KR100278068B1 - 박막형광로조절장치및그제조방법 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 절연기판, MOS 트랜지스터, 확산방지층, 금속층, 하부보호층, 차단층, 상부보호층, 식각방지층등을 포함하는 구동기판과, 일단부가 구동기판에 지지되어 있고, 타단부가 구동기판에 이격되어 있으면서 멤브레인, 하부전극, 변형층, 상부전극 및 비어 컨택 등을 포함하는 액츄에이터와, 액츄에이터의 타단부에 지지되어 있고 외주변이 하방으로 연장된 돌출부를 갖는 미러를 포함하는 2층 구조의 박막형 광로조절장치 및 그 제조방법에 관한 것으로서, 상기에 제시된 2층 구조의 박막형 광로조절장치에서는 미러의 외주변이 하방으로 연장된 돌출부를 갖는 미러를 형성함으로서, 각각의 미러 사이의 틈으로 희생층 제거할 때 잔류응력으로 인하여 미러의 끝이 휘어버리는 현상을 방지할 수 있다.

Description

박막형 광로조절장치 및 그 제조방법{THIN FILM ACTUATED MIRROR ARRAY AND METHOD FOR MANUFACTURE THEREOF}
본 발명은 제조공정중에 잔류응력으로 인해 미러의 끝부분이 휘어버리는 것을 방지하기 위하여 미러의 외주변을 하방으로 연장된 돌출부를 갖는 미러를 포함하는 2층 구조의 박막형 광로조절장치 및 그 제조방법에 관한 것이다.
일반적으로, 광학 에너지(optical energy)를 스크린 상에 투영하기 위한 장치인 공간적인 광 모듈레이터(spatial light modulator)는 광통신, 화상 처리 및 정보 디스플레이 장치 등에 다양하게 응용될 수 있다. 이러한 장치들은 광원으로부터 입사되는 광속을 스크린에 투영하는 방법에 따라서 직시형 화상표시장치와 투사형 화상표시장치로 구분된다. 직시형 화상표시장치로는 CRT(Cathode Ray Tube)등이 있으며, 투사형 화상표시장치로는 액정표시장치(Liquid Crystal Display:이하 'LCD'라 칭함), DMD(Deformable Mirror Device), 또는 AMA(Actuated Mirror Arrays)등이 있다.
상술한 CRT 장치는 평균 100ft-L(백색 표시) 이상인 휘도, 30 : 1 이상인 콘트라스트비, 1만시간 이상의 수명 등이 보증된 우수한 표시장치이다. 그러나, CRT는 중량 및 용적이 크고 높은 기계적인 강도를 유지하기 때문에 화면을 완전한 평면으로 하기가 곤란하여 주변부가 왜곡되는 문제점이 있었다. 또한, CRT는 전자빔으로 형광체를 여기해서 발광시키므로 화상을 만들기 위해 고전압을 필요로 하는 문제점이 있었다.
따라서, 상술한 CRT의 문제점을 해결하기 위해 LCD가 개발되었다. 이러한 LCD의 장점을 CRT와 비교하여 설명하면 다음과 같다. LCD는 저전압에서 동작하며, 소비 전력이 작고, 변형없는 화상을 제공한다.
그러나, 상술한 장점들에도 불구하고 LCD는 광속의 편광으로 인하여 1∼2％의 낮은 광효율을 가지며, 그 내부의 액정물질의 응답속도가 느린 문제점이 있었다.
이에 따라, 상술한 바와 같은 LCD의 문제점들을 해결하기 위하여 DMD, 또는 AMA등의 장치가 개발되었다. 현재, DMD가 약 5% 정도의 광효율을 가지는 것에 비하여 AMA는 10% 이상의 광효율을 얻을 수 있다. 또한, AMA는 입사되는 광속의 극성에 의해 영향을 받지 않을 뿐만아니라 광속의 극성에 영향을 끼치지 않는다.
