JPH10311556A - 空調方法及び空調装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 半導体ウェハー等の製造物の酸化を防止す
る。静電気の発生を抑制して、塵埃付着量を減らし、製
造物の破壊も防止する。空調室内に広い作業空間を確保
するために間仕切りを無くす。 【解決手段】 １つの空調室内に、互いに湿度の異なる
２種類の空気の流れを並べた形で形成する。低湿度の空
気が流通する領域に、半導体製造装置の開口部を配置
し、常湿度の領域を作業空間とする。低湿度の領域では
空気を層流状態とし、常湿度の領域では空気を乱流状態
とする。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、室内の空気を自動
調整する空調技術に関し、例えば、半導体製造などのた
めに用いられる、クリーンルームの空調に利用される。

【０００２】

【従来の技術】この種の技術は、半導体製造用クリーン
ルームに関するものが、例えば特公平３−３００６０号
公報及び特公平４−６３９７５号公報に開示されてい
る。特公平３−３００６０号公報は、クリーンルーム内
の作業空間が、その空気清浄度などに応じて、複数の空
間に区分されるように、様々な隔壁を室内に配置するこ
とを主に開示している。

【０００３】特公平４−６３９７５号公報は、クリーン
ルーム内に設置された物の帯電電位に応じて湿度を自動
調整することを主に開示している。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】特公平４−６３９７５
号公報にも示されるように、一般に半導体製造用クリー
ンルーム内の湿度は４０〜４５％の範囲に維持される。
この範囲よりも湿度が高くなると、半導体のレジストな
どの製造プロセスにおいて、品質が大幅に低下する。

【０００５】逆に、この範囲よりも湿度が低くなると、
様々な部分に高電位の帯電が生じる。塵埃は、帯電した
物に吸着し易いので、帯電によって塵埃が局部的に集中
し、半導体などの加工物にも多くの塵埃が付着する。ま
た、帯電による高電圧により絶縁破壊が生じ、半導体が
破壊される場合もある。最近の半導体製造技術の高度化
に伴い、現在、半導体ウェハー表面の酸化防止が重要な
課題になっている。水の分子が半導体ウェハー表面に付
着すると、それが酸化の原因になるので、半導体ウェハ
ー表面に触れる空気の湿度は、従来より更に低いのが望
ましい。

【０００６】通常、半導体の製造装置内では、窒素ガス
などの不活性ガスで満たされているので問題ないが、製
造装置から半導体ウェハーを出したり入れたりすると、
クリーンルームの空気に半導体ウェハーが触れるので、
酸化の原因になる。

【０００７】しかしながら、空気の湿度を低くすると、
静電気による塵埃の付着や破壊の問題が生じる。特に、
クリーンルーム内の作業者が動き回る空間では、静電気
が発生しやすいので、湿度を下げると問題が生じやす
い。また、特公平３−３００６０号公報のように、クリ
ーンルーム内の空間を区分するために間仕切りを設ける
と、狭いクリーンルーム内が更に狭くなり、十分な作業
空間が確保できなくなる。

【０００８】従って本発明は、間仕切りを設けることな
く、１つの室内に比較的湿度の低い領域と比較的湿度の
高い領域を設けることを目的とする。

【０００９】

【課題を解決するための手段】請求項１では、空調室に
温度及び湿度が制御された空気を供給して前記空調室内
の温度及び湿度を制御する空調方法において、少なくと
も湿度が互いに異なる状態に調整された２種類の空気を
生成し、前記空調室の単一の空間内に、前記２種類の空
気を２箇所から並列的に送り込み、一方の空気流を層流
状態とし、他方の空気流を乱流状態として、前記空調室
内に、湿度の異なる２つの領域を形成したことを特徴と
する。

【００１０】請求項２では、単一の空間がその内部に形
成された空調室と、該空調室の空気の状態を調整する空
調機構を備える空調装置において、前記空調室の１つの
壁面に形成された第１の空気導入口と、前記空調室の、
前記第１の空気導入口と対向する位置に形成された第１
の空気排出口と、前記空調室の、前記第１の空気導入口
及び第１の空気排出口のいずれか一方と、同一の壁面に
形成された第２の空気導入口と、前記空調室の、前記第
２の空気導入口と対向する位置に形成された第２の空気
排出口と、前記第１の空気導入口に接続され、少なくと
も湿度が調整された空気を供給する第１の空調機構と、
前記第２の空気導入口に接続され、前記第１の空調機構
とは別の独立した制御系により、少なくとも湿度が調整
された空気を供給する第２の空調機構とを設けて、前記
第１の空調機構の湿度目標値と前記第２の空調機構の湿
度目標値とを、互いに異なる値に設定したことを特徴と
する。

