TW202141210A - 使用檢測工具以判定用於樣本之類計量(metrology-like)之資訊 - Google Patents

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Abstract

本發明提供使用一檢測工具以判定用於一樣本之類計量之資訊之方法及系統。一方法包含自包含一檢測子系統之(若干)輸出擷取子系統產生之輸出判定形成於一樣本上之(若干)第一區域中之(若干)第一特徵之第一程序資訊。該方法亦包含自該輸出判定形成於該樣本之(若干)第二區域中之(若干)第二特徵之第二程序資訊及該第一程序資訊之至少一部分。該第二程序資訊之至少一部分係不同於該第一程序資訊之一類型之資訊。該(等)第二特徵之一設計之至少一部分不同於該(等)第一特徵之一設計，且該(等)第一區域及該(等)第二區域在該樣本上相互排斥。

Description

使用檢測工具以判定用於樣本之類計量(METROLOGY-LIKE)之資訊
本發明大體上係關於用於使用一檢測工具以判定用於一樣本之類計量之資訊之方法及系統。
以下描述及實例不因包含於本節中而被承認為先前技術。
製造半導體裝置(諸如邏輯及記憶體裝置)通常包含使用大量半導體製造程序來處理一基板(諸如一半導體晶圓)以形成半導體裝置之各種特徵及多個層級。例如，微影係涉及將一圖案自一倍縮光罩轉移至配置在一半導體晶圓上之一抗蝕劑之一半導體製造程序。半導體製造程序之額外實例包含(但不限於)化學機械拋光(CMP)、蝕刻、沈積及離子植入。可在一單一半導體晶圓上之一配置中製造多個半導體裝置且接著將其分離成個別半導體裝置。
在一半導體製造程序期間之各種步驟中使用檢測程序來偵測倍縮光罩及晶圓上之缺陷以在製造程序中促進較高良率及因此較高利潤。檢測總是係製造半導體裝置(諸如IC)之一重要部分。然而，隨著半導體裝置之尺寸之減小，檢測對於成功製造可接受之半導體裝置變得更重要，因為較小缺陷可引起裝置失效。
缺陷再檢測通常涉及重新偵測由一檢測程序如此偵測之缺陷及使用一高倍放大光學系統或一掃描電子顯微鏡(SEM)以一較高解析度產生關於缺陷之額外資訊。因此，在其中已藉由檢測偵測缺陷之樣本上之離散位置處執行缺陷再檢測。由缺陷再檢測產生之缺陷之較高解析度資料更適合於判定缺陷之屬性，諸如輪廓、粗糙度、更準確之大小資訊等。
在一半導體製造程序期間，計量程序亦用於各種步驟以監視及控制程序。計量程序不同於檢測程序，因為與其中在一樣本上偵測缺陷之檢測程序不同，計量程序用於量測無法使用當前使用之檢測工具判定之樣本之一或多者特性。例如，計量程序用於量測一樣本之一或多個特性，諸如在一程序期間形成於樣本上之特徵之一尺寸(例如線寬、厚度等)使得可自該一或多個特性判定程序之效能。另外，若樣本之一或多個特性不可接受(例如超出該(等)特性之一預定範圍)，則樣本之一或多個特性之量測可用於更改程序之一或多者參數使得由程序製造之額外樣本具有(若干)可接受之特性。
計量程序亦不同於缺陷再檢測程序，因為與其中由檢測偵測之缺陷在缺陷再檢測中重新訪問之缺陷再檢測程序不同，計量程序可在未偵測到缺陷之位置處執行。換言之，與缺陷再檢測不同，對一樣本執行一計量程序之位置可獨立於對樣本執行一檢測程序之結果。特定言之，可獨立於檢測結果來選擇執行一計量程序之位置。另外，由於可獨立於檢測結果而選擇執行計量之樣本上之位置，因此與其中無法判定待對樣本執行缺陷再檢測之位置直至產生樣本之檢測結果且可供使用之缺陷再檢測不同，可在已對樣本執行一檢測程序之前判定執行計量程序之位置。
半導體製造業之演進對良率管理且特定言之對計量及檢測系統提出越來越大的需求。當晶圓大小增加時，臨界尺寸縮小。經濟正推動工業減少達成高良率、高價值生產之時間。因此，最小化自偵測到一良率問題至解決該問題之總時間判定半導體製造商之投資回報率。
因此，檢測系統正在自僅發現缺陷之獨立「工具」演進為一更完整解決方案之部分，其中偵測缺陷、對缺陷進行分類、分析此等結果及建議校正動作係其功能。
既有系統及方法已用於半導體晶圓之自動缺陷檢測。然而，在一高處理量環境下，既有技術系統及方法之檢測參數受到較大限制。例如，量測參數(諸如塗膜厚度或跨晶圓之程序均勻性)耗時且計算昂貴。
因此，開發用於判定不具有上述缺點之一或多者之一樣本之資訊之系統及/或方法將係有利的。
各種實施例之以下描述不以任何方式解釋為限制隨附申請專利範圍之標的。
一實施例係關於一種經組態以用於判定一樣本之資訊之系統。該系統包含經組態以回應於自一樣本偵測之能量而產生輸出之一或多個輸出擷取子系統。該一或多個輸出擷取子系統包含經組態以當在該樣本上掃描該能量時回應於自該樣本偵測之該能量而產生該輸出之至少一部分之一檢測子系統。該系統亦包含經組態以自該輸出判定形成於該樣本上之一或多個第一區域中之一或多個第一特徵之第一程序資訊之一或多個電腦子系統。該一或多個電腦子系統亦經組態以自該輸出及該第一程序資訊之至少一部分判定形成於該樣本上之一或多個第二區域中之一或多個第二特徵之第二程序資訊。該第二程序資訊之至少一部分係不同於該第一程序資訊之一類型之資訊。該一或多個第二特徵之一設計之至少一部分不同於該一或多個第一特徵之一設計。該一或多個第一區域及該一或多個第二區域在該樣本上相互排斥。該系統可如本文所描述進一步組態。
另一實施例係關於一種用於判定一樣本之資訊之電腦實施方法。該方法包含回應於由如上文所描述組態之一或多個輸出擷取子系統自一樣本偵測之能量而產生輸出。該方法亦包含判定如上文所描述之第一程序資訊及第二程序資訊。判定該第一及第二程序資訊由耦合至該一或多個輸出擷取子系統之一或多個電腦子系統執行。
該方法之步驟之各者可如本文進一步描述來進一步執行。該方法可包含本文所描述之任何其它(若干)方法之任何其它(若干)步驟。該方法可由本文所描述之系統之任何者執行。
一額外實施例係關於一種儲存可在一電腦系統上執行以執行用於判定一樣本之資訊之一電腦實施方法之程式指令之非暫時性電腦可讀媒體。該電腦實施方法包含上述方法之步驟。該電腦可讀媒體可如本文所描述進一步組態。該電腦實施方法之步驟可如本文進一步描述來執行。另外，該等程式指令可執行之該電腦實施方法可包含本文所描述之任何其他(若干)方法之任何其他(若干)步驟。
本文中可互換地使用之術語「設計」、「設計資料」及「設計資訊」通常係指一IC或其它半導體裝置之實體設計(佈局)及透過複雜模擬或簡單幾何及布林(Boolean)運算自實體設計導出之資料。設計可包含共同擁有之Zafar等人於2009年8月4日發佈之美國專利第7,570,796號及Kulkarni等人於2010年3月9日發佈之美國專利第7,676,077號中所描述之任何其他設計資料或設計資料代理，該兩個專利以宛如全文闡述引用的方式併入本文中。另外，設計資料可為標準單元庫資料、整合佈局資料、一或多個層之設計資料、設計資料之衍生物及完全或部分晶片設計資料。此外，本文所描述之「設計」、「設計資料」、「設計資訊」係指由半導體裝置設計者在一設計程序中產生之資訊及資料且因此在任何實體樣本(諸如倍縮光罩及晶圓)上印刷設計之前可用於本文所描述之實施例中。
現轉至圖式，應注意圖不按比例繪製。特定言之，一些元件之規模大幅誇大以強調元件之特性。亦應注意圖不按相同比例繪製。可類似地組態之一個以上圖中所展示之元件已使用相同元件符號指示。除非本文另有說明，否則所描述及展示之任何元件可包含任何適合市售元件。
一實施例係關於一種經組態用於判定一樣本之資訊之系統。一般而言，本文所描述之實施例經組態以使用來自半導體晶圓及本文所描述之其他樣本之檢測資料來判定多個程序參數。實施例亦可用作為至其他當前所使用之用於判定來自檢測工具之類計量之結果(即，分析來自一檢測工具之資料以發現程序資訊)之系統及方法(其等可在本技術中指稱「計量檢測」)之延伸及增強。Li等人於2017年5月23日發佈之美國專利第9,658,150號、Li等人於2017年8月29日發佈之美國專利第9,747,520號及Li等人於2020年2月18日發佈之美國專利第10,563,973號中描述當前所使用之用於計量檢測之系統及方法之一些實例，該等專利以宛如全文闡述引用的方式倂入本文中。本文所描述之實施例可如此等專利中所描述進一步組態。
計量檢測係一相當新及尚未廣泛適應之領域。上文所引用之美國專利第9,658,150號中描述之一所提出之系統修改硬體以擴展資訊內容。歸因於資料速率及處理量限制，該方法可相對較快地滿足實體限制，例如吾人每像素可具有一些(例如2或3個)量測量，且此等可以合理努力及硬體之複雜性擴展至(例如) 6個。
計量實踐中存在類似問題，該等問題與本文所描述之實施例具有顯著及明顯差異。下文係計量實踐中之三類解決方案，依時間上自最近至較早出現之順序。一種類係填充，諸如Krishnan於2018年12月4日發佈之美國專利第10,145,674號中所描述，該專利以宛如全文闡述引用的方式併入本文中。此等系統及方法在使用水填充一晶圓上之溝槽(或孔)之前及之後量測目標。另一種類係在不同入射條件(多個入射角(AOI)及方位角)下使用不同方法(例如橢偏儀、反射儀)執行多個量測。一額外種類係前饋，其包含在保存結果(例如沈積層之厚度)之前之一程序步驟處量測目標，接著將來自先前量測之結果作為預定參數饋送至當前層。此等方法與本文所描述之實施例之間的區別將在閱讀以下詳細描述之後易於變得顯而易見。
在一些實施例中，樣本係一晶圓。晶圓可包含半導體技術中已知之任何晶圓。儘管本文可相對於一晶圓或若干晶圓描述一些實施例，但實施例不受限於可使用晶圓之樣本。例如，本文所描述之實施例可用於樣本，諸如倍縮光罩、扁平面板、個人電腦(PC)板及其它半導體樣本。
系統包含經組態以回應於自一樣本偵測之能量而產生輸出之一或多個輸出擷取子系統。一或多個輸出擷取子系統包含經組態以當在樣本上掃描該能量時回應於自樣本偵測之能量而產生輸出之至少一部分之一檢測子系統。圖1中展示此一系統之一實施例。在此實施例中，檢測子系統包含至少一能源及一偵測器。能源經組態以產生引導至一樣本之能量。偵測器經組態以偵測來自樣本之能量及產生回應於經偵測之能量之輸出。
在一實施例中，檢測子系統組態為一光學檢測子系統。例如，在圖1中所展示之系統之實施例中，檢測子系統10包含經組態以將光直接引導至樣本14之一照明子系統。照明子系統包含至少一光源。例如，如圖1中所展示，照明子系統包含光源16。在一實施例中，照明子系統經組態以依可包含一或多個傾斜角及/或一或多個法線角之一或多個入射角將光引導至樣本。例如，如圖1中所展示，來自光源16之光透過光學元件18及接著透鏡20引導至光束分離器21，其依一法線入射角將光引導至樣本14。入射角可包含任何適合入射角，其可取決於(例如)樣本之特性及樣本上待偵測之缺陷而變動。
照明子系統可經組態以在不同時間依不同入射角度將光引導至樣本。例如，檢測子系統可經組態以更改照明子系統之一或多個元件之一或多個特性使得光可依不同於圖1中所展示之入射角之一入射角引導至樣本。在一此實例中，檢測子系統可經組態以移動光源16、光學元件18及透鏡20使得光依一不同入射角引導至樣本。
在一些例項中，檢測子系統可經組態以同時依一個以上入射角將光引導至樣本。例如，照明子系統可包含一個以上照明通道，照明通道之一者可包含如圖1中所展示之光源16、光學元件18及透鏡20且照明通道之另一者(圖中未展示)可包含類似元件，其等可不同或相同組態或可包含至少一光源及可能諸如本文進一步描述之一或多個其他組件。若此光與另一光同時引導至樣本，則依不同入射角引導至樣本之光之一或多個特性(例如波長、偏振等)可不同使得可在(若干)偵測器處辨別彼此依不同入射角度源自樣本之照明之光。
