JPH10510375A - フラット回折格子光バルブの製造方法及びその装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 光を変調する変形可能格子装置は、基板（４００）の上に絶縁層（４０２）を形成し、この絶縁層（４０２）の上に第一の導電層（４０６）を形成し、その上に犠牲層を形成することにより製造される。犠牲層及び第一導電層が、ビットライン及びボンディングパッド（３０６、３１２、３１６）へのバスを確定するためにエッチングされる。次に、弾性材料層（４１０）がエッチングされた層の上に形成され、反射導電層（４１４）が弾性層の上に形成される。誘電層（４１６）が反射導電層（４１４）の上に堆積される。複数の平行要素（３０４）を含む格子を形成するために、誘電層（４１６）、反射導電層（４１４）、弾性材料層（４１０）、及び犠牲層は全てエッチングされる。その後、平行要素（３０４）が第一の導電層の上方に懸架するために、犠牲層がこの平行要素の下から除去される。この表面は、格子がこの第一の導電層に付着することを防止するために処理される。光変調器は、絶縁層とこの絶縁層の上に形成された複数の平行導電層とを有する基板を備えている。リボン（３０４）は空隙により導電層（３００、３０２）から隔置されかつ導電層間のギャップ内の基板に取り付けられている。

Description

【発明の詳細な説明】 フラット回折格子光バルブの製造方法及びその装置技術分野 本発明は光ビームを変調する分野に関する。特に、本発明は実質的にフ ラットな回折格子光バルブ及びその製造方法に関する。背景技術 例えば、光の振幅、周波数、あるいは位相を変更することにより光ビームを変 調する装置には多くの応用が存在する。このような装置の一例として、変形可能 反射格子光変調器１０が図１に示されている。この変調器１０は、反射基板１６ 上に懸架され等間隔で配置された複数の変形可能反射リボン１８を有している。 この変調器は、参照によりここに組み込まれた米国特許第5,311,360号において Bloom 他により提案された。リボン１８は酸化物スペーサ層１２上の窒化物フレ ーム２０上に保持されている。単一波長λ_oを有する光を変調するために、変調 器は、リボンの厚さと酸化物スペーサの厚さとが共にλ_o/４に等しくなるように 設計されている。 リボン１８上の反射表面と基板１６の反射表面との間の垂直距離ｄとして定義 される、この変調器の格子振幅は電子的に制御される。電圧がリボン１８と基板 １６との間に印加されていない未変形状態では、格子幅はλ_o/２に等しくまたリ ボンと基板とから反射された光の間の合計光路長差はλ_oに等しく、そのため同 相で加算される反射を生じさせ、またこの変調器はフラットミラーとして光を反 射する。適切な電圧がリボン１８と基板１６との間に印加された時に、静電力が リボン１８を基板１６の表面上に引き下げ、また格子幅はλ_o/４に等しくなるよ うに変化する。合計光路長差は１/２波長となり、これにより変形リボン１８の 表面からの反射と基板１６からの反射は破壊的に干渉する。この干渉の結果、変 調器は光を回折する。 Bloom 他の第 5,311,360 号特許に記載された型式の格子光変調器は、画像を 表示する装置をつくり出すために使用できる。ピクセルは、最小限で一対の隣接 格子要素を有する変調器により形成できる。この表示装置が回折された光だけ を検出する光学装置を備えているとすると、電圧がリボンに印加されずかつリボ ンが上方位置にあるときにはピクセルは暗つまりオフ状態にあり、一方電圧がリ ボンに印加されかつリボンが基板上に引き下ろされたときにはピクセルは明つま りオン状態にある。表示装置を設計する一つの非常に重要な基準は、暗ピクセル と明ピクセルとの間のコントラスト比である。比較的大きいコントラスト比を与 える最善の方法は、暗ピクセルが確実に光を有していないようにすることである 。 変調器１０を形成する方法は、Bloom 他の第 5,311,360 号特許に提案されて いる。図１において、絶縁層１１はシリコン基板１６上に堆積されている。この あと、共に２１３ｎｍ厚さの犠牲的二酸化シリコン膜１２及び低応力窒化シリコ ン膜１４が堆積される。これらの厚さが変調器の格子幅を決定するので、それら の寸法は重要である。これらの厚さの変動はオフ状態における光の不必要な回折 を生じさせ、そのため、より低いコントラスト比をもたらす。 窒化シリコン膜１４はフォトリソグラフィによりパターニングされ、細長い要 素１８の形の格子要素のグリッドにエッチング形成される。このフォトリソグラ フによりパターニングプロセスの後に、周辺の窒化シリコンフレーム２０がシリ コン基板１６の上面の全周囲に残る。次に、犠牲的二酸化シリコン膜１２はフッ 化水素酸でエッチングされる。二酸化シリコン膜１２は、酸エッチングにより完 全に除去されこれにより２１３ｎｍ厚さの複数の窒化シリコンリボンが形成され 、またフレーム内で引き伸ばされかつシリコン基板１６上２１３ｎｍの距離（こ れはエッチングされた犠牲膜の厚さである）に懸架される。 更にわかるように、二酸化シリコン層１２はフレーム２０の下は完全にエッチ ングされていない。このように、フレーム２０は、二酸化シリコン膜１２の残っ ている部分によりシリコン基板１６上２１３ｎｍの距離に支持される。これは、 二酸化シリコン層１２がフレーム２０の下に確実に残るようにするために注意深 く制御された時間依存エッチングを必要とする。次に、５０ｎｍ厚のアルミニウ ム膜がリボン１８及び基板１６の上にスパッタリングされる。このアルミニウム 膜はリボン１８及び基板１６の反射率を高め、かつリボン１８及び基板１６の間 に電圧を印加する第一の電極を与える。第二の電極は、シリコン基板１６のベー ス上に同じ厚さのアルミニウム膜をスパッタリングすることにより形成される。 リボン１８及び基板１６の付着力は、最終のウエット処理工程の間及び動作の 間、これらの装置において問題となることがわかっていた。この付着力を生じさ せる力は、２つの表面の接触面積及び付着比力（つまり、単位接触面積当たりの 力）の関数である。付着を低減する数多くの技術が提案されている。