JPH10333106A - 半導体マハツェンダ変調器とその製造方法 - Google Patents
半導体マハツェンダ変調器とその製造方法Info
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- JPH10333106A JPH10333106A JP9138505A JP13850597A JPH10333106A JP H10333106 A JPH10333106 A JP H10333106A JP 9138505 A JP9138505 A JP 9138505A JP 13850597 A JP13850597 A JP 13850597A JP H10333106 A JPH10333106 A JP H10333106A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】単一ドライバでプッシュプル駆動可能な半導体
マハツェンダ変調器を提供する。 【解決手段】一方の位相変調器のうちｎ型ＩｎＰクラッ
ド層２−１ａが他方の位相変調器のｐ型ＩｎＰクラッド
層４−２に電気的に接続されており、一方の位相変調器
のｐ型コンタクト層（キャップ層５−１）にはＶπなる
バイアスが恒常的に印加されており、他方の位相変調器
のｎ型クラッド層２−２ａは接地されている。ｎ型Ｉｎ
Ｐクラッド層２−１ａとＩｎＰクラッド層４−２の接続
点（１３−２）にＶπ／２−Ｖπなる駆動信号を入力す
る。駆動信号がＶπ／２（又はＶπ）の時には一方の位
相変調器に印加される電圧はＶπ／２（又は０）で、他
方の位相変調器に印加される電圧はＶπ／２（又はＶ
π）であるため、両者の位相差は０（又はπ）であり、
光ＯＮ（ＯＦＦ）の状態が得られる。
マハツェンダ変調器を提供する。 【解決手段】一方の位相変調器のうちｎ型ＩｎＰクラッ
ド層２−１ａが他方の位相変調器のｐ型ＩｎＰクラッド
層４−２に電気的に接続されており、一方の位相変調器
のｐ型コンタクト層（キャップ層５−１）にはＶπなる
バイアスが恒常的に印加されており、他方の位相変調器
のｎ型クラッド層２−２ａは接地されている。ｎ型Ｉｎ
Ｐクラッド層２−１ａとＩｎＰクラッド層４−２の接続
点（１３−２）にＶπ／２−Ｖπなる駆動信号を入力す
る。駆動信号がＶπ／２（又はＶπ）の時には一方の位
相変調器に印加される電圧はＶπ／２（又は０）で、他
方の位相変調器に印加される電圧はＶπ／２（又はＶ
π）であるため、両者の位相差は０（又はπ）であり、
光ＯＮ（ＯＦＦ）の状態が得られる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、光通信システムや
光情報処理システムにおいて重要なエレメントとなる光
変調器に関し、特に単一ドライバでプッシュプル駆動可
能なマハツェンダ変調器とその製造方法に関する。
光情報処理システムにおいて重要なエレメントとなる光
変調器に関し、特に単一ドライバでプッシュプル駆動可
能なマハツェンダ変調器とその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、光通信技術は益々高ビットレート
化している。光通信システムにおいて、世界的（特に北
米）に広く敷設されている光ファイバは１．３μｍ帯で
零分散となるファイバであり、このファイバでは損失最
小となる波長は１．５５μｍ帯である。光通信システム
においては、従来、半導体レーザ直接変調方式が使用さ
れている。ところが、この半導体レーザ直接変調方式で
は、１．３μｍ零分散ファイバに１．５５μｍ帯の高ビ
ットレートの光信号を伝搬させると分散により波長チャ
ーピングが生じ、波形が歪む。その歪み具合は、一般的
にはおよそビットレートの自乗と距離の積に比例する。
この波長チャーピングの問題は、半導体レーザを一定光
出力の光源として用い、この半導体レーザの出射光を別
の光変調器によって変調する外部変調方式を採用するこ
とにより解決できる。そのため、近年外部変調器の開発
が活発化している。
化している。光通信システムにおいて、世界的（特に北
米）に広く敷設されている光ファイバは１．３μｍ帯で
零分散となるファイバであり、このファイバでは損失最
小となる波長は１．５５μｍ帯である。光通信システム
においては、従来、半導体レーザ直接変調方式が使用さ
れている。ところが、この半導体レーザ直接変調方式で
は、１．３μｍ零分散ファイバに１．５５μｍ帯の高ビ
ットレートの光信号を伝搬させると分散により波長チャ
ーピングが生じ、波形が歪む。その歪み具合は、一般的
にはおよそビットレートの自乗と距離の積に比例する。
この波長チャーピングの問題は、半導体レーザを一定光
出力の光源として用い、この半導体レーザの出射光を別
の光変調器によって変調する外部変調方式を採用するこ
とにより解決できる。そのため、近年外部変調器の開発
が活発化している。
【０００３】ところで、外部変調器の中でも吸収型変調
器は半導体レーザに比べると波長チャーピングは小さい
が、それでも零ではない。一方、光の干渉を動作原理と
して用いるマハツェンダ（以下ＭＺと略記する）変調器
を外部変調器として用いた場合、これをプッシュプル変
調すると原理的に波長チャーピングを零にする事ができ
将来の超高速・長距離光通信用外部変調器として大きな
期待がかけられている。従来のＭＺ変調器としてはＬｉ
ＮｂＯ3 等の誘電体を用いたものがある。
器は半導体レーザに比べると波長チャーピングは小さい
が、それでも零ではない。一方、光の干渉を動作原理と
して用いるマハツェンダ（以下ＭＺと略記する）変調器
を外部変調器として用いた場合、これをプッシュプル変
調すると原理的に波長チャーピングを零にする事ができ
将来の超高速・長距離光通信用外部変調器として大きな
期待がかけられている。従来のＭＺ変調器としてはＬｉ
ＮｂＯ3 等の誘電体を用いたものがある。
【０００４】しかし、半導体レーザや半導体光増幅器等
の光素子、ＦＥＴ等の電子回路素子との集積化が可能
で、小型化・低消費電力化の点を考えると半導体ＭＺ変
調器の方が有利と考えられる。このような半導体ＭＺ変
調器の従来例としては、１９９３年電子情報通信学会春
季大会講演論文集第４−１８６頁（講演番号Ｃ−１５
０）に報告例がある。この報告例にある従来の半導体Ｍ
Ｚ光変調器は図１５（ａ），（ｂ）に示す様な構成を有
している。即ち、１本の入射光導波路６を一旦２本の分
岐導波路７−１，７−２に分岐して位相変調器１０５−
１，１０５−２を通した後、合波導波路９−１，９−２
により再び１本の出射光導波路１０に合波することでＭ
Ｚ変調器を構成している。ｎ型ＩｎＰ基板１０１にアン
ドープＩｎＰ層１０２、アンドープＩｎx Ｇａ1-x Ａｓ
y Ｐ1-y 層１０３（λPL＝１．３μｍ）、Ｐ型ＩｎＰ層
１０４を順次に堆積しパターニングしてメサ状の導波路
を形成している。１０５−１，１０５−２は位相変調器
の個別電極、１０６は共通電極である。
の光素子、ＦＥＴ等の電子回路素子との集積化が可能
で、小型化・低消費電力化の点を考えると半導体ＭＺ変
調器の方が有利と考えられる。このような半導体ＭＺ変
調器の従来例としては、１９９３年電子情報通信学会春
季大会講演論文集第４−１８６頁（講演番号Ｃ−１５
０）に報告例がある。この報告例にある従来の半導体Ｍ
Ｚ光変調器は図１５（ａ），（ｂ）に示す様な構成を有
している。即ち、１本の入射光導波路６を一旦２本の分
岐導波路７−１，７−２に分岐して位相変調器１０５−
１，１０５−２を通した後、合波導波路９−１，９−２
により再び１本の出射光導波路１０に合波することでＭ
Ｚ変調器を構成している。ｎ型ＩｎＰ基板１０１にアン
ドープＩｎＰ層１０２、アンドープＩｎx Ｇａ1-x Ａｓ
y Ｐ1-y 層１０３（λPL＝１．３μｍ）、Ｐ型ＩｎＰ層
１０４を順次に堆積しパターニングしてメサ状の導波路
を形成している。１０５−１，１０５−２は位相変調器
の個別電極、１０６は共通電極である。
【０００５】半導体ＭＺ光変調器は、ｐｎ接合に逆バイ
アス電圧を印加した場合に生じる屈折率変化を利用して
いる。その特性は横軸に印加電圧（逆バイアス電圧）、
