JPH10503872A - 部分反射性薄膜層を有する２層光学媒体 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 予め記録した２層光学ディスク（１２）は、透明基材（１４）、部分反射層（１６）、透明スペーサー層（１８）、および高反射層（２０）を包含する。１つのデーター窪みパターン（１５）を、基材上に部分反射層と隣接して提供し、もう一つのデータ窪みパターン（１９）を、スペーサー層上に高反射層と隣接して提供する。部分反射層は、炭化ケイ素から作製してよい。基材入射ビームを使用して、レーザー（３０）の焦点を合わせる層に依って、データ窪みパターン中にコード化したデータを読み取ることができる。２層ディスクは、通常の単層ディスクの２倍のディスク記憶容量を有する。

Description

【発明の詳細な説明】 部分反射性薄膜層を有する２層光学媒体発明の分野 本発明は、一般に、光学媒体の分野、特に２つまたはそれ以上の情報記憶層を 有する光学媒体の分野に関する。発明の背景 記憶容量および性能を高めた媒体は、データ記憶分野において明らかに尽きる ことのない需要がある。予め記録した光学ディスク（例えば、コンパクトディス ク及びビデオディスク）の分野において、高い記憶容量は、通常、ディスクの単 位領域当たりの記憶密度を高めることによって達成される。しかしながら、光学 記録装置で達成できる最大データ記憶密度は、光学装置が解像できる最小フィー チャー(feature)で制限される。常套の遠視野（far-field）画像形成装置では、 最小の解像可能なフィーチャーサイズは、ほぼ与える光源（通常、固相半導体レ ーザー）の波長に対する回折効果によって制限される。従って、ディスクの記憶 容量を高める一つの方法は、半導体レーザーの波長を小さくすることである。し かしながら、半導体レーザーから得られる波長は着実に低下するが、その劇的な 低下は、固相技術や材料の限界のために、これまでにはなかった。 光学記録装置の記憶容量を高めるための多数の他の方法が提唱されている。こ れは、例えば、（１）より高度で有効なデータコード化機構（例えば、パルス幅 変調）；（２）光学的および／または磁気的な超高解像；（３）一定角速度での 領域化記録；（４）改良データチャンネル検出法（例えば、部分応答／最大見込 み検出）；および（５）ディスクの溝とランド領域の両者への記録が挙げられる 。 記憶容量を高める前記の方法はいずれも、ディスクの単位領域当たりの記憶密 度を高めることに依存するが、光学ディスクの容量を高める別の方法は、独立し て記録または再生され得るディスク上に別の記憶層を設けることである。すなわ ち、この場合の解決策は、ディスクのアドレス可能領域を増やすことである。こ の解決策は、媒体および記録装置複雑さが適度に増加するばあいにのみ、媒体記 憶容量を実質上増加させる可能性があることから、興味深い。 多層（例えば、２層の）記憶層を、ディスクの一方の面に設けられた光学ビー ムによって再生しようとするならば、ディスクの記憶層の一方は、光学ビームに よって再生できるほど十分に反射性でなければならないが、前記のビームが第１ 記憶層を透過して第２記憶層に伝わるほど十分に透明でもなければならない。し かしながら、そのようなディスクは、特に、一つのレーザーを用いただけでは、 構成するのが困難であることが分かっている。発明の要旨 したがって、本発明は、ディスク内の２つの異なる平面のいずれかの上で、一 つの再生用光学ビームの焦点合わせができる、部分反射層と透明スペーサー層を 有する光学ディスクを提供する。ディスクは、一つの面内に窪みパターンを有す る透明基材を包含する。窪みパターンに隣接する部分反射層は、５００〜８５０ ｎｍの範囲の波長で測定すると、実部（ｎ：２．