これらは、 フリーズドライ、ホトレジストアセトン犠牲層のドライエッチング、ＯＴＳ単層 処理、より短いリボン及び/またはより強く張った窒化物膜を使用することによ るより硬いリボンの使用、一方あるいは両方の表面の粗加工あるいは波形化、リ ボンの底面上への反転レールの形成、及び表面の化学的特性の変更を含んでいる 。"Surface Microfabrication of Deformable Grating Light Valves for High Resolution Displays" の Sandejas 他及び"Grating Light Valves for High Re solution Displays"の Apte 他，Solid State Sensors and Actuators Workshop ，Hilton Head Island，SC(June1994)は、そのような付着が、ブリッジの底面上 に反転レールを形成すること及び粗ポリシリコン膜を使用することにより接触面 積を低減することにより防止できる、ことを開示している。現在、望ましい技術 は一方あるいは両方の表面を粗くすることである。しかし、変調器１０の基板は 光学表面として使用されるので、表面を粗くする製造プロセスは、基板１６の反 射部分が高反射率をもつよう平滑化されかつリボン１８に平行な面内になければ ならず一方リボン１８の下の基板の部分は粗くなければならないという要求によ り複雑となる。 Bloom 他の第 5,311,360 号特許は、基板を反射表面として使用しない変調器 の他の実施例の製造方法を提案しているが、それは開示していない。変調器３０ の一形式が図２に示されており、それは、固定リボン３８を有するとともに交互 に可動リボン３４を有している。その固定リボン３８は可動リボン３４と同一平 面となるように配置され、これにより実質的にフラットな上面を与える。バイア ス電圧が印加されないときは、変調器はフラットミラーとして入射光を反射する 。バイアス電圧が印加されると、可動リボン３４は下方に移動して変調器は光を 回折する。しかし、この装置は製造が難しく、変調器１０と同じくその性能はリ ボン及び固定要素の下の酸化物スペーサの厚さに極めて敏感である。 更に、変調器１０（図１）及び変調器３０（図２）から成るディスプレイの コントラスト比及び強度も、プロセスにより発生した格子構造における偶然の周 期性に敏感である。例えば、固定リボンを支持する酸化物スペーサの膨出が変調 器３０のプロセスの間に発生することがある。このような膨出により固定リボン 及び可動リボンがオフ状態で同一平面にないことになり、そのため光は反射の代 わりに回折される。 更に、これらの変調器は、印加電圧及びノイズの影響に起因してコントラスト 比の劣化を受ける。第一の場合には、基板と下方に移動されるリボンとの印加電 圧の存在は、上方にとどまる（ピクセルオフ）他のリボンによって検出される。 これらのリボンは曲がり入射光の一部を回折し、そのためピクセルはオフかつ暗 にされる代わりに部分的にオンかつ点灯され、コントラスト比の低減が生じる。 同様に、リボン及び非固定要素はノイズに応答して曲がる。この結果、ａ）変調 器１０内の格子幅（隣接格子要素の反射表面間の距離）が変動すること及びｂ） リボン及び固定要素がもはや変調器３０内で同一平面にないことから、コントラ スト比の劣化が発生する。 要約すると、従来技術の方法を用いて製造された変調器の性能には、これに限 定されないが、以下の欠点がある。つまり、リボンの厚さ、犠牲層、及び残留酸 化物スペーサの寸法が格子振幅（幅）を確定するので性能はプロセス変動に敏感 であること、コントラスト比は単一波長についてだけ最適化されていること、暗 状態つまりコントラスト比は非常に波長に依存すること、異なる波長に同調する ためあるいは製造変動を調整するために、弛緩状態の基板上方のリボンの高さを プロセス後は調整できないこと、両表面の付着を防止し表面を粗くする実施例の 方法は基板格子要素の反射率を劣化させること、及びコントラスト比が印加電圧 及びノイズの影響により劣化することである。 必要とされるものは、以下の特徴を示すフラット回折格子光バルブである。つ まり、暗状態が波長に依存しないこと、白色光に対するコントラスト比が比較的 高いこと、格子振幅が性能、自己バイアス、ノイズのコモンモード除去、簡単か つコスト有効な製造を最適化するために調整できること、及びプロセス変動の許 容である。 更に、以下の特徴を示す光バルブ及びフラット回折格子装置を製造する方法 が必要とされる。つまり、簡単な製造プロセス、高い歩留まり、自己制限犠牲層 エッチング、自己支持変調要素（フレームなし）、及び付着を除去するプロセス の簡単化である。また、基板製造上の問題点（付着を低減する粗さ及び導電率） は光学的問題点（反射率及び平坦性）から切り離される。発明の開示 光を変調する変形可能格子装置を製造する方法は、基板の上に絶縁層を形成し 、絶縁層の上に第一の導電層を形成し、この第一の導電層の上に犠牲層を形成す ることの各工程から成る。犠牲層及び第一導電層は、ビットライン及びボンディ ングパッドへのバスを確定するためにエッチングされてエッチングされた層を形 成する。犠牲層及び第一の導電層がエッチングされた後に、弾性材料層がそのエ ッチングされた層の上に形成され、かつ反射導電層がこの弾性層の上に形成され る。誘電層が反射導電層の上に堆積される。複数の平行要素を含む格子を形成す るために、誘電層、反射導電層、弾性材料層、及び犠牲層は全てエッチングされ る。このエッチング後に、犠牲層がこの平行要素の下から除去され、これにより 平行要素が第一の導電層の上方に懸架される。格子と第一の導電層との間に処理 表面を備えることにより、この格子は第一の導電層に向けて移動した時に、その 格子がこの第一の導電層に付着することを防止される。 光変調器は、基板と、前記基板の上の絶縁層と、複数の導電層の隣接したもの がギャップにより分離されるように、前記絶縁層の上に形成された複数の平行導 電層と、前記導電層に実質的に垂直に配向された複数の連続した平行反射リボン とを備えている。このように、前記リボンは空隙により前記導電層から隔置され かつ前記導電層間のギャップ内の前記基板に搭載される。図面の簡単な説明 図１は従来技術の方法により形成された変調器の断面図である。 