JP5303517B2 - 荷電粒子線装置、および欠陥観察装置、および管理サーバ - Google Patents

Description

本発明は、試料の検査，観察，計測等を行う荷電粒子線装置，欠陥観察装置、およびこれらの装置にネットワークを介して接続された管理サーバに関する。

半導体，フォトマスク，磁気ディスク，液晶ディスプレイ等の製造においては、半導体ウェーハやガラス基板等が用いられている。前記製品の製造工程において、製品製造プロセスの変動、あるいは半導体ウェーハやガラス基板等の表面上の異物やパターン外観不良（以下、欠陥）は、製品不良の原因になる場合がある。このため、上記半導体ウェーハやガラス基板に対しては、製造途中で何らかの検査を行い、製造プロセスでの異常発生を監視することが行われている。何らかの異常が発見されれば、異常の発生原因を迅速に特定し、製造条件を調整あるいは変更し、製造される製品に同じ欠陥が発生しないような対策を講じる。

異常の検知方法としては、外観検査装置による欠陥あるいは異物の検出，測長装置（ＣＤ−ＳＥＭ）によるパターン寸法の変動モニタ、あるいは欠陥レビュー装置による定点観測による欠陥モニタなどの手法が用いられている。ＣＤ−ＳＥＭは、回路パターン上のライン＆スペースやコンタクトホールなどの寸法を計測する装置であり、試料上の複数箇所の寸法を定点観測して、測長値の変動を用いてプロセス異常を検知する。外観検査装置は、試料の画像を取得して、適当な参照画像あるいは隣接する回路パターンとの比較演算により欠陥位置を算出する装置であり、明視野式外観検査装置，暗視野式外観検査装置，走査電子顕微鏡（以下、ＳＥＭ）式外観検査装置等の種類がある。欠陥レビュー装置は、予め定められたレビュー位置を撮像して、得られた画像内に欠陥が存在するかしないか、あるいは存在する欠陥の種類は何かを分析する装置である。定点観測位置に発生する欠陥の種類や欠陥の組成分析を行うことにより、製造プロセスの異常あるいは変動を自動で検知するプロセスモニタリングツールとして用いることが可能となる。

前述のＣＤ−ＳＥＭ，外観検査装置あるいは欠陥レビュー装置をプロセスモニタリングツールとして使用する場合、レシピと呼ばれる計測あるいは検査条件が記述されたソフトウェアを用いて、同じウェーハに対して同一条件の計測あるいは検査を実行している。プロセス条件が変動することによってレシピで想定されていない異常な計測／検査結果が検出されると、装置は、何らかのエラーが発生したと判断して動作を停止してしまう。従って、プロセス条件が変われば、レシピを変更ないし再調整する必要がある。

特許文献１には、レシピに基づいて設定された走査電子顕微鏡の動作条件と当該動作条件の履歴情報を比較し、動作条件の変動量の時間的な推移をモニタ表示することにより、レシピ設定者がレシピ調整の実行タイミングを把握できるように構成したレシピ診断装置が開示されている。当文献に記載された発明によれば、レシピ設定者が適切なタイミングでレシピの調整を行うことが可能となり、結果として、走査電子顕微鏡の自動化率を高い状態に維持することが可能となる。

また、特許文献２には、光露光装置やＥＵＶ装置といった基板処理装置において、基板処理の推移を示す情報，実行した基板処理の内容に関する情報、及び基板処理中に行った各種計測の計測結果を示す計測情報といったログデータを基板処理装置の構成部を示す識別情報と共に記録することにより、ログデータの管理精度を高める発明が開示されている。

特開２０１０−８７０７０号公報 特開２００６−１２８４４７号公報

前述の通り、プロセスモニタリングツールは、製造プロセスでの異常発生を監視する装置であり、これらの装置の性能が何らかの原因で劣化すると、製品異常の見逃しなどが発生し、致命的な工程トラブルを引起こす可能性がある。従って、これらの装置は安定的な稼動が要求される。

よって、装置の異常あるいは異常発生の予兆を検出し、検査または計測にフィードバックする、すなわち検査・計測を中断したり再実行したりする機能は、プロセスモニタリングツールとして使用される装置においては不可欠である。

特許文献１に記載の発明は、レシピ設定時に取得される計測装置あるいはウェーハの状態情報を用いて既設定のレシピ設定値の妥当性を判断するものである。従って、計測あるいは検査実行中に予期せぬ装置性能の劣化が発生した場合の異常検知を行うことはできない。

本発明の目的は、装置の信頼性を低下させる異常または異常発生の予兆を素早く検知できる装置を提供することにある。

本発明では、装置の動作状態を監視するためのモニタリング項目を適当に設定し、検査・計測シーケンスの実行時に当該設定されたモニタリング項目の値と、当該モニタリング項目の履歴情報とを比較し、当該モニタリング項目の履歴情報に対する変動を算出することを特徴とする。算出された変動は、装置操作者に理解できる形式で出力され、異常発生有無の判断を行うための情報として供される。

本発明によれば、装置性能の信頼性低下に起因する異常を早期に検知できるので、レビュー性能の劣化による工程トラブルの増大を未然に防ぐことができる。

半導体ウェーハ製造ラインの例を示す図である。 レビュー装置の構成を示す図である。 実施例１における実施形態の流れを説明する図である。 本発明の高倍率画像取得率の定義を説明する図である。 実施例２における実施形態の流れを説明する図である。 実施例２における実施形態の流れを説明する図である。 実施例２における実施形態の流れを説明する図である。 実施例２における実施形態の流れを説明する図である。 実施例２における実施形態の流れを説明する図である。 本発明のモニタリング項目の例を示す図である。 電子線制御状態をモニタリングする項目を示す図である。 ウェーハアライメントのオフセット量の定義を説明する図である。 ウェーハアライメントの回転量の定義を説明する図である。 ファインアライメント，ＡＤＲの欠陥座標誤差を説明する図である。 対物レンズの励磁電流変化を説明する図である。 履歴情報の保存形式を説明する図である。 本発明のモニタリング判定基準値を設定する画面の例を示す図である。 本発明の表示データを選択する画面の例を示す図である。 本発明のデータの表示条件を設定する画面の例を示す図である。 本発明のデータをグラフ表示する画面の例を示す図である。 本発明のデータリストを一覧表示する画面の例を示す図である。 本発明のアラートを表示する画面の例を示す図である。

