JPH10310864A - 真空成膜装置 - Google Patents
真空成膜装置Info
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- JPH10310864A JPH10310864A JP9118955A JP11895597A JPH10310864A JP H10310864 A JPH10310864 A JP H10310864A JP 9118955 A JP9118955 A JP 9118955A JP 11895597 A JP11895597 A JP 11895597A JP H10310864 A JPH10310864 A JP H10310864A
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- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/24—Vacuum evaporation
- C23C14/32—Vacuum evaporation by explosion; by evaporation and subsequent ionisation of the vapours, e.g. ion-plating
- C23C14/325—Electric arc evaporation
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
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- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
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- C23C14/24—Vacuum evaporation
- C23C14/243—Crucibles for source material
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 絶縁物、高融点材料、あるいは高い熱伝導性
を持つ物質などの蒸着材料であっても、安定して成膜を
行うことができる真空成膜装置を提供する。 【解決手段】 真空容器と、真空容器に取り付けられた
プラズマ源としてのプラズマビーム発生器と、真空容器
内の底部に配置された陽極としてのハース４１とを有し
ている。プラズマビーム発生器２０が発生するプラズマ
ビームをハース４１に導き、付着材料としての蒸発材料
２００をイオン化し、ハース４１の上方に配置されかつ
電圧が印加された被処理物体としての基板上に蒸発材料
２００から成る膜を形成する真空成膜装置である。導電
性および耐熱性を持ち、蒸着材料２００を収容する容器
形のライナ４３を有している。ライナ４３は、ハース４
１に対して電気的接続を確保すると共に、熱伝導性が低
い接続関係になるように取り付けられている。
を持つ物質などの蒸着材料であっても、安定して成膜を
行うことができる真空成膜装置を提供する。 【解決手段】 真空容器と、真空容器に取り付けられた
プラズマ源としてのプラズマビーム発生器と、真空容器
内の底部に配置された陽極としてのハース４１とを有し
ている。プラズマビーム発生器２０が発生するプラズマ
ビームをハース４１に導き、付着材料としての蒸発材料
２００をイオン化し、ハース４１の上方に配置されかつ
電圧が印加された被処理物体としての基板上に蒸発材料
２００から成る膜を形成する真空成膜装置である。導電
性および耐熱性を持ち、蒸着材料２００を収容する容器
形のライナ４３を有している。ライナ４３は、ハース４
１に対して電気的接続を確保すると共に、熱伝導性が低
い接続関係になるように取り付けられている。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、真空容器が規定す
る成膜室内にて、プラズマ源が発生するプラズマビーム
をハースに導き、付着材料を蒸発させて被処理物体表面
に膜を形成する真空成膜装置に関する。
る成膜室内にて、プラズマ源が発生するプラズマビーム
をハースに導き、付着材料を蒸発させて被処理物体表面
に膜を形成する真空成膜装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】プラズマを利用した真空成膜装置には、
イオンプレーティング装置や、プラズマＣＶＤ装置など
がある。
イオンプレーティング装置や、プラズマＣＶＤ装置など
がある。
【０００３】イオンプレーティング装置としては、例え
ば、アーク放電型プラズマ源である圧力勾配型プラズマ
源またはＨＣＤプラズマ源を用いた装置が知られてい
る。このようなイオンプレーティング装置では、プラズ
マビーム発生器（プラズマ源）を備えており、真空容器