【００１１】請求項３では、請求項１記載の空調装置に
おいて、前記第１の空気導入口と前記第２の空気導入口
とが同一の壁面に配置され、前記第１の空気排出口と前
記第２の空気排出口とが同一の壁面に配置されたことを
特徴とする。請求項４では、請求項１記載の空調装置に
おいて、前記第１の空調機構が、前記第１の空気導入口
と前記第１の空気排出口に接続され、前記第２の空調機
構が、前記第２の空気導入口と前記第２の空気排出口に
接続されたことを特徴とする。

【００１２】請求項５では、請求項１記載の空調装置に
おいて、前記第１の空気導入口及び前記第２の空気導入
口の一方に、吐出空気を層流状態にする層流形成機構が
設置され、前記第１の空気導入口及び前記第２の空気導
入口の他方に、吐出空気を乱流状態にする乱流形成機構
が設置されたことを特徴とする。請求項６では、単一の
空間がその内部に形成された空調室と、該空調室の空気
の状態を調整する空調機構を備える空調装置において、
前記空調室の１つの壁面に形成された第１の空気導入口
と、該第１の空気導入口に設置され、吐出空気を層流状
態にする層流形成機構と、前記空調室の前記第１の空気
導入口と対向する位置に形成された第１の空気排出口
と、前記空調室内に設置され、前記第１の空気導入口か
ら前記第１の空気排出口に至る空気の流路に面する位置
に、少なくとも製造物の出入口が配置された半導体製造
設備と、前記空調室の前記第１の空気導入口と同一の壁
面に形成された、第２の空気導入口と、該第２の空気導
入口に設置され、吐出空気を乱流状態にする乱流形成機
構と、前記空調室の前記第２の空気導入口と対向する位
置に形成された第２の空気排出口と、前記第１の空気導
入口に接続され、少なくとも湿度が調整された空気を供
給する第１の空調機構と、前記第２の空気導入口に接続
され、前記第１の空調機構とは別の独立した制御系によ
り、少なくとも湿度が調整された空気を供給する第２の
空調機構と、を設けて、前記第１の空調機構の湿度目標
値を前記第２の空調機構の湿度目標値よりも小さな値に
設定したことを特徴とする。

【００１３】（作用） （請求項１）請求項１では、湿度が互いに異なる状態に
調整された２種類の空気を生成し、これらの空気を、空
調室の単一の空間内に２箇所から並列的に送り込む。ま
た、空気流の一方を層流状態とし、他方を乱流状態とす
る。

【００１４】このようにすると、前記空調室内に、互い
に湿度の異なる２つの領域が形成される。これら２つの
領域の空気は、ほとんど混じり合うことがない。これ
は、後述するシミュレーションの結果により、明らかに
なった。この現象は、例えば大気中で、湿度の異なる複
数の気団が混じり合うことなく存在し、その結果として
気団間の境界に形成された前線が長期間存在し続ける気
象現象と良く似ている。

【００１５】湿度の異なる２つの領域を空調室内に設け
るために格別に間仕切りを設ける必要はない。このた
め、空調室内の空間が物理的に分断されることはなく、
広い作業空間が空調室内に確保される。 （請求項２）第１の空気導入口から空調室内に導入され
た空気は、第１の空気排出口から排出され、第２の空気
導入口から空調室内に導入された空気は、第２の空気排
出口から排出される。これによって空調室内に、２組の
空気の流れが形成される。

【００１６】第２の空気導入口は第１の空気導入口また
は第２の空気導入口と同じ壁面に形成され、第２の空気
排出口は第１の空気排出口または第２の空気導入口と同
じ壁面に形成されているので、２組の空気の流れは並ん
でいる。第１の空気導入口に供給される空気及び第２の
空気導入口に供給される空気は、それぞれ、第１の空調
機構及び第２の空調機構によって、互いに異なる目標湿
度に自動調整される。

