JP3016871B2 - フラット回折格子光バルブの製造方法及びその装置 - Google Patents

フラット回折格子光バルブの製造方法及びその装置

Info

Publication number
JP3016871B2
JP3016871B2 JP9501613A JP50161397A JP3016871B2 JP 3016871 B2 JP3016871 B2 JP 3016871B2 JP 9501613 A JP9501613 A JP 9501613A JP 50161397 A JP50161397 A JP 50161397A JP 3016871 B2 JP3016871 B2 JP 3016871B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
layer
substrate
ribbon
forming
conductive layer
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Lifetime
Application number
JP9501613A
Other languages
English (en)
Other versions
JPH10510375A (ja
Inventor
ボーンシュタイン、ジョナサン・ジー
バンヤイ、ウィリアム・シー
ブルーム、デビッド・エム
ウィッテン、ラルフ・ジー
ステイカー、ブライアン・ピー
Original Assignee
シリコン・ライト・マシーンズ
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by シリコン・ライト・マシーンズ filed Critical シリコン・ライト・マシーンズ
Publication of JPH10510375A publication Critical patent/JPH10510375A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP3016871B2 publication Critical patent/JP3016871B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Lifetime legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B5/00—Optical elements other than lenses
    • G02B5/18—Diffraction gratings
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B5/00—Optical elements other than lenses
    • G02B5/18—Diffraction gratings
    • G02B5/1828—Diffraction gratings having means for producing variable diffraction
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B26/00—Optical devices or arrangements for the control of light using movable or deformable optical elements
    • G02B26/08—Optical devices or arrangements for the control of light using movable or deformable optical elements for controlling the direction of light
    • G02B26/0808—Optical devices or arrangements for the control of light using movable or deformable optical elements for controlling the direction of light by means of one or more diffracting elements
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10S359/00—Optical: systems and elements
    • Y10S359/904—Micromirror

