JPH10339349A - 液封ブッシュ - Google Patents

液封ブッシュ

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JPH10339349A
JPH10339349A JP10134157A JP13415798A JPH10339349A JP H10339349 A JPH10339349 A JP H10339349A JP 10134157 A JP10134157 A JP 10134157A JP 13415798 A JP13415798 A JP 13415798A JP H10339349 A JPH10339349 A JP H10339349A
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peak
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和俊 佐鳥
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徹 坂本
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Yamashita Rubber Co Ltd
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Abstract

(57)【要約】 【課題】液封ブッシュの中高周波領域でで低動バネを実
現する。 【解決手段】外筒1、内筒2及び弾性部材3で液封ブッ
シュを構成し、弾性部材3の中間部に凹部4、5を形成
して液室とする。凹部4、5間の弾性部材3を仕切り部
材6とし、かつ仕切り部材6に肉抜き穴7を設けて薄肉
部6aを形成し、かつ仕切り部材6の外縁部を外筒1の
内側に対して密着非結合にする。凹部5内には内筒2に
支持された中高周波デバイス14を設ける。仕切り部材
6の薄肉部7による膜共振のピークと、中高周波デバイ
ス14の液柱共振による極小値を重ねることにより、中
高周波領域を低動バネにする。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】この発明は、自動車のエンジ
ンマウント用等に用いられる液封ブッシュに関する。
【0002】
【従来の技術】このような液封ブッシュは公知であり、
一般的に円筒型の外筒と、この内側へ配設される芯部材
と、これらの外筒と芯部材の間に介装された弾性部材と
を備え、弾性部材の中間部外周側に複数の凹部を形成し
て液室にするとともに、一つの液室内に突出しかつ芯部
材側に支持された傘状部材からなる中高周波デバイスを
設けたものがある。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】上記構造によれば、仕
切り部材の肉厚が厚いこと(内外筒の軸方向両端に形成
される円形壁部の最小肉厚と同程度)と、その外縁部が
外筒へ直接又は間接に焼き付けられて固着されているた
め、図6の特性曲線に示すように、動バネ特性の極小
値Bとその反動による大きなピークCを有する。
【0004】この極小値BとピークCが生じる理由を図
7にて説明する。図7のA図は仕切り部材が周囲の前記
円形壁部等に対して薄肉になっているため内部の液体流
動に対して弾性膜として挙動することによる膜共振の周
波数に対する変化を示す図であり、横軸に周波数、縦軸
に動バネ定数をとってある。
【0005】このうち特性曲線が従来例であり、仕切
壁が厚肉でかつ外筒側を固定されているため、全体とし
て比較的高動バネであり、かつ中周波領域と高周波領域
の境界部付近で膜共振により急激に変化するピークp1
と極小値b1を有する。
【0006】B図は中高周波デバイスによる液柱共振の
周波数に対する変化を示し、同じく横軸に周波数、縦軸
に動バネ定数をとってある。この図における特性曲線
上記従来例のものであって高周波領域に近い中周波領
域に液柱共振による極小値b2を有し、この極小値b2
と前記ピークp1の周波数はほぼ同じくなるように設定
されている。
【0007】そこで、特性曲線とを重ね合わせる
と、C図の特性曲線となり、膜共振によるピークp1
を液柱共振の極小値b2で打ち消すことにより極小値B
が生じる。
【0008】このように、中高周波デバイスを用いるこ
とにより動バネ定数の極小値を発生しても、B図に見ら
れるように中高周波デバイスによる共振の反動により生
じるピークp2は特性曲線においてもピークCとして