통상적으로, AMA 내부에 형성된 각각의 액츄에이터들은 인가되는 화상 신호 및 바이어스 전압에 의하여 발생되는 전계에 따라 변형을 일으킨다. 이 액츄에이터가 변형을 일으킬 때, 액츄에이터의 상부에 탑재된 각각의 미러들은 전계의 크기에 비례하여 경사지게 된다.
따라서, 이 경사진 미러들은 광원으로부터 입사된 빛을 소정의 각도로 반사시킬 수 있게 된다. 이 각각의 미러들을 구동하는 액츄에이터의 구성재료로서는 PZT(Pb(Zr,Ti)O3), 또는 PLZT((Pb, La)(Zr, Ti)O3)등의 압전 세라믹이 이용된다. 또한, 이 액츄에이터의 구성 재료로 PMN(Pb(Mg, Nb)O3)등의 전왜 세라믹을 이용할 수도 있다.
도 1a 내지 도 1f는 종래의 2층 구조의 박막형 광로조절장치(100)의 제조방법을 설명하는 단면도를 도시한 것으로, 도 1a에 도시된 바와 같이, 상기 2층 구조의 박막형 광로조절장치(100)의 제조방법은 절연기판(112), MOS 트랜지스터(120), 확산방지층(130), 금속층(140), 하부보호층(150), 차단층(160), 상부보호층(170), 식각방지층(180)등이 형성되어 있는 구동기판(110)의 준비로서 시작한다.
상기 구동기판(110)에서, 상기 MOS 트랜지스터(120)에는 게이트 산화층(121), 게이트 전극(122), 층간절연층(123), 소오스영역(124), 드레인영역(125), 필드산화층(126)등이 형성되어 있다. 상기 확산방지층(130)은 절연기판(112)의 실리콘이 금속층(140)으로 확산되는 것을 방지한다. 상기 금속층(140)은, 상기 트랜지스터(120)의 드레인영역(125)으로 부터 인가되는 전기적 신호를 후술되는 각각의 액츄에이터(210)에 전달하기 위해 형성되는 드레인패드(142)와, 소오스영역(124)들을 전기적으로 연결하는 부분(144)으로 형성되어 있다. 상기 하부 보호층(150)은 차단층(160)과 금속층(140)이 전기적으로 연결되는 것을 방지하기 위하여 형성된다. 상기 차단층(160)은 그 하부에 형성된 금속층(140)에 광전효과에 의한 광전류가 발생하는 것을 방지하기 위하여 형성된다. 상기 상부보호층(170)은 이후의 제조공정동안 차단층(160)과 MOS 트랜지스터(120)이 손상받는 것으로부터 보호하기 위하여 형성된다. 상기 식각방지층(180)은 후속되는 식각공정 동안 구동기판(110)이 손상받는 것을 방지하기 위하여 형성된다.
계속해서, 도 1b에 도시된 바와 같이, 상기 구동기판(110)의 상부에 다결정 실리콘(poly-Si)재료로 이루어지는 제 1 희생층(190)을 저압기상증착법(LPCVD)을 사용하여 형성한다. 여기에서, 상기 제 1 희생층(190)의 상부표면에 평탄도를 높이기 위하여 CMP(Chemical Mechanical Polishign)방법을 사용하여 평탄화한다. 이어서, 제 1 희생층(190)의 드레인 패드(142)의 상부에 형성된 부분을 식각하여 후술하는 액츄에이터(210)의 지지부가 형성될 부분(195)을 만든다.
계속하여, 도 1c에 도시된 바와 같이, 상기 제 1 희생층(190)의 상부에 질화물로 이루어진 멤브레인(220), 백금(Pt) 또는 백금/탄탈륨(Pt/Ta) 같은 전기 도전성이 우수한 재료로 이루어진 하부전극(230), PZT 또는 PLZT 같은 압전재료로 만들어진 변형층(240), 하부전극(230)과 동일한 재료로 이루어진 상부전극(250), 하부전극(230)과 드레인 패드(142)을 전기적으로 연결하는 비어 컨택(265)등이 차례로 형성된 액츄에이터(210)를 형성한다.