【００１７】このようにして空調室内に形成される、互
いに湿度の異なる２組の空気の流れは、互いに混じり合
うことが少ない。これは、後述するシミュレーションの
結果により、明らかになった。この現象は、例えば大気
中で、湿度の異なる複数の気団が混じり合うことなく存
在し、その結果として気団間の境界に形成された前線が
長期間存在し続ける気象現象と良く似ている。

【００１８】従って、１つの空調室内に、湿度の異なる
２つの領域が形成される。間仕切りが不要であるため、
空調室内の空間が物理的に分断されることはなく、広い
作業空間が空調室内に確保される。なお、クリーンルー
ムの場合には、塵埃を床面側で捕集するために、天井か
ら床面に向かって空気を流すダウンフロー方式が一般的
であるが、例えば環境試験室の空調をする場合などは、
逆に床面から天井に向かって空気を流しても良いし、こ
れとダウンフローとを組み合わせた構成にしても良い。

【００１９】（請求項３）第１の空気導入口から導入さ
れた空気と第２の空気導入口から導入された空気とが同
じ方向に向かって流れるため、これら２組の空気流は、
請求項２よりも更に混じり難いと考えられる。 （請求項４）第１の空気導入口から導入された空気は、
第１の空気排出口で回収され、第１の空調機構を通って
再び第１の空気導入口に向かい、第２の空気導入口から
導入された空気は、第２の空気排出口で回収され、第２
の空調機構を通って再び第２の空気導入口に向かう。

【００２０】つまり、２組の空気はそれぞれ循環するの
で、空調に必要なエネルギーや純水などの消費量の無駄
が大幅に減少する。 （請求項５）第１の空気導入口から導入された空気流と
第２の空気導入口から導入された空気流の一方が層流状
態になり、他方が乱流状態になるので、これら２組の空
気流は、請求項２と比べて更に混じり難いと考えられ
る。

【００２１】（請求項６）第１の空気導入口から空調室
内に導入された空気は、第１の空気排出口から排出さ
れ、第２の空気導入口から空調室内に導入された空気
は、第２の空気排出口から排出される。これによって空
調室内に、２組の空気の流れが形成される。第１の空気
導入口から空調室内に導入された空気は層流状態にな
り、第２の空気導入口から空調室内に導入された空気は
乱流状態になる。

【００２２】また、第２の空気導入口は第１の空気導入
口と同じ壁面に形成され、第２の空気排出口は第１の空
気排出口と同じ壁面に形成されているので、２組の空気
の流れは並んでいる。第１の空気導入口に供給される空
気及び第２の空気導入口に供給される空気は、それぞ
れ、第１の空調機構及び第２の空調機構によって、互い
に異なる目標湿度に自動調整され、前者の湿度が後者の
湿度よりも低く調整される。

【００２３】このようにして空調室内に形成される、互
いに湿度の異なる２組の空気の流れは、互いに混じり合
うことが少なく、従って、１つの空調室内に、湿度の異
なる２つの領域が形成される。間仕切りが不要であるた
め、空調室内の空間が物理的に分断されることはなく、
広い作業空間が空調室内に確保される。半導体製造設備
は、製造物の出入口が、第１の空気導入口から第１の空
気排出口に至る空気の流路に面して配置されている。従
って、半導体ウェハーなどの製造物を半導体製造設備か
ら出したり入れたりする際に、製造物が触れる空気は、
比較的湿度か低く、しかも層流状態である。

【００２４】つまり、半導体が直接触れる領域では空気
の湿度を十分低くして、半導体の酸化を防止でき、作業
者が動き回る領域では、空気の湿度を通常レベルに維持
することにより、静電気の発生を抑制できる。また、半
導体に触れる領域の空気が層流状態であるため、塵埃が
半導体に付着しにくい。

【００２５】

【発明の実施の形態】１つの実施の形態を図１，図２及
び図３に示す。この実施の形態は、全ての請求項に対応
する。半導体製造装置１が内部に設置されたクリーンル
ーム２の構造を、図１に示す。図１は、クリーンルーム
２の縦断面を示している。このクリーンルーム２は、ほ
ぼ箱形に形成されており、６つの壁面を有している。

