KR100843380B1 - 피치 제어형 광변조기 및 그 제조 방법 - Google Patents

피치 제어형 광변조기 및 그 제조 방법 Download PDF

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Abstract

본 발명은 피치 제어형 광변조기 및 그 제조 방법에 관한 것으로서, 입사광에 대한 회절을 수행하기 위하여 광변조기를 구성하는 엘리먼트 상호간에 소정의 단차를 기 설정한 후, 외부로부터 인가되는 구동전원에 연동하여 엘리먼트 상호간의 피치 간격을 조절함으로써 입사광에 대한 회절각을 조절한다.
따라서, 본 발명은 소정의 피치로 인접하는 엘리먼트 사이에 기 설정된 단차에 의거하여 일정한 세기의 회절빔을 형성하고, 이에 의거하여 양호한 콘트라스트를 형성할 수 있다는 효과를 제공한다.
또한, 본 발명은 인접한 엘리먼트 상호간의 피치 간격을 미세 조정함으로써, 변화된 피치 간격에 대응하여 회절각의 변위가 거의 선형인 회절빔을 형성할 수 있다는 효과를 또한 제공한다.
반도체 기판, 엘리먼트, 메탈층, 피치 간격, 절연층, 희생층,

Description

피치 제어형 광변조기 및 그 제조 방법{Optical modulator controlled by a pitch gap and manufacturing method thereof}
도 1은 종래 기술의 정전기 방식 격자 광 변조기를 도시하는 도면.
도 2는 종래 기술의 정전기 방식 격자 광 변조기가 변형되지 않는 상태에서 입사광을 반사시키는 것을 도시하는 도면.
도 3은 종래 기술의 격자 광 변조기가 정전기력에 의해 변형된 상태에서 입사광을 회절시키는 것을 도시하는 도면.
도 4는 본 발명에 따른 피치 제어형 광변조기의 구성 단면도.
도 5은 본 발명에 따른 피치 제어형 광변조기를 구성하는 엘리먼트의 평면 형상을 도시한 도면.
도 6은 본 발명에 따른 피치 제어형 광변조기를 구성하는 엘리먼트의 다른 평면 형상을 도시한 도면.
도 7은 본 발명에 따른 피치 제어형 광변조기를 구성하는 엘리먼트의 또 다른 평면 형상을 도시한 도면.
도 8은 본 발명에 따른 인접한 엘리먼트에서 기 설정된 단차에 의하여 형성된 회절빔을 소정의 회절각으로 반사시키는 과정을 도시한 도면.
도 9(도 9a 및 도 9b)는 본 발명에 따른 인접한 엘리먼트가 기 설정된 단차에 의하여 형성된 회절빔을 구동 전원에 의한 피치 간격 변화에 의해 변화된 회절각으로 반사시키는 과정을 도시한 도면.
도 10(도 10a 내지 도 10g)은 본 발명에 따른 피치 제어형 광변조기의 제작 과정을 도시한 제작 공정도.
도 11은 본 발명에 따른 피치 제어형 광변조기의 사시도.
* 도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명 *
100 : 반도체 기판
200 : 절연층
300 : 희생층
310 : 에어 스페이서
320 : 오픈 영역
400' : 도전성 부재
400 : 엘리먼트
500 : 메탈층
본 발명은 피치 제어형 광변조기 및 그 제조 방법에 관한 것이다.
보다 구체적으로는, 광변조기를 구성하는 소정의 단차가 기 설정된 엘리먼트 상호간의 피치 간격을 제어함으로써 회절빔에 대한 회절각을 조절하는 피치 제어형 광변조기 및 그 제조 방법에 관한 것이다.
일반적으로, 광신호처리는 많은 데이타 양과 실시간 처리가 불가능한 기존의 디지탈 정보처리와는 달리 고속성과 병렬처리 능력, 대용량의 정보처리의 장점을 지니고 있으며, 공간 광변조이론을 이용하여 이진위상 필터 설계 및 제작, 광논리게이트, 광증폭기 등과 영상처리 기법, 광소자, 광변조기 등의 연구가 진행되고 있다.
이중 공간 광변조기는 광메모리, 광디스플레이, 프린터, 광인터커넥션, 홀로그램 등의 분야에 사용되며, 이를 이용한 표시장치의 개발 연구가 진행되고 있다.
