WO2022157897A1 - レーザシステムの制御方法、レーザシステム、及び電子デバイスの製造方法 - Google Patents

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武志 浅山
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ギガフォトン株式会社
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    • H01S3/22—Gases
    • H01S3/223—Gases the active gas being polyatomic, i.e. containing two or more atoms
    • H01S3/225—Gases the active gas being polyatomic, i.e. containing two or more atoms comprising an excimer or exciplex

Definitions

  • the present disclosure relates to a method of controlling a laser system, a laser system, and a method of manufacturing an electronic device.
  • a KrF excimer laser device that outputs laser light with a wavelength of about 248 nm and an ArF excimer laser device that outputs laser light with a wavelength of about 193 nm are used.
  • the spectral line width of the spontaneous oscillation light of the KrF excimer laser device and the ArF excimer laser device is as wide as 350-400 pm. Therefore, if the projection lens is made of a material that transmits ultraviolet light, such as KrF and ArF laser light, chromatic aberration may occur. As a result, resolution can be reduced. Therefore, it is necessary to narrow the spectral line width of the laser light output from the gas laser device to such an extent that the chromatic aberration can be ignored. Therefore, in the laser resonator of the gas laser device, a line narrow module (LNM) including a band narrowing element (etalon, grating, etc.) is provided in order to narrow the spectral line width.
  • LNM line narrow module
  • a gas laser device whose spectral line width is narrowed will be referred to as a band-narrowed gas laser device.
  • a laser system in a method for controlling a laser system according to one aspect of the present disclosure, includes an oscillation stage laser that outputs a first laser beam, and an amplification stage laser that amplifies the first laser beam and outputs a second laser beam. ,including.
  • a method of controlling a laser system includes determining conditions under which the amplification characteristics of an amplification stage laser change, and determining the relationship between the pulse energy of the first laser light and the parameters of the second laser light when it is determined that the conditions are satisfied. and setting a target pulse energy of the first laser light based on the obtained relationship.
  • a laser system includes an oscillation stage laser that outputs a first laser beam, an amplification stage laser that amplifies the first laser beam and outputs a second laser beam, and a processor, comprising: determining a condition under which the amplification characteristic of the stepped laser changes, obtaining the relationship between the pulse energy of the first laser beam and the parameter of the second laser beam when it is determined that the condition is satisfied, and obtaining the relationship based on the obtained relationship a processor for setting a target pulse energy for the first laser light.
  • An electronic device manufacturing method includes an oscillation stage laser that outputs a first laser beam, an amplification stage laser that amplifies the first laser beam and outputs a second laser beam, and a processor. and determining a condition under which the amplification characteristic of the amplification stage laser changes, and when it is determined that the condition is satisfied, acquiring the relationship between the pulse energy of the first laser beam and the parameter of the second laser beam, and acquiring the acquired relationship generating laser light by a laser system comprising: a processor for setting a target pulse energy of the first laser light based on It involves exposing laser light onto a photosensitive substrate.
  • FIG. 1 schematically shows the configuration of a laser system according to a comparative example.
  • FIG. 2 is a flow chart showing the operation procedure from the installation of the chamber module to the end of the life in the comparative example.
  • FIG. 3 schematically shows the configuration of the laser system according to the first embodiment.
  • FIG. 4 is a flow chart showing the operating procedure from the installation of the chamber module to the end of its life in the first embodiment.
  • FIG. 5 is a flowchart for explaining details of the MO target pulse energy setting process in the first embodiment.
  • FIG. 6 is a graph illustrating measurement results of the relationship between the pulse energy of the first laser beam and the pulse energy of the second laser beam.
  • FIG. 7 is a graph illustrating the relationship between the pulse energy of the first laser beam and the rate of change in the pulse energy of the second laser beam.
  • FIG. 8 is a flowchart for explaining the details of MO target pulse energy setting processing in the second embodiment.
  • FIG. 9 is a graph illustrating measurement results of the relationship between the pulse energy of the first laser beam and the variation in pulse energy of the second laser beam.
  • FIG. 10 is a graph illustrating the relationship between the pulse energy of the first laser light and the absolute value of the rate of change in the pulse energy variation of the second laser light.
  • FIG. 11 schematically shows the configuration of a laser system according to the third embodiment.
  • FIG. 12 is a flow chart illustrating details of the MO target pulse energy setting process in the third embodiment.
  • FIG. 13 shows an example of interference fringes due to the second laser beam measured by an interferometer.
