JPH10335505A - 単一レベル・ゲート不揮発性メモリ素子およびそのアクセス方法 - Google Patents
単一レベル・ゲート不揮発性メモリ素子およびそのアクセス方法Info
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- JPH10335505A JPH10335505A JP14050998A JP14050998A JPH10335505A JP H10335505 A JPH10335505 A JP H10335505A JP 14050998 A JP14050998 A JP 14050998A JP 14050998 A JP14050998 A JP 14050998A JP H10335505 A JPH10335505 A JP H10335505A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 構造が簡単で、センス・アンプが不要の不揮
発性メモリ素子およびそのアクセス方法を提供する。 【解決手段】 単一レベル・ゲートＮＶＭ素子（１０）
は、ｐ−チャネルおよびｎ−チャネル・フローティング
・ゲートＦＥＴ（１２，１４），消去コンデンサ（２
６），およびプログラミング・コンデンサ（２８）を含
む。ＮＶＭ素子をプログラムするには、プログラミング
電圧をプログラミング・コンデンサに印加し、接地電圧
をＦＥＴのソースに印加する。ＮＶＭ素子を消去するに
は、消去電圧を消去コンデンサに印加し、接地電圧をＦ
ＥＴのソースおよびプログラミング・コンデンサに印加
する。ＮＶＭ素子からデータを読み出すには、論理ハイ
電圧をｐ−チャネルＦＥＴのソースに印加し、論理ロー
電圧をｎ−チャネルＦＥＴのソースに印加し、読み出し
電圧をプログラミング・コンデンサに印加しつつ、ＦＥ
Ｔのドレインにおける電圧レベルを検出する。
発性メモリ素子およびそのアクセス方法を提供する。 【解決手段】 単一レベル・ゲートＮＶＭ素子（１０）
は、ｐ−チャネルおよびｎ−チャネル・フローティング
・ゲートＦＥＴ（１２，１４），消去コンデンサ（２
６），およびプログラミング・コンデンサ（２８）を含
む。ＮＶＭ素子をプログラムするには、プログラミング
電圧をプログラミング・コンデンサに印加し、接地電圧
をＦＥＴのソースに印加する。ＮＶＭ素子を消去するに
は、消去電圧を消去コンデンサに印加し、接地電圧をＦ
ＥＴのソースおよびプログラミング・コンデンサに印加
する。ＮＶＭ素子からデータを読み出すには、論理ハイ
電圧をｐ−チャネルＦＥＴのソースに印加し、論理ロー
電圧をｎ−チャネルＦＥＴのソースに印加し、読み出し
電圧をプログラミング・コンデンサに印加しつつ、ＦＥ
Ｔのドレインにおける電圧レベルを検出する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、一般的に、メモリ
素子に関し、更に特定すれば、不揮発性メモリ素子に関
するものである。
素子に関し、更に特定すれば、不揮発性メモリ素子に関
するものである。
【０００２】
【従来の技術】電気的消去可能プログラム可能リード・
オンリ・メモリ（ＥＥＰＲＯＭ：Electrically Erasabl
e Programmable Read Only Memory ）は、当該メモリへ
の電力が除去されても、格納したデータを保持可能であ
る。ＥＥＰＲＯＭセルは、電界効果トランジスタ（ＦＥ
Ｔ）の電気的に分離されたフローティング・ゲートに電
荷を蓄積することによって、データを格納する。蓄積さ
れた電荷は、ＦＥＴのスレシホルドを制御することによ
って、ＥＥＰＲＯＭセルのメモリ状態を制御する。
オンリ・メモリ（ＥＥＰＲＯＭ：Electrically Erasabl
e Programmable Read Only Memory ）は、当該メモリへ
の電力が除去されても、格納したデータを保持可能であ
る。ＥＥＰＲＯＭセルは、電界効果トランジスタ（ＦＥ
Ｔ）の電気的に分離されたフローティング・ゲートに電
荷を蓄積することによって、データを格納する。蓄積さ
れた電荷は、ＦＥＴのスレシホルドを制御することによ
って、ＥＥＰＲＯＭセルのメモリ状態を制御する。
【０００３】ＥＥＰＲＯＭセルには、二重ポリ構造(dou
ble poly structure) および単一ポリ構造(single poly
structure) という２つの一般的な構造がある。二重ポ
リ構造は、２つの多結晶シリコン層を用いて、従来より
製造されている。単一ポリ構造は、１つの多結晶シリコ
ン層のみがあればよいので、二重ポリ構造より簡単であ
り、製造も経済的である。しかしながら、単一ポリ構造
は、通常、二重ポリ構造よりも多くのシリコン面積を必
要とする。
ble poly structure) および単一ポリ構造(single poly
structure) という２つの一般的な構造がある。二重ポ
リ構造は、２つの多結晶シリコン層を用いて、従来より
製造されている。単一ポリ構造は、１つの多結晶シリコ
ン層のみがあればよいので、二重ポリ構造より簡単であ
り、製造も経済的である。しかしながら、単一ポリ構造
は、通常、二重ポリ構造よりも多くのシリコン面積を必
要とする。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】ＥＥＰＲＯＭセルから
データを読み出すには、従来よりセンス・アンプを用い
てＦＥＴ内を流れる電流を検出し、これによってＥＥＰ
ＲＯＭセルのメモリ状態を判定していた。しかしなが
ら、センス・アンプは、回路の複雑化、シリコン面積の
増大、ＥＥＰＲＯＭセルの製造コスト上昇を招く。加え
て、センス・アンプは、ＥＥＰＲＯＭセルからデータを
読み出すプロセスの間大量の電流を消費するため、電力
効率が悪い。
データを読み出すには、従来よりセンス・アンプを用い
てＦＥＴ内を流れる電流を検出し、これによってＥＥＰ
ＲＯＭセルのメモリ状態を判定していた。しかしなが
ら、センス・アンプは、回路の複雑化、シリコン面積の
増大、ＥＥＰＲＯＭセルの製造コスト上昇を招く。加え
て、センス・アンプは、ＥＥＰＲＯＭセルからデータを
読み出すプロセスの間大量の電流を消費するため、電力
効率が悪い。
【０００５】したがって、不揮発性メモリ素子およびこ
の不揮発性メモリ素子にアクセスする方法を有すること
ができれば有利であろう。この不揮発性メモリ素子は、
簡単で安価に製造できることが望ましい。また、このア
クセス方法はエネルギ効率が高いことが望ましい。更
に、不揮発性メモリは信頼性が高ければ、一層有利であ
ろう。
の不揮発性メモリ素子にアクセスする方法を有すること
ができれば有利であろう。この不揮発性メモリ素子は、
簡単で安価に製造できることが望ましい。また、このア
クセス方法はエネルギ効率が高いことが望ましい。更
に、不揮発性メモリは信頼性が高ければ、一層有利であ
ろう。
【０００６】
【課題を解決するための手段】概して言えば、本発明
は、不揮発性メモリ（ＮＶＭ）素子およびこのＮＶＭ素
子にアクセスする方法を提供する。ＮＶＭ素子は、反転
器内においてプル・アップ・トランジスタおよびプル・
ダウン・トランジスタが互いに結合されているように、
互いに結合された２つのフローティング・ゲート・トラ
ンジスタを含む。また、ＮＶＭ素子は、フローティング
・ゲートに結合された、消去コンデンサおよびプログラ
ミング・コンデンサを含む。本発明によれば、プログラ
ミングおよび消去プロセスの間ＮＶＭセルに印加される
電圧に対して、トランジスタのブレークダウン電圧によ
って強いられる制限は、従来技術の単一レベル・ゲート
ＮＶＭセルにおける制限よりも少ない。ＮＶＭ素子から
データを読み出すプロセスの間、フローティング・ゲー
ト内に蓄積された電荷に応じて、ＮＶＭ素子内のプル・
アップ・トランジスタおよびプル・ダウン・トランジス
タの一方のみが、支配的に導通状態となる。反転器の出
力端子における電圧は、第１論理値、例えば、論理１を
表す論理ハイ電圧レベルに引き上げられるか、あるい
は、第２論理値、例えば、論理０を表す論理ロー電圧レ
ベルに引き下げられる。このようにして、センス・アン
プを用いることなく、ＮＶＭ素子からデータを読み出
す。
は、不揮発性メモリ（ＮＶＭ）素子およびこのＮＶＭ素
子にアクセスする方法を提供する。ＮＶＭ素子は、反転
器内においてプル・アップ・トランジスタおよびプル・
ダウン・トランジスタが互いに結合されているように、
互いに結合された２つのフローティング・ゲート・トラ
ンジスタを含む。また、ＮＶＭ素子は、フローティング
・ゲートに結合された、消去コンデンサおよびプログラ
ミング・コンデンサを含む。本発明によれば、プログラ
ミングおよび消去プロセスの間ＮＶＭセルに印加される
電圧に対して、トランジスタのブレークダウン電圧によ
って強いられる制限は、従来技術の単一レベル・ゲート
ＮＶＭセルにおける制限よりも少ない。ＮＶＭ素子から
データを読み出すプロセスの間、フローティング・ゲー
ト内に蓄積された電荷に応じて、ＮＶＭ素子内のプル・
アップ・トランジスタおよびプル・ダウン・トランジス
タの一方のみが、支配的に導通状態となる。反転器の出
力端子における電圧は、第１論理値、例えば、論理１を
表す論理ハイ電圧レベルに引き上げられるか、あるい
は、第２論理値、例えば、論理０を表す論理ロー電圧レ
ベルに引き下げられる。このようにして、センス・アン
プを用いることなく、ＮＶＭ素子からデータを読み出
す。
【０００７】
【発明の実施の形態】これより図面を参照しながら本発
明の実施例を説明するが、図面では、同一参照番号を用
いて、同様の構造および機能の素子を表すことを注記し
ておく。
明の実施例を説明するが、図面では、同一参照番号を用
いて、同様の構造および機能の素子を表すことを注記し
ておく。
【０００８】図１は、本発明の第１実施例による、単一
レベル・ゲート不揮発性メモリ素子、例えば、ＮＶＭセ
ル１０の構成図である。ＮＶＭセル１０は、フローティ
ング・ゲートが互いに結合された、２つのフローティン
グ・ゲート・トランジスタ１２，１４を含む。更に具体
的には、トランジスタ１２はｐ−チャネル絶縁ゲート電
界効果トランジスタ（ＦＥＴ）であり、トランジスタ１
４はｎ−チャネル絶縁ゲートＦＥＴである。ＦＥＴ１
２，１４は、フローティング・ゲート１５を共有する。
ＦＥＴ１２のソース電極およびＦＥＴ１４のソース電極
は、それぞれ、ＮＶＭセル１０の第１ソース端子１６お
よび第２ソース端子１８として機能する。ＦＥＴ１２の
ドレイン電極およびＦＥＴ１４のドレイン電極は、共に
結合され、ＮＶＭセル１０の出力端子２１を形成する。
ＦＥＴ１２の基板電極およびＦＥＴ１４の基板電極は、
それぞれ、ＮＶＭセル１０の第１基板端子２２および第
２基板端子２４として機能する。また、ＮＶＭセル１０
は、消去コンデンサ２６も含み、その第１電極はフロー
ティング・ゲート１５に接続され、第２電極はＮＶＭセ
ル１０の消去端子２７として機能する。加えて、ＮＶＭ
セル１０は、プログラミング・コンデンサ２８も含み、
その第１電極はフローティング・ゲート１５に接続さ
れ、第２電極はＮＶＭセル１０のプログラミング端子２
９として機能する。
レベル・ゲート不揮発性メモリ素子、例えば、ＮＶＭセ
ル１０の構成図である。ＮＶＭセル１０は、フローティ
ング・ゲートが互いに結合された、２つのフローティン
グ・ゲート・トランジスタ１２，１４を含む。更に具体
的には、トランジスタ１２はｐ−チャネル絶縁ゲート電
界効果トランジスタ（ＦＥＴ）であり、トランジスタ１
４はｎ−チャネル絶縁ゲートＦＥＴである。ＦＥＴ１
２，１４は、フローティング・ゲート１５を共有する。
ＦＥＴ１２のソース電極およびＦＥＴ１４のソース電極
は、それぞれ、ＮＶＭセル１０の第１ソース端子１６お
よび第２ソース端子１８として機能する。ＦＥＴ１２の
ドレイン電極およびＦＥＴ１４のドレイン電極は、共に
結合され、ＮＶＭセル１０の出力端子２１を形成する。
ＦＥＴ１２の基板電極およびＦＥＴ１４の基板電極は、
それぞれ、ＮＶＭセル１０の第１基板端子２２および第
