JP3154977B2 - 狭周波数帯エキシマレーザー - Google Patents

狭周波数帯エキシマレーザー

Info

Publication number
JP3154977B2
JP3154977B2 JP28716298A JP28716298A JP3154977B2 JP 3154977 B2 JP3154977 B2 JP 3154977B2 JP 28716298 A JP28716298 A JP 28716298A JP 28716298 A JP28716298 A JP 28716298A JP 3154977 B2 JP3154977 B2 JP 3154977B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
laser
excimer laser
gas
fluorine
pulse
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Lifetime
Application number
JP28716298A
Other languages
English (en)
Other versions
JPH11191648A (ja
Inventor
イシハラ トシヒコ
ピー ダス パラシュ
ホフマン トーマス
アイ アーショフ アレクサンダー
Original Assignee
サイマー インコーポレイテッド
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Family has litigation
First worldwide family litigation filed litigation Critical https://patents.darts-ip.com/?family=25486194&utm_source=google_patent&utm_medium=platform_link&utm_campaign=public_patent_search&patent=JP3154977(B2) "Global patent litigation dataset” by Darts-ip is licensed under a Creative Commons Attribution 4.0 International License.
Priority claimed from US08/947,474 external-priority patent/US5982800A/en
Application filed by サイマー インコーポレイテッド filed Critical サイマー インコーポレイテッド
Publication of JPH11191648A publication Critical patent/JPH11191648A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP3154977B2 publication Critical patent/JP3154977B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Lifetime legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70008—Production of exposure light, i.e. light sources
    • G03F7/70025—Production of exposure light, i.e. light sources by lasers
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70008—Production of exposure light, i.e. light sources
    • G03F7/70041—Production of exposure light, i.e. light sources by pulsed sources, e.g. multiplexing, pulse duration, interval control or intensity control
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70483—Information management; Active and passive control; Testing; Wafer monitoring, e.g. pattern monitoring
    • G03F7/7055—Exposure light control in all parts of the microlithographic apparatus, e.g. pulse length control or light interruption
    • G03F7/70558—Dose control, i.e. achievement of a desired dose
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70483—Information management; Active and passive control; Testing; Wafer monitoring, e.g. pattern monitoring
    • G03F7/7055—Exposure light control in all parts of the microlithographic apparatus, e.g. pulse length control or light interruption
    • G03F7/70575—Wavelength control, e.g. control of bandwidth, multiple wavelength, selection of wavelength or matching of optical components to wavelength
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S3/00—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
    • H01S3/02—Constructional details
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S3/00—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
    • H01S3/02—Constructional details
    • H01S3/03—Constructional details of gas laser discharge tubes
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S3/00—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
    • H01S3/02—Constructional details
    • H01S3/03—Constructional details of gas laser discharge tubes
    • H01S3/036—Means for obtaining or maintaining the desired gas pressure within the tube, e.g. by gettering, replenishing; Means for circulating the gas, e.g. for equalising the pressure within the tube
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S3/00—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
    • H01S3/09—Processes or apparatus for excitation, e.g. pumping
    • H01S3/097—Processes or apparatus for excitation, e.g. pumping by gas discharge of a gas laser
    • H01S3/0971—Processes or apparatus for excitation, e.g. pumping by gas discharge of a gas laser transversely excited
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S3/00—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
    • H01S3/14—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range characterised by the material used as the active medium
    • H01S3/22—Gases
    • H01S3/223—Gases the active gas being polyatomic, i.e. containing two or more atoms
    • H01S3/225—Gases the active gas being polyatomic, i.e. containing two or more atoms comprising an excimer or exciplex
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S3/00—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
    • H01S3/05—Construction or shape of optical resonators; Accommodation of active medium therein; Shape of active medium
    • H01S3/08—Construction or shape of optical resonators or components thereof
    • H01S3/08004—Construction or shape of optical resonators or components thereof incorporating a dispersive element, e.g. a prism for wavelength selection
    • H01S3/08009—Construction or shape of optical resonators or components thereof incorporating a dispersive element, e.g. a prism for wavelength selection using a diffraction grating
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S3/00—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
    • H01S3/14—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range characterised by the material used as the active medium
    • H01S3/22—Gases
    • H01S3/223—Gases the active gas being polyatomic, i.e. containing two or more atoms
    • H01S3/225—Gases the active gas being polyatomic, i.e. containing two or more atoms comprising an excimer or exciplex
    • H01S3/2251—ArF, i.e. argon fluoride is comprised for lasing around 193 nm
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S3/00—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
    • H01S3/14—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range characterised by the material used as the active medium
    • H01S3/22—Gases
    • H01S3/223—Gases the active gas being polyatomic, i.e. containing two or more atoms
    • H01S3/225—Gases the active gas being polyatomic, i.e. containing two or more atoms comprising an excimer or exciplex
    • H01S3/2256—KrF, i.e. krypton fluoride is comprised for lasing around 248 nm