図２は従来技術において提案された変調器の断面図である。 図３乃至図２６は本発明の処理手順を示す半導体ウエハの断面図である。発明を実施するための最良の形態 図３は本発明の方法により製造された２つのピクセル要素の平面図を示す。こ の平面図は好適実施例を示している。簡単な修正が可能でありそれは本発明の範 囲内にあることは当業者には明らかである。例えば、ピクセルに対して異なる数 のリボンが使用できる。また、多くの形式のディスプレイ装置に対して、多くの 行及び列に数多くのピクセルが使用できることもわかる。そのような装置では、 ボンディングパッド領域はピクセルの位置から実質的に除去できる。 連続した導電層３００が複数のリボンの下にある。好適実施例では、単一導電 層の上方の４つのリボンが一つのピクセルを形成する。第二の導電層３０２は第 一の導電層３００に隣接しており、第二のピクセルを確定する。従来のディスプ レイ装置では、導電層はディスプレイの列を表示するために使用される。導電層 ３００及び３０２の各々はボンディングパッド３０６及び３１２から適切な電圧 を入力するために接続されている。 各ピクセルは４つの反射リボンを含んでいる。リボン３０４のうち２つはバイ アス電圧を入力するために電気的に接続されている。好適実施例では、リボン３ ０４へのバイアス電圧がボンディングパッド３０６に印加される。このボンディ ングパッド３０６は導電層３０８に電気的に接続されている。導電層３０８はピ クセル領域の導電層３００及び３０２と同時に形成される。導電層３０８コンタ クトビア３２０を介してリボン３０４に電気的に接続されている。リボン３１４ の別の２つはバイアス電圧を受け取るために電気的に接続されている。好適実施 例では、リボン３１４へのバイアス電圧はボンディングパッド３１６に印加され る。このボンディングパッド３１６は導電層３１８に電気的に接続されている。 導電層３１８はピクセル領域の導電層３００及び３０２と同時に形成される。導 電層３１８コンタクトビア３３０を介してリボン３１４に電気的に接続されてい る。 本発明を具体化する一つの用途は、変形可能反射格子光変調器を含む２次元ア ドレス指定可能格子光バルブディスプレイで、電気的に制御可能な格子振幅を有 し、基板の上に自由に懸架された変形可能格子を有する基板から成る格子光変調 器を備えている。フラット回折格子光バルブ構造及びその製造方法は、寸法的に 頑強で（自己制限犠牲層エッチングにより形成される自己支持変形可能リボン） 、ポストエッチング付着を伴わない下側電極ライン（テクスチュア下側電極）の 上方に自由に懸架でき、かつ上側（ワードライン）及び下側（ビットライン）デ ー タラインにより二次元的にアドレス指定できるピクセルを備えた、フラット回折 格子を製造する手段を確立する。 本発明のプロセスは、図４乃至図２６にステップ毎に示されている。これらの 図は本発明に従って処理されるウエハの断面を示し、プロセスの各主要工程後に 示される。プロセスの位置は図３の点線ＡーＡ’及びＢ−Ｂ’により示されてい る。同一要素は連続した工程において同じ番号で示される。修正された要素、例 えば、エッチングにより変形された要素はアルファベット添字を有する同じ番号 で示される。格子光バルブディスプレイを製造する方法は、固有のアーキテクチ ュアにより統合される重要なプロセス及び材料を含んでいる。好適実施例の材料 と共に代表的な材料だけがここに開示されるが、制限的な意味で解されるべきで ない。 図４に示された第一の工程は、シリコン基板４００上に絶縁層を形成すること である。好適実施例では、絶縁層は複合層であり、以下のように形成される。つ まり、シリコンウエハはフィールド酸化膜４０２を形成するために熱酸化される 。窒化シリコン４０４の薄層がフィールド酸化膜４０２の上に形成される。成長 される酸化物の厚さの要件は、ピクセルアドレス指定における基板容量及び関連 寄生容量の効果により示される。窒化物層は２つの機能を果たす、つまりｉ）ピ クセル間のギャップ内のリボン窒化物へのインタフェースの最適化、及びｉｉ） 犠牲層エッチング中のピクセル間のスペース内のリボンのアンダーカットを防止 するエッチング工程である。 周辺の部分では、図５に示されるように、修正層４０２Ａ及び４０４Ａを形成 するために、窒化物層４０４及びフィールド酸化膜４０２がパターニングされエ ッチングされる。しかし、これらの層は装置のピクセル領域にそのまま残り、そ れらの本来の参照番号により呼ばれ続ける。 図６に示す次の工程で、代表的には高融点金属から成る第一の導電層４０６が 窒化物層４０４上に形成される。第一の導電層４０６はリボン格子の下側電極と して機能する。これはまた、ビアを介してリボン格子の上側電極をボンディング パッドに接続するバス層としても機能する。ボンディングパッドはチップパッケ ージの外にある。第一の導電層４０６は格子リボン（まだ形成されていない）と 基板４００との間に配置される。導電材料の基準は、ｉ）高温適合性（８００℃ 以上）、ｉｉ）≦１ohms/sq.のシート抵抗が最小厚さ（平坦性を保つために≦１ ０００Å）で実現できるような低抵抗率、及びｉｉｉ）フッ化水素ベースのウエ ットエッチャント（犠牲層エッチングに対するエッチャント）に対する不可侵性 である。チタニウムータングステン（２０wt%Ｔｉまで）のような高融点合金と 共にタングステン（Ｗ）、モリブデン（Ｍｏ）、及びタンタル（Ｔａ）等の高融 点金属がこれらの要件を満たす。好適実施例では、金属はタングステンである。 格子要素と導電層との間の付着を除去するために、導電層４０６の上面及びま たはリボン層の底面を処理することが望ましい。一つの方法は、幾つかの手段の どれかにより導電層４０６に表面テクスチャアあるいは粗さを付加することであ る。ある場合には、ＳＦ６を含むプラズマ内でＷのドライエッチングが粗さを生 じさせる。同様に、アルゴンガスによるスパッタエッチングも粗さを生じさせる 。また、酸素プラズマあるいは５００乃至１０００℃での炉内アニーリング等の 手段による、Ｗ表面の部分酸化は表面テクスチャアを与える。 次に、犠牲層４０８が導電層４０６上に形成される。一般に、導電層４０６及 びリボン層（まだ形成されていない）に対して選択的にエッチングできる任意の 犠牲層４０８が使用できる。