이러한 공간 광변조기로는 일예로 도 1에 도시된 바와 같은 반사형 변형 가능 격자 광변조기(10)이다. 이러한 광변조기(10)는 블룸 등의 미국특허번호 제 5,311,360호에 개시되어 있다. 광변조기(10)는 반사 표면부를 가지며 기판(16) 상부에 부유(suspended)하는 다수의 일정하게 이격하는 변형 가능 반사형 리본(18)을 포함한다. 절연층(11)이 실리콘 기판(16)상에 증착된다. 다음으로, 희생 이산화실리콘 막(12) 및 저응력 질화실리콘 막(14)의 증착이 후속한다.
질화물 막(14)은 리본(18)으로부터 패터닝되고 이산화실리콘층(12)의 일부가 에칭되어 리본(18)이 질화물 프레임(20)에 의해 산화물 스페이서층(12)상에 유지되도록 한다.
단일 파장 λ0를 가진 광을 변조시키기 위해, 변조기는 리본(18)의 두께와 산화물 스페이서(12)의 두께가 λ0/4가 되도록 설계된다.
리본(18)상의 반사 표면(22)과 기판(16)의 반사 표면 사이의 수직 거리 d로 한정된 이러한 변조기(10)의 격자 진폭은 리본(18)(제 1 전극으로서의 역할을 하는 리본(16)의 반사 표면(22))과 기판(16)(제 2 전극으로서의 역할을 하는 기판(16) 하부의 전도막(24)) 사이에 전압을 인가함으로써 제어된다.
변형되지 않은 상태에서, 즉, 어떠한 전압도 인가되지 않은 상태에서, 격자 진폭은 λ0/2와 같고, 리본과 기판으로부터 반사된 광 사이의 전체 경로차는 λ0와 같아서, 이러한 반사광에 위상을 보강시킨다.
따라서, 변형되지 않은 상태에서, 광변조기(10)는 평면거울로서 광을 반사한다. 변형되지 않은 상태가 입사광과 반사광을 도시하는 도 2에 20으로서 표시된다.
적정 전압이 리본(18)과 기판(16) 사이에 인가될 때, 정전기력이 리본(18)을 기판(16) 표면 방향으로 다운(down) 위치로 변형시킨다. 다운 위치에서, 격자 진폭은 λ0/4와 같게 변한다. 전체 경로차는 파장의 1/2이고, 변형된 리본(18)으로부터 반사된 광과 기판(16)으로부터 반사된 광이 상쇄 간섭을 하게 된다.
이러한 간섭의 결과, 변조기는 입사광(26)을 회절시킨다. 변형된 상태가 +/- 회절모드(D+1, D-1)로 회절된 광을 도시하는 도 3에 각각 28과 30으로 표시된다.
그러나, 상술한 바와 같은 종래의 광변조기에 있어서는 광의 세기를 조절하기 위해서는 리본의 상·하 움직임에 대한 변위를 정확하게 제어해야만 하는 어려움이 존재하였다.
또한, 종래의 광변조기에 있어서는 상기 리본의 상·하 움직임에 연동하는 상기 리본의 변위에 대한 광의 세기는 sin2x 함수와 같은 비선형 특성을 나타낸다는 문제점이 있었다.
본 발명은 상술한 바와 같은 문제점을 해결하기 위하여, 광변조기를 구성하는 소정의 단차가 기 설정된 엘리먼트 상호간의 피치 간격을 정전 구동시켜 회절빔의 회절각을 조절하는 피치 제어형 광변조기 및 그 제조 방법을 제공하는 데 있다.
이러한 목적을 달성하기 위한 본 발명에 따른 피치 제어형 광변조기는, 반도체 기판; 반도체 기판에 부착되는 양측 단부에 의하여 상기 반도체 기판과 소정 간격이격된 상태로 부유되어 있고, 외부로부터 인가되는 구동 전압에 따른 좌·우 방향의 정전 구동에 의하여 발생하는 피치 간격 변화에 의하여 회절빔의 회절각을 변화시키는 다수의 엘리멘트; 및 상기 엘리먼트의 소정 위치에 형성되어 외부로부터 입사되는 입사빔을 반사시키는 메탈층을 포함하여 구성된 것을 특징으로 한다.