在另一例項中，照明子系統可僅包含一光源(例如圖1中所展示之光源16)且來自光源之光可由照明子系統之一或多個光學元件(圖中未展示)分離成不同光學路徑(例如基於波長、偏振等)。接著，可不同光學路徑之各者中之光引導至樣本。多個照明通道可經組態以在相同時間或不同時間(例如當不同照明通道用於依序照明樣本時)將光直接引導至樣本。在另一例項中，相同照明通道可經組態以在不同時間將光直接引導至具有不同特性之樣本。例如，在一些例項中，光學元件18可組態為一光譜濾波器且光譜濾波器之性質可以多種不同方式(例如藉由換出光譜濾波器)來改變使得不同波長之光可在不同時間引導至樣本。照明子系統可具有本技術中已知之用於將具有不同或相同特性之光依序或同時依不同或相同入射角引導至樣本之任何其他適合組態。
光源16可包含一寬頻電漿(BBP)光源。依此方式，由光源產生且引導至樣本之光可包含寬頻光。然而，光源可包含任何其它適合光源，諸如一雷射。雷射可包含本技術中已知之任何適合雷射且可經組態以產生本技術中已知之任何適合(若干)波長之光。另外，雷射可經組態以產生單色或幾乎單色之光。依此方式，雷射可為一窄頻雷射。光源亦可包含產生多個離散波長或波段之光之一多色光源。
來自光學元件18之光可由透鏡20經由光束分離器21聚焦至樣本14。儘管透鏡20在圖1中展示為一單一折射光學元件，但實際上，透鏡20可包含組合以將光自光學元件聚焦於樣本之若干折射及/或反射光學元件。另外，透鏡20之位置可自圖1中所展示之位置變動。例如，透鏡20可定位於光自光束分離器21至樣本14之路徑中使得其將光聚焦至樣本且亦收集來自樣本之光。若透鏡20或另一或若干透鏡位於光束分離器21與樣本之間，則此(等)透鏡可指稱一物鏡。透鏡20亦可由位於各種位置中之多個元件(諸如元件18之前之一第一透鏡及元件18之後之另一透鏡，其等組合以有效地將來自光源16之光輸送至樣本14)替換或組成。照明子系統可包含任何或所有此等透鏡，其等一般由圖1中之透鏡20表示。
圖1中所展示及本文所描述之照明子系統可包含任何其他適合光學元件(圖中未展示)。此等光學元件之實例包含(但不限於)(若干)偏振組件、(若干)光譜濾波器、(若干)空間濾波器、(若干)反射光學元件、(若干)變跡器、(若干)光束分離器、(若干)孔徑及其類似者，其等可包含本技術中已知之任何此等適合光學元件。另外，系統可經組態以基於待用於檢測之照明之類型來更改照明子系統之元件之一或多者。
檢測子系統亦可包含經組態以引起光在樣本上掃描之一掃描子系統。例如，檢測子系統可包含檢測期間樣本14放置於其上之載台22。掃描子系統可包含可經組態以移動樣本使得光可在樣本上掃描之(包含載台22之)任何適合機械及/或機器人總成。另外或替代地，檢測子系統可經組態使得檢測子系統之一或多個光學元件在樣本上執行光之一些掃描。光可依任何適合方式在樣本上掃描。
檢測子系統進一步包含一或多個偵測通道。該一或多個偵測通道之至少一者包含經組態以歸因於由檢測子系統對樣本之照明而偵測來自樣本之光且回應於經偵測之光而產生輸出之一偵測器。例如，圖1中所展示之檢測子系統包含兩個偵測通道，一偵測通道由集光器24、元件26及偵測器28形成且另一偵測通道由集光器30、元件32及偵測器34形成。集光器24及/或集光器30可經組態以依分別最佳適於偵測器28及/或偵測器24之一方式操縱來自樣本之光。集光器24及30亦可指稱管透鏡或中繼透鏡。如圖1中所展示，兩個偵測通道經組態以依不同收集角收集及偵測光。在一些例項中，一偵測通道經組態以偵測鏡面反射光，且另一偵測通道經組態以自樣本偵測非鏡面反射(例如散射、繞射等)光。然而，偵測通道之兩者或兩者以上可經組態以自樣本偵測相同類型之光(例如鏡面反射光)。儘管圖1展示包含兩個偵測通道之檢測子系統之一實施例，但檢測子系統可包含不同數目個偵測通道(例如僅一偵測通道或兩個或更多個偵測通道)。儘管集光器之各者在圖1中展示為單一折射光學元件，但實際上，集光器之各者可包含一或多個折射光學元件及/或一或多個反射光學元件。
一或多個偵測通道可包含任何適合偵測器，諸如光電倍增管(PMT)、電荷耦合裝置(CCD)及時間延遲積分(TDI)攝影機。偵測器亦可包含非成像偵測器或成像偵測器。若偵測器係非成像偵測器，則偵測器之各者可經組態以偵測光之某些特性(諸如強度)但不可經組態以偵測此等特性(諸如依據成像平面內之位置而變)。因此，由包含於檢測子系統之偵測通道之各者中之偵測器之各者產生之輸出可為信號或資料，但並非影像信號或影像資料。在此等例項中，系統之一電腦子系統(諸如電腦子系統36)可經組態以自偵測器之非成像輸出產生樣本之影像。然而，在其他例項中，偵測器可組態為經組態以產生成像信號或影像資料之成像偵測器。因此，檢測子系統可經組態以以若干方式產生本文所描述之輸出。
儘管如上文所描述，圖1展示經組態用於法線入射照明之一照明通道及經組態用於偵測來自樣本之光之不同偵測通道，但存在落入本發明之範疇內之所繪示之檢測子系統之許多變體。不同檢測系統組態或多或少適合於不同目的。例如，如圖1中所展示，包含集光器30、元件32及偵測器34且經組態以偵測自樣本散射之光之偵測通道(即，一傾斜收集通道)可適合成像在樣本上照明之一實質上窄線。然而，對於使用TDI或CCD攝影機作為偵測器之情況，從一光學工程之角度出發，以傾斜角(相對於樣本之法線)成像可為一缺點。因此，在此等情況中，檢測子系統自圖1中所展示之檢測子系統之一適合變體可為將偵測器34替換為一光源(用於傾斜照明)，其中來自此照明通道之光之收集/成像由包括偵測器28之偵測通道執行。接著，此一系統可包括不同照明通道，且歸因於不同照明通道，來自樣本之光可由一單一偵測通道使用空間分離或時間多工來單獨偵測以區分光來自光源16或34 (當偵測器34替換為一光源時)。
應注意本文提供圖1以通常繪示可包含在本文描述之系統實施例中之一檢測子系統之一組態。顯然，可更改本文所描述之檢測子系統組態以最佳化當設計一商業檢測系統時通常執行之系統之效能。另外，本文所描述之系統可使用一既有檢測系統(例如通過將本文所描述之功能性添加至一既有檢測系統)來實施，諸如可自KLA Corp., Milpitas, Calif購得之29xx及39xx系列工具。就一些此等系統而言，本文所描述之方法可提供為系統之可選功能性(例如除系統之其他功能性之外)。替代地，本文所描述之系統可「從頭開始」設計以提供一全新系統。
系統之電腦子系統36可以任何適合方式(例如經由一或多個傳輸媒體，其可包含「有線」及/或「無線」傳輸媒體)耦合至檢測子系統之偵測器，使得在樣本之掃描期間，電腦子系統可接收由偵測器產生之輸出。電腦子系統36可經組態以使用如本文所描述之偵測器之輸出執行若干功能及本文進一步描述之任何其他功能。此電腦子系統可如本文所描述進一步組態。
此電腦子系統(以及本文所描述之其他電腦子系統)亦可在本文中指稱(若干)電腦系統。本文所描述之該(等)電腦子系統或系統之各者可採取各種形式，包含一個人電腦系統、影像電腦、主機電腦系統、工作站、網路設備、網際網路設備或其他裝置。一般而言，術語「電腦系統」可被廣泛界定為涵蓋具有執行來自一記憶體媒體之指令之一或多個處理器之任何裝置。該(等)電腦子系統或系統亦可包含本技術中已知之任何適合處理器，例如一平行處理器。另外，該(等)電腦子系統或系統可包含具有高速處理及軟體之一電腦平台作為一獨立或一網路工具。
若系統包含一個以上電腦子系統，則不同之電腦子系統可彼此耦合使得可在電腦子系統之間發送影像、資料、資訊、指令等，如本文進一步描述。例如，電腦子系統36可由可包含本技術中已知之任何適合有線及/或無線傳輸媒體之任何適合傳輸媒體耦合至(若干)電腦子系統102 (如由圖1中之虛線展示)。兩個或更多個此等電腦子系統亦可由一共用電腦可讀儲存媒體(圖中未展示)有效地耦合。
在另一實施例中，檢測子系統組態為一電子束檢測子系統。在圖2中所展示之一此實施例中，電子束檢測子系統包含耦合至電腦子系統124之電子柱122。亦如圖2中所展示，電子柱包含經組態以產生由一或多個元件130聚焦於樣本128之電子之電子束源126。電子束源可包含(例如)一陰極源或射極尖端，且一或多個元件130可包含(例如)一槍透鏡、一陽極、一射束限制孔徑、一閘閥、一射束電流選擇孔徑、一物鏡及一掃描子系統，所有此等元件均可包含本技術中已知之任何此等適合元件。
自樣本返回之電子(例如二次電子)可由一或多個元件132聚焦於偵測器134。一或多個元件132可包含(例如)一掃描子系統，其可為包含於(若干)元件130中之相同掃描子系統。
電子柱可包含本技術中已知之任何其他適合元件。另外，電子柱可如Jiang等人於2014年4月4日發佈之美國專利第8,664,594號、Kojima等人於2014年4月8日發佈之美國專利第8,692,204號、Gubbens等人於2014年4月15日發佈之美國專利第8,698,093號及MacDonald等人於2014年5月6日發佈之美國專利第8,716,662號中所描述進一步組態，該等專利以宛如全文闡述引用的方式併入本文中。
儘管電子柱在圖2中展示為經組態使得電子依一傾斜入射角引導至樣本且依另一傾斜入射角自樣本散射，但電子束可依任何適合角度引導至樣本且自樣本散射。另外，基於電子束之工具可經組態以使用多種模式來產生樣本之影像(例如具有不同照明角、收集角等)。基於電子束之工具之多種模式在工具之任何影像產生參數中可不同。
電腦子系統124可如上文所描述耦合至偵測器134。偵測器可偵測自樣本之表面返回之電子，藉此形成樣本之電子束影像。電子束影像可包含任何適合電子束影像。電腦子系統124可經組態以使用偵測器之輸出及/或電子束影像來執行本文所描述之功能之任何者，其可如上文所描述或以任何其他適合方式執行。電腦子系統124可經組態以執行本文所描述之任何額外(若干)步驟。包含圖2中所展示之電子束檢測子系統之系統可如本文所描述進一步組態。
應注意本文提供圖2以通常繪示可包含於本文所描述之實施例中之一電子束檢測子系統之一組態。如同上文所描述之光學檢測子系統，本文所描述之電子束檢測子系統組態可更改以最佳化如當設計一商業檢測系統時通常執行之電子束檢測子系統之效能。另外，本文所描述之系統可使用一既有電子束檢測子系統(例如藉由將本文所描述之功能性添加至一既有電子束檢測子系統)來實施。對於一些此等系統，本文所描述之方法可提供為系統之可選功能性(例如除系統之其他功能性之外)。替代地，本文所描述之系統可「從頭開始」設計以提供一全新系統。
儘管檢測子系統在上文中描述為一光學或電子束檢測子系統，但檢測子系統可為一離子束檢測子系統。除電子束源可替換為本技術中已知之任何適合離子束源之外，此一檢測子系統可如圖2中所展示組態。另外，檢測子系統可為諸如包含於商用聚焦離子束(FIB)系統、氦離子顯微鏡(HIM)系統及二次離子質譜儀(SIMS)系統中之任何其它適合離子束工具。
