JP2001192817A

JP2001192817A - 成膜方法及び装置

Info

Publication number: JP2001192817A
Application number: JP37448199A
Authority: JP
Inventors: Susumu Sakuragi; 進桜木
Original assignee: Sumitomo Heavy Industries Ltd
Current assignee: Sumitomo Heavy Industries Ltd
Priority date: 1999-12-28
Filing date: 1999-12-28
Publication date: 2001-07-17

Abstract

(57)【要約】【課題】フットプリントの増大を最小限に抑えつつ、
基板の簡易な受け渡しや保持を可能にする成膜装置と成
膜方法とを提供すること。【解決手段】真空容器１０中には、被処理面を上側に
した基板ＷＡがゲートバルブ７０を介して搬入され、支
持板５１上に載置固定される。ハース６１下部のハース
ライナー６３ａは、プラズマビームＰＢにより加熱さ
れ、このハースライナー６３ａに含有された蒸発金属
（膜材料）が溶融して表面に浸み出し、ハースライナー
６３ａの下面ＵＳから金属の蒸発ビームが安定して出射
する。この蒸発ビームは、プラズマビームＰＢによりイ
オン化され、成膜面を上側にした基板ＷＡの表面に付着
して被膜が形成される。この際、ハースライナー６３ａ
の表面から安定した蒸気ビームが出射するので、基板Ｗ
Ａ上に金属を簡易に埋め込むことができ、かかる配線膜
の成膜が容易になる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術の分野】本発明は、プラズマを用い
てイオンプレーティングを行う成膜装置及び方法に関
し、特に金属配線膜を形成するのに適した成膜装置及び
方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】従来の成膜装置として、圧力勾配型のプ
ラズマガンからのプラズマビームを真空容器底部に設け
たハースに導き、ハース上に配置したルツボ状のハース
本体中の蒸着物質を蒸発・イオン化し、このように蒸発
・イオン化した蒸着物質をハースに対向して配置された
基板の表面に付着させるイオンプレーティング装置が知
られている。

【０００３】特開平７−１３８７４３号公報には、この
種のイオンプレーティング装置において、ハース内に配
置された棒磁石とハースの周囲に同心に配置された永久
磁石とからなる入射ビーム方向調整手段を組み込むこと
によってハースの入射面上方にカスプ磁場を形成するも
のが開示されている。このイオンプレーティング装置で
は、ハース上方のカスプ磁場によってハースに入射する
プラズマビームを修正し、プラズマビームをハースの真
上から直線的に入射させるので、基板の表面に形成され
る膜の厚みを均一にすることができる。

【０００４】なお、ハースに設けた蒸発物質源であるハ
ースライナーは、グラファイト等により作製された容器
状のもので、その凹部に成膜材料であるＣｕ、Ａｇ等の
金属を入れて溶融させている。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】しかし、上記成膜装置
は、下側のハースライナーから上側の基板に向けて蒸発
物質を供給する、すなわち被処理面を下側にして成膜を
行うデポアップ型の成膜装置であることから、成膜中及
びその前後において基板の被処理面を下側にして基板を
保持、搬送等する必要がある。つまり、処理すべき基板
は、一般に被処理面を上側にして搬送されてくるので、
成膜の前後において基板を円滑に反転させる特別の機構
が必要となり、さらに被処理面を下側にして基板を固定
したり搬送したりする必要性が生じる。このため、成膜
装置としてのフットプリントが増大したり、基板の取扱
や搬送の信頼性が低下する等の問題があった。

【０００６】そこで、本発明は、フットプリントの増大
を最小限に抑えつつ、基板の簡易な受け渡しや保持を可
能にする成膜装置と成膜方法とを提供することを目的と
する。

