JPH10320975A - 半導体型記憶装置 - Google Patents
半導体型記憶装置Info
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- JPH10320975A JPH10320975A JP9124523A JP12452397A JPH10320975A JP H10320975 A JPH10320975 A JP H10320975A JP 9124523 A JP9124523 A JP 9124523A JP 12452397 A JP12452397 A JP 12452397A JP H10320975 A JPH10320975 A JP H10320975A
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- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C7/00—Arrangements for writing information into, or reading information out from, a digital store
- G11C7/10—Input/output [I/O] data interface arrangements, e.g. I/O data control circuits, I/O data buffers
- G11C7/1015—Read-write modes for single port memories, i.e. having either a random port or a serial port
- G11C7/1045—Read-write mode select circuits
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C7/00—Arrangements for writing information into, or reading information out from, a digital store
- G11C7/10—Input/output [I/O] data interface arrangements, e.g. I/O data control circuits, I/O data buffers
- G11C7/1015—Read-write modes for single port memories, i.e. having either a random port or a serial port
- G11C7/1018—Serial bit line access mode, e.g. using bit line address shift registers, bit line address counters, bit line burst counters
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- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C8/00—Arrangements for selecting an address in a digital store
- G11C8/04—Arrangements for selecting an address in a digital store using a sequential addressing device, e.g. shift register, counter
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- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Dram (AREA)
- Static Random-Access Memory (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】余分な時間を費やさず、かつ格別に正確なタイ
ミング制御を必要とせずに、開始アドレスから所望の数
のアドレスにアクセスすることが可能な半導体型記憶装
置を提供する。 【解決手段】内部カウンタ13は、開始アドレスからの
一連のカラムアドレスをメモリアレイ14に順次出力す
る。メモリアレイ14では、ロウアドレスを共通とする
一連のカラムアドレスに対応する各メモリセルをアクセ
スする。加算器並びに記憶装置15は、開始アドレスか
ら開始され、任意のバースト長BLによって示される一
連のアドレスの数を経ることにより至る終了アドレスを
求め、この終了アドレスを比較器16に与える。比較器
16は、カラムアドレスが終了アドレスに達すると、内
部カウンタ13からメモリアレイ14へのカラムアドレ
スの出力を停止させる。この結果、メモリアレイ14に
おいては、開始アドレスから終了アドレスまでの各メモ
リセルがアクセスされる。
ミング制御を必要とせずに、開始アドレスから所望の数
のアドレスにアクセスすることが可能な半導体型記憶装
置を提供する。 【解決手段】内部カウンタ13は、開始アドレスからの
一連のカラムアドレスをメモリアレイ14に順次出力す
る。メモリアレイ14では、ロウアドレスを共通とする
一連のカラムアドレスに対応する各メモリセルをアクセ
スする。加算器並びに記憶装置15は、開始アドレスか