여기에서, 상기 액츄에이터(210)의 제조과정을 살펴보면, 먼저 상기 질화물로 이루어진 멤브레인(220)을 저압화학기상증착(LPCVD) 방법을 사용하여 0.1∼1.0㎛의 두께로 형성한다.
다음으로, 상기 멤브레인(220)의 상부에 전기도전성이 우수한 금속으로 이루어진 하부전극(230)을 스퍼터링 방법을 이용하여 0.1∼1.0㎛의 두께로 형성한다.
그 다음, 상기 하부전극(230)의 상부에 PZT 또는 PLZT 같은 압전재료로 이루어진 변형층(240)을 스퍼터링 또는 화학기상증착(CVD) 방법을 사용하여 0.1∼1.0㎛의 두께로 형성한다. 이어서, 변형층(240)은 급속열처리(RAT)방법을 사용하여 상변이 시킨다.
계속해서, 상기 변형층(240)의 상부에 하부전극(230)과 동일한 전기 도전성이 우수한 물질로 이루어진 상부전극(250)을 스퍼터링 방법을 사용하여 형성한다.
이후, 상기 상부전극(250), 변형층(240), 하부전극(230), 멤브레인(220)이 셀단위의 각각의 액츄에이터로 나뉘어지도록 포토레지스트를 이용하여 각각의 층들을 바람직한 형상으로 패턴한다. 그리고, 드레인 패드(142)가 형성된 부분으로부터 상부전극(250), 변형층(240), 하부전극(230), 멤브레인(220), 식각방지층(180), 상부보호층(170) 그리고 하부보호층(150)을 차례로 식각하여 비아홀(via hole:260)을 형성한 후, 상기 비아홀(260)의 내부에 텅스텐(W), 백금(Pt), 알루미늄(Al) 또는 티타늄(Ti) 같은 금속을 스퍼터링 방법을 이용하여 상기 하부전극(230)과 드레인패드(142)가 전기적으로 연결되도록 비어 컨택(265)을 형성한다.
계속해서, 도 1d에 도시된 바와 같이, 상기 액츄에이터(210)의 상부에 인실리케이트유리(PSG)로 이루어진 제 2 희생층(270)을 대기압 화학기상증착법(APCVD)법을 이용하여 형성한다. 그리고 나서, 상기 제 2 희생층(270)을 부분적으로 식각하여 이후에 형성될 미러(310)이 상기 액츄에이터(210)에 지지될 수 있도록 미러의 지지부분(280)을 형성한다.
다음으로, 도 1e에 도시된 바와 같이, 상기 제 2 희생층(270)과 미러의 지지부분(280)의 상부에 반사특성이 우수한 재료을 스퍼터링 방법을 이용하여 증착한 후, 각각의 액츄에이터(210)에 일대일 대응하도록 미러를 패턴하여 각각의 미러(310)를 형성한다.
마지막으로, 도 1f에 도시된 바와 같이, 상기 제 2 희생층(270)과 제 1 희생층(190)을 제거하여 AMA 소자를 완성한다.
그러나, 종래의 2층 구조의 박막형 광로조절장치(100)에서 미러패턴을 통하여 형성된 각각의 미러(310) 사이의 틈을 통하여 제 1 희생층(190)과 제 2 희생층(270)을 제거하는 동안 잔류응력이 발생하여 미러(310)의 끝부분이 휘어버리는 문제점이 발생한다.
본 발명은 상술한 바와 같은 종래의 문제점을 해결하기 위해 안출된 것으로서, 본 발명에 따른 2층 구조의 박막형 광로조절장치 및 그 제조방법은 제조공정중에 미러의 지지부분을 형성하기 위한 제 2 희생층의 식각시 각각의 미러패턴이 이루어질 부분까지 부분적으로 식각하여 그 상부에 미러를 형성함으로서, 미러의 외주변이 하방으로 연장되어 돌출부를 갖는 미러를 형성함으로서 잔류응력에 의해 휘어버리는 현상을 방지할 수 있다.
