JPH10308547A - 極狭帯域ＫｒＦレーザ - Google Patents

極狭帯域ＫｒＦレーザ

Info

Publication number
JPH10308547A
JPH10308547A JP10113712A JP11371298A JPH10308547A JP H10308547 A JPH10308547 A JP H10308547A JP 10113712 A JP10113712 A JP 10113712A JP 11371298 A JP11371298 A JP 11371298A JP H10308547 A JPH10308547 A JP H10308547A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
laser
prism
fluorine
pulse
wavelength
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP10113712A
Other languages
English (en)
Inventor
Palash P Das
ピー ダス パラシュ
Alexander I Ershov
アイ アーショヴ アレクサンダー
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Cymer Inc
Original Assignee
Cymer Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Cymer Inc filed Critical Cymer Inc
Publication of JPH10308547A publication Critical patent/JPH10308547A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70008—Production of exposure light, i.e. light sources
    • G03F7/70025—Production of exposure light, i.e. light sources by lasers
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70008—Production of exposure light, i.e. light sources
    • G03F7/70041—Production of exposure light, i.e. light sources by pulsed sources, e.g. multiplexing, pulse duration, interval control or intensity control
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70483—Information management; Active and passive control; Testing; Wafer monitoring, e.g. pattern monitoring
    • G03F7/7055—Exposure light control in all parts of the microlithographic apparatus, e.g. pulse length control or light interruption
    • G03F7/70558—Dose control, i.e. achievement of a desired dose
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70483—Information management; Active and passive control; Testing; Wafer monitoring, e.g. pattern monitoring
    • G03F7/7055—Exposure light control in all parts of the microlithographic apparatus, e.g. pulse length control or light interruption
    • G03F7/70575—Wavelength control, e.g. control of bandwidth, multiple wavelength, selection of wavelength or matching of optical components to wavelength
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S3/00—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
    • H01S3/02—Constructional details
    • H01S3/03—Constructional details of gas laser discharge tubes
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S3/00—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
    • H01S3/14—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range characterised by the material used as the active medium
    • H01S3/22—Gases
    • H01S3/223—Gases the active gas being polyatomic, i.e. containing two or more atoms
    • H01S3/225—Gases the active gas being polyatomic, i.e. containing two or more atoms comprising an excimer or exciplex
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S3/00—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
    • H01S3/05—Construction or shape of optical resonators; Accommodation of active medium therein; Shape of active medium
    • H01S3/08—Construction or shape of optical resonators or components thereof
    • H01S3/08004—Construction or shape of optical resonators or components thereof incorporating a dispersive element, e.g. a prism for wavelength selection
    • H01S3/08009—Construction or shape of optical resonators or components thereof incorporating a dispersive element, e.g. a prism for wavelength selection using a diffraction grating
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S3/00—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
    • H01S3/05—Construction or shape of optical resonators; Accommodation of active medium therein; Shape of active medium
    • H01S3/08—Construction or shape of optical resonators or components thereof
    • H01S3/081—Construction or shape of optical resonators or components thereof comprising three or more reflectors
    • H01S3/0811—Construction or shape of optical resonators or components thereof comprising three or more reflectors incorporating a dispersive element, e.g. a prism for wavelength selection
    • H01S3/0812—Construction or shape of optical resonators or components thereof comprising three or more reflectors incorporating a dispersive element, e.g. a prism for wavelength selection using a diffraction grating
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S3/00—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
    • H01S3/09—Processes or apparatus for excitation, e.g. pumping
    • H01S3/097—Processes or apparatus for excitation, e.g. pumping by gas discharge of a gas laser
    • H01S3/0971—Processes or apparatus for excitation, e.g. pumping by gas discharge of a gas laser transversely excited
    • H01S3/09713—Processes or apparatus for excitation, e.g. pumping by gas discharge of a gas laser transversely excited with auxiliary ionisation, e.g. double discharge excitation
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S3/00—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
    • H01S3/14—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range characterised by the material used as the active medium
    • H01S3/22—Gases
    • H01S3/223—Gases the active gas being polyatomic, i.e. containing two or more atoms
    • H01S3/225—Gases the active gas being polyatomic, i.e. containing two or more atoms comprising an excimer or exciplex
    • H01S3/2251—ArF, i.e. argon fluoride is comprised for lasing around 193 nm
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S3/00—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
    • H01S3/14—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range characterised by the material used as the active medium
    • H01S3/22—Gases
    • H01S3/223—Gases the active gas being polyatomic, i.e. containing two or more atoms
    • H01S3/225—Gases the active gas being polyatomic, i.e. containing two or more atoms comprising an excimer or exciplex
    • H01S3/2256—KrF, i.e. krypton fluoride is comprised for lasing around 248 nm