【０００７】

【課題を解決するための手段】上記課題を解決するた
め、本発明の成膜装置は、プラズマビームを成膜室中に
供給するプラズマ源と、成膜の対象である基板を成膜室
中に膜形成面を上側にして支持する基板支持部材と、成
膜室中で基板支持部材の上方に配置され、膜材料である
蒸発金属を底面に湧出させる材料蒸発源を有するととも
に、この材料蒸発源にプラズマビームを導くハースとを
備える。

【０００８】上記装置では、溶融するタイプの蒸発金属
を膜材料とする場合であっても、これを材料蒸発源の底
面に湧出させることによって蒸発させるので、下方の基
板支持部材に支持した基板上にそのまま成膜を行うこと
ができる。つまり、溶融する金属を膜材料として簡易に
デポダウン型の成膜を行うことができ、フットプリント
の増大を最小限に抑えつつ、成膜に際して基板の簡易な
受け渡しや保持が可能になる。

【０００９】また、上記装置の好ましい態様では、材料
蒸発源が蒸発金属を収容するとともに底部に蒸発金属を
浸透させる浸透部を有する容器である。

【００１０】上記装置では、容器底部の浸透部から蒸発
金属を徐々に湧出させて成膜を行うことができ、しかも
容器内に蒸発金属を収容することで、蒸発金属を長時間
に亘って連続して安定に供給することができる。

【００１１】また、上記装置の好ましい態様では、容器
が高融点金属の多孔質焼結体から形成されている。

【００１２】この場合、多孔質焼結体からなる容器に損
傷を与えることなく、材料蒸発源の底面に蒸発金属を徐
々に湧出させることができる。

【００１３】また、上記装置の好ましい態様では、材料
蒸発源が、蒸発金属を含浸させた高融点金属の多孔質焼
結体からなる。

【００１４】この場合、多孔質焼結体からなる材料蒸発
源を損傷することなく、この材料蒸発源の底面に蒸発金
属を徐々に湧出させることができる。

【００１５】また、上記装置の好ましい態様では、多孔
質焼結体が、Ｗ、Ｔａ、Ｍｏのいずれか、又はＷ、Ｔ
ａ、Ｍｏのいずれかを含む混合物からなる。

【００１６】この場合、多孔質焼結体の気孔率を１０〜
７０％とすることで、多孔質焼結体の構造を維持しつつ
蒸発金属を効率的に成膜することができる。

【００１７】また、上記装置の好ましい態様では、ハー
スの周囲に環状に配置された磁石、又は磁石及びコイル
からなりハースの近接した下方の磁界を制御する磁場制
御部材と、磁場制御部材の下方に配置されてハースの近
接した下方の電界を制御する補助陽極とをさらに備え、
プラズマ源が、圧力勾配型のプラズマガンである。

【００１８】この場合、磁場制御部材によってハースに
入射するプラズマビームをカスプ状磁場で修正してより
均一な厚みの膜を形成することができる。また、補助陽
極によってハースへのプラズマビームの供給をオン・オ
フ切り換える等の多様な制御が可能になる。さらに、圧
力勾配型のプラズマガンによって高出力で安定したプラ
ズマビームを連続的に供給できる。

【００１９】また、本発明の成膜方法は、成膜室中に陽
極として配置された材料蒸発源に向けてプラズマビーム
を供給しつつ材料蒸発源から膜材料である蒸発金属を蒸
発させて成膜室中の下方に配置された基板の表面に付着
させる成膜方法であって、蒸発金属を材料蒸発源の底面
に湧出させることによってこの蒸発金属を成膜室中に蒸
発させる。

【００２０】上記方法では、溶融するタイプの蒸発金属
を膜材料とする場合であっても、これを材料蒸発源の底
面に湧出させることによって蒸発させるので、下方に配
置された基板上にそのまま成膜を行うことができる。つ
まり、溶融する金属を膜材料として簡易にデポダウン型
の成膜を行うことができ、フットプリントの増大を最小
限に抑えつつ、成膜に際して基板の簡易な受け渡しや保
持が可能になる。