상술한 바와 같은 목적을 달성하기 위하여 본 발명의 2층 구조의 박막형 광로조절장치는 절연기판, MOS 트랜지스터, 확산방지층, 드레인 패드와 소오스연결부분으로 이루어진 금속층, 하부보호층, 차단층, 상부보호층, 식각방지층 등이 형성되어 있는 구동기판과, 구동기판의 상부에 일단부가 지지되어 있고 타단부는 일정간격으로 이격되어 있으면서 멤브레인, 하부전극, 변형층, 상부전극 및 비어 컨택이 형성되어 있는 액츄에이터와, 액츄에이터의 타단부에 지지되어 있으면서 외주변이 하방으로 연장된 돌출부를 갖는 미러를 포함한다.
상술한 바와 같이 목적을 달성하기 위한 본 발명의 2층 구조의 박막형 광로조절장치를 제조방법은 절연기판, MOS 트랜지스터, 확산방지층, 드레인 패드와 소오스연결부분으로 이루어진 금속층, 하부보호층, 차단층, 상부보호층, 식각방지층 등이 형성되어 있는 구동기판을 준비하는 단계와; 상기 구동기판의 상부에 지지부가 형성된 제 1 희생층을 형성하는 단계와; 상기 제 1 희생층과 지지부의 상부에 멤브레인, 하부전극, 변형층, 상부전극 및 비어 컨택 등이 형성된 액츄에이터를 형성하는 단계와; 상기 액츄에이터의 상부에 상기 상부전극이 노출되도록 미러의 지지부분이 식각되어 있고 미러경계부분이 부분적으로 식각되어 단차가 형성된 제 2 희생층을 형성하는 단계와; 상기 제 2 희생층의 상부에 빛반사성재료를 증착하고, 미러경계부분을 식각하는 미러패턴을 통해 각각의 액츄에이터에 일대일대응하도록 미러를 형성하는 단계와; 제 2 희생층과 제 1 희생층을 제거하는 단계를 포함한다.
본 발명의 상기 목적과 여러 가지 장점은 이 기술 분야에 숙련된 사람들에 의해 첨부된 도면을 참조하여 다음에 설명하는 발명의 바람직한 실시예로 부터 더욱 명확하게 될 것이다.
도 1a 내지 도 1f는 종래의 2층 구조의 박막형 광로조절장치를 제조하기 위한 방법을 설명하는 단면도,
도 2는 본 발명에 따른 2층 구조의 박막형 광로조절장치를 도시한 단면도,
도 3a 내지 도 3f는 본 발명에 따른 2층 구조의 박막형 광로조절장치를 제조하기 위한 방법을 설명하는 단면도.
<도면의 주요부분에 대한 부호의 설명>
410 : 구동기판 420 : MOS 트랜지스터 430 : 확산방지층
440 : 금속층 450 : 하부보호층 460 : 차단층
470 : 상부보호층 480 : 식각방지층 490 : 제 1 희생층
510 : 액츄에이터 520 : 멤브레인 530 : 하부전극
540 : 변형층 550 : 상부전극 565 : 비어 컨택
590 : 제 2 희생층 610 : 미러
620 : 미러 하방 돌출부
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명에 따른 박막형 광로조절장치를 상세하게 설명한다.
도 2는 본 발명에 따른 2층 구조의 박막형 광로조절장치(400)를 도시한 단면도로서, 상기 2층 구조의 박막형 광로조절장치(400)는 구동기판(410), 액츄에이터(510) 및 미러(610)로 구성되어 있다.