또한, 본 발명에 따른 피치 제어형 광변조기 제조 방법은, 반도체 기판상에 절연층을 형성하는 단계; 상기 절연층상에 희생층을 적층시킨 후 소정 영역에 대한 윈도우 에칭을 수행하여 상기 반도체 기판을 오픈시키는 단계; 외부의 인가 전압에 따른 좌·우 정전 구동에 의하여 발생하는 피치 간격 변화에 의하여 회절빔의 회절각을 변화시키는 다수의 엘리먼트를 상기 오픈된 반도체 기판상에 형성시키는 단계; 상기 엘리먼트의 소정 영역에 외부로부터 입사되는 입사빔을 반사시키기 위한 메탈층을 형성하는 단계; 및 상기 엘리먼트를 좌·우 방향으로 정전 구동시켜 기 설정된 피치 간격을 변화시키기 위하여 상기 희생층을 선택적으로 식각하는 단계를 포함하여 구성된 것을 특징으로 한다.
이하, 첨부 도면을 참조하여 본 발명에 따른 피치 제어형 광변조기 및 그 제조 방법에 대하여 상세하게 설명한다.
먼저, 도 4 내지 도 7을 참조하여 본 발명에 따른 피치 제어형 광변조기의 구성 및 동작 과정을 상세하게 설명한다.
본 발명에 따른 피치 제어형 광변조기는 소정의 단차가 기 설정된 엘리먼트 상호간의 피치 간격을 제어하여 회절빔의 회절각을 조절하는 것으로서, 도 4에 도시된 바와 같이, 반도체 기판(100), 절연층(200), 선택 에칭되어 에어 스페이서(310)를 형성하는 희생층(300), 엘리먼트(400) 및 메탈층(500)을 포함하여 구성되어 있다.
먼저, 반도체 기판(100)은 실리콘 레벨 단계의 실리콘 기판으로서, 상기 반도체 기판(100) 상에는 외부의 인가 전압에 의하여 좌·우 방향으로 상호 정전 구 동하여 피치 간격이 조절되는 다수의 엘리먼트(400)와의 전기적 접속을 방지하기 위한 절연층(200), 보다 구체적으로는 SiN이 형성되어 있다.
희생층(300)은 반도체 기판(100)과 엘리먼트(400) 사이의 전기적 접속을 방지하는 상기 절연층(200) 상에 증착 형성된 후, 소정의 마스킹 공정에 의하여 에칭 처리되어 후술하는 엘리먼트(400)를 반도체 기판(100)상에 고정시키기 위한 오픈 영역(320)을 형성시킨다.
즉, 상기 희생층(300) 중에서 에칭 처리되어 형성되는 오픈 영역(320)에는 후술하는 엘리먼트(400)의 양측 단부가 증착 또는 패터닝에 의하여 부착되어 상기 엘리먼트(400)를 반도체 기판(100)상에 부착시키는 역할을 수행한다.
또한, 상기 희생층(300)은 후술하는 엘리먼트(400)가 인가되는 외부 전원에 의하여 좌·우 방향으로 정전 구동할 수 있는 에어 스페이스(310)를 상기 반도체 기판(100)과 엘리먼트(400) 사이에 형성시키기 위하여 선택적으로 에칭 제거된다.
엘리먼트(400)는 외부로부터 인가되는 구동 전원에 따라 좌·우 방향으로 정전 구동하여 피치 간격(x)에 대한 변화(△x)를 초래하여 회절빔의 회절각을 조절하는 것으로서, 양측 단부가 희생층(300)에 의하여 형성된 오픈 영역(320)에 부착되어 있고, 중심부는 상기 희생층의 선택 에칭에 의하여 형성되는 에어 스페이스 (310)를 개재하여 상기 반도체 기판(100)상에 부유되어 있다.
이때, 상기 엘리먼트(400)는 외부의 구동 전원을 입력받기 위하여 소정의 도전성 부재, 보다 구체적으로는 폴리 실리콘 등의 도전성 부재를 이용한 MENs 공 정에 의하여 상기 반도체 기판(100)상에 증착 또는 패터닝에 의하여 형성된다.
