KR19980086806A - 다양한 특성을 갖는 다양한 재료를 안전하게 증착시킬 수 있는 플라즈마 박막 증착장치 - Google Patents

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Abstract

진공실내에 발생된 플라즈마 비임에 의해 재료를 증발시킴으로써 박막을 대상물체상에 증착시키는 플라즈마 박막 증착장치에 있어서, 허어스가 상기 진공실내에 놓인다. 라이너는 상기 허어스와 라이너 사이에 낮은 열 전도율을 유지하도록 허어스와 부분적으로 접촉한다. 상기 라이너는 재료를 수용한다.

Description

다양한 특성을 갖는 다양한 재료를 안전하게 증착시킬 수 있는 플라즈마 박막 증착장치
본 발명은 양극으로서의 역할을 하는 허어스(hearth)상에 제공된 재료를 진공실내에 발생된 플라즈마 비임에 의해 증발시킴으로써 박막을 대상물체에 증착시키기 위한 플라즈마 박막 증착장치에 관한 것이다.
통상적인 플라즈마 박막 증착장치는 이온 도금장치 및 플라즈마 CVD(화학 증착)장치로서 공지되어 있다. 이온 도금장치로서, 아아크 방전형태의 플라즈마 공급원으로서의 역할을 하는 압력 가변식 플라즈마 공급원 또는 HCD 플라즈마 공급원을 사용하는 형태가 공지되어 있다.
그러한 이온 도금장치는 진공실, 플라즈마 비임 발생기(플라즈마 공급원), 허어스, 및 조향 코일을 포함한다. 상기 진공실은 플라즈마 비임 발생기와 상기 진공실내에 배열되고 양극으로서의 역할을 하는 허어스를 갖추고 있다. 상기 조향코일은 진공실 내측에 놓여 플라즈마 공급원에 의해 발생된 플라즈마 비임을 양극 내측으로 안내한다.
전술한 형태의 이온 도금장치에 있어서, 플라즈마 비임은 플라즈마 비임 발생기와 허어스 사이에서 발생된다. 플라즈마 비임은 허어스상에 제공된 재료상으로 안내되어 주울 열에 의해 상기 재료를 가열함으로써 재료를 증발시킨다. 상기 재료의 증발된 입자들은 플라즈마 비임에 의해 이온화된다. 이온화된 입자는 음전압, 부동 전압, 또는 자기-바이어스 전압을 띠고 있는 기판의 표면상에 증착된다. 그 결과로서, 박막이 기판상에 증착되거나 형성된다.
여기서, 재료는 다음과 같이 증발된다. 상기 허어스로 안내된 플라즈마 비임은 허어스 및/또는 상기 허어스 내부의 재료에 방전된다. 상기 재료를 통해 전류가 흐르면, 상기 허어스 내부의 재료는 순간적으로 가열된다. 이는 종종 방전-점화(discharge-ignition)로서 지칭된다. 상기 가열된 재료는 증발되기 시작한다. 그후에, 상기 재료는 주울-열에 의해서 계속해서 가열되어 증발된다.
그러한 플라즈마 박막 증착장치에 있어서, 상기 허어스는 플라즈마 발생되는 동안에 온도가 매우 높게 된다. 허어스의 온도가 매우 높을 때, 상기 플라즈마 비임은 불안정해지고 허어스가 용융된다. 그러므로, 물 등의 냉각제에 의해 허어스를 냉각시키는 것이 바람직하다. 특히, 상기 허어스는 내부로 냉각제가 흐르도록 설계하는 것이 바람직하다. 허어스를 냉각시키는 냉각제를 순환시키기 위해, 상기 장치에는 냉각제를 펌핑하기 위한 펌프 및 상기 허어스의 내측과 펌프를 서로 연결하는 파이프라인을 포함하는 냉매회로가 제공되어 있다.
상기 플라즈마 박막 증착장치를 사용하는 경우에 상기 재료로서 SiO, SiO2, ZnO, Al2O3와 같은 전기 절연기가 사용되면 플라즈마 비임으로부터 상기 재료를 통해 전류가 흐르는 것이 어려워진다. 방전-점화가 발생하더라도, 재료는 주울-열에 의해서 가열되지 않는다. 그로므로, 박막을 안정적으로 증착하는 것이 어렵다.