ら開始され、任意のバースト長BLによって示される一
連のアドレスの数を経ることにより至る終了アドレスを
求め、この終了アドレスを比較器16に与える。比較器
16は、カラムアドレスが終了アドレスに達すると、内
部カウンタ13からメモリアレイ14へのカラムアドレ
スの出力を停止させる。この結果、メモリアレイ14に
おいては、開始アドレスから終了アドレスまでの各メモ
リセルがアクセスされる。
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】この発明は、高速性を要求さ
れる半導体型記憶装置に関し、特にシンクロナスDRA
Mに代表される様なカラム方向への高速かつ連続的なア
クセスを行う半導体型記憶装置に関する。
れる半導体型記憶装置に関し、特にシンクロナスDRA
Mに代表される様なカラム方向への高速かつ連続的なア
クセスを行う半導体型記憶装置に関する。
【0002】
【従来の技術】周知の様に、ダイナミック型RAMを基
本構成とし、その動作が外部から入力されるクロック信
号によって同期化される所謂シンクロナスDRAMが提
供されている。この種のシンクロナスDRAMは、例え
ば指定された開始アドレスからロウアドレスを共通とす
る1、2、4又は8のアドレスに対して連続してアクセ
スし得るバーストモードを有する。
本構成とし、その動作が外部から入力されるクロック信
号によって同期化される所謂シンクロナスDRAMが提
供されている。この種のシンクロナスDRAMは、例え
ば指定された開始アドレスからロウアドレスを共通とす
る1、2、4又は8のアドレスに対して連続してアクセ
スし得るバーストモードを有する。
【0003】図8は、従来のシンクロナスDRAMにお
けるバーストモードのための構成を示している。同図に
おいて、コマンドデコーダ11は、バーRAS信号、バ
ーCAS信号、バーCS信号及びバーWE信号を入力し
てデコードし、選択するバンクをアクティブ状態にする
命令、リードあるいはライト状態にする命令、モードレ
ジスタ12を起動する命令等を生成するものである。こ
れらのうちのモードレジスタ12を起動する命令は、1
6MビットのシンクロナスDRAMの標準仕様に従え
ば、バーRAS信号、バーCAS信号、バーCS信号及
びバーWE信号が全て“L”のときに生成され、この命
令に応じてモードレジスタ設定モードに入る。
けるバーストモードのための構成を示している。同図に
おいて、コマンドデコーダ11は、バーRAS信号、バ
ーCAS信号、バーCS信号及びバーWE信号を入力し
てデコードし、選択するバンクをアクティブ状態にする
命令、リードあるいはライト状態にする命令、モードレ
ジスタ12を起動する命令等を生成するものである。こ
れらのうちのモードレジスタ12を起動する命令は、1
6MビットのシンクロナスDRAMの標準仕様に従え
ば、バーRAS信号、バーCAS信号、バーCS信号及
びバーWE信号が全て“L”のときに生成され、この命
令に応じてモードレジスタ設定モードに入る。
【0004】このモードレジスタ設定モードにおいて、
モードレジスタ12は、アドレスを入力すると、このア
ドレスをデコードし、バースト長、バーストタイプ、C
ASレイテンシを生成する。
モードレジスタ12は、アドレスを入力すると、このア
ドレスをデコードし、バースト長、バーストタイプ、C
ASレイテンシを生成する。
【0005】ここで、バースト長とは、連続してアクセ
スされる一連のデータの数(一連のアドレスの数)であ
り、16MビットのシンクロナスDRAMの標準仕様に
従えば、1、2、4又は8(シーケンシャル型の場合
は、バースト長としてフルページが追加される)が設定
される。また、バーストタイプとは、連続してアクセス
されるアドレスの順番のことで、シーケンシャル型とイ
ンタリーブ型がある。更に、CASレイテンシとは、カ
ラムアドレスが入力されてからデータが入出力されるま
でのクロック数のことであり、16Mビットのシンクロ
ナスDRAMの標準仕様に従えば、1、2又は3が設定
される。
スされる一連のデータの数(一連のアドレスの数)であ
り、16MビットのシンクロナスDRAMの標準仕様に
従えば、1、2、4又は8(シーケンシャル型の場合
は、バースト長としてフルページが追加される)が設定
される。また、バーストタイプとは、連続してアクセス
されるアドレスの順番のことで、シーケンシャル型とイ
ンタリーブ型がある。更に、CASレイテンシとは、カ
ラムアドレスが入力されてからデータが入出力されるま
でのクロック数のことであり、16Mビットのシンクロ
ナスDRAMの標準仕様に従えば、1、2又は3が設定
される。
【0006】さて、モードレジスタ設定モードに入る
と、バースト動作が次の様な手順で行われる。
と、バースト動作が次の様な手順で行われる。
【0007】まず、開始アドレスが内部カウンタ13に
入力されると、この内部カウンタ13は、カラムアドレ
スを該開始アドレスから順次インクリメントし、一連の
カラムアドレスをメモリアレイ14に順次出力する。メ
モリアレイ14では、ロウアドレスを共通とする一連の
カラムアドレスに対応する各メモリセルをアクセスす
る。
入力されると、この内部カウンタ13は、カラムアドレ
スを該開始アドレスから順次インクリメントし、一連の
カラムアドレスをメモリアレイ14に順次出力する。メ
モリアレイ14では、ロウアドレスを共通とする一連の
カラムアドレスに対応する各メモリセルをアクセスす
る。