縦軸に出力光強度をとると図１６の様に表される。この
中で、Ｖ１とは一方の位相変調器のみを駆動した場合
で、Ｖ１＆Ｖ２とは両位相変調器をプッシュプル変調し
た場合である。実際の変調の際は、図１３に示す様に、
一方の位相変調器１０５−１に０〜Ｖπ/2なる電圧Ｖ１
を印加し（逆バイアス）、他方の位相変調器１０５−２
にこれと逆相のＶπ〜Ｖπ/2なる電圧Ｖ２を印加する
（逆バイアス）。ここでＶπとはπのの位相変化を与え
る電圧であり、Ｖπ/2とはπ／２の位相変化を与える電
圧である。この時、図１６に示すように駆動電圧（半波
長電圧）は片側変調の約半分となる。また、ＭＺ変調器
を片側変調（ｓｉｎｇｌｅ ａｒｍｄｒｉｖｉｎｇ）し
た場合と、プッシュプル変調（ｄｕａｌ ａｒｍ ｄｒ
ｉｖｉｎｇ）した場合の伝送距離の差異比較が雑誌、ア
イイーイーイー・ホトニクス・テクノロジー・レターズ
誌（ＩＥＥＥ Ｐｈｏｔｏｎｉｃｓ Ｔｅｃｈｎｏｌｏ
ｇｙ Ｌｅｔｔｅｒｓ）、１９９５年、２月、第７巻、
第２号、第２２４頁−第２２６頁に記載されている。こ
の報告によれば、伝送距離は片側変調の約２倍となる。
また、図１７に発明者等が実験したガウスパルスの半値
幅の伝送距離依存性を半導体ＭＺ変調器の駆動方法をパ
ラメータとして示す。図１７から、プッシュプル変調を
行った場合は、パルス圧縮が生じ波形歪みは小さいた
め、片側変調に比べて半値幅が保持されることが分か
る。この結果から、プッシュプル変調の場合は片側変調
に比べてファイバ伝送距離が２〜３倍に長くできること
が推察される。
アス電圧を印加した場合に生じる屈折率変化を利用して
いる。その特性は横軸に印加電圧（逆バイアス電圧）、
縦軸に出力光強度をとると図１６の様に表される。この
中で、Ｖ１とは一方の位相変調器のみを駆動した場合
で、Ｖ１＆Ｖ２とは両位相変調器をプッシュプル変調し
た場合である。実際の変調の際は、図１３に示す様に、
一方の位相変調器１０５−１に０〜Ｖπ/2なる電圧Ｖ１
を印加し（逆バイアス）、他方の位相変調器１０５−２
にこれと逆相のＶπ〜Ｖπ/2なる電圧Ｖ２を印加する
（逆バイアス）。ここでＶπとはπのの位相変化を与え
る電圧であり、Ｖπ/2とはπ／２の位相変化を与える電
圧である。この時、図１６に示すように駆動電圧（半波
長電圧）は片側変調の約半分となる。また、ＭＺ変調器
を片側変調（ｓｉｎｇｌｅ ａｒｍｄｒｉｖｉｎｇ）し
た場合と、プッシュプル変調（ｄｕａｌ ａｒｍ ｄｒ
ｉｖｉｎｇ）した場合の伝送距離の差異比較が雑誌、ア
イイーイーイー・ホトニクス・テクノロジー・レターズ
誌（ＩＥＥＥ Ｐｈｏｔｏｎｉｃｓ Ｔｅｃｈｎｏｌｏ
ｇｙ Ｌｅｔｔｅｒｓ）、１９９５年、２月、第７巻、
第２号、第２２４頁−第２２６頁に記載されている。こ
の報告によれば、伝送距離は片側変調の約２倍となる。
また、図１７に発明者等が実験したガウスパルスの半値
幅の伝送距離依存性を半導体ＭＺ変調器の駆動方法をパ
ラメータとして示す。図１７から、プッシュプル変調を
行った場合は、パルス圧縮が生じ波形歪みは小さいた
め、片側変調に比べて半値幅が保持されることが分か
る。この結果から、プッシュプル変調の場合は片側変調
に比べてファイバ伝送距離が２〜３倍に長くできること
が推察される。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】上述のように、半導体
ＭＺ変調器をプッシュプル駆動すれば、低電圧で長距離
伝送が可能となることは従来技術からも明らかである。
しかしながら、この駆動方法では図１４に示すように、
２つの位相変調器駆動用に２つのドライバ２００−１，
２００−２が必要であり、かつ２つのドライバ波形がタ
イミングを同じくした逆相で駆動する必要があるためタ
イミング調整回路２０３が必要であることが分かる。従
って、２．５Ｇｂ／ｓ以上の高速変調ではその調整が非
常に難しいといった課題があった。
ＭＺ変調器をプッシュプル駆動すれば、低電圧で長距離
伝送が可能となることは従来技術からも明らかである。
しかしながら、この駆動方法では図１４に示すように、
２つの位相変調器駆動用に２つのドライバ２００−１，
２００−２が必要であり、かつ２つのドライバ波形がタ
イミングを同じくした逆相で駆動する必要があるためタ
イミング調整回路２０３が必要であることが分かる。従
って、２．５Ｇｂ／ｓ以上の高速変調ではその調整が非
常に難しいといった課題があった。
【０００７】本発明の目的は従来２つのドライバとタイ
ミング調整回路とが必要であった半導体ＭＺ変調器のプ
ッシュプル駆動に関して、タイミング調整回路の不要な
単一ドライバで動作可能な半導体ＭＺ変調器を提供する
ことにある。
ミング調整回路とが必要であった半導体ＭＺ変調器のプ
ッシュプル駆動に関して、タイミング調整回路の不要な
単一ドライバで動作可能な半導体ＭＺ変調器を提供する
ことにある。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明の半導体マハツェ
ンダ変調器は、半導体基板上に、光ガイド層を第１導電
型クラッド層と第２導電型クラッド層で挟んだ積層構造
を基本構造として有し、入射光を導波するための入射光
導波路、前記入射光導波路を伝搬する伝搬光を２つに分
岐する分岐導波路、分岐された２つの伝搬光間に位相差
を与える２つの位相変調器、２つの伝搬光を合波する合
波導波路及び合波された伝搬光を出射するための出射光
導波路を含む半導体マハツェンダ変調器において、前記
２つの位相変調器のうちの一方の第１導電型クラッド層
が他方の第２導電型クラッド層に電気的に接続されてお
り、その接続点に単一ドライバの出力信号を印加して前
記２つの位相変調器をプッシュプル駆動するというもの
である。
ンダ変調器は、半導体基板上に、光ガイド層を第１導電
型クラッド層と第２導電型クラッド層で挟んだ積層構造
を基本構造として有し、入射光を導波するための入射光
導波路、前記入射光導波路を伝搬する伝搬光を２つに分
岐する分岐導波路、分岐された２つの伝搬光間に位相差
を与える２つの位相変調器、２つの伝搬光を合波する合
波導波路及び合波された伝搬光を出射するための出射光
導波路を含む半導体マハツェンダ変調器において、前記
２つの位相変調器のうちの一方の第１導電型クラッド層
が他方の第２導電型クラッド層に電気的に接続されてお
り、その接続点に単一ドライバの出力信号を印加して前
記２つの位相変調器をプッシュプル駆動するというもの
である。
【０００９】ここで、入射光導波路、分岐導波路、２つ
の位相変調器、合波導波路及び出射光導波路がそれぞれ
半導体基板上に第１導電型クラッド層、光ガイド層、第
２導電型クラッド層及び第２導電型キャップ層を順次に
積層して有し、一方の前記位相変調器の第１導電型クラ
ッド層と他方の前記位相変調器の第２導電型キャップ層
とが導電膜で接続されているようにすることができる。
更に、光ガイド層は多重量子井戸層であってもよい。
の位相変調器、合波導波路及び出射光導波路がそれぞれ
半導体基板上に第１導電型クラッド層、光ガイド層、第
２導電型クラッド層及び第２導電型キャップ層を順次に
積層して有し、一方の前記位相変調器の第１導電型クラ
ッド層と他方の前記位相変調器の第２導電型キャップ層
とが導電膜で接続されているようにすることができる。
更に、光ガイド層は多重量子井戸層であってもよい。
【００１０】あるいは、入射光導波路、分岐導波路、一
方の位相変調器、合波導波路及び出射光導波路がそれぞ
れ半導体基板上に第１の第１導電型クラッド層、第１の
光ガイド層、第１の第２導電型クラッド層及び第２導電
型キャップ層を積層して有し、他方の位相変調器が前記
半導体基板上に第１導電型クラッド層、第２の光ガイド
層、第２の第１導電型クラッド層及び第１導電型キャッ
プ層を積層して有し、前記第１の第１導電型クラッド層
と前記第２の第２導電型クラッド層とが導電膜で接続さ
れているようにすることができる。ここで、第１の光ガ
イド層及び第２の光ガイド層がそれぞれ多重量子井戸層
であってもよい。
方の位相変調器、合波導波路及び出射光導波路がそれぞ