【００２６】クリーンルーム２の内空間は、間仕切り３
によって、半導体製造装置１の配置された空間２ａと、
それ以外の空間２ｂに仕切られている。但し、空間２ｂ
から作業者が半導体ウェハー４を半導体製造装置１に入
れたり出したりできるように、開閉可能な開口部１ａ
が、空間２ｂに露出している。空間２ｂに空調用空気を
導入し、ダウンフローを形成するために、クリーンルー
ム２の天井壁２ｃには空気導入口２ｄ，２ｅが設けてあ
る。これらの空気導入口２ｄ及び２ｅと対向する位置の
床面２ｆ上には、それぞれ空気排出口２ｇ及び２ｈが設
けてある。つまり、空気導入口２ｄから導入された空気
は空気排出口２ｇに向かい、空気導入口２ｅから導入さ
れた空気は空気排出口２ｈに向かう。

【００２７】空気導入口２ｄの上方に形成された天井チ
ャンバ５の内部には、送風機と高性能フィルタ（ＨＥＰ
Ａフィルタ）と吹き出し口とで構成されたファンフィル
タユニット６が設置されている。同様に、空気導入口２
ｅの上方に形成された天井チャンバ７の内部には、送風
機と高性能フィルタ（ＨＥＰＡフィルタ）と吹き出し口
とで構成されたファンフィルタユニット８が設置されて
いる。

【００２８】ファンフィルタユニット６の吹き出し口
は、ここから吹き出した空気が、空間２ｂ中で層流を形
成するような形状に形成され、ファンフィルタユニット
８の吹き出し口は、ここから吹き出した空気が、空間２
ｂ中で乱流を形成するような形状に形成されている。こ
のため、空間２ｂ中の空気の流れには、層流の領域と乱
流の領域とが存在する。

【００２９】空気排出口２ｇ及び２ｈは、床面２ｆの一
部分に形成された格子状床（グレーチング）で構成され
ている。空気排出口２ｇ及び２ｈの下方には、それぞれ
床下チャンバ９及び１０が形成されている。なお、実際
の空気導入口２ｄ及び２ｅは、図３に示すように各々複
数で構成されている。同様に、空気導入口２ｄ及び２ｅ
と対向する位置の空気排出口２ｇ及び２ｈも、各々複数
で構成されている。

【００３０】天井チャンバ５には、低湿系空調機２０か
らの空気が、ダクト１１を通って供給される。また、床
下チャンバ９に排出された空気は、ダクト１２を通って
回収され、低湿系空調機２０に戻って循環する。同様
に、天井チャンバ７には、常湿系空調機３０からの空気
が、ダクト１３を通って供給される。また、床下チャン
バ１０に排出された空気は、ダクト１４を通って回収さ
れ、常湿系空調機３０に戻って循環する。

【００３１】クリーンルーム２内の空間２ｂのうち、層
流状態の空気の流路ＦＬ１に面する位置には検出ユニッ
ト１５が設置され、乱流状態の空気の流路ＦＬ２に面す
る位置には検出ユニット１６が設置されている。検出ユ
ニット１５及び１６は、各々温度センサと湿度センサの
両方を備えている。制御装置４０は、検出ユニット１５
が出力する検出温度及び検出湿度に応じて、低湿系空調
機２０を制御する。制御装置５０は、検出ユニット１６
が出力する検出温度及び検出湿度に応じて、常湿系空調
機３０を制御する。

【００３２】つまり、空間２ｂ内の層流状態で空気が流
れる領域の温度及び湿度は、制御装置４０により制御さ
れ、乱流状態で空気が流れる領域の温度及び湿度は、制
御装置５０により制御される。この例では、制御装置４
０に与える目標温度をセ氏２３度に定め、目標湿度を３
０％以下に制限してある。また、制御装置５０に与える
目標温度をセ氏２３度に定め、目標湿度を４０〜５０％
の範囲内に制限してある。

【００３３】従って、空間２ｂ内の温度は均一に制御さ
れるが、空間２ｂ内の湿度については、層流状態で空気
が流れる領域では低く（３０％以下）、乱流状態で空気
が流れる領域では高くなる（４０〜５０％）。このよう
に設定したのは、製造物である半導体ウェハー４の品質
を高めるためである。半導体製造装置１の内部は、窒素
ガスなどの不活性ガスで満たされているため、その中で
は半導体ウェハー４は酸化しない。しかし、半導体ウェ
ハー４を半導体製造装置１に入れたり出したりする際
に、クリーンルーム２内の空気に触れると、半導体ウェ
ハー４が酸化する可能性がある。