本発明の実施形態について、適宜図表を参照しながら詳細に説明する。なお、各図において共通する部分には同一の符号を付し重複した説明を省略する。

まず図１を用いて、半導体ウェーハの製造ラインにて設けられる装置の接続構成の一具体例について説明する。半導体ウェーハの製造ラインは、データ管理サーバ１，半導体ウェーハの製造装置２，検査装置３，レビュー装置４，解析装置５及びレビュー・解析装置６を有し、これらの装置はネットワーク７によって互いに接続されている。

データ管理サーバ１は、検査装置３，レビュー装置４，解析装置５及びレビュー・解析装置６によって得られたデータを管理する。

製造装置２は、露光装置，エッチング装置，成膜装置等の半導体ウェーハの製造に用いられる各種の装置を含む。検査装置３は、半導体ウェーハを検査し、欠陥の位置，欠陥サイズ等を検出する。例えば、半導体ウェーハ上に光のビームスポットをスキャンさせ、その乱反射の強度から欠陥位置を特定する。又は、検査画像のうち参照画像と相違する部分を欠陥と認定し、その欠陥位置を検出する。欠陥の検出方法は既知であり、ここでは詳細に説明しない。検査装置３は、欠陥位置の座標データをデータ管理サーバ１を介して又は直接、レビュー装置４，解析装置５、及びレビュー・解析装置６に送る。

レビュー装置４は、検査装置３によって得られた欠陥位置に基づいて欠陥を表示し観察する。例えば、半導体ウェーハを搭載したステージを移動させ、欠陥位置の座標データに基づいて、この半導体ウェーハ上の対象とする欠陥の位置決めをし、欠陥の観察を行う。

レビュー装置４は、ＳＥＭ，可視光を用いた光学式顕微鏡，紫外光を用いた顕微鏡であってもよく、使用するエネルギーの種類，強さ，可視化する方式によらず、拡大して撮像できる機能を有する装置であればどのようなものであってもよい。解析装置５は、欠陥位置の座標データに基づいて、例えば、ＥＤＸやオージェ電子分光法を用いて元素分析を行う。オージェ電子分光法は、電子線を対象物に照射したときに対象物から放出されるオージェ電子を検出する一般によく知られた元素の解析方法である。レビュー・解析装置６は、欠陥位置の座標データに基づいて、欠陥の観察と元素分析を行う。

なお、これらの検査，観察，分析のための装置は、必ずしも分離している必要は無く、例えば検査とレビュー（観察）とを同一装置内で行えるようにするなど組み合わせるようにしてもよい。ここでは、半導体ウェーハの製造ラインの一例を示したが、装置間でデータの利用が可能であればどのような接続構成であってもよい。

半導体の製造ライン上を流れる試料は、ウェーハが十数枚単位になったロットと呼ばれる単位で管理される。各装置でのウェーハ処理条件もロット単位で設定される場合が多い。プロセスモニタリングの場合には、ウェーハ１枚単位で処理が行われることもあれば、ウェーハが数枚単位でセットになって処理が行われる場合もある。以下の説明では、ロット，ウェーハ１枚，ウェーハ数枚単位のセット等、各装置において搬送から搬出まで、自動的に処理が行われる単数または複数のウェーハのまとまりをセットと呼ぶことにする。

さて、半導体の製造ライン等では図１のように各装置間を試料が工程ごとに流れていくので、ある装置において異常が発生した場合に、早期に異常を検知しないと異常処理された試料は次の工程へ流れてしまう。次の工程へ流れてしまう異常処理された試料が増えるほど、不良品となる確率が増大し、または再処理のコストが増えるので、異常が発生した段階で早期に異常を検知することが重要となる。

そこで本実施形態では、１セットの試料の処理フローの途中、すなわち１セットの試料が装置に搬入されてから搬出されるまでの間に行われるいずれかのステップで、予め作成されたレシピに基づいて実際に設定または算出されたモニタリング項目の値を監視（モニタリング）して、この実際のモニタリング項目の値を、対応する過去の履歴情報と比較して、表示部に表示する。

ここでモニタリング項目とは、撮像手段の動作を評価するために予め決められた項目であって、装置の性能を評価することが可能な項目のことである。例えば、電子光学系に設定された設定値、またはビーム照射位置の位置あわせに用いる調整量、または当該１セットの試料のうち一つの試料に対する処理性能を示す処理結果等をいう。

本実施形態は図１に示す各装置に用いることが可能である。すなわち、製造装置２，検査装置３，レビュー装置４，解析装置５，レビュー・解析装置６等の試料を処理する各装置の動作結果を、各装置内、またはデータ管理サーバ１、またはネットワークで接続された外部の記憶装置（図示省略）に履歴情報として保存しておき、新たな試料を処理する際のモニタリング項目の値とこれに対応する過去の履歴情報と比較して表示する。特にデータ管理サーバ等の遠隔操作装置、すなわちモニタリング対象となる動作をする装置以外の装置によって、モニタリング項目を遠隔的に評価する場合には、履歴情報は遠隔操作装置からの要求に応じて各装置から送信されるようにしてもよいし、各装置の履歴情報をまとめて保存する記憶装置をネットワーク上に設けてもよい。または遠隔操作装置に含まれる記憶装置に履歴情報を蓄えてもよい。

また、このとき表示部は各装置内に有していてもよいし、データ管理サーバ１やネットワークで接続された外部の端末に表示してもよい。外部の端末に表示することで管理者等が製造ラインから離れたところから早期に異常を認識することが可能となる。

本実施形態により異常をリアルタイムで検知することが可能になる。また過去の履歴情報と比較して表示することで、オペレータや管理者が異常を認識することで、異常発生時に処理対象としていた試料に対して早期にフィードバックすることが可能となる。

さらに好ましくは過去の履歴情報と比較して、新たな処理の際のモニタリング項目の値が予め定めた基準幅を超えている場合には、装置が異常と判定し、オペレータに警告を発したり、処理を中断したりするとよい。当該構成により異常が発生したことがオペレータや管理者にとって明白になるので、異常に対する対応を早期に開始することができ、装置異常による影響を低減することができる。

さらに好ましくはこの判定に用いる基準幅、または比較に用いる過去の履歴情報、または判定方法を、ＧＵＩ（Ｇraphical User Interface）を通して設定できるようにするとよい。当該構成により異常とみなす判定基準を所望の基準に設定できるので、装置、工程、試料の種類ごとに柔軟な運用が可能となる。

以下では、レビュー装置における実施例を実施例１で、荷電粒子線装置一般における実施例を実施例２で説明する。さらに実施例３において実施例１，２で用いるＧＵＩの一例を示す。