【0008】一方、加算器並びに記憶装置15は、開始
アドレスを入力すると共に、モードレジスタ12からの
バースト長を入力し、開始アドレスから開始され、バー
スト長によって示される一連のアドレスの数を経ること
により至る終了アドレスを求め、この終了アドレスを比
較器16に与える。
アドレスを入力すると共に、モードレジスタ12からの
バースト長を入力し、開始アドレスから開始され、バー
スト長によって示される一連のアドレスの数を経ること
により至る終了アドレスを求め、この終了アドレスを比
較器16に与える。
【0009】比較器16は、内部カウンタ13からのカ
ラムアドレス、及び加算器並びに記憶装置15からの終
了アドレスを入力し、カラムアドレスが終了アドレスに
達すると、カウンタストップ信号を内部カウンタ13に
送出する。これに応答して、内部カウンタ13は、メモ
リアレイ14へのカラムアドレスの出力を停止する。
ラムアドレス、及び加算器並びに記憶装置15からの終
了アドレスを入力し、カラムアドレスが終了アドレスに
達すると、カウンタストップ信号を内部カウンタ13に
送出する。これに応答して、内部カウンタ13は、メモ
リアレイ14へのカラムアドレスの出力を停止する。
【0010】この結果、メモリアレイ14においては、
ロウアドレスを共通とする開始アドレスから終了アドレ
スまでの各メモリセルがアクセスされる。
ロウアドレスを共通とする開始アドレスから終了アドレ
スまでの各メモリセルがアクセスされる。
【0011】例えば、図9のタイミングチャートに示す
様にバースト長BLとして8を設定すると、開始アドレ
スから8個のアドレスにアクセスして、8個のデータを
得た後、比較器16から内部カウンタ13へとカウンタ
ストップ信号を送出し、この内部カウンタ13からのア
ドレスの出力を停止する。
様にバースト長BLとして8を設定すると、開始アドレ
スから8個のアドレスにアクセスして、8個のデータを
得た後、比較器16から内部カウンタ13へとカウンタ
ストップ信号を送出し、この内部カウンタ13からのア
ドレスの出力を停止する。
【0012】また、バースト動作の途中で、バーストス
トップ命令を入力すると、このバースト動作を中断す
る。データの読み出しに際しては、バーストストップ命
令を入力してからCASレイテンシ後に、I/O端子を
ハイインピーダンスに切り換える。また、書き込みに際
しては、バーストストップ命令の入力と同時に、I/O
端子をハイインピーダンスに切り換える。
トップ命令を入力すると、このバースト動作を中断す
る。データの読み出しに際しては、バーストストップ命
令を入力してからCASレイテンシ後に、I/O端子を
ハイインピーダンスに切り換える。また、書き込みに際
しては、バーストストップ命令の入力と同時に、I/O
端子をハイインピーダンスに切り換える。
【0013】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来で
は、バースト長BLとして、1、2、4又は8を予め設
定しておき、これらのうちからいずれかを選択するの
で、次の様な不都合を生じた。
は、バースト長BLとして、1、2、4又は8を予め設
定しておき、これらのうちからいずれかを選択するの
で、次の様な不都合を生じた。
【0014】例えば、開始アドレスから9個のアドレス
にアクセスする場合、バースト長BLとして9を設定し
ていないので、図10のタイミングチャートに示す様に
バースト長BLとして8を選択し、開始アドレスから8
個のアドレスにアクセスして、8個のデータを得、引き
続いてバースト長BLとして1を選択し、開始アドレス
から1個のアドレスにアクセスして、1個のデータを
得、合計で9個のアドレスにアクセスして、9個のデー
タを得ていた。
にアクセスする場合、バースト長BLとして9を設定し
ていないので、図10のタイミングチャートに示す様に
バースト長BLとして8を選択し、開始アドレスから8
個のアドレスにアクセスして、8個のデータを得、引き
続いてバースト長BLとして1を選択し、開始アドレス
から1個のアドレスにアクセスして、1個のデータを
得、合計で9個のアドレスにアクセスして、9個のデー
タを得ていた。
【0015】この様にバースト長BLの選択を複数回繰
り返す場合、余分な時間を費やすことになる。勿論、開
始アドレスから18個や20個等のアドレスにアクセス
する場合も、同様の問題を生じる。
り返す場合、余分な時間を費やすことになる。勿論、開
始アドレスから18個や20個等のアドレスにアクセス
する場合も、同様の問題を生じる。
【0016】あるいは、図11のタイミングチャートに
示す様にバースト長BLとしてフルページ(バースト長
BL256に相当する)を設定し、開始アドレスから9
個のアドレスにアクセスした時点で、バーストストップ
命令を入力して、アクセスを停止していた。
示す様にバースト長BLとしてフルページ(バースト長
BL256に相当する)を設定し、開始アドレスから9
個のアドレスにアクセスした時点で、バーストストップ
命令を入力して、アクセスを停止していた。
【0017】しかしながら、この様にバースト動作を中
断させる場合、バーストストップ命令の入力タイミング
に頼るので、タイミング制御が困難になる。
断させる場合、バーストストップ命令の入力タイミング
に頼るので、タイミング制御が困難になる。
【0018】そこで、この発明は、この様な従来技術の
課題を解決するものであって、余分な時間を費やさず、