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、１９９７年４月２３日
出願の出願番号０８／８４２，３０５号極狭周波数帯Ｋ
ｒＦレーザーの一部継続出願である。本発明は、レーザ
ーに、より詳しくは狭周波数帯レーザーに関する。
【０００２】
【発明の背景】エキシマレーザーは、現今、集積回路リ
ソグラフィー産業にとって非常に有用な光源になりつつ
ある。先行技術による代表的なＫｒＦエキシマレーザー
を、図１及び図９に示す。パルスパワーモジュールＡＥ
は、放電室８内に配置された電極６に対して持続時間約
１００ｎｓの電気パルスを供給する。前記電極は長さが
約２８インチで、電極同士の間には約３／５インチの間
隔がとってある。リソグラフィーレーザーは約１，００
０Ｈｚという高いパルス繰返し数で作動するのが一般的
である。このため、レーザーガス（フッ素約０．１％、
クリプトン約１．３％、残りはバッファーガスとして機
能するネオン）を電極間の空間を通して循環させる必用
がある。レーザー放電室内に配置された横流送風機１０
がこれを行う。レーザーガスは、これもまた前記レーザ
ー放電室内に設けられた熱交換器で冷却される。商業用
エキシマレーザーシステムは、システムの他の部分を乱
すことなく迅速に取り替えができるいくつかのモジュー
ルから成るのが普通である。一般的モジュールを図２に
示すが、これには、 ・レーザー室８ ・パルスパワーモジュール２ ・出力カプラー１６ ・線狭化モジュール１８ ・波長計２０ ・コンピューター制御ユニット２２ ・周辺サポートサブシステム ・送風機１０ が含まれている。
【０００３】放電室は約３気圧の圧力で作動する。レー
ザーは約６００Ｈｚ乃至１，０００Ｈｚで、パルス当り
エネルギーが約１０ｍＪ、そしてレーザーパルスの持続
時間が約１５ｎｓというパルスモードで作動する。この
ように、レーザービームの平均パワーは約６乃至１０ワ
ットで、パルスの平均出力は約７００ＫＷの範囲にあ
る。代表的作動モードは、「バーストモード」作動と称
されるモードである。このモードでは、レーザーは毎秒
１，０００パルスの速さで約５０乃至１５０パルスの
「バースト」を生み出す。このように、バーストの持続
時間は約５０乃至１５０ミリ秒である。先行技術のリソ
グラフエキシマレーザーは、出力パルスエネルギーを測
定して自動的に放電圧を調整し、所要の（通常一定の）
出力パルスエネルギーを維持するフィードバック電圧制
御回路を備えている。出力パルスエネルギーを所要レベ
ルに正確に制御することは極めて重要である。
【０００４】３００ｎｍを下回る波長では、チップリソ
グラフィー用に使用されるステッパーレンズの構築に利
用できる適性光学物質がただ１つしかないことは良く知
られている。この物質は石英ガラスである。石英ガラス
だけでできたステッパーレンズは色度修正性能を有して
いない。ＫｒＦエキシマレーザーは約３００ｐｍの自然
帯域幅（全幅半値）を有する。ステッパー或いはスキャ
ナー何れかの屈折システム（ＮＡ＞０．５）について
は、この帯域幅は１ｐｍ未満に縮小されなくてはならな
い。現在利用できる先行技術による商業用レーザーシス
テムでは、約０．８ｐｍ（０．０００８ｎｍ）の帯域幅
で公称波長約２４８ｎｍのＫｒＦレーザービームを提供
可能である。最良の商業用レーザーでの波長安定性は約
０．２５ｐｍである。これらのパラメーターを用いて、
ステッパーメーカーは約０．３ミクロンの集積回路解像
度を達成するステッパー機器を提供することができる。
解像度を向上させるには、さらに狭い帯域幅が必要にな
る。例えば、帯域幅を０．６ｐｍ以下に下げると、解像
度を０．２５ミクロン以下に向上させることができる。
【０００５】周知のように、エキシマレーザー混合ガス
に極少量の酸素を加えるとレーザーの効率と性能を安定
させることができる。米国特許５，３０７，３６４号を
例として参照されたい。従って、集積回路リソグラフィ
ー機器の実際の性能は、その運転寿命を通じてレーザー
の帯域幅を最小に維持することに大いに依存している。
このため、工場での長期間の稼働に耐えることができ、
且つ、パルスエネルギー、波長、帯域幅を正確に制御で
きる、製造品質信頼性の高い、エキシマレーザーシステ
ムが必要とされている。
【０００６】
【発明の概要】本発明は、エネルギー線量制御と再現性
が向上した、約５００乃至２０００Ｈｚの範囲の速さで
パルスを生成することのできる、極狭周波数帯パルスエ
キシマレーザーを提供する。パルスのバースト開始後１
回のガス循環時間に発生する先行技術によるバーストモ
ードの 「スラグ効果」は、微量の酸素を加えることで
排除できる。好適実施例では、フッ素の分圧を０．１０
パーセント未満に抑え、且つ出力カプラーの反射を２５
パーセント以上に上げることにより、極狭帯域幅を実現
している。好適実施例では、先行技術の線狭化モジュー
ルに使用されている先行技術による石英ガラスビーム膨
張プリズムは、フッ化カルシウムプリズムに置き換えら
れている。
【０００７】
【実施例】本発明の好適実施例を以下に説明する。集積
回路リソグラフィーで今日使用されているタイプの商業
用エキシマレーザーシステムの主要要素を図１に示す。 「放電室」放電室１０は容器であり、数気圧の腐食性ガ
スを保持する設計になっている。これらの容器はアメリ
カ機械学会が指定するような周知の安全基準に合わせて
設計される。放電域は１．２乃至２．５ｃｍの間隔で離
れている２つの電極により定義される。陰極は高電圧に
接続されているので絶縁構造体に支持されており、他方
陽極は大地電位にあるので金属の放電室に付けられてい
る。放電域のどちらか一方側にあるコロナ放電プリイオ
ン化装置がプリイオン化を行う。ガスの腐食性質のせい
で、放電室はフッ素の攻撃に抵抗するため特殊な金属を
選択して使用している。しかしながらフッ素ガスは、依
然、壁や電極など放電室の内部部位と反応して、フッ素
を消耗しフッ素に汚染された金属を生成してしまう。
【０００８】レーザーはパルス状に送られる（５００乃
至２０００Ｈｚ）ので、パルスとパルスの間に放電域を
きれいにすることが必須であり、外側の駆動源に磁気連
結された横流送風機がこの役目を行うことが望ましい。
放電室内の水冷フィン付き熱交換器という手段により、
レーザーガスから熱が抜き取られる。図示されていない
が静電収塵器という手段により、フッ化金属塵がトラッ
プされる。少量のレーザーガスを放電室から抽出し、負
の電圧をかけられた高フィールド線に流して塵をトラッ