【００２１】

【発明の実施の形態】〔第１実施形態〕図１は、本発明
に係る第１実施形態の成膜装置の全体構造を概念的に説
明する図である。この成膜装置は、成膜室である真空容
器１０と、真空容器１０中にプラズマビームＰＢを供給
するプラズマ源であるプラズマガン３０と、真空容器１
０の底部に配置されて基板ＷＡを保持する保持機構５０
と、真空容器１０内の上部に配置されてプラズマビーム
ＰＢの流れを制御する陽極部材６０と、これらの動作を
統括制御する主制御装置８０とを備える。

【００２２】プラズマガン３０は、プラズマビームＰＢ
を発生する圧力勾配型のプラズマガンであり、その本体
部分は、真空容器１０の側壁に設けられた筒状部１２に
装着されている。この本体部分は、陰極３１によって一
端が閉塞されたガラス管３２からなる。ガラス管３２内
には、モリブデンＭｏで形成された円筒３３が陰極３１
に固定されて同心状に配置されており、この円筒３３内
には、ＬａＢ₆で形成された円盤３４とタンタルＴａで
形成されたパイプ３５とが内蔵されている。ガラス管３
２の両端部のうち陰極３１とは反対側の端部と、真空容
器１０に設けた筒状部１２の端部との間には、第１及び
第２中間電極４１、４２が同心状に直列に配置されてい
る。一方の第１中間電極４１内には、プラズマビームＰ
Ｂを収束するための環状永久磁石４４が内蔵されてい
る。第２中間電極４２内にも、プラズマビームＰＢを収
束するための電磁石コイル４５が内蔵されている。な
お、筒状部１２の周囲には、陰極３１側で発生して第１
及び第２中間電極４１、４２まで引き出されたプラズマ
ビームＰＢを真空容器１０内に導くステアリングコイル
４７が設けられている。

【００２３】プラズマガン３０の動作は、ガン駆動装置
４８によって制御されている。このガン駆動装置４８
は、陰極３１への給電をオン・オフしたりこれへの供給
電圧等を調整することができ、さらに第１及び第２中間
電極４１、４２、電磁石コイル４５、及びステアリング
コイル４７への給電を調整する。このようなガン駆動装
置４８によって、真空容器１０中に供給されるプラズマ
ビームＰＢの状態が制御される。

【００２４】なお、プラズマガン３０の最も内心側に配
置されるパイプ３５は、プラズマビームＰＢのもととな
るＡｒ等のキャリアガスをプラズマガン３０中に導入す
るためものであり、流量計３７及び流量調節弁３８を介
してガス供給源３９に接続されている。流量計３７によ
って検出されたキャリアガスの流量は主制御装置８０で
監視されており、流量調節弁３８によるキャリアガスの
流量調整等に利用される。なお、真空容器１０のプラズ
マガン３０に対向する側面には、真空容器１０内を減圧
するため、真空ゲート７６を介して排気ポンプ７７が取
り付けられている。

【００２５】真空容器１０中の下部に配置される保持機
構５０は、成膜面を上側にして基板ＷＡを保持するため
の基板支持部材である支持板５１と、搬送ロボット等に
よって真空容器１０外から被処理面（成膜面）を上側に
して搬入されてきた未処理の基板ＷＡを受け取ったり成
膜後の処理済みの基板ＷＡを搬送ロボット等に渡すため
の基板受渡装置５２と、支持板５１の下部に固定されて
基板ＷＡを裏面側から温度調節する温度調節装置５３と
を備える。

