DE19954873A1 - F¶2¶-Laser, der Neon als Puffergas verwendet - Google Patents

F¶2¶-Laser, der Neon als Puffergas verwendet

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Abstract

Ein F¶2¶-Laser hat eine Entladungskammer, die eine Lasergasmischung mit Fluor als laseraktiver Komponente und Neon als Puffergas umfaßt. Die Gasmischung wird von einem Resonator umgeben, und ihr wird eine gepulste Entladung durch ein Elektrodenpaar zugeführt, das mit einem Spannungszufuhrschaltkreis verbunden ist. Die Konzentration von Neon in der Gasmischung ist vorzugsweise höher als die jedes anderen Konstituentengases, und es ist vorzugsweise das einzige Gas, das zusamen mit dem laseraktiven molekularen Fluor vorhanden ist. Außerdem wird die Gasmischung vorzugsweise auf einer erhöhten Temperatur gehalten, wie etwa in der Nähe von, aber unterhalb der Temperatur, bei der ein Ausgasen in die Entladungskammer auftritt.

Description

HINTERGRUND DER ERFINDUNG 1. Bereich der Erfindung
Die Erfindung betrifft einen effizienten F2-Laser und insbeson­ dere einen F2-Laser, der bei 157 nm eine verbesserte Leistungs­ fähigkeit zeigt. Diese Verbesserung wird dadurch erreicht, daß Neon als das Hauptpuffergas verwendet wird, und daß das Gas eine höhere Arbeitstemperatur hat.
2. Diskussion des Stands der Technik
Eine besondere Art von Gasentladungslaser ist der F2-Laser mit einem vorteilhaften Emissionsspektrum, das eine oder mehrere Linien um 157 nm umfaßt. Diese Kurzwellenlängen- oder Hochener­ gie- (157 nm = etwa 7,9 eV) Photonenemission ist für photolitho­ graphische Anwendungen vorteilhaft, weil die kritische Dimension (critical dimension, CD), die die kleinste auflösbare Größe re­ präsentiert, die unter Verwendung von Photolithographie her­ stellbar ist, proportional zur Wellenlänge ist. Dies ermöglicht kleinere und schnellere Mikroprozessoren und DRAMs mit größerer Kapazität in einer kleineren Anordnung. Das 7,9 eV-Photon wird außerdem in Materialien mit großer Bandlücke wie Quarz, synthe­ tischem Quarz (SiO2), Teflon (PTFE) und Silicon, u. a., schnell absorbiert, so daß der F2-Laser ein großes Potential in einer breiten Vielfalt von Materialverarbeitungsanwendungen hat.
Die Konstruktion und elektrische Anregung des F2-Lasers unter­ scheidet sich von der einer anderen Art von Gasentladungslaser, die als Excimerlaser bekannt ist. Ein Unterschied besteht darin, daß das Lasergas eines Excimerlasers ein laseraktives Konsti­ tuentengas umfaßt, das keinen gebundenen Grundzustand oder höch­ stens einen schwach gebundenen Grundzustand hat. Das laseraktive Gasmolekül des Excimerlasers zerfällt bei optischem Übergang von dem oberen in den unteren Zustand in seine atomaren Bestandtei­ le. Das laseraktive Gaskonstituentenmolekül (F2) des F2-Lasers, das für die Emission um 157 nm verantwortlich ist, ist hingegen gebunden und im Grundzustand stabil. In diesem Falle zerfällt das F2-Molekül nach dem Vollziehen des optischen Übergangs von dem oberen in den unteren Zustand nicht.