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Mechanical Light Control Or Optical Switches (AREA)
  • Diffracting Gratings Or Hologram Optical Elements (AREA)
  • Switches Operated By Changes In Physical Conditions (AREA)
  • Micromachines (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】 技術分野 本発明は光ビームを変調する分野に関する。特に、本
発明は実質的にフラットな回折格子光バルブ及びその製
造方法に関する。
背景技術 例えば、光の振幅、周波数、あるいは位相を変更する
ことにより光ビームを変調する装置には多くの応用が存
在する。このような装置の一例として、変形可能反射格
子光変調器10が図１に示されている。この変調器10は、
反射基板16上に懸架され等間隔で配置された複数の変形
可能反射リボン18を有している。この変調器は、参照に
よりここに組み込まれた米国特許第5,311,360号におい
てBloom他により提案された。リボン18は酸化物スペー
サ層12上の窒化物フレーム20上に保持されている。単一
波長λｏを有する光を変調するために、変調器は、リボ
ンの厚さと酸化物スペーサの厚さとが共にλo/4に等し
くなるように設計されている。
リボン18上の反射表面と基板16の反射表面との間の垂
直距離ｄとして定義される、この変調器の格子振幅は電
子的に制御される。電圧がリボン18と基板16との間に印
加されていない未変形状態では、格子幅はλo/2に等し
くまたリボンと基板とから反射された光の間の合計光路
長差はλｏに等しく、そのため同相で加算される反射を
生じさせ、またこの変調器はフラットミラーとして光を
反射する、適切な電圧がリボン18と基板16との間に印加
された時に、静電力がリボン18を基板16の表面上に引き
下げ、また格子幅はλo/4に等しくなるように変化す
る。合計光路長差は1/2波長となり、これにより変形リ
ボン18の表面からの反射と基板16からの反射は破壊的に
干渉する。この干渉の結果、変調器は光を回折する。
Bloom他の第5,311,360号特許に記載された型式の格子
光変調器は、画像を表示する装置をつくり出すために使
用できる。ピクセルは、最小限で一対の隣接格子要素を
有する変調器により形成できる。この表示装置か回折さ
れた光だけを検出する光学装置を備えているとすると、
電圧がリボンに印加されずかつリボンが上方位置にある
ときにはピクセルは暗つまりオフ状態にあり、一方電圧
がリボンに印加されかつリボンが基板上に引き下ろされ
たときにはピクセルは明つまりオン状態にある。表示装
置を設計する一つの非常に重要な基準は、暗ピクセルと
明ピクセルとの間のコントラスト比である。比較的大き
いコントラスト比を与える最善の方法は、暗ピクセルが
確実に光を有していないようにすることである。
変調器10を形成する方法は、Bloom他の第5,311,360号
特許に提案されている。図１において、絶縁層11はシリ
コン基板16上に堆積されている。このあと、共に213nm
厚さの犠牲的二酸化シリコン膜12及び低応力窒化シリコ
ン膜14が堆積される。これらの厚さが変調器の格子幅を
決定するので、それらの寸法は重要である。これらの厚
さの変動はオフ状態における光の不必要な回折を生じさ
せ、そのため、より低いコントラスト比をもたらす。
窒化シリコン膜14はフォトリソグラフィによりパター
ニングされ、細長い要素18の形の格子要素のグリッドに
形成される。このフォトリソグラフによりパターニング
プロセスの後に、周辺の窒化シリコンフレーム20がシリ
コン基板16の上面の全周囲に残る。次に、犠牲的二酸化
シリコン膜12はフッ化水素酸でエッチングされる。二酸
化シリコン膜12は、酸エッチングにより完全に除去され
これにより213nm厚さの複数の窒化シリコンリボンが形
成され、またフレーム内で引き伸ばされかつシリコン基
板16上213nmの距離（これはエッチングされた犠牲膜の
厚さである）に懸架される。
更にわかるように、二酸化シリコン層12はフレーム20
の下は完全にエッチングされていない。このように、フ
レーム20は、二酸化シリコン膜12の残っている部分によ
りシリコン基板16上213nmの距離に支持される。これ
は、二酸化シリコン層12がフレーム20の下に確実に残る
ようにするために注意深く制御された時間依存エッチン
グを必要とする。次に、50nm厚のアルミニウム膜はリボ
ン18及び基板16の上にスパッタリングされる。このアル
ミニウム膜はリボン18及び基板16の反射率を高め、かつ
リボン18及び基板16の間に電圧を印加する第一の電極を
与える。第二の電極は、シリコン基板16のベース上に同
じ厚さのアルミニウム膜をスパッタリングすることによ
り形成される。
リボン18及び基板16の付着力は、最終のウエット処理
工程の間及び動作の間、これらの装置において問題とな
ることがわかっていた。この付着力を生じさせる力は、
２つの表面の接触面積及び付着比力（つまり、単位接触
面積当たりの力）の関数である。付着を低減する数多く
の技術が提案されている。これらは、フリーズドライ、
ホトレジストアセトン犠牲層のドライエッチング、OTS
単層処理、より短いリボン及び／またはより強く張った
窒化物膜を使用することによるより硬いリボンの使用、
一方あるいは両方の表面の粗加工あるいは波形化、リボ
ンの底面上への反転レールの形成、及び表面の化学的特
性の変更を含んでいる。“Surface Microfabrication o
f Deformable Grating Light Valves for High Resolut
ion Displays"のSandejas他及び“Grating Light Valve
s for High Resolution Displays"のApte他,Solid Stat
e Sensors and Actuators Workshop,Hilton Head Islan
d,SC（June 1994）は、そのような付着が、ブリッジの
底面上に反転レールを形成すること及び粗ポリシリコン
膜を使用することにより接触面積を低減することにより
防止できる、ことを開示している。現在、望ましい技術
は一方あるいは両方の表面を粗くすることである。しか
し、変換器10の基板は光学表面として使用されるので、
表面を粗くする製造プロセスは、基板16の反射部分が高
反射率をもつよう平滑化されかつリボン18に平行な面内
になければならず一方リボン18の下の基板の部分は粗く
なければならないという要求により複雑となる。
Bloom他の第5,311,360号特許は、基板を反射面積とし
て使用しない変調器の他の実施例の製造方法を提案して
いるが、それは開示していない。変調器30の一形成が図
２に示されており、それは、固定リボン38を有するとと
もに交互に可動リボン34を有している。その固定リボン
38は可動リボン34と同一平面となるように配置され、こ
れにより実質的にフラットな上面を与える。バイアス電
圧が印加されないときは、変調器はフラットミラーとし
て入射光を反射する。バイアス電圧が印加されると、可
動リボン34は下方に移動して変調器は光を回折する。し
かし、この装置は製造が難しく、変調器10と同じくその
性能はリボン及び固定要素の下の酸化物スペーサの厚さ
に極めて敏感である。
更に、変調器10（図１）及び変調器30（図２）から成
るディスプレイのコントラスト比及び強度も、プロセス
により発生した格子構造における偶然の周期性に敏感で
ある。例えば、固定リボンを支持する酸化物スペーサの
膨出が変調器30のプロセスの間に発生することがある。
このような膨出により固定リボン及び可動リボンがオフ
状態で同一平面にないことになり、そのため光は反射の
代わりに回折される。
更に、これらの変調器は、印加電圧及びノイズの影響
に起因してコントラスト比の劣化を受ける。第一の場合
には、基板と下方に移動されるリボンとの印加電圧の存
在は、上方にとどまる（ピクセルオフ）他のリボンによ
って検出される。これらのリボンは曲がり入射光の一部
を回折し、そのためピクセルはオフかつ暗にされる代わ
りに部分的にオンかつ点灯され、コントラスト比の低減
が生じる。同様に、リボン及び非固定要素はノイズに応
答して曲がる。この結果、ａ）変調器10内の格子幅（隣
接格子要素の反射表面間の距離）が変動すること及び
ｂ）リボン及び固定要素がもはや変調器30内で同一平面
にないことから、コントラスト比の劣化が発生する。
要約すると、従来技術の方法を用いて製造された変調
器の性能には、これに限定されないが、以下の欠点があ
る。つまり、リボンの厚さ、犠牲層、及び残留酸化物ス
ペーサの寸法が格子振幅（幅）を確定するので性能はプ
ロセス変動に敏感であること、コントラスト比は単一波
長についてだけ最適化されていること、暗状態つまりコ
ントラスト比は非常に波長に依存すること、異なる波長
に同調するためあるいは製造変動を調整するために、弛
緩状態の基板上方のリボンの高さをプロセス後は調整で
きないこと、両表面の付着を防止し表面を粗くする実施
例の方法は基板格子要素の反射率を劣化させること、及
びコントラスト比が印加電圧及びノイズの影響により劣
化することである。
必要とされるものは、以下の特徴を示すフラット回折
格子光バルブである。つまり、暗状態が波長に依存しな
いこと、白色光に対するコントラスト比が比較的高いこ
と、格子振幅が製造、自己バイアス、ノイズのコモンモ
ード除去、簡単かつコスト有効な製造を最適化するため
に調整できること、及びプロセス変動の許容である。
更に、以下の特徴を示す光バルブ及びフラット回折格
子装置を製造する方法が必要とされる。つまり、簡単な
製造プロセス、高い歩留まり、自己制限犠牲層エッチン
グ、自己支持変調要素（フレームなし）、及び付着を除
去するプロセスの簡単化である。また、基体製造上の問
題点（付着を低減する粗さ及び導電率）は光学的問題点
（反射率及び平坦性）から切り離される。
発明の開示 光を変調する変形可能格子装置を製造する方法は、基
板の上に絶縁層を形成し、絶縁層の上に第一の導電層を
形成し、この第一の導電層の上に犠牲層を形成すること
の各工程から成る。犠牲層及び第一導電層は、ビットラ
イン及びボンディングパッドへのバスを確定するために
エッチングされてエッチングされた層を形成する。犠牲
層及び第一の導電層がエッチングされた後に、弾性材料
層がそのエッチングされた層の上に形成され、かつ反射
導電層がこの弾性層の上に形成される。誘電層が反射導
電層の上に堆積される。複数の平行要素を含む格子を形
成するために、誘電層、反射導電層、弾性材料層、及び
犠牲層は全てエッチングされる。このエッチング後に、
犠牲層がその平行要素の下から除去され、これにより平
行要素が第一の導電層の上方に懸架される。格子と第一
の導電層との間に処理表面を備えることにより、この格
子は第一の導電層に向けて移動した時に、その格子がこ
の第一の導電層に付着することを防止される。
光変調器は、基板と、前記基板の上の絶縁層と、複数
の導電層の隣接したものがギャップにより分離されるよ
うに、前記絶縁層の上に形成された複数の平行導電層
と、前記導電層に実質的に垂直に配向された複数の連続
した平行反射リボンとを備えている。このように、前記
リボンは空隙により前記導電層から隔置されかつ前記導
電間のギャップ内の前記基板に搭載される。
図面の簡単な説明 図１は従来技術の方法により形成された変調器の断面
図である。
図２は従来技術において提案された変調器の断面図で
ある。
図３乃至図26は本発明の処理手順を示す半導体ウエハ
の断面図である。
発明を実施するための最良の形態 図３は本発明の方法により製造された２つのピクセル
要素の平面図を示す。この平面図は好適実施例を示して
いる。簡単な修正が可能でありそれは本発明の範囲内に
あることは当業者には明らかである。例えば、ピクセル
に対して異なる数のリボンが使用できる。また、多くの
形式のディスプレイ装置に対して、多くの行及び列に数
多くのピクセルが使用できることもわかる。そのような
装置では、ボンディングパッド領域はピクセルの位置か
ら実質的に除去できる。
連続した導電層300が複数のリボンの下にある。好適
実施例では、単一導電層の上方の４つのリボンが一つの
ピクセルを形成する。第二の導電層302は第一の導電層3
00に隣接しており、第二のピクセルを確定する。従来の
ディスプレイ装置では、導電層はディスプレイの列を表
示するために使用される。導電層310及び302の各々はボ
ンディングパッド306及び312から適切な電圧を入力する
ために接続されている。
各ピクセルは４つの反射リボンを含んでいる。リボン
304のうち２つはバイアス電圧を入力するために電気的
に接続されている。好適実施例では、リボン304へのバ
イアス電圧がボンディングパッド306に印加される。こ
のボンディングパッド306は導電層308に電気的に接続さ
れている。導電層308はピクセル領域の導電層300及び30
2と同時に形成される。導電層308コンタクトビア320を
介してリボン304に電気的に接続されている。リボン314
の別の２つのバイアス電圧を受け取るために電気的に接
続されている。好適実施例では、リボン314へのバイア
ス電圧はボンディングパッド316に印加される。このボ
ンディングパッド316は導電層318に電気的に接続されて
いる。導電層318はピクセル領域の導電層300及び302と
同時に形成される。導電層318コンタクトビア300を介し
てリボン314に電気的に接続されている。
本発明を具体化する一つの用途は、変形可能反射格子
光変調器を含む２次元アドレス指定可能格子光バルブデ
ィスプレイで、電気的に制御可能な格子振幅を有し、基
板の上に自由に懸架された変形可能格子を有する基板か
ら成る格子光変調器を備えている。フラット回折格子光
