JP2009204884A - 光変調装置 - Google Patents
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Abstract
【課題】単一のデバイスで負チャープ特性及びゼロチャープ特性のいずれでも動作させることが可能なMZ変調装置を提供する。
【解決手段】MZ変調器10は、強度の等しい2つの分岐光をそれぞれ第1及び第2の変調電圧信号の印加によって光位相変調を行う第1及び第2導波路20a、20bを有し、当該第1及び第2の導波路の上記変調電界が印加されるコア層の厚さは互いに異なり、第1及び第2の変調電圧信号は互いに逆相のプッシュ・プル信号であって、中心電圧が互いに異なる。
【選択図】図1
【解決手段】MZ変調器10は、強度の等しい2つの分岐光をそれぞれ第1及び第2の変調電圧信号の印加によって光位相変調を行う第1及び第2導波路20a、20bを有し、当該第1及び第2の導波路の上記変調電界が印加されるコア層の厚さは互いに異なり、第1及び第2の変調電圧信号は互いに逆相のプッシュ・プル信号であって、中心電圧が互いに異なる。
【選択図】図1
Description
本発明は、光通信や光情報処理システム等に用いられるマッハツェンダ光変調器を有する光変調装置、特に、波長チャープ特性の制御に関するものである。
光通信システムの光源としてマッハツェンダ型の光変調器(以下、MZ光変調器ともいう。)が広く用いられている。マッハツェンダ型の光変調器は、光を一旦2つに分岐させて再び合波させるときの干渉条件によって光のオン・オフを行う光強度変調器で、分岐した2つの光の導波路上に設けた電極に変調用の電圧を印加することで、合波するときの干渉条件を変えるようにしている。
このようなマッハツェンダ型の光変調器を駆動する方法には、2つのアーム導波路の内の一方のみを変調する単一アーム駆動と、両方のアーム導波路をプッシュ・プルで駆動する両相アーム駆動(プッシュ・プル駆動)がある。
単一アーム駆動による光変調では、光強度がオフからオンに切り替わるときに光の周波数が低くなる(波長が長くなる)という負チャープ特性を呈するので、長距離光通信に適している。しかし、一方のアーム導波路のみを駆動して光変調を行うので、高い変調電圧が必要となる。
また、プッシュ・プル駆動による光変調は、駆動電圧(変調電圧)を低減することができるので広く使用されている。しかしながら、光変調器をプッシュ・プル駆動した場合では、光強度がオフからオンに移り変わる瞬間に、出射光の波長が低周波側に変化する正チャープ特性を呈し、逆に光強度がオンからオフに移り変わる瞬間には、波長が高周波側に変化する負チャープ特性を呈する。また、従来のプッシュ・プル駆動において、負チャープ特性が得られてもチャープ量の絶対値が小さいという問題があった。例えば、当該チャープ特性における変化量を示すαパラメータ(αパラメータについては後述する)の値は−0.2程度である。
この問題を解決するために、入射側光分波器から2つの変調アームに入射する入射光の強度を、例えば、4対6や3対7になるように分波器の分岐比を不等分とする(1対1からずらす)ことによってチャープ量を制御し、プッシュ・プル駆動でも好ましい負チャープ特性(αパラメータが、−0.7程度)が得られることが記載されている(例えば、特許文献1参照)。
しかしながら、上記した従来技術においては、分岐比を再現性良く(4対6や3対7などに)大きく不等分にすることが非常に難しく、製造歩留りが悪いという問題があった。また、分岐比を1対1からずらした場合では消光比が低下するため、それによって伝送後のオン/オフの識別が困難になってしまうという問題があった。また、高速・長距離伝送に必要な消光比を得るためには変調電圧を高くする必要があるという問題があった。
