JP2009251377A

JP2009251377A - 光変調装置及び光変調装置の制御方法

Info

Publication number: JP2009251377A
Application number: JP2008100506A
Authority: JP
Inventors: Fumiyoshi Kano; 文良狩野; Nobuhiro Kikuchi; 順裕菊池; Takeshi Tsuzuki; 健都築
Original assignee: Nippon Telegraph and Telephone Corp
Current assignee: Nippon Telegraph and Telephone Corp
Priority date: 2008-04-08
Filing date: 2008-04-08
Publication date: 2009-10-29

Abstract

【課題】入力電気信号の位相調整回路等を省いた簡易な駆動系でプッシュプル動作を可能とする光変調装置及び光変調装置の制御方法を提供する。
【解決手段】半導体基板１０１上に、入力光を分波した一方の光線を導波する第１の導波路１２２ａと、入力光を分波した他方の光線を導波する第１の導波路１２２ａと光路長が同一な第２の導波路１２２ｂと、第１の導波路１２２ａに少なくとも１つの第１の光位相変調器１２０ａと、第２の導波路１２２ｂに第１の導波路の第１の光位相変調器１２０ａと直交する結晶方位とした少なくとも１つの第２の光位相変調器１２０ｂとを備えた。
【選択図】図１

Description

本発明は、光変調装置及び光変調装置の制御方法に関する。

光変調装置等の光信号制御デバイスは、光通信システム、光情報処理システムにおけるキーエレメントのひとつである。光変調装置には、例えばＬｉＮｂＯ₃（ＬＮ）等の誘電体を用いた光変調装置や、ＩｎＰやＧａＡｓ等の半導体を用いた光変調装置等がある。これらの光変調装置の中でも、光源として用いられる半導体レーザや電子回路との集積化が可能で、小型化・低電圧化が容易な半導体光変調装置が特に期待されている。代表的な半導体光変調装置としては、電界吸収型光変調装置とマッハツェンダ型光変調装置が知られている。

電界吸収型光変調装置は、例えば、バルク半導体のフランツケルディッシュ効果（Ｆｒａｎｚ‐Ｋｅｌｄｙｓｈ効果）や多重量子井戸構造における量子閉じ込めシュタルク効果（ＱｕａｎｔｕｍＣｏｎｆｉｎｅｄＳｔａｒｋＥｆｆｅｃｔ：ＱＣＳＥ）のような、電界印加により吸収端が長波長側ヘシフトする効果を利用した光変調装置である。この電界吸収型光変調装置は、消費電力が小さく、小型であり、ＬＮ変調装置にみられるような直流電圧によるドリフトも生じないという利点がある。しかし、電界吸収型光変調装置は、変調時に波長チャーピングが生じ、光ファイバ伝送後の光信号の波形が劣化するという問題がある。

一方、マッハツェンダ型光変調装置は、バルク半導体の電気光学効果（ポッケルス効果）や多重量子井戸構造における量子閉じ込めシュタルク効果のように、電界を印加することにより屈折率が変化する効果を利用した光位相変調器を組み合わせてマッハツェンダ干渉計を構成した光変調装置である。マッハツェンダ型光変調装置は、原理的に波長チャーピングをなくすことができるため、超高速・長距離通信用変調装置として期待されている（例えば、下記非特許文献１）。