如上文所述，檢測子系統可經組態以將能量(例如光、電子)引導至樣本之一實體版本及/或在樣本之一實體版本上掃描，藉此產生樣本之實體版本之實際影像。依此方式，檢測子系統可組態為「實際」系統而非「虛擬」系統。圖1中所展示之一儲存媒體(圖中未展示)及(若干)電腦子系統102可組態為一「虛擬」系統。Bhaskar等人於2012年2月28日發佈之美國專利第8,126,255號及Duffy等人於2015年12月29日發佈之美國專利第9,222,895號中描述組態為「虛擬」檢測系統之系統及方法，該兩個專利以宛如全文闡述引用的方式併入本文中。本文所描述之實施例可如此等專利中所描述進一步組態。
本文所描述之檢測子系統可經組態以以多個模式產生樣本之輸出(例如影像)。一般而言，一「模式」由用於產生一樣本之影像之檢測子系統之參數之值或用於產生樣本之影像或執行樣本之其他功能之輸出來界定。因此，不同之模式在檢測子系統之參數之至少一者之值中可不同。依此方式，輸出可由檢測子系統使用檢測子系統之一參數之兩個或更多個不同值來產生。例如，在一光學檢測子系統中，不同模式可使用不同波長之光進行照明。如本文進一步所述(例如藉由使用不同光源、不同光譜濾波器等)對於不同模式，模式在照明波長中可不同。在檢測子系統之一或多個收集/偵測參數中，此等模式亦可或可替代地不同。
依一類似方式，由電子束檢測子系統產生之輸出可包含由電子束檢測子系統產生之具有電子束檢測子系統之一參數之兩個或更多個不同值之輸出(例如影像)。電子束檢測子系統之多個模式可由用於產生一樣本之輸出及/或影像之電子束檢測子系統之參數之值界定。因此，不同之模式在電子束檢測子系統之電子束參數之至少一者之值中可不同。例如，不同模式可使用不同照明。
在一實施例中，一或多個輸出擷取子系統包含經組態以藉由在樣本上之量測點處執行量測來產生輸出之至少另一部分之一計量工具。在半導體製造中，計量及檢測通常被視為單獨領域。例如，通常校準計量至一參考標準，且通常藉由比較自接近結構(例如在晶粒內、晶粒至晶粒等)所獲取之信號結果(輸出、信號、影像等)或相對於一所儲存之參考(透過模擬或以其他方式合成而記錄或產生)來執行檢測。本文所提供之相關技術之描述中描述檢測與計量之間的額外差異。
計量工具可具有本技術中已知之任何適合組態。在一實例中，本文所描述之光學及電子束檢測子系統可在一或多個參數中修改使得其等可組態及用作為計量工具。特定言之，本文所描述及圖1及圖2中所展示之檢測子系統之實施例可在一或多個參數中修改以取決於其等將使用之應用而提供不同能力。在一此實例中，如圖1及圖2中所展示之檢測子系統用於計量而非檢測，則其等可經組態以具有一較高精確度。換言之，圖1及圖2中所展示之檢測子系統之實施例描述可以對於熟習技術者顯而易見之若干方式調整之一些一般及各種組態以產生或多或少適合於不同應用(諸如檢測及/或計量)之具有不同能力之子系統。另外，若相同子系統具有可變硬體設定使得其可用於檢測及計量兩者，則相同子系統可用於產生本文所描述之檢測子系統輸出及計量資料。
接著，本文所描述之檢測子系統可經組態以在一樣本之檢測期間產生不同於計量期間之輸出。例如，即使本文所描述之檢測子系統可經組態以在一檢測程序期間具有使其顯現為適合於計量之輸出產生參數，檢測子系統仍經組態具有其它輸出產生參數以達成檢測程序之預定處理量。在一此實例中，檢測工具通常經組態以具有比計量工具高很多之空間解析度。然而，計量工具通常經組態以提供高很多之品質之資料。就「高品質」而言，存在應用於計量輸出之兩個態樣：(a)各量測點更多資訊(諸如穆勒(Mueller)矩陣偏振資訊、寬波長範圍及解析度之光譜等)，及(b)通常較高精確度(即，一較低雜訊位準)。因此，計量工具可各量測點獲取更多資訊但每秒僅可測試一些量測點，因此相對較高空間解析度係負擔不起或不實用。相比而言，檢測工具每秒可測試數百萬個點且因此可提供負擔得起、相對較高之空間解析度輸出但作為一折衷，在各點獲取實質上有限資訊。
然而，圖3展示可如本文所描述對樣本執行量測之一計量工具之另一實施例。在一光學計量工具之情況中，計量工具可包含經組態以將具有一或多個照明波長之光引導至一樣本之一照明子系統。例如，在圖3中所展示之計量工具實施例中，計量工具300之照明子系統包含光源302，其可包含本文所描述之光源之任何者。由光源302產生之光可透過照明子系統之一或多個光譜濾波器304引導。(若干)光譜濾波器304可如本文進一步描述組態。照明子系統亦可包含經組態以將來自該(等)光譜濾波器之光反射至照明子系統之物鏡308之光束分離器306。光束分離器306及物鏡308可如本文所描述進一步組態。物鏡308經組態以將具有一或多個照明波長之光自光束分離器聚焦至可包含本文所描述之樣本之任何者之樣本310。
在一實施例中，光源302可為一寬頻光源，且一或多個光譜濾波器304可定位於來自寬頻光源之光之一路徑中。因此，計量工具可包含具有一可選擇波長範圍之一寬頻源以透過波長相依濾波器進行照明。例如，可藉由改變或移除定位於來自光源之光之路徑中之該(等)光譜濾波器來更改引導至樣本之該(等)波長。依此方式，計量工具可經組態以具有可取決於樣本上之材料而改變之(若干)彈性的照明波長。
計量工具亦可將較窄或經修改之帶通濾波器併入照明子系統中。例如，(若干)光譜濾波器304可為(若干)干擾濾波器。依此方式，計量工具可包含具有一可選擇波長範圍之一寬頻源用於透過干擾濾波器照明。此等濾波器可補充或替換當前用於工具中之帶通濾波器。
光源302亦可包含窄頻及/或(若干)雷射光源，包含本技術中已知之任何適合此等光源，諸如一或多個二極體雷射、二極體泵浦固態(DPSS)雷射、氣體雷射等。另外，本文所描述之照明子系統可包含呈任何適合組合之任何數目個寬頻、窄頻及雷射源。此外，光源可為準單色光源。因此，光源及計量工具組態之許多不同組合可行且可取決於(例如)待由工具量測之樣本及/或樣本特性來選擇。
照明子系統可以若干不同方式組態以選擇照明角度及/或偏振。例如，可藉由改變照明子系統之一光源之一位置或藉由控制影響照明角度之照明子系統之一或多個其他元件來改變或選擇照明角度。更改或選擇之照明角度可為入射光之極角及/或方位角。另外，可藉由選擇發射具有選定偏振之光之一光源或者藉由使一或多個偏振選擇/替代/濾波元件包含於由光源發射之光之路徑中來選擇照明偏振。
計量工具亦包含經組態以偵測來自樣本之光之一偵測子系統。如圖3中所展示，偵測子系統包含經組態以自樣本310收集光之物鏡308。在本實施例中，所收集之光可包含鏡面反射光。然而，替代地或另外，所收集之光可包含散射光。偵測子系統亦可包含經組態以傳輸由物鏡收集之光之光束分離器306。
在一些情況中，偵測子系統包含經組態以自具有一或多個波長之光束分離器306傳輸光之光束分離器312。偵測子系統亦可包含可如本文進一步描述組態且可傳輸具有一或多個選定波長之光之一或多個帶通濾波器314。光束分離器306、光束分離器312及(若干)帶通濾波器314可經組態以選擇性地傳輸具有一或多個選定波長之光且將不具有一或多個選定波長之光反射或以其他方式阻擋在偵測子系統之偵測路徑之外使得其等不被偵測器316偵測。
在一些例項中，偵測子系統包含一或多個帶通濾波器318及偵測器320。在圖3中所展示之組態中，將由光束分離器312反射之光引導至一或多個帶通濾波器318，且由一或多個帶通濾波器傳輸之光由偵測器320偵測。(若干)帶通濾波器318及偵測器320可如本文所描述進一步組態。光束分離器312可經組態傳輸具有一或多個第一波長之光且反射具有不同於該(等)第一波長之一或多個第二波長之光。依此方式，偵測器316及320可偵測具有不同波長之光。
如圖3中所展示，照明及偵測子系統均可包含使其成為一共同物鏡之物鏡308及使其成為一共同雙色鏡或光束分離器之光束分離器306。另外，本文所描述之任何光束分離器可替換為反射特定波長帶之光且傳輸對應帶外光之雙色鏡。此等組態可增加輸送至樣本之光之量且增加偵測信號之純度。
在一實施例中，藉由基於樣本上之一或多個材料、經量測之樣本之一或多個特性或其等之一些組合更改偵測子系統之一或多個參數來選擇由偵測子系統偵測之一或多個波長之光。因此，如同照明波長範圍，可取決於經量測之樣本材料及該(等)樣本特性來調整偵測波長範圍。由偵測子系統偵測之該(等波長可如本文所描述(例如使用(若干)帶通濾波器)或以本技術中已知之任何其他適合方式更改。
計量工具可包含透過雙色及帶通濾波器組件之適合選擇來成像變化波長範圍之多個平行成像通道。在圖3中所展示之實施例中，通道之一者可包含(若干)帶通濾波器314及偵測器316且通道之另一者可包含(若干)帶通濾波器318及偵測器320。另外，計量工具可包含兩個以上通道(例如藉由將一或多個額外光束分離器(圖中未展示)插入來自樣本之光之路徑中，光束分離器之各者可耦合至一偵測器(圖中未展示)及可能光譜濾波器(圖中未展示)及/或其他光學元件(圖中未展示))。包含(若干)帶通濾波器314及偵測器316之通道可經組態以偵測一第一波長帶中之光且包含(若干)帶通濾波器318及偵測器320之通道可經組態以偵測一第二波長帶中之光。依此方式，不同波長範圍之光可由不同通道同時偵測。另外，不同波長範圍可互斥(例如由一或多個波長分離)或可完全重疊(例如一波長範圍可完全在另一波長範圍內)或部分重疊(例如多個波長範圍可包含相同之一或多個波長，但一第一波長範圍中之至少一些波長與一第二波長範圍中之至少一些波長互斥，且反之亦然)。在一些實施例中，偵測子系統包含經組態以跨一波長範圍量測來自樣本之光之一特性之一光譜儀。例如，偵測器316及320之一或多者可為一光譜儀。
如上文所描述，偵測子系統可經組態以基於光之波長選擇性地及單獨地偵測來自樣本之光。依一類似方式，容若照明子系統經組態用於選擇性照明角度及/或偏振，則偵測子系統可經組態用於基於來自樣本之角度(或收集角度)及/或偏振來選擇性偵測光。例如，偵測子系統可包含可用於控制由偵測子系統偵測之光之收集角度之一或多個孔徑(圖中未展示)。在另一實例中，偵測子系統可包含可用於控制由偵測子系統偵測之光之偏振之來自樣本之光之路徑中之一或多個偏振組件(圖中未展示)。
在一此變體中，計量工具可自圖3中所展示之工具變動，使得來自光源302之所有波長之光發送至樣本310。接著，波長通常經由(若干)光譜儀在該(等)偵測器處分離。若依此方式組態計量工具，則其可不包含(若干)光譜濾波器304及帶通濾波器314及318。此一組態對於光效率可具有優點，因為替代阻擋光源處之大多數波長，計量系統可使其全部通過系統且經由(若干)光譜儀同時偵測該(等)偵測器處之所有波長。此組態對於計量工具係可行的，因為計量工具通常一次測試一點。另一方面，檢測工具幾乎總是在成像模式下運行且因此可負擔不起在偵測器處進行波長分析。因此，在檢測系統中，一波長濾波器可用於照明通道中。
在另一此變體中，(若干)光譜濾波器304及帶通濾波器314及318可替換為偏振元件。例如，替代(若干)光譜濾波器，元件304可為一偏振控制器(諸如一偏光器)且替代帶通濾波器，元件314及318可為分析器。在此一計量工具組態中，偵測器316及320可組態為光譜儀(將波長扇出至一陣列偵測器)。
計量工具亦包含經組態以回應於經偵測之光而使用由偵測子系統產生之輸出來產生樣本之計量資料之一電腦子系統。例如，計量工具可包含可如上所描述耦合至偵測器316及320之電腦子系統322，使得電腦子系統可接收由偵測子系統之偵測器產生之輸出。偵測器之輸出可包含(例如)信號、影像、資料、影像資料及其類似者。例如，上述偵測子系統之該(等)偵測器可為經組態以捕獲樣本之(若干)影像之成像偵測器。電腦子系統可如本文所描述進一步組態。計量資料可為本文所描述之計量資料之任何者。計量資料可儲存於(或輸出為)一計量結果檔案中。
