JPH10317129A - 真空成膜装置 - Google Patents
真空成膜装置Info
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- JPH10317129A JPH10317129A JP12564097A JP12564097A JPH10317129A JP H10317129 A JPH10317129 A JP H10317129A JP 12564097 A JP12564097 A JP 12564097A JP 12564097 A JP12564097 A JP 12564097A JP H10317129 A JPH10317129 A JP H10317129A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 陽極用の冷媒管に対する異常放電に起因する
トラブルを確実に防止できる真空成膜装置を提供する。 【解決手段】 成膜室１０ｃを規定する真空容器１０
と、真空容器１０に取り付けられたプラズマ源としての
プラズマビーム発生器２０と、真空容器１０内の底部に
配置された陽極としてのハース４１ならびに補助陽極４
２と、ハース４１ならびに補助陽極４２を冷却する冷媒
を流通する冷媒管７１ａおよび７１ｂならびに冷媒管７
２ａおよび７２ｂとを有している。プラズマビーム発生
器２０が発生するプラズマビームをハース４１に導き、
付着材料としての蒸発材料２０をイオン化し、ハース４
１の上方に配置されかつ電圧が印加された被処理物体と
しての基板１００上に蒸発材料２００から成る膜を形成
する真空成膜装置である。ハース４１ならびに補助陽極
４２の下部空間１０ｄは、成膜室１０ｃに対して圧力差
を有している。
トラブルを確実に防止できる真空成膜装置を提供する。 【解決手段】 成膜室１０ｃを規定する真空容器１０
と、真空容器１０に取り付けられたプラズマ源としての
プラズマビーム発生器２０と、真空容器１０内の底部に
配置された陽極としてのハース４１ならびに補助陽極４
２と、ハース４１ならびに補助陽極４２を冷却する冷媒
を流通する冷媒管７１ａおよび７１ｂならびに冷媒管７
２ａおよび７２ｂとを有している。プラズマビーム発生
器２０が発生するプラズマビームをハース４１に導き、
付着材料としての蒸発材料２０をイオン化し、ハース４
１の上方に配置されかつ電圧が印加された被処理物体と
しての基板１００上に蒸発材料２００から成る膜を形成
する真空成膜装置である。ハース４１ならびに補助陽極
４２の下部空間１０ｄは、成膜室１０ｃに対して圧力差
を有している。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、真空容器が規定す
る成膜室内にて、プラズマ源が発生するプラズマビーム
を陽極に導き、付着材料をイオン化し、基板表面に膜を
形成する真空成膜装置に関する。
る成膜室内にて、プラズマ源が発生するプラズマビーム
を陽極に導き、付着材料をイオン化し、基板表面に膜を
形成する真空成膜装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】プラズマを利用した真空成膜装置には、
イオンプレーティング装置や、プラズマＣＶＤ装置など
がある。
イオンプレーティング装置や、プラズマＣＶＤ装置など
がある。
【０００３】イオンプレーティング装置としては、例え
ば、アーク放電型プラズマ源である圧力勾配型プラズマ
源またはＨＣＤプラズマ源を用いた装置が知られてい
る。このようなイオンプレーティング装置では、プラズ
マビーム発生器（プラズマ源）を備えており、真空容器
中に配置されたハース（陽極）とプラズマビーム発生器
との間でプラズマビームを発生させ、ハース上に載置さ
れた付着材料としての蒸着材料を加熱蒸発させている。
そして、蒸着材料からの蒸着金属粒子はプラズマビーム
によってイオン化され、このイオン粒子が負電圧の基板
表面に付着し、基板上に膜が形成される。
ば、アーク放電型プラズマ源である圧力勾配型プラズマ
源またはＨＣＤプラズマ源を用いた装置が知られてい
る。このようなイオンプレーティング装置では、プラズ
マビーム発生器（プラズマ源）を備えており、真空容器
中に配置されたハース（陽極）とプラズマビーム発生器
との間でプラズマビームを発生させ、ハース上に載置さ
れた付着材料としての蒸着材料を加熱蒸発させている。