中に配置されたハース（陽極）とプラズマビーム発生器
との間でプラズマビームを発生させ、ハース上に載置さ
れた付着材料としての蒸着材料を加熱蒸発させている。
そして、蒸着材料からの蒸着金属粒子はプラズマビーム
によってイオン化され、このイオン粒子が負電圧の基板
表面に付着し、基板上に膜が形成される。
ば、アーク放電型プラズマ源である圧力勾配型プラズマ
源またはＨＣＤプラズマ源を用いた装置が知られてい
る。このようなイオンプレーティング装置では、プラズ
マビーム発生器（プラズマ源）を備えており、真空容器
中に配置されたハース（陽極）とプラズマビーム発生器
との間でプラズマビームを発生させ、ハース上に載置さ
れた付着材料としての蒸着材料を加熱蒸発させている。
そして、蒸着材料からの蒸着金属粒子はプラズマビーム
によってイオン化され、このイオン粒子が負電圧の基板
表面に付着し、基板上に膜が形成される。
【０００４】図４は、従来のイオンプレーティング装置
の一例を示す図である。図４を参照して、このイオンプ
レーティング装置は、気密性の真空容器１０を有してい
る。真空容器１０には、ガイド部１２を介してプラズマ
ビーム発生器（例えば、圧力勾配型プラズマ銃）２０が
取り付けられている。ガイド部１２の外側には、プラズ
マビームをガイドするためのステアリングコイル３１が
配設されている。プラズマビーム発生器２０には、プラ
ズマビームを収束するための第１および第２の中間電極
２７および２８が同心的に配置されている。第１の中間
電極２７には磁極軸がプラズマ発生器２０の中心軸と平
行になるようにして永久磁石２７ａが内臓されており、
第２の中間電極２８にはコイル２８ａが内臓されてい
る。
の一例を示す図である。図４を参照して、このイオンプ
レーティング装置は、気密性の真空容器１０を有してい
る。真空容器１０には、ガイド部１２を介してプラズマ
ビーム発生器（例えば、圧力勾配型プラズマ銃）２０が
取り付けられている。ガイド部１２の外側には、プラズ
マビームをガイドするためのステアリングコイル３１が
配設されている。プラズマビーム発生器２０には、プラ
ズマビームを収束するための第１および第２の中間電極
２７および２８が同心的に配置されている。第１の中間
電極２７には磁極軸がプラズマ発生器２０の中心軸と平
行になるようにして永久磁石２７ａが内臓されており、
第２の中間電極２８にはコイル２８ａが内臓されてい
る。
【０００５】プラズマビーム発生器２０には、第１およ
び第２の中間電極２７および２８で規定される通路に繋
がる絶縁管（例えば、ガラス管）２１が備えられてい
る。絶縁管２１内には、Ｍｏ筒２２が配置されている。
Ｍｏ筒２２内には、Ｔａパイプ２３が配置されている。
Ｍｏ筒２２とＴａパイプ２３とで規定される空間は、Ｌ
ａＢ6 製の環状板２４で隔離されている。絶縁管２１、
Ｍｏ筒２２、およびＴａパイプ２３の一端には、導体板
部２５が取り付けられている。導体板部２５に形成され
たキャリアガス導入口２６からキャリアガス（Ａｒ等の
不活性ガス）が導入され、キャリアガスは、Ｔａパイプ
２３を通過する。
び第２の中間電極２７および２８で規定される通路に繋
がる絶縁管（例えば、ガラス管）２１が備えられてい
る。絶縁管２１内には、Ｍｏ筒２２が配置されている。
Ｍｏ筒２２内には、Ｔａパイプ２３が配置されている。
Ｍｏ筒２２とＴａパイプ２３とで規定される空間は、Ｌ
ａＢ6 製の環状板２４で隔離されている。絶縁管２１、
Ｍｏ筒２２、およびＴａパイプ２３の一端には、導体板
部２５が取り付けられている。導体板部２５に形成され
たキャリアガス導入口２６からキャリアガス（Ａｒ等の
不活性ガス）が導入され、キャリアガスは、Ｔａパイプ
２３を通過する。
【０００６】真空容器１０内には、被処理物体としての
基板１００が搬送装置６１に支持されることによって配
置されている。基板１００には、負バイアス用の直流電
源が接続される。真空容器１０の底面には、基板１００
に対向するように、ハース（陽極）４１が配置されてい
る。ハース４１の外周には、環状の補助陽極４２が配置
されている。
基板１００が搬送装置６１に支持されることによって配
置されている。基板１００には、負バイアス用の直流電
源が接続される。真空容器１０の底面には、基板１００
に対向するように、ハース（陽極）４１が配置されてい
る。ハース４１の外周には、環状の補助陽極４２が配置
されている。
【０００７】導体板部２５には、可変電源９０のマイナ
ス端が接続されている。可変電源９０のプラス端は、そ
れぞれ抵抗器Ｒ１およびＲ２を介して、第１および第２
の中間電極２７および２８に接続されている。一方、ハ
ース４１は、可変電源９０ならびに抵抗器Ｒ１およびＲ
２に接続される。また、真空容器１０の側壁には、キャ
リアガス（ＡｒやＨｅ等の不活性ガス）を導入するため
のガス導入口１０ａと、真空容器１０内を排気するため