應注意本文提供圖3以通常繪示本文所描述之計量工具實施例之一些組態。顯然，本文所描述之計量工具組態可更改以最佳化計量工具之效能，如通常在設計一商用計量工具時所執行。另外，本文所描述之計量工具可包含一既有計量工具(例如藉由將本文所描述之功能性添加至一既有計量工具中)，諸如可自KLA購得之Archer、ATL、SpectraShape、SpectraFilm、Aleris、WaferSight、Therma Probe、RS-200及Profiler工具。對於一些此等系統，本文所描述之方法可提供為既有計量工具之可選功能性(例如除既有工具之其他功能性之外)。替代地，本文所描述之計量工具可「自頭開始」設計以提供一全新系統。
儘管圖3中所展示之計量工具係一基於光之或光學之工具，但計量工具可經組態以亦或替代地使用一不同類型之能量來執行本文所描述之量測。例如，計量工具可為一電子束工具，諸如一掃描電子顯微鏡(SEM)或一透射電子顯微鏡(TEM)及/或一帶電粒子束工具，諸如一FIB工具。此等計量工具可包含任何適合商用計量工具。
如本文進一步描述，可判定量測點位置以量測跨樣本之一或多個第一特徵之第一程序資訊，其可包含樣本上之一或多個材料及/或樣本上之一或多個圖案化結構。在一些上下文中，基於經量測之第一程序資訊，該(等)第一特徵可被視為缺陷。例如，計量與檢測領域之間的一聯繫係若第一程序資訊充分偏離規範，則在樣本處理期間可出現缺陷。在本文所描述之實施例中，可刻意量測樣本之第一程序資訊而不管第一程序資訊是否顯現該(等)第一特徵有缺陷。例如，即使當經量測之第一程序資訊不引起該(等)第一特徵被視為有缺陷時，第一程序資訊亦可用於判定第二程序資訊，如本文進一步描述。另外，若一缺陷恰好呈現於預選定之量測點之一者處，則其實際上可影響該量測點處產生之計量資料。然而，(顯現樣本有缺陷之缺陷或(若干)特性之量測之)此等量測並非本文所描述量測之目標。
本文所描述之該(等)第一特徵、第一區域、第二特徵及第二區域亦非基於缺陷或程序偏差而係基於樣本之設計來選擇。例如，在一樣本上之各晶粒中，存在用於構建不同電氣功能單元之不同區域。因此，各程序步驟處不同區域中需要不同結構。作為一實例，在一程序步驟處，圖5b中所展示之區域需要具有圖5a中所展示之結構。同樣地，圖5d中所展示之區域需要具有圖5c中所展示之結構。此等區域之位置由樣本之設計佈局獨立於樣本上偵測之任何缺陷或程序偏差預定。因此，即使缺陷或程序偏差資訊可用於樣本，本文中所描述之第一特徵、第一區域、第二特徵及第二區域仍不基於此資訊來選擇。
可期望基於處理量及成本考量來選擇或判定由計量工具量測之第一區域同時仍充分回應於量測中之所關注之變動(本文進一步描述)。例如，所要量測(例如樣本拓撲、膜厚度、臨界尺寸(CD)等)可在選擇以允許對樣本上之任何第二區域之量測之可靠預測(例如內插、外推等)之樣本上之第一區域中執行。
可針對不同用例選擇不同第一區域。例如，跨樣本之膜厚度變動趨向於相對緩慢，因此膜厚度量測之密度可相對較低。因此，適合於本文所描述之實施例之第一區域之一密度包含足夠大以使得對第二區域之計量資料之預測足夠準確之第一區域之任何密度。
在一實施例中，選擇一或多個第一區域以捕獲第一程序資訊中之樣本級變動。在另一實施例中，選擇一或多個第一區域以捕獲第一程序資訊中之晶粒級變動。例如，量測可較佳地以足夠頻率在樣本上之(若干)選定第一區域中執行以捕獲樣本級及/或晶粒級變動。捕獲樣本級及/或晶粒級變動所需之該(等)第一區域之頻率或密度可如上文所描述來判定，例如基於所執行之計量量測中之預期變動及/或預期第一程序資訊。
可自在第一區域中以任何適合方式執行之量測來判定或產生第一程序資訊(例如計量資料)。換言之，許多不同方法、演算法、模型、功能等可用於本技術中以判定來自量測之計量資料。本文所描述之實施例中使用之計量資料可以此等已知方式之任何者產生。另外，計量分析(例如計量資料之模型化)可在可自KLA購得之5D分析器系統上執行。此系統係在行業中建立且含有用於高級計量分析之能力。若不需要進一步模型化，計量資料可自此系統輸送或自計量工具直接輸送。
在一實施例中，第一程序資訊包含膜厚度、圖案化結構輪廓、CD、線邊緣粗糙度(LER)及線寬粗糙度(LWR)之一或多者。例如，在本文所描述之實施例中可特別有用之第一程序資訊包含(若干)膜厚度及可用於判定本文進一步描述之第二程序資訊之任何其他此(等)特性。換言之，本文所描述之第一程序資訊可包含可用於判定本文進一步描述之第二程序資訊之任何及所有量測及/或(若干)樣本特性。本文所描述之量測亦可如Duffy等人於2018年4月28日發佈之共同受讓之美國專利公開申請公開案第2016/0116420號中描述來執行，該案以宛如全文闡述引用的方式併入本文中。本文所描述之實施例可如本出版物中所描述進一步組態。
在一實施例中，計量工具不包含於系統中。例如，計量工具可包含於不同於且與本文所描述之系統實施例分離之一系統中。換言之，計量工具可包含於與本文所描述之實施例實體分離之系統中且可不與本文所描述之系統實施例共用任何共同元件。特定言之，如圖1及圖3中所展示，檢測子系統可包含於一系統中，計量工具可組態為另一系統，且系統及計量工具實體上彼此完全分離且不共用共同硬體元件。
在此等實施例中，本文所描述之一或多個電腦子系統可經組態以自耦合至計量工具及/或一儲存媒體之一電腦子系統存取及獲取計量資料，其中計量資料已由計量工具儲存。一或多個電腦子系統可自另一電腦系統或子系統或一儲存媒體獲取計量資料，如本文進一步描述。依此方式，計量工具及包含檢測子系統之系統可為不同工具。計量資料可儲存於可自其中擷取量測之一資料庫中(諸如可自KLA購得之Klarity)。
依此方式，獲取計量資料不必須包含產生計量資料。例如，如上文所描述，計量工具可經組態以產生計量資料且接著本文所描述之一電腦子系統可自計量工具、計量工具之一電腦子系統或其中已儲存計量資料之一儲存媒體獲取計量資料。因此，所獲取之計量資料可已由除本文所描述之實施例之外之一系統產生。然而，在一些實施例中，獲取計量資料可包含產生計量資料。例如，本文所描述之實施例可包含一計量工具(如本文進一步描述)，且因此本文所描述之系統實施例可經組態以藉由對第一區域中之樣本執行量測來產生計量資料。替代地，本文所描述之系統實施例(或系統之一或多個元件)可經組態以引起計量工具對樣本執行量測。因此，獲取計量資料可包含對第一區域中之樣本執行量測。
在一實施例中，計量工具併入系統中使得檢測子系統及計量工具共用系統之一或多個共同元件。圖4展示此一系統之一實施例。系統包含檢測子系統模組400及計量工具模組402。包含於模組400中之檢測子系統可如本文相對於圖1及圖2所描述來組態。包含於模組402中之計量工具可如本文相對於圖3所描述組態。系統亦可包含耦合至檢測子系統及計量工具之一或兩者之電腦子系統404。電腦子系統404可根據本文所描述之任何其他實施例來組態。
在一些實施例中，系統亦包含額外模組412，且額外模組可經組態以對樣本執行一或多個額外程序。一或多個額外程序可包含(例如)缺陷再檢測、缺陷修復及/或任何其它品質控制相關程序。
計量工具及檢測子系統可共用之一或多個共同元件可包含共同外殼406、共同樣本處置器408、共同電源410、電腦子系統404或其等之一些組合之一或多者。共同外殼可具有本技術中已知之任何適合組態。例如，可僅擴展系統之一原始外殼以適應計量工具。依此方式，計量工具及檢測子系統可組態為一單一單元或工具。共同樣本處置器可包含本技術中已知之任何適合機械及/或機器人總成。共同樣本處置器可經組態以依此一使得一樣本可自計量工具直接移動至檢測子系統中而無需將樣本放回其匣或程序之間的其他容器中之方式使樣本在計量工具與檢測子系統之間移動。共同電源可包含本技術中已知之任何適合電源。電腦子系統可耦合至本文進一步描述之計量工具以及檢測子系統使得電腦子系統可與本文進一步描述之計量工具及檢測子系統交互作用。額外模組可以上述相同方式併入系統中。
計量工具之硬體可安裝於與檢測子系統及包含於系統中之額外模組分離之一量測室中。量測室可橫向或垂直安裝為接近檢測子系統及額外模組。例如，系統可組態為可各經組態以執行不同程序之模組之一叢集。另外，量測室、檢測子系統及額外模組可橫向或垂直地安置為接近系統之裝載室414。裝載室可經組態以支援多個樣本，諸如待在系統中處理之樣本之匣416。樣本處置器408可經組態以在量測及/或檢測之前自裝載室移除一樣本且將一量測及/或檢測樣本放置於裝載室中。此外，量測室可安置於接近檢測子系統之其他位置，諸如其中存在足夠空間以容納計量工具硬體之任何地方及一樣本處置器可安裝之任何地方使得一樣本可在量測室與檢測子系統之間移動。依此方式，樣本處置器408、一載台(圖中未展示)或另一適合機械裝置可經組態以將一樣本移動至系統之計量工具及檢測子系統及自系統之計量工具及檢測子系統移動一樣本。
本文所描述之實施例利用其中一晶粒中或一樣本上之各種區域可給出不同程序資訊之情況。儘管本文相對於(若干)第一區域中之(若干)第一特徵及(若干)第二區域中之(若干)第二特徵描述某些實施例且為了說明而在一些圖中展示兩個區域，但第一及第二區域中可或會分別存在第一特徵及第二特徵以上，尤其當實施例考量本文所描述之樣本之劃線道中之結構時。如本文進一步描述，實施例可識別及選擇適合特徵及區域。另外，就本文進一步描述之圖而言，其等不應被視為限制。本文所描述之圖中之所有資訊僅用於說明，不一定按比例且結構可或多或少地複雜，諸如層數、2D及3D圖案等。
一或多個電腦子系統經組態用於自一或多個輸出擷取子系統之輸出判定形成於樣本上之一或多個第一區域中之一或多個第一特徵之第一程序資訊。圖5a繪示形成於一樣本之(若干)第一區域中之(若干)適合第一特徵之一實例(其在此情況中展示為晶圓500)，但可為本文所描述之其他樣本之任何者。在此情況中，該(等)第一特徵包含包含材料502、504及506之材料之一堆疊。接著，如圖5a中所展示，該(等)第一特徵可不包含圖案化結構，但可包含如圖5a中所展示之薄膜。可使用本技術中已知之任何適合程序(例如化學氣相沈積(CVD)、物理氣相沈積(PVD)及原子層沈積(ALD)之一或多者及其類似者)(其等有時接著控制薄膜之厚度或平坦度之(若干)程序(諸如化學機械拋光(CMP)))以任何適合方式使薄膜形成於晶圓上。薄膜可包含半導體製造技術中已知之任何適合膜，諸如介電膜、金屬或導電膜、半導體膜、抗反射塗層、抗蝕劑(例如光阻劑)型材料等。
圖5b展示圖5a中所展示之第一特徵可位於該處之晶圓上之一些第一區域。特定言之，圖5b中所展示之晶粒508包含圖5a中所展示之第一特徵之堆疊位於該處之第一區域510。圖5b中所展示之第一區域可或可不包含其中展示第一特徵之晶粒中之所有區域。例如，可基於樣本之設計來識別該處第一特徵形成於一晶粒中之第一區域，且可選擇第一區域之一子集或少於所有第一區域以用於本文所描述之實施例中。可基於資訊(諸如一晶粒內或跨樣本之第一程序資訊中之預期變動)來判定選擇用於本文所描述之實施例中之第一區域之多少及哪些例項。晶粒之設計、樣本上之晶粒之佈局及劃線道區域(即，晶粒之間的區域)將最終控制第一區域位於一晶粒中或一樣本上之位置，但由實施例使用之第一區域可以各種其他方式選擇，諸如基於每單位長度或面積所選之第一區域之一些頻率、所選之第一區域之間的一最小或最大間距、所選之第一區域之一最小或最大數目等。另外，儘管圖5b中展示以一種1D陣列配置之第一區域，但第一區域不需要位於任何1D或2D陣列中且可在一些或所有第一區域例項之間具有不規則間距。