そして、蒸着材料からの蒸着金属粒子はプラズマビーム
によってイオン化され、このイオン粒子が負電圧の基板
表面に付着し、基板上に膜が形成される。
【０００４】図４は、従来のイオンプレーティング装置
の一例を示す図である。図４を参照して、このイオンプ
レーティング装置は、気密性の真空容器１０を有してい
る。真空容器１０には、ガイド部１２を介してプラズマ
ビーム発生器（例えば、圧力勾配型プラズマ銃）２０が
取り付けられている。ガイド部１２の外側には、プラズ
マビームをガイドするためのステアリングコイル３１が
配設されている。プラズマビーム発生器２０には、プラ
ズマビームを収束するための第１および第２の中間電極
２７および２８が同心的に配置されている。第１の中間
電極２７には磁極軸がプラズマ発生器２０の中心軸と平
行になるようにして永久磁石２７ａが内臓されており、
第２の中間電極２８にはコイル２８ａが内臓されてい
る。
の一例を示す図である。図４を参照して、このイオンプ
レーティング装置は、気密性の真空容器１０を有してい
る。真空容器１０には、ガイド部１２を介してプラズマ
ビーム発生器（例えば、圧力勾配型プラズマ銃）２０が
取り付けられている。ガイド部１２の外側には、プラズ
マビームをガイドするためのステアリングコイル３１が
配設されている。プラズマビーム発生器２０には、プラ
ズマビームを収束するための第１および第２の中間電極
２７および２８が同心的に配置されている。第１の中間
電極２７には磁極軸がプラズマ発生器２０の中心軸と平
行になるようにして永久磁石２７ａが内臓されており、
第２の中間電極２８にはコイル２８ａが内臓されてい
る。
【０００５】プラズマビーム発生器２０には、第１およ
び第２の中間電極２７および２８で規定される通路に繋
がる絶縁管（例えば、ガラス管）２１が備えられてい
る。絶縁管２１内には、Ｍｏ筒２２が配置されている。
Ｍｏ筒２２内には、Ｔａパイプ２３が配置されている。
Ｍｏ筒２２とＴａパイプ２３とで規定される空間は、Ｌ
ａＢ6 製の環状板２４で隔離されている。絶縁管２１、
Ｍｏ筒２２、およびＴａパイプ２３の一端には、導体板
部２５が取り付けられている。導体板部２５に形成され
たキャリアガス導入口２６からキャリアガス（Ａｒ等の
不活性ガス）が導入され、キャリアガスは、Ｔａパイプ
２３を通過する。
び第２の中間電極２７および２８で規定される通路に繋
がる絶縁管（例えば、ガラス管）２１が備えられてい
る。絶縁管２１内には、Ｍｏ筒２２が配置されている。
Ｍｏ筒２２内には、Ｔａパイプ２３が配置されている。
Ｍｏ筒２２とＴａパイプ２３とで規定される空間は、Ｌ
ａＢ6 製の環状板２４で隔離されている。絶縁管２１、
Ｍｏ筒２２、およびＴａパイプ２３の一端には、導体板
部２５が取り付けられている。導体板部２５に形成され
たキャリアガス導入口２６からキャリアガス（Ａｒ等の
不活性ガス）が導入され、キャリアガスは、Ｔａパイプ
２３を通過する。
【０００６】真空容器１０内には、被処理物体としての
基板１００が搬送装置６１に支持されることによって配
置されている。基板１００には、負バイアス用の直流電
源が接続される。真空容器１０の底面には、基板１００
に対向するように、ハース（陽極）４１が配置されてい
る。ハース４１の外周には、環状の補助陽極４２が配置
されている。
基板１００が搬送装置６１に支持されることによって配
置されている。基板１００には、負バイアス用の直流電
源が接続される。真空容器１０の底面には、基板１００
に対向するように、ハース（陽極）４１が配置されてい
る。ハース４１の外周には、環状の補助陽極４２が配置
されている。
【０００７】導体板部２５には、可変電源９０のマイナ
ス端が接続されている。可変電源９０のプラス端は、そ
れぞれ抵抗器Ｒ１およびＲ２を介して、第１および第２
の中間電極２７および２８に接続されている。一方、ハ
ース４１は、可変電源９０ならびに抵抗器Ｒ１およびＲ
２に接続される。また、真空容器１０の側壁には、キャ
リアガス（ＡｒやＨｅ等の不活性ガス）を導入するため
のガス導入口１０ａと、真空容器１０内を排気するため
の排気口１０ｂとが形成されている。
ス端が接続されている。可変電源９０のプラス端は、そ
れぞれ抵抗器Ｒ１およびＲ２を介して、第１および第２
の中間電極２７および２８に接続されている。一方、ハ
ース４１は、可変電源９０ならびに抵抗器Ｒ１およびＲ