６〜３．２の間）および虚部（ Ｋ：０．４未満）を有する屈折率をもつ。透明ポリマースペーサー層は、部分反 射層上に提供され、高反射層は、スペーサー層の上に提供される。 本発明の一態様において、基材は、ポリカーボネートを含んで成り、スペーサ ー層は、感光性ポリマーを含んで成る。第２の窪みパターンは、高反射層に隣接 したスペーサー層の面に提供され得る。部分反射層の内部表面反射率は、±１０ ％の部分反射層の厚さ変動に対して±０．０３未満で変化する。スペサー層の厚 さは、約５〜１００μｍである。 本発明の別の態様において、部分反射層は、炭化ケイ素を包含する。部分反射 層中の炭素とケイ素のある好ましい比は、１：１．３である。別の態様では、部 分反射層は、酸素約５〜１５原子％を含有する炭化ケイ素を含む。部分反射層の 厚さは、好ましくは３０〜８０ｎｍである。 本発明は、上記の媒体を含む光学記憶装置も包含する。更に装置は、基材を通 して媒体に入射するように配置された指向式レーザービーム、レーザービームの 焦点位置を部分反射層または高反射層のいずれかの上で調節する手段、および媒 体から反射したレーザービームを検知するために配置された光検出器を包含する 。 ここで、「炭化ケイ素」または「ＳｉＣ」とは、Ｘ線光電子分光法で測定した 場合に、組成がケイ素３０〜５０原子％、炭素３５〜６０原子％、および酸素０ 〜２０原子％の範囲で、かつＳｉＣ_0.9〜ＳｉＣ_1.4の範囲のケイ素−炭素化学量 論量を有する組成範囲のケイ素と炭素の混合物を意味する。図面の簡単な説明 図１は、本発明の光学データ記憶装置を示す。 図２は、様々な材料についての、厚さの関数としての６５０ｎｍでの内部界面 反射率のコンピューターで作成したグラフである。 図３は、本発明の炭化ケイ素についての、厚さの関数としての６５０ｎｍでの 内部界面反射率のコンピューターで作成したグラフである。 図４は、本発明の炭化ケイ素についての、厚さの関数としての７８０ｎｍでの 見掛け反射率のコンピューターで作成したグラフである。 図５は、本発明の様々な材料についての、波長の関数としての屈折率の実部（ ｎ）のグラフである。 図６は、本発明の様々な材料についての、波長の関数としての屈折率の架空の （Ｋ）の成分のグラフである。 図７Ａ〜７Ｃは、実施例１で構築した光学記録媒体の様々な層の光学顕微鏡写 真を示す。詳細な説明 本発明の光学記憶装置１０を図１に示す。光学記憶媒体１２は、透明基材１４ 、第１データ窪みパターン１５上の部分反射性薄膜層１６、透明スペーサー層１ ８、および第２窪みパターン１９上の高反射性薄膜層２０から構成されている。 光学レーザー３０は、図１に示されるように、媒体１２に向かって光学ビームを 放射する。薄膜層１６または２０のいずれかで反射される光学ビームからの光は 、薄膜層上の特定のスポットにおける窪みの存在または不存在に基づく光強度の 変調を検知する検出器３２で検知される。 パターン１５および１９は、「データ窪みパターン」と呼ばれるが、窪みパタ ーン１５および１９は、情報（データ、サーボまたはトラッキング情報、フォー マット情報等）を記憶し得る窪みまたは溝のパターンであってよい。 第１または第２窪みパターン１５または１９のいずれかを独立して読み取る能 力は、典型的な光学ディスク読み取り装置の比較的限定された焦点深さ特性に基 づく。中間記憶層上に回折限界のレーザー放射線スポットを形成する典型的な光 学レコーダー／プレイヤーに用いられるレンズは、解像度を高めかつ記憶密度を 増やすために、適度に大きな開口数（０．４〜０．６）を有している。そのよう なレンズは、約２μｍの焦点深さ（すなわち、焦点寸法が、限定された回折をほ ぼ残している焦点変動の範囲）を示しており、大きな焦点変動では、照射された スポットの寸法が、急激に成長する。