TW201519346A - 使用精確缺陷位置調整晶圓檢查配方 - Google Patents

使用精確缺陷位置調整晶圓檢查配方 Download PDF

Info

Publication number
TW201519346A
TW201519346A TW103130008A TW103130008A TW201519346A TW 201519346 A TW201519346 A TW 201519346A TW 103130008 A TW103130008 A TW 103130008A TW 103130008 A TW103130008 A TW 103130008A TW 201519346 A TW201519346 A TW 201519346A
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
wafer
inspection system
defects
electron beam
image
Prior art date
Application number
TW103130008A
Other languages
English (en)
Other versions
TWI611488B (zh
Inventor
Ashok V Kulkarni
Lisheng Gao
Original Assignee
Kla Tencor Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Kla Tencor Corp filed Critical Kla Tencor Corp
Publication of TW201519346A publication Critical patent/TW201519346A/zh
Application granted granted Critical
Publication of TWI611488B publication Critical patent/TWI611488B/zh

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L22/00Testing or measuring during manufacture or treatment; Reliability measurements, i.e. testing of parts without further processing to modify the parts as such; Structural arrangements therefor
    • H01L22/10Measuring as part of the manufacturing process
    • H01L22/12Measuring as part of the manufacturing process for structural parameters, e.g. thickness, line width, refractive index, temperature, warp, bond strength, defects, optical inspection, electrical measurement of structural dimensions, metallurgic measurement of diffusions
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/68Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for positioning, orientation or alignment
    • H01L21/682Mask-wafer alignment
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L22/00Testing or measuring during manufacture or treatment; Reliability measurements, i.e. testing of parts without further processing to modify the parts as such; Structural arrangements therefor
    • H01L22/20Sequence of activities consisting of a plurality of measurements, corrections, marking or sorting steps
    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01NINVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N21/00Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
    • G01N21/84Systems specially adapted for particular applications
    • G01N21/88Investigating the presence of flaws or contamination
    • G01N21/95Investigating the presence of flaws or contamination characterised by the material or shape of the object to be examined
    • G01N21/9501Semiconductor wafers

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Immunology (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Pathology (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • Biochemistry (AREA)
  • General Health & Medical Sciences (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
  • Analysing Materials By The Use Of Radiation (AREA)
  • Computer Vision & Pattern Recognition (AREA)
  • Signal Processing (AREA)
  • Investigating Materials By The Use Of Optical Means Adapted For Particular Applications (AREA)

Abstract

本發明提供用於判定一晶圓檢查程序之一或多個參數之系統及方法。一方法包含使一對準目標之(若干)光學影像對準藉由一電子束缺陷檢視系統產生之其等之對應電子束影像。該方法亦包含基於該對準之結果判定關於對準目標之不同子集之不同區域座標轉換。另外,該方法包含基於藉由該電子束缺陷檢視系統判定之該等缺陷之座標及對應於該等缺陷經分成之該等缺陷之不同群組之該等不同區域座標轉換判定晶圓檢查系統座標中之缺陷之位置。該方法進一步包含基於藉由一晶圓檢查系統在該等經判定位置處獲取之缺陷影像判定用於關於該晶圓之一檢查程序之一或多個參數。