また、光通信システムによっては負チャープ特性のみならず、ゼロチャープ特性が求められることがある。例えば、メトロポリタン光通信網においては、10Gbpsの伝送レートで40km または80km程度の距離を無中継でファイバ伝送することが求められる。このような場合には、光送信機の光源には負チャープ特性が求められる(例えば、非特許文献1を参照)。
一方、40km程度の分散補償ファイバを中継器で接続して何周期も繰り返すことにより数100 km 〜数1000 kmの伝送を行うような長距離伝送システムの場合は、その光源にはゼロチャープ特性が求められる。
従来、負チャープ特性及びゼロチャープ特性を有する光変調器はそれぞれ別々のデバイスで別々の設計を施して実現していたが、単一のデバイスで負チャープ特性及びゼロチャープ特性のどちらでも実現できることが望ましい。
米国特許第5524076号
F.Koyama & K.Iga "Frequency chirping in external modulators",IEEE Journal of Lightwave Technology, vol.6, No.1, p.87, 1988
本発明は、上述した点に鑑みてなされたものであり、製造が容易で、かつ長距離伝送に適した所望の負チャープ特性が安定して得られるマッハツェンダ型の光変調装置(MZ変調装置)を提供することを目的としている。また、単一のデバイスで負チャープ特性及びゼロチャープ特性のいずれでも動作させることが可能なMZ変調装置を提供することを目的としている。
本発明は、2つの分岐光をそれぞれ第1及び第2の変調電圧信号による変調電界の印加によって光位相変調を行う第1及び第2導波路を有するマッハツェンダ光変調器と、上記第1及び第2の変調電圧信号を生成するドライバ回路と、を備えた光変調装置であって、当該2つの分岐光の強度は等しいとともに、第1及び第2の導波路の上記変調電界が印加されるコア層の厚さは互いに異なり、第1及び第2の変調電圧信号は互いに逆相のプッシュ・プル信号であって、中心電圧が互いに異なることを特徴としている。
本発明によれば、MZ光変調器において光位相変調を行う2つの導波路のコア層厚を異ならせることによって当該変調を行う2つの導波路の構成を非対称性とし、当該2つの変調導波路への変調電圧(中心電圧)の大小関係を変化させることによって負チャープ動作及びゼロチャープ動作のいずれも実現できる。従って、単一の装置で変調条件を変えることにより、負チャープとゼロチャープのいずれも実現することができ、種々の異なるシステムの要求に柔軟に対応可能な光変調装置を提供することが可能である。
さらに、安定して再現性良く負チャープ特性及びゼロチャープ特性を実現することができるうえに、消光比の低下を招くこともなく、長距離伝送をより安定に実現させることが可能となる。
図1は、本発明の実施例1である光変調装置5の構成を示す図である。光変調装置5は、マッハツェンダ光変調器(MZ光変調器)10及びMZ光変調器10の駆動回路(ドライバ回路)30から構成されている。図1においては、MZ光変調器10の平面図が示されている。また、図2は、MZ光変調器10のA−A’線(図1)についての断面図である。
[光変調装置の構成]
光変調装置5のドライバ回路30は、後述するMZ光変調器10の共通電極17、第1及び第2変調電極16a,16bに接続されている。また、ドライバ回路30にはデータ信号SDが供給される。ドライバ回路30は、当該受信データ信号SDに基づいて変調電圧Va,Vbを生成し、第1及び第2変調電極16a,16bにそれぞれ変調電圧Va,Vbを印加するように構成されている。なお、ドライバ回路30の動作については後に詳細に説明する。
[光変調装置の構成]
光変調装置5のドライバ回路30は、後述するMZ光変調器10の共通電極17、第1及び第2変調電極16a,16bに接続されている。また、ドライバ回路30にはデータ信号SDが供給される。ドライバ回路30は、当該受信データ信号SDに基づいて変調電圧Va,Vbを生成し、第1及び第2変調電極16a,16bにそれぞれ変調電圧Va,Vbを印加するように構成されている。なお、ドライバ回路30の動作については後に詳細に説明する。
