JPWO2017094459A1 - エキシマレーザ装置 - Google Patents
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Abstract
Description
本開示の他の1つの観点に係るエキシマレーザ装置は、第1の光共振器と、第1の一対の放電電極を含み、第1の光共振器の間に配置され、レーザガスを収容する第1のチャンバと、第1のトリガ信号を受信して、第1のトリガ信号に基づいて第1の一対の放電電極にパルス状の電圧を印加する第1の電源と、第1の光共振器から出力された第1のパルスレーザ光の第1のパルスエネルギーを計測する第1のエネルギーモニタと、第1のパルスレーザ光が入射する第2の光共振器と、第2の一対の放電電極を含み、第2の光共振器の間に配置され、レーザガスを収容する第2のチャンバと、第2のトリガ信号を受信して、第2のトリガ信号に基づいて第2の一対の放電電極にパルス状の電圧を印加する第2の電源と、第2の光共振器から出力された第2のパルスレーザ光の第2のパルスエネルギーを計測する第2のエネルギーモニタと、第1のチャンバ内に収容されたレーザガスの一部の排気と、第1のチャンバ内へのレーザガスの供給と、第2のチャンバ内に収容されたレーザガスの一部の排気と、第2のチャンバ内へのレーザガスの供給と、を実行可能に構成されたハロゲンガス分圧調節部と、第1のエネルギーモニタによる第1のパルスエネルギーの計測結果に基づいて第1のチャンバのエネルギーディップを検出し、第1のチャンバのエネルギーディップの検出結果に基づいてハロゲンガス分圧調節部を制御することにより第1のチャンバ内のハロゲンガス分圧を調節し、第2のエネルギーモニタによる第2のパルスエネルギーの計測結果に基づいて第2のチャンバのエネルギーディップを検出し、第2のチャンバのエネルギーディップの検出結果に基づいてハロゲンガス分圧調節部を制御することにより第2のチャンバ内のハロゲンガス分圧を調節する制御部と、を備えてもよい。
1.概要
2.比較例に係るエキシマレーザ装置
2.1 構成
2.1.1 レーザ発振システム
2.1.2 レーザガス制御システム
2.2 動作
2.2.1 レーザ発振システムの動作
2.2.2 エネルギー制御
2.2.3 レーザガス制御
2.2.3.1 全ガス交換
2.2.3.2 ガス圧制御
2.2.3.3 ショット数の計測
2.2.3.4 部分ガス交換
2.3 課題
3.エネルギーディップを検出してハロゲンガス分圧を調整するエキシマレーザ装置
3.1 構成
3.2 動作
3.2.1 エネルギーディップの検出
3.2.1.1 エネルギーディップ検出回数Ndをカウントする処理の第1の例
3.2.1.2 エネルギーディップ検出回数Ndをカウントする処理の第2の例
3.2.1.3 エネルギーディップ検出回数Ndをカウントする処理の第3の例
3.2.1.4 エネルギーディップ検出回数Ndをカウントする処理の第4の例
3.2.2 エネルギーディップ改善制御を含むレーザガス制御
3.2.2.1 ガス圧制御
3.2.2.2 エネルギーディップ改善制御
3.2.2.2.1 ハロゲン分圧降下制御の第1の例
3.2.2.2.2 ハロゲン分圧降下制御の第2の例
3.3 その他
3.4 作用
4.ファンの回転数を低くしてエネルギーディップを検出するエキシマレーザ装置
4.1 構成
4.2 動作
4.2.1 エネルギーディップ改善制御
4.2.1.2 エネルギーディップ指数EDの計算
4.2.1.3 エネルギーディップ指数EDの読み込み
4.3 作用
5.レーザ発振器とレーザ増幅器とを含むエキシマレーザ装置
5.1 構成
5.1.1 レーザ発振器
5.1.2 レーザ増幅器
5.1.3 配管
5.2 動作
5.2.1 エネルギーディップを検出する処理の第1の例
5.2.1.1 エネルギーディップ検出回数をカウントする処理の例
5.2.1.2 エネルギーディップフラグを設定する処理の例
5.2.2 エネルギーディップを検出する処理の第2の例
5.2.3 エネルギー制御
5.2.4 エネルギーディップ改善制御を含むレーザガス制御
5.2.4.1 全ガス交換
5.2.4.2 ガス圧制御
5.2.4.3 ショット数の計測
5.2.4.4 部分ガス交換
5.2.4.5 エネルギーディップ改善制御の第1の例
5.2.4.6 エネルギーディップ改善制御の第2の例
5.2.4.7 ハロゲン分圧降下制御の例
5.2.4.8 エネルギーディップ改善制御の第3の例
5.2.4.8.1 エネルギーディップ指数EDの計算
5.2.4.8.2 エネルギーディップ指数EDの読み込み
5.3 作用
6.制御部の構成
本開示の実施形態は、エキシマレーザ装置に関するものであってもよい。エキシマレーザ装置は、光共振器と、この光共振器の間に配置されたチャンバとを含んでもよい。チャンバは一対の放電電極を含み、チャンバの内部にはレーザガスが収容されていてもよい。一対の放電電極にパルス電圧が印加されることにより、レーザガスが励起され、パルスレーザ光が出力されてもよい。
2.1 構成
図1は、比較例に係るエキシマレーザ装置の構成を概略的に示す。
エキシマレーザ装置は、露光装置100と共に使用されてもよい。エキシマレーザ装置のチャンバ10から出力されたレーザ光は、露光装置100へ入射してもよい。露光装置100は、露光装置制御部110を含んでもよい。露光装置制御部110は、露光装置100を制御するように構成されてもよい。露光装置制御部110は、エキシマレーザ装置に含まれるレーザ制御部30に対して、目標パルスエネルギーの設定データを送信したり、発光トリガ信号を送信したりするように構成されてもよい。
レーザ発振システムに含まれる上述のチャンバ10は、狭帯域化モジュール14と出力結合ミラー15とで構成されたレーザ共振器の光路に配置されてもよい。チャンバ10には、二つのウィンドウ10a及び10bが設けられていてもよい。チャンバ10は、一対の放電電極11a及び11bを収容していてもよい。チャンバ10は、レーザガスを収容してもよい。
狭帯域化モジュール14は、プリズム14a及びグレーティング14bを含んでもよい。狭帯域化モジュール14の代わりに、高反射ミラーが用いられてもよい。出力結合ミラー15は、部分反射ミラーであってもよい。
エキシマレーザ装置に含まれる上述のレーザガス制御システム40は、ガス供給装置と、排気装置と、ガス制御部32と、を含んでもよい。ガス制御部32は、レーザ制御部30との間で信号を送受信してもよい。ガス制御部32は、チャンバ圧力センサ16から出力された測定データを受信するように構成されてもよい。
バルブF2−Vは、配管28に設けられてもよい。ハロゲン含有ガス供給源F2から配管29を介したチャンバ10へのハロゲン含有ガスの供給は、バルブF2−Vの開閉によって制御されてもよい。バルブF2−Vの開閉は、ガス制御部32によって制御されてもよい。