Ｃ．Ｒｏｌｌａｎｄ、Ｒ．Ｓ．Ｍｏｏｒｅ、Ｆ．Ｓｈｅｐｈｅｒｄ、Ｇ．Ｈｉｌｌｉｅｒ、"１０Ｇｂｉｔ／ｓ，１．５６μｍＭＵＬＴＩＱＵＡＮＴＵＭＷＥＬＬＩｎＰ／ＩｎＧａＡｓＰＭＡＣＨ‐ＺＥＨＮＤＥＲＯＰＴＩＣＡＬＭＯＤＵＬＡＴＯＲ"、ＥＬＥＣＴＲＯＮＩＣＳＬＥＴＴＥＲＳ、１９９３年３月４日、Ｖｏｌ．２９、Ｎｏ．５、ｐ．４７１−４７２Ｊ．Ｇ．Ｍｅｎｄｏｚａ‐Ａｌｖａｒｅｚ、Ｌ．Ａ．Ｃｏｌｄｒｅｎ、Ａ．Ａｌｐｉｎｇ、Ｒ．Ｈ．Ｙａｎ、Ｔ．Ｈａｕｓｋｅｎ、Ｋ．Ｌｅｅ、Ｋ．Ｐｅｄｒｏｔｔｉ、"ＡｎａｌｙｓｉｓｏｆＤｅｐｌｅｔｉｏｎＥｄｇｅＴｒａｎｓｌａｔｉｏｎＬｉｇｈｔｗａｖｅＭｏｄｕｌａｔｏｒｓ"、ＪＯＵＲＮＡＬＯＦＬＩＧＨＴＷＡＶＥＴＥＣＨＮＯＬＯＧＹ、１９８８年６月、Ｖｏｌ．６、Ｎｏ．６、ｐ．７９３−８０８

図７は、マッハツェンダ型光変調装置の概略構成を示した平面図である。
図７に示すように、マッハツェンダ型光変調装置は、入力した光を入力光として導波する入力導波路１３１と、入力光を第１の光線と第２の光線とに分波する分波器１３２（光分波手段）と、分波された第１の光線が導波する第１の導波路１３３ａ、第２の光線が導波する第２の導波路１３３ｂと、印加された電圧に基づいて第１の導波路１３３ａ及び第２の導波路１３３ｂの屈折率を変調して二分割された光の位相をそれぞれ変調する第１の光位相変調器１３４ａ及び第２の光位相変調器１３４ｂ（屈折率変調手段）と、第１の光位相変調器１３４ａ及び第２の光位相変調器１３４ｂによりそれぞれ変調された光を合波する合波器１３５（光合波手段）と、合波した光を出力光として導波する出力導波路１３６とから構成される。なお、分波器１３２及び合波器１３５には、例えば、マルチモード干渉型結合器（ＭＭＩカプラ）を用いる。

マッハツェンダ型光変調装置を高速光通信システムへ適用する際には、駆動電圧の低減等の理由からプッシュプル動作で用いられる。プッシュプル動作させるためには、第１の光位相変調器１３４ａと第２の光位相変調器１３４ｂとを逆相で動作させる。通常のマッハツェンダ型光変調装置においては、第１の導波路１３３ａ及び第２の導波路１３３ｂは平行に印加電圧に対して同じように動作するように設計されている。このため、通常のマッハツェンダ型光変調装置においてプッシュプル動作を行うためには、第１の導波路１３３ａ及び第２の導波路１３３ｂにはそれぞれ独立に位相の反転した電気信号を入力する必要があり、また、外部の駆動系も複雑となる。

以上のことから、本発明は、入力電気信号の位相調整回路等を省いた簡易な駆動系でプッシュプル動作を可能とする光変調装置及び光変調装置の制御方法を提供することを目的とする。

上記の課題を解決するための第１の発明に係る光変調装置は、
半導体基板上に、
入力光を分波した一方の光線を導波する第１の導波路と、
前記入力光を分波した他方の光線を導波する前記第１の導波路と光路長が同一な第２の導波路と、
前記第１の導波路に少なくとも１つの変調器と、
前記第２の導波路に前記第１の導波路の変調器と直交する結晶方位とした少なくとも１つの変調器と
を備える
ことを特徴とする。

上記の課題を解決するための第２の発明に係る光変調装置は、第１の発明に係る光変調装置において、
前記半導体基板は、（１００）面の結晶方位を有し、
前記第１の導波路の変調器及び前記第２の導波路の変調器は、それぞれ下記方位（Ａ）及び方位（Ｂ）に配置される
ことを特徴とする。

