JP3245810B2 - プラズマ処理方法 - Google Patents
プラズマ処理方法Info
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- JP3245810B2 JP3245810B2 JP13303796A JP13303796A JP3245810B2 JP 3245810 B2 JP3245810 B2 JP 3245810B2 JP 13303796 A JP13303796 A JP 13303796A JP 13303796 A JP13303796 A JP 13303796A JP 3245810 B2 JP3245810 B2 JP 3245810B2
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Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明はプラズマ処理方法に
関し、特に一つのプラズマ処理室で被処理材に対して複
数の処理を行うことのできるプラズマ処理方法に関す
る。
関し、特に一つのプラズマ処理室で被処理材に対して複
数の処理を行うことのできるプラズマ処理方法に関す
る。
【０００２】
【従来の技術】従来、２つの処理を一つの処理装置で行
なうものとして特開平３−１２０３６２号が知られてい
る。この処理装置は、複数の処理室を連続的に配置し
て、被処理材を処理装置の一方から他方へ搬送し、その
途中の処理室毎にそれぞれの処理を行なうようにしてい
る。
なうものとして特開平３−１２０３６２号が知られてい
る。この処理装置は、複数の処理室を連続的に配置し
て、被処理材を処理装置の一方から他方へ搬送し、その
途中の処理室毎にそれぞれの処理を行なうようにしてい
る。
【０００３】また、別の装置として、特開平３−９７８
６２号が知られている。この装置は、入口槽と出口槽と
の間に中間真空槽を設け、この中間真空槽の両側に成膜
処理槽を設け、中間真空槽より被処理材をそれぞれの成
膜処理槽に搬出入するようにしている。
６２号が知られている。この装置は、入口槽と出口槽と
の間に中間真空槽を設け、この中間真空槽の両側に成膜
処理槽を設け、中間真空槽より被処理材をそれぞれの成
膜処理槽に搬出入するようにしている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、前者の
装置では、処理装置全体が長くなり、後者の装置では処
理装置の幅が広くなるという問題点がある。また、それ
ぞれの装置では、個々の処理を行なうために個々の処理
槽を必要とし、それぞれに真空ポンプ、電源、配管等が
必要になりコスト高になる。
装置では、処理装置全体が長くなり、後者の装置では処
理装置の幅が広くなるという問題点がある。また、それ
ぞれの装置では、個々の処理を行なうために個々の処理
槽を必要とし、それぞれに真空ポンプ、電源、配管等が
必要になりコスト高になる。
【０００５】そこで、本発明の課題は、１つのプラズマ
処理室を有する処理装置で、２つの処理、例えば被処理
材の表面改質と被処理材の表面に薄膜を形成できるプラ
ズマ処理方法を提供することにある。
処理室を有する処理装置で、２つの処理、例えば被処理
材の表面改質と被処理材の表面に薄膜を形成できるプラ
ズマ処理方法を提供することにある。
【０００６】本発明の他の課題は、被処理材を連続的に
処理することができるプラズマ処理方法を提供すること
にある。
処理することができるプラズマ処理方法を提供すること
にある。
【０００７】本発明の更に他の課題は、処理装置をコン
パクトにできるプラズマ処理方法を提供することにあ
る。
パクトにできるプラズマ処理方法を提供することにあ
る。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明によれば、被処理
材を往復移動させる搬送部を備えた搬送室に隣接してプ
ラズマ処理室を設けて、前記搬送部により移動する前記
被処理材をプラズマ処理可能とし、一方向への移動の際
には前記被処理材の改質処理を行い、他方向への移動の
際には前記被処理材の成膜処理を行うことを特徴とする
プラズマ処理方法が得られる。
材を往復移動させる搬送部を備えた搬送室に隣接してプ