かつ格別に正確なタイミング制御を必要とせずに、開始
アドレスから所望の数のアドレスに連続的にアクセスす
ることが可能な半導体型記憶装置を提供することを目的
とする。
課題を解決するものであって、余分な時間を費やさず、
かつ格別に正確なタイミング制御を必要とせずに、開始
アドレスから所望の数のアドレスに連続的にアクセスす
ることが可能な半導体型記憶装置を提供することを目的
とする。
【0019】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に、この発明は、計数手段に開始アドレスを与え、この
計数手段によって計数される開始アドレスからの一連の
アドレスに従って、メモリアレイをアクセスする半導体
型記憶装置において、任意の終了アドレスを設定する設
定手段と、計数手段によって計数されるアドレスが設定
手段によって設定された終了アドレスに達すると、この
計数手段を停止させる停止手段とを備えている。
に、この発明は、計数手段に開始アドレスを与え、この
計数手段によって計数される開始アドレスからの一連の
アドレスに従って、メモリアレイをアクセスする半導体
型記憶装置において、任意の終了アドレスを設定する設
定手段と、計数手段によって計数されるアドレスが設定
手段によって設定された終了アドレスに達すると、この
計数手段を停止させる停止手段とを備えている。
【0020】この様な構成によれば、設定手段によっ
て、所望の終了アドレスを設定すると、この所望の終了
アドレスに、計数手段によって計数されるアドレスが達
したときに、この計数手段が停止する。これによって、
開始アドレスから終了アドレスに至るまでの一連のアド
レスに従って、メモリアレイがアクセスされる。
て、所望の終了アドレスを設定すると、この所望の終了
アドレスに、計数手段によって計数されるアドレスが達
したときに、この計数手段が停止する。これによって、
開始アドレスから終了アドレスに至るまでの一連のアド
レスに従って、メモリアレイがアクセスされる。
【0021】請求項2に記載の様に、設定手段は、開始
アドレス、及び該開始アドレスからの一連のアドレスの
数を外部から与えられ、開始アドレス及び一連のアドレ
スの数に基づいて、任意の終了アドレスを設定するのが
良い。
アドレス、及び該開始アドレスからの一連のアドレスの
数を外部から与えられ、開始アドレス及び一連のアドレ
スの数に基づいて、任意の終了アドレスを設定するのが
良い。
【0022】この場合、請求項4に記載の様に、開始ア
ドレスを入力する入力端子、及び該開始アドレスからの
一連のアドレスの数を入力する入力端子を別々に備え、
開始アドレス及び該開始アドレスからの一連のアドレス
の数を同時に入力しても構わない。
ドレスを入力する入力端子、及び該開始アドレスからの
一連のアドレスの数を入力する入力端子を別々に備え、
開始アドレス及び該開始アドレスからの一連のアドレス
の数を同時に入力しても構わない。
【0023】また、請求項6に記載の様に、開始アドレ
スからの一連のアドレスの数を該開始アドレスとは異な
るタイミングで該開始アドレスの入力端子から入力して
も構わない。
スからの一連のアドレスの数を該開始アドレスとは異な
るタイミングで該開始アドレスの入力端子から入力して
も構わない。
【0024】一方、請求項3に記載の様に、設定手段
は、開始アドレス、及び任意の終了アドレスを外部から
与えるのが良い。
は、開始アドレス、及び任意の終了アドレスを外部から
与えるのが良い。
【0025】この場合、請求項5に記載の様に、開始ア
ドレスを入力する入力端子、及び任意の終了アドレスを
入力する入力端子を別々に備え、開始アドレス及び任意
の終了アドレスを同時に入力しても構わない。
ドレスを入力する入力端子、及び任意の終了アドレスを
入力する入力端子を別々に備え、開始アドレス及び任意
の終了アドレスを同時に入力しても構わない。
【0026】また、請求項7に記載の様に、任意の終了
アドレスを開始アドレスとは異なるタイミングで該開始
アドレスの入力端子から入力しても構わない。
アドレスを開始アドレスとは異なるタイミングで該開始
アドレスの入力端子から入力しても構わない。
【0027】
【発明の実施の形態】以下、この発明の実施形態を添付
図面を参照して説明する。
図面を参照して説明する。
【0028】図1は、この発明の半導体型記憶装置の第
1実施形態を示している。この第1実施形態の装置で
は、図8の装置におけるモードレジスタ12によって生
成されるバースト長を用いる代わりに、外部から加算器
並びに記憶装置15へと、バースト長の指示を直接受け
る。
1実施形態を示している。この第1実施形態の装置で
は、図8の装置におけるモードレジスタ12によって生
成されるバースト長を用いる代わりに、外部から加算器
並びに記憶装置15へと、バースト長の指示を直接受け
る。
【0029】このバースト長は、例えば8ビット程度の
データによって指示され、バースト長BLとして、1〜
256のうちの任意の値が指定される。
データによって指示され、バースト長BLとして、1〜
256のうちの任意の値が指定される。
【0030】さて、開始アドレスが内部カウンタ13に
入力されると、この内部カウンタ13は、カラムアドレ
スを該開始アドレスから順次インクリメントし、一連の
カラムアドレスをメモリアレイ14に順次出力する。メ
モリアレイ14では、ロウアドレスを共通とする一連の
カラムアドレスに対応する各メモリセルをアクセスす
る。
入力されると、この内部カウンタ13は、カラムアドレ