通常、ボロンリンシリケートグラス（ＢＰＳＧ）あ るいはリンシリケートグラス（ＰＳＧ）等の不純物添加ガラス層が使用される。 好適実施例では、ＰＳＧの犠牲層４０８が使用されている。厚さ及び許容誤差は 、それぞれ変調及びコントラスト比に要求される静電力によって制限される。こ の層に対する基準は、ｉ）上層の窒化シリコンリボン及び下地の高融点金属（共 に犠牲層エッチングの間に露出される）に対して極めて高いウエットエッチング 選択度（〜５００：１）であり、及びｉｉ）第一導電層上の平坦性を促進するた めに〜１２００℃で≦４５度で流動できることである。エッチング選択度及び流 動性は共に高濃度のリン添加により増大する。 導電層４０６及び犠牲層４０８は次に容易に利用できる技術によりホトリソグ ラフでマスクされ、両層の堆積が単一マスク工程で通常の幾何学でパターニング されるように適切なドライあるいはウエットエッチング技術により連続的にエッ チングされる。この組のプロセス工程から得られたプロフィールは図８に示され ている。 好適実施例では、確定されたＰＳＧ/Ｗ両層は、ＰＳＧが流動化されこれによ りＰＳＧ/Ｗ両層の側壁の上隅にテーパーあるいは面取りされたプロフィールを 生じさせるように、高温炉プロセスを受ける。このプロフィールは、連続した窒 化シリコン層とアルミニウム層の側壁被覆性を増し、また形成される窒化シリコ ンリボン内の曲げモーメントにより誘起される応力を分散することにより機械的 安定性を与える。 犠牲層が堆積された後に下側電極に表面テクスチュアを付加する一つの方法は 、顕微鏡的規模で非均一な酸化物を選択的に成長することである。これは、両層 がパターニングされる前に及び/または後にオプションで実行できる高温アニー リング工程でＷのドーパント増強酸化により実現される。このアニーリングが両 層をパターニングした後に実行される場合には、犠牲層の表面テクスチュア及び テーパーづけは付随的に実行できる。 次に、図９に示されているように、弾性材料４１０の層は犠牲層４０８Ｂの上 方に形成されている。弾性材料４１０の好適材料は、光バルブをダウン状態にす るスイッチングバイアスにより誘起された静電力を打ち消すのに十分な反対極性 バイアスが印加された後に、光バルブをアップ状態に戻すために必要とされるバ ネ力により決定される厚さ及び残留応力レベルまで堆積される、窒化シリコンで ある。窒化シリコンは減圧ＣＶＤ(ＬＰＣＶＤ)あるいはプラズマ増強ＣＶＤ(Ｐ ＥＣＶＤ)により堆積できる。層構造のアーキテクチュアは、ＰＳＧは３つの面 （上面及び両側面）は底部上の窒化シリコン及びＷに接している。Ｗの側壁は窒 化シリコンに接している。従って、ＰＳＧ/Ｗ両層が２次元に沿って完全に窒化 シリコンに接している。これは２つの主要な理由で重要である、つまりｉ）犠牲 ＰＳＧが等方的にエッチングされる犠牲層エッチング（確定された窒化シリコン リボンのアンダーカット）が、ＰＳＧと窒化シリコンとの間の極めて高い選択度 に起因する自己制御終点により自己制限的であること、及びｉｉ）窒化シリコン リボンの側壁が、リボンの縦方向要素の横方向曲げモーメントを制限することに より窒化シリコン光バルブに機械的安定性を与える、Ｗ層の縁により支持される ことである。 リボンとボンディングパッドとの間の接続は第一の導電層４０６により形成さ れるバスにより実現される。ボンディングパッドとビアとの両方の面積を確定す るホールは、図１０に示されているように、ピクセルの領域の外側の装置の周辺 において弾性材料４１０Ａ及び犠牲層４０８Ａを介して形成されている。導電層 ４０６はホールを介して露出される。 次に、アルミニウム層４１２が、ボンディングパッドとして機能しかつコンタ クトビアを埋めるために、図１１に示す構造の上方に形成される。好適実施例で は、このアルミニウム層は≦５０００Åの厚さまで堆積され、その結果最大の側 壁被覆性がボンディングパッド及びビアホール内に実現される。従来の方法は、 アルミニウムスパッタデポジション、例えば、３００℃でのアルミニウムのホッ トスパッタデポジション、バイアス基板スパッタデポジション及び/またはそれ らの組み合わせの前に、窒化物上側隅にテーパーを与えるスパッタエッチングを 含んでいる。 次に、アルミニウム層４１２はパターニングされエッチングされ、そのため図 １２に図示されているようにボンディングパッド及びビア領域内にだけ残る。周 知のように、十分なオーバーラップが、ボイドの形成を避けるためにボンディン グパッドの周りに残されている。オーバーラップの外側周縁におけるエッチング された金属の側壁の傾斜が、最大段差被覆性を保証する限り、このためリボン格 子の連続的に堆積されたスズアルミニウム上側電極の連続性を保証する限りにお いて極めて重要である。アルミニウム層４１２内の傾斜エッチングプロフィール は、制御されたウエットエッチングプロセスにより形成される。 好適実施例では、導電層４０６Ａは、ＰＳＧ及び窒化シリコンリボンの下に埋 められており、バス層の上の確定された領域がボンディングパッドの内側縁から 格子アレイの外側縁まで伸びている。このパッシベーション領域はボンディング パッド３０６とビア３２０との間に示されている。ガラスリッドがこのパッシベ ーション領域に搭載され、装置のピクセル領域を環境条件から気密封止する。ボ ンディングパッドは、図２５に示されるように、リッドによって与えられる封止 の外側に残る。ビア及びピクセル領域だけがリッドによって覆われる。プロセス の最終工程が完了した後に、リッドは装置に付加される。 次に、図１３及び図１４に示されているように、薄いアルミニウム層４１４が 装置の上に堆積される。この層４１４は（形成されるべき）ピクセルリボンの反 射率を増加する。アルミニウム層４１４は≦１０００Åの厚さまで堆積される。 二酸化シリコンの薄い誘電層４１６が、ピクセル領域に対しては図１５に示さ れまたその周辺に対しては図１６及び図１７に示されるように、薄いアルミニウ ム層４１４の上に形成される。誘電層は≦５００Åの厚さである。誘電層４１６ 及び薄いアルミニウム層４１４は図１６及び図１７に示すように周辺においてパ ターニングされエッチングされる。誘電層４１６Ａは、ボンディングのための導 電表面を与えるために、図１８に示されるように、ボンディングパッドから除去 される。