또한, 재료가 냉각제에 의해 냉각된 허어스내에 수용되므로, 상기 허어스와 접촉하는 재료의 일부분은 급속히 냉각된다. 특히, 상기 재료가 높은 열 전도성을 갖는 알루미늄(Al)과 같은 물질인 경우, 대부분의 재료가 고온으로 가열되고 용융되더라도 상기 재료는 부분적으로 냉각된다. 이런 경우에, 스플래쉬(splash), 이상 방전, 불안정한 용융, 또는 노듈(nodule) 잔류 등이 허어스에 발생하는 단점이 있다. 그러므로, 박막을 안정적으로 증착하는 것이 어렵다.
그러므로, 본 발명의 목적은 상기 출발재료(starting material)로서, 전기 절연성, 고융점, 및 열 전도성 등과 같은 다양한 특성을 갖는 다수의 물질을 안정적으로 증착할 수 있는 플라즈마 박막 증착장치를 제공하는 것이다.
본 발명의 다른 목적들은 다음 설명으로부터 명료해질 것이다.
도 1은 종래 이온 도금장치의 수직 횡단면도.
도 2는 본 발명의 제 1 실시예에 따른 이온 도금장치의 주요부를 도시하는 수직 횡단면도.
도 3은 본 발명의 제 1 실시예에 따른 이온 도금장치의 허어스에 대한 다른 실시예를 도시하는 수직 횡단면도.
도 4는 본 발명의 제 2 실시예에 따른 이온 도금장치의 주요부를 도시하는 수직 횡단면도.
* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명
36 : 재료 공급기구 41 : 허어스
41c: 리브 42 : 보조 양극
43 : 라이너 81,82 : 절연판
200 : 재료 421 : 자석
422 : 코일
본 발명을 적용한 플라즈마 박막 증착장치는 진공실내에 발생된 플라즈마 비임에 의해 재료를 증발시킴으로써 박막을 대상물체상에 증착하기 위한 것이다.
본 발명에 따른 플라즈마 박막 증착장치는 진공실내에 놓이는 허어스 및 상기 허어스와 재료를 수용하기 위한 라이너 사이에 낮은 열 전도율을 유지하도록 부분적으로 접촉되는 라이너를 포함한다.
양호한 실시예의 설명
도 1을 참조하면, 종래의 이온 도금장치가 본 발명의 이해를 용이하게 할 목적으로 도시되어 있다. 상기 이온 도금장치는 기밀(air-tight) 진공실(10)을 포함한다. 상기 진공실(10)은 안내유닛(12)을 통한 플라즈마 발생시키는 플랒즈마 발생기(20)를 갖추고 있다. 상기 플라즈마 발생기(20)는 예를들어, 압력 가변식 플라즈마 건일 수 있다. 조향 코일(31)은 플라즈마 비임(300)을 안내하도록 안내유닛(12)의 외측에 놓인다. 상기 플라즈마 발생기(20)는 제 1 중간 전극(27)과 제 2 중간 전극(28)을 가진다. 상기 제 1 및 제 2 중간 전극(27,28)은 플라즈마 비임을 수렴하는데 사용되며 상기 플라즈마 비임 발생기(20)내에 동심으로 배열된다. 상기 제 1 중간 전극(27)은 영구자석(27)을 수용하는데, 상기 영구자석의 자력선의 축선은 플라즈마 비임 발생기(20)의 중심선에 평행하게 배열된다. 상기 제 2 중간전극(28)은 코일(28a)을 수용하는데, 사이 코일의 중심축선은 플라즈마 비임 발생기(20)의 중심선과 일치하게 배열된다.
상기 플라즈마 발생기(20)는 상기 제 1 및 제 2 중간전극(27,28)에 의해 한정된 통로와 연통되어 있는 절연기 튜브(26)를 포함한다. 상기 절연기 튜브(21)는 예를들어, 유리 튜브일 수 있다. 상기 절연기 튜브(21)내에는 중공형 실린더(22)가 놓인다. 상기 실린더(22)는 몰리브덴(Mo)으로 제조되고 탄탈(Ta)으로 제조된 파이프(23)를 수용한다. LaB6으로 제조된 원형판(24)은 실린더(22)와 파이프(23)에 의해 한정된 공간을 분할한다. 상기 전열기 튜브(21)의 한 단부와 상기 실린더(22) 및 상기 파이프(23)는 도전체(25)에 부착된다. 상기 도전체(25)는 내부에 형성된 캐리어 가스 입구(26)를 구비하여 불활성 가스와 같은 캐리어 가스를 수용한다. 상기 불활성 가스는 예를들어, 아르곤 가스일 수 있다. 상기 캐리어 가스는 파이프(23)를 통해서 상기 진공실(10)내측으로 통행한다.