  • FIG. 14 is a graph illustrating the relationship between the pulse energy of the first laser beam and the contrast of interference fringes.
  • FIG. 15 schematically shows optical paths between the master oscillator and the power oscillator in the laser system according to the fourth embodiment.
  • FIG. 16 schematically shows optical paths between the master oscillator and the power oscillator in the laser system according to the fourth embodiment.
  • FIG. 17 schematically shows optical paths between the master oscillator and the power oscillator in the laser system according to the fourth embodiment.
  • FIG. 18 schematically shows the configuration of a laser system according to the fifth embodiment.
  • FIG. 19 shows how the power oscillator shown in FIG. 18 is viewed from a direction different from that of FIG.
  • FIG. 20 schematically shows the configuration of an exposure device connected to a laser system.
  • FIG. 1 schematically shows the configuration of a laser system 1 according to a comparative example.
  • the laser system 1 includes a master oscillator MO, a power oscillator PO, an MO energy monitor 16, a PO energy monitor 17, a shutter 18, a laser control processor 30, and highly reflective mirrors 31 and 32.
  • a laser system 1 is connected to an exposure device 4 .
  • the master oscillator MO includes a laser chamber 10, a pair of discharge electrodes 11a and 11b, a charger 12, a pulse power module (PPM) 13, a narrowband module 14, an output coupling mirror 15, and a pressure sensor P1. ,including.
  • the band narrowing module 14 and the output coupling mirror 15 constitute an optical resonator.
  • a laser chamber 10 is arranged in the optical path of the optical resonator.
  • the master oscillator MO is a discharge excitation type gas laser device, and corresponds to the oscillation stage laser in the present disclosure.
  • the laser chamber 10 is filled with a laser gas containing, for example, argon gas or krypton gas as a rare gas, fluorine gas as a halogen gas, and neon gas as a buffer gas.
  • Windows 10a and 10b are provided at both ends of the laser chamber 10.
  • the charger 12 holds electrical energy for supplying to the pulse power module 13.
  • the pulse power module 13 includes a charging capacitor (not shown) and a switch 13a. Charger 12 is connected to the charging capacitor of pulse power module 13 . A charge capacitor of the pulse power module 13 is connected to the discharge electrode 11a. The discharge electrode 11b is connected to ground potential.
  • the band narrowing module 14 includes a prism 14a and a grating 14b.
  • a high reflection mirror may be used instead of the band narrowing module 14 .
  • the output coupling mirror 15 is made of a material that transmits the light of the wavelength selected by the band narrowing module 14, and one surface thereof is coated with a partially reflective film.
  • the out-coupling mirror 15 corresponds to the second partially reflective mirror in this disclosure.
  • a pressure sensor P1 is attached to the laser chamber 10 .
  • MO energy monitor 16 high reflection mirrors 31 and 32
  • the MO energy monitor 16 and the high reflection mirrors 31 and 32 are arranged on the optical path of the first laser beam B1, which is the pulsed laser beam output from the master oscillator MO.
  • the MO energy monitor 16 corresponds to the energy monitor in this disclosure.
  • the MO energy monitor 16 includes a beam splitter 16a located in the optical path of the first laser beam B1 and an optical sensor 16c located in the optical path of the light reflected by the beam splitter 16a.
  • a condensing optical system (not shown) may be arranged between the beam splitter 16a and the optical sensor 16c.
  • the optical sensor 16 c is configured to output an electrical signal corresponding to the pulse energy Emo of the first laser beam B 1 incident on the MO energy monitor 16 .
  • the MO energy monitor 16 is not limited to being placed between the high reflection mirrors 31 and 32.
  • the MO energy monitor 16 may be arranged between the master oscillator MO and the high reflection mirror 31, or may be arranged between the high reflection mirror 32 and the power oscillator PO.
  • the high reflection mirrors 31 and 32 are configured so that their positions and attitudes can be changed by actuators (not shown).
  • the high reflection mirrors 31 and 32 constitute a beam steering unit for adjusting the incident position and incident direction of the first laser beam B1 to the power oscillator PO.
  • the power oscillator PO is arranged in the optical path of the first laser beam B1 that has passed through the MO energy monitor 16 and the beam steering unit.
  • the power oscillator PO includes a laser chamber 20, a pair of discharge electrodes 21a and 21b, a charger 22, a pulse power module 23, a rear mirror 24, an output coupling mirror 25, and a pressure sensor P2.