상기 구동기판(410)은 절연기판(412), MOS 트랜지스터(420), 확산방지층(430), 금속층(440), 하부보호층(450), 차단층(460), 상부보호층(470), 식각방지층(480)등이 형성되어 있다. 상기 MOS 트랜지스터(420)에는 게이트 산화층(421), 게이트 전극(422), 층간절연층(423), 소오스영역(424), 드레인영역(425), 필드산화층(426)등이 형성되어 있다. 상기 확산방지층(430)은 절연기판(412)의 실리콘이 금속층(440)으로 확산되는 것을 방지한다. 상기 금속층(440)은 상기 트랜지스터(420)의 드레인영역(425)으로부터 인가되는 전기적 신호를 이후에 형성될 각각의 액츄에이터(510)에 전달하기 위해 형성되는 드레인패드(442)와 소오스영역(424)들을 전기적으로 연결하는 부분(444)으로 형성되어 있다. 상기 하부 보호층(450)은 차단층(460)과 금속층(440)이 전기적으로 연결되는 것을 방지하기 위하여 형성된다. 상기 차단층(460)은 그 하부에 형성된 금속층(440)에 광전효과에 의한 광전류가 발생하는 것을 막기 위하여 형성된다. 상기 상부보호층(470)은 이후의 제조공정동안 차단층(460)과 MOS 트랜지스터(420)이 손상받는 것으로부터 보호하기 위하여 형성된다. 상기 식각방지층(480)은 제조공정중의 식각공정동안 구동기판(410)이 손상받는 것을 막기 위하여 형성된다.
상기 액츄에이터(510)는 일단부가 구동기판(410)에 지지되어 있고 타단부가 구동기판(410)에 일정간격을 두고 이격되어 있으면서 질화물로 만들어진 멤브레인(520), 백금(Pt) 또는 백금/탄탈륨(Pt/Ta) 같은 전기 도전성이 우수한 재료로 만들어진 하부전극(530), PZT 또는 PLZT 같은 압전재료로 만들어진 변형층(540), 하부전극(530)과 동일한 재료로 만들어진 상부전극(550), 하부전극(530)과 드레인 패드(442)을 전기적으로 연결하는 비어 컨택(565)등이 형성되어 있다. 하부전극(530)은 비어 컨택(565)을 통하여 구동기판(410)의 드레인패드(442)에 전기적으로 연결되어 있으면서 신호전극으로 작용하고, 상부전극(550)은 그라운드(ground)에 전기적으로 연결되어 있음으로서 공통전극으로서 작용한다. 변형층(540)은 하부전극(530)과 상부전극(550)의 사이에 위치하면서, 하부전극(530)에 전기적 신호가 인가되어 하부전극(530)과 상부전극(550) 간의 전압차에 의하여 전기장이 형성되면 압전현상에 의하여 변형하면서 액츄에이터(510)가 구동할 수 있도록 한다.
상기 미러(610)는 액츄에이터(510)의 타단부에 지지되어 있으면서 상기 액츄에이터(510)의 구동에 의하여 틸트(tilt)됨으로서 광로를 조절하는데, 미러(610)의 외주변이 하방으로 연장되어 있는 돌출부(620)가 형성되어 제조공정중의 잔류응력에 의하여 휘어버리는 현상을 방지할 수 있다.
도 3a 내지 3f는 본 발명과 일치하는 2층 구조의 박막형 광로조절장치(400)의 제조방법을 설명하는 단면도를 도시한 것으로, 도 3a에 도시된 바와 같이, 상기 2층 구조의 박막형 광로조절장치(400)을 제조는 절연기판(412), MOS 트랜지스터(420), 확산방지층(430), 금속층(440), 하부보호층(450), 차단층(460), 상부보호층(470), 식각방지층(480)등이 형성되어 있는 구동기판(410)의 준비로서 시작한다.
계속해서, 도 3b에 도시된 바와 같이, 상기 구동기판(410)의 상부에 다결정 실리콘(poly-Si)재료로 만들어진 제 1 희생층(490)을 저압기상증착법(LPCVD)을 사용하여 형성한다. 여기에서, 상기 제 1 희생층(490)의 상부표면에 평탄도를 높이기 위하여 CMP(Chemical Mechanical Polishign)방법을 사용하여 평탄화 한다. 이어서, 제 1 희생층(490)의 드레인 패드(442)의 상부에 형성되어 부분을 식각하여 액츄에이터(510)의 지지부가 형성될 부분(495)을 만든다.