２基板端子２４として機能する。また、ＮＶＭセル１０
は、消去コンデンサ２６も含み、その第１電極はフロー
ティング・ゲート１５に接続され、第２電極はＮＶＭセ
ル１０の消去端子２７として機能する。加えて、ＮＶＭ
セル１０は、プログラミング・コンデンサ２８も含み、
その第１電極はフローティング・ゲート１５に接続さ
れ、第２電極はＮＶＭセル１０のプログラミング端子２
９として機能する。
【０００９】消去コンデンサ２６およびプログラミング
・コンデンサ２８は、ＦＥＴ１２，１４がＮＶＭセル１
０の消去およびプログラミングのプロセスの間にブレー
ク・ダウンする確率を最低に抑える。好ましくは、消去
コンデンサ２６のキャパシタンスは、ＦＥＴ１２のゲー
ト・キャパシタンスおよびＦＥＴ１４のゲート・キャパ
シタンス双方よりも小さいものとする。更に、プログラ
ミング・コンデンサ２８のキャパシタンスは、ＦＥＴ１
２のゲート・キャパシタンス，ＦＥＴ１４のゲート・キ
ャパシタンス，および消去コンデンサ２６のキャパシタ
ンスの和よりも大きいことが好ましい。尚、プログラミ
ング・コンデンサ２８は、ＮＶＭセル１０ではオプショ
ンであることを注記しておく。また、ＦＥＴ１２，１４
は、他のタイプのトランジスタ、例えば、絶縁ゲート・
バイポーラ・トランジスタ，高電子移動度トランジスタ
（ＨＥＭＴ：high electron mobility transistor ）等
と置換可能であることも注記しておく。当業者には周知
であるが、ＦＥＴのソース電極およびドレイン電極は、
トランジスタの電流導通電極として機能する。
・コンデンサ２８は、ＦＥＴ１２，１４がＮＶＭセル１
０の消去およびプログラミングのプロセスの間にブレー
ク・ダウンする確率を最低に抑える。好ましくは、消去
コンデンサ２６のキャパシタンスは、ＦＥＴ１２のゲー
ト・キャパシタンスおよびＦＥＴ１４のゲート・キャパ
シタンス双方よりも小さいものとする。更に、プログラ
ミング・コンデンサ２８のキャパシタンスは、ＦＥＴ１
２のゲート・キャパシタンス，ＦＥＴ１４のゲート・キ
ャパシタンス，および消去コンデンサ２６のキャパシタ
ンスの和よりも大きいことが好ましい。尚、プログラミ
ング・コンデンサ２８は、ＮＶＭセル１０ではオプショ
ンであることを注記しておく。また、ＦＥＴ１２，１４
は、他のタイプのトランジスタ、例えば、絶縁ゲート・
バイポーラ・トランジスタ，高電子移動度トランジスタ
（ＨＥＭＴ：high electron mobility transistor ）等
と置換可能であることも注記しておく。当業者には周知
であるが、ＦＥＴのソース電極およびドレイン電極は、
トランジスタの電流導通電極として機能する。
【００１０】図２は、図１に概略的に示したＮＶＭセル
１０の断面図である。ＮＶＭセル１０は、半導体物質の
本体を用いて製造する。一例として、半導体物質の本体
は、主面３６を有するｐ導電型のシリコン基板３５であ
る。基板３５は、例えば、約１ｘ１０12原子／立方セン
チメートル（原子／ｃｍ3 ）および約１ｘ１０16原子／
ｃｍ3 の間の初期ドーパント濃度を、主面３６付近に有
する。ｎ導電型のウエル４２，４６，４８を基板３５内
に形成する。基板３５上には、例えば、フィールド酸化
物領域４９のような分離構造を、当業者には既知の技法
を用いて形成する。好ましくは、フィールド酸化物領域
４９を形成する前に、イオン注入を行い、フィールド酸
化物領域４９の下にドープ領域（図示せず）を形成す
る。このドープ領域（図示せず）は、フィールド酸化物
領域４９の下に形成されるＦＥＴの不用意なターン・オ
ンを防止する。
１０の断面図である。ＮＶＭセル１０は、半導体物質の
本体を用いて製造する。一例として、半導体物質の本体
は、主面３６を有するｐ導電型のシリコン基板３５であ
る。基板３５は、例えば、約１ｘ１０12原子／立方セン
チメートル（原子／ｃｍ3 ）および約１ｘ１０16原子／
ｃｍ3 の間の初期ドーパント濃度を、主面３６付近に有
する。ｎ導電型のウエル４２，４６，４８を基板３５内
に形成する。基板３５上には、例えば、フィールド酸化
物領域４９のような分離構造を、当業者には既知の技法
を用いて形成する。好ましくは、フィールド酸化物領域
４９を形成する前に、イオン注入を行い、フィールド酸
化物領域４９の下にドープ領域（図示せず）を形成す
る。このドープ領域（図示せず）は、フィールド酸化物
領域４９の下に形成されるＦＥＴの不用意なターン・オ
ンを防止する。
【００１１】例えば、約５ナノメートル（ｎｍ）および
約５０ｎｍの間の厚さを有する二酸化シリコン層５１の
ような誘電体層を、基板３５の主面３６上に配置する。
誘電体層５１にパターニングを行い、互いに分離された
４つの部分を形成する。誘電体層５１の第１部分はウエ
ル４２の上に位置し、ＦＥＴ１２のゲート誘電体層５２
として機能する。誘電体層５１の第２部分は、ＦＥＴ１
４のゲート誘電体層５４として機能する。誘電体層５１
の第３部分はウエル４６の上に位置し、消去コンデンサ
２６の誘電体層５６として機能する。誘電体層５１の第
４部分はウエル４８の上に位置し、プログラミング・コ
ンデンサ２８の誘電体層５８として機能する。
約５０ｎｍの間の厚さを有する二酸化シリコン層５１の
ような誘電体層を、基板３５の主面３６上に配置する。
誘電体層５１にパターニングを行い、互いに分離された
４つの部分を形成する。誘電体層５１の第１部分はウエ
ル４２の上に位置し、ＦＥＴ１２のゲート誘電体層５２
として機能する。誘電体層５１の第２部分は、ＦＥＴ１
４のゲート誘電体層５４として機能する。誘電体層５１
の第３部分はウエル４６の上に位置し、消去コンデンサ
２６の誘電体層５６として機能する。誘電体層５１の第
４部分はウエル４８の上に位置し、プログラミング・コ
ンデンサ２８の誘電体層５８として機能する。
【００１２】誘電体層５１上に導電層６１を堆積し、Ｆ
ＥＴ１２のゲート誘電体層５２，ＦＥＴ１４のゲート誘
電体層５４，消去コンデンサ２６の誘電体層５６，およ
びプログラミング・コンデンサ２８の誘電体層５８を覆
うようにパターニングを行う。一例として、導電層６１
は、約１５０ｎｍおよび約５００ｎｍの間の厚さを有す
る多結晶シリコン層である。ゲート誘電体層５２，５
４，および誘電体層５６，５８を覆う多結晶シリコン層
６１の部分は、共に接続され、ＦＥＴ１２，１４のフロ
ーティング・ゲート１５（図１に示した），ならびに消
去コンデンサ２６およびプログラミング・コンデンサ２
８の第１電極を形成する。導電層６１の異なる部分を共
に結合する接続部は、図２には示されていないことを注
記しておく。好ましくは、多結晶シリコン層６１には、
堆積プロセスの間または後続のドーピング工程において
ドープする。
ＥＴ１２のゲート誘電体層５２，ＦＥＴ１４のゲート誘
電体層５４，消去コンデンサ２６の誘電体層５６，およ
びプログラミング・コンデンサ２８の誘電体層５８を覆
うようにパターニングを行う。一例として、導電層６１
は、約１５０ｎｍおよび約５００ｎｍの間の厚さを有す
る多結晶シリコン層である。ゲート誘電体層５２，５
４，および誘電体層５６，５８を覆う多結晶シリコン層
６１の部分は、共に接続され、ＦＥＴ１２，１４のフロ
ーティング・ゲート１５（図１に示した），ならびに消
去コンデンサ２６およびプログラミング・コンデンサ２
８の第１電極を形成する。導電層６１の異なる部分を共
に結合する接続部は、図２には示されていないことを注
記しておく。好ましくは、多結晶シリコン層６１には、
堆積プロセスの間または後続のドーピング工程において
ドープする。
【００１３】ゲート誘電体層５２およびその上の導電層
６１の部分は、ＦＥＴ１２のゲート構造を形成する。ゲ
ート誘電体層５４およびその上の導電層６１の部分は、
ＦＥＴ１４のゲート構造を形成する。誘電体層５６，そ
の上の導電層６１の部分，およびウエル４６は、協同し
て消去コンデンサ２６を形成し、この場合ウエル４６は
消去コンデンサ２６の導体として機能する。誘電体層５
８，その上の導電層６１の部分，およびウエル４８は、
協同してプログラミング・コンデンサ２８を形成し、こ
の場合ウエル４８はプログラミング・コンデンサ２８の
導体として機能する。
６１の部分は、ＦＥＴ１２のゲート構造を形成する。ゲ
ート誘電体層５４およびその上の導電層６１の部分は、
ＦＥＴ１４のゲート構造を形成する。誘電体層５６，そ
の上の導電層６１の部分，およびウエル４６は、協同し
て消去コンデンサ２６を形成し、この場合ウエル４６は
消去コンデンサ２６の導体として機能する。誘電体層５
８，その上の導電層６１の部分，およびウエル４８は、
協同してプログラミング・コンデンサ２８を形成し、こ
の場合ウエル４８はプログラミング・コンデンサ２８の
導体として機能する。
【００１４】導電層６１上全体、ならびに導電層６１お
よび誘電体層５１の側壁上に、絶縁層７６を形成する。
好ましくは、絶縁層７６にパターニングを行い、ＦＥＴ
１２のゲート構造，ＦＥＴ１４のゲート構造，消去コン
デンサ２６，およびプログラミング・コンデンサ２８を
封止する(cap) 。更に、絶縁層７６は、導電層６１の異
なる部分を共に電気的に結合する接続部も封止すること
が好ましい。絶縁層７６は、二酸化シリコン層およびそ
の上面上の窒化シリコン層から成る酸化物−窒化物スタ
ック，上側の二酸化シリコン層および下側の二酸化シリ
コン層ならびにその間にある窒化シリコン層から成る酸
化物−窒化物−酸化物スタック，シリコン酸窒化物層等
とすることができる。ＮＶＭセル１０の動作の間、絶縁
層７６は、フローティング・ゲート１５（図１に示し
た）からの電荷の漏れを最少に抑えることにより、ＮＶ
Ｍセル１０のデータ保持レートおよび信頼性を改善す
る。絶縁層７６は、形成することが好ましいが、ＮＶＭ
セル１０ではオプションの構造であることは理解されよ
う。
よび誘電体層５１の側壁上に、絶縁層７６を形成する。
好ましくは、絶縁層７６にパターニングを行い、ＦＥＴ
１２のゲート構造，ＦＥＴ１４のゲート構造，消去コン
デンサ２６，およびプログラミング・コンデンサ２８を
封止する(cap) 。更に、絶縁層７６は、導電層６１の異
なる部分を共に電気的に結合する接続部も封止すること
が好ましい。絶縁層７６は、二酸化シリコン層およびそ
の上面上の窒化シリコン層から成る酸化物−窒化物スタ
ック，上側の二酸化シリコン層および下側の二酸化シリ
コン層ならびにその間にある窒化シリコン層から成る酸
化物−窒化物−酸化物スタック，シリコン酸窒化物層等
とすることができる。ＮＶＭセル１０の動作の間、絶縁
層７６は、フローティング・ゲート１５（図１に示し
た）からの電荷の漏れを最少に抑えることにより、ＮＶ
Ｍセル１０のデータ保持レートおよび信頼性を改善す
る。絶縁層７６は、形成することが好ましいが、ＮＶＭ
セル１０ではオプションの構造であることは理解されよ
う。
【００１５】ｐ導電型のイオン、例えば、硼素イオンま
たはフッ化硼素イオンを基板３５に注入し、ｐ−チャネ
ルＦＥＴ１２のソース領域６２およびドレイン領域６
３，ならびにＦＥＴ１４の基板接触領域７４を形成す
る。また、このイオン注入プロセスによって、ウエル４
６内に誘電体層５６に隣接してｐ導電型ドープ領域６
６，およびウエル４８内に誘電体層５８に隣接してｐ導
電型ドープ領域６８も形成する。ソース領域６２および
ドレイン領域６３は、それらの間およびゲート誘電体層
５２の下に、チャネル領域７３を規定する。言い換える
と、ＦＥＴ１２のチャネル領域７３は、ソース領域６２
をドレイン領域６３から分離する。一例として、ソース
領域６２およびドレイン領域６３は、約１ｘ１０15原子
／ｃｍ3 および約５ｘ１０22原子／ｃｍ3 の間のドーパ
ント濃度を有する。
たはフッ化硼素イオンを基板３５に注入し、ｐ−チャネ
ルＦＥＴ１２のソース領域６２およびドレイン領域６
３，ならびにＦＥＴ１４の基板接触領域７４を形成す
る。また、このイオン注入プロセスによって、ウエル４
６内に誘電体層５６に隣接してｐ導電型ドープ領域６
６，およびウエル４８内に誘電体層５８に隣接してｐ導
電型ドープ領域６８も形成する。ソース領域６２および
ドレイン領域６３は、それらの間およびゲート誘電体層