バルブB−Vは、配管27に設けられてもよい。バッファガス供給源Bから配管29を介したチャンバ10へのバッファガスの供給は、バルブB−Vの開閉によって制御されてもよい。バルブB−Vの開閉は、ガス制御部32によって制御されてもよい。
配管26は、チャンバ10と、装置外部の図示しない排気処理装置等との間に接続されてもよい。配管26により、チャンバ10から排気されたレーザガスが装置外部に排出可能であってもよい。
2.2.1 レーザ発振システムの動作
レーザ制御部30は、露光装置制御部110から、目標パルスエネルギーの設定データと、発光トリガ信号と、を受信してもよい。レーザ制御部30は、露光装置制御部110から受信した目標パルスエネルギーの設定データに基づいて、充電器12に充電電圧の設定データを送信してもよい。また、レーザ制御部30は、露光装置制御部110から受信した発光トリガ信号に基づいて、パルスパワーモジュール(PPM)13に含まれるスイッチ13aにトリガ信号を送信してもよい。
図2は、比較例に係るエキシマレーザ装置のレーザ制御部30によるエネルギー制御を示すフローチャートである。レーザ制御部30は、以下の処理により、出力パルスレーザ光のパルスエネルギーが目標パルスエネルギーに近づくように制御を行ってもよい。
S14において、レーザ制御部30は、エネルギーモニタ17の出力に基づいて、パルスエネルギーEを計測してもよい。
ΔE=E−Et
V=V+Vk・ΔE
次に、S18において、レーザ制御部30は、目標パルスエネルギーEtが変更されたか否かを判定してもよい。目標パルスエネルギーEtが変更された場合は、レーザ制御部30は、処理を上述のS12に戻してもよい。目標パルスエネルギーEtが変更されない場合は、処理をS19に進めてもよい。
図3は、比較例に係るエキシマレーザ装置のガス制御部32によるレーザガス制御の処理を示すフローチャートである。ガス制御部32は、以下の処理により、全ガス交換、ガス圧制御、及び、部分ガス交換を行ってもよい。
次に、S1300において、ガス制御部32は、充電電圧Vに基づくガス圧制御を行うように、レーザガス制御システム40を制御してもよい。ガス圧制御の詳細については、図5を参照しながら後述する。
次に、S2100において、ガス制御部32は、部分ガス交換フラグFpgの値を0にリセットしてもよい。
図4は、図3に示される全ガス交換の処理の詳細を示すフローチャートである。図4に示される処理は、図3に示されるS1100のサブルーチンとして、ガス制御部32によって行われてもよい。
次に、S1104において、ガス制御部32は、チャンバ圧力センサ16からチャンバ10のガス圧Pを読み込んでもよい。
S1106において、ガス制御部32は、バルブEX−Vを閉じ、排気ポンプ46の駆動を停止してもよい。
次に、S1108において、ガス制御部32は、チャンバ圧力センサ16からチャンバ10のガス圧Pを読み込んでもよい。
ガス圧Pが所定値(P0+PF2t/C)以上になっていない場合(S1109;NO)、ガス制御部32は、処理を上述のS1108に戻してもよい。ガス圧Pが所定値(P0+PF2t/C)以上になった場合(S1109;YES)、ガス制御部32は、処理をS1110に進めてもよい。
S1110において、ガス制御部32は、バルブF2−Vを閉じてもよい。
次に、S1112において、ガス制御部32は、チャンバ圧力センサ16からチャンバ10のガス圧Pを読み込んでもよい。
S1114において、ガス制御部32は、バルブB−Vを閉じてもよい。
S1114の後、ガス制御部32は、本フローチャートの処理を終了し、図3に示される処理に戻ってもよい。
図5は、図3に示されるガス圧制御の処理の詳細を示すフローチャートである。図5に示される処理は、図3に示されるS1300のサブルーチンとして、ガス制御部32によって行われてもよい。ガス制御部32は、図2に示されるエネルギー制御によって設定された充電電圧Vに基づいて、チャンバ10内のガス圧を制御してもよい。
次に、S1303において、ガス制御部32は、充電電圧Vの値をレーザ制御部30から受信してもよい。充電電圧Vの値は、図2を参照しながら説明した処理により、パルスエネルギーEが目標パルスエネルギーEtに近づくように設定された値であってもよい。
図6は、比較例に係るエキシマレーザ装置のレーザ制御部30によるショット数Nsの計測の処理を示すフローチャートである。レーザ制御部30は、以下の処理により、部分ガス交換後のショット数Nsを計測してもよい。部分ガス交換後のショット数Nsは、図7を参照しながら後述するように、次回の部分ガス交換におけるバッファガス注入量ΔPbg及びハロゲン含有ガス注入量ΔPhgを算出するために用いられてもよい。
次に、S21において、レーザ制御部30は、ショット数Nsを初期値0に設定してもよい。
次に、S22において、レーザ制御部30は、部分ガス交換周期の計測タイマーTpgをリセット及びスタートしてもよい。
S25において、レーザ制御部30は、部分ガス交換周期の計測タイマーTpgが所定値Tpg0以上になったか否かを判定してもよい。部分ガス交換周期の計測タイマーTpgが所定値Tpg0に達していない場合(S25;NO)、レーザ制御部30は、処理を上述のS23に戻してもよい。部分ガス交換周期の計測タイマーTpgが所定値Tpg0以上になった場合(S25;YES)、レーザ制御部30は、処理をS26に進めてもよい。
次に、S27において、レーザ制御部30は、部分ガス交換フラグFpgの値を、要交換を示す値1に設定してもよい。この部分ガス交換フラグFpgに基づき、ガス制御部32が、図7に示される処理により部分ガス交換を実行してもよい。
図7は、図3に示される部分ガス交換の処理の詳細を示すフローチャートである。図7に示される処理は、図3に示されるS2000のサブルーチンとして、ガス制御部32によって行われてもよい。図4を参照しながら説明した全ガス交換の処理がレーザ発振の停止中に行われ得るのに対し、以下に説明する部分ガス交換は、レーザ発振中に行われてもよい。
ΔPbg=Kbg・Ns
ここで、Kbgは、1ショットあたりのバッファガス注入量として予め設定された値でもよい。
ΔPhg=Khg・Ns+ΔPe
ここで、Khgは、1ショットあたりのハロゲン含有ガス注入量として予め設定された値でもよい。ΔPeは、後述のS2006において排気されるレーザガスに含まれるハロゲンガスを補充するために、予め計算されるハロゲン含有ガス注入量であってもよい。後述のS2006において排気されるレーザガスが、チャンバ10内のレーザガスに対して僅かな量であれば、ΔPeは無視されてもよい。