처리될 기판(100)은 진공실(10)내에 놓인다. 상기 기판(100)은 이송장치(61)에 의해 지지된다. 상기 기판(100)은 역 바이어스용 직류전력 공급원에 연결된다. 전기적으로 양극으로서의 역할을 하는 허어스(양극)(41)가 상기 진공실(10)의 하부에 놓이고 기판(100)과 반대편에 위치한다. 상기 허어스(41)의 외측 원주변에 일정한 공간을 남겨 놓도록 보조양극(42)이 위치된다. 상기 보조 양극(42)은 영구자석을 수용한다.
상기 도전체(25)는 가변 전력원(90)의 음극쪽에 연결된다. 상기 가변 전력원(90)의 양극쪽은 저항기(R1,R2)를 통해 각각, 제 1 및 제 2 중간전극(27,28)에 연결된다. 상기 허어스(41)는 가변 전력원(90)과 저항기(R1,R2)에 연결된다.
가스 입구(10a)와 가스 출구(10b)는 상기 진공실(10)의 측벽에 형성된다. 상기 가스 입구(10a)는 불활성 가스와 같은 캐리어 가스를 유입하기 위한 것이다. 상기 불활성 가스는 예를들어, 아르곤(Ar) 가스 또는 헬륨(He) 가스일 수 있다. 상기 가스 출구(10b)는 상기 가스를 진공실(10)로부터 배출하기 위한 것이다. 상기 가스 입구(10a)는 도시않은 가스 공급원에 연결되나, 상기 가스 출구(10b)는 도시않은 가스 배기펌프에 연결된다.
전술한 이온 도금장치에 있어서, 방전은 상기 캐리어 가스가 캐리어 가스 입구(26)를 통해 유입될 때 상기 제 1 중간 전극(27)과 실린더(22) 사이에서 시작된다. 그 결과로, 상기 플라즈마 비임(300)이 발생된다. 상기 플라즈마 비임(300)은 보조 양극(42)내의 영구자석과 조향 코일(31)에 의해 안내되고 양극과 보조 양극(42)으로서의 역할을 하는 허어스(41)에 도달한다.
상기 플라즈마 비임(300)이 상기 허어스(41)에 도달하면, 상기 허어스(41)에 있는 재료(200)가 주울-열에 의해 증발되도록 가열된다. 상기 재료(200)의 증발입자들은 플라즈마 비임(300)에 의해 이온화된다. 이온화된 입자들은 음전압, 부동전류, 또는 자기-바이어스 전압이 가해진 기판(100)의 표면상에 증착된다.
도 1에 도시된 장치를 포함한 플라즈마 박막 증착장치에 있어서, 상기 허어스는 플라즈마 비임이 발생되는 동안에 고온으로 가열된다. 이러한 경우에, 상기 플라즈마는 불안정하게 되고 상기 허어스는 용융될 것이다. 그러므로, 상기 허어스를 물과같은 냉각제로 냉각시키는 것이 바람직하다. 특히, 상기 허어스는 허어스 내부로 냉각제가 흐르도록 설계된다. 상기 냉각제를 허어스 내부에서 순환시키기 위해, 상기 장치에는 냉매 회로가 제공된다. 상기 냉매 회로는 냉각제를 펌핑하기 위한 펌프와 상기 냉각제를 순환시키기 위한 파이프라인을 포함한다.
제 1 실시예
도 2를 참조하면, 본 발명의 제 1 실시예에 따른 플라즈마 박막 증착장치로서의 이온 도금장치가 도시되어 있는데, 상기 장치는 도 1에 도시된 장치와 유사한 부품들을 포함한다. 즉, 상기 이온 도금장치는 진공실, 플라즈마 비임 발생기(플라즈마 공급원), 허어스, 보조 양극(42), 및 조향 코일을 포함한다. 도 1과 연관시켜 설명하면, 상기 플라즈마 비임 발생기는 진공실에 부착된다. 상기 허어스는 진공실내에 놓인다. 상기 보조 양극(42)은 상기 허어스(41)의 외측 원주변에 일정한 공간을 남겨두도록 위치된다. 상기 보조 양극(42)은 영구자석을 수용한다. 상기 조향 코일은 플라즈마 공급원에 의해 발생된 플라즈마 비임을 양극 내측으로 안내하도록 진공실 외측에 놓인다.
