JP2000282228A - 成膜装置及び方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 安定した成膜が可能であり、特にサブミクロ
ンの溝や穴を有する基板上に均質で高品質の成膜を行う
ことができる成膜装置及び方法を提供すること。 【解決手段】 プラズマガン３０からのプラズマビーム
ＰＢは、ハース５１に到達する。ハース５１上部のハー
スライナー５３ａ及び焼結体５３ｂは、プラズマビーム
ＰＢにより加熱され、焼結体５３ｂに含有された蒸発金
属が溶融して表面に浸み出し、焼結体５３ｂから金属の
蒸気が安定して出射する。この蒸気は、プラズマビーム
ＰＢによりイオン化され、負電圧が印加された基板ＷＡ
の表面に付着し被膜が形成される。この際、焼結体５３
ｂの表面から安定した蒸気が出射するので、基板ＷＡ上
に高アスペクト比の溝あるいは穴が形成されている場合
であっても、これに金属を簡易に埋め込むことができ、
かかる配線膜の成膜が容易になる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術の分野】本発明は、プラズマを用い
てイオンプレーティングを行う成膜装置及び方法に関
し、特に高アスペクト比の溝あるいは穴に対し金属の配
線膜を形成するのに適した成膜装置及び方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】従来の成膜装置として、圧力勾配型のプ
ラズマガンからのプラズマビームをハースに導き、ハー
ス上に配置したルツボ状のハース本体中の蒸着物質を蒸
発・イオン化し、このように蒸発・イオン化した蒸着物
質をハースに対向して配置された基板の表面に付着させ
るイオンプレーティング装置が知られている。

【０００３】特開平７−１３８７４３号公報には、この
種のイオンプレーティング装置において、ハース内に配
置された棒磁石とハースの周囲に同心に配置された永久
磁石とからなる入射ビーム方向調整手段を組み込むこと
によってハースの入射面上方にカスプ磁場を形成するも
のが開示されている。このイオンプレーティング装置で
は、ハース上方のカスプ磁場によってハースに入射する
プラズマビームを修正し、プラズマビームをハースの真
上から直線的に入射させるので、基板の表面に形成され
る膜の厚みを均一にすることができる。

【０００４】なお、ハースに設けた蒸発物質源であるハ
ースライナーは、グラファイトまたは高融点金属により
作製された容器状のもので、その凹部に成膜材料である
Ｃｕ、Ａｇ等の金属を入れて溶融させている。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】しかし、上記成膜装置
によって成膜を開始すると、溶融したＣｕ、Ａｇが、電
磁力により回転し始める。成膜を継続すると、ハースラ
イナーの凹部に溜まった溶融金属の液面は、遠心力によ
り周辺部が盛り上がり、中心部が落ち込む。このような
起伏の量は、成膜装置の動作条件に応じて変化し、同一
の動作条件で成膜している間にも安定しないで変動す
る。

【０００６】このような溶融金属の表面から蒸発してく
る金属蒸気がハースライナーに対向して配置された基板
に供給され、基板上に金属が成膜される場合、安定した
条件での成膜とは言えず、特にサブミクロンの溝や穴を
有する基板上に均質かつ安定に成膜を行うことが極めて
困難である。

【０００７】また、蒸着時の溶融金属の回転により、ハ
ースライナーが損耗し、不純物として溶融金属中に混入
し、基板上に形成された膜の質が劣化するという間題点
もある。

【０００８】そこで、本発明は、安定した成膜が可能で
あり、特にサブミクロンの溝や穴を有する基板上に均質
で高品質の成膜を行うことができる成膜装置及び方法を
提供することを目的とする。

【０００９】

【課題を解決するための手段】上記課題を解決するた
め、本発明の成膜装置は、プラズマビームを成膜室中に
供給するプラズマ源と、蒸発金属を膜材料として含有す
る焼結体からなる材料蒸発源を備えるとともに成膜室中
に配置されて材料蒸発源にプラズマビームを導くハース
とを備える。

【００１０】この成膜装置では、ハースが蒸発金属を膜
材料として含有する焼結体からなる材料蒸発源を備える
ので、加熱された焼結体の表面に蒸発金属が徐々に溶融
して浸み出し、焼結体の表面から蒸発金属の蒸気が発散
することになる。つまり、蒸発金属の蒸気は、一定形状
を有する焼結体の表面からほぼ一定の率で蒸発すること
になり、安定した成膜が可能になる。この際、蒸発金属
の融液が溶融状態でハース本体（すなわち焼結体をハー
ス上に保持するハースライナー）に溜まらないので、ハ
ース本体による汚染を低減することができる。なお、蒸
発金属は、成膜で用いられるプラズマビームによって溶
融する材料とするが、焼結体を構成する構造体は、成膜
で用いられるプラズマビームによってほとんど溶融しな
い材料とする。この構造体は、例えば蒸発金属よりも融
点が十分に高い金属とすることができる。