S2006の後、ガス制御部32は、本フローチャートの処理を終了し、図3に示される処理に戻ってもよい。
エキシマレーザ装置を長期間にわたって運転し、例えば、出力されたパルスレーザ光のパルス数が数百億パルスに達すると、一対の放電電極11a及び11bが劣化してくることがあり得る。その結果、エネルギーディップと呼ばれる現象が生じることがあり得る。すなわち、パルスレーザ光のうちのほとんどのパルスは目標パルスエネルギーに近いパルスエネルギーを有しているのに、一部のパルスだけは目標パルスエネルギーに比べてかなり小さなパルスエネルギーしか有しないことがある。このように、本明細書では目標パルスエネルギーに比べて小さなパルスエネルギーしか出ない現象をエネルギーディップと記載する。
このようにアーク放電が起こると、一対の放電電極11a及び11bの間に位置するレーザガスが十分に励起されず、パルスレーザ光のパルスエネルギーが不十分となり得る。
3.1 構成
図9は、本開示の第1の実施形態に係るエキシマレーザ装置の構成を概略的に示す。第1の実施形態において、エキシマレーザ装置は、解析制御部33を含んでいてもよい。
解析制御部33は、エネルギーモニタ17に接続され、エネルギーモニタ17の出力信号を受信するように構成されてもよい。解析制御部33は、レーザ制御部30がパルスパワーモジュール13のスイッチ13aに出力するトリガ信号の信号線にも接続され、トリガ信号を受信するように構成されてもよい。レーザガス制御システム40は、ガス制御部32と、ハロゲンガス分圧調節部42とを含む。
他の点については、図1を参照しながら説明した比較例と同様の構成であってもよい。
第1の実施形態に係るエキシマレーザ装置において、レーザ制御部30の処理は、図2及び図6を参照しながら説明した比較例と同様でよい。
図10は、第1の実施形態に係るエキシマレーザ装置における解析制御部33の処理を示すフローチャートである。解析制御部33は、以下の処理により、エネルギーディップの検出を行ってもよい。
次に、S120において、解析制御部33は、エネルギーディップ検出回数Ndの値を0にリセットしてもよい。
次に、S130において、解析制御部33は、レーザ制御部30から目標パルスエネルギーEtのデータを受信し、この目標パルスエネルギーEtを読み込んでもよい。
図11は、図10に示されるエネルギーディップ検出回数Ndをカウントする処理の第1の例を示すフローチャートである。図11に示される処理は、図10に示されるS160のサブルーチンとして、解析制御部33よって行われてもよい。解析制御部33は、以下の処理により、パルスレーザ光のパルスエネルギーと目標パルスエネルギーとの比に基づいてエネルギーディップを検出し、エネルギーディップ検出回数Ndをカウントしてもよい。
R=E/Et
図12は、図10に示されるエネルギーディップ検出回数Ndをカウントする処理の第2の例を示すフローチャートである。図12に示される処理は、図10に示されるS160のサブルーチンとして、解析制御部33よって行われてもよい。解析制御部33は、以下の処理により、パルスエネルギー安定性を評価し、この評価に基づいてエネルギーディップ検出回数Ndをカウントしてもよい。
次に、S162bにおいて、解析制御部33は、S150において計測されたパルスエネルギーEを、カウンタNpの値と関連付けて記憶装置に記憶させてもよい。
σ(%)=(σ/Eav)・100
σ(%)は、パルスエネルギーEの値のばらつきが小さいほど、小さな値となり得る。従って、σ(%)の値が小さいほど、パルスエネルギー安定性が高いことを示し得る。
S167bにおいて、σ(%)が所定値σmax(%)より大きくはない場合、解析制御部33は、エネルギーディップ検出回数Ndを変更することなく、本フローチャートの処理を終了し、図10に示される処理に戻ってもよい。
なお、カウンタNpの初期値は図10に示す解析制御部のスタートの後の図示しないステップにおいてNp=0に設定しておいてもよい。
図13は、図10に示されるエネルギーディップ検出回数Ndをカウントする処理の第3の例を示すフローチャートである。図13に示される処理は、図10に示されるS160のサブルーチンとして、解析制御部33よって行われてもよい。解析制御部33は、以下の処理により、ドーズ安定性を評価し、この評価に基づいてエネルギーディップ検出回数Ndをカウントしてもよい。
次に、S162cにおいて、解析制御部33は、S150において計測されたパルスエネルギーEを、n番目のパルスエネルギーE(n)として記憶装置に記憶させてもよい。nの値は、S162cを実行した各時点でのmの値と同じでよい。mの値はS161cの処理により更新されていくのに対し、nの値は、S162cを実行した回数に応じて複数の値が存在してもよい。従って、S162cが実行されるごとに、パルスエネルギーE(n)の値が記憶装置に追加されてもよい。
D(%)=[|D−(Et・M)|/(Et・M)]・100
D(%)は、移動積算エネルギーDと目標積算エネルギー(Et・M)との差の絶対値が小さいほど、小さな値となり得る。従って、D(%)の値が小さいほど、ドーズ安定性が高いことを示し得る。
S167cにおいて、D(%)が所定値Dmax(%)より大きくはない場合(S167c;NO)、解析制御部33は、エネルギーディップ検出回数Ndを変更することなく、本フローチャートの処理を終了し、図10に示される処理に戻ってもよい。
なお、カウンタmの初期値は図10に示す解析制御部のスタートの後の図示しないステップにおいてm=0に設定しておいてもよい。
図14は、図10に示されるエネルギーディップ検出回数Ndをカウントする処理の第4の例を示すフローチャートである。図14に示される処理は、図10に示されるS160のサブルーチンとして、解析制御部33よって行われてもよい。解析制御部33は、以下の処理により、エネルギーディップ指数EDを評価し、この評価に基づいてエネルギーディップ検出回数Ndをカウントしてもよい。
S167dにおいて、エネルギーディップ指数EDが所定値EDthより大きくはない場合(S167d;NO)、解析制御部33は、エネルギーディップ検出回数Ndを変更せず、本フローチャートの処理を終了し、図10に示される処理に戻ってもよい。
なお、カウンタNpの初期値は図10に示す解析制御部のスタートの後の図示しないステップにおいてNp=0に設定しておいてもよい。
図15は、第1の実施形態に係るエキシマレーザ装置のガス制御部32によるレーザガス制御の処理を示すフローチャートである。ガス制御部32は、以下の処理により、全ガス交換、ガス圧制御、及び、部分ガス交換を行う他に、エネルギーディップ改善制御を行ってもよい。
S1300aにおいて、ガス制御部32は、充電電圧Vに基づくガス圧制御を行ってもよい。ガス圧制御の詳細については、図16を参照しながら後述する。