  • the laser chamber 20 is provided with windows 20a and 20b.
  • the power oscillator PO is a discharge-pumped gas laser device, and corresponds to the amplification stage laser in the present disclosure.
  • the rear mirror 24 is made of a material that transmits the first laser beam B1, and one surface of the rear mirror 24 is coated with a partially reflective film.
  • the rear mirror 24 corresponds to the first partially reflective mirror in this disclosure.
  • the reflectance of the rear mirror 24 is set higher than the reflectance of the output coupling mirror 25 .
  • the rear mirror 24 and the output coupling mirror 25 constitute a Fabry-Perot type optical resonator.
  • the pulse power module 23 includes a switch 23a.
  • the above-described components of the power oscillator PO are similar to the corresponding components of the master oscillator MO.
  • the PO energy monitor 17 is arranged in the optical path of the second laser beam B2, which is the pulsed laser beam output from the power oscillator PO.
  • the PO energy monitor 17 includes a beam splitter 17a and an optical sensor 17c. These components are similar to the corresponding components of MO energy monitor 16 .
  • the shutter 18 is arranged in the optical path of the second laser beam B2 that has passed through the PO energy monitor 17.
  • the shutter 18 is switched between a first state of passing the second laser beam B2 toward the exposure device 4 and a second state of blocking the second laser beam B2 and stopping output to the exposure device 4. is configured as
  • the laser control processor 30 is a processing device that includes a memory 302 storing a control program and a CPU 301 that executes the control program.
  • Laser control processor 30 is specially configured or programmed to perform the various processes contained in this disclosure.
  • the laser control processor 30 corresponds to the processor in this disclosure.
  • the laser control processor 30 sets the target pulse energy of the first laser beam B1.
  • the target pulse energy of the first laser beam B1 is hereinafter referred to as MO target pulse energy.
  • the laser control processor 30 further receives setting data for the target pulse energy of the second laser beam B2 from the exposure device 4.
  • the target pulse energy received from the exposure device 4 is hereinafter referred to as PO target pulse energy.
  • the laser control processor 30 transmits charging voltage setting data to the chargers 12 and 22, respectively, based on the MO and PO target pulse energies. Laser control processor 30 also sends trigger signals to pulse power modules 13 and 23 .
  • the pulse power module 13 Upon receiving a trigger signal from the laser control processor 30, the pulse power module 13 generates a pulsed high voltage from the electrical energy charged in the charger 12, and applies this high voltage between the discharge electrodes 11a and 11b. .
  • Light generated within the laser chamber 10 is emitted to the outside of the laser chamber 10 through windows 10a and 10b.
  • Light emitted from the window 10a of the laser chamber 10 has its beam width expanded by the prism 14a and enters the grating 14b.
  • the light incident on the grating 14b from the prism 14a is reflected by the plurality of grooves of the grating 14b and diffracted in the direction corresponding to the wavelength of the light.
  • Prism 14a reduces the beam width of the diffracted light from grating 14b and returns the light to laser chamber 10 through window 10a.
  • the output coupling mirror 15 transmits and outputs a part of the light emitted from the window 10b of the laser chamber 10 and reflects another part back into the laser chamber 10 .
  • the light emitted from the laser chamber 10 reciprocates between the band narrowing module 14 and the output coupling mirror 15, and is amplified each time it passes through the discharge space between the discharge electrodes 11a and 11b.
  • This light is band-narrowed each time it is folded back by the band-narrowing module 14 .
  • the laser-oscillated and narrow-band light is output from the output coupling mirror 15 as the first laser light B1.
  • MO energy monitor 16 high reflection mirrors 31 and 32
  • the MO energy monitor 16 detects the pulse energy Emo of the first laser beam B1 and outputs the detection result to the laser control processor 30 .
  • the high reflection mirrors 31 and 32 guide the first laser beam B1 to the rear mirror 24 of the power oscillator PO.
  • the pulse power module 23 receives a trigger signal from the laser control processor 30, it generates a pulsed high voltage from the electrical energy charged in the charger 22, and applies this high voltage between the discharge electrodes 21a and 21b. .
  • the pulse power module 13 is triggered so that the timing at which the discharge occurs between the discharge electrodes 21a and 21b is synchronized with the timing at which the first laser beam B1 enters the laser chamber 20 via the rear mirror 24 and the window 20a.
  • a delay time of the trigger signal to the pulse power module 23 for the signal is set.