プする。それから、無塵ガスがウインドウ上に放たれそ
れらを清潔にする。ガスは、高速な流れによってレーザ
ー室内に起こる差動圧力を利用して収塵器内を流され
る。 「パルスパワーモジュール」本好適実施例では、図２に
示す固体パルス発振式パワーモジュール（ＳＳＰＰＭ）
回路を使用している。先行技術のサイラトロンシステム
の２０ＫＶ電源が１ｋＶ電源に置き換えられている。サ
イラトロンスイッチも置き換えられて、Ｃpを直接フィ
ードしないが、代わりにＣ0 のエネルギーを、Ｃ1 、Ｃ
2 、Ｃ3 、昇圧変圧器、及び３つの可飽和誘導子により
形成されるパルス圧縮回路にスイッチするＳＣＲスイッ
チになっている。この回路は次のように作動する。Ｃ0
に蓄えられたＤＣ電荷はＳＣＲ及び誘導子Ｌ0 を通過し
Ｃ1 にスイッチされる。可飽和誘導子Ｌ1 はＣ1 の電圧
を約２．５秒遅延させ、それから伝導させるので、Ｃ1
からＣ2 へと電荷が送られる。第２可飽和誘導子Ｌ2 は
Ｃ2 の電圧を約５００ｎｓ遅延させ、それから１対２０
昇圧変圧器の１次側を通ってＣ2 の電荷が流れるように
する。昇圧変圧器の出力は、可飽和誘導子Ｌ3 が約１０
０−１５０ｎｓで伝導できるようになる迄、Ｃ3 に蓄え
られる。電荷は最終的にＬ3 を通ってＣpへと送られ、
レーザー放電が起きる。図３下部に示すＣp の電圧波形
は、ＳＲＣの波形がほとんど或いは全くアフターリンギ
ングを呈さない点を除いて、同等のサイラトロン開閉式
パルス発振パワーモジュールが生成する波形と非常に良
く整合している。ＳＳＰＰＭは複雑化するけれども、高
価で寿命の短いサイラトロンを取り除くことで穴埋めさ
れる。ＳＳＰＰＭの付加的且つ重要な特性は、図４に示
すようにレーザー室から反射されるエネルギーのリカバ
リーである。ＳＳＰＰＭを使用すると、インピーダンス
不整合のせいでレーザー室に反射されたエネルギーは、
ＳＳＰＰＭとレーザー室の間でもはや前後方向にリンギ
ングすることはない。ＳＳＰＰＭ回路は、この反射され
たエネルギーをわざわざ戻してパルス形成ネットワーク
を通してＣ0 へと伝送できるよう設計されている。前記
エネルギーがＣ0 上へとリカバリーされると、ＳＣＲは
回路を閉じて、このとらえられたエネルギーが確実にＣ
0 上に留まるようにする。このように、作動電圧、ガス
混合、或いは室の状態に関わらず、レーザー電極を横切
る電圧の波形は綿密にチューニングされたシステムの挙
動を呈している。この性能はどんなレーザー作動状況下
でも維持される。 「スペクトルの狭化」先に述べたように、空走ＫｒＦエ
キシマレーザーの帯域幅（ＦＷＨＭ）は約３００ｐｍで
ある。現在エキシマステッパーは、レンズのＮＡにもよ
るが、ＦＷＨＭ０．８から３ｐｍの間までスペクトルを
狭くしたレーザーを使用している。ここで留意されるべ
き点は、積分されたエネルギースペクトルと９５％エネ
ルギーでのスペクトル幅がＦＷＨＭ値よりもステッパー
性能にとっては重大であるということだ。しかしなが
ら、ほとんどのユーザーが、９５％エネルギーにおける
スペクトル幅の代わりにＦＷＨＭについて言う方が便利
だとしている。
【０００９】ＫｒＦレーザーのスペクトル狭化は、パル
ス持続時間が短い（１０乃至１５ｎｓＦＷＨＭ）ことと
ＵＶ波長のせいで複雑になる。短いパルスは非常に高い
腔内パワー（〜１ＭＷ／ｃｍ2)を生む結果となり、短い
波長は２４８ｎｍでの高い吸収係数により熱で光学材質
にひずみをもたらす。また、代表的なレーザーが、共振
器（線狭化光学要素を含む）を通過して往復移動する総
回数が約３乃至４と小さい。共振器を通過する１回のパ
ス線幅をΔλ1 と表すと、ｎ回パス後の最終的な線幅Δ
λf は、
【００１０】
【数１】 となる。従って、光学システムの１回のパス線幅は、大
きくても、最終的な線幅より高い２の因数であるはず
だ。実際、出願人の同僚による時間分析されたスペクト
ル測定では、スペクトルの線幅がパルスの開始からパル
スの終わりまで２の因数で下がることが示されている。
ゆえに、光学システムにおける広帯域スペクトルから線
狭化スペクトル（例：３００ｐｍから１ｐｍ以下まで）
への変換効率は非常に高い。ＫｒＦレーザー線狭化の一
般的な技術は波長を分散させる光学要素を共振器に導入
することである。３つのタイプの分散要素、すなわちプ
リズム、エタロン、格子が利用できる。リトロー型配列
で高度な分散格子を使用するのが最も簡単且つ最も効果
的なスペクトル線狭化手法である。格子は分散要素であ
るので、線幅はビーム広がりに比例する。線幅を狭くす
るには、小さなビーム広がりが要求される。ゆえに、２
スリット３プリズム式ビーム膨張器がレーザー共振器に
入れられる。理想的な線狭化モジュールの主な要素を図
７に示す。この中には３つのプリズム３０、３２、３
４、チューニング鏡３Ｃ、エシェル格子３８が含まれて
いる。鏡はレーザーの波長を変更できるよう軸支持され
ている。 「改良されたスペクトル性能」出願人とその同僚たち
は、２ｐｍ以内のレーザービームのエネルギーの９５％
でＦＷＨＭでの線幅の仕様を０．５０ｐｍに合わせるこ
とのできるレーザーＫｒＦエキシマレーザー機器を設計
し、製造し、そしてテストした。これらの結果が新し
い、ある程度古い、古い、の３つの放電室で８億パルス
の間立証され、通常のメンテナンスをすれば普通の寿命
期間にわたり前記の仕様範囲内で継続して性能を発揮で
きることが証明されている。上記の結果は、先行技術に
よる狭周波数帯エキシマレーザー技術を約５０％向上さ
せたことを表している。
【００１１】このような性能向上を達成させるために、
出願人はレーザー機器とレーザーの作動上のパラメータ
ーの両方に改良を加えている。 「フッ素消耗の低減」出願人により製造されテストされ
てきた本発明の好適な実施例では、放電室からフッ素を
消耗させる物質を除去するために細心の注意が払われ
た。放電室のフッ素消耗は、フッ素が室内の物質と反応
するために起こる。これらの反応は一般的に汚染物を生
成し、その結果レーザー性能を劣化させてしまう。フッ
素消耗を最低限に抑えるために、本好適実施例は次のよ
うな特徴を有している。 ・室壁がニッケルコーティングされたアルミニウムであ
る。 ・電極棒が真鍮である。
【００１２】・全体が金属でできたＯ型リングをシール
として使用する。 ・絶縁体は全体がセラミックでできており、フッ素と共
存できる。 ・アルミナは出願人が好む絶縁体素材である。 ・作動中の汚染物をろ過するための先行技術の設計に該