上記の課題を解決するための第３の発明に係る光変調装置は、第１の発明又は第２の発明に係る光変調装置において、
前記第１の導波路の変調器と前記第２の導波路の変調器を同一構造とする
ことを特徴とする。

上記の課題を解決するための第４の発明に係る光変調装置は、第１の発明又は第２の発明に係る光変調装置において、
前記半導体基板上に順次積層された、第１のｎ型半導体クラッド層、ノンドープの半導体コア層及び第２のｎ型半導体クラッド層と、
前記第１のｎ型半導体クラッド層の少なくとも一部、又は、前記第２のｎ型半導体クラッド層の少なくとも一部、もしくは、前記第１のｎ型半導体クラッド層及び前記第２のｎ型半導体クラッド層両方の少なくとも一部に半絶縁性の半導体層と、
前記半絶縁性の半導体層を介して前記半導体コア層に電界印加する電極と
を備える
ことを特徴とする。

上記の課題を解決するための第５の発明に係る光変調装置の制御方法は、
半導体基板上に、
入力光を分波した一方の光線を導波する第１の導波路と、
前記入力光を分波した他方の光線を導波する前記第１の導波路と光路長が同一な第２の導波路と、
前記第１の導波路に少なくとも１つの変調器と、
前記第２の導波路に前記第１の導波路の変調器と直交する結晶方位とした少なくとも１つの変調器と
を備える光変調装置の制御方法において、
前記第１の導波路の変調器及び前記第２の導波路の変調器に同じ電気信号を入力してプッシュプル動作させる
ことを特徴とする。

本発明によれば、入力電気信号の位相調整回路等を省いた簡易な駆動系でプッシュプル動作を可能とする光変調装置及び光変調装置の制御方法を実現することができる。

以下、本発明に係る光変調装置の実施例について図を用いて説明する。
なお、図１は本発明の第１の実施例に係る光変調装置の概略構成を示した平面図、図２は本発明の第１の実施例に係る光変調装置の概略構成を示した断面図、図３は本発明の第１の実施例に係る光変調装置の電界印加時のバンドダイヤグラムを示した図、図４は図１に示す光変調装置の他の構成例を示した平面図、図５は本発明の第２の実施例に係る光変調装置の概略構成を示した平面図、図６は本発明の第３の実施例に係る光変調装置の概略構成を示した平面図である。

また、以下の説明において、結晶方位については、各方位を下記表３に示すように表記するものとする。

以下、本発明に係る光変調装置の第１の実施例について説明する。
図１に示すように、本実施例に係る半導体光変調装置１００は、ＩｎＰからなると共に（１００）面方位を有する半導体基板１０１上に、入力した光を入力光として導波する入力導波路１１０と、入力光を第１の光線と第２の光線とに分波する分波器１２１と、第１の光線が導波する第１の導波路１２２ａと、第２の光線が導波する第２の導波路１２２ｂと、第１の光線の位相を変調する第１の光位相変調器１２０ａと、第２の光線の位相を変調する第２の光位相変調器１２０ｂと、第１の光線と第２の光線とを合波する合波器１２３と、合波した光を出力光として導波する出力導波路１１１とが形成されている。

光位相変調器１２０ａは、［０ＡＡ］方向と平行になるように形成されている。また、光位相変調器１２０ｂは、［０１Ａ］方向と平行になるように形成されている。そして、光位相変調器１２０ａと光位相変調器１２０ｂとは、互いに直行する方向に形成されている。また、分波器１２１及び合波器１２３には、マルチモード干渉型結合器（ＭＭＩカプラ）を用いている。

なお、本発明に係る光変調装置においては、図４（ａ）に示すように経路Ａ（図４（ａ）中、上側の経路）と経路Ｂ（図４（ａ）中、下側の経路）は光路長が同じであればよく、図４（ｂ）に示すような構成であってもよい。また、第１の光位相変調器１２０ａ及び第２の光位相変調器１２０ｂの位置は図４（ａ）及び図４（ｂ）に示すように対称をなす位置であることが望ましいが、図４（ｃ）に示すように非対称をなす位置であっても、その方向が［０ＡＡ］と［０１Ａ］であればよい。さらに、第１の光位相変調器１２０ａ及び第２の光位相変調器１２０ｂは、図４（ｃ）に示すような位置であってもよい。

