KR20160047549A - 정밀 결함 위치들을 사용한 웨이퍼 검사 레시피들 튜닝 - Google Patents
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- 230000007547 defect Effects 0.000 title claims abstract description 210
- 238000007689 inspection Methods 0.000 title claims abstract description 185
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 150
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims abstract description 98
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 claims abstract description 60
- 238000012552 review Methods 0.000 claims abstract description 57
- 230000008569 process Effects 0.000 claims abstract description 47
- 230000009466 transformation Effects 0.000 claims abstract description 28
- 238000000844 transformation Methods 0.000 claims abstract description 14
- 238000013461 design Methods 0.000 claims description 42
- 238000001514 detection method Methods 0.000 claims description 17
- 238000003860 storage Methods 0.000 claims description 14
- 230000002950 deficient Effects 0.000 claims description 2
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 183
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 20
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 14
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 10
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 6
- 230000006870 function Effects 0.000 description 5
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 4
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 description 4
- 238000001878 scanning electron micrograph Methods 0.000 description 4
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 3
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 3
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 3
- 230000008859 change Effects 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000005286 illumination Methods 0.000 description 2
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 2
- 235000006719 Cassia obtusifolia Nutrition 0.000 description 1
- 235000014552 Cassia tora Nutrition 0.000 description 1
- 244000201986 Cassia tora Species 0.000 description 1
- 230000004075 alteration Effects 0.000 description 1
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 1
- 238000013459 approach Methods 0.000 description 1
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 238000012938 design process Methods 0.000 description 1
- 230000001066 destructive effect Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 description 1
- 238000001459 lithography Methods 0.000 description 1
- 238000013507 mapping Methods 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 1
- 230000010287 polarization Effects 0.000 description 1
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 1
- 238000012827 research and development Methods 0.000 description 1
- 238000004088 simulation Methods 0.000 description 1
- 230000003595 spectral effect Effects 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 1
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 1
- 230000000007 visual effect Effects 0.000 description 1
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L22/00—Testing or measuring during manufacture or treatment; Reliability measurements, i.e. testing of parts without further processing to modify the parts as such; Structural arrangements therefor
- H01L22/10—Measuring as part of the manufacturing process
- H01L22/12—Measuring as part of the manufacturing process for structural parameters, e.g. thickness, line width, refractive index, temperature, warp, bond strength, defects, optical inspection, electrical measurement of structural dimensions, metallurgic measurement of diffusions
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/68—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for positioning, orientation or alignment
- H01L21/682—Mask-wafer alignment
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L22/00—Testing or measuring during manufacture or treatment; Reliability measurements, i.e. testing of parts without further processing to modify the parts as such; Structural arrangements therefor
- H01L22/20—Sequence of activities consisting of a plurality of measurements, corrections, marking or sorting steps
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- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N21/00—Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
- G01N21/84—Systems specially adapted for particular applications
- G01N21/88—Investigating the presence of flaws or contamination
- G01N21/95—Investigating the presence of flaws or contamination characterised by the material or shape of the object to be examined
- G01N21/9501—Semiconductor wafers
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- Biochemistry (AREA)
- General Health & Medical Sciences (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
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Abstract
웨이퍼 검사 프로세스의 하나 이상의 파라미터들을 결정하는 시스템 및 방법이 제공된다. 하나의 방법은 정렬 타겟의 광학 이미지(들)를 전자 빔 결함 리뷰 시스템에 의해 생성된 대응하는 전자 빔 이미지로 정렬하는 단계를 포함한다. 또한, 방법은 정렬하는 단계의 결과에 기초하여 정렬 타겟의 상이한 서브세트에 대하여 상이한 로컬 좌표 변환을 결정하는 단계를 포함한다. 더하여, 본 방법은 전자 빔 결함 리뷰 시스템에 의해 결정된 결함의 좌표와, 결함이 분리된 상이한 그룹에 대한 상이한 로컬 좌표 변환에 기초하여 웨이퍼 검사 시스템 좌표에서 웨이퍼의 결함의 위치를 결정하는 단계를 포함한다. 본 방법은 웨이퍼 검사 시스템에 의해 결정된 위치에서 획득된 결함 이미지에 기초하여 웨이퍼에 대한 검사 프로세스를 위한 하나 이상의 파라미터들을 결정하는 단계를 더 포함한다.
Description
본 발명은 일반적으로 정밀 결함 위치들을 사용하여 웨이퍼 검사 레시피들을 튜닝하는 시스템 및 방법들에 관한 것이다.
다음의 설명 및 예는 본 섹션에서 이를 포함하는 것에 의해서 종래 기술로서 인정되지는 않는다.
로직 및 메모리 디바이스과 같은 반도체 디바이스들을 제조하는 것은 통상적으로 반도체 디바이스들의 다수의 레벨 및 다양한 특징부(feature)를 형성하기 위하여 다수의 반도체 제조 프로세스를 이용하여 반도체 웨이퍼와 같은 기판을 프로세싱하는 것을 포함한다. 예를 들어, 리소그래피(lithography)는 레티클(reticle)로부터 반도체 웨이퍼 상에 배열된 레지스트로 패턴을 전사하는 것을 수반하는 반도체 제조 프로세스이다. 반도체 제조 프로세스의 추가 예는 화학 기계 연마, 에칭, 부착(deposition) 및 이온 주입(ion implantation)을 포함하지만 이에 한정되w지 않는다. 다수의 반도체 디바이스는 단일 반도체 웨이퍼 상의 배치물(arrangement)로 제작되고, 그 다음 개별 반도체 디바이스로 분리될 수 있다.
검사 프로세스가 웨이퍼에서의 결함을 검출하기 위하여 반도체 제조 프로세스 동안 다양한 단계에 사용된다. 검사 프로세스는 항상 집적 회로와 같은 반도체 디바이스를 제조하는 것의 중요한 부분이 되어 왔다. 그러나, 반도체 디바이스의 치수가 감소함에 따라, 검사 프로세스는 허용 가능한 반도체 디바이스의 성공적인 제조에 훨씬 더 중요하게 된다. 예를 들어, 반도체 디바이스의 치수가 감소함에 따라, 상대적으로 작은 결함이 반도체 디바이스에서 원하지 않는 이상(aberration)을 야기할 수 있기 때문에, 감소하는 치수의 결함 검출은 필수적이게 되었다.
많은 상이한 종류의 검사 시스템이 조정 가능한 출력 획득(예를 들어, 데이터, 신호, 및/또는 이미지 획득) 및 감도(또는 결함 검출) 파라미터를 가지며, 이에 따라 상이한 파라미터가 상이한 결함을 검출하거나 원하지 않는 (누이상스(nuisance)) 이벤트의 원인을 방지하는데 사용될 수 있다. 조정 가능한 출력 획득 및 감도 파라미터를 갖는 검사 시스템이 반도체 디바이스 제조자에 상당한 이점을 제공하지만, 부정확한 출력 획득 및 감도 파라미터가 검사 프로세스를 위하여 사용된다면, 이러한 검사 시스템은 본질적으로 쓸모 없다. 또한, 웨이퍼에서의 노이즈, 프로세스 상태 및 결함이 극적으로 변화할 수 있기 때문에(그리고, 웨이퍼 자체의 특징이 극적으로 변화할 수 있기 때문에), 특정 웨이퍼에서 결함을 검출하기 위한 최상의 출력 획득 및 감도 파라미터는, 불가능하지는 않더라도, 예측하기 어렵다. 따라서, 정확한 출력 획득 및 감도 파라미터를 이용하는 것이 검사 결과에 극적인 효과를 가질 것이지만, 많은 검사 프로세스들이 현재 부정확하거나 최적화되지 않은 출력 획득 및 감도 파라미터로 수행되고 있다.
광학 검사 레시피를 튜닝하기 위한 종래의 방법은 다음을 포함한다: (1) "핫(hot)" 스캔(즉, 상대적으로 높은 감도(낮은 검출 임계값)를 갖는 것)을 실행하는 단계, 주사형 전자 현미경(scanning electron microscope(SEM)) 리뷰 도구를 이용하여 검사 결과로부터 결함의 샘플(서브세트)을 리뷰하는 단계 및 레시피를 튜닝하기 위하여 이러한 결함 위치를 이용하는 단계; 또는 (2) SEM과 같은 일부 다른 소스로부터 결함의 이미지를 획득하는 단계, 다양한 기술을 이용하여 웨이퍼 상에 결함의 위치를 수동으로 찾는 단계 및 그 다음 이러한 결함을 검출하기 위하여 레시피를 튜닝하는 단계.
그러나, 전술한 종래에 사용된 방법에 일부 단점이 있다. 예를 들어, 방법 (1)은 SEM 리뷰를 위하여 선택된 샘플에 기초한 계획성 없는(hit-or-miss) 접근 방식이다. 민감한 레시피에 의해 검출되는 "결함"의 대다수가 누이상스(잘못된 알람)이기 때문에, 레시피 튜닝을 위하여 적합한 결함을 찾기 위해서는 여러 반복이 종종 필요하다. 또한, 각각의 검출을 수동으로 관찰하는 인간인 운전자를 수반하며 종종 광학 검사기에서 위치를 찾기 위하여 결함 주위로 "SEM 번(burn)" 마크를 이용하는 것과 같은 파괴적 방법을 수반하기 때문에, 방법 (2)는 수동이며, 본질적으로 느리다.
따라서, 전술한 단점의 하나 이상을 가지지 않는 웨이퍼 검사 프로세스의 하나 이상의 파라미터들을 결정하는 시스템 및 방법을 개발하는 것은 유익할 것이다.
다양한 실시예에 대한 다음의 설명은 어떠한 방식으로도 첨부된 청구범위의 내용을 제한하는 것으로 해석되지 않아야 한다.
일 실시예는 웨이퍼 검사 프로세스의 하나 이상의 파라미터들을 결정하는 방법에 관한 것이다. 본 방법은, 웨이퍼 검사 시스템에 의해 생성된 웨이퍼 상의 정렬 타겟의 하나 이상의 광학 이미지들을 획득하는 단계를 포함한다. 또한, 방법은, 웨이퍼에서 검출된 결함을 상이한 그룹으로 분리하는 단계를 포함한다. 상이한 그룹은 웨이퍼 상의 정렬 타겟의 상이한 서브세트에 근접하게 위치된다. 더하여, 본 방법은 정렬 타겟의 하나 이상의 광학 이미지들을 전자 빔 결함 리뷰 시스템에 의해 생성된 대응하는 전자 빔 이미지로 정렬하는 단계를 포함한다. 본 방법은 추가로 정렬하는 단계의 결과에 기초하여 정렬 타겟의 상이한 서브세트에 대하여 상이한 로컬 좌표 변환을 결정하는 단계를 포함한다. 로컬 좌표 변환은 전자 빔 결함 리뷰 시스템에 의해 결정된 좌표와 웨이퍼 검사 시스템에 의해 결정된 좌표 사이의 관계를 정의한다. 또한, 본 방법은, 전자 빔 결함 리뷰 시스템에 의해 결정된 결함의 좌표와, 결함이 분리된 상이한 그룹에 대한 상이한 로컬 좌표 변환에 기초하여 웨이퍼 검사 시스템 좌표에서 웨이퍼의 결함의 위치를 결정하는 단계를 포함한다. 더하여, 본 방법은, 웨이퍼 검사 시스템에 의해 결정된 위치에서 획득된 결함 이미지에 기초하여 웨이퍼에 대한 검사 프로세스를 위한 하나 이상의 파라미터들을 결정하는 단계를 포함한다. 하나 이상의 광학 이미지들을 획득하는 단계, 결함을 분리하는 단계, 하나 이상의 광학 이미지들을 정렬하는 단계, 상이한 로컬 좌표 변환을 결정하는 단계, 결함의 위치를 결정하는 단계 및 하나 이상의 파라미터들을 결정하는 단계는 하나 이상의 컴퓨터 시스템들로 수행된다,
본 방법의 단계들의 각각은 본 명세서에서 설명된 바와 같이 더 수행될 수 있다. 더하여, 본 방법은 본 명세서에서 설명된 임의의 다른 방법(들)의 임의의 단계(들)를 포함할 수 있다. 또한, 본 방법은 본 명세서에서 설명된 임의의 시스템에 의해 수행될 수 있다.