このMZ光変調器10は、図1に示すように、例えば、半導体を基板として形成される。MZ光変調器10は、例えば、n導電型不純物がドーピングされたInPからなる基板11の表面に形成されている。MZ光変調器10には、被変調光が入射される第1及び第2の入射導波路12a,12bが設けられている。入射導波路12a,12bは光分波器13に接続され、この光分波器13によって入射光(被変調光)が2分岐されて光分波器13の2つの出力ポートから出力されるように構成されている。被変調光として、例えば連続光(CW:Continuous Wave)が入射される。
光分波器13の2つの出力ポートには、それぞれ第1アーム導波路20aと第2アーム導波路20bの入力ポートが接続され、これらの第1アーム導波路20aと第2アーム導波路20bの出力ポートが光合波器14に接続されている。
光合波器14は、第1アーム導波路20aと第2アーム導波路20bから与えられる光を合波し、第1及び第2の出射導波路15a,15bに出力するものである。更に、第1アーム導波路20aと第2アーム導波路20bの表面には、それぞれ第1変調電極16aと第2変調電極16bが形成されている。
第1アーム導波路20aと第2アーム導波路20bは、図2にその断面を示すように、基板11の表面に形成された下側SCH(Separate Confinement Heterostructure:光閉じ込め)層21a,21bを有している。これらの下側SCH層21a,21bは、例えば、不純物がドーピングされていないノンドープ半導体(例えば、InGaAsP)で形成されている。
第1アーム導波路20aは、下側SCH層21aの上に、例えば、25層の多重量子井戸(MQW:Multi Quantum Well)層を有するMQW導波路層22aと、上側SCH層23aと、クラッド層24aと、キャップ層25aと、が順次形成されて構成されている。そして、キャップ層25aの上には第1変調電極16aが形成されている。これに対して、第2アーム導波路20bは、下側SCH層21bの上に、例えば、18層のMQW層を有するMQW導波路層22bと、上側SCH層23bと、クラッド層24bと、キャップ層25bと、が順次形成されて構成されている。そして、このキャップ層25bの上に第2変調電極16bが形成されている。すなわち、第2アーム導波路20bは、第1アーム導波路20aに比べてMQW導波路を構成する層数が少ない。なお、第2アーム導波路20bには上側SCH層23bを設けない構成としてもよい。
より詳細には、MQW導波路層22a,22bはバリア層及び量子井戸層を交互に積層して形成され、MQW導波路層22aではバリア層に挟まれる量子井戸層が25層、MQW導波路層22bではバリア層に挟まれる量子井戸層が18層となっている。ここで、当該バリア層及び量子井戸層は、InP系半導体により形成されている。具体的には、バリア層はノンドープInP半導体により、量子井戸層はノンドープInGaAsP半導体によって形成されている。例えば、厚さ10nm程度のInPによるバリア層と、厚さ10nm程度のInGaAsPによる量子井戸層とを交互に積層し、それぞれ25層及び18層のMQW導波路層22a,22bが形成されている。
しかしながら、バリア層及び量子井戸層は、4元混晶(InGaAsP)又は3元混晶(InGaAs)により形成されていてもよい。あるいは、ノンドープ層に限らず、不純物(n型、p型ドーパント)がドープされていてもよい。さらに、バリア層及び量子井戸層はInPに格子整合した層に限らない。例えば、MQW導波路層22a,22bが、いわゆる歪MQW(strained MQW)として構成されていてもよい。なお、バリア層及び量子井戸層の厚さは、それぞれの結晶組成や量子準位、被変調光の波長等に応じて適宜決定される。
上側SCH層23aは、下側SCH層21aと同様にノンドープInGaAsP半導体で形成され、下側SCH層21aと共に、第1アーム導波路20aを伝搬する光の大部分をMQW導波路層22a内に閉じ込めるためのものである。