【００２６】支持板５１は、基板ＷＡの周囲を固定する
固定部材（不図示）を備えるともに真空容器１０に対し
て絶縁された状態で基板電源装置５７から給電されてお
り、ゼロ電位の真空容器１０に対して例えば負電位に基
板ＷＡの成膜面をバイアスする。基板受渡装置５２は、
基板ＷＡ裏面を一時的に支持する複数の支持ピン５２ａ
と、これら支持ピン５２ａを昇降させる昇降駆動装置５
２ｂとを備え、昇降駆動装置５２ｂの動作は、昇降制御
装置５８によって制御されている。支持ピン５２ａは、
基板の受渡時に、支持板５１の表面から突出して基板Ｗ
Ａ裏面を一時的に支持したり支持板５１中に収納される
動作にともなって支持板５１に基板ＷＡを渡す。温度調
節装置５３は、温調制御装置５９によって制御されてお
り、温調制御装置５９は、温度調節装置５３に内蔵した
ヒータに給電し、或いはこれに内蔵した配管に冷却媒体
を供給して、温度調節装置５３更には支持板５１を所望
の温度に保持する。

【００２７】真空容器１０の下部であって保持機構５０
の側方には、ゲートバルブ７０が設けられており、真空
容器１０内外への基板ＷＡの搬出・搬入を可能にしてい
る。なお、真空容器１０は、このゲートバルブ７０を介
して、搬送ロボットを収容する他の真空容器（不図示）
に接続される。

【００２８】真空容器１０中の上部に配置された陽極部
材６０は、プラズマビームＰＢを上方に導く主陽極であ
るハース６１と、その周囲に配置された環状の補助陽極
６２とからなる。

【００２９】前者のハース６１は、熱伝導率の良い導電
性材料で形成されるとともに接地された真空容器１０に
図示を省略する絶縁物を介して支持されている。このハ
ース６１は、陽極電源装置６８によって適当な正電位に
制御されており、プラズマガン３０から水平方向に出射
したプラズマビームＰＢを上方に吸引する。なお、ハー
ス６１は、プラズマガン３０からのプラズマビームＰＢ
が入射する中央に、材料蒸発源である容器状のハースラ
イナー６３ａを収納するための凹部６１ａを有してい
る。この凹部６１ａの下端には、ホルダ６４がねじ込ま
れ、ハースライナー６３ａの下面外周を支持してハース
ライナー６３ａの落下を防止している。

【００３０】ハースライナー６３ａは、後に詳述する
が、高融点金属の多孔質焼結体からなる容器であり、そ
の容器内に銅等の溶融した蒸発金属を膜材料として収容
し、その下面からその溶融金属を湧出させて金属蒸気を
下方に出射させる。ハースライナー６３ａには、膜材料
からなる線材ＷＭが真空容器１０外の材料供給装置６７
から供給される。材料供給装置６７は、線材ＷＭを真空
容器１０内部に所望のスピードで送り込むとともにハー
ス６１の中心軸に設けた孔６１ｂを介して線材ＷＭの先
端をハースライナー６３ａ中に供給する。

【００３１】後者の補助陽極６２は、ハース６１の周囲
にこれと同心に配置された環状の容器により構成されて
いる。この環状容器内には、フェライト等で形成された
環状の永久磁石６５と、これと同心的に積層されたコイ
ル６６とが収納されている。これら永久磁石６５及びコ
イル６６は、磁場制御部材であり、ハース６１の直下に
カスプ状磁場を形成する。これにより、ハース６１に入
射するプラズマビームＰＢの向き等を修正することがで
きる。

【００３２】補助陽極６２内のコイル６６は電磁石を構
成し、陽極電源装置６８から給電される。この場合、励
磁されたコイル６６における中心側の磁界の向きは、永
久磁石６５により発生する中心側の磁界と同じ向きにな
るように構成される。陽極電源装置６８は、コイル６６
に供給する電流を変化させることができ、ハース６１に
入射するプラズマビームＰＢの向きの微調整が可能にな
る。

【００３３】補助陽極６２の容器も、ハース６１と同様
に熱伝導率の良い導電性材料で形成される。この補助陽
極６２は、ハース６１に対して図示を省略する絶縁物を
介して取り付けられている。陽極電源装置６８は、補助
陽極６２に印加する電圧を変化させることによってハー
スライナー６３ａの下方の電界を補助的に制御できるよ
うになっている。