その結果、部分反射薄膜層１６が十分な透 過率を示し、また２つのデータ窪みパターン１５および１９の分離している距離 が光学装置の焦点深さに比べて大きければ、他のデータ窪みパターンからの容認 できる低い「混線」を含むデータ窪みパターン上で、レーザー３０の焦点を合わ せることができる。すなわち、レーザー３０からの光は、層１６および２０の両 方で検出器方向に逆反射されるが、レーザーの焦点が合った層のみが、反射され た光の強度を強く変調し、それによってデータ読み出しが可能となるであろう。 媒体１０上のデータ窪みパターン１５および１９は、最初、反射層１６または ２０の一方の上で焦点を合わせた後、焦点位置を変えて別の反射層上に焦点合わ せをする前に、反射層全体にデータを再生することによって、最も容易に再生さ れ得る。あるいは、データ窪みパターン１５および１９の一方に含まれたデータ を完全に再生する前に、焦点位置を１回またはそれ以上変えるのが望ましいこと がある。いずれの場合も、透明層１８で分離した２つのデータ窪みパターンの使 用は、有効には、光学記録媒体１０のデータ記憶容量を２倍にする。 透明基材１４は、十分な忠実度を有するデータ窪みパターン１５の成形を支援 する光学ディスク基材に適したポリマー材料（例えば、ポリカーボネートまたは 非晶質ポリオレフィン）であってよい。あるいは、例えば、ガラスまたはポリメ チルメタクリレートのような平坦な基材を使用して、データ窪みパターン１９の 形成についての記載と同様にして、感光性ポリマー複製によりデータ窪みパター ン１５を形成することができる。 透明スペーサー層１８は、実部；ｎ（約１．４５〜１．６の範囲）と虚部；Ｋ （１０^-4未満、特に１０^-5未満）を含む複素屈折率を有するポリマー（例えば、 光硬化性ポリマー）であってよい。透明スペーサー層１８は、最小限の混線を有 するデータ窪みパターン１５および１９のいずれかの上にレーザー３０を焦点合 わせし得るのに十分な厚さでなければならない。これは、好ましくは約５〜１０ ０μｍ、特に約３０〜５０μｍの範囲内の厚さになる。 高反射層２０は、データを再生するのに使用されるレーザー波長において、高 反射率を示す金属層であってよい。現在入手できる半導体レーザー光源は、約６ ００〜８５０ｎｍの範囲の波長で発光する。アルミニウム、金、銀、銅、および それらのアロイは、この波長範囲で適した高反射率を示し得る。高反射層２０は 、好ましくは少なくとも７０％、特に少なくとも８０％の反射を有する。 光学データ記憶装置１０の複雑さとコストを最小限にするためには、データ窪 みパターン１５および１９のそれぞれからの平均読み取り信号水準がほぼ等しい ことが望ましい。すなわち、検出器３２から分かる、層１６および２０からの見 掛け反射率も、ほぼ等しくなければならない。 ここで、「見掛け反射率」は、透明基材へ入射する１４光学出力の割合をいい 、層１６または２０の平坦な領域上のスポットに焦点合わせするときに、通常、 光学読み出し装置内の光検出器で検知できる。読み出し装置は、レーザー、適す るように設計された光路、および光検出器を含んで成るものと考えられる。さら に、透明基材１４に最も近接した光路内の光学要素は、高い開口数（＞０．４） の対物レンズであると考えられる。ここで、「内部表面反射率」または「内部界 面反射率」は、媒体構造内の界面（例えば、透明基材１４と部分反射層１６の間 の界面、またはスペーサー層１８と高反射層２０の間の界面）において、入射し た光学出力の反射された割合をいう。 部分反射層１６からの必要な反射率を推定するために、スペーサー層１８と高 反射層２０の間の内部界面で入射光の約８０〜８５％を反射する高反射層２０は 、アルミニウムから成るものとする。さらに、スペーサー層１８の屈折率の実部 ；ｎは、１．