ラズマ処理室を設けて、前記搬送部により移動する前記
被処理材をプラズマ処理可能とし、一方向への移動の際
には前記被処理材の改質処理を行い、他方向への移動の
際には前記被処理材の成膜処理を行うことを特徴とする
プラズマ処理方法が得られる。
【０００９】
【発明の実施の形態】図１は本発明によるプラズマ処理
方法を実現する装置の全体正面図、図２は図１の平面図
である。この例では、プラズマ処理装置１は、架台１０
と、架台１０に載置された被処理材２０（図３参照）の
搬送室４０と、搬送室４０の一端に設けられたゲート弁
３０と、被処理材２０の成膜室６０、すなわちプラズマ
処理室を有している。なお、図示していないが、それぞ
れの室を真空にするための真空ポンプがそれぞれに接続
配置されている。また、ゲート弁３０には被処理材２０
を搬出入するための出入口室が接続されているか、ある
いはハンドリング室を介して出入口室が接続されてい
る。
方法を実現する装置の全体正面図、図２は図１の平面図
である。この例では、プラズマ処理装置１は、架台１０
と、架台１０に載置された被処理材２０（図３参照）の
搬送室４０と、搬送室４０の一端に設けられたゲート弁
３０と、被処理材２０の成膜室６０、すなわちプラズマ
処理室を有している。なお、図示していないが、それぞ
れの室を真空にするための真空ポンプがそれぞれに接続
配置されている。また、ゲート弁３０には被処理材２０
を搬出入するための出入口室が接続されているか、ある
いはハンドリング室を介して出入口室が接続されてい
る。
【００１０】図３は搬送室４０と成膜室６０の拡大正面
断面図、図４は図３のＡ矢視断面図である。搬送室４０
は、搬送室本体４１と、該搬送室本体４１のゲート弁３
０側に設けられた開口部４２と、搬送室本体４１の長手
方向に略全長にわたって設けられた走行レール４３と、
該走行レール４３上を走行する搬送台車４４と、該搬送
台車４４を移動させるチェーン（又はベルト）４５と、
チェーン４５と搬送台車４４を連結するブラケット４６
と、チェーン４５に係合するスプロケット４７と、スプ
ロケット４７を駆動するモータ４８と、スプロケット軸
４９と、搬送台車４４に設けられて載置された被処理材
２０を係止するための複数の爪５０とから成る。なお、
搬送台車４４の被処理材２０の載置面に対応する領域に
は、開口部５１が形成されている。これは、搬送台車４
４上の被処理材２０、特に下面側を成膜室６０内に露出
させるためのものである。
断面図、図４は図３のＡ矢視断面図である。搬送室４０
は、搬送室本体４１と、該搬送室本体４１のゲート弁３
０側に設けられた開口部４２と、搬送室本体４１の長手
方向に略全長にわたって設けられた走行レール４３と、
該走行レール４３上を走行する搬送台車４４と、該搬送
台車４４を移動させるチェーン（又はベルト）４５と、
チェーン４５と搬送台車４４を連結するブラケット４６
と、チェーン４５に係合するスプロケット４７と、スプ
ロケット４７を駆動するモータ４８と、スプロケット軸
４９と、搬送台車４４に設けられて載置された被処理材
２０を係止するための複数の爪５０とから成る。なお、
搬送台車４４の被処理材２０の載置面に対応する領域に
は、開口部５１が形成されている。これは、搬送台車４
４上の被処理材２０、特に下面側を成膜室６０内に露出
させるためのものである。
【００１１】成膜室６０は、真空容器６１とその上面に
形成された開口部６２と、真空容器６１の側壁に設けら
れたプラズマガン６３と、真空容器６１の下面に支持台
６４を介して設けられた主ハース６５とから成る。
形成された開口部６２と、真空容器６１の側壁に設けら
れたプラズマガン６３と、真空容器６１の下面に支持台
６４を介して設けられた主ハース６５とから成る。
【００１２】図示の成膜室６０はイオンプレーティング
装置の例であり、その詳細は、図５を参照して説明す
る。真空容器６１の側壁に設けられた筒状部１１２には
圧力勾配型のプラズマガン６３が装着されている。プラ
ズマガン６３は、陰極１１４により一端が閉塞されたガ
ラス管１１５を備えている。このガラス管１１５内で
は、ＬａＢ6 による円盤１１６、タンタルＴａによるパ
イプ１１７を内蔵したモリブデンＭｏによる円筒１１８
が陰極１１４に固定されている。パイプ１１７は、アル