一或多個電腦子系統亦經組態以自由該(等)輸出擷取子系統產生之輸出及第一程序資訊之至少一部分判定形成於樣本上之一或多個第二區域中形成之一或多個第二特徵之第二程序資訊。因此，本文所描述之實施例之一新想法係利用以不同方式使用來自攜帶來自先前步驟之程序資訊之「豐富」結構(例如在各晶粒中)之資訊。換言之，藉由仔細選擇本文所描述之第一及第二特徵，可自甚至相對複雜之特徵之類檢測輸出判定重要類計量資訊。
圖5c展示可與圖5a中所展示之第一特徵一起選擇之第二特徵之一實例。在此實例中，第二特徵包含形成於晶圓500上之材料502及504。第二特徵中之材料502及504可相同於第一特徵中之材料502及504。例如，材料502及504可在相同程序由相同材料形成。第二特徵亦包含材料506，但不同於與圖5a中所展示之第一特徵，在第二特徵中，此材料已被圖案化。換言之，圖案化特徵形成於第二特徵之材料506中。另外，材料512形成於在材料506中之圖案化特徵之間的第二特徵中。材料512可包含諸如本文進一步描述之任何適合材料且可以本技術中已知之任何適合方式形成。
因此，不同於圖5a中所展示之第一特徵，圖5c中所展示之第二特徵包含具有形成於其上之圖案化結構之未圖案化薄膜層之一組合。因此，在單一樣本上之一單一晶粒內，在樣本或程序之相同層處，不同區域可具有不同結構之堆疊。在圖5a及圖5c中所展示之特徵之情況中，在用於使圖案化特徵形成於材料中之微影及蝕刻程序期間，其中材料506未圖案化之晶圓上之區域可被「遮蔽」或使用一保護材料覆蓋。在一此實例中，圖5d展示圖5c中所展示之特徵之堆疊形成於該處之晶粒514中之第二區域516。依此方式，在用於使圖案化結構形成於第二區域中之程序期間，可以不同方式(諸如2D線相對於3D孔)遮蔽或圖案化晶粒中之剩餘區域。接著，可在已形成圖案化特徵之後移除該保護材料。
第二區域516可如本文進一步描述基於跨一晶粒或一樣本之第二程序資訊中之預期變動、基於頻率、間距等之一些預定準則選擇為(例如)小於一晶粒內之所有第二區域例項。另外，儘管第一及第二區域在圖5b及圖5d中展示為具有相對於彼此之不同面積，但相對面積不存在限制或要求。不必相對於彼此選擇第一及第二區域之其它特性(例如頻率、間距等)。換言之，可獨立於彼此選擇第一及第二區域，只要所選區域可如本文進一步描述用於判定第一及第二程序資訊。
因此，可使用形成於樣本上之離散區域中之特徵自檢測子系統及視情況一計量工具之輸出判定第一及第二程序資訊。因此，可將第一及第二程序資訊依據晶粒位置內或樣本位置內而判定，且可以本文所描述之各種方式使用依據一位置而變之資訊。例如，如圖6中所展示，第一區域中之不同材料之厚度(即，針對此等特徵判定之第一程序資訊)可圖形化地展示為依據樣本位置內而變。在此實例中，晶圓圖600展示材料502之厚度，晶圓圖602展示材料504之厚度，且晶圓圖604展示材料506之厚度。圖中之不同灰階對應於材料之厚度之不同值。因此，圖亦展示跨樣本之材料之厚度中之變動，其可用於(例如)偵測用於形成材料之程序之一問題。
僅可在第一區域之位置處判定(例如藉由使用圖5a中所展示之堆疊之一模型進行分析)之厚度來產生圖或可可如本文進一步描述執行將第一區域中判定之第一程序資訊外推或內插至樣本上之其他區域。依此方式，僅在樣本上之特定、離散區域處判定之第一程序資訊可用於預測樣本上之其他區域處之第一程序資訊。可如本文進一步描述執行及使用此等預測。
依一類似方式，由本文在第二區域處描述之實施例判定之第二程序資訊可用於產生一晶圓圖(可自藉由分析圖諸如圖7中所展示之晶圓圖700)。可(例如)使用圖5c中所展示之堆疊之一模型自由圖5d中所展示之區域之分析發現之CD值產生此晶圓圖。如同上述晶圓圖，此晶圓圖可僅包含僅針對第二區域判定之第二程序資訊。然而，亦可在形成於樣本上之第二特徵之其他例項中外推、內插、預測僅這對選定第二區域判定之第二程序資訊。亦可如本文進一步描述執行此等預測。如同上述晶圓圖，一晶圓圖或第二程序資訊之其他圖形表示可用於偵測使用用於使第二特徵形成於樣本上之一程序之一問題。例如，藉由將第二資訊作分析為依據樣本上之位置而變，該(等)電腦子系統可能夠偵測是否可接受地執行用於形成第二特徵之程序或程序如何發生故障。
在一實施例中，第二程序資訊包含對樣本執行之一程序之一設定。例如，藉由分析來自一檢測工具之灰階(GL)資料，本文所以描述之實施例之一優點係其等可提取製作樣本之程序資訊，其可為程序設定(例如焦點及劑量)。由本文所描述之實施例判定之程序設定可取決於掃描之前對樣本執行之該(等)程序而變動。可如本文進一步描述判定(例如經驗或使用一嚴格模型)此等程序設定。
在另一實施例中，第二程序資訊包含一或多個第二特徵之一特性。例如，藉由分析來自一檢測工具之GL資料，本文所描述之實施例之另一優點係其等可提取所製作之樣本之特性，其可為與裝置效能(諸如CD、厚度或蝕刻深度)有關之資訊。由本文所描述之實施例判定之該(等)樣本特性可取決於掃描之前對樣本執行之該(等)程序及形成於樣本上之第二特徵而變動。可如本文進一步描述判定(例如經驗或使用一嚴格模型)此等樣本特性。
第二程序資訊之至少一部分係不同於第一程序資訊之一類型之資訊。例如，如上文所描述，對於圖5a中所展示之第一特徵，第一程序資訊可為由材料502、504及506形成之薄膜之厚度，且對於圖5c中所展示之第二特徵，第二程序資訊可為形成於材料506中之圖案化特徵之一CD且可能亦或替代地由材料512形成之圖案化特徵之一CD。依此方式，不同程序資訊可為不同種類之特徵之不同種類之尺寸。取決於(例如)樣本之設計及因此可針對樣本產生哪些類型之資訊，不同類型之第一及第二程序資訊之其他組合亦係可行。
重要的係，儘管圖5a及圖5b中所展示之第一及第二特徵包含由材料502、504及506形成之薄膜，第一及第二程序資訊不均包含此等材料之厚度。例如，如本文進一步描述，第一程序資訊之至少一部分用於判定第二程序資訊。因此，當判定第二程序資訊時，不需要在第二區域中重新判定該第一程序資訊。相反地，將第一區域中判定之第一程序資訊被有效地前饋至第二區域以用於判定第二程序資訊。依此方式，若第一程序資訊包含材料502、504及506之厚度，則第一程序資訊可用於判定第二區域中之此等材料之厚度且接著用作為用於判定第二區域之其他資訊之已知值。另外，在本文所描述之實施例中，並非所有第一程序資訊均需要前饋至第二區域。例如，第一程序資訊可包含關於一使用者所關注但不用於判定第二程序資訊時之材料502、504及506之資訊。
一或多個第二特徵之一設計之至少一部分不同於一或多個第一特徵之一設計。例如，如圖5a及圖5c中所展示，第一及第二區域包含材料502及504之相同設計。另外，儘管第一及第二區域包含材料506，但在第一區域中，該材料未圖案化而在第二區域中該材料被圖案化。因此，材料506之設計在第一及第二區域中不同。另外，圖5c中所展示之第二區域包含形成於材料506中之圖案化特徵之材料512，而第一特徵不包含之材料。因此，不同於圖5a中之一或多個第一特徵之設計之圖5c中之一或多個第二特徵之設計之部分部分包含材料506及512之設計。
第一及第二特徵之設計之間的此等差異可以若干方式在樣本之相同層(諸如形成於樣本之至少含有第一區域之部分上之一暫時性遮蔽層)上達成而圖案化特徵形成於第二區域中之材料506及512中，藉此防止第一區域中之材料506之圖案化及材料512之形成。儘管用於第一及第二特徵之設計之至少一部分不同，但用於第一及第二特徵之設計之至少一部分亦應相同。例如，由於第一及第二特徵兩者包含材料502及504，因此使用第一區域判定之此等材料之厚度或其他資訊可與針對第二區域產生之輸出一起使用以判定第二特徵之資訊。另外，儘管材料506在第二特徵中圖案化但在第一特徵中未圖案化，但在第一區域中判定之材料506之厚度(或(若干)其它特性)亦可以相同方式用於第二特徵。
換言之，本文所描述之第一及第二特徵藉由此等兩個特徵共用之一些共同設計性質鏈接。參考圖5作為以實例，第一特徵(圖5a)及第二特徵(圖5c)之共同性質係材料502及504之厚度，且假設第一特徵中之材料506之厚度相同於形成於第二特徵中之材料506中之圖案化特徵之高度。在藉由分析在第一區域(諸如圖5b中所展示之區域)中產生之輸出且將其延伸至樣本上之所有(或其他)位置(其可如本文進一步描述來執行)來判定第一特徵之第一程序資訊之後，接著組合針對第二特徵產生之輸出來判定及使用第二區域之位置(例如如圖5d中所展示)處之第二特徵之第一程序資訊以分析第二特徵。類似地，當藉由分析第二特徵(圖5c中所展示)獲得諸如圖5d中所展示之第二區域之位置處之資訊時，該資訊可如本文所描述延伸至完整樣本。
依此方式，使得本文所描述之實施例可行之一重要創新係仔細選擇在設計上既有相似性及差異性兩者之第一及第二特徵，其使得藉由使用形成於樣本之(若干)第一區域中之相對簡單之特徵來判定一些程序資訊更容易且達成使用該程序資訊來判定更複雜特徵中之其他程序資訊。無此重要創新，不可能使用一檢測子系統來判定諸如圖5c中所展示之相對複雜之特徵之資訊。
一或多個第一區域及一或多個第二區域在樣本上相互排斥。換言之，第一及第二區域並非樣本上相同或重疊區域(界定於x-y平面中)。例如，第一及第二特徵不僅係形成於樣本之相同區域中彼此之頂部上之不同特徵。依此方式，若針對一樣本上之一位置處之第一特徵判定第一程序資訊，則不針對相同位置處之第二特徵自該相同位置處產生之一檢測子系統之輸出判定第二程序資訊。換言之，不針對用於判定第二程序資訊之第二特徵下面中第一特徵判定第一程序資訊。相反地，第二特徵不形成於用於判定第一程序資訊之第一區域中之第一特徵之上方。另外，在用於判定第一程序資訊之第一區域中，可根本不形成第二特徵。例如，僅在第二區域處產生之輸出不用於判定圖5c中所展示之特徵之第一及第二程序資訊。相反地，用於判定第一及第二程序資訊之輸出在諸如圖5b及圖5d中所展示之相互排斥之區域處產生使得含有特徵之不同堆疊之不同區域用於判定不同程序資訊。特定言之，如本文進一步描述，本文所描述之實施例利用該例項。當一樣本具有在完成一程序步驟之後形成於樣本上之不同區域中之不同特徵時，其可有利地用於判定樣本之不同程序資訊。
在一實施例中，第一及第二區域之一或多者位於形成於樣本上形成之一裝置之一功能區域中。適合於用於本文所描述之實施例中之「豐富」結構之實例可為裝置(諸如記憶體相對於邏輯或連接(通路))之功能區域中之不同區域。通常，吾人可發現該等區域之圖案及橫截面結構不同：一些區域在特定圖案化步驟中遮蔽而另一些區域在不同步驟處被遮蔽。此等區域可相對較大(例如作為一晶粒之一重要部分)或相對較小(例如通常可看到小至數微米)。
在另一實施例中，第一及第二區域之一或多者位於形成於樣本上之裝置之間的以劃線道區域中。例如，設計為用於工具對準或計量之測試結構(CD、厚度、重疊等)之「豐富」結構之更多實例可在劃線道中發現。此等測試結構通常經設計以隔離程序步驟(藉由遮蔽某(些)程序)，其對於本文所描述之實施例可實質上有用，因為其增強(有利於獲得清晰信號)且自所要程序步驟移除(有利於簡化資料分析程序)資訊。