  • the first laser beam B1 reciprocates between the rear mirror 24 and the output coupling mirror 25, and is amplified every time it passes through the discharge space between the discharge electrodes 21a and 21b.
  • the amplified light is output from the output coupling mirror 25 as the second laser beam B2.
  • the PO energy monitor 17 detects the pulse energy Epo of the second laser beam B2 and outputs the detection result to the laser control processor 30 .
  • the shutter 18 is controlled to the first state in which the second laser beam B2 passes through when the second laser beam B2 is output to the exposure device 4 .
  • the shutter 18 is controlled to the second state of blocking the second laser beam B2 when stopping the output to the exposure device 4 during the initial adjustment of the laser system 1 or the like.
  • the laser control processor 30 feedback-controls the charging voltage of the charger 12 based on the MO target pulse energy and the pulse energy Emo of the first laser beam B1 received from the MO energy monitor 16 .
  • the laser control processor 30 feedback-controls the charging voltage of the charger 22 based on the PO target pulse energy and the pulse energy Epo of the second laser beam B2 received from the PO energy monitor 17 .
  • the discharge electrodes 11a, 11b, 21a, 22b and other optical elements may deteriorate while repeating laser oscillation by the master oscillator MO and the power oscillator PO. Then, the charging voltage required to control the pulse energy Emo of the first laser beam B1 and the pulse energy Epo of the second laser beam B2 to near their respective target values gradually increases.
  • the laser control processor 30 controls a gas supply device (not shown) to inject laser gas into the laser chamber 10. to increase the gas pressure inside the laser chamber 10 .
  • a gas supply device not shown
  • the charging voltage required to control the pulse energy Emo of the first laser beam B1 near the target value may increase again.
  • the laser control processor 30 causes the laser gas to be injected into the laser chamber 10 again to further increase the gas pressure inside the laser chamber 10 . Therefore, the gas pressure inside the laser chamber 10 gradually increases as the master oscillator MO performs laser oscillation for a long period of time.
  • the gas pressure inside the laser chamber 20 gradually increases.
  • the pressure sensors P1 and P2 detect the gas pressure inside the laser chambers 10 and 20, respectively, and transmit the detection results to the laser control processor 30. If the gas pressure inside the laser chamber 10 exceeds the upper limit, it may be necessary to replace the chamber module of the master oscillator MO. If the gas pressure inside the laser chamber 20 exceeds the upper limit, it may be necessary to replace the chamber module of the power oscillator PO.
  • FIG. 2 is a flow chart showing the operating procedure from the installation of the chamber module to the end of the service life in the comparative example.
  • a device is a master oscillator MO or a power oscillator PO.
  • a chamber module is a chamber module of the master oscillator MO or power oscillator PO.
  • the chamber module of the master oscillator MO is a module including a laser chamber 10 and discharge electrodes 11a and 11b.
  • a chamber module of the power oscillator PO is a module including a laser chamber 20 and discharge electrodes 21a and 21b. A new chamber module is thereby installed.
  • initial adjustment is performed.
  • the initial adjustment includes alignment of optical elements, adjustment of the laser gas with which the laser chamber 10 or 20 is filled, and the like.
  • the laser control processor 30 controls the shutter 18 to the second state to block the second laser beam B2.
  • the laser control processor 30 sets the MO target pulse energy.
  • the MO target pulse energy set here is fixed at the same value until the operation procedure of this flow chart is completed.
  • the laser control processor 30 controls the laser system 1 to perform laser oscillation for outputting the second laser beam B2 to the exposure device 4.
  • the laser control processor 30 controls the shutter 18 to the first state in order to pass the second laser beam B2 toward the exposure device 4.
  • the laser control processor 30 also controls charging voltages of the chargers 12 and 22 to control the pulse energy Emo of the first laser beam B1 and the pulse energy Epo of the second laser beam B2.
  • the laser control processor 30 makes the determination of S50 at regular intervals.
  • the determination in S50 is a determination as to whether or not to replace the chamber module.
  • the laser control processor 30 determines that the chamber module should be replaced when, for example, one of the following criteria (1) to (4) is satisfied.
  • the first pulse number Sm is set, for example, within a range of 30 ⁇ 10 9 pulses or more and 50 ⁇ 10 9 pulses or less.
  • the first elapsed time Tm is set within a range of, for example, one year or more and two years or less.
  • the upper limit of the gas pressure is set, for example, within a range of 350 kPa or more and 420 kPa or less.