れ半導体基板上に第１の第１導電型クラッド層、第１の
光ガイド層、第１の第２導電型クラッド層及び第２導電
型キャップ層を積層して有し、他方の位相変調器が前記
半導体基板上に第１導電型クラッド層、第２の光ガイド
層、第２の第１導電型クラッド層及び第１導電型キャッ
プ層を積層して有し、前記第１の第１導電型クラッド層
と前記第２の第２導電型クラッド層とが導電膜で接続さ
れているようにすることができる。ここで、第１の光ガ
イド層及び第２の光ガイド層がそれぞれ多重量子井戸層
であってもよい。
【００１１】本発明半導体マハツェンダ変調器の第１の
製造方法は、半導体基板上に第１導電型クラッド層、光
ガイド層、第２導電型クラッド層及び第２導電型キャッ
プ層を順次に堆積して積層膜を形成する工程と、前記積
層膜の表面から第１導電型クラッド層の途中までを選択
的に除去して入射導波路用のストライプ状の第１のメ
サ、前記第１のメサから２つに分岐した、分岐導波路用
の第２のメサ及び第３のメサ、前記第２のメサ及び第３
のメサにそれぞれ近接する第１の位相変調器用の第４の
メサ及び第２の位相変調器用の第５のメサ、前記第４の
メサ及び第５のメサにそれぞれ近接する合波導波路用の
第６のメサ及び第７のメサ並びに前記第６のメサ及び第
７のメサが合流した出射光導波路用の第８のメサを形成
する工程と、前記第１ないし第８のメサ部をのぞく領域
の第１導電型クラッド層をそれぞれ第４のメサ及び第５
のメサにつながる第１の接続領域及び第２の接続領域と
して残して除去する工程と、絶縁膜を堆積し前記第４の
メサ、第１の接続領域、第５のメサ及び第２の接続領域
にそれぞれ達する第１の開口、第２の開口、第３の開
口、第４の開口を形成する工程と、導電膜を堆積しパタ
ーニングしてそれぞれ前記第４のメサの第２導電型クラ
ッド層、第１の接続領域及び第５のメサの第２導電型ク
ラッド層並びに第２の接続領域に接続する第１の電極、
第２の電極及び第３の電極を形成する工程とを有すると
いうものである。
製造方法は、半導体基板上に第１導電型クラッド層、光
ガイド層、第２導電型クラッド層及び第２導電型キャッ
プ層を順次に堆積して積層膜を形成する工程と、前記積
層膜の表面から第１導電型クラッド層の途中までを選択
的に除去して入射導波路用のストライプ状の第１のメ
サ、前記第１のメサから２つに分岐した、分岐導波路用
の第２のメサ及び第３のメサ、前記第２のメサ及び第３
のメサにそれぞれ近接する第１の位相変調器用の第４の
メサ及び第２の位相変調器用の第５のメサ、前記第４の
メサ及び第５のメサにそれぞれ近接する合波導波路用の
第６のメサ及び第７のメサ並びに前記第６のメサ及び第
７のメサが合流した出射光導波路用の第８のメサを形成
する工程と、前記第１ないし第８のメサ部をのぞく領域
の第１導電型クラッド層をそれぞれ第４のメサ及び第５
のメサにつながる第１の接続領域及び第２の接続領域と
して残して除去する工程と、絶縁膜を堆積し前記第４の
メサ、第１の接続領域、第５のメサ及び第２の接続領域
にそれぞれ達する第１の開口、第２の開口、第３の開
口、第４の開口を形成する工程と、導電膜を堆積しパタ
ーニングしてそれぞれ前記第４のメサの第２導電型クラ
ッド層、第１の接続領域及び第５のメサの第２導電型ク
ラッド層並びに第２の接続領域に接続する第１の電極、
第２の電極及び第３の電極を形成する工程とを有すると
いうものである。
【００１２】ここで、光ガイド層が多重量子井戸層であ
ってもよい。
ってもよい。
【００１３】本発明半導体マハツェンダ変調器の第２の
製造方法は、半導体基板の表面の第１の領域を被覆する
第１の成長阻止マスクを形成する工程と、前記第１の成
長阻止マスクで覆われていない領域に第１の第１導電型
クラッド層、第１の光ガイド層、第１の第２導電型クラ
ッド層及び第２導電型キャップ層を順次に堆積して第１
の積層膜を形成する工程と、前記第１の積層膜の表面か
ら第１の第１導電型クラッド層の途中までを選択的に除
去して入射光導波路用のストライプ状の第１のメサ、前
記第１のメサから２つに分岐した、分岐導波路用の第２
のメサ及び前記第１の成長阻止のマスクに接する一端を
有する第３のメサ、前記第２のメサに近接する第１の位
相変調器用の第４のメサ、前記第４のメサに近接する合
波導波路用の第６のメサ及び前記第３のメサの前記一端
に前記第１の成長阻止マスクを挟んで対向する第７のメ
サ並びに前記第６のメサ及び第７のメサが合流した出射
光導波路用の第８のメサを形成する工程と、前記第１成
長阻止マスクを除去し前記第１の領域の周辺部を含む第
２の領域を被覆する第２の成長阻止マスクを形成し前記
第１の領域に第２の第２導電型クラッド層、第２の光ク
ラッド層、第２の第１導電型クラッド層及び第１導電型
キャップ層を順次に堆積して第２の積層膜を形成する工
程と、前記第２の積層膜の表面から第２の第２導電型ク
ラッド層の途中までを選択的に除去して前記第３のメサ
と第７のメサとの間に第２の変調器用の第５のメサを形
成する工程と、前記第４のメサと第５のメサの間の第１
の第１導電型クラッド層及び第２の第２導電型クラッド
層をそれぞれ接続領域として残して除去する工程と、絶
縁膜を堆積し前記第４のメサの第２導電型キャップ層、
接続領域及び第５のメサの前記第１導電型キャップ層に
それぞれ達する第１の開口、第２の開口及び第３の開口
を形成する工程と、導電膜を堆積しパターニングしてそ
れぞれ前記第４のメサの第２導電型キャップ層、接続領
域、第５のメサの第１導電型キャップ層に接続する第１
の電極、第２の電極及び第３の電極を形成する工程とを
有するというものである。ここで、第１の光ガイド層及
び第２の光ガイド層がそれぞれ第１の多重量子井戸層及
び第２の多重量子井戸層であってもよい。
製造方法は、半導体基板の表面の第１の領域を被覆する
第１の成長阻止マスクを形成する工程と、前記第１の成
長阻止マスクで覆われていない領域に第１の第１導電型
クラッド層、第１の光ガイド層、第１の第２導電型クラ
ッド層及び第２導電型キャップ層を順次に堆積して第１
の積層膜を形成する工程と、前記第１の積層膜の表面か
ら第１の第１導電型クラッド層の途中までを選択的に除
去して入射光導波路用のストライプ状の第１のメサ、前
記第１のメサから２つに分岐した、分岐導波路用の第２
のメサ及び前記第１の成長阻止のマスクに接する一端を
有する第３のメサ、前記第２のメサに近接する第１の位
相変調器用の第４のメサ、前記第４のメサに近接する合
波導波路用の第６のメサ及び前記第３のメサの前記一端
に前記第１の成長阻止マスクを挟んで対向する第７のメ
サ並びに前記第６のメサ及び第７のメサが合流した出射
光導波路用の第８のメサを形成する工程と、前記第１成
長阻止マスクを除去し前記第１の領域の周辺部を含む第
２の領域を被覆する第２の成長阻止マスクを形成し前記
第１の領域に第２の第２導電型クラッド層、第２の光ク
ラッド層、第２の第１導電型クラッド層及び第１導電型
キャップ層を順次に堆積して第２の積層膜を形成する工
程と、前記第２の積層膜の表面から第２の第２導電型ク
ラッド層の途中までを選択的に除去して前記第３のメサ
と第７のメサとの間に第２の変調器用の第５のメサを形
成する工程と、前記第４のメサと第５のメサの間の第１
の第１導電型クラッド層及び第２の第２導電型クラッド
層をそれぞれ接続領域として残して除去する工程と、絶
縁膜を堆積し前記第４のメサの第２導電型キャップ層、
接続領域及び第５のメサの前記第１導電型キャップ層に
それぞれ達する第１の開口、第２の開口及び第３の開口
を形成する工程と、導電膜を堆積しパターニングしてそ
れぞれ前記第４のメサの第２導電型キャップ層、接続領
域、第５のメサの第１導電型キャップ層に接続する第１
の電極、第２の電極及び第３の電極を形成する工程とを
有するというものである。ここで、第１の光ガイド層及
び第２の光ガイド層がそれぞれ第１の多重量子井戸層及
び第２の多重量子井戸層であってもよい。
【００１４】一方の位相変調器の第１導電型クラッドと
他方の位相変調器の第２導電型クラッド層の接続点に単
一のドライバの出力信号を印加し、一方の位相変調器の
第２導電型クラッド層と他方の位相変調器の第１導電型