Description

使用精確缺陷位置調整晶圓檢查配方
本發明大體上係關於用於使用精確缺陷位置調整晶圓檢查配方之系統及方法。
以下描述及實例不因其等包含於此段落中而被承認係先前技術。
製造諸如邏輯及記憶體裝置之半導體裝置通常包含使用大量半導體製造程序處理諸如一半導體晶圓之一基板以形成半導體裝置之多種特徵部及多個位準。舉例而言,微影係涉及自一光罩傳送一圖案至配置於一半導體晶圓上之一光阻之一半導體製造程序。半導體製造程序之額外實例包含(但不限於)化學機械拋光、蝕刻、沈積及離子植入。多個半導體裝置可在一單一半導體晶圓上之一配置中經製造且接著經分成個別半導體裝置。
檢查程序在一半導體製造程序期間用於多種步驟中以偵測晶圓上之缺陷。檢查程序一直係製造諸如積體電路之半導體裝置之一重要部分。然而,隨著半導體裝置之尺寸減小,檢查程序對於可接受半導體裝置之成功製造變得更重要。舉例而言,隨著半導體裝置之尺寸減小,減小尺寸之缺陷之偵測變得必要,因為相對小缺陷可導致半導體裝置中之非所要像差。
許多不同類型之檢查系統具有可調整輸出擷取(例如,資料、信號及/或影像擷取)及靈敏度(或缺陷偵測)參數使得不同參數可用於偵測不同缺陷或避免非所要(妨害)事件之源。雖然具有可調整輸出擷取及靈敏度參數之一檢查系統向一半導體裝置製造者呈現顯著優點,但若非正確輸出擷取及靈敏度參數用於一檢查程序則此等檢查系統基本上無用。另外,因為缺陷、程序條件及晶圓上之雜訊可巨大變動(且因為晶圓自身之特徵可巨大變動),所以預測用於偵測一特定晶圓上之缺陷之最佳輸出擷取及靈敏度參數(若非不可能)可係困難的。因此,雖然使用正確輸出擷取及靈敏度參數在檢查之結果上具有一巨大效果,但可想到當前許多檢查程序係使用非正確或非最佳化輸出擷取及靈敏度參數經執行。
用於調整一光學檢查配方之當前方法包含:(1)執行一「熱」掃描(即,具有一相對高靈敏度(低偵測臨限值)之一掃描),使用一掃描電子顯微鏡(SEM)檢視工具且使用此等缺陷位置自檢查結果檢視缺陷之一樣本(子集)以調整配方;或(2)自諸如一SEM之一些其他源獲得缺陷之影像且使用多種技術在晶圓上手動定位缺陷且接著調整配方以偵測該等缺陷。
然而,上文描述之當前使用之方法存在一些缺點。舉例而言,方法(1)係基於關於SEM檢視選擇之樣本之一非可靠性方法。通常需要若干反覆以發現用於配方調整之適當缺陷,因為由靈敏度配方偵測之絕大多數「缺陷」係妨害(錯誤警報)。另外,方法(2)係手動且實質上慢,因為其涉及手動看各個缺陷之人類操作者且通常涉及破壞性方法,諸如在缺陷周圍使用「SEM燃燒」標記以在光學檢測器上定位缺陷。
因此,開發用於判定一晶圓檢查程序之一或多個參數之不具有上文描述之一或多個缺點之系統及方法係有利的。
不可以任何方式將多種實施例之以下描述理解為限制隨附申請專利範圍之標的。
一實施例係關於一種用於判定一晶圓檢查程序之一或多個參數之方法。該方法包含獲得藉由一晶圓檢查程序產生之一晶圓上之一對準目標之一或多個光學影像。該方法亦包含將在該晶圓上經偵測之缺陷分成不同群組。該等不同群組位於接近該晶圓上之對準目標之不同子集處。另外,該方法包含使該對準目標之該一或多個光學影像對準藉由一電子束缺陷檢視系統產生之其等之對應電子束影像。該方法進一步包含基於該對準步驟之結果判定關於該等對準目標之該等不同子集之不同區域座標轉換。該等區域座標轉換界定藉由該電子束缺陷檢視系統判定之座標與藉由該晶圓檢查系統判定之座標之間之關係。該方法亦包含基於藉由該電子束缺陷檢視系統判定之該等缺陷之座標及關於該等缺陷經分成之該等不同群組之該等不同區域座標轉換判定晶圓檢查系統座標中之該晶圓上之該等缺陷之位置。另外,該方法包含基於藉由該晶圓檢查系統在該等經判定位置處獲得之缺陷影像判定用於關於該晶圓之一檢查程序之一或多個參數。使用一或多個電腦系統執行獲取該一或多個光學影像,分離該等缺陷,對準該一或多個光學影像,判定該等不同區域座標轉換,判定該等缺陷之該等位置及判定該一或多個參數。
可如本文中描述之進一步執行該方法之該等步驟之各者。另外,該方法可包含本文中描述之任何其他(若干)方法之任何其他(若干)步驟。此外,該方法可由本文中描述之該等系統之任何者執行。
另一實施例係關於一非暫時性電腦可讀媒體,其儲存用於執行用於判定一晶圓檢查程序之一或多個參數之一電腦實施方法之可執行於一電腦系統上之程式指令。該電腦實施方法包含上文描述之該方法 之該等步驟。可如本文中描述之進一步組態該電腦可讀媒體。可如本文中進一步描述之執行該電腦實施方法之該等步驟。另外,該等程式指令可執行之該電腦實施方法可包含本文中描述之任何其他(若干)方法之任何其他(若干)步驟。
一額外實施例係關於一種經組態以判定一晶圓檢查程序之一或多個參數之系統。該系統包含經組態以獲取一晶圓上之一對準目標之一或多個光學影像及關於該晶圓之缺陷影像之一光學晶圓檢查系統。該系統亦包含經組態以獲取該對準目標之電子束影像之一電子束缺陷檢視系統。該系統進一步包含經組態以執行該分離該等缺陷,對準該一或多個光學影像,判定該等不同區域座標轉換,判定該等缺陷之該等位置及判定上文中描述之該方法之該一或多個參數步驟之一或多個電腦子系統。可如本文中描述之進一步組態該系統。
100‧‧‧設計
102‧‧‧對準目標探測器
104‧‧‧虛擬檢測器
106‧‧‧晶圓檢測器
108‧‧‧晶圓
110‧‧‧結果檔案
112‧‧‧缺陷檢視工具
114‧‧‧影像及向量
116‧‧‧工作分析
200‧‧‧結果檔案
202‧‧‧虛擬系統記錄掃描
204‧‧‧步驟
206‧‧‧步驟
208‧‧‧步驟
210‧‧‧步驟
212‧‧‧步驟
214‧‧‧步驟
300‧‧‧步驟
302‧‧‧步驟
304‧‧‧步驟
306‧‧‧步驟
308‧‧‧步驟
310‧‧‧步驟
312‧‧‧步驟
400‧‧‧非暫時性電腦可讀媒體
402‧‧‧程式指令
404‧‧‧電腦系統
500‧‧‧電腦子系統
502‧‧‧EDA工具
504‧‧‧光學子系統
506‧‧‧系統
508‧‧‧光源
510‧‧‧分束器
512‧‧‧晶圓
514‧‧‧透鏡
516‧‧‧偵測器
518‧‧‧電腦子系統
520‧‧‧電子顯微鏡筒
522‧‧‧電腦子系統
524‧‧‧電子束源
526‧‧‧晶圓
528‧‧‧元件
530‧‧‧元件
532‧‧‧偵測器
534‧‧‧虛擬檢查系統
使用較佳實施例之以下詳細描述之益處且一旦參考隨附圖式,熟習此項技術者將瞭解本發明之進一步優點,其中:圖1至圖3係繪示用於判定一晶圓檢查程序之一或多個參數之一方法之實施例之流程圖;圖4係繪示儲存用於導致一電腦系統執行本文中描述之一電腦實施方法之程式指令之一非暫時性電腦可讀媒體之一實施例之一方塊圖;及圖5係繪示經組態以判定一晶圓檢查程序之一或多個參數之一系統之一實施例之一側視圖之一示意圖。
雖然本發明易於以多種修改及替代形式呈現,但其之特定實施例藉由圖式中之實例展示且在本文中詳細描述。圖式可不按比例。然而,應瞭解,圖式及另外詳細描述不意欲將本發明限制於揭示之特定形式,而相反,本發明欲涵蓋如由隨附申請專利範圍界定之落於本發 明之精神及範疇內之全部修改、等效物及替代物。
現轉向圖式,應注意,圖式未按比例繪製。特定言之,極大誇大圖式之一些元件之比例以強調元件之特徵。亦注意,圖式未按相同比例繪製。使用相同參考數字指示可經類似組態之展示於一個以上圖式中之元件。除非本文中另有指明,描述且展示之任何元件可包含任何適合市場可購元件。
一實施例係關於一種用於判定一晶圓檢查程序之一或多個參數之方法。使用一或多個電腦系統執行諸如獲取一或多個光學影像,分離缺陷,對準一或多個光學影像,判定不同區域座標轉換,判定缺陷之位置及判定一或多個參數之本文中進一步描述之方法之步驟,如本文中進一步描述之組態該一或多個電腦系統。如本文中將進一步描述,本文中描述之實施例提供用於使用晶粒佈局(設計)資訊及使用實質上精確對準之一方法之缺陷之掃描電子顯微鏡(SEM)影像圖塊在可儲存於一系統中之一晶圓之一光學影像上自動化且實質上精確定位缺陷位置之方法。
該方法包含獲取藉由一晶圓檢查系統產生之一晶圓上之一對準目標之一或多個光學影像。對準目標之一或多個影像圖塊以及其等之晶粒位置可添加至本文中描述之一檢查結果檔案。然而,若自除一光學晶圓檢查系統之外之某源(諸如一SEM檢視工具)知道缺陷之位置,則對準圖塊及位置可添加至該檔案。包含缺陷位置及經獲取或經提取之對準圖塊之複合檔案可接著發送至SEM檢視工具以及晶圓。
在一實施例中,該方法包含自關於晶圓之設計佈局資料選擇對準目標。舉例而言,如圖1中所示,可將設計100輸入至對準目標探測器102,其可包含可用於在設計資料中發現諸如本文中進一步描述之對準目標之對準目標之任何適合圖案分析軟體。
術語「設計」及「設計資料」如用於本文中通常指一IC之實體設計(佈局)或透過複雜模擬或簡單幾何學及布林運算自實體設計導出之資料。設計可儲存於諸如一GDS檔案、任何其他標準機器可讀檔案、該技術中已知之任何其他適合檔案及一設計資料庫之一資料結構中。一GDSII檔案係用於設計佈局資料之呈現之一類檔案之一者。此等檔案之其他實例包含GL1及OASIS檔案。不考慮資料結構組態、儲存格式或儲存機構,用於本文中描述之實施例中之設計可儲存於此整類檔案之任何者中。