本実施例では、欠陥レビュー装置への適用例について説明する。

図２を参照して、ＳＥＭを用いたレビュー装置４について説明する。レビュー装置４には、欠陥を検出する外観検査装置から欠陥の位置情報が送信される。さらに当該外観検査装置で検査された１セットの試料が搬送される。レビュー装置は搬送された１セットの試料を格納しておく試料格納手段（図示省略）を備え、この１セットの試料の中から観察を行う試料が順次選択されレビュー装置４の試料準備室（図示省略）を通して試料室まで移動され、試料ステージ１５に戴置される。

本例のレビュー装置４は、撮像装置８を有する。撮像装置８は、電子源９と、以下に説明する電子光学系と、ステージ１５と、検出器２５とを有しこれらはＳＥＭを構成している。

電子線ＥＢを照射する電子光学系は、コンデンサレンズ１０，１１，偏向走査コイル１２，対物レンズ１３，１４を含む。電子源９から発射された電子ビームＥＢは、コンデンサレンズ１０，１１によって収束され、偏向走査コイル１２によって試料上を走査するように偏向される。さらに電子ビームＥＢは、対物レンズ１３，１４によってステージ１５に搭載された試料ＷＦに収束して照射，走査される。この照射によって、試料ＷＦから二次電子や反射電子等の試料の情報をもった二次荷電粒子が放出され、これが検出器２５によって検出される。検出器２５からの出力は、Ａ／Ｄ変換部２１でデジタル化され画像演算部２０によって電子線の走査位置が画素に対応付けて画像が生成される。さらに必要に応じて検査対象の画像と当該欠陥位置に対応する正常部の画像である参照画像の差画像を求めることで、欠陥抽出を行うなどの、画像処理が行われる。画像演算部２０からの出力は、装置全体の制御をする制御部１９を経て、モニタ１７に送られ、試料ＷＦのＳＥＭ画像が表示される。

ユーザは、マウスやコントローラ，操作卓等の入力装置１８を介して欠陥観察条件，動作結果モニタリング条件等の入力項目を入力する。入力パラメータは、制御部１９に送られる。制御部１９は、上記電子光学系を構成するレンズやコイル等を制御する電子光学系制御部２２及び高電圧安定化電源２４に制御信号を送り、ＳＥＭの撮像条件を設定する。この撮像条件に基づいて上記電子光学系の各部が動作することとなる。検査装置３からの欠陥座標データは、図示しないネットワークを介して制御部１９に送られ、この欠陥座標データに基づいて観察位置が決定される。制御部１９は、決定された観察位置に基づいてステージ制御部２３の制御を行う。ステージ１５は、ステージ制御部２３の制御によりＸ，Ｙ方向に移動される。

レビュー装置４は、更に、ハードディスク等の記憶装置１６を有し、取得されたＳＥＭ画像や取得時の装置の動作状態等の履歴情報を記憶装置１６に保存する。

また制御部１９は、装置状態のモニタリングや保存，過去の動作結果との比較，基準を満たすか否かの判定を行うデータ解析演算部２６を有する。データ解析演算部２６は、例えばデータ管理サーバ１の一つの機能としてレビュー装置４とは別に設けられていてもよいし、さらに別に専用のデータ解析演算装置が設けられてもよい。またデータ解析演算部２６はハード実装されてもよいし、レビュー装置内の制御部１９やレビュー装置外に設けられた処理装置にソフトウェアとして実装されてもよい。

図３を用いて本発明で提案するレビュー処理シーケンスの流れの一例を説明する。まず３０１にて、検査装置３から欠陥座標データを取得する。次に、３０２にて搬送された１セットのウェーハから観察するウェーハを選択して試料室に挿入し、３０３にてレシピで予め設定された電子線制御状態に関わる情報に基づき電子光学系制御部２２は電子光学系に含まれるレンズや電極を制御するための電流値または電圧値を設定する。次に、３０４にてウェーハの位置決めを行うためのウェーハアライメントを開始する。次に、３０５にてアライメント座標へステージ移動し、３０６にてアライメント点の座標を検出する。その時、３０７にて、制御部１９を介し、データ解析演算部２６でステージ移動した際の視野中心（ステージ絶対座標）とアライメント点として検出した座標の距離からオフセット量，回転量を算出し、試料と装置の座標原点を対応させる。

次に、３０８にて、欠陥の座標誤差を補正するためのファインアライメントを開始する。３０９にて欠陥座標へステージ移動し、３１０にて欠陥座標を検出する。その時、３１１にて、制御部１９を介し、データ解析演算部２６でステージ移動した際の視野中心の座標と検出した欠陥座標の距離からオフセット量，回転量を算出し、高精度に欠陥座標とステージ座標を調整する。

次に、３１２にてＡＤＲを開始する。ＡＤＲとは自動欠陥レビュー（Automatic Defect Reviewing）のことで、予め得られた欠陥の位置情報を元に、試料上に存在する複数の欠陥位置を自動的に観察する処理である。次に、３１３にて欠陥座標へステージ移動し、３１４にて低倍率画像を取得し、画像処理によって３１５にて欠陥検出したか否かの判定を行う。欠陥を検出しなかった場合は、次の欠陥の座標へステージ移動し、低倍率画像を取得する手順を繰り返す。欠陥を検出した場合は、３１６にて、制御部１９を介し、データ解析演算部２６でステージ移動した際の視野中心の座標と検出した欠陥座標の距離からオフセット量を算出する。次に、３１７にて、欠陥をセンタリング、すなわち視野の中心に移動させ、３１８にて欠陥の詳細な観察に適した倍率で自動的に焦点合わせを行う。この際、３１９にて、制御部１９を介し、データ解析演算部２６に対物レンズの励磁コイルに印加した電流値の変化量を算出し対物レンズを制御する。その後、３２０にて高倍率画像を取得し、３１３〜３２０までを欠陥数分（ｎ回）繰り返す。

全ての欠陥を観察した後、３２１にて、制御部１９を介し、データ解析演算部２６で高倍率画像取得率を算出し記憶装置１６に保存する。以上でＡＤＲを終了する。高倍率画像取得率の定義については後に説明する。

さらに、３２２にて、あらかじめ入力装置１８にて入力された判定基準と過去の高倍率画像取得率の履歴情報を記憶装置から取得する。３２３にて、取得したデータを比較し、基準を越えた場合、３２４にて表示部に異常が発生した旨のアラートを発する。ここで、アラートに関しては、モニタ１７で表示させるだけでなく、データ管理サーバ１などネットワーク７を介して他のシステムを利用したり、警告灯で表示してもよいし、これらの複数の表示部にアラートを出してもよい。