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Lasers (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【課題】 0.6 ｎｍ以下の帯域幅（ＦＷＨＭ）で、 100
0 Ｈｚで 10 ｍＪのレーザパルスを発生することができ
る極狭帯域ＫｒＦエキシマレーザを提供する。 【解決手段】 極狭帯域幅は、フッ素分圧を 0.08 より
小さく低下させ、出力カップラの反射率を 25 ％より大
きく増加させることによって達成される。好ましい実施
例では、従来技術の線狭めモジュールに使用されていた
従来技術の融解シリカビーム拡張プリズムをフッ化カル
シウムプリズムに置換している。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明はレーザに関し、詳し
くは狭帯域ＫｒＦレーザに関する。
【０００２】
【従来の技術】現在ＫｒＦエキシマレーザは、集積回路
リトグラフィ産業のための持ちの良い光源になりつつあ
る。典型的な従来技術のＫｒＦエキシマレーザを、図１
及び図９に示す。パルス電力モジュール２は、約 100ｎ
ｓ持続する電気パルスを放電室８内に位置する電極６に
供給する。電極は約 28 インチの長さであり、約 3/5イ
ンチ離間している。典型的なリトグラフィレーザは、約
1,000Ｈｚの高いパルスレートで動作する。この理由か
ら、レーザガス（約 0.1％のフッ素、1.3 ％のクリプト
ン、及び残余の緩衝ガスとして機能するネオン）を、電
極間の空間を通して循環させる必要がある。これは、レ
ーザ放電室内に位置しているタンジェンシャルブロアー
１０を用いて行われる。レーザガスは、これも室内に位
置している熱交換器を用いて冷却される。市販のエキシ
マレーザシステムは、典型的には、残余のシステムを妨
害することなく迅速に交換することができる幾つかのモ
ジュールからなっている。主要モジュールが図２に示さ
れており、レーザ室８、パルス電力モジュール２、出力
カップラ１６、ライン狭帯化モジュール１８、波長計２
０、コンピュータ制御ユニット２２、及び周辺支援サブ
システムを含んでいる。
【０００３】放電室は約３気圧の圧力で動作する。これ
らのレーザは約 600Ｈｚ乃至約 1,000Ｈｚのパルスモー
ドで動作し、パルス当たりのエネルギは約 10 ｍＪであ
り、レーザパルスの持続時間は約 15 ｎｓである。従っ
て、レーザビームの平均電力は約６乃至 10 Ｗであり、
パルスの平均電力は約 700ｋＷの範囲内である。ここ
で、図６は従来のＫｒＦレーザを示す概要図である。図
７は従来の狭帯化モジュールの主要要素を示す概略図で
ある。図８は従来のＫｒＦレーザにおける波長の制御を
示す概略図であり、図９は従来のＫｒＦリソグラフィー
レーザを示す斜視図である。300 ｎｍ以下の波長におい
ては、チップリトグラフィのために使用されるステッパ
レンズを作るのに使用可能な適当な光学材料は１つだけ
存在することが知られている。この材料は、融解シリカ
である。全ての融解シリカステッパレンズは色彩補正能
力を有していない。ＫｒＦエキシマレーザは、約 300ｐ
ｍの固有帯域幅（全幅半最大：ＦＷＨＭ）を有してい
る。屈折システム（ＮＡ＞ 0.5）の場合ステッパまたは
スキャナの何れであっても、この帯域幅は１ｐｍ以下に
減少させなければならない。現在、商用の従来技術レー
ザシステムは、約 248ｎｍの公称波長と、約 0.8ｐｍ
（ 0.0008 ｎｍ）の帯域幅のＫｒＦレーザビームを発生
することができる。最良の商用レーザの波長安定度は、
約 0.25 ｐｍである。これらのパラメータを用いて、ス
テッパメーカーは約 0.3ミクロンの集積回路分解能が得
られるステッパ装置を供給することができる。
【０００４】分解能を改善するためには、より狭い帯域
幅が要求される。例えば、帯域幅を0.6ｐｍ以下に減少
させると、 0.25 ミクロン以下の分解能に改善すること
ができる。ステッパの実際の性能は、臨界的に、レーザ
の動作寿命を通してレーザの最小帯域幅を維持すること
に依存する。従って、長期間にわたって工場で動作可能
であり、波長安定度が 0.2ｐｍ以下であり、そして帯域
幅が 0.5ｐｍ以下であるような、信頼できる生産品質の
エキシマレーザシステムに対する要望が存在している。
【０００５】
【発明の概要】本発明は、0.6 ｎｍの帯域幅（ＦＷＨ
Ｍ）を有し、1000Ｈｚにおいて 10 ｍＪのレーザパルス
を発生できる極狭帯域ＫｒＦエキシマレーザを提供す
る。この極狭帯域幅は、フッ素の分圧を 0.08 より小さ
くし、出力カップラの反射率を 25％より大きく増加さ
せることによって達成される。好ましい実施形態では、
従来技術のライン狭帯化モジュールに使用されていた融
解シリカビーム拡張プリズムを、フッ化カルシウムプリ
ズムで置換している。
【０００６】
【発明の実施の形態】以下に、本発明の好ましい実施形
態を説明する。図２は、今日集積回路リトグラフィに使
用されている型の商用エキシマレーザシステムの主要要
素を示す。室 放電室１０は、数気圧の腐食性ガスを保持するように設
計されている容器である。これらの容器は、ＡＳＭＥに
よって指定されているような安全標準を満足するように
設計されている。放電領域は、1.2 乃至 2.5ｃｍの空隙
によって分離されている２つの電極によって限定され
る。陰極は、それが高電圧に接続されるので絶縁構造に
よって支持され、一方陽極は、それが接地電位にあるの
で金属室に取付けられる。放電領域の何れかの側に配置
されたコロナ放電プレイオナイザによって、プレイオン
化が行われる。ガスが本質的に腐食性であるために、室
はフッ素の攻撃に耐えるように選択された特定の金属を
使用している。しかしながらそれでもフッ素ガスは、室
壁及び電極のような室内の部分と反応し、従ってフッ素
が消費され、金属フッ化物汚染物質を生成する。
【０００７】レーザはパルス化されている（ 500乃至 1
000 Ｈｚ）ので、パルスとパルスとの間は放電領域をき
れいにすることが不可欠である。この仕事は、外部駆動
源に磁気的に結合されているタンジェンシャルブロアー
によって遂行させることが好ましい。室内の水冷フィン
付き熱交換器によってレーザガスから熱を抽出する。金
属フッ化物の塵埃は、図示してない静電除塵機によって
捕捉する。室から抽出された塵埃を捕捉するために、少
量のレーザガスが負に帯電した高電界ワイヤ上を通過さ
せられる。塵埃が除かれたガスは、それらをきれいに保
つために窓上に解放される。このガスは、高速度の流れ
のためにレーザ室内に発生する差圧によって除塵機を通
して駆動される。パルス電力モジュール この好ましい実施形態は、図２に示すソリッドステート
パルス化電力モジュール（ＳＳＰＰＭ）回路を使用して
いる。従来の技術のサイラトロンシステムの 20 ｋＶ電
源は、１ｋＶ電源に置換されている。サイラトロンスイ
ッチはＳＣＲスイッチに置換されており、Ｃp に直接フ
ィードするのではなく、Ｃ0 のエネルギをＣ1 、Ｃ2 、
Ｃ3 、ステップアップ変成器、及び３つの可飽和インダ
クタによって形成されているパルス圧縮回路内にスイッ