여기서, 상기 도전성 부재는 폴리 실리콘으로 특정되어 이해되어서는 안되며, 폴리 실리콘을 포함하는 도전성 부재로 이해되어야 한다는 점에 유의 하여야 한다.
또한, 상기 엘리먼트(400)는 외부로부터 인가되는 입사빔에 대한 회절을 수행하기 위하여, 도 5 내지 도 7에 도시된 바와 같이, 소정의 피치 간격(x)으로 인접하는 엘리먼트 상호간에 소정의 단차가 기 설정되어 있다.
여기서, 상기 인접하는 엘리먼트(400) 상호간에 형성되는 단차는 외부로부터 입사되는 입사빔의 회절강도를 최대로 하기 위하여 입사빔의 파장( λo)에 대하여 (λo / 4)*n 만큼의 크기로 형성되어 있다.
이때, 상기 인접하는 엘리먼트(400) 상호간에 형성되는 단차의 형상은, 도 5 및 도 6에 도시된 바와 같이, 평탄한 형상을 갖거나 또는 소정 각도로 경사된 경사 형상을 갖는다.
또한, 상기 엘리먼트(400)에는, 도 7에 도시된 바와 같이, 입사빔에 대한 회절을 수행하기 위한 단차가 인접하는 엘리먼트 상호간에 형성되는 동시에 각각의 엘리먼트에 대하여 형성될 수 도 있다.
상술한 바와 같이 엘리먼트(400)가 기 설정된 단차를 가지고 소정의 피치 간격(x)으로 상호 인접하여 배열되어 있는 경우, 도 8에 도시된 바와 같이, 상기 엘리먼트(400)는 인접한 엘리먼트(400)와 기 설정된 단차(λo / 4)에 의하여 외부로부 터 입사되는 입사빔에 대한 회절을 수행하여 ±1차 회절계수를 갖는 회절빔을 형성한다.
이후, 상기 엘리먼트(400)는 ±1차 회절계수를 갖는 회절빔을 상기 피치 간격(x)에 연동하는 회절각( θ)을 유지하면서 외부로 반사시키는 것이다.
여기서, 도 8은 본 발명에 따른 소정의 피치 간격(x)으로 배열되고 인접한 엘리먼트 상호간에 단차가 형성된 엘리먼트에 의하여 형성되는 회절빔의 회절각 ( θ)을 설명하기 위한 도면이다.
이때, 외부로부터 구동 전압이 소정 피치 간격(x)으로 이격되어 배열된 엘리먼트(400)에 각각 인가되는 경우, 상기 인접한 엘리먼트(400)는, 도 9a 및 도 9b에 도시된 바와 같이, 인가되는 구동 전압에 연동하여 좌·우 방향으로 정전 구동되고, 이에 의하여 상기 피치 간격(x)에 대한 변화(△x)가 발생하게 된다.
따라서, 상기 회절빔은 인접한 엘리먼트(400) 사이에 형성된 피치 간격(x)에 대한 변화(△x)에 연동하여 초기 회절각( θ)에 대하여 선형의 회절각의 변화(θ+ α△x)를 유지하면서 외부로 반사되는 것이다.
여기서, 도 9a 및 도 9b는 본 발명에 따른 인가 전압에 의하여 변화되는 피치 간격 (x+△x, △x < 0)에 연동하여 발생하는 회절빔의 회절각 변화(θ+ α△x)를 설명하기 엘리먼트의 단면도 및 상면도를 도시한 도면이다.
이때, 상기 인접한 엘리먼트의 피치 간격(x)에 변화(△x)를 야기시키는 방법으로는 도 9a 및 도 9b에 도시된 바와 같이 단차가 형성된 각 엘리먼트에 상이한 전압을 인가하여 각 엘리먼트를 구동시켜 피치 간격에 변화를 초래하거나, 또는 단 차가 형성된 상태로 인접한 엘리먼트중 하나의 엘리먼트에는 전압을 인가하지 않고 다른 하나의 엘리먼트에는 전압을 인가하여 피치 간격에 변화를 초래할 수 도 있다.