藉由一光罩檢查系統及/或其等之衍生物獲取之一光罩之一影像亦可用作用於該設計之一「代理伺服器」或「若干代理伺服器」。此一光罩影像或其之一衍生物可在使用一設計之在本文中描述之任何實施例中充當對於設計佈局之一取代物。設計可包含共同擁有之2009年8月4日頒予Zafar等人之專利第7,570,796號及2010年3月9日頒予Kulkarni等人之專利第7,676,077號中描述之任何其他設計資料或設計資料代理伺服器,該等專利以引用之方式併入宛如完全陳述於本文中。另外,設計資料可係標準單元程式庫資料、整合佈局資料、關於一或多個層之設計資料、設計資料之衍生物及完全或部分晶片設計資料。
然而,一般而言,設計資訊或資料不可藉由使用一晶圓檢查系統成像一晶圓而產生。舉例而言,形成於晶圓上之設計圖案不可精確呈現關於晶圓之設計且晶圓檢查系統不能夠產生具有足夠解析度之形成於晶圓上之設計圖案之影像使得影像可用於判定關於晶圓之設計之資訊。因此,一般而言,不可使用一實體晶圓產生設計資訊或設計資料。另外,本文中描述之「設計」及「設計資料」指在一設計程序中藉由一半導體裝置設計者產生且因此預先於設計在任何實體晶圓上之印刷而能夠用於本文中描述之實施例中之資訊及資料。
在一些實施例中,對準目標包含重複記憶體區塊之一或多個邊界。舉例而言,可檢查晶粒之設計佈局且軟體演算法可用於分析佈局且自動化判定含有SRAM之晶粒或其他重複記憶體區塊上之邊界(區域)。在一此實例中,可藉由在SRAM隅角周圍之一設計中發現適合參考位置而選擇對準目標。在另一實施例中,對準目標包含關於具有一或多個獨特特徵之晶圓之一設計佈局中之一或多個特徵部。舉例而言,上文中描述之演算法可提取散射於整個晶粒(在隨機邏輯區域中)之隨後用於精確對準之獨特對準目標。
在一實施例中,獲取對準目標之一或多個光學影像包含自其中儲存在一掃描期間藉由晶圓檢查系統關於晶圓產生之全部影像資料之一儲存媒體獲取一或多個光學影像。舉例而言,藉由晶圓檢查系統關於晶圓產生之全部影像資料可儲存於如本文中描述之經組態之一虛擬檢查系統之一儲存媒體中,在選擇對準目標之後,在設計資料中之對準目標上之位置可用於判定關於晶圓先前產生之影像資料中之對準目標之位置。影像資料中之該等位置可接著用於提取關於對準目標之影像資料。另外,若(例如,使用檢查系統之一個以上光學模式或晶圓之一個以上掃描)關於晶圓產生一個以上影像資料組且儲存於一儲存媒體中,關於對準目標獲取之一或多個光學影像可包含關於一個以上對準目標之一或多個影像。以此方式,可關於任何一個對準目標獲取一個以上影像。
在另一實施例中,一或多個電腦系統包含一虛擬晶圓檢查系統,該虛擬晶圓檢查系統可經組態以藉由自一掃描期間藉由晶圓檢查系統關於晶圓產生之影像資料提取一或多個光學影像而獲取對準目標之一或多個光學影像。舉例而言,虛擬晶圓檢查系統可在記憶體區塊之邊界及上文中描述之其他獨特對準點處自動化提取光學影像圖塊。可如2012年2月18日頒予Bhaskar等人之專利第8,126,255號中描述之組 態虛擬晶圓檢查系統,該專利以引用之方式併入宛如完全陳述於本文中。此專利中描述之虛擬晶圓檢查系統可經組態以執行本文中描述之任何方法之任何(若干)步驟。虛擬晶圓檢查系統可經組態以如上文中進一步描述之提取對準目標之一或多個光學影像。
如圖1中所示,在一些此等實施例中,對準目標探測器102可將包含關於經選擇對準目標之任何資訊之結果輸出至虛擬檢測器104。虛擬檢測器104可經組態以儲存在一檢查程序期間藉由用於晶圓108之晶圓檢測器106產生之影像資料。晶圓檢測器106可產生包含關於在檢查程序期間在晶圓上偵測之缺陷之資訊及關於在檢查程序期間或作為檢查程序之結果產生之晶圓之任何其他適合資訊之關於晶圓108之結果檔案110。虛擬檢測器104可提取關於藉由對準目標探測器102從自晶圓檢測器106接收之影像資料選擇之對準目標之光學影像。虛擬檢測器亦可將關於對準目標之經提取光學影像及關於其等在晶圓上之位置之資訊添加至結果檔案110。
該方法亦包含將在晶圓上偵測之缺陷分成不同群組。不同群組位於接近晶圓上之對準目標之不同子集處。以此方式,缺陷可基於其等至一或多個對準目標圖塊之接近度而被分成群組。
在一實施例中,藉由晶圓檢查系統在晶圓上偵測經分成不同群組之缺陷。舉例而言,一晶圓可由一光學檢測器掃描且晶圓之(若干)光學影像可儲存於諸如一虛擬晶圓檢查系統之一系統上。晶圓上之缺陷位置亦可記錄於諸如一批結果檔案或其他適合檔案格式之一檢查結果檔案中。缺陷位置及晶圓之影像可儲存於相同或不同檔案中。
在另一實施例中,被分成不同群組之缺陷由一或多個其他晶圓檢查系統在晶圓上偵測。舉例而言,可在一晶圓檢查系統上偵測缺陷,且接著如本文中描述之判定關於另一晶圓檢查系統之晶圓檢查系統座標中之缺陷之位置。以此方式,使用一晶圓檢查系統偵測之缺陷 可實質上高度精確定位於另一晶圓檢查系統上或藉由其他晶圓檢查系統產生之影像資料中。其他(若干)晶圓檢查系統可包含任何適合市場可購(若干)晶圓檢查系統。
在一些實施例中,一或多個電腦系統包含經組態以執行至少分離步驟之電子束缺陷檢視系統之一電腦子系統。舉例而言,一SEM檢視工具可藉由缺陷至藉由一虛擬晶圓檢查系統提供之對準目標圖塊之一或多者之接近度而使缺陷分組。可如本文中描述之進一步組態電子束缺陷檢視系統之電腦子系統。
該方法進一步包含使對準目標之一或多個光學影像對準藉由一電子束缺陷檢視系統產生之其等之對應電子束影像。舉例而言,對於各個缺陷群組,該方法可包含使用SEM檢視工具以首先移動至對應對準位置,獲取一適當大小(視野)之一影像,使用已知影像處理技術使光學圖塊影像與SEM影像對準,且注意SEM圖塊與光學圖塊之間之對準偏移。此可接近此缺陷群組對於(例如)3個此等對準圖塊經重複。如圖1中所示,在一些實施例中,可包含關於晶圓108之晶圓檢查結果及關於對準目標之影像之可藉由虛擬檢測器提取之結果檔案110可提供至缺陷檢視工具112。晶圓108亦可傳送至缺陷檢視工具。缺陷檢視工具可接著基於關於包含於結果檔案110中之對準目標之資訊藉由成像晶圓108獲取關於對準目標之電子束影像。可接著如上文中描述之使關於對準目標之電子束影像對準光學影像。
該方法亦包含基於對準步驟之結果判定關於對準目標之不同子集之不同區域座標轉換。區域座標轉換定義藉由電子束缺陷檢視系統判定之座標與藉由晶圓檢查系統判定之座標之間之關係。舉例而言,已知3個對準目標及3個對應SEM目標之位置,可判定區域座標轉換(以映射光學至SEM座標空間)以獲得群組中之實質上精確缺陷位置。經獲取之SEM圖塊、SEM上之座標以及應用至SEM上之各個群組中之 區域缺陷之座標轉換(映射光學座標至SEM座標)可發送回至虛擬晶圓檢查系統。舉例而言,如圖1中所示,缺陷檢查工具112可產生可包含對準目標之電子束影像及至少一些晶圓上偵測之缺陷之影像及向量114(其中「向量」指本文中描述之轉換),且含有關於影像及向量114之資訊之一檔案可發送回至虛擬檢測器104。
該方法進一步包含基於藉由電子束缺陷檢視系統判定之缺陷之座標及關於缺陷經分成之不同群組之不同區域座標轉換而判定晶圓檢查系統座標中之晶圓上之缺陷之位置。在一些實施例中,在一光學像素格柵上判定晶圓檢查系統座標中之缺陷之位置。舉例而言,虛擬晶圓檢查系統可應用座標轉換之逆轉換以將實質上精確缺陷位置映射回至光學像素格柵。對於藉由光學檢測器在儲存於虛擬檢查系統中之影像上偵測之缺陷,此轉換非必要,因為已知缺陷位置在光學像素格柵上。然而,對於未藉由光學檢測器偵測但其之SEM影像(例如,藉由在自外部源獲得之某些「已知」位置周圍手動或自動檢查一區域)在此檢視工具上獲得之缺陷,需要此逆轉換以將其位置映射至光學像素格柵上。
在其中經分成不同群組之缺陷由晶圓檢查系統在晶圓上偵測之一實施例中,該方法包含使用電子束缺陷檢視系統獲取缺陷之電子束影像。舉例而言,缺陷檢視工具可執行參考位置附近之缺陷之區域糾偏,執行至缺陷之經校正位置之「短距離」移動,且抓取SEM缺陷圖塊。
在其中經分成不同群組之缺陷由晶圓檢查系統在晶圓上偵測之另一實施例中,該方法包含藉由自不同子集之一者中之對準目標移動至僅對應於不同子集之該一者之不同群組之一者中之缺陷而使用電子束缺陷檢視系統獲取缺陷之電子束影像。舉例而言,對於自一光學檢測器影像(其參考圖塊經提供為一參考)獲得之缺陷位置,SEM檢視工 具可做出自參考位置之一者至群組中之缺陷之各者之一相對短距離移動(以某最佳方式以最小化定位誤差)且獲取缺陷之SEM影像。
在其中經分成不同群組之缺陷不由晶圓檢查系統在晶圓上偵測之一些實施例中,該方法包含藉由使用電子束缺陷檢視系統在晶圓上尋找缺陷而獲取缺陷之電子束影像。舉例而言,對於自某外部源獲得之僅大約知道其等之位置之(例如,相對於晶粒源或晶圓之中心)缺陷,可手動或自動使用檢視工具以在該等位置周圍搜索且記錄其中發現缺陷之影像圖塊及其等在SEM座標空間中之位置。
在一實施例中,一或多個電腦系統包含經組態以執行至少判定缺陷之位置之步驟之一虛擬晶圓檢查系統。舉例而言,一旦判定區域座標轉換,轉換可由虛擬檢查系統使用以判定缺陷之位置。虛擬檢查系統可接著在經判定位置獲取缺陷之光學影像。舉例而言,虛擬檢查系統可在經判定位置自關於晶圓之先前儲存影像資料提取缺陷之光學影像。另外,或替代地,虛擬檢查系統可指導或控制光學晶圓檢查系統以在經判定位置處獲取光學影像。以此方式,虛擬晶圓檢查系統可在工具上獲取缺陷影像。在一些實例中,虛擬晶圓檢查系統可在缺陷之經判定位置處提取影像,如本文中進一步描述之判定可用影像是否足夠判定一檢查程序之(若干)參數,且若影像不足夠,則判定可使用其獲取在經判定位置處之影像之檢查系統之一或多個參數。可藉由光學晶圓檢查系統或藉由虛擬檢查系統經由光學晶圓檢查系統控制而獲取具有新晶圓檢查系統參數之影像。