【００３４】特に、湿度が高いと空気中の水の分子が半
導体ウェハー４の表面に付着し、酸化の原因となる。そ
のため、半導体製造装置１の開口部１ａに面する位置の
空気の湿度を下げることが、半導体ウェハー４の酸化防
止に非常に役立つ。また、半導体ウェハー４に触れる空
気が層流状態であると、空気中の水の分子が半導体ウェ
ハー４の表面に付着し難い。

【００３５】但し、湿度が低いと、静電気による帯電が
生じやすく、それによって半導体ウェハー４に付着する
塵埃の量が増える。また帯電による高電圧によって、半
導体ウェハー４に絶縁破壊が生じる可能性も高くなる。
図１の例では、湿度が特に低い（３０％以下）のは、半
導体ウェハー４を出し入れする一部の領域だけであり、
作業者が通常動き回る他の空間については、通常の湿度
（４０〜５０％）であるため、静電気が発生しにくい。

【００３６】図１に示すクリーンルーム２においては、
空間２ｂを湿度が低い領域（低湿エリア）と、通常の湿
度の領域（常湿エリア）の２つの領域に区分するための
間仕切りは存在しない。間仕切りを設けなくても、実質
的には空間２ｂが低湿エリアと常湿エリアの２つの領域
に区分されるためである。これについて、コンピュータ
を用いてシミュレーションにより検証した。

【００３７】図４に示すように、幅が２０００ｍｍ、高
さが３０００ｍｍの箱形の空調室を想定し、幅方向の６
５０ｍｍの領域ＡＬと残りの１３５０ｍｍの領域ＡＨ
に、次に示す互いに異なる条件で、天井から床面に向か
って空気を流通させた。領域ＡＬでは、空気の温度Ｔｓ
１がセ氏２０度、絶対湿度Ｘｓ１（水分と空気との重量
比）が０．０４５、流速Ｖｓ１が０．２５［ｍ／ｓ］の
層流とし、領域ＡＨでは、空気の温度Ｔｓ２がセ氏２０
度、絶対湿度Ｘｓ２が０．０１、流速Ｖｓ２が０．１
［ｍ／ｓ］の乱流となるように条件を定めた。

【００３８】領域ＡＬとＡＨとの境界に間仕切りが全く
存在しない場合と、長さ１０００ｍｍのカーテンを空調
室の天井から垂らした場合との２種類について、空調室
内の湿度分布状態を求めた。間仕切りが存在しない場合
の結果を図５に示し、カーテンが存在する場合の結果を
図６に示す。図５及び図６において、２点鎖線の表示に
よって区別された各領域Ａ１，Ａ２，Ａ３，Ａ４，Ａ
５，Ａ６，Ａ７及びＡ８では、絶対湿度（水分と空気と
の重量比）の範囲が、それぞれ、0.00450以上 0.00519
未満，0.00519以上 0.00587未満，0.00587以上 0.00656
未満，0.00656以上 0.00725未満，0.00725以上 0.00794
未満，0.00794以上 0.00863未満，0.00863以上 0.00931
未満及び0.00931以上 0.01000未満である。

【００３９】図５及び図６を参照すると、空気吹き出し
口のある天井から空気排出口のある床面に近づくに従っ
て、低湿度の領域Ａ１と常湿度の領域Ａ８の範囲が狭ま
り、中間的な湿度の領域Ａ２〜Ａ７の範囲が広がってい
るのが分かる。しかし、間仕切りが全く存在しない図５
の例で、しかも床面位置であっても、低湿度の領域Ａ１
と常湿度の領域Ａ８とは完全に分離している。

【００４０】つまり、間仕切りを設けなくても、１つの
室内に湿度の異なる２種類の領域を維持できる。カーテ
ンのような間仕切りがあった方が、中間的な湿度の領域
が小さくなり好ましいが、間仕切りがあると、もともと
狭いクリーンルーム内の作業空間が更に狭くなるので間
仕切りを設けるのは実用的でない。

