DE69819547T2 - Schmalbandiger excimerlaser - Google Patents

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    • H01S3/2256KrF, i.e. krypton fluoride is comprised for lasing around 248 nm

Description

  • Die vorliegende Erfindung betrifft Laser und insbesondere Schmalband-Laser.
  • HINTERGRUND DER ERFINDUNG
  • Excimer-Laser werden gegenwärtig die Arbeitspferd-Lichtquelle für die Festkörper-Schaltkreis-Lithographie-Industrie. Ein typischer KrF-Excimer-Laser des Stands der Technik wird in 1 und 9 veranschaulicht. Ein Impulsleistungsmodul AE liefert elektrische Impulse, die etwa 100 ns dauern, an Elektroden 6, die sich in einer Entladungskammer 8 befinden. Die Elektroden sind etwa 0.71 m (28 Zoll) lang und etwa 0.015 m (3/5 Zoll) beabstandet. Typische Lithographie-Laser arbeiteten bei einer hohen Impulsrate von etwa 1000 Hz. Aus diesem Grund ist es erforderlich, ein Lasergas (etwa 0.1 Prozent Fluor, 1.3 Prozent Krypton und der Rest Neon, das als ein Puffergas wirkt) durch den Raum zwischen den Elektroden umlaufen zu lassen. Dies erfolgt mit einem Tangentialgebläse 10, das sich in der Laser-Entladungskammer befindet. Die Lasergase werden mit einem Wärmeaustauscher gekühlt, der sich ebenfalls in der Laser-Entladungskammer befindet. Kommerzielle Excimer-Laser bestehen typischerweise aus mehreren Modulen, die schnell ausgetauscht werden können, ohne das übrige System zu stören. Hauptmodule werden in 2 gezeigt und umfassen:
    Laserkammer 8
    Impulsleistungsmodul 2
    Ausgangskoppler 16
    Linienverschmälerungsmodul 18
    Wellenmesser 20
    Computer-Steuereinheit 22
    Peripherieunterstützungs-Untersysteme
    Gebläse 10
  • Die Entladungskammer wird bei einem Druck von etwa 304 kPa (3 atm) betrieben. Die Laser arbeiten in einem Impulsmodus bei etwa 600 bis 1000 Hz, wobei die Energie pro Impuls etwa 10 mJ ist, und die Dauer des Laserimpulses etwa 15 ns beträgt. Die mittlere Leistung des Laserstrahls beträgt daher etwa 6 bis 10 W, und die mittlere Leistung der Impulse liegt im Bereich von etwa 700 kW. Eine typische Betriebsart wird als "Stoßbetrieb" bezeichnet. In dieser Betriebsart erzeugt der Laser "Stöße" von etwa 50 bis 150 Impulsen bei einer Rate von 1000 Impulsen pro Sekunde. Die Dauer des Stoßes beträgt daher 50 bis 150 ms. Lithogra phie-Excimer-Laser des Stands der Technik sind mit einer Rückkopplungsspannungs-Steuerschaltung versehen, die die Ausgangsimpulsenergie misst und automatisch die Entladespannung einstellt, um eine gewünschte (gewöhnlich konstante) Ausgangsimpulsenergie aufrechtzuerhalten. Es ist sehr wichtig, dass die Ausgangsimpulsenergie genau auf den gewünschten Pegel geregelt wird.
  • Es ist bekannt, dass es bei Wellenlängen unter 300 nm nur ein geeignetes optisches Material gibt, das zum Herstellen der für Chip-Lithographie benutzten Abstufungslinsen verfügbar ist. Dieses Material ist Quarzglas. Eine ganz Quarzglas-Abstufungslinse wird über keine chromatische Korrekturfähigkeit verfügen. Der KrF-Excimer-Laser hat eine natürliche Bandbreite von etwa 300 pm (Vollbreiten-Halbmaximum). Für ein Brechungssystem (mit einer nummerischen Öffnung NA > 0.5) – entweder ein Abstufer oder Scanner- muss diese Bandbreite auf unter 1 pm reduziert werden. Gegenwärtig käufliche Lasersysteme des Stands der Technik können KrF-Laserstrahlen bei einer nominellen Wellenlänge von etwa 248 nm mit einer Bandbreite von etwa 0.8 pm (0.0008 nm) liefern. Die Wellenlängenstabilität der besten kommerziellen Lasser beträgt etwa 0.25 pm. Mit diesen Parametern können Abstufer-Hersteller Abstufer-Einrichtungen liefern, um integrierte Schaltkreisauflösungen von etwa 0.3 μm bereitzustellen. Um die Auflösung zu verbessern, wird eine schmälere Bandbreite benötigt. Zum Beispiel würde eine Verringerung einer Bandbreite auf unter 0.6 pm eine Verbesserung der Auflösung auf unter 0.25 μm erlauben.
  • Es ist bekannt, dass das Hinzufügen sehr kleiner Mengen von Sauerstoff zu einer Excimer-Laser-Gasmischung benutzt werden kann, um die Effizienz und Leistung des Lasers zu stabilisieren. Siehe z. B. U.S. Patent-Nr. 5,307,364.
  • Die wirkliche Leistung von Lithographie-Einrichtungen für integrierte Schaltkreise hängt demnach wesentlich von der Aufrechterhaltung der minimalen Bandbreite über ihre ganze Betriebslebensdauer hinweg ab.
  • Es besteht daher ein Bedarf an einem zuverlässigen Produktionsqualitäts-Excimer-Lasersystem, das zum Langzeit-Fabrikbetrieb imstande ist und über genau gesteuerte Impulsenergie, Wellenlänge und Bandbreite verfügt.
  • US 5,835,520 , veröffentlichtlicht nach dem Einreichungsdatem der Anmeldung des vorliegenden Dokumtens, Abschnitt "Burst Mode Operation", beschreibt einen sehr schmalbandigen KrF-Excimer-Laser, der in der Lage ist, Laserimpulse von 10 mJ bei 1000 Hz mit einer Bandbreite von weniger als 0.6 nm zu erzeugen. Die sehr schmale Bandbreite wird zustan de gebracht, indem der Fluorteildruck auf weniger als 0.08 Prozent des Gesamtgasdrucks vermindert und das Reflexionsvermögen des Ausgangskopplers auf größer als 25 Prozent erhöht wird.