【００１１】また、上記成膜装置の好ましい態様では、
焼結体が、Ｃｕ−Ｗ、Ａｇ−Ｗ、Ｃｕ−Ｍｏ、Ａｇ−Ｍ
ｏ、Ｃｕ−ＷＣ、及びＡｇ−ＷＣのいずれか、又はそれ
らの２以上の組み合わせからなる。

【００１２】この場合、比較的低融点のＣｕまたはＡｇ
が蒸発金属となり、比較的高融点のＷ（タングステ
ン）、Ｍｏ（モリブデン）またはＷＣ（タングステンカ
ーバイト）が構造体となって、これらＷ、ＭｏまたはＷ
Ｃの構造体中に連続して形成された空孔を通って溶融し
たＣｕまたはＡｇが焼結体の表面に浸み出し、この表面
からＣｕまたはＡｇが金属蒸気として徐々に蒸発するこ
とになる。

【００１３】また、上記成膜装置の好ましい態様では、
焼結体のうちの蒸発金属の比率は、１０〜７０ｗｔ％で
ある。

【００１４】この場合、蒸発金属を１０ｗｔ％以上とす
ることで、ある程度以上の蒸発金属が焼結体の表面から
安定して連続的に浸み出すようになる。また、蒸発金属
を７０ｗｔ％以下とすることで、焼結体の表面形状の維
持が容易になるとともに、蒸発金属が焼結体の下側に溜
まることを防止できる。

【００１５】また、上記成膜装置の好ましい態様では、
ハースの周囲に環状に配置された磁石、又は磁石及びコ
イルからなりハースの近接上方の磁界を制御する磁場制
御部材と、磁場制御部材の上方に配置された補助陽極と
をさらに備え、プラズマ源が、圧力勾配型のプラズマガ
ンである。

【００１６】この場合、磁場制御部材によってハースに
入射するプラズマビームをカスプ状磁場で修正してより
均一な厚みの膜を形成することができる。また、磁場制
御部材の上方に配置された補助陽極をさらに備えるの
で、この補助陽極に適当な電位を与えてこれを適当なタ
イミングで動作させることにより、プラズマビームの供
給をハース本体から補助陽極に切り換える切換制御が可
能になり、成膜の断続が容易になる。さらに、圧力勾配
型のプラズマガンによって高出力で安定したプラズマビ
ームを連続的に供給できる。

【００１７】また、本発明の成膜方法は、成膜室中に陽
極として配置された材料蒸発源に向けてプラズマビーム
を供給することによって材料蒸発源の膜材料を蒸発させ
て成膜室中に配置された基板の表面に付着させる成膜方
法であって、材料蒸発源は、蒸発金属を膜材料として含
有する焼結体からなる。

【００１８】この成膜方法では、材料蒸発源が蒸発金属
を膜材料として含有する焼結体からなるので、蒸発金属
の蒸気は、一定形状を有する焼結体の表面からほぼ一定
の率で蒸発することになり、安定した成膜が可能にな
る。

【００１９】

【発明の実施の形態】〔第１実施形態〕図１は、本発明
に係る第１実施形態の成膜装置の全体構造を概略的に説
明する図である。この成膜装置は、成膜室である真空容
器１０と、真空容器１０中にプラズマビームＰＢを供給
するプラズマ源であるプラズマガン３０と、真空容器１
０内の底部に配置されてプラズマビームＰＢの流れを制
御する陽極部材５０と、真空容器１０上部に配置されて
基板ＷＡを保持する保持機構６０と、これらの動作を統
括制御する主制御装置８０とを備える。