ゴンＡｒ、ヘリウムＨｅ等の不活性ガスからなるキャリ
アガス１１８をプラズマガン６３内に導入するためのも
のである。
装置の例であり、その詳細は、図５を参照して説明す
る。真空容器６１の側壁に設けられた筒状部１１２には
圧力勾配型のプラズマガン６３が装着されている。プラ
ズマガン６３は、陰極１１４により一端が閉塞されたガ
ラス管１１５を備えている。このガラス管１１５内で
は、ＬａＢ6 による円盤１１６、タンタルＴａによるパ
イプ１１７を内蔵したモリブデンＭｏによる円筒１１８
が陰極１１４に固定されている。パイプ１１７は、アル
ゴンＡｒ、ヘリウムＨｅ等の不活性ガスからなるキャリ
アガス１１８をプラズマガン６３内に導入するためのも
のである。
【００１３】ガラス管１１５の陰極１１４と反対側の端
部と筒状部１１２との間には、第１、第２の中間電極１
１９、１２０が同心的に配置されている。第１の中間電
極（第１のグリッド）１１９内にはプラズマビームを収
束するための環状永久磁石１２１が内蔵されている。第
２の中間電極１２０（第２のグリッド）内にもプラズマ
ビームを収束するための電磁石コイル１２２が内蔵され
ている。この電磁石コイル１２２は電源１２３から給電
される。
部と筒状部１１２との間には、第１、第２の中間電極１
１９、１２０が同心的に配置されている。第１の中間電
極（第１のグリッド）１１９内にはプラズマビームを収
束するための環状永久磁石１２１が内蔵されている。第
２の中間電極１２０（第２のグリッド）内にもプラズマ
ビームを収束するための電磁石コイル１２２が内蔵され
ている。この電磁石コイル１２２は電源１２３から給電
される。
【００１４】プラズマガン６３が装着された筒状部１１
２の周囲には、プラズマビームを真空容器６１内に導く
ステアリングコイル１２４が設けられている。このステ
アリングコイル１２４はステアリングコイル用の電源１
２５により励磁される。陰極１１４と第１、第２の中間
電極１１９、１２０との間にはそれぞれ、垂下抵抗器１
２６、１２７を介して、可変電圧型の主電源１２８が接
続されている。
２の周囲には、プラズマビームを真空容器６１内に導く
ステアリングコイル１２４が設けられている。このステ
アリングコイル１２４はステアリングコイル用の電源１
２５により励磁される。陰極１１４と第１、第２の中間
電極１１９、１２０との間にはそれぞれ、垂下抵抗器１
２６、１２７を介して、可変電圧型の主電源１２８が接
続されている。
【００１５】真空容器６１の内側の底部には、主ハース
６５とその周囲に配置された環状の補助ハース１３１が
設置されている。主ハース６５は、プラズマガン６３か
らのプラズマビームが入射する凹部を有し，ＩＴＯ（イ
ンジウムースズ酸化物）タブレットのような蒸発物質を
収納している。
６５とその周囲に配置された環状の補助ハース１３１が
設置されている。主ハース６５は、プラズマガン６３か
らのプラズマビームが入射する凹部を有し，ＩＴＯ（イ
ンジウムースズ酸化物）タブレットのような蒸発物質を
収納している。
【００１６】主ハース６５及び補助ハース１３１はいず
れも熱伝導率の良い導電性材料、例えば、銅が使用され
る。主ハース６５に対して補助ハース１３１は、絶縁物
を介して取り付けられている。また、主ハース６５と補
助ハース１３１は、抵抗１４８を介して接続されてい
る。主ハース６５は、主電源１２８の正側に接続されて
いる。従って、主ハース６５は、プラズマガン６３に対
してそのプラズマビームが吸引される陽極を構成してい
る。
れも熱伝導率の良い導電性材料、例えば、銅が使用され
る。主ハース６５に対して補助ハース１３１は、絶縁物
を介して取り付けられている。また、主ハース６５と補
助ハース１３１は、抵抗１４８を介して接続されてい
る。主ハース６５は、主電源１２８の正側に接続されて
いる。従って、主ハース６５は、プラズマガン６３に対
してそのプラズマビームが吸引される陽極を構成してい
る。
【００１７】補助ハース１３１内には環状永久磁石１３
５と電磁石コイル１３６とが収容され、ハースコイル電
源１３８から給電される。この場合、励磁された電磁石
コイル１３６における中心側の磁界の向きは、環状永久
磁石１３５により発生する中心側の磁界と同じ向きにな
るように構成される。ハースコイル電源１３８は可変電