在此等實施例中，第一及第二區域兩者可位於劃線道區域中。然而，所有第一區域可位於劃線道區域中，且所有第二區域可位於該(等)功能區域中。相反情況亦可行。特定言之，在適合第一及第二特徵可用且經選擇使用可在很大程度上取決於樣本之設計之情況中，且特徵係位於功能裝置區域或劃線道區域中對於本文所描述之實施例可不特別重要。例如，即使對於諸如本文所描述之許多品質控制類型之程序使用功能區域中之特徵可係較佳的，其他考量(諸如處理量、特徵可用性等)可使得非功能區域中之特徵對於在本文所描述之實施例中使用更具吸引力。
如上文所描述，該(等)輸出擷取子系統可包含經組態以藉由在樣本上之量測點處執行量測來產生輸出之至少另一部分之一計量工具。在一此實施例中，用於判定第一程序資訊之輸出僅包含輸出之至少另一部分，且用於判定第二程序資訊之輸出包含輸出之至少該部分。換言之，可僅使用計量工具輸出來判定第一程序資訊，且可使用(1)僅檢測子系統輸出或(2)檢測子系統輸出組合計量工具輸出來判定第二程序資訊。使用由一單一工具或多個工具產生之輸出判定第一及第二程序資訊，可如本文進一步描述執行判定第一及第二程序資訊。
對於判定本文所描述之第一(或任何)程序資訊，亦可根本不需要上述計量工具。例如，在另一實施例中，用於判定第一程序資訊之輸出僅包含由檢測子系統產生之輸出，且用於判定第二程序資訊之輸出僅包含由檢測子系統產生之輸出。依此方式，第一及第二程序資訊均不使用計量工具輸出來判定。
在一些此等實施例中，用於判定第一及第二程序資訊之輸出在樣本之相同掃描中產生。例如，可自由用於判定第二程序資訊之相同檢測硬體而藉由掃描該(等)第一區域中之該(等)第一特徵而非該(等)第二區域中之該(等)第二特徵而產生之輸出判定第一程序資訊。實體上，通常可同時執行藉由檢測硬體之掃描以分別涵蓋第一及第二特徵位於其中之第一區域及第二區域兩者。因此，儘管一計量工具可用於量測該(等)第一特徵，但一檢測子系統可用於通常在該(等)第二區域中之該(等)第二特徵之相同掃描中產生該(等)第一特徵之輸出。接著，在相同掃描中產生於第一及第二區域中之輸出可如本文所描述用於分別判定第一及第二程序資訊。
儘管第一程序資訊可自由檢測子系統產生之輸出判定，但此並不必要且第一程序資訊可使用計量資料來判定。然而，相比而言，存在自由一檢測子系統而非一計量工具產生之輸出判定第二程序資訊之優點。例如，一檢測工具通常將記錄一樣本(例如晶圓)上之所有位置處之資訊，其提供具有及分析此資訊之機會。此資料收集及可用性係與計量工具之一基本差異。特定言之，一計量工具僅在一樣本(例如晶圓)上之有限點處獲得資訊，比如小於300個點且通常僅約5至約18個點。
因此，如上文所描述，不同工具可用於判定不同程序資訊。因此，本文所描述之實施例可利用不同工具(諸如一檢測工具及一薄膜計量工具)之一組合。使用不同工具之一優點係與一單一工具相比，不同工具可達成更複雜結構之量測。然而，使用多個工具而非一單一工具可具有若干折衷。例如，使用多個工具可需要一較長量測時間、不同工具上之樣本之多個負載/卸載操作，且計量工具通常具有約0.5秒之移動-獲取-量測(MAM)時間使得可量測一有限數目個位置，其當獲取用於內插/外推至全樣本之足夠資料時引起滿足處理量目標之挑戰。
依可僅使用一或多個工具實施本文所描述之實施例之相同方式，實施例亦可僅使用一單一工具之一單一模式或一單一工具之多個模式來實施。例如，如本文進一步描述，一工具可針對具有不同模式之一樣本產生輸出。不同模式對不同資訊可或多或少敏感。在一此實例中，一檢測子系統之一第一模式可對膜厚度更敏感，而檢測子系統之一第二模式可對圖案化特徵之CD更敏感。因此，第一模式可用於判定圖5a中所展示之第一特徵之材料502、504及506之厚度而第二模式可用於判定形成於圖5c中所展示之材料506及/或材料512中之圖案化特徵之一CD。在另一實例中，一檢測子系統之一第一模式可對圖案化特徵之CD更敏感而檢測子系統之一第二模式可對圖案化特徵之側壁角(SWA)更敏感。因此，第一模式可用於判定形成於圖5c中所展示之材料506及/或材料512中之圖案化特徵之一CD，且第二模式可用於判定形成於材料506及/或512中之圖案化特徵之SWA。依此方式，一單一模式可用於判定不同類型之特徵之不同資訊，且不同模式可用於判定相同特徵之不同資訊及/或不同特徵之不同資訊。使用一單一模式或多個模式產生之輸出可如本文所描述以其他方式用於判定第一及第二程序資訊(例如使用不同模型或相同模型，使用本文所描述之模型之類型等)。
無論該(等)輸出擷取子系統僅包含一檢測子系統或一檢測子系統及一計量工具(或其他輸出擷取子系統)，資料獲取、轉換及預處理(諸如應用額外校準)之操作可相同於當前實踐。當前進行與本文所描述之實施例之間的差異主要自對預處理資料之分析開始，而可建立(若干)嚴格模型且經由模型分析提取某些程序參數(例如厚度、CD、SWA等)。
在另一實施例中，不產生用於判定第一程序資訊之輸出直至一或多個第二特徵形成於樣本上。例如，不用於當前使用之方法及系統，本文所描述之實施例不需要在對樣本執行最後程序之前進行額外量測且利用晶圓上之所有位置上之相對大量資訊及與不同程序相關聯之不同特性晶圓簽章。本文所描述之實施例亦不需要追蹤來自(若干)先前程序之量測資料，其可通常引起實踐中之資料邏輯挑戰。
因此，本文所描述之實施例不同於當前所使用之方法及系統，使用計量學之一些前饋應用(諸如將來自一先前層之參數饋送至一當前層或將資料自另一工具(例如一CD-SEM)饋送至一當前計量模式(例如光學CD計量))。相反地，如本文所描述，透過分別在第一及第二區域中仔細選擇第一及第二特徵之實施例可在相同程序步驟之後執行所有量測及掃描(或僅掃描)且使用一檢測子系統來判定至少一些程序資訊。因此，本文所描述之實施例提供優於當前所使用之方法及系統之若干優點，包含其等可在一較短時間內且更容易地執行同時亦提供樣本上之每單位面積顯著更多之資訊。
在一實施例中，一或多個電腦子系統經組態以使用一經驗判定之關係來判定第一及第二程序資訊之一或多者。例如，實際上，可由本文所描述之實施例使用之一種方法係藉由訓練具有GL回應之實驗設計(DOE)輸入接著應用該關係自GL中發現程序參數之一經驗方法。一經驗判定之關係可以本技術中已知之任何適合方式判定。在一些例項中，可製造及量測一程序視窗鑑定(PWQ)或聚焦曝光矩陣(FEM)型樣本以判定一經驗關係。亦可使用一深度學習(DL)或機器學習(ML)類型之模型來判定經驗關係。然而，任何類型之函數、關係、模型等可用於描述經驗判定之關係以由本文所描述之實施例使用。
在一進一步實施例中，一或多個電腦子系統經組態以使用一嚴格模型來判定第一及第二程序資訊之一或多者。例如，實際上，可由本文所描述之實施例使用之另一方法係藉由嚴格地模型化系統(包含檢測硬體及測試中之樣本)之一嚴格方法。當使用一嚴格方法或演算法時，此一方法或演算法之一典型限制係處置描述樣本上之結構所需之多個參數而來自檢測工具之資訊在各像素處通常非常有限。空白樣本上之結構之參數較簡單：薄膜厚度，鑑於各層之光學常數一般係熟知的。圖案化樣本上之結構之參數顯著較大，例如CD、SWA、節距遊動、蝕刻深度、蝕刻殘餘、在橫截面圖及俯視圖兩者中之頂部或圓形及其類似者。參數之大幅增加數目對嚴格方法提出挑戰：吾人無法量測所有參數，因為來自檢測工具之每像素存在非常有限之量測資訊內容；吾人無法固定此等參數，因為大多數參數因晶粒間及樣本間而變動；且此變動通常引起檢測信號之顯著GL變化。然而，本文所描述之實施例提出可用於大幅解決此挑戰之一解決方案。
在一些實施例中，該(等)電腦子系統經組態以基於用於樣本之一設計之資訊及對樣本執行之一或多個程序來選擇第一程序資訊、一或多個第一特徵、一或多個第一區域、一或多個第二特徵及一或多個第二區域。一般而言，由實施例判定之第二程序資訊將由一使用者或基於經檢查之程序及樣本來設定。因此，該(等)電腦子系統可不需要選擇第二程序資訊。然而，該(等)電腦子系統可識別晶粒中可給出不同程序資訊之各種區域。該(等)電腦子系統亦可作出一分析策略，包含理解形成此等結構之程序及程序變動之特性。可如本文進一步描述執行選擇特徵、區域、資訊等。特定言之，如本文進一步描述，選擇第一及第二區域、第一及第二特徵等對於使用係相對簡單結構之第一區域中之第一特徵的資訊判定及使用該資訊來判定比第一特徵更複雜之第二區域中之第二特徵之其他資訊係重要的。依此方式，可使用第一特徵相對容易地判定之資訊亦可用於判定第二特徵之資訊，藉此使得判定第二程序資訊更容易。
此策略之實例及對圖5a及圖5c中所展示之結構之理解可包含(但不限於)下文。材料502、504及506之厚度由由一膜沈積工具對樣本執行之一膜沈積程序控制且厚度之特性變動長度可為數十厘米(cm)之一分數。此等材料之厚度預期不在材料已形成於其上之後對樣本執行之一圖案化程序等而改變。材料512之CD可具有約數微米(μm)至厘米之特性變動長度且可具有兩個分量：一分量與來自微影程序之晶粒同步，且另一分量與晶粒非同步且與微影及蝕刻程序有關。
基於以上資訊，該(等)電腦子系統可開發包含分析圖5b中所展示之第一區域以發現材料502、504及506之厚度之一策略。該策略亦可包含利用此等厚度之變動相對緩慢之事實使得可藉由將第一區域中之量測厚度內插或外推至樣本上之所有或所要區域(諸如圖5d中所展示之區域)來發現跨樣本之厚度，其可如本文進一步描述來執行。另外，對於圖5d中所展示之第二區域，該策略可包含將在先前步驟中發現之材料502、504及506之厚度前饋至已模型，接著判定圖5d之區域中之CD或其它圖案化參數。
在另一實施例中，一或多個電腦子系統經組態以基於用於樣本之一設計之資訊及對樣本執行之一或多個程序來判定用於判定第一及第二程序資訊之一或多個方法。例如，該(等)電腦子系統可詳細執行以上每策略佈局之資料分析。該(等)電腦子系統亦可針對圖5a中所展示之材料建立一薄膜模型且將該模型自圖5b中之第一區域應用於GL以藉此發現材料502、504及506之厚度。該(等)電腦子系統亦可將判定厚度延伸至如圖6中所展示之全樣本。該(等)電腦子系統亦可針對圖5d中之該(等)區域建立如圖5c中所展示之圖案化結構之一模型、將圖6中之厚度作為預定量饋送至第二特徵之模型中，及處理第二區域中產生之輸出以在(例如)第二特徵之模型中發現材料512之CD值。圖7中展示材料512之CD值之實例依據樣本上之位置而變。
在一實施例中，判定第一程序資訊包含將一第一方法應用於輸出、判定第二程序資訊包含將一第二方法應用於輸出及第一程序資訊之至少部分，且第一及第二方法不同。例如，第一及第二方法可包含相同或不同類型之不同模型(例如一經驗模型及一嚴格模型)，且使用不同模型判定不同程序資訊可最適合，因為不同區域中之特徵不同且正判定不同程序資訊。不同方法之各者可如本文進一步描述判定及使用。
儘管可依序應用不同方法(即，使用第一方法來判定第一程序資訊且接著使用第二方法來判定第二程序資訊)，但亦可同時應用該等方法。例如，諸如圖5a及圖5c中所展示之第一及第二特徵之模型可在輸出處理中同時分析而各模型應用於來自其自身之區域之輸出(例如分別係圖5b及圖5d)。
在另一實施例中，一或多個電腦子系統經組態以執行用於判定第一及第二程序資訊之一單一方法。例如，一單一方法可用於實施本文所描述之實施例，無論該單一方法涉及一單一模型或一個以上模型。換言之，判定第一及第二程序資訊不必實施為不同判定。在一此實例中，儘管多個模型可用於描述輸出與第一程序資訊及輸出與第二程序資訊之間的不同關係，但該等多個模型可組合成使用多個模型之一單一方法。