계속하여, 도 3c에 도시된 바와 같이, 상기 제 1 희생층(490)의 상부에 질화물로 만들어진 멤브레인(520), 백금(Pt) 또는 백금/탄탈륨(Pt/Ta) 같은 전기 도전성이 우수한 재료로 만들어진 하부전극(530), PZT 또는 PLZT 같은 압전재료로 만들어진 변형층(540), 하부전극(530)과 동일한 재료로 만들어진 상부전극(550), 하부전극(530)과 드레인 패드(442)을 전기적으로 연결하는 비어 컨택(565)등이 형성된 액츄에이터(510)을 형성한다.
여기에서, 상기 액츄에이터(510)의 제조과정을 살펴보면, 먼저 상기 질화물로 이루어진 멤브레인(520)을 저압화학기상증착(LPCVD) 방법을 이용하여 0.1∼1.0㎛의 두께로 형성한다.
다음으로, 상기 멤브레인(520)의 상부에 전기 도전성이 우수한 금속으로 이루어진 하부전극(530)을 스퍼터링 방법을 이용하여 0.1∼1.0㎛의 두께로 형성한다.
그 다음, 상기 하부전극(530)의 상부에 PZT 또는 PLZT 같은 압저재료로 만들어진 변형층(540)을 스퍼터링 또는 화학기상증착(CVD) 방법을 이용하여 0.1∼1.0㎛의 두께로 형성한다. 이어서, 변형층(540)은 급속열처리(RAT)방법을 이용하여 상변이 시킨다.
계속해서, 상기 변형층(540)의 상부에 하부전극(530)과 동일한 전기 도전성이 우수한 물질로 이루어진 상부전극(550)을 스퍼터링 방법을 이용하여 형성한다.
이후, 상기 상부전극(550), 변형층(540), 하부전극(530), 멤브레인(520)이 셀단위의 각각의 액츄에이터로 나뉘어지도록 포토레지스트를 이용하여 각각의 층들을 바람직한 형상으로 패턴한다. 그리고, 드레인 패드(442)가 형성된 부분으로부터 상부전극(550), 변형층(540), 하부전극(530), 멤브레인(520), 식각방지층(480), 상부보호층(470) 그리고 하부보호층(450)을 차례로 식각하여 비아홀(via hole:560)을 형성한 후, 상기 비아홀(560)의 내부에 텅스텐(W), 백금(Pt), 알루미늄(Al) 또는 티탄늄(Ti) 같은 금속을 스퍼터링 방법을 이용하여 상기 하부전극(530)과 드레인패드(442)가 전기적으로 연결되도록 비어 컨택(565)를 형성한다.
다음으로, 도 3d에 도시된 바와 같이, 상기 액츄에이터(510)의 상부에 다결정 실리콘(poly-Si)로 이루어진 제 2 희생층(590)을 대기압 화학기상증착법(LPCVD)법을 이용하여 증착한다. 그리고 나서, 상기 제 2 희생층(590)은 차후에 형성되는 미러(610)의 지지부분(592)이 형성될 수 있도록 상기 상부전극(550)가 노출될 때까지 식각한 다음, 차후에 미러패턴이 형성되는 부분(594)을 부분적으로 식각하여 단차를 가지도록 형성한다. 여기에서, 앞에서 기술한 두차례의 식각공정 순서를 바꾸어 미러패턴이 형성되는 부분(594)을 먼저 식각한 다음, 미러(610)의 지지부분(592)이 형성될 부분을 식각하는 것도 가능하다.
다음으로, 도 3e에 도시된 바와 같이, 지지부분(592)과 미러패턴이 형성되는 부분(594)를 포함한 제 2 희생층(580)의 상부에 알루미늄(Al) 같은 빛반사성재료를 스퍼터링 방법을 이용하여 증착한 후, 각각의 액츄에이터(510)에 일대일 대응하도록 미러(610)의 경계부분을 식각하는 미러패턴을 통하여 각각의 미러(610)를 형성한다. 여기에서 미러패턴에 의해 형성된 미러(610)는 외주변이 하방으로 연장되어 있는 돌출부(620)가 포함한다.