  • the upper limit of the high voltage is set, for example, within a range of 25 kV or more and 28 kV or less. Whether or not the high voltage exceeds the upper limit may be determined based on the charging voltage of charger 12 or 22 . If only one of the master oscillator MO and the power oscillator PO satisfies any one of the above criteria (1) to (4), only one chamber module may be replaced, or both chamber modules may be replaced. may be replaced.
  • the laser control processor 30 determines not to replace the chamber module (S50: NO), it returns to S40 and continues the exposure operation.
  • the laser control processor 30 determines that the chamber module is to be replaced (S50: YES), the operation procedure of this flow chart ends.
  • the pulse energy Emo of the first laser beam B1 is preferably high from the viewpoint of obtaining desirable characteristics of the second laser beam B2, but is low from the viewpoint of extending the life of the laser chambers 10 and 20. is preferred.
  • the MO target pulse energy is fixed at the value set in S30 described above, but in that case there are the following problems (1) to (3).
  • the optimum value of the MO target pulse energy may differ.
  • the MO target pulse energy is set to an optimum value when the PO target pulse energy is 10 mJ, and the PO target pulse energy is changed to 15 mJ
  • the pulse energy Emo of the first laser beam B1 is changed to PO It is lower than the optimum value when the target pulse energy is 15 mJ. Therefore, the characteristics of the second laser beam B2 may become worse than expected.
  • the MO target pulse energy is set to an optimum value when the PO target pulse energy is 15 mJ, and the PO target pulse energy is changed to 10 mJ, the pulse energy Emo of the first laser beam B1 is changed to PO It is higher than the optimum value when the target pulse energy is 10 mJ. Therefore, the lifetime of the laser chamber 10 may be shorter than expected.
  • the oscillation conditions of the power oscillator PO may change and the optimum value of the MO target pulse energy may increase.
  • the pulse energy Emo of the first laser beam B1 becomes lower than the optimum value. Therefore, the characteristics of the second laser beam B2 may become worse than expected.
  • the optimum value of the MO target pulse energy may differ due to individual differences in the power oscillator PO. For example, if the pulse energy Emo of the first laser beam B1 is lower than the optimum value, the characteristics of the second laser beam B2 may become worse than expected. Conversely, if the pulse energy Emo of the first laser beam B1 is higher than the optimum value, the lifetime of the laser chamber 10 may become shorter than expected.
  • conditions under which the amplification characteristics of the power oscillator PO change are determined.
  • the pulse energy Emo of the first laser beam B1 and the parameter of the second laser beam B2 are actually measured to obtain the relationship between them, and the MO target pulse energy is set based on the obtained relationship. .
  • FIG. 3 schematically shows the configuration of the laser system 1a according to the first embodiment.
  • the laser system 1a differs from the comparative example in that the laser control processor 30 receives permission to set the MO target pulse energy from the exposure apparatus 4 and sets the MO target pulse energy.
  • the configuration of the first embodiment is the same as that of the comparative example.
  • FIG. 4 is a flow chart showing the operating procedure from the installation of the chamber module to the end of its life in the first embodiment.
  • S10 and S20 are similar to the corresponding procedures in the comparative example.
  • the laser control processor 30 sets the MO target pulse energy. Details of this process will be described later with reference to FIGS. The process of S30a may be performed a plurality of times before the operation procedure of this flow chart ends, and a new MO target pulse energy may be set each time. In S30a, the laser control processor 30 controls the shutter 18 to the second state in order to stop the output of the second laser beam B2 to the exposure device 4. FIG.
  • S40 and S50 are the same as the corresponding procedures in the comparative example. However, if the laser control processor 30 determines not to replace the chamber module (S50: NO), the process proceeds to S60a.
  • the laser control processor 30 determines whether or not the conditions for changing the amplification characteristics of the power oscillator PO are satisfied. For example, when any one of the following (1) to (7) is satisfied, it is determined that the condition is satisfied.
  • the second pulse number So is a value smaller than the first pulse number Sm, and is set within a range of, for example, 0.5 ⁇ 10 9 pulses or more and 2 ⁇ 10 9 pulses or less.
  • the second elapsed time To is a value smaller than the first elapsed time Tm, and is set within a range of, for example, 7 days or more and 15 days or less.
  • the predetermined gas pressure range is, for example, 220 kPa or more and 350 kPa or less.
  • the gas pressure change amount ⁇ P is set, for example, within a range of 50 kPa or more and 150 kPa or less.