さらにアラートの内容によっては、モニタリング項目に値を再度設定したり、装置が適当な値に微調整して設定したりすることで、装置が自動的に異常対応を行えるようにしてもよい。ただし、この場合においても異常が発生したという記録を残し、ユーザに提示することが望ましい。

３２５にてウェーハアンロードを行う。現在のウェーハに対する高倍率画像取得率の算出・保存ステップ３２１から履歴情報と比較する判定ステップ３２３まで（点線内部）をまとめてモニタリングステップ３２６とする。

以上の流れにより、レビュー性能の劣化につながる異常又は異常の可能性を早期に検出し、工程トラブルの増大を未然に防ぐことが可能となる。

なお、モニタリングステップ３２６は毎回のシーケンス実行に際して必ずしも必要ではない。３２１の後に３２５に進みウェーハアンロードをする、すなわち通常のレビュー処理をし、必要な場合にのみ３２１で算出し保存された高倍率画像取得率がオペレータのＧＵＩ上での操作により適宜読出されて過去の高倍率画像取得率と比較して画面に表示されるようにしてもよい。しかし、モニタリングステップ３２６を行うことで自動的にアラートを出すことができるので、より明白に異常が発生したことをオペレータに伝えることができる。

次に図４を用いて高倍率画像取得率の定義およびその算出方法について説明する。４００にて、欠陥数ｎ個のＡＤＲを開始する場合、まず、４０１にて低倍率画像を取得し、４０２にて画像処理により欠陥検出したか否かを判定する。欠陥検出無しと判定されると、高倍率画像は取得せず、４０３の判定にて次の欠陥がある場合、次欠陥の低倍画像を取得４０１に戻る。４０２で欠陥検出有りと判定した場合、４０４にて検出位置座標を視野中心に移動させ、４０５にて、高倍率画像を取得する。欠陥検出しなかった数をｍとすると、４０６で次欠陥無しと判定されるまで、（ｎ−ｍ）回分、４０５にて高倍率画像を取得し４０７にてＡＤＲを終了することになる。ここで、欠陥数ｎ個に対する高倍率画像取得数（ｎ−ｍ）個の割合、すなわち次式で求められる値を高倍率画像取得率と定義する。

高倍率画像取得率（％）＝（ｎ−ｍ）／ｎ×１００
この場合には、（ｎ−ｍ）個の観察画像の撮像に成功したことになる。

データ解析演算部２６はこの値をモニタリングして、記憶装置１６に保存し、過去の高倍率画像取得率と比較する。この値が、記憶装置１６に保存された過去の高倍率画像取得率に比べて極端に低いようであれば、ＡＤＲ時の欠陥検出モレなどの異常が考えられる。

算出された高倍率画像取得率は、モニタ１７等の表示部に、過去の高倍率画像取得率と比較できるように表示される。例えば実施例３に示すようなＧＵＩが一例として挙げられるが、現在の処理結果と過去の処理結果が比較できるような形式であればよく、これに限られるものではない。

本実施例のレビュー装置により、従来、レシピ設定・変更時、すなわちロット単位でしか評価できなかったプロセスモニタリング装置の動作状態が、１枚のウェーハの検査・計測終了時点で把握できるようになる。従って、同一ロット内のある１枚のウェーハの検査・計測時点で発生した装置の異常を検知して次ウェーハの検査・計測にフィードバックすることが可能となり、異常が発生していた状態で検査・計測が行われた試料の点数を最小限度に抑えることが可能となる。また、異常が発生していた状態で検査・計測が行われた試料で次の工程へ流れる試料の点数を従来よりも大きく低減することが可能となる。

実施例１ではレビュー装置の処理性能を判断する項目として高倍率画像取得率を用いたが、実施例２では試料を処理する際の荷電粒子線装置の動作状態を表すモニタリング項目を評価する例を説明する。

本実施例では、高倍率画像取得率のような装置の最終的な出力性能に関する項目をモニタリングするだけでなく、撮像手段を制御するための設定項目等をモニタリング項目とし、実施例１のモニタリングステップに加えて、一枚の試料の撮像シーケンス中にモニタリングステップを設ける。

当該構成により１枚の試料の処理フローの途中でも装置の異常を検知することができるので、異常が起こった際に処理していた試料が次の工程に進む前に異常に対する処理を行うことができる。さらにモニタリング項目を複数設けることで装置のどの部分に異常が発生したのか、どの処理ステップで異常が発生したのかが分かり、異常の原因を特定することが容易になる。

なお、本発明はレビュー装置に限られるものではないが、以下では荷電粒子線装置の一例としてレビュー装置を挙げて説明する。また以下の説明では実施例１と共通する部分の説明は省略する。

図５（ａ）は、図３に加えて、レビュー装置の電子光学系の制御パラメータや、ビーム照射位置の調整に用いる調整値等をモニタリング項目とした例である。図３と同じステップについては図３と同じ番号を付してあり、説明は省略する。

５１６は図５（ｂ）で詳述する電子線制御状態のモニタリングステップである。具体的には電子線制御状態とはフィラメント電流や、プローブ電流制御電極の電圧，引出電極の電圧，加速電極の電圧，その他電子線の軌道を制御する電極またはコイルに印加する電圧等を指す。モニタリングステップ５１６は、これら電流，電圧の設定された値を電子光学系制御部２２から取得し、記憶装置１６に保存するステップ５０１と、取得した設定値を対応する履歴情報と比較し以上を判定するステップ５０２と、異常が発生したと判定された場合にアラートを出すステップ５０３を含む。

同様の処理を５０４，５０５，５０６にてウェーハアライメントにおけるオフセット量，回転量に対して（モニタリングステップ５１７とする）、５０７，５０８，５０９にてファインアライメントにおけるオフセット量，回転量に対して（モニタリングステップ５１８とする）、５１０，５１１，５１２にて低倍率画像におけるオフセット量，回転量に対して（モニタリングステップ５１９とする）、５１３，５１４，５１５にて対物レンズの励磁電流変化量に対して（モニタリングステップ５２０とする）行う。モニタリングステップ５１６，５１７，５１８はＡＤＲが行われる前に実行されるステップであり、モニタリングステップ５１９，５２０はＡＤＲ処理中に観察位置ごとに行われるステップである。またモニタリングステップ３２６はウェーハ１枚のＡＤＲ終了後に行われるステップである。モニタリングステップ５１６，５１７，５１８，５１９，５２０は図５（ａ）では一部省略して書かれているので、それぞれ図５（ｂ）（ｃ）（ｄ）（ｅ）で詳述する。