다른 실시예는 웨이퍼 검사 프로세스의 하나 이상의 파라미터들을 결정하는 컴퓨터로 구현되는 방법을 수행하기 위하여 컴퓨터 시스템에서 실행 가능한 프로그램 명령어를 저장하는 비일시적 컴퓨터로 판독 가능한 매체에 관한 것이다. 컴퓨터로 구현되는 방법은 전술한 방법의 단계들을 포함한다. 컴퓨터 판독 가능한 매체는 본 명세서에서 설명된 바와 같이 더 구성될 수 있다. 컴퓨터로 구현되는 방법의 단계들은 본 명세서에서 더 설명되는 바와 같이 수행될 수 있다. 더하여, 프로그램 명령어가 실행 가능한 컴퓨터로 구현되는 방법은 본 명세서에서 설명된 임의의 다른 방법(들)의 임의의 단계(들)를 포함할 수 있다.
추가의 실시예는 웨이퍼 검사 프로세스의 하나 이상의 파라미터들을 결정하도록 구성된 방법에 관한 것이다. 본 시스템은 웨이퍼에서의 정렬 타겟의 하나 이상의 광학 이미지 및 웨이퍼에 대한 결함 이미지를 획득하도록 구성된 광학 웨이퍼 검사 시스템을 포함한다. 또한, 본 시스템은 정렬 타겟의 전자 빔 이미지를 획득하도록 구성된 전자 빔 결함 리뷰 시스템을 포함한다. 본 시스템은, 전술한 방법의 결함을 분리하는 단계, 하나 이상의 광학 이미지들을 정렬하는 단계, 상이한 로컬 좌표 변환을 결정하는 단계, 결함의 위치를 결정하는 단계 및 하나 이상의 파라미터들을 결정하는 단계를 수행하도록 구성된 하나 이상의 컴퓨터 서브시스템을 포함한다. 본 시스템은 본 명세서에서 설명된 바와 같이 더 구성될 수 있다.
본 발명의 추가 이점은 이어지는 발명을 실시하기 위한 구체적인 내용의 이익과 함께 그리고 다음의 첨부 도면들을 참조함으로써 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 명확하게 될 것이다.:
도 1 내지 3은 웨이퍼 검사 프로세스의 하나 이상의 파라미터들을 결정하는 방법의 실시예를 도시하는 흐름도이다;
도 4는 컴퓨터 시스템이 본 명세서에서 설명된 컴퓨터로 구현되는 방법을 수행하게 하기 위한 프로그램 명령어를 저장하는 비일시적 컴퓨터로 판독 가능한 매체의 일 실시예를 도시하는 블록도이다; 그리고,
도 5는 웨이퍼 검사 프로세스의 하나 이상의 파라미터들을 결정하도록 구성된 시스템의 일 실시예의 측면도를 도시하는 개략도이다.
본 발명이 다양한 변형예 및 대안적인 형태로 되기 쉽지만, 이의 특정 실시예는 도면에서 예로서 도시되고, 본 명세서에서 상세하게 설명된다. 도면은 축척을 따르지 않을 수 있다. 그러나, 도면 및 이에 대한 상세한 설명은 본 발명을 개시된 특정 형태로 한정하도록 의도되지 않으며, 반대로, 첨부된 청구범위에 의해 정의되는 바와 같은 본 발명의 기술적 사상 및 범위 내에 있는 모든 수정물, 균등물 및 대체물을 포함하도록 의도된다는 것이 이해되어야 한다.
도 1 내지 3은 웨이퍼 검사 프로세스의 하나 이상의 파라미터들을 결정하는 방법의 실시예를 도시하는 흐름도이다;
도 4는 컴퓨터 시스템이 본 명세서에서 설명된 컴퓨터로 구현되는 방법을 수행하게 하기 위한 프로그램 명령어를 저장하는 비일시적 컴퓨터로 판독 가능한 매체의 일 실시예를 도시하는 블록도이다; 그리고,
도 5는 웨이퍼 검사 프로세스의 하나 이상의 파라미터들을 결정하도록 구성된 시스템의 일 실시예의 측면도를 도시하는 개략도이다.
본 발명이 다양한 변형예 및 대안적인 형태로 되기 쉽지만, 이의 특정 실시예는 도면에서 예로서 도시되고, 본 명세서에서 상세하게 설명된다. 도면은 축척을 따르지 않을 수 있다. 그러나, 도면 및 이에 대한 상세한 설명은 본 발명을 개시된 특정 형태로 한정하도록 의도되지 않으며, 반대로, 첨부된 청구범위에 의해 정의되는 바와 같은 본 발명의 기술적 사상 및 범위 내에 있는 모든 수정물, 균등물 및 대체물을 포함하도록 의도된다는 것이 이해되어야 한다.
이제 도면을 참조하면, 도면들은 정확한 축척으로 작도되지 않은 것이 주목된다. 특히, 도면의 일부 요소의 축척은 그 요소의 특징을 강조하기 위해 상당히 과장된다. 또한, 도면들은 동일한 축척으로 작도되지 않았다는 점이 주목된다. 유사하게 구성될 수 있는 2개 이상의 도면에 나타나는 요소들은 동일한 참조 번호를 이용하여 표시된다. 본 명세서에 달리 언급되지 않는다면, 설명되고 도시된 임의의 요소는 임의의 상업적으로 입수 가능한 요소를 포함할 수 있다.
일 실시예는 웨이퍼 검사 프로세스의 하나 이상의 파라미터들을 결정하기 위한 방법에 관한 것이다. 하나 이상의 광학 이미지들을 획득하는 단계, 결함을 분리하는 단계, 하나 이상의 광학 이미지들을 정렬하는 단계, 상이한 로컬 좌표 변환을 결정하는 단계, 결함의 위치를 결정하는 단계 및 하나 이상의 파라미터들을 결정하는 단계와 같은 본 명세서에서 추가로 설명되는 방법의 단계들은, 본 명세서에서 추가로 설명되는 바와 같이 구성될 수 있는 하나 이상의 컴퓨터 시스템들로 수행된다. 본 명세서에서 더 설명되는 바와 같이, 본 명세서에서 설명되는 실시예들은, 실적적으로 정밀한 정렬 방법을 이용하는 결함의 주사형 전자 현미경(SEM) 이미지 패치(patch) 및 다이 레이아웃(디자인) 정보를 이용하여, 시스템에 저장될 수 있는 웨이퍼의 광학 이미지에서 결함 위치를 자동으로 그리고 실질적으로 정밀하게 찾는 방법을 제공한다.
방법은 웨이퍼 검사 시스템에 의해 생성된 웨이퍼 상의 정렬 타겟의 하나 이상의 광학 이미지들을 획득하는 단계를 포함한다. 정렬 타켓의 하나 이상의 이미지 패치는 그 다이 위치와 함께 본 명세서에서 설명되는 검사 결과 파일에 추가될 수 있다. 그러나, 결함의 위치가, SEM 리뷰 도구와 같은, 광학 웨이퍼 검사 시스템이 아닌 일부 소스로부터 알려진다면, 정렬 패치 및 위치가 그 파일에 추가될 수 있다. 결함 위치와 획득되거나 추출된 정렬 패치를 포함하는 복합 파일은, 그 다음, 웨이퍼와 함께 SEM 리뷰 도구로 보내어질 수 있다.
일 실시예에서, 방법은 웨이퍼에 대한 디자인 레이아웃 데이터로부터 정렬 타켓을 선택하는 단계를 포함한다. 예를 들어, 도 1에 도시된 바와 같이, 디자인(100)은, 디자인 데이터에서 본 명세서에서 더 설명되는 것과 같은 정렬 타겟을 찾는데 사용될 수 있는 임의의 적합한 패턴 분석 소프트웨어를 포함할 수 있는 정렬 타겟 파인더(finder)(102)로 입력될 수 있다.
본 명세서에서 사용된 바와 같은 "디자인" 및 "디자인 데이터"라는 용어는 일반적으로 복잡한 시뮬레이션 또는 간단한 기하학 및 불리언(Boolean) 연산을 통해 물리적 디자인으로부터 유도된 IC 및 데이터의 물리적 디자인(레이아웃)을 말한다. 디자인은 GDS 파일, 임의의 다른 표준 기계 판독 가능한 파일, 당 기술 분야에 공지된 임의의 다른 적합한 파일 및 디자인 데이터베이스와 같은 데이터 구조 내에 저장될 수 있다. GDSII 파일은 디자인 레이아웃 데이터의 표현을 위해 사용된 파일의 종류 중 하나이다. 이러한 파일의 다른 예는 GL1 및 OASIS 파일을 포함한다. 본 명세서에서 설명된 실시예에 사용된 디자인은 데이터 구조 구성, 저장 포맷, 또는 저장 메커니즘과 관계 없이 이 전체 파일 종류 중 임의의 하나에 저장될 수 있다.
또한, 레티클 검사 시스템 및/또는 그의 파생물에 의해 획득된 레티클의 이미지는 디자인을 위한 "대용물(proxy)" 또는 "대용물들"로서 사용될 수 있다. 이러한 레티클 이미지 또는 그의 파생물은 디자인을 이용하는 본 명세서에서 설명된 임의의 실시예에서의 디자인 레이아웃을 위한 대체물의 역할을 할 수 있다. 디자인은, 본 명세서에서 완전히 설명되는 것과 같이 참조로서 편입되는, 공동 소유된 2009년 8월 4일 발행된 Zafar 등에 의한 U.S. 특허 제7,570,796호와 2010년 3월 9일 발행된 Kulkarni에 의한 U.S. 특허 제7,676,007호에 설명된 임의의 다른 디자인 데이터 또는 디자인 데이터 대용물을 포함할 수 있다. 또한, 디자인 데이터는 표준의 셀 라이브러리(cell library) 데이터, 집적 레이아웃 데이터, 하나 이상의 레이어를 위한 디자인 데이터, 디자인 데이터의 파생물, 및 완전하거나 부분적인 칩 디자인 데이터일 수 있다.
그러나, 일반적으로, 디자인 정보 또는 데이터는 웨이퍼 검사 시스템으로 웨이퍼를 촬상함으로써 생성될 수 없다. 예를 들어, 웨이퍼 상에 형성된 디자인 패턴은 웨이퍼를 위한 설계를 정확하게 나타내지 않을 수 있고, 웨이퍼 검사 시스템은 이미지가 웨이퍼를 위한 디자인에 관한 정보를 결정하는데 사용될 수 있도록 충분한 해상도로 웨이퍼 상에 형성된 디자인 패턴의 이미지를 생성할 수 없을 수 있다. 따라서, 일반적으로, 디자인 정보 또는 디자인 데이터는 물리적 웨이퍼를 이용하여 생성될 수 없다. 또한, 본 명세서에서 설명되는 "디자인" 및 "디자인 데이터"는 디자인 프로세스에서 반도체 디바이스 설계자에 의해 생성된 정보 및 데이터를 말하며, 따라서, 임의의 물리적 웨이퍼 상에 디자인을 인쇄하기 전에 본 명세서에서 설명된 실시예에서의 활용에 사용 가능하다.