チする。この回路の動作は次の通りである。Ｃ0 に蓄積
された直流電荷は、ＳＣＲ及びインダクタＬ0 を通して
Ｃ 1 内へスイッチされる。可飽和インダクタＬ1 は、Ｃ
1 上の電圧を約 2.5μｓ遅らせた後に導通して電荷をＣ
1 からＣ2 へ転送できるようになる。第２の可飽和イン
ダクタＬ2 は、Ｃ2 上の電圧を約 500ｎｓ遅らせた後に
Ｃ2 の電荷を 1 : 20 ステップアップ変成器の一次側を
通して流すことができる。ステップアップ変成器からの
出力は、可飽和インダクタＬ3 が約 100− 150ｎｓの後
に導通し始めるまでＣ3 上に蓄積されている。最終的
に、電荷はＬ3 を通してＣp に転送され、レーザ放電が
発生する。図３の下側に示すＣp 上の電圧波形は、等価
サイラトロンスイッチ形パルス化電力モジュールが発生
する波形と精密に一致しているが、ＳＣＲ波形には事後
リンギングが殆ど、または全く見られない。ＳＳＰＰＭ
の複雑さが増加しているが、これは高価で短寿命のサイ
ラトロンを排除したことによって相殺される。ＳＳＰＰ
Ｍの付加的な、そして重要な特色は、図４に示すように
レーザ室から反射したエネルギが回収されることであ
る。ＳＳＰＰＭを用いると、インピーダンスのミスマッ
チによってレーザ室から反射するエネルギは、ＳＳＰＰ
Ｍとレーザ室との間を往復してリングすることがなくな
る。ＳＳＰＰＭ回路は、この反射したエネルギを全面的
にパルス形成回路網を通してＣ0 に戻して伝送するよう
に設計されている。このエネルギがＣ0 上に回収される
時、ＳＣＲはスイッチオフしてこの捕らえられたエネル
ギをＣ0 上に留める。従って、動作電圧、ガス混合体、
または室の状態に拘わらず、レーザ電極にまたがる電圧
波形は良好に調整されたシステムの挙動を呈する。この
性能は、全てのレーザ動作状態にわたって維持される。
【０００８】スペクトルの狭帯域化 前述したように、自走ＫｒＦエキシマレーザの帯域幅
（ＦＷＨＭ）はほぼ 300ｐｍである。現在では、エキシ
マステッパは、レンズのＮＡに依存して、 0.8乃至３ｐ
ｍＦＷＨＭにスペクトル的に狭められたレーザを使用し
ている。ステッパ性能にとって、統合されたエネルギス
ペクトル及び 95 ％エネルギにおけるスペクトル幅は、
ＦＷＨＭ値よりも臨界的である。しかしながら、殆どの
ユーザにとっては、 95 ％エネルギにおけるスペクトル
幅ではなく、ＦＷＨＭで表した方が便利であろう。Ｋｒ
Ｆレーザのスペクトルの狭帯域化は、その短いパルス持
続時間（ 10 乃至15 ｎｓ、ＦＷＨＭ）及びＵＶ波長の
ために複雑である。短いパルスは、極めて高い空洞内電
力（〜１ＭＷ／ｃｍ2 ）をもたらし、短い波長は、248
ｎｍにおけるそれらの高い吸収計数のために光学材料を
熱的にひずませる。また、典型的なレーザの場合の共振
器（ライン狭帯化光学要素を含む）を通るラウンドトリ
ップの合計数は小さく、約３乃至４である。もし共振器
を通る信号パスのライン幅をΔλ1 で表せば、ｎパスの
後の最終ライン幅をΔλf は、 Δλf ＝Δλ1 ／√ｎ で与えられる。従って、光学系の単一パスライン幅は、
最終ライン幅より、多くとも係数２程高くすべきであ
る。実際に、出願者らの同僚作業者による時間分解スペ
クトル測定によれば、パルスの立ち上がりからパルスの
立ち下がりまでスペクトルライン幅を半分に減少させる
ことができた。従って、広帯域スペクトルを、光学系の
ラインを狭めたスペクトル（即ち、300 ｐｍから＜１ｐ
ｍまで）に変換する効率は極めて高くなければならな
い。
【０００９】ＫｒＦレーザのライン狭帯化における共通
技術は、共振器内に波長分散光学要素を導入することに
よっている。３つの型の分散要素、即ちプリズム、エタ
ロン、及びグレーティングを使用することができる。Li
ttrow 構造内に高分散グレーティングを使用すること
が、最も簡単で、最も効果的なスペクトルライン狭帯化
技術である。グレーティングは分散素子であるので、ラ
イン幅はビーム発散に比例する。狭いライン幅を得るた
めには、小さいビーム発散が要求される。従って、２ス
リット及び３プリズムビームエキスパンダがレーザ共振
器内に挿入される。好ましいライン狭帯化モジュールの
主要要素を図７に示す。これらは、３つのプリズム３
０、３２、及び３４、調整用鏡３６、及びエシェル( es
chelle )グレーティング３８を含む。鏡は、レーザの波
長を変えるために旋回する。
【００１０】改善されたスペクトル性能 発明者ら及び同僚作業者らは、２ｐｍ以内にレーザビー
ムのエネルギの 95 ％を有する、ＦＷＭＨにおいて 0.5
0 ｐｍのライン幅仕様に合致させ得るＫｒＦエキシマレ
ーザ装置を設計し、製造し、そして試験した。これらを
新しい、中間の、及び古い放電室において 80,000,000
パルスで実験した結果、普通の保守で、装置の通常寿命
にわたってこれらの仕様内でシステムが連続動作できる
ことを確かめた。これらの結果は、従来技術の狭帯域エ
キシマレーザ技術に対してほぼ 50 ％の改善を示してい
る。この改善された性能を達成するために、発明者ら
は、レーザ装置及びレーザの動作パラメータの両方を改
良した。
【００１１】フッ素消費の減少 発明者らが製造し、試験した本発明の好ましい実施形態
では、放電室からフッ素を消費させる材料を排除するこ
とに大きい注意を払った。放電室におけるフッ素消費
は、フッ素と室内の材料との反応に起因する。これらの
反応は、典型的には汚染物質を発生し、レーザ性能の劣
化を招く。フッ素消費を最小にするために、この好まし
い実施形態は以下の特定の特色を含んでいる。 (1)室壁は、ニッケルで被膜したアルミニウムである。 (2)電極は、真鍮である。 (3)シールには、全て金属Ｏリングを使用してある。 (4)絶縁体は、全てセラミック及びフッ素と化学反応し
ないものである。
【００１２】(5)アルミナが、出願者らの好ましい絶縁
体材料である。 (6)従来技術の設計のように、静電フィルタを設けて動
作中に発生する汚染物質を濾過する。 (7)シールされた従来技術を使用する放電室の外側に配
置した磁気的に結合された電動機を使用してファンユニ
ットを駆動する。 (8)製造中、部品を精密に清浄して潜在的な汚染を排除
する。 (9)組立て後、室をフッ素でパッシベートする。公称フッ素濃度の低下 この好ましい実施形態は、所望の極狭帯域出力を達成す
るために、レーザシステムの動作手順及びパラメータを
実質的に変える必要がある。フッ素濃度を 0.1％（ 30
ｋＰａ）から約 0.06 ％（ 18 ｋＰａ）まで低下させ
る。合計ガス圧は約 300ｋＰａである（Ｋｒ濃度は約
1.3％の従来技術のレベルに維持され、残余のレーザガ
スはネオンである）。動作中、フッ素は徐々に枯渇して
行く。従来の技術に従って、レーザ動作電圧を徐々に増
加させることによって一定のパルスエネルギが得られ
る。フッ素及びネオンの混合体を定期的に（典型的に
は、約１乃至４時間の間隔で）注入し、エキシマレーザ
分野においては公知の技術に従ってフッ素の枯渇を補
う。この手順中フッ素濃度を約 0.055％乃至 0.065％の
範囲内に維持し、動作電圧を一定のパルスエネルギを維