마지막으로, 도 3f에 도시된 바와 같이, 미터패턴이 이루어진 각각의 미러(610)의 틈사이로 제 2 희생층(580)과 제 1 희생층(490)을 XeF2를 이용하여 제거하여 AMA 소자를 완성한다.
상술한 바와 같이 본 발명에 따른 박막형 광로조절장치 및 그 제조방법은 제 2 희생층(590)에 지지부분(592)을 형성하기 위하여 제 2 희생층(590)을 식각하고 미러경계(594)을 부분적으로 식각하여 단차를 가지도록 형성한 다음, 그 상부에 미러(610)을 형성함으로서 외주변이 하방으로 연장되어 있는 돌출부(620)가 포함된 미러(610)를 형성함으로서 제 1 희생층(490)과 제 2 희생층(590)을 제거하는 동안 발생하는 잔류응력으로 인하여 미러(610)가 휘어버리는 현상을 방지할 수 있다.
상술한 바와 같이, 본 발명을 도면을 참조하여 설명하였지만 해당 기술 분야의 숙련된 당업자라면 하기의 특허 청구 범위에 기재된 본 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있음을 이해할 수 있을 것이다.

Claims (4)

  1. 절연기판, MOS 트랜지스터 및 드레인패드등이 형성되어 있는 구동기판과; 구동기판의 상부에 일단부가 지지되어 있고 타단부는 일정간격으로 이격되어 있으면서 멤브레인, 하부전극, 변형층, 상부전극 및 비어 컨택이 형성되어 있는 액츄에이터와;액츄에이터의 타단부에 지지되어 있으면서 외주변으로부터 하방으로 연장되어 있는 돌출부가 형성된 미러를 포함하는 2층 구조의 박막형 광로조절장치.
  2. 절연기판, MOS 트랜지스터 및 드레인패드등이 형성되어 있는 구동기판을 준비하는 단계와;
    상기 구동기판의 상부에 지지부가 형성된 제 1 희생층을 형성하는 단계와;
    상기 제 1 희생층과 지지부의 상부에 멤브레인, 하부전극, 변형층, 상부전극, 비어 컨택등이 형성된 액츄에이터를 형성하는 단계와;
    상기 액츄에이터의 상부에 상기 상부전극이 노출되도록 식각하여 형성된 미러의 지지부분과 미러경계부분이 부분적으로 식각되어 단차를 가지도록 형성된 제 2 희생층을 형성하는 단계와;
    상기 제 2 희생층의 상부에 빛반사성재료를 증착하고 미러경계부분을 식각하는 미러패턴을 통해 각각의 액츄에이터에 일대일대응하도록 미러를 형성하는 단계와;
    제 2 희생층과 제 1 희생층을 제거하는 단계를 포함하는 2층 구조의 박막형 광로조절장치의 제조방법.
  3. 상기 제 2 항에 있어서, 상기 제 2 희생층의 형성공정은 상기 액츄에이터의 상부에 제 2 희생층을 증착한 다음, 미러의 지지부분이 형성될 수 있도록 상기 상부전극이 노출될 때까지 식각하고, 마지막으로 미러의 경계부분을 부분적으로 식각하여 단차를 가지도록 형성하는 공정등으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 2층 구조의 박막형 광로조절장치의 제조방법.
  4. 상기 제 2 항에 있어서, 상기 제 2 희생층의 형성공정은 상기 액츄에이터의 상부에 제 2 희생층을 증착한 다음, 미러의 경계부분을 부분적으로 식각하여 단차를 가지도록 형성하고, 마지막으로 미러의 지지부분이 형성될 수 있도록 상기 상부전극이 노출될 때까지 식각하는 공정등으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 2층 구조의 박막형 광로조절장치의 제조방법.
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