５であり、基材１４は、屈折率の実部；ｎは１．５７のポリカーボ ネー トであり、および空気−基材界面での反射率は、読み出し信号に寄与しないもの とする。さらに、部分反射層１６が、吸収を示さない理想的な材料であるとすれ ば、基材１４と部分反射層の間の内部界面で観察されるような反射率：約０．３ ５は、層１６と２０からの見掛け反射率に平衡を与えることが分かる。吸収を示 さない部分反射層１６は理想的であるが、実際の部分反射層の材料は、いくらか の吸収を示すと思われる。光の２５％（反射せずかつ容認できる吸収の上限とし ては定義しない）を吸収する仮想上の部分反射層を選択すれのであれば、内部表 面反射率約０．２５は、層１６および２０の反射率を平衡させるのに必要である ことが分かる。この場合、両者の層からの見掛け反射率は、吸収を示さない部分 反射層の場合よりも約３０％少ない。したがって、前記の例は、基材１４と層１ ６の間の界面での内部表面反射率の範囲：約０．２５〜０．３５を定義する。基 材−空気界面での反射による減衰を考慮すると、上記の範囲は、光学読み出し装 置に観られる見掛け反射率：約０．２４〜０．３３に対応する。 部分反射層１６用として挙げられる材料としては、金属、半導体、および誘電 体が上げられる。しかしながら、金属は、一般に、強く吸収し、また過度の信号 減衰を引き起こすことが予想され得る。さらに、金属フィルムの反射率は、典型 的に、フィルム厚さに非常に強く依存する。図２は、厚さ１．２ｍｍのポリカー ボネート基材と、ｎ＝１．５、Ｋ＝０の材料のスラブの間に挟まれた金（Ａｕ） 、アルミニウム（Ａｌ）およびケイ素（Ｓｉ）フィルムの計算上の膜厚の関数と しての波長６５０ｎｍの入射光についての内部表面反射率を示す、光学モデルに 基づくコンピューターで作成したグラフであって、透明スペーサー層１８の効果 に近い。 図２の評価は、非常に困難な製造中に膜厚および均一性を制御するＡｌまたは Ａｕ部分反射層の反射率が、厚さにつれて非常に急速に変化することを表してい る。半導体Ｓｉの非晶質層は、所望の反射率範囲０．２４〜０．３３において、 Ａｕの層と同様の特性を示す（すなわち、膜厚の小さな変化が、反射率の実質上 の変化をもたらす。）。さらに、所望の範囲（０．２４〜０．３３）の反射率を 有するフィルムは、Ａｌではほんの約４μｍであり、ＡｕおよびＳｉでは約１５ 〜２ ０μｍである。そのように比較的薄いフィルムは、乏しい環境安定性を示す。 図２に示した特性と対照して、非晶質炭化ケイ素から成る部分反射フィルムは 、大変望ましい反射率−厚さ特性を示すことが分かった。光学モデルに基づいて コンピューターで作成したグラフである図３に示すように、６５０ｎｍでの内部 表面反射率は、非晶質炭化ケイ素膜厚：約３５〜６５ｎｍでは所望の範囲内約０ ．２４〜０．３３にある。この範囲における厚さの小さな変化は、図２に示され た材料について観られる変化よりも非常に少ない明白な効果を有する。その結果 として、炭化ケイ素部分反射層を含んで成る２層ディスクの製造は、図２に示し たような特徴を有する部分反射層を含んで成る２層ディスクの製造に比べて、大 いに改良されている。 図３に示すグラフを作成するのに用いた複素屈折率は、Ｘ線光電子分光法での 測定により、ケイ素約４２原子％、炭素５３原子％および酸素５原子％を有する 非晶質炭化ケイ素フィルムについて決定された。図３に示す非常に望ましい特性 は、非晶質炭化ケイ素の複素屈折率特性から得られる。比較的低いＫ値（６５０ ｎｍで〜０．１９）は、第２データ窪みパターン２０からの容認できる低い信号 の減衰をもたらし、また比較的大きなｎ値（６５ｎｍで〜３．０７）と組み合わ せると、図１の媒体構造における所望の範囲内にある厚さの関数として、反射率 の最初の最大値を与える。