상기 이온 도금장치에 있어서, 플라즈마 비임은 플라즈마 발생기와 허어스(41) 사이에 발생된다. 상기 플라즈마 비임은 주울-열에 의해 재료(200)를 가열하고 상기 재료(200)를 증발시키도록 상기 재료(200)상으로 안내된다. 재료(200)의 증발입자는 플라즈마 비임에 의해 이온화된다. 이온화된 입자는 음전압, 부동 전압, 또는 자기-바이어스 전압이 제공된 기판 표면상에 증착된다. 그 결과, 박막이 상기 기판상에 증착되거나 형성된다.
상기 허어스(41)와 보조 양극(42)은 진공실의 바닥부분에 부착된 지지판(50)에 의해 지지된다. 상기 허어스(41)는 절연판(82)에 의해 상기 지지판(50)과 전기적으로 절연된다. 상기 보조 양극(42)은 절연판(81)에 의해 지지판(50)과 전기적으로 절연된다. 오목부(41a)는 재료(200)를 수용하도록 허어스(41)의 상면에 형성된다. 냉각 공간으로서의 역할을 하는 중공 공간(41b)은 플랜지가 제공되어 있는 하부에 형성된다. 상기 중공 공간(41b)은 냉각제로서의 냉각수를 순환시키기 위해 파이프(71a,71b)에 연결된다.
상기 보조 양극(42)은 중공형 환형 자석 케이스를 가진다. 상기 환형 자석 케이스는 허어스(41)와 동심으로 배열되고 상기 허어스(41)의 상부를 에워싼다. 환형 영구자석(421)과 코일(422)은 상기 환형 자석케이스내에 위치된다. 상기 환형 자석(421)의 자극 축선은 수직방향으로 평행하다. 상기 코일(422)은 상기 환형 영구자석(421)과 협동하여 플라즈마 비임을 허어스(41)내측으로 안내하기 위한 것이다. 상기 환형 자석케이스는 환형 상부케이스(423a)와 환형 하부케이스(423b)를 가진다. 이러한 경우에, 수냉공간은 환형 자석케이스내에 형성된다. 상기 상부케이스(423a)는 입구 및 출구를 가진다. 상기 입출구는 상기 냉각수의 순환을 위해 파이프(71a,71c)에 각각 연결된다.
상기 이온 도금장치는 재료(200)를 수용하기 위한 라이너(43;liner)를 더 포함한다. 상기 라이너(43)는 도전성과 내열성을 가지며 상단부가 개방된 원통형상을 가진다. 상기 라이너(43)는 탄소(C), 질화붕소(BN), 몰리브덴(Mo), 텅스텐(W), 및 탄탈(Ta), 및 탄화 규소(SiC)중 하나 이상을 함유하는 재료로 제조된다.
상기 라이너(43)는 상기 허어스(41)와 라이너(43) 사이에 낮은 열전도성을 유지하고 전도성을 유지하도록 허어스(41)와 부분적으로 접촉한다. 즉, 상기 라이너(43)는 허어스와 라이너 사이의 접촉면적을 가능한 최소화할 수 있도록 허어스(41)에 부착된다. 특히, 상기 라이너(43)는 단지 허어스(41)의 내측 바닥면과 접촉하며 상기 허어스(41)의 내측면에 대해 공간을 가진다.
상기 이온 도금장치에 있어서, 상기 재료(200)는 다음과 같이 증발된다. 상기 허어스(41)로 안내된 플라즈마 비임은 라이너 및/또는 허어스(41)에 방출된다. 상기 방출이 라이너(43)에 대해 발생하면, 상기 재료(200)는 순간적으로 신속하게 가열된다. 순간적으로 가열된 재료(200)는 증발되기 시작한다. 그후에, 상기 재료(200)는 주울-열에 의한 자체-열에 의해 연속적으로 증발된다.
여기서, 라이너(43)의 대부분이 허어스(41)의 내측면으로부터 이격되어 있으므로, 상기 재료(200)는 결코 순간적으로 냉각되지 않는다.