バルブ構造及びその製造方法は、寸法的に頑強で（自己
制限犠牲層エッチングにより形成される自己支持変形可
能リボン）、ポストエッチング付着を伴わない下側電極
ライン（テクスチュア下側電極）の上方に自由に懸架で
き、かつ上側（ワードライン）下側（ビットライン）デ
ータラインにより二次元的にアドレス指定できるピクセ
ルを備えた、フラット回折格子を製造する手段を確立す
る。
本発明のプロセスは、図４乃至図26にステップ毎に示
されている。これらの図は本発明に従って処理されるウ
エハの断面を示し、プロセスの各主要工程後に示され
る。プロセスの位置は図３の線点Ａ−Ａ′及びＢ−Ｂ′
により示されている。同一要素は連続した工程において
同じ番号で示される。修正された要素、例えば、エッチ
ングにより変形された要素はアルファベット添字を有す
る同じ番号で示される。格子光バルブディスプレイを製
造する方法は、固有のアーキテクチュアにより統合され
る重要なプロセス及び材料を含んでいる。好適実施例の
材料と共に代表的な材料だけがここに開示されるが、制
限的な意味で解されるべきでない。
図４に示された第一の工程は、シリコン基板400上に
絶縁層を形成することである。好適実施例では、絶縁層
は複合層であり、以下のように形成される。つまり、シ
リコンウエハはフィールド酸化膜402を形成するために
熱酸化される。窒化シリコン404の薄層がフィールド酸
化膜402の上に形成される。成長される酸化物の厚さの
要件は、ピクセルアドレス指定における基板容量及び関
連寄生容量の効果により示される。窒化物層は２つの機
能を果たす、つまりｉ）ピクセル間のキャップ内のリボ
ン窒化物へのインタフェースの最適化、及びii）犠牲層
エッチング中のピクセル間のスペース内のリボンのアン
ダーカットを防止するエッチング工程である。
周辺の部分では、図５に示されるように、修正層402A
及び404Aを形成するために、窒化物層404及びフィール
ド酸化膜402がパターニングされエッチングされる。し
かし、これらの層は装置のピクセル領域にそのまま残
り、それらの本来の参照番号により呼ばれ続ける。
図６に示す次の工程で、代表的には高融点金属から成
る第一の導電層406が窒化物層404上に形成される。第一
の導電層406はリボン格子の下側電極として機能する。
これはまた、ビアを介してリボン格子の上側電極をボン
ディングパッドに接続するバス層としても機能する。ボ
ンディングパッドはチップパッケージの外にある。第一
の導電層406は格子リボン（まだ形成されていない）と
基板400との間に配置される。導電材料の基準は、ｉ）
高温適合性（800℃以上）、ii）≦1ohms/sq.のシート抵
抗が最小厚さ（平坦性を保つために≦1000Å）で実現で
きるような低抵抗率、及びiii）フッ化水素ベースのウ
エットエッチャント（犠牲層エッチングに対するエッチ
ャント）に対する不可侵性である。チタニウム−タング
ステン（20wt％Tiまで）のような高融点合金と共にタン
グステン（Ｗ）、モリブデン（Mo）、及びタンタル（T
a）等の高融点金属がこれらの要件を満たす。好適実施
例では、金属はタングステンである。
格子要素と導電層との間の付着を除去するために、導
電層406の上面及びまたはリボン層の底面を処理するこ
とが望ましい。一つの方法は、幾つかの手段のどれかに
より導電層406に表面テクスチャアあるいは粗さを付加
することである。ある場合には、SF6を含むプラズマ内
でのＷのドライエッチングが粗さを生じさせる。同様
に、アルゴンガスによるスパッタエッチングも粗さを生
じさせる。また、酸素プラズマあるいは500乃至1000℃
での炉内アニーリング等の手段による、Ｗ表面の部分酸
化は表面テクスチャアを与える。
次に、犠牲層408が導電層406上に形成される。一般
に、導電層406及びリボン層（まだ形成されていない）
に対して選択的にエッチングできる任意の犠牲層408が
使用できる。通常、ボロンリンシリケートグラス（BPS
G）あるいはリンシリケートグラス（PSG）等の不純物添
加ガラス層が使用される。好適実施例では、PSGの犠牲
層408が使用されている。厚さ及び許容誤差は、それぞ
れ変調及びコントラスト非に要求される静電力によって
制限される。この層に対する基準は、ｉ）上層の窒化シ
リコンリボン及び下地の高融点金属（共に犠牲層エッチ
ングの間に露出される）に対して極めて高いウエットエ
ッチング選択度（〜500:1）であり、及びii）第一導電
層上の平坦性を促進するために−1200℃で≦45度で流動
できることである。エッチング選択度及び流動性は共に
高濃度のリン添加により増大する。
導電層406及び犠牲層408は次に容易に利用できる技術
によりホトリソグラフフでマスクされ、両層の堆積が単
一マスク工程で通常の幾何学でパターニングされるよう
に適切なドライあるいはウエットエッチング技術により
連続的にエッチングされる。この組のプロセス工程から
得られたプロフィールは図８に示されている。
好適実施例では、確定されたPSG/W両層は、PSGが流動
化されこれによりPSG/W両層の側壁の上隅にテーパーあ
るいは面取りされたプロフィールを生じさせるように、
高温炉プロセスを受ける。このプロフィールは、連続し
た窒化シリコン層とアルミニウム層の側壁被覆性を増
し、また形成される窒化シリコンリボン内の曲げモーメ
ントにより誘起される応力を分散することにより機械的
安定性を与える。
犠牲層が堆積された後に下側電極に表面テクスチュア
を付加する一つの方法は、顕微鏡的規模で非均一な酸化
物を選択的に成長することである。これは、両層がパタ
ーニングされる前に及び／または後にオプションで実行
できる高温アニーリング工程でのＷのドーパント増強酸
化により実現される。このアニーリングが両層をパター
ニングした後に実行させる場合には、犠牲層の表面テク
スチュア及びテーパーづけは付随的に実行できる。
次に、図９に示されているように、弾性材料410の層
は犠牲層408Bの上方に形成されている。弾性材料410の
好適材料は、高バルブをダウン状態にするスイッチング
バイアスにより誘起された静電力を打ち消すのに十分な
反対極性バイアスが印加された後に、光バルブをアップ
状態に戻すために必要とされるバネ力により決定される
厚さ及び残留応力レベルまで堆積される、窒化シリコン
である。窒化シリコンは減圧CVD（L0PCVD）あるいはプ
ラズマ増強CVD（PECVD）により堆積できる。層構造のア
ーキテクチュアは、PSGは３つの面（上面及び両側面）
は底部上の窒化シリコン及びＷに接している。Ｗの側壁
は窒化シリコンに接している。従って、PSG/W両層が２
次元に沿って完全に窒化シリコンに接している。これは
２つの主要な理由で重要である、つまりｉ）犠牲PSGが
等方的にエッチングされる犠牲層エッチング（確定され
た窒化シリコンリボンのアンダーカット）が、PSGと窒
化シリコンとの間の極めて高い選択度に起因する自己制
御終点により自己制限的であること、及びii）窒化シリ
コンリボンの側壁が、リボンの縦方向要素の横方向曲げ
モーメントを制限することにより窒化シリコン光バルブ
に機械的安定性を与える、Ｗ層の縁により支持されるこ
とである。
リボンとボンディングパッドとの間の接続は第一の導
電層406により形成されるバスにより実現される。ボン
ディングパッドとビアとの両方の面積を確定するホール
は、図10に示されているように、ピクセルの領域の外側
の装置の周辺において弾性材料410A及び犠牲層408Aを介
して形成されている。導電層406はホールを介して露出
される。
次に、アルミニウム層412が、ボンディングパッドと
して機能しかつコンタクトビアを埋めるために、図11に
示す構造の上方に形成される。好適実施例では、このア
ルミニウム層は≦5000Åの厚さまで堆積され、その結果
最大の側壁被覆性がボンディングパッド及びビアホール
内に実現される。従来の方法は、アルミニウムスパッタ
デポジション、例えば、300℃でのアルミニウムのホッ
トスパッタデポジション、バイアス基板スパッタデポジ
ション及び／またはそれらの組み合わせの前に、窒化物
上側隅にテーパーを与えるスパッタエッチングを含んで
いる。
次に、アルミニウム層412はパターニングされエッチ
ングされ、そのため図12に図示されているようにボンデ
ィングパッド及びビア領域内にだけ残る。周知のよう
に、十分なオーバーラップが、ボイドの形成を避けるた
めにボンディングパッドの周りに残されている。オーバ
ーラップの外側周縁におけるエッチングされた金属の側
壁の傾斜が、最大段差被覆性を保証する限り、このため
リボン格子の連続的に堆積されたスズアルミニウム上側
電極の連続性を保証する限りにおいて極めて重要であ
る。アルミニウム層412内の傾斜エッチングプロフィー
ルは、制御されたウエットエッチングプロセスにより形
成される。
好適実施例では、導電層406Aは、PSG及び窒化シリコ
ンリボンの下に埋められており、バス層の上の確定され
た領域がボンディングパッドの内側縁から格子アレイの
外側縁まで伸びている。このパッシベーション領域はボ
ンディングパッド306とビア320との間に示されている。
ガラスリッド430がこのパッシベージョン領域に搭載さ
れ、装置のピクセル領域を環境条件から気密封止する。
ボンディングパッドは、図25に示されるように、リッド
によって与えられる封止の外側に残る。ビア及びピクセ
ル領域だけがリッドによって覆われる。プロセスの最終
工程が完了した後に、リッドは装置に付加される。
次に、図13及び図14に示されているように、薄いアル
ミニウム層414が装置の上に堆積される。この層414は
（形成されるべき）ピクセルリボンの反射率を増加す
る。アルミニウム層414は≦1000Åの厚さまで堆積され
る。
二酸化シリコンの薄い誘電層416が、ピクセル領域に
対しては図15に示されまたその周辺に対しては図16及び
図17に示されるように、薄いアルミニウム層414の上に
形成される。誘電層は≦500Åの厚さである。誘電層416
及び薄いアルミニウム層414は図16及び図17に示すよう
に周辺においてパターニングされエッチングされる。誘
電層416Aは、ボンディングのための導電表面を与えるた
めに、図18に示されるように、ボンディングパッドから
除去される。薄い誘電層416は２つの主要な機能を実行
する。第一に、薄い誘電層416は、ホトレジスト除去工
程等の連続したプロセス工程中薄いアルミニウム層414
に対して保護層となる。第二に、薄い誘電層416は、光
変調器の動作中に薄いアルミニウム層414のエレクトロ
マイグレーション及び機械的歪みを抑制することを助け
る。
次に、ピクセル領域が回折格子のリボンを形成するよ
うに条件づけられる。断面の次の手順は前述した断面に
垂直に行われることは注目すべきである。これらのリボ
ンを形成するためには２つの可能なプロセスがある。第
一のプロセスは図19乃至図21に示されている。図19に
は、開口がホトレジスト層418を介して形成される。図2
0に示すように、薄い誘電層416、薄いアルミニウム層41
4、弾性層410、及び犠牲層408は、ホトレジスト層418を
マスクとして使用して全てエッチングされる。図21は、
犠牲層408Aが完全に除去されたことを示している。リボ
ン構造は薄い誘電層416、薄いアルミニウム層414、及び
弾性層410を有している。この断面の優位性から、リボ
ン構造が空中に浮いていることがわかる。実際には、図
26に示されているように、このリボン構造はその端部に
より導電層406上の空隙420の上に懸架されている。
リボンを形成する第二のプロセスは図22乃至図24に示
されている。図22には、開口がホトレジスト層422内に
形成され、つぎにこのホトレジスト層422が薄い誘電層4
16Bが薄いアルミニウム層414Bの一部を除去するための
エッチングマスクとして使用される。ホトレジスト層42
2が除去され、第二のホトレジスト層424が堆積されマス
クされる。ホトレジスト層424は層410C及び408Cのエッ
チングマスクとして使用される。次に全犠牲層408が除
去されることから、犠牲層408Cはマスク工程の結果とし
ては完全に除去される必要はない。前述したプロセスに
おけるように、リボンは導電層406の上に懸架される。
いずれかのプロセスに対する最終工程として、リッド
430がピクセル領域及びビア上に搭載される。リッドは
ビアとボンディングパッドとの間の領域にある装置の構
造に接触し、その結果、図25に示されたように、ボンデ
ィングパッドはパッケージのリッドの外側にある。
図26は、リボンの長さとこのリボンを基板に搭載する
構造とを示した２つの完成したリボンの断面図を示して
いる。
本発明は好適実施例に関連して説明された。本開示を
読んだ後にだけ当業者に明らかになる改良あるいは修正
が本出願の精神及び範囲内にあると思われる。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 バンヤイ、ウィリアム・シー アメリカ合衆国、カリフォルニア州 94303、イースト・パロ・アルト、クー リー・アベニュー 1914、アパートメン ト ２ (72)発明者 ブルーム、デビッド・エム アメリカ合衆国、カリフォルニア州 94043、ポートラ・バレイ、ゴールデ ン・オーク・ドライブ 140 (72)発明者 ウィッテン、ラルフ・ジー アメリカ合衆国、カリフォルニア州 95132、サン・ホセ、シエーラ・ロード 5220 (72)発明者 ステイカー、ブライアン・ピー アメリカ合衆国、カリフォルニア州 94043、パロ・アルト、パーク・ブール バード 3833、アパートメント １ (56)参考文献 米国特許5262000（ＵＳ，Ａ) 米国特許5311360（ＵＳ，Ａ) 米国特許5459610（ＵＳ，Ａ) Ｏｐｔｉｃｓ Ｌｅｔｔｅｒｓ，Ｖｏ ｌ．17 Ｎｏ．９ ｐｐ．688−690（１ Ｍａｙ 1992) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) G02B 26/00 - 26/08