なお、図2に示すように、第1アーム導波路20a及び第2アーム導波路20bは、メサ構造として形成されるが、第1及び第2アーム導波路20bの幅は、伝搬する光を適切に導波するような適切な値(例えば、2μm)であるように確定されている。
また、クラッド層24a,24bは、p型不純物がドーピングされたInPで構成され、キャップ層25a,25bは、p型不純物がドーピングされたInGaAsで構成されている。更に、基板11の裏面には共通電極17が形成され、この共通電極17と第1変調電極16aとの間、及び共通電極17と第2変調電極16bとの間に変調用の電圧が印加されるようになっている。そして、第1アーム導波路20a及び第2アーム導波路20bの一部であり、当該変調電界が印加される電界印加領域(第1変調電極16a及び第2変調電極16bの形成領域)において当該印加電界の大きさに応じた光位相変調がなされる。
上記したように、本実施例においては、第1アーム導波路20a及び第2アーム導波路20bを構成する多重量子井戸 (MQW) 導波路の量子井戸層数を異ならせている。これにより、第1アーム導波路20a及び第2アーム導波路20bにおいて、当該変調電圧による変調電界が印加されるコア層(以下、変調層ともいう。)の厚さ(電界の印加方向)、すなわち、変調電界が印加されて光位相変調がなされる導波路の部分の厚さが互いに異なっている。しかしながら、量子井戸層数を異ならせることに限らず、他の層の厚さを異ならせること等によって変調電界が印加されるコア層(変調層)の厚さを互いに異ならせるように構成することもできる。より具体的には、第1アーム導波路20aのコア層(第1変調層)27aは下側SCH層21a、MQW導波路層22a及び上側SCH層23aからなり、第2アーム導波路20bのコア層(第2変調層)27bは、下側SCH層21b、MQW導波路層22b及び上側SCH層23bからなり、これらの層のいずれかの厚さを異ならせることによって第1アーム導波路20a及び第2アーム導波路20bのコア層27a,27bの厚さを互いに異ならせるようにしてもよい。
[光変調装置の動作]
次に、MZ光変調器10及びドライバ回路30の動作について説明する。例えば、入射光INを第1の入射導波路12aから入力し、第1の出射導波路15aから出力される出射光OUTを用いる場合、第1アーム導波路20aにおける電気−光相互作用長(第1変調電極16aの長さにほぼ一致)と等価屈折率をそれぞれLa,NEaとし、第2アーム導波路20bにおける電気−光相互作用長(第2変調電極16bの長さにほぼ一致)と等価屈折率をそれぞれLb,NEbとすると、出射光OUTの状態(オフ状態及びオン状態)は次のようになる。但し、λは光の波長、nは任意の整数である。
[光変調装置の動作]
次に、MZ光変調器10及びドライバ回路30の動作について説明する。例えば、入射光INを第1の入射導波路12aから入力し、第1の出射導波路15aから出力される出射光OUTを用いる場合、第1アーム導波路20aにおける電気−光相互作用長(第1変調電極16aの長さにほぼ一致)と等価屈折率をそれぞれLa,NEaとし、第2アーム導波路20bにおける電気−光相互作用長(第2変調電極16bの長さにほぼ一致)と等価屈折率をそれぞれLb,NEbとすると、出射光OUTの状態(オフ状態及びオン状態)は次のようになる。但し、λは光の波長、nは任意の整数である。
(La×NEa)−(Lb×NEb)=2n×λ/2 のときオフ状態
(La×NEa)−(Lb×NEb)=(2n+1)×λ/2 のときオン状態
ここで、第1変調電極16aと第2変調電極16bのいずれか一方または両方に電圧を印加すると、印加された電圧に応じて等価屈折率NEa,NEbが変化し、出射光OUTがオン状態とオフ状態の間で切り替わる。
(La×NEa)−(Lb×NEb)=(2n+1)×λ/2 のときオン状態