【００２０】プラズマガン３０は、プラズマビームＰＢ
を発生する圧力勾配型のプラズマガン（所謂「浦本ガ
ン」）であり、その本体部分は、真空容器１０の側壁に
設けられた筒状部１２に装着されている。この本体部分
は、陰極３１によって一端が閉塞されたガラス管３２か
らなる。ガラス管３２内には、モリブデンＭｏで形成さ
れた円筒３３が陰極３１に固定されて同心状に配置され
ており、この円筒３３内には、ＬａＢ₆で形成された円
盤３４とタンタルＴａで形成されたパイプ３５とが内蔵
されている。ガラス管３２の両端部のうち陰極３１とは
反対側の端部と、真空容器１０に設けた筒状部１２の端
部との間には、第１及び第２中間電極４１、４２が同心
状に直列に配置されている。一方の第１中間電極４１内
には、プラズマビームＰＢを収束するための環状永久磁
石４４が内蔵されている。第２中間電極４２内にも、プ
ラズマビームＰＢを収束するための電磁石コイル４５が
内蔵されている。なお、筒状部１２の周囲には、陰極３
１側で発生して第１及び第２中間電極４１、４２まで引
き出されたプラズマビームＰＢを真空容器１０内に導く
ステアリングコイル４７が設けられている。

【００２１】プラズマガン３０の動作は、ガン駆動装置
４８によって制御されている。このガン駆動装置４８
は、陰極３１への給電をオン・オフしたりこれへの供給
電圧等を調整することができ、さらに第１及び第２中間
電極４１、４２、電磁石コイル４５、及びステアリング
コイル４７への給電を調整する。このようなガン駆動装
置４８によって、真空容器１０中に供給されるプラズマ
ビームＰＢの状態が制御される。

【００２２】なお、プラズマガン３０の最も内心側に配
置されるパイプ３５は、プラズマビームＰＢのもととな
るＡｒ等のキャリアガスをプラズマガン３０中に導入す
るためものであり、流量計３７及び流量調節弁３８を介
してガス供給源３９に接続されている。流量計３７によ
って検出されたキャリアガスの流量は主制御装置８０で
監視されており、流量調節弁３８によるキャリアガスの
流量調整等に利用される。なお、真空容器１０のプラズ
マガン３０に対向する側面には、真空容器１０内を所望
の圧力に減圧するため、真空ゲート７６を介して排気ポ
ンプ７７が取り付けられている。

【００２３】真空容器１０中の下部に配置された陽極部
材５０は、プラズマビームＰＢを下方に導く主陽極であ
るハース５１と、その周囲に配置された環状の補助陽極
５２とからなる。

【００２４】前者のハース５１は、熱伝導率の良い導電
性材料で形成されるとともに接地された真空容器１０に
図示を省略する絶縁物を介して支持されている。このハ
ース５１は、陽極電源装置５８によって適当な正電位に
制御されており、プラズマガン３０から出射したプラズ
マビームＰＢを下方に吸引する。なお、ハース５１は、
プラズマガン３０からのプラズマビームＰＢが入射する
中央上部に形成された凹部に、ルツボ状のハースライナ
ー５３ａを有している。ハースライナー５３ａ内部に
は、後に詳述するが、蒸発金属を膜材料として含有する
円柱状の焼結体５３ｂが収容されている。なお、ハース
ライナー５３ａ及び焼結体５３ｂは、材料蒸発源を構成
し、膜材料である銅等の金属蒸気を発生する。

【００２５】後者の補助陽極５２は、ハース５１の周囲
にこれと同心に配置された環状の容器により構成されて
いる。この環状容器内には、フェライト等で形成された
環状の永久磁石５５と、これと同心的に積層されたコイ
ル５６とが収納されている。これら永久磁石５５及びコ
イル５６は、磁場制御部材であり、ハース５１の直上方
にカスプ状磁場を形成する。これにより、ハース５１に
入射するプラズマビームＰＢの向き等を修正することが
できる。

【００２６】補助陽極５２内のコイル５６は電磁石を構
成し、陽極電源装置５８から給電される。この場合、励
磁されたコイル５６における中心側の磁界の向きは、永
久磁石５５により発生する中心側の磁界と同じ向きにな
るように構成される。陽極電源装置５８は、コイル５６
に供給する電流を変化させることができ、ハース５１に
入射するプラズマビームＰＢの向きの微調整が可能にな
る。

【００２７】補助陽極５２の容器も、ハース５１と同様
に熱伝導率の良い導電性材料で形成される。この補助陽
極５２は、ハース５１に対して図示を省略する絶縁物を
介して取り付けられている。陽極電源装置５８は、補助
陽極５２に印加する電圧を変化させることによってハー
スライナー５３ａの上方の電界を補助的に制御できるよ
うになっている。つまり、補助陽極５２に適当なタイミ
ングで適当な電位を与えることにより、プラズマビーム
ＰＢの供給をハースライナー５３ａから補助陽極５２に
切り換えたり、或いは逆に補助陽極５２からハースライ
ナー５３ａに切り換える切換制御が任意のタイミングで
可能になる。