Claims (18)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】基板（400,402）上に光変調器を形成する
    方法であって、該基板は導電層（406）を備えており、
    該方法は、 a.犠牲層（408）により分離された少なくとも２つの位
    置において前記基板が露出されるように、前記基板上に
    前記犠牲層（408）を形成する工程と、 b.前記犠牲層の上に前記２つの位置において前記基板に
    接続された少なくとも２つの別個のリボン構造（304,31
    4）を形成する工程であって、各リボン構造は反射表面
    （414）を有している形成工程と、 c.前記犠牲層を除去し、それにより前記リボン構造がス
    ペースによって前記基板から分離される工程と、 からなることを特徴とする基板（400,402）上に光変調
    器を形成する方法。
  2. 【請求項２】前記基板は絶縁層（404）を有している請
    求項１に記載の方法。
  3. 【請求項３】前記犠牲層は堆積される請求項２に記載の
    方法。
  4. 【請求項４】前記犠牲層は選択的にエッチングされる材
    料である請求項２に記載の方法。
  5. 【請求項５】前記犠牲層はリン−シリケート（Phospho
    −silicate）ガラスである請求項２に記載の方法。
  6. 【請求項６】基板（400,402）上に反射位相格子光変調
    器を形成する方法であって、該基板は導電層（406）を
    備えており、該方法は、 a.前記基板上に犠牲層（408）を形成する工程と、 b.前記基板に固定された反射構造（410,414）を形成す
    る工程と、 c.複数のリボン（304,314）を与えるために前記反射構
    造の一部を選択的に除去して各リボンがそれと隣り合う
    リボンに関して選択的に移動可能であるようにする工程
    と、 d.前記犠牲層を除去し、それにより前記リボン構造がス
    ペースによって前記基板から分離される工程と、 からなることを特徴とする基板上に光変調器を形成する
    方法。
  7. 【請求項７】前記基板は絶縁層（404）を有する請求項
    ６に記載の方法。
  8. 【請求項８】前記犠牲層は堆積される、請求項７に記載
    の方法。
  9. 【請求項９】前記犠牲層は選択的にエッチングされる材
    料である請求項７に記載の方法。
  10. 【請求項１０】前記犠牲層はリン−シリケートガラス
    （Phospho−silicate）である請求項７に記載の方法。
  11. 【請求項１１】a.基板（400,402）を与える工程と、 b.前記基板上に絶縁層（404）を形成する工程と、 c.前記絶縁層の上に第一の導電層（406）を形成する工
    程と、 d.前記第一の導電層の上に犠牲層（408）を形成する工
    程と、 e.ビットライン及びボンディングパッド（306,310,312,
    316）へのバスを形成するために前記犠牲層及び前記第
    一の導電層をエッチングし、これによりエッチングされ
    た層を形成する工程と、 f.前記エッチングされた層の上に弾性材料層（410）を
    形成する工程と、 g.前記弾性材料層の上に反射導電層（414）を形成する
    工程と、 h.複数の平行要素（304,314）を含む格子を形成するた
    めに、前記反射導電層、前記弾性材料層及び前記犠牲層
    をエッチングする工程と、 i.前記平行要素の下の前記犠牲層を除去し、これにより
    前記平行要素が前記第一の導電層の上に懸架される工程
    と、 からなることを特徴とする光を変調する変調器を製造す
    る方法。
  12. 【請求項１２】更に、格子が前記第一の導電層に向けて
    移動したときに、前記格子が前記第一の導電層に付着す
    ることを防止する工程を有する請求項11に記載の製造す
    る方法。
  13. 【請求項１３】更に、前記反射導電層の上に誘電層（41
    6）を堆積する工程を有する請求項11に記載の製造する
    方法。
  14. 【請求項１４】前記格子が前記第一の導電層に付着する
    ことを防止する前記工程は、前記格子と前記第一の導電
    層との間に処理された表面を与えることにより実行され
    る請求項12に記載の製造する方法。
  15. 【請求項１５】更に、前記基板の上にリッド（430）を
    搭載して、前記ボンディングパッドが露出されかつ前記
    リボンが前記リッドの下にあるようにする、 請求項11に記載の製造する方法。
  16. 【請求項１６】a.基板（400,402）と、 b.前記基板の上の絶縁層（404）と、 c.前記基板の上の複数の導電ライン（300,302）と、 d.前記導電ラインの上に形成されかつ空隙により前記導
    電ラインから分離された少なくとも２つの隣接リボン
    （304,314）であって、各リボンが導電層でもある反射
    層を含み、それにより隣り合うリボンが隣り合う反射層
    を含む少なくとも２つの隣接リボン（304,314）と、 e.2つの隣り合うリボンを互いに回転させずに移動させ
    て回折格子を形成する手段と、 から成ることを特徴とする光変調器。
  17. 【請求項１７】a.基板（400,402）と、 b.前記基板の上の絶縁層（404）と、 c.複数の平行導電層の隣接したものがギャップにより分
    離されるように、前記絶縁層の上に形成された複数の平
    行な平行導電層（300,302）と、 d.前記導電層に実質的に垂直に配向された複数の連続し
    た平行反射リボン（304,314）であって、該リボンが空
    隙により前記導電層から隔置されかつ前記導電層間のギ
    ャップ内の前記基板に搭載されるような複数の連続した
    平行反射リボンと、 から成ることを特徴とする光変調器。
  18. 【請求項１８】前記リボンは、前記基板から実質的に垂
    直に上方に延在しかつ前記導電層の上で弧状に曲がって
    いる請求項17に記載の光変調基。
JP9501613A 1995-06-07 1996-06-05 フラット回折格子光バルブの製造方法及びその装置 Expired - Lifetime JP3016871B2 (ja)