クラッド層のうちｐ型の方に負電圧Ｖπを、ｎ型の方に
接地電位を印加する。この状態を図１の回路図に示す。
この負電圧をＶπ（例えば−４ボルト）とし、ドライバ
２００の出力信号（負電圧）をＶπ／２からＶπ（例え
ば−２〜−４ボルト）の間で方形波状に変化させる。ド
ライバ２００の出力信号がＶπ／２の時には、位相変調
器２０１に印加される電圧はＶπ／２で位相変調器２０
２に印加される電圧もＶπ／２であるため、両者はとも
に逆バイアス状態で２つの伝搬光間の位相差は０であ
り、出射光ＯＮの状態が得られる。一方、ドライバの出
力信号がＶπの時には位相変調器２０１に印加される電
圧は０Ｖであり、位相変調器２０２に印加される電圧は
Ｖπであるため、両者を通る伝搬光間の位相差はπとな
り、出射光ＯＦＦの状態が得られる。従って、単一ドラ
イバにより、半導体ＭＺ変調器がプッシュプル駆動でき
る。
他方の位相変調器の第２導電型クラッド層の接続点に単
一のドライバの出力信号を印加し、一方の位相変調器の
第２導電型クラッド層と他方の位相変調器の第１導電型
クラッド層のうちｐ型の方に負電圧Ｖπを、ｎ型の方に
接地電位を印加する。この状態を図１の回路図に示す。
この負電圧をＶπ（例えば−４ボルト）とし、ドライバ
２００の出力信号（負電圧）をＶπ／２からＶπ（例え
ば−２〜−４ボルト）の間で方形波状に変化させる。ド
ライバ２００の出力信号がＶπ／２の時には、位相変調
器２０１に印加される電圧はＶπ／２で位相変調器２０
２に印加される電圧もＶπ／２であるため、両者はとも
に逆バイアス状態で２つの伝搬光間の位相差は０であ
り、出射光ＯＮの状態が得られる。一方、ドライバの出
力信号がＶπの時には位相変調器２０１に印加される電
圧は０Ｖであり、位相変調器２０２に印加される電圧は
Ｖπであるため、両者を通る伝搬光間の位相差はπとな
り、出射光ＯＦＦの状態が得られる。従って、単一ドラ
イバにより、半導体ＭＺ変調器がプッシュプル駆動でき
る。
【００１５】
【発明の実施の形態】図２（ａ）は本発明の第１の実施
の形態を示す平面図、図２（ｂ）は図２（ａ）のＸ−Ｘ
線断面図である。
の形態を示す平面図、図２（ｂ）は図２（ａ）のＸ−Ｘ
線断面図である。
【００１６】この実施の形態は半絶縁性ＩｎＰ基板１の
（１００）面上に、光ガイド層をｎ型ＩｎＰクラッド層
とｐ型ＩｎＰクラッド層で挟んで積層構造を基本構造と
して有し、入射光を導波するための入射光導波路、前述
の入射光導波路を伝搬する伝搬光を２つに分岐する分岐
導波路、分岐された２つの伝搬光間に位相差を与える２
つの位相変調器、２つの伝搬光を合波する合波導波路及
び合波された伝搬光を出射するための出射光導波路を含
む半導体マハツェンダ変調器において、前述の２つの位
相変調器のうちの一方のｎ型ＩｎＰクラッド層が他方の
ｐ型ＩｎＰクラッド層に電気的に接続されており、その
接続点に単一ドライバの出力信号を印加して前述の２つ
の位相変調器をプッシュプル駆動するというものであ
る。
（１００）面上に、光ガイド層をｎ型ＩｎＰクラッド層
とｐ型ＩｎＰクラッド層で挟んで積層構造を基本構造と
して有し、入射光を導波するための入射光導波路、前述
の入射光導波路を伝搬する伝搬光を２つに分岐する分岐
導波路、分岐された２つの伝搬光間に位相差を与える２
つの位相変調器、２つの伝搬光を合波する合波導波路及
び合波された伝搬光を出射するための出射光導波路を含
む半導体マハツェンダ変調器において、前述の２つの位
相変調器のうちの一方のｎ型ＩｎＰクラッド層が他方の
ｐ型ＩｎＰクラッド層に電気的に接続されており、その
接続点に単一ドライバの出力信号を印加して前述の２つ
の位相変調器をプッシュプル駆動するというものであ
る。
【００１７】ここで、入射光導波路（６Ａ）、分岐導波
路（７Ａ−１，７Ａ−２）、２つの位相変調器（８Ａ−
１，８Ａ−２）、合波導波路（９Ａ−１，９Ａ−２）及
び出力光導波路（１０Ａ）がそれぞれ絶縁性ＩｎＰ基板
１上にｎ型ＩｎＰクラッド層２−１ａ，２−２ａ、光ガ
イド層３−１，３−２、ｐ型ＩｎＰクラッド層４−１，
４−２及びｐ型キャップ層５−１，５−２を順次に積層
して有し、一方の位相変調器（８Ａ−１）のｎ型ＩｎＰ
クラッド層２−１ａと他方の位相変調器（８Ａ−２）の
ｐ型Ｉｎ0.53Ｇａ0.47Ａｓキャップ層５−２とが導電膜
（１３−２）で接続されている。光ガイド層３−１，３
−２は多重量子井戸層である。
路（７Ａ−１，７Ａ−２）、２つの位相変調器（８Ａ−
１，８Ａ−２）、合波導波路（９Ａ−１，９Ａ−２）及
び出力光導波路（１０Ａ）がそれぞれ絶縁性ＩｎＰ基板
１上にｎ型ＩｎＰクラッド層２−１ａ，２−２ａ、光ガ
イド層３−１，３−２、ｐ型ＩｎＰクラッド層４−１，
４−２及びｐ型キャップ層５−１，５−２を順次に積層
して有し、一方の位相変調器（８Ａ−１）のｎ型ＩｎＰ
クラッド層２−１ａと他方の位相変調器（８Ａ−２）の
ｐ型Ｉｎ0.53Ｇａ0.47Ａｓキャップ層５−２とが導電膜
（１３−２）で接続されている。光ガイド層３−１，３
−２は多重量子井戸層である。
【００１８】次に、この実施の形態の製造方法について
説明する。
説明する。
【００１９】まず、図３（ａ），（ｂ）に示すように、
半絶縁性ＩｎＰ基板１の（１００）面上に、有機金属気
相成長法（以下ＭＯＶＰＥ法と記す）により、ｎ型Ｉｎ
Ｐクラッド層２（キャリア濃度１×１０18ｃｍ-3、厚さ
１μｍ）、光ガイド層３（厚さ１０ｎｍのノンドープＩ
ｎＰ障壁層と厚さ１０ｎｍのノンドープＩｎV Ｇａ1-V
ＡｓW Ｐ1-W 井戸層（波長組成１．５２μｍ）、井戸層
数３０周期の多重量子井戸層）、ｐ型ＩｎＰクラッド層
４（キャリア濃度５×１０17ｃｍ-3、厚さ１．０μ
ｍ）、ｐ型Ｉｎ0.53Ｇａ0.47Ａｓキャップ層５（キャリ
ア濃度１×１０18ｃｍ-3、厚さ０．２μｍ）を順次に堆
積する。
半絶縁性ＩｎＰ基板１の（１００）面上に、有機金属気
相成長法（以下ＭＯＶＰＥ法と記す）により、ｎ型Ｉｎ
Ｐクラッド層２（キャリア濃度１×１０18ｃｍ-3、厚さ
１μｍ）、光ガイド層３（厚さ１０ｎｍのノンドープＩ
ｎＰ障壁層と厚さ１０ｎｍのノンドープＩｎV Ｇａ1-V
ＡｓW Ｐ1-W 井戸層（波長組成１．５２μｍ）、井戸層
数３０周期の多重量子井戸層）、ｐ型ＩｎＰクラッド層
４（キャリア濃度５×１０17ｃｍ-3、厚さ１．０μ
ｍ）、ｐ型Ｉｎ0.53Ｇａ0.47Ａｓキャップ層５（キャリ
ア濃度１×１０18ｃｍ-3、厚さ０．２μｍ）を順次に堆
積する。
【００２０】次に、適当なマスクを設け、反応性イオン
ビームエッチング（以下ＲＩＢＥと記す）法によって、
図４（ａ）（ｂ）に示すように、ｎ型ＩｎＰクラッド層
２の途中までエッチングしてリブ導波路（入射光導波路
用の第１のメサ６Ａ、第１のメサ６Ａから２つに分岐し
た、分岐導波路用の第２のメサ７Ａ−１及び第３のメサ
７Ａ−２、第２のメサ７Ａ−１，第３のメサ７Ａ−２に
それぞれ２μｍ以下の距離を隔てて近接する第１の位相
変調器用の第４のメサ８Ａ−１ａ及び第２の位相変調器
用の第５のメサ８Ａ−２ａ、第４のメサ８Ａ−１ａ及び
第５のメサ８Ａ−２にそれぞれ２μｍ以下の距離を隔て
て近接する合波導波路用の第６のメサ９Ａ−１及び第７
のメサ９Ａ−２並びに第６のメサ９Ａ−１及び第７のメ
サ９Ａ−２が合流した出射光導波路用の第８のメサ１０
Ａ）を形成する。
ビームエッチング（以下ＲＩＢＥと記す）法によって、
図４（ａ）（ｂ）に示すように、ｎ型ＩｎＰクラッド層
２の途中までエッチングしてリブ導波路（入射光導波路
用の第１のメサ６Ａ、第１のメサ６Ａから２つに分岐し
た、分岐導波路用の第２のメサ７Ａ−１及び第３のメサ
７Ａ−２、第２のメサ７Ａ−１，第３のメサ７Ａ−２に
それぞれ２μｍ以下の距離を隔てて近接する第１の位相
変調器用の第４のメサ８Ａ−１ａ及び第２の位相変調器
用の第５のメサ８Ａ−２ａ、第４のメサ８Ａ−１ａ及び
第５のメサ８Ａ−２にそれぞれ２μｍ以下の距離を隔て
て近接する合波導波路用の第６のメサ９Ａ−１及び第７
のメサ９Ａ−２並びに第６のメサ９Ａ−１及び第７のメ
サ９Ａ−２が合流した出射光導波路用の第８のメサ１０
Ａ）を形成する。