Der F2-Laser ist seit etwa 1977 bekannt (siehe z. B. Rice et al., VUV Emissions from Mixtures of F2 and the Noble Gases-A Molecular F2 laser at 1575 angstroms, Applied Physics Letters, Vol. 31, No. 1, 1 July 1977). Bisherige F2-Laser zeigen jedoch bekanntermaßen relativ niedrige Verstärkungen und kurze Gaslebenszeiten. Wei­ tere Parameter wie die Puls-zu-Puls-Stabilität und die Laserröh­ renlebenszeiten waren nicht befriedigend. Außerdem zeigen Sauer­ stoff und Wasser um die gewünschte 157 nm-Emissionslinie des F2- Lasers hohe Absorptionsquerschnitte, wodurch sie die Gesamteffi­ zienz beim Wafer weiter verringern, wenn der Laserstrahl irgend­ wo entlang seines Pfads auf sie trifft. Um diese Absorption zu verhindern, kann man einen gereinigten oder evakuierten Strahl­ pfad für den F2-Laser aufrechterhalten, der von Sauerstoff und Wasser frei oder relativ frei ist, wie teuer und aufwendig dies für den Bediener auch sein mag. Kurz gesagt, trotz der Wünsch­ barkeit der Verwendung von kurzen Emissionswellenlängen für die Photolithographie wurden F2-Laser in praktischen industriellen Anwendungen bisher kaum verwendet. Es ist wünschenswert, über einen F2-Laser mit erhöhter Verstärkung, längeren Pulsdauern und höherer Puls-zu-Puls-Stabilität und erhöhter Lebensdauer zu verfügen.
Es wurde beobachtet, daß die VUV-Laserstrahlung (Strahlung im fernen Ultraviolett) um 157 nm des F2-Moleküls durch eine weitere Laserstrahlemission in dem roten Bereich des sichtbaren Spek­ trums begleitet wird. Dieses sichtbare Licht hat seinen Ursprung in dem angeregten Fluoratom (atomarer Übergang). Es ist wün­ schenswert, über einen F2-Laser zu verfügen, bei dem die Emission in dem sichtbaren Bereich verringert wird, um die Energie in dem VUV-Bereich zu erhöhen.
Auch wenn der aktive Konstituent in der Gasmischung des F2-Lasers Fluor ist, beträgt die Menge von purem Fluor in der Gasmischung nicht mehr als 5 bis 10 mbar Partialdruck. Um eine gleichförmige Entladung aufrechtzuerhalten, ist ein höherer Gesamtdruck not­ wendig. Demzufolge wird ein Puffergas benötigt, um den Druck in dem Entladungsbehälter zu erhöhen, typischerweise weit über Atmosphärendruck hinaus (z. B. 3 bis 10 bar oder mehr), um eine saubere Entladung zu erreichen und für eine wirksame Emission der 157 nm-Strahlung zu sorgen.
Aus diesem Grund haben F2-Laser Gasmischungen mit einem inerten Puffergas, das typischerweise Helium ist. Wenn jedoch Helium verwendet wird, kann die Aufgabe im roten sichtbaren Bereich bis zu 1 bis 3% der VUV-Abstrahlung betragen. Außerdem sind die VUV-Pulslängen eher relativ kurz. Wie oben erwähnt, wäre es wün­ schenswert, die sichtbare Emission zu minimieren, wie auch die Länge des VUV-Ausgangspulses zu erhöhen, um sowohl die Linien­ auswahl als auch die Möglichkeit zur Linienverschmälerung zu verbessern.
ZUSAMMENFASSUNG DER ERFINDUNG
Es ist eine Aufgabe der vorliegenden Erfindung, einen entla­ dungsgepumpten F2-Laser mit erhöhter Leistungsfähigkeit bezüglich des molekularen Fluorübergangs um 157 nm bereitzustellen.
Es ist eine weitere Aufgabe, einen F2-Laser bereitzustellen, wo­ bei die Emission im sichtbaren Bereich zugunsten des gewünschten Molekularfluorübergangs um 157 nm verringert wird.
Es ist eine weitere Aufgabe der Erfindung, einen F2-Laser mit ei­ ner erhöhten Pulslänge bereitzustellen, so daß die Linienauswahl und die Linienverschmälerung verbessert werden können.