スを該開始アドレスから順次インクリメントし、一連の
カラムアドレスをメモリアレイ14に順次出力する。メ
モリアレイ14では、ロウアドレスを共通とする一連の
カラムアドレスに対応する各メモリセルをアクセスす
る。
【0031】加算器並びに記憶装置15は、バースト長
BLの他に、開始アドレスを入力し、開始アドレスから
開始され、バースト長BLによって示される一連のアド
レスの数を経ることにより至る終了アドレスを求め、こ
の終了アドレスを比較器16に与える。比較器16は、
内部カウンタ13からのカラムアドレス、及び加算器並
びに記憶装置15からの終了アドレスを入力し、カラム
アドレスが終了アドレスに達すると、カウンタストップ
信号を内部カウンタ13に送出する。これに応答して、
内部カウンタ13は、メモリアレイ14へのカラムアド
レスの出力を停止する。
BLの他に、開始アドレスを入力し、開始アドレスから
開始され、バースト長BLによって示される一連のアド
レスの数を経ることにより至る終了アドレスを求め、こ
の終了アドレスを比較器16に与える。比較器16は、
内部カウンタ13からのカラムアドレス、及び加算器並
びに記憶装置15からの終了アドレスを入力し、カラム
アドレスが終了アドレスに達すると、カウンタストップ
信号を内部カウンタ13に送出する。これに応答して、
内部カウンタ13は、メモリアレイ14へのカラムアド
レスの出力を停止する。
【0032】この結果、メモリアレイ14においては、
ロウアドレスを共通とする開始アドレスから終了アドレ
スまでの各メモリセルがアクセスされる。
ロウアドレスを共通とする開始アドレスから終了アドレ
スまでの各メモリセルがアクセスされる。
【0033】ここで、先に述べた様にバースト長BLと
して、1〜256のうちの任意の値が指定される。この
ため、開始アドレスから終了アドレスに至るまでの一連
のアドレスの数、つまり連続してアクセスされる各メモ
リセルの数(データの数に対応する)を任意に設定する
ことができ、これによって所望の数のデータを連続的に
得ることができる。
して、1〜256のうちの任意の値が指定される。この
ため、開始アドレスから終了アドレスに至るまでの一連
のアドレスの数、つまり連続してアクセスされる各メモ
リセルの数(データの数に対応する)を任意に設定する
ことができ、これによって所望の数のデータを連続的に
得ることができる。
【0034】一方、バースト長BLの指示は、例えばモ
ードレジスタ12に与えられるアドレスの入力端子を共
用し、この入力端子から加算器並びに記憶装置15へと
与えられる。この場合、図2のタイミングチャートに示
す様に、まず開始アドレスを入力端子から加算器並びに
記憶装置15及び内部カウンタ13へと与えて、内部カ
ウンタ13によるカラムアドレスのインクリメントを開
始し、メモリアレイ14への一連のカラムアドレスの指
示を行う。この途中で、開始アドレスに引き続いて、バ
ースト長BLを同じ入力端子から加算器並びに記憶装置
15に指示して、この加算器並びに記憶装置15によっ
て終了アドレスを求め、この終了アドレスを比較器16
に与えて、この比較器16によって終了アドレスとカラ
ムアドレスの比較を行う。
ードレジスタ12に与えられるアドレスの入力端子を共
用し、この入力端子から加算器並びに記憶装置15へと
与えられる。この場合、図2のタイミングチャートに示
す様に、まず開始アドレスを入力端子から加算器並びに
記憶装置15及び内部カウンタ13へと与えて、内部カ
ウンタ13によるカラムアドレスのインクリメントを開
始し、メモリアレイ14への一連のカラムアドレスの指
示を行う。この途中で、開始アドレスに引き続いて、バ
ースト長BLを同じ入力端子から加算器並びに記憶装置
15に指示して、この加算器並びに記憶装置15によっ
て終了アドレスを求め、この終了アドレスを比較器16
に与えて、この比較器16によって終了アドレスとカラ
ムアドレスの比較を行う。
【0035】また、バースト長BLの指示は、モードレ
ジスタ12に与えられるアドレスの入力端子とは別のI/
O端子を用い、このI/O端子から加算器並びに記憶装置1
5へと与えることができる。この場合、図3のタイミン
グチャートに示す様に開始アドレスを入力端子から加算
器並びに記憶装置15及び内部カウンタ13へと与える
のと略同時に、バースト長BLをI/O端子から加算器並
びに記憶装置15に指示する。このため、内部カウンタ
13によるカラムアドレスのインクリメントを開始する
のと略同時に、加算器並びに記憶装置15によって終了
アドレスを求め、この終了アドレスを比較器16に与え
ることになる。
ジスタ12に与えられるアドレスの入力端子とは別のI/
O端子を用い、このI/O端子から加算器並びに記憶装置1
5へと与えることができる。この場合、図3のタイミン
グチャートに示す様に開始アドレスを入力端子から加算
器並びに記憶装置15及び内部カウンタ13へと与える
のと略同時に、バースト長BLをI/O端子から加算器並
びに記憶装置15に指示する。このため、内部カウンタ
13によるカラムアドレスのインクリメントを開始する
のと略同時に、加算器並びに記憶装置15によって終了
アドレスを求め、この終了アドレスを比較器16に与え
ることになる。
【0036】図2及び図3のタイミングチャートでは、
開始アドレスから9個のアドレスに連続してアクセスし
ているが、1〜256のうちの任意の数のアドレスを連
続してアクセスすることができる。