残り、これ以降が著しく高動バネとなるので、中高周波
領域特性全体に及ぶ広範囲の周波数域において動バネ特
性の低動バネ化を実現できない。
【0009】一方、近年はこの種の液封ブッシュに対し
て、中周波領域(40〜500Hz)のうち特に100
Hz以上の領域及び高周波領域(500〜1000H
z)の広範囲で低動バネを実現することが望まれてい
る。
【0010】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
本願の液封ブッシュに係る第1の発明は、円筒型の外筒
と、この内側へ配設される芯部材と、これらの外筒と芯
部材の間に介装された弾性部材とを備え、弾性部材の中
間部外周側に複数の凹部を形成して液室とし、これら液
室間に弾性部材の一部で形成された仕切り部材を設け、
液室相互をオリフィス通路にて連通するとともに、少な
くとも一つの液室内へ突出しかつ芯部材側に支持された
傘状部材からなる中高周波デバイスを設けた液封ブッシ
ュにおいて、仕切り部材の一部に、中周波領域の振動入
力に対して膜共振により動バネ特性にピークを与える薄
肉部を形成するとともに、仕切り部材の外縁部を外筒に
対して密着非結合にしたことを特徴とする。
【0011】第2の発明は、第1の発明において、前記
膜共振により中周波側と高周波側に2つの動バネ特性の
ピークを生じさせるとともに、この高周波側のピークを
中高周波デバイスの極小値で打ち消すようにしたことを
特徴とする。
【0012】第3の発明は、第1の発明において、前記
中高周波デバイスを、異なる2つの共振周波数f3及び
f4で動バネ特性の極小値を与えるように構成し、これ
らの周波数と前記膜共振による動バネ特性のピークにお
ける周波数f1とが、f3<f1<f4なる関係をなす
ことを特徴とする。
【0013】
【発明の効果】第1の発明によれば、中周波領域におい
て仕切り部材が膜共振するとき仕切り部材が薄肉部を有
し、かつ外周部が外筒へ相対移動可能な非結合になって
いるので、ピークが低くなる。さらに、中高周波におい
て中高周波デバイスにより極小値が発生する。したがっ
て、動バネ特性のピークと極小値の各周波数をずらせて
おけば、広範囲で低動バネを実現できる。
【0014】これを図7により説明する。図7のA図に
おける特性曲線は本願発明における仕切部材の膜共振
を示す図であり、この図に示すように、前述した仕切り
部材に薄肉部を設け、かつ外周部を非結合にしたことに
よって中周波領域側では特性曲線の従来例よりも低動
バネであり、膜共振による極小値b3は特性曲線のピ
ークp1よりも低い周波数の中周波領域に生じ比較的広
い周波数の範囲に及び、かつその前に生じるピークp3
も低くくなっている。
【0015】但し、極小値b3後の反動によるピークp
4は同p1に近い大きさでありそれ以降は特性曲線よ
りも高動バネ側になる。ピークp3及びp4の各周波数
をf5、f6とする。
【0016】B図の特性曲線はこの中高周波デバイス
による液柱共振の特性図であり、その極小値b4の位置
は従来例の特性曲線よりも高周波側へずれており、そ
の周波数f7は特性曲線のピークp4における周波数
f6よりも若干高い程度(f6<f7)に設定されてい
る。
【0017】そこで、特性曲線を重ねるとC図の特
性曲線となり、膜共振によるピークp4に液柱共振に
よる極小値b4が重なるため、ピークACの間に極小値
BとDが発生する。また、極小値BDの間に低いピーク
Eが形成される。極小値B及びDの周波数をf2及びf
8、ピークA及びEの周波数をf1及びf9とすれば、
f1<f2<f9<f8となり、f9とf8は高周波領
域に位置する。なお、膜共振と液柱共振を重ね合わせた
とき共振点が周波数の高い側又は低い側へ若干ずれるこ
とは周知である。
【0018】この特性曲線は、図7のC図及び図6に
明らかなように、極小値Bが主として中周波領域におけ
る低動バネ化に貢献し、かつ極小値Dが高周波領域の低
動バネ化に貢献し、全体として高周波領域側における低
動バネ化が顕著である。
【0019】従来例の特性曲線と比較したとき、特性
曲線は極小値Bの部分のみが若干高動バネになってい
るが、この部分は特性曲線における極小値Bに重なる
部分であり 実用上十分な低動バネとなっており、10
0〜1000Hzの中高周波領域における広範囲におい
て低動バネを実現できている。
【0020】このため、膜共振に伴って中周波領域と高
周波領域に発生する2つのピークp3、p4によって、
中周波領域と高周波領域の境界部近傍に現れる極小値B
を挟んで中周波領域と高周波領域に2つのピークA、E