２に接続される。また、真空容器１０の側壁には、キャ
リアガス（ＡｒやＨｅ等の不活性ガス）を導入するため
のガス導入口１０ａと、真空容器１０内を排気するため
の排気口１０ｂとが形成されている。
【０００８】このイオンプレーティング装置では、キャ
リアガス導入口２６からキャリアガスが導入されると、
第１の中間電極２７とＭｏ筒２２との間で放電が始ま
る。これによって、プラズマビーム３００が発生する。
プラズマビーム３００は、ステアリングコイル３１と補
助陽極４２の磁石にガイドされて、陽極として用いられ
るハース４１および補助陽極４２に到達する。ハース４
１にプラズマビーム３００が与えられると、ハース４１
に収容された蒸着材料２００がジュール加熱されて蒸発
する。蒸発金属粒子は、イオン化され、負電圧が印加さ
れた基板１００の表面に付着し、基板１００上に膜が形
成される。
リアガス導入口２６からキャリアガスが導入されると、
第１の中間電極２７とＭｏ筒２２との間で放電が始ま
る。これによって、プラズマビーム３００が発生する。
プラズマビーム３００は、ステアリングコイル３１と補
助陽極４２の磁石にガイドされて、陽極として用いられ
るハース４１および補助陽極４２に到達する。ハース４
１にプラズマビーム３００が与えられると、ハース４１
に収容された蒸着材料２００がジュール加熱されて蒸発
する。蒸発金属粒子は、イオン化され、負電圧が印加さ
れた基板１００の表面に付着し、基板１００上に膜が形
成される。
【０００９】また、図５は、従来のプラズマＣＶＤ装置
の一例を示す図である。尚、同図において、図４に示し
たイオンプレーティング装置と同一部または同様部には
図４と同符号を付し、説明を省略する。図５を参照し
て、このプラズマＣＶＤ装置は、真空容器１０′の側壁
には、付着材料としての原料ガス２５０を導入する原料
ガス導入口１０ａ′が形成されている。また、真空容器
１０′内の底面には、陽極４１′が配置されている。
の一例を示す図である。尚、同図において、図４に示し
たイオンプレーティング装置と同一部または同様部には
図４と同符号を付し、説明を省略する。図５を参照し
て、このプラズマＣＶＤ装置は、真空容器１０′の側壁
には、付着材料としての原料ガス２５０を導入する原料
ガス導入口１０ａ′が形成されている。また、真空容器
１０′内の底面には、陽極４１′が配置されている。
【００１０】このプラズマＣＶＤ装置では、真空容器１
０′内が排気されると共に、原料ガス導入口１０ａ′か
ら原料ガス２５０が導入され、プラズマビーム発生器２
０によってプラズマビーム３００を発生して陽極４１′
に導く。そして、原料ガス２５０は、イオン化され、負
電圧が印加された基板１００の表面に付着し、基板１０
０上に膜が形成される。
０′内が排気されると共に、原料ガス導入口１０ａ′か
ら原料ガス２５０が導入され、プラズマビーム発生器２
０によってプラズマビーム３００を発生して陽極４１′
に導く。そして、原料ガス２５０は、イオン化され、負
電圧が印加された基板１００の表面に付着し、基板１０
０上に膜が形成される。
【００１１】図４、図５に示した例をも含め、この種の
真空成膜装置では、陽極の溶損を防ぐために、冷媒（例
えば、水）を用いて陽極を冷却している。詳しくは、こ
の種の真空成膜装置では、陽極を冷媒が流通可能な構造
にし、成膜室内の陽極から真空容器外部までを冷媒を流
通するベローチューブと呼ばれる冷媒管で繋ぎ、さらに
真空容器外部にポンプを設けて冷媒回路を構成し、冷媒
を循環させている。
真空成膜装置では、陽極の溶損を防ぐために、冷媒（例
えば、水）を用いて陽極を冷却している。詳しくは、こ
の種の真空成膜装置では、陽極を冷媒が流通可能な構造
にし、成膜室内の陽極から真空容器外部までを冷媒を流
通するベローチューブと呼ばれる冷媒管で繋ぎ、さらに
真空容器外部にポンプを設けて冷媒回路を構成し、冷媒
を循環させている。
【００１２】
【発明が解決しようとする課題】ところで、図４および
図５に示した例をも含め、この種の真空成膜装置を運転
中に、成膜室内は１０-4〜１０-2Torr程度の真空度（圧
力）にされるが、この真空度では異常放電が起こりやす
い。異常放電は、陽極と同じ電位にある冷媒管に対して
起こることがあり、この場合、冷媒管が損傷して、冷媒
が漏れたり、噴出するといったトラブルが生ずる。従
来、冷媒管に対する異常放電に起因する上記トラブルを
防止するために、冷媒管をプロテクタで覆う対策がとら