일부 실시예에서, 정렬 타겟은 반복되는 메모리 블록의 하나 이상의 경계를 포함한다. 예를 들어, 다이의 디자인 레이아웃이 검사될 수 있으며, 소프트웨어 알고리즘이 레이아웃을 분석하고 SRAM 또는 다른 반복되는 메모리 블록을 포함하는 다이에서 경계(영역)를 자동으로 결정하는데 사용될 수 있다. 하나의 이러한 예에서, 정렬 타겟은 SRAM 코너 주위의 디자인에서 적합한 기준 위치를 찾는 것으로 선택될 수 있다. 다른 실시예에서, 정렬 타겟은 하나 이상의 고유 특성들을 갖는 웨이퍼에 대한 디자인 레이아웃에서 하나 이상의 특징부를 포함한다. 예를 들어, 전술한 알고리즘은 정확한 정렬을 위하여 이어서 사용될 (임의의 로직 영역에서) 다이 전체에 걸쳐 산재된 고유 정렬 타겟을 추출할 수 있다.
일 실시예에서, 정렬 타겟의 하나 이상의 광학 이미지들을 획득하는 단계는 스캔 동안 웨이퍼 검사 시스템에 의해 웨이퍼에 대하여 생성된 모든 이미지 데이터가 저장된 저장 매체로부터 하나 이상의 광학 이미지들을 획득하는 단계를 포함한다. 예를 들어, 웨이퍼 검사 시스템에 의해 웨이퍼에 대하여 생성된 모든 이미지 데이터는 본 명세서에서 설명되는 바와 같이 구성될 수 있는 가상 검사 시스템의 저장 매체에 저장될 수 있고, 정렬 타켓이 선택된 후에, 디자인 데이터 내의 정렬 타켓에서의 위치는 웨이퍼에 대하여 이전에 생성된 이미지 데이터에서 정렬 타겟의 위치를 결정하는데 사용될 수 있다. 그 다음, 이미지 데이터에서의 이러한 위치는 정렬 데이터에 대한 이미지 데이터를 추출하는데 사용될 수 있다. 또한, 2 이상의 세트의 이미지 데이터가 웨이퍼에 대하여 생성되어(예를 들어, 검사 시스템의 2 이상의 광학 모드 또는 웨이퍼의 2 이상의 스캔을 이용하여) 저장 매체에 저장되면, 정렬 타켓에 대하여 획득되는 하나 이상의 광학 이미지는 2 이상의 정렬 데이터에 대한 하나 이상의 이미지를 포함할 수 있다. 이러한 방식으로, 2 이상의 이미지가 임의의 하나의 정렬 타겟에 대하여 획득될 수 있다.
다른 실시예에서, 하나 이상의 컴퓨터 시스템들은 스캔 동안 웨이퍼 검사 시스템에 의해 웨이퍼에 대하여 생성된 이미지 데이터로부터 하나 이상의 광학 이미지들을 추출함으로써 정렬 타겟의 하나 이상의 광학 이미지들을 획득하도록 구성된 가상 웨이퍼 검사 시스템을 포함한다. 예를 들어, 가상 웨이퍼 검사 시스템은 메모리 블록의 경계 및 전술한 다른 고유 정렬 포인트에서 광학 이미지 패치를 자동으로 추출할 수 있다. 가상 웨이퍼 검사 시스템은 본 명세서에서 완전히 설명되는 것과 같이 참조로서 편입되는 2012년 2월 18일 발행된 Bhaskar 등에 의한 U.S. 특허 제8,126,255호에 설명된 바와 같이 구성될 수 있다. 이 특허에서 설명된 가상 웨이퍼 검사 시스템은 본 명세서에서 설명된 임의의 방법의 임의의 단계(들)를 수행하도록 구성될 수 있다. 가상 웨이퍼 검사 시스템은 위에서 더 설명된 바와 같이 정렬 타겟의 하나 이상의 광학 이미지들을 추출하도록 구성될 수 있다.
도 1에 도시된 바와 같이, 일부 이러한 실시예에서, 정렬 타겟 파인더(102)는 선택된 정력 타겟에 관한 임의의 정보를 포함하는 결과를 가상 검사기(104)로 출력할 수 있다. 가상 검사기(104)는 검사 프로세스 동안 웨이퍼(108)에 대하여 웨이퍼 검사기(106)에 의해 생성된 이미지 데이터를 저장하도록 구성될 수 있다. 웨이퍼 검사기(106)는 검사 프로세스 동안 웨이퍼 상에서 검출된 결함에 관한 정보와 검사 프로세스 동안 또는 검사 프로세스의 결과로서 생성된 웨이퍼에 관한 임의의 다른 적합한 정보를 포함하는 웨이퍼(108)에 대한 결과 파일(110)을 생성하였을 수 있다. 가상 검사기(104)는 웨이퍼 검사기(106)로부터 수신된 이미지 데이터로부터 정렬 타겟 파인더(102)에 의해 선택된 정렬 타겟에 대한 광학 이미지를 추출할 수 있다. 또한, 가상 검사기는 정렬 타겟에 대한 추출된 광학 이미지와 웨이퍼 상의 이들의 위치에 관한 정보를 결과 파일(110)에 추가할 수 있다.
또한, 방법은 웨이퍼 상에서 검출된 결함을 상이한 그룹으로 분리하는 단계를 포함한다. 상이한 그룹은 웨이퍼 상의 정렬 타겟의 상이한 서브세트에 근접하게 위치된다. 이러한 방식으로, 결함은 하나 이상의 정렬 타겟 패치에 대한 근접성에 기초하여 그룹으로 분리될 수 있다.
일 실시예에서, 상이한 그룹으로 분리된 결함은 웨이퍼 검사 시스템에 의해 웨이퍼 상에서 검출된다. 예를 들어, 웨이퍼는 광학 검사기에 의해 스캔될 수 있고, 웨이퍼의 광학 이미지(들)는 가상 웨이퍼 검사 시스템과 같은 시스템에 저장될 수 있다. 또한, 웨이퍼 상의 결함 위치는 로트(lot) 결과 파일과 같은 검사 결과 파일에 기록되거나 다른 적합한 파일 포맷으로 기록될 수 있다. 웨이퍼의 결함 위치 및 이미지는 동일한 파일 또는 상이한 파일에 저장될 수 있다.
다른 실시예에서, 상이한 그룹으로 분리된 결함은 하나 이상의 다른 웨이퍼 검사 시스템에 의해 웨이퍼 상에서 검출된다. 예를 들어, 결함은 하나의 웨이퍼 검사 시스템에 의해 검출될 수 있고, 그 다음, 다른 웨이퍼 검사 시스템에 대한 웨이퍼 검사 시스템 좌표에서의 결함의 위치가 본 명세서에 설명되는 바와 같이 결정될 수 있다. 이러한 방식으로, 하나의 웨이퍼 검사 시스템으로 검출된 결함은 다른 웨이퍼 검사 시스템에 또는 다른 웨이퍼 검사 시스템에 의해 생성된 이미지 데이터에서 실질적으로 높은 정밀도로 위치될 수 있다. 다른 웨이퍼 검사 시스템(들)은 임의의 적합한 상업적으로 입수 가능한 웨이퍼 검사 시스템(들)을 포함할 수 있다.
일부 실시예에서, 하나 이상의 컴퓨터 시스템들은 적어도 분리하는 단계를 수행하도록 구성된 전자 빔 결함 리뷰 시스템의 컴퓨터 서브시스템을 포함한다. 예를 들어, SEM 리뷰 도구는 가상 웨이퍼 검사 시스템에 의해 제공될 수 있는 하나 이상의 정렬 타겟 패치에 대한 근접성에 의해 결함을 그루핑할 수 있다. 전자 빔 결함 리뷰 시스템의 컴퓨터 서브시스템은 본 명세서에서 설명된 바와 같이 더 구성될 수 있다.
방법은 정렬 타겟의 하나 이상의 광학 이미지들을 전자 빔 결함 리뷰 시스템에 의해 생성된 이의 대응하는 전자 빔 이미지로 정렬하는 단계를 더 포함한다. 예를 들어, 각각의 결함 그룹에 대하여, 방법은, 먼저 대응하는 정렬 위치로 이동하고, 적합한 크기(시야(field of view))의 이미지를 획득하고, 알려진 이미지 처리 기술을 이용하여 광학 패치 이미지를 SEM 이미지와 정렬시키고, SEM 패치와 광학 패치 사이의 정렬 오프셋을 기록하기 위하여, SEM 리뷰 도구를 이용하는 단계를 포함할 수 있다. 이것은 이 결함 그룹에 가까운 (말하자면) 3개의 이러한 정렬 패치에 대하여 반복된다. 도 1에 도시된 바와 같이, 일부 실시예에서, 가상 검사기에 의해 추출되었을 수 있는 정렬 타겟에 대한 이미지와 웨이퍼(108)에 대한 웨이퍼 검사 결과를 포함할 수 있는 결과 파일(110)이 결함 리뷰 도구(112)에 제공될 수 있다. 또한, 웨이퍼(108)도 결함 리뷰 도구에 전송될 수 있다. 그 다음, 결함 리뷰 도구는 결과 파일(110)에 포함된 정렬 타겟에 관한 정보에 기초하여 웨이퍼(108)를 촬상함으로써 정렬 타겟에 대한 전자 빔 이미지를 획득할 수 있다. 그 다음, 정렬 타겟에 대한 전자 빔 이미지는 전술한 바와 같이 광학 이미지로 정렬될 수 있다.
또한, 방법은 정렬 단계의 결과에 기초하여 정렬 타겟의 상이한 서브세트에 대한 상이한 로컬 좌표 변환을 결정하는 단계를 포함한다. 로컬 좌표 변환은 전자 빔 결함 리뷰 시스템에 의해 결정된 좌표와 웨이퍼 검사 시스템에 의해 결정된 좌표 사이의 관계를 정의한다. 예를 들어, 3개의 정렬 타겟과 대응하는 3개의 SEM 타겟의 위치를 아는 것으로, 그룹 내의 실질적으로 정밀한 결함 위치를 획득하기 위한 로컬 좌표 변환이 (광학-SEM 좌표 공간을 매핑하기 위하여) 결정될 수 있다. 획득된 SEM 패치와 SEM 상의 좌표는 SEM에서의 각각의 그룹 내의 결함의 위치를 찾기 위하여 적용된 좌표 변환(광학 좌표를 SEM 좌표에 매핑하는 것)과 함께 가상 웨이퍼 검사 시스템으로 다시 보내어 질 수 있다. 예를 들어, 도 1에 도시된 바와 같이, 결함 리뷰 도구(112)는, 정렬 타겟의 전자 빔 이미지와 웨이퍼 상에서 검출된 결함의 적어도 일부를 포함할 수 있는 이미지 및 벡터(114)(여기에서, "벡터(vector)"는 본 명세서에서 설명된 변환을 말한다)를 생성할 수 있고, 이미지 및 벡터(114)에 관한 정보를 포함하는 파일은 가상 검사기(104)로 다시 보내어 질 수 있다.