薄い誘電層４１６は２つの主要な機能を実行する。第一に、薄い誘電層 ４１６は、ホトレジスト除去工程等の連続したプロセス工程中薄いアルミニウム 層４１４に対して保護層となる。第二に、薄い誘電層４１６は、光変調器の動作 中に薄いアルミニウム層４１４のエレクトロマイグレーション及び機械的歪みを 抑制することを助ける。 次に、ピクセル領域が回折格子のリボンを形成するように条件づけられる。断 面の次の手順は前述した断面に垂直に行われることは注目すべきである。これら のリボンを形成するためには２つの可能なプロセスがある。第一のプロセスは図 １９乃至図２１に示されている。図１９には、開口がホトレジスト層４１８を介 して形成される。図２０に示すように、薄い誘電層４１６、薄いアルミニウム層 ４１４、弾性層４１０、及び犠牲層４０８は、ホトレジスト層４１８をマスクと して使用して全てエッチングされる。図２１は、犠牲層４０８Ａが完全に除去さ れたことを示している。リボン構造は薄い誘電層４１６、薄いアルミニウム層４ １４、及び弾性層４１０を有している。この断面の優位性から、リボン構造が空 中に浮いていることがわかる。実際には、図２６に示されているように、このリ ボン構造はその端部により導電層４０６上の空隙４２０の上に懸架されている。 リボンを形成する第二のプロセスは図２２乃至図２４に示されている。図２２ には、開口がホトレジスト層４２２内に形成され、つぎにこのホトレジスト層４ ２２が薄い誘電層４１６Ｂ及び薄いアルミニウム層４１４Ｂの一部を除去するた めのエッチングマスクとして使用される。ホトレジスト層４２２が除去され、第 二のホトレジスト層４２４が堆積されマスクされる。ホトレジスト層４２４は層 ４１０Ｃ及び４０８Ｃのエッチングマスクとして使用される。次に全犠牲層４０ ８が除去されることから、犠牲層４０８Ｃはマスク工程の結果としては完全に除 去される必要はない。前述したプロセスにおけるように、リボンは導電層４０６ の上に懸架される。 いずれかのプロセスに対する最終工程として、リッド４３０がピクセル領域及 びビア上に搭載される。リッドはビアとボンディングパッドとの間の領域にある 装置の構造に接触し、その結果、図２５に示されたように、ボンディングパッド はパッケージのリッドの外側にある。 図２６は、リボンの長さとこのリボンを基板に搭載する構造とを示した２つの 完成したリボンの断面図を示している。 本発明は好適実施例に関連して説明された。本開示を読んだ後にだけ当業者に 明らかになる改良あるいは修正が本出願の精神及び範囲内にあると思われる。

【手続補正書】特許法第１８４条の８第１項 【提出日】１９９７年５月８日 【補正内容】発明を実施するための最良の形態 図３は本発明の方法により製造された２つのピクセル要素の平面図を示す。こ の平面図は好適実施例を示している。簡単な修正が可能でありそれは本発明の範 囲内にあることは当業者には明らかである。例えば、ピクセルに対して異なる数 のリボンが使用できる。また、多くの形式のディスプレイ装置に対して、多くの 行及び列に数多くのピクセルが使用できることもわかる。そのような装置では、 ボンディングパッド領域はピクセルの位置から実質的に除去できる。 連続した導電層３００が複数のリボンの下にある。好適実施例では、単一導電 層の上方の４つのリボンが一つのピクセルを形成する。第二の導電層３０２は第 一の導電層３００に隣接しており、第二のピクセルを確定する。従来のディスプ レイ装置では、導電層はディスプレイの列を表示するために使用される。導電層 ３１０及び３０２の各々はボンディングパッド３０６及び３１２から適切な電圧 を入力するために接続されている。 各ピクセルは４つの反射リボンを含んでいる。リボン３０４のうち２つはバイ アス電圧を入力するために電気的に接続されている。好適実施例では、リボン３ ０４へのバイアス電圧がボンディングパッド３０６に印加される。このボンディ ングパッド３０６は導電層３０８に電気的に接続されている。導電層３０８はピ クセル領域の導電層３００及び３０２と同時に形成される。導電層３０８コンタ クトビア３２０を介してリボン３０４に電気的に接続されている。リボン３１４ の別の２つはバイアス電圧を受け取るために電気的に接続されている。好適実施 例では、リボン３１４へのバイアス電圧はボンディングパッド３１６に印加され る。このボンディングパッド３１６は導電層３１８に電気的に接続されている。 導電層３１８はピクセル領域の導電層３００及び３０２と同時に形成される。導 電層３１８コンタクトビア３３０を介してリボン３１４に電気的に接続されてい る。 本発明を具体化する一つの用途は、変形可能反射格子光変調器を含む２次元ア ドレス指定可能格子光バルブディスプレイで、電気的に制御可能な格子振幅を有 し、基板の上に自由に懸架された変形可能格子を有する基板から成る格子光変調 器を備えている。 シート抵抗が最小厚さ（平坦性を保つために≦１０００Å）で実現できるような 低抵抗率、及びｉｉｉ）フッ化水素ベースのウエットエッチャント（犠牲層エッ チングに対するエッチャント）に対する不可侵性である。チタニウムータングス テン（２０wt%Ｔｉまで）のような高融点合金と共にタングステン（Ｗ）、モリ ブデン（Ｍｏ）、及びタンタル（Ｔａ）等の高融点金属がこれらの要件を満たす 。好適実施例では、金属はタングステンである。 格子要素と導電層との間の付着を除去するために、導電層４０６の上面及びま たはリボン層の底面を処理することが望ましい。一つの方法は、幾つかの手段の どれかにより導電層４０６に表面テクスチャアあるいは粗さを付加することであ る。ある場合には、ＳＦ６を含むプラズマ内でＷのドライエッチングが粗さを生 じさせる。同様に、アルゴンガスによるスパッタエッチングも粗さを生じさせる 。また、酸素プラズマあるいは５００乃至１０００℃での炉内アニーリング等の 手段による、Ｗ表面の部分酸化は表面テクスチャアを与える。 次に、犠牲層４０８が導電層４０６上に形成される。一般に、導電層４０６及 びリボン層（まだ形成されていない）に対して選択的にエッチングできる任意の 犠牲層４０８が使用できる。通常、ボロンリンシリケートグラス（ＢＰＳＧ）あ るいはリンシリケートグラス（ＰＳＧ）等の不純物添加ガラス層が使用される。 