開始アドレスから9個のアドレスに連続してアクセスし
ているが、1〜256のうちの任意の数のアドレスを連
続してアクセスすることができる。
【0037】この様にバースト長BLを入力するタイミ
ングは、開始アドレスの入力に引き続く期間か、この開
始アドレスの入力と略同時であれば良いので、この入力
タイミングの制御を容易に行うことができる。また、バ
ースト長BL及び開始アドレスを略同時に入力する場合
は、入力のタイミングが1回のみなので、効率的であ
る。
ングは、開始アドレスの入力に引き続く期間か、この開
始アドレスの入力と略同時であれば良いので、この入力
タイミングの制御を容易に行うことができる。また、バ
ースト長BL及び開始アドレスを略同時に入力する場合
は、入力のタイミングが1回のみなので、効率的であ
る。
【0038】なお、コマンドデコーダ11へのバーRA
S信号、バーCAS信号、バーCS信号及びバーWE信
号が全て“L”のときに、モードレジスタ設定モードに
入り、モードレジスタ12は、アドレスの入力に応答し
て、このアドレスをデコードし、バーストタイプ、CA
Sレイテンシを生成する。
S信号、バーCAS信号、バーCS信号及びバーWE信
号が全て“L”のときに、モードレジスタ設定モードに
入り、モードレジスタ12は、アドレスの入力に応答し
て、このアドレスをデコードし、バーストタイプ、CA
Sレイテンシを生成する。
【0039】図4は、この発明の半導体型記憶装置の第
2実施形態を示している。この第2実施形態の装置で
は、図1の装置における加算器並びに記憶装置15の代
わりに、記憶装置21を設け、バースト長BLの代わり
に、終了アドレスを外部から記憶装置21へと直接受け
る。
2実施形態を示している。この第2実施形態の装置で
は、図1の装置における加算器並びに記憶装置15の代
わりに、記憶装置21を設け、バースト長BLの代わり
に、終了アドレスを外部から記憶装置21へと直接受け
る。
【0040】勿論、終了アドレスとして、任意のカラム
アドレスが指定される。
アドレスが指定される。
【0041】この記憶装置21内の終了アドレスは、比
較器16に与えられる。比較器16は、内部カウンタ1
3からのカラムアドレスが終了アドレスに達すると、カ
ウンタストップ信号を内部カウンタ13に送出し、この
内部カウンタ13からメモリアレイ14へのカラムアド
レスの出力を停止させる。これによって、メモリアレイ
14では、開始アドレスから終了アドレスまでの各メモ
リセルがアクセスされる。
較器16に与えられる。比較器16は、内部カウンタ1
3からのカラムアドレスが終了アドレスに達すると、カ
ウンタストップ信号を内部カウンタ13に送出し、この
内部カウンタ13からメモリアレイ14へのカラムアド
レスの出力を停止させる。これによって、メモリアレイ
14では、開始アドレスから終了アドレスまでの各メモ
リセルがアクセスされる。
【0042】この様に終了アドレスとして、任意のカラ
ムアドレスが指定されるので、連続してアクセスされる
各メモリセルの数を任意に設定することができ、これに
よって所望の数のデータを連続的に得ることができる。
ムアドレスが指定されるので、連続してアクセスされる
各メモリセルの数を任意に設定することができ、これに
よって所望の数のデータを連続的に得ることができる。
【0043】一方、終了アドレスの指示は、例えばモー
ドレジスタ12に与えられるアドレスの入力端子を共用
し、この入力端子から記憶装置21へと与えられる。こ
の場合、図5のタイミングチャートに示す様に、まず開
始アドレスを入力端子から内部カウンタ13へと与え
て、内部カウンタ13によるカラムアドレスのインクリ
メントを開始し、メモリアレイ14への一連のカラムア
ドレスの指示を行う。この途中で、開始アドレスに引き
続いて、終了アドレスを同じ入力端子から記憶装置21
に指示して、この終了アドレスを比較器16に与え、こ
の比較器16によって終了アドレスとカラムアドレスの
比較を行う。
ドレジスタ12に与えられるアドレスの入力端子を共用
し、この入力端子から記憶装置21へと与えられる。こ
の場合、図5のタイミングチャートに示す様に、まず開
始アドレスを入力端子から内部カウンタ13へと与え
て、内部カウンタ13によるカラムアドレスのインクリ
メントを開始し、メモリアレイ14への一連のカラムア
ドレスの指示を行う。この途中で、開始アドレスに引き
続いて、終了アドレスを同じ入力端子から記憶装置21
に指示して、この終了アドレスを比較器16に与え、こ
の比較器16によって終了アドレスとカラムアドレスの
比較を行う。
【0044】また、終了アドレスの指示は、モードレジ
スタ12に与えられるアドレスの入力端子とは別のI/O
端子を用い、このI/O端子から記憶装置21へと与えて
も良い。この場合、図6のタイミングチャートに示す様
に開始アドレスを入力端子から内部カウンタ13へと与
えるのと略同時に、終了アドレスをI/O端子から記憶装
置21に指示する。このため、内部カウンタ13による
カラムアドレスのインクリメントを開始するのと略同時
に、記憶装置21から比較器16へと終了アドレスを与
えることになる。
スタ12に与えられるアドレスの入力端子とは別のI/O
端子を用い、このI/O端子から記憶装置21へと与えて
も良い。この場合、図6のタイミングチャートに示す様
に開始アドレスを入力端子から内部カウンタ13へと与
えるのと略同時に、終了アドレスをI/O端子から記憶装
置21に指示する。このため、内部カウンタ13による