Applications Claiming Priority (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US08/480,459 US5661592A (en) 1995-06-07 1995-06-07 Method of making and an apparatus for a flat diffraction grating light valve
US08/480,459 1995-06-07
US480,459 1995-06-07
PCT/US1996/009255 WO1996041226A1 (en) 1995-06-07 1996-06-05 A method of making and an apparatus for a flat diffraction grating light valve

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPH10510375A JPH10510375A (ja) 1998-10-06
JP3016871B2 true JP3016871B2 (ja) 2000-03-06

Family

ID=23908065

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP9501613A Expired - Lifetime JP3016871B2 (ja) 1995-06-07 1996-06-05 フラット回折格子光バルブの製造方法及びその装置

Country Status (10)

Country Link
US (1) US5661592A (ja)
EP (1) EP0830629B1 (ja)
JP (1) JP3016871B2 (ja)
KR (1) KR100306085B1 (ja)
CN (1) CN1153081C (ja)
AT (1) ATE183590T1 (ja)
AU (1) AU6156496A (ja)
DE (1) DE69603857T2 (ja)
NO (1) NO975695D0 (ja)
WO (1) WO1996041226A1 (ja)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7215452B2 (en) 2001-11-14 2007-05-08 Ricoh Company, Ltd. Light deflecting method and apparatus efficiently using a floating mirror
US7391551B2 (en) 2003-06-27 2008-06-24 Ricoh Company, Ltd. Method for driving light deflector, light deflector, light deflection array, image forming device, and image projection display apparatus