방법은 전자 빔 결함 리뷰 시스템에 의해 결정된 결함의 좌표와 결함이 분리된 상이한 그룹에 대한 상이한 로컬 좌표 변환에 기초하여 웨이퍼 검사 시스템 좌표에서 웨이퍼의 결함의 위치를 결정하는 단계를 더 포함한다. 일부 실시예에서, 웨이퍼 검사 시스템 좌표에서의 결함의 위치는 광학 픽셀 그리드(optical pixel grid)에서 결정된다. 예를 들어, 가상 웨이퍼 검사 시스템은 실질적으로 정밀한 결함 위치를 다시 광학 픽셀 그리드에 매핑하기 위하여 좌표 변환의 역을 적용할 수 있다. 가상 검사 시스템에 저장된 이미지에서 광학 검사기에 의해 검출된 결함에 대하여, 결함 위치가 광학 픽셀 그리드에서 알려져 있기 때문에, 이 변환은 불필요하다. 그러나, 광학 검사기에 의해 검출되지 않았지만, (예를 들어, 외부 소스로부터 획득된 소정의 "알려진" 위치 주위의 영역을 수동으로 또는 자동으로 검사함으로써) SEM 이미지가 이 리뷰 도구에서 획득된 결함에 대하여, 이러한 역변환이 이의 위치를 광학 픽셀 그리드 상으로 매핑하는데 필요하다.
상이한 그룹으로 분리된 결함이 웨이퍼 검사 시스템에 의해 웨이퍼에서 검출되는 일 실시예에서, 방법은 전자 빔 결함 리뷰 시스템으로 결함의 전자 빔 이미지를 획득하는 단계를 포함한다. 예를 들어, 결함 리뷰 시스템은 기준 위치 근처에서 결함의 로컬 디-스큐(de-skew)를 수행하고, 결함의 수정된 위치로 "단거리" 이동을 수행하고, SEM 결함 패치를 그래브(grab)할 수 있다.
상이한 그룹으로 분리된 결함이 웨이퍼 검사 시스템에 의해 웨이퍼에서 검출되는 다른 실시예에서, 방법은 하나의 상이한 서브세트 내의 정렬 타겟으로부터 그 하나의 상이한 서브세트에 대응하는 하나의 상이한 그룹에서의 결함으로만 이동함으로써 전자 빔 결함 리뷰 시스템으로 결함의 전자 빔 이미지를 획득하는 단계를 포함한다. 예를 들어, (기준 패치가 기준으로서 제공된) 광학 검사기 이미지로부터 획득된 결함 위치에 대하여, SEM 리뷰 도구는 (위치 설정 에러를 최소화하기 위하여 일부 최적화된 방식으로) 하나의 기준 위치로부터 그룹 내의 각각의 결함으로 상대적으로 짧은 거리의 이동을 하여 결함의 SEM 이미지를 획득할 수 있다.
상이한 그룹으로 분리된 결함이 웨이퍼 검사 시스템에 의해 웨이퍼에서 검출되지 않는 일부 실시예에서, 방법은 전자 빔 결함 리뷰 시스템으로 웨이퍼 상에서 결함을 검색함으로써 결함의 전자 빔 이미지를 획득하는 단계를 포함한다. 예를 들어, (예를 들어, 웨이퍼의 다이 원점 또는 중심에 대하여) 위치가 단지 대략적으로만 알려진 일부 외부 소스로부터 획득된 결함에 대하여, 이 위치 주위를 추적하고 결함이 발견된 이미지 패치와 SEM 좌표 공간에서의 이의 위치를 기록하기 위하여 리뷰 도구가 수동으로 또는 자동으로 사용될 수 있다.
일 실시예에서, 하나 이상의 컴퓨터 시스템들은 적어도 결함의 위치를 결정하는 단계를 수행하도록 구성된 가상 웨이퍼 검사 시스템을 포함한다. 예를 들어, 로컬 좌표 변환이 결정되면, 변환은 결함의 위치를 결정하기 위하여 가상 검사 시스템에 의해 사용될 수 있다. 그 다음, 가상 검사 시스템은 결정된 위치에서 결함의 광학 이미지를 획득할 수 있다. 예를 들어, 가상 검사 시스템은 웨이퍼에 대하여 이전에 저장된 이미지로부터 결정된 위치에서 결함의 광학 이미지를 추출할 수 있다. 또한, 또는 이 대신에, 가상 검사 시스템은 결정된 위치에서 광학 이미지를 획득하도록 광학 웨이퍼 검사 시스템에 명령하거나 이를 제어할 수 있다. 이러한 방식으로, 가상 웨이퍼 검사 시스템은 도구에서 결함 이미지를 획득할 수 있다. 일부 경우에, 가상 웨이퍼 검사 시스템은 결함의 결정된 위치에서 이미지를 추출하고, 본 명세서에서 더 설명되는 바와 같이 사용 가능한 이미지가 검사 프로세스의 파라미터(들)를 결정하기에 충분한지 판단하고, 이미지가 충분하지 않다면, 결정된 위치에서의 이미지가 획득되어야 하는데 사용되는 검사 시스템의 하나 이상의 파라미터들을 결정할 수 있다. 새로운 웨이퍼 검사 시스템 파라미터를 갖는 이미지는 광학 웨이퍼 검사 시스템에 의해 또는 광학 웨이퍼 검사 시스템 제어를 통한 가상 검사 시스템에 의해 획득될 수 있다.
또한, 방법은 웨이퍼 검사 시스템에 의해 결정된 위치에서 획득된 결함 이미지에 기초하여 웨이퍼에 대한 검사 프로세스를 위한 하나 이상의 파라미터들을 결정하는 단계를 포함할 수 있다. 하나 이상의 파라미터들은 기존의 검사 프로세스에 대하여 결정될 수 있으며, 이 경우에, 하나 이상의 파라미터들을 결정하는 것은 검사 프로세스를 튜닝하거나 업데이트하는 것을 수반한다. 검사 프로세스를 위하여 결정된 하나 이상의 파라미터들은 임의의 적합한 검사 프로세스 레시피에 저장될 수 있다(여기에서, "레시피(recipe)"는 일반적으로 프로세스를 수행하기 위하여 도구가 사용할 수 있는 명령어 세트로서 정의될 수 있다). 본 명세서에서 설명된 실시예들이 웨이퍼 검사 시스템 좌표에서 실질적으로 정확하게 결함의 위치를 결정할 수 있기 때문에, 본 명세서에서 설명된 실시예는 실질적으로 정밀한 결함 위치를 이용하여 웨이퍼 검사 레시피를 튜닝하기 위하여 사용될 수 있다. 실시예들이 본 명세서에서 전자 빔 결함 리뷰 도구로부터 실질적으로 정밀한 결함 위치 정보를 획득하는 것으로 설명되지만, 본 명세서에서 설명된 실시예들은 SEM, 전기 시험 결과, 반도체 웨이퍼 상의 시험 구조, 또는 일부 다른 형태의 촬상 소스와 같은 일부 다른 소스로부터 획득된 실질적으로 정밀한 결함 위치 정보를 이용하여 광학 검사기에서 패터닝된 웨이퍼에 대한 검사 레시피를 튜닝하는데 사용될 수 있다. 그러나, 본 명세서에서 설명된 실시예에는, 또한, 새롭고 이전에 존재하지 않은 검사 프로세스 레시피를 위한 하나 이상의 파라미터들을 결정하는데 사용될 수 있다. 또한, 본 명세서에서 설명된 실시예들은 디자인으로부터 추출된 미리 결정된 기준 정렬 포인트를 이용하여 다른 도구로부터의 실질적으로 정밀한 결함 위치를 이용하여 임의의 다른 적합한 기능을 수행할 수 있다.
또한, 본 명세서에서 설명된 실시예들은 제조를 위한 레시피를 튜닝하기 위하여 임의의 결함(예를 들어, 발견 단계 또는 연구 및 개발에서 발견된 결함)을 이용하여 수행될 수 있다. 예를 들어, 반도체 제조 공장에서의 관심 결함(DOI(defect of intereste)) 발견은 매우 민감한 검사 도구 또는 검사 도구의 조합에서 발생한다. 생산을 위하여, 단일 도구만이 결함 활동을 모니터링하는데 사용된다. 주요 DOI를 모니터링하기 위한 특수 도구의 능력을 평가하는 것은 실질적으로 지루한 육체적 노력을 수반한다. 그러나, 본 명세서에서 설명된 실시예들은 DOI 위치 리스트에 기초하여 가상 웨이퍼 검사 시스템 또는 광학 웨이퍼 검사 시스템에서의 특수 도구에 대한 감도를 자동으로 평가하는데 사용될 수 있다. 본 명세서에서 설명된 실시예는 최상의 검출 감도를 갖는 레시피를 생성하는데 사용될 수 있다.
일부 경우에, 도 1에 도시된 바와 같이, 가상 검사기(104)가 작업(이미지 프레임) 분석(116)을 포함할 수 있는 검사 프로세스의 하나 이상의 파라미터들을 결정하는데 사용될 수 있다. 예를 들어, 가상 검사 시스템은 결함 위치를 포함하는 프레임(작업)을 분석하고 신호 대 잡음 측정 및/또는 그래픽 출력을 제공할 수 있다. 그러나, 가상 검사기(104)는 또한 결함에 대하여 결정된 위치에 기초하여 웨이퍼에 대하여 그 내에 저장된 이미지 데이터를 이용하여 임의의 다른 적합한 기능을 수행하도록 구성될 수 있다. 이러한 방식으로, 가상 검사 시스템의 출력은 결함 리뷰 도구(112)에 의해 제공된 이미지 및 벡터(114)에 기초하여 그리고 웨이퍼(108)에 대한 이미지 데이터에 가상 검사기(104)에 의해 수행된 다수의 상이한 기능의 결과를 포함할 수 있다.
상이한 그룹으로 분리된 결함이 웨이퍼 검사 시스템에 의해 웨이퍼에서 검출되지 않는 일 실시예에서, 방법은 전자 빔 결함 리뷰 시스템으로 웨이퍼 상의 결함의 전자 빔 이이미지를 획득하는 단계 및 웨이퍼 검사 시스템 좌표에서의 결함의 위치에 기초하여 웨이퍼 검사 시스템으로 결함 이미지를 획득하는 단계를 포함한다. 이러한 방식으로, 일부 실시예에서, 결함 이미지는 웨이퍼 검사 시스템 좌표에서의 웨이퍼 상의 결함의 위치가 결정된 후에 획득될 수 있다. 예를 들어, SEM 리뷰 도구와 같은 다른 소스로부터 획득된 결함의 이미지을 고려해 볼 때, 광학 웨이퍼 이미지에서 결함의 위치를 찾는 것은 어려울 수 있다. 그러나, 본 명세서에서 설명된 바와 같이 결정된 좌표 변환을 이용하여, SEM 리뷰 도구에 의해 검출된 결함에 관한 정보는 광학 웨이퍼 검사 시스템에 의해 생산된 웨이퍼의 이미지에서 결함의 위치를 찾기 위하여 본 명세서에서 설명된 좌표 변환과 함께 이용될 수 있다. 이러한 방식으로, 결함이 SEM 리뷰 도구에서 발견될 때, 결함은 본 명세서에서 설명된 바와 같이 결정된 결함의 위치를 이용하여 실질적으로 높은 정밀도로 웨이퍼 검사 시스템으로 위치가 찾아질 수 있다. 이러한 방식으로, 정확한 결함이 웨이퍼 검사 시스템에 의해 촬상되고 있다는 임의의 불확실성이 실질적으로 제거될 수 있다.