れている。しかし、この対策は、プロテクタが経時変化
したり、装置のメンテナンスの際にプロテクタが所定位
置からずれてしまうなどにより、十分かつ確実な効果を
奏するとはいえなかった。
図５に示した例をも含め、この種の真空成膜装置を運転
中に、成膜室内は１０-4〜１０-2Torr程度の真空度（圧
力）にされるが、この真空度では異常放電が起こりやす
い。異常放電は、陽極と同じ電位にある冷媒管に対して
起こることがあり、この場合、冷媒管が損傷して、冷媒
が漏れたり、噴出するといったトラブルが生ずる。従
来、冷媒管に対する異常放電に起因する上記トラブルを
防止するために、冷媒管をプロテクタで覆う対策がとら
れている。しかし、この対策は、プロテクタが経時変化
したり、装置のメンテナンスの際にプロテクタが所定位
置からずれてしまうなどにより、十分かつ確実な効果を
奏するとはいえなかった。
【００１３】本発明の課題は、陽極用の冷媒管に対する
異常放電に起因するトラブルを確実に防止できる真空成
膜装置を提供することである。
異常放電に起因するトラブルを確実に防止できる真空成
膜装置を提供することである。
【００１４】
【課題を解決するための手段】本発明によれば、成膜室
を規定する真空容器と、前記真空容器に取り付けられた
プラズマ源と、前記真空容器内の底部に配置された陽極
とを有し、前記プラズマ源が発生するプラズマビームを
前記陽極に導き、付着材料をイオン化し、被処理物体表
面に膜を形成する真空成膜装置において、前記陽極の下
部空間は、前記成膜室に対して圧力差を有していること
を特徴とする真空成膜装置が得られる。
を規定する真空容器と、前記真空容器に取り付けられた
プラズマ源と、前記真空容器内の底部に配置された陽極
とを有し、前記プラズマ源が発生するプラズマビームを
前記陽極に導き、付着材料をイオン化し、被処理物体表
面に膜を形成する真空成膜装置において、前記陽極の下
部空間は、前記成膜室に対して圧力差を有していること
を特徴とする真空成膜装置が得られる。
【００１５】本発明によればまた、前記下部空間は、前
記真空容器の底部と前記陽極との間に筒状の陽極カバー
を設けることによって形成された前記成膜室とは別の空
間であり、前記成膜室および前記下部空間には、個別の
真空ポンプがそれぞれ接続される前記真空成膜装置が得
られる。
記真空容器の底部と前記陽極との間に筒状の陽極カバー
を設けることによって形成された前記成膜室とは別の空
間であり、前記成膜室および前記下部空間には、個別の
真空ポンプがそれぞれ接続される前記真空成膜装置が得
られる。
【００１６】本発明によればさらに、前記下部空間は、
大気圧となっている前記真空成膜装置が得られる。
大気圧となっている前記真空成膜装置が得られる。
【００１７】本発明によればまた、成膜室を規定する真
空容器と、前記真空容器に取り付けられたプラズマ源
と、前記真空容器内の底部に配置された陽極と、前記陽
極を冷却する冷媒を流通する冷媒管とを有し、前記プラ
ズマ源が発生するプラズマビームを前記陽極に導き、付
着材料をイオン化し、該陽極の上方に配置されかつ電圧
が印加された被処理物体表面に付着材料から成る膜を形
成する真空成膜装置において、前記陽極および前記真空
容器の底板と共に陽極の下部空間を規定する陽極下カバ
ーを有し、前記冷媒管は、前記陽極から前記下部空間内
を通って前記真空容器の外部へ延びており、前記下部空
間内は、前記成膜室内よりも高い真空度にされることを
特徴とする真空成膜装置が得られる。本発明によればさ
らに、前記陽極は、主陽極と補助陽極とにより構成され
る前記真空成膜装置が得られる。本発明によればまた、
前記成膜室および前記下部空間には、個別の真空ポンプ
がそれぞれ接続される前記真空成膜装置が得られる。
空容器と、前記真空容器に取り付けられたプラズマ源
と、前記真空容器内の底部に配置された陽極と、前記陽
極を冷却する冷媒を流通する冷媒管とを有し、前記プラ
ズマ源が発生するプラズマビームを前記陽極に導き、付
着材料をイオン化し、該陽極の上方に配置されかつ電圧
が印加された被処理物体表面に付着材料から成る膜を形
成する真空成膜装置において、前記陽極および前記真空
容器の底板と共に陽極の下部空間を規定する陽極下カバ
ーを有し、前記冷媒管は、前記陽極から前記下部空間内
を通って前記真空容器の外部へ延びており、前記下部空
間内は、前記成膜室内よりも高い真空度にされることを