여기서, 상기 각 엘리먼트 사이에 설정된 초기 피치 간격이 500nm인 경우, 회절빔의 각도를 변화시키기 위해서는 각 엘리먼트 사이의 피치 간격에 10nm 정도내의 변화를 야기시키는 것만으로 충분하기 때문에 인가되는 구동 전압에 대해 선형의 피치 변위를 달성할 수 있는 것이다.
메탈층(500)은 엘리먼트(400)의 소정 위치에 형성되어 상기 엘리먼트(400)에 의하여 형성되는 회절빔을 소정의 회절각도로 외부로 반사시키는 것으로서, 보다 구체적으로는 알루미늄 등의 금속으로 구성되어 있다.
즉, 상기 메탈층(500)은 외부로부터 구동전원이 엘리먼트(400)에 인가되지 않은 경우, 상기 엘리먼트(400)에 의하여 형성되는 회절빔을 인접한 엘리먼트(400) 상호간에 설정된 피치 간격(x)에 대응하는 회절각( θ)으로 반사시킨다.
그러나, 상기 엘리먼트(400)에 구동전원이 인가되어 상기 피치 간격(x)에 변화(△x)가 발생하는 경우, 상기 메탈층(500)은 엘리먼트(400)에 의하여 형성되는 회절빔을 변화된 피치 간격(x + △x)에 대응하여 변화되는 회절각(θ+ α△x)으로 반사시킨다.
이하, 도 10을 참조하여 본 발명에 따른 피치 제어형 광변조기의 제조 방법에 대하여 상세하게 설명한다.
먼저, 반도체 기판(100)상에 SiN 등의 절연층(200)을 형성한다(도 10a 참조).
여기서, 상기 절연층(200)은 외부의 인가 전압에 의하여 좌·우 방향으로 정전 구동하는 피치 간격이 조절되는 엘리먼트(400)와의 전기적 접속을 방지하는 역할을 수행한다.
상술한 바와 같이 반도체 기판(100)상에 절연층(200)을 형성한 후, 상기 절연층(200)상에 희생층(300)을 증착시킨다(도 10b 참조).
이후, 상기 절연층(200)상에 증착된 희생층(300)에 대한 소정의 마스킹 공정을 이용한 윈도우 에칭을 수행하여 엘리먼트(400)의 양측 단부가 반도체 기판(100)상에 부착되는 오픈 영역(320)을 형성한다(도 10c 참조).
상술한 바와 같이 상기 희생층(300)에 대한 윈도우 에칭을 수행하여 오픈 영역(320)을 형성한 후, 구동 전원에 의하여 좌·우 방향으로 정전 구동하여 피치 간격을 변화시켜 회절빔의 회절각을 조정하는 엘리먼트(400)를 형성시키기 위하여 소정의 도전성 부재(400')를 증착시킨다(도 10d 참조).
이후, 상기 희생층(300)에 증착된 도전성 부재(400')에 대한 MENs 공정에 의한 패터닝을 수행하여 소정 형상의 엘리먼트(400)를 형성한다(도 10e 참조).
여기서, 상기 엘리먼트(400)는 양측 단부가 희생층(300)에 의하여 형성된 오픈 영역(320)에 부착되어 있고, 중심부는 후술하는 상기 희생층(300)의 선택 에칭 공정에 의하여 형성되는 에어 스페이스(310)를 개재하여 상기 반도체 기판(100)상에 부유되어 있다.
이때, 상기 엘리먼트(400)는 소정의 피치 간격(x)으로 배열되어 있고, 상기 피치 간격(x)으로 배열된 인접한 엘리먼트(400) 상호간에는 외부로부터 입사되는 입사빔에 대한 회절을 수행하기 위하여 입사빔의 파장( λo)에 대하여 (λo / 4)*n 만큼의 단차가 형성되도록 패터닝 처리된다.
여기서, 상기 인접하는 엘리먼트(400) 상호간에 형성되는 단차의 형상은 평탄한 형상을 갖거나 또는 소정 각도로 경사된 경사 형상을 갖도록 패터닝 처리된다.
또한, 상기 엘리먼트(400)에는 입사빔에 대한 회절을 수행하기 위한 단차가 인접하는 엘리먼트(400) 상호간에 형성되는 동시에 각각의 엘리먼트(400)에 대하여 형성될 수 도 있도록 패터닝 처리될 수 도 있다.