源であり、電圧を変化させることにより、電磁石コイル
１３６に供給する電流を変化できる。
５と電磁石コイル１３６とが収容され、ハースコイル電
源１３８から給電される。この場合、励磁された電磁石
コイル１３６における中心側の磁界の向きは、環状永久
磁石１３５により発生する中心側の磁界と同じ向きにな
るように構成される。ハースコイル電源１３８は可変電
源であり、電圧を変化させることにより、電磁石コイル
１３６に供給する電流を変化できる。
【００１８】搬送台車４４は、真空容器６１に対しては
電気的に絶縁支持されている。真空容器６１と搬送台車
４４との間にはバイアス電源１４５が接続されている。
このことにより、搬送台車４４はゼロ電位に接続された
真空容器６１に対して負電位にバイアスされている。
電気的に絶縁支持されている。真空容器６１と搬送台車
４４との間にはバイアス電源１４５が接続されている。
このことにより、搬送台車４４はゼロ電位に接続された
真空容器６１に対して負電位にバイアスされている。
【００１９】補助ハース１３１はハース切り替えスイッ
チ１４６を介して主電源１２８の正側に接続されてい
る。主電源１２８には、これと並列に垂下抵抗器１２９
と補助放電電源１４７とがスイッチＳ１を介して接続さ
れている。
チ１４６を介して主電源１２８の正側に接続されてい
る。主電源１２８には、これと並列に垂下抵抗器１２９
と補助放電電源１４７とがスイッチＳ１を介して接続さ
れている。
【００２０】このイオンプレーティング装置は、成膜の
場合には、プラズマガン６３の陰極と真空容器６１内の
主ハース６５との間で放電を生じさせ、これによりプラ
ズマビーム（図示せず）を生成する。このプラズマビー
ムはステアリングコイル１２４と補助ハース１３１内の
環状永久磁石１３５により決定される磁界に案内されて
主ハース６５に到達する。主ハース６５に収納された蒸
発物質はプラズマビームにより加熱されて蒸発する。こ
の蒸発粒子はプラズマビームによりイオン化され、負電
圧が印加された被処理材２０の表面に付着し、被膜が形
成される。
場合には、プラズマガン６３の陰極と真空容器６１内の
主ハース６５との間で放電を生じさせ、これによりプラ
ズマビーム（図示せず）を生成する。このプラズマビー
ムはステアリングコイル１２４と補助ハース１３１内の
環状永久磁石１３５により決定される磁界に案内されて
主ハース６５に到達する。主ハース６５に収納された蒸
発物質はプラズマビームにより加熱されて蒸発する。こ
の蒸発粒子はプラズマビームによりイオン化され、負電
圧が印加された被処理材２０の表面に付着し、被膜が形
成される。
【００２１】搬送台車４４には、カラーフィルタ等に樹
脂系皮膜が塗布された硝子板等の被処理材２０を載置し
ておき、真空容器６１を排気する。処理圧力まで真空容
器６１が排気された後、電磁石コイル１２２、１３６、
ステアリングコイル１２４にある設定された電流を通電
し、スイッチ１４６を通電状態にし、キャリアガス１１
８を真空容器６１内に流入させ、プラズマガン６３によ
り主ハース６５との間で放電を行う。この時、主ハース
６５にはＩＴＯ等の蒸発物質がセットされているが、環
状永久磁石１３５により作り出される磁極点が補助ハー
ス１３１に近いため、放電電流が２０〜１５０（Ａ）位
の間は蒸発しない。このため、真空容器６１内部は蒸発
物質の蒸気の無い、キャリアガス１１８プラズマが存在
するだけである。
脂系皮膜が塗布された硝子板等の被処理材２０を載置し
ておき、真空容器６１を排気する。処理圧力まで真空容
器６１が排気された後、電磁石コイル１２２、１３６、
ステアリングコイル１２４にある設定された電流を通電
し、スイッチ１４６を通電状態にし、キャリアガス１１
８を真空容器６１内に流入させ、プラズマガン６３によ
り主ハース６５との間で放電を行う。この時、主ハース
６５にはＩＴＯ等の蒸発物質がセットされているが、環
状永久磁石１３５により作り出される磁極点が補助ハー
ス１３１に近いため、放電電流が２０〜１５０（Ａ）位
の間は蒸発しない。このため、真空容器６１内部は蒸発
物質の蒸気の無い、キャリアガス１１８プラズマが存在
するだけである。
【００２２】ここで、被処理材２０の表面は搬送台車４
４に搬送されつつ真空容器６１内に存在するプラズマに