好適実施例では、ＰＳＧの犠牲層４０８が使用されている。厚さ及び許容誤差は 、それぞれ変調及びコントラスト比に要求される静電力によって制限される。こ の層に対する基準は、ｉ）上層の窒化シリコンリボン及び下地の高融点金属（共 に犠牲層エッチングの間に露出される）に対して極めて高いウエットエッチング 選択度（〜５００：１）であり、及びｉｉ）第一導電層上の平坦性を促進するた めに〜１２００℃で≦４５度で流動できることである。エッチング選択度及び流 動性は共に高濃度のリン添加により増大する。 導電層４０６及び犠牲層４０８は次に容易に利用できる技術によりホトリソグ ラフでマスクされ、両層の堆積が単一マスク工程で通常の幾何学でパターニング されるように適切なドライあるいはウエットエッチング技術により連続的にエッ チングされる。この組のプロセス工程から得られたプロフィールは図８に示され ている。 次に、アルミニウム層４１２が、ボンディングパッドとして機能しかつコンタ クトビアを埋めるために、図１１に示す構造の上方に形成される。好適実施例で は、このアルミニウム層は≦５０００Åの厚さまで堆積され、その結果最大の側 壁被覆性がボンディングパッド及びビアホール内に実現される。従来の方法は、 アルミニウムスパッタデポジシヨン、例えば、３００℃でのアルミニウムのホッ トスパッタデポジシヨン、バイアス基板スパッタデポジシヨン及び/またはそれ らの組み合わせの前に、窒化物上側隅にテーパーを与えるスパッタエッチングを 含んでいる。 次に、アルミニウム層４１２はパターニングされエッチングされ、そのため図 １２に図示されているようにボンディングパッド及びビア領域内にだけ残る。周 知のように、十分なオーバーラップが、ボイドの形成を避けるためにボンディン グパッドの周りに残されている。オーバーラップの外側周縁におけるエッチング された金属の側壁の傾斜が、最大段差被覆性を保証する限り、このためリボン格 子の連続的に堆積されたスズアルミニウム上側電極の連続性を保証する限りにお いて極めて重要である。アルミニウム層４１２内の傾斜エッチングプロフィール は、制御されたウエットエッチングプロセスにより形成される。 好適実施例では、導電層４０６Ａは、ＰＳＧ及び窒化シリコンリボンの下に埋 められており、バス層の上の確定された領域がボンディングパッドの内側縁から 格子アレイの外側縁まで伸びている。このパッシベーション領域はボンディング パッド３０６とビア３２０との間に示されている。ガラスリッド４３０がこのパ ッシベーション領域に搭載され、装置のピクセル領域を環境条件から気密封止す る。ボンディングパッドは、図２５に示されるように、リッドによって与えられ る封止の外側に残る。ビア及びピクセル領域だけがリッドによって覆われる。プ ロセスの最終工程が完了した後に、リッドは装置に付加される。 次に、図１３及び図１４に示されているように、薄いアルミニウム層４１４が 装置の上に堆積される。この層４１４は（形成されるべき）ピクセルリボンの反 射率を増加する。アルミニウム層４１４は≦１０００Åの厚さまで堆積される。 請求の範囲 １．基板（４００，４０２）上に光変調器を形成する方法であって、該基板は導 電層（４０６）を備えており、該方法は、 ａ．犠牲層（４０８）により分離された少なくとも２つの位置において基板 が露出されるように、前記基板上に前記犠牲層を形成する工程と、 ｂ．前記犠牲層の上で前記２つの位置において前記基板に接続された少なく とも２つの別個のリボン構造（３０４，３１４）を形成する工程と、各リボン構 造は反射表面（４１４）を有している ｃ．前記犠牲層を除去し、それにより前記リボン構造がスペースによって前 記基板から分離される工程と、 からなることを特徴とする基板（４００，４０２）上に光変調器を形成する 方法。 ２．前記基板は絶縁層（４０４）を有している請求の範囲１に記載の方法。 ３．前記犠牲層は堆積される請求の範囲２に記載の方法。 ４．前記犠牲層は選択的にエッチングされる材料である請求の範囲２に記載の方 法。 ５．前記犠牲層はリンーシリケートガラスである請求の範囲２に記載の方法。 ６．基板（４００，４０２）上に反射位相格子光変調器を形成する方法であって 、該基板は導電層（４０６）を備えており、該方法は、 ａ．基板上に犠牲層（４０８）を形成する工程と、 ｂ．前記基板に固定された反射構造（４１０，４１４）を形成する工程と、 ｃ．複数のリボン（３０４，３１４）を与えて各リボンがそれと隣り合うリ ボンに関して選択的に移動可能であるように前記反射構造の一部を選択的に除去 する工程と、 ｄ．前記犠牲層を除去し、それにより前記リボン構造がスペースによって前 記基板から分離される工程と、 からなることを特徴とする基板上に光変調器を形成する方法。 ７．前記基板は絶縁層（４０４）を有する請求の範囲６に記載の方法。 ８．前記犠牲層は堆積される請求の範囲７に記載の方法。 ９．前記犠牲層は選択的にエッチングされる材料である請求の範囲７に記載の方 法。 １０．前記犠牲層はリンーシリケートガラスである請求の範囲７に記載の方法。 １１．ａ．基板（４００，４０２）を与える工程と、 ｂ．基板上に絶縁層（４０４）を形成する工程と、 ｃ．前記絶縁層の上に第一の導電層（４０６）を形成する工程と、 ｄ．前記第一の導電層の上に犠牲層（４０８）を形成する工程と、 ｅ．ビットライン及びボンディングパッド（３０６，３１０，３１２，３ １６）へのバスを形成するために前記犠牲層及び前記第一の導電層をエッチング し、これによりエッチングされた層を形成する工程と、 ｆ．前記エッチングされた層の上に弾性材料層（４１０）を形成する工程 と、 ｇ．前記弾性材料層の上に反射導電層（４１４）を形成する工程と、 ｈ．複数の平行要素（３０４，３１４）を含む格子を形成するために、前 記反射導電層、前記弾性材料層及び前記犠牲層をエッチングする工程と、 ｉ．前記平行要素の下の前記犠牲層を除去し、これにより前記平行要素が 前記第一の導電層の上に懸架される工程と、 からなることを特徴とする光を変調する変調器を製造する方法。 １２．更に、格子が前記第一の導電層に向けて移動したときに、前記格子が前記 第一の導電層に付着することを防止する工程を有する請求の範囲１１に記載の製 造する方法。 １３．更に、前記反射導電層の上に誘電層（４１６）を堆積する工程を有する請 求の範囲１１に記載の製造する方法。 １４．前記格子が前記第一の導電層に付着することを防止する前記工程は、前記 格子と前記第一の導電層との間に処理された表面を与えることにより実行される 請求の範囲１２に記載の製造する方法。 １５．更に、前記ボンディングパッドが露出されかつ前記リボンがリッド（４３ ０）の下にあるように、前記基板の上に前記リッドを搭載する工程を有する請求 の範囲１１に記載の製造する方法。 １６．ａ．基板（４００，４０２）と、 ｂ．前記基板の上の絶縁層（４０４）と、 ｃ．前記基板の上の複数の導電ライン（３００，３０２）と、 ｄ．前記導電ラインの上に形成されかつ空隙により前記導電ラインから分 離された少なくとも２つの隣接リボン（３０４，３１４）であって、各リボンが 導電層でもある反射層を含み、それにより隣り合うリボンが隣り合う反射層を含 む少なくとも２つの隣接リボン（３０４，３１４）と、 ｅ．２つの隣り合うリボンを互いに回転させずに移動させて回折格子を形 成する手段と、 から成ることを特徴とする光変調器。 １７．ａ．基板（４００，４０２）と、 ｂ．前記基板の上の絶縁層（４０４）と、 ｃ．複数の導電層の隣接したものがギャップにより分離されるように、前 記絶縁層の上に形成された複数の平行導電層（３００，３０２）と、 ｄ．前記導電層に実質的に垂直に配向された複数の連続した平行反射リボ ン（３０４，３１４）であって、該リボンが空隙により前記導電層から隔置され かつ前記導電層間のギャップ内の前記基板に搭載されるような複数の連続した平 行反射リボンと、 から成ることを特徴とする光変調器。 １８．前記リボンは、前記基板から実質的に垂直に上方に延在しかつ前記導電層 の上で弧状に曲がっている請求の範囲１７に記載の光変調器。 【手続補正書】 【提出日】１９９８年２月１３日 【補正内容】 １．請求の範囲を以下のとおり訂正する。 「１．基板（４００，４０２）上に光変調器を形成する方法であって、該基板は 導電層（４０６）を備えており、該方法は、 ａ．犠牲層（４０８）により分離された少なくとも２つの位置において前記 基板が露出されるように、前記基板上に前記犠牲層（４０８）を形成する工程と 、 ｂ．前記犠牲層の上に前記２つの位置において前記基板に接続された少なく とも２つの別個のリボン構造（３０４，３１４）を形成する工程であって、各リ ボン構造は反射表面（４１４）を有している形成工程と、 ｃ．前記犠牲層を除去し、それにより前記リボン構造がスペースによって前 記基板から分離される工程と、 からなることを特徴とする基板（４００，４０２）上に光変調器を形成する 方法。 ２．前記基板は絶縁層（４０４）を有している請求項１に記載の方法。 ３．前記犠牲層は堆積される請求項２に記載の方法。 ４．前記犠牲層は選択的にエッチングされる材料である請求項２に記載の方法。 ５．前記犠牲層はリンーシリケート(Phospho-silicate)ガラスである請求項２に 記載の方法。 ６．基板（４００，４０２）上に反射位相格子光変調器を形成する方法であって 、該基板は導電層（４０６）を備えており、該方法は、 ａ．前記基板上に犠牲層（４０８）を形成する工程と、 ｂ．前記基板に固定された反射構造（４１０，４１４）を形成する工程と、 ｃ．複数のリボン（３０４，３１４）を与えるために前記反射構造の一部を 選択的に除去して各リボンがそれと隣り合うリボンに関して選択的に移動可能で あるようにする工程 と、 ｄ．前記犠牲層を除去し、それにより前記リボン構造がスペースによって前 記基板から分離される工程と、 からなることを特徴とする基板上に光変調器を形成する方法。 ７．前記基板は絶縁層（４０４）を有する請求項６に記載の方法。 ８．前記犠牲層は堆積される、請求項７に記載の方法。 ９．前記犠牲層は選択的にエッチングされる材料である請求項７に記載の方法。 １０．前記犠牲層はリンーシリケートガラス(Phospho-silicate)である請求項７ に記載の方法。 １１．ａ．基板（４００，４０２）を与える工程と、 ｂ．前記基板上に絶縁層（４０４）を形成する工程と、 ｃ．前記絶縁層の上に第一の導電層（４０６）を形成する工程と、 ｄ．前記第一の導電層の上に犠牲層（４０８）を形成する工程と、 ｅ．ビットライン及びボンディングパッド（３０６，３１０，３１２，３ １６）へのバスを形成するために前記犠牲層及び前記第一の導電層をエッチング し、これによりエッチングされた層を形成する工程と、 ｆ．前記エッチングされた層の上に弾性材料層（４１０）を形成する工程 と、 ｇ．前記弾性材料層の上に反射導電層（４１４）を形成する工程と、 ｈ．複数の平行要素（３０４，３１４）を含む格子を形成するために、前 記反射導電層、前記弾性材料層及び前記犠牲層をエッチングする工程と、 ｉ．前記平行要素の下の前記犠牲層を除去し、これにより前記平行要素が 前記第一の導電層の上に懸架される工程と、 からなることを特徴とする光を変調する変調器を製造する方法。 １２．更に、格子が前記第一の導電層に向けて移動したときに、前記格子が前記 第一の導電層に付着することを防止する工程を有する請求項１１に記載の製造す る方法。 １３．更に、前記反射導電層の上に誘電層（４１６）を堆積する工程を有する請 求項 １１に記載の製造する方法。 １４．前記格子が前記第一の導電層に付着することを防止する前記工程は、前記 格子と前記第一の導電層との間に処理された表面を与えることにより実行される請求項 １２に記載の製造する方法。 １５．更に、前記基板の上にリッド（４３０）を搭載して、前記ボンディングパ ッドが露出されかつ前記リボンが前記リッドの下にあるようにする、請求項 １１ に記載の製造する方法。 １６．ａ．基板（４００，４０２）と、 ｂ．前記基板の上の絶縁層（４０４）と、 ｃ．前記基板の上の複数の導電ライン（３００，３０２）と、 ｄ．前記導電ラインの上に形成されかつ空隙により前記導電ラインから分 離された少なくとも２つの隣接リボン（３０４，３１４）であって、各リボンが 導電層でもある反射層を含み、それにより隣り合うリボンが隣り合う反射層を含 む少なくとも２つの隣接リボン（３０４，３１４）と、 ｅ．２つの隣り合うリボンを互いに回転させずに移動させて回折格子を形 成する手段と、 から成ることを特徴とする光変調器。 １７．ａ．基板（４００，４０２）と、 ｂ．前記基板の上の絶縁層（４０４）と、 ｃ．複数の平行導電層の隣接したものがギャップにより分離されるように 、前記絶縁層の上に形成された複数の平行導電層（３００，３０２）と、 ｄ．前記導電層に実質的に垂直に配向された複数の連続した平行反射リボ ン（３０４，３１４）であって、該リボンが空隙により前記導電層から隔置され かつ前記導電層間のギャップ内の前記基板に搭載されるような複数の連続した平 行反射リボンと、 から成ることを特徴とする光変調器。 １８．前記リボンは、前記基板から実質的に垂直に上方に延在しかつ前記導電層 の上で弧状に曲がっている請求項１７に記載の光変調器。」