該方法亦包含基於藉由晶圓檢查系統在經判定位置處經獲取之缺陷影像判定用於關於晶圓之一檢查程序之一或多個參數。可關於一現存檢查程序判定一或多個參數,在此情況中,判定一或多個參數可涉及調整或更新檢查程序。關於檢查程序判定之一或多個參數可儲存於任何適合檢查程序配方中(其中一「配方」通常可定義為一工具可 使用以執行一程序之一組指令)。因為本文中描述之實施例可在晶圓檢查系統座標中實質上精確判定缺陷之位置,本文中描述之實施例可用於使用實質上精確缺陷位置調整晶圓檢查配方。雖然在本文中將實施例描述為自一電子束缺陷檢視工具獲得實質上精確缺陷位置資訊,但本文中描述之實施例可用於使用自諸如一SEM、電測試結果、一半導體晶圓上之測試結構或某其他形式之成像源之某其他源獲得之實質上精確缺陷位置資訊在一光學檢測器上調整關於一圖案化晶圓之一檢查配方。然而,本文中描述之實施例亦可用於判定關於一新穎、非先前存在之檢查程序配方之一或多個參數。另外,本文中描述之實施例可使用來自使用自設計提取之預定參考對準點之其他工具之實質上精確缺陷位置執行任何其他適合函數。
亦可使用任何缺陷(例如,在發現相位或研究及開發中發現之缺陷)執行本文中描述之實施例以調整配方用於生產。舉例而言,在一半導體製造晶圓廠處之關注缺陷(DOI)發現發生於一高度靈敏檢查工具或檢查工具之組合上。對於生產,僅一單一工具用於監測缺陷活性。評估一特定工具之能力以監測標記DOI當前涉及實質上繁瑣的人工操作。然而,本文中描述之實施例可用於基於DOI位置之一清單而關於一虛擬晶圓檢查系統或一光學晶圓檢查系統上之一特定工具自動化評估靈敏度。本文中描述之實施例可用於產生具有最佳偵測靈敏度之一配方。
在一些例項中,如圖1中所示,虛擬檢測器104可用於判定可包含工作(影像圖框)分析116之檢查程序之一或多個參數。舉例而言,虛擬檢查系統可分析含有缺陷位置之圖框(工作)且提供信雜比量測及/或圖形輸出。然而,虛擬檢測器104亦可經組態以基於關於缺陷之經判定位置使用關於一晶圓之儲存於其中之影像資料執行任何其他適合函數。以此方式,虛擬檢查系統之輸出可包含藉由關於晶圓108之影 像資料上之虛擬檢測器104且基於藉由缺陷檢視工具112提供之影像及向量114執行之若干不同函數之結果。
在其中經分成不同群組之缺陷不由晶圓檢查系統在晶圓上偵測之一實施例中,該方法包含基於晶圓檢查系統座標中之缺陷之位置使用電子束缺陷檢視系統獲取晶圓上之缺陷之電子束影像且使用晶圓檢查系統獲取缺陷影像。以此方式,在一些實施例中,在判定晶圓檢查系統座標中之晶圓上之缺陷之位置之後獲取缺陷影像。舉例而言,給定自諸如一SEM檢視工具之另一源獲取之缺陷之一影像,在一光學晶圓影像中定位缺陷可係困難的。然而,使用如本文中描述之判定之座標轉換,關於藉由一SEM檢視工具偵測之一缺陷之資訊可與本文中描述之一座標轉換一起使用以在藉由一光學晶圓檢查系統產生之晶圓之影像中定位缺陷。以此方式,當在一SEM檢視工具上發現缺陷時,可使用如本文中描述之判定之缺陷之位置使用晶圓檢查系統實質上高度精確定位缺陷。以此方式,可實質上消除正確缺陷由晶圓檢查系統成像之任何不確定性。
在另一實施例中,在判定晶圓檢查系統座標中之晶圓上之缺陷之位置之前獲取缺陷影像。舉例而言,若在執行該方法之前將關於一晶圓之影像資料儲存於虛擬檢查系統中,則獲取缺陷影像可包含自關於一晶圓之經儲存影像資料在經判定位置處提取影像資料。在一此實例中,本文中描述之虛擬晶圓檢查系統可使用參考至光學參考對準及位移向量在晶圓影像中定位缺陷。
在一些實施例中,一或多個參數包含應用至在檢查程序期間關於晶圓產生之輸出之一缺陷偵測演算法之一或多個參數。舉例而言,一旦已知缺陷位置在光學像素格柵上,可使用來自該等晶粒區域(或使用額外晶粒區域)之影像圖框調整缺陷偵測演算法以調整檢查配方。在一此實例中,給定SRAM中之缺陷之SEM影像,本文中描述之 實施例可驅動回至一經儲存晶圓影像且分析信雜比。藉由本文中描述之實施例判定之缺陷偵測演算法之一或多個參數可包含任何缺陷偵測演算法之任何參數。
在一額外實施例中,一或多個參數包含使用其在檢查程序期間關於晶圓產生輸出之晶圓檢查系統之一光學子系統之一或多個參數。光學子系統之一或多個參數可包含一晶圓檢查系統之一光學子系統之任何參數,諸如(若干)照明波長、(若干)照明極化、(若干)入射角、(若干)收集角、(若干)收集波長、(若干)收集極化等。可以任何適合方式基於缺陷影像判定光學子系統之(若干)參數。
判定一缺陷偵測演算法之一或多個參數亦可包含基於DOI位置之一清單之自動靈敏度評估及演算法配方產生。圖2繪示執行於一虛擬晶圓檢查系統上之靈敏度評估及自動演算法配方產生之一實施例。舉例而言,如圖2中所示,一虛擬檢查系統可使用具有來自一或多個檢查工具之DOI位置,具有在工具之間精確對準之位置之結果檔案200及具有一或多個光學模式之虛擬檢查系統記錄掃描202以執行包含關於各個光學器件模式在虛擬晶圓檢查系統上掃描之步驟204。自其獲取DOI位置之一或多個檢查工具可包含一基線工具或多個基線工具之一組合。DOI位置可如本文中描述之在(若干)基線工具與當前工具(即,關於其判定一或多個參數之檢查系統)之間實質上精確對準。可使用具有一經界定之基本配方之當前工具獲取具有一或多個光學器件模式之虛擬檢查系統記錄掃描。
圖2中展示之方法亦可包含步驟206或步驟208。在步驟206中,可訪問DOI位置以獲取相同影像且執行各個演算法選項。在步驟208中,可在具有各個演算法選項之全部DOI位置上建立一特別虛擬檢查系統掃描。該方法亦包含其中執行對於各個DOI位置之偵測及演算法選項之步驟210。在一些例項中,若步驟210之結果不令人滿意,則該 方法可在其中改變光學器件模式直到步驟210產生令人滿意之結果之一模式迴路中重複步驟204、206(或208)及210。另外,若步驟210之結果不令人滿意,則該方法可在其中改變(若干)演算法之參數直到步驟210產生令人滿意之結果之一演算法迴路中重複步驟206(或208)及210。該方法可接著包含步驟212,其中虛擬檢查系統用於判定關於各個模式/演算法組合之DOI偵測靈敏度且選擇關於全部DOI位置之模式/演算法組合之頂部群組。另外,該方法包含步驟214,其中使用最佳偵測產生(若干)配方。
圖3繪示在一光學晶圓檢查系統上執行之靈敏度評估及自動演算法配方產生之一實施例。舉例而言,如圖3中所示,一實際晶圓檢查系統可使用具有來自一或多個檢查工具之DOI位置,具有在工具之間精切對準之位置之結果檔案300以執行包含關於各個光學器件模式在實際晶圓檢查系統上掃描之步驟302。自其獲取DOI位置之一或多個檢查工具可包含一基線工具或多個基線工具之一組合。DOI位置可如本文中描述之在(若干)基線工具與當前工具(即,關於其判定一或多個參數之檢查系統)之間實質上精確對準。
圖3中展示之方法亦可包含步驟304或步驟306。在步驟304中,可訪問DOI位置以獲取相同影像且執行各個演算法選項。在步驟306中,可在具有各個演算法選項之全部DOI位置上建立一特別檢查系統掃描。該方法亦包含其中執行對於各個DOI位置之偵測及演算法選項之步驟308。在一些例項中,若步驟308之結果不令人滿意,則方法可在其中改變光學器件模式直到步驟308產生令人滿意之結果之一模式迴路中重複步驟302、304(或306)及308。另外,若步驟308之結果不令人滿意,則該方法可在其中改變(若干)演算法之參數直到步驟308產生令人滿意之結果之一演算法迴路中重複步驟304(或306)及308。該方法可接著包含步驟310,其中檢查系統用於判定關於各個模式/演 算法組合之DOI偵測靈敏度且選擇關於全部DOI位置之模式/演算法組合之頂部群組。另外,該方法包含步驟312,其中使用最佳偵測產生(若干)配方。
上文中描述之方法之實施例之各者可包含本文中描述之任何其他(若干)方法之任何其他(若干)步驟。此外,上文中描述之方法之實施例之各者可由本文中描述之系統之任何者執行。
本文中描述之全部方法可包含將方法實施例之一或多個步驟之結果儲存於一電腦可讀儲存媒體中。結果可包含本文中描述之任何結果且可以該技術中已知之任何方式儲存。儲存媒體可包含本文中描述之任何儲存媒體或該技術中已知之任何其他適合儲存媒體。在儲存結果之後,結果可在儲存媒體中存取且由本文中描述之任何方法或系統實施例使用,經格式化以顯示至一使用者,由另一軟體模組、方法或系統等使用。
另一實施例係關於一非暫時性電腦可讀媒體,其儲存用於執行用於判定一晶圓檢查程序之一或多個參數之一電腦實施方法之可執行於一電腦系統上之程式指令。在圖4中展示一此實施例。舉例而言,如圖4中展示,非暫時性電腦可讀媒體400儲存用於執行用於判定一晶圓檢查程序之一或多個參數之一電腦實施方法之可執行於電腦系統404上之程式指令402。電腦實施方法可包含本文中描述之任何(若干)方法之任何(若干)步驟。
實施諸如本文中描述之方法之方法之程式指令402可儲存於非暫時性電腦可讀媒體400上。電腦可讀媒體可係諸如一磁碟或光碟、一磁帶或該技術中已知之任何其他適合非暫時性電腦可讀媒體之一儲存媒體。