상기 라이너(43)에 수용된 재료(200)의 양이 플라즈마의 방전중에 감소되면, 방전은 라이너(43)쪽으로 이동한다. 그러므로, 재료(200)를 가열하는 것이 차단되지 않는다.
또한, 상기 라이너(43)가 도전성을 가지므로 SiO, SiO2, ZnO, Al2O3와 같은 상기 전기 절연재료가 재료(200)로서 사용될 수 있다.
도 3을 참조하면, 제 1 실시예의 이온 도금장치용 허어스(41)의 변형예인 허어스(41')가 도시되어 있다. 상기 허어스(41')는 오목부(41a), 중공 공간(41b), 및 허어스의 내측 바닥면에 형성된 리브(41c)를 가진다. 상기 라이너(43)는 리브(41c)상에 장착된다.
그러므로, 상기 라이너(43)는 상기 허어스(41')와 라이너(43) 사이에 낮은 열 전도율을 유지할 수 있도록 허어스(41')와 부분적으로 접촉한다. 즉, 상기 라이너(43)는 도 2의 라이너보다 작은 접촉면적을 갖는 허어스(41)와 접촉한다. 따라서, 상기 재료(200)는 결코 순간적으로 냉각되지 않는다.
제 2 실시예
도 4를 참조하면, 본 발명의 제 2 실시예에 따른 이온 도금장치는 허어스(41)와 라이너(43')의 형상이 허어스(41)와 라이너(43)와 각각 상이한 것을 제외하면 제 1 실시예의 이온 도금장치와 유사하다.
이온 도금장치는 재료(200')를 연속적으로 공급할 수 있다. 상기 라이너(43')는 허어스(43)와 라이너(43) 사이에 작은 열전도율을 유지하도록 허어스(41)와 부분적으로 접촉한다.
상기 허어스(41)는 원통형상이다. 도 4의 수직방향으로 연장하는 관통 구멍(41c)은 허어스(41)내에 형성된다. 오목부(41a)는 허어스(41)의 상부에 형성된다. 중공 공간(41b)은 허어스(41)의 내측 원주변에 형성된다. 환형 중공공간(41b)은 냉각수를 순환시키기 위해 파이프(71b,71c)에 연결된다.
상기 보조 양극(42)은 허어스(41)이 외측 주변부에 일정한 공간을 남겨두도록 위치된다. 상기 보조 양극(42)은 환형 상부케이스(423a), 환형 하부케이스(423b) 및 상기 상하부 케이스(423a,423b) 사이의 내측 공간에 놓이는 환형 영구자석(421)을 가진다. 상기 상하부 케이스(423a,423b) 사이의 내측 공간은 냉각수를 순환시키기 위해 파이프(71a,71c)에 연결된다.
상기 보조양극(42)은 지지판(50a)에 의해 지지된다. 상기 허어스(41)는 허어스의 플랜지와 절연판(82)을 통해 보조 양극(42)의 하부케이스로부터 매달려 있다. 작은 공간이 보조 양극(42)의 내측면과 허어스(41) 사이에 남아있다.
상기 라이너(43')는 원통형상을 가지며 허어스(41) 내부에 놓인다. 상기 라이너(43')와 상기 오목부(41a) 사이에는 공간이 형성된다.
상기 이온 도금장치는 재료(200')를 상기 라이너(43')로 연속적으로 공급하는데 사용되는 재료 공급기구(36)를 가진다. 상기 재료 공급기구(36)는 푸쉬로드(35), 상부 테이블부(36b)를 갖는 나사축(36a), 너트부(36d), 스프라켓(36e), 구동벨트 체인(36f) 및 베어링부(38)를 포함한다.