５２の下に、チャネル領域７３を規定する。言い換える
と、ＦＥＴ１２のチャネル領域７３は、ソース領域６２
をドレイン領域６３から分離する。一例として、ソース
領域６２およびドレイン領域６３は、約１ｘ１０15原子
／ｃｍ3 および約５ｘ１０22原子／ｃｍ3 の間のドーパ
ント濃度を有する。
【００１６】ｎ導電型のイオン、例えば、燐イオンまた
は砒素イオンを基板３５に注入し、ｎ−チャネルＦＥＴ
１４のソース領域６４およびドレイン領域６５，ならび
にＦＥＴ１２の基板接触領域７２を形成する。また、こ
のイオン注入プロセスによって、ウエル４６内にｐ導電
型ドープ領域６６に隣接してｎ導電型ドープ領域６７，
およびウエル４８内にｐ導電型ドープ領域６８に隣接し
てｎ導電型ドープ領域６９も形成する。ソース領域６４
およびドレイン領域６５は、それらの間およびゲート誘
電体層５４の下に、チャネル領域７５を規定する。言い
換えると、ＦＥＴ１４のチャネル領域７５は、ソース領
域６４をドレイン領域６５から分離する。一例として、
ソース領域６４およびドレイン領域６５は、約１ｘ１０
15原子／ｃｍ3 および約５ｘ１０22原子／ｃｍ3 の間の
ドーパント濃度を有する。ｐ導電型のドープ領域６６お
よびｎ導電型のドープ領域６７は、消去コンデンサ２６
の接触領域を形成する。同様に、ｐ導電型のドープ領域
６８およびｎ導電型のドープ領域６９は、プログラミン
グ・コンデンサ２８の接触領域を形成する。
は砒素イオンを基板３５に注入し、ｎ−チャネルＦＥＴ
１４のソース領域６４およびドレイン領域６５，ならび
にＦＥＴ１２の基板接触領域７２を形成する。また、こ
のイオン注入プロセスによって、ウエル４６内にｐ導電
型ドープ領域６６に隣接してｎ導電型ドープ領域６７，
およびウエル４８内にｐ導電型ドープ領域６８に隣接し
てｎ導電型ドープ領域６９も形成する。ソース領域６４
およびドレイン領域６５は、それらの間およびゲート誘
電体層５４の下に、チャネル領域７５を規定する。言い
換えると、ＦＥＴ１４のチャネル領域７５は、ソース領
域６４をドレイン領域６５から分離する。一例として、
ソース領域６４およびドレイン領域６５は、約１ｘ１０
15原子／ｃｍ3 および約５ｘ１０22原子／ｃｍ3 の間の
ドーパント濃度を有する。ｐ導電型のドープ領域６６お
よびｎ導電型のドープ領域６７は、消去コンデンサ２６
の接触領域を形成する。同様に、ｐ導電型のドープ領域
６８およびｎ導電型のドープ領域６９は、プログラミン
グ・コンデンサ２８の接触領域を形成する。
【００１７】基板３５上に絶縁層７８を配し、平面化す
る。一例として、絶縁層７８は二酸化シリコンであり、
その厚さは約３００ｎｍないし約１５００ｎｍの範囲で
ある。絶縁層７８は、ＮＶＭセル１０および基板３５上
に作成され得る他の素子（図示せず）間に電気的分離を
備える。絶縁層７８内にメタライゼーション領域を形成
し、ＮＶＭセル１０の電極を形成する。メタライゼーシ
ョン領域８１は、ＦＥＴ１２のドレイン領域６３および
ＦＥＴ１４のドレイン領域６５に接続され、ＮＶＭセル
１０の出力端子２１として機能する。メタライゼーショ
ン領域８２は、ＦＥＴ１２の基板接触領域７２に接続さ
れ、ＮＶＭセル１０の第１基板端子２２として機能す
る。メタライゼーション領域８４は、ＦＥＴ１４の基板
接触領域７４に接続され、ＮＶＭセル１０の第２基板端
子２４として機能する。メタライゼーション領域８６
は、ＦＥＴ１２のソース領域６２に接続され、ＮＶＭセ
ル１０の第１ソース端子１６として機能する。メタライ
ゼーション領域８８は、ＦＥＴ１４のソース領域６４に
接続され、ＮＶＭセル１０の第２ソース端子１８として
機能する。メタライゼーション領域８７は、ウエル４６
内のドープ領域６６，６７によって形成された接触領域
に接続され、ＮＶＭセル１０の消去端子２７として機能
する。メタライゼーション領域８９は、ウエル４８内の
ドープ領域６８，６９によって形成された接触領域に接
続され、ＮＶＭセル１０のプログラミング端子２９とし
て機能する。
る。一例として、絶縁層７８は二酸化シリコンであり、
その厚さは約３００ｎｍないし約１５００ｎｍの範囲で
ある。絶縁層７８は、ＮＶＭセル１０および基板３５上
に作成され得る他の素子（図示せず）間に電気的分離を
備える。絶縁層７８内にメタライゼーション領域を形成
し、ＮＶＭセル１０の電極を形成する。メタライゼーシ
ョン領域８１は、ＦＥＴ１２のドレイン領域６３および
ＦＥＴ１４のドレイン領域６５に接続され、ＮＶＭセル
１０の出力端子２１として機能する。メタライゼーショ
ン領域８２は、ＦＥＴ１２の基板接触領域７２に接続さ
れ、ＮＶＭセル１０の第１基板端子２２として機能す
る。メタライゼーション領域８４は、ＦＥＴ１４の基板
接触領域７４に接続され、ＮＶＭセル１０の第２基板端
子２４として機能する。メタライゼーション領域８６
は、ＦＥＴ１２のソース領域６２に接続され、ＮＶＭセ
ル１０の第１ソース端子１６として機能する。メタライ
ゼーション領域８８は、ＦＥＴ１４のソース領域６４に
接続され、ＮＶＭセル１０の第２ソース端子１８として
機能する。メタライゼーション領域８７は、ウエル４６
内のドープ領域６６，６７によって形成された接触領域
に接続され、ＮＶＭセル１０の消去端子２７として機能
する。メタライゼーション領域８９は、ウエル４８内の
ドープ領域６８，６９によって形成された接触領域に接
続され、ＮＶＭセル１０のプログラミング端子２９とし
て機能する。
【００１８】図２を参照して既に説明したように、ＮＶ
Ｍセル１０は、単一の導電層６１を含む。したがって、
ＮＶＭセル１０は、単一レベル・ゲート不揮発性メモリ
・セルまたは単一ポリ不揮発性メモリ・セルとも呼ばれ
る。ＮＶＭセル１０は、当技術では既知の相補型金属酸
化物半導体（ＣＭＯＳ）技術を用いて製造することがで
きる。
Ｍセル１０は、単一の導電層６１を含む。したがって、
ＮＶＭセル１０は、単一レベル・ゲート不揮発性メモリ
・セルまたは単一ポリ不揮発性メモリ・セルとも呼ばれ
る。ＮＶＭセル１０は、当技術では既知の相補型金属酸
化物半導体（ＣＭＯＳ）技術を用いて製造することがで
きる。
【００１９】尚、ＮＶＭセル１０の構造および製造プロ
セスは、図２を参照して先に説明したものには限定され
ないことは理解されよう。例えば、ゲート誘電体層５
２，５４および誘電体層５６，５８は、単一の誘電体層
５１からパターニングすることには限定されない。これ
らは、異なる誘電体層の成長，堆積，および／またはパ
ターニング・プロセスにおいて形成することも可能であ
る。したがって、ゲート誘電体層５２，５４および誘電
体層５６，５８の各々の厚さを個々に調節し、ＮＶＭセ
ル１０の性能を最適化することが可能である。加えて、
ゲート誘電体層５２，５４および誘電体層５６，５８上
の導電層６１の部分を互いに分離し、絶縁層７８内に形
成するメタライゼーション領域（図示せず）を通じて、
互いに電気的に結合することも可能である。
セスは、図２を参照して先に説明したものには限定され
ないことは理解されよう。例えば、ゲート誘電体層５
２，５４および誘電体層５６，５８は、単一の誘電体層
５１からパターニングすることには限定されない。これ
らは、異なる誘電体層の成長，堆積，および／またはパ
ターニング・プロセスにおいて形成することも可能であ
る。したがって、ゲート誘電体層５２，５４および誘電
体層５６，５８の各々の厚さを個々に調節し、ＮＶＭセ
ル１０の性能を最適化することが可能である。加えて、
ゲート誘電体層５２，５４および誘電体層５６，５８上
の導電層６１の部分を互いに分離し、絶縁層７８内に形
成するメタライゼーション領域（図示せず）を通じて、
互いに電気的に結合することも可能である。
【００２０】ＮＶＭセル１０を電気的にプログラムする
には、例えば、接地電圧レベルのような基準電圧レベル
に、ソース端子１６と１８，基板端子２２と２４，およ
び消去端子２７を結合する。出力端子２１を印加電圧レ
ベルから分離する。言い換えると、出力端子２１をフロ
ーティング状態に放置する。プログラミング電圧は、例
えば、約１０ボルト（Ｖ）および約２０Ｖの間であり、
プログラミング端子２９に印加する。プログラミング電
圧は、誘電体層５１の厚さに応じて変動する。通常、厚
い誘電体層５１では、プログラミング・プロセスを効率
的に行うために、高いプログラミング電圧が必要とな
る。
には、例えば、接地電圧レベルのような基準電圧レベル
に、ソース端子１６と１８，基板端子２２と２４，およ
び消去端子２７を結合する。出力端子２１を印加電圧レ
ベルから分離する。言い換えると、出力端子２１をフロ
ーティング状態に放置する。プログラミング電圧は、例
えば、約１０ボルト（Ｖ）および約２０Ｖの間であり、
プログラミング端子２９に印加する。プログラミング電
圧は、誘電体層５１の厚さに応じて変動する。通常、厚
い誘電体層５１では、プログラミング・プロセスを効率
的に行うために、高いプログラミング電圧が必要とな
る。
【００２１】プログラミング電圧は、プログラミング・
コンデンサ２８、ならびにＦＥＴ１２のゲート・コンデ
ンサ，ＦＥＴ１４のゲート・コンデンサ，および消去コ
ンデンサ２６の並列結合を含む等価コンデンサ間で、容
量的に分割される。これらの各キャパシタンス値のため
に、ＦＥＴ１２のゲート誘電体層５２，ＦＥＴ１４のゲ
ート誘電体層５４，および消去コンデンサ２６の誘電体
層５６間にかかるプログラミング電圧の部分は、プログ
ラミング・コンデンサ２８の誘電体層５８間にかかるプ
ログラミング電圧の部分よりも大きくなる。ＦＥＴ１
２，１４の各ゲート誘電体層５２，５４の下および消去
コンデンサ２６の誘電体層５６の下にある電荷キャリ
ア、例えば、電子は、フローティング・ゲート１５にお
ける高電圧によって引き寄せられる。ファウラー−ノル
トハイム(Fowler-Nordheim) トンネリング・プロセスに
おいて、電荷キャリアは、ゲート誘電体層５２，ゲート
誘電体層５４，および誘電体層５６を横切って、導電層
６１の対応する部分に注入される。フローティング・ゲ
ート１５は、負に荷電されるようになる。プログラミン
グ電圧がＮＶＭセル１０から除去された後、注入された
キャリアは導電層６１に残り、フローティング・ゲート
１５は負に荷電されたままとなる。したがって、第１論
理値、例えば、論理１がＮＶＭセル１０に格納される。
即ち、ＮＶＭセル１０はプログラムされる。
コンデンサ２８、ならびにＦＥＴ１２のゲート・コンデ
ンサ，ＦＥＴ１４のゲート・コンデンサ，および消去コ
ンデンサ２６の並列結合を含む等価コンデンサ間で、容
量的に分割される。これらの各キャパシタンス値のため
に、ＦＥＴ１２のゲート誘電体層５２，ＦＥＴ１４のゲ
ート誘電体層５４，および消去コンデンサ２６の誘電体
層５６間にかかるプログラミング電圧の部分は、プログ
ラミング・コンデンサ２８の誘電体層５８間にかかるプ
ログラミング電圧の部分よりも大きくなる。ＦＥＴ１
２，１４の各ゲート誘電体層５２，５４の下および消去
コンデンサ２６の誘電体層５６の下にある電荷キャリ
ア、例えば、電子は、フローティング・ゲート１５にお
ける高電圧によって引き寄せられる。ファウラー−ノル
トハイム(Fowler-Nordheim) トンネリング・プロセスに
おいて、電荷キャリアは、ゲート誘電体層５２，ゲート
誘電体層５４，および誘電体層５６を横切って、導電層
６１の対応する部分に注入される。フローティング・ゲ
ート１５は、負に荷電されるようになる。プログラミン
グ電圧がＮＶＭセル１０から除去された後、注入された
キャリアは導電層６１に残り、フローティング・ゲート
１５は負に荷電されたままとなる。したがって、第１論
理値、例えば、論理１がＮＶＭセル１０に格納される。
即ち、ＮＶＭセル１０はプログラムされる。
【００２２】本発明の別の実施例では、ＮＶＭセル１０
をプログラムする際、ソース端子１６，１８および基板
端子２２，２４を、例えば、接地電圧レベルのような基
準電圧レベルに結合する。出力端子２１は印加電圧レベ
ルから分離される。プログラミング電圧は、プログラミ
ング端子２９および消去端子２７双方に印加する。この