  • US 5,307,364 beschreibt das Hinzufügen von Sauerstoff zu einer Gasmischung zur Verwendung in einem Excimer-Laser, um die Effizienz und Leistung eines Excimer-Lasers zu stabilisieren.
  • ZUSAMMENFASSUNG DER ERFINDUNG
  • Die vorliegende Erfindung, wie durch Anspruch 1 definiert, stellt einen sehr schmalbandigen Impuls-Excimer-Laser bereit, der in der Lage ist, Impulse bei einer Rate von etwa 500 bis 2000 Hz mit gesteigerter Energiedosissteuerung und Reproduzierbarkeit zu erzeugen. Bevorzugte Ausführungen werden durch die abhängigen Ansprüche definiert. Die folgenden Vorteile können erzielt werden. Ein Stoßbetrieb-"Slug-Effekt" des Stands der Technik, der bei einer Gasumlaufzeit nach dem Beginn eines Stoßes von Impulsen auftritt, wird durch Hinzufügen einer kleinen Menge von Sauerstoff beseitigt. Eine sehr schmale Bandbreite wird erzielt, indem der Fluorteildruck auf weniger als 0.10 Prozent reduziert wird, und das Reflexionsvermögen des Ausgangskopplers auf mehr als 25 Prozent erhöht wird. In einer bevorzugten Ausführung wurden Quarzglas-Strahlerweiterungsprismen des Stands der Technik, die in dem Linienverschmälerungsmodul des Stands der Technik benutzt werden, durch Kalzium-Fluor-Prismen ersetzt.
  • KURZBESCHREIBUNG DER ZEICHNUNGEN
  • 1 ist eine Zeichnung, die die Hauptelemente eines kommerziellen KrF-Excimer-Lasers des Stands der Technik zeigt, der für integrierte Schaltungs-Lithographie benutzt wird.
  • 2 ist ein vereinfachtes elektrisches Schaltbild einer Festkörper-Impulsleistungsschaltung.
  • 3 sind graphische Darstellungen, die die Ergebnisse einer Festkörper-Impulsleistungsschaltung mit einer Thyratron-basierten Schaltung des Stands der Technik vergleichen.
  • 4 ist eine graphische Darstellung der Betriebsspannung während eines Impulses.
  • 5 zeigt eine typische Veränderung von Betriebsspannung und Bandbreite über eine Periode von 800 Millionen Impulsen.
  • 6 ist eine vereinfachte Skizze eines KrF-Lasersystems.
  • 7 ist eine Skizze des Hauptelements eines Linienverschmälerungsmoduls.
  • 8 zeigt, wie die Wellenlänge des Lasers gesteuert wird.
  • 9 ist eine Zeichnung eines kommerziellen KrF-Lithographie-Lasers des Stands der Technik.
  • 10 zeigt die Beziehung zwischen Fluor, Betriebsspannung und Impulsenergie.
  • 11 zeigt die Veränderung der Linienbreite mit Fluorkonzentrationen.
  • 12A und 12B zeigen die Impulsform mit verschiedenen Fluorkonzentrationen.
  • 13 ist ein Diagramm der mittleren Impulsenergie während der ersten 125 Impulse während der Stoßbetriebsart ohne Sauerstoff in der Kammer, wo Daten von 50 Stößen Bemittelt wurden.
  • 14 ist ein Diagramm ähnlich 13, das die mittlere Impulsenergie mit Sauerstoff bei 0 ppm, 25 ppm und 49 ppm zeigt.
  • 15 ist ein Diagramm, das die 3-Sigma-Statistik der in 14 geplotteten Daten zeigt.
  • AUSFÜHRLICHE BESCHREIBUNG BEVORZUGTER AUSFÜHRUNGEN
  • Bevorzugte Ausführungen der vorliegenden Erfindung werden unten beschrieben. 1 zeigt die Hauptelemente eines kommerziellen Excimer-Lasersystems des Typs, der zur Zeit in der integrierten Schaltungs-Lithographie verwendet wird.
  • Die Kammer
  • Die Entladungskammer 10 ist ein Gefäß, das bestimmt ist, mehrere Atmosphären korrosiver Gase zu halten. Diese Gefäße sind nach bekannten Sicherheitsstandards, wie z. B. durch ASME spezifiziert, konstruiert. Die Entladungszone wird durch zwei Elektroden definiert, die durch einen Spalt von 1.2 bis 2.5 cm getrennt sind. Die Kathode wird von einer isolierenden Struktur gehalten, da sie mit der Hochspannung verbunden ist, während die Anode an der Metallkammer befestigt ist, da sie auf Massepotential liget. Die Vorionisierung erfolgt durch Koronaentladungs-Vononisierer, die sich auf jeder Seite der Entladungszone befinden. Aufgrund der korrosiven Natur des Gases verwenden die Kammern besondere Metalle, die so gewählt werden, dass sie dem Angriff von Fluor widerstehen. Das Fluorgas reagiert jedoch noch mit den Innenteilen der Kammer, z. B. Kammerwände und Elektroden, sodass Fluor verbraucht wird und Metallfluor-Schmutzstoffe erzeugt werden.
  • Da der Laser gepulst wird (500 bis 2000 Hz) ist es erforderlich, die Entladungszone zwischen den Impulsen zu reinigen, eine Aufgabe, die vorzugsweise von einem Tangentialgebläse erfüllt wird, das magnetisch mit einer externen Antriebsquelle verbunden ist. Wärme wird dem Lasergas mittels eines wassergekühlten Lamellen-Wärmeaustauschers in der Kammer entzogen. Metallfluorstaub wird mittels eines nicht gezeigten elektrostatischen Separators aufgefangen. Eine kleine Menge an Lasergas wird aus der Kammer extrahiert und über negativ geladene Hochfelddrähte geführt, um den Staub aufzufangen. Das staubfreie Gas wird dann über die Fenster freigesetzt, um sie sauber zu halten. Das Gas wird durch den Differenzdruck, der sich infolge des Hochgeschwindigkeitsflusses in der Laserkammer bildet, durch den Separator getrieben.