【００２８】真空容器１０中の上部に配置される保持機
構６０は、ハース５１の上方において成膜面を下側にし
て基板ＷＡを保持するための基板ホルダ６１と、この基
板ホルダ６１上部に固定されて基板ＷＡを裏面側から温
度調節する温度調節装置６２とを備える。基板ホルダ６
１は、真空容器１０に対して絶縁された状態で基板電源
装置６８から給電されており、ゼロ電位の真空容器１０
に対して負電位にバイアスされている。温度調節装置６
２は、温調制御装置６９によって制御されており、温調
制御装置６９は、温度調節装置６２に内蔵したヒータに
給電し、或いは内蔵した配管に冷却媒体を供給して、温
度調節装置６２更には基板ホルダ６１を所望の温度に保
持する。

【００２９】図２は、材料蒸発源であるハースライナー
５３ａ及び焼結体５３ｂを説明する側方断面図である。
ハースライナー５３ａは、円筒状の側壁５３ｄと円形の
底部５３ｅとからなる容器であり、容器内部に円柱状の
焼結体５３ｂを収容する。ハースライナー５３ａは、例
えばグラファイトやＷ（タングステン）等で形成されて
いる。また、焼結体５３ｂは、ほぼ同一量の銅とタング
ステンとを焼結して得た焼結合金（Ｃｕ−Ｗ）からな
る。この場合、比較的低融点のＣｕが蒸発金属となり、
比較的高融点のＷが構造体となる。つまり、ハースライ
ナー５３ａや焼結体５３ｂにプラズマビームが入射し
て、焼結体５３ｂが加熱されると、焼結体５３ｂを構成
する低融点のＣｕがまず溶融する。Ｃｕの融液は、高融
点のＷからなる構造体中に連続的に形成された空孔を通
って焼結体５３ｂの表面Ｓに浸み出す。このように浸み
出したＣｕの融液は、さらに加熱されて、焼結体５３ｂ
の表面Ｓから徐々に蒸発し、Ｃｕの蒸気となる。この
際、焼結体５３ｂの表面Ｓは、水平に保たれて高さも変
化しないので、Ｃｕの蒸気は、表面Ｓから安定して、ほ
ぼ一定の率で出射する。したがって、かかる焼結体５３
ｂからの蒸気を利用することにより安定した成膜が可能
になる。

【００３０】なお、上記の例では、焼結体５３ｂをＣｕ
−Ｗとしたが、この代わりに、Ａｇ−Ｗ、Ｃｕ−Ｍｏ、
Ａｇ−Ｍｏ、Ｃｕ−ＷＣ、及びＡｇ−ＷＣのいずれか、
又はそれらの２以上の組み合わせとすることができる。
この場合、比較的低融点のＣｕまたはＡｇが蒸発金属と
なり、比較的高融点のＷ、ＭｏまたはＷＣが構造体とな
る。なお、ＣｕおよびＡｇの融点は、それぞれ１３５６
Ｋ、１２３４Ｋであり、Ｗ、ＭｏおよびＷＣの融点は、
それぞれ３６５３Ｋ、２９０３Ｋおよび３１４３Ｋであ
る。

【００３１】また、上記の例では、焼結体５３ｂをほぼ
同一量の銅とタングステンとで形成したが、実験では、
蒸発金属の比率を１０〜７０ｗｔ％の範囲で変化させて
も同様の結果が得られることを確認した。また、蒸発金
属の比率が大きくなると、焼結体５３ｂから出射する蒸
気の密度が高まることを確認した。

【００３２】また、焼結体５３ｂの形状も、円柱状に限
らず、各種形状とすることができる。ただし、プラズマ
ビームが入射し蒸気が出射する表面Ｓは、平坦で一定以
上の面積を有することが望ましい。