【００３４】図２は、ハースライナー６３ａとその保持
機構とを説明する側方断面図である。ハースライナー６
３ａは、円筒状の側壁６３ｄと円形の底部６３ｅとから
なる容器である。ハースライナー６３ａは、例えばＣｕ
（銅）とＷ（タングステンと）をほぼ同一量だけ混合し
て得た焼結合金（Ｃｕ−Ｗ）で形成されている。この場
合、比較的低融点のＣｕが蒸発金属となり、比較的高融
点のＷが構造体となる。この構造体は、含浸したＣｕが
完全に湧出すると約５０％の気孔率を有することにな
る。

【００３５】ハースライナー６３ａは、ハース６１の凹
部６１ａにねじ込まれた円筒状のホルダ６４に支持され
ている。ホルダ６４の底部には開口６４ａが形成されて
おり、ハースライナー６３ａの底部６３ｅを露出させて
いる。これにより、プラズマビームＰＢに含まれる電子
によって浸透部である底部６３ｅが加熱され、底部６３
ｅから金属融液ＭＭが徐々に浸み出し、底部６３ｅの下
面ＵＳで加熱されて蒸気となって下方に蒸気ビームが出
射する。

【００３６】さらに、ハースライナー６３ａは、溶融し
たＣｕ等の金属融液ＭＭを容器として収容している。つ
まり、プラズマビームＰＢによって底部６３ｅが加熱さ
れる際に、ハースライナー６３ａ中の蒸発金属も加熱さ
れて融解し、所望の温度の金属融液ＭＭとなる。ハース
ライナー６３ａの上部には、蓋６３ｆを設けてあり、金
属融液ＭＭからの金属蒸気のハース６１への付着や供給
口６１ｂへの付着を防止している。蓋６３ｆの中央部に
は、開口６３ｇを設けている。この開口６３ｇには、孔
６１ｂから延びる線材ＷＭが挿入され、線材ＷＭ下端
は、金属融液ＭＭに漬かって溶融している。

【００３７】なお、線材ＷＭは、一定速度で下方に送ら
れており、成膜に伴って金属融液ＭＭが消費されてもハ
ースライナー６３ａ中には常に一定量の金属融液ＭＭが
溜まった状態となる。

【００３８】また、ハース６１の凹部６１ａ上方には、
水等の冷却媒体を流すための空洞６１ｄが形成されてお
り、プラズマビームＰＢによって加熱されるハースライ
ナー６３ａの温度をある程度一定の範囲に保つ。

【００３９】また、ホルダ６４は、プラズマビームＰＢ
によってダメージを受けない材料、例えば高融点金属、
セラミックス等を用いて形成することができる。さら
に、ホルダ６４は、それ自体で水冷される銅製とするこ
ともできる。

【００４０】上記の例では、ハースライナー６３ａを形
成する焼結体をＣｕ−Ｗとしたが、この代わりに、Ｃｕ
−Ｍｏ、Ｃｕ−Ｔａ、又はＷ、Ｍｏ、Ｔａの２以上の組
み合わせとＣｕとからなる焼結体とすることができる。

【００４１】また、上記の例では、ハースライナー６３
ａをほぼ同一量の銅とタングステンとで形成したが、実
験では、蒸発金属の比率を１０〜７０容量％の範囲で変
化させても同様の結果が得られることを確認した。この
場合、ハースライナー６３ａのポロシティ（気孔率）は
１０〜７０％となる。

【００４２】また、上記の例では、Ｃｕを蒸発金属とす
る場合について説明したが、他の金属Ａｇ、Ａｕ等を蒸
発金属とする場合、Ｗ、Ｍｏ、Ｔａ等の高融点金属とこ
れらＡｇ等とを混合した焼結体でハースライナー６３ａ
を形成することができる。