持するのに適切な対応範囲内に維持することが好まし
い。例えば、好ましい実施形態ではこの範囲は 770Ｖ乃
至790Ｖであった。
【００１３】出力カップラの反射率の増加 本発明のこの好ましい実施形態では出力カップラの反射
率を、従来技術の狭帯域エキシマレーザの典型である約
10 ％から、約 30 ％まで増加させてある。これは、フ
ッ素濃度の低下に基づくレーザ効率の損失を補うのを援
助するためになされたのである。フッ化カルシウムプリズムへの切り換え 出力カップラの反射率を 10 ％から 30 ％に変化させる
と、線狭めモジュールを通過する光がほぼ２倍になる効
果が得られる。従来技術の融解シリカプリズムではこの
付加的な照射によって付加的な熱が生成され、プリズム
に熱ひずみを生ずるようになる。この問題を解消するた
めに、融解シリカプリズムをフッ化プリズムに置換し
た。フッ化プリズムは、より高い熱伝導度を有し、受入
れられない程のひずみを生ずることなく、付加的なエネ
ルギを取扱うことができる。
【００１４】結果 本発明のこの実施形態に含まれる変更の結果を、図１
０、図１１、図１２及び図１３に示す。図１０は、動作
電圧、フッ素濃度、及びパルスエネルギの間の関係を示
している。このグラフは、所望の 10 ｍＪ／パルス出力
を維持するには、フッ素濃度が減少した時に電圧を増加
させなければならないことを示している。しかしなが
ら、この特定の実施形態では、動作電圧の上限は 800Ｖ
である。 10％Ｒ出力カップラを用いた場合、 10 ｍＪ
の出力に対応する最低フッ素濃度は 25 ｋＰａであり、
この点における動作電圧は 800Ｖまで上昇する。しかし
ながら、 30 ％Ｒ出力カップラを用いるとフッ素濃度を
約 20 ｋＰａまで低下させることができ、それでも 800
Ｖより僅かに低い動作電圧で 10 ｍＪパルスエネルギが
維持される。図１１は、 1000 Ｈｚの連続パルスの場合
と、 1000 Ｈｚ、500 パルスバーストの場合の両方のラ
イン幅（ＦＷＨＭ及び 95 ％パルスエネルギで測定）に
ついて、フッ素濃度を低下させた実際の試験結果を示し
ている。この特定の試験の場合、出力カップラは 25 ％
の反射率を有していた。従来技術のＫｒＦシステムの典
型的なレーザパルス形状と、極めて狭い帯域ＫｒＦレー
ザのレーザパルス形状とを、比較のためにそれぞれ図１
２及び図１３に示してある。極めて狭い帯域のレーザを
用いると、エネルギがパルスの後の部分へシフトし、こ
れは線狭めモジュールを通るより多くのトリップからの
利益を得た光子を表していることに注目されたい。
【００１５】波長及び帯域幅の測定 リトグラフィレーザ出力放射の中心波長は、ａ）ウェー
ハ面における合焦を維持するために、及びｂ）倍率の変
化を最小にするために、安定していなければならない。
しかしながら、中心波長のドリフトが焦平面安定度に与
える影響は、倍率が与える影響よりも大きい。パルスの
バーストの開始時の中心周波数の変動も重要である。以
下に、リトグラフィのための殆どのスペクトル要求を測
定する波長計を説明する。波長計は波長を測定し、ライ
ン狭帯化光学系（エタロンまたはグレーティング）を調
整して目標波長からのずれを補償する。生産リトグラフ
ィレーザのために使用される波長計は小型であり、しか
も良好な相対精度、小さい長期ドリフト、及び原子線を
参照しての良好な絶対精度の要求に合致しなければなら
ない。各場合の要求は、＜± 0.15 ｐｍである。更に、
波長測定は、周囲温度または圧力の変化に不感でなけれ
ばならない。また更に、波長計は± 0.15 ｐｍの精度で
スペクトル帯域幅（ＦＷＨＭ）を測定できるべきであ
る。一方、この波長計の動作範囲は比較的小さい 248.3
5 ± 0.30 ｐｍであることができる。
【００１６】波長は、グレーティング及びエタロンの組
合わせを使用して測定される。この波長計の概要レイア
ウトを図８に示す。グレーティング及びエタロンは、そ
れぞれ粗及び精測定のために使用される。グレーティン
グ分光計からの出力は 1024素子シリコンフォトダイオ
ードアレイの中心領域にイメージされ、一方エタロンか
らのフリンジパターンは２つの側上にイメージされる。
波長は、エタロンフリンジパターンの直径と、粗グレー
ティング出力の位置を測定することによって決定され
る。フリンジ直径の小さい変化は、波長の変化に比例す
る。波長変化がエタロンの自由スペクトル範囲（ＦＳ
Ｒ）より小さい場合には、エタロンはレーザの波長を追
跡することができる。エタロンの自由スペクトル範囲
（ＦＳＲ）（ 20 ｐｍ）より大きいレーザ波長ドリフト
の考え得る誤差または不一致を排除するために、粗グレ
ーティング測定が必要である。公知のように、エタロン
フリンジパターンは、そのＦＳＲの倍数によって分離さ
れた波長と同一である。
【００１７】波長計は、工場において、 248.3271 ｎｍ
に吸収ピークを有する中空陰極Ｎｅ−Ｆｅランプを参照
して較正される。経験によれば、これらの波長計は±
0.15ｐｍ以内で安定にすることができる。また周囲圧力
依存変化を排除するために、グレーティング及びエタロ
ンの両方を個々の加圧したハウジング内に収容する。温
度安定度は、極めて低い熱膨張率のエタロンスペーサを
使用し、エタロンハウジングを良好に熱管理することに
よって達成される。最後に、波長計から得た波長情報を
使用してライン狭帯化モジュール内のグレーティングへ
の照明角度を変化させることによって、レーザ波長を制
御する。これは図７に示す鏡３６を極めて僅かに旋回さ
せることによって行われる。この極狭帯域レーザを特定
の実施形態に関して説明したが、種々の適応及び変更を
考案することが可能であり、本発明は特許請求の範囲に
よってのみ限定されるものであることを理解されたい。
【図面の簡単な説明】
【図１】集積回路リトグラフィのために使用される従来
の技術の商用ＫｒＦエキシマレーザの主要要素を示す図
である。
【図２】ソリッドステートパルス電力回路の簡易回路図
である。
【図３】ソリッドステートパルス電力回路と、従来技術
のサイラトロンをベースとする回路の結果を比較するグ
ラフである。
【図４】パルス中の動作電圧のグラフである。
【図５】80,000,000パルス期間にわたる動作電圧及び帯
域幅の典型的な変動を示す図である。
【図６】従来のＫｒＦレーザを示す概略図である。
【図７】従来のライン狭帯化モジュールの主要要素を示
す概略図である。
【図８】従来のＫｒＦレーザにおいてどのようにしてレ
ーザの波長を制御するかを示す図である。
【図９】従来の商用ＫｒＦリトグラフィレーザを示す概
要図である。
【図１０】フッ素、動作電圧、及びパルスエネルギの間
の関係を示す図である。
【図１１】フッ素濃度と共に変化する線を示す図であ
る。
【図１２】従来技術のＫｒＦの典型的なレーザパルス形
状を示す図である。
【図１３】極狭帯域ＫｒＦの典型的なレーザパルス形状
を示す図である。
【符号の説明】
２ パルス電力モジュール ６ 電極 ８ 放電室 １０ タンジェンシャルブロアー １６ 出力カップラ １８ ライン狭帯化モジュール ２０ 波長計 ２２ コンピュータ制御ユニット ３０，３２，３４ プリズム ３６ 調整用鏡 ３８ グレーティング