図５（ｂ）では電子線制御状態のモニタリングステップ５１６について詳述する。

３０２でウェーハがロードされた後、予め設定された観察条件であるレシピをロードする。レシピには電子光学系の制御パラメータへの入力値が含まれているので、５２２にてこの入力値に基づいて電子光学系の制御パラメータに値を設定する。５０１にて、実際に設定された値を読取り、記憶装置に保存する。記憶装置への保存は次の処理の際に用いる履歴情報として記憶しておくためである。さらに５２３にて、読取ったモニタリング項目に対応する履歴情報を予め定められた判定に用いるデータ数等の条件に基づいて、記憶装置からロードする。判定基準についてもこのステップにおいてロードする。５２４にて、予め定められた判定基準にしたがって、ロードされた履歴情報を統計処理することで平均値や上限値，下限値等を求める。５０２にて、実際に設定された制御パラメータの値と、これに対応するロードされた履歴情報を統計処理によって求められた値と比較する。比較結果は随時モニタ１７等の表示部にグラフやリスト等で過去の履歴情報と比較できるように表示される。またオペレータの操作に応じて必要なときだけ表示するようにしてもよい。

レシピの設定ミスや装置の故障があると、現在のシーケンスで設定された値が履歴情報と大きくずれる。前記判定基準を満たさない場合には異常発生と判定し、５０３にてモニタ１７等の表示部にアラートを出す。前記判定基準を満たす場合、すなわち現在設定されている制御パラメータが基準の範囲内に収まっている場合には当該制御パラメータは正常に設定されたと判定し、次のステップへ進む。

図５（ｃ）はオフセット量，回転量のモニタリングステップである。ウェーハアライメントのモニタリングステップ５１７，ファインアライメントのモニタリングステップ５１８ともに処理は変わらないので、代表してウェーハアライメントの例で説明する。この場合モニタリング項目はオフセット量または回転量である。

アライメント座標検出３０６が終わると、５０４にて検査装置から入力された座標と装置固有の座標の差から、これらの座標系を変換するためのオフセット，回転量が、制御部１９によって算出される。算出されたオフセットと回転量はデータ解析演算部２６によって取得され、記憶装置に保存される。５２５にて過去のオフセット，回転量の履歴情報、および予め設定された判定基準を記憶装置からロードする。５２６にてロードされた履歴情報を判定基準に従って統計処理して、平均値や上限値，下限値等を求める。５０５にて、５０４のステップで算出されたオフセット，回転量を、５２６で統計処理によって求められた値と比較する。比較の結果、前記判定基準を満たさない場合には異常発生と判定し、５０６にてアラートを出す。前記判定基準を満たす場合には正常に設定されたと判定し、次のステップへ進む。

図５（ｄ）では低倍率画像を用いて高倍率画像の中心を欠陥位置に合わせるためのアライメントにおけるモニタリングステップ５１９について説明する。この場合モニタリング項目は欠陥位置の視野中心に対するオフセット量である。低倍率画像から３１５にて欠陥検出が確認されると、５１０にて検出された座標に基づいて、オフセット量を算出し、記憶装置に保存する。５２７にて、データ解析演算部は記憶装置から過去に算出されたオフセット量の履歴情報と、予め定められた判定基準をロードする。５２８にて、前記判定基準に従って、ロードされた履歴情報を統計処理して、平均値や上限値，下限値等を求める。５１１にて、この統計処理された値と現在の処理フローで算出されたオフセット量とを比較し、異常の有無を判定する。比較の結果、前記判定基準を満たさない場合には異常発生と判定し、５１２にてアラートを出す。前記判定基準を満たす場合には正常に設定されたと判定し、次のステップへ進む。

図５（ｅ）では自動焦点合わせの際の対物レンズの励磁電流変化量のモニタリングステップ５２０について説明する。この場合モニタリング項目は励磁電流変化量である。３１８にて、対物レンズのコイルに流す励磁電流を変化させることで焦点位置合わせが行われる。焦点位置合わせが完了すると、５１３にて、合焦点位置にするために流している電流と初期電流量（または所定の基準電流量）との差である励磁電流変化量を算出し、記憶装置に保存する。次に５２９にて励磁電流量の履歴情報と予め定められた判定基準を記憶装置からロードする。５３０にて、前記判定条件に従って、ロードされた履歴情報を統計処理して、平均値や上限値，下限値等を求める。５１４にて、この統計処理された値と現在の処理フローで算出した励磁電流変化量とを比較し、異常の有無を判定する。比較の結果、前記判定基準を満たさない場合には異常発生と判定し、５１５にてアラートを出す。前記判定基準を満たす場合には正常に設定されたと判定し、次のステップへ進む。

このように１セットの試料に対する処理フローの途中で適宜動作結果の判定処理を行うことで、装置のある部分に異常が発生した場合に、最後まで処理を待つことなく即座に異常が検知でき当該異常に応じた対応ができる。

次に、図６を用いて処理性能を判断する項目、すなわちモニタリング項目について説明する。レビュー装置４の動作状態のモニタリングは、モニタリング内容６２に応じて、図５（ａ）のモニタリングステップ５１６−５２０，３２６に示す各処理ステップ６１のタイミングで行う。モニタリング項目６３は、検出できる異常６４の欄で示されたようなＡＤＲミスに繋がる異常を検出することを目的とする。モニタリング項目４３の詳細な内容については後に説明する。

図６に挙げたモニタリング項目は基本的な項目の一例で、例えば電子線の偏向補正量，非点収差量及びプローブ電流値など、装置の性能に影響する計測可能な項目であれば何でも構わない。またモニタリング項目をオペレータが予め設定，選択できるようにしてもよい。

次に、図７を用いて電子線制御状態に関するモニタリング項目について説明する。図７は電子銃内部の構成を示している。ここでは、電子を放出するチップ７０１の先端温度を制御するフィラメント電流値７０２，プローブ電流制御電極７０６に印加する電圧値７０３，プローブ電流範囲を制御する引出し電極７０７に印加する電圧値７０４，制御電極７０８と加速電極７０９の間にかかる加速電圧値７０５をモニタすることで、画質劣化やハード異常の可能性を検出できる。

次に、図８を用いてウェーハアライメントのオフセット量について説明する。ウェーハアライメント座標にステージ移動した際、視野８０１の中心座標８０２（ｘａｂｓ，ｙａｂｓ）からアライメントマークの基準点８０３までの距離（ｄｘ，ｄｙ）をウェーハアライメントのオフセット量と定義し、この値をモニタリングする。正常動作をしている場合、製品の品種，工程が同一であれば、オフセット量は安定している。よって処理中のオフセット量が過去に記憶したオフセット量に対して著しく異なっているようであれば、アライメント座標の誤認識などの異常が考えられる。