【００４３】また、ハースライナー６３ａの底部６３ｅ
の形状も、円柱状に限らず、各種形状とすることができ
る。ただし、プラズマビームが入射し蒸気ビームが出射
する下面ＵＳは、平坦で一定以上の面積を有することが
望ましい。

【００４４】以下、図１及び図２に示す第１実施形態の
成膜装置の動作について説明する。未処理の基板ＷＡ
は、成膜面を上側にした状態で、ゲートバルブ７０を介
して真空容器１０内部に搬入される。この基板ＷＡは、
昇降する支持ピン５２ａを介して支持板５１上に載置・
固定される。次に、支持板５１上の基板ＷＡの温度や電
位を温度調節装置５３や基板電源装置５７によって適宜
調節する。次に、ガン駆動装置４８や陽極電源装置６８
等を適宜動作させることにより、真空容器１０中に形成
された磁界に案内され、プラズマビームＰＢがハース６
１に到達する。ハース６１下部のハースライナー６３ａ
は、このプラズマビームＰＢにより加熱され、このハー
スライナー６３ａに含有された蒸発金属（膜材料）が溶
融して表面に浸み出し、ハースライナー６３ａの下面Ｕ
Ｓから金属の蒸発ビームが安定して出射する。この蒸発
ビームは、プラズマビームＰＢによりイオン化され、負
電圧が印加された基板ＷＡの表面に付着して被膜が形成
される。この際、ハースライナー６３ａの表面から安定
した蒸気ビームが出射するので、基板ＷＡ上に高アスペ
クト比の溝あるいは穴が形成されている場合であって
も、これに金属を簡易に埋め込むことができ、かかる配
線膜の成膜が容易になる。さらに、ハースライナー６３
ａの容器に蒸発金属を溜めて蒸発金属が常に一定の割合
でハースライナー６３ａの下面ＵＳに供給されることと
すれば、長時間に亘ってより安定した成膜が可能にな
る。

【００４５】〔第２実施形態〕以下、本発明の第２実施
形態について説明する。なお、第２実施形態の成膜装置
は、第１実施形態の成膜装置の材料蒸発源を変形したも
のであり、同一部分については重複説明を省略する。

【００４６】図３は、ハースライナー１６３ａを説明す
る側方断面図である。ハースライナー１６３ａを除くハ
ース６１の本体部分は、第１実施形態のものと同一の構
造を有する。ハースライナー１６３ａは、円柱状の外形
を有する中実のＣｕ−Ｗ焼結合金からなる。ハースライ
ナー１６３ａの下面ＵＳにプラズマビームが入射して、
ハースライナー１６３ａが加熱されると、ハースライナ
ー１６３ａを構成するＣｕが溶融する。このＣｕの融液
は、Ｗからなる構造体中に連続的に形成された空孔を通
ってハースライナー１６３ａの下面ＵＳに浸み出す。こ
のように浸み出したＣｕの融液は、さらに加熱されて、
ハースライナー１６３ａの下面ＵＳから徐々に蒸発し、
Ｃｕの蒸気ビームとなる。この蒸気ビームは、成膜面を
上側にした基板ＷＡ上に入射し、Ｃｕ配線膜を形成す
る。

【００４７】なお、線材ＷＭは、図１に示す材料供給装
置６７により下方に送られてハースライナー１６３ａ上
部に供給される。これにより、成膜に伴ってＣｕが消費
されても、蒸発に見合った量だけハースライナー６３ａ
にＣｕを供給して、常に一定量のＣｕ融液を含浸した状
態にハースライナー６３ａを維持できる。

【００４８】〔第３実施形態〕以下、本発明の第３実施
形態について説明する。なお、第３実施形態の成膜装置
は、第１実施形態の成膜装置の材料蒸発源を変形したも
のである。

