JP5553151B2 - 半導体光変調器及びそれを用いた半導体光送信機 - Google Patents
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先ず、第1の実施形態について説明する。図5(a)は、第1の実施形態に係る半導体光変調器の構造を示す模式図である。第1の実施形態は、集中定数型電極を備えた半導体光変調器の一例である。
次に、第2の実施形態について説明する。図5(b)は、第2の実施形態に係る半導体光変調器の構造を示す模式図である。第2の実施形態は、進行波型電極を備えた半導体光変調器の一例である。
次に、第3の実施形態について説明する。図6は、第3の実施形態に係る半導体光変調器の構造を示す上面図である。第3の実施形態は、進行波型電極を備えた半導体光変調器の一例である。
4a、4b:導波路
7:半導体メサ構造体
11a、11b:電極
12:補助電極
13:接続部
204a、204b:導波路
207、227:半導体メサ構造体
211a、211b:電極
212、222:補助電極
213:接続部
Claims (6)
- 基板上に設けられた第1の光導波路及び第2の光導波路を備えたマッハ・ツェンダ型光干渉計と、
前記第1の光導波路上に形成された第1の電極と、
前記第2の光導波路上に形成され、前記第1の電極とは長さが相違する第2の電極と、
前記第1の光導波路及び前記第2の光導波路から被変調光の波長以上離間して設けられた半導体メサ構造体と、
前記半導体メサ構造体上に形成され、前記第1の電極及び前記第2の電極のうち短いものに電気的に接続された補助電極と、
前記第1の電極に接続された第1の交流電源と、
前記第2の電極に接続された第2の交流電源と、
を有することを特徴とする半導体光変調器。 - 前記第1の光導波路及び前記第2の光導波路は第1の空乏層を有し、
前記半導体メサ構造体は第2の空乏層を有し、
前記第2の空乏層の厚さ及び幅は、前記第1の空乏層の厚さ及び幅の90%以上110%以下であり、
前記補助電極の長さと前記第1の電極及び前記第2の電極のうち短いものの長さとの和は、前記第1の電極及び前記第2の電極のうち長いものの長さの90%以上110%以下であることを特徴とする請求項1に記載の半導体光変調器。 - 前記半導体メサ構造体の層構造は、前記第1の光導波路及び前記第2の光導波路の層構造と等しく、
前記半導体メサ構造体の幅は、前記第1の光導波路及び前記第2の光導波路の幅の90%以上110%以下であり、
前記補助電極の長さと前記第1の電極及び前記第2の電極のうち短いものの長さとの和は、前記第1の電極及び前記第2の電極のうち長いものの長さの90%以上110%以下であることを特徴とする請求項1に記載の半導体光変調器。 - 前記第1の光導波路及び前記第2の光導波路は、半導体の多重量子井戸構造の導波層を有することを特徴とする請求項1乃至3のいずれか1項に記載の半導体光変調器。
- 前記第1の電極に接続された第1の終端抵抗と、
前記第2の電極に接続された第2の終端抵抗と、
を有することを特徴とする請求項1乃至4のいずれか1項に記載の半導体光変調器。 - 請求項1乃至5のいずれか1項に記載の半導体光変調器と、
前記基板上に前記半導体光変調器と集積された半導体レーザと、
を有することを特徴とする半導体光送信機。
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