Claims (4)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 極狭帯域ＫｒＦエキシマレーザにおい
    て、 Ａ．フッ素と化学反応を起こさない材料からなり、 （１）２つの細長い電極、 （２）少なくとも１つのプレイオナイザ、 （３）合計圧力を限定し、クリプトン、上記合計圧力の
    0.08 よりも低い分圧を有するフッ素、及び緩衝ガスと
    からなるレーザガス、を含むレーザ室と、 Ｂ．（１）少なくとも１つのビーム拡張プリズム、 （２）グレーティング、 （３）上記グレーティングを調整する調整手段、を備え
    ているライン狭帯化モジュールと、 Ｃ．少なくとも 25 ％の反射率を有する出力カップラ
    と、を備えていることを特徴とする極狭帯域ＫｒＦエキ
    シマレーザ。
  2. 【請求項２】 上記少なくとも１つのプリズムは、フッ
    化カルシウムからなる請求項１に記載の極狭帯域ＫｒＦ
    エキシマレーザ。
  3. 【請求項３】 上記少なくとも１つのプリズムは３つの
    プリズムであり、全てがフッ化カルシウムからなる請求
    項１に記載の極狭帯域ＫｒＦエキシマレーザ。
  4. 【請求項４】 上記フッ素の分圧は、上記合計ガス圧力
    の 0.06 ％よりも低い請求項１に記載の極狭帯域ＫｒＦ
    エキシマレーザ。
JP10113712A 1997-04-23 1998-04-23 極狭帯域ＫｒＦレーザ Pending JPH10308547A (ja)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US08/842305 1997-04-23
US08/842,305 US5835520A (en) 1997-04-23 1997-04-23 Very narrow band KrF laser