在一此實施例中，至單一方法之輸入係由一或多個輸出擷取子系統針對樣本產生之輸出，且單一方法之輸出係第二程序資訊。換言之，可將針對第一及第二區域產生之輸出(不管如何產生不同區域之輸出)輸入至一單一方法，其可輸出第二程序資訊(且可能僅輸出第二程序資訊)。例如，儘管本文所描述之實施例可判定第一程序資訊，但可主要為了達成第二程序資訊之判定而判定第一程序資訊。
依此方式，第一程序資訊不必要由本文所描述之實施例判定，因為其為使用者所關注。在一此實例中，若第一程序資訊包含圖5a中所展示之第一特徵之材料502、504及506之厚度，則使用者可不特別關注此資訊。相反地，此資訊僅被判定為達成判定材料506中之圖案化特徵之CD及/或圖5c中所展示之第二特徵中由材料512形成之圖案化特徵。因此，儘管可判定第一程序資訊，但不必須輸出此資訊或將其報告給一使用者。在其他例項中，一使用者可能對第一及第二程序資訊兩者感興趣。在此等例項中，不管第一及第二程序資訊由一單一方法或以本文所描述之另一方式判定，第一及第二程序資訊兩者均可報告給使用者。
在一進一步實施例中，一或多個電腦子系統經組態用於自輸出判定形成於樣本上之一或多個第三區域中之一或多個第三特徵之第三程序資訊；第一程序資訊之至少一部分不同於第三程序資訊；一或多個第一特徵之一設計之至少一部分不同於一或多個第三特徵之一設計；一或多個第一區域、一或多個第二區域及一或多個第三區域在樣本上相互排斥；且一或多個電腦子系統經組態用於基於第三程序資訊判定第一程序資訊之資訊。例如，可針對一些可選步驟組態本文所描述之實施例。在一些用例中，除在其他實施例中描述之步驟之外，亦可期望額外步驟。在一此實例中，該(等)電腦子系統可自不同區域交叉檢查結果。例如，除圖5a及圖5c中所展示之區域之外，樣本上可存在具有類似於圖5a的結構但無一層材料506之額外區域。因此，材料502及504之厚度可在該等額外區域中判定且可延伸至全樣本，其可如本文進一步描述執行。接著，針對該等材料判定之厚度可用於檢查圖6及圖7中之結果。替代地，可與圖5a及/或圖5c中所展示之特徵之模型及資料聯合分析第三區域中之資料。
該(等)電腦子系統亦可經組態用於判定相對於樣本上之該(等)第一區域之位置之樣本上之該(等)第二區域之位置。若不同工具(例如計量及檢測)用於產生第一及第二區域之輸出，則判定相對於該(等)第一區域之位置之樣本上之該(等)第二區域之位置可包含坐標系匹配。特定言之，不同工具可報告不同坐標系中之位置。因此，可匹配坐標系以接著判定相對於該(等)第一區域之位置之該(等)第二區域之位置。可匹配之參數可包含晶粒大小、晶粒中心位置(0,0晶粒)、倍縮光罩(曝露場)大小及晶粒/倍縮光罩原點。
可以若干不同方式執行該匹配。例如，可由兩個工具量測或偵測之一樣本上之一或多個共同參考點可被識別且用於判定由不同工具使用及/或報告之不同坐標之間的一或多個偏移。接著，該等一或多個偏移可用於將任一報告之位置自一坐標系轉換至另一坐標系。依一類似方式，為測試不同工具坐標系之一潛在正確匹配，已由一第一工具量測之一特定量測點可由一第二工具掃描使得由第二工具報告之一x，y位置可與用於第一工具中之x，y位置比較、相關及/或匹配。一旦第二區域坐標已轉換為用於判定第一區域位置之坐標系或反之亦然，即可判定相對於該(等)第一區域之位置之該(等)第二區域之位置。
此等相對位置可以任何適合方式判定。在一些例項中，相對於第一區域位置之第二區域位置可僅判定為由坐標系匹配或平移產生之共同坐標系中之第二區域位置。然而，判定相對於第一區域位置之第二區域位置亦可或替代地包含判定第二區域位置之各者與由坐標系匹配或平移產生之共同坐標系中之一或多個最接近第一區域之位置之間的一偏移或距離。因此，判定此等第二區域相對於第一區域之該(等)位置亦可判定此等第二區域之位置亦可包含判定第一區域中之哪一(些)最接近第二區域位置，且該資訊亦可與對應第二區域位置一起儲存。因此，一般而言，可在本文所描述之實施例中可使用不同方法來判定一共同坐標系中之第一與第二區域位置之間的相對位置。
因為，如本文進一步描述，該(等)第一區域及該(等)第二區域在樣本上彼此相互排斥，該(等)電腦子系統可經組態用於自該(等)第一區域處產生之第一程序資訊判定或預測該(等)第二區域之位置處產生之第一程序資訊及相對於第一區域之位置判定該(等)第二區域之位置來判定或預測該(等)第二區域之位置處之第一程序資訊。例如，該(等)第一區域產生之第一程序資訊可用於使用本文所描述之方法之一者預測該(等)第二區域之該(等)位置處之第一程序資訊。
在一實施例中，判定第二程序資訊包含將第一程序資訊自一或多個第一區域之一或多個位置內插至一或多個第二區域之一或多個位置。內插通常可在本技術中界定為在一給定資料範圍內之值之預測。用於預測步驟中之內插可包含本技術中已知之任何適合內插方法。適合內插方法之實例包含(但不限於)線性內插、多項式內插、樣條內插、非線性內插、藉由一高斯(Gaussian)程序之內插、多變量內插、雙線性內插及雙立方內插，所有此等均可以本技術中已知之任何適合方式執行。
在另一實施例中，判定第二程序資訊包含將第一程序資訊自一或多個第一區域之一或多個位置外推至一或多個第二區域之一或多個位置。在本技術中，外推通常可界定為對一給定資料範圍之外之資料之預測。存在可用於外推之不同方法。一此外推方法係基於等高線圖之外推。例如，一旦已獲取第一程序資訊，即可以本技術中已知之任何適合方式產生第一程序資訊之一等高線圖。一旦一等高線圖可用，即可按一使用者界定之柵格大小對樣本上之各點提取第一程序資訊之值。接著，可將此第一程序資訊應用於相同柵格中之(若干)第二區域位置。依此方式，可根據第二區域位置位於其中之柵格之值將第一程序資訊指派至各第二區域位置。
因此，外推係一種將在樣本上之一些區域中判定之資訊延伸/普遍化至完整樣本之方法。在一些應用中，亦可執行外推以將來自第一特徵之資訊應用於第二特徵，例如歸因於程序特性，圖5c中之材料506之高度可不完全相同於圖5a中之材料506之厚度。確切而言，圖5c中之材料506之高度可為依據圖5a中之材料506之厚度及圖5c中之材料506之線寬(CD)而變。此函數可預定為一給定特性性質且用於分析圖5c中之第二特徵。此處，外推可為線性或非線性。因此，外推係一種可用於將一些位置處之資訊延伸至其他位置之方法，而實際實施方案(外推或其他延伸方法)亦可涉及程序資訊，即，到目前為止如何製作樣本。
在一些實施例中，該(等)電腦子系統經組態以藉由使用第一及第二程序資訊之一或多者修改由檢測子系統產生之輸出之至少部分來偵測樣本上之缺陷，藉此產生經修改之輸出且將一缺陷偵測方法應用於經修改之輸出。例如，藉由如本文所描述分析來自一檢測工具之GL資料，本文所描述之實施例之另一優點係其等可用於藉由「剝離」來自所要結構或不關注之變動之主要GL信號分量來增強檢測敏感度。
缺陷偵測方法可包含本技術中已知之任何適合缺陷偵測方法。在一此(非常簡單)實例中，缺陷偵測方法可包含減去在對應晶粒位置處產生之檢測子系統之輸出及將一臨限值應用於減法之結果。高於臨限值之任何輸出可由缺陷偵測方法判定為一缺陷(或潛在缺陷)而低於臨限值之任何輸出可不被識別為一潛在缺陷。
該(等)電腦子系統可經組態用於以本技術中已知之任何方式儲存第二程序資訊及本文所描述之其他結果之任何者。該(等)電腦子系統可將第二程序資訊及本文所描述之任何其他資訊或結果儲存於本文所描述之任何儲存媒體或本技術中已知之任何其他適合儲存媒體中。在已儲存資訊之後，可在儲存媒體中存取資訊且由本文所描述之方法或系統實施例之任何者使用、格式化以向一使用者顯示、由另一軟體模組、方法或系統使用等。例如，該(等)電腦子系統可使用第二程序資訊產生或更改如本文所描述之一程序配方。接著，該程序配方可由系統或方法(或另一系統或方法)儲存及使用以對樣本或其他樣本執行一程序以藉此依一些方式更改樣本或其他樣本。
第二程序資訊及由本文所描述之實施例產生之其他結果及資訊可由本文所描述之實施例及/或其他系統及方法以多種方式使用。此等功能包含(但不限於)以一回饋或前饋方式更改一程序，諸如已或待對判定資訊之樣本或另一樣本執行之一製造程序或步驟。例如，本文所描述之該(等)電腦子系統可經組態以判定對如本文所描述判定資訊之一樣本執行之一程序及/或將基於第二程序資訊對樣本執行之一程序之一或多個改變。對程序之改變可包含對程序之一或多個參數之任何適合改變。
該(等)電腦子系統可以判定此等改變使得可已在控制極限外操作之一程序可帶回進行控制。例如，該(等)電腦子系統可將一程序之一設定判定為第二程序資訊且使用該設定來判定設定是否在控制極限之外且當其判定為在控制極限之外時，如何使其回到控制內。在另一實例中，該(等)電腦子系統可將第一及/或第二特徵之類計量特性判定為第一及/或第二資訊，其可用於判定對樣本執行之一程序是否產生具有該類計量特性之(若干)可接受值之(若干)樣本。若基於第一及/或第二程序資訊來判定程序失控，則該(等)電腦子系統可判定將引起程序製造具有類計量特性之(若干)可接受值之(若干)樣本之對程序之一或多個改變。本文所描述之該(等)電腦子系統可以本技術中已知之任何適合方式判定上述改變之任何者。
接著，可將該等改變發送至半導體製造系統(圖中未展示)或可存取該(等)電腦子系統及半導體製造系統之一儲存媒體(圖中未展示)。半導體製造系統可或可不為本文所描述之系統實施例之部分。例如，本文所描述之該(等)電腦子系統、檢測子系統、計量工具等可(例如)經由一或多個共同元件(例如一外殼、一電源供應器、一樣本處置裝置或機構等)耦合至半導體製造系統。半導體製造系統可包含本技術中已知之任何半導體製造系統，諸如一微影工具、一蝕刻工具、一化學機械拋光(CMP)工具、一沈積工具及其類似者。
該(等)電腦子系統可將此資訊儲存於一配方中或藉由產生將基於該資訊而執行之一程序之一配方而非僅將第二程序資訊或本文所描述之其他資訊儲存於一儲存媒體中。本文所使用之術語一「配方」界定為可由一工具用於對一樣本執行一程序之一組指令。依此方式，產生一配方可包含產生如何執行一程序之資訊，其可接著用於產生用於執行該程序之指令。該(等)電腦子系統亦可儲存可用於識別、存取及/或使用第二程序資訊(例如諸如一檔案名稱及其儲存位置)之第二程序資訊之任何資訊。
因此，如本文所描述，實施例可用於設定一新程序或配方。實施例亦可用於修改一既有程序或配方。本文所描述之實施例不受限於製造配方或程序產生或修改。例如，本文所描述之實施例亦可用於以一類似方式設定或修改用於計量、缺陷再檢測等之一配方或程序。因此，本文所描述之實施例不僅可用於設定或修改製造程序亦可用於設定或修改對本文所描述之樣本執行之任何品質控制型程序及此一程序之任何參數。
可將上述系統之各者之實施例之各者一起組合成一單一實施例中。
另一實施例係關於一種用於判定一樣本之資訊之電腦實施方法。該方法包含回應於由如本文所描述組態之一或多個輸出擷取子系統自一樣本偵測之能量而產生輸出。該方法亦包含判定可根據上文所描述之實施例之任何者執行之判定第一程序資訊及第二程序資訊。判定該第一及第二程序資訊由耦合至該一或多個輸出擷取子系統之一或多個電腦子系統執行。