反射の変化と最大値の面いずれかについての厚さとの 小さな比は、部分反射層１６の厚さの変化に対する非常に望ましい反射不官能性 を与える。 前記の如く、反射が厚さ変動につれて徐々に変化する部分反射層を有すること に加えて、層１６および２０からの見掛け反射率がほぼ等しいことも望ましく、 両者の特徴は、部分反射層の厚さと同じ範囲に亙って生じることが最も望ましい 。別に述べると、層１６および２０からの見掛け反射率が、実質上等しく、かつ 層１６の厚さ変動に不官能である媒体構造を有することが最も望ましい。この状 態は、図４に示す光学モデルに基づいてコンピューターで作成したグラフに模式 的に示される。図４からは、層１６および２０からの見掛け反射率は、約５０〜 約８０ｎｍの範囲の部分反射層厚さにおいて互いに約±０．０３未満の差（すな わ ち、通常の値（６５ｎｍ）から±２０％以上の厚さ変動）があることが分かる。 層１６および２０の両方における見掛け反射率の絶対値は、部分反射層の複素屈 折率の実部および虚部の両者に依存し、および図４に示された特性は、複素屈折 率値の狭い範囲においてのみ生じることが分かる。 高反射層の反射と、基材１４および感光性ポリマー層１８の光学特性に関する 前記の仮説を用いると、ＳｉＣ部分反射層（図３で使用したフィルムと組成が同 じもの）は、波長７８０ｎｍ（すなわち、現在入手できるコンパクトディスクプ レイヤーで使用されている波長）で使用すると、図４に図示された特性と実質上 同一の特性を示すことが分かる。したがって、非晶質炭化ケイ素は、この波長で 使用するための理想的な材料に近い。しかしながら、Ｋ値は、波長の関数として 変化する。しかしながら、酸素５原子％未満を含有する非晶質炭化ケイ素の波長 ６００〜６５０ｎｍ範囲内での使用は、Ｋ値は、７８０ｎｍで約０．１２から６ ００ｎｍで約０.２４まで増加することから、あまり理想的ではない。 約２倍のＫ値は、部分反射層１６を通過するより小さな光透過率をもたらし、 高反射層２０からの見掛け反射率を低下させる。その結果、層１６および２０か らの見掛け反射率は、部分反射層の厚さの所望の範囲において実質上等しくない 。そこで、Ｋを低減するためにＳｉＣの物理特性を変更するのが望ましいことが ある。このことは、二酸化ケイ素のようなドーパントの使用により達成され得る 。 ３つの異なる非晶質炭化ケイ素組成物についての複素屈折率の実部のおよび虚 部を、波長の関数として図５および６に示す。この３つの試験種は、炭化ケイ素 ターゲットと二酸化ケイ素ターゲットから同時にスパッタリングし、出力水準を 変え、３つの異なる非晶質炭化ケイ素組成物とすることにより調製した。第１の 組成物は、ケイ素約４２原子％、炭素５３原子％および酸素５原子％を含有して いた。第２および第３の非晶質炭化ケイ素組成物はそれぞれ、酸素約８〜１２原 子％を含んでいた。図５および６に示すように、これらの材料の複素屈折率は、 波長につれて変化する。 図５および６は、非晶質ＳｉＣへの酸素の添加が、得られた混合物のｎとＫの 両者を低下させることを示している。ｎの低下が、基材１４と層１６の間の内部 界面からの最大反射率の大きさを低減すると同時に、Ｋの低下自体が、層１６か らの光の増加した透過率として現れるため、ＳｉＣへの酸素の比較的小さな添加 は、得られた混合物の光学特性を、図４に模式的に示された非常に望ましい特性 が媒体の作動が５００〜８５０ｎｍの波長範囲内で望まれる実質上いずれの波長 でも得られるように変えるために使用されるように思われる。 当業者は、本発明の媒体１２が、予め記録された媒体に限定されないことが分 かるであろう。例えば、第２データ窪みパターン１９は、トラッキング情報をド ライブに提供する溝のあるまたは窪んだパターンと置き換えることができる。