【００２１】次に、適当なマスクを施し、残されたｎ型
ＩｎＰクラッド層２ａの一部を、図５（ａ），（ｂ）に
示すように、それぞれ第１の接続領域２ａ−１，第２の
接続領域２ａ−２として残すようにＲＩＢＥにより除去
する。これにより第４のメサ８Ａ−１ｂ及び第５のメサ
８Ａ−２ｂはその余のリブ導波路（７Ａ−１，７Ａ−
２，９Ａ−１，９Ａ−２）とは分離され互いに電気的に
絶縁される。
ＩｎＰクラッド層２ａの一部を、図５（ａ），（ｂ）に
示すように、それぞれ第１の接続領域２ａ−１，第２の
接続領域２ａ−２として残すようにＲＩＢＥにより除去
する。これにより第４のメサ８Ａ−１ｂ及び第５のメサ
８Ａ−２ｂはその余のリブ導波路（７Ａ−１，７Ａ−
２，９Ａ−１，９Ａ−２）とは分離され互いに電気的に
絶縁される。
【００２２】次に、図２（ａ），（ｂ）に示すように、
全面に厚さ０．３μｍのＳｉＯ2 膜１１を堆積し、適当
なマスクを施し、第４のメサ８Ａ−１，第５のメサ８Ａ
−２のｐ型Ｉｎ0.53Ｇａ0.47Ａｓキャップ層５−１，５
−２、第１の接続領域２ａ−１、第２の接続領域２ａ−
２の表面の一部を露出させる第１の開口１２−１、第３
の開口１２−３、第２の開口１２−２、第４の開口１２
−４を形成する。次に、全面にＴｉ／Ｐｔ／Ａｕ積層膜
を蒸着法で形成し、パターニングしてｐ型Ｉｎ0.53Ｇａ
0.47Ａｓキャップ層５−１、第１の接続領域２ａ−１、
ｐ型Ｉｎ0.53Ｇａ0.47Ａｓキャップ層５−２及び第２の
接続領域２ａ−２にそれぞれ接続する第１の電極１３−
１、第２の電極１３−２、第３の電極１３−３及び第４
の電極１３−４を形成する。
全面に厚さ０．３μｍのＳｉＯ2 膜１１を堆積し、適当
なマスクを施し、第４のメサ８Ａ−１，第５のメサ８Ａ
−２のｐ型Ｉｎ0.53Ｇａ0.47Ａｓキャップ層５−１，５
−２、第１の接続領域２ａ−１、第２の接続領域２ａ−
２の表面の一部を露出させる第１の開口１２−１、第３
の開口１２−３、第２の開口１２−２、第４の開口１２
−４を形成する。次に、全面にＴｉ／Ｐｔ／Ａｕ積層膜
を蒸着法で形成し、パターニングしてｐ型Ｉｎ0.53Ｇａ
0.47Ａｓキャップ層５−１、第１の接続領域２ａ−１、
ｐ型Ｉｎ0.53Ｇａ0.47Ａｓキャップ層５−２及び第２の
接続領域２ａ−２にそれぞれ接続する第１の電極１３−
１、第２の電極１３−２、第３の電極１３−３及び第４
の電極１３−４を形成する。
【００２３】次に、実際の動作について説明する。上述
の製造工程を経て完成した半導体ＭＺ変調器の位相変調
器長は、第１，第２の位相変調器とも５００μｍであ
る。この位相変調器長５００μｍの素子は、印加電圧約
４Ｖでπの位相変化が得られる（Ｖπは約４Ｖであ
る）。第１の電極１３−１及び第３の電極１３−３にそ
れぞれＶπ及び接地電位を与え、第２の電極にＶπ／２
からＶπの間で方形波状に変化するドライバの出力信号
を与えると図６（ａ）に示すようなグラフが得られる。
ドライバの出力信号がＶπのとき位相変調器（８Ａ−
１）、（８Ａ−２）にはそれぞれ０、Ｖπが印加され、
位相差はπとなって出射光導波路（１０Ａ）はＯＦＦ状
態となり、ドライバの出力信号がＶπ／２のとき、位相
変調器（８Ａ−１），（８Ａ−２）のいずれにもＶπ／
２が印加され、位相差は０となり、ＯＮ状態となる。
の製造工程を経て完成した半導体ＭＺ変調器の位相変調
器長は、第１，第２の位相変調器とも５００μｍであ
る。この位相変調器長５００μｍの素子は、印加電圧約
４Ｖでπの位相変化が得られる（Ｖπは約４Ｖであ
る）。第１の電極１３−１及び第３の電極１３−３にそ
れぞれＶπ及び接地電位を与え、第２の電極にＶπ／２
からＶπの間で方形波状に変化するドライバの出力信号
を与えると図６（ａ）に示すようなグラフが得られる。
ドライバの出力信号がＶπのとき位相変調器（８Ａ−
１）、（８Ａ−２）にはそれぞれ０、Ｖπが印加され、
位相差はπとなって出射光導波路（１０Ａ）はＯＦＦ状
態となり、ドライバの出力信号がＶπ／２のとき、位相
変調器（８Ａ−１），（８Ａ−２）のいずれにもＶπ／
２が印加され、位相差は０となり、ＯＮ状態となる。
【００２４】こうして、Ｖπ／２からＶπの間で変化す
る振幅約２Ｖの単一のドライバでプッシュプル動作可能
な半導体ＭＺ変調器が得られることが判る。従来技術の
ように、２つの信号Ｖ１，Ｖ２を使わないので両者のタ
イミング調整を行なう必要がないことはいうまでもな
い。
る振幅約２Ｖの単一のドライバでプッシュプル動作可能
な半導体ＭＺ変調器が得られることが判る。従来技術の
ように、２つの信号Ｖ１，Ｖ２を使わないので両者のタ
イミング調整を行なう必要がないことはいうまでもな
い。
【００２５】なお、Ｖπ／２の代りにＶπ／２としても
動作するが、位相変化の電圧依存性は非線型なので消光
比は悪くなる。
動作するが、位相変化の電圧依存性は非線型なので消光
比は悪くなる。
【００２６】又、製造方法は上述のものに限らない。例
えば、半絶縁性ＩｎＰ基板上に厚さ０．３μｍのｎ型Ｉ
ｎＰ層を全面に堆積した後、しかるべき、ＳｉＯ2 膜で
なる成長阻止マスクを用いて、厚さ０．７μｍのｎ型Ｉ
ｎＰ層、光ガイド層、ｐ型ＩｎＰクラッド層及びｐ型Ｉ
ｎ0.53Ｇａ0.47Ａｓキャップ層を順次に選択成長させる
ことによって図４に示したものと同様のものを形成する
ことができる。それ以後の工程は上述したものと同じで
よい。
えば、半絶縁性ＩｎＰ基板上に厚さ０．３μｍのｎ型Ｉ
ｎＰ層を全面に堆積した後、しかるべき、ＳｉＯ2 膜で
なる成長阻止マスクを用いて、厚さ０．７μｍのｎ型Ｉ
ｎＰ層、光ガイド層、ｐ型ＩｎＰクラッド層及びｐ型Ｉ
ｎ0.53Ｇａ0.47Ａｓキャップ層を順次に選択成長させる
ことによって図４に示したものと同様のものを形成する
ことができる。それ以後の工程は上述したものと同じで
よい。
【００２７】図７（ａ）は本発明の第２の実施の形態を
示す平面図、図７（ｂ）は図７（ａ）のＸ−Ｘ線断面図
である。
示す平面図、図７（ｂ）は図７（ａ）のＸ−Ｘ線断面図
である。
【００２８】第１の実施の形態との相違は、まず第１に
他方の位相変調器がｐ型ＩｎＰクラッド層４Ｂ、光ガイ
ド層３Ａ、ｎ型ＩｎＰクラッド層２Ｂ及びｎ型Ｉｎ0.53
Ｐ0.47Ａｓキャップ層５Ｂの積層構造を有しているこ
と、第２に、一方の位相変調器のｎ型ＩｎＰクラッド層
２Ａに連結する接続領域２Ａａ−１と他方の位相変調器
のｐ型ＩｎＰクラッド層４Ｂに連結する接続領域４Ｂａ
−１とを第２の電極１３Ａ−２に接続していること、第
３に、他方の位相変調器のｎ型Ｉｎ0.53Ｐ0.47Ａｓキャ
ップ層５Ｂに第３の電極１３Ａ−３を接続していること
である。
他方の位相変調器がｐ型ＩｎＰクラッド層４Ｂ、光ガイ
ド層３Ａ、ｎ型ＩｎＰクラッド層２Ｂ及びｎ型Ｉｎ0.53
Ｐ0.47Ａｓキャップ層５Ｂの積層構造を有しているこ
と、第２に、一方の位相変調器のｎ型ＩｎＰクラッド層
２Ａに連結する接続領域２Ａａ−１と他方の位相変調器
のｐ型ＩｎＰクラッド層４Ｂに連結する接続領域４Ｂａ
−１とを第２の電極１３Ａ−２に接続していること、第
３に、他方の位相変調器のｎ型Ｉｎ0.53Ｐ0.47Ａｓキャ
ップ層５Ｂに第３の電極１３Ａ−３を接続していること
である。
【００２９】次に、この実施の形態の製造方法について
説明する。
説明する。
【００３０】図８（ａ），（ｂ）に示すように、半絶縁
性ＩｎＰ基板１の（１００）面の第１の領域１４上に、
厚さ０．１μｍのＳｉＯ2 膜でなる第１の成長阻止マス
ク１５を形成し、ＭＯＶＰＥ法を用いてｎ型ＩｎＰクラ
ッド層２Ａ（キャリア濃度１×１０18ｃｍ-3、厚さ１．
０μｍ）、光ガイド層３Ａ（光ガイド層３と同じ多重量
子井戸層）、ｐ型ＩｎＰクラッド層４Ａ（キャリア濃度
５×１０17ｃｍ-3、厚さ１．０μｍ）及びｐ型Ｉｎ0.53
Ｇａ0.47Ａｓキャップ層５Ａ（キャリア濃度５×１０18
ｃｍ-3、厚さ０．２μｍ）を順次に堆積する。
性ＩｎＰ基板１の（１００）面の第１の領域１４上に、
厚さ０．１μｍのＳｉＯ2 膜でなる第１の成長阻止マス
ク１５を形成し、ＭＯＶＰＥ法を用いてｎ型ＩｎＰクラ
ッド層２Ａ（キャリア濃度１×１０18ｃｍ-3、厚さ１．