  • the predetermined voltage range is, for example, 20 kV or more and 25 kV or less.
  • the voltage change amount ⁇ V is set, for example, within a range of 0.5 kV or more and 1 kV or less.
  • the high voltage applied between discharge electrodes 21 a and 21 b may be calculated based on the charging voltage of charger 22
  • the laser control processor 30 determines that the condition for changing the amplification characteristics of the power oscillator PO is not satisfied (S60a: NO), it returns to S40 and continues the exposure operation. If the laser control processor 30 determines that the conditions for changing the amplification characteristics of the power oscillator PO are satisfied (S60a: YES), the process proceeds to S70a.
  • the laser control processor 30 requests the exposure device 4 for permission to set the MO target pulse energy.
  • the laser control processor 30 determines whether or not the setting of the MO target pulse energy has been permitted by the exposure device 4. If the MO target pulse energy setting is not permitted (S80a: NO), the laser control processor 30 waits until the MO target pulse energy setting is permitted. If the setting of the MO target pulse energy is permitted (S80a: YES), the laser control processor 30 returns to S30a and sets the MO target pulse energy again.
  • FIG. 5 is a flowchart for explaining details of the MO target pulse energy setting process in the first embodiment.
  • the processing shown in FIG. 5 corresponds to the subroutine of S30a in FIG.
  • the laser control processor 30 sets the oscillation conditions of the power oscillator PO.
  • Oscillation conditions of the power oscillator PO include the charging voltage of the charger 22 and the gas pressure inside the laser chamber 20 .
  • the oscillation conditions of the power oscillator PO differ according to the PO target pulse energy.
  • the oscillation conditions of the power oscillator PO may be set based on the PO target pulse energy received from the exposure device 4 .
  • the laser control processor 30 sets a plurality of values as the pulse energy Emo of the first laser beam B1, and measures the pulse energy Epo of the second laser beam B2 for each value.
  • the oscillation conditions set in S31 are maintained without being changed until the process of S32a ends.
  • the laser control processor 30 acquires the relationship between the pulse energy Emo of the first laser beam B1 and the pulse energy Epo of the second laser beam B2 from the measurement results.
  • the pulse energy Epo of the second laser beam B2 is an example of parameters in the present disclosure.
  • FIG. 6 is a graph illustrating measurement results of the relationship between the pulse energy Emo of the first laser beam B1 and the pulse energy Epo of the second laser beam B2.
  • FIG. 6 shows the measurement results of the power oscillator PO under the first oscillation condition when the PO target pulse energy is 10 mJ, and the measurement results of the power oscillator PO under the second oscillation condition when the PO target pulse energy is 15 mJ. Results and are shown.
  • the laser control processor 30 controls the first laser beam B2 so that the ratio ⁇ Epo of the change in the pulse energy Epo of the second laser beam B2 to the change in the pulse energy Emo of the first laser beam B1 is equal to or less than a first predetermined value.
  • a minimum value Emot of the pulse energy Emo of the light B1 is specified.
  • the first predetermined value is 1, for example.
  • FIG. 7 is a graph illustrating the relationship between the pulse energy Emo of the first laser beam B1 and the rate of change ⁇ Epo of the pulse energy Epo of the second laser beam B2.
  • the pulse energy Epo of the second laser beam B2 shown in FIG. 6 is regarded as a function of the pulse energy Emo of the first laser beam B1
  • the rate of change ⁇ Epo shown in FIG. It corresponds to the result of differentiation.
  • the change rate ⁇ Epo of the pulse energy Epo of the second laser beam B2 is an example of the characteristics of the second laser beam B2 in the present disclosure.
  • the rate of change ⁇ Epo is desirably set to 1 or less, which is the first predetermined value. That is, it is desirable that the change in the pulse energy Epo of the second laser beam B2 is 1 mJ or less when the pulse energy Emo of the first laser beam B1 is changed by 1 mJ. From FIG. 7, the pulse energy Emo of the first laser beam B1 at which the rate of change ⁇ Epo becomes 1 under the first oscillation condition is obtained. A value Emot is determined.
  • the minimum value Emot of the pulse energy Emo at which the characteristics of the second laser beam B2 are within the allowable range under the first oscillation condition is shown as Emot10 in FIG. From FIG. 7, the pulse energy Emo of the first laser beam B1 at which the rate of change ⁇ Epo is 1 under the second oscillation condition is obtained. A value Emot is determined. The minimum value Emot of the pulse energy Emo at which the characteristics of the second laser beam B2 are within the allowable range under the second oscillation condition is shown as Emot15 in FIG.