다른 실시예에서, 결함 이미지는 웨이퍼 검사 시스템 좌표에서 웨이퍼 상의 결함의 위치가 결정되기 전에 획득된다. 예를 들어, 웨이퍼에 대한 이미지 데이터가 방법이 수행되기 전에 가상 검사 시스템에 저장된다면, 결함 이미지를 획득하는 단계는 웨이퍼에 대한 저장된 이미지 데이터로부터 결정된 위치에서 이미지 데이터를 추출하는 단계를 포함할 수 있다. 하나의 이러한 예에서, 본 명세서에서 설명된 가상 웨이퍼 검사 시스템은 기준-대-광학 기준(reference-to-optical reference) 정렬 및 배치 벡터를 이용하여 웨이퍼 이미지에서 결함의 위치를 찾을 수 있다.
일부 실시예에서, 하나 이상의 파라미터들은 검사 프로세스 동안 웨이퍼에 대하여 생성되는 출력에 적용되는 결함 검출 알고리즘의 하나 이상의 파라미터들을 포함한다. 예를 들어, 결함 위치가 광학 픽셀 그리드에 알려지면, 결함 검출 알고리즘은 검사 레시피를 튜닝하기 위하여 이러한 다이 영역으로부터의 이미지 프레임을 이용하여(또는 추가 다이 영역을 이용하여) 튜닝될 수 있다. 하나의 이러한 예에서, SRAM에서의 결함의 SEM 이미지를 고려해 볼 때, 본 명세서에서 설명된 실시예는 저장된 웨이퍼 이미지로 다시 돌아가 신호 대 잡음을 분석할 수 있다. 본 명세서에서 설명된 실시예에 의해 결정되는 결함 검출 알고리즘의 하나 이상의 파라미터들은 임의의 결함 검출 알고리즘의 임의의 파라미터를 포함할 수 있다.
추가적인 실시예에서, 하나 이상의 파라미터들은 검사 프로세스 동안 출력이 웨이퍼에 대하여 생성되는 웨이퍼 검사 시스템의 광학 서브시스템의 하나 이상의 파라미터들을 포함한다. 광학 서브시스템의 하나 이상의 파라미터들은 조명 파장(들), 조명 편광(들), 입사 각도(들), 수집(collection) 각도(들), 수집 파장(들), 수집 편광(들) 등과 같은 웨이퍼 검사 시스템의 광학 서브시스템의 임의의 파라미터를 포함할 수 있다. 광학 서브시스템의 파라미터(들)는 임의의 적합한 방식으로 결함 이미지에 기초하여 결정될 수 있다.
또한, 결함 검출 알고리즘의 하나 이상의 파라미터들을 결정하는 것은 DOI 위치 리스트에 기초한 자동 감도 평가 및 알고리즘 레시피 생성을 포함한다. 도 2는 가상 웨이퍼 검사 시스템에서 수행되는 감도 평가 및 자동 알고리즘 레시피 생성의 일 실시예를 도시한다. 예를 들어, 도 2에 도시된 바와 같이, 가상 검사 시스템은, 각각의 광학 모드에 대하여 가상 웨이퍼 검사 시스템에서의 스캐닝을 포함하는 단계 204를 수행하기 위하여, 위치가 도구 사이에 정확하게 정렬된 하나 이상의 검사 도구로부터의 DOI 위치를 갖는 결과 파일(200)과, 하나 이상의 광학 모드로 가상 검사 시스템이 기록한 스캔(202)을 사용할 수 있다. DOI 위치가 획득되는 하나 이상의 검사 도구는 하나의 베이스라인 도구 또는 다수의 베이스라인 도구의 결합을 포함할 수 있다. DOI 위치는 본 명세서에서 설명되는 바와 같이 베이스라인 도구(들) 및 현재 도구(즉, 하나 이상의 파라미터들이 결정되고 있는 검사 시스템) 사이에서 실질적으로 정확하게 정렬될 수 있다. 하나 이상의 광학 모드로 가상 검사 시스템이 기록한 스캔은 기본 레시피가 정의된 현재 도구를 이용하여 획득될 수 있다.
또한, 도 2에 도시된 방법은 단계 206 및 단계 208을 포함할 수 있다. 단계 206에서, DOI 위치는 동일한 이미지를 획득하기 위하여 방문되어, 각각의 알고리즘 옵션에 대하여 실행될 수 있다. 단계 208에서, 특정의 가상 검사 시스템 스캔이 각각의 알고리즘 옵션으로 모든 DOI 위치에 생성될 수 있다. 또한, 방법은 각각의 DOI 위치 및 알고리즘 옵션에 대한 검출이 수행되는 단계 210을 포함한다. 일부 경우에, 단계 210의 결과가 만족스럽지 않으면, 방법은 단계 210이 만족스러운 결과를 생성할 때까지 광학 모드가 변경되는 모드 루프에서 단계 204, 206(또는 208) 및 210을 반복할 수 있다. 또한, 단계 210의 결과가 만족스럽지 않으면, 방법은 단계 210이 만족스러운 결과를 생성할 때까지 알고리즘(들)의 파라미터가 변경되는 알고리즘 루프에서 단계 206(또는 208) 및 210을 반복할 수 있다. 그 다음, 방법은 각각의 모드/알고리즘 조합에 대하여 DOI 검출 감도를 결정하고 모든 DOI 위치에 대하여 모드/알고리즘 조합의 최상 그룹을 선택하기 위하여 가상 검사 시스템이 사용되는 단계 212를 포함할 수 있다. 또한, 방법은 레시피(들)가 최상의 검출로 생성되는 단계 214를 포함한다.
도 3은 광학 웨이퍼 검사 시스템에서 수행되는 감도 평가 및 자동 알고리즘 레시피 생성의 일 실시예를 도시한다. 예를 들어, 도 3에 도시된 바와 같이, 실제 웨이퍼 검사 시스템은 각각의 광학 모드에 대한 실제 웨이퍼 검사 시스템에서의 스캐닝을 포함하는 단계 302를 수행하기 위하여 위치가 도구 사이에 정확하게 정렬된 하나 이상의 검사 도구로부터의 DOI 위치를 갖는 결과 파일(300)을 사용할 수 있다. DOI 위치가 획득되는 하나 이상의 검사 도구는 하나의 베이스라인 도구 또는 다수의 베이스라인 도구의 결합을 포함할 수 있다. DOI 위치는 본 명세서에서 설명되는 바와 같이 베이스라인 도구(들) 및 현재 도구(즉, 하나 이상의 파라미터들이 결정되고 있는 검사 시스템) 사이에서 실질적으로 정확하게 정렬될 수 있다.
또한, 도 3에 도시된 방법은 단계 304 및 단계 306을 포함할 수 있다. 단계 304에서, DOI 위치는 동일한 이미지를 획득하기 위하여 방문되어, 각각의 알고리즘 옵션에 대하여 실행될 수 있다. 단계 306에서, 특정의 검사 시스템 스캔이 각각의 알고리즘 옵션으로 모든 DOI 위치에 생성될 수 있다. 또한, 방법은 각각의 DOI 위치 및 알고리즘 옵션에 대한 검출이 수행되는 단계 308을 포함한다. 일부 경우에, 단계 308의 결과가 만족스럽지 않으면, 방법은 단계 308이 만족스러운 결과를 생성할 때까지 광학 모드가 변경되는 모드 루프에서 단계 302, 304(또는 306) 및 308을 반복할 수 있다. 또한, 단계 308의 결과가 만족스럽지 않으면, 방법은 단계 308이 만족스러운 결과를 생성할 때까지 알고리즘(들)의 파라미터가 변경되는 알고리즘 루프에서 단계 304(또는 306) 및 308을 반복할 수 있다. 그 다음, 방법은 각각의 모드/알고리즘 조합에 대하여 DOI 검출 감도를 결정하고 모든 DOI 위치에 대하여 모드/알고리즘 조합의 최상 그룹을 선택하기 위하여 검사 시스템이 사용되는 단계 310을 포함할 수 있다. 또한, 방법은 레시피(들)가 최상의 검출로 생성되는 단계 312를 포함한다.
전술한 방법의 실시예들의 각각은 본 명세서에 기재된 임의의 다른 방법(들)의 임의의 다른 단계(들)를 포함할수 있다. 또한, 전술한 방법의 실시예들의 각각은 본 명세서에 기재된 시스템들 중 어느 하나에 의해 수행될 수 있다.
본 명세서에서 설명된 모든 방법은 컴퓨터로 판독 가능한 저장 매체에 방법 실시예들의 하나 이상의 단계의 결과를 저장하는 것을 포함할 수 있다. 그 결과는 본 명세서에 기재된 결과 중 어느 하나를 포함할 수 있고 본 발명이 속하는 기술 분야에 알려진 임의의 방식으로 저장될 수 있다. 저장 매체는 본 명세서에 기재된 임의의 저장 매체 또는 본 발명이 속하는 기술 분야에 알려진 임의의 다른 적합한 저장 매체를 포함할 수 있다. 결과가 저장된 후에, 그 결과는 저장 매체 내에서 액세스되고, 본 명세서에서 설명된 방법 또는 시스템 실시예들 중 어느 하나에 의해 사용되며, 사용자에게 디스플레이하기 위해 포맷되고, 다른 소프트웨어 모듈, 방법 또는 시스템 등에 의해 사용될 수 있다.
다른 실시예는 웨이퍼 검사 시스템의 하나 이상의 파라미터들을 결정하기 위한 컴퓨터로 구현되는 방법을 수행하기 위해 컴퓨터 시스템에서 실행 가능한 프로그램 명령어를 저장하는 비일시적 컴퓨터로 판독 가능한 매체에 관한 것이다. 하나의 이러한 실시예가 도 4에 도시된다. 예를 들어, 도 4에 도시된 바와 같이, 비일시적 컴퓨터로 판독 가능한 매체(400)는 웨이퍼 검사 프로세스의 하나 이상의 파라미터들을 결정하기 위한 컴퓨터로 구현되는 방법을 수행하기 위한 컴퓨터 시스템(404)에서 실행 가능한 프로그램 명령어(402)를 저장한다. 컴퓨터로 구현되는 방법은 본 명세서에서 설명된 전술한 임의의 방법(들)의 임의의 단계(들)를 포함할 수 있다.
본 명세서에서 설명된 것과 같은 방법을 구현하는 프로그램 명령어(402)는 비일시적 컴퓨터로 판독 가능한 매체(400)에 저장될 수 있다. 컴퓨터 판독 가능한 매체는 자기 또는 광학 디스크, 자기 테이프와 같은 저장 매체, 또는 본 발명이 속하는 기술 분야에 알려진 임의의 다른 적합한 비일시적 컴퓨터로 판독 가능한 매체일 수 있다.
프로그램 명령어는 그 중에서도 특히 절차 기반 기술(procedure-based technique), 구성요소(component) 기반 기술, 및/또는 객체 지향(object-oriented) 기술을 포함하는 다양한 방법 중 어느 하나로 실현될 수 있다. 예를 들면, 프로그램 명령어는 원하는 바에 따라 Matlab, Visual Basic, ActiveX 제어, C, C++ 오브젝트, C#, JavaBeans, 마이크로소프트 파운데이션 클래스("MFC(Microsoft Foundation Classes)") 또는 다른 기술 또는 방법론(methodologies)을 사용하여 구현될 수 있다.