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPH10308547A true JPH10308547A (ja) 1998-11-17

Family

ID=25287022

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP10113712A Pending JPH10308547A (ja) 1997-04-23 1998-04-23 極狭帯域ＫｒＦレーザ

Country Status (5)

Country Link
US (1) US5835520A (ja)
JP (1) JPH10308547A (ja)
AU (1) AU7104698A (ja)
TW (1) TW364231B (ja)
WO (1) WO1998048494A1 (ja)

Cited By (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001168421A (ja) * 1999-12-07 2001-06-22 Komatsu Ltd 波長検出装置
JP2001358064A (ja) * 2000-02-29 2001-12-26 Cymer Inc マイクロリソグラフィのための制御技術
JP2002533939A (ja) * 1998-12-21 2002-10-08 サイマー， インコーポレイテッド エタロンベース出力カプラを備えた線狭帯域化ｆ２レーザ
JP2003008121A (ja) * 2001-06-21 2003-01-10 Mitsubishi Electric Corp 固体レーザ発振器
JP2003518757A (ja) * 1999-12-22 2003-06-10 サイマー， インコーポレイテッド 二方向ビーム拡大を用いた狭線化レーザ
JP2004140265A (ja) * 2002-10-18 2004-05-13 Gigaphoton Inc 狭帯域化レーザ装置
JP2004526334A (ja) * 2001-05-11 2004-08-26 サイマー，　インコーポレイテッド ４ＫＨｚガス放電レーザシステム
JP2012506634A (ja) * 2008-10-21 2012-03-15 サイマー インコーポレイテッド ２チャンバガス放電レーザにおけるレーザ制御の方法及び装置
JP2013503477A (ja) * 2009-08-25 2013-01-31 サイマー インコーポレイテッド 光源の能動スペクトル制御
JPWO2017094459A1 (ja) * 2015-12-01 2018-09-27 ギガフォトン株式会社 エキシマレーザ装置
JP2019505981A (ja) * 2015-12-21 2019-02-28 サイマー リミテッド ライアビリティ カンパニー 繰り返し率依存の性能変数のオンライン較正
JP2021500745A (ja) * 2017-10-24 2021-01-07 サイマー リミテッド ライアビリティ カンパニー レーザチャンバ内の電極の寿命を延ばす方法及び装置