の排気口１０ｂとが形成されている。
ス端が接続されている。可変電源９０のプラス端は、そ
れぞれ抵抗器Ｒ１およびＲ２を介して、第１および第２
の中間電極２７および２８に接続されている。一方、ハ
ース４１は、可変電源９０ならびに抵抗器Ｒ１およびＲ
２に接続される。また、真空容器１０の側壁には、キャ
リアガス（ＡｒやＨｅ等の不活性ガス）を導入するため
のガス導入口１０ａと、真空容器１０内を排気するため
の排気口１０ｂとが形成されている。
【０００８】このイオンプレーティング装置では、キャ
リアガス導入口２６からキャリアガスが導入されると、
第１の中間電極２７とＭｏ筒２２との間で放電が始ま
る。これによって、プラズマビーム３００が発生する。
プラズマビーム３００は、ステアリングコイル３１と補
助陽極４２の磁石にガイドされて、陽極として用いられ
るハース４１および補助陽極４２に到達する。ハース４
１にプラズマビーム３００が与えられると、ハース４１
に収容された蒸着材料２００がジュール加熱されて蒸発
する。蒸発金属粒子は、イオン化され、負電圧が印加さ
れた基板１００の表面に付着し、基板１００上に膜が形
成される。ジュール加熱による蒸発作用は、具体的に
は、ハース４１およびこれに収容された蒸着材料２００
への放電によって蒸着材料２００が瞬間的に高温に加熱
され（放電着火と呼ばれる）て始まり、この後、蒸着材
料２００自体の電気抵抗による自己加熱によって蒸着材
料２００は蒸発する。
リアガス導入口２６からキャリアガスが導入されると、
第１の中間電極２７とＭｏ筒２２との間で放電が始ま
る。これによって、プラズマビーム３００が発生する。
プラズマビーム３００は、ステアリングコイル３１と補
助陽極４２の磁石にガイドされて、陽極として用いられ
るハース４１および補助陽極４２に到達する。ハース４
１にプラズマビーム３００が与えられると、ハース４１
に収容された蒸着材料２００がジュール加熱されて蒸発
する。蒸発金属粒子は、イオン化され、負電圧が印加さ
れた基板１００の表面に付着し、基板１００上に膜が形
成される。ジュール加熱による蒸発作用は、具体的に
は、ハース４１およびこれに収容された蒸着材料２００
への放電によって蒸着材料２００が瞬間的に高温に加熱
され（放電着火と呼ばれる）て始まり、この後、蒸着材
料２００自体の電気抵抗による自己加熱によって蒸着材
料２００は蒸発する。
【０００９】図４に示した例をも含め、この種の真空成
膜装置では、プラズマの発生中に陽極が高温になるが、
陽極が所定温度よりも高温になると陽極自体が溶解する
ので、冷媒（例えば、水）を用いて陽極を冷却してい
る。詳しくは、この種の真空成膜装置では、陽極を冷媒
が流通可能な構造にし、成膜室内の陽極から真空容器外
部までを冷媒を流通するベローチューブと呼ばれる冷媒
管で繋ぎ、さらに真空容器外部にポンプを設けて冷媒回
路を構成し、冷媒を循環させている。
膜装置では、プラズマの発生中に陽極が高温になるが、
陽極が所定温度よりも高温になると陽極自体が溶解する
ので、冷媒（例えば、水）を用いて陽極を冷却してい
る。詳しくは、この種の真空成膜装置では、陽極を冷媒
が流通可能な構造にし、成膜室内の陽極から真空容器外
部までを冷媒を流通するベローチューブと呼ばれる冷媒
管で繋ぎ、さらに真空容器外部にポンプを設けて冷媒回
路を構成し、冷媒を循環させている。
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】ところで、図４に示し
た例をも含め、この種の真空成膜装置で用いる蒸着材料
が絶縁物（例えば、ＳｉＯ、ＳｉＯ2 、ＭｇＯ、Ｚｎ
Ｏ、あるいはＡｌ2 Ｏ3 等）である場合には、蒸着材料
には放電しないし、大部分が蒸着材料で覆われたハース
にも放電しにくいので、蒸着材料の放電着火が困難であ
る。また、放電着火があったとしても、その後の自己加
熱がない。このため、絶縁物を安定して成膜することが
困難である。
た例をも含め、この種の真空成膜装置で用いる蒸着材料
が絶縁物（例えば、ＳｉＯ、ＳｉＯ2 、ＭｇＯ、Ｚｎ
Ｏ、あるいはＡｌ2 Ｏ3 等）である場合には、蒸着材料
には放電しないし、大部分が蒸着材料で覆われたハース
にも放電しにくいので、蒸着材料の放電着火が困難であ
る。また、放電着火があったとしても、その後の自己加
熱がない。このため、絶縁物を安定して成膜することが
困難である。
【００１１】また、蒸着材料は、冷却されているハース
内に収容されるので、ハースに接する部分が急冷され
る。特に、蒸着材料が高融点材料や高い熱伝導性を持つ
物質（例えば、Ａｌ等）である場合には、蒸着材料は、
全体としては高温に加熱されて溶融しても、部分的に急
冷されるので、突沸したり、異常放電を起こしたり、蒸
着材料自体の溶解が不安定になったり、ノジールが一部
に留まるなどの虞がある。このため、絶縁物を安定して
成膜することが困難である。