が生じる場合、高周波領側のピークp4を中高周波デバ
イスの極小値b4で打ち消すようにして、ピークEより
さらに高周波側に極小値Dが来るように設定すれば、特
に、高周波側における顕著な低動バネ化を実現でき、こ
の状態が第2の発明に相当する。なお、このときの周波
数の関係は、f2<f9<f8となる。
【0021】第3の発明によれば、中高周波デバイスに
異なる2つの共振点を設定することにより、図7のB図
における特性曲線として示すように 異なる2つの共
振周波数f10及びf11で動バネ特性の極小値b5、
b6を与えるように構成し、A図の特性曲線における
極小値b3を挟む2つのピークp3及びp4に対して、
f10<f5<f11<f6、となるように設定する。
【0022】これにより、特性曲線の膜共振と重ねれ
ば、極小値b5、b6でA図の特性曲線における2つ
のピークp3及びp4を打ち消して、C図の特性曲線
となり、中周波領域におけるピークAを挟んで極小値F
及びGが生じる。このとき、ピークAの周波数をf1、
極小値F、Gの各周波数をf3、f4とすれば、f3<
f1<f4となる。
【0023】したがって、この関係に設定すれば、中周
波側において特に顕著な低動バネ化を実現できる。但
し、中高周波領域全体における広範囲な低動バネ化を実
現できることはもちろんである。
【0024】
【発明の実施の形態】図1乃至図7に基づいて本願発明
の第1実施例を説明する。図1は本願発明の液封ブッシ
ュの横断面(図2の1−1線方向断面)、図2は同縦断
面(図1の2−2線方向断面)、図3は中高周波デバイ
スを内筒側から示す図、図4はそのZ矢示図、図5は図
1における中高周波デバイス部分を拡大した図、図6は
この液封ブッシュによる動バネ特性を示すグラフ、図7
は動バネ特性の形成を説明するグラフである。
【0025】これらの図において、この液封ブッシュ
は、円筒状の外筒1と、その内側へ略同心状に配設され
る芯部材である内筒2とこれらの間に介装される弾性部
材3を備える。弾性部材3はゴム又はエラストマー等適
宜弾性材料で内筒2と一体に形成され、その長さ方向中
間部に凹部4及び5が内筒2を挟んで形成され、これら
凹部4と5の間に残された弾性部材3の部分が仕切り部
材6をなしている。
【0026】仕切り部材6は肉厚内に内筒2の軸方向
(以下、単に軸方向という)と平行の貫通穴7が形成さ
れ、この貫通穴7の肉抜きにより、凹部5に臨む本願発
明の薄肉部6aと凹部4に臨む薄肉部6b及び外筒1へ
当接する基部6cの各部が形成される。
【0027】薄肉部6aは図1の横断面において中央部
を内筒2の周囲に一体化し、左右両端部は基部6cに連
続するとともに、後述する中周波領域の振動入力に対し
て膜共振を発生し、特定周波数f1(図6)にてピーク
を有するように膜厚を設定されている。
【0028】この薄肉部6aの膜厚tは、後述する円形
壁16の最小肉厚T(図2参照)の略1/2程度以下に
なっている。但し、この膜厚tはTより小さくなる範囲
において、必要とする周波数f1の値等に応じて任意に
設定できる。
【0029】仕切り部材6の外縁部には、一部に周方向
へ円弧状に延びてオリフィス溝8が形成されている。さ
らに、凹部4内中央部には、内側から外側へ向かってス
トッパ突部9が一体に突出されている。また、凹部4と
5はそれぞれ、液室カバー10、11で覆われ、各凹部
4、5の内側へ液体を充填することにより、凹部4、5
を液室にするようになっている。
【0030】この状態で外筒1内へ嵌合すると、仕切り
部材6の外縁部であり、外筒1側の基部6cは外筒1の
内周面へその周方向で略1/4円弧の長さにおいて非結
合状態で密着する。但し、この密着長さは任意に設定で
きる。ここで、非結合状態とは、従来の焼き付け構造と
異なり、単に圧接されているだけであり、大荷重により
外縁部と外筒1の内面とが相対的にずれることを許容す
る状態をいう。
【0031】この組立状態では、凹部4が副液室、同5
が主液室となり、かつオリフィス溝8と外筒1の内面に
よって形成されるオリフィス通路によりこれら凹部4と
5が連通される。
【0032】さらに、主液室である凹部5内には外筒1
から半径方向外方へ突出する取付軸13の先端に傘状の
中高周波デバイス14が取付けられ、中高周波デバイス
14の周縁部外縁と仕切り部材6との間にオリフィス間
隙15が形成されている。
【0033】図5に明らかなように、このオリフィス間
隙15は、中高周波デバイス14の周縁部先端と仕切り
部材6の対面部との間隔dを任意に設定することによ