図２に示すように、本実施例に係る半導体光変調装置１００は、半導体基板１０１上に、ｎ型のＩｎＰからなる第１の半導体クラッド層１０２を形成し、この第１の半導体クラッド層１０２上にノンドープのバルクのＩｎＧａＡｓＰからなる半導体コア層１０３（バンドギャップ波長１．０５μｍ、厚さ０．５μｍ）を形成し、この半導体コア層１０３上にＦｅやＲｕ等の不純物をＩｎＰにドーピングした半絶縁（ＳＩ）型の半絶縁層１０４を形成し、この半絶縁層１０４上にｎ型のＩｎＰからなる第２の半導体クラッド層１０５を形成することにより、ハイメサ構造の導波構造をなしている。

また、図１，２に示すように、第１の光位相変調器１２０ａに対しては第１の変調電極１０６ａが配置され、第２の光位相変調器１２０ｂに対しては第２の変調電極１０６ｂが配置されている。第１の光位相変調器１２０ａと第１の導波路１２２ａとの境界部には、これらの間を電気的に絶縁するように半導体クラッド層１０５の一部をエッチング除去した第１の分離溝１２４ａが形成されている。また、第２の光位相変調器１２０ｂと第２の導波路１２２ｂとの境界部には、これらの間を電気的に絶縁するように半導体クラッド層１０５の一部をエッチング除去した第２の分離溝１２４ｂが形成されている。また、接地電極１０７は、半導体クラッド層１０２上に配置され、この半導体クラッド層１０２とコンタクトが取られている。

そして、変調電極１０６ａと接地電極１０７、及び、変調電極１０６ｂと接地電極１０７との間に電圧印加することにより、変調電極１０６ａが形成されている光位相変調器１２０ａ部分、及び、変調電極１０６ｂが形成されている光位相変調器１２０ｂ部分の半導体コア層１０３に半絶縁層１０４を介して効率よく電界が印加することができるようになっている。

本実施例では、第１の光位相変調器１２０ａ及び第２の光位相変調器１２０ｂは、層構造が同一であり、第１の光位相変調器１２０ａ及び第２の光位相変調器１２０ｂはともに導波路幅は３．０μｍ、長さは１ｍｍとなっている。

このように、本実施例では、第１の光位相変調器１２０ａ及び第２の光位相変調器１２０ｂの構造（層構造、長さ、導波路幅）には同一の構造を用いたが、同一の構造でなくても第１の光位相変調器１２０ａ及び第２の光位相変調器１２０ｂに同じ電気信号を印加することにより、第１の光位相変調器１２０ａ及び第２の光位相変調器１２０ｂにそれぞれ独立の逆相の信号を入力した場合と同様のプッシュプル動作をさせることも可能である。

但し、第１の光位相変調器１２０ａ及び第２の光位相変調器１２０ｂの構造（層構造、長さ、導波路幅）が同一の構造である場合、第１の光位相変調器１２０ａ及び第２の光位相変調器１２０ｂそれぞれに対して独立した逆相、かつ、対称な信号を入力した場合と同様のプッシュプル動作となるので、波長チャープが零となり、変調信号のさらなる長距離伝送が可能となる。

また、第１の光位相変調器１２０ａ及び第２の光位相変調器１２０ｂは、ポッケルス効果により動作する変調器であるが、第１の光位相変調器１２０ａ及び第２の光位相変調器１２０ｂの構造が同一であれば、層構造は本実施例で示したものに限られない。例えば、半絶縁層を有さなくともクラッド層、コア層、クラッド層を順次積層した層構造であれば、ポッケルス効果により動作する変調器を構成することができる。