実施例では、プログラミング電圧は、２つの等価なコン
デンサ間で容量的に分割される。第１の等価コンデンサ
は、並列に結合されたプログラミング・コンデンサ２８
および消去コンデンサ２６を含み、第２の等価コンデン
サは、並列に結合されたＦＥＴ１２のゲート・コンデン
サおよびＦＥＴ１４のゲート・コンデンサを含む。電荷
キャリアは、ＦＥＴ１２，１４のゲート誘電体層５２，
５４をそれぞれ介して、フローティング・ゲート１５に
注入される。
をプログラムする際、ソース端子１６，１８および基板
端子２２，２４を、例えば、接地電圧レベルのような基
準電圧レベルに結合する。出力端子２１は印加電圧レベ
ルから分離される。プログラミング電圧は、プログラミ
ング端子２９および消去端子２７双方に印加する。この
実施例では、プログラミング電圧は、２つの等価なコン
デンサ間で容量的に分割される。第１の等価コンデンサ
は、並列に結合されたプログラミング・コンデンサ２８
および消去コンデンサ２６を含み、第２の等価コンデン
サは、並列に結合されたＦＥＴ１２のゲート・コンデン
サおよびＦＥＴ１４のゲート・コンデンサを含む。電荷
キャリアは、ＦＥＴ１２，１４のゲート誘電体層５２，
５４をそれぞれ介して、フローティング・ゲート１５に
注入される。
【００２３】プログラミング・プロセスの間、ＦＥＴ１
２，１４のドレインは、フローティング状態に放置さ
れ、ＦＥＴ１２，１４のソースおよび基板は同じ電圧レ
ベルに接続される。したがって、プログラミング・プロ
セスの間にＦＥＴ１２，１４がブレーク・ダウンする確
率は最少に抑えられ、ＦＥＴ１２，１４のブレークダウ
ン電圧は、もはやＮＶＭセル１０に印加されるプログラ
ミング電圧に制限を強いることはない。このために、従
来技術の単一ポリ・フローティング・ゲート不揮発性メ
モリ素子よりも、高いプログラミング電圧，厚いゲート
誘電体層５２，５４，および／または小さいＦＥＴ１
２，１４が可能となる。プログラミング電圧を高くする
と、プログラミング・プロセスの時間効率が高くなる。
厚いゲート誘電体層は、ＮＶＭセル１０の信頼性を向上
させる。加えて、厚いゲート誘電体層を有するＦＥＴ１
２，１４を製造するプロセスは、既存のＣＭＯＳ製造プ
ロセスと容易に適合させることができ、スケール・ダウ
ンした素子を用いる新たなプロセスにおいて容易に実施
される。小さなＦＥＴ１２，１４は、ＮＶＭセル１０の
シリコン面積効率を高める。
２，１４のドレインは、フローティング状態に放置さ
れ、ＦＥＴ１２，１４のソースおよび基板は同じ電圧レ
ベルに接続される。したがって、プログラミング・プロ
セスの間にＦＥＴ１２，１４がブレーク・ダウンする確
率は最少に抑えられ、ＦＥＴ１２，１４のブレークダウ
ン電圧は、もはやＮＶＭセル１０に印加されるプログラ
ミング電圧に制限を強いることはない。このために、従
来技術の単一ポリ・フローティング・ゲート不揮発性メ
モリ素子よりも、高いプログラミング電圧，厚いゲート
誘電体層５２，５４，および／または小さいＦＥＴ１
２，１４が可能となる。プログラミング電圧を高くする
と、プログラミング・プロセスの時間効率が高くなる。
厚いゲート誘電体層は、ＮＶＭセル１０の信頼性を向上
させる。加えて、厚いゲート誘電体層を有するＦＥＴ１
２，１４を製造するプロセスは、既存のＣＭＯＳ製造プ
ロセスと容易に適合させることができ、スケール・ダウ
ンした素子を用いる新たなプロセスにおいて容易に実施
される。小さなＦＥＴ１２，１４は、ＮＶＭセル１０の
シリコン面積効率を高める。
【００２４】ＮＶＭセル１０は、トンネリング・プロセ
スによってプログラムされることに限定される訳ではな
いことは理解されよう。例えば、ＮＶＭセル１０は、ホ
ット・キャリア注入プロセス(hot carrier injection p
rocess) によるプログラミングも可能である。ホット・
キャリア注入プロセスによってＮＶＭセル１０をプログ
ラムする実施例では、ソース端子１６，基板端子２２と
２４，および出力端子２１を、例えば、接地電圧のよう
な基準電圧に接続し、プログラミング電圧をプログラミ
ング端子２９に印加し、例えば、約１Ｖおよび約１０Ｖ
の間のソース電圧をソース端子１８に印加する。消去端
子２７は、プログラミング電圧に接続することができ、
基準電圧に接続することができ、あるいはフローティン
グ状態に放置することができる。好ましくは、ソース電
圧は、出力端子２１に印加する基準電圧よりも高くす
る。プログラミング・プロセスの間、ソース領域６４は
ＦＥＴ１４のドレインとして機能し、ドレイン領域６５
はＦＥＴ１４のソースとして機能する。即ち、ＦＥＴ１
４は逆モードで動作する。ドレイン領域６５から発生す
る電荷キャリア、例えば、電子は、ホット・キャリア注
入プロセスにおいて、フローティング・ゲート１５の下
のチャネル領域７５において加速され、ソース領域６４
に隣接するフローティング・ゲート１５に注入される。
スによってプログラムされることに限定される訳ではな
いことは理解されよう。例えば、ＮＶＭセル１０は、ホ
ット・キャリア注入プロセス(hot carrier injection p
rocess) によるプログラミングも可能である。ホット・
キャリア注入プロセスによってＮＶＭセル１０をプログ
ラムする実施例では、ソース端子１６，基板端子２２と
２４，および出力端子２１を、例えば、接地電圧のよう
な基準電圧に接続し、プログラミング電圧をプログラミ
ング端子２９に印加し、例えば、約１Ｖおよび約１０Ｖ
の間のソース電圧をソース端子１８に印加する。消去端
子２７は、プログラミング電圧に接続することができ、
基準電圧に接続することができ、あるいはフローティン
グ状態に放置することができる。好ましくは、ソース電
圧は、出力端子２１に印加する基準電圧よりも高くす
る。プログラミング・プロセスの間、ソース領域６４は
ＦＥＴ１４のドレインとして機能し、ドレイン領域６５
はＦＥＴ１４のソースとして機能する。即ち、ＦＥＴ１
４は逆モードで動作する。ドレイン領域６５から発生す
る電荷キャリア、例えば、電子は、ホット・キャリア注
入プロセスにおいて、フローティング・ゲート１５の下
のチャネル領域７５において加速され、ソース領域６４
に隣接するフローティング・ゲート１５に注入される。
【００２５】ＮＶＭセル１０を電気的に消去するには、
ソース端子１６と１８，基板端子２２と２４，およびプ
ログラミング端子２９を、例えば、接地電圧レベルのよ
うな基準電圧レベルに結合する。出力端子２１は、印加
する電圧レベルから分離される。言い換えると、出力端
子２１はフローティング状態に放置される。例えば、約
１０Ｖおよび約２０Ｖの間の消去電圧を、消去端子２７
に印加する。
ソース端子１６と１８，基板端子２２と２４，およびプ
ログラミング端子２９を、例えば、接地電圧レベルのよ
うな基準電圧レベルに結合する。出力端子２１は、印加
する電圧レベルから分離される。言い換えると、出力端
子２１はフローティング状態に放置される。例えば、約
１０Ｖおよび約２０Ｖの間の消去電圧を、消去端子２７
に印加する。
【００２６】消去電圧は、消去コンデンサ２６、ならび
にＦＥＴ１２のゲート・コンデンサ，ＦＥＴ１４のゲー
ト・コンデンサ，およびプログラミング・コンデンサ２
８の並列結合を含む等価コンデンサの間で容量的に分割
される。これらの各キャパシタンス値のために、消去コ
ンデンサ２６の誘電体層５６間にかかる消去電圧の部分
は、ＦＥＴ１２のゲート誘電体層５２，ＦＥＴ１４のゲ
ート誘電体層５４，およびプログラミング・コンデンサ
２８のゲート誘電体層５８間よりも大きくなる。フロー
ティング・ゲート１５上の電荷キャリア、例えば、電子
は、消去端子２７における高電圧に引き寄せられる。フ
ァウラー−ノルトハイム・トンネリング・プロセスにお
いて、電荷キャリアは、消去コンデンサ２６の誘電体層
５６を横切ってウエル４６に注入される。好ましくは、
フローティング・ゲート１５がほぼ中性になるか、ある
いは正に荷電されるまで、消去プロセスを継続する。消
去電圧をＮＶＭセル１０から除去した後、フローティン
グ・ゲート１５はほぼ中性または正に荷電されたままと
なっている。第２論理値、例えば、論理０がＮＶＭセル
１０に格納される。即ち、ＮＶＭセル１０は消去され
る。
にＦＥＴ１２のゲート・コンデンサ，ＦＥＴ１４のゲー
ト・コンデンサ，およびプログラミング・コンデンサ２
８の並列結合を含む等価コンデンサの間で容量的に分割
される。これらの各キャパシタンス値のために、消去コ
ンデンサ２６の誘電体層５６間にかかる消去電圧の部分
は、ＦＥＴ１２のゲート誘電体層５２，ＦＥＴ１４のゲ
ート誘電体層５４，およびプログラミング・コンデンサ
２８のゲート誘電体層５８間よりも大きくなる。フロー
ティング・ゲート１５上の電荷キャリア、例えば、電子
は、消去端子２７における高電圧に引き寄せられる。フ
ァウラー−ノルトハイム・トンネリング・プロセスにお
いて、電荷キャリアは、消去コンデンサ２６の誘電体層
５６を横切ってウエル４６に注入される。好ましくは、
フローティング・ゲート１５がほぼ中性になるか、ある
いは正に荷電されるまで、消去プロセスを継続する。消
去電圧をＮＶＭセル１０から除去した後、フローティン
グ・ゲート１５はほぼ中性または正に荷電されたままと
なっている。第２論理値、例えば、論理０がＮＶＭセル
１０に格納される。即ち、ＮＶＭセル１０は消去され
る。
【００２７】消去プロセスの間、ＦＥＴ１２，１４のド
レインは、フローティング状態に放置され、ＦＥＴ１
２，１４のソースおよび基板は同じ電圧レベルに結合さ
れる。したがって、ＦＥＴ１２，１４は消去プロセスの
間ブレーク・ダウンせず、ＦＥＴ１２，１４のブレーク
ダウン電圧は、もはやＮＶＭセル１０に印加する消去電
圧に制限を強いることはない。これによって、従来技術
の単一ポリ・フローティング・ゲート不揮発性メモリ素
子よりも、高い消去電圧，厚いゲート誘電体層５２と５
４，および／または小さいＦＥＴ１２と１４が可能とな
る。高い消去電圧は、消去プロセスの時間効率を高め
る。
レインは、フローティング状態に放置され、ＦＥＴ１
２，１４のソースおよび基板は同じ電圧レベルに結合さ
れる。したがって、ＦＥＴ１２，１４は消去プロセスの
間ブレーク・ダウンせず、ＦＥＴ１２，１４のブレーク
ダウン電圧は、もはやＮＶＭセル１０に印加する消去電
圧に制限を強いることはない。これによって、従来技術
の単一ポリ・フローティング・ゲート不揮発性メモリ素
子よりも、高い消去電圧，厚いゲート誘電体層５２と５
４，および／または小さいＦＥＴ１２と１４が可能とな
る。高い消去電圧は、消去プロセスの時間効率を高め
る。
【００２８】ＮＶＭセル１０からデータを読み出すに
は、ソース端子１６および基板端子２２を、例えば、供
給電圧レベルＶDDのような論理ハイ電圧レベルに結合す
る。一例として、供給電圧レベルＶDDは、約０．９Ｖか
ら約５Ｖの範囲である。ソース端子１８および基板端子
２４は、例えば、接地電圧レベルのような論理ロー電圧
レベルに結合する。例えば、約−５Ｖおよび＋５Ｖの間
の読み出し電圧を、プログラミング端子２９に印加す
る。消去端子２７は、読み出し電圧に接続することがで
き、接地に接続することができ、あるいはフローティン
グ状態に放置することができる。フローティング・ゲー
ト１５は、ソース端子１６と１８，基板端子２２と２
４，消去端子２７，およびプログラミング端子２９に容
量的に結合されているので、これらの端子に印加される
電圧およびフローティング・ゲート１５に蓄積される電
荷が、フローティング・ゲート１５の電圧レベルを決定
する。
は、ソース端子１６および基板端子２２を、例えば、供
給電圧レベルＶDDのような論理ハイ電圧レベルに結合す
る。一例として、供給電圧レベルＶDDは、約０．９Ｖか
ら約５Ｖの範囲である。ソース端子１８および基板端子
２４は、例えば、接地電圧レベルのような論理ロー電圧
レベルに結合する。例えば、約−５Ｖおよび＋５Ｖの間
の読み出し電圧を、プログラミング端子２９に印加す
る。消去端子２７は、読み出し電圧に接続することがで