  • Impulsleistungsmodul
  • Die bevorzugte Ausführung benutzt eine in 2 gezeigte Festkörper-Impulsleistungsmodul(SSPPM)schaltung. Die 20 kV Stromversorgung von Thyratron-Systemen des Stands der Technik wird durch eine 1 kV Versorgung ersetzt. Der Thyratron-Schalter wird durch einen SCR ersetzt, der Cp nicht direkt leitet, sondern stattdessen die Energie von Co in eine Impulskompressionsschaltung schaltet, die durch C1, C2, C3, einen Aufwärtstransformator und drei sättigbare Spulen gebildet wird. Die Arbeitsweise der Schaltung ist wie folgt. Die auf C0 gespeicherte DC-Ladung wird über den SCR und die Spule L0 in C1 geschaltet. Die sättigbare Spule L1 hält die Spannung auf C1 für etwa 2.5 s zurück und wird dann leitend, um die Übertragung von Ladung von C1 in C2 zu erlauben. Die zweite sättigbare Spule L2 hält die Spannung auf C2 für etwa 500 ns zurück und erlaubt dann der Ladung auf C2, durch die Primärwicklung des 1 : 20 Aufwärtstransformators zu fließen. Der Ausgang des Aufwärtstransformators wird auf C3 gespeichert, bis die sättigbare Spule L3 in etwa 100–150 ns leitend wird. Die Ladung wird dann schließlich über L3 in Cp übertragen, und die Laserentladung findet statt. Die unten in 3 gezeigte Spannungswellenform auf Cp entspricht der Form derjenigen, die durch ein gleichwertiges thyratrongeschaltetes gepulstes Leistungsmodul erzeugt wird, außer dass die SCR-Wellenform wenig oder kein Nachschwingen aufweist. Die erhöhte Komplexität des SSPPM wird durch die Beseitigung des teuren und kurzlebigen Thyratrons ausgeglichen. Ein zusätzliches und wichtiges Merkmal des SSPPM ist die Rückgewinnung der von der Laserkammer reflektierten Energie, wie in 4 gezeigt. Mit dem SSPPM schwingt die von der Laserkammer infolge von Impedanzfehlanpassung reflektierte Energie nicht mehr zwischen dem SSPPM und der Laserkammer hin und her. Die SSPPM-Schaltung ist ausgelegt, diese reflektierte Energie den ganzen Weg zurück durch das Impulsformungs netzwerk in C0 zu senden. Nach dem Rückgewinnen dieser Energie auf C0 schaltet der SCR aus, um sicherzustellen, dass diese gefangene Energie auf C0 bleibt. Ungeachtet der Betriebsspannung, Gasmischung oder Kammerbedingungen zeigt daher die Spannungswellenform über den Laserelektroden das Verhalten eines eines gut abgestimmten Systems. Diese Leistung wird über alle Laser-Betnebsbedingungen aufrechterhalten.
  • Spektrale Verschmälerung
  • Wie früher angemerkt, ist die Bandbreite (FWHM) eines frei laufenden KrF-Excimer-Lasers etwa 300 pm. Zur Zeit benutzen Excimer-Stepper Laser, die spektral auf 0.8 bis 3 pm, FWHM, abhängig von der NA der Linse verschmälert sind. Man beachte, dass das integrierte Energiespektrum und die spektrale Breite bei 95% Energie für die Stepper-Leistung kritischer sind als der FWHM-Wert. Die meisten Benutzer finden es jedoch bequem, über FWHM anstatt über spektrale Breite bei 95% Energie zu sprechen.
  • Die spektrale Verschmälerung eines KrF-Lasers ist wegen seiner kurzen Impulsdauer (10 bis 15 ns, FWHM) und UV-Wellenlänge kompliziert. Der kurze Impuls resultiert in sehr hoher Hohlrauminnenleistung (ca. 1 MW/cm2), und die kurze Wellenlänge kann optische Materialien infolge ihres hohen Absorptionskoeffizienten bei 248 nm thermisch stören. Außerdem ist die Gesamtzahl von Umläufen durch den Resonator (der die optischen Linienverschmälerungselemente einschließt) für einen typischen Laser klein, etwa 3 bis 4. Wenn die Eindurchlauf-Linienbreite durch den Resonator durch Δλ1 bezeichnet wird, ist die endgültige Linienbreite Δλf nach n Durchläufen gegeben durch: Δλf = Δλ1/n1/2
  • Die Eindurchlauf-Linienbreite des optischen Systems sollte daher höchstens einen Faktor von zwei höher sein als die endgültige Linienbreite. Tatsächlich zeigen zeitlich aufgelöste Messungen von Mitarbeitern des Anmelders, dass die spektrale Linienbreite vom Beginn des Impulses bis zum Ende des Impulses um einen Faktor von zwei abnehmen könnte. Die Effizienz des Umwandelns des Breitbandspektrums in ein linienverschmälertes Spektrum (d. h. von 300 pm in < 1 pm) des optischen Systems muss daher sehr hoch sein.
  • Die übliche Technik des Linienverschmälerns des KrF-Lasers ist durch Einbringen von wellenlängenstreuenden optischen Elementen in den Resonator. Drei Arten streuender Elemente können benutzt werden: Prismen, Etalone und Gitter. Die Verwendung eines hoch streuenden Gitters in einer Littrow-Konfiguration ist die einfachste und wirksamste Spektrallinienverschmälerungstechnik. Weil das Gitter ein streuendes Element ist, ist die Linienbreite proportional zu der Strahldivergenz. Um schmale Linienbreite zu erhalten, ist eine kleine Strahl divergenz erforderlich. 2-Schlitz- und 3-Prismen-Strahlaufweiter werden daher in den Laserresonator eingefügt. Die Hauptelemente eines bevorzugten Linienverschmälerungsmoduls werden in 7 gezeigt. Diese umfassen 3 Prismen 30, 32 und 34, einen Abstimmspiegel 3C und ein Echelle-Gitter 38. Der Spiegel ist schwenkbar, um die Wellenlänge des Lasers zu verändern.