Families Citing this family (94)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE19603637C1 (de) 1996-02-01 1997-07-31 Lambda Physik Gmbh Laser zur Erzeugung schmalbandiger Strahlung
US6331994B1 (en) * 1996-07-19 2001-12-18 Canon Kabushiki Kaisha Excimer laser oscillation apparatus and method, excimer laser exposure apparatus, and laser tube
US5982800A (en) * 1997-04-23 1999-11-09 Cymer, Inc. Narrow band excimer laser
US5991324A (en) * 1998-03-11 1999-11-23 Cymer, Inc. Reliable. modular, production quality narrow-band KRF excimer laser
US6128323A (en) * 1997-04-23 2000-10-03 Cymer, Inc. Reliable modular production quality narrow-band high REP rate excimer laser
US5856991A (en) 1997-06-04 1999-01-05 Cymer, Inc. Very narrow band laser
US6137821A (en) * 1997-06-04 2000-10-24 Cymer, Inc. Durable etalon based output coupler
US6330261B1 (en) 1997-07-18 2001-12-11 Cymer, Inc. Reliable, modular, production quality narrow-band high rep rate ArF excimer laser
US5978391A (en) * 1997-07-18 1999-11-02 Cymer, Inc. Wavelength reference for excimer laser
US6014398A (en) * 1997-10-10 2000-01-11 Cymer, Inc. Narrow band excimer laser with gas additive
US6529531B1 (en) * 1997-07-22 2003-03-04 Cymer, Inc. Fast wavelength correction technique for a laser
US6621846B1 (en) * 1997-07-22 2003-09-16 Cymer, Inc. Electric discharge laser with active wavelength chirp correction
US6757316B2 (en) * 1999-12-27 2004-06-29 Cymer, Inc. Four KHz gas discharge laser
WO1999019951A1 (en) * 1997-10-10 1999-04-22 Cymer, Inc. Narrow band excimer laser
JP4117856B2 (ja) * 1997-12-12 2008-07-16 株式会社小松製作所 狭帯域発振エキシマレーザ及びフッ化物プリズム
AU3293499A (en) * 1998-03-04 1999-09-20 Cymer, Inc. Reliable, modular, production quality narrow-band krf excimer laser
ES2196784T3 (es) * 1998-03-11 2003-12-16 Cymer Inc Sistema de longitud de onda para un laser excimer.
US6580517B2 (en) 2000-03-01 2003-06-17 Lambda Physik Ag Absolute wavelength calibration of lithography laser using multiple element or tandem see through hollow cathode lamp
US6160832A (en) 1998-06-01 2000-12-12 Lambda Physik Gmbh Method and apparatus for wavelength calibration
US7006541B2 (en) * 1998-06-01 2006-02-28 Lambda Physik Ag Absolute wavelength calibration of lithography laser using multiple element or tandem see through hollow cathode lamp
US6424666B1 (en) * 1999-06-23 2002-07-23 Lambda Physik Ag Line-narrowing module for high power laser
US6381256B1 (en) 1999-02-10 2002-04-30 Lambda Physik Ag Molecular fluorine laser with spectral linewidth of less than 1 pm
US6795473B1 (en) 1999-06-23 2004-09-21 Lambda Physik Ag Narrow band excimer laser with a prism-grating as line-narrowing optical element
US6476987B1 (en) 1999-08-04 2002-11-05 Lambda Physik Ag Excimer laser with line narrowing
US6490307B1 (en) 1999-03-17 2002-12-03 Lambda Physik Ag Method and procedure to automatically stabilize excimer laser output parameters
US6804285B2 (en) 1998-10-29 2004-10-12 Canon Kabushiki Kaisha Gas supply path structure for a gas laser
US6301284B1 (en) * 1999-02-01 2001-10-09 Cymer, Inc. Narrow band UV laser with visible light guide laser
US6546037B2 (en) 1999-02-10 2003-04-08 Lambda Physik Ag Molecular fluorine laser with spectral linewidth of less than 1 pm
US6389052B2 (en) 1999-03-17 2002-05-14 Lambda Physik Ag Laser gas replenishment method
US6421365B1 (en) 1999-11-18 2002-07-16 Lambda Physik Ag Narrow band excimer or molecular fluorine laser having an output coupling interferometer
US6965624B2 (en) 1999-03-17 2005-11-15 Lambda Physik Ag Laser gas replenishment method
US6463086B1 (en) 1999-02-10 2002-10-08 Lambda Physik Ag Molecular fluorine laser with spectral linewidth of less than 1 pm
US6678291B2 (en) 1999-12-15 2004-01-13 Lambda Physik Ag Molecular fluorine laser
US6393040B1 (en) 1999-02-24 2002-05-21 Lambda Physik Ag Molecular fluorine (F2) excimer laser with reduced coherence length
US6700915B2 (en) 1999-03-12 2004-03-02 Lambda Physik Ag Narrow band excimer laser with a resonator containing an optical element for making wavefront corrections
US6298080B1 (en) 1999-03-12 2001-10-02 Lambda Physik Ag Narrow band excimer or molecular fluorine laser with adjustable bandwidth
US6727731B1 (en) 1999-03-12 2004-04-27 Lambda Physik Ag Energy control for an excimer or molecular fluorine laser
US6714577B1 (en) 1999-03-17 2004-03-30 Lambda Physik Ag Energy stabilized gas discharge laser
US6515741B1 (en) 1999-03-17 2003-02-04 Lambda Physik Ag Optical device and method for line-narrowed excimer or molecular fluorine laser
DE29907349U1 (de) 1999-04-26 2000-07-06 Lambda Physik Gesellschaft zur Herstellung von Lasern mbH, 37079 Göttingen Laser zur Erzeugung schmalbandiger Strahlung
US6795474B2 (en) * 2000-11-17 2004-09-21 Cymer, Inc. Gas discharge laser with improved beam path
US6556612B2 (en) 1999-05-10 2003-04-29 Cymer, Inc. Line narrowed laser with spatial filter
WO2001001531A1 (en) * 1999-06-23 2001-01-04 Lambda Physik Ag Molecular fluorine laser with spectral linewidth of less than 1pm
US6785316B1 (en) 1999-08-17 2004-08-31 Lambda Physik Ag Excimer or molecular laser with optimized spectral purity
US6667804B1 (en) 1999-10-12 2003-12-23 Lambda Physik Ag Temperature compensation method for wavemeters
US6553050B1 (en) 1999-11-18 2003-04-22 Lambda Physik Ag Narrow band excimer or molecular fluorine laser having an output coupling interferometer
US6603788B1 (en) 1999-11-23 2003-08-05 Lambda Physik Ag Resonator for single line selection
US6628682B1 (en) * 1999-11-29 2003-09-30 Komatsu Ltd. Wavelength detection device for line-narrowed laser apparatus and ultra line-narrowed fluorine laser apparatus
US6532247B2 (en) * 2000-02-09 2003-03-11 Cymer, Inc. Laser wavelength control unit with piezoelectric driver
DE10190427T1 (de) 2000-01-25 2002-06-06 Lambda Physik Ag Energieüberwachungsvorrichtung für einen Fluormolekül-Laser
US6542243B2 (en) 2000-01-27 2003-04-01 Lambda Physik Ag Resonator optics monitoring method
US6735232B2 (en) * 2000-01-27 2004-05-11 Lambda Physik Ag Laser with versatile output energy
US7075963B2 (en) 2000-01-27 2006-07-11 Lambda Physik Ag Tunable laser with stabilized grating
US6650666B2 (en) 2000-02-09 2003-11-18 Cymer, Inc. Laser wavelength control unit with piezoelectric driver
US6597462B2 (en) 2000-03-01 2003-07-22 Lambda Physik Ag Laser wavelength and bandwidth monitor
US6941259B2 (en) * 2000-03-01 2005-09-06 Lamda Physik Ag Laser software control system
JP3775469B2 (ja) * 2000-03-15 2006-05-17 ウシオ電機株式会社 ＡｒＦエキシマレーザ装置、ＫｒＦエキシマレーザ装置及びフッ素レーザ装置
US6618403B2 (en) 2000-03-16 2003-09-09 Lambda Physik Ag Method and apparatus for compensation of beam property drifts detected by measurement systems outside of an excimer laser
US20010049618A1 (en) * 2000-03-23 2001-12-06 Rainer Patzel Method for allocating predictable costs for consumable items
US6834066B2 (en) 2000-04-18 2004-12-21 Lambda Physik Ag Stabilization technique for high repetition rate gas discharge lasers
US6862307B2 (en) 2000-05-15 2005-03-01 Lambda Physik Ag Electrical excitation circuit for a pulsed gas laser
US6577663B2 (en) 2000-06-19 2003-06-10 Lambda Physik Ag Narrow bandwidth oscillator-amplifier system
US6914919B2 (en) * 2000-06-19 2005-07-05 Cymer, Inc. Six to ten KHz, or greater gas discharge laser system
US6603789B1 (en) 2000-07-05 2003-08-05 Lambda Physik Ag Narrow band excimer or molecular fluorine laser with improved beam parameters
US6807205B1 (en) * 2000-07-14 2004-10-19 Lambda Physik Ag Precise monitor etalon calibration technique
US6721345B2 (en) 2000-07-14 2004-04-13 Lambda Physik Ag Electrostatic precipitator corona discharge ignition voltage probe for gas status detection and control system for gas discharge lasers
US6801561B2 (en) 2000-09-25 2004-10-05 Lambda Physik Ag Laser system and method for spectral narrowing through wavefront correction
US6747741B1 (en) 2000-10-12 2004-06-08 Lambda Physik Ag Multiple-pass interferometric device
US6771683B2 (en) * 2000-10-26 2004-08-03 Coherent, Inc. Intra-cavity beam homogenizer resonator
US6839372B2 (en) * 2000-11-17 2005-01-04 Cymer, Inc. Gas discharge ultraviolet laser with enclosed beam path with added oxidizer
US20050259709A1 (en) 2002-05-07 2005-11-24 Cymer, Inc. Systems and methods for implementing an interaction between a laser shaped as a line beam and a film deposited on a substrate
WO2002103766A1 (fr) * 2001-06-13 2002-12-27 Nikon Corporation Procede et systeme d'exposition au balayage, et procede de production d'un dispositif associe
US6998620B2 (en) 2001-08-13 2006-02-14 Lambda Physik Ag Stable energy detector for extreme ultraviolet radiation detection
US6963595B2 (en) * 2001-08-29 2005-11-08 Cymer, Inc. Automatic gas control system for a gas discharge laser
JP2003347627A (ja) * 2002-05-29 2003-12-05 Gigaphoton Inc 紫外線レーザ装置
US7741639B2 (en) * 2003-01-31 2010-06-22 Cymer, Inc. Multi-chambered excimer or molecular fluorine gas discharge laser fluorine injection control
US7277188B2 (en) 2003-04-29 2007-10-02 Cymer, Inc. Systems and methods for implementing an interaction between a laser shaped as a line beam and a film deposited on a substrate
US8379687B2 (en) 2005-06-30 2013-02-19 Cymer, Inc. Gas discharge laser line narrowing module
US7706424B2 (en) * 2005-09-29 2010-04-27 Cymer, Inc. Gas discharge laser system electrodes and power supply for delivering electrical energy to same
US20070071047A1 (en) * 2005-09-29 2007-03-29 Cymer, Inc. 6K pulse repetition rate and above gas discharge laser system solid state pulse power system improvements
US7679029B2 (en) 2005-10-28 2010-03-16 Cymer, Inc. Systems and methods to shape laser light as a line beam for interaction with a substrate having surface variations
US7317179B2 (en) 2005-10-28 2008-01-08 Cymer, Inc. Systems and methods to shape laser light as a homogeneous line beam for interaction with a film deposited on a substrate
US7321607B2 (en) * 2005-11-01 2008-01-22 Cymer, Inc. External optics and chamber support system
US7746913B2 (en) * 2005-11-01 2010-06-29 Cymer, Inc. Laser system
US7999915B2 (en) * 2005-11-01 2011-08-16 Cymer, Inc. Laser system
US7920616B2 (en) * 2005-11-01 2011-04-05 Cymer, Inc. Laser system
US20090296755A1 (en) * 2005-11-01 2009-12-03 Cymer, Inc. Laser system
JP5506194B2 (ja) * 2005-11-01 2014-05-28 サイマー インコーポレイテッド レーザシステム
US7885309B2 (en) * 2005-11-01 2011-02-08 Cymer, Inc. Laser system
US7778302B2 (en) * 2005-11-01 2010-08-17 Cymer, Inc. Laser system
JP5499432B2 (ja) * 2007-10-05 2014-05-21 ソニー株式会社 撮像装置
US9939732B2 (en) * 2015-10-27 2018-04-10 Cymer, Llc Controller for an optical system
JP6845255B2 (ja) 2016-12-05 2021-03-17 ギガフォトン株式会社 レーザ装置
CN112197293B (zh) * 2020-09-11 2022-07-12 北京动力机械研究所 一种用于加热器稳定燃烧的热沉筒形整流器