次に、S1400において、ガス制御部32は、エネルギーディップフラグFdの値が1であるか否かを判定してもよい。エネルギーディップフラグFdは、図10のS190において解析制御部33によって設定されたものでもよい。
エネルギーディップフラグFdの値が1ではない場合(S1400;NO)、ガス制御部32は、処理をS1900に進めてもよい。エネルギーディップフラグFdの値が1である場合(S1400;YES)、ガス制御部32は、処理をS1500に進めてもよい。
チャンバ交換フラグFchの値が1ではない場合(S1600;NO)、ガス制御部32は、処理をS1800に進めてもよい。チャンバ交換フラグFchの値が1である場合(S1600;YES)、ガス制御部32は、処理をS1700に進めてもよい。
S1800において、ガス制御部32は、エネルギーディップフラグ1800を0にリセットしてもよい。これは、上述のS1500によってエネルギーディップ改善制御が行われたためであり得る。
図16は、図15に示されるガス圧制御の処理の詳細を示すフローチャートである。図16に示される処理は、図15に示されるS1300aのサブルーチンとして、ガス制御部32によって行われてもよい。ガス制御部32は、図2に示されるエネルギー制御によって設定された充電電圧Vに基づいて、チャンバ10内のガス圧を制御してもよい。
次に、S1308において、ガス制御部32は、新たに読み込まれたガス圧Pが最大値Pmax以下であるか否かを判定してもよい。ガス圧Pが最大値Pmax以下であれば(S1308;YES)、ガス制御部32は、本フローチャートの処理を終了して、図15に示される処理に戻ってもよい。ガス圧Pが最大値Pmaxより大きい場合(S1308;NO)、ガス制御部32は、これ以上ガス圧Pを上げられないと判断し、処理をS1309に進めてもよい。
S1309において、ガス制御部32は、チャンバ交換フラグFchの値を、要交換を示す値1に設定してもよい。その後、ガス制御部32は、本フローチャートの処理を終了して、図15に示される処理に戻ってもよい。チャンバ交換フラグFchの値が、S1600で用いられてもよい。
図17は、図15に示されるエネルギーディップ改善制御の処理の詳細を示すフローチャートである。図17に示される処理は、図15に示されるS1500のサブルーチンとして、ガス制御部32によって行われてもよい。ガス制御部32は、エネルギーディップを改善するために、チャンバ内のハロゲン分圧を低減する処理を行ってもよい。
PF2t=PF2t−ΔPF2
ΔPF2は、ハロゲン分圧を低下させる量を示す正の数であってもよい。
S1503において、ガス制御部32は、チャンバ交換フラグFchの値を、要交換を示す値1に設定してもよい。その後、ガス制御部32は、本フローチャートの処理を終了して、図15に示される処理に戻ってもよい。チャンバ交換フラグFchの値が、S1600で用いられてもよい。
S1504において、ガス制御部32は、充電電圧Vの最小値Vmin及び最大値Vmaxを、それぞれ以下のように現在の値よりも高い値に変更してもよい。
Vmin=Vmin+ΔVmin
Vmax=Vmax+ΔVmax
充電電圧Vの最小値Vmin及び最大値Vmaxは、図16を参照しながら説明したガス圧制御において、ガス圧を制御する際の基準となる充電電圧であってもよい。ハロゲン分圧を低減すると、エネルギーディップは改善し得るが、パルスエネルギーが低下する可能性があり得る。そこで、S1504の処理により、充電電圧Vの最小値Vmin及び最大値Vmaxを高くして、パルスエネルギーの低下を抑制し得る。
S1506において、ガス制御部32は、充電電圧Vの最小値Vmin及び最大値Vmaxを、それぞれ記憶装置に記憶させてもよい。
S1540の後、ガス制御部32は、本フローチャートの処理を終了し、図15に示される処理に戻ってもよい。
図18は、図17に示されるハロゲン分圧降下制御の第1の例を示すフローチャートである。図18に示される処理は、図17に示されるS1540のサブルーチンとして、ガス制御部32によって行われてもよい。
ΔPd=PT・ΔPF2/(PF2t+ΔPF2)
ここで、PF2tは、目標ハロゲン分圧でもよい。
ΔPF2は、S1501において目標ハロゲン分圧PF2tの値を変更するために用いられた、ハロゲン分圧を低下させる量を示す正の数であってもよい。
S1545において、ガス制御部32は、ガス圧PがΔPp増加するように、バルブB−Vを制御してもよい。バルブB−Vを制御することにより、バッファガスがチャンバ10内に注入されて、ガス圧Pが増加してもよい。ガス圧Pを増加させることにより、パルスエネルギーの低下を抑制してもよい。ΔPpは、出力レーザ光のパルスエネルギーの低下を抑制する量であってもよい。
図19は、図17に示されるハロゲン分圧降下制御の第2の例を示すフローチャートである。図19に示される処理は、図17に示されるS1540のサブルーチンとして、ガス制御部32によって行われてもよい。
S1548の後、ガス制御部32は、本フローチャートの処理を終了し、図17に示される処理に戻ってもよい。
第1の実施形態においては、ArFエキシマレーザ装置の例を示したが、本開示はこれに限定されない。希ガスとして、アルゴンガスの代わりに、クリプトンガス又はキセノンガスが用いられてもよい。ハロゲンガスとして、フッ素ガスの代わりに、塩素ガスが用いられてもよい。ネオンガスの代わりに、ヘリウムガスが用いられてもよい。
第1の実施形態によれば、エキシマレーザ装置は、エネルギーディップを検出して、この検出結果に基づいて、チャンバ内のハロゲンガス分圧を調整してもよい。ハロゲンガス分圧を低減することにより、エネルギーディップの発生を抑制してもよい。これにより、チャンバの寿命を長くすることができる。従って、チャンバの交換のためにパルスレーザ光の出力を停止することをしばらく回避し、半導体工場における生産スケジュールへの影響を抑制し得る。
4.1 構成
図20は、本開示の第2の実施形態に係るエキシマレーザ装置の構成を概略的に示す。第2の実施形態において、エキシマレーザ装置は、回転数調節部31と、シャッタ18と、を含んでいてもよい。
他の点については、図9を参照しながら説明した第1の実施形態と同様の構成であってもよい。
第2の実施形態に係るエキシマレーザ装置において、レーザ制御部30の処理は、図2及び図6を参照しながら説明した比較例と同様でよい。
第2の実施形態に係るエキシマレーザ装置において、解析制御部33及びガス制御部32の処理は、以下に説明する点を除き、図10〜図19を参照しながら説明した第1の実施形態と同様でよい。
図21は、第2の実施形態におけるエネルギーディップ改善制御の処理の詳細を示すフローチャートである。図21に示される処理は、図15に示されるS1500のサブルーチンとして、ガス制御部32によって行われてもよい。