特徴とする真空成膜装置が得られる。本発明によればさ
らに、前記陽極は、主陽極と補助陽極とにより構成され
る前記真空成膜装置が得られる。本発明によればまた、
前記成膜室および前記下部空間には、個別の真空ポンプ
がそれぞれ接続される前記真空成膜装置が得られる。
【００１８】本発明によればさらに、成膜室を規定する
真空容器と、前記真空容器に取り付けられたプラズマ源
と、前記真空容器内の底部に配置された陽極と、前記陽
極を冷却する冷媒を流通する冷媒管とを有し、前記プラ
ズマ源が発生するプラズマビームを前記陽極に導き、付
着材料をイオン化し、該陽極の上方に配置されかつ電圧
が印加された被処理物体表面に付着材料から成る膜を形
成する真空成膜装置において、前記陽極は、前記真空容
器の外部に露出する露出部を備え、前記冷媒管は、前記
陽極の前記露出部から前記真空容器の外部へ延びている
ことを特徴とする真空成膜装置が得られる。本発明によ
ればまた、前記陽極は、主陽極と補助陽極とにより構成
される前記真空成膜装置が得られる。
真空容器と、前記真空容器に取り付けられたプラズマ源
と、前記真空容器内の底部に配置された陽極と、前記陽
極を冷却する冷媒を流通する冷媒管とを有し、前記プラ
ズマ源が発生するプラズマビームを前記陽極に導き、付
着材料をイオン化し、該陽極の上方に配置されかつ電圧
が印加された被処理物体表面に付着材料から成る膜を形
成する真空成膜装置において、前記陽極は、前記真空容
器の外部に露出する露出部を備え、前記冷媒管は、前記
陽極の前記露出部から前記真空容器の外部へ延びている
ことを特徴とする真空成膜装置が得られる。本発明によ
ればまた、前記陽極は、主陽極と補助陽極とにより構成
される前記真空成膜装置が得られる。
【００１９】
【発明の実施の形態】以下、図面を参照して、本発明の
実施の形態による真空成膜装置を説明する。
実施の形態による真空成膜装置を説明する。
【００２０】［実施の形態１］図１は、本発明の実施の
形態１による真空成膜装置としてのイオンプレーティン
グ装置の要部を示す図である。尚、同図において、従来
例と同一部または同様部には図４と同符号を付し、説明
を省略する。また、従来例と同様の電気回路等は図示し
ていない。
形態１による真空成膜装置としてのイオンプレーティン
グ装置の要部を示す図である。尚、同図において、従来
例と同一部または同様部には図４と同符号を付し、説明
を省略する。また、従来例と同様の電気回路等は図示し
ていない。
【００２１】図１を参照して、本装置は、成膜室１０ｃ
を規定する真空容器１０と、真空容器１０に取り付けら
れたプラズマ源としてのプラズマビーム発生器と、真空
容器内の底部に配置され、陽極として機能すると共に、
付着材料としての蒸着材料２００を収容したハース４１
と、ハース４１の外周に配置された補助陽極４２と、ハ
ース４１ならびに補助陽極４２を冷却する冷媒を流通す
る冷媒管（ベローチューブ）７１ａおよび７１ｂならび
に冷媒管（ベローチューブ）７２ａおよび７２ｂとを有
している。真空容器１０は、ほぼ筒形状の容器本体１１
ａと、図示しない天板と、底板１１ｃとにより構成され
ている。
を規定する真空容器１０と、真空容器１０に取り付けら
れたプラズマ源としてのプラズマビーム発生器と、真空
容器内の底部に配置され、陽極として機能すると共に、
付着材料としての蒸着材料２００を収容したハース４１
と、ハース４１の外周に配置された補助陽極４２と、ハ
ース４１ならびに補助陽極４２を冷却する冷媒を流通す
る冷媒管（ベローチューブ）７１ａおよび７１ｂならび
に冷媒管（ベローチューブ）７２ａおよび７２ｂとを有
している。真空容器１０は、ほぼ筒形状の容器本体１１
ａと、図示しない天板と、底板１１ｃとにより構成され
ている。
【００２２】補助陽極４２は、永久磁石４２１と、コイ
ル磁石４２２と、これら磁石を収容する上ケース４２３
ａおよび下ケース４２３ｂからなる磁石ケースとを備え
ている。補助陽極４２とハース４１との間は、絶縁部材
８１により電気的に絶縁されている。ハース４１にはガ
ス管７５が接続されており、キャリアガスは、ハース４
１と補助陽極４２との間の間隙から成膜室１０ｃ内に導
入される。
ル磁石４２２と、これら磁石を収容する上ケース４２３
ａおよび下ケース４２３ｂからなる磁石ケースとを備え
ている。補助陽極４２とハース４１との間は、絶縁部材
８１により電気的に絶縁されている。ハース４１にはガ