但し、半絶縁層１０４を有する場合には、半絶縁層１０４が電子に対するポテンシャルバリアとして働くため、電圧印加時に、ポテンシャルバリアが電子の漏れ電流を防ぐことにより、効率的に光導波層（半導体コア層１０３）に電界を印加することが可能となる。

なお、本実施例では、半絶縁層１０４は半導体コア層１０３上部に半導体コア層１０３に接して配置されているが、上部クラッド層（第２の半導体クラッド層１０５）の一部に配置されてもよい。また、半絶縁層１０４は、下部クラッド層（第１の半導体クラッド層１０２）の一部に配置されてもよく、第１の半導体クラッド層１０２及び第２の半導体クラッド層１０５のそれぞれの一部に配置してもよい。

以下、本実施例に係る半導体光変調装置１００の作製方法について説明する。
はじめに、半導体基板１０１上に、第１の半導体クラッド層１０２（ｎ‐ＩｎＰ）、半導体コア層１０３（ｉ‐ＩｎＧａＡｓＰ）、半絶縁層１０４（ＳＩ型ＩｎＰ）及び第２の半導体クラッド層１０５（ｎ‐ＩｎＰ）を順次結晶成長する。

次に、ハイメサ構造の導波路を形成するためにフォトリソグラフィを用いてパターン形成を行い、この部分の第１の半導体クラッド層１０２の一部、並びに、半導体コア層１０３、半絶縁層１０４及び第２の半導体クラッド層１０５をエッチング除去する。
そして、エッチング除去部分をポリイミドやＢＣＢ等の有機材料で埋めて平坦化した上で、変調電極１０６ａ，１０６ｂ及び接地電極１０７を設ける。
以上により、本実施例に係る半導体光変調装置１００を作製することができる。

なお、本実施例では、エッチング除去部分をポリイミド等で埋めて平坦化したが、除去部分は埋めずにそのままにしてもよいし、１００〜３００ｎｍ厚程度のＳｉＯ₂等の誘電薄膜を表面に形成してリッジ構造としてもよい。

また、本実施例では、動作波長１．３〜１．５５μｍに対し、コア層のバンドギャップ波長１．０５μｍを用いたが、動作波長１．３〜１．５５μｍに対しては、コア層のバンドギャップ波長１．０〜１．２μｍを用いることもでき、また、動作波長２．０μｍに対しては、コア層のバンドギャップ波長１．５μｍを用いることもできる。

また、本実施例では、半導体光変調装置１００を構成する材料にＩｎＰ、ＩｎＧａＡｓＰを用いたが、ＧａＡｓ、ＡｌＧａＡｓ、ＺｎＴｅ等のポッケルス効果を有する半導体材料を用いた場合についても同様の効果を奏する。

以下、本実施例に係る半導体光変調装置１００の動作について説明する。
変調電極１０６ａ又は変調電極１０６ｂに負のバイアス電圧Ｖ_bを印加すると、図３に示すように、半絶縁層１０４（ＳＩ型ＩｎＰ）が電子ｅのブロック層として作用することにより電流が流れず、半導体コア層１０３（ｉ‐ＩｎＧａＡｓＰ）に効率よく電界が印加されるようになる。

このとき、半導体コア層１０３（ｉ‐ＩｎＧａＡｓＰ）には、ポッケルス効果により、半導体基板１０１に垂直な方向（［１００］方向）の電界Ｅｂ（＝Ｖｂ／コア厚）に対し、下記式（１）で表される屈折率変化Δｎ₀が誘起される（上記非特許文献２等参照）。

ただし、ｎ₀は材料の屈折率、γ₄₁はポッケルス定数（負の値）である。また、＋符号は［０ＡＡ］方向に平行に光が伝搬する場合であり、−符号は［０１Ａ］方向に平行に光が伝搬する場合である。