内に収容されるので、ハースに接する部分が急冷され
る。特に、蒸着材料が高融点材料や高い熱伝導性を持つ
物質（例えば、Ａｌ等）である場合には、蒸着材料は、
全体としては高温に加熱されて溶融しても、部分的に急
冷されるので、突沸したり、異常放電を起こしたり、蒸
着材料自体の溶解が不安定になったり、ノジールが一部
に留まるなどの虞がある。このため、絶縁物を安定して
成膜することが困難である。
【００１２】本発明の課題は、絶縁物、高融点材料、あ
るいは高い熱伝導性を持つ物質などの蒸着材料であって
も、安定して成膜を行うことができる真空成膜装置を提
供することである。
るいは高い熱伝導性を持つ物質などの蒸着材料であって
も、安定して成膜を行うことができる真空成膜装置を提
供することである。
【００１３】
【課題を解決するための手段】本発明によれば、真空容
器と、前記真空容器に取り付けられたプラズマ源と、前
記真空容器内の底部に配置されたハースとを有し、前記
プラズマ源が発生するプラズマビームを前記ハースに導
き、該ハース内に収納された蒸着材料を蒸発さて被処理
物体表面に膜を形成する真空成膜装置において、導電性
および耐熱性を持ち、蒸着材料を収容する容器形のライ
ナを前記ハース内に収納し、前記ライナは、前記ハース
に対して電気的接続を確保すると共に、上部が該ハース
に対して熱伝導性が低い接続関係になるようにして収納
されることを特徴とする真空成膜装置が得られる。
器と、前記真空容器に取り付けられたプラズマ源と、前
記真空容器内の底部に配置されたハースとを有し、前記
プラズマ源が発生するプラズマビームを前記ハースに導
き、該ハース内に収納された蒸着材料を蒸発さて被処理
物体表面に膜を形成する真空成膜装置において、導電性
および耐熱性を持ち、蒸着材料を収容する容器形のライ
ナを前記ハース内に収納し、前記ライナは、前記ハース
に対して電気的接続を確保すると共に、上部が該ハース
に対して熱伝導性が低い接続関係になるようにして収納
されることを特徴とする真空成膜装置が得られる。
【００１４】本発明によればまた、前記ライナは、カー
ボン、窒化ホウ素、モリブデン、タングステン、および
タンタルのうちの少くとも１つを含む材料からなる前記
真空成膜装置が得られる。
ボン、窒化ホウ素、モリブデン、タングステン、および
タンタルのうちの少くとも１つを含む材料からなる前記
真空成膜装置が得られる。
【００１５】
【発明の実施の形態】以下、図面を参照して、本発明の
実施の形態による真空成膜装置を説明する。
実施の形態による真空成膜装置を説明する。
【００１６】［実施の形態１］図１は、本発明の実施の
形態１による真空成膜装置としてのイオンプレーティン
グ装置の要部を示す図である。尚、同図において、従来
例と同一部または同様部には図４と同符号を付し、説明
を省略する。
形態１による真空成膜装置としてのイオンプレーティン
グ装置の要部を示す図である。尚、同図において、従来
例と同一部または同様部には図４と同符号を付し、説明
を省略する。
【００１７】図１を参照して、本装置は、真空容器（図
示せず）と、真空容器に取り付けられたプラズマ源とし
てのプラズマビーム発生器（図示せず）と、真空容器内
の底部に配置された陽極として機能するハース４１と、
ハース４１の周囲に配置された環状の補助陽極４２とを
有している。そして、プラズマビーム発生器が発生する
プラズマビームをハース４１に導き、蒸着材料をイオン
化し、ハース４１の上方にて電圧が印加された被処理物
体としての基板上に蒸着材料から成る膜を形成するもの
である。
示せず）と、真空容器に取り付けられたプラズマ源とし
てのプラズマビーム発生器（図示せず）と、真空容器内
の底部に配置された陽極として機能するハース４１と、
ハース４１の周囲に配置された環状の補助陽極４２とを
有している。そして、プラズマビーム発生器が発生する
プラズマビームをハース４１に導き、蒸着材料をイオン
化し、ハース４１の上方にて電圧が印加された被処理物
体としての基板上に蒸着材料から成る膜を形成するもの
である。
【００１８】ハース４１および補助陽極４２は、真空容
器内の底部に設けられた支持部材５０によって支持され
ている。ハース４１と支持部材５０との間は、絶縁部材
８２により電気的に絶縁されている。補助陽極４２と支
持部材５０との間は、絶縁部材８１により電気的に絶縁
されている。ハース４１は、蒸着材料を収容可能な収容
凹部４１ａと、ハース４１内に設けられた冷却部４１ｂ
とを備えている。冷却部４１ｂに冷媒を流通できるよう
になっている。補助陽極４２は、永久磁石４２１と、コ
イル磁石４２２と、これら磁石を収容する上ケース４２
３ａおよび下ケース４２３ｂからなる磁石ケースとから
構成されており、磁石ケース内に冷媒を流通できるよう
になっている。ハース４１ならびに補助陽極４２を冷却
する冷媒を流通する冷媒管（ベローチューブ）７１ａ、