当するものとして、静電フィルターが提供される。 ・先行技術の手法を利用した密閉された放電室の外側に
置かれ、磁気で連結されたモーターを使用してファンユ
ニットを駆動する。 ・製造中、可能性のある汚染物を取り去るために部品は
綿密に清潔にされる。 ・組み立て後、室はフッ素で不動態化される。 「公称フッ素濃度の低減」 本好適実施例では、所要の非常に狭い周波数帯出力を実
現させるために、作動手順とレーザーシステムのパラメ
ーターにおいて根本的な変更が要求される。フッ素濃度
は０．１％（３０ｋＰａ）から約０．０６％（１８ｋＰ
ａ）へと下げられる。総ガス圧は約３０ｋＰａである。
（Ｋｒ濃度は先行技術のレベル約１．３％に保たれ、残
りのレーザーガスはネオンである。）作動中、フッ素は
徐々に使い果たされる。先行技術の手法でレーザー作動
電圧を徐々に上げていくことにより、一定のパルスエネ
ルギーが得られる。フッ素とネオンの混合ガスの注入が
周期的（約１乃至４時間の間隔が代表的）に行われ、エ
キシマレーザーの先行技術における周知の手法により消
耗されたフッ素を補う。この操作の間、フッ素濃度を約
０．０５５％から０．０６５％の間の範囲に維持するの
が望ましく、作動電圧は一定のパルスエネルギーを適正
に維持できる範囲に相当する範囲内に保つ。例えば、あ
る好適な実施例ではこの範囲は７７０Ｖ乃至７９０Ｖで
あった。 「出力カプラーの反射率上昇」 本発明の前記好適実施例において、出力カプラーの反射
率は、先行技術の狭周波数帯エキシマレーザーの典型で
ある約１０％から約３０％へと上昇している。このこと
は、フッ素濃度の低下に起因するレーザー効率の損失を
埋め合わせる手助けをするために行う。 「フッ化カルシウムプリズムへの切り換え」 出力カプラーの反射率が１０％から３０％へと変わった
ことは、線狭化モジュールを通過する光が約倍になると
いう効果をもたらした。この追加的照射により生成され
る付加熱によって、先行技術の石英ガラスプリズムには
熱による歪みが引き起こされた。この問題を解決するた
めに、石英ガラスプリズムはフッ化カルシウムプリズム
に置き換えられた。フッ化カルシウムはより高い熱伝導
性を有しており、容認できない歪みを生じることなく付
加エネルギーを処理できた。 「バーストモード作動」 本明細書の発明の背景の項で説明したように、ＫｒＦレ
ーザーの一般的な作動モードは、毎秒１０００パルスの
速さで約１２５パルスのバーストが生成される「バース
トモード」である。バーストは約１２５ミリ秒持続し、
通常バーストとバーストの間に１秒の何分の１かの「デ
ッドタイム」がある。出願人のＫｒＦレーザーは、約
０．０１７立方メートルのレーザーガスを含み、送風機
１０が作り出す電極間のガスの流量は毎秒約０．２２８
立方メートルである。これは、総ガス循環時間が約７５
ミリ秒であることを意味しているが、室内の流れは決し
て一様ではなく、１部のガスは非常に速く循環する。電
極間のガスの速度は毎秒約２０メートルであり、出願人
は最も早いガスは約２０ミリ秒で１循環するであろうと
推察している。出願人は、バーストの第１のパルス或い
は最初の数パルスが「スラグ効果」を起こすことを発見
している。このスラグ効果は図１３に示しているが、５
０バーストで平均をとった１２３パルスという典型的な
バーストの１２３パルスの各々に対するパルスエネルギ
ーのプロットである。１番目のパルス後に大幅な落ち込
みがあり、２１番目のパルスすなわち１番目のパルスか
ら約２１ミリ秒後にもう１つの大きな落ち込みがある。
この落ち込みは極めて再現性が高く、落ち込みのタイミ
ングはファンの速度に比例する。このように最初の４０
秒間に非常に再現性の高い不規則な現象を起こす原因が
何か、出願人は正確には解明してはいないが、それが
「スラグ効果」であると確認しており、電極の間を通る
「クリーン」なレーザーガスが、１番目のパルス或いは
最初の数パルスの間に２０，０００ボルトの電圧衝撃が
加えられる時に発生する化学的作用に帰するものである
と考えている。最初の３０ミリ秒間に電極の間を通るガ
スは実質的に完全に「クリーン」なガスであるが、約２
０ミリ秒後、第１番目のパルスの間に電気にさらされた
ガスが電極の間に戻り始める。バーストに入って約３９
ミリ秒後、レーザー内のガスは全体的に混ぜ合わされ、
スラグ効果は消滅する。 「結果」 フッ素減少 図１０に、作動電圧、フッ素濃度、及びパルスエネルギ
ーの関係を示す。このグラフはフッ素濃度が低下するに
つれ、パルス毎の１０ｍＪという所要出力を維持するた
めには電圧を上げなければならないことを示している。
しかしながら、この特定の実施例では、作動電圧の上限
は８００ボルトである。１０％Ｒの出力カプラーでは、
１０ｍＪの出力に対応する最低フッ素濃度は２５ｋＰａ
となり、作動電圧が８００ボルトに上がってしまう点に
留意されたい。しかしながら、３０％Ｒの出力カプラー
では、フッ素濃度は約２０ｋＰａぐらいまで低くするこ
とができ、８００ボルトからわずかに低い作動電圧で１
０ｍＪのパルスエネルギーをなお維持している。図１１
は、１０００Ｈｚでの連続パルスと１０００Ｈｚでの５
００パルスバーストの双方について（ＦＷＨＭと９５％
のパルスエネルギーで測定した）線幅に対して、フッ素
濃度を減少させた実際のテスト結果を示している。この
テストでは、出力カプラーに２５％の反射率を持たせ
た。先行技術によるＫｒＦシステムと本狭周波数帯Ｋｒ
Ｆレーザーそれぞれの典型的なレーザーパルスの形状
を、図１２Ａと図１２Ｂで比較している。非常に狭い周
波数帯のレーザーを用いると、エネルギーがパルスの後
続部にシフトされるが、これは光子が線狭化モジュール
を通ってより回数を多く往復移動できるようになったこ
とを表している。この結果レーザーの積分されたパルス
スペクトル線幅が縮小した。 酸素追加−スラグ効果の低減 図１４及び図１５は、レーザーガスに微量の酸素を加え
た場合のスラグ効果を示している。バーストに入って約
２２乃至３５ミリ秒でエネルギー減少の発生が著しく低
減していることが図１４から分かる。図１５は、約２５
乃至４９ｐｐｍの範囲で酸素を加えると、３−シグマ偏
差もまた驚くほど減少することを示している。 フッ化アルゴンレーザー−ガス再充填シンドロームの排
除 出願人は、酸素を加えると極狭周波数帯ＡｒＦレーザー
の性能も改良できることを発見した。出願人は、いわゆ
るガス補充シンドロームを確認している。出願人は、Ａ
ｒＦ極狭周波数帯レーザーのガス交換直後にレーザー性
能が非常に劣化して、パルスエネルギーが相当量減少す