  • Verbesserte spektrale Leistung
  • Die Anmelder und ihre Mitarbeiter haben Laser-KrF-Excimer-Lasereinnchtungen entworfen, gebaut und getestet, die in der Lage sind, Linienbreiten-Spezifikationen von 0.50 pm bei FWHM mit 95% der Energie des Laserstrahls innerhalb 2 pm zu erfüllen. Die Ergebnisse sind auf neuen, mittelalten und alten Entladungskammern für 80 Millionen Impulse demonstriert worden, was beweist, dass das System innerhalb dieser Spezifikationen über die normale Lebensdauer der Einrichtungen mit üblicher Wartung zu gleichbleibender Leistung in der Lage ist. Diese Ergebnisse stellen eine Verbesserung von etwa 50% gegenüber der Schmalband-Excimer-Lasertechnogie des Stands der Technik dar.
  • Um diese verbesserte Leistung zu erzielen, haben die Anmelder sowohl die Lasereinrichtung als auch die Betriebsparameter verbessert.
  • Verringerung des Fluorverbrauchs
  • In bevorzugten Ausführungen der vorliegenden Erfindung, die von den Anmeldern gebaut und getestet wurden, wurde große Sorgfalt angewandt, um Materalien, die Fluor verbrauchen, aus der Entladungskammer zu entfernen. Der Verbrauch von Fluor in einer Entladungskammer ist auf die Fluorreaktion mit Materialien in der Kammer zurückzuführen. Diese Reaktionen erzeugen typischerweise Schmutzstoffe, die eine Verschlechterung der Laserleistung zur Folge haben. Um den Fluorverbrauch zu minimieren, enthalten diese bevorzugten Ausführungen die folgenden spezifischen Merkmale:
    Die Kammerwände sind aluminiumbeschichtet mit Nickel.
    Die Elektroden sind Messing.
    Alle Metall-O-Ringe werden als Dichtungen benutzt.
    Isolatoren sind alle Keramik und fluorverträglich
    Aluminiumoxid ist das bevorzugte Isolationsmaterial der Erfinder.
    Ein elektrostatisches Filter wird wie in Konstruktionen des Stands der Technik bereitgestellt, um während des Betriebs erzeugte Schmutzstoffe zu filtern.
    Die Gebläseeinheit wird mittels eines magnetisch gekoppelten Motors, der sich außerhalb der verschlossenen Entladungskammer befindet, mittels einer Technik des Stands der Technik angegeben.
    Während der Herstellung werden Teile präzisionsgereinigt, um mögliche Schmutzstoffe zu entfernen.
    Nach dem Zusammenbau wird die Kammer mit Fluor passiviert.
  • Diese bevorzugte Ausführung erfordert wesentliche Änderungen in Betriebsprozeduren und Parametern des Lasersystems, um den gewünschten sehr schmalbandigen Ausgang zu erzielen. Die Fluorkonzentration wird von 0.1% (30 kPa) auf etwa 0.06% (18 kPa) reduziert. (Die Kr-Konzentration wird auf dem Pegel des Stands der Technik von etwa 1.3% gehalten, und der Rest des Lasergases ist Neon.) Im Betrieb wird Fluor allmählich abgereichert. Konstante Impulsenergie wird durch allmähliches Erhöhen der Laser-Betriebsspannung entsprechend Verfahren des Stands der Technik erhalten. Injektionen einer Mischung aus Fluor und Neon werden periodisch (typisch in Abständen von etwa 1 bis 4 Stunden) vorgenommen, um entsprechend in der Excimer-Lasertechnik des Stands der Technik bekannter Verfahren die Abreicherung von Fluor auszugleichen. Während dieses Vorgangs wird die Fluorkonzentration bevorzugt im Bereich von etwa 0.055% und 0.065% gehalten, und die Betriebsspannung wird in einem entsprechenden Bereich gehalten, der geeignet ist, konstante Impulsenergie aufrechtzuerhalten. In einer bevorzugten Ausführung lag dieser Bereich zwischen 770 Volt und 790 Volt.
  • Erhöhung des Reflexionsvermögens des Ausgangskopplers
  • In dieser bevorzugten Ausführung der vorliegenden Erfindung wurde das Reflexionsvermögen des Ausgangskopplers von etwa 10%, was für Schmalband-Excimer-Laser des Stands der Technik typisch war, auf etwa 30% erhöht. Dies erfolgte, um den Verlust an Laser-Wirkungsgrad infolge der reduzierten Fluorkonzentration auszugleichen.
  • Umstellen auf Kalzium-Fluorid-Prismen
  • Die Änderung des Reflexionsvermögens des Ausgangskopplers von 10% auf 30% hatte die Wirkung, dass das durch das Linienverschmälerungsmodul laufende Licht etwa verdoppelt wurde. Die zusätzliche Wärme, die durch diese zusätzliche Beleuchtung in den Quarzglas-Prismen des Stands der Technik erzeugt wurde, verursachte thermische Störungen in den Prismen. Um dieses Problem zu lösen, wurden die Quarzglas-Prismen durch Kalzuim-Fluorid-Prismen ersetzt. Kalzium-Fluorid besitzt eine höhere Wärmeleitfähigkeit und konnte die zusätzliche Energie ohne unannehmbare Störung handhaben.