さらに、ガス制御部32は、レーザ制御部30を介して、所定の繰り返し周波数でのレーザ発振を開始させてもよい。
S1531において、エネルギーディップ指数EDが閾値EDthより小さい場合(S1531;YES)、ガス制御部32は、S1532に処理を進めてもよい。なお、エネルギーディップ指数EDの代わりに、図11〜図14を参照しながら説明したエネルギーディップ検出回数Ndが用いられてもよい。
S1532において回転数Rcffが一定値Rcffs以上である場合(S1532;NO)、ガス制御部32は、処理をS1533に進めてもよい。
Rcff=Rcff−ΔRcff
ΔRcffは、回転数Rcffを低下させる量を示す正の数であってもよい。
S1533の後、ガス制御部32は、処理を上述のS1520に戻してもよい。
S1534において、ガス制御部32は、目標ハロゲン分圧PF2tが閾値PF2minよりも小さいか否かを判定してもよい。
S1534において目標ハロゲン分圧PF2tが閾値PF2min以上である場合(S1534;NO)、ガス制御部32は、処理をS1535に進めてもよい。
PF2t=PF2t−ΔPs
ΔPsは、目標ハロゲン分圧PF2tを低下させる量を示す正の数であってもよい。
S1540の後、ガス制御部32は、処理を上述のS1520に戻してもよい。
S1534、S1535及びS1540の処理によりチャンバ10内のハロゲン分圧を低下させた後、S1520及びS1531〜S1533の処理を行うことにより、さらにクロスフローファン21の回転数Rcffを下げてもよい。回転数Rcffを一定値Rcffs未満まで下げても、エネルギーディップ指数EDが閾値より小さい状態となるまで、ハロゲン分圧を降下させるようにしてもよい。
S1552において、ガス制御部32は、クロスフローファン21の回転数Rcffをもとの値Rcff0に設定してもよい。もとの値Rcff0は、露光装置100にパルスレーザ光を出力していたときの回転数の値であってもよい。もとの値Rcff0は、S1532における判定に用いられた一定値Rcffsよりも大きい値であってもよい。
さらに、ガス制御部32は、レーザ制御部30を介して、レーザ発振を停止させてもよい。
S1554の後、ガス制御部32は、本フローチャートの処理を終了して、図15に示される処理に戻ってもよい。
S1555において、ガス制御部32は、チャンバ交換フラグFchの値を、要交換を示す値1に設定してもよい。その後、ガス制御部32は、本フローチャートの処理を終了して、図15に示される処理に戻ってもよい。チャンバ交換フラグFchの値が、S1600で用いられてもよい。
図22は、第2の実施形態に係るエキシマレーザ装置における解析制御部33の処理を示すフローチャートである。解析制御部33は、以下の処理により、エネルギーディップ指数EDの計算を行ってもよい。
次に、S262において、解析制御部33は、パルス数Nの値を初期値1に設定してもよい。
図24は、図21に示されるエネルギーディップ指数を読み込む処理を示すフローチャートである。図24に示される処理は、図21に示されるS1520のサブルーチンとして、ガス制御部32によって行われてもよい。
S1523の後、ガス制御部32は、本フローチャートの処理を終了し、図21に示される処理に戻ってもよい。
5.1 構成
図26は、本開示の第3の実施形態に係るエキシマレーザ装置の構成を概略的に示す。第3の実施形態において、エキシマレーザ装置は、レーザ発振器とレーザ増幅器とを含んでもよい。
レーザ発振器は、チャンバ10moと、充電器12moと、パルスパワーモジュール13moと、狭帯域化モジュール14moと、出力結合ミラー15moと、チャンバ圧力センサ16moと、エネルギーモニタ17moと、クロスフローファン21moと、モータ22moと、を含んでもよい。第3の実施形態におけるレーザ発振器の構成要素は、第1の実施形態において対応する構成要素の符号の末尾に「mo」を付して図26に示されている。第3の実施形態におけるレーザ発振器の構成は、第1の実施形態のレーザ発振システムにおいて対応する構成と同様でよく、それらの詳細な説明を省略する。以下の説明において、レーザ発振器を「MO」と略称する。また、MOの光共振器を第1の光共振器と記載する。
レーザ増幅器は、チャンバ10poと、充電器12poと、パルスパワーモジュール13poと、出力結合ミラー15poと、チャンバ圧力センサ16poと、エネルギーモニタ17poと、クロスフローファン21poと、モータ22poと、部分反射ミラー19poと、を含んでもよい。第3の実施形態におけるレーザ増幅器の構成要素は、第1の実施形態のレーザ発振システムにおいて対応する構成要素の符号の末尾に「po」を付して図26に示されている。第3の実施形態におけるレーザ増幅器の構成は、第1の実施形態のレーザ発振システムにおいて対応する構成と同様でよく、それらの詳細な説明を省略する。以下の説明において、レーザ増幅器を「PO」と略称する。
本明細書では、MOの第1の光共振器から出力されたパルスレーザ光がPOの第2の光共振器に注入されて増幅発振させる同期を注入同期と定義する。
配管29は、配管29aと配管29bとに分岐していてもよい。配管29aは、チャンバ10moに接続されてもよい。配管29bは、チャンバ10poに接続されてもよい。配管29aに、バルブBF2−V1が設けられてもよい。配管29bに、バルブBF2−V2が設けられてもよい。
他の点については、第1の実施形態の構成と同様でよい。
5.2.1 エネルギーディップを検出する処理の第1の例
図27は、第3の実施形態に係るエキシマレーザ装置における解析制御部33の処理の第1の例を示すフローチャートである。解析制御部33は、以下の処理により、MOのエネルギーディップの検出と、POのエネルギーディップの検出とをそれぞれ行ってもよい。
S160epoにおいて、解析制御部33は、POのエネルギーディップ検出回数Npodをカウントする処理を実行してもよい。エネルギーディップ検出回数Npodをカウントする処理の一例については、図29を参照しながら後述する。
S160emoとS160epoの後、解析制御部33は、S180に処理を進めてもよい。
図28は、図27に示されるMOのエネルギーディップ検出回数Nmodをカウントする処理の例を示すフローチャートである。図28に示される処理は、図27に示されるS160emoのサブルーチンとして、解析制御部33よって行われてもよい。
Rpot=α・Efr/Epot
ここで、αは、0.1〜0.5の範囲の定数であってもよい。Efrは、MOを発振させずに、POだけを発振させる場合にPOから出力されるパルスレーザ光のパルスエネルギーであってもよい。Epotは、露光装置100によって指定された目標パルスエネルギーであってもよい。