ここで、第1変調電極16aと第2変調電極16bのいずれか一方または両方に電圧を印加すると、印加された電圧に応じて等価屈折率NEa,NEbが変化し、出射光OUTがオン状態とオフ状態の間で切り替わる。
このとき、印加した電圧に応じて出射光OUTの強度が変調されると同時に、導波路の等価屈折率が変化する影響を受けて、この出射光OUTの波長も変化する。この現象をチャーピングと呼び、その大きさは次の(1)式で示されるαパラメータで表される。
α=E(dφ/dt)/(dE/dt) ・・(1)
ここで、Eは出射光OUTの電界強度、φは位相であり、これらのEとφの関係は、一般的に次の(2)式で表すことができる。
ここで、Eは出射光OUTの電界強度、φは位相であり、これらのEとφの関係は、一般的に次の(2)式で表すことができる。
但し、E0は定数、Rは2つのアーム導波路20a,20bに入射する光強度の分岐比(Pa/Pb)の平方根、Γa,Γbはそれぞれアーム導波路20a,20bにおける光閉じ込め係数、Viは(iはaまたはb)は第1または第2アーム導波路20a,20bで実際に変調用の電界が印加されるノンドープ半導体によるコア層(下側SCH層21、MQW導波路層22及び上側SCH層23からなる層)に印加される変調電圧、di(iはaまたはb)は第1または第2アーム導波路20a,20bのコア層の厚さである。
また、Δα(Vi/di)は第1または第2アーム導波路20a,20bを構成する量子井戸1層当たりの損失変化量、Δβ(Vi/di)は第1または第2アーム導波路20a,20bを構成する量子井戸1層当たりの伝搬定数変化量、Lは第1及び第2アーム導波路20a,20bにおける電気−光相互作用長(第1及び第2変調電極16a,16bの長さにほぼ一致する)、φ0は第1及び第2変調電極16a,16bに電圧を印加しない条件で第1及び第2アーム導波路20a,20bを伝搬する光の間に元々存在している初期位相差である。
この(2)式の第1項は第1アーム導波路20aを通過した後の光電界、第2項は第2アーム導波路20bを通過した後の光電界をそれぞれ表しており、これらの2つの光電界に分岐比Rの重み付けをして足し合わせることにより、出射光OUTの全体の光電界が表されていることがわかる。この(2)式から求められるEとφを(1)式に導入することにより、αパラメータを求めることができる。また、プッシュ・プル型両相アーム駆動の場合、Va,Vbは次式の条件を満足することになる。
|ΔVa|=|ΔVb| かつ Va+Vb=一定
但し、ここで、ΔVi(iはaまたはb)は、Viの最大値と最小値の差を意味する。
但し、ここで、ΔVi(iはaまたはb)は、Viの最大値と最小値の差を意味する。
本実施例では、光分波器13による入射光(被変調光)の分岐比は1(Pa:Pb=1:1)であり、入射光(被変調光)は2等分される。すなわち、アーム導波路20a,20bにより導波される光の強度Pa,Pbを等しくし(Pa=Pb)、第1及び第2アーム導波路20a,20bの構造を互いに異ならせているので、(2)式は、次の(3)式のように書き表される。
従って、第1及び第2アーム導波路20a,20bに関して、それぞれの光閉じ込め係数Γa,Γbや、コア層の厚さda,db等を適切に設定することにより、αパラメータを所望の値に制御することができる。
図3は、MZ光変調器10を単一アーム駆動した場合のDC消光曲線の例を模式的に示したものである。本実施例においては、この図に示されるように、MZ光変調器10への印加電圧の絶対値を大きくしたときに出射光が大きくなる(オンとなる)ように構成されている。当該消光曲線は一方の導波路の変調電極のみを変調した場合、例えば、第1入射導波路12aから光を入射し、第1変調電極16aのみを変調電圧で駆動して第1アーム導波路20aにのみ電界を印加した場合に得られる。すなわち、図3は、第1出射導波路15aから出射される出射光OUTの光強度を示しており、変調電圧Vexを第1変調電極16aに印加した場合に所定の消光比ER(=Poff/Pon)が得られる。