【００３３】以下、図１及び図２に示す第１実施形態の
成膜装置の動作について説明する。この成膜装置におい
ては、プラズマガン３０の陰極３１と真空容器１０内の
ハース５１との間で放電が生じ、これによりプラズマビ
ームＰＢが生成される。このプラズマビームＰＢは、ス
テアリングコイル４７と補助陽極５２内の永久磁石５５
等とにより決定される磁界に案内されてハース５１に到
達する。ハース５１上部のハースライナー５３ａ及び焼
結体５３ｂは、プラズマビームＰＢにより加熱され、焼
結体５３ｂに含有された蒸発金属（膜材料）が溶融して
表面に浸み出し、焼結体５３ｂから金属の蒸気が安定し
て出射する。この蒸気は、プラズマビームＰＢによりイ
オン化され、負電圧が印加された基板ＷＡの表面に付着
して被膜が形成される。この際、焼結体５３ｂの表面か
ら安定した蒸気が出射するので、基板ＷＡ上に高アスペ
クト比の溝あるいは穴が形成されている場合であって
も、これに金属を簡易に埋め込むことができ、かかる配
線膜の成膜が容易になる。 〔第２実施形態〕以下、本発明の第２実施形態について
説明する。なお、第２実施形態の成膜装置は、第１施形
態の成膜装置の材料蒸発源を変形したものであり、同一
部分については重複説明を省略する。

【００３４】図３は、材料蒸発源であるハースライナー
５３ａ及び焼結体１５３ｂを説明する側方断面図であ
る。ハースライナー５３ａは、第１実施形態と同一構造
のものである。焼結体１５３ｂは、円柱状の外形を有す
るＣｕ−Ｗ焼結合金からなり、底部に空洞部１５３ｇが
形成されている。この空洞部１５３ｇの底には、銅層１
５３ｈが形成されている。焼結体１５３ｂにプラズマビ
ームが入射して、焼結体１５３ｂが加熱されると、焼結
体１５３ｂを構成するＣｕが溶融する。このＣｕの融液
は、Ｗからなる構造体中に連続的に形成された空孔を通
って焼結体１５３ｂの表面Ｓに浸み出す。このように浸
み出したＣｕの融液は、さらに加熱されて、焼結体１５
３ｂの表面Ｓから徐々に蒸発し、Ｃｕの蒸気となる。こ
の際、空洞部１５３ｇに銅層１５３ｈを形成しているの
で、焼結体１５３ｂが常に銅融液で含浸された状態とな
り、焼結体１５３ｂの表面には常に一定量の銅融液が供
給される。よって、より均一な蒸気を焼結体１５３ｂの
表面Ｓから出射させることができる。

【００３５】上記実施形態においても、ＣｕをＡｇ等に
置き換えることができ、ＷをＭｏまたはＷＣ等に置き換
えることができる。 〔第３実施形態〕以下、本発明の第３実施形態について
説明する。なお、第３実施形態の成膜装置は、第１施形
態の成膜装置を変形したものである。

【００３６】図４は、第３実施形態の成膜装置を構成す
るハース２５１等の構造を説明する断面図である。この
成膜装置は、ハース２５１に蒸発金属である銅の金属ワ
イヤＭＷを供給するための材料供給機構として、ガイド
パイプ２９０及びフィードボックス２９５を備える。

【００３７】ハース２５１は、凹部２５１ａにプラズマ
ビームが入射するハースライナー５３ａを有している。
ハースライナー５３ａは、第１実施形態と同一構造であ
り、円柱状の焼結体２５３ｂを収容している。

【００３８】ハース２５１の凹部２５１ａを囲む円筒状
の側壁２５１ｄには、ガイドパイプ２９０を通す溝と開
口とが形成されている。この開口から凹部２５１ａ内に
突き出したガイドパイプ２９０の先端は、下方に湾曲し
て焼結体２５３ｂ側面に形成された孔２５３ｊに対向し
ている。

【００３９】ガイドパイプ２９０の根本側は、ハース５
１の基部に形成した孔に埋め込まれて周囲に対して気密
に固定されている。このガイドパイプ２９０には、金属
ワイヤＭＷが通されている。この金属ワイヤＭＷは、真
空容器１０の下部に固定されたフィードボックス２９５
から供給されており、真空容器１０及び絶縁材１４及び
経て、ガイドパイプ２９０の先端に導かれる。なお、フ
ィードボックス２９５内には、金属ワイヤＭＷを巻き付
けたドラムが収納されており、このドラムから引き出さ
れた金属ワイヤＭＷは、テンショナやフィーダからなる
送り機構によって外部に所望の速度で送り出される。