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (81)指定国 ＥＰ(ＡＴ，ＢＥ，ＣＨ，ＤＥ， ＤＫ，ＥＳ，ＦＩ，ＦＲ，ＧＢ，ＧＲ，ＩＥ，ＩＴ，Ｌ Ｕ，ＭＣ，ＮＬ，ＰＴ，ＳＥ)，ＯＡ(ＢＦ，ＢＪ，ＣＦ ，ＣＧ，ＣＩ，ＣＭ，ＧＡ，ＧＮ，ＭＬ，ＭＲ，ＮＥ， ＳＮ，ＴＤ，ＴＧ)，ＡＰ(ＫＥ，ＬＳ，ＭＷ，ＳＤ，Ｓ Ｚ，ＵＧ)，ＵＡ(ＡＭ，ＡＺ，ＢＹ，ＫＧ，ＫＺ，ＭＤ ，ＲＵ，ＴＪ，ＴＭ)，ＡＬ，ＡＭ，ＡＵ，ＢＢ，ＢＧ ，ＢＲ，ＣＡ，ＣＮ，ＣＺ，ＥＥ，ＦＩ，ＧＥ，ＨＵ， ＩＳ，ＪＰ，ＫＧ，ＫＰ，ＫＲ，ＬＫ，ＬＲ，ＬＴ，Ｌ Ｖ，ＭＤ，ＭＧ，ＭＫ，ＭＮ，ＭＸ，ＮＯ，ＮＺ，ＰＬ ，ＲＯ，ＳＧ，ＳＩ，ＳＫ，ＴＲ，ＴＴ，ＵＡ，ＵＳ， ＵＺ，ＶＮ (72)発明者 バンヤイ、ウィリアム・シー アメリカ合衆国、カリフォルニア州 94303、イースト・パロ・アルト、クーリ ー・アベニュー 1914、アパートメント ２ (72)発明者 ブルーム、デビッド・エム アメリカ合衆国、カリフォルニア州 94043、ポートラ・バレイ、ゴールデン・ オーク・ドライブ 140 (72)発明者 ウィッテン、ラルフ・ジー アメリカ合衆国、カリフォルニア州 95132、サン・ホセ、シエーラ・ロード 5220 (72)発明者 ステイカー、ブライアン・ピー アメリカ合衆国、カリフォルニア州 94043、パロ・アルト、パーク・ブールバ ード 3833、アパートメント １ 【要約の続き】 されかつ導電層間のギャップ内の基板に取り付けられて いる。

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １．ａ．犠牲層により分離された少なくとも２つの位置において基板が露出され るように、前記基板上に前記犠牲層を形成する工程と、 ｂ．前記犠牲層の上で前記２つの位置において前記基板に接続された少なく とも２つの別個のリボン構造を形成する工程と、各リボン構造は反射表面を有し ている ｃ．前記犠牲層を除去する工程と、 からなることを特徴とする基板上に光変調器を形成する方法。 ２．前記基板は絶縁層を有している請求の範囲１に記載の方法。 ３．前記犠牲層は堆積される請求の範囲２に記載の方法。 ４．前犠牲層は選択的にエッチングされる材料である請求の範囲２に記載の方法 。 ５．前記犠牲層はリンーシリケートガラスである請求の範囲２に記載の方法。 ６．ａ．基板上に犠牲層を形成する工程と、 ｂ．前記基板に固定された反射構造を形成する工程と、 ｃ．複数のリボンを与えるために前記反射構造の一部を選択的に除去する工 程と、 ｄ．前記犠牲層を除去する工程と、 からなることを特徴とする基板上に光変調器を形成する方法。 ７．前記基板は絶縁層を有する請求の範囲６に記載の方法。 ８．前記犠牲層は堆積される請求の範囲７に記載の方法。 ９．前記犠牲層は選択的にエッチングされる材料である請求の範囲７に記載の方 法。 １０．前記犠牲層はリンーシリケートガラスである請求の範囲７に記載の方法。 １１．ａ．基板を与える工程と、 ｂ．基板上に絶縁層を形成する工程と、 ｃ．前記絶縁層の上に第一の導電層を形成する工程と、 ｄ．前記第一の導電層の上に犠牲層を形成する工程と、 ｅ．ビットライン及びボンディングパッドへのバスを形成するために前記 犠牲層及び前記第一の導電層をエッチングし、これによりエッチングされた層を 形成する工程と、 ｆ．前記エッチングされた層の上に弾性材料層を形成する工程と、 ｇ．前記弾性材料層の上に反射導電層を形成する工程と、 ｈ．複数の平行要素を含む格子を形成するために、前記反射導電層、前記 弾性材料層及び前記犠牲層をエッチングする工程と、 ｉ．前記平行要素の下の前記犠牲層を除去し、これにより前記平行要素が 前記第一の導電層の上に懸架される工程と、 からなることを特徴とする光を変調する変調器を製造する方法。 １２．更に、格子が前記第一の導電層に向けて移動したときに、前記格子が前記 第一の導電層に付着することを防止する工程を有する請求の範囲１１に記載の製 造する方法。 １３．更に、前記反射導電層の上に誘電層を堆積する工程を有する請求の範囲１ １に記載の製造する方法。 １４．前記格子が前記第一の導電層に付着することを防止する前記工程は、前記 格子と前記第一の導電層との間に処理された表面を与えることにより実行される 請求の範囲１２に記載の製造する方法。 １５．更に、前記ボンディングパッドが露出されかつ前記リボンが前記リッドの 下にあるように、前記基板の上にリッドを搭載する工程を有する請求の範囲１１ に記載の製造する方法。 １６．ａ．基板と、 ｂ．前記基板の上の絶縁層と、 ｃ．前記基板の上の複数の導電ラインと、 ｄ．前記導電ラインの上に形成されかつ空隙により前記導電ラインから分 離された少なくとも２つの隣接リボンと、 ｅ．前記リボンの上の反射導電層と、 から成ることを特徴とする光変調器。 １７．ａ．基板と、 ｂ．前記基板の上の絶縁層と、 ｃ．複数の導電層の隣接したものがギャップにより分離されるように、前 記絶縁層の上に形成された複数の平行導電層と、 ｄ．前記リボンが空隙により前記導電層から隔置されかつ前記導電層間の ギャップ内の前記基板に搭載されるように、前記導電層に実質的に垂直に配向さ れた複数の連続した平行反射リボンと、 から成ることを特徴とする光変調器。 １８．前記リボンは、前記基板から実質的に垂直に上方に延在しかつ前記導電層 の上で弧状に曲がっている請求の範囲１７に記載の光変調器。