なお、本実施例においては、共通電極17に対して負の電圧(逆方向電圧)を第1及び第2変調電極16a,16bに印加することによって光変調がなされる。
図4は、MZ光変調器10をプッシュ・プル駆動し、負チャープ特性を有する変調パルスを得る場合の変調電圧Va,Vbを模式的に示している(図4上段)。なお、図4の下段には、当該変調電圧Va,Vbを印加したときのMZ光変調器10からの光出力波形(変調光信号)を模式的に示している。
本実施例において、ドライバ回路30は、MZ光変調器10の共通電極17と第1変調電極16aとの間に変調電圧信号Vaを印加し、共通電極17と第2変調電極との間に変調電圧信号Vbを印加する。なお、上記したように、ドライバ回路30にはデータ信号SDが供給され、ドライバ回路30は当該データ信号SDに基づいて変調電圧信号(以下、単に変調電圧ともいう。)Va,Vbを生成する。すなわち、ドライバ回路30は、当該データ信号SDに応じて、所望の消光比ERが得られる変調電圧信号Va,Vbを生成する。
ドライバ回路30は、互いに逆相のプッシュ・プル信号である第1及び第2変調電圧Va=Vac,Vb=Vbcを、それぞれ第1変調電極16a、第2変調電極16bに印加する。ここで、当該第1及び第2変調電圧Va,Vbは共通電極17に対して負の電圧(逆方向電圧)である。また、Vac(<0),Vbc(<0)は、それぞれ第1及び第2変調電圧の中心電圧値(以下、バイアス電圧ともいう。)であり、互いに異なっている(Vac≠Vbc)。なお、第1及び第2変調電圧信号Va,Vbは、それぞれの振幅が一定の矩形波パルス信号である。
第1及び第2変調電圧Va,Vbはその振幅が等しく(|ΔVa|=|ΔVb|)、その和が一定(Va+Vb=const)であることが好ましい。また、第1及び第2変調電圧の中心電圧Vac,Vbcの差の絶対値は、第1又は第2変調電圧の振幅に等しい(すなわち、|Vac−Vbc|=|ΔVa|/2=|ΔVb|/2)。なお、図4は、かかる場合について模式的に示している。
図5は、上記した第1及び第2変調電圧Va,VbによってMZ光変調器10をプッシュ・プル駆動した場合における、(1)式で表されるαパラメータのシミュレーション結果を示している。横軸に光強度の相対値、縦軸にαパラメータを示している。
第2変調電極16bに印加する第2変調電圧Vb(<0)の中心電圧Vbcが第1変調電極16aに印加する第1変調電圧Vaの中心電圧(バイアス電圧)Vac(<0)よりも小さい場合、すなわち、第2変調電圧Vbの中心電圧Vbcの絶対値が第1変調電圧Vaの中心電圧Vacの絶対値よりも大きい(|Vbc|>|Vac|)場合に、負チャープ動作となる(図5、破線で示す)。より詳細には、光強度の相対値が0.5であるときのαパラメータの値を光変調装置5のαパラメータと定義すると、αパラメータは約−0.7であり、最適な値が得られることを示している。
このように、変調電界が印加されるコア層(変調層)の厚さが薄い第2アーム導波路20bに印加する第2変調電圧の中心電圧(バイアス電圧)Vbcをコア層の厚さが厚い第1アーム導波路20aに印加する第1変調電圧Vaの中心電圧Vacよりも小さく(絶対値を大きく)することによって、負チャープ動作であって絶対値の大きいαパラメータ(約−0.7)が得られる。
一方、図6は、MZ光変調器10をプッシュ・プル駆動し、ゼロチャープ特性を有する変調パルスを得る場合の変調電圧Va,Vbを模式的に示している(図6上段)。なお、図6の下段には、当該変調電圧Va,Vbを印加したときのMZ光変調器10からの光出力波形(変調光信号)を模式的に示している。
つまり、上記した変調条件(図4)とは逆に、変調電界が印加されるコア層(変調層)の厚さが薄い第2アーム導波路20bに印加する第2変調電圧の中心電圧Vbcをコア層の厚さが厚い第1アーム導波路20aに印加する第1変調電圧Vaの中心電圧Vacよりも大きく(絶対値を小さく)することによって(|Vbc|<|Vac|)、ゼロチャープ動作が実現される。図5において実線で示すように、当該ゼロチャープ動作条件により、αパラメータがほぼゼロであることが分かる。