り、中高周波デバイス14に沿って発生する液体の流動
bを調整し、オリフィス間隙15において仕切り部材6
との間で中高周波領域の特定周波数f2(図6)にて液
柱共振を発生させ、これにより所望仕様に応じた極小値
を与えるように設定されている。
【0034】図3、図4及び図5に示すように、中高周
波デバイス14は取付軸13の軸方向から見たとき略長
方形をなし、その長辺側は図1の横断面において左右の
仕切り部材6の薄肉部6a近傍まで延び、各先端部が薄
肉部6aへ略垂直に向くよう斜面部20になっている。
また、中央部21には取付軸13の先端がかしめ固定さ
れ、全体は板金状をなす基部プレート22とその周囲を
覆うゴム層23で構成されている。
【0035】さらに、中央部21からは外筒1へ向かっ
てゴムストッパ24が突出形成されている。図2に示す
ように、ゴムストッパ24は内筒2の軸方向へ隔たって
一対をなしゴム層23と一体に形成され、両ゴムストッ
パ24間に通路25が形成されている。
【0036】短辺側は図2に示すように、軸方向におい
て後述する左右の円形壁16、16間に間隔をもって配
設されている。ここで図3に示すように、長辺部の長さ
をL、短辺部の長さ(幅)をWとする。これらのL及び
Wの値は、後述する第2実施例と比べてそれぞれ小さめ
に設定されている。
【0037】内筒2の軸方向に沿う弾性部材3の両端部
には、凹部4及び5の軸方向端部を覆う円形壁16、1
6が設けられ、それぞれの外周部にインサートされた剛
性リング17を介して外筒1の内側へ圧入固定される。
これら左右の円形壁16、16の各内面と中高周波デバ
イス14の間にも通路26が形成される(図2)。
【0038】符号18は車体側等への取付用ブラケット
であり、内筒2はエンジン側へ連結されている。
【0039】次に、本実施例の作用を説明する。まず、
仕切り部材6に薄肉部6aを設け、従来よりも遙かにば
ね定数を低くしてあり、かつ外筒1との接触部を非結合
にしたから、図6に明らかなように全体として低動バネ
になっている。そこで中周波領域の振動入力があると、
仕切り部材6の薄肉部6aにおける膜共振を主体とし、
これに中高周波デバイス14の外縁部と仕切り部材6の
間に形成されるオリフィス間隙15における液柱共振が
加わることにより、動バネ特性の極小値Bと、その前後
にピークACが生じる。
【0040】 ピークAは仕切り部材6の膜共振に伴って
生じるピークの強い影響によるものであり、このときの
周波数をf1とする。極小有Bは膜共振の反動で生じる
高周波領域側のピーク(図7のp4)と中高周波デバイ
スの液柱共振による極小値(同b4)が重なり合って生
じたものであり、高周波領域側のピーク液柱共振によ
る極小値で打ち消されるため、中高周波デバイスの影響
が強く、この周波数をf2とすれば、f1<f2の関係
にある。
【0041】このようにすると、仕切り部材6のばね定
数を下げ、かつ外筒1と非結合にするとともに、これに
中高周波デバイスによる液柱共振を重ねるので、ピーク
Aを低くし、かつ極小値Bの動バネ定数をあまり低くせ
ずピークA近傍とすることにより、極小値B以降の反動
上昇を抑制し、さらに反動によるピークCをより高周波
側へずらす。
【0042】このピークCは極小値Bをなす中高周波デ
バイスによる液柱共振の反動で形成されたものである
が、従来例以下になっており、 また、ピークAも従来例
より下げられ、かつ極小値Bも前述のように実用上十分
に低動バネになっている。
【0043】中高周波デバイス14による液柱共振は、
斜面部20に沿って中高周波デバイス14の短辺部と薄
肉部6aとの間からオリフィス間隙15へ流れ込む流動
bによって生じ、かつオリフィス間隙15の間隔dが比
較的大きいから共振周波数f2も比較的高くなってい
る。また、長辺部と円形壁16の間は比較的大きな間隔
があるので、この部分からオリフィス間隙15へ流れる
流動(後述の流動a、図13参照)はこの液柱共振にあ
まり寄与しない。
【0044】このように、本実施例によれば、中高周波
のほぼ全範囲で従来例よりも低動バネ化を実現でき、
かも中高周波デバイス14の共振による極小値b4で膜
共振における高周波側のピークp4を打ち消すことによ
って、極小値BとDの間における小さなピークEとし、
かつ1000Hzまでの高周波領域側を極小値Dで低動
バネにしたので、特に高周波側における低動バネ化を顕
著に達成できる。
【0045】次に、図8乃至図13に基づいて第2実施
例を説明する。図8乃至図12はそれぞれ第1実施例の
図1乃至図5に対応し、図13は図12における中高周