  • the first predetermined value is not limited to 1, and may be set in the range of 0.5 or more and 2.0 or less.
  • the laser control processor 30 sets the minimum value Emot to the MO target pulse energy. After S34, the laser control processor 30 ends the processing of this flowchart and returns to the processing shown in FIG.
  • the laser system 1a includes a master oscillator MO that outputs a first laser beam B1 and a power generator MO that amplifies the first laser beam B1 and outputs a second laser beam B2. and an oscillator PO.
  • the control method of the laser system 1a consists of determining the conditions under which the amplification characteristics of the power oscillator PO change, and, if it is determined that the conditions are satisfied, the pulse energy Emo of the first laser beam B1 and the energy of the second laser beam B2. obtaining a relationship with the parameters; and setting the MO target pulse energy based on the obtained relationship.
  • the relationship between the pulse energy Emo of the first laser beam B1 and the parameter of the second laser beam B2 is obtained to set the MO target pulse energy.
  • an appropriate MO target pulse energy can be set according to changes in the amplification characteristics of the power oscillator PO.
  • the condition under which the amplification characteristic of the power oscillator PO changes is the second set value of either the number of oscillation pulses or the elapsed time after the previous setting of the MO target pulse energy. It may include reaching the number of pulses So and the second elapsed time To. According to this, it is possible to determine that the amplification characteristics of the power oscillator PO may change due to deterioration of the chamber module of the power oscillator PO according to the number of oscillation pulses or the elapsed time, and set an appropriate MO target pulse energy.
  • the power oscillator PO is a gas laser device, and the conditions for changing the amplification characteristics of the power oscillator PO are either the gas pressure in the power oscillator PO or the change in the gas pressure. May include being outside. According to this, by monitoring the gas pressure in the power oscillator PO, it is possible to determine that the amplification characteristic of the power oscillator PO may change, and set an appropriate MO target pulse energy.
  • the power oscillator PO is a discharge-pumped gas laser device, and the condition for changing the amplification characteristics of the power oscillator PO is either the voltage applied to the power oscillator PO or the change in the applied voltage. It may also include that it has become out of each set range. According to this, by monitoring the voltage applied to the power oscillator PO, it is possible to determine that the amplification characteristic of the power oscillator PO may change, and set an appropriate MO target pulse energy.
  • the conditions under which the amplification characteristics of the power oscillator PO change may include changing the PO target pulse energy. According to this, it is possible to determine that the amplification characteristic of the power oscillator PO may change when changing the PO target pulse energy, and to set an appropriate MO target pulse energy.
  • the laser system 1 a is connected to the exposure device 4 and is configured to output the second laser beam B2 to the exposure device 4 .
  • the output of the second laser beam B2 to the exposure device 4 is stopped and the pulse of the first laser beam B1 is generated.
  • Energy Emo and parameters of the second laser beam B2 are measured. This acquires the relationship between the pulse energy Emo of the first laser beam B1 and the parameter of the second laser beam B2. According to this, since the output to the exposure device 4 is stopped, the relationship between the pulse energy Emo of the first laser beam B1 and the parameter of the second laser beam B2 can be obtained separately from the characteristics of the laser beam used for exposure. .
  • the MO target pulse energy is set to the minimum value Emot of the pulse energy Emo of the first laser beam B1 at which the characteristics of the second laser beam B2 are within the allowable range. According to this, shortening of the life of the laser chambers 10 and 20 is suppressed by setting the minimum value Emot within a range that satisfies the conditions for obtaining the desired characteristics of the second laser beam B2 as the MO target pulse energy. can.
  • the parameter of the second laser beam B2 is the pulse energy Epo of the second laser beam B2.
  • an appropriate MO target pulse energy can be set based on the relationship between the pulse energy Emo of the first laser beam B1 and the pulse energy Epo of the second laser beam B2.
  • the MO target pulse energy is such that the rate ⁇ Epo of change in pulse energy Epo of the second laser beam B2 with respect to change in pulse energy Emo of the first laser beam B1 is equal to or less than the first predetermined value. is set to the minimum value Emot of the pulse energy Emo of the first laser beam B1. According to this, the MO target pulse energy is set within a range in which the rate of change ⁇ Epo is equal to or less than the first predetermined value, so that unintended fluctuations in the pulse energy Epo can be suppressed. Otherwise, the first embodiment is the same as the comparative example.