該方法之步驟之各者可如本文進一步描述來執行。該方法亦可包含可由本文所描述之該(等)輸出擷取子系統、(若干)電腦子系統、檢測子系統、計量工具及/或任何其它(若干)步驟來執行。該一或多個電腦子系統可根據本文所描述之實施例之任何者組態。另外，上述方法可由本文所描述之任何系統實施例執行。
一額外實施例係關於一種儲存可在一電腦系統上執行以執行用於判定一樣本之資訊之一電腦實施方法之程式指令之非暫時性電腦可讀媒體。圖8中展示一此實施例。特定言之，如圖8中所展示，非暫時性電腦可讀媒體800包含可在電腦系統804上執行之程式指令802。電腦實施方法可包含本文描述之任何(若干)方法之任何(若干)步驟。
實施諸如本文所描述之方法之程式指令802可儲存於電腦可讀媒體800上。電腦可讀媒體可為一儲存媒體，諸如一磁碟或光碟、一磁帶或本技術中已知之任何其他適合非暫時性電腦可讀媒體。
程式指令可以各種方式之任何者實施，包含(尤其)基於程序之技術、基於組件之技術及/或物件導向技術。例如，程式指令可視需要使用ActiveX控制、C++物件、JavaBeans、微軟基礎類別(「MFC」)、SSE (資料流SIMD延伸)或其他技術或方法來實施。
電腦系統804可根據本文所描述之實施例之任何者來組態。
鑑於本描述，熟習技術者當明白本發明之各種態樣之進一步修改及替代實施例。例如，提供用於判定一樣本之資訊之方法及系統。因此，本描述僅被解釋為繪示性且為了教示熟習技術者實施本發明之一般方式。應理解本文中所展示及描述之本發明之形式將被視為當前較佳實施例。元件及材料可取代本文所繪示及描述之元件及材料，部件及程序可顛倒，且可獨立地利用本發明之某些特徵，習技術者將在受益於本發明之描述之後明白所有一切。可在不背離如以下申請專利範圍中所描述之本發明之精神及範疇之情況下對本文所描述之元件進行改變。
10:檢測子系統 14:樣本 16:光源 18:光學元件 20:透鏡 21:光束分離器 22:載台 24:集光器 26:元件 28:偵測器 30:集光器 32:元件 34:偵測器 36:電腦子系統 102:電腦子系統 122:電子柱 124:電腦子系統 126:電子束源 128:樣本 130:元件 132:元件 134:偵測器 300:計量工具 302:光源 304:光譜濾波器 306:光束分離器 308:物鏡 310:樣本 312:光束分離器 314:帶通濾波器 316:偵測器 318:帶通濾波器 320:偵測器 322:電腦子系統 400:檢測子系統模組 402:計量工具模組 404:電腦子系統 406:共同外殼 408:共同樣本處置器 410:共同電源 412:額外模組 414:裝載室 416:匣 500:晶圓 502:材料 504:材料 506:材料 508:晶粒 510:第一區域 512:材料 514:晶粒 516:第二區域 600:晶圓圖 602:晶圓圖 604:晶圓圖 700:晶圓圖 800:非暫時性晶圓可讀媒體 802:程式指令 804:電腦系統
本發明之其他目的及優點將在閱讀以下詳細描述及參考附圖之後變得顯而易見，其中： 圖1及圖2係繪示如本文所描述組態之一系統之一實施例之一側視圖之示意圖； 圖3係繪示如本文所描述組態之一計量工具之一實施例之一側視圖之一示意圖； 圖4係繪示如本文所描述組態之一系統之一實施例之一平面圖之一示意圖； 圖5a係繪示形成於一樣本上之一或多個第一區域中之一或多個第一特徵之一實例之一橫截面圖之一示意圖； 圖5b係繪示一樣本上之圖5a之一或多個第一區域之一平面圖之一示意圖； 圖5c係繪示形成於一樣本上之一或多個第二區域中之一或多個第二特徵之一實例之一橫截面圖之一示意圖； 圖5d係繪示一樣本上之圖5c之一或多個第二區域之一平面圖之一示意圖； 圖6係繪示跨一樣本之不同第一程序資訊之值之樣本映射之實例之一示意圖； 圖7係繪示跨一樣本之第二程序資訊之值之一樣本映射之一實例之一示意圖；及 圖8係繪示儲存可在一電腦系統上執行以執行本文所描述之電腦實施方法之一或多者之程式指令之一非暫時性電腦可讀媒體之一實施例之一方塊圖。 儘管本發明易受各種修改及替代形式影響，但其具體實施例在圖式中以實例之方式展示且將在本文中詳細描述。然而，應理解，圖式及其詳細描述且不意欲使本發明受限於所揭示之特定形式，但相反，本發明應涵蓋落入如由隨附申請專利範圍界定之本發明之精神及範疇內之所有修改、等效物及替代方案。
10:檢測子系統
14:樣本
16:光源
18:光學元件
20:透鏡
21:光束分離器
22:載台
24:集光器
26:元件
28:偵測器
30:集光器
32:元件
34:偵測器
36:電腦子系統
102:電腦子系統

Claims (25)

  1. 一種經組態以用於判定一樣本之資訊之系統，其包括： 一或多個輸出擷取子系統，其經組態以回應於自一樣本偵測之能量而產生輸出，其中該一或多個輸出擷取子系統包括經組態以當在該樣本上掃描該能量時回應於自該樣本偵測之該能量而產生該輸出之至少一部分之一檢測子系統；及 一或多個電腦子系統，其經組態以： 自該輸出判定形成於該樣本上之一或多個第一區域中之一或多個第一特徵之第一程序資訊；及 自該輸出及該第一程序資訊之至少一部分判定形成於該樣本上之一或多個第二區域中之一或多個第二特徵之第二程序資訊，其中該第二程序資訊之至少一部分係不同於該第一程序資訊之一類型之資訊，其中該一或多個第二特徵之一設計之至少一部分不同於該一或多個第一特徵之一設計，且其中該一或多個第一區域及該一或多個第二區域在該樣本上相互排斥。
  2. 如請求項1之系統，其中用於判定該第一程序資訊之該輸出僅包括由該檢測子系統產生之該輸出，且其中用於判定該第二程序資訊之該輸出僅包括由該檢測子系統產生之該輸出。
  3. 如請求項2之系統，其中用於判定該第一及第二程序資訊之該輸出在該樣本之相同掃描中產生。
  4. 如請求項1之系統，其中該一或多個輸出擷取子系統進一步包括一計量工具，該計量工具經組態以在該樣本上之量測點處執行量測來產生該輸出之至少另一部分，其中用於判定該第一程序資訊之該輸出僅包括該輸出之該至少另一部分，且其中用於判定該第二程序資訊之該輸出包括該輸出之該至少該部分。
  5. 如請求項1之系統，其中未產生用於判定該第一程序資訊之該輸出直至該一或多個第二特徵形成於該樣本上。
  6. 如請求項1之系統，其中該第二程序資訊包括對該樣本執行之一程序之一設定。
  7. 如請求項1之系統，其中該第二程序資訊包括該一或多個第二特徵之一特性。
  8. 如請求項1之系統，其中選擇該一或多個第一區域以捕獲該第一程序資訊中之樣本級變動。
  9. 如請求項1之系統，其中選擇該一或多個第一區域以捕獲該第一程序資訊中之晶粒級變動。
  10. 如請求項1之系統，其中該一或多個電腦子系統經進一步組態以藉由使用該第一及第二程序資訊之一或多者來修改由檢測子系統產生之該輸出之該至少該部分來偵測該樣本上之缺陷，藉此產生經修改之輸出且將一缺陷偵測方法應用於經修改之輸出。
  11. 如請求項1之系統，其中該一或多個電腦子系統經進一步組態以使用一經驗判定之關係來判定該第一及第二程序資訊之一或多者。
  12. 如請求項1之系統，其中該一或多個電腦子系統經進一步組態以使用一嚴格模型來判定該第一及第二程序資訊之一或多者。
  13. 如請求項1之系統，其中判定該第二程序資訊包括將該第一程序資訊自該一或多個第一區域之一或多個位置內插至該一或多個第二區域之一或多個位置。
  14. 如請求項1之系統，其中判定該第二程序資訊包括將該第一程序資訊自該一或多個第一區域之一或多個位置外推至該一或多個第二區域之一或多個位置。
  15. 如請求項1之系統，其中該一或多個電腦子系統經進一步組態以基於用於該樣本之一設計之資訊及對該樣本執行之一或多個程序而選擇該第一程序資訊、該一或多個第一特徵、該一或多個第一區域、該一或多個第二特徵及該一或多個第二區域。
  16. 如請求項1之系統，其中該一或多個電腦子系統經進一步組態以基於該樣本之一設計之資訊及對該樣本執行之一或多個程序來判定用於判定該第一及第二程序資訊之一或多個方法。
  17. 如請求項1之系統，其中判定該第一程序資訊包括將一第一方法應用於該輸出，其中判定該第二程序資訊包括將一第二方法應用於該輸出及該第一程序資訊之該至少該部分，且其中該第一及第二方法不同。
  18. 如請求項1之系統，其中該一或多個電腦子系統經進一步組態以執行用於判定該第一及第二程序資訊之一單一方法。
  19. 如請求項18之系統，其中至該單一方法之輸入係由該一或多個輸出擷取子系統針對該樣本產生之該輸出，且其中該單一方法之輸出係該第二程序資訊。
  20. 如請求項1之系統，其中該一或多個電腦子系統經進一步組態以自該輸出判定形成於該樣本上之一或多個第三區域中之一或多個第三特徵之第三程序資訊，其中該第一程序資訊之至少一部分不同於該第三程序資訊，其中該一或多個第一特徵之該設計之至少一部分不同於該一或多個第三特徵之一設計，其中該一或多個第一區域、該一或多個第二區域及該一或多個第三區域在該樣本上相互排斥，且其中該一或多個電腦子系統經進一步組態以基於該第三程序資訊而判定該第一程序資訊之資訊。
  21. 如請求項1之系統，其中該第一及第二區域之一或多者位於形成於該樣本上之一裝置之一功能區域中。
  22. 如請求項1之系統，其中該第一及第二區域之一或多者位於形成於該樣本上之裝置之間的一劃線道區域中。
  23. 如請求項1之系統，其中該檢測子系統進一步組態為一光學檢測子系統。
  24. 一種非暫時性電腦可讀媒體，其儲存可在一電腦系統上執行以執行用於判定一樣本之資訊之一電腦實施方法之程式指令，其中該電腦實施方法包括： 回應於由一或多個輸出擷取子系統自一樣本偵測之能量而產生輸出，其中該一或多個輸出擷取子系統包括經組態以當在該樣本上掃描該能量時回應於自該樣本偵測之該能量而產生該輸出之至少一部分之一檢測子系統； 自該輸出判定形成於該樣本上之一或多個第一區域中之一或多個第一特徵之第一程序資訊；及 自該輸出及該第一程序資訊之至少一部分判定形成於該樣本上之一或多個第二區域中形成之一或多個第二特徵之第二程序資訊，其中該第二程序資訊之至少一部分係不同於該第一程序資訊之一類型之資訊，其中該一或多個第二特徵之一設計之至少一部分不同於該一或多個第一特徵之一設計，其中該一或多個第一區域及該一或多個第二區域在該樣本上相互排斥，且其中判定該第一及第二程序資訊由該電腦系統執行。
  25. 一種用於判定一樣本之資訊之電腦實施方法，其包括： 回應於由一或多個輸出擷取子系統自一樣本偵測之能量而產生輸出，其中該一或多個輸出擷取子系統包括經組態以當在該樣本上掃描該能量時回應於自該樣本偵測之該能量而產生該輸出之至少一部分之一檢測子系統； 自該輸出判定形成於該樣本上之一或多個第一區域中之一或多個第一特徵之第一程序資訊；及 自該輸出及該第一程序資訊之至少一部分判定形成於該樣本上之一或多個第二區域中形成之一或多個第二特徵之第二程序資訊，其中該第二程序資訊之至少一部分係不同於該第一程序資訊之一類型之資訊，其中該一或多個第二特徵之一設計之至少一部分不同於該一或多個第一特徵之一設計，其中該一或多個第一區域及該一或多個第二區域在該樣本上相互排斥，且其中判定該第一及第二程序資訊由耦合至該一或多個輸出擷取子系統之一或多個電腦子系統執行。
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