き、接地に接続することができ、あるいはフローティン
グ状態に放置することができる。フローティング・ゲー
ト１５は、ソース端子１６と１８，基板端子２２と２
４，消去端子２７，およびプログラミング端子２９に容
量的に結合されているので、これらの端子に印加される
電圧およびフローティング・ゲート１５に蓄積される電
荷が、フローティング・ゲート１５の電圧レベルを決定
する。
【００２９】ＮＶＭセル１０がプログラムされている場
合、フローティング・ゲート１５は負に荷電され、ＦＥ
Ｔ１２，１４の有効スレシホルド電圧は、フローティン
グ・ゲート１５がほぼ中性である場合のそれらの各内因
性スレシホルド電圧よりも高くなる。言い換えると、Ｆ
ＥＴ１２，１４の有効スレシホルド電圧は、ＮＶＭセル
１０がプログラムされている場合、それらの各内因性ス
レシホルド電圧よりも正側に大きくなるか、あるいは負
側に小さくなる。ＮＶＭセル１０が消去されている場
合、フローティング・ゲート１５はほぼ中性または正に
荷電されており、ＦＥＴ１２，１４の有効スレシホルド
電圧は、それらの各内因性スレシホルド電圧にほぼ等し
いかそれより低くなる。好ましくは、読み出しプロセス
の間ＮＶＭセル１０にバイアスをかけ、フローティング
・ゲート１５の電圧レベルがＮＶＭセル１０がプログラ
ムされている場合のＦＥＴ１２，１４の有効スレシホル
ド電圧よりも低くなるようにする。更に、フローティン
グ・ゲート１５の電圧レベルは、ＮＶＭセル１０が消去
されている場合のＦＥＴ１２，１４の有効スレシホルド
電圧よりも高いことが好ましい。したがって、プログラ
ムされているＮＶＭセル１０からデータを読み出す際、
ｐ−チャネルＦＥＴ１２は導通状態となり、ｎ−チャネ
ルＦＥＴ１４は非導通状態となる。出力端子２１におけ
る電圧レベルは、ソース端子１６における論理ハイ電圧
にほぼ引き上げられる。この電圧レベルは、第１論理
値、例えば、論理１を表す。一方、消去されたＮＶＭセ
ル１０からデータを読み出す際、ｐ−チャネルＦＥＴ１
２は非導通状態となり、ｎ−チャネルＦＥＴ１４は導通
状態となる。出力端子２１における電圧レベルは、ソー
ス端子１８における論理ロー電圧レベルまでほぼ引き下
げられる。この電圧レベルは、第２論理値、例えば、論
理０を表す。
合、フローティング・ゲート１５は負に荷電され、ＦＥ
Ｔ１２，１４の有効スレシホルド電圧は、フローティン
グ・ゲート１５がほぼ中性である場合のそれらの各内因
性スレシホルド電圧よりも高くなる。言い換えると、Ｆ
ＥＴ１２，１４の有効スレシホルド電圧は、ＮＶＭセル
１０がプログラムされている場合、それらの各内因性ス
レシホルド電圧よりも正側に大きくなるか、あるいは負
側に小さくなる。ＮＶＭセル１０が消去されている場
合、フローティング・ゲート１５はほぼ中性または正に
荷電されており、ＦＥＴ１２，１４の有効スレシホルド
電圧は、それらの各内因性スレシホルド電圧にほぼ等し
いかそれより低くなる。好ましくは、読み出しプロセス
の間ＮＶＭセル１０にバイアスをかけ、フローティング
・ゲート１５の電圧レベルがＮＶＭセル１０がプログラ
ムされている場合のＦＥＴ１２，１４の有効スレシホル
ド電圧よりも低くなるようにする。更に、フローティン
グ・ゲート１５の電圧レベルは、ＮＶＭセル１０が消去
されている場合のＦＥＴ１２，１４の有効スレシホルド
電圧よりも高いことが好ましい。したがって、プログラ
ムされているＮＶＭセル１０からデータを読み出す際、
ｐ−チャネルＦＥＴ１２は導通状態となり、ｎ−チャネ
ルＦＥＴ１４は非導通状態となる。出力端子２１におけ
る電圧レベルは、ソース端子１６における論理ハイ電圧
にほぼ引き上げられる。この電圧レベルは、第１論理
値、例えば、論理１を表す。一方、消去されたＮＶＭセ
ル１０からデータを読み出す際、ｐ−チャネルＦＥＴ１
２は非導通状態となり、ｎ−チャネルＦＥＴ１４は導通
状態となる。出力端子２１における電圧レベルは、ソー
ス端子１８における論理ロー電圧レベルまでほぼ引き下
げられる。この電圧レベルは、第２論理値、例えば、論
理０を表す。
【００３０】読み出しプロセスの間、出力端子２１にお
ける電圧レベルは、ＮＶＭセル１０がプログラムされて
いる場合には論理ハイ電圧レベルに引き上げられ、ある
いはＮＶＭセル１０が消去されている場合には論理ロー
電圧レベルに引き下げられる。したがって、ＮＶＭセル
１０からデータを読み出すために、センス・アンプは不
要となる。センス・アンプを含むメモリ素子と比較する
と、ＮＶＭセル１０は簡単であり、製造が容易であり、
シリコン面積の効率が高い。加えて、ＮＶＭセル１０は
ＣＭＯＳ反転器のように動作する。即ち、読み出しプロ
セスの間、ＦＥＴ１２，１４の一方のみが導通状態とな
る。ＮＶＭセル１０の出力端子２９が容量性負荷、例え
ば、絶縁ゲートＦＥＴのゲートに接続されている場合、
ＮＶＭセル１０の直流（ＤＣ）の消費は、読み出しプロ
セスの間はほぼゼロである。したがって、ＮＶＭセル１
０は、電力効率が高く、低電力用途に適している。
ける電圧レベルは、ＮＶＭセル１０がプログラムされて
いる場合には論理ハイ電圧レベルに引き上げられ、ある
いはＮＶＭセル１０が消去されている場合には論理ロー
電圧レベルに引き下げられる。したがって、ＮＶＭセル
１０からデータを読み出すために、センス・アンプは不
要となる。センス・アンプを含むメモリ素子と比較する
と、ＮＶＭセル１０は簡単であり、製造が容易であり、
シリコン面積の効率が高い。加えて、ＮＶＭセル１０は
ＣＭＯＳ反転器のように動作する。即ち、読み出しプロ
セスの間、ＦＥＴ１２，１４の一方のみが導通状態とな
る。ＮＶＭセル１０の出力端子２９が容量性負荷、例え
ば、絶縁ゲートＦＥＴのゲートに接続されている場合、
ＮＶＭセル１０の直流（ＤＣ）の消費は、読み出しプロ
セスの間はほぼゼロである。したがって、ＮＶＭセル１
０は、電力効率が高く、低電力用途に適している。
【００３１】図３は、本発明の第２実施例によるメモリ
素子、例えば、ＮＶＭセル９０の構成図である。図１に
示したＮＶＭセル１０と同様、ＮＶＭセル９０は、ｐ−
チャネル・フローティング・ゲートＦＥＴ１２，ｎ−チ
ャネル・フローティング・ゲートＦＥＴ１４，消去コン
デンサ２６，およびプログラミング・コンデンサ２８を
含む。ＮＶＭセル９０の構造は、図１に示したＮＶＭセ
ル１０のそれと類似している。ＮＶＭセル９０とＮＶＭ
セル１０との相違は、ＮＶＭセル９０では、プログラミ
ング・コンデンサ２８の第２電極がＦＥＴ１２の基板電
極に接続されていることである。したがって、ＮＶＭセ
ル９０は、図１に示したＮＶＭセル１０の基板端子２２
のような、ＦＥＴ１２の基板電極に接続され、かつプロ
グラミング・コンデンサ２８の第２電極から分離された
基板端子を有さない。
素子、例えば、ＮＶＭセル９０の構成図である。図１に
示したＮＶＭセル１０と同様、ＮＶＭセル９０は、ｐ−
チャネル・フローティング・ゲートＦＥＴ１２，ｎ−チ
ャネル・フローティング・ゲートＦＥＴ１４，消去コン
デンサ２６，およびプログラミング・コンデンサ２８を
含む。ＮＶＭセル９０の構造は、図１に示したＮＶＭセ
ル１０のそれと類似している。ＮＶＭセル９０とＮＶＭ
セル１０との相違は、ＮＶＭセル９０では、プログラミ
ング・コンデンサ２８の第２電極がＦＥＴ１２の基板電
極に接続されていることである。したがって、ＮＶＭセ
ル９０は、図１に示したＮＶＭセル１０の基板端子２２
のような、ＦＥＴ１２の基板電極に接続され、かつプロ
グラミング・コンデンサ２８の第２電極から分離された
基板端子を有さない。
【００３２】図４は、図３に概略的に示したＮＶＭセル
９０の断面図である。図２に示したＮＶＭセル１０と同
様、ＮＶＭセル９０は、例えば、シリコン基板３５のよ
うな半導体物質の本体上に作成する。ＮＶＭセル９０の
構造は、図２に示したＮＶＭセル１０のそれと類似して
いる。ＮＶＭセル９０とＮＶＭセル１０との構造の相違
は、ＮＶＭセル９０では、プログラミング・コンデンサ
２８をｐ−チャネルＦＥＴ１２と同じウエル、即ち、ウ
エル４２内に形成していることである。したがって、Ｎ
ＶＭセル９０は、ｎ−導電性のウエルを２つ、即ち、ウ
エル４２，４６を含む。ＦＥＴ１２およびプログラミン
グ・コンデンサ２８を同じウエル内に形成することによ
って、図２に示したＮＶＭセル１０のシリコン面積と比
較して、ＮＶＭセル９０のシリコン面積は減少する。し
かしながら、ＦＥＴ１２とプログラミング・コンデンサ
２８との分離性を高めるには、異なるウエル内にこれら
を形成する。
９０の断面図である。図２に示したＮＶＭセル１０と同
様、ＮＶＭセル９０は、例えば、シリコン基板３５のよ
うな半導体物質の本体上に作成する。ＮＶＭセル９０の
構造は、図２に示したＮＶＭセル１０のそれと類似して
いる。ＮＶＭセル９０とＮＶＭセル１０との構造の相違
は、ＮＶＭセル９０では、プログラミング・コンデンサ
２８をｐ−チャネルＦＥＴ１２と同じウエル、即ち、ウ
エル４２内に形成していることである。したがって、Ｎ
ＶＭセル９０は、ｎ−導電性のウエルを２つ、即ち、ウ
エル４２，４６を含む。ＦＥＴ１２およびプログラミン
グ・コンデンサ２８を同じウエル内に形成することによ
って、図２に示したＮＶＭセル１０のシリコン面積と比
較して、ＮＶＭセル９０のシリコン面積は減少する。し
かしながら、ＦＥＴ１２とプログラミング・コンデンサ
２８との分離性を高めるには、異なるウエル内にこれら
を形成する。
【００３３】図４に示すように、ＮＶＭセル９０は、単
一の導電層６１を含む。したがって、ＮＶＭセル９０
は、単一レベル・ゲート不揮発性メモリ・セルまたは単
一ポリ不揮発性メモリ・セルとも呼ばれる。ＮＶＭセル
９０は、当技術では既知のＣＭＯＳ技術を用いて製造す
ることができる。
一の導電層６１を含む。したがって、ＮＶＭセル９０
は、単一レベル・ゲート不揮発性メモリ・セルまたは単
一ポリ不揮発性メモリ・セルとも呼ばれる。ＮＶＭセル
９０は、当技術では既知のＣＭＯＳ技術を用いて製造す
ることができる。
【００３４】ＮＶＭセル９０のプログラミング，消去，
および読み出しのプロセスは、ＮＶＭセル１０のプログ
ラミング，消去，および読み出しのプロセスとそれぞれ
同様である。トンネリング・プロセスによってＮＶＭセ
ル９０をプログラムする実施例では、プログラミング電
圧をプログラミング端子２９に印加する。したがって、
ＮＶＭセル９０をプログラムする場合、ＦＥＴ１２の基
板もプログラミング電圧に接続される。ＮＶＭセル９０
をプログラムする代替実施例では、プログラミング端子
２９および消去端子２７の双方にプログラミング電圧を
印加する。ＮＶＭセル９０をプログラムする別の代替実
施例では、プログラミング端子２９およびソース端子１
６の双方にプログラミング電圧を印加する。ＮＶＭセル
９０をプログラムする更に別の代替実施例では、プログ
ラミング端子２９，消去端子２７，およびソース端子１
６にプログラミング電圧を印加する。図１および図２に
示したＮＶＭセル１０と同様、ＮＶＭセル９０も、ＦＥ
Ｔ１４を逆モードで動作させることにより、ホット・キ
ャリア・プロセスによってプログラムすることが可能で
ある。
および読み出しのプロセスは、ＮＶＭセル１０のプログ
ラミング，消去，および読み出しのプロセスとそれぞれ
同様である。トンネリング・プロセスによってＮＶＭセ
ル９０をプログラムする実施例では、プログラミング電
圧をプログラミング端子２９に印加する。したがって、
ＮＶＭセル９０をプログラムする場合、ＦＥＴ１２の基
板もプログラミング電圧に接続される。ＮＶＭセル９０
をプログラムする代替実施例では、プログラミング端子
２９および消去端子２７の双方にプログラミング電圧を
印加する。ＮＶＭセル９０をプログラムする別の代替実
施例では、プログラミング端子２９およびソース端子１
６の双方にプログラミング電圧を印加する。ＮＶＭセル
９０をプログラムする更に別の代替実施例では、プログ
ラミング端子２９，消去端子２７，およびソース端子１
６にプログラミング電圧を印加する。図１および図２に
示したＮＶＭセル１０と同様、ＮＶＭセル９０も、ＦＥ
Ｔ１４を逆モードで動作させることにより、ホット・キ