컴퓨터 시스템(404)은 퍼스널 컴퓨터 시스템, 메인프레임(mainframe) 컴퓨터 시스템, 워크스테이션(workstation), 시스템 컴퓨터, 이미지 컴퓨터, 프로그래머블 이미지 컴퓨터, 병렬 프로세서 또는 본 발명이 속하는 기술 분야에서 알려진 임의의 디바이스를 포함하는 다양한 형태를 취할 수 있다. 일반적으로, "컴퓨터 시스템"이란 용어는 메모리 매체로부터의 명령어를 실행하는 하나 이상의 프로세서를 갖는 임의의 디바이스를 포함하도록 광범위하게 정의될 수 있다.
추가적인 실시예는 웨이퍼 검사 프로세스의 하나 이상의 파라미터들을 결정하도록 구성된 시스템에 관한 것이다. 시스템은, 본 명세서에서 설명된, 결함을 분리하는 단계, 광학 이미지(들)를 정렬하는 단계, 상이한 로컬 좌표 변환을 결정하는 단계, 결함의 위치를 결정하는 단계, 및 하나 이상의 파라미터들을 결정하는 단계를 수행하도록 구성된 하나 이상의 컴퓨터 서브시스템을 포함한다. 컴퓨터 서브시스템(들)은 본 명세서에 더 설명되는 바와 같이 이러한 단계를 수행하도록 구성될 수 있다.
일 실시예에서, 전술한 컴퓨터 서브시스템(들)은 전자 디자인 자동화(EDA(electrionic design automation)) 도구의 일부인 하나 이상의 컴퓨터 서브시스템을 포함할 수 있고, 본 명세서에서 더 설명된 광학 웨이퍼 검사 시스템 및 전자 빔 결함 리뷰 시스템은 EDA 도구의 일부가 아니다. 예를 들어, 도 5에 도시된 바와 같이, 전술된 컴퓨터 서브시스템(들)은 EDA 도구(502) 내에 포함된 컴퓨터 서브시스템(500)을 포함할 수 있다. EDA 도구 및 이러한 도구 내에 포함된 컴퓨터 서브시스템(들)은 전술된 단계들의 하나 이상을 수행하도록 구성될 수 있는 임의의 상업적으로 입수 가능한 EDA 도구를 포함할 수 있다. 예를 들어, 웨이퍼에 대한 디자인 레이아웃 데이터로부터 정렬 타겟(들)을 선택하도록 구성된 컴퓨터 서브시스템(들)은 이러한 컴퓨터 서브시스템(들)을 포함할 수 있다. 이러한 방식으로, 디자인 레이아웃 데이터는 웨이퍼 검사 시스템 좌표에서 실질적으로 정밀한 결함 위치를 결정하기 위하여 다른 상이한 시스템 또는 도구에 의해 사용될 정렬 타겟(들)을 선택하도록 하나의 시스템 또는 도구에 의해 처리될 수 있다.
또한, 정렬 타겟(들)을 선택하는데 사용되는 컴퓨터 서브시스템(들)은 다른 시스템 또는 도구 내에 포함될 수 있거나 또는 간단히 독립형(stand alone) 컴퓨터 시스템으로서 구성될 수 있다. 또한, 정렬 타겟(들)을 선택하는 도구 또는 컴퓨터 서브시스템은 팹 데이터베이스(fab database)와 같은 공유된 컴퓨터 판독 가능한 저장 매체에 정렬 타겟(들)에 대한 정보를 저장하거나 전달함으로써 또는 이를 사용할 도구에 직접 정렬 타겟(들)에 대한 정보를 전송함으로써 다른 도구에 그 정보를 제공하도록 구성될 수 있고, 이는 본 명세서에 더 설명된 바와 같이 수행될 수 있다.
또한, 시스템은 웨이퍼 상의 정렬 타겟(들)의 광학 이미지(들)와 웨이퍼에 대한 결함 이미지를 획득하도록 구성된 광학 웨이퍼 검사 시스템을 포함한다. 이러한 광학 웨이퍼 검사 시스템의 일 실시예가 광학 서브시스템(504)을 포함하는 시스템(506)으로서 도 5에 도시된다. 광학 웨이퍼 검사 시스템은 광으로 웨이퍼를 스캐닝하고 스캐닝 동안 웨이퍼로부터 광을 검출하도록 구성된다. 예를 들어, 도 5에 도시된 바와 같이, 광학 서스 시스템은 본 발명이 속하는 기술 분야에 공지된 임의의 적합한 광원을 포함할 수 있는 광원(508)을 포함한다.
광원으로부터의 광은 광원으로부터의 광을 웨이퍼(512)에 지향하도록 구성될 수 있는 빔 스플리터(510)로 지향될 수 있다. 광원은 하나 이상의 집광 렌즈, 시준 렌즈, 릴레이 렌즈, 대물 렌즈, 어퍼처, 스펙트럼 필터, 편광 구성요소 등과 같은 임의의 다른 적합한 요소(미도시)에 결합될 수 있다. 도 5에 도시된 바와 같이, 광은 수직 입사각으로 웨이퍼에 지향될 수 있다. 그러나, 광은 거의 수직 및 경사 입사를 포함하는 임의의 적합한 입사각으로 웨이퍼에 지향될 수 있다. 또한, 광 또는 다중 광빔은 순차적으로 또는 동시에 하나보다 많은 입사각으로 웨이퍼에 지향될 수 있다. 검사 시스템은 임의의 적합한 방식으로 웨이퍼 위로 광을 스캐닝하도록 구성될 수 있다.
웨이퍼(512)로부터의 광은 스캐닝 동안 광학 서브시스템의 하나 이상의 검출기에 의해 수집되고 검출될 수 있다. 예를 들어, 수직에 비교적 근접한 각도로 웨이퍼(512)로부터 반사된 광(즉, 입사가 수직일 때 정반사광)은 빔 스플리터(510)를 통해 렌즈(514)로 통과할 수 있다. 렌즈(514)는 도 5에 도시된 바와 같이 굴절 광학 요소를 포함할 수 있다. 더하여, 렌즈(514)는 하나 이상의 굴절 광학 요소 및/또는 하나 이상의 반사 광학 요소를 포함할 수 있다. 렌즈(514)에 의해 수집된 광은 검출기(516)에 포커싱될 수 있다. 검출기(516)는 전하 결합 소자(charge coupled device(CCD)) 또는 다른 종류의 이미징 검출기와 같은 본 발명이 속하는 기술 분야에 공지된 임의의 적합한 검출기를 포함할 수 있다. 검출기(516)는 렌즈(514)에 의해 집광된 반사광에 응답하는 출력을 생성하도록 구성된다. 따라서, 렌즈(514) 및 검출기(516)는 광학 서브시스템의 하나의 채널을 형성한다. 광학 서브시스템의 이 채널은 본 발명이 속하는 기술 분야에 공지된 임의의 다른 적합한 광학 구성요소(미도시)를 포함할 수 있다. 검출기의 출력은 예를 들어, 이미지, 이미지 데이터, 신호, 이미지 신호, 또는 검사 시스템에서의 사용을 위해 적합한 검출기에 의해 발생될 수 있는 임의의 다른 출력을 포함할 수 있다.
도 5에 도시된 검사 시스템이 웨이퍼로부터 정반사된 광을 검출하도록 구성되기 때문에, 검사 시스템은 명시야(bright field(BF)) 검사 시스템으로서 구성된다. 그러나, 이러한 검사 시스템은 다른 종류의 웨이퍼 검사를 위해서도 구성될 수 있다. 예를 들어, 도 5에 도시된 검사 서브시스템은 하나 이상의 다른 채널(미도시)을 또한 포함할 수 있다. 다른 채널(들)은 산란광 채널로서 구성된 렌즈 및 검출기와 같은 본 명세서에서 설명된 임의의 광학 구성요소를 포함할 수 있다. 렌즈 및 검출기는 또한 본 명세서에서 설명된 바와 같이 구성될 수 있다. 이러한 방식으로, 검사 시스템은 또한 암시야(dark field(DF)) 검사를 위해 구성될 수 있다.
검사 시스템의 컴퓨터 서브시스템(들)은 본 명세서에서 설명된 바와 같이 웨이퍼 상의 결함을 검출하기 위해 검사 시스템 내에 포함된 검출기(516) 및/또는 임의의 다른 검출기에 의해 발생된 출력을 사용할 수 있다. 예를 들어, 시스템은 광학 서브시스템에 결합된 컴퓨터 서브시스템(518)을 또한 포함할 수 있다. 이러한 방식으로, 광학 서브시스템의 검출기(들)에 의해 생성된 출력은 컴퓨터 서브시스템(518)에 제공될 수 있다. 컴퓨터 서브시스템(518)은 본 명세서에서 설명된 임의의 다른 단계들을 수행하도록 구성될 수 있다.
또한, 컴퓨터 서브시스템(518)은, 컴퓨터 서브시스템(518)이, 예를 들어, 정렬 타겟(들)에 대한 정보를 포함할 수 있는 컴퓨터 서브시스템(500)에 의해 생성된 출력을 수신할 수 있도록, 전술된 EDA 도구와 같은 다른 도구 내에 포함될 수 있는 컴퓨터 서브시스템(500)과 같은 검사 시스템의 부분이 아닌 다른 컴퓨터 서브시스템에 결합될 수 있다. 예를 들어, 2개의 컴퓨터 서브시스템은 팹 데이터베이스와 같은 공유된 컴퓨터 판독 가능한 저장 매체에 의해 효과적으로 결합될 수 있거나, 또는 정보가 2개의 컴퓨터 서브시스템 사이에 전송될 수 있도록 전술된 것과 같은 전송 매체에 의해 결합될 수 있다.
또한, 도 5에 도시된 시스템은 정렬 타겟(들)의 전자 빔 이미지를 획득하도록 구성된 전자 빔 결함 리뷰 시스템을 포함할 수 있다. 도 5에 도시된 전자 빔 결함 리뷰 시스템은 컴퓨터 서브시스템(522)에 결합된 전자 컬럼(520)을 포함한다. 전자 컬럼은 하나 이상의 요소(528)에 의해 웨이퍼(526)로 포커싱되는 전자를 생성하도록 구성된 전자 빔 소스(524)를 포함한다. 전자 빔 소스는, 예를 들어, 캐소드 소스 또는 이미터(emitter) 단부를 포함할 수 있고, 하나 이상의 요소(528)는, 예를 들어, 건 렌즈(gun lens), 애노드, 빔 제한 어퍼처, 게이트 밸브, 빔 전류 선택 어퍼처, 대물 렌즈 및 스캐닝 서브시스템을 포함할 수 있으며, 이 모두는 본 발명이 속하는 기술분야에 알려진 임의의 이러한 적합한 요소를 포함할 수 있다. 웨이퍼로부터 복귀된 전자(예를 들어, 2차 전자)는 하나 이상의 요소(530)에 의해 검출기(532)로 포커싱될 수 있다. 하나 이상의 요소(530)는 요소(들)(528) 내에 포함된 동일한 스캐닝 서브시스템일 수 있는 스캐닝 서브시스템을 포함할 수 있다. 전자 컬럼은 본 발명이 속하는 기술 분야에 알려진 임의의 다른 적합한 요소를 포함할 수 있다. 더하여, 전자 컬럼은, 본 명세서에서 완전히 설명되는 것과 같이 참조로서 편입되는, 2014년 4월 14일 발행된 Jiang 등에 의한 U.S. 특허 제8,664,594호, 2014년 4월 8일 발행된 Kojima 등에 의한 U.S. 특허 제8,692,204호, 2014년 4월 15일 발행된 Gubbens 등에 의한 U.S. 특허 제8,698,093호 및 2014년 5월 6일 발행된 MacDonald 등에 의한 U.S. 특허 제8,716,662호에서 설명된 바와 같이 구성될 수 있다. 전자 컬럼이 도 5에서 잔자가 비스듬한 각도로 웨이퍼로 지향되고 다른 비스듬한 각도로 웨이퍼로부터 분산되도록 구성되는 것으로 도시되지만, 전자 빔은 임의의 적합한 각도로 웨이퍼로 지향되고 웨이퍼로부터 분산될 수 있다는 것이 이해되어야 한다.