ることを発見している。しかしながら、一晩おくと翌朝
にはレーザーは仕様範囲内で作動する。
【００１３】２乃至３ｐｐｍという極微量の酸素を加え
ると、このガス再充填シンドロームを排除できた。この
ように、極狭周波数帯ＡｒＦエキシマレーザーに対する
理想的なガス合成は、 ・アルゴン３．５％ ・フッ素０．１％ ・２−３ｐｐｍの酸素 ・残りは３気圧までネオン となる。さらに酸素の量を追加して加えたが、追加量が
５ｐｐｍを越えても追加による有利な実質的な効果は見
られなかった。 波長と帯域幅の測定 リソグラフィーレーザー出力放射の中心波長は、ａ）ウ
エハ平面の焦点を維持し、且つｂ）倍率の変化を最小化
するために、安定していなければならない。中心波長に
におけるドリフトは、倍率よりもより焦点面の安定に深
刻な影響を及ぼす。パルスのバースト開始時の中心波長
の変化も重要である。以下の項では、リソグラフィーに
関するスペクトル要件のほとんどを測定する波長計につ
いて説明する。前記波長計は波長を測定し、且つ線狭化
光学器（エタロン或いは格子）をチューニングして目標
波長からの偏差を補正する。
【００１４】生産用リソグラフィーレーザーに使用され
る波長計はコンパクトでなくてはならず、さらに、相対
的正確さが良好で、長期間でのずれが小さく、且つ原子
線に関して絶対精度が良好であるという要件に合致して
いなければならない。各事例における要件は＜±０．１
５ｐｍである。さらに波長測定は雰囲気中の温度や気圧
の変化に左右されないことが必要である。加えて、波長
計はスペクトルの帯域幅（ＦＷＨＭ）を±０．１５ｐｍ
の精度で測定できなければならない。一方、前記波長計
の作動範囲は比較的小さく２４８．３５±０．３０ｎｍ
でよい。波長は、格子とエタロンの組み合わせを利用し
て測定される。この波長計の概略配置図を図８に示す。
格子とエタロンはそれぞれ粗測定と精密測定に使用され
る。格子スペクトロメーターからの出力は、１０２４エ
レメントシリコンフォトダイオードアレーの中央域に像
を結び、一方エタロンからのフリンジパターンは２つの
側に像を結ぶ。エタロンのフリンジパターンの直径と粗
い格子出力の位置を測定することにより波長が求められ
る。
【００１５】フリンジ直径のわずかな変化は波長の変化
に比例する。エタロンの重ならないスペクトル範囲（Ｆ
ＳＲ）より小さい波長変化に関して、エタロンはレーザ
ーの波長をトラッキングすることが可能である。エタロ
ンの重ならないスペクトル範囲（ＦＳＲ)(２０ｐｍ）を
上回るレーザー波長のドリフトにおける起こりうるエラ
ー或いは矛盾を排除するためには、粗格子測定が必要で
ある。周知のように、エタロンフリンジパターンは、そ
のＦＳＲの倍数により分離された波長に対しては全く一
致する。波長計は、２４８．３２７１ｎｍに吸収ピーク
を有する中空のカソードＮｅ−Ｆｅランプに関して、工
場で較正される。これら波長計は±０．５ｐｍ以内まで
に安定させうることが経験上はっきりしている。更に、
雰囲気圧に依存して起こる変化を排除するために、格子
とエタロンは両方とも各々加圧された容器に入れられ
る。熱膨張係数が非常に低いエタロンスペーサーを使用
し、エタロンの容器の温度管理を良くすることにより、
温度を安定させることができる。
【００１６】最終的に、波長計から得られる波長情報
は、線狭化モジュールの格子上の放射角度を変えること
によりレーザー波長を制御するために使用される。図７
に示すわずかに軸支持回転する鏡３６がこれを行う。限
定した実施例に関して前記極狭周波数帯レーザーを説明
してきたが、本発明に対し種々の応用や変更がなされる
であろうと認識されたい。例えば、酸素源は純酸素若し
くは米国特許５，３０７，３６４号に記された酸素のど
れでも良い。また、酸素源は室環境の中に入れられる酸
化アルミニウムまたはカリウムのような固体であっても
よく、酸素放出は温度で制御することもできる。従っ
て、本発明の範囲は付随の請求項及びそれらと法的に同
等のものによってのみ限定されるものである。
【図面の簡単な説明】
【図１】集積回路リソグラフィーに使用される先行技術
による商業用ＫｒＦエキシマレーザーの主要要素を示す
図である。
【図２】固体パルスパワー回路の概略電気機器配置図で
ある。
【図３】固体パルスパワー回路の結果と先行技術による
サイラトロンベース回路の結果を比較したグラフであ
る。
【図４】パルスの間の作動電圧のグラフである。
【図５】８億パルスの間を通しての作動電圧と帯域幅の
代表的な変化を示している。
【図６】ＫｒＦレーザーシステムの概略図である。
【図７】線狭化モジュールの主要要素の略図である。
【図８】レーザーの波長がどのように制御されるかを示
している。
【図９】先行技術による商業用ＫｒＦリソグラフィーレ
ーザーの図である。
【図１０】フッ素、作動電圧、及びパルスエネルギーの
間の関係を示している。
【図１１】フッ素濃度に対する線幅の変化を示してい
る。
【図１２Ａ】図示したフッ素濃度でのパルスの形状を示
している。
【図１２Ｂ】図示したフッ素濃度でのパルスの形状を示
している。
【図１３】放電室に酸素が無い状態でのバーストモード
作動中の最初の１２５パルスの間の平均パルスエネルギ
ーを示す図であり、５０バーストのデータから平均を出
している。
【図１４】図１３と同様の図であり、酸素を０ｐｐｍ、
２５ｐｐｍ、４９ｐｐｍにした場合の平均パルスエネル
ギーを示している。
【図１５】図１４に示すデータの３−シグマ統計を示す
線図である。
【符号の説明】
２．．．パルスパワーモジュール ６．．．電極 ８．．．レーザー室 １０．．．送風機 １６．．．出力カプラー １８．．．線路狭化モジュール ２０．．．波動メーター ２２．．．コンピューターコントローラー ３０、３２、３４．．．プリズム ３６．．．鏡 ３８．．．格子
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 トーマス ホフマン アメリカ合衆国 カリフォルニア州 92111 サン ディエゴ フルトン ス トリート 7418 (72)発明者 アレクサンダー アイ アーショフ アメリカ合衆国 カリフォルニア州 92127 サン ディエゴ メドー フラ ワー プレイス 11344 (56)参考文献 特開 平６−338649（ＪＰ，Ａ) 米国特許5307364（ＵＳ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) H01S 3/223 - 3/225 H01S 3/1055