  • Burst-Mode-Betrieb
  • Wie im Hintergrundabschnitt dieser Beschriebung angegeben, ist eine typische Betriebsart eines KrF-Lasers ein "Burst-Mode", bei dem Stöße von etwa 125 Impulsen bei einer Rate von 1000 Impulsen pro Sekunde erzeugt werden. Der Stoß dauert etwa 125 ms, und es gibt typischerweise eine "Totzeit" von einem Bruchteil einer Sekunde zwischen den Stößen. Der KrF-Laser der Anmelder enthält etwa 0.017 m3 an Lasergas, und die durch das Gebläse 10 erzeugte Flussrate von Gas zwischen den Elektroden beträgt etwa 0.228 m3 pro Sekunde. Dies würde eine Gesamtumlaufzeit des Gases von etwa 75 ms bedeuten. Der Fluss in der Kammer ist jedoch weit davon entfernt, gleichmäßig zu sein, und Teile des Gases zirkulieren viel schneller. Die Geschwindigkeit des Gases zwischen den Elektroden ist etwa 20 Meter pro Sekunde, und die Anmelder schätzen, dass das schnellste Gas in etwa 20 ms umläuft. Die Anmelder haben einen "Slug-Effekt" entdeckt, der durch den ersten oder die ersten paar Impulse in einem Stoß erzeugt wird. Dieser Slug-Effekt wird in 13 gezeigt, die ein Plot der Impulsenergie für jeden der 123 Impulse eines typischen Stoßes von 123 Impulsen gemittelt über 50 Stöße ist. Es gibt einen großen Abfall nach dem ersten Impuls und einen weiteren Abfall nach dem 21. Impuls, d. h. etwa 21 ms nach dem ersten Impuls. Dieser Abfall ist sehr gut reproduzierbar, und der Zeitpunkt des Abfalls steht im Verhältnis zu der Gebläsegeschwindigkeit. Die Anmelder kennen nicht die genaue Ursache dieser ersten 40 ms an sehr reproduzierbarer sprunghafter Leistung, haben ihn aber als den "Slug-Effekt" identifiziert, und glauben, dass er chemischen Effekten zuzuschreiben ist, die erzeugt werden, wenn "reines" Lasergas, das zwischen den Elektroden läuft, während des ersten Impulses oder der ersten paar Impulse mit 20000 Volt zerschossen wird. Das während der ersten 30 ms zwischen den Elektroden fließende Gas ist im Wesentlichen ganz "reines" Lasergas, aber nach etwa 20 ms beginnt Gas, das während des ersten Impulses elektrisch geschockt wurde, zwischen den Elektroden zurückzulaufen. Nach etwa 39 ms in dem Stoß ist das Gas in dem Laser völlig gemischt, und der Slug-Effekt verschwindet.
  • Ergebnisse
  • Fluorverringerung
  • 10 beschreibt die Beziehung zwischen Betriebsspannung, Fluorkonzentration und Impulsenergie. Diese Graphik zeigt, dass, wenn die Fluorkonzentration abnimmt, die Spannung erhöht werden muss, um den gewünschten Ausgang von 10 mJ pro Impuls aufrechtzuerhalten. In dieser einzelnen Ausführung beträgt jedoch die Obergrenze der Betriebsspannung 800 Volt. Man beachte, dass mit einem 10% R Ausgangskoppler die niedrigste Fluorkonzentration, die einem Ausgang von 10 mJ entspricht, 25 kPa sein würde, wobei an diesem Punkt die Betriebsspannung auf 800 Volt angestiegen wäre. Mit einem 30% R Ausgangskoppler konnte jedoch die Fluorkonzentration auf bis zu 20 kPa reduziert werden, während immer noch eine 10 mJ Impulsenergie mit der Betriebsspannung von etwas unter 800 Volt aufrechterhalten wurde. 11 zeigt die tatsächlichen Testergebnisse des Reduzierens der Fluorkonzentration auf der Linienbreite (gemessen bei FWHM und bei 95% Impulsenergie) sowohl für kontinuierliche Impulse von 1000 Hz als auch für Stöße von 500 Impulsen und 1000 Hz. Für diesen besonderen Test hatte der Ausgangskoppler ein Reflexionsvermögen von 25%. Typische Laserimpulsformen für KrF-Systeme des Stands der Technik und dieser sehr schmalbandigen KrF-Laser werden in 12A und 12B verglichen. Man beachte, dass mit den sehr schmalbandigen Lasern Energie zu dem letzten Teil des Impulses, der Photonen darstellt, geschoben wird, was den Vorteil von mehr Durchläufen durch das Linienverschmälerungsmodul hat. Als Folge wird die integrierte Impulsspektrallinienbreite des Lasers reduziert.
  • Hinzufügen von Sauerstoff – Reduktion des Slug-Effekts
  • 14 und 15 zeigen die Auswirkung auf den Slug-Effekt beim Hinzufügen kleiner Mengen an Sauerstoff zu dem Lasergas. 14 zeigt eine dramatische Verringerung in der Energieabnahme, die etwa 22 bis 35 ms nach dem Beginn des Stoßes auftritt. 15 zeigt, dass die 3-Sigma-Abweichung ebenfalls dramatisch reduziert wird, wenn Sauerstoff im Bereich von etwa 25 bis 49 ppm hinzugefügt wird.
  • Argon-Fluorid-Laser – Beseitigung des Gasnachfüllsyndroms
  • Die Anmelden haben entdeckt, dass das Hinzufügen von Sauerstoff auch die Leistung von sehr schmalbandigen ArF-Lasern verbessert. Die Anmelder haben etwas identifiziert, das sie ein Gasnachfüllsyndrom nennen. Sie haben entdeckt, dass direkt nach dem Austauschen des Lasergases in einem sehr schmalbandigen ArF-Laser der Laser sehr schlecht arbeitet, weil die Impulsenergie erheblich reduziert ist. Nach einer Nacht arbeitet jedoch der Laser am nächsten Morgen innerhalb seiner Spezifikationen.