Es ist eine weitere Aufgabe der Erfindung, einen F2-Laser mit größerer Gesamtenergie und Puls-zu-Puls-Stabilität und mit län­ geren Lasergas- und Laserröhrenlebenszeiten bereitzustellen.
Diese und weitere Aufgaben der Erfindung werden dadurch er­ reicht, daß ein F2-Laser mit einer Entladungskammer bereitge­ stellt wird, der eine Lasergasmischung mit Fluor und Neon ent­ hält. Die Gasmischung ist von einem Resonator umgeben, und ihr wird eine gepulste Entladung über ein Elektrodenpaar zugeführt, das mit einem Spannungsversorgungsschaltkreis verbunden ist, um die laseraktiven Konstituenten der Gasmischung anzuregen. Die Konzentration von Neon in der Gasmischung ist vorzugsweise höher als die jedes anderen Konstituentengases, und es kann das ein­ zige Gas sein, das das laseraktive Fluor begleitet. Außerdem wird die Temperatur der Gasmischung vorzugsweise auf einem erhöhten Niveau gehalten.
KURZE BESCHREIBUNG DER ZEICHNUNGEN
Fig. 1 zeigt eine bevorzugte Ausführungsform eines F2-Lasers gemäß der vorliegenden Erfindung.
Fig. 2 ist ein Graph der VUV-Ausgangsleistung gegen die Wie­ derholungsfrequenz bei unterschiedlichen Ladungsspan­ nungen für einen F2-Laser mit einer Gasfüllung, die aus einer 90 mbar-Mischung von 5% F2/95% Neon und 3000 mbar Helium besteht.
Fig. 3 ist ein Graph der VUV-Ausgangsleistung gegen die Wie­ derholungsfrequenz bei unterschiedlichen Ladungsspan­ nungen für einen F2-Laser mit einer Gasfüllung, die aus einer 90 mbar-Mischung von 5% F2/95% Neon; 3000 mbar Neon und keinem Helium besteht.
Fig. 4 ist ein Graph der VUV-Ausgangsleistung gegen die Wie­ derholungsfrequenz bei unterschiedlichen Ladungsspan­ nungen für einen F2-Laser mit einer Gasfüllung, die aus einer 90 mbar-Mischung von 5% F2/95% Neon, 2500 mbar Helium und 500 mbar Neon besteht.
Fig. 5 ist ein Energiezustandsdiagramm für Fluor, das den 157 nm-Molekularfluor-Übergang zeigt.
Fig. 6 stellt die Temperaturabhängigkeit der durchschnittli­ chen Ausgangsleistung eines F2-Lasers gemäß der vorlie­ genden Erfindung dar.
AUSFÜHRLICHE BESCHREIBUNG DER BEVORZUGTEN AUSFÜHRUNGSFORM
Fig. 1 zeigt schematisch ein F2-Lasersystem gemäß der vorliegen­ den Erfindung. Das F2-Lasersystem umfaßt eine Entladungskammer 1, Resonatoroptik 2, 3, einen Energieüberwacher 4 zum Erfassen ei­ nes Signals proportional zur Energie des Ausgangsstrahls 5, ei­ nen pulserzeugenden Schaltkreis 6, einen Gassteuerkasten 7 und Gasleitungen 8 und eine Computersteuereinheit 9. Die Entladungs­ kammer 1 ist mit einer Gasmischung gefüllt, die Fluor und Neon umfaßt. Das Fluor ist eine laseraktive Komponente, während das Neon ein Puffergas ist. Die Fluorkonzentration wird bei einem ausgewählten Wert genau überwacht und gesteuert. Dieser Wert kann zwischen 0,05% und 0,5% liegen und beträgt vorzugsweise etwa 0,1%. Beispielsweise kann eine bevorzugte Gasmischung ei­ nen Fluor-Partialdruck von 3,5 bis 5 mbar und einen Neonpuffer- Partialdruck von etwa 3000 mbar umfassen. Vorzugsweise ist das Neon der größte Teil (größer als 50%) des Puffergases. Neon kann als das einzige Puffergas verwendet werden. Alternativ kann ein kleinerer Anteil von Helium mit dem Neon als zweites Puffer­ gas der Mischung vermischt werden. Beispielsweise kann Neon 60% oder mehr der Gasmischung betragen, Fluor 0,1%, und der Rest ist Helium.