よって、第１の光位相変調器１２０ａ及び第２の光位相変調器１２０ｂを［０ＡＡ］方向に平行に配すれば、電界印加により屈折率変化は負となり、［０１Ａ］方向に平行に配すれば、逆に屈折率変化は正となる。そして、本実施例に係る半導体光変調装置１００においては、第１の光位相変調器１２０ａ及び第２の光位相変調器１２０ｂはそれぞれ［０ＡＡ］方向と［０１Ａ］方向に平行となるように配置されているため、変調電極１０６ａ，１０６ｂへの同一電圧の印加に対し、逆の屈折率変化が誘起され、分波器１２１により分波された光は第１の光位相変調器１２０ａ及び第２の光位相変調器１２０ｂとで逆相で位相変調を受けることとなる。

以上のことから、本実施例に係る光変調装置及び光変調装置の制御方法によれば、マッハツェンダ型光変調装置を構成する第１の導波路１２２ａの光位相変調器１２０ａと第２の導波路１２２ｂの光位相変調器１２０ｂとに同じ電気信号を入力することにより、容易にプッシュプル動作を実現することができる。

なお、半導体コア層１０３のバンドギャップ波長としては、１．０５μｍに限らず、電界印加により大きな光吸収が発生しない程度に動作波長から離れていれさえすればよい（例えば、動作波長に対し、約１００ｎｍ以上の短波長）。

また、本実施例においては、（１００）面方位を有する半導体基板１０１を適用した場合について説明したが、これ以外にも、例えば、（００１）面方位を有する半導体基板を適用する場合には、［１００］方向は［００１］方向、［０ＡＡ］方向は［１１０］、［０１Ａ］方向は［Ａ１０］方向に置き換えることにより、本実施例に係る光変調装置及び光変調装置の制御方法と同様の効果を奏することができる。

また、本実施例では、半導体コア層１０３をバルクとした場合について説明したが、これ以外にも、例えば、半導体コア層１０３を量子井戸構造とすることも可能である。
また、本実施例では、半導体光変調装置１００にＩｎＧａＡｓＰ／ＩｎＰ系の半導体材料を使用した場合について説明したが、本発明は、このような材料に限定されるものではなく、その他の半導体材料であっても適用することができる。

本発明に係る光変調装置及び光変調装置の制御方法の第２の実施例について説明する。
図４に示すように、経路Ａと経路Ｂは対称の構造であることが望ましい。しかしながら、実際のプロセスにおいては、加工精度の問題により導波路幅に差異が生じるなどの理由により完全に対称の構造とすることは困難である。

このため、本実施例に係る光変調装置及び光変調装置の制御方法においては、図５に示すように、第１の光位相変調器１２０ａ及び第２の光位相変調器１２０ｂにそれぞれ分離した複数の電極１２５を設け、電圧を印加する電極１２５の数を変化させることにより、実質的に第１の光位相変調器１２０ａ及び第２の光位相変調器１２０ｂに印加させる電圧を変化させることで、経路Ａと経路Ｂの誤差を補償することができる。

なお、本実施例においては、第１の光位相変調器１２０ａ及び第２の光位相変調器１２０ｂに長さ０．２ｍｍの電極１２５を４個ずつ設け、経路Ａの第１の光位相変調器１２０ａの電極４個、経路Ａの第２の光位相変調器１２０ｂの電極３個に電圧を印加した結果、良好な結果を得ることができた。

本発明に係る光変調装置及び光変調装置の制御方法の第３の実施例について説明する。
なお、本実施例は、第２の実施例と同様の問題を解決することを目的とする。
本実施例に係る光変調装置は、図６に示すように、第１の光位相変調器１２０ａ及び第２の光位相変調器１２０ｂに同一の変調信号を印加するとともに、第１の光位相変調器１２０ａ及び第２の光位相変調器１２０ｂにそれぞれ異なる直流電圧を印加することにより、経路Ａと経路Ｂとの誤差を補償することができる。

