂ バッファメモリ ６ メモリ ７ 位置制御ユニット ８ 観察位置指示部 ８Ａ 決定部 ８Ｂ 観察座標データ出力部 ５１ ＣＡＤ装置 ５３ 低倍率パターン画像データ取得部 ５４ 画像メモリ ５５ エッジ抽出部 ５６ ＣＡＤ線分データ切出部 ５７ バッファメモリ ５８ 比較マッチング部 ５９ ステージ位置補正部 Ｄ 観察座標データ Ｄ１ 低倍率パターン画像データ Ｄ２ エッジ線分データ Ｄ３ ＣＡＤ線分データ Ｄ４ ずれ量データ Ｓ１ 位置設定信号 Ｓ２ 位置補正信号 Ｓ５２ 指示信号 Ｓ５３ 倍率設定信号
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き Ｆターム(参考） 2F065 AA03 AA20 BB02 CC19 DD06 EE00 FF16 JJ03 NN20 PP12 QQ23 QQ24 QQ31 QQ38 TT02 2G051 AA51 AB07 AC22 CA11 ED23 4M106 AA01 BA10 CA38 CA50 DB18 DH50 DJ04 DJ07 DJ11 DJ20 DJ21
Claims (4)
- 【請求項１】 ＣＡＤデータに基づいてウエハ上に形成
されたウエハパターンの複数の管理ポイントをパターン
観察装置で拡大して観察するためのウエハパターン観察
方法であって、 前記ＣＡＤデータの解析により複数の管理ポイントを決
定し、決定された複数の管理ポイントに従う一群の観察
座標データを得、該一群の観察座標データに従い前記Ｃ
ＡＤデータを参照して位置合わせナビゲーションを行
い、前記ウエハパターンの前記決定された複数の管理ポ
イントを順次観察するようにしたことを特徴とするウエ
ハパターン観察方法。 - 【請求項２】 前記複数の管理ポイントの決定を、リソ
グラフィシミュレーション、デバイスシミュレーショ
ン、プロセスシミュレーション、エッチングシミュレー
ション、またはＣＡＤパターン密度の解析手法を用いて
行うようにした請求項１記載のウエハパターン観察方
法。 - 【請求項３】 前記位置合わせナビゲーションが、前記
管理ポイントの観察中心が観察視野に入るような低倍率
にて前記パターン観察装置の観察位置合わせを行って前
記ウエハパターンの低倍率パターン画像データを得、前
記低倍率パターン画像データとこれに対応したＣＡＤ図
形データとから前記観察中心と前記観察視野の中心との
間のずれ量を演算し、前記ずれ量に基づいて前記観察中
心が前記観察視野の中心と一致するよう前記ウエハの相
対位置制御を行うようにしたＣＡＤナビゲーション方法
により実行される請求項１記載のウエハパターン観察方
法。 - 【請求項４】 ＣＡＤデータに基づいてウエハ上に形成
されたウエハパターンの複数の管理ポイントをパターン
観察装置で拡大して観察するためのウエハパターン観察
装置であって、 パターン観察装置本体と、 前記ＣＡＤデータを解析して複数の管理ポイントを決定
する決定手段と、 該決定手段により決定された複数の管理ポイントに基づ
いて一群の観察座標データを得る手段と、 該一群の観察座標データと前記ＣＡＤデータとに応答し
前記パターン観察装置本体によるパターン観察のための
観察位置合わせを順次自動的に行うＣＡＤナビゲーショ
ン装置とを備えて成ることを特徴とするウエハパターン
観察装置。
Priority Applications (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000214845A JP2002033365A (ja) | 2000-07-14 | 2000-07-14 | ウエハパターン観察方法及び装置 |
| TW090116049A TWI241618B (en) | 2000-07-14 | 2001-06-29 | Wafer pattern observation method and device |
| KR1020010041181A KR20020007167A (ko) | 2000-07-14 | 2001-07-10 | 웨이퍼 패턴 관찰방법 및 장치 |
| DE10133674A DE10133674A1 (de) | 2000-07-14 | 2001-07-11 | Verfahren und Vorrichtung zur Überprüfung von Wafermustern |
| US09/903,600 US20020009219A1 (en) | 2000-07-14 | 2001-07-12 | Wafer pattern observation method and device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000214845A JP2002033365A (ja) | 2000-07-14 | 2000-07-14 | ウエハパターン観察方法及び装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2002033365A true JP2002033365A (ja) | 2002-01-31 |
Family
ID=18710357
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000214845A Pending JP2002033365A (ja) | 2000-07-14 | 2000-07-14 | ウエハパターン観察方法及び装置 |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US20020009219A1 (ja) |
| JP (1) | JP2002033365A (ja) |
| KR (1) | KR20020007167A (ja) |
| DE (1) | DE10133674A1 (ja) |
| TW (1) | TWI241618B (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009206453A (ja) * | 2008-02-29 | 2009-09-10 | Hitachi High-Technologies Corp | 製造プロセスモニタリングシステム |
| US7626163B2 (en) | 2007-03-30 | 2009-12-01 | Hitachi High-Technologies Corporation | Defect review method and device for semiconductor device |