【００４９】図３は、ハースライナー２６３ａを説明す
る側方断面図である。第３実施形態では、ハースライナ
ー２６３ａをＷ等の高融点金属等のみからなる容器と
し、底部２６３ｅに多数の細孔ＮＨを形成している。こ
れにより、プラズマビームＰＢに含まれる電子によって
底部６３ｅが加熱され、底部６３ｅに設けた多数の細孔
ＮＨを介して下面ＵＳに金属融液ＭＭが徐々に浸み出
し、下面ＵＳで加熱されて蒸気となって下方に蒸気ビー
ムが出射する。

【００５０】

【発明の効果】以上の説明から明らかなように、本発明
の成膜装置では、溶融するタイプの蒸発金属を膜材料と
する場合であっても、簡易にデポダウン型の成膜を行う
ことができ、フットプリントの増大を最小限に抑えつ
つ、成膜に際して基板の簡易な受け渡しや保持が可能に
なる。

【００５１】また、本発明の成膜方法では、溶融するタ
イプの蒸発金属を膜材料とする場合であっても、簡易に
デポダウン型の成膜を行うことができ、フットプリント
の増大を最小限に抑えつつ、成膜に際して基板の簡易な
受け渡しや保持が可能になる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の第１実施形態に係る成膜装置の構造を
説明する図である。

【図２】図１の成膜装置の材料蒸発源等の構造を説明す
る側方断面図である。

【図３】第２実施形態に係る成膜装置の材料蒸発源等の
側方断面図である。

【図４】第３実施形態に係る成膜装置の材料蒸発源等の
側方断面図である。

【符号の説明】

１０真空容器３０プラズマガン３９ガス供給源５０保持機構５１支持板６０陽極部材６１ハース６１ａ凹部６２補助陽極６３ａハースライナー６４ホルダ６４ａ開口６５永久磁石６６コイル６７材料供給装置７７排気ポンプ８０主制御装置ＭＭ金属融液ＰＢプラズマビームＵＳ下面ＷＡ基板ＷＭ線材

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】プラズマビームを成膜室中に供給するプ
ラズマ源と、成膜の対象である基板を前記成膜室中に膜形成面を上側
にして支持する基板支持部材と、前記成膜室中で前記基板支持部材の上方に配置され、膜
材料である蒸発金属を底面に湧出させる材料蒸発源を有
するとともに、当該材料蒸発源に前記プラズマビームを
導くハースと、を備える成膜装置。
【請求項２】前記材料蒸発源は、前記蒸発金属を収容
するとともに底部に前記蒸発金属を浸透させる浸透部を
有する容器であることを特徴とする請求項１記載の成膜
装置。
【請求項３】前記容器は、高融点金属の多孔質焼結体
から形成されていることを特徴とする請求項２記載の成
膜装置。
【請求項４】前記材料蒸発源は、前記蒸発金属を含浸
させた高融点金属の多孔質焼結体からなることを特徴と
する請求項１記載の成膜装置。
【請求項５】前記多孔質焼結体は、Ｗ、Ｔａ、Ｍｏの
いずれか、又はＷ、Ｔａ、Ｍｏのいずれかを含む混合物
からなることを特徴とする。
【請求項６】前記ハースの周囲に環状に配置された磁
石、又は磁石及びコイルからなり前記ハースの近接した
下方の磁界を制御する磁場制御部材と、前記磁場制御部
材の下方に配置されて前記ハースの近接した下方の電界
を制御する補助陽極とをさらに備え、前記プラズマ源
は、圧力勾配型のプラズマガンであることを特徴とする
請求項１記載の成膜装置。
【請求項７】成膜室中に陽極として配置された材料蒸
発源に向けてプラズマビームを供給しつつ前記材料蒸発
源から膜材料である蒸発金属を蒸発させて成膜室中の下
方に配置された基板の表面に付着させる成膜方法であっ
て、前記蒸発金属を前記材料蒸発源の底面に湧出させること
によって当該蒸発金属を前記成膜室中に蒸発させること
を特徴とする成膜方法。