Families Citing this family (194)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6219015B1 (en) 1992-04-28 2001-04-17 The Board Of Directors Of The Leland Stanford, Junior University Method and apparatus for using an array of grating light valves to produce multicolor optical images
US6674562B1 (en) 1994-05-05 2004-01-06 Iridigm Display Corporation Interferometric modulation of radiation
US7460291B2 (en) * 1994-05-05 2008-12-02 Idc, Llc Separable modulator
US7852545B2 (en) 1994-05-05 2010-12-14 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Method and device for modulating light
US7808694B2 (en) * 1994-05-05 2010-10-05 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Method and device for modulating light
US7830588B2 (en) 1996-12-19 2010-11-09 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Method of making a light modulating display device and associated transistor circuitry and structures thereof
US6177980B1 (en) * 1997-02-20 2001-01-23 Kenneth C. Johnson High-throughput, maskless lithography system
US6137623A (en) 1998-03-17 2000-10-24 Mcnc Modulatable reflectors and methods for using same
KR100703140B1 (ko) 1998-04-08 2007-04-05 이리다임 디스플레이 코포레이션 간섭 변조기 및 그 제조 방법
US8928967B2 (en) 1998-04-08 2015-01-06 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Method and device for modulating light
US6147789A (en) * 1998-05-04 2000-11-14 Gelbart; Daniel High speed deformable mirror light valve
US5933277A (en) * 1998-05-29 1999-08-03 General Motors Corporation Imaging system combining visible and non-visible electromagnetic radiation for enhanced vision
US5953161A (en) * 1998-05-29 1999-09-14 General Motors Corporation Infra-red imaging system using a diffraction grating array
US6303986B1 (en) 1998-07-29 2001-10-16 Silicon Light Machines Method of and apparatus for sealing an hermetic lid to a semiconductor die
US6181458B1 (en) 1998-12-18 2001-01-30 Eastman Kodak Company Mechanical grating device with optical coating and method of making mechanical grating device with optical coating
US6238581B1 (en) * 1998-12-18 2001-05-29 Eastman Kodak Company Process for manufacturing an electro-mechanical grating device
US6243194B1 (en) 1998-12-18 2001-06-05 Eastman Kodak Company Electro-mechanical grating device
US6252697B1 (en) 1998-12-18 2001-06-26 Eastman Kodak Company Mechanical grating device
US6188519B1 (en) 1999-01-05 2001-02-13 Kenneth Carlisle Johnson Bigrating light valve
US6724125B2 (en) 1999-03-30 2004-04-20 Massachusetts Institute Of Technology Methods and apparatus for diffractive optical processing using an actuatable structure
US6329738B1 (en) 1999-03-30 2001-12-11 Massachusetts Institute Of Technology Precision electrostatic actuation and positioning
US6236491B1 (en) 1999-05-27 2001-05-22 Mcnc Micromachined electrostatic actuator with air gap
US6268948B1 (en) * 1999-06-11 2001-07-31 Creo Products Inc. Micromachined reflective light valve
US6057520A (en) * 1999-06-30 2000-05-02 Mcnc Arc resistant high voltage micromachined electrostatic switch
US6229683B1 (en) 1999-06-30 2001-05-08 Mcnc High voltage micromachined electrostatic switch
US6501600B1 (en) 1999-08-11 2002-12-31 Lightconnect, Inc. Polarization independent grating modulator
US6674563B2 (en) 2000-04-13 2004-01-06 Lightconnect, Inc. Method and apparatus for device linearization
US6826330B1 (en) 1999-08-11 2004-11-30 Lightconnect, Inc. Dynamic spectral shaping for fiber-optic application
US6275320B1 (en) 1999-09-27 2001-08-14 Jds Uniphase, Inc. MEMS variable optical attenuator
WO2003007049A1 (en) * 1999-10-05 2003-01-23 Iridigm Display Corporation Photonic mems and structures
US6373682B1 (en) 1999-12-15 2002-04-16 Mcnc Electrostatically controlled variable capacitor
US6307663B1 (en) 2000-01-26 2001-10-23 Eastman Kodak Company Spatial light modulator with conformal grating device
US6663790B2 (en) * 2000-01-26 2003-12-16 Eastman Kodak Company Method for manufacturing a mechanical conformal grating device with improved contrast and lifetime
US6407851B1 (en) 2000-08-01 2002-06-18 Mohammed N. Islam Micromechanical optical switch
US6479811B1 (en) 2000-03-06 2002-11-12 Eastman Kodak Company Method and system for calibrating a diffractive grating modulator
US6888983B2 (en) 2000-04-14 2005-05-03 Lightconnect, Inc. Dynamic gain and channel equalizers
EP1172681A3 (en) 2000-07-13 2004-06-09 Creo IL. Ltd. Blazed micro-mechanical light modulator and array thereof
US6795605B1 (en) * 2000-08-01 2004-09-21 Cheetah Omni, Llc Micromechanical optical switch
US7003187B2 (en) 2000-08-07 2006-02-21 Rosemount Inc. Optical switch with moveable holographic optical element
US6810176B2 (en) 2000-08-07 2004-10-26 Rosemount Inc. Integrated transparent substrate and diffractive optical element
US6485273B1 (en) 2000-09-01 2002-11-26 Mcnc Distributed MEMS electrostatic pumping devices
US6590267B1 (en) 2000-09-14 2003-07-08 Mcnc Microelectromechanical flexible membrane electrostatic valve device and related fabrication methods
US6466354B1 (en) 2000-09-19 2002-10-15 Silicon Light Machines Method and apparatus for interferometric modulation of light
US6411425B1 (en) 2000-09-27 2002-06-25 Eastman Kodak Company Electromechanical grating display system with spatially separated light beams
US6377438B1 (en) 2000-10-23 2002-04-23 Mcnc Hybrid microelectromechanical system tunable capacitor and associated fabrication methods
US6396620B1 (en) 2000-10-30 2002-05-28 Mcnc Electrostatically actuated electromagnetic radiation shutter
US6476848B2 (en) 2000-12-21 2002-11-05 Eastman Kodak Company Electromechanical grating display system with segmented waveplate
US6721475B1 (en) 2000-12-22 2004-04-13 Cheetah Omni, Llc Apparatus and method for providing gain equalization
US6493488B1 (en) 2000-12-22 2002-12-10 Celeste Optics, Inc. Apparatus and method for high speed optical signal processing
US7136588B1 (en) 2000-12-22 2006-11-14 Cheetah Omni, Llc Apparatus and method for optical add/drop multiplexing
US6856459B1 (en) * 2000-12-22 2005-02-15 Cheetah Omni, Llc Apparatus and method for controlling polarization of an optical signal
US7116862B1 (en) 2000-12-22 2006-10-03 Cheetah Omni, Llc Apparatus and method for providing gain equalization
US6384959B1 (en) 2001-01-09 2002-05-07 Eastman Kodak Company Optical data modulation system with self-damped electromechanical conformal grating
US6947195B2 (en) 2001-01-18 2005-09-20 Ricoh Company, Ltd. Optical modulator, optical modulator manufacturing method, light information processing apparatus including optical modulator, image formation apparatus including optical modulator, and image projection and display apparatus including optical modulator
US6721473B1 (en) 2001-02-02 2004-04-13 Cheetah Omni, Llc Variable blazed grating based signal processing
US6445502B1 (en) 2001-02-02 2002-09-03 Celeste Optics, Inc. Variable blazed grating
US7145704B1 (en) 2003-11-25 2006-12-05 Cheetah Omni, Llc Optical logic gate based optical router
US7339714B1 (en) 2001-02-02 2008-03-04 Cheetah Omni, Llc Variable blazed grating based signal processing
US20020167695A1 (en) * 2001-03-02 2002-11-14 Senturia Stephen D. Methods and apparatus for diffractive optical processing using an actuatable structure
US6856448B2 (en) * 2001-03-26 2005-02-15 Creo Inc. Spatial light modulator
US6661561B2 (en) * 2001-03-26 2003-12-09 Creo Inc. High frequency deformable mirror device
US6707591B2 (en) 2001-04-10 2004-03-16 Silicon Light Machines Angled illumination for a single order light modulator based projection system
US7026602B2 (en) * 2001-04-13 2006-04-11 Research Triangle Institute Electromagnetic radiation detectors having a microelectromechanical shutter device
US6586738B2 (en) 2001-04-13 2003-07-01 Mcnc Electromagnetic radiation detectors having a micromachined electrostatic chopper device
US6782205B2 (en) 2001-06-25 2004-08-24 Silicon Light Machines Method and apparatus for dynamic equalization in wavelength division multiplexing
US6747781B2 (en) 2001-06-25 2004-06-08 Silicon Light Machines, Inc. Method, apparatus, and diffuser for reducing laser speckle
US6829092B2 (en) * 2001-08-15 2004-12-07 Silicon Light Machines, Inc. Blazed grating light valve
US6639722B2 (en) 2001-08-15 2003-10-28 Silicon Light Machines Stress tuned blazed grating light valve
US6587253B2 (en) * 2001-08-16 2003-07-01 Silicon Light Machines Enhance thermal stability through optical segmentation
US6785001B2 (en) 2001-08-21 2004-08-31 Silicon Light Machines, Inc. Method and apparatus for measuring wavelength jitter of light signal
US7046410B2 (en) 2001-10-11 2006-05-16 Polychromix, Inc. Actuatable diffractive optical processor
US6532097B1 (en) 2001-10-11 2003-03-11 Applied Materials, Inc. Image registration apparatus having an adjustable reflective diffraction grating and method
US6906845B2 (en) * 2001-11-26 2005-06-14 Samsung Electronics Co., Ltd. Micro-mechanical device having anti-stiction layer and method of manufacturing the device
US7426067B1 (en) 2001-12-17 2008-09-16 Regents Of The University Of Colorado Atomic layer deposition on micro-mechanical devices
US6800238B1 (en) 2002-01-15 2004-10-05 Silicon Light Machines, Inc. Method for domain patterning in low coercive field ferroelectrics
US6987901B2 (en) * 2002-03-01 2006-01-17 Rosemount, Inc. Optical switch with 3D waveguides
US20030197872A1 (en) * 2002-04-17 2003-10-23 Littau Michael E. Scatterometric measurement of undercut multi-layer diffracting signatures
US6983087B1 (en) 2002-05-24 2006-01-03 Cypress Semiconductor Corporation Cascading optical switch multi-plane system and method
US7013058B1 (en) 2002-05-24 2006-03-14 Cypress Semiconductor Corporation Optical switch cascading system and method with fixed incidence angle correction
US6853762B1 (en) 2002-05-24 2005-02-08 Cypress Semiconductor Corporation Optical switch cascading system and method with variable incidence angle correction
US6767751B2 (en) 2002-05-28 2004-07-27 Silicon Light Machines, Inc. Integrated driver process flow
US6822797B1 (en) 2002-05-31 2004-11-23 Silicon Light Machines, Inc. Light modulator structure for producing high-contrast operation using zero-order light
US6777258B1 (en) * 2002-06-28 2004-08-17 Silicon Light Machines, Inc. Conductive etch stop for etching a sacrificial layer
US7045381B1 (en) 2002-06-28 2006-05-16 Silicon Light Machines Corporation Conductive etch stop for etching a sacrificial layer
US6813059B2 (en) 2002-06-28 2004-11-02 Silicon Light Machines, Inc. Reduced formation of asperities in contact micro-structures
US6714337B1 (en) 2002-06-28 2004-03-30 Silicon Light Machines Method and device for modulating a light beam and having an improved gamma response
US6801354B1 (en) 2002-08-20 2004-10-05 Silicon Light Machines, Inc. 2-D diffraction grating for substantially eliminating polarization dependent losses
US6870982B1 (en) 2002-08-23 2005-03-22 Cypress Semiconductor Corporation Cascading optical switch three dimensional switch fabric system and method
US6712480B1 (en) 2002-09-27 2004-03-30 Silicon Light Machines Controlled curvature of stressed micro-structures
KR100459408B1 (ko) * 2002-10-24 2004-12-03 엘지전자 주식회사 레이저 디스플레이용 공간 광 모듈레이터 소자 및 그제조방법
KR100459409B1 (ko) * 2002-10-24 2004-12-03 엘지전자 주식회사 공간 광 모듈레이터 및 그 제조방법
KR100459410B1 (ko) * 2002-10-31 2004-12-03 엘지전자 주식회사 광모듈레이터 소자 및 생산방법
US7553686B2 (en) * 2002-12-17 2009-06-30 The Regents Of The University Of Colorado, A Body Corporate Al2O3 atomic layer deposition to enhance the deposition of hydrophobic or hydrophilic coatings on micro-electromechanical devices
JP2006516761A (ja) 2003-01-24 2006-07-06 モンタナ ステート ユニバーシティー−ボーズマン 軸外可変焦点および収差制御鏡および方法
US6894822B2 (en) * 2003-02-04 2005-05-17 Silicon Light Machines Corporation Robust reflective surface for light modulators
US6922272B1 (en) * 2003-02-14 2005-07-26 Silicon Light Machines Corporation Method and apparatus for leveling thermal stress variations in multi-layer MEMS devices
US6829077B1 (en) 2003-02-28 2004-12-07 Silicon Light Machines, Inc. Diffractive light modulator with dynamically rotatable diffraction plane
US6967718B1 (en) 2003-02-28 2005-11-22 Silicon Light Machines Corportion Method and apparatus for monitoring WDM channels and for analyzing dispersed spectrum of light
US6806997B1 (en) 2003-02-28 2004-10-19 Silicon Light Machines, Inc. Patterned diffractive light modulator ribbon for PDL reduction
JP2007503623A (ja) * 2003-03-03 2007-02-22 モンタナ ステート ユニバーシティー−ボーズマン 小型共焦点光学装置、システムおよび方法
US6947199B2 (en) * 2003-03-28 2005-09-20 Silicon Light Machines Corporation Loosely-packed two-dimensional modulator arrangement
JP4400855B2 (ja) 2003-04-15 2010-01-20 株式会社リコー 光偏向装置、光偏向装置の製造方法、光偏向アレー、画像形成装置および画像投影表示装置
US6930817B2 (en) * 2003-04-25 2005-08-16 Palo Alto Research Center Incorporated Configurable grating based on surface relief pattern for use as a variable optical attenuator
CN1297830C (zh) * 2003-06-05 2007-01-31 华新丽华股份有限公司 光栅结构的制作方法
US6856449B2 (en) * 2003-07-10 2005-02-15 Evans & Sutherland Computer Corporation Ultra-high resolution light modulation control system and method
JP4400865B2 (ja) 2004-01-06 2010-01-20 株式会社リコー 光偏向装置
US7149028B2 (en) * 2004-04-29 2006-12-12 Samsung Electro-Mechanics Co., Ltd. Transmissive-diffractive light modulator
US7476327B2 (en) 2004-05-04 2009-01-13 Idc, Llc Method of manufacture for microelectromechanical devices
US7099064B2 (en) 2004-06-03 2006-08-29 Samsung Electro-Mechanics Co., Ltd. Electrostatic-type variable diffractive light modulator and manufacturing method thereof
US7448412B2 (en) 2004-07-23 2008-11-11 Afa Controls Llc Microvalve assemblies and related structures and related methods
KR100632548B1 (ko) 2004-09-06 2006-10-09 삼성전기주식회사 대칭 형상의 캔티레버를 이용한 회절형 광변조기
US7936497B2 (en) 2004-09-27 2011-05-03 Qualcomm Mems Technologies, Inc. MEMS device having deformable membrane characterized by mechanical persistence
US7420725B2 (en) 2004-09-27 2008-09-02 Idc, Llc Device having a conductive light absorbing mask and method for fabricating same
US7583429B2 (en) 2004-09-27 2009-09-01 Idc, Llc Ornamental display device
US7612932B2 (en) 2004-09-27 2009-11-03 Idc, Llc Microelectromechanical device with optical function separated from mechanical and electrical function
US7944599B2 (en) 2004-09-27 2011-05-17 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Electromechanical device with optical function separated from mechanical and electrical function
US7289259B2 (en) 2004-09-27 2007-10-30 Idc, Llc Conductive bus structure for interferometric modulator array
US7527995B2 (en) 2004-09-27 2009-05-05 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Method of making prestructure for MEMS systems
US7304784B2 (en) 2004-09-27 2007-12-04 Idc, Llc Reflective display device having viewable display on both sides
US7130104B2 (en) 2004-09-27 2006-10-31 Idc, Llc Methods and devices for inhibiting tilting of a mirror in an interferometric modulator
US7630119B2 (en) 2004-09-27 2009-12-08 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Apparatus and method for reducing slippage between structures in an interferometric modulator
US7372613B2 (en) 2004-09-27 2008-05-13 Idc, Llc Method and device for multistate interferometric light modulation
US7564612B2 (en) 2004-09-27 2009-07-21 Idc, Llc Photonic MEMS and structures
US8008736B2 (en) 2004-09-27 2011-08-30 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Analog interferometric modulator device
US7302157B2 (en) 2004-09-27 2007-11-27 Idc, Llc System and method for multi-level brightness in interferometric modulation
US7321456B2 (en) 2004-09-27 2008-01-22 Idc, Llc Method and device for corner interferometric modulation
US7054051B1 (en) * 2004-11-26 2006-05-30 Alces Technology, Inc. Differential interferometric light modulator and image display device
US7446925B2 (en) * 2004-11-26 2008-11-04 Alces Technology Micro-electromechanical light modulator with anamorphic optics
US7054054B1 (en) 2004-12-20 2006-05-30 Palo Alto Research Center Incorporated Optical modulator with a traveling surface relief pattern
KR100815362B1 (ko) 2005-01-05 2008-03-19 삼성전기주식회사 인터디지테이트형의 회절형 광변조기
US7884989B2 (en) * 2005-05-27 2011-02-08 Qualcomm Mems Technologies, Inc. White interferometric modulators and methods for forming the same
JP2007109718A (ja) * 2005-10-11 2007-04-26 Toshiba Corp 半導体装置の製造方法
US7324922B2 (en) * 2005-10-26 2008-01-29 International Business Machines Corporation Run-time performance verification system
US7429983B2 (en) * 2005-11-01 2008-09-30 Cheetah Omni, Llc Packet-based digital display system
US7916980B2 (en) 2006-01-13 2011-03-29 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Interconnect structure for MEMS device
US20070194239A1 (en) * 2006-01-31 2007-08-23 Mcallister Abraham Apparatus and method providing a hand-held spectrometer
EP1843203A1 (en) * 2006-04-03 2007-10-10 Agfa Graphics N.V. Method of making a photopolymer printing plate
US7649671B2 (en) 2006-06-01 2010-01-19 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Analog interferometric modulator device with electrostatic actuation and release
US7835061B2 (en) 2006-06-28 2010-11-16 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Support structures for free-standing electromechanical devices
US7527998B2 (en) 2006-06-30 2009-05-05 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Method of manufacturing MEMS devices providing air gap control
KR100890301B1 (ko) 2006-08-21 2009-03-26 삼성전기주식회사 회절형 광변조기를 이용한 디스플레이 시스템에 있어서컬러 특성 조정 장치 및 그 방법
US7629197B2 (en) 2006-10-18 2009-12-08 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Spatial light modulator
EP2104930A2 (en) 2006-12-12 2009-09-30 Evans & Sutherland Computer Corporation System and method for aligning rgb light in a single modulator projector
US8115987B2 (en) 2007-02-01 2012-02-14 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Modulating the intensity of light from an interferometric reflector
US7742220B2 (en) 2007-03-28 2010-06-22 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Microelectromechanical device and method utilizing conducting layers separated by stops
US7715085B2 (en) 2007-05-09 2010-05-11 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Electromechanical system having a dielectric movable membrane and a mirror
US7643202B2 (en) 2007-05-09 2010-01-05 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Microelectromechanical system having a dielectric movable membrane and a mirror
US7643199B2 (en) 2007-06-19 2010-01-05 Qualcomm Mems Technologies, Inc. High aperture-ratio top-reflective AM-iMod displays
US7782517B2 (en) 2007-06-21 2010-08-24 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Infrared and dual mode displays
US7630121B2 (en) 2007-07-02 2009-12-08 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Electromechanical device with optical function separated from mechanical and electrical function
US7813029B2 (en) 2007-07-31 2010-10-12 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Devices and methods for enhancing color shift of interferometric modulators
US8072402B2 (en) 2007-08-29 2011-12-06 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Interferometric optical modulator with broadband reflection characteristics
US7773286B2 (en) 2007-09-14 2010-08-10 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Periodic dimple array
US7847999B2 (en) 2007-09-14 2010-12-07 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Interferometric modulator display devices
US8058549B2 (en) 2007-10-19 2011-11-15 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Photovoltaic devices with integrated color interferometric film stacks
EP2212926A2 (en) 2007-10-19 2010-08-04 QUALCOMM MEMS Technologies, Inc. Display with integrated photovoltaics
EP2203765A1 (en) 2007-10-23 2010-07-07 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Adjustably transmissive mems-based devices
US8941631B2 (en) 2007-11-16 2015-01-27 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Simultaneous light collection and illumination on an active display
US7715079B2 (en) 2007-12-07 2010-05-11 Qualcomm Mems Technologies, Inc. MEMS devices requiring no mechanical support
US8164821B2 (en) 2008-02-22 2012-04-24 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Microelectromechanical device with thermal expansion balancing layer or stiffening layer
US7944604B2 (en) 2008-03-07 2011-05-17 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Interferometric modulator in transmission mode
US7612933B2 (en) 2008-03-27 2009-11-03 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Microelectromechanical device with spacing layer
US7898723B2 (en) 2008-04-02 2011-03-01 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Microelectromechanical systems display element with photovoltaic structure
US7969638B2 (en) 2008-04-10 2011-06-28 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Device having thin black mask and method of fabricating the same
US8358317B2 (en) 2008-05-23 2013-01-22 Evans & Sutherland Computer Corporation System and method for displaying a planar image on a curved surface
US8702248B1 (en) 2008-06-11 2014-04-22 Evans & Sutherland Computer Corporation Projection method for reducing interpixel gaps on a viewing surface
US7768690B2 (en) 2008-06-25 2010-08-03 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Backlight displays
US8023167B2 (en) 2008-06-25 2011-09-20 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Backlight displays
US7746539B2 (en) 2008-06-25 2010-06-29 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Method for packing a display device and the device obtained thereof
US7859740B2 (en) 2008-07-11 2010-12-28 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Stiction mitigation with integrated mech micro-cantilevers through vertical stress gradient control
US7855826B2 (en) 2008-08-12 2010-12-21 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Method and apparatus to reduce or eliminate stiction and image retention in interferometric modulator devices
US8358266B2 (en) 2008-09-02 2013-01-22 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Light turning device with prismatic light turning features
US8077378B1 (en) 2008-11-12 2011-12-13 Evans & Sutherland Computer Corporation Calibration system and method for light modulation device
US8270056B2 (en) 2009-03-23 2012-09-18 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Display device with openings between sub-pixels and method of making same
JP5449539B2 (ja) 2009-05-29 2014-03-19 クォルコム・メムズ・テクノロジーズ・インコーポレーテッド 照明デバイスおよび照明デバイスの製造方法
CN101996951B (zh) * 2009-08-20 2013-09-11 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 非易失性存储器结构及其形成方法
US8270062B2 (en) 2009-09-17 2012-09-18 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Display device with at least one movable stop element
US8488228B2 (en) 2009-09-28 2013-07-16 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Interferometric display with interferometric reflector
CN102097383B (zh) * 2009-12-15 2013-06-19 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 双位快闪存储器的制作方法
CN102097385B (zh) * 2009-12-15 2014-05-07 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 双位快闪存储器的制作方法
CN102097490A (zh) * 2009-12-15 2011-06-15 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 双位快闪存储器的制作方法
CN102110658B (zh) * 2009-12-29 2013-07-17 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 双位快闪存储器的制作方法
KR20130100232A (ko) 2010-04-09 2013-09-10 퀄컴 엠이엠에스 테크놀로지스, 인크. 전기 기계 디바이스의 기계층 및 그 형성 방법
KR20130091763A (ko) 2010-08-17 2013-08-19 퀄컴 엠이엠에스 테크놀로지스, 인크. 간섭 디스플레이 장치에서의 전하 중성 전극의 작동 및 교정
US9057872B2 (en) 2010-08-31 2015-06-16 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Dielectric enhanced mirror for IMOD display
US9134527B2 (en) 2011-04-04 2015-09-15 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Pixel via and methods of forming the same
US8963159B2 (en) 2011-04-04 2015-02-24 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Pixel via and methods of forming the same
US8659816B2 (en) 2011-04-25 2014-02-25 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Mechanical layer and methods of making the same
US9641826B1 (en) 2011-10-06 2017-05-02 Evans & Sutherland Computer Corporation System and method for displaying distant 3-D stereo on a dome surface
US8736939B2 (en) 2011-11-04 2014-05-27 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Matching layer thin-films for an electromechanical systems reflective display device
US8848278B2 (en) 2013-01-10 2014-09-30 Eastman Kodak Company Asymmetrical deformable diffractive grating modulator
US8861067B2 (en) 2013-01-10 2014-10-14 Eastman Kodak Company Asymmetrical deformable diffractive grating modulator
KR102065107B1 (ko) * 2013-05-20 2020-02-12 삼성디스플레이 주식회사 무마스크 노광 장치
DE112022002685T5 (de) 2021-05-17 2024-05-02 Teledyne Micralyne Inc. MEMS-basierte Modulations- und Strahlsteuerungssysteme und -verfahren