Ein Paar Elektroden ist in der Entladungskammer 1 angeordnet und mit einem Spannungszufuhrschaltkreis 6 verbunden. Eine gepulste Entladung in den Elektroden dient dazu, das laseraktive Fluor anzuregen. Die UV-Vorionisierung des elektrischen Entladungsla­ sers wird ebenfalls bereitgestellt und kann durch eine Gruppe von Entladungsstrecken oder einer anderen Quelle von UV-Strah­ lung (Oberflächen-, Barrieren- oder Coronagasentladungen) be­ wirkt werden, die in der Nähe von mindestens einer der festen Elektroden der Hauptentladung des Lasers angeordnet ist. Eine bevorzugte Vorionisierungseinheit ist in der US-Patentanmeldung Nr. 09/247,887 beschrieben.
Ein vereinfachtes Energieniveaudiagramm ist in Fig. 5 gezeigt, um den 157 nm-Übergang der F2-Moleküle in dem Lasergas darzustel­ len. Das F2-Molekül zerfällt nicht, wenn es den optischen 157 nm- Übergang macht und entregt sich statt dessen einfach. Dies steht in großem Gegensatz zu Excimerlasern, die laseraktive Molekular­ arten haben, die zerfallen, wenn sie ihren optischen Übergang machen.
Zurück zu Fig. 1: Die Entladungskammer hat ein optisches Fen­ ster an jedem Ende mit einem Material, das um 157 nm durchlässig ist, wie etwa CaF2, MgF2, BaF2 oder SrF2. Die Entladungskammer wird von einem Resonator umgeben, der ein hinteres Optikmodul 2 umfaßt, das z. B. einen hochreflektierenden Spiegel und einen Auskopplungsspiegel 3 aufweist. Das hintere Optikmodul kann Mit­ tel haben, eine von mehreren nah voneinander beabstandeten Lini­ en um 157 nm auszuwählen und/oder Mittel, um die Linienbreite des Ausgangsstrahls des Lasers zu verschmälern. Solche Mittel zur Linienauswahl und/oder -verschmälerung können ein oder meh­ rere Prismen, die vorzugsweise MgF2 oder CaF2 aufweisen, Etalons und/oder ein Gitter umfassen, auch wenn typische Gitter bei die­ sen kurzen Wellenlängen eine geringe Leistungsfähigkeit zeigen.
Ein durch den Energieüberwacher 4 erfaßtes und zu dem Prozessor 9 gesandtes Signal erlaubt es dem Prozessor 9, mit der Span­ nungszufuhrelektronik 6 oder dem elektrischen Pulsleistungs- und Entladungsmodul 6 zusammenzuwirken, um die Ausgangsleistung des F2-Lasersystems in einer Rückkopplungsanordnung zu steuern. Der Prozessor 9 wirkt außerdem mit dem Gassteuerkasten 7 zusammen, der eine Vakuumpumpe, Ventile und Gasabteilungen umfaßt. Der Gassteuerkasten 7 ist mit Gasbehältern, z. B. Gasflaschen oder -zylindern über Gasleitungen 8 verbunden. Unter den Gassteue­ rungsbehältern, die mit dem Gassteuerungskasten 7 verbunden sind, befinden sich Fluor- und Neonbehälter.