컴퓨터 서브시스템(522)은 전술한 바와 같이 검출기(532)에 결합될 수 있다. 검출기는 웨이퍼의 표면으로부터 복귀된 전자를 검출할 수 있고, 이에 의해 웨이퍼의 이미지를 형성한다. 이미지는 본 명세서에서 설명된 임의의 전자 빔 이미지를 포함할 수 있다. 컴퓨터 서브시스템(522)은 본 명세서에서 설명된 임의의 단계(들)를 수행하도록 구성될 수 있다. 또한, 컴퓨터 서브시스템(522)은 전술한 바와 동일한 방법으로 EDA 도구의 컴퓨터 서브시스템(500)과 같은 다른 컴퓨터 서브시스템에 결합될 수 있다.
또한, 도 5에 도시된 시스템은 가상 검사 시스템(534)을 포함할 수 있다. 가상 검사 시스템은 본 명세서에서 더 설명되는 바와 같이 구성될 수 있다. 더하여, 도 5에 도시된 실시예에서, 가상 검사 시스템은 EDA 도구의 컴퓨터 서브시스템(예를 들어, 가상 검사 시스템이 EDA 도구로부터 디자인 및/또는 정렬 타겟(들)에 관한 정보를 수신할 수 있도록), 광학 웨이퍼 검사 시스템의 컴퓨터 서브시스템(예를 들어, 가상 검사 시스템이 이미지 데이터, 검사 결과 및 검사 시스템에 의해 생성된 임의의 다른 정보를 수신할 수 있도록) 및 전자 빔 결함 리뷰 시스템(예를 들어, 가상 검사 시스템이 전자 빔 이미지, 좌표 변환 등을 전자 빔 결함 리뷰 시스템으로부터 수신할 수 있도록)에 결합될 수 있다. 가상 검사 시스템은 전술반 바와 같은 컴퓨터 서브시스템에 결합될 수 있다. 더하여, 가상 검사 시스템은 가상 검사 시스템이 다른 컴퓨터 서브시스템에 정보를 전송할 수 있도록 컴퓨터 서브시스템에 결합될 수 있다. 가상 검사 시스템은 본 명세서에서 설명된 임의의 실시예(들)의 임의의 단계(들)를 수행하도록 구성될 수 있다.
도 5는 본 명세서에서 설명된 시스템 실시예에 포함될 수 있는 검사 시스템 및 결함 리뷰 시스템의 하나의 구성을 일반적으로 예시하도록 본 명세서에 제공된다. 명백하게도, 본 명세서에서 설명된 검사 시스템 및 결함 리뷰 시스템 구성은 상업적인 검사 시스템 및 결함 리뷰 시스템을 설계할 때 정상적으로 수행되는 것과 같은 검사 시스템 및 결함 리뷰 시스템의 성능을 최적화하도록 변경될 수 있다. 더하여, 본 명세서에 설명된 시스템들은 캘리포니아 밀피타스의 KLA-Tencor로부터 상업적으로 입수 가능한 28xx/29xx 시리즈의 도구와 같은 기존의 검사 시스템 및/또는 기존의 결함 리뷰 시스템을 이용하여(예를 들어, 기존의 검사 또는 결함 리뷰 시스템에 본 명세서에서 설명된 기능을 추가함으로써) 구현될 수 있다. 일부 이러한 시스템에 대하여, 본 명세서에서 설명된 방법은 시스템의 선택적인 기능으로서(예를 들어, 시스템의 다른 기능에 더하여) 제공될 수 있다. 이 대신에, 본 명세서에 설명된 시스템은 완전히 새로운 시스템을 제공하도록 "맨 처음부터(from scratch)" 설계될 수 있다.
본 발명의 다양한 양태의 추가의 변형 및 대체 실시예들이 이 설명에 비추어 통상의 기술자에게는 명백하게 될 것이다. 예를 들어, 정밀 결함 위치를 이용하여 웨이퍼 검사 레시피를 튜닝하는 시스템 및 방법이 제공된다. 따라서, 본 설명은 예시적인 것으로만 해석되어야 하고 통상의 기술자에게 본 발명을 수행하는 일반적인 방식을 교시하기 위한 것이다. 본 명세서에 도시되고 설명된 방법의 형태들은 현재 바람직한 실시예로서 취해져야 하는 것으로 이해되어야 한다. 요소들 및 재료들이 본 명세서에 예시되고 설명된 것에 대하여 치환될 수 있고, 부분 및 프로세스들은 반대로 될 수 있으며, 본 발명의 특정 특징들이 독립적으로 이용될 수 있고, 모두 본 발명의 이 기재의 이익을 얻은 후에 통상의 기술자자에게 명백하게 될 것이다. 아래의 청구범위에 설명된 바와 같은 발명의 기술적 사상 및 범위를 벗어나지 않고 본 명세서에 기재된 요소에 변경이 이루어질 수 있다.
Claims (21)
- 웨이퍼 검사 프로세스의 하나 이상의 파라미터들을 결정하는 방법에 있어서,
웨이퍼 검사 시스템에 의해 생성된 웨이퍼 상의 정렬 타겟의 하나 이상의 광학 이미지들을 획득하는 단계;
상기 웨이퍼 상에서 검출된 결함들을 상이한 그룹들로 분리하는 단계 - 상기 상이한 그룹들은 상기 웨이퍼 상의 정렬 타겟들의 상이한 서브세트들에 근접하게 위치됨 - ;
상기 정렬 타겟의 상기 하나 이상의 광학 이미지들을 전자 빔 결함 리뷰 시스템에 의해 생성된 대응하는 전자 빔 이미지들로 정렬하는 단계;
상기 정렬하는 단계의 결과들에 기초하여, 상기 정렬 타겟들의 상이한 서브세트들에 대하여 상이한 로컬 좌표 변환들을 결정하는 단계 - 상기 로컬 좌표 변환들은 상기 전자 빔 결함 리뷰 시스템에 의해 결정된 좌표들과 상기 웨이퍼 검사 시스템에 의해 결정된 좌표들 사이의 관계들을 정의함 - ;
상기 전자 빔 결함 리뷰 시스템에 의해 결정된 상기 결함들의 좌표들과, 상기 결함들이 분리된 상기 상이한 그룹들에 대한 상기 상이한 로컬 좌표 변환들에 기초하여 웨이퍼 검사 시스템 좌표들에서 상기 웨이퍼 상의 결함들의 위치들을 결정하는 단계; 및
상기 웨이퍼 검사 시스템에 의해, 결정된 위치들에서 획득된 결함 이미지들에 기초하여 상기 웨이퍼에 대한 검사 프로세스를 위한 하나 이상의 파라미터들을 결정하는 단계
를 포함하고,
상기 하나 이상의 광학 이미지들을 획득하는 단계, 상기 결함들을 분리하는 단계, 상기 하나 이상의 광학 이미지들을 정렬하는 단계, 상기 상이한 로컬 좌표 변환들을 결정하는 단계, 상기 결함들의 위치들을 결정하는 단계, 및 상기 하나 이상의 파라미터들을 결정하는 단계는 하나 이상의 컴퓨터 시스템들로 수행되는 것인 웨이퍼 검사 프로세스의 하나 이상의 파라미터들을 결정하는 방법. - 제1항에 있어서,
상기 상이한 그룹들로 분리된 상기 결함들은 상기 웨이퍼 검사 시스템에 의해 상기 웨이퍼 상에서 검출되는 것인 웨이퍼 검사 프로세스의 하나 이상의 파라미터들을 결정하는 방법. - 제1항에 있어서,
상기 상이한 그룹들로 분리된 상기 결함들은 하나 이상의 다른 웨이퍼 검사 시스템들에 의해 상기 웨이퍼 상에서 검출되는 것인 웨이퍼 검사 프로세스의 하나 이상의 파라미터들을 결정하는 방법. - 제1항에 있어서,
상기 웨이퍼에 대한 디자인 레이아웃 데이터로부터 상기 정렬 타겟을 선택하는 단계를 더 포함하는 웨이퍼 검사 프로세스의 하나 이상의 파라미터들을 결정하는 방법. - 제1항에 있어서,
상기 정렬 타겟은 반복되는 메모리 블록들의 하나 이상의 경계들을 포함하는 것인 웨이퍼 검사 프로세스의 하나 이상의 파라미터들을 결정하는 방법. - 제1항에 있어서,
상기 정렬 타겟은 하나 이상의 고유 특성들을 갖는 상기 웨이퍼에 대한 디자인 레이아웃에서 하나 이상의 특징부(feature)들을 포함하는 것인 웨이퍼 검사 프로세스의 하나 이상의 파라미터들을 결정하는 방법. - 제1항에 있어서,
상기 정렬 타겟의 상기 하나 이상의 광학 이미지들을 획득하는 단계는, 스캔 동안 상기 웨이퍼 검사 시스템에 의해 상기 웨이퍼에 대하여 생성된 모든 이미지 데이터가 저장되는 저장 매체로부터 상기 하나 이상의 광학 이미지들을 획득하는 단계를 포함하는 것인 웨이퍼 검사 프로세스의 하나 이상의 파라미터들을 결정하는 방법. - 제1항에 있어서,
상기 하나 이상의 컴퓨터 시스템들은, 스캔 동안 상기 웨이퍼 검사 시스템에 의해 상기 웨이퍼에 대하여 생성된 이미지 데이터로부터 상기 하나 이상의 광학 이미지들을 추출함으로써 상기 정렬 타겟의 상기 하나 이상의 광학 이미지들을 획득하도록 구성된 가상 웨이퍼 검사 시스템을 포함하는 것인 웨이퍼 검사 프로세스의 하나 이상의 파라미터들을 결정하는 방법. - 제1항에 있어서,
상기 하나 이상의 컴퓨터 시스템들은, 적어도 상기 결함들을 분리하는 단계를 수행하도록 구성된 상기 전자 빔 결함 리뷰 시스템의 컴퓨터 서브시스템을 포함하는 것인 웨이퍼 검사 프로세스의 하나 이상의 파라미터들을 결정하는 방법. - 제1항에 있어서,
상기 상이한 그룹들로 분리된 상기 결함들은 상기 웨이퍼 검사 시스템에 의해 상기 웨이퍼 상에서 검출되며,
상기 전자 빔 결함 리뷰 시스템으로 상기 결함들의 전자 빔 이미지들을 획득하는 단계를 더 포함하는 웨이퍼 검사 프로세스의 하나 이상의 파라미터들을 결정하는 방법. - 제1항에 있어서,
상기 상이한 그룹들로 분리된 상기 결함들은 상기 웨이퍼 검사 시스템에 의해 상기 웨이퍼 상에서 검출되며,
상기 상이한 서브세트들 중 하나에서의 상기 정렬 타겟으로부터, 상기 상이한 서브세트들 중 상기 하나에 대응하는 상기 상이한 그룹들 중 하나에서의 결함들만으로 이동함으로써 상기 전자 빔 결함 리뷰 시스템으로 상기 결함들의 전자 빔 이미지들을 획득하는 단계를 더 포함하는 웨이퍼 검사 프로세스의 하나 이상의 파라미터들을 결정하는 방법. - 제1항에 있어서,
상기 상이한 그룹들로 분리된 상기 결함들은 상기 웨이퍼 검사 시스템에 의해 상기 웨이퍼 상에서 검출되지 않으며,
상기 전자 빔 결함 리뷰 시스템으로 상기 웨이퍼 상에서의 상기 결함들을 검색함으로써 상기 결함들의 전자 빔 이미지들을 획득하는 단계를 더 포함하는 웨이퍼 검사 프로세스의 하나 이상의 파라미터들을 결정하는 방법. - 제1항에 있어서,
상기 하나 이상의 컴퓨터 시스템들은 적어도 상기 결함들의 위치들을 결정하는 단계를 수행하도록 구성된 가상 웨이퍼 검사 시스템을 포함하는 것인 웨이퍼 검사 프로세스의 하나 이상의 파라미터들을 결정하는 방법. - 제1항에 있어서,
상기 웨이퍼 검사 시스템 좌표들에서의 상기 결함들의 위치들은 광학 픽셀 그리드(optical pixel grid) 상에서 결정되는 것인 웨이퍼 검사 프로세스의 하나 이상의 파라미터들을 결정하는 방법. - 제1항에 있어서,
상기 상이한 그룹들로 분리된 상기 결함들은 상기 웨이퍼 검사 시스템에 의해 상기 웨이퍼 상에서 검출되지 않으며,
상기 전자 빔 결함 리뷰 시스템으로 상기 웨이퍼 상에서의 상기 결함들의 전자 빔 이미지들을 획득하는 단계와, 상기 웨이퍼 검사 시스템 좌표들에서의 상기 결함들의 위치들에 기초하여 상기 웨이퍼 검사 시스템으로 상기 결함 이미지들을 획득하는 단계를 더 포함하는 웨이퍼 검사 프로세스의 하나 이상의 파라미터들을 결정하는 방법. - 제1항에 있어서,
상기 결함 이미지들은, 상기 웨이퍼 검사 시스템 좌표들에서 상기 웨이퍼 상에서의 상기 결함들의 위치들이 결정된 후에 획득되는 것인 웨이퍼 검사 프로세스의 하나 이상의 파라미터들을 결정하는 방법. - 제1항에 있어서,
상기 결함 이미지들은, 상기 웨이퍼 검사 시스템 좌표들에서 상기 웨이퍼 상에서의 상기 결함들의 위치들이 결정되기 전에 획득되는 것인 웨이퍼 검사 프로세스의 하나 이상의 파라미터들을 결정하는 방법. - 제1항에 있어서,