０μｍ）、光ガイド層３Ａ（光ガイド層３と同じ多重量
子井戸層）、ｐ型ＩｎＰクラッド層４Ａ（キャリア濃度
５×１０17ｃｍ-3、厚さ１．０μｍ）及びｐ型Ｉｎ0.53
Ｇａ0.47Ａｓキャップ層５Ａ（キャリア濃度５×１０18
ｃｍ-3、厚さ０．２μｍ）を順次に堆積する。
【００３１】次に、リソグラフィー技術により、図９
（ａ），（ｂ）に示すように、ｎ型ＩｎＰクラッド層２
Ａの途中まで選択的に除去して、入射光導波路用の第１
のメサ６Ｂ、分岐導波路用の第２のメサ７Ｂ−１、第３
のメサ７Ｂ−２（第１の成長阻止マスク１５に一端が接
している）、第１の位相変調器用の第４のメサ８Ｂ−１
ａ、合波導波路用の第６のメサ９Ｂ−１、第７のメサ９
Ｂ−２（第１の成長阻止マスク１５に一端が接し、これ
を間に挟んで第３のメサ７Ｂ−２と対向している）、出
射光導波路用の第８のメサ１０Ｂを形成する。
（ａ），（ｂ）に示すように、ｎ型ＩｎＰクラッド層２
Ａの途中まで選択的に除去して、入射光導波路用の第１
のメサ６Ｂ、分岐導波路用の第２のメサ７Ｂ−１、第３
のメサ７Ｂ−２（第１の成長阻止マスク１５に一端が接
している）、第１の位相変調器用の第４のメサ８Ｂ−１
ａ、合波導波路用の第６のメサ９Ｂ−１、第７のメサ９
Ｂ−２（第１の成長阻止マスク１５に一端が接し、これ
を間に挟んで第３のメサ７Ｂ−２と対向している）、出
射光導波路用の第８のメサ１０Ｂを形成する。
【００３２】次に、第１の成長阻止マスク１５を除去
し、全面に厚さ０．１μｍのＳｉＯ2層を堆積し、リソ
グラフィー技術によりパターニングして、図１０
（ａ），（ｂ）に示すように、第２の領域１６（第１の
領域１４の周辺部を含む）を被覆する第２の成長阻止マ
スク１７を形成する。再度、ＭＯＶＰＥ法を用いて、ｐ
型ＩｎＰクラッド層４Ｂ（キャリア濃度１ｘ１０18ｃｍ
-3、層厚１．０μｍ）光ガイド層３Ｂ（ノンドープＩｎ
Ｐ障壁層（厚さ１０ｎｍ）、ノンドープＩｎV Ｇａ1-V
ＡｓW Ｐ1-W 井戸層（波長組成１．５２μｍ，厚さ１０
ｎｍ）、井戸層数３０周期のノンドープ多重量子井戸
層）、ｎ型ＩｎＰクラッド層２Ｂ（キャリア濃度５ｘ１
０17ｃｍ-3、層厚１．０μｍ）、ｎ型Ｉｎ0.53Ｇａ0.47
Ａｓキャップ層５Ｂ（キャリア濃度１ｘ１０18ｃｍ-3、
層厚０．２μｍ）を順次選択的に成長する。
し、全面に厚さ０．１μｍのＳｉＯ2層を堆積し、リソ
グラフィー技術によりパターニングして、図１０
（ａ），（ｂ）に示すように、第２の領域１６（第１の
領域１４の周辺部を含む）を被覆する第２の成長阻止マ
スク１７を形成する。再度、ＭＯＶＰＥ法を用いて、ｐ
型ＩｎＰクラッド層４Ｂ（キャリア濃度１ｘ１０18ｃｍ
-3、層厚１．０μｍ）光ガイド層３Ｂ（ノンドープＩｎ
Ｐ障壁層（厚さ１０ｎｍ）、ノンドープＩｎV Ｇａ1-V
ＡｓW Ｐ1-W 井戸層（波長組成１．５２μｍ，厚さ１０
ｎｍ）、井戸層数３０周期のノンドープ多重量子井戸
層）、ｎ型ＩｎＰクラッド層２Ｂ（キャリア濃度５ｘ１
０17ｃｍ-3、層厚１．０μｍ）、ｎ型Ｉｎ0.53Ｇａ0.47
Ａｓキャップ層５Ｂ（キャリア濃度１ｘ１０18ｃｍ-3、
層厚０．２μｍ）を順次選択的に成長する。
【００３３】次に、この４Ｂ，３Ｂ，２Ｂ，５Ｂの積層
膜をパターニングして、図１１に示すように、第２の位
相変調器用の第５のメサ８Ｂ−２ａを形成する。第２の
成長阻止マスク１７を除去し、ｎ型ＩｎＰクラッド層２
Ａａ，ｐ型ＩｎＰクラッド層４Ｂａをパターニングし
て、図１２（ａ），（ｂ）に示すように、接続領域２Ａ
ａ−１，４Ｂａ−１を形成する。
膜をパターニングして、図１１に示すように、第２の位
相変調器用の第５のメサ８Ｂ−２ａを形成する。第２の
成長阻止マスク１７を除去し、ｎ型ＩｎＰクラッド層２
Ａａ，ｐ型ＩｎＰクラッド層４Ｂａをパターニングし
て、図１２（ａ），（ｂ）に示すように、接続領域２Ａ
ａ−１，４Ｂａ−１を形成する。
【００３４】次に、図７（ａ），（ｂ）に示すように、
全面に厚さ０．３μｍのＳｉＯ2 膜１８を堆積し、第４
のメサのｐ型Ｉｎ0.53Ｇａ0.47Ａｓキャップ層５Ａ，接
続領域２Ａａ−１，４Ｂａ−１及び第５のメサのｎ型Ｉ
ｎ0.53Ｇａ0.47Ａｓキャップ層５Ｂの一部をそれぞれ露
出させる開口１２Ａ−１，１２Ａ−２，１２Ａ−３を形
成する。Ｔｉ／Ｐｔ／Ａｕ積層膜を蒸着法で形成しパタ
ーニングして第１の電極１３Ａ−１、第２の電極１３Ａ
−２、第３の電極１３Ａ−３を形成する。
全面に厚さ０．３μｍのＳｉＯ2 膜１８を堆積し、第４
のメサのｐ型Ｉｎ0.53Ｇａ0.47Ａｓキャップ層５Ａ，接
続領域２Ａａ−１，４Ｂａ−１及び第５のメサのｎ型Ｉ
ｎ0.53Ｇａ0.47Ａｓキャップ層５Ｂの一部をそれぞれ露
出させる開口１２Ａ−１，１２Ａ−２，１２Ａ−３を形
成する。Ｔｉ／Ｐｔ／Ａｕ積層膜を蒸着法で形成しパタ
ーニングして第１の電極１３Ａ−１、第２の電極１３Ａ
−２、第３の電極１３Ａ−３を形成する。
【００３５】本実施の形態は、第２の位相変調器の積層
順序が第１の実施の形態とは逆になっているが、２つの
位相変調器が直列接続（ｐｎ−ｐｎ）されている点で全
く同様であり、その動作原理、駆動方法は第１の実施の
形態と同じである。
順序が第１の実施の形態とは逆になっているが、２つの
位相変調器が直列接続（ｐｎ−ｐｎ）されている点で全
く同様であり、その動作原理、駆動方法は第１の実施の
形態と同じである。
【００３６】なお、製造方法は、上述のものに限らな
い。例えば、図８（ａ），（ｂ）において第１の成長素
子マスク１５を形成した後、厚さ０．３μｍのｎ型Ｉｎ
Ｐ層を堆積した後、しかるべきＳｉＯ2 膜でなる図示し
ない成長素子マスクを形成し、厚さ０．７μｍのｎ型Ｉ
ｎＰ層、光ガイド層、ｐ型ＩｎＰクラッド層，及びｐ型
Ｉｎ0.53Ｇａ0.47Ａｓキャップ層を順次に選択成長させ
ることによって図９（ａ），（ｂ）に示したものと同様
のものを形成することができる。次に、図１０（ａ），
（ｂ）と同様に成長阻止マスク１７を形成し、厚さ０．
３μｍのｐ型ＩｎＰクラッド層を形成し、成長阻止マス
ク１７を除去し、更めてＳｉＯ2 膜でなる図示しない成
長阻止マスクを形成し、厚さ０．７μｍのｐ型ＩｎＰク
ラッド層，光ガイド層，ｎ型ＩｎＰクラッド層，ｎ型Ｉ
ｎ0.53Ｇａ0.47Ａｓキャップ層を順次に選択成長させて
図１１（ａ），（ｂ）に示したものと同様のものを形成
することができる。以後の工程は同じでよい。
い。例えば、図８（ａ），（ｂ）において第１の成長素
子マスク１５を形成した後、厚さ０．３μｍのｎ型Ｉｎ
Ｐ層を堆積した後、しかるべきＳｉＯ2 膜でなる図示し
ない成長素子マスクを形成し、厚さ０．７μｍのｎ型Ｉ
ｎＰ層、光ガイド層、ｐ型ＩｎＰクラッド層，及びｐ型
Ｉｎ0.53Ｇａ0.47Ａｓキャップ層を順次に選択成長させ
ることによって図９（ａ），（ｂ）に示したものと同様
のものを形成することができる。次に、図１０（ａ），
（ｂ）と同様に成長阻止マスク１７を形成し、厚さ０．
３μｍのｐ型ＩｎＰクラッド層を形成し、成長阻止マス
ク１７を除去し、更めてＳｉＯ2 膜でなる図示しない成
長阻止マスクを形成し、厚さ０．７μｍのｐ型ＩｎＰク
ラッド層，光ガイド層，ｎ型ＩｎＰクラッド層，ｎ型Ｉ
ｎ0.53Ｇａ0.47Ａｓキャップ層を順次に選択成長させて
図１１（ａ），（ｂ）に示したものと同様のものを形成
することができる。以後の工程は同じでよい。
【００３７】以上、本発明の実施例について説明してき
たが、以下で若干の補足をする。実施例ではＩｎＰ系の
材料を用い、たとえば多重量子井戸構造にもＩｎＰ／Ｉ
ｎxＧａ1-x Ａｓy Ｐ1-y を用いたが、ＩｎＰ／Ｉｎx
Ａｌ1-x ＡｓやＩｎx Ｇａ1-x Ａｓy Ｐ1-y ／Ｉｎy Ｇ
ａ1-v Ａｌw Ａｓ1-w 等も適用可能である。さらには、
ＧａＡｓ／Ａｌx Ｇａ1-x Ａｓ系の材料を用いても良
い。また、本発明の半導体ＭＺ変調器の光ガイド構造の
形成方法や電圧印加手段とその印加位置、利用される波
長などは、使用目的によって適宜決定すればよい。
たが、以下で若干の補足をする。実施例ではＩｎＰ系の
材料を用い、たとえば多重量子井戸構造にもＩｎＰ／Ｉ