  • Dieses Gasnachfüllsyndrom wurde durch die Zugabe einer äußerst kleinen Menge an Sauerstoff, z. B. 2 bis 3 ppm, beseitigt. Die bevorzugte Lasergasmischung für den sehr schmalbandigen ArF-Excimer-Laser ist daher:
    3.5 Prozent Argon
    0.1 Prozent Fluor
    2–3 ppm Sauerstoff
    Rest Neon zu 3 Atmosphären
  • Zusätzliche Mengen an Sauerstoff wurden zugegeben, aber die Sauerstoffzugabe über 5 ppm hinaus hatte keinen wesentlichen Nutzeffekt.
  • Wellenlängen- und Bandbreitenmessung
  • Die mittlere Wellenlänge der Lithographie-Laserausgangsstrahlung muss stabilisiert werden, um: a) den Brennpunkt auf der Waferebene zu halten, und b) jede Änderung in der Vergrößerung zu minimieren. Eine Drift in der Mittenwellenlänge beeinflusst jedoch die Brennebenenstabiltiät stärker als die Vergrößerung. Die Abweichung der Mittenwellenlänge am Beginn eines Stoßes von Impulsen ist ebenfalls wichtig. In den folgenden Abschnitten werden wir einen Wellenmesser beschreiben, der die meisten der spektralen Anforderungen für die Lithographie misst. Der Wellenmesser misst die Wellenlänge und stimmt die Linienverschmälerungsoptik (Etalon oder Gitter) ab, um jede Abweichung von der Sollwellenlänge zu kompensieren.
  • Der für einen Produktions-Lithographie-Laser benutzte Wellenmesser muss kompakt sein und dennoch die Anforderungen guter relativer Genauigkeit erfüllen, eine kleine Langzeitdrift aufweisen, und eine gute Absolutgenauigkeit in Bezug auf eine Atomlinie besitzen. Die Anforderung ist jedem Fall < +/– 0.15 pm. Des Weiteren muss die Wellenlängenmessung unempfindlich gegen Änderungen der Umgebungstemperatur oder Druck sein. Außerdem sollte der Wellenmesser in der Lage sein, die spektrale Bandbreite (FWHM) mit einer Genauigkeit von +/– 0.15 pm zu messen. Andererseits kann der Betriebsbereich dieses Wellenmessers relativ klein, 248.35 +/– 0.30 nm, sein.
  • Die Wellenlänge wird mittels einer Kombination eines Gitters und eines Etalons gemessen. Ein schematischer Aufbau dieses Wellenmessers wird in 8 gezeigt. Das Gitter und der Etalon werden für grobe bzw. feine Messungen benutzt. Der Ausgang des Gitter-Spektrometers wird im Mittenbereich einer 1024 Element Silizium-Photodiodenanordnung abgebildet, während das Randmuster von dem Etalon auf den zwei Seiten abgebildet wird. Die Wellenlänge wird durch Messen des Durchmessers des Etalon-Randmusters und der Position des Grobgitterausgangs bestimmt.
  • Eine kleine Änderung im Randdurchmesser ist proportional zu der Änderung der Wellenlänge. Für eine Wellenlängenänderung kleiner als der freie spektrale Bereich (FSR) des Etalons ist der Etalon in Lage, die Wellenlänge des Lasers zu verfolgen. Die grobe Gitter messung ist erforderlich, um jeden möglichen Fehler oder Diskrepanz in der Wellenlängendrift von größer als der freie spektrale Bereich (FSR) des Etalons (20 pm) zu beseitigen. Wie bekannt ist, ist das Etalon-Randmuster identisch für Wellenlängen, die durch Vielfache ihres FSR getrennt sind.
  • Der Wellenmesser wird in der Fabrik mit Bezug auf eine Hohlkathoden-Ne-Fe-Lampe kalibriert, die eine Absorptionsspitze bei 248.3271 nm hat. Die Erfahrung hat gezeigt, dass diese Wellenmesser auf +/– 0.5 pm stabil gemacht werden können.
  • Des Weiteren sind, um umgebungsdruckabhängige Änderungen zu beseitigen, sowohl das Gitter als auch der Etalon in unter Druck stehenden Gehäusen untergebracht. Die Temperaturstabilität wird erreicht, indem Etalon-Abstandshalter mit sehr niedrigem Wärmeausdehnungskoeffizient und gute Wärmeverwaltung des Etalongehäuses verwendet werden.
  • Schließlich wird die von dem Wellenmesser erhaltene Wellenlängeninformation benutzt, um die Laserwellenlänge durch Ändern des Beleuchtungswinkels auf dem Gitter in dem Linienverschmälerungsmodul zu steuern. Dies erfolgt durch einen in 7 gezeigten sehr leicht schwenkbaren Spiegel 36.
  • Obwohl dieser sehr schmalbandige Laser mit Bezug auf einzelne Ausführungen beschrieben wurde, muss zu Kenntnis genommen werden, dass verschiedene Adaptionen und Modifikationen an der Erfindung vorgenommen werden können. Zum Beispiel können die Sauerstoffquellen reiner Sauerstoff oder irgendein in U.S. Patent 5,307,364 erwähnter Sauerstoff sein. Außerdem könnte die Sauerstoffquelle etwas Festes sein, z. B. Aluminiumoxid oder Kalium, das in der Kammerumgebung enthalten sein könnte, und die Sauerstoffemission könnte mit der Temperatur gesteuert werden. Der Umfang der Erfindung soll daher nur durch die anliegenden Ansprüche eingeschränkt werden.

Claims (8)

  1. Sehr schmalbandiger Excimer-Laser, der umfasst: A) eine Laserkammer (8), die fluorkompatible Materialien umfasst und enthält: 1. zwei längliche Elektroden (6); 2. wenigstens eine Vorionisierungs-Einrichtung; 3. Lasergas, das einen Gesamtdruck definiert und ein Edelgas, Fluor, ein Puffergas und Sauerstoff umfasst. B) ein Linienverschmälerungsmodul (18), das umfasst: 1. wenigstens einem Strahlaufweitungsprisma (30, 32, 34); 2. einem Gitter (38); 3. einer Abstimmeinrichtung (36) zum Abstimmen des Gitters (38). C) einen Ausgangskoppler (16) mit einem Reflexionsgrad von wenigstens 25%, wobei das Fluor einen Teildruck von weniger als 0,10% des Gesamtdrucks hat.