ャリア・プロセスによってプログラムすることが可能で
ある。
【００３５】図５は、本発明の第３実施例による、メモ
リ素子、例えば、ＮＶＭセル１００の構成図である。図
１に示したＮＶＭセル１０と同様、ＮＶＭセル１００
は、ｐ−チャネル・フローティング・ゲートＦＥＴ１
２，ｎ−チャネル・フローティング・ゲートＦＥＴ１
４，および消去コンデンサ２６を含む。ＮＶＭセル１０
０は、更に、２つのプログラミング・コンデンサ１２
２，１２４を含む。プログラミング・コンデンサ１２２
の第１電極およびプログラミング・コンデンサ１２４の
第１電極は、フローティング・ゲート１５に接続されて
いる。プログラミング・コンデンサ１２２の第２電極
は、ＮＶＭセル１００の行プログラミング端子１２１と
して機能する。プログラミング・コンデンサ１２４の第
２電極は、ＮＶＭセル１００の列プログラミング端子１
２３として機能する。プログラミング・コンデンサ１２
２，１２４は、図１に示したＮＶＭセル１０におけるプ
ログラミング・コンデンサ２８と同様の機能を行う。好
ましくは、プログラミング・コンデンサ１２２，１２４
のキャパシタンス値は、ＦＥＴ１２のゲート・キャパシ
タンス，ＦＥＴ１４のゲート・キャパシタンス，および
消去コンデンサ２６のキャパシタンスの和よりも遥かに
大きい値とする。更に、これらは、互いにほぼ等しいこ
とが好ましい。
リ素子、例えば、ＮＶＭセル１００の構成図である。図
１に示したＮＶＭセル１０と同様、ＮＶＭセル１００
は、ｐ−チャネル・フローティング・ゲートＦＥＴ１
２，ｎ−チャネル・フローティング・ゲートＦＥＴ１
４，および消去コンデンサ２６を含む。ＮＶＭセル１０
０は、更に、２つのプログラミング・コンデンサ１２
２，１２４を含む。プログラミング・コンデンサ１２２
の第１電極およびプログラミング・コンデンサ１２４の
第１電極は、フローティング・ゲート１５に接続されて
いる。プログラミング・コンデンサ１２２の第２電極
は、ＮＶＭセル１００の行プログラミング端子１２１と
して機能する。プログラミング・コンデンサ１２４の第
２電極は、ＮＶＭセル１００の列プログラミング端子１
２３として機能する。プログラミング・コンデンサ１２
２，１２４は、図１に示したＮＶＭセル１０におけるプ
ログラミング・コンデンサ２８と同様の機能を行う。好
ましくは、プログラミング・コンデンサ１２２，１２４
のキャパシタンス値は、ＦＥＴ１２のゲート・キャパシ
タンス，ＦＥＴ１４のゲート・キャパシタンス，および
消去コンデンサ２６のキャパシタンスの和よりも遥かに
大きい値とする。更に、これらは、互いにほぼ等しいこ
とが好ましい。
【００３６】図６は、図５に概略的に示したＮＶＭセル
１００の断面図である。図２に示したＮＶＭセル１０と
同様、ＮＶＭセル１００は、例えば、シリコン基板３５
のような半導体物質の本体上に作成する。ＮＶＭセル１
００の構造は、図２に示したＮＶＭセル１０と類似して
いる。ＮＶＭセル１００とＮＶＭセル１０との構造上の
相違は、ＮＶＭセル１００は、ｎ導電型の２つのウエル
１４２，１４４内に作成された２つのプログラミング・
コンデンサ１２２，１２４を有する点にある。プログラ
ミング・コンデンサ１２２は、主面３６上に、ウエル１
４２の上に位置する誘電体層１５２を有する。ｐ導電型
のドープ領域１６２およびｎ導電型のドープ領域１６３
が、プログラミング・コンデンサ１２２の接触領域を形
成する。プログラミング・コンデンサ１２４は、主面３
６上に、ウエル１４４の上に位置する誘電体層１５４を
有する。ｐ導電型のドープ領域１６４およびｎ導電型の
ドープ領域１６５が、プログラミング・コンデンサ１２
４の接触領域を形成する。一実施例では、誘電体層１５
２，１５４は、ＦＥＴ１２，１４の各ゲート誘電体層５
２，５４を形成するのと同じプロセス工程を用いて、誘
電体層５１から形成する。他の実施例では、誘電体層１
５２，１５４は、誘電体層５１とは異なる誘電体層（図
示せず）を用いて形成する。ｐ導電型のドープ領域１６
２，１６４は、好ましくは、ＦＥＴ１２のソース領域６
２およびドレイン領域６３と同じプロセス工程を用いて
形成する。同様に、ｎ導電型のドープ領域１６３，１６
５は、好ましくは、ＦＥＴ１４のソース領域６４および
ドレイン領域６５と同じプロセスを用いて形成する。Ｆ
ＥＴ１２，１４のフローティング・ゲート１５（図５に
示す）を形成する導電層６１も、誘電体層１５２，１５
４の上に位置する。好ましくは、絶縁層７６は、誘電体
層１５２およびその上にある導電層６１の部分によって
形成されるプログラミング・コンデンサ１２２の構造，
誘電体層１５４およびその上にある導電層６１の部分に
よって形成されるプログラミング・コンデンサ１２４の
構造の双方を封止する。絶縁層７８内のメタライゼーシ
ョン領域１７１は、ウエル１４２内の接触領域を電気的
に結合し、プログラミング・コンデンサ１２２の第２電
極として機能する。メタライゼーション領域１７１は、
行プログラミング端子１２１に結合されている。絶縁層
７８内のメタライゼーション領域１７３は、ウエル１４
４内の接触領域を電気的に結合し、プログラミング・コ
ンデンサ１２４の第２電極として機能する。メタライゼ
ーション領域１７３は、列プログラミング端子１２３に
結合されている。
１００の断面図である。図２に示したＮＶＭセル１０と
同様、ＮＶＭセル１００は、例えば、シリコン基板３５
のような半導体物質の本体上に作成する。ＮＶＭセル１
００の構造は、図２に示したＮＶＭセル１０と類似して
いる。ＮＶＭセル１００とＮＶＭセル１０との構造上の
相違は、ＮＶＭセル１００は、ｎ導電型の２つのウエル
１４２，１４４内に作成された２つのプログラミング・
コンデンサ１２２，１２４を有する点にある。プログラ
ミング・コンデンサ１２２は、主面３６上に、ウエル１
４２の上に位置する誘電体層１５２を有する。ｐ導電型
のドープ領域１６２およびｎ導電型のドープ領域１６３
が、プログラミング・コンデンサ１２２の接触領域を形
成する。プログラミング・コンデンサ１２４は、主面３
６上に、ウエル１４４の上に位置する誘電体層１５４を
有する。ｐ導電型のドープ領域１６４およびｎ導電型の
ドープ領域１６５が、プログラミング・コンデンサ１２
４の接触領域を形成する。一実施例では、誘電体層１５
２，１５４は、ＦＥＴ１２，１４の各ゲート誘電体層５
２，５４を形成するのと同じプロセス工程を用いて、誘
電体層５１から形成する。他の実施例では、誘電体層１
５２，１５４は、誘電体層５１とは異なる誘電体層（図
示せず）を用いて形成する。ｐ導電型のドープ領域１６
２，１６４は、好ましくは、ＦＥＴ１２のソース領域６
２およびドレイン領域６３と同じプロセス工程を用いて
形成する。同様に、ｎ導電型のドープ領域１６３，１６
５は、好ましくは、ＦＥＴ１４のソース領域６４および
ドレイン領域６５と同じプロセスを用いて形成する。Ｆ
ＥＴ１２，１４のフローティング・ゲート１５（図５に
示す）を形成する導電層６１も、誘電体層１５２，１５
４の上に位置する。好ましくは、絶縁層７６は、誘電体
層１５２およびその上にある導電層６１の部分によって
形成されるプログラミング・コンデンサ１２２の構造，
誘電体層１５４およびその上にある導電層６１の部分に
よって形成されるプログラミング・コンデンサ１２４の
構造の双方を封止する。絶縁層７８内のメタライゼーシ
ョン領域１７１は、ウエル１４２内の接触領域を電気的
に結合し、プログラミング・コンデンサ１２２の第２電
極として機能する。メタライゼーション領域１７１は、
行プログラミング端子１２１に結合されている。絶縁層
７８内のメタライゼーション領域１７３は、ウエル１４
４内の接触領域を電気的に結合し、プログラミング・コ
ンデンサ１２４の第２電極として機能する。メタライゼ
ーション領域１７３は、列プログラミング端子１２３に
結合されている。
【００３７】図６に示すように、ＮＶＭセル１００は単
一の導電層６１を含む。したがって、ＮＶＭセル１００
は、単一レベル・ゲート不揮発性メモリ・セルまたは単
一ポリ不揮発性メモリ・セルとも呼ばれる。ＮＶＭセル
１００は、当技術では既知のＣＭＯＳ技術を用いて製造
することができる。ＮＶＭセル１００の消去および読み
出しを行うプロセスは、既に説明した図１および図２の
ＮＶＭセル１０の消去および読み出しをそれぞれ行うプ
ロセスと同様である。ＮＶＭセル１００をプログラムす
るプロセスは、ハーフ・セレクト機構(half-select mec
hanism) と呼ばれる機構を用いて実施する。これについ
ては、以下で説明する。
一の導電層６１を含む。したがって、ＮＶＭセル１００
は、単一レベル・ゲート不揮発性メモリ・セルまたは単
一ポリ不揮発性メモリ・セルとも呼ばれる。ＮＶＭセル
１００は、当技術では既知のＣＭＯＳ技術を用いて製造
することができる。ＮＶＭセル１００の消去および読み
出しを行うプロセスは、既に説明した図１および図２の
ＮＶＭセル１０の消去および読み出しをそれぞれ行うプ
ロセスと同様である。ＮＶＭセル１００をプログラムす
るプロセスは、ハーフ・セレクト機構(half-select mec
hanism) と呼ばれる機構を用いて実施する。これについ
ては、以下で説明する。
【００３８】図７は、本発明の第４実施例によるＮＶＭ
セル２００のブロック図である。ＮＶＭ素子２００は、
行と列に配列されたＮＶＭセルのアレイを含む。好まし
くは、ＮＶＭ素子２００内のＮＶＭセルは、図５および
図６に示したＮＶＭセル１００と構造的に同一とする。
図７は、３行および３列に配列した９つのＮＶＭセルを
有するＮＶＭ素子２００を示す。しかしながら、これ
は、本発明の限定ではない。本発明によれば、ＮＶＭ素
子２００は、あらゆる数の行およびあらゆる数の列に配
列したＮＶＭセルのアレイでも含むことが可能である。
セル２００のブロック図である。ＮＶＭ素子２００は、
行と列に配列されたＮＶＭセルのアレイを含む。好まし
くは、ＮＶＭ素子２００内のＮＶＭセルは、図５および
図６に示したＮＶＭセル１００と構造的に同一とする。
図７は、３行および３列に配列した９つのＮＶＭセルを
有するＮＶＭ素子２００を示す。しかしながら、これ
は、本発明の限定ではない。本発明によれば、ＮＶＭ素
子２００は、あらゆる数の行およびあらゆる数の列に配
列したＮＶＭセルのアレイでも含むことが可能である。
【００３９】ＮＶＭ素子２００内のＮＶＭセルは、それ
らの位置、例えば、アレイ内におけるそれらの行番号お
よび列番号によってアドレスされる。第１行には、ＮＶ
Ｍセル１１０，１２０，１３０が、第１，第２，および
第３列にそれぞれ配置されている。第２行には、ＮＶＭ
セル２１０，２２０，２３０が、第１，第２，および第
３列にそれぞれ配置されている。第３行には、ＮＶＭセ
ル３１０，３２０，３３０が、第１，第２，および第３
列にそれぞれ配置されている。
らの位置、例えば、アレイ内におけるそれらの行番号お
よび列番号によってアドレスされる。第１行には、ＮＶ
Ｍセル１１０，１２０，１３０が、第１，第２，および
第３列にそれぞれ配置されている。第２行には、ＮＶＭ
セル２１０，２２０，２３０が、第１，第２，および第
３列にそれぞれ配置されている。第３行には、ＮＶＭセ
ル３１０，３２０，３３０が、第１，第２，および第３
列にそれぞれ配置されている。
【００４０】ＮＶＭ素子２００のプログラムは、行プロ
グラミング・ライン２０１，２０３，２０５および列プ
ログラミング・ライン２０２，２０４，２０６を通じて
行われる。行プログラミング・ライン２０１は、第１行
内のＮＶＭセル１１０，１２０，１３０の行プログラミ
ング端子に接続されている。行プログラミング・ライン
２０３は、第２行内のＮＶＭセル２１０，２２０，２３
０の行プログラミング端子に接続されている。行プログ
ラミング・ライン２０５は、第３行内のＮＶＭセル３１
０，３２０，３３０の行プログラミング端子に接続され
ている。列プログラミング・ライン２０２は、第１列内
のＮＶＭセル１１０，２１０，３１０の列プログラミン
グ端子に接続されている。列プログラミング・ライン２
０４は、第２列内のＮＶＭセル１２０，２２０，３２０