７１ｂ、および７１ｃとを有している。冷媒は、真空容
器外から冷媒管７１ａ、磁石ケース内、冷媒管７１ｃ、
冷却部４１ｂ、および冷媒管７１ｂの順に流通して、ハ
ース４１および補助陽極４２を冷却する。
器内の底部に設けられた支持部材５０によって支持され
ている。ハース４１と支持部材５０との間は、絶縁部材
８２により電気的に絶縁されている。補助陽極４２と支
持部材５０との間は、絶縁部材８１により電気的に絶縁
されている。ハース４１は、蒸着材料を収容可能な収容
凹部４１ａと、ハース４１内に設けられた冷却部４１ｂ
とを備えている。冷却部４１ｂに冷媒を流通できるよう
になっている。補助陽極４２は、永久磁石４２１と、コ
イル磁石４２２と、これら磁石を収容する上ケース４２
３ａおよび下ケース４２３ｂからなる磁石ケースとから
構成されており、磁石ケース内に冷媒を流通できるよう
になっている。ハース４１ならびに補助陽極４２を冷却
する冷媒を流通する冷媒管（ベローチューブ）７１ａ、
７１ｂ、および７１ｃとを有している。冷媒は、真空容
器外から冷媒管７１ａ、磁石ケース内、冷媒管７１ｃ、
冷却部４１ｂ、および冷媒管７１ｂの順に流通して、ハ
ース４１および補助陽極４２を冷却する。
【００１９】さらに、本装置は、蒸着材料を収容する容
器形のライナ４３を有している。ライナ４３は、例えば
カーボン（Ｃ）および窒化ホウ素（ＢＮ）のうちの少く
ともどちらかを含む材料から成り、導電性および耐熱性
を持っている。ライナ４３は、ハース４１に対して電気
的接続を確保する一方、熱伝導性が低い接続関係になる
ように、可及的小さい接触面積でもって取り付けられ
る。具体的には、本例では、ライナ４３は、ハース４１
の収容凹部４１ａの底面にのみ接して配置され、収容凹
部４１ａの側面に対しては所定の間隙をおいている。
器形のライナ４３を有している。ライナ４３は、例えば
カーボン（Ｃ）および窒化ホウ素（ＢＮ）のうちの少く
ともどちらかを含む材料から成り、導電性および耐熱性
を持っている。ライナ４３は、ハース４１に対して電気
的接続を確保する一方、熱伝導性が低い接続関係になる
ように、可及的小さい接触面積でもって取り付けられ
る。具体的には、本例では、ライナ４３は、ハース４１
の収容凹部４１ａの底面にのみ接して配置され、収容凹
部４１ａの側面に対しては所定の間隙をおいている。
【００２０】本装置では、ハース４１に取り付けられた
ライナ４３への放電によって放電着火し、この後、ライ
ナ４３の抵抗加熱による発熱で蒸着材料２００が加熱さ
れ、溶融、蒸発する。この際、ライナ４３は、ハース４
１に対して、底面のみ接して側面は離れているため、蒸
着材料２００が急冷されることがない。また、ライナ４
３内に収容された蒸着材料２００が減少すると、ライナ
４３への放電に移行するので、蒸着材料２００の加熱が
途切れることがない。
ライナ４３への放電によって放電着火し、この後、ライ
ナ４３の抵抗加熱による発熱で蒸着材料２００が加熱さ
れ、溶融、蒸発する。この際、ライナ４３は、ハース４
１に対して、底面のみ接して側面は離れているため、蒸
着材料２００が急冷されることがない。また、ライナ４
３内に収容された蒸着材料２００が減少すると、ライナ
４３への放電に移行するので、蒸着材料２００の加熱が
途切れることがない。
【００２１】図２は、本発明による真空成膜装置のハー
スの変形例を示す図である。図２を参照して、ハース４
１′は、蒸着材料を収容可能な収容凹部４１ａと、ハー
ス４１′内に設けられた冷却部４１ｂと、収容凹部４１
ａの底面上に形成された凸部４１ｃとを備えている。ラ
イナ４３は、凸部４１ｃ上に配置される。ライナ４３が
このように配置されることにより、ライナと冷却される
ハースとの接触面積が図１の例よりもさらに小さく、蒸
着材料がより急冷されにくい。
スの変形例を示す図である。図２を参照して、ハース４
１′は、蒸着材料を収容可能な収容凹部４１ａと、ハー
ス４１′内に設けられた冷却部４１ｂと、収容凹部４１
ａの底面上に形成された凸部４１ｃとを備えている。ラ
イナ４３は、凸部４１ｃ上に配置される。ライナ４３が
このように配置されることにより、ライナと冷却される
ハースとの接触面積が図１の例よりもさらに小さく、蒸
着材料がより急冷されにくい。
【００２２】［実施の形態２］本発明において、ライナ
およびハースの各形状ならびにライナのハースに対する
取り付け関係は、図１、図２に示した実施の形態１に限
らず、ライナとハースとの間で電気的接続が確保される
と共に、熱伝導性が低い接続関係になるものであればよ
い。本発明の実施の形態２は、蒸着材料をハース内に連
続的に供給する構造の真空成膜装置である。
およびハースの各形状ならびにライナのハースに対する
取り付け関係は、図１、図２に示した実施の形態１に限
らず、ライナとハースとの間で電気的接続が確保される
と共に、熱伝導性が低い接続関係になるものであればよ