カラムアドレスのインクリメントを開始するのと略同時
に、記憶装置21から比較器16へと終了アドレスを与
えることになる。
【0045】図5及び図6のタイミングチャートでは、
開始アドレスから終了アドレスまでに9個のアドレスが
連続しているが、1〜256のうちの任意の数のアドレ
スを連続させることができる。
開始アドレスから終了アドレスまでに9個のアドレスが
連続しているが、1〜256のうちの任意の数のアドレ
スを連続させることができる。
【0046】この第2実施形態でも、終了アドレスを入
力するタイミングは、開始アドレスの入力に引き続く期
間か、この開始アドレスの入力と略同時であれば良いの
で、この入力タイミングの制御を容易に行うことができ
る。また、開始アドレス及び終了アドレスを略同時に入
力する場合は、入力のタイミングが1回のみなので、効
率的である。
力するタイミングは、開始アドレスの入力に引き続く期
間か、この開始アドレスの入力と略同時であれば良いの
で、この入力タイミングの制御を容易に行うことができ
る。また、開始アドレス及び終了アドレスを略同時に入
力する場合は、入力のタイミングが1回のみなので、効
率的である。
【0047】ところで、図8に示す従来の装置において
は、16MビットのシンクロナスDRAMの標準仕様に
従えば、モードレジスタ12に図7に示す様なアドレス
を入力しており、このアドレスの最後の3ビットA2,A1,
A0によってバースト長BLが指示される。これらのビッ
トA2,A1,A0は、先に述べた様にバースト長BLとして
1、2、4、8又はフルページを指定するものの、これ
らのビットA2,A1,A0の各値(1,0,0)、各値(1,0,
1)、各値(1,1,0)については、予備として残され
ているか、あるいは禁止されている。このため、これら
の3種類のコードを利用すれば、1、2、4、8又はフ
ルページの他に、更に3種類のバースト長BLを設定す
ることが可能である。
は、16MビットのシンクロナスDRAMの標準仕様に
従えば、モードレジスタ12に図7に示す様なアドレス
を入力しており、このアドレスの最後の3ビットA2,A1,
A0によってバースト長BLが指示される。これらのビッ
トA2,A1,A0は、先に述べた様にバースト長BLとして
1、2、4、8又はフルページを指定するものの、これ
らのビットA2,A1,A0の各値(1,0,0)、各値(1,0,
1)、各値(1,1,0)については、予備として残され
ているか、あるいは禁止されている。このため、これら
の3種類のコードを利用すれば、1、2、4、8又はフ
ルページの他に、更に3種類のバースト長BLを設定す
ることが可能である。
【0048】ただし、予備として残されている3種類の
コードを利用しても、1〜256のうちの任意の数のア
ドレスへの連続的なアクセスが可能な上記各実施形態に
到底及ぶものではない。
コードを利用しても、1〜256のうちの任意の数のア
ドレスへの連続的なアクセスが可能な上記各実施形態に
到底及ぶものではない。
【0049】なお、この発明は、上記各実施形態に限定
されるものでなく、多様に変形することが可能である。
例えば、バースト長や終了アドレスを示すビット長を適
宜に変更しても構わない。
されるものでなく、多様に変形することが可能である。
例えば、バースト長や終了アドレスを示すビット長を適
宜に変更しても構わない。
【0050】
【発明の効果】以上説明した様に、この発明の半導体型
記憶装置によれば、設定手段によって、所望の終了アド
レスを設定すると、この所望の終了アドレスに、計数手
段によって計数されるアドレスが達したときに、この計
数手段が停止する。これによって、開始アドレスから終
了アドレスに至るまでの一連のアドレスに従って、メモ
リアレイがアクセスされ、所望の数のデータを連続的に
得ることができ、余分な時間を費やさずに済む。
記憶装置によれば、設定手段によって、所望の終了アド
レスを設定すると、この所望の終了アドレスに、計数手
段によって計数されるアドレスが達したときに、この計
数手段が停止する。これによって、開始アドレスから終
了アドレスに至るまでの一連のアドレスに従って、メモ
リアレイがアクセスされ、所望の数のデータを連続的に
得ることができ、余分な時間を費やさずに済む。
【0051】また、終了アドレスの設定のタイミングを
格別に正確に決める必要がなく、タイミング制御を容易
に行うことができる。
格別に正確に決める必要がなく、タイミング制御を容易
に行うことができる。
【図1】この発明の半導体型記憶装置の第1実施形態を
示すブロック図
示すブロック図
【図2】図1の装置における動作タイミングの一例を示
す図
す図
【図3】図1の装置における動作タイミングの他の例を
示す図
示す図
【図4】この発明の半導体型記憶装置の第2実施形態を
示すブロック図
示すブロック図
【図5】図4の装置における動作タイミングの一例を示
す図
す図
【図6】図4の装置における動作タイミングの他の例を
示す図
示す図
【図7】図8の従来の装置におけるモードレジスタに入
力されるアドレスの構成を示す図
力されるアドレスの構成を示す図
【図8】従来の半導体型記憶装置を示すブロック図
【図9】図8の装置における動作タイミングの一例を示
す図
す図
【図10】図8の装置における動作タイミングの他の例
を示す図
を示す図
【図11】図8の装置における動作タイミングの別の例
を示す図
を示す図