ス管７５が接続されており、キャリアガスは、ハース４
１と補助陽極４２との間の間隙から成膜室１０ｃ内に導
入される。
【００２３】そして、プラズマビーム発生器が発生する
プラズマビームをハース４１に導き、蒸着材料２００を
イオン化し、ハース４１の上方にて電圧が印加された被
処理物体としての基板上に蒸着材料２００から成る膜を
形成するものである。
プラズマビームをハース４１に導き、蒸着材料２００を
イオン化し、ハース４１の上方にて電圧が印加された被
処理物体としての基板上に蒸着材料２００から成る膜を
形成するものである。
【００２４】さらに、本真空成膜装置は、成膜室１０ｃ
とは独立した陽極の下部空間１０ｄを、ハース４１およ
び補助陽極４２ならびに真空容器１０の底板１１ｃと共
に規定する略筒状の陽極カバー５０を有している。陽極
カバー５０は補助陽極４２に対して絶縁部材８２により
電気的に絶縁されている。冷媒管７１ａおよび７１ｂな
らびに冷媒管７２ａおよび７２ｂは、ハース４１ならび
に補助陽極４２から、成膜室１０ｃ内を通ることなく、
下部空間１０ｄ内のみを通って、真空容器１０の外部へ
延びている。
とは独立した陽極の下部空間１０ｄを、ハース４１およ
び補助陽極４２ならびに真空容器１０の底板１１ｃと共
に規定する略筒状の陽極カバー５０を有している。陽極
カバー５０は補助陽極４２に対して絶縁部材８２により
電気的に絶縁されている。冷媒管７１ａおよび７１ｂな
らびに冷媒管７２ａおよび７２ｂは、ハース４１ならび
に補助陽極４２から、成膜室１０ｃ内を通ることなく、
下部空間１０ｄ内のみを通って、真空容器１０の外部へ
延びている。
【００２５】陽極の下部空間１０ｄ内は、少くとも成膜
中は、１０-4〜１０-2Torr程度にされる成膜室１０ｃ内
よりも低い圧力、例えば、１０-5Torr程度の圧力、また
は大気圧程度にされる。これは、成膜室１０ｃ内を真空
容器１０の容器本体１１ａに形成された開口部（図示せ
ず）に接続された図示しない真空ポンプで排気するのと
は個別に、下部空間１０ｄを真空容器１０の底板１１ｃ
に形成された開口部７３に接続された図示しない真空ポ
ンプで排気することにより実現される。
中は、１０-4〜１０-2Torr程度にされる成膜室１０ｃ内
よりも低い圧力、例えば、１０-5Torr程度の圧力、また
は大気圧程度にされる。これは、成膜室１０ｃ内を真空
容器１０の容器本体１１ａに形成された開口部（図示せ
ず）に接続された図示しない真空ポンプで排気するのと
は個別に、下部空間１０ｄを真空容器１０の底板１１ｃ
に形成された開口部７３に接続された図示しない真空ポ
ンプで排気することにより実現される。
【００２６】１０-5Torr程度または大気圧程度の真空度
にされた下部空間１０ｄ内では、プラズマが発生してい
る成膜中であっても、異常放電が起きにくい。冷媒管７
１ａおよび７１ｂならびに冷媒管７２ａおよび７２ｂは
下部空間１０ｄ内に敷設されているので、従来生じてい
た冷媒管に対する異常放電に起因するトラブルが防止さ
れる。また、異常放電に起因するトラブルを防止するた
めに従来設けられていた冷媒管用のプロテクタは不要で
ある。
にされた下部空間１０ｄ内では、プラズマが発生してい
る成膜中であっても、異常放電が起きにくい。冷媒管７
１ａおよび７１ｂならびに冷媒管７２ａおよび７２ｂは
下部空間１０ｄ内に敷設されているので、従来生じてい
た冷媒管に対する異常放電に起因するトラブルが防止さ
れる。また、異常放電に起因するトラブルを防止するた
めに従来設けられていた冷媒管用のプロテクタは不要で
ある。
【００２７】［実施の形態２］図２は、本発明の実施の
形態２による真空成膜装置としてのイオンプレーティン
グ装置の要部を示す図である。尚、同図において、実施
の形態１と同一部または同様部には図１と同符号を付
し、説明を省略する。また、電気回路等は図示を省略し
ている。
形態２による真空成膜装置としてのイオンプレーティン
グ装置の要部を示す図である。尚、同図において、実施
の形態１と同一部または同様部には図１と同符号を付
し、説明を省略する。また、電気回路等は図示を省略し
ている。
【００２８】図２を参照して、本装置において、底板１
１ｃは、ハース４１および補助陽極４２の下に位置する
部分に、開口部１１ｃ−１を備えている。これにより、
陽極（ハース４１および補助陽極４２）の下部空間１０
ｄ′は、大気圧になっている。