상술한 바와 같이 희생층(300)상에 엘리먼트(400)를 형성한 후, 상기 엘리먼트(400)에 의하여 형성되는 소정의 회절계수를 갖는 회절빔을 외부로 반사시키기 위한 메탈층(500)을 형성시킨다(도 10f 참조).
여기서, 상기 메탈층(500)은 엘리먼트(400)의 전체 영역 또는 소정의 특정 영역에 형성되는 알루미쥼 등의 금속으로 형성되어 있고, 상기 엘리먼트(400)에 의하여 형성되는 회절빔을 소정의 회절각도로 반사시키는 역할을 수행한다.
즉. 외부로부터 구동전원이 엘리먼트(400)에 인가되지 않은 경우, 상기 메탈층(500)은 기 설정된 단차에 의하여 인접한 엘리먼트(400)에 의하여 형성된 회절빔을 상기 인접한 엘리먼트(400) 상호간에 설정된 피치 간격(x)에 대응하는 회절각( θ)으로 반사시킨다.
그러나, 상기 엘리먼트(400)에 구동전원이 인가되어 상기 피치 간격(x)에 변화(△x)가 발생하는 경우, 상기 메탈층(500)은 기 설정된 단차에 의하여 상기 인접한 엘리먼트(400)에 의하여 형성되는 회절빔을 변화된 피치 간격(x + △x)에 대응하여 변화되는 회절각(θ+ α△x)으로 반사시키는 역할을 수행한다.
상술한 바와 같이 엘리먼트(400)상에 메탈층(500)을 형성한 후, 상기 엘리먼트(400)가 인가되는 구동 전압에 의하여 좌·우 방향으로 구동시키기 위하여 상기 희생층(300)에 대한 선택 에칭을 수행한다(도 10g 참조).
즉, 메탈층(500)이 형성된 엘리먼트(400)를 구동 전압에 의거하여 좌·우 방향으로 구동시켜 피치 간격(x)을 변화시킴으로써 회절빔의 회절각을 조정하기 위하여, 상기 반도체 기판(100)과 상기 엘리먼트(400) 사이에 개재되어 있는 희생층(300)에 대한 선택 에칭을 수행한다.
상술한 바와 같이 반도체 기판(100)과 엘리먼트(400) 사이에 개재된 희생층(300)에 대한 선택 에칭을 수행하여 에어 스페이스(310)를 형성함으로써, 도 11에 도시된 바와 같이, 소정의 단차가 기 설정된 인접한 엘리먼트(400) 사이의 피치 간격(x)을 제어하여 회절빔에 대한 회절각을 조절하는 최종적인 피치 제어형 광변조기를 완성시킨다.
상기한 바와 같이, 본 발명은 소정의 단차가 기 설정된 인접한 엘리먼트의 피치 간격을 제어하여 회절빔에 대한 회절각을 조절함으로써, 인접한 엘리먼트 사 이에 기 설정된 단차에 의거하여 일정한 세기의 회절빔을 형성하고, 이에 의거하여 양호한 콘트라스트를 형성할 수 있다는 효과를 제공한다.
또한, 본 발명은 인접한 엘리먼트 상호간의 피치 간격을 미세 조정함으로써, 변화된 피치 간격에 대응하여 회절각의 변위가 거의 선형인 회절빔을 형성할 수 있다는 효과를 또한 제공한다.
여기에서, 상술한 본 발명에서는 바람직한 실시 예를 참조하여 설명하였지만 , 해당 기술분야의 숙련된 당업자는 하기의 특허청구범위에 기재된 본 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경할 수 있음을 이해할 수 있을 것이다.

Claims (15)

  1. 반도체 기판;
    리본 형상을 하고 있으며 양측의 단부가 상기 반도체 기판에 부착되어 있으며, 상기 반도체 기판에 부착되는 양측 단부에 의하여 상기 반도체 기판과 소정 간격이격된 상태로 부유되어 있고, 외부로부터 인가되는 구동 전압에 따른 좌·우 정전 구동에 의하여 발생하는 피치 간격 변화에 의하여 회절빔의 회절각을 변화시키는 다수의 엘리멘트; 및
    상기 엘리먼트의 소정 위치에 형성되어 외부로부터 입사되는 입사빔을 반사시키는 메탈층
    을 포함하여 구성된 것을 특징으로 하는 피치 제어형 광변조기.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 인접한 엘리먼트 상호간의 피치 변화에 의하여 형성되는 회절빔의 회절각은 상기 엘리멘트 상호간의 피치 변화에 따라 선형적으로 변화하는 특성을 가지고 있는 것을 특징으로 하는 피치 제어형 광변조기.