【００４１】図１の低湿系空調機２０及び制御装置４０
の構成を図２に示す。なお、常湿系空調機３０及び制御
装置５０も図２と同様の構成である。図２を参照する
と、低湿系空調機２０には、除湿器２１，加湿器２２，
冷却器２３，加熱器２４及び送風機２５が備わってい
る。加湿器２２には、制御弁６４を介して、超純水供給
装置６１から超純水が供給される。冷却器２３には制御
弁６５を介して、冷却水供給装置６２から冷却水が供給
され、加熱器２４には制御弁６６を介して、温水供給装
置６３から温水が供給される。

【００４２】制御装置４０は、温度制御装置４１と湿度
制御装置４２を備えている。温度制御装置４１は、予め
定めた温度目標値と検出ユニット１５の温度センサが出
力する検出温度との差が無くなるように、制御弁６５，
６６をフィードバック制御する。湿度制御装置４２は、
予め定めた湿度目標値と検出ユニット１５の湿度センサ
が出力する検出湿度との差が無くなるように、制御弁６
４をフィードバック制御する。

【００４３】つまり、ダクト１２を通して回収された空
気は、除湿器２１で除湿された後、目標湿度に近づくよ
うに加湿器２２で加湿され、温度が目標値より高い場合
には、冷却器２３内のパイプを通る冷却水によって間接
的に冷却され、温度が目標値よりも低い場合には、加熱
器２４内のパイプを通る温水によって間接的に加熱さ
れ、送風機２５によってダクト１１に送り出される。

【００４４】なお、この実施の形態では、半導体製造装
置用のクリーンルームに発明を適用する場合の例につい
て説明したが、１つの空間内に間仕切りを設けることな
く、湿度の異なる複数の領域を形成したい用途であれ
ば、この例と同様に適用しうる。湿度や温度は、必要に
応じて変更しうる。また、この実施の形態では、空調用
の空気を循環させる場合について説明したが、排気した
空気を回収しない構造に変更しても、本発明は実施しう
る。

【００４５】

【発明の効果】

（請求項１及び請求項２）１つの空調室内に、湿度の異
なる２つの独立した領域を形成できる。間仕切りが不要
であるため、空調室内の空間が物理的に分断されること
はなく、広い作業空間を空調室内に確保でき、極めて実
用性が高い。

【００４６】（請求項３）第１の空気導入口から導入さ
れた空気と第２の空気導入口から導入された空気とが同
じ方向に向かって流れるため、これら２組の空気流は、
請求項２よりも更に混じり難く、効果的である。 （請求項４）２組の空気がそれぞれ循環するので、空調
に必要なエネルギーや純水などの消費量の無駄が大幅に
減少し、非常に実用的である。

【００４７】（請求項５）２組の空気流が請求項２と比
べて更に混じり難くなり、更に実用的である。 （請求項６）半導体が直接触れる領域では空気の湿度を
十分低くして、半導体の酸化を防止でき、作業者が動き
回る領域では、空気の湿度を通常レベルに維持すること
により、静電気の発生を効果的に抑制しうる。また、半
導体に触れる領域の空気が層流状態であるため、塵埃が
半導体に付着し難く、半導体の品質向上に極めて効果が
ある。

【図面の簡単な説明】

【図１】クリーンルームの構造を示すブロック図であ
る。

【図２】図１の低湿系空調機２０と制御装置４０の構造
を示すブロック図である。

【図３】図１のクリーンルームの空気導入口の配置を示
す平面図である。

【図４】シミュレーションの条件を示す空調室の正面図
である。

【図５】シミュレーションの結果を空調室内の湿度分布
で示す正面図である。

【図６】シミュレーションの結果を空調室内の湿度分布
で示す正面図である。

【符号の説明】

１ 半導体製造装置 １ａ 開口部 ２ クリーンルーム ２ｃ 天井壁 ２ｄ，２ｅ 空気導入口 ２ｆ 床面 ２ｇ，２ｈ 空気排出口 ３ 間仕切り ４ 半導体ウェハー ５ 天井チャンバ ６ ファンフィルタユニット ７ 天井チャンバ ８ ファンフィルタユニット ９，１０ 床下チャンバ １１，１２，１３，１４ ダクト １５，１６ 検出ユニット ２０ 低湿系空調機 ２１ 除湿器 ２２ 加湿器 ２３ 冷却器 ２４ 加熱器 ２５ 送風機 ３０ 常湿系空調機 ４０，５０ 制御装置 ６４，６５，６６ 制御弁 ＦＬ１ 層流状態の空気の流路 ＦＬ２ 乱流状態の空気の流路 Ａ１，Ａ２，Ａ３，Ａ４，Ａ５，Ａ６，Ａ７，Ａ８ 領
域