  2. Sehr schmalbandiger Excimer-Laser nach Anspruch 1, wobei das Edelgas Krypton ist.
  3. Sehr schmalbandiger Excimer-Laser nach Anspruch 1, wobei das Edelgas Argon ist.
  4. Sehr schmalbandiger Excimer-Laser nach Anspruch 1, wobei das wenigstens eine Prisma Kalziumfluorid enthält.
  5. Sehr schmalbandiger Excimer-Laser nach Anspruch 1, wobei wenigstens ein Prisma aus drei Prismen (30, 32, 34) besteht, die sämtlich Kalziumfluorid enthalten.
  6. Sehr schmalbandiger Excimer-Laser nach Anspruch 1, wobei der Teildruck des Fluorids weniger als 0,06% des Gesamtgasdrucks beträgt.
  7. Sehr schmalbandiger Excimer-Laser nach Anspruch 1, wobei der Excimer-Laser ein ArF-Excimer-Laser ist und die Konzentration von Sauerstoff weniger als 5 ppm beträgt.
  8. Sehr schmalbandiger Excimer-Laser nach Anspruch 1, wobei der Sauerstoff eine Konzentration zwischen 2 und 50 ppm hat.
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Families Citing this family (63)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6128323A (en) * 1997-04-23 2000-10-03 Cymer, Inc. Reliable modular production quality narrow-band high REP rate excimer laser
US6188710B1 (en) * 1997-10-10 2001-02-13 Cymer, Inc. Narrow band gas discharge laser with gas additive
US6580517B2 (en) 2000-03-01 2003-06-17 Lambda Physik Ag Absolute wavelength calibration of lithography laser using multiple element or tandem see through hollow cathode lamp
US7006541B2 (en) * 1998-06-01 2006-02-28 Lambda Physik Ag Absolute wavelength calibration of lithography laser using multiple element or tandem see through hollow cathode lamp
US6160832A (en) 1998-06-01 2000-12-12 Lambda Physik Gmbh Method and apparatus for wavelength calibration
US6490307B1 (en) 1999-03-17 2002-12-03 Lambda Physik Ag Method and procedure to automatically stabilize excimer laser output parameters
US6424666B1 (en) 1999-06-23 2002-07-23 Lambda Physik Ag Line-narrowing module for high power laser
US6792023B1 (en) * 1998-06-04 2004-09-14 Lambda Physik Ag Method and apparatus for reduction of spectral fluctuations
US6526085B2 (en) * 1998-10-05 2003-02-25 Lambda Physik Ag Performance control system and method for gas discharge lasers
US6269110B1 (en) 1998-10-05 2001-07-31 Lambda Physik Ag Internal wavelength calibration for tunable ArF-excimer laser using atomic carbon and molecular oxygen absorption lines
DE19942455A1 (de) 1998-10-05 2000-04-06 Lambda Physik Gmbh Leistungssteuersystem und -verfahren für Gasentladungslaser
KR100731948B1 (ko) * 1998-11-09 2007-06-25 가부시키가이샤 고마쓰 세이사쿠쇼 엑시머 레이저 장치 및 엑시머 레이저용 가스
US6965624B2 (en) * 1999-03-17 2005-11-15 Lambda Physik Ag Laser gas replenishment method
US6389052B2 (en) 1999-03-17 2002-05-14 Lambda Physik Ag Laser gas replenishment method
US6421365B1 (en) 1999-11-18 2002-07-16 Lambda Physik Ag Narrow band excimer or molecular fluorine laser having an output coupling interferometer
US6819699B1 (en) * 1999-03-05 2004-11-16 Komatsu Ltd. Arf excimer laser device, scanning type exposure device and ultraviolet laser device
US6243406B1 (en) 1999-03-12 2001-06-05 Peter Heist Gas performance control system for gas discharge lasers
US6727731B1 (en) 1999-03-12 2004-04-27 Lambda Physik Ag Energy control for an excimer or molecular fluorine laser
US6714577B1 (en) 1999-03-17 2004-03-30 Lambda Physik Ag Energy stabilized gas discharge laser
DE29907349U1 (de) 1999-04-26 2000-07-06 Lambda Physik Gmbh Laser zur Erzeugung schmalbandiger Strahlung
US6882674B2 (en) * 1999-12-27 2005-04-19 Cymer, Inc. Four KHz gas discharge laser system
US6785316B1 (en) 1999-08-17 2004-08-31 Lambda Physik Ag Excimer or molecular laser with optimized spectral purity
US6496527B1 (en) * 1999-09-27 2002-12-17 Komatsu, Ltd. Ultraviolet laser apparatus and gas for ultraviolet laser
JP3296430B2 (ja) 1999-10-08 2002-07-02 株式会社ウシオ総合技術研究所 露光用ArFエキシマレーザ装置
JP2004515903A (ja) * 1999-10-18 2004-05-27 ランブダ フィジク アクチェンゲゼルシャフト エネルギー安定化ガス放電レーザ
US6553050B1 (en) 1999-11-18 2003-04-22 Lambda Physik Ag Narrow band excimer or molecular fluorine laser having an output coupling interferometer
US6603788B1 (en) 1999-11-23 2003-08-05 Lambda Physik Ag Resonator for single line selection
JP2003518757A (ja) * 1999-12-22 2003-06-10 サイマー, インコーポレイテッド 二方向ビーム拡大を用いた狭線化レーザ
US6735232B2 (en) 2000-01-27 2004-05-11 Lambda Physik Ag Laser with versatile output energy
US6408260B1 (en) * 2000-02-16 2002-06-18 Cymer, Inc. Laser lithography quality alarm system
EP1257924A4 (de) * 2000-02-16 2007-06-20 Cymer Inc Prozessüberwachungssystem für lithographielaser
US6597462B2 (en) 2000-03-01 2003-07-22 Lambda Physik Ag Laser wavelength and bandwidth monitor
WO2001084678A2 (en) 2000-04-18 2001-11-08 Lambda Physik Ag Stabilization technique for high repetition rate gas discharge lasers