Claims (7)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 A.フッ素と共存できる材料からなるレー
    ザーチャンバであって、 （１）２つの長い電極と、 （２）少なくとも１つのプレイオン化装置と、 （３）全圧を定めるものであって、かつ、希ガス、フッ
    素、バッファガス、及び酸素からなり、該フッ素が０．
    １パーセント未満の濃度を有し、該酸素が２ないし５pp
    mの濃度を有するレーザーガスを、含有するレーザーチ
    ャンバと、 B.（１）少なくとも１つのビーム拡張プリズムと、 （２）格子と、 （３）該格子をチューニングするためのチューニング手
    段と、からなる線狭化モジュールと、 C.２５％より大きい反射率を有する出力カプラーと、 からなる極狭周波数帯エキシマレーザー。
  2. 【請求項２】 前記希ガスがクリプトンであることを特
    徴とする請求項１に記載の極狭周波数帯エキシマレーザ
    ー。
  3. 【請求項３】 前記希ガスがアルゴンであることを特徴
    とする請求項１に記載の極狭周波数帯エキシマレーザ
    ー。
  4. 【請求項４】 前記少なくとも１つのプリズムがフッ化
    カルシウムからなることを特徴とする請求項１に記載の
    極狭周波数帯エキシマレーザー。
  5. 【請求項５】 前記少なくとも１つのプリズムがすべて
    フッ化カルシウムからなる３つのプリズムであることを
    特徴とする請求項１に記載の極狭周波数帯エキシマレー
    ザー。
  6. 【請求項６】 前記フッ素の分圧が全ガス圧の０．０６
    パーセント未満であることを特徴とする請求項１に記載
    の極狭周波数帯エキシマレーザー。
  7. 【請求項７】 前記エキシマレーザーがArFエキシマレ
    ーザーであることを特徴とする請求項１に記載の極狭周
    波数帯エキシマレーザー。
JP28716298A 1997-10-10 1998-10-09 狭周波数帯エキシマレーザー Expired - Lifetime JP3154977B2 (ja)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US08/947,474 US5982800A (en) 1997-04-23 1997-10-10 Narrow band excimer laser
US08/947474 1997-10-10