POが正常であっても、POから出力されるパルスレーザ光のパルスエネルギーはMOから出力されるパルスレーザ光のパルスエネルギーに依存し得る。しかし、所定値Rpotをこのように設定しておけば、MOのエネルギーディップ発生時にPOから出力されるパルスレーザ光のパルスエネルギーが低下しても、POに起因するエネルギーディップとしてカウントされにくくなり得る。
Rpot=α
所定値Rpotをこのように設定した場合は、POのエネルギーディップだけを監視すれば、MOとPOのいずれかに異常が生じたことを検出し得る。
図30は、図27に示されるエネルギーディップフラグを設定する処理の例を示すフローチャートである。図30に示される処理は、図27に示されるS190eのサブルーチンとして、解析制御部33よって行われてもよい。以下に説明するように、解析制御部33は、MOのエネルギーディップ検出回数Nmodを所定値Nmodmaxと比較し、POのエネルギーディップ検出回数Npodを所定値Npodmaxと比較してもよい。解析制御部33は、この比較結果に基づいて、MOのエネルギーディップフラグFmodとPOのエネルギーディップフラグFpodを設定してもよい。MOのエネルギーディップ検出回数Nmodは、本開示における第1の頻度に相当し、POのエネルギーディップ検出回数Npodは、本開示における第2の頻度に相当し得る。図30における所定値Nmodmaxは、本開示における第1の所定値に相当し、図30における所定値Npodmaxは、本開示における第2の所定値に相当し得る。
Nmod≧Nmodmax、且つ、Npod<Npodmaxの場合(S193e;YES)、解析制御部33は、Fmod=1、Fpod=0に設定してもよい(S194e)。
Nmod<Nmodmax、且つ、Npod≧Npodmaxの場合(S195e;YES)、解析制御部33は、Fmod=0、Fpod=1に設定してもよい(S196e)。
Nmod≧Nmodmax、且つ、Npod≧Npodmaxの場合(S197e;YES)、解析制御部33は、Fmod=1、Fpod=1に設定してもよい(S198e)。
図31は、第3の実施形態に係るエキシマレーザ装置における解析制御部33の処理の第2の例を示すフローチャートである。解析制御部33は、以下の処理により、MOのエネルギーディップの検出と、POのエネルギーディップの検出とをそれぞれ行ってもよい。
S202fmoにおいて、解析制御部33は、MOのエネルギーディップフラグFmodがリセットされたか否かを判定してもよい。MOのエネルギーディップフラグFmodがリセットされていない場合(S202fmo;NO)、MOのエネルギーディップフラグFmodがリセットされるまで待機してもよい。MOのエネルギーディップフラグFmodがリセットされた場合(S202fmo;YES)、解析制御部33は、処理を上述のS110fpoに戻してもよい。
たとえば、MO及びPOの両方のチャンバでエネルギーディップが発生した場合は、最初に、S110fpo〜S180fmoのステップを通過し、S170fmoでNOと判定されて、ステップS176fmoに移行する。そしてMOのエネルギーディップフラグFmod=1に設定される。その後、S202fmoで、MOのエネルギーディップが改善されるまで、待機してもよい。MOのエネルギーディップが改善されると、再び、110fpo〜S180fmoのステップを通過し、S170fmoでYESと判定されて、ステップS175fmoに移行する。そしてMOのエネルギーディップフラグFmod=0とPOのエネルギーディップフラグFmod=1に設定される。その後、S201fmoで、POのエネルギーディップが改善されるまで、待機してもよい。解析制御部33が上記のような処理を行うことによって、MOとPOの両方にエネルギーディップが発生した場合においても、対応することができる。
図32は、第3の実施形態に係るエキシマレーザ装置のレーザ制御部30によるMOのエネルギー制御を示すフローチャートである。レーザ制御部30は、以下の処理により、MOの出力パルスレーザ光のパルスエネルギーがMOの目標パルスエネルギーに近づくように制御を行ってもよい。MOの出力パルスレーザ光のパルスエネルギーは、エネルギーモニタ17moの出力に基づいて計測されてもよい。
図34は、第3の実施形態に係るエキシマレーザ装置のガス制御部32によるMOのレーザガス制御の処理を示すフローチャートである。ガス制御部32は、MOの全ガス交換、MOのガス圧制御、及び、MOの部分ガス交換を行う他に、MOのエネルギーディップ改善制御を行ってもよい。
他の点については、図15を参照しながら説明した第1の実施形態における処理と同様でよい。
図36は、図34に示されるMOの全ガス交換の処理の詳細を示すフローチャートである。図36に示される処理は、図34に示されるS1100gmoのサブルーチンとして、ガス制御部32によって行われてもよい。
他の点については、図4を参照しながら説明した比較例における処理と同様でよい。
他の点については、図4を参照しながら説明した比較例における処理と同様でよい。
図38は、図34に示されるMOのガス圧制御の処理の詳細を示すフローチャートである。図38に示される処理は、図34に示されるS1300gmoのサブルーチンとして、ガス制御部32によって行われてもよい。
他の点については、図16を参照しながら説明した第1の実施形態における処理と同様でよい。
他の点については、図16を参照しながら説明した第1の実施形態における処理と同様でよい。
図40は、第3の実施形態に係るエキシマレーザ装置のレーザ制御部30によるMOのショット数Nmosの計測の処理を示すフローチャートである。
図42は、図34に示されるMOの部分ガス交換の処理の詳細を示すフローチャートである。図42に示される処理は、図34に示されるS2000gmoのサブルーチンとして、ガス制御部32によって行われてもよい。
図42に示される処理は、ステップ番号の末尾に「gmo」を付加し、数量を示す符号にそれぞれ「mo」を付加した点で、図7を参照しながら説明した比較例と異なる。
他の点については、図7を参照しながら説明した比較例における処理と同様でよい。
図43に示される処理は、ステップ番号の末尾に「gpo」を付加し、数量を示す符号にそれぞれ「po」を付加した点で、図7を参照しながら説明した比較例と異なる。
他の点については、図7を参照しながら説明した比較例における処理と同様でよい。
図44は、図34に示されるMOのエネルギーディップ改善制御の処理の第1の例を示すフローチャートである。図44に示される処理は、図34に示されるS1500gmoのサブルーチンとして、ガス制御部32によって行われてもよい。