い。本発明の実施の形態２は、蒸着材料をハース内に連
続的に供給する構造の真空成膜装置である。
【００２３】図３は、本発明の実施の形態２による真空
成膜装置の要部を示す図である。尚、同図において、実
施の形態１と同一部または同様部には図１、図２と同符
号または同様の符号を付している。
成膜装置の要部を示す図である。尚、同図において、実
施の形態１と同一部または同様部には図１、図２と同符
号または同様の符号を付している。
【００２４】図３を参照して、本真空成膜装置では、ハ
ース４１′は略円筒形状であり、ハース４１′の上部に
は凹部４１ａ′が形成されている。ハース４１′の中心
部には、図中上下方向に延びる貫通孔４１ｃ′が形成さ
れている。ハース４１′は、その下部に径方向に延びる
フランジ部４１ｄ′を有している。ハース４１′内に
は、通路４１ｂ′が形成されており、通路４１ｂ′は冷
媒管７１ｂ、７１ｃに接続されている。
ース４１′は略円筒形状であり、ハース４１′の上部に
は凹部４１ａ′が形成されている。ハース４１′の中心
部には、図中上下方向に延びる貫通孔４１ｃ′が形成さ
れている。ハース４１′は、その下部に径方向に延びる
フランジ部４１ｄ′を有している。ハース４１′内に
は、通路４１ｂ′が形成されており、通路４１ｂ′は冷
媒管７１ｂ、７１ｃに接続されている。
【００２５】ハース４１′の外周には、補助陽極４２が
配置されている。補助陽極４２は、中空リング状の上ケ
ース４２３ａと、リング状の下ケース４２３ｂと、上下
ケース４２３ａおよび４２３ｂの間に収容された永久磁
石４２１とを備えている。永久磁石４２１は、図中上下
方向に着磁されている。上ケース４２３ａの中空部は、
冷媒管７１ｂ、７１ｃに接続されている。
配置されている。補助陽極４２は、中空リング状の上ケ
ース４２３ａと、リング状の下ケース４２３ｂと、上下
ケース４２３ａおよび４２３ｂの間に収容された永久磁
石４２１とを備えている。永久磁石４２１は、図中上下
方向に着磁されている。上ケース４２３ａの中空部は、
冷媒管７１ｂ、７１ｃに接続されている。
【００２６】補助陽極４２は、絶縁部材８２を介してハ
ース４１′のフランジ部４１ｄ′と接合されている。
尚、補助陽極４２とハース４１′の側面との間には、僅
かな間隙が形成されている。そして、指示部材５０ａに
よって真空容器１０の底面に支持されている。
ース４１′のフランジ部４１ｄ′と接合されている。
尚、補助陽極４２とハース４１′の側面との間には、僅
かな間隙が形成されている。そして、指示部材５０ａに
よって真空容器１０の底面に支持されている。
【００２７】ハース４１′の貫通孔４１ｃ′には、筒状
のライナ４３′が挿入されている。ライナ４３′の上部
とハース４１′の凹部４１ａ′との間には、所定の間隙
が形成されている。
のライナ４３′が挿入されている。ライナ４３′の上部
とハース４１′の凹部４１ａ′との間には、所定の間隙
が形成されている。
【００２８】ライナ４３′の下方には、押上棒体３５が
位置している。押上棒体３５は、材料供給機構３６によ
って駆動される。材料供給機構３６は、ネジ軸体３６ａ
を備えている。ネジ軸体３６ａの上端には、台座部３６
ｂが形成されている。台座部３６ｂと押上棒体３５と
は、台座部３６ｂおよび押上棒体３５には、冷却通路３
６ｃが形成されている。冷却通路３６ｃは、冷媒管３７
に接続されている。
位置している。押上棒体３５は、材料供給機構３６によ
って駆動される。材料供給機構３６は、ネジ軸体３６ａ
を備えている。ネジ軸体３６ａの上端には、台座部３６
ｂが形成されている。台座部３６ｂと押上棒体３５と
は、台座部３６ｂおよび押上棒体３５には、冷却通路３
６ｃが形成されている。冷却通路３６ｃは、冷媒管３７
に接続されている。
【００２９】真空容器１０の底面には、開口部が形成さ
れている。この開口部には、軸受３８を介して中空のナ
ット体３６ｄが挿入されている。ナット体３６ｄの内壁
面にはネジが切られており、これによって、ネジ軸体３
６ａがナット体３６ｄ内に挿入されると、ネジ軸体３６
ａとナット体３６ｄとは噛み合い状態になる。ナット体
３６ｄの外周面には、スプロケット３６ｅが取り付けら
れている。スプロケット３６ｅには、例えばチェーン３
６ｆが連結されている。したがって、モータ等によって
チェーン３６ｆに駆動力を与えると、ナット体３６ｄが
軸受３８に支持されつつ回転し、この回転力がネジ軸体
３６ａに伝えられ、ネジ軸体３６ａは上下方向に移動す
る。
れている。この開口部には、軸受３８を介して中空のナ
ット体３６ｄが挿入されている。ナット体３６ｄの内壁
面にはネジが切られており、これによって、ネジ軸体３
６ａがナット体３６ｄ内に挿入されると、ネジ軸体３６
ａとナット体３６ｄとは噛み合い状態になる。ナット体
３６ｄの外周面には、スプロケット３６ｅが取り付けら
れている。スプロケット３６ｅには、例えばチェーン３