可以多種方法(包含基於程序之技術、基於組件之技術及/或目的定向技術等)之任何者實施程式指令。舉例而言,可如所要之使用矩 陣實驗室(Matlab)、可視化基礎語言(Visual Basic)、ActiveX控件(ActiveX controls)、C語言、C++物件(C++ objects)、C#、爪哇豆語言(JavaBeans)、微軟基礎類別(「MFC」)或其他技術或方法學實施程式指令。
電腦系統404可採取多種形式,包含一個人電腦系統、主機電腦系統、工作站、系統電腦、影像電腦、可程式化影像電腦、並行處理器或該技術中已知之任何其他裝置。一般而言,術語「電腦系統」可經廣泛定義以涵蓋具有一或多個處理器之執行來自一記憶體媒體之指令之任何裝置。
一額外實施例係關於經組態以判定一晶圓檢查程序之一或多個參數之一系統。該系統包含經組態以執行步驟分離缺陷,對準(若干)光學影像,判定不同區域座標轉換,判定缺陷之位置及判定本文中進一步描述之一或多個參數之一或多個電腦子系統。(若干)電腦子系統可經組態以如本文中進一步描述之執行此等步驟。
在一實施例中,上文中描述之(若干)電腦子系統包含係一電子設計自動化(EDA)工具之部分之一或多個電腦子系統,且光學晶圓檢查系統及本文中進一步描述之電子束缺陷檢視系統非EDA工具之部分。舉例而言,如圖5中所示,上文中描述之(若干)電腦子系統可包含包含於EDA工具502中之電腦子系統500。EDA工具及包含於此一工具中之(若干)電腦子系統可包含可經組態以執行上文中描述之一或多個步驟之任何市場可購EDA工具。舉例而言,經組態以自關於一晶圓之設計佈局資料選擇(若干)對準目標之(若干)電腦子系統可包含此(此等)電腦子系統。以此方式,可藉由一系統或工具處理設計佈局資料以選擇由另一不同系統或工具使用以判定晶圓檢查系統座標中之實質上精確缺陷位置之(若干)對準目標。
用於選擇(若干)對準目標之(若干)電腦子系統亦可不係一EDA工 具之部分且亦可包含於另一系統或工具中或僅經組態為一獨立式電腦系統。此外,選擇(若干)對準目標之工具或電腦子系統可經組態以藉由儲存或傳送關於(若干)對準目標之資訊至諸如一晶圓廠資料庫之一共享電腦可讀儲存媒體或藉由直接傳輸關於(若干)對準目標之資訊至將使用該資訊之工具而提供該資訊至其他工具,其可如本文中進一步描述之執行。
該系統亦包含經組態以在一晶圓上獲取(若干)對準目標之(若干)光學影像及關於該晶圓之缺陷影像之一光學晶圓檢查系統。此一光學晶圓檢查系統之一實施例在圖5中展示為包含光學子系統504之系統506。光學晶圓檢查系統經組態以使用光掃描晶圓且在掃描期間自晶圓偵測光。舉例而言,如圖5中所示,光學子系統包含光源508,其可包含該技術中已知之任何適合光源。
可將來自光源之光引導至分束器510,該分束器可經組態以將來自光源之光引導至晶圓512。光源可耦合至任何其他適合元件(未展示),諸如一或多個聚光透鏡、準直透鏡、中繼透鏡、物鏡、光圈、光譜濾除器、極化組件及類似者。如圖5中所示,可以一正常入射角將光引導至晶圓。然而,可以任何適合入射角(包含接近正常及傾斜入射)將光引導至晶圓。另外,可以一個以上入射角相繼或同時將光或多個光束引導至晶圓。檢查系統可經組態以任何適合方式在晶圓上方掃描光。
來自晶圓512之光可在掃描期間由光學子系統之一或多個偵測器收集且偵測。舉例而言,呈相對接近正常之角度自晶圓512反射之光(即,當入射角正常時經鏡面反射之光)可穿過分束器510至透鏡514。透鏡514可包含如圖5中所示之一折射光學元件。另外,透鏡514可包含一或多個折射光學元件及/或一或多個反射光學元件。由透鏡514收集之光可聚集至偵測器516。偵測器516可包含該技術中已知之任何適 合偵測器,諸如一電荷耦合裝置(CCD)或另一類型之成像偵測器。偵測器516經組態以產生回應於藉由透鏡514收集之反射光之輸出。因此,透鏡514及偵測器516形成光學子系統之一頻道。光學子系統之此頻道可包含該技術中已知之任何其他適合光學組件(未展示)。偵測器之輸出可包含(例如)影像、影像資料、信號、影像信號或可藉由適合用於一檢查系統中之一偵測器產生之任何其他輸出。
由於圖5中展示之檢查系統經組態以偵測自晶圓鏡面反射之光,所以檢查系統經組態為一明場(BF)檢查系統。然而,此一檢查系統亦經組態以用於其他類型之晶圓檢查。舉例而言,圖5中展示之檢查系統亦可包含一或多個其他頻道(未展示)。其他(若干)頻道可包含本文中描述之任何光學組件,諸如經組態為一散射光頻道之一透鏡及一偵測器。可如本文中描述之進一步組態透鏡及偵測器。以此方式,檢查系統亦可經組態以用於暗場(DF)檢查。
檢查系統之(若干)電腦子系統可使用藉由偵測器516及/或包含於檢查系統中之任何其他偵測器產生之輸出以如本文中描述之偵測晶圓上之缺陷。舉例而言,系統亦可包含耦合至光學子系統之電腦子系統518。以此方式,由光學子系統之(若干)偵測器產生之輸出可提供至電腦子系統518。電腦子系統518可經組態以執行本文中描述之任何其他步驟。
電腦子系統518亦可耦合至非檢查系統之部分之其他電腦子系統(諸如電腦子系統500),其可包含於諸如上文中描述之EDA工具之另一工具中使得電腦子系統518可接收藉由電腦子系統500產生之可包含(例如)關於(若干)對準目標之資訊之輸出。舉例而言,兩個電腦子系統可藉由諸如一晶圓廠資料庫之一共享電腦可讀儲存媒體有效耦合或藉由諸如上文中描述之傳輸媒體之一傳輸媒體耦合使得可在兩個電腦子系統之間傳輸資訊。
圖5中展示之系統亦包含經組態以獲取(若干)對準目標之電子束影像之一電子束缺陷檢視系統。圖5中展示之電子束缺陷檢視系統包含耦合至電腦子系統522之電子顯微鏡筒520。電子顯微鏡筒包含經組態以產生藉由一或多個元件528聚集至晶圓526之電子之電子束源524。電子束源可包含(例如)一陰極源或發射體頂端,且一或多個元件528可包含(例如)一電子槍透鏡、一陽極、一限束光圈、一閘閥、一束電流選擇光圈、一物鏡及一掃描子系統,其等全部可包含該技術中已知之任何適合元件。自晶圓返回之電子(例如,二次電子)可由一或多個元件530聚集至偵測器532。一或多個元件530可包含(例如)一掃描子系統,其可係包含於(若干)元件528中之相同掃描子系統。電子顯微鏡筒可包含該技術中已知之任何其他適合元件。另外,可如2014年4月4日頒予Jiang等人之美國專利第8,664,594號,2014年4月8日頒予Kojima等人之美國專利第8,692,204號,2014年4月15日頒予Gubbens等人之美國專利第8,698,093號及2014年5月6日頒予MacDonald等人之美國專利第8,716,662號中描述之進一步經組態電子顯微鏡筒,該等專利以引用之方式併入宛如完全陳述於本文中。雖然在圖5中將電子顯微鏡筒展示為經組態使得電子以一傾斜入射角經引導至晶圓且以另一傾斜角自晶圓經散射,但應瞭解,電子束可以任何適合角度經引導至晶圓且自晶圓經散射。
電腦子系統522可如上文描述之耦合至偵測器532。偵測器可偵測自晶圓之表面返回之電子藉此形成晶圓之影像。影像可包含本文中描述之電子束影像之任何者。電腦子系統522可經組態以執行本文中描述之任何(若干)步驟。電腦子系統522亦可以如上文中描述之相同方式耦合至諸如EDA工具之電腦子系統500之另一電腦子系統。
圖5中展示之系統亦可包含虛擬檢查系統534。可如本文中進一步描述之組態該虛擬檢查系統。另外,在圖5中展示之實施例中,虛 擬檢查系統可耦合至EDA工具之電腦子系統(例如,使得虛擬檢查系統可自EDA工具接收關於設計及/或(若干)對準目標之資訊)、光學晶圓檢查系統之電腦子系統(例如,使得虛擬檢查系統可接收影像資料、檢查結果及藉由檢查系統產生之任何其他資訊)及電子束缺陷檢視系統之電腦子系統(例如,使得虛擬檢查系統可自電子束缺陷檢視系統接收電子束影像、座標轉換等)。虛擬檢查系統可耦合至如上文中描述之此等電腦子系統。另外,虛擬檢查系統可耦合至電腦子系統使得虛擬檢查系統可發送資訊至其他電腦子系統。虛擬檢查系統可經組態以執行本文中描述之任何(若干)實施例之任何(若干)步驟。
應注意,在本文中提供圖5以通常繪示可包含於本文中描述之系統實施例中之一檢查系統及缺陷檢視系統之一組態。明顯地,可更改本文中描述之檢查及缺陷檢視系統組態以如當設計商業檢查及缺陷檢視系統時正常執行之最佳化檢查系統及缺陷檢視系統之效能。另外,可使用諸如自KLA-Tencor,Milpitas,Calif.市場可購之29xx/28xx系列之工具之一現存檢查系統及/或現存缺陷檢視系統(例如,藉由添加本文中描述之功能性至一現存檢查或缺陷檢視系統)實施本文中描述之系統。對於一些此等系統,可將本文中描述之方法提供為系統之選用功能性(例如,除了系統之其他功能性之外)。替代地,可「從頭開始」設計本文中描述之系統以提供一完全新穎系統。
熟習此項技術者鑒於此描述將瞭解本發明之多種態樣之進一步修改及替代實施例。舉例而言,提供用於使用精確缺陷位置調整晶圓檢查配方之系統及方法。因此,將此描述理解為僅係闡釋性且係為了教示熟習此項技術者實施本發明之一般方式之目的。應瞭解,可如目前較佳實施例採取本文中展示且描述之本發明之形式。元件及材料可取代本文中繪示且描述之該等元件及材料,可反轉部件及程序,且可獨立利用本發明之某些特徵部,熟悉此項技術者在具有本發明之此描 述之益處之後將瞭解全部。可在本文中描述之元件中做出改變而不脫離本發明之精神及範疇,如以下申請專利範圍中所描述。
200‧‧‧結果檔案
202‧‧‧虛擬系統記錄掃描
204‧‧‧步驟
206‧‧‧步驟
208‧‧‧步驟
210‧‧‧步驟
212‧‧‧步驟
214‧‧‧步驟