の列プログラミング端子に接続されている。列プログラ
ミング・ライン２０６は、第３列内のＮＶＭセル１３
０，２３０，３３０の列プログラミング・端子に接続さ
れている。
グラミング・ライン２０１，２０３，２０５および列プ
ログラミング・ライン２０２，２０４，２０６を通じて
行われる。行プログラミング・ライン２０１は、第１行
内のＮＶＭセル１１０，１２０，１３０の行プログラミ
ング端子に接続されている。行プログラミング・ライン
２０３は、第２行内のＮＶＭセル２１０，２２０，２３
０の行プログラミング端子に接続されている。行プログ
ラミング・ライン２０５は、第３行内のＮＶＭセル３１
０，３２０，３３０の行プログラミング端子に接続され
ている。列プログラミング・ライン２０２は、第１列内
のＮＶＭセル１１０，２１０，３１０の列プログラミン
グ端子に接続されている。列プログラミング・ライン２
０４は、第２列内のＮＶＭセル１２０，２２０，３２０
の列プログラミング端子に接続されている。列プログラ
ミング・ライン２０６は、第３列内のＮＶＭセル１３
０，２３０，３３０の列プログラミング・端子に接続さ
れている。
【００４１】アレイ内のメモリ・セル、例えば、ＮＶＭ
セル２２０を電気的にプログラムするには、行プログラ
ミング・ライン２０１，２０５および列プログラミング
・ライン２０２，２０６を基準電圧レベル、例えば、接
地電圧レベルに結合する。アレイ内の各ＮＶＭセルの消
去端子，基板端子，およびソース端子も、接地に結合す
る。行プログラミング・ライン２０３および列プログラ
ミング・ライン２０４にプログラミング電圧を印加す
る。
セル２２０を電気的にプログラムするには、行プログラ
ミング・ライン２０１，２０５および列プログラミング
・ライン２０２，２０６を基準電圧レベル、例えば、接
地電圧レベルに結合する。アレイ内の各ＮＶＭセルの消
去端子，基板端子，およびソース端子も、接地に結合す
る。行プログラミング・ライン２０３および列プログラ
ミング・ライン２０４にプログラミング電圧を印加す
る。
【００４２】プログラミング・プロセスの間、ＮＶＭセ
ル１１０，１３０，３１０，３３０の行プログラミング
端子および列プログラミング端子は、接地電圧レベルに
ある。したがって、ＮＶＭセル１１０，１３０，３１
０，３３０は、ＮＶＭセル２２０をプログラムするプロ
セスには関与しない。
ル１１０，１３０，３１０，３３０の行プログラミング
端子および列プログラミング端子は、接地電圧レベルに
ある。したがって、ＮＶＭセル１１０，１３０，３１
０，３３０は、ＮＶＭセル２２０をプログラムするプロ
セスには関与しない。
【００４３】ＮＶＭセル２２０と同じ行内にある、ＮＶ
Ｍセル２１０，２３０は、それらの行プログラミング端
子がプログラミング電圧レベルにあり、それらの列プロ
グラミング端子が接地電圧レベルにある。ＮＶＭセル２
１０，２３０の各々では、プログラミング電圧は、プロ
グラミング・コンデンサ１２２（図５に示した），なら
びにプログラミング・コンデンサ１２４，ＦＥＴ１２の
ゲート・コンデンサ，ＦＥＴ１４のゲート・コンデン
サ，および消去コンデンサ２６（図５に示した）の並列
結合を含む等価コンデンサの間で容量的に分割される。
これらの各キャパシタンス値のために、ＦＥＴ１２のゲ
ート誘電体層５２，ＦＥＴ１４のゲート誘電体層５４，
および消去コンデンサ２６（図６に示した）の誘電体層
５６の間の電圧は、プログラミング電圧よりも大幅に低
くなっている。例えば、ＦＥＴ１２のゲート誘電体層５
２，ＦＥＴ１４のゲート誘電体層５４，および消去コン
デンサ２６（図６に示した）の誘電体層５６の間の電圧
は、プログラミング電圧の半分にほぼ等しい場合もあ
る。好ましくは、重大なトンネリングが発生しないよう
に、この電圧を十分に低くする。したがって、ＮＶＭセ
ル２１０，２３０は、ＮＶＭ素子２００内のＮＶＭセル
２２０をプログラムするプロセスには関与しない。
Ｍセル２１０，２３０は、それらの行プログラミング端
子がプログラミング電圧レベルにあり、それらの列プロ
グラミング端子が接地電圧レベルにある。ＮＶＭセル２
１０，２３０の各々では、プログラミング電圧は、プロ
グラミング・コンデンサ１２２（図５に示した），なら
びにプログラミング・コンデンサ１２４，ＦＥＴ１２の
ゲート・コンデンサ，ＦＥＴ１４のゲート・コンデン
サ，および消去コンデンサ２６（図５に示した）の並列
結合を含む等価コンデンサの間で容量的に分割される。
これらの各キャパシタンス値のために、ＦＥＴ１２のゲ
ート誘電体層５２，ＦＥＴ１４のゲート誘電体層５４，
および消去コンデンサ２６（図６に示した）の誘電体層
５６の間の電圧は、プログラミング電圧よりも大幅に低
くなっている。例えば、ＦＥＴ１２のゲート誘電体層５
２，ＦＥＴ１４のゲート誘電体層５４，および消去コン
デンサ２６（図６に示した）の誘電体層５６の間の電圧
は、プログラミング電圧の半分にほぼ等しい場合もあ
る。好ましくは、重大なトンネリングが発生しないよう
に、この電圧を十分に低くする。したがって、ＮＶＭセ
ル２１０，２３０は、ＮＶＭ素子２００内のＮＶＭセル
２２０をプログラムするプロセスには関与しない。
【００４４】ＮＶＭセル２２０と同じ列にある、ＮＶＭ
セル１２０，３２０は、それらの行プログラミング端子
が接地電圧レベルにあり、それらの列プログラミング端
子がプログラミング電圧レベルにある。ＮＶＭセル１２
０，３２０の各々では、プログラミング電圧は、プログ
ラミング・コンデンサ１２４（図５に示した），ならび
にプログラミング・コンデンサ１２２，ＦＥＴ１２のゲ
ート・コンデンサ，ＦＥＴ１４のゲート・コンデンサ，
および消去コンデンサ２６（図５に示した）の並列結合
を含む等価コンデンサの間で容量的に分割される。これ
らの各キャパシタンス値のために、ＦＥＴ１２のゲート
誘電体層５２，ＦＥＴ１４のゲート誘電体層５４，およ
び消去コンデンサ２６（図６に示した）の誘電体層５６
の間の電圧は、プログラミング電圧よりも大幅に低くな
っている。例えば、ＦＥＴ１２のゲート誘電体層５２，
ＦＥＴ１４のゲート誘電体層５４，および消去コンデン
サ２６（図６に示した）の誘電体層５６の間の電圧は、
プログラミング電圧の半分にほぼ等しい場合もある。好
ましくは、重大なトンネリングが発生しないように、こ
の電圧を十分に低くする。したがって、ＮＶＭセル１２
０，３２０は、ＮＶＭ素子２００内のＮＶＭセル２２０
をプログラムするプロセスには関与しない。ＮＶＭセル
２２０では、プログラミング電圧は２つの等価なコンデ
ンサ間で容量的に分割される。第１の等価コンデンサ
は、並列に結合されたプログラミング・コンデンサ１２
２，１２４（図５に示した）を含み、第２の等価コンデ
ンサは、並列に結合された、ＦＥＴ１２のゲート・コン
デンサ，ＦＥＴ１４のゲート・コンデンサ，および消去
コンデンサ２６（図５に示した）を含む。これらの各キ
ャパシタンス値のために、ＦＥＴ１２の誘電体層５２，
ＦＥＴ１４のゲート誘電体層５４，および消去コンデン
サ２６（図６に示した）の誘電体層５６にかかるプログ
ラミング電圧の部分は、プログラミング・コンデンサ１
２２の誘電体層１５２およびプログラミング・コンデン
サ１２４（図６に示した）の誘電体層１５４にかかるプ
ログラミング電圧の部分よりも大きい。ＦＥＴ１２，１
４の各ゲート誘電体層５２，５４の下、および消去コン
デンサ２６の誘電体層５６の下にある電荷キャリア、例
えば、電子は、フローティング・ゲート１５における高
電圧によって引き寄せられる。ファウラー−ノルトハイ
ム・トンネリング・プロセスにおいて、電荷キャリア
は、ゲート誘電体層５２，ゲート誘電体層５４，および
誘電体層５６を横切って、導電層６１の対応する部分に
注入される。フローティング・ゲート１５は負に荷電さ
れる。プログラミング電圧がＮＶＭ素子２００から除去
された後、注入されたキャリアは導電層６１に残り、フ
ローティング・ゲート１５は負に荷電されたままとな
る。したがって、第１論理値、例えば、論理１がＮＶＭ
セル２２０に格納される。即ち、ＮＶＭセル２２０はプ
ログラムされる。
セル１２０，３２０は、それらの行プログラミング端子
が接地電圧レベルにあり、それらの列プログラミング端
子がプログラミング電圧レベルにある。ＮＶＭセル１２
０，３２０の各々では、プログラミング電圧は、プログ
ラミング・コンデンサ１２４（図５に示した），ならび
にプログラミング・コンデンサ１２２，ＦＥＴ１２のゲ
ート・コンデンサ，ＦＥＴ１４のゲート・コンデンサ，
および消去コンデンサ２６（図５に示した）の並列結合
を含む等価コンデンサの間で容量的に分割される。これ
らの各キャパシタンス値のために、ＦＥＴ１２のゲート
誘電体層５２，ＦＥＴ１４のゲート誘電体層５４，およ
び消去コンデンサ２６（図６に示した）の誘電体層５６
の間の電圧は、プログラミング電圧よりも大幅に低くな
っている。例えば、ＦＥＴ１２のゲート誘電体層５２，
ＦＥＴ１４のゲート誘電体層５４，および消去コンデン
サ２６（図６に示した）の誘電体層５６の間の電圧は、
プログラミング電圧の半分にほぼ等しい場合もある。好
ましくは、重大なトンネリングが発生しないように、こ
の電圧を十分に低くする。したがって、ＮＶＭセル１２
０，３２０は、ＮＶＭ素子２００内のＮＶＭセル２２０
をプログラムするプロセスには関与しない。ＮＶＭセル
２２０では、プログラミング電圧は２つの等価なコンデ
ンサ間で容量的に分割される。第１の等価コンデンサ
は、並列に結合されたプログラミング・コンデンサ１２
２，１２４（図５に示した）を含み、第２の等価コンデ
ンサは、並列に結合された、ＦＥＴ１２のゲート・コン
デンサ，ＦＥＴ１４のゲート・コンデンサ，および消去
コンデンサ２６（図５に示した）を含む。これらの各キ
ャパシタンス値のために、ＦＥＴ１２の誘電体層５２，
ＦＥＴ１４のゲート誘電体層５４，および消去コンデン
サ２６（図６に示した）の誘電体層５６にかかるプログ
ラミング電圧の部分は、プログラミング・コンデンサ１
２２の誘電体層１５２およびプログラミング・コンデン
サ１２４（図６に示した）の誘電体層１５４にかかるプ
ログラミング電圧の部分よりも大きい。ＦＥＴ１２，１
４の各ゲート誘電体層５２，５４の下、および消去コン
デンサ２６の誘電体層５６の下にある電荷キャリア、例
えば、電子は、フローティング・ゲート１５における高
電圧によって引き寄せられる。ファウラー−ノルトハイ
ム・トンネリング・プロセスにおいて、電荷キャリア
は、ゲート誘電体層５２，ゲート誘電体層５４，および
誘電体層５６を横切って、導電層６１の対応する部分に
注入される。フローティング・ゲート１５は負に荷電さ
れる。プログラミング電圧がＮＶＭ素子２００から除去
された後、注入されたキャリアは導電層６１に残り、フ
ローティング・ゲート１５は負に荷電されたままとな
る。したがって、第１論理値、例えば、論理１がＮＶＭ
セル２２０に格納される。即ち、ＮＶＭセル２２０はプ
ログラムされる。
【００４５】尚、ＮＶＭ素子２００内のＮＶＭセルは、
ホット・キャリア注入プロセスによってプログラムする
ことも可能であることは理解されよう。ホット・キャリ
ア注入プロセスによってＮＶＭ素子２００内のＮＶＭセ
ルをプログラムする際、ＮＶＭセル内のｎ−チャネルＦ
ＥＴは逆モードで動作する。図１および図２に示したＮ
ＶＭセル１０を参照しながら先に説明したホット・キャ
リア注入プロセスと同様、ｎ−チャネルＦＥＴのチャネ
ル領域から、ＮＶＭ素子２００内のＮＶＭセルのフロー
ティング・ゲートに、キャリア、例えば、電子が注入さ
れる。
ホット・キャリア注入プロセスによってプログラムする
ことも可能であることは理解されよう。ホット・キャリ
ア注入プロセスによってＮＶＭ素子２００内のＮＶＭセ
ルをプログラムする際、ＮＶＭセル内のｎ−チャネルＦ
ＥＴは逆モードで動作する。図１および図２に示したＮ
ＶＭセル１０を参照しながら先に説明したホット・キャ
リア注入プロセスと同様、ｎ−チャネルＦＥＴのチャネ
ル領域から、ＮＶＭ素子２００内のＮＶＭセルのフロー
ティング・ゲートに、キャリア、例えば、電子が注入さ
れる。