１ｃは、ハース４１および補助陽極４２の下に位置する
部分に、開口部１１ｃ−１を備えている。これにより、
陽極（ハース４１および補助陽極４２）の下部空間１０
ｄ′は、大気圧になっている。
【００２９】大気圧の下部空間１０ｄ′内では、１０-4
〜１０-2Torr程度にされる成膜室１０ｃ内とは異なり、
プラズマが発生している成膜中であっても、異常放電が
起きにくい。冷媒管７１ａおよび７１ｂならびに冷媒管
７２ａおよび７２ｂは成膜室１０ｃ内を通ることがない
ので、従来生じていた冷媒管に対する異常放電に起因す
るトラブルが防止される。また、異常放電に起因するト
ラブルを防止するために従来設けられていた冷媒管用の
プロテクタは不要である。
〜１０-2Torr程度にされる成膜室１０ｃ内とは異なり、
プラズマが発生している成膜中であっても、異常放電が
起きにくい。冷媒管７１ａおよび７１ｂならびに冷媒管
７２ａおよび７２ｂは成膜室１０ｃ内を通ることがない
ので、従来生じていた冷媒管に対する異常放電に起因す
るトラブルが防止される。また、異常放電に起因するト
ラブルを防止するために従来設けられていた冷媒管用の
プロテクタは不要である。
【００３０】［実施の形態３］図３は、本発明の実施の
形態３による真空成膜装置としてのイオンプレーティン
グ装置の要部を示す図である。尚、同図において、実施
の形態１または２と同一部または同様部には図１または
図２と同符号を付し、説明を省略する。また、電気回路
等は図示を省略している。
形態３による真空成膜装置としてのイオンプレーティン
グ装置の要部を示す図である。尚、同図において、実施
の形態１または２と同一部または同様部には図１または
図２と同符号を付し、説明を省略する。また、電気回路
等は図示を省略している。
【００３１】図３を参照して、本装置において、ハース
４１および補助陽極４２は、底板１１ｃの開口部１１ｃ
−１から真空容器１０の外部に露出する露出部を備えて
いる。冷媒管７１ａおよび７１ｂならびに冷媒管７２ａ
および７２ｂは、ハース４１ならびに補助陽極４２の露
出部から成膜室１０ｃ内を通ることなく真空容器１０の
外部へ延びている。
４１および補助陽極４２は、底板１１ｃの開口部１１ｃ
−１から真空容器１０の外部に露出する露出部を備えて
いる。冷媒管７１ａおよび７１ｂならびに冷媒管７２ａ
および７２ｂは、ハース４１ならびに補助陽極４２の露
出部から成膜室１０ｃ内を通ることなく真空容器１０の
外部へ延びている。
【００３２】大気圧である真空容器１０外では、１０-4
〜１０-2Torr程度にされる成膜室１０ｃ内とは異なり、
プラズマが発生している成膜中であっても、異常放電が
起きにくい。冷媒管７１ａおよび７１ｂならびに冷媒管
７２ａおよび７２ｂは成膜室１０ｃ内を通ることがない
ので、従来生じていた冷媒管に対する異常放電に起因す
るトラブルが防止される。また、異常放電に起因するト
ラブルを防止するために従来設けられていた冷媒管用の
プロテクタは不要である。
〜１０-2Torr程度にされる成膜室１０ｃ内とは異なり、
プラズマが発生している成膜中であっても、異常放電が
起きにくい。冷媒管７１ａおよび７１ｂならびに冷媒管
７２ａおよび７２ｂは成膜室１０ｃ内を通ることがない
ので、従来生じていた冷媒管に対する異常放電に起因す
るトラブルが防止される。また、異常放電に起因するト
ラブルを防止するために従来設けられていた冷媒管用の
プロテクタは不要である。
【００３３】
【発明の効果】本発明による真空成膜装置は、陽極の下
部空間が成膜室に対して圧力差を有しているため、陽極
の下部空間内で異常放電が発生しにくい圧力になり、陽
極用の冷媒管に対する異常放電自体がなくなり、冷媒管
に対する異常放電に起因するトラブルも確実に防止され
る。
部空間が成膜室に対して圧力差を有しているため、陽極
の下部空間内で異常放電が発生しにくい圧力になり、陽
極用の冷媒管に対する異常放電自体がなくなり、冷媒管
に対する異常放電に起因するトラブルも確実に防止され
る。
【図１】本発明の実施の形態１による真空成膜装置とし
てのイオンプレーティング装置の要部を示す図である。
てのイオンプレーティング装置の要部を示す図である。
【図２】本発明の実施の形態２による真空成膜装置とし
てのイオンプレーティング装置の要部を示す図である。
てのイオンプレーティング装置の要部を示す図である。
【図３】本発明の実施の形態３による真空成膜装置とし