  3. 제 1 항에 있어서,
    외부로부터 입사되는 입사빔에 대한 회절을 수행하기 위하여 상기 엘리먼트 상호간에 소정 형상의 단차가 기 설정되어 있는 것을 특징으로 하는 광변조기.
  4. 제 3 항에 있어서,
    상기 엘리먼트 상호간에 형성된 단차는 평면 형상인 것을 특징으로 하는 광변조기.
  5. 제 3 항에 있어서,
    상기 엘리먼트 상호간에 형성된 단차는 경사 형상인 것을 특징으로 하는 광변조기.
  6. 제 3 항 내지 제 5 항중 어느 한 항에 있어서,
    상기 각각의 엘리먼트에는 입사빔에 대한 회절을 수행하기 위한 단차가 또한 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 광변조기.
  7. 제 3 항 내지 제 5 항중 어느 한 항에 있어서,
    상기 엘리먼트 상호간에 기 설정된 단차는 입사빔에 대한 회절을 최대화 하 기 위하여 상기 입사빔 파장( λo )의 (λo / 4) 로 설정되어 있는 것을 특징으로 하는 광변조기.
  8. 반도체 기판상에 절연층을 형성하는 단계;
    상기 절연층상에 희생층을 적층시킨 후 소정 영역에 대한 윈도우 에칭을 수행하여 상기 반도체 기판을 오픈시키는 단계;
    상기 반도체 기판상에 외부로부터 인가되는 구동 전압에 의하여 좌·우 방향으로 정전 구동하고, 상기 정전 구동에 연동하여 발생되는 피치 간격 변화에 의하여 회절빔의 회절각을 변화시키는 다수의 엘리먼트를 형성시키는 단계;
    상기 엘리멘트의 소정 영역상에 외부로부터 입사되는 입사빔을 반사시키기 위한 메탈층을 형성하는 단계; 및
    상기 엘리먼트를 좌·우 방향으로 정전 구동시켜 기 설정된 피치 간격을 변화시키기 위하여 상기 희생층을 선택적으로 식각하는 단계
    를 포함하여 구성된 것을 특징으로 하는 광변조기 제조 방법.
  9. 제 8 항에 있어서,
    상기 엘리먼트는 외부로부터 인가되는 구동 전원에 의하여 정전 구동되는 도 전성 부재를 상기 반도체 기판상에 증착 또는 패터닝하여 형성된 것을 특징으로 하는 광변조기 제조 방법.
  10. 제 9 항에 있어서,
    상기 도전성 부재는 폴리 실리콘인 것을 특징으로 하는 광변조기 제조 방법.
  11. 제 8 항에 있어서,
    상기 엘리먼트 상호간에는 외부로부터 입사되는 입사빔을 회절시켜 소정의 회절계수를 갖는 회절빔을 형성시키기 위한 소정 크기의 단차가 기 설정되어 있는 것을 특징으로 하는 광변조기 제조 방법.
  12. 제 11 항에 있어서,
    상기 인접한 엘리먼트 상호간에 형성된 단차는 평면 형상인 것을 특징으로 하는 광변조기 제조 방법.
  13. 제 11 항에 있어서,
    상기 인접한 엘리먼트 상호간에 형성된 단차는 경사 형상인 것을 특징으로 하는 광변조기 제조 방법.
  14. 제 11 항 내지 제 13 항중 어느 한 항에 있어서,
    상기 각각의 엘리먼트에는 입사빔에 대한 회절을 수행하기 위한 단차가 또한 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 광변조기 제조 방법.
  15. 제 11 항 내지 제 13 항중 어느 한 항에 있어서,
    상기 엘리먼트 상호간에 기 설정된 단차는 입사빔에 대한 회절을 최대화 하기 위하여 상기 입사빔 파장( λo )의 (1/4) * λo로 설정되어 있는 것을 특징으로 하는 광변조기 제조 방법.
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