【００４６】以上の説明から、電気的消去可能およびプ
ログラム可能ＮＶＭ素子ならびに当該ＮＶＭ素子にアク
セスする方法が提供されたことが認められよう。このＮ
ＶＭ素子は、共通のフローティング・ゲートを共有す
る、２つのフローティング・ゲートＦＥＴを含む。ま
た、ＮＶＭ素子は、フローティング・ゲートに結合され
た、プログラミング・コンデンサおよび消去コンデンサ
も含む。このＮＶＭ素子の製造プロセスは、既存のＣＭ
ＯＳ製造プロセスと適合性があり、スケール・ダウンし
たＦＥＴを用いる新しいプロセスにおいて容易に実施す
ることができる。ＮＶＭ素子は、電荷をフローティング
・ゲートに向けて移動させる、あるいはフローティング
・ゲートから遠ざけるように移動させることによって、
そのプログラムおよび消去を行う。本発明によれば、Ｆ
ＥＴのブレークダウン電圧は、プログラミング・プロセ
スおよび消去プロセスの間、バイアス電圧には殆ど制限
を強いない。したがって、従来技術のＮＶＭ素子と比較
して、ＮＶＭ素子の信頼性およびシリコン面積の効率が
向上する。また、プログラミング・プロセスおよび消去
プロセスの時間効率も改善される。ＮＶＭ素子からデー
タを読み出す場合、ＮＶＭ素子はＣＭＯＳ反転器のよう
に動作し、反転器の出力における電圧は、論理ハイ電圧
レベルに引き上げられるか、あるいは論理ロー電圧レベ
ルに引き下げられる。したがって、センス・アンプを用
いることなく、ＮＶＭ素子からデータが読み出される。
センス・アンプを含む従来技術のメモリ素子と比較する
と、本発明のＮＶＭ素子は、簡単であり、製造が容易で
あり、シリコン面積効率が高い。加えて、本発明のＮＶ
Ｍ素子は、電力効率も高く、低電力用途に適している。
ログラム可能ＮＶＭ素子ならびに当該ＮＶＭ素子にアク
セスする方法が提供されたことが認められよう。このＮ
ＶＭ素子は、共通のフローティング・ゲートを共有す
る、２つのフローティング・ゲートＦＥＴを含む。ま
た、ＮＶＭ素子は、フローティング・ゲートに結合され
た、プログラミング・コンデンサおよび消去コンデンサ
も含む。このＮＶＭ素子の製造プロセスは、既存のＣＭ
ＯＳ製造プロセスと適合性があり、スケール・ダウンし
たＦＥＴを用いる新しいプロセスにおいて容易に実施す
ることができる。ＮＶＭ素子は、電荷をフローティング
・ゲートに向けて移動させる、あるいはフローティング
・ゲートから遠ざけるように移動させることによって、
そのプログラムおよび消去を行う。本発明によれば、Ｆ
ＥＴのブレークダウン電圧は、プログラミング・プロセ
スおよび消去プロセスの間、バイアス電圧には殆ど制限
を強いない。したがって、従来技術のＮＶＭ素子と比較
して、ＮＶＭ素子の信頼性およびシリコン面積の効率が
向上する。また、プログラミング・プロセスおよび消去
プロセスの時間効率も改善される。ＮＶＭ素子からデー
タを読み出す場合、ＮＶＭ素子はＣＭＯＳ反転器のよう
に動作し、反転器の出力における電圧は、論理ハイ電圧
レベルに引き上げられるか、あるいは論理ロー電圧レベ
ルに引き下げられる。したがって、センス・アンプを用
いることなく、ＮＶＭ素子からデータが読み出される。
センス・アンプを含む従来技術のメモリ素子と比較する
と、本発明のＮＶＭ素子は、簡単であり、製造が容易で
あり、シリコン面積効率が高い。加えて、本発明のＮＶ
Ｍ素子は、電力効率も高く、低電力用途に適している。
【００４７】以上、本発明の特定実施例について示しか
つ説明したが、更に別の変更や改良も当業者には想起さ
れよう。例えば、トレンチ，高濃度にドープしたシンカ
(sinker)，および／または高濃度にドープした埋め込み
層を用いて、ＮＶＭ素子の個々の素子間に信号分離を設
けることが可能である。更に、ＮＶＭ素子は、ｎ導電性
の半導体基板を用いて製造することも可能である。ま
た、ＮＶＭ素子は、エピタキシャル成長させた半導体層
または絶縁物上シリコン（ＳＯＩ）基板を用いて製造す
ることも可能である。
つ説明したが、更に別の変更や改良も当業者には想起さ
れよう。例えば、トレンチ，高濃度にドープしたシンカ
(sinker)，および／または高濃度にドープした埋め込み
層を用いて、ＮＶＭ素子の個々の素子間に信号分離を設
けることが可能である。更に、ＮＶＭ素子は、ｎ導電性
の半導体基板を用いて製造することも可能である。ま
た、ＮＶＭ素子は、エピタキシャル成長させた半導体層
または絶縁物上シリコン（ＳＯＩ）基板を用いて製造す
ることも可能である。
【図１】本発明の第１実施例によるメモリ素子を示す
図。
図。
【図２】本発明の第１実施例によるメモリ素子を示す
図。
図。
【図３】本発明の第２実施例によるメモリ素子を示す
図。
図。
【図４】本発明の第２実施例によるメモリ素子を示す
図。
図。
【図５】本発明の第３実施例によるメモリ素子を示す
図。
図。
【図６】本発明の第３実施例によるメモリ素子を示す
図。
図。
【図７】本発明の第４実施例によるメモリ素子を示す
図。
図。
１０ ＮＶＭセル １２，１４ フローティング・ゲート・トランジスタ １５ フローティング・ゲート １６ 第１ソース端子 １８ 第２ソース端子 ２２ 第１基板端子 ２４ 第２基板端子 ２６ 消去コンデンサ ２７ 消去端子 ２８ プログラミング・コンデンサ ２９ プログラミング端子 ３５ シリコン基板 ３６ 主面 ４２，４６，４８ ｎ導電型ウエル ４９ フィールド酸化物領域 ５１ 二酸化シリコン層 ５２，５４ ゲート誘電体層 ５６，５８ 誘電体層 ６１ 導電層 ６２ ソース領域 ６３，６５ ドレイン領域 ６４ ソース領域 ６６，６８ ｐ導電型ドープ領域 ６７，６９ ｎ導電型ドープ領域 ７２，７４ 基板接触領域 ７３，７５ チャネル領域 ７６，７８ 絶縁層 ８１〜８９ メタライゼーション領域 ９０ ＮＶＭセル １００ ＮＶＭセル １１０，１２０，１３０ ＮＶＭセル １２２，１２４ プログラミング・コンデンサ １４２，１４４ ウエル １５２，１５４ 誘電体層 １６２，１６４ ｐ導電型ドープ領域 １６３，１６５ ｎ導電型ドープ領域 １７３ メタライゼーション領域 ２００ ＮＶＭセル ２１０，２２０，２３０ ＮＶＭセル ３１０，３２０，３３０ ＮＶＭセル ２０１，２０３，２０５ 行プログラミング・ライン ２０２，２０４，２０６ 列プログラミング・ライン
Claims (5)
- 【請求項１】単一レベル・ゲート不揮発性メモリ素子で
あって：フローティング・ゲート，第１電流導通電極，
および第２電流導通電極を有する第１フローティング・
ゲート・トランジスタ；前記第１フローティング・ゲー
ト・トランジスタの前記フローティング・ゲートに結合
されているフローティング・ゲート，第１電流導通電
極，および前記第１フローティング・ゲート・トランジ
スタの前記第２電流導通電極に結合された第２電流導通
電極を有する第２フローティング・ゲート・トランジス
タ；および前記第１フローティング・ゲート・トランジ
スタの前記フローティング・ゲートに結合されている電
極を有する消去コンデンサ；から成ることを特徴とする
単一レベル・ゲート不揮発性メモリ素子。 - 【請求項２】単一レベル・ゲート不揮発性メモリ素子で
あって：主面を有する半導体物質の本体；前記半導体物
質の本体内にある第１導電型の第１ウエル；前記半導体
物質の本体内にある前記第１導電型の第２ウエル；前記
第１ウエル内にある第２導電型の第１ソース領域；前記
第１ウエル内にある前記第２導電型の第１ドレイン領
域；前記第１ウエル内にあり、前記第１ドレイン領域か
ら前記第１ソース領域を分離する第１チャネル領域；前
記第１チャネル領域の上に位置する第１ゲート誘電体
層；前記第１ウエルおよび前記第２ウエルの外側の、前
記半導体物質の本体の部分にある、前記第１導電型の第
２ソース領域；前記半導体物質の本体の前記部分内にあ
り、前記第１ドレイン領域に電気的に結合されている前
記第１導電型の第２ドレイン領域；前記半導体物質の本
体の前記部分内にあり、前記第２ドレイン領域から前記
第２ソース領域を分離する第２チャネル領域；前記第２
チャネル領域の上に位置する第２ゲート誘電体層；前記
第２ウエルの上に位置する第１誘電体層；前記第２ウエ
ル内にある第１接触領域；および前記半導体の本体上に
ある導電層であって、該導電層の第１部分は前記第１ゲ
ート誘電体層の上に位置し、前記導電層の第２部分は前
記第２ゲート誘電体層の上に位置し前記導電層の前記第
１部分に電気的に結合され、前記導電層の第３部分は前
記第１誘電体層の上に位置し前記導電層の前記第１部分
に電気的に結合されている導電層；から成り、前記第１
ソース領域，前記第１チャネル領域，前記第１ドレイン
領域，前記第１ゲート誘電体層，および前記導電層の前
記第１部分は、第１フローティング・ゲート電界効果ト
ランジスタを形成し、前記第２ソース領域，前記第２チ
ャネル領域，前記第２ドレイン領域，前記第２ゲート誘
電体層，および前記導電層の前記第２部分は、第２フロ
ーティング・ゲート電界効果トランジスタを形成し、前
記第１接触領域，前記第２ウエル，前記第２誘電体層，
および前記導電層の前記第３部分は、消去コンデンサを
形成することを特徴とする単一レベル・ゲート不揮発性
メモリ素子。 - 【請求項３】前記第１ソース領域の外側の前記第１ウエ
ルの部分，前記第１チャネル領域，および前記第１ドレ
イン領域の上に位置する第２誘電体層であって、前記導
電層の第４部分が前記第２誘電体層の上に位置し、前記
導電層の前記第１部分に電気的に結合されている第２誘
電体層；および前記第１ウエル内にあり、前記第１ソー
ス領域，前記第１チャネル領域，および前記第１ドレイ
ン領域から分離された第２接触領域であって、前記第２
接触領域，前記第１ウエル，前記第２誘電体層，および
前記導電層の前記第４部分はプログラミング・コンデン
サを形成する第２接触領域；を更に含むことを特徴とす
る請求項２記載の単一レベル・ゲート不揮発性メモリ素
子。 - 【請求項４】前記半導体物質の本体内にある、前記第１
導電型の第３ウエル；前記第３ウエルの上に位置する第
２誘電体層であって、前記導電層の第４部分が前記第２
誘電体層の上に位置し、前記導電層の前記第１部分に電
気的に結合されている第２誘電体層；および前記第３ウ
エル内にある第２接触領域であって、該第２接触領域，
前記第３ウエル，前記第２誘電体層，および前記導電層
の前記第４部分は第１プログラミング・コンデンサを形
成する第２接触領域；を更に含むことを特徴とする請求
項２記載の単一レベル・ゲート不揮発性メモリ素子。 - 【請求項５】前記半導体物質の本体内にある、前記第１
導電型の第４ウエル；前記第４ウエルの上に位置する第
３誘電体であって、前記導電層の第５部分が前記第３誘
電体層の上に位置し、前記導電層の前記第１部分に電気
的に結合されている第３誘電体；および前記第４ウエル
内にある第３接触領域であって、該第３接触領域，前記
第４ウエル，前記第３誘電体層，および前記導電層の前
記第５部分は第２プログラミング・コンデンサを形成す
る第３接触領域；を更に含むことを特徴とする請求項４
記載の単一レベル・ゲート不揮発性メモリ素子。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US853601 | 1986-04-18 | ||
| US08/853,601 US5892709A (en) | 1997-05-09 | 1997-05-09 | Single level gate nonvolatile memory device and method for accessing the same |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10335505A true JPH10335505A (ja) | 1998-12-18 |
| JP4463334B2 JP4463334B2 (ja) | 2010-05-19 |
Family
ID=25316478
Family Applications (1)
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