상기 베어링부(38)는 진공실(10)의 바닥부에 부착된다. 상기 베어링부(38)는 내부에 보유되어 있는 너트부(36d)를 지지하여 상기 너트부(36d)가 수직 축선상에서 회전할 수 있게 한다. 스프라켓(36e)는 너트부(36d)의 주변부에 부착된다. 상기 구동벨트 체인(36f)은 도시않은 모터와 상기 스프라켓(36e)과 결합한다. 상기 나사축(36a)은 너트부(36d)내측에 나사결합되며 너트부(36d)가 하나 및 그 이외의 회전방향으로 회전할 때 상하방향으로 미끄럼할 수 있다. 상기 나사축(36a)은 상하로 미끄럼하지만 회전하지는 않는다. 상기 상부 테이블부(36b)는 상기 나사축(36a)과 일체로 형성되어 있다. 상기 푸쉬 로드(35)는 상부 테이블부(36b)에 부착된다. 상기 상부 테이블부(36b)와 푸쉬로드(35)는 서로에 각각 연결된 중공부를 가진다. 상기 상부 테이블부(36b)의 중공부와 푸쉬로드(35)는 냉각수를 순환시키기 위한 가요성 파이프(37,39)에 연결된다. 상기 가요성 파이프(37,39)는 상부 테이블(36b)와 푸쉬로드(35)와 함께 상하로 이동할 수 있다.
상기 너트부(36d)는 구동벨트 체인(36f)과 스프라켓(36e)이 모터에 의해 구동될 때 회전된다. 상기 너트부(36d)의 회전운동은 나사축(36a), 상부 테이블부(36b), 및 푸쉬 로드(35)의 상하 미끄럼 운동으로 변환된다. 그러므로, 상기 푸쉬로드상에 놓인 재료(200')는 라이너(43') 내부에서 상하로 이동할 수 있다. 전술한 구조의 경우에, 상기 이온 도금장치는 진공실을 개방하지 않고도 재료(200')를 라이너(43') 내측으로 공급할 수 있다.
상기 이온 도금장치에 있어서, 상기 라이너(43)는 허어스(41)와 라이너(43') 사이에 낮은 열 전달율을 유지하도록 부분적으로 접촉한다. 즉, 상기 라이너(43')는 허어스(41)가 오목부(41a)를 가지므로 작은 접촉면적으로 상기 허어스(41)와 접촉한다. 따라서, 재료(200')는 결코 순간적으로 냉각되지 않는다.
전술한 본 발명에 따라서, 전기 절연성, 고융점 및/또는 열 전도성 등과 같은 다양한 특성을 갖는 다수의 물질을 안정적으로 증착할 수 있다.

Claims (8)

  1. 진공실내에 발생된 플라즈마 비임에 의해 재료를 증발시킴으로써 박막을 대상물체상에 증착시키는 플라즈마 박막 증착장치로서, 진공실내에 놓이는 허어스 및 상기 허어스와 재료를 수용하기 위한 라이너 사이에 낮은 열 전도율을 유지하도록 부분적으로 접촉되는 라이너를 포함하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 박막 증착장치.
  2. 제 1 항에 있어서, 상기 라이너는 도전성, 내열성 및 상단부 및 하단부중 하나 이상이 개방된 용기형상인 것을 특징으로 하는 플라즈마 박막 증착장치.
  3. 제 2 항에 있어서, 상기 라이너는 탄소, 질화붕소, 몰리브덴, 탄탈 및 탄화규소중 하나 이상을 함유하는 재료로 제조되는 것을 특징으로 하는 플라즈마 박막 증착장치.
  4. 제 2 항에 있어서, 상기 허어스에는 냉각장치가 제공되는 것을 특징으로 하는 플라즈마 박막 증착장치.
  5. 제 2 항에 있어서, 상기 라이너는 허어스에 의해 지지되어 라이너 상부의 일부분이 허어스의 내측면으로부터 이격되어 있는 것을 특징으로 하는 플라즈마 박막 증착장치.
  6. 제 5 항에 있어서, 각각의 허어스와 라이너는 개방된 상단부와 하단부를 갖는 컨테이너 형상이며, 상기 플라즈마 박막 증착장치는 상기 증착재료를 상기 허어스와 라이너의 하단부를 통해 라이너 내측으로 공급하기 위한 공급기구를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 박막 증착장치.
  7. 제 5 항에 있어서, 각각의 상기 허어스와 라이너는 개방된 상단부를 갖는 컨테이너 형상이며, 상기 라이너는 외측 바닥면이 상기 허어스의 내측 바닥면과 접촉하도록 허어스상에 장착되는 것을 특징으로 하는 플라즈마 박막 증착장치.
  8. 제 7 항에 있어서, 상기 허어스는 상기 허어스의 내측 바닥면에 형성된 리브를 가지며, 상기 라이너는 상기 리브를 통해 허어스상에 장착되는 것을 특징으로 하는 플라즈마 박막 증착장치.
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