６ｆが連結されている。したがって、モータ等によって
チェーン３６ｆに駆動力を与えると、ナット体３６ｄが
軸受３８に支持されつつ回転し、この回転力がネジ軸体
３６ａに伝えられ、ネジ軸体３６ａは上下方向に移動す
る。
【００３０】押上棒体３５の先端部には蒸着材料２０
０′が配置されており、ネジ軸体３６ａの移動、即ち、
押上棒体３５の移動によって、蒸着材料２００′はライ
ナ４３′内を通って上下方向に移動する。
０′が配置されており、ネジ軸体３６ａの移動、即ち、
押上棒体３５の移動によって、蒸着材料２００′はライ
ナ４３′内を通って上下方向に移動する。
【００３１】本装置でも、ハース４１′に取り付けられ
たライナ４３′への放電によって放電着火し、この後、
ライナ４３′の抵抗加熱による発熱で蒸着材料２００′
が加熱され、溶融、蒸発する。この際、ライナ４３′は
ハース４１′に対して上部の側面が離れているため、蒸
着材料２００′が急冷されることはない。
たライナ４３′への放電によって放電着火し、この後、
ライナ４３′の抵抗加熱による発熱で蒸着材料２００′
が加熱され、溶融、蒸発する。この際、ライナ４３′は
ハース４１′に対して上部の側面が離れているため、蒸
着材料２００′が急冷されることはない。
【００３２】
【発明の効果】本発明による真空成膜装置は、導電性お
よび耐熱性を持ち、蒸着材料を収容する容器形のライナ
をハース内に収納し、ライナが、ハースに対して電気的
接続を確保すると共に、上部が該ハースに対して熱伝導
性が低い接続関係になるようにして収納されるため、絶
縁物、高融点材料、あるいは高い熱伝導性を持つ物質な
どの蒸着材料であっても、安定して成膜を行うことがで
きる。
よび耐熱性を持ち、蒸着材料を収容する容器形のライナ
をハース内に収納し、ライナが、ハースに対して電気的
接続を確保すると共に、上部が該ハースに対して熱伝導
性が低い接続関係になるようにして収納されるため、絶
縁物、高融点材料、あるいは高い熱伝導性を持つ物質な
どの蒸着材料であっても、安定して成膜を行うことがで
きる。
【図１】本発明の実施の形態１による真空成膜装置の要
部を示す図である。
部を示す図である。
【図２】本発明の実施の形態１による真空成膜装置のハ
ースおよびライナを示す図である。
ースおよびライナを示す図である。
【図３】本発明の実施の形態２による真空成膜装置の要
部を示す図である。
部を示す図である。
【図４】従来例による真空成膜装置を示す図である。
１０ 真空容器 ２０ プラズマビーム発生器 ３１ ステアリングコイル ４１、４１′ ハース ４１ａ 収容凹部 ４１ａ′ 凹部 ４１ｂ 冷却部 ４１ｂ′ 通路 ４１ｃ 凸部 ４１ｃ′ 貫通孔 ４１ｄ′ フランジ部 ４２ 補助陽極 ４３、４３′ ライナ ５０、５０ａ 支持部材 ７１ａ、７１ｂ、７１ｃ 冷媒管 ８１、８２ 絶縁部材 １００ 基板 ２００、２００′ 蒸着材料 ４２１ 永久磁石 ４２２ コイル磁石 ４２３ａ 上ケース ４２３ｂ 下ケース
Claims (2)
- 【請求項１】 真空容器と、前記真空容器に取り付けら
れたプラズマ源と、前記真空容器内の底部に配置された
ハースとを有し、前記プラズマ源が発生するプラズマビ
ームを前記ハースに導き、該ハース内に収納された蒸着
材料を蒸発さて被処理物体表面に膜を形成する真空成膜
装置において、導電性および耐熱性を持ち、蒸着材料を
収容する容器形のライナを前記ハース内に収納し、前記
ライナは、前記ハースに対して電気的接続を確保すると
共に、上部が該ハースに対して熱伝導性が低い接続関係
になるようにして収納されることを特徴とする真空成膜
装置。 - 【請求項２】 前記ライナは、カーボン、窒化ホウ素、
モリブデン、タングステン、およびタンタルのうちの少
くとも１つを含む材料からなる請求項１に記載の真空成
膜装置。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP09118955A JP3120368B2 (ja) | 1997-05-09 | 1997-05-09 | 真空成膜装置 |
| TW087106969A TW585931B (en) | 1997-05-09 | 1998-05-06 | Plasma film deposition apparatus capable of stably depositing a variety of materials having a variety of characteristics |
| KR1019980016245A KR19980086806A (ko) | 1997-05-09 | 1998-05-07 | 다양한 특성을 갖는 다양한 재료를 안전하게 증착시킬 수 있는 플라즈마 박막 증착장치 |