なお、MZ光変調器10の極性が上記した実施例と逆の場合、すなわち、p型基板11上に導波路20a,20bが形成され、クラッド層24a,24b、及びキャップ層25a,25bがn型半導体で形成されている場合には、当該第1及び第2変調電圧の極性も上記した実施例と逆になる。すなわち、第1及び第2変調電圧Va,Vbは正(Va>0,Vb>0)である。この場合、コア層の厚さが薄い第2アーム導波路20bに印加する第2変調電圧Vbの中心電圧Vbcの絶対値が第1変調電圧Vaの中心電圧Vacの絶対値よりも大きい場合に負チャープ動作となり、これと逆の場合にゼロチャープ動作となる点は同様である。
以上、説明したように、本発明によれば、MZ光変調器において光位相変調を行う2つの導波路のコア層厚を異ならせることによって当該変調を行う2つの導波路の構成に非対称性を導入し、当該変調導波路への変調電圧(中心電圧の大小関係)を変化させることによって負チャープ動作及びゼロチャープ動作のいずれかの動作モードを選択できる。従って、単一の装置で変調条件を変えることにより、負チャープとゼロチャープのいずれも実現することができ、種々の異なるシステムの要求に柔軟に対応可能な光変調装置を提供することが可能である。
なお、上記したように、変調導波路の非対称性は、量子井戸数を異なる数にする以外にも、同じ量子井戸数でありながらSCH層等の他の層の厚さを異ならせることによって2つの導波路のコア層の厚さを非対称とするようにしてもよい。
また、光分波器の分岐比を1からずらした場合には、それに伴い消光比(光変調器からの光出力がオンである時とオフ時であるときの光強度の比)が小さくなってしまう。しかしながら、本実施例においては、光分波器13による入射光(被変調光)の分岐比は1であり(Pa/Pb=1)、アーム導波路20a,20bにより導波される光の強度Pa,Pb、すなわち、変調される光の強度は両導波路で等しい。
従って、さらに、本実施例によれば、安定して再現性良く負チャープ特性及びゼロチャープ特性を実現することができるうえに、消光比の低下を招くこともなく、長距離伝送をより安定に実現させることが可能となる。
上記した実施例においては、第1及び第2アーム導波路のコア厚(変調層厚)を非対称にしたMZ光変調器について説明した。本実施例においては、第1及び第2アーム導波路20a,20bの層構造は同一であり、コア層厚は等しく構成されている。しかし、光分波器13の分岐比は1からずらされ、第1及び第2アーム導波路20a,20bにより導波される光の強度Pa,Pbは互いに異なる(Pa≠Pb)。
以下では、第2アーム導波路20bにより導波される光の強度(Pb)が第1アーム導波路20aにより導波される光の強度(Pa)よりも大である場合(Pa<Pb)を例に説明する。
かかる場合においても、上記した実施例1と同様に変調することで負チャープ動作及びゼロチャープ動作のいずれも実現することができる。より具体的には、ドライバ回路30は、互いに逆相のプッシュ・プル信号である第1及び第2変調電圧Va,Vbを、それぞれ第1変調電極16a、第2変調電極16bに印加する。
この場合、導波される光の強度が大きい方の導波路(第2アーム導波路20b)に印加する変調電圧の中心電圧(バイアス電圧)の絶対値(|Vbc|)を他方の導波路(第1アーム導波路20a)に印加する変調電圧の中心電圧の絶対値(|Vac|)よりも大きく(|Vac|<|Vbc|)なるようにプッシュ・プル駆動すると負チャープ特性の変調動作が実現される。
逆に、導波される光の強度が大きい方の導波路(第2アーム導波路20b)に印加する変調電圧の中心電圧の絶対値(|Vbc|)を他方の導波路(第1アーム導波路20a)に印加する変調電圧の中心電圧の絶対値(|Vac|)よりも小さく(|Vac|>|Vbc|)なるようにプッシュ・プル駆動するとゼロチャープ特性の変調動作が実現される。