てのイオンプレーティング装置の要部を示す図である。
てのイオンプレーティング装置の要部を示す図である。
【図４】従来例による真空成膜装置としてのイオンプレ
ーティング装置を示す図である。
ーティング装置を示す図である。
【図５】従来例による真空成膜装置としてのプラズマＣ
ＶＤ装置を示す図である。
ＶＤ装置を示す図である。
【符号の説明】 １０ 真空容器 １０ｃ 成膜室 １０ｄ、１０ｄ′ 下部空間 １１ａ 容器本体 １１ｃ 底板 ２０ プラズマビーム発生器 ３１ ステアリングコイル ４１ ハース ４２ 補助陽極 ５０ 陽極下カバー ７１ａ、７１ｂ、７２ａ、７２ｂ 冷媒管 ７３ 開口部 ７５ ガス管 ８１、８２ 絶縁部材 １００ 基板 ２００ 蒸発材料 ４２１ 永久磁石 ４２２ コイル磁石 ４２３ａ 上ケース ４２３ｂ 下ケース
Claims (3)
- 【請求項１】 成膜室を規定する真空容器と、前記真空
容器に取り付けられたプラズマ源と、前記真空容器内の
底部に配置された陽極とを有し、前記プラズマ源が発生
するプラズマビームを前記陽極に導き、付着材料をイオ
ン化し、被処理物体表面に膜を形成する真空成膜装置に
おいて、前記陽極の下部空間は、前記成膜室に対して圧
力差を有していることを特徴とする真空成膜装置。 - 【請求項２】 前記下部空間は、前記真空容器の底部と
前記陽極との間に筒状の陽極カバーを設けることによっ
て形成された前記成膜室とは別の空間であり、前記成膜
室および前記下部空間には、個別の真空ポンプがそれぞ
れ接続される請求項１に記載の真空成膜装置。 - 【請求項３】 前記下部空間は、大気圧となっている請
求項１に記載の真空成膜装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12564097A JP3156176B2 (ja) | 1997-05-15 | 1997-05-15 | 真空成膜装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12564097A JP3156176B2 (ja) | 1997-05-15 | 1997-05-15 | 真空成膜装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10317129A true JPH10317129A (ja) | 1998-12-02 |
| JP3156176B2 JP3156176B2 (ja) | 2001-04-16 |
Family
ID=14915036
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP12564097A Expired - Fee Related JP3156176B2 (ja) | 1997-05-15 | 1997-05-15 | 真空成膜装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3156176B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008255419A (ja) * | 2007-04-05 | 2008-10-23 | Stanley Electric Co Ltd | 直流プラズマを用いた成膜装置 |
| CN103205718A (zh) * | 2012-01-17 | 2013-07-17 | 住友重机械工业株式会社 | 成膜装置 |
-
1997
- 1997-05-15 JP JP12564097A patent/JP3156176B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008255419A (ja) * | 2007-04-05 | 2008-10-23 | Stanley Electric Co Ltd | 直流プラズマを用いた成膜装置 |
| CN103205718A (zh) * | 2012-01-17 | 2013-07-17 | 住友重机械工业株式会社 | 成膜装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3156176B2 (ja) | 2001-04-16 |
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