US6862307B2 (en) * 2000-05-15 2005-03-01 Lambda Physik Ag Electrical excitation circuit for a pulsed gas laser
US7180081B2 (en) * 2000-06-09 2007-02-20 Cymer, Inc. Discharge produced plasma EUV light source
US6904073B2 (en) * 2001-01-29 2005-06-07 Cymer, Inc. High power deep ultraviolet laser with long life optics
US6721345B2 (en) 2000-07-14 2004-04-13 Lambda Physik Ag Electrostatic precipitator corona discharge ignition voltage probe for gas status detection and control system for gas discharge lasers
US6807205B1 (en) 2000-07-14 2004-10-19 Lambda Physik Ag Precise monitor etalon calibration technique
US6747741B1 (en) 2000-10-12 2004-06-08 Lambda Physik Ag Multiple-pass interferometric device
US20050025882A1 (en) * 2001-01-29 2005-02-03 Partlo William N. Optical elements with protective undercoating
US20020122449A1 (en) * 2001-03-02 2002-09-05 Satoshi Tanaka Gas laser apparatus for lithography
US7039086B2 (en) * 2001-04-09 2006-05-02 Cymer, Inc. Control system for a two chamber gas discharge laser
US7079564B2 (en) * 2001-04-09 2006-07-18 Cymer, Inc. Control system for a two chamber gas discharge laser
US7230964B2 (en) * 2001-04-09 2007-06-12 Cymer, Inc. Lithography laser with beam delivery and beam pointing control
US7009140B2 (en) * 2001-04-18 2006-03-07 Cymer, Inc. Laser thin film poly-silicon annealing optical system
US7061959B2 (en) * 2001-04-18 2006-06-13 Tcz Gmbh Laser thin film poly-silicon annealing system
US20050259709A1 (en) 2002-05-07 2005-11-24 Cymer, Inc. Systems and methods for implementing an interaction between a laser shaped as a line beam and a film deposited on a substrate
US7088758B2 (en) 2001-07-27 2006-08-08 Cymer, Inc. Relax gas discharge laser lithography light source
US7830934B2 (en) * 2001-08-29 2010-11-09 Cymer, Inc. Multi-chamber gas discharge laser bandwidth control through discharge timing
US20050100072A1 (en) * 2001-11-14 2005-05-12 Rao Rajasekhar M. High power laser output beam energy density reduction
US6828569B2 (en) * 2001-11-19 2004-12-07 Asml Netherlands B.V. Lithographic projection apparatus, device manufacturing method and device manufactured thereby
US6724460B2 (en) * 2001-11-19 2004-04-20 Asml Netherlands B.V. Lithographic projection apparatus, device manufacturing method, device manufactured thereby, cleaning unit and method of cleaning contaminated objects
US7741639B2 (en) * 2003-01-31 2010-06-22 Cymer, Inc. Multi-chambered excimer or molecular fluorine gas discharge laser fluorine injection control
US7277188B2 (en) * 2003-04-29 2007-10-02 Cymer, Inc. Systems and methods for implementing an interaction between a laser shaped as a line beam and a film deposited on a substrate
US20060222034A1 (en) 2005-03-31 2006-10-05 Cymer, Inc. 6 Khz and above gas discharge laser system
US7679029B2 (en) * 2005-10-28 2010-03-16 Cymer, Inc. Systems and methods to shape laser light as a line beam for interaction with a substrate having surface variations
US7317179B2 (en) * 2005-10-28 2008-01-08 Cymer, Inc. Systems and methods to shape laser light as a homogeneous line beam for interaction with a film deposited on a substrate
JP5499432B2 (ja) * 2007-10-05 2014-05-21 ソニー株式会社 撮像装置
US7720120B2 (en) * 2008-10-21 2010-05-18 Cymer, Inc. Method and apparatus for laser control in a two chamber gas discharge laser
US7751453B2 (en) * 2008-10-21 2010-07-06 Cymer, Inc. Method and apparatus for laser control in a two chamber gas discharge laser
US7756171B2 (en) * 2008-10-21 2010-07-13 Cymer, Inc. Method and apparatus for laser control in a two chamber gas discharge laser
TWI608680B (zh) * 2015-08-24 2017-12-11 曼瑟森三汽油公司 用於高能雷射系統中之可再回收、再平衡及再循環雷射氣體混合物之系統
TW202108791A (zh) * 2019-05-10 2021-03-01 美商希瑪有限責任公司 長壽命雷射腔電極

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4689794A (en) * 1985-01-28 1987-08-25 Northrop Corporation Injection locking a xenon chloride laser at 308.4 nm
EP0230302A3 (de) * 1986-01-22 1989-11-15 Kabushiki Kaisha Komatsu Seisakusho Lichtquelle für verkleinernde Projektion
JP2631554B2 (ja) * 1989-05-23 1997-07-16 株式会社小松製作所 レーザの波長制御装置
US5307364A (en) * 1993-05-24 1994-04-26 Spectra Gases, Inc. Addition of oxygen to a gas mix for use in an excimer laser
JP2804258B2 (ja) * 1995-12-12 1998-09-24 松下電器産業株式会社 ディジタル通信装置
US5835520A (en) * 1997-04-23 1998-11-10 Cymer, Inc. Very narrow band KrF laser
US5856991A (en) * 1997-06-04 1999-01-05 Cymer, Inc. Very narrow band laser

Also Published As

Publication number Publication date
DE69819547D1 (de) 2003-12-11
EP1019994A1 (de) 2000-07-19
DE69825609D1 (de) 2004-09-16
EP1021856A1 (de) 2000-07-26
AU9511098A (en) 1999-05-03
EP1019994B1 (de) 2004-08-11
JPH11191648A (ja) 1999-07-13
EP1019994A4 (de) 2001-03-21
JP3046955B2 (ja) 2000-05-29
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