このように、コア層の厚さが同一であっても、導波路により導波される光の強度に非対称性を導入することによって非対称性を導入し、当該変調導波路への変調電圧(中心電圧)を変化させることによって負チャープ動作及びゼロチャープ動作のいずれかの動作モードを選択的に実行できる。従って、単一の装置で変調条件を変えることにより、負チャープとゼロチャープのいずれも実現することができ、種々の異なるシステムの要求に柔軟に対応可能な光変調装置を提供することが可能である。
10 MZ光変調器
11 基板
12a,12b 第1及び第2の入射導波路
13 光分波器
14 光合波器
15a,15b 出射導波路
16a,16b 第1及び第2変調電極
17 共通電極
20a,20b 第1及び第2アーム導波路
21a,21b 下側SCH層
22a,22b MQW層
23a,23b 上側SCH層
24a,24b クラッド層
27a,27b コア層
Va,Vb 変調電圧信号
Vac,Vbc 中心電圧
11 基板
12a,12b 第1及び第2の入射導波路
13 光分波器
14 光合波器
15a,15b 出射導波路
16a,16b 第1及び第2変調電極
17 共通電極
20a,20b 第1及び第2アーム導波路
21a,21b 下側SCH層
22a,22b MQW層
23a,23b 上側SCH層
24a,24b クラッド層
27a,27b コア層
Va,Vb 変調電圧信号
Vac,Vbc 中心電圧
Claims (6)
- 入射光を2つに分岐し、当該2つの分岐光を導波しつつ、それぞれ第1及び第2の変調電圧信号による変調電界の印加によって光位相変調を行う第1及び第2の導波路を有するマッハツェンダ光変調器と、データ信号に基づいて前記第1及び第2の変調電圧信号を生成するドライバ回路と、を備えた光変調装置であって、
前記2つの分岐光の強度は等しいとともに、前記第1及び第2の導波路の前記変調電界が印加されるコア層の厚さは互いに異なり、
前記第1及び第2の変調電圧信号は互いに逆相のプッシュ・プル信号であって、前記第1及び第2の変調電圧信号の中心電圧が異なることを特徴とする光変調装置。 - 前記前記第1の導波路のコア層は、下側光閉じ込め層と、上側光閉じ込め層と、前記下側及び上側光閉じ込め層で挟まれた複数層の多重量子井戸層で構成され、前記第2の導波路のコア層は、下側光閉じ込め層と、前記第1の導波路よりも層の数が少ない多重量子井戸層で構成されている、ことを特徴とする請求項1記載の光変調装置。
- 前記第1及び第2の導波路のコア層は、何れも、下側光閉じ込め層と、上側光閉じ込め
層と、前記下側及び上側光閉じ込め層で挟まれた同数の多重量子井戸層を有し、
前記第1の導波路の下側及び上側光閉じ込め層の厚さと、前記第2の導波路の下側及び上側光閉じ込め層の厚さが異なる厚さに形成されていることを特徴とする請求項1記載の光変調装置。 - 入射光を2つに分岐し、当該2つの分岐光を導波しつつ、それぞれ第1及び第2の変調電圧信号による変調電界の印加によって光位相変調を行う第1及び第2の導波路を有するマッハツェンダ光変調器と、データ信号に基づいて前記第1及び第2の変調電圧信号を生成するドライバ回路と、を備えた光変調装置であって、
前記2つの分岐光の強度は異なるとともに、前記第1及び第2の導波路の前記変調電界が印加されるコア層の厚さは等しく、
前記第1及び第2の変調電圧信号は互いに逆相のプッシュ・プル信号であって、前記第1及び第2の変調電圧信号の中心電圧が異なることを特徴とする光変調装置。 - 前記第1及び第2の変調電圧信号の振幅が等しいことを特徴とする請求項1又は4記載の光変調装置。
- 前記第1及び第2の変調電圧信号の前記中心電圧の差の絶対値は、前記第1及び第2の変調電圧信号の振幅に等しいことを特徴とする請求項5記載の光変調装置。
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