【００４０】図５は、焼結体２５３ｂの構造を説明する
側方断面図である。この焼結体２５３ｂは、円柱状の外
形を有するＣｕ−Ｗ焼結合金からなり、側部に傾斜した
孔２５３ｊが形成されている。この傾斜した孔２５３ｊ
の底には、ガイドパイプ２９０から供給された金属ワイ
ヤＭＷが溶融することによってＣｕの融液溜まりが形成
される。焼結体２５３ｂが加熱されることによって形成
されたＣｕの融液は、Ｗからなる構造体中に連続的に形
成された空孔を通って焼結体２５３ｂの表面Ｓに浸み出
す。このように浸み出したＣｕの融液は、さらに加熱さ
れて、焼結体２５３ｂの表面Ｓから徐々に蒸発し、Ｃｕ
の蒸気となる。この際、孔２５３ｊにガイドパイプ２９
０から供給されたＣｕの融液を溜めることができるの
で、焼結体２５３ｂの表面Ｓには常に一定量の銅融液が
供給され、より均一な蒸気を焼結体２５３ｂの表面Ｓか
ら出射させることができる。

【００４１】上記実施形態においても、ＣｕをＡｇ等に
置き換えることができ、ＷをＭｏまたはＷＣ等に置き換
え得ることは言うまでもない。

【００４２】

【発明の効果】本発明の成膜装置によれば、ハースが蒸
発金属を膜材料として含有する焼結体からなる材料蒸発
源を備えるので、加熱された焼結体の表面に蒸発金属が
徐々に溶融して浸み出し、焼結体の表面から蒸発金属の
蒸気が発散することになる。つまり、蒸発金属の蒸気
は、一定形状を有する焼結体の表面からほぼ一定の率で
蒸発することになり、安定した成膜が可能になる。

【００４３】また、本発明の成膜方法によれば、材料蒸
発源が蒸発金属を膜材料として含有する焼結体からなる
ので、蒸発金属の蒸気は、一定形状を有する焼結体の表
面からほぼ一定の率で蒸発することになり、安定した成
膜が可能になる。

【００４４】

【図面の簡単な説明】

【００４５】

【図１】本発明の第１実施形態に係る成膜装置の構造を
説明する図である。

【００４６】

【図２】図１の成膜装置の材料蒸発源の構造を説明する
側方断面図である。

【００４７】

【図３】第２実施形態に係る成膜装置の材料蒸発源の側
方断面図である。

【００４８】

【図４】第３実施形態に係る成膜装置のハースの側方断
面図である。

【００４９】

【図５】図４の成膜装置の材料蒸発源の構造を説明する
側方断面図である。

【００５０】

【符号の説明】

１０ 真空容器 ３０ プラズマガン ３９ ガス供給源 ４８ ガン駆動装置 ５０ 陽極部材 ５１ ハース ５２ 補助陽極 ５３ａ ハースライナー ５３ｂ 焼結体 ５８ 陽極電源装置 ６０ 保持機構 ７７ 排気ポンプ ８０ 主制御装置 ＭＷ 金属ワイヤ ＰＢ プラズマビーム Ｗ 基板

Claims (5)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 プラズマビームを成膜室中に供給するプ
   ラズマ源と、 蒸発金属を膜材料として含有する焼結体からなる材料蒸
   発源を備えるとともに、前記成膜室中に配置されて前記
   材料蒸発源に前記プラズマビームを導くハースと、を備
   える成膜装置。
2. 【請求項２】 前記焼結体は、Ｃｕ−Ｗ、Ａｇ−Ｗ、Ｃ
   ｕ−Ｍｏ、Ａｇ−Ｍｏ、Ｃｕ−ＷＣ、及びＡｇ−ＷＣの
   いずれか、又はそれらの２以上の組み合わせからなるこ
   とを特徴とする請求項１記載の成膜装置。
3. 【請求項３】 前記焼結体のうちの前記蒸発金属の比率
   は、１０〜７０ｗｔ％であることを特徴とする請求項２
   記載の成膜装置。
4. 【請求項４】 前記ハースの周囲に環状に配置された磁
   石、又は磁石及びコイルからなり前記ハースの近接した
   上方の磁界を制御する磁場制御部材と、前記磁場制御部
   材の上方に配置された補助陽極とをさらに備え、前記プ
   ラズマ源は、圧力勾配型のプラズマガンであることを特
   徴とする請求項１乃至３のいずれか記載の成膜装置。
5. 【請求項５】 成膜室中に陽極として配置された材料蒸
   発源に向けてプラズマビームを供給することによって前
   記材料蒸発源の膜材料を蒸発させて成膜室中に配置され
   た基板の表面に付着させる成膜方法であって、 前記材料蒸発源は、蒸発金属を前記膜材料として含有す
   る焼結体からなることを特徴とする成膜方法。