次に、図９を用いてウェーハアライメントの回転量について説明する。アライメントパターン９０１と９０２の２点の座標を認識することで、ＸＹ軸９０４を認識する。理想的なステージＸＹ軸９０３に対するアライメントで認識したＸＹ軸９０４から算出される回転角θを回転量と定義し、この値をモニタリングする。正常に試料がステージにセットされ、過去に処理した試料と同じアライメントマークを認識している場合には回転量も過去の履歴に対して大きく変わらない。この回転量が変化するようであれば、アライメントパターンの誤認識やウェーハがステージに適切に固定されていないなどの異常が考えられる。

次に、図１０を用いてファインアライメント及びＡＤＲの低倍率画像取得時における欠陥座標のオフセット量について説明する。低倍率で撮像された参照画像１００１と欠陥画像１００２から得た画像処理結果１００３によって欠陥を検出し、高倍率画像１００４を取得する。この場合、低倍率欠陥画像１００２の視野の中心座標１００６（ｘａｂｓ，ｙａｂｓ）から欠陥検出座標１００５までの距離（ｄｘ，ｄｙ）を欠陥座標のオフセット量と定義し、この値をモニタリングする。このオフセット量が過去のオフセット量に比べて大きく変動しているようであれば、欠陥座標の誤検出などの異常が発生している可能性がある。

次に、図１１を用いて対物レンズの励磁電流値の変化量について説明する。ＳＥＭにおいては、対物レンズの励磁コイル１１０２に電流を流すことによって、磁場１１０３を作り出し、電子線１１０１を収束させる。励磁コイル１１０２に流れる印加電流量１１０７に応じて電子線が最も収束する収束点１１０５を制御範囲１１０６の範囲で移動させることができる。したがって収束点１１０５がウェーハ１１０４の表面に合うように励磁コイル１１０２に流れる印加電流量１１０７を調整することで、自動焦点合わせが実行される。この際、電子線収束点１１０５に対応する励磁コイル１１０２の印加電流量１１０７の変化量、すなわち制御前の印加電流量と制御後（合焦点位置）の印加電流量の差をモニタリングする。例えば制御前の印加電流量Ｉでは収束点が１１０８の位置にあり印加電流量をＩ′にすることで収束点を試料表面上の１１０５の位置に調整する場合にはモニタリングによって得られる値はＩ′−Ｉとなる。装置状態が正常な場合には、試料高さは大きく変動しないのでこの変化量は過去の変化量に対して大きく変わらない。この変化量が、過去の変化量に対して大きく変動しているようであれば、合焦点位置の検出が不適切で画像がぼやけるなど異常が発生している可能性がある。

なお、印加電流量の変化量ではなく、印加電流量自体をモニタリングしてもよい。

上記のように印加電流量の変化量をモニタリングすることで、合焦点位置の制御範囲１１０６における各位置（合焦点探索位置）の電流変化量が分かるので、試料面内の電流変化量の分布から、試料の変形状態や帯電状態に関する情報を得ることも可能となる。

以上、モニタリング項目の一例を説明したが、上記以外のモニタリング項目であっても装置の性能に影響を及ぼし、１セットの試料の処理途中でモニタリングできる値あればよい。

図１２には上記モニタリング項目の履歴情報が記憶されているファイルの内容について説明する。記憶装置に保存されている履歴情報は、図１２のようにログデータの出力日時１２０１とログ識別コマンド１２０２、設定または入出力した入出力データ１２０３が関連付けされて保存されている。この履歴情報は装置の動作が行われるたびに自動的に追記されていくので、ログデータは装置の動作順、すなわちログデータの出力日時順に並んだ状態で保存されることになる。ログ識別コマンド１２０２は装置の動作ごとに識別できるように予め設定されている。例えば図１２の１行目［ＲＥＣＩＰＥ＿ＳＴＡＲＴ］は、図１２の右欄に示すようにレシピ着工開始を表している。また装置の動作に数値データを伴う場合、例えばステージ移動の場合は、図１２の６行目に示すように、ログ識別コマンド１２０２である［ＳＴＡＧＥ＿ＭＯＶＥ］とともに、移動距離または移動先の座標を表す数値が記録される。ここでは３０００００００，１５０００００００が記録されている。

図１２に示したように履歴情報が記録されたファイルには、モニタリング項目ではない情報が多数含まれている。そこで、データ解析演算部は、試料の品種名，工程名，ロットＩＤ名，ウェーハＩＤ，モニタリング項目，日時等のモニタリング項目を表すログ識別コマンドでこれらのログデータの中からモニタリング項目に対応するデータを検索して、モニタリング項目の比較に使うのに必要な数のデータを履歴情報として抽出する。抽出したデータは別に設けられたファイルに保存しておいてもよいし、必要なときにその都度履歴情報のファイルから検索してもよい。抽出したデータを統計処理することで、評価対象のモニタリング項目に対応する平均値，上限値，下限値等の判定基準を算出する。

試料ごとに観察条件は異なるので、モニタリング項目の変動幅も異なる。したがって後に示すように各モニタリング項目の値は、品種名，工程名，ロットＩＤ，ウェーハＩＤ等の試料を特定できる情報に関連付けられるとよい。図１２の３行目に示すように、レシピ着工時には試料を特定する情報が入手される。この例では品種情報，工程情報，ロットＩＤ，スロットＩＤの順にＦＭＥＭ００１，ＳＴＩＥ，Ａ０００１，Ｓｌｏｔ０１というデータが保存されている。以後試料回収を示す［ＷＦ＿ＵＮＬＯＡＤ］が保存されるまでの装置の動作は当該試料に対して行われる。よって、それぞれのログデータは当該ログデータの直前に保存されている［ＷＦ＿ＩＮＦＯ］の情報と関連付けることができる。また、試料を特定する情報が２つ以上入力される場合には、［ＷＦ＿ＬＯＡＤ］と［ＷＦ＿ＵＮＬＯＡＤ］の間に保存されている試料を特定する情報全てと関連付けるようにしてもよい。

以上、本実施例の欠陥レビュー装置は、実施例１のレビュー装置に比べて、装置のある部分に異常が発生した場合に、最後まで処理を待つことなく即座に異常を検知でき当該異常に応じた対応ができるため、異常が発生していた状態で検査・計測が終了した試料の点数をゼロにでき、このような試料が次工程へ流れることを完全に防止できるようになる。また、装置の異常動作やモニタリング結果の異常原因の究明が容易となることから迅速なフィードバックが可能となる。