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPH11191648A JPH11191648A (ja) 1999-07-13
JP3154977B2 true JP3154977B2 (ja) 2001-04-09

Family

ID=25486194

Family Applications (2)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP28716298A Expired - Lifetime JP3154977B2 (ja) 1997-10-10 1998-10-09 狭周波数帯エキシマレーザー
JP10289794A Expired - Fee Related JP3046955B2 (ja) 1997-10-10 1998-10-12 ガス添加剤を含む狭帯域エキシマレーザー

Family Applications After (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP10289794A Expired - Fee Related JP3046955B2 (ja) 1997-10-10 1998-10-12 ガス添加剤を含む狭帯域エキシマレーザー

Country Status (9)

Country Link
US (1) US6014398A (ja)
EP (2) EP1021856B1 (ja)
JP (2) JP3154977B2 (ja)
KR (2) KR100504073B1 (ja)
AU (2) AU9113198A (ja)
DE (2) DE69819547T2 (ja)
ES (1) ES2226175T3 (ja)
TW (2) TW382842B (ja)
WO (1) WO1999019952A1 (ja)

Families Citing this family (63)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6128323A (en) * 1997-04-23 2000-10-03 Cymer, Inc. Reliable modular production quality narrow-band high REP rate excimer laser
US6188710B1 (en) * 1997-10-10 2001-02-13 Cymer, Inc. Narrow band gas discharge laser with gas additive
US6580517B2 (en) 2000-03-01 2003-06-17 Lambda Physik Ag Absolute wavelength calibration of lithography laser using multiple element or tandem see through hollow cathode lamp
US7006541B2 (en) * 1998-06-01 2006-02-28 Lambda Physik Ag Absolute wavelength calibration of lithography laser using multiple element or tandem see through hollow cathode lamp
US6160832A (en) 1998-06-01 2000-12-12 Lambda Physik Gmbh Method and apparatus for wavelength calibration
US6490307B1 (en) 1999-03-17 2002-12-03 Lambda Physik Ag Method and procedure to automatically stabilize excimer laser output parameters
US6424666B1 (en) 1999-06-23 2002-07-23 Lambda Physik Ag Line-narrowing module for high power laser
US6792023B1 (en) * 1998-06-04 2004-09-14 Lambda Physik Ag Method and apparatus for reduction of spectral fluctuations
US6526085B2 (en) * 1998-10-05 2003-02-25 Lambda Physik Ag Performance control system and method for gas discharge lasers
US6269110B1 (en) 1998-10-05 2001-07-31 Lambda Physik Ag Internal wavelength calibration for tunable ArF-excimer laser using atomic carbon and molecular oxygen absorption lines
DE19942455A1 (de) 1998-10-05 2000-04-06 Lambda Physik Gmbh Leistungssteuersystem und -verfahren für Gasentladungslaser
KR100731948B1 (ko) * 1998-11-09 2007-06-25 가부시키가이샤 고마쓰 세이사쿠쇼 엑시머 레이저 장치 및 엑시머 레이저용 가스
US6965624B2 (en) * 1999-03-17 2005-11-15 Lambda Physik Ag Laser gas replenishment method
US6389052B2 (en) 1999-03-17 2002-05-14 Lambda Physik Ag Laser gas replenishment method
US6421365B1 (en) 1999-11-18 2002-07-16 Lambda Physik Ag Narrow band excimer or molecular fluorine laser having an output coupling interferometer
US6819699B1 (en) * 1999-03-05 2004-11-16 Komatsu Ltd. Arf excimer laser device, scanning type exposure device and ultraviolet laser device
US6243406B1 (en) 1999-03-12 2001-06-05 Peter Heist Gas performance control system for gas discharge lasers
US6727731B1 (en) 1999-03-12 2004-04-27 Lambda Physik Ag Energy control for an excimer or molecular fluorine laser
US6714577B1 (en) 1999-03-17 2004-03-30 Lambda Physik Ag Energy stabilized gas discharge laser
DE29907349U1 (de) 1999-04-26 2000-07-06 Lambda Physik Gmbh Laser zur Erzeugung schmalbandiger Strahlung
US6882674B2 (en) * 1999-12-27 2005-04-19 Cymer, Inc. Four KHz gas discharge laser system
US6785316B1 (en) 1999-08-17 2004-08-31 Lambda Physik Ag Excimer or molecular laser with optimized spectral purity
US6496527B1 (en) * 1999-09-27 2002-12-17 Komatsu, Ltd. Ultraviolet laser apparatus and gas for ultraviolet laser
JP3296430B2 (ja) 1999-10-08 2002-07-02 株式会社ウシオ総合技術研究所 露光用ＡｒＦエキシマレーザ装置
JP2004515903A (ja) * 1999-10-18 2004-05-27 ランブダ フィジク アクチェンゲゼルシャフト エネルギー安定化ガス放電レーザ
US6553050B1 (en) 1999-11-18 2003-04-22 Lambda Physik Ag Narrow band excimer or molecular fluorine laser having an output coupling interferometer
US6603788B1 (en) 1999-11-23 2003-08-05 Lambda Physik Ag Resonator for single line selection
JP2003518757A (ja) * 1999-12-22 2003-06-10 サイマー， インコーポレイテッド 二方向ビーム拡大を用いた狭線化レーザ
US6735232B2 (en) 2000-01-27 2004-05-11 Lambda Physik Ag Laser with versatile output energy
US6408260B1 (en) * 2000-02-16 2002-06-18 Cymer, Inc. Laser lithography quality alarm system
EP1257924A4 (en) * 2000-02-16 2007-06-20 Cymer Inc PROCESS MONITORING SYSTEM FOR LITHOGRAPHY LASER
US6597462B2 (en) 2000-03-01 2003-07-22 Lambda Physik Ag Laser wavelength and bandwidth monitor
WO2001084678A2 (en) 2000-04-18 2001-11-08 Lambda Physik Ag Stabilization technique for high repetition rate gas discharge lasers
US6862307B2 (en) * 2000-05-15 2005-03-01 Lambda Physik Ag Electrical excitation circuit for a pulsed gas laser
US7180081B2 (en) * 2000-06-09 2007-02-20 Cymer, Inc. Discharge produced plasma EUV light source
US6904073B2 (en) * 2001-01-29 2005-06-07 Cymer, Inc. High power deep ultraviolet laser with long life optics
US6721345B2 (en) 2000-07-14 2004-04-13 Lambda Physik Ag Electrostatic precipitator corona discharge ignition voltage probe for gas status detection and control system for gas discharge lasers
US6807205B1 (en) 2000-07-14 2004-10-19 Lambda Physik Ag Precise monitor etalon calibration technique
US6747741B1 (en) 2000-10-12 2004-06-08 Lambda Physik Ag Multiple-pass interferometric device
US20050025882A1 (en) * 2001-01-29 2005-02-03 Partlo William N. Optical elements with protective undercoating
US20020122449A1 (en) * 2001-03-02 2002-09-05 Satoshi Tanaka Gas laser apparatus for lithography
US7039086B2 (en) * 2001-04-09 2006-05-02 Cymer, Inc. Control system for a two chamber gas discharge laser
US7079564B2 (en) * 2001-04-09 2006-07-18 Cymer, Inc. Control system for a two chamber gas discharge laser
US7230964B2 (en) * 2001-04-09 2007-06-12 Cymer, Inc. Lithography laser with beam delivery and beam pointing control
US7009140B2 (en) * 2001-04-18 2006-03-07 Cymer, Inc. Laser thin film poly-silicon annealing optical system
US7061959B2 (en) * 2001-04-18 2006-06-13 Tcz Gmbh Laser thin film poly-silicon annealing system
US20050259709A1 (en) 2002-05-07 2005-11-24 Cymer, Inc. Systems and methods for implementing an interaction between a laser shaped as a line beam and a film deposited on a substrate
US7088758B2 (en) 2001-07-27 2006-08-08 Cymer, Inc. Relax gas discharge laser lithography light source
US7830934B2 (en) * 2001-08-29 2010-11-09 Cymer, Inc. Multi-chamber gas discharge laser bandwidth control through discharge timing
US20050100072A1 (en) * 2001-11-14 2005-05-12 Rao Rajasekhar M. High power laser output beam energy density reduction
US6828569B2 (en) * 2001-11-19 2004-12-07 Asml Netherlands B.V. Lithographic projection apparatus, device manufacturing method and device manufactured thereby
US6724460B2 (en) * 2001-11-19 2004-04-20 Asml Netherlands B.V. Lithographic projection apparatus, device manufacturing method, device manufactured thereby, cleaning unit and method of cleaning contaminated objects
US7741639B2 (en) * 2003-01-31 2010-06-22 Cymer, Inc. Multi-chambered excimer or molecular fluorine gas discharge laser fluorine injection control
US7277188B2 (en) * 2003-04-29 2007-10-02 Cymer, Inc. Systems and methods for implementing an interaction between a laser shaped as a line beam and a film deposited on a substrate
US20060222034A1 (en) 2005-03-31 2006-10-05 Cymer, Inc. 6 Khz and above gas discharge laser system
US7679029B2 (en) * 2005-10-28 2010-03-16 Cymer, Inc. Systems and methods to shape laser light as a line beam for interaction with a substrate having surface variations
US7317179B2 (en) * 2005-10-28 2008-01-08 Cymer, Inc. Systems and methods to shape laser light as a homogeneous line beam for interaction with a film deposited on a substrate
JP5499432B2 (ja) * 2007-10-05 2014-05-21 ソニー株式会社 撮像装置
US7720120B2 (en) * 2008-10-21 2010-05-18 Cymer, Inc. Method and apparatus for laser control in a two chamber gas discharge laser
US7751453B2 (en) * 2008-10-21 2010-07-06 Cymer, Inc. Method and apparatus for laser control in a two chamber gas discharge laser
US7756171B2 (en) * 2008-10-21 2010-07-13 Cymer, Inc. Method and apparatus for laser control in a two chamber gas discharge laser
TWI608680B (zh) * 2015-08-24 2017-12-11 曼瑟森三汽油公司 用於高能雷射系統中之可再回收、再平衡及再循環雷射氣體混合物之系統
TW202108791A (zh) * 2019-05-10 2021-03-01 美商希瑪有限責任公司 長壽命雷射腔電極