In der bevorzugten Ausführungsform hat die Gasmischung eine Neonkonzentration von mehr als 50%. Man hat herausgefunden, daß bei der Verwendung von Neon als Puffergas die Ausgabe in dem ro­ ten sichtbaren Bereich, die auf atomares Fluor zurückzuführen ist, im Vergleich zu der 157 nm-Ausgabe verringert wird. Wie oben erwähnt, ist eine typische Intensität der Rotabstrahlung bezüglich der VUV-Abstrahlung um 157 nm für einen F2-Laser mit Helium als Puffergas etwa 1% bis 3% für einen gut passivierten F2-Laser mit einer frischen VUV-optimierten Gasmischung. Hier ist jedoch die Intensität der Rotabstrahlung für einen F2-Laser mit einer frischen VUV-optimierten Gasmischung auf weniger als 0,1% geschätzt.
Die Puls-zu-Puls-Stabilität und die Gesamtenergie des Systems werden jeweils ebenfalls erhöht, wenn das Neonpuffergas das Heliumpuffergas ersetzt. Dies folgt von der Verstärkung der 157 nm-Linie des F2-Lasers, die die Unterdrückung der Rotab­ strahlung begleitet.
Die Verwendung von Neon führt auch zu dem Vorteil, daß die Le­ bensdauer der F2-Laserröhre erhöht wird. In einem Experiment war ein F2-Laser, der Helium als Puffergas benutzt, nach etwa 450 Millionen Pulsen nicht mehr verwendbar. Das bedeutet, daß zu diesem Zeitpunkt ein größerer Teil der Ausgangsenergie des F2- Lasers im Rotbereich als in dem gewünschten 157 nm-VUV-Bereich war. Als das Neon für das Helium als Puffergas ersetzt wurde, hatte der F2-Laser wieder eine erhebliche Ausgabe (Emission) in der Nähe von 157 nm. Indem das Helium durch Neon ersetzt wurde, wurde die Emission des F2-Lasers in die Nähe der Anforderungen gebracht, wodurch er wiederverwendbar gemacht wurde. Daher kann die Lebenszeit der Laserröhre eines F2-Lasers ausgedehnt werden, indem Helium durch Neon als Puffergas ersetzt wird.
Die Fig. 2, 3 und 4 sind Graphen, die die VUV-Emission eines Lasers LPX 220i von Lambda Physik darstellen, der molekulares Fluor als Lasergas verwendet. Der Laser war bei jedem der Expe­ rimente in derselben Weise aufgebaut. Die Ausgangsleistung wurde bei unterschiedlichen Ladungsspannungen (von 22 kV bis 24 kV) gemessen.
Fig. 2 zeigt eine konventionelle Gasmischung mit hauptsächlich Helium als Puffergas (eine 90 mbar-Mischung von 5% F2/95% Neon und 3000 mbar Helium). In diesem Laser lagen die Ausgangslei­ stungen bei einer Wiederholungsfrequenz von 150 Hz zwischen 6 W (bei 22 kV) und etwa 7,5 W (24 kV).
Fig. 3 stellt denselben Laser dar, der nur Neon als Puffergas verwendet (eine 90 mbar-Mischung von 5% F2/95% Neon und 3000 mbar Neon). Bei diesem Experiment erhöhten sich die Aus­ gangsleistungen. Bei einer Wiederholungsrate von 150 Hz lag die Leistung zwischen 7,5 W (22 kV) zu etwa 9 W (24 kV).
Fig. 4 stellt denselben Laser dar, wobei weniger als 20% des Puffergases Neon ist (eine 90 mbar-Mischung von 5% F2/95% Neon; 2500 mbar Helium und 500 mbar Neon). Selbst bei diesem relativ geringen Neonpegel wurde gegenüber dem Betrieb mit purem Helium eine wesentliche Verbesserung beobachtet. Genauer lag die Lei­ stung bei einer Wiederholungsfrequenz von 150 Hz zwischen 7 W (22 kV) und etwa 9 W (24 kV).