より、表面洗浄、ボンバーリング、架橋生成、共有結合
等の分子結合の変化により改質される。この効果は、真
空容器６１内部のガス圧を変化させたり、放電電流値を
変化させたり、キャリアガス１１８の種類を変化させた
り、暴露時間等を変化させることにより上述の効果の種
類、程度の進行度合が変化するので、これ等の調整が可
能である。
４に搬送されつつ真空容器６１内に存在するプラズマに
より、表面洗浄、ボンバーリング、架橋生成、共有結合
等の分子結合の変化により改質される。この効果は、真
空容器６１内部のガス圧を変化させたり、放電電流値を
変化させたり、キャリアガス１１８の種類を変化させた
り、暴露時間等を変化させることにより上述の効果の種
類、程度の進行度合が変化するので、これ等の調整が可
能である。
【００２３】この改質処理の後にスイッチ１４６の導通
をオフにすると、補助ハース１３１は抵抗１４８により
持上げられた中間電極となり、放電電流は、主ハース６
５に流入し、主ハース６５上にセットされた蒸発物質は
蒸気化し、真空容器６１内に存在するプラズマにより、
励起、イオン化、加熱等をされ、被処理材２０上に成膜
される。
をオフにすると、補助ハース１３１は抵抗１４８により
持上げられた中間電極となり、放電電流は、主ハース６
５に流入し、主ハース６５上にセットされた蒸発物質は
蒸気化し、真空容器６１内に存在するプラズマにより、
励起、イオン化、加熱等をされ、被処理材２０上に成膜
される。
【００２４】上述のような、表面改質を行うことによ
り、被処理材２０上に生成される皮膜の密着性が飛躍的
に向上する。従来の装置では、放電電流が大きくなると
スイッチ１４６機構及び補助ハース１３１が存在しない
ため、蒸発物質が蒸気化してしまい、条件を大きくする
ことが出来ない。
り、被処理材２０上に生成される皮膜の密着性が飛躍的
に向上する。従来の装置では、放電電流が大きくなると
スイッチ１４６機構及び補助ハース１３１が存在しない
ため、蒸発物質が蒸気化してしまい、条件を大きくする
ことが出来ない。
【００２５】しかし、前記したイオンプレーティング装
置により、上述の様な改質及び成膜を１つの装置により
実現することが可能となると同時に、条件を大きく変化
させることが出来る。
置により、上述の様な改質及び成膜を１つの装置により
実現することが可能となると同時に、条件を大きく変化
させることが出来る。
【００２６】本発明方法の具体的な動作について説明す
る。この説明では、搬送室４０にハンドリング室を介し
て出入口室が設けられているような装置構成で説明す
る。予めハンドリング室、搬送室４０、成膜室６０を真
空引きしておく。被処理材２０を出入口室に搬入後、出
入口室を真空引きし、出入口室のゲート弁を開にしてハ
ンドリング室のロボットで、被処理材２０をハンドリン
グする。被処理材２０をハンドリング室に搬入後、ゲー
ト弁３０を開にして、被処理材２０をロボットで搬送台
車４４の爪５０にあずける。その後、搬送台車４４が走
行して、他端側に移動する。その際、プラズマガン６３
により被処理材２０の表面を改質処理する。搬送台車４
４が他端側からゲート弁３０側に移動する際は、被処理
材２０に成膜処理（イオンプレーティング）を行なう。
その後、被処理材２０は、搬送台車４４からロボットに
より出入口室に搬送される。
る。この説明では、搬送室４０にハンドリング室を介し
て出入口室が設けられているような装置構成で説明す
る。予めハンドリング室、搬送室４０、成膜室６０を真
空引きしておく。被処理材２０を出入口室に搬入後、出
入口室を真空引きし、出入口室のゲート弁を開にしてハ
ンドリング室のロボットで、被処理材２０をハンドリン
グする。被処理材２０をハンドリング室に搬入後、ゲー
ト弁３０を開にして、被処理材２０をロボットで搬送台
車４４の爪５０にあずける。その後、搬送台車４４が走
行して、他端側に移動する。その際、プラズマガン６３
により被処理材２０の表面を改質処理する。搬送台車４
４が他端側からゲート弁３０側に移動する際は、被処理
材２０に成膜処理（イオンプレーティング）を行なう。
その後、被処理材２０は、搬送台車４４からロボットに
より出入口室に搬送される。
【００２７】このように、本発明による処理方法では、
一つの成膜装置で被処理材の改質と成膜を行なうので、