Claims (21)

  1. 一種用於判定一晶圓檢查程序之一或多個參數之方法,其包括:獲取藉由一晶圓檢查系統產生之一晶圓上之一對準目標之一或多個光學影像;將在該晶圓上經偵測之缺陷分成不同群組,其中該等不同群組位於接近該晶圓上之對準目標之不同子集處;使該對準目標之該一或多個光學影像對準藉由一電子束缺陷檢視系統產生之其等之對應電子束影像;基於該對準步驟之結果判定關於該等對準目標之該等不同子集之不同區域座標轉換,其中該等區域座標轉換界定藉由該電子束缺陷檢視系統判定之座標與藉由該晶圓檢查系統判定之座標之間之關係;基於藉由該電子束缺陷檢視系統判定之該等缺陷之座標及關於該等缺陷經分成之該等不同群組之該等不同區域座標轉換判定晶圓檢查系統座標中之該晶圓上之該等缺陷之位置;及基於藉由該晶圓檢查系統在該等經判定位置處獲取之缺陷影像判定用於關於該晶圓之一檢查程序之一或多個參數,其中使用一或多個電腦系統執行獲取該一或多個光學影像,分離該等缺陷,對準該一或多個光學影像,判定該等不同區域座標轉換,判定該等缺陷之該等位置及判定該一或多個參數。
  2. 如請求項1之方法,其中藉由該晶圓檢查系統在該晶圓上偵測經分成該等不同群組之該等缺陷。
  3. 如請求項1之方法,其中藉由一或多個其他晶圓檢查系統在該晶圓上偵測經分成該等不同群組之該等缺陷。
  4. 如請求項1之方法,其進一步包括自關於該晶圓之設計佈局資料選擇該對準目標。
  5. 如請求項1之方法,其中該對準目標包括重複記憶體區塊之一或多個邊界。
  6. 如請求項1之方法,其中該對準目標包括關於具有一或多個獨特特徵之該晶圓之一設計佈局中之一或多個特徵部。
  7. 如請求項1之方法,其中獲取該對準目標之該一或多個光學影像包括自其中儲存在一掃描期間藉由該晶圓檢查系統關於該晶圓產生之全部影像資料之一儲存媒體獲取該一或多個光學影像。
  8. 如請求項1之方法,其中該一或多個電腦系統包括經組態以藉由自在一掃描期間藉由該晶圓檢查系統關於該晶圓產生之影像資料提取該一或多個光學影像而獲取該對準目標之該一或多個光學影像之一虛擬晶圓檢查系統。
  9. 如請求項1之方法,其中該一或多個電腦系統包括經組態以執行至少該分離該等缺陷步驟之該電子束缺陷檢視系統之一電腦子系統。
  10. 如請求項1之方法,其中藉由該晶圓檢查系統在該晶圓上偵測經分成該等不同群組之該等缺陷,且其中該方法進一步包括使用該電子束缺陷檢視系統獲取該等缺陷之電子束影像。
  11. 如請求項1之方法,其中藉由該晶圓檢查系統在該晶圓上偵測經分成該等不同群組之該等缺陷,且其中該方法進一步包括藉由自該等不同子集之一者中之該對準目標移動至僅對應於該等不同子集之該一者之該等不同群組之一者中之該等缺陷而使用該電子束缺陷檢視系統獲取該等缺陷之電子束影像。
  12. 如請求項1之方法,其中未藉由該晶圓檢查系統在該晶圓上偵測經分成該等不同群組之該等缺陷,且其中該方法進一步包括藉 由使用該電子束缺陷檢視系統在該晶圓上尋找該等缺陷而獲取該等缺陷之電子束影像。
  13. 如請求項1之方法,其中該一或多個電腦系統包括經組態以執行至少該判定該等缺陷之該等位置步驟之一虛擬晶圓檢查系統。
  14. 如請求項1之方法,其中在一光學像素格柵上判定該等晶圓檢查系統座標中之該等缺陷之該等位置。
  15. 如請求項1之方法,其中未藉由該晶圓檢查系統在該晶圓上偵測經分成該等不同群組之該等缺陷,且其中該方法進一步包括使用該電子束缺陷檢視系統在該晶圓上獲取該等缺陷之電子束影像及基於該等晶圓檢查系統座標中之該等缺陷之該等位置使用該晶圓檢查系統獲取該等缺陷影像。
  16. 如請求項1之方法,其中在判定該等晶圓檢查系統座標中之該晶圓上之該等缺陷之該等位置之後獲取該等缺陷影像。
  17. 如請求項1之方法,其中在判定該等晶圓檢查系統座標中之該晶圓上之該等缺陷之該等位置之前獲取該等缺陷影像。
  18. 如請求項1之方法,其中該一或多個參數包括經應用至在該檢查程序期間關於該晶圓產生之輸出之一缺陷偵測演算法之一或多個參數。
  19. 如請求項1之方法,其中該一或多個參數包括使用其在該檢查程序期間關於該晶圓產生輸出之該晶圓檢查系統之一光學子系統之一或多個參數。
  20. 一種非暫時性電腦可讀媒體,其儲存用於執行用於判定一晶圓檢查程序之一或多個參數之一電腦實施方法之可執行於一電腦系統上之程式指令,其中該電腦實施方法包括:獲取藉由一晶圓檢查系統產生之一晶圓上之一對準目標之一或多個光學影像; 將在該晶圓上經偵測之缺陷分成不同群組,其中該等不同群組位於接近該晶圓上之對準目標之不同子集處;使該對準目標之該一或多個光學影像對準藉由一電子束缺陷檢視系統產生之其等之對應電子束影像;基於該對準步驟之結果判定關於該等對準目標之該等不同子集之不同區域座標轉換,其中該等區域座標轉換界定藉由該電子束缺陷檢視系統判定之座標與藉由該晶圓檢查系統判定之座標之間之關係;基於藉由該電子束缺陷檢視系統判定之該等缺陷之座標及關於該等缺陷經分成之該等不同群組之該等不同區域座標轉換判定晶圓檢查系統座標中之該晶圓上之該等缺陷之位置;及基於藉由該晶圓檢查系統在該等經判定位置處獲得之缺陷影像判定用於關於該晶圓之一檢查程序之一或多個參數。
  21. 一種經組態以判定一晶圓檢查程序之一或多個參數之系統,其包括:一光學晶圓檢查系統,其經組態以獲取一晶圓上之一對準目標之一或多個光學影像及關於該晶圓之缺陷影像;一電子束缺陷檢視系統,其經組態以獲取該對準目標之電子束影像;及一或多個電腦子系統,其等經組態以:將在該晶圓上經偵測之缺陷分成不同群組,其中該等不同群組位於接近該晶圓上之對準目標之不同子集處;使該對準目標之該一或多個光學影像對準其等之對應電子束影像;基於該對準步驟之結果判定關於該等對準目標之該等不同子集之不同區域座標轉換,其中該等區域座標轉換界定藉由 該電子束缺陷檢視系統判定之座標與藉由該光學晶圓檢查系統判定之座標之間之關係;基於藉由該電子束缺陷檢視系統判定之該等缺陷之座標及關於該等缺陷經分成之該等不同群組之該等不同區域座標轉換判定晶圓檢查座標系統中之該晶圓上之該等缺陷之位置;且基於藉由該晶圓檢查系統在該等經判定位置處獲得之該等缺陷影像判定用於關於該晶圓之一檢查程序之一或多個參數。
TW103130008A 2013-08-30 2014-08-29 使用精確缺陷位置調整晶圓檢查配方 TWI611488B (zh)