なお、本実施例においては、第１の光位相変調器１２０ａ及び第２の光位相変調器１２０ｂに同一の変調信号を印加して、経路Ａの第１の光位相変調器１２０ａに直流電圧を３Ｖ、経路Ｂの第２の光位相変調器１２０ｂに直流電圧を３．５Ｖ印加した結果、良好な結果を得ることができた。

本発明に係る光変調装置は、例えば、入力電気信号の位相調整回路等を省いた簡易な駆動系でプッシュプル動作可能で光送信器の低価格化・小型化に供することができ、産業上、極めて有益に利用することが可能である。

本発明の第１の実施例に係る光変調装置の概略構成を示した平面図である。本発明の第１の実施例に係る光変調装置の概略構成を示した断面図である。本発明の第１の実施例に係る光変調装置の電界印加時のバンドダイヤグラムを示した図である。図１に示す光変調装置の他の構成例を示した平面図である。本発明の第２の実施例に係る光変調装置の概略構成を示した平面図である。本発明の第３の実施例に係る光変調装置の概略構成を示した平面図である。マッハツェンダ型光変調装置の概略構成を示した平面図である。

符号の説明

１００半導体光変調装置
１０１半導体基板
１０２第１の半導体クラッド層
１０３半導体コア層
１０４半絶縁層
１０５第２の半導体クラッド層
１０６ａ第１の変調電極
１０６ｂ第２の変調電極
１０７接地電極
１１０入力導波路
１１１出力導波路
１２０ａ第１の光位相変調器
１２０ｂ第２の光位相変調器
１２１分波器
１２２ａ第１の導波路
１２２ｂ第２の導波路
１２３合波器
１２４ａ第１の分離溝
１２４ｂ第２の分離溝
１２５電極
１３１入力導波路
１３２分波器
１３３ａ第１の導波路
１３３ｂ第２の導波路
１３４ａ第１の光位相変調器
１３４ｂ第２の光位相変調器
１３５合波器
１３６出力導波路

Claims

半導体基板上に、
入力光を分波した一方の光線を導波する第１の導波路と、
前記入力光を分波した他方の光線を導波する前記第１の導波路と光路長が同一な第２の導波路と、
前記第１の導波路に少なくとも１つの変調器と、
前記第２の導波路に前記第１の導波路の変調器と直交する結晶方位とした少なくとも１つの変調器と
を備える
ことを特徴とする光変調装置。
前記半導体基板は、（１００）面の結晶方位を有し、
前記第１の導波路の変調器及び前記第２の導波路の変調器は、それぞれ下記方位（Ａ）及び方位（Ｂ）に配置される
ことを特徴とする請求項１に記載の光変調装置。
前記第１の導波路の変調器と前記第２の導波路の変調器を同一構造とする
ことを特徴とする請求項１又は請求項２に記載の光変調装置。
前記半導体基板上に順次積層された、第１のｎ型半導体クラッド層、ノンドープの半導体コア層及び第２のｎ型半導体クラッド層と、
前記第１のｎ型半導体クラッド層の少なくとも一部、又は、前記第２のｎ型半導体クラッド層の少なくとも一部、もしくは、前記第１のｎ型半導体クラッド層及び前記第２のｎ型半導体クラッド層両方の少なくとも一部に半絶縁性の半導体層と、
前記半絶縁性の半導体層を介して前記半導体コア層に電界印加する電極と
を備える
ことを特徴とする請求項１又は請求項２に記載の光変調装置。
半導体基板上に、
入力光を分波した一方の光線を導波する第１の導波路と、
前記入力光を分波した他方の光線を導波する前記第１の導波路と光路長が同一な第２の導波路と、
前記第１の導波路に少なくとも１つの変調器と、
前記第２の導波路に前記第１の導波路の変調器と直交する結晶方位とした少なくとも１つの変調器と
を備える光変調装置の制御方法において、
前記第１の導波路の変調器及び前記第２の導波路の変調器に同じ電気信号を入力してプッシュプル動作させる
ことを特徴とする光変調装置の制御方法。