Ein anderer Vorteil der Verwendung von Neon als Hauptpuffergas ist, daß die Laserpulslängen erhöht werden können. Wenn die Pulslängen erhöht werden, zirkuliert das Licht in dem Laserreso­ nator über mehrere Runden. Bei jeder Runde wirkt das Licht mit den Linienauswahl- und Linienverschmälerungselementen in dem Laserresonator zusammen. Somit können, wenn die Pulslänge erhöht wird, die Linienauswahl und die Linienverschmälerung verbessert werden.
Die vorliegende Erfindung stellt Mittel bereit, um die Länge des Pulses des Molekularfluorlasers zu verlängern, indem Neon als Puffergas verwendet wird.
Die Fig. 6a, 6b und 6c zeigen die zeitliche Pulsform bei den Gasmischungen, die in Tabelle 1 angegeben sind:
TABELLE 1
Eine Erhöhung in der Konzentration von Neon in der Gasmischung des F2-Lasers führt somit zu einer erhöhten Pulslänge von etwa 8 nsec (für 9% Neon) bis zu 2,5 nsec (für 96,8% Neon).
Bei kommerziellen Excimerlasern wird eine hohe Pumpniveaudichte für die Erregung des F2-Lasers gewünscht. Beispielsweise würden 10 bis 15 MW/cm3 eine relativ kleine Signalverstärkung für den Oszillatorbetrieb hervorrufen. Es ist außerdem anerkannt, daß die Ausgangsenergie eines F2-Lasers bei 157 nm bedeutend anstei­ gen sollte, wenn die Dichte des Puffergases in der Entladungs­ kammer erhöht wird. Beispielsweise sollte eine Ausgabe von 2,6 J/l erreichbar sein.
Wie aus Fig. 5 zu erkennen, ist dies hauptsächlich auf die schnelle Depopulation des niedrigeren Laserniveaus eines schwach bindenden Zustands (0,15 eV) des F2-Moleküls wegen Kollisionen mit dem Puffergas zurückzuführen.
Zumindest teilweise auch wegen dieser Beobachtungen ist in der vorliegenden Erfindung ferner berücksichtigt, daß die Temperatur der Gasmischung aus F2 und einem Puffergas (z. B. He oder Ne) ei­ nen bedeutenden Einfluß auf die Ausgangsleistung des F2-Lasers haben sollte. Wie unten ausführlicher beschrieben, unterstützen Experimente, die mit einem kommerziellen LPF205 F2-Laser von Lambda Physik durchgeführt werden, der ansonsten auch für eine bezüglich den Entladungsbedingungen, der Gasmischung, dem Strahlpfad und der Gasreinigung optimalen 157 nm-Betrieb ausge­ legt wurde, diese Hypothese.
Bei Durchführung dieser Experimente war der F2-Laser mit einem Platin-Temperatursensor (PT100) versehen. Viele andere Tempera­ tursensoren hätten verwendet werden können. Der Temperatursensor war in dem Gasreservoir angeordnet, das keinen bedeutenden Kon­ takt mit der Gefäßwand hatte und zeigte die Gastemperatur wäh­ rend des Laserbetriebs an. Die Temperaturstabilisierung erfolgte unter Verwendung von Kühlwasser in Kühlleitungen in dem Gasre­ servoir und eines einstellbaren Wasser-Wasser-Wärmeaustauschers.
Die Temperatur kann durch jede einer Vielzahl von Techniken ge­ steuert werden. Beispielsweise kann die Gasmischung auf einer erhöhten Temperatur gehalten werden, indem ein Element verwendet wird, das heißes Wasser in der Nähe der Gasmischung enthält. Ein anderes heißes Element wie beispielsweise eine Stange kann in der Nähe der Gasmischung angeordnet werden. Warmes Gas kann durch einen mit einem Motor verbundenen Ventilator dem Entla­ dungsbereich zugeführt werden.