本実施例では実施例１および実施例２に用いることができるＧＵＩの一例を説明する。

上記実施例１，２では装置の処理性能を判断する項目をモニタリングして記憶し、過去の履歴情報と比較することで異常を早期に検知することを説明した。さらにこの比較結果を以下で説明するＧＵＩをモニタ１７等の表示部に表示させることで装置の異常をオペレータや管理者が容易に認識することができる。

図１３〜図１８を用いてＧＵＩ上における、モニタリング判定条件の設定，データ表示及びアラート表示方法の一例を説明する。図１３では、まずＧＵＩ１３００にて、１３０１，１３０２を選ぶことで、モニタリング結果に対する判定条件の設定を行うか、過去のモニタリング結果をデータ表示するかを選択する。

判定条件設定ボタン１３０１を選択した場合、画面に図１４に示すようなＧＵＩ１４００が表示される。ここでは、製品の品種名１４０１，工程名１４０２，ロットＩＤ１４０３，ウェーハＩＤ１４０４のようなレビューシーケンス開始時に付随して得られる観察試料情報について、絞り込んだ設定ができる。試料の種類によって実施例１，２で説明したモニタリング項目の値の変動幅が異なることが考えられるので、このように試料種類毎に判定条件を決めることで、観察する試料の種類が変わっても適切な条件で異常判定できる。

次に、１４０５にて、管理番号（Ｎｏ）と共にモニタリング項目を設定する。モニタリング項目が実施例２のように複数ある場合には、モニタリング項目によって過去の履歴からの変動幅が異なる場合があるので、このようにモニタリング項目毎に判定基準を定めるようにするとよい。

次に、１４０６にて、最新データや移動平均値など、比較に使用する判定データを選択する条件を設定した後、１４０７にて、任意値や標準偏差に基づいた判定基準値を設定する。任意を選択した場合はＵＣＬ（上限管理限界），ＬＣＬ（下限管理限界）の設定ボックスに上限，下限の基準値を入力する。ここで示す判定方法は一例であって、例えば、工程能力指数（Ｃｐ，Ｃｐｋ）や連，傾向など、様々な統計的品質管理手法に基づく設定を備えてもよい。また、複数の判定アルゴリズムを組み合わせて使用し、複数のアルゴリズムで異常と判断されたときのみ、またはどれか一つのアルゴリズムで異常と判断されたら、アラートを発するようにしてもよい。このように判定に用いるデータや判定アルゴリズムを選択できるようにすることでより柔軟な判定基準を設定することができる。

また、１４０８にて、判定基準値の範囲を外れた場合のアラートメッセージ内容を管理番号（Ｃｏｄｅ）と共に任意に指定ができる。モニタリング項目が複数ある場合には、モニタリング項目毎にアラートメッセージを登録しておくことで、異常が発生したときに異常が発生した部分や異常原因をオペレータが認識しやすくなる。

上記の設定内容を、１４０９にて登録，キャンセル，修正（戻る）を行う。

図１３のＧＵＩ１３００でデータ表示１３０２を選択した場合、図１５に示すようなＧＵＩ１５００が表示される。ＧＵＩ１５００は表示するデータおよび表示形式を選択する画面である。ここでも、製品の品種名１５０１，工程名１５０２，ロットＩＤ１５０３，ウェーハＩＤ１５０４のようなレビューシーケンス開始時に付随して得られる観察試料情報について、絞り込んだ設定ができる。次に、表示させるモニタリング項目１５０５，データ期間の開始日時１５０６，終了日時１５０７，表示させるデータ数１５０８を指定する。上記の条件を設定後、グラフ表示１５０９，データリスト表示１５１０など表示方法を選択する。

図１５のＧＵＩ１５００で、グラフ表示１５０９を選択した場合、図１６に示すようなＧＵＩ１６００が表示される。ここでは、ＧＵＩ１６００で設定した条件に応じたデータがプロットされたグラフ１６０２が表示される。ＧＵＩ１５００で設定した条件は１６０１の欄に表示される。１６０１の欄で品種名や、モニタリング項目等の項目を選択しＧＵＩ１５００を経由せずに直接、表示対象とするデータを変更できるようにしてもよい。このグラフ１６０２では選択された過去の履歴の推移を折れ線１６０３で示しているが、必要に応じて棒グラフ等の別の形式のグラフで表示されてもよい。グラフのＸ軸はモニタリングの時間軸、Ｙ軸はモニタリング値となる。グラフ上には、図１４のＧＵＩ１４００で設定した判定データ１４０６，判定基準値１４０７を基に算出されたデータ平均値１６０４，ＵＣＬ１６０５，ＬＣＬ１６０６が表示され、データ推移と共に判定状況の確認ができる。また、１６０７にて、このグラフをレポートとしてレビュー装置４で直接出力するだけでなく、他の装置でも読み込みができる様々な形式の電子データに変換し、ネットワーク７を介するなどして他のシステムへ出力させることもできる。

ＧＵＩ１５００及び１６００でデータリスト表示１５１０，１６０８を選択した場合、図１７に示すようなＧＵＩ１７００が表示される。ここでは、個々のモニタリング値についての結果と付随情報の一覧１７０１が表示される。またグラフ１６０２と同様に、表示結果は様々な電子データに変換し、レビュー装置４やネットワーク７を介するなどして他のシステムへ出力させることができる。また、ＧＵＩ１５００，１６００，１７００は、必要に応じて切り替えることができる。

モニタリング値が判定基準を越えた場合、図１８に示すようなＧＵＩ１８００が表示される。ＧＵＩ１８００には、判定基準値を越えた日時１８０１，モニタ項目を表すＮo.１８０２，アラートメッセージの管理番号であるＣｏｄｅ１８０３，アラートメッセージ１８０４が、過去に発生したアラートの履歴と共にリスト表示される。過去に発生したアラートの履歴とともに表示することで、今回発生したアラートの発生頻度や、直近に同様のアラートが発生した日時を確認することができ異常対策に役立つ。この結果も、１８０５にて様々な電子データに変換し、レビュー装置４やネットワーク７を介するなどして他のシステムへ出力させることができる。

以上に説明した図１３から図１８のＧＵＩによって装置が検知した異常をオペレータはより容易に認識することができるので、発生した異常に対して迅速に対応することができる。

なお、ＧＵＩ表示は本実施例で挙げた態様に限られるものではなく、オペレータが過去の履歴と現在の装置の動作状態を比較できるようなものであればよい。

またこれらのＧＵＩは装置本体に直結したモニタ１７に表示するだけに限られず、ネットワークでつながった他の装置や、遠隔管理を行う管理用の装置に表示するとよい。当該構成により、他の製造工程で発生した異常も確認できるので、異常の内容に応じて当該他の製造工程に影響が及ぶと判断されたときには処理を中断できる。また遠隔場所から管理者が直接異常を認識することができるので異常の対策が迅速にできる。