高 い反射性の記録可能な材料を、高反射性薄膜層２０に使用すれば、媒体１２は、 予め記録された情報を、第１データ窪みパターン１５内に含有することができ、 同時にユーザーが層２０内にデータを記録することもできる。すなわち、この場 合、媒体１２は、予め記録されたデータの１つの層と、ユーザーが記録できる情 報の１つの層を有する。 本発明を、以下の非限定的な実施例によってさらに説明する（測定はすべてお よそのものである。）。 実施例１ 図１に示されるような媒体１０を以下のようにして構築した。通常、データ窪 みパターン１５を有する１．２ｍｍ厚のポリカーボネート基材１４を射出成型し た。基材１４を真空下に少なくとも８時間置いて、吸収した水を除去した。非晶 質炭化ケイ素を、部分反射層１６に用いた。炭化ケイ素を、基材１４のデータ窪 みパターン１５上に、内径（ＩＤ）および外径（ＯＤ）マスクを用いて、炭化ケ イ素ターゲットからスパッタ蒸着した。 次に、ディスクをスピンコーターに置いた。ディスクを約５０回転／分（ｒｐ ｍ）で回転させながら、呼称粘度１３５０ｃｐｓのＵＶ硬化性感光性ポリマー約 １ｍＬをシリンジで、ディスクＩＤの付近に「ドーナツ」形状に分散させること により、透明スペーサー層１８を堆積させた。その後、ディスクの回転速度を、 素早く（すなわち、１秒未満で）、少なくとも１０秒間３０００ｒｐｍまで上げ た。 次に、ディスクを、バキュームワンドでスピンコーターから取り外し、反復定 盤上に配置させた。ディスクを不活性雰囲気（窒素）で覆って、中圧水銀アーク 灯からの紫外線（ＵＶ）放射線を用いて硬化した。 上記と同様の方法で、第２感光性ポリマー層を前記の層の上に蒸着および硬化 し、基材に成形したデータ窪みパターンとその後蒸着する感光性ポリマー層の間 に、呼称感光性ポリマースペーサー層１８（３４〜３７μｍ）を作製した後、感 光性ポリマー層中に第２データ窪みパターンを複製した。 ＵＶ硬化工程を行わないこと以外は上記と同様にして、第３感光性ポリマー層 を先ず蒸着して、第２データ窪みパターン１９を形成した。第２データ窪みパタ ーンの陰画を含むスタンパーを、未硬化の感光性ポリマーに近づけた。次に、第 ３ポリマーをＵＶ硬化して、スタンパーを注意して取り外した。その後、ディス クをポストＵＶ硬化に付した。 次いで、ディスクを真空下に少なくとも８時間置いて、吸収した水と他の真空 汚染物を除去した。ＩＤマスクを用いて、アルミニウム約９７原子％を含む高反 射層２０を、厚さ約１００ｎｍに真空蒸着した。 次に、高反射層２０上に保護用の光硬化性シールコートを蒸着して、上記と同 様にしてＵＶ硬化した。最終工程として、ディスクの外周を研磨剤で研磨して、 スピンコーターおよび複製プロセスからの過剰な感光性ポリマーを除去すること により、ディスクを仕上げた。ディスクを中央の穴のチャックに保持させて、約 ５００〜１０００ｒｐｍで回転させて、ファーム表面に接触させたサンドペーパ ーに縁を優しく当てて、研磨剤仕上げ工程を達成した。 実施例２ その後、上記の方法で作製したディスクを、ニコンＵＭ−２型測定用顕微鏡に 置いた。図７Ａおよび７Ｂには、２つの反射層の光学顕微鏡写真を示す。図７Ａ は、部分反射層１６についてのデータ窪みパターン１５を示す。図７Ｂは、高反 射層２０についてのデータ窪みパターン１９を示す。顕微鏡からの光が部分反射 層１６を介して通過して高反射層２０に達しなければならなくても（また、その 後、層２０から反射すると、層１６を介して逆反射しればならなくても）、高反 射層２０上で顕微鏡の焦点を未だ合わすことができることに注意する。図７Ａお よび７Ｂに示した光学顕微鏡写真は、ランドと窪み領域の間で優れたコントラス トを示しており、層上に焦点合わせしたレーザーから十分なリードバック（read back）信号が得られるものと予想される。図７Ｃは、顕微鏡を反射層１６およ び２０の間の中間点で焦点合わせした時に撮った光学顕微鏡写真である。光学顕 微鏡写真は、ドライブが、２つのデータ窪みパターンの上で焦点合わせできかつ その間の区別ができることを示している。