상기 하나 이상의 파라미터들은, 상기 검사 프로세스 동안 상기 웨이퍼에 대하여 생성된 출력에 적용된 결함 검출 알고리즘의 하나 이상의 파라미터들을 포함하는 것인 웨이퍼 검사 프로세스의 하나 이상의 파라미터들을 결정하는 방법. - 제1항에 있어서,
상기 하나 이상의 파라미터들은, 상기 검사 프로세스 동안 상기 웨이퍼에 대하여 출력이 생성되는 상기 웨이퍼 검사 시스템의 광학 서브시스템의 하나 이상의 파라미터들을 포함하는 것인 웨이퍼 검사 프로세스의 하나 이상의 파라미터들을 결정하는 방법. - 웨이퍼 검사 프로세스의 하나 이상의 파라미터들을 결정하는 컴퓨터로 구현되는 방법을 수행하기 위하여 컴퓨터 시스템 상에서 실행 가능한 프로그램 명령어들을 저장하는 비일시적 컴퓨터로 판독 가능한 매체에 있어서,
상기 컴퓨터로 구현되는 방법은,
웨이퍼 검사 시스템에 의해 생성된 웨이퍼 상의 정렬 타겟의 하나 이상의 광학 이미지들을 획득하는 단계;
상기 웨이퍼 상에서 검출된 결함들을 상이한 그룹들로 분리하는 단계 - 상기 상이한 그룹들은 상기 웨이퍼 상의 정렬 타겟들의 상이한 서브세트들에 근접하게 위치됨 - ;
상기 정렬 타겟의 상기 하나 이상의 광학 이미지들을 전자 빔 결함 리뷰 시스템에 의해 생성된 대응하는 전자 빔 이미지들로 정렬하는 단계;
상기 정렬하는 단계의 결과들에 기초하여, 상기 정렬 타겟들의 상이한 서브세트들에 대하여 상이한 로컬 좌표 변환들을 결정하는 단계 - 상기 로컬 좌표 변환들은 상기 전자 빔 결함 리뷰 시스템에 의해 결정된 좌표들과 상기 웨이퍼 검사 시스템에 의해 결정된 좌표들 사이의 관계들을 정의함 - ;
상기 전자 빔 결함 리뷰 시스템에 의해 결정된 상기 결함들의 좌표들과, 상기 결함들이 분리된 상기 상이한 그룹들에 대한 상기 상이한 로컬 좌표 변환들에 기초하여 웨이퍼 검사 시스템 좌표들에서 상기 웨이퍼 상의 결함들의 위치들을 결정하는 단계; 및
상기 웨이퍼 검사 시스템에 의해, 결정된 위치들에서 획득된 결함 이미지들에 기초하여 상기 웨이퍼에 대한 검사 프로세스를 위한 하나 이상의 파라미터들을 결정하는 단계
를 포함하는 것인 비일시적 컴퓨터로 판독 가능한 매체. - 웨이퍼 검사 프로세스의 하나 이상의 파라미터들을 결정하도록 구성된 시스템에 있어서,
웨이퍼 상에서의 정렬 타겟의 하나 이상의 광학 이미지들 및 상기 웨이퍼에 대한 결함 이미지들을 획득하도록 구성된 광학 웨이퍼 검사 시스템;
상기 정렬 타겟의 전자 빔 이미지들을 획득하도록 구성된 전자 빔 결함 리뷰 시스템; 및
하나 이상의 컴퓨터 서브시스템들
을 포함하고,
상기 하나 이상의 컴퓨터 서브시스템들은,
상기 웨이퍼 상에서 검출된 결함들을 상이한 그룹들로 분리하는 단계 - 상기 상이한 그룹들은 상기 웨이퍼 상의 정렬 타겟들의 상이한 서브세트들에 근접하게 위치됨 - ;
상기 정렬 타겟의 상기 하나 이상의 광학 이미지들을 대응하는 전자 빔 이미지들로 정렬하는 단계;
상기 정렬하는 단계의 결과에 기초하여, 상기 정렬 타겟들의 상이한 서브세트들에 대하여 상이한 로컬 좌표 변환들을 결정하는 단계 - 상기 로컬 좌표 변환들은 상기 전자 빔 결함 리뷰 시스템에 의해 결정된 좌표들과 상기 웨이퍼 검사 시스템에 의해 결정된 좌표들 사이의 관계들을 정의함 - ;
상기 전자 빔 결함 리뷰 시스템에 의해 결정된 상기 결함들의 좌표들과, 상기 결함들이 분리된 상기 상이한 그룹들에 대한 상기 상이한 로컬 좌표 변환들에 기초하여 웨이퍼 검사 시스템 좌표들에서 상기 웨이퍼 상의 결함들의 위치들을 결정하는 단계; 및
상기 웨이퍼 검사 시스템에 의해, 결정된 위치들에서 획득된 결함 이미지들에 기초하여 상기 웨이퍼에 대한 검사 프로세스를 위한 하나 이상의 파라미터들을 결정하는 단계
를 위하여 구성된 것인 웨이퍼 검사 프로세스의 하나 이상의 파라미터들을 결정하도록 구성된 시스템.
Applications Claiming Priority (7)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US201361872493P | 2013-08-30 | 2013-08-30 | |
| US201361872507P | 2013-08-30 | 2013-08-30 | |
| US61/872,507 | 2013-08-30 | ||
| US61/872,493 | 2013-08-30 | ||
| US14/470,916 US9224660B2 (en) | 2013-08-30 | 2014-08-27 | Tuning wafer inspection recipes using precise defect locations |
| US14/470,916 | 2014-08-27 | ||
| PCT/US2014/053460 WO2015031781A1 (en) | 2013-08-30 | 2014-08-29 | Tuning wafer inspection recipes using precise defect locations |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR20160047549A true KR20160047549A (ko) | 2016-05-02 |
| KR102096136B1 KR102096136B1 (ko) | 2020-04-01 |
Family
ID=52582804
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1020167007972A Active KR102096136B1 (ko) | 2013-08-30 | 2014-08-29 | 정밀 결함 위치들을 사용한 웨이퍼 검사 레시피들 튜닝 |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US9224660B2 (ko) |
| KR (1) | KR102096136B1 (ko) |
| IL (1) | IL244324A0 (ko) |
| TW (1) | TWI611488B (ko) |
| WO (1) | WO2015031781A1 (ko) |
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- 2014-08-29 KR KR1020167007972A patent/KR102096136B1/ko active Active
- 2014-08-29 WO PCT/US2014/053460 patent/WO2015031781A1/en active Application Filing
- 2014-08-29 TW TW103130008A patent/TWI611488B/zh active
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- 2016-02-28 IL IL244324A patent/IL244324A0/en active IP Right Grant
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Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| TW201519346A (zh) | 2015-05-16 |
| TWI611488B (zh) | 2018-01-11 |
| US9224660B2 (en) | 2015-12-29 |
| WO2015031781A1 (en) | 2015-03-05 |
| KR102096136B1 (ko) | 2020-04-01 |
| IL244324A0 (en) | 2016-04-21 |
| US20150062571A1 (en) | 2015-03-05 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PA0105 | International application |
Patent event date: 20160325 Patent event code: PA01051R01D Comment text: International Patent Application |
|
| PG1501 | Laying open of application | ||
| PA0201 | Request for examination |
Patent event code: PA02012R01D Patent event date: 20190828 Comment text: Request for Examination of Application |
|
| PA0302 | Request for accelerated examination |
Patent event date: 20190828 Patent event code: PA03022R01D Comment text: Request for Accelerated Examination |
|
| E902 | Notification of reason for refusal | ||
| PE0902 | Notice of grounds for rejection |
Comment text: Notification of reason for refusal Patent event date: 20190911 Patent event code: PE09021S01D |
|
| E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
| PE0701 | Decision of registration |
Patent event code: PE07011S01D Comment text: Decision to Grant Registration Patent event date: 20200109 |
|
| GRNT | Written decision to grant | ||
| PR0701 | Registration of establishment |
Comment text: Registration of Establishment Patent event date: 20200326 Patent event code: PR07011E01D |
|
| PR1002 | Payment of registration fee |
Payment date: 20200326 End annual number: 3 Start annual number: 1 |
|
| PG1601 | Publication of registration | ||
| PR1001 | Payment of annual fee |
Payment date: 20230314 Start annual number: 4 End annual number: 4 |
|
| PR1001 | Payment of annual fee |
Payment date: 20240308 Start annual number: 5 End annual number: 5 |