Family Cites Families (38)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4093346A (en) * 1973-07-13 1978-06-06 Minolta Camera Kabushiki Kaisha Optical low pass filter
US3947105A (en) * 1973-09-21 1976-03-30 Technical Operations, Incorporated Production of colored designs
JPS5742849B2 (ja) * 1974-06-05 1982-09-10
US4017158A (en) * 1975-03-17 1977-04-12 E. I. Du Pont De Nemours And Company Spatial frequency carrier and process of preparing same
US4184700A (en) * 1975-11-17 1980-01-22 Lgz Landis & Gyr Zug Ag Documents embossed with optical markings representing genuineness information
CH595664A5 (ja) * 1975-11-17 1978-02-15 Landis & Gyr Ag
CH594495A5 (ja) * 1976-05-04 1978-01-13 Landis & Gyr Ag
US4139257A (en) * 1976-09-28 1979-02-13 Canon Kabushiki Kaisha Synchronizing signal generator
US4067129A (en) * 1976-10-28 1978-01-10 Trans-World Manufacturing Corporation Display apparatus having means for creating a spectral color effect
CH604279A5 (ja) * 1976-12-21 1978-08-31 Landis & Gyr Ag
CH616253A5 (ja) * 1977-06-21 1980-03-14 Landis & Gyr Ag
CH622896A5 (ja) * 1978-03-20 1981-04-30 Landis & Gyr Ag
US4440839A (en) * 1981-03-18 1984-04-03 United Technologies Corporation Method of forming laser diffraction grating for beam sampling device
US4408884A (en) * 1981-06-29 1983-10-11 Rca Corporation Optical measurements of fine line parameters in integrated circuit processes
US4492435A (en) * 1982-07-02 1985-01-08 Xerox Corporation Multiple array full width electro mechanical modulator
US4655539A (en) * 1983-04-18 1987-04-07 Aerodyne Products Corporation Hologram writing apparatus and method
CH661683A5 (de) * 1983-09-19 1987-08-14 Landis & Gyr Ag Einrichtung zum praegen von reliefmustern hoher aufloesung.
CH664030A5 (de) * 1984-07-06 1988-01-29 Landis & Gyr Ag Verfahren zur erzeugung eines makroskopischen flaechenmusters mit einer mikroskopischen struktur, insbesondere einer beugungsoptisch wirksamen struktur.
US4596992A (en) * 1984-08-31 1986-06-24 Texas Instruments Incorporated Linear spatial light modulator and printer
US4751509A (en) * 1985-06-04 1988-06-14 Nec Corporation Light valve for use in a color display unit with a diffraction grating assembly included in the valve
US4856869A (en) * 1986-04-08 1989-08-15 Canon Kabushiki Kaisha Display element and observation apparatus having the same
US5155604A (en) * 1987-10-26 1992-10-13 Van Leer Metallized Products (Usa) Limited Coated paper sheet embossed with a diffraction or holographic pattern
DE3866230D1 (de) * 1988-03-03 1991-12-19 Landis & Gyr Betriebs Ag Dokument.
JPH01296214A (ja) * 1988-05-25 1989-11-29 Canon Inc 表示装置
JPH01306886A (ja) * 1988-06-03 1989-12-11 Canon Inc 体積位相型回折格子
JP2585717B2 (ja) * 1988-06-03 1997-02-26 キヤノン株式会社 表示装置
US5058992A (en) * 1988-09-07 1991-10-22 Toppan Printing Co., Ltd. Method for producing a display with a diffraction grating pattern and a display produced by the method
ATE98795T1 (de) * 1988-09-30 1994-01-15 Landis & Gyr Business Support Beugungselement.
US4915463A (en) * 1988-10-18 1990-04-10 The United States Of America As Represented By The Department Of Energy Multilayer diffraction grating
GB8921722D0 (en) * 1989-09-26 1989-11-08 British Telecomm Micromechanical switch
JP2508387B2 (ja) * 1989-10-16 1996-06-19 凸版印刷株式会社 回折格子パタ―ンを有するディスプレイの作製方法
US5291317A (en) * 1990-07-12 1994-03-01 Applied Holographics Corporation Holographic diffraction grating patterns and methods for creating the same
CA2060057C (en) * 1991-01-29 1997-12-16 Susumu Takahashi Display having diffraction grating pattern
US5231388A (en) * 1991-12-17 1993-07-27 Texas Instruments Incorporated Color display system using spatial light modulators
US5311360A (en) * 1992-04-28 1994-05-10 The Board Of Trustees Of The Leland Stanford, Junior University Method and apparatus for modulating a light beam
US5347433A (en) * 1992-06-11 1994-09-13 Sedlmayr Steven R Collimated beam of light and systems and methods for implementation thereof
US5367585A (en) * 1993-10-27 1994-11-22 General Electric Company Integrated microelectromechanical polymeric photonic switch
US5500761A (en) * 1994-01-27 1996-03-19 At&T Corp. Micromechanical modulator