| JP2020530205A (ja) * | 2017-08-07 | 2020-10-15 | ケーエルエー コーポレイション | クリティカルディメンション測定用の検査ガイド付きクリティカルサイト選択 |
| KR20210144796A (ko) | 2019-03-28 | 2021-11-30 | 타스밋 가부시키가이샤 | 화상 생성 방법 |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20050157170A1 (en) * | 2002-08-20 | 2005-07-21 | Olympus Corporation | Image comparison apparatus, image comparison method, and program to execute image comparison by computer |
| EP1549072A4 (en) * | 2002-08-20 | 2006-12-06 | Olympus Corp | IMAGE COMPARISON DEVICE, IMAGE COMPARISON METHOD, AND PROGRAM FOR COMPUTER COMPARISON OF IMAGES |
| JP2014203917A (ja) * | 2013-04-03 | 2014-10-27 | 株式会社ディスコ | 板状物 |
| KR102499036B1 (ko) | 2017-09-22 | 2023-02-13 | 삼성전자주식회사 | 임계 치수 측정 시스템 및 임계 치수 측정 방법 |
Family Cites Families (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5600734A (en) * | 1991-10-04 | 1997-02-04 | Fujitsu Limited | Electron beam tester |
| JPH01265441A (ja) * | 1988-04-15 | 1989-10-23 | Jeol Ltd | 荷電粒子ビーム装置 |
| US5604819A (en) * | 1993-03-15 | 1997-02-18 | Schlumberger Technologies Inc. | Determining offset between images of an IC |
| US5561293A (en) * | 1995-04-20 | 1996-10-01 | Advanced Micro Devices, Inc. | Method of failure analysis with CAD layout navigation and FIB/SEM inspection |
| US6246787B1 (en) * | 1996-05-31 | 2001-06-12 | Texas Instruments Incorporated | System and method for knowledgebase generation and management |
| US6661912B1 (en) * | 1998-08-03 | 2003-12-09 | Hitachi Electronics Engineering Co., Ltd. | Inspecting method and apparatus for repeated micro-miniature patterns |
| JP3418531B2 (ja) * | 1997-10-20 | 2003-06-23 | スカイアルミニウム株式会社 | 太陽電池付き屋根板および融雪兼用太陽光発電屋根 |
| JPH11251377A (ja) * | 1998-03-02 | 1999-09-17 | Hitachi Ltd | 欠陥検査方法およびその装置並びに欠陥の観察または分析方法およびそのシステム |
-
2000
- 2000-07-14 JP JP2000214845A patent/JP2002033365A/ja active Pending
-
2001
- 2001-06-29 TW TW090116049A patent/TWI241618B/zh not_active IP Right Cessation
- 2001-07-10 KR KR1020010041181A patent/KR20020007167A/ko not_active Application Discontinuation
- 2001-07-11 DE DE10133674A patent/DE10133674A1/de not_active Withdrawn
- 2001-07-12 US US09/903,600 patent/US20020009219A1/en not_active Abandoned
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| US8547429B2 (en) | 2008-02-29 | 2013-10-01 | Hitachi High-Technologies Corporation | Apparatus and method for monitoring semiconductor device manufacturing process |
| JP2020530205A (ja) * | 2017-08-07 | 2020-10-15 | ケーエルエー コーポレイション | クリティカルディメンション測定用の検査ガイド付きクリティカルサイト選択 |
| JP7236435B2 (ja) | 2017-08-07 | 2023-03-09 | ケーエルエー コーポレイション | クリティカルディメンション測定用の検査ガイド付きクリティカルサイト選択 |
| KR20210144796A (ko) | 2019-03-28 | 2021-11-30 | 타스밋 가부시키가이샤 | 화상 생성 방법 |
Also Published As
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|---|---|
| US20020009219A1 (en) | 2002-01-24 |
| TWI241618B (en) | 2005-10-11 |
| KR20020007167A (ko) | 2002-01-26 |
| DE10133674A1 (de) | 2002-01-24 |
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