11 コマンドデコーダ 12 モードレジスタ 13 内部カウンタ 14 メモリアレイ 15 加算器並びに記憶装置 16 比較器 21 記憶装置
Claims (7)
- 【請求項1】 計数手段に開始アドレスを与え、この計
数手段によって計数される開始アドレスからの一連のア
ドレスに従って、メモリアレイをアクセスする半導体型
記憶装置において、 任意の終了アドレスを設定する設定手段と、 計数手段によって計数されるアドレスが設定手段によっ
て設定された終了アドレスに達すると、この計数手段を
停止させる停止手段とを備える半導体型記憶装置。 - 【請求項2】 設定手段は、開始アドレス、及び該開始
アドレスからの一連のアドレスの数を外部から与えら
れ、開始アドレス及び一連のアドレスの数に基づいて、
任意の終了アドレスを設定する請求項1に記載の半導体
型記憶装置。 - 【請求項3】 設定手段は、開始アドレス、及び任意の
終了アドレスを外部から与えられる請求項1に記載の半
導体型記憶装置。 - 【請求項4】 開始アドレスを入力する入力端子、及び
該開始アドレスからの一連のアドレスの数を入力する入
力端子を別々に備え、開始アドレス及び該開始アドレス
からの一連のアドレスの数を同時に入力する請求項2に
記載の半導体型記憶装置。 - 【請求項5】 開始アドレスを入力する入力端子、及び
任意の終了アドレスを入力する入力端子を別々に備え、
開始アドレス及び任意の終了アドレスを同時に入力する
請求項3に記載の半導体型記憶装置。 - 【請求項6】 開始アドレスからの一連のアドレスの数
を該開始アドレスとは異なるタイミングで該開始アドレ
スの入力端子から入力する請求項2に記載の半導体型記
憶装置。 - 【請求項7】 任意の終了アドレスを開始アドレスとは
異なるタイミングで該開始アドレスの入力端子から入力
する請求項3に記載の半導体型記憶装置。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP9124523A JPH10320975A (ja) | 1997-05-14 | 1997-05-14 | 半導体型記憶装置 |
US09/073,228 US6041015A (en) | 1997-05-14 | 1998-05-05 | Semiconductor type memory device having consecutive access to arbitrary memory address |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP9124523A JPH10320975A (ja) | 1997-05-14 | 1997-05-14 | 半導体型記憶装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH10320975A true JPH10320975A (ja) | 1998-12-04 |
Family
ID=14887603
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP9124523A Pending JPH10320975A (ja) | 1997-05-14 | 1997-05-14 | 半導体型記憶装置 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US6041015A (ja) |
JP (1) | JPH10320975A (ja) |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP3535788B2 (ja) * | 1999-12-27 | 2004-06-07 | Necエレクトロニクス株式会社 | 半導体記憶装置 |
US6933626B2 (en) * | 2001-04-24 | 2005-08-23 | Alphatec Ltd. | Ferroelectric transformer-free uninterruptible power supply (UPS) systems and methods for communications signal distribution systems |
Family Cites Families (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2697634B2 (ja) * | 1994-09-30 | 1998-01-14 | 日本電気株式会社 | 同期型半導体記憶装置 |
US5680425A (en) * | 1995-09-28 | 1997-10-21 | Micron Technology, Inc. | Self-queuing serial output port |
-
1997
- 1997-05-14 JP JP9124523A patent/JPH10320975A/ja active Pending
-
1998
- 1998-05-05 US US09/073,228 patent/US6041015A/en not_active Expired - Lifetime
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US6041015A (en) | 2000-03-21 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20020920 |