以上、本発明の例を説明したが、本発明は上述の例に限定されるものではなく、特許請求の範囲に記載された発明の範囲にて様々な変更が可能であることは当業者に理解されよう。

１ データ管理サーバ
２ 製造装置
３ 検査装置
４ レビュー装置
５ 解析装置
６ レビュー・解析装置
７ ネットワーク
８ 撮像装置
９ 電子源
１０，１１ コンデンサレンズ
１２ 偏向走査コイル
１３，１４ 対物レンズ
１５ ステージ
１６ 記憶装置
１７ モニタ
１８ 入力装置
１９ 制御部
２０ 画像演算部
２１ Ａ／Ｄ変換部
２２ 電子光学系制御部
２３ ステージ制御部
２４ 高電圧安定化電源
２５ 検出器
２６ データ解析演算部
７０１ チップ
７０２ フィラメント電流値
７０３，７０４ 電圧値
７０５ 加速電圧値
７０６ プローブ電流制御電極
７０７ 引出し電極
７０８ 制御電極
７０９ 加速電極
８０１ 視野
８０２ 中心座標
８０３ アライメントマークの基準点
９０１，９０２ アライメントパターン
９０３ 理想的なステージＸＹ軸
９０４ アライメントで認識したＸＹ軸
１００１ 参照画像
１００２ 欠陥画像
１００３ 画像処理結果
１００４ 高倍率画像
１００５ 欠陥検出座標
１００６ 視野の中心座標
１１０１ 電子線
１１０２ 励磁コイル
１１０３ 磁場
１１０４ ウェーハ
１１０５ 収束点
１１０６ 制御範囲
１１０７ 印加電流量
１１０８ 制御前の収束点
１２０１ ログデータ出力日時
１２０２ ログ識別コマンド
１２０３ 入出力データ
１３００，１４００，１５００，１６００，１７００，１８００ ＧＵＩ
１６０２ グラフ
１６０３ 折れ線
１６０４ データ平均値
１６０５ ＵＣＬ
１６０６ ＬＣＬ

Claims (12)

1. 試料台上に載置された試料上の複数箇所に対し一次荷電粒子線を照射して、当該複数箇所の画像を自動的に取得するシーケンスを実行する荷電粒子線装置において、
   前記画像を取得する撮像手段と、
   当該撮像手段を制御する制御手段とを備え、
   当該制御手段は、前記シーケンスの実行時に設定または算出された前記撮像手段のモニタリング項目の値と、当該モニタリング項目の履歴情報とを比較し、当該モニタリング項目の該履歴情報に対する変動を求めることで、欠陥座標の誤検出または欠陥の検出漏れの異常を判定することを特徴とする荷電粒子線装置。
2. 請求項１に記載の荷電粒子線装置において、
   前記変動の時間的な推移が表示される表示手段を備えたことを特徴とする荷電粒子線装置。
3. 請求項２に記載の荷電粒子線装置において、
   前記変動の幅が所定のしきい値を超えた場合に、前記表示手段上にアラートが出力されることを特徴とする荷電粒子線装置。
4. 請求項１に記載の荷電粒子線装置において、
   前記試料台を移動させる試料ステージを備え、
   前記モニタリング項目として、前記一次荷電粒子線照射位置のアライメントに関連する制御パラメータを用いることを特徴とする荷電粒子線装置。
5. 請求項４に記載の荷電粒子線装置において、
   前記モニタリング項目として、前記一次荷電粒子線照射位置の基準位置に対するオフセット量あるいは回転量を用いることを特徴とする荷電粒子線装置。
6. 請求項１に記載の荷電粒子線装置において、
   前記撮像手段は、前記画像を取得するに際し、第１の倍率で撮像される画像を用いて当該第１の倍率よりも高い第２の倍率での撮像の視野中心を決定する２段階の撮像を行い、
   前記モニタリング項目として、前記第１の倍率または第２の倍率での撮像に関連する制御パラメータを用いることを特徴とする荷電粒子線装置。
7. 請求項６に記載の荷電粒子線装置において、
   前記モニタリング項目として、前記撮像時のオートフォーカス精度あるいは前記第２の倍率での撮像の成功率を用いることを特徴とする荷電粒子線装置。
8. 請求項３に記載の荷電粒子線装置において、
   前記しきい値または前記履歴情報との比較方法を設定する設定画面が前記表示手段上に表示されることを特徴とする荷電粒子線装置。
9. 外部の検査装置で取得された所定試料の欠陥位置情報を用い、当該試料の欠陥位置に一次荷電粒子線を照射して、前記欠陥位置の画像を自動的に取得するシーケンスを実行する欠陥観察装置において、
   前記画像を取得する撮像手段と、
   当該撮像手段を制御する制御手段とを備え、
   当該制御手段は、前記シーケンスの実行時に設定または算出された前記撮像手段のモニタリング項目の値と、当該モニタリング項目の履歴情報とを比較し、当該モニタリング項目の該履歴情報に対する変動を求めることで、欠陥座標の誤検出または欠陥の検出漏れの異常を判定することを特徴とする欠陥観察装置。
10. 請求項９に記載の欠陥観察装置において、
    前記シーケンスの実行を制御するレシピ情報が格納される記憶手段を備え、
    前記制御手段は、前記レシピ情報に基づくモニタリング項目の値の設定後に、前記変動の算出処理を実行することを特徴とする欠陥観察装置。
11. 請求項９に記載の欠陥観察装置において、
    複数の前記試料が格納される試料格納手段を備え、
    当該試料格納手段内に格納された一つの試料に対する前記シーケンスの終了後に、前記変動の算出処理を実行することを特徴とする欠陥観察装置。
12. 複数の試料が格納される試料格納手段から搬送される一の試料について、当該試料上の複数箇所に一次荷電粒子線を照射して、当該複数箇所の画像を自動的に取得するシーケンスを実行する荷電粒子線装置と通信回線を介して接続されることが可能な管理サーバにおいて、
    前記シーケンスの実行時に設定または算出される前記荷電粒子線装置のモニタリング項目の履歴情報が格納される記憶手段と、
    前記一の試料に対して設定または算出された前記モニタリング項目の値と前記履歴情報とを比較し、当該モニタリング項目の該履歴情報に対する変動を求めることで、欠陥座標の誤検出または欠陥の検出漏れの異常を判定する演算手段とを備えることを特徴とする管理サーバ。

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