Claims (6)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 空調室に温度及び湿度が制御された空気
   を供給して前記空調室内の温度及び湿度を制御する空調
   方法において、 少なくとも湿度が互いに異なる状態に調整された２種類
   の空気を生成し、前記空調室の単一の空間内に、前記２
   種類の空気を２箇所から並列的に送り込み、一方の空気
   流を層流状態とし、他方の空気流を乱流状態として、前
   記空調室内に、湿度の異なる２つの領域を形成したこと
   を特徴とする空調方法。
2. 【請求項２】 単一の空間がその内部に形成された空調
   室と、該空調室の空気の状態を調整する空調機構を備え
   る空調装置において、 前記空調室の１つの壁面に形成された第１の空気導入口
   と、 前記空調室の、前記第１の空気導入口と対向する位置に
   形成された第１の空気排出口と、 前記空調室の、前記第１の空気導入口及び第１の空気排
   出口のいずれか一方と同一の壁面に形成された、第２の
   空気導入口と、 前記空調室の、前記第２の空気導入口と対向する位置に
   形成された第２の空気排出口と、 前記第１の空気導入口に接続され、少なくとも湿度が調
   整された空気を供給する第１の空調機構と、 前記第２の空気導入口に接続され、前記第１の空調機構
   とは別の独立した制御系により、少なくとも湿度が調整
   された空気を供給する第２の空調機構とを設けて、前記
   第１の空調機構の湿度目標値と前記第２の空調機構の湿
   度目標値とを互いに異なる値に設定したことを特徴とす
   る空調装置。
3. 【請求項３】 請求項１記載の空調装置において、前記
   第１の空気導入口と前記第２の空気導入口とが同一の壁
   面に配置され、前記第１の空気排出口と前記第２の空気
   排出口とが同一の壁面に配置されたことを特徴とする空
   調装置。
4. 【請求項４】 請求項１記載の空調装置において、前記
   第１の空調機構が、前記第１の空気導入口と前記第１の
   空気排出口に接続され、前記第２の空調機構が、前記第
   ２の空気導入口と前記第２の空気排出口に接続されたこ
   とを特徴とする空調装置。
5. 【請求項５】 請求項１記載の空調装置において、前記
   第１の空気導入口及び前記第２の空気導入口の一方に、
   吐出空気を層流状態にする層流形成機構が設置され、前
   記第１の空気導入口及び前記第２の空気導入口の他方
   に、吐出空気を乱流状態にする乱流形成機構が設置され
   たことを特徴とする空調装置。
6. 【請求項６】 単一の空間がその内部に形成された空調
   室と、該空調室の空気の状態を調整する空調機構を備え
   る空調装置において、 前記空調室の１つの壁面に形成された第１の空気導入口
   と、 該第１の空気導入口に設置され、吐出空気を層流状態に
   する層流形成機構と、 前記空調室の前記第１の空気導入口と対向する位置に形
   成された第１の空気排出口と、 前記空調室内に設置され、前記第１の空気導入口から前
   記第１の空気排出口に至る空気の流路に面する位置に、
   少なくとも製造物の出入口が配置された半導体製造設備
   と、 前記空調室の前記第１の空気導入口と同一の壁面に形成
   された、第２の空気導入口と、 該第２の空気導入口に設置され、吐出空気を乱流状態に
   する乱流形成機構と、 前記空調室の前記第２の空気導入口と対向する位置に形
   成された第２の空気排出口と、 前記第１の空気導入口に接続され、少なくとも湿度が調
   整された空気を供給する第１の空調機構と、 前記第２の空気導入口に接続され、前記第１の空調機構
   とは別の独立した制御系により、少なくとも湿度が調整
   された空気を供給する第２の空調機構と、 を設けて、前記第１の空調機構の湿度目標値を前記第２
   の空調機構の湿度目標値よりも小さな値に設定したこと
   を特徴とする空調装置。