これに対し、次に述べる第2の例においては、MOのエネルギーディップ改善制御を行う場合にはPOの発振を停止させ、POのエネルギーディップ改善制御を行う場合にはMOの発振を停止させる。
図46は、図34に示されるMOのエネルギーディップ改善制御の処理の第2の例を示すフローチャートである。図46に示される処理は、図34に示されるS1500gmoのサブルーチンとして、ガス制御部32によって行われてもよい。
図48は、図44及び図46に示されるハロゲン分圧降下制御の例を示すフローチャートである。図48に示される処理は、図44及び図46に示されるS1540gmoのサブルーチンとして、ガス制御部32によって行われてもよい。
他の点については、図18を参照しながら説明した第1の実施形態における処理と同様でよい。
他の点については、図18を参照しながら説明した第1の実施形態における処理と同様でよい。
図50は、図34に示されるMOのエネルギーディップ改善制御の処理の第3の例を示すフローチャートである。図50に示される処理は、図34に示されるS1500gmoのサブルーチンとして、ガス制御部32によって行われてもよい。
S1510gpoにより、ガス制御部32は、MOのエネルギーディップフラグFmodが0であるか否かを判定する。MOのエネルギーディップフラグFmodが0である場合(S1510gpo;YES)、ガス制御部32は、S1511gpo以降の処理を行う。MOのエネルギーディップフラグFmodが1である場合(S1510gpo;NO)、ガス制御部32は、S1511gpo以降の処理を行わなくてもよい。
他の点については、図21を参照しながら説明した第2の実施形態における処理と同様でよい。
図52は、第3の実施形態に係るエキシマレーザ装置においてMOのエネルギーディップ改善制御の処理の第3の例が行われる場合に解析制御部33が行う処理を示すフローチャートである。解析制御部33は、以下の処理により、エネルギーディップ指数EDの計算を行ってもよい。
図54は、図50に示されるエネルギーディップ指数を読み込む処理を示すフローチャートである。図54に示される処理は、図50に示されるS1520gmoのサブルーチンとして、ガス制御部32によって行われてもよい。
以上のようにして、第3の実施形態に係るエキシマレーザ装置は、MOとPOの出力についてエネルギーディップを検出し、検出結果に基づいて、MO又はPOのエネルギーディップの改善制御を行ってもよい。
図56は、制御部の概略構成を示すブロック図である。
上述した実施の形態におけるガス精製制御部51等の制御部は、コンピュータやプログラマブルコントローラ等汎用の制御機器によって構成されてもよい。例えば、以下のように構成されてもよい。
制御部は、処理部1000と、処理部1000に接続される、ストレージメモリ1005と、ユーザインターフェイス1010と、パラレルI/Oコントローラ1020と、シリアルI/Oコントローラ1030と、A/D、D/Aコンバータ1040とによって構成されてもよい。また、処理部1000は、CPU1001と、CPU1001に接続された、メモリ1002と、タイマー1003と、GPU1004とから構成されてもよい。
処理部1000は、ストレージメモリ1005に記憶されたプログラムを読出してもよい。また、処理部1000は、読出したプログラムを実行したり、プログラムの実行に従ってストレージメモリ1005からデータを読出したり、ストレージメモリ1005にデータを記憶させたりしてもよい。
シリアルI/Oコントローラ1030に接続される、シリアルI/Oポートを介して通信可能な機器1031〜103xは、モータ22の回転数の設定データ信号を受信する回転数調節部31等であってもよい。
A/D、D/Aコンバータ1040に接続される、アナログポートを介して通信可能な機器1041〜104xは、チャンバ圧力センサ16や光センサ17c等の各種センサであってもよい。
以上のように構成されることで、制御部は各実施形態に示された動作を実現可能であってよい。
Claims (19)
- 光共振器と、
一対の放電電極を含み、前記光共振器の間に配置され、レーザガスを収容するチャンバと、
トリガ信号を受信して、前記トリガ信号に基づいて前記一対の放電電極にパルス状の電圧を印加する電源と、
前記光共振器から出力されたパルスレーザ光のパルスエネルギーを計測するエネルギーモニタと、
前記チャンバ内に収容されたレーザガスの一部の排気と、前記チャンバ内へのレーザガスの供給と、を実行可能に構成されたハロゲンガス分圧調節部と、
前記エネルギーモニタによるパルスエネルギーの計測結果を取得し、前記パルスエネルギーの計測結果に基づいてエネルギーディップを検出し、前記エネルギーディップの検出結果に基づいて前記ハロゲンガス分圧調節部を制御することにより前記チャンバ内のハロゲンガス分圧を調節する制御部と、
を備えるエキシマレーザ装置。 - 前記制御部は、前記チャンバ内のハロゲンガス分圧を低減させることによりエネルギーディップの発生を抑制する、請求項1記載のエキシマレーザ装置。
- 前記制御部は、前記チャンバ内のハロゲンガス分圧を低減させることと、前記一対の放電電極に印加するパルス状の電圧の設定範囲を上げることと、の両方を行う、請求項1記載のエキシマレーザ装置。
- 前記制御部は、前記チャンバ内のハロゲンガス分圧を低減させることと、前記チャンバ内のガス圧を上げることと、の両方を行う、請求項1記載のエキシマレーザ装置。
- 前記制御部は、前記光共振器から出力されたパルスレーザ光のパルスエネルギーと所定の値とをパルスごとに比較し、この比較結果に基づいて前記エネルギーディップを検出する、請求項1記載のエキシマレーザ装置。
- 前記制御部は、前記光共振器から出力されたパルスレーザ光のパルスエネルギーの平均値と標準偏差とを所定のパルス数ごとに算出し、前記平均値に対する前記標準偏差の比に基づいて前記エネルギーディップを検出する、請求項1記載のエキシマレーザ装置。
- 前記制御部は、前記光共振器から出力されたパルスレーザ光の積算エネルギーを所定のパルス数ごとに算出し、目標積算エネルギーに対する前記積算エネルギーの比に基づいて前記エネルギーディップを検出する、請求項1記載のエキシマレーザ装置。
- 前記制御部は、前記光共振器から出力されたパルスレーザ光のパルスエネルギーの目標値との差と発生頻度とに基づいて算出されるエネルギーディップ指数に基づいて前記エネルギーディップを検出する、請求項1記載のエキシマレーザ装置。
- 前記チャンバ内においてレーザガスを循環させるファンをさらに備え、
前記制御部は、
前記ファンの回転数を第1の回転数に設定して、前記光共振器から出力されたパルスレーザ光を外部に出力させる第1の動作モードと、