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4404366A (en) * 1980-05-06 1983-09-13 Miles Laboratories, Inc. Beta-galactosyl-umbelliferone-labeled hapten conjugates
JP2531788B2 (ja) * 1989-05-18 1996-09-04 株式会社小松製作所 狭帯域発振エキシマレ―ザ
US5559816A (en) * 1994-10-26 1996-09-24 Lambda Physik Gesellschaft Zur Herstellung Von Lasern Mbh Narrow-band laser apparatus
DE19603637C1 (de) * 1996-02-01 1997-07-31 Lambda Physik Gmbh Laser zur Erzeugung schmalbandiger Strahlung

Cited By (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002533939A (ja) * 1998-12-21 2002-10-08 サイマー， インコーポレイテッド エタロンベース出力カプラを備えた線狭帯域化ｆ２レーザ
JP2001168421A (ja) * 1999-12-07 2001-06-22 Komatsu Ltd 波長検出装置
JP2003518757A (ja) * 1999-12-22 2003-06-10 サイマー， インコーポレイテッド 二方向ビーム拡大を用いた狭線化レーザ
JP2001358064A (ja) * 2000-02-29 2001-12-26 Cymer Inc マイクロリソグラフィのための制御技術
JP2004526334A (ja) * 2001-05-11 2004-08-26 サイマー，　インコーポレイテッド ４ＫＨｚガス放電レーザシステム
JP2003008121A (ja) * 2001-06-21 2003-01-10 Mitsubishi Electric Corp 固体レーザ発振器
JP2004140265A (ja) * 2002-10-18 2004-05-13 Gigaphoton Inc 狭帯域化レーザ装置
JP2012506634A (ja) * 2008-10-21 2012-03-15 サイマー インコーポレイテッド ２チャンバガス放電レーザにおけるレーザ制御の方法及び装置
JP2013503477A (ja) * 2009-08-25 2013-01-31 サイマー インコーポレイテッド 光源の能動スペクトル制御
JPWO2017094459A1 (ja) * 2015-12-01 2018-09-27 ギガフォトン株式会社 エキシマレーザ装置
JP2019505981A (ja) * 2015-12-21 2019-02-28 サイマー リミテッド ライアビリティ カンパニー 繰り返し率依存の性能変数のオンライン較正
JP2021500745A (ja) * 2017-10-24 2021-01-07 サイマー リミテッド ライアビリティ カンパニー レーザチャンバ内の電極の寿命を延ばす方法及び装置

Also Published As

Publication number Publication date
TW364231B (en) 1999-07-11
WO1998048494A1 (en) 1998-10-29
US5835520A (en) 1998-11-10
AU7104698A (en) 1998-11-13

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JPH10308547A (ja) 極狭帯域ＫｒＦレーザ
JP3154977B2 (ja) 狭周波数帯エキシマレーザー
US5982800A (en) Narrow band excimer laser
US5856991A (en) Very narrow band laser
US6330261B1 (en) Reliable, modular, production quality narrow-band high rep rate ArF excimer laser
US5991324A (en) Reliable. modular, production quality narrow-band KRF excimer laser
US20030161374A1 (en) High-resolution confocal Fabry-Perot interferometer for absolute spectral parameter detection of excimer laser used in lithography applications
TW382850B (en) Multi-stage current feedback amplifier
KR100546483B1 (ko) 불안정한 공진공동을 가진 초 협대역 레이저
EP1060543B1 (en) MODULAR, NARROW-BAND KrF EXCIMER LASER
Sengupta Krypton fluoride excimer laser for advanced microlithography
KR100561950B1 (ko) 협대역 엑시머 레이저
Wani et al. Narrow-Band KrF Excimer Laser--Tunable And Wavelength Stabilized
Pflanz et al. Compact excimer laser light source for optical (mask) inspection systems
Sengupta et al. Parametric studies and the operating latitude of a spectrally narrowed KrF excimer laser for the deep-UV stepper
Huber et al. High-repetition-rate compact excimer laser: UV light source for metrology, inspection, direct writing, and material testing
Pflanz et al. Compact excimer laser: light source for optical (mask) inspection systems