ｎxＧａ1-x Ａｓy Ｐ1-y を用いたが、ＩｎＰ／Ｉｎx
Ａｌ1-x ＡｓやＩｎx Ｇａ1-x Ａｓy Ｐ1-y ／Ｉｎy Ｇ
ａ1-v Ａｌw Ａｓ1-w 等も適用可能である。さらには、
ＧａＡｓ／Ａｌx Ｇａ1-x Ａｓ系の材料を用いても良
い。また、本発明の半導体ＭＺ変調器の光ガイド構造の
形成方法や電圧印加手段とその印加位置、利用される波
長などは、使用目的によって適宜決定すればよい。
【００３８】
【発明の効果】以上説明したように、本発明の半導体Ｍ
Ｚ変調器は単一ドライバでプッシュプル駆動が可能であ
り、これにより低電圧化が図られかつ、伝送距離が延び
る。
Ｚ変調器は単一ドライバでプッシュプル駆動が可能であ
り、これにより低電圧化が図られかつ、伝送距離が延び
る。
【図１】本発明の半導体ＭＺ変調器の動作について説明
するための回路図。
するための回路図。
【図２】本発明の半導体ＭＺ変調器の第１の実施の形態
を示す平面図（図１（ａ））及び図１（ａ）のＸ−Ｘ線
断面図（図１（ｂ））。
を示す平面図（図１（ａ））及び図１（ａ）のＸ−Ｘ線
断面図（図１（ｂ））。
【図３】第１の実施の形態の製造方法について説明する
ための平面図（図３（ａ））及び図３（ａ）のＸ−Ｘ線
断面図（図３（ｂ））。
ための平面図（図３（ａ））及び図３（ａ）のＸ−Ｘ線
断面図（図３（ｂ））。
【図４】図３に続いて示す平面図（図４（ａ））及び図
４（ａ）のＸ−Ｘ線断面図（図４（ｂ））。
４（ａ）のＸ−Ｘ線断面図（図４（ｂ））。
【図５】図４に続いて示す平面図（図５（ａ））及び図
５（ａ）のＸ−Ｘ線断面図（図５（ｂ））。
５（ａ）のＸ−Ｘ線断面図（図５（ｂ））。
【図６】本発明の実施の形態の動作について説明するた
めの信号波形図（図６（ａ））及び電圧−光出力特性を
示すグラフ（図６（ｂ））。
めの信号波形図（図６（ａ））及び電圧−光出力特性を
示すグラフ（図６（ｂ））。
【図７】本発明の半導体ＭＺ変調器の第２の実施の形態
を示す平面図（図７（ａ））及び図７（ａ）のＸ−Ｘ線
断面図（図７（ｂ））。
を示す平面図（図７（ａ））及び図７（ａ）のＸ−Ｘ線
断面図（図７（ｂ））。
【図８】第２の実施の形態の製造方法について説明する
ための平面図（図８（ａ））及び図８（ａ）のＸ−Ｘ線
断面図（図８（ｂ））。
ための平面図（図８（ａ））及び図８（ａ）のＸ−Ｘ線
断面図（図８（ｂ））。
【図９】第２の実施の形態の製造方法について説明する
ための平面図（図９（ａ））及び図９（ａ）のＸ−Ｘ線
断面図（図９（ｂ））。
ための平面図（図９（ａ））及び図９（ａ）のＸ−Ｘ線
断面図（図９（ｂ））。
【図１０】図９に続いて示す平面図（図１０（ａ））及
び図１０（ａ）のＸ−Ｘ線断面図（図１０（ｂ））。
び図１０（ａ）のＸ−Ｘ線断面図（図１０（ｂ））。
【図１１】図１０に続いて示す平面図（図１１（ａ））
及び図１１（ａ）のＸ−Ｘ線断面図（図１１（ｂ））。
及び図１１（ａ）のＸ−Ｘ線断面図（図１１（ｂ））。
【図１２】図１１に続いて示す平面図（図１２（ａ））
及び図１２（ａ）のＸ−Ｘ線断面図（図１２（ｂ））。
及び図１２（ａ）のＸ−Ｘ線断面図（図１２（ｂ））。
【図１３】従来の半導体ＭＺ変調器のプッシュプル変調
について説明するための信号波形図。
について説明するための信号波形図。
【図１４】従来の半導体ＭＺ変調器のプッシュプル変調
の問題点について説明するためのブロック図。
の問題点について説明するためのブロック図。
【図１５】従来の半導体ＭＺ変調器を示す斜視図（図１
５（ａ））及び図１５（ａ）のＸ−Ｘ線断面図（図１５
（ｂ））。
５（ａ））及び図１５（ａ）のＸ−Ｘ線断面図（図１５
（ｂ））。
【図１６】従来の半導体ＭＺ変調器の片側変調とプッシ
ュプル変調の電圧−光出力特性を示すグラフ。
ュプル変調の電圧−光出力特性を示すグラフ。
【図１７】従来の半導体ＭＺ変調器の片側変調とプッシ
ュプル変調の半値全幅−距離特性を示すグラフ。
ュプル変調の半値全幅−距離特性を示すグラフ。
１ 半絶縁性ＩｎＰ基板 ２，２−１ａ，２−２ａ，２Ａ，２Ａａ，２Ｂ ｎ型
ＩｎＰクラッド層 ２ａ−１，２ａ−２，２Ａａ−１，４Ｂａ−１ 接続
領域 ３，３−１，３−２，３Ａ，３Ｂ 光ガイド層 ４，４−１，４−２，４Ａ，４Ｂ，４Ｂａ ｐ型Ｉｎ
Ｐクラッド層 ５，５−１，５−２，５Ａ ｐ型Ｉｎ0.53Ｇａ0.47Ａ
ｓキャップ層 ５Ｂ ｎ型Ｉｎ0.53Ｇａ0.47Ａｓキャップ層 ６（入射光導波路），６Ａ，６Ｂ 第１のメサ ７−１（分岐導波路），７Ａ−１，７Ｂ−１ 第２の
メサ ７−２（分岐導波路），７Ａ−１，７Ｂ−１ 第３の
メサ ８−１，８Ａ−１，８Ｂ−１，８−２，８Ａ−２，８Ｂ
−２ 位相変調器 ８Ａ−１ａ，８Ｂ−１ａ 第４のメサ ８Ａ−２ａ，８Ｂ−２ａ 第５のメサ ９−１（合波導波路），９Ａ−１，９Ｂ−１ 第６の
メサ ９−２（合波導波路），９Ａ−２，９Ｂ−２ 第７の
メサ １０（出射光導波路），１０Ａ，１０Ｂ 第８のメサ １１ ＳｉＯ2 膜 １２−１，１２Ａ−１，１２−２，１２Ａ−２，１２−
３，１２Ａ−３，１２−４ 開口 １３−１，１３Ａ−１，１３−２，１３Ａ−２，１３−
３，１３Ａ−３，１３−４ 電極 １４ 第１の領域 １５ 成長阻止マスク １６ 第２の領域 １７ 成長阻止マスク １８ ＳｉＯ2 膜 １０１ ｎ型ＩｎＰ基板 １０２ アンドープＩｎx Ｇａ1-x Ａｓy Ｐ1-y 層 １０３ アンドープＩｎＰ層 １０４ ｐ型ＩｎＰ層 １０５−１，１０５−２ 位相変調器の個別電極 １０６ 位相変調器の共通電極 ２００，２００−１，２００−２ ドライバ ２０１，２０２ 位相変調器 ２０３ タイミング調整回路 ３０１ 半導体ＭＺ変調器 ３０２，３０３ 電極
ＩｎＰクラッド層 ２ａ−１，２ａ−２，２Ａａ−１，４Ｂａ−１ 接続
領域 ３，３−１，３−２，３Ａ，３Ｂ 光ガイド層 ４，４−１，４−２，４Ａ，４Ｂ，４Ｂａ ｐ型Ｉｎ
Ｐクラッド層 ５，５−１，５−２，５Ａ ｐ型Ｉｎ0.53Ｇａ0.47Ａ
ｓキャップ層 ５Ｂ ｎ型Ｉｎ0.53Ｇａ0.47Ａｓキャップ層 ６（入射光導波路），６Ａ，６Ｂ 第１のメサ ７−１（分岐導波路），７Ａ−１，７Ｂ−１ 第２の
メサ ７−２（分岐導波路），７Ａ−１，７Ｂ−１ 第３の
メサ ８−１，８Ａ−１，８Ｂ−１，８−２，８Ａ−２，８Ｂ
−２ 位相変調器 ８Ａ−１ａ，８Ｂ−１ａ 第４のメサ ８Ａ−２ａ，８Ｂ−２ａ 第５のメサ ９−１（合波導波路），９Ａ−１，９Ｂ−１ 第６の
メサ ９−２（合波導波路），９Ａ−２，９Ｂ−２ 第７の
メサ １０（出射光導波路），１０Ａ，１０Ｂ 第８のメサ １１ ＳｉＯ2 膜 １２−１，１２Ａ−１，１２−２，１２Ａ−２，１２−
３，１２Ａ−３，１２−４ 開口 １３−１，１３Ａ−１，１３−２，１３Ａ−２，１３−
３，１３Ａ−３，１３−４ 電極 １４ 第１の領域 １５ 成長阻止マスク １６ 第２の領域 １７ 成長阻止マスク １８ ＳｉＯ2 膜 １０１ ｎ型ＩｎＰ基板 １０２ アンドープＩｎx Ｇａ1-x Ａｓy Ｐ1-y 層 １０３ アンドープＩｎＰ層 １０４ ｐ型ＩｎＰ層 １０５−１，１０５−２ 位相変調器の個別電極 １０６ 位相変調器の共通電極 ２００，２００−１，２００−２ ドライバ ２０１，２０２ 位相変調器 ２０３ タイミング調整回路 ３０１ 半導体ＭＺ変調器 ３０２，３０３ 電極
Claims (9)
- 【請求項１】 半導体基板上に、光ガイド層を第１導電
型クラッド層と第２導電型クラッド層で挟んだ積層構造
を基本構造として有し、入射光を導波するための入射光
導波路、前記入射光導波路を伝搬する伝搬光を２つに分
岐する分岐導波路、分岐された２つの伝搬光間に位相差
を与える２つの位相変調器、２つの伝搬光を合波する合
波導波路及び合波された伝搬光を出射するための出射光
導波路を含む半導体マハツェンダ変調器において、前記
２つの位相変調器のうちの一方の第１導電型クラッド層
が他方の第２導電型クラッド層に電気的に接続されてお
り、その接続点に単一ドライバの出力信号を印加して前
記２つの位相変調器をプッシュプル駆動することを特徴
とする半導体マハツェンダ変調器。 - 【請求項２】 入射光導波路、分岐導波路、２つの位相