Der F2-Laser wurde auf eine konstante Entladungsspannung von 26 kV wie auch auf eine Wiederholungsfrequenz von 50 Hz einge­ stellt. Um keine Anfangs- oder Reinigungseffekte der Röhre und der Gase zu messen, wurde die VUV-Leistung zunächst bei steigen­ den Gastemperaturen im Bereich von 26 bis 40°C gemessen, die dann langsam von 41°C auf 26°C verringert wurden. Die Laserlei­ stung wurde in diesem Bereich als Funktion der Temperatur gemessen.
Die Ergebnisse der Experimente sind in Fig. 7 dargestellt. Der Graph in Fig. 7 zeigt die Temperaturabhängigkeit der Ausgangs­ leistung des F2-Lasers. Es wurde eine Erhöhung in der Ausgangs­ leistung um 157 nm von 3,85 W bei 28°C auf 4,3 W bei 41°C beob­ achtet, wie es der Graph von Fig. 7 zeigt. Dies bedeutet eine 10%ige Steigerung der Ausgangsleistung, wenn die Temperatur in diesem Temperaturbereich angehoben wird. Dieser Trend sollte sich fortsetzen, bis eine Gastemperatur erreicht wird, bei der das Ausgasen von Oberflächen, insbesondere von Abdichtmateria­ lien, auftritt. Das Ausgasen würde dann einen Abfall in der VUV- Ausgangsleistung wegen Absorption bewirken. Daher stellt eine bevorzugte Ausführungsform der vorliegenden Erfindung einen F2- Laser bereit, wie den in Fig. 7 gezeigten, bei dem das Lasergas auf eine Temperatur erhöht und auf dieser gehalten wird in der Nähe von, aber unterhalb der Temperatur, bei der ein Ausgasen in die Entladungskammer auftritt.
Es ist möglich, die Schwellentemperatur zu erhöhen, bei der Aus­ gasen in einem F2-Laser austritt, indem unterschiedliche Materia­ lien mit geeigneteren temperaturabhängigen Eigenschaften ausge­ tauscht werden. Beispielsweise können anstelle von herkömmlichen O-Ringen Metall-O-Ringe oder Metallabdichtelemente verwendet werden. Es können Keramik- oder Kunststoffmaterialien eingesetzt werden, die Wärme weniger schnell als Metalle leiten, wie sie herkömmlicherweise bei der Konstruktion des Rahmens des F2-Lasers eingesetzt werden.

Claims (10)

1. F2-Laser, mit:
einer Entladungskammer, die mit einer Gasmischung gefüllt ist, die molekulares Fluor und ein Neonpuffergas umfaßt, um eine spektrale Emission um 157 nm zu erzeugen;
einem Elektrodenpaar, das mit einem Spannungszufuhrschaltkreis verbunden ist, um eine gepulste Entladung zum Anregen des mole­ kularen Fluors zu erzeugen; und
einem Resonator, der die Entladungskammer umgibt.
2. F2-Laser nach Anspruch 1, wobei die Konzentration des Neons in der Gasmischung über 50% liegt.
3. F2-Laser nach Anspruch 2, wobei die Konzentration des Neons in der Gasmischung über 60% liegt.
4. F2-Laser nach einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei Neongas das ausschließliche Puffergas ist, das mit dem moleku­ laren Fluor zusammen in der Entladungskammer vorhanden ist.
5. F2-Laser nach einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei die Gasmischungstemperatur in der Nähe von, jedoch unterhalb einer Temperatur gehalten wird, an der ein Ausgasen in die Entladungs­ kammer auftritt.
6. F2-Laser nach einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei die Gasmischungstemperatur über 30°C liegt.
7. F2-Laser nach einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei die Gasmischungstemperatur über 35°C liegt.
8. F2-Laser nach einem der vorhergehenden Änsprüche, wobei die Gasmischungstemperatur über 40°C liegt.
9. F2-Laser nach einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei die Gasmischungstemperatur über 45°C liegt.
10. F2-Laser nach einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei die Gasmischungstemperatur über 50°C liegt.
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