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
Ｏｐｔｉｃｓ Ｌｅｔｔｅｒｓ，Ｖｏｌ．１７ Ｎｏ．９ ｐｐ．６８８−６９０（１ Ｍａｙ １９９２）

Cited By (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7215452B2 (en) 2001-11-14 2007-05-08 Ricoh Company, Ltd. Light deflecting method and apparatus efficiently using a floating mirror
US7333256B2 (en) 2001-11-14 2008-02-19 Ricoh Company, Ltd. Light deflecting method and apparatus efficiently using a floating mirror
US7342702B2 (en) 2001-11-14 2008-03-11 Ricoh Company, Ltd. Light deflecting method and apparatus efficiently using a floating mirror
US7457019B2 (en) 2001-11-14 2008-11-25 Ricoh Company, Ltd. Light deflecting method and apparatus efficiently using a floating mirror
US7538923B2 (en) 2001-11-14 2009-05-26 Ricoh Company, Ltd. Light deflecting method and apparatus efficiently using a floating mirror
US7697179B2 (en) 2001-11-14 2010-04-13 Ricoh Company, Ltd. Light deflecting method and apparatus efficiently using a floating mirror
US7391551B2 (en) 2003-06-27 2008-06-24 Ricoh Company, Ltd. Method for driving light deflector, light deflector, light deflection array, image forming device, and image projection display apparatus

Also Published As

Publication number Publication date
CN1153081C (zh) 2004-06-09
CN1187249A (zh) 1998-07-08
DE69603857D1 (de) 1999-09-23
KR19990022268A (ko) 1999-03-25
NO975695L (no) 1997-12-05
JPH10510375A (ja) 1998-10-06
NO975695D0 (no) 1997-12-05
DE69603857T2 (de) 2000-01-13
AU6156496A (en) 1996-12-30
EP0830629B1 (en) 1999-08-18
ATE183590T1 (de) 1999-09-15
WO1996041226A1 (en) 1996-12-19
US5661592A (en) 1997-08-26
EP0830629A1 (en) 1998-03-25
KR100306085B1 (ko) 2001-11-02

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP3016871B2 (ja) フラット回折格子光バルブの製造方法及びその装置
US6238581B1 (en) Process for manufacturing an electro-mechanical grating device
US6663788B2 (en) Method for manufacturing a mechanical conformal grating device
US6426237B2 (en) Method for producing optically planar surfaces for micro-electromechanical system devices
KR100209398B1 (ko) 광로조절장치의 제조방법
KR100425686B1 (ko) 광 모듈레이터 및 그 제조방법
JP4349548B2 (ja) 光変調装置の製造方法
KR100237341B1 (ko) 박막형 광로 조절 장치 및 그 제조 방법
KR100278069B1 (ko) 2층구조박막형광로조절장치및그의제조방법
KR100258106B1 (ko) 박막형 광로조절장치의 제조방법
KR100201826B1 (ko) 큰 구동 각도를 갖는 박막형 광로 조절장치 및 그 제조 방법
KR100273901B1 (ko) 박막형광로조절장치의제조방법
KR100267467B1 (ko) 박막형광로조절장치의제조방법
KR100258104B1 (ko) 2층구조 박막형 광로조절장치의 제조방법
KR100278068B1 (ko) 박막형광로조절장치및그제조방법
KR0164186B1 (ko) 광로조절장치의 제조방법
KR100258109B1 (ko) 박막형 광로조절장치의 제조방법
KR19990043440A (ko) 박막형 광로 조절 장치의 제조방법
KR100258108B1 (ko) 박막형 광로조절장치의 제조방법
KR100267470B1 (ko) 2층 구조 박막형 광로조절장치 제조방법
KR19990019069A (ko) 박막형 광로 조절 장치 및 그 제조 방법
KR20000044192A (ko) 박막형 광로조절 장치의 제조방법
KR19990005344A (ko) 박막형 광로 조절 장치
KR20040038350A (ko) 광 모듈레이터 소자 제조 방법
KR20000031951A (ko) 화소의 포인트 결함을 방지할 수 있는 박막형 광로조절 장치의제조방법

Legal Events

Date Code Title Description
R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

S533 Written request for registration of change of name

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313533

R350 Written notification of registration of transfer

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20081224

Year of fee payment: 9

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20081224

Year of fee payment: 9

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20081224

Year of fee payment: 9

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20081224

Year of fee payment: 9

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20091224

Year of fee payment: 10

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20091224

Year of fee payment: 10

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20101224

Year of fee payment: 11

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20111224

Year of fee payment: 12

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20121224

Year of fee payment: 13

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20121224

Year of fee payment: 13

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20131224

Year of fee payment: 14

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

EXPY Cancellation because of completion of term