前記ファンの回転数を前記第1の回転数より小さい第2の回転数に設定して、前記エネルギーモニタによるパルスエネルギーの計測結果を取得し、前記パルスエネルギーの計測結果に基づいてエネルギーディップを検出する第2の動作モードと、
を実行するように構成された、
請求項1記載のエキシマレーザ装置。 - 前記制御部は、
前記チャンバ内のハロゲンガス分圧を第1のハロゲンガス分圧とするように前記ハロゲンガス分圧調節部を制御し、前記ファンの回転数を前記第2の回転数に設定して、前記パルスエネルギーの計測結果を取得し、
前記エネルギーディップの検出頻度が所定値未満である場合に、前記チャンバ内のハロゲンガス分圧を前記第1のハロゲンガス分圧として前記第1の動作モードに移行し、
前記エネルギーディップの検出頻度が所定値以上である場合に、前記チャンバ内のハロゲンガス分圧を前記第1のハロゲンガス分圧より低い第2のハロゲンガス分圧とするように前記ハロゲンガス分圧調節部を制御する、
請求項9記載のエキシマレーザ装置。 - 前記制御部は、前記ファンの回転数を前記第1の回転数に設定して、前記パルスエネルギーの計測結果を取得し、前記エネルギーディップの検出頻度が所定値未満である場合に、前記ファンの回転数を前記第2の回転数に設定して、前記パルスエネルギーの計測結果を取得する、請求項10記載のエキシマレーザ装置。
- 前記第1のハロゲンガス分圧及び前記第2のハロゲンガス分圧の両方が、0.13kPa以上、0.18kPa以下である、請求項10記載のエキシマレーザ装置。
- 前記第1の回転数及び前記第2の回転数の両方が、4000rpm以上、5000rpm以下である、請求項9記載のエキシマレーザ装置。
- 光共振器と、
一対の放電電極を含み、前記光共振器の間に配置され、レーザガスを収容するチャンバと、
前記チャンバ内においてレーザガスを循環させるファンと、
トリガ信号を受信して、前記トリガ信号に基づいて前記一対の放電電極にパルス状の電圧を印加する電源と、
前記光共振器から出力されたパルスレーザ光のパルスエネルギーを計測するエネルギーモニタと、
前記ファンの回転数を第1の回転数に設定して、前記光共振器から出力されたパルスレーザ光を外部に出力させる第1の動作モードと、前記ファンの回転数を前記第1の回転数より小さい第2の回転数に設定して、前記エネルギーモニタによるパルスエネルギーの計測結果を取得し、前記パルスエネルギーの計測結果に基づいてエネルギーディップを検出する第2の動作モードと、を実行するように構成された制御部と、
を備えるエキシマレーザ装置。 - 第1の光共振器と、
第1の一対の放電電極を含み、前記第1の光共振器の間に配置され、レーザガスを収容する第1のチャンバと、
第1のトリガ信号を受信して、前記第1のトリガ信号に基づいて前記第1の一対の放電電極にパルス状の電圧を印加する第1の電源と、
前記第1の光共振器から出力された第1のパルスレーザ光の第1のパルスエネルギーを計測する第1のエネルギーモニタと、
前記第1のパルスレーザ光が入射する第2の光共振器と、
第2の一対の放電電極を含み、前記第2の光共振器の間に配置され、レーザガスを収容する第2のチャンバと、
第2のトリガ信号を受信して、前記第2のトリガ信号に基づいて前記第2の一対の放電電極にパルス状の電圧を印加する第2の電源と、
前記第2の光共振器から出力された第2のパルスレーザ光の第2のパルスエネルギーを計測する第2のエネルギーモニタと、
前記第1のチャンバ内に収容されたレーザガスの一部の排気と、前記第1のチャンバ内へのレーザガスの供給と、前記第2のチャンバ内に収容されたレーザガスの一部の排気と、前記第2のチャンバ内へのレーザガスの供給と、を実行可能に構成されたハロゲンガス分圧調節部と、
前記第1のエネルギーモニタによる前記第1のパルスエネルギーの計測結果に基づいて前記第1のチャンバのエネルギーディップを検出し、前記第1のチャンバのエネルギーディップの検出結果に基づいて前記ハロゲンガス分圧調節部を制御することにより前記第1のチャンバ内のハロゲンガス分圧を調節し、前記第2のエネルギーモニタによる前記第2のパルスエネルギーの計測結果に基づいて前記第2のチャンバのエネルギーディップを検出し、前記第2のチャンバのエネルギーディップの検出結果に基づいて前記ハロゲンガス分圧調節部を制御することにより前記第2のチャンバ内のハロゲンガス分圧を調節する制御部と、
を備えるエキシマレーザ装置。 - 前記制御部は、
前記第1のエネルギーモニタによる前記第1のパルスエネルギーの計測結果に基づいて前記第1のチャンバのエネルギーディップの第1の頻度を検出し、前記第1の頻度が第1の所定値以上であるか否かを判定し、
前記第2のエネルギーモニタによる前記第2のパルスエネルギーの計測結果に基づいて前記第2のチャンバのエネルギーディップの第2の頻度を検出し、前記第2の頻度が第2の所定値以上であるか否かを判定する、
請求項15記載のエキシマレーザ装置。 - 前記制御部は、
前記第1のチャンバのエネルギーディップの前記第1の頻度が前記第1の所定値以上である場合に、前記ハロゲンガス分圧調節部を制御することにより少なくとも前記第1のチャンバ内のハロゲンガス分圧を調節し、
前記第2のチャンバのエネルギーディップの前記第2の頻度が前記第2の所定値以上である場合に、前記ハロゲンガス分圧調節部を制御することにより少なくとも前記第2のチャンバ内のハロゲンガス分圧を調節する、
請求項16記載のエキシマレーザ装置。 - 前記制御部は、
前記第2のエネルギーモニタによる前記第2のパルスエネルギーの計測結果に基づいて前記第2のチャンバのエネルギーディップの第2の頻度を検出し、前記第2の頻度が第3の所定値以上であるか否かを判定し、
前記第2のチャンバのエネルギーディップの前記第2の頻度が前記第3の所定値以上である場合に、前記第1のエネルギーモニタによる前記第1のパルスエネルギーの計測結果に基づいて前記第1のチャンバのエネルギーディップの第1の頻度を検出し、前記第1の頻度が第4の所定値以上であるか否かを判定する、
請求項15記載のエキシマレーザ装置。 - 前記制御部は、
前記第2のチャンバのエネルギーディップの前記第2の頻度が前記第3の所定値以上である場合において、
前記第1のチャンバのエネルギーディップの前記第1の頻度が前記第4の所定値以上である場合に、前記第ハロゲンガス分圧調節部を制御することにより前記第1のチャンバ内のハロゲンガス分圧を調節し、
前記第1のチャンバのエネルギーディップの前記第1の頻度が前記第4の所定値未満である場合に、前記ハロゲンガス分圧調節部を制御することにより前記第2のチャンバ内のハロゲンガス分圧を調節する、
請求項18記載のエキシマレーザ装置。
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