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １．一つの主要表面内に窪みパターン（１５）を有する透明基材（１４）； ５００〜８５０ｎｍの範囲内のあらゆる波長で測定すると、実部（ｎ：２．６＜ ｎ＜３．２）および虚部（Ｋ：０．４未満）を有する屈折率をもつ窪みパターン に隣接する部分反射層（１６）； 厚さ約５〜１００μｍの範囲内の透明ポリマースペーサー層（１８）；および 高反射層（２０） を順に含んで成る光学記憶媒体（１２）。 ２．一つの主要表面内に第１データ窪みパターン（１５）を有する透明基材（ １４）； 波長６５０ｎｍで測定すると、実部（ｎ：２．６＜ｎ＜３．２）および虚部（Ｋ ：０．４未満）を有する屈折率をもつ第１データ窪みパターンに隣接する部分反 射層（１６）； 部分反射層と反対側の面内にある一つの主要表面内の第２データ窪みパターン（ １９）を有する、厚さ約５〜１００μｍの範囲内の透明スペーサー層（１８）； および 第２データ窪みパターンに隣接して提供される高反射層（２０） を順に含んで成る光学記憶ディスク（１２）。 ３．一つの主要表面内に窪みパターン（１５）を有する透明基材（１４）； 窪みパターンに隣接する、炭化ケイ素を含んで成る部分反射層（１６）； 透明ポリマースペーサー層（１８）；および 高反射層（２０） を順に含んで成る光学記憶媒体（１２）。 ４．部分反射層が、±１０％の部分反射層の厚さ変動に対して±０．０３未満 で変化する内部表面反射率を有する請求項１、２または３のいずれかに記載の媒 体。 ５．部分反射層が炭化ケイ素を含んで成る請求項１または２のいずれかに記載 の媒体。 ６．炭化ケイ素が酸素約５〜１５原子％を含んで成る請求項３または５のいず れかに記載の媒体。 ７．部分反射層の厚さが３０〜８０ｎｍである請求項１、２または３のいずれ かに記載の媒体。 ８．部分反射層中のケイ素と炭素の比が約１：１．３である請求項３または５ のいずれかに記載の媒体。 ９．一方の主要表面内に窪みパターン（１５）を有する透明基材（１４）； 炭化ケイ素を含んで成る部分反射層（１６）； 透明ポリマースペーサー層（１８）；および 高反射層（２０） を順に含んで成る光学記憶媒体（１２）、 基材を通して媒体に入射するように配置された指向式レーザービーム（３０）； 指向式レーザービームの焦点を調節手段であって、それによって部分反射層また は高反射層のいずれかに焦点合わせができる手段；および 媒体から反射されたレーザービームを検知するように配置された光検出器（３２ ）から構成される光学記憶装置（１０）。 １０．一方の主要表面内に第１データ窪みパターン（１５）を有する透明基材 （１４）； 波長６５０ｎｍで測定すると、実部（ｎ：２．６＜ｎ＜３．２）および虚部（Ｋ ：０．４未満）を有する屈折率をもつ第１データ窪みパターンに隣接する部分反 射層（１６）； 部分反射層と反対側の面内にある一つの主要表面内に第２データ窪みパターン（ １９）を有する透明スペーサー層（１８）；および 第２データ窪みパターンに隣接して提供される高反射層（２０） を順に含んで成る予め記録された光学ディスク（１２）； 基材を通してディスクに入射するように配置された指向式レーザービーム（３０ ）； 指向式レーザービームの焦点を調節手段であって、それによって部分反射層また は高反射層のいずれかに焦点合わせができる手段；および ディスクから反射されたレーザービームを検知するように配置された光検出器（ ３２） から構成される予め記録された光学ディスク記憶装置（１０）。