| CN98101786A CN1202535A (zh) | 1997-05-09 | 1998-05-08 | 能稳定沉积具有各种性能的各种材料的等离子膜沉积装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP09118955A JP3120368B2 (ja) | 1997-05-09 | 1997-05-09 | 真空成膜装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10310864A true JPH10310864A (ja) | 1998-11-24 |
| JP3120368B2 JP3120368B2 (ja) | 2000-12-25 |
Family
ID=14749414
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP09118955A Expired - Fee Related JP3120368B2 (ja) | 1997-05-09 | 1997-05-09 | 真空成膜装置 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3120368B2 (ja) |
| KR (1) | KR19980086806A (ja) |
| CN (1) | CN1202535A (ja) |
| TW (1) | TW585931B (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005272965A (ja) * | 2004-03-25 | 2005-10-06 | Sumitomo Heavy Ind Ltd | 電極部材、及びこれを備えた成膜装置 |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP6054249B2 (ja) * | 2013-05-27 | 2016-12-27 | 住友重機械工業株式会社 | 成膜装置 |
| CN104034159B (zh) * | 2014-06-06 | 2016-01-20 | 西安航空制动科技有限公司 | 一种c/c复合材料沉积炉 |
Family Cites Families (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH07116595B2 (ja) * | 1986-08-15 | 1995-12-13 | 株式会社ト−ビ | イオンプレ−テイング蒸発装置 |
| JPH0375358A (ja) * | 1989-08-16 | 1991-03-29 | Arubatsuku Seimaku Kk | プラズマ電子ビームを用いた弗化物或はその混合物の薄膜の形成方法 |
| JPH042768A (ja) * | 1990-04-18 | 1992-01-07 | Ulvac Seimaku Kk | プラズマ電子ビーム加熱装置 |
| JP2952643B2 (ja) * | 1994-11-04 | 1999-09-27 | 住友重機械工業株式会社 | イオンプレーティング装置 |
-
1997
- 1997-05-09 JP JP09118955A patent/JP3120368B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
1998
- 1998-05-06 TW TW087106969A patent/TW585931B/zh not_active IP Right Cessation
- 1998-05-07 KR KR1019980016245A patent/KR19980086806A/ko not_active Application Discontinuation
- 1998-05-08 CN CN98101786A patent/CN1202535A/zh active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005272965A (ja) * | 2004-03-25 | 2005-10-06 | Sumitomo Heavy Ind Ltd | 電極部材、及びこれを備えた成膜装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| TW585931B (en) | 2004-05-01 |
| CN1202535A (zh) | 1998-12-23 |
| JP3120368B2 (ja) | 2000-12-25 |
| KR19980086806A (ko) | 1998-12-05 |
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|---|---|---|---|
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