波デバイス及びその近傍部を拡大した図である。なお、
本実施例は、中高周波デバイスについてのみ前実施例の
一部を変更しただけのものであるから、共通部には共通
符号を用いかつできるだけ重複部分の説明は省略し、説
明省略部分は前実施例の相当部に関する説明を援用する
ものとする。
【0046】これらの図に明らかなように、中高周波デ
バイス14は両長辺部に沿って一対のゴム壁27がゴム
層23と一体に形成され、取付軸13を挟んで平行に内
筒2側へ対向して突出している。また、図9に示すよう
に、長辺側の長さLと短辺側の長さWはそれぞれ前実施
例のものより長くされ、その結果、オリフィス間隙15
の間隔dはより狭くなり、流動bによる共振周波数f4
をf1よりも高いが前実施例における膜共振の極小値B
に近似する程度に低く設定する(図6)。
【0047】また、図13に明らかなように、ゴム壁2
7の高さ寸法Hを著しく大きくしたことにより、左右の
円形壁16、16の各内面とゴム壁27の間に形成され
る通路26を通ってオリフィス間隙15へ至る流動aに
より液柱共振を発生させるようにし、この共振周波数f
3をf1よりも低く設定する。
【0048】 この共振周波数f3の設定は、ゴム壁27
の高さ寸法Hにより調節でき、Hを大きくしてオリフィ
ス間隙15へ近づける程共振点を下げることができ、逆
に小さくするほど共振点が上がり、最後には前実施例と
同じゴム壁27を設け無い状態になる。
【0049】このようにすると、図6に示すように、中
高周波デバイス14によって、f1の前後に2つの共振
点f3、f4に基づく極小値D、Eが形成される。な
お、厳密には極小値D、Eにおける各周波数はf3、f
4と若干異なるが、便宜的に各極小値における周波数を
f3、f4とすれば、f3<f1<f4なる関係が与え
られるので、ピークAは前後の極小値D、Eによってさ
らに引き下げられる。
【0050】このため、本実施例によれば前実施例より
も低い中周波領域側における低動バネ化を実現できる。
但し、この場合も従来例に対して全体としての低動バネ
化を実現できていることは同じである。
【図面の簡単な説明】
【図1】 第1実施例に係る液封ブッシュの横断面
【図2】 同縦断面
【図3】 中高周波デバイスを取付軸の軸方向から示
す図
【図4】 そのZ矢示図
【図5】 中高周波デバイス部分の拡大図
【図6】 この液封ブッシュによる動バネ特性を示す
グラフ
【図7】 動バネ特性の形成を説明するための図
【図8】 第2実施例に係る図1に相当する図
【図9】 同、図2に相当する図
【図10】 同、図3に相当する図
【図11】 同、図4に相当する図
【図12】 同、図5に相当する図
【図13】 図11と異なる方向から中高周波デバイス
部分を示す拡大図
【符号の説明】
1:外筒、2:内筒、3:弾性部材、4:凹部、5:凹
部、6:仕切り部材、14:中高周波デバイス

Claims (3)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】円筒型の外筒と、この内側へ配設される芯
    部材と、これらの外筒と芯部材の間に介装された弾性部
    材とを備え、弾性部材の中間部外周側に複数の凹部を形
    成して液室とし、これら液室間に弾性部材の一部で形成
    された仕切り部材を設け、液室相互をオリフィス通路に
    て連通するとともに、少なくとも一つの液室内へ突出し
    かつ芯部材側に支持された傘状部材からなる中高周波デ
    バイスを設けた液封ブッシュにおいて、仕切り部材の一
    部に、中周波領域の振動入力に対して膜共振により動バ
    ネ特性にピークを与える薄肉部を形成するとともに、仕
    切り部材の外縁部を外筒に対して密着非結合にしたこと
    を特徴とする液封ブッシュ。
  2. 【請求項2】前記膜共振により中周波側と高周波側に2
    つの動バネ特性のピークを生じさせるとともに、この高
    周波側のピークを中高周波デバイスの極小値で打ち消す
    ようにしたことを特徴とする請求項1の液封ブッシュ。
  3. 【請求項3】前記中高周波デバイスを、異なる2つの共
    振周波数f3及びf4で動バネ特性の極小値を与えるよ
    うに構成し、これらの周波数と前記膜共振による動バネ
    特性のピークにおける周波数f1とが、f3<f1<f
    4なる関係をなすことを特徴とする請求項1の液封ブッ
    シュ。
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