Applications Claiming Priority (6)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US201361872493P 2013-08-30 2013-08-30
US201361872507P 2013-08-30 2013-08-30
US61/872,493 2013-08-30
US61/872,507 2013-08-30
US14/470,916 US9224660B2 (en) 2013-08-30 2014-08-27 Tuning wafer inspection recipes using precise defect locations
US14/470,916 2014-08-27

Publications (2)

Publication Number Publication Date
TW201519346A true TW201519346A (zh) 2015-05-16
TWI611488B TWI611488B (zh) 2018-01-11

Family

ID=52582804

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW103130008A TWI611488B (zh) 2013-08-30 2014-08-29 使用精確缺陷位置調整晶圓檢查配方

Country Status (5)

Country Link
US (1) US9224660B2 (zh)
KR (1) KR102096136B1 (zh)
IL (1) IL244324A0 (zh)
TW (1) TWI611488B (zh)
WO (1) WO2015031781A1 (zh)

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN108463876A (zh) * 2016-01-11 2018-08-28 科磊股份有限公司 为样品产生模拟输出
TWI723291B (zh) * 2017-10-10 2021-04-01 荷蘭商Asml荷蘭公司 度量衡系統及方法與相關之非暫時性電腦可讀媒體
CN112740362A (zh) * 2018-07-20 2021-04-30 Asml荷兰有限公司 用于裸晶片检查的系统和方法
TWI726105B (zh) * 2016-06-01 2021-05-01 美商克萊譚克公司 用於自動產生一晶圓影像以設計座標映射之系統、方法及電腦程式產品