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4689794A (en) * 1985-01-28 1987-08-25 Northrop Corporation Injection locking a xenon chloride laser at 308.4 nm
EP0230302A3 (en) * 1986-01-22 1989-11-15 Kabushiki Kaisha Komatsu Seisakusho Light source for reduced projection
JP2631554B2 (ja) * 1989-05-23 1997-07-16 株式会社小松製作所 レーザの波長制御装置
US5307364A (en) * 1993-05-24 1994-04-26 Spectra Gases, Inc. Addition of oxygen to a gas mix for use in an excimer laser
JP2804258B2 (ja) * 1995-12-12 1998-09-24 松下電器産業株式会社 ディジタル通信装置
US5835520A (en) * 1997-04-23 1998-11-10 Cymer, Inc. Very narrow band KrF laser
US5856991A (en) * 1997-06-04 1999-01-05 Cymer, Inc. Very narrow band laser

Also Published As

Publication number Publication date
DE69819547D1 (de) 2003-12-11
EP1019994A1 (en) 2000-07-19
DE69825609D1 (de) 2004-09-16
EP1021856A1 (en) 2000-07-26
AU9511098A (en) 1999-05-03
EP1019994B1 (en) 2004-08-11
JPH11191648A (ja) 1999-07-13
DE69819547T2 (de) 2004-05-13
EP1019994A4 (en) 2001-03-21
JP3046955B2 (ja) 2000-05-29
TW393814B (en) 2000-06-11
KR100561957B1 (ko) 2006-03-21
WO1999019952A1 (en) 1999-04-22
EP1021856B1 (en) 2003-11-05
DE69825609T2 (de) 2005-09-15
KR20010031028A (ko) 2001-04-16
AU9113198A (en) 1999-05-03
ES2226175T3 (es) 2005-03-16
TW382842B (en) 2000-02-21
JPH11191660A (ja) 1999-07-13
US6014398A (en) 2000-01-11
KR100504073B1 (ko) 2005-07-27
EP1021856A4 (en) 2001-03-21
KR20010031033A (ko) 2001-04-16

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP3154977B2 (ja) 狭周波数帯エキシマレーザー
US5982800A (en) Narrow band excimer laser
US5835520A (en) Very narrow band KrF laser
JP2975006B2 (ja) 極狭帯域レーザ
US6188710B1 (en) Narrow band gas discharge laser with gas additive
US6240110B1 (en) Line narrowed F2 laser with etalon based output coupler
US6577665B2 (en) Molecular fluorine laser
US6834069B1 (en) Molecular fluorine laser with intracavity polarization enhancer
TW382850B (en) Multi-stage current feedback amplifier
EP1091462B1 (en) ArF excimer laser device
JP3419686B2 (ja) 不安定な共鳴キャビティを用いた極めて狭い帯域のレーザ
KR100561950B1 (ko) 협대역 엑시머 레이저
Sengupta Krypton fluoride excimer laser for advanced microlithography
Kakizaki et al. High-repetition-rate ArF excimer laser for 193-nm lithography
Stamm et al. High-repetition-rate excimer lasers for DUV lithography
Pflanz et al. Compact excimer laser light source for optical (mask) inspection systems
Huber et al. High-repetition-rate compact excimer laser: UV light source for metrology, inspection, direct writing, and material testing
Pflanz et al. Compact excimer laser: light source for optical (mask) inspection systems
Das et al. Krypton fluoride excimer laser for advanced microlithography
Saito et al. Line-narrowed ArF excimer laser for 193-nm lithography

Legal Events

Date Code Title Description
R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090202

Year of fee payment: 8

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100202

Year of fee payment: 9

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110202

Year of fee payment: 10

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120202

Year of fee payment: 11

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130202

Year of fee payment: 12

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140202

Year of fee payment: 13

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

S111 Request for change of ownership or part of ownership

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313111

S531 Written request for registration of change of domicile

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531

R350 Written notification of registration of transfer

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

RD02 Notification of acceptance of power of attorney

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R3D02

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

EXPY Cancellation because of completion of term