装置がコンパクトになると共に、コストの削減になる。
一つの成膜装置で被処理材の改質と成膜を行なうので、
装置がコンパクトになると共に、コストの削減になる。
【００２８】なお、本発明では、成膜装置として、イオ
ンプレーティング以外に、スパッタリング、ＣＶＤも行
なうことができる。更に、被処理材として、ガラス、樹
脂（プラスチック）板があげられる。
ンプレーティング以外に、スパッタリング、ＣＶＤも行
なうことができる。更に、被処理材として、ガラス、樹
脂（プラスチック）板があげられる。
【００２９】
【発明の効果】以上説明してきたように、本発明のプラ
ズマ処理方法によれば、一つの成膜装置で被処理材の改
質と成膜を行なうので、装置をコンパクトにできると共
に、コストの削減を図ることができる。
ズマ処理方法によれば、一つの成膜装置で被処理材の改
質と成膜を行なうので、装置をコンパクトにできると共
に、コストの削減を図ることができる。
【図１】本発明によるプラズマ処理方法を実現する装置
の全体正面図である。
の全体正面図である。
【図２】図１の装置の平面図である。
【図３】図１に示された成膜室及びその周辺の断面図で
ある。
ある。
【図４】図３のＡ矢視断面図である。
【図５】本発明に使用される成膜室としてのイオンプレ
ーティング装置の縦断面図である。
ーティング装置の縦断面図である。
１ プラズマ処理装置 １０ 架台 ２０ 被処理材 ３０ ゲート弁 ４０ 搬送室 ６０ 成膜室
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) C23C 14/00 - 14/58 C23C 16/50 - 16/56 H01L 21/203 - 21/205 H05H 1/46
Claims (1)
- 【請求項１】 被処理材を往復移動させる搬送部を備え
た搬送室に隣接してプラズマ処理室を設けて、前記搬送
部により移動する前記被処理材をプラズマ処理可能と
し、一方向への移動の際には前記被処理材の改質処理を
行い、他方向への移動の際には前記被処理材の成膜処理
を行うことを特徴とするプラズマ処理方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13303796A JP3245810B2 (ja) | 1996-05-28 | 1996-05-28 | プラズマ処理方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13303796A JP3245810B2 (ja) | 1996-05-28 | 1996-05-28 | プラズマ処理方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09320797A JPH09320797A (ja) | 1997-12-12 |
| JP3245810B2 true JP3245810B2 (ja) | 2002-01-15 |
Family
ID=15095343
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP13303796A Expired - Fee Related JP3245810B2 (ja) | 1996-05-28 | 1996-05-28 | プラズマ処理方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3245810B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP2253732A2 (en) * | 2004-09-03 | 2010-11-24 | Cardinal CG Company | Coater having interrupted conveyor system |
-
1996
- 1996-05-28 JP JP13303796A patent/JP3245810B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH09320797A (ja) | 1997-12-12 |
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