変調器、合波導波路及び出射光導波路がそれぞれ半導体
基板上に第１導電型クラッド層、光ガイド層、第２導電
型クラッド層及び第２導電型キャップ層を順次に積層し
て有し、一方の前記位相変調器の第１導電型クラッド層
と他方の前記位相変調器の第２導電型キャップ層とが導
電膜で接続されている請求項１記載の半導体マハツェン
ダ変調器。 - 【請求項３】 光ガイド層が多重量子井戸層である請求
項１又は２記載の半導体マハツェンダ変調器。 - 【請求項４】 入射光導波路、分岐導波路、一方の位相
変調器、合波導波路及び出射光導波路がそれぞれ半導体
基板上に第１の第１導電型クラッド層、第１の光ガイド
層、第１の第２導電型クラッド層及び第２導電型キャッ
プ層を積層して有し、他方の位相変調器が前記半導体基
板上に第２の第２導電型クラッド層、第２の光ガイド
層、第２の第１導電型クラッド層及び第１導電型キャッ
プ層を積層して有し、前記第１の第１導電型クラッド層
と前記第２の第２導電型クラッド層とが導電膜で接続さ
れている請求項１記載の半導体マハツェンダ変調器。 - 【請求項５】 第１の光ガイド層及び第２の光ガイド層
がそれぞれ多重量子井戸層である請求項４記載の半導体
マハツェンダ変調器。 - 【請求項６】 半導体基板上に第１導電型クラッド層、
光ガイド層、第２導電型クラッド層及び第２導電型キャ
ップ層を順次に堆積して積層膜を形成する工程と、前記
積層膜の表面から第１導電型クラッド層の途中までを選
択的に除去して入射導波路用のストライプ状の第１のメ
サ、前記第１のメサから２つに分岐した、分岐導波路用
の第２のメサ及び第３のメサ、前記第２のメサ及び第３
のメサにそれぞれ近接する第１の位相変調器用の第４の
メサ及び第２の位相変調器用の第５のメサ、前記第４の
メサ及び第５のメサにそれぞれ近接する合波導波路用の
第６のメサ及び第７のメサ並びに前記第６のメサ及び第
７のメサが合流した出射光導波路用の第８のメサを形成
する工程と、前記第１ないし第８のメサ部をのぞく領域
の第１導電型クラッド層をそれぞれ第４のメサ及び第５
のメサにつながる第１の接続領域及び第２の接続領域と
して残して除去する工程と、絶縁膜を堆積し前記第４の
メサ、第１の接続領域、第５のメサ及び第２の接続領域
にそれぞれ達する第１の開口、第２の開口、第３の開
口、第４の開口を形成する工程と、導電膜を堆積しパタ
ーニングしてそれぞれ前記第４のメサの第２導電型クラ
ッド層、第１の接続領域及び第５のメサの第２導電型ク
ラッド層並びに第２の接続領域に接続する第１の電極、
第２の電極及び第３の電極を形成する工程とを有するこ
とを特徴とする半導体マハツェンダ変調器の製造方法。 - 【請求項７】 光ガイド層が多重量子井戸層である請求
項６記載の半導体マハツェンダ変調器。 - 【請求項８】 半導体基板の表面の第１の領域を被覆す
る第１の成長阻止マスクを形成する工程と、前記第１の
成長阻止マスクで覆われていない領域に第１の第１導電
型クラッド層、第１の光ガイド層、第１の第２導電型ク
ラッド層及び第２導電型キャップ層を順次に堆積して第
１の積層膜を形成する工程と、前記第１の積層膜の表面
から第１の第１導電型クラッド層の途中までを選択的に
除去して入射光導波路用のストライプ状の第１のメサ、
前記第１のメサから２つに分岐した、分岐導波路用の第
２のメサ及び前記第１の成長阻止のマスクに接する一端
を有する第３のメサ、前記第２のメサに近接する第１の
位相変調器用の第４のメサ、前記第４のメサに近接する
合波導波路用の第６のメサ及び前記第３のメサの前記一
端に前記第１の成長阻止マスクを挟んで対向する第７の
メサ並びに前記第６のメサ及び第７のメサが合流した出
射光導波路用の第８のメサを形成する工程と、前記第１
の成長阻止マスクを除去し前記第１の領域の周辺部を含
む第２の領域を被覆する第２の成長阻止マスクを形成し
前記第１の領域に第２の第２導電型クラッド層、第２の
光クラッド層、第２の第１導電型クラッド層及び第１導
電型キャップ層を順次に堆積して第２の積層膜を形成す
る工程と、前記第２の積層膜の表面から第２の第２導電
型クラッド層の途中までを選択的に除去して前記第３の
メサと第７のメサとの間に第２の変調器用の第５のメサ
を形成する工程と、前記第４のメサと第５のメサの間の
第１の第１導電型クラッド層及び第２の第２導電型クラ
ッド層をそれぞれ接続領域として残して除去する工程
と、絶縁膜を堆積し前記第４のメサの第２導電型キャッ
プ層、接続領域及び第５のメサの前記第１導電型キャッ
プ層にそれぞれ達する第１の開口、第２の開口及び第３
の開口を形成する工程と、導電膜を堆積しパターニング
してそれぞれ前記第４のメサの第１の第２導電型キャッ
プ層、接続領域、第５のメサの第１導電型キャップ層に
接続する第１の電極、第２の電極及び第３の電極を形成
する工程とを有することを特徴とする半導体マハツェン
ダ変調器の製造方法。 - 【請求項９】 第１の光ガイド層及び第２の光ガイド層
がそれぞれ第１の多重量子井戸層及び第２の多重量子井
戸層である請求項８記載の半導体マハツェンダ変調器。
Priority Applications (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9138505A JP2867995B2 (ja) | 1997-05-28 | 1997-05-28 | 半導体マハツェンダ変調器とその製造方法 |
| EP98109543A EP0881526A3 (en) | 1997-05-28 | 1998-05-26 | Semiconductor Mach-Zehnder modulator |
| US09/085,840 US6122414A (en) | 1997-05-28 | 1998-05-28 | Semiconductor Mach-Zehnder modulator |
| CN98102021A CN1200492A (zh) | 1997-05-28 | 1998-05-28 | 半导体马赫－陈德尔调制器 |
| US09/580,896 US6281030B1 (en) | 1997-05-28 | 2000-05-30 | Fabrication of semiconductor Mach-Zehnder modulator |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9138505A JP2867995B2 (ja) | 1997-05-28 | 1997-05-28 | 半導体マハツェンダ変調器とその製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10333106A true JPH10333106A (ja) | 1998-12-18 |
| JP2867995B2 JP2867995B2 (ja) | 1999-03-10 |
Family
ID=15223709
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9138505A Expired - Fee Related JP2867995B2 (ja) | 1997-05-28 | 1997-05-28 | 半導体マハツェンダ変調器とその製造方法 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (2) | US6122414A (ja) |
| EP (1) | EP0881526A3 (ja) |
| JP (1) | JP2867995B2 (ja) |
| CN (1) | CN1200492A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2004151729A (ja) * | 2002-10-30 | 2004-05-27 | Northrop Grumann Corp | 量子閉じ込めシュタルク効果量子ドット光変調器 |
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