Families Citing this family (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9916965B2 (en) * 2015-12-31 2018-03-13 Kla-Tencor Corp. Hybrid inspectors
US10360477B2 (en) 2016-01-11 2019-07-23 Kla-Tencor Corp. Accelerating semiconductor-related computations using learning based models
KR102290488B1 (ko) * 2016-08-12 2021-08-18 에스케이하이닉스 주식회사 반도체 패턴 계측을 위한 이미지 분석 장치 및 방법과, 이를 이용한 이미지 분석 시스템
JP6614076B2 (ja) * 2016-09-07 2019-12-04 信越半導体株式会社 貼り合わせ用基板の表面欠陥の評価方法
KR20180061556A (ko) 2016-11-29 2018-06-08 삼성전자주식회사 웨이퍼를 검사하기 위한 검사 장치 및 이를 이용한 웨이퍼의 검사 방법
KR102440742B1 (ko) * 2017-05-25 2022-09-05 삼성전자주식회사 반도체 소자 검사 시스템 및 그 동작 방법
US10714366B2 (en) * 2018-04-12 2020-07-14 Kla-Tencor Corp. Shape metric based scoring of wafer locations
US11195268B2 (en) * 2018-05-22 2021-12-07 Kla-Tencor Corporation Target selection improvements for better design alignment
US10867108B2 (en) 2018-09-18 2020-12-15 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Optical mode optimization for wafer inspection
CN112955926A (zh) 2018-10-23 2021-06-11 Asml荷兰有限公司 用于自适应对准的方法和装置
US11276161B2 (en) * 2019-02-26 2022-03-15 KLA Corp. Reference image generation for semiconductor applications
JP7245733B2 (ja) 2019-06-26 2023-03-24 株式会社日立ハイテク ウェハ観察装置およびウェハ観察方法
US11580650B2 (en) 2019-10-01 2023-02-14 KLA Corp. Multi-imaging mode image alignment
CN112735959B (zh) * 2019-10-28 2022-03-18 长鑫存储技术有限公司 晶圆检测方法及晶圆检测装置
US11822232B2 (en) * 2020-07-28 2023-11-21 Synopsys, Inc. Dose information generation and communication for lithography manufacturing systems

Family Cites Families (17)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2002037527A1 (fr) * 2000-11-02 2002-05-10 Ebara Corporation Appareil a faisceau electronique et procede de production de dispositif utilisant cet appareil
JP2003100826A (ja) * 2001-09-26 2003-04-04 Hitachi Ltd 検査データ解析プログラムと検査装置と検査システム
JP4078280B2 (ja) * 2003-10-08 2008-04-23 株式会社日立ハイテクノロジーズ 回路パターンの検査方法および検査装置
US7570796B2 (en) 2005-11-18 2009-08-04 Kla-Tencor Technologies Corp. Methods and systems for utilizing design data in combination with inspection data
US7676077B2 (en) 2005-11-18 2010-03-09 Kla-Tencor Technologies Corp. Methods and systems for utilizing design data in combination with inspection data
JP4533306B2 (ja) * 2005-12-06 2010-09-01 株式会社日立ハイテクノロジーズ 半導体ウェハ検査方法及び欠陥レビュー装置
JP4791840B2 (ja) 2006-02-06 2011-10-12 株式会社日立ハイテクノロジーズ 荷電粒子線装置、走査電子顕微鏡、および試料検査方法
US8698093B1 (en) 2007-01-19 2014-04-15 Kla-Tencor Corporation Objective lens with deflector plates immersed in electrostatic lens field
US8126255B2 (en) 2007-09-20 2012-02-28 Kla-Tencor Corp. Systems and methods for creating persistent data for a wafer and for using persistent data for inspection-related functions
JP5159373B2 (ja) * 2008-03-06 2013-03-06 オリンパス株式会社 基板検査方法
US9710903B2 (en) 2008-06-11 2017-07-18 Kla-Tencor Corp. System and method for detecting design and process defects on a wafer using process monitoring features
JP5357725B2 (ja) 2009-12-03 2013-12-04 株式会社日立ハイテクノロジーズ 欠陥検査方法及び欠陥検査装置
KR101711193B1 (ko) * 2010-06-04 2017-02-28 삼성전자 주식회사 웨이퍼 검사 방법 및 웨이퍼 검사 시스템
JP5303517B2 (ja) 2010-07-15 2013-10-02 株式会社日立ハイテクノロジーズ 荷電粒子線装置、および欠陥観察装置、および管理サーバ
US8664594B1 (en) 2011-04-18 2014-03-04 Kla-Tencor Corporation Electron-optical system for high-speed and high-sensitivity inspections
US8692204B2 (en) 2011-04-26 2014-04-08 Kla-Tencor Corporation Apparatus and methods for electron beam detection
US8716662B1 (en) 2012-07-16 2014-05-06 Kla-Tencor Corporation Methods and apparatus to review defects using scanning electron microscope with multiple electron beam configurations

Cited By (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN108463876A (zh) * 2016-01-11 2018-08-28 科磊股份有限公司 为样品产生模拟输出
CN108463876B (zh) * 2016-01-11 2020-10-09 科磊股份有限公司 为样品产生模拟输出
TWI726105B (zh) * 2016-06-01 2021-05-01 美商克萊譚克公司 用於自動產生一晶圓影像以設計座標映射之系統、方法及電腦程式產品
TWI723291B (zh) * 2017-10-10 2021-04-01 荷蘭商Asml荷蘭公司 度量衡系統及方法與相關之非暫時性電腦可讀媒體
US11175590B2 (en) 2017-10-10 2021-11-16 Asml Netherlands B.V. Low dose charged particle metrology system
US11720030B2 (en) 2017-10-10 2023-08-08 Asml Netherlands B.V. Low dose charged particle metrology system
CN112740362A (zh) * 2018-07-20 2021-04-30 Asml荷兰有限公司 用于裸晶片检查的系统和方法

Also Published As

Publication number Publication date
US9224660B2 (en) 2015-12-29
TWI611488B (zh) 2018-01-11
KR102096136B1 (ko) 2020-04-01
KR20160047549A (ko) 2016-05-02
WO2015031781A1 (en) 2015-03-05
US20150062571A1 (en) 2015-03-05
IL244324A0 (en) 2016-04-21

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TW201519346A (zh) 使用精確缺陷位置調整晶圓檢查配方
TWI686718B (zh) 判定用於樣本上之關注區域之座標
TWI688022B (zh) 於電子束圖像中判定缺陷之位置
TWI546873B (zh) 用於檢查導引重疊計量之方法及系統
TWI701427B (zh) 經組態以偵測一樣品上之缺陷之系統、用於偵測一樣品上之缺陷之方法及其非暫時性電腦可讀媒體
TWI679710B (zh) 用於判定樣品上缺陷之系統、非暫時性電腦可讀媒體及方法
US9401016B2 (en) Using high resolution full die image data for inspection
JP6807844B2 (ja) ビルトインターゲットを用いた検査対デザイン位置揃え
US10365232B2 (en) High accuracy of relative defect locations for repeater analysis
KR20170132841A (ko) 패터닝된 웨이퍼들 상의 결함들의 서브-픽셀 및 서브-해상도 로컬리제이션
US9702827B1 (en) Optical mode analysis with design-based care areas
TW201805893A (zh) 用於大量圖案檢索之檢測及設計間之漂移之自動校正之系統及方法
TW201611148A (zh) 用於在一單一檢驗程序中之多個程序步驟之檢驗
TWI730133B (zh) 在邏輯和熱點檢測中使用z層脈絡以用於改善靈敏度及抑制滋擾的系統及方法
US10151706B1 (en) Inspection for specimens with extensive die to die process variation
TWI751329B (zh) 用於重複缺陷分析之相對缺陷位置之高精準度
TW202141210A (zh) 使用檢測工具以判定用於樣本之類計量(metrology-like)之資訊
US11748871B2 (en) Alignment of a specimen for inspection and other processes