  • FIG. 8 is a flowchart for explaining the details of the MO target pulse energy setting process in the second embodiment.
  • the processing shown in FIG. 8 corresponds to the subroutine of S30a in FIG.
  • the configuration of the second embodiment and the operating procedure from the installation of the chamber module to the end of its life are the same as those of the first embodiment.
  • the processing of S31 is the same as that of the first embodiment.
  • the laser control processor 30 sets a plurality of values as the pulse energy Emo of the first laser beam B1, and measures the pulse energy variation ⁇ epo of the second laser beam B2 for each value.
  • the oscillation conditions set in S31 are maintained without being changed until the process of S32b ends.
  • the laser control processor 30 acquires the relationship between the pulse energy Emo of the first laser beam B1 and the pulse energy variation ⁇ epo of the second laser beam B2 from the measurement result.
  • the pulse energy variation ⁇ epo of the second laser beam B2 is an example of parameters in the present disclosure.
  • FIG. 9 is a graph illustrating measurement results of the relationship between the pulse energy Emo of the first laser beam B1 and the pulse energy variation ⁇ epo of the second laser beam B2.
  • the pulse energy variation ⁇ epo may be expressed as a percentage.
  • the laser control processor 30 sets the absolute value
  • a minimum value Emot of the pulse energy Emo of the first laser beam B1 is specified as follows.
  • the second predetermined value is 0.4, for example.
  • FIG. 10 is a graph illustrating the relationship between the pulse energy Emo of the first laser beam B1 and the absolute value
  • the pulse energy variation ⁇ epo of the second laser beam B2 shown in FIG. 9 is regarded as a function of the pulse energy Emo of the first laser beam B1
  • of the rate of change in the pulse energy variation ⁇ epo of the second laser beam B2 is an example of the characteristics of the second laser beam B2 in the present disclosure.
  • of the rate of change is desirably less than or equal to 0.4, which is the second predetermined value. That is, the change in the standard deviation Eposd of the pulse energy Epo of the second laser beam B2 when the pulse energy Emo of the first laser beam B1 is changed by 1 mJ is the arithmetic mean Epoavg of the pulse energy Epo of the second laser beam B2. It is desirable to be 0.4% or less. From FIG.
  • of the rate of change is 0.4 is obtained.
  • a minimum value Emot is determined.
  • the second predetermined value is not limited to 0.4, and may be set within a range of 0.2 or more and 1.5 or less.
  • the parameter of the second laser beam B2 is the pulse energy variation ⁇ epo of the second laser beam B2.
  • an appropriate MO target pulse energy can be set based on the relationship between the pulse energy Emo of the first laser beam B1 and the pulse energy variation ⁇ epo of the second laser beam B2.
  • the MO target pulse energy is such that the absolute value
  • FIG. 11 schematically shows the configuration of a laser system 1c according to the third embodiment.
  • the laser system 1c according to the third embodiment differs from the first and second embodiments in that the PO energy monitor 17 is additionally provided with a beam splitter 17b and an interferometer 17d.
  • the beam splitter 17b is arranged in the optical path between the beam splitter 17a and the optical sensor 17c.
  • Interferometer 17d is placed in the optical path of the light reflected by beam splitter 17b.
  • the interferometer 17d is a Fabry-Perot interferometer including a diffusion plate, an etalon, a condenser lens, and an optical sensor (not shown).
  • the optical sensor of the interferometer 17d may be a line sensor in which a large number of light receiving elements are arranged in a line.
  • the interferometer 17 d is configured to measure the interference fringes of the second laser beam B ⁇ b>2 and transmit the measurement result to the laser control processor 30 .
  • FIG. 12 is a flowchart for explaining the details of the MO target pulse energy setting process in the third embodiment.
  • the processing shown in FIG. 12 corresponds to the subroutine of S30a in FIG.
  • the operating procedure from the installation of the chamber module to the expiration of the life of the chamber module of the third embodiment is the same as that of the first embodiment.
  • the processing of S31 is the same as that of the first embodiment.
  • the laser control processor 30 sets a plurality of values as the pulse energy Emo of the first laser beam B1, and measures the contrast C of the interference fringes produced by the second laser beam B2 for each value.
  • the oscillation conditions set in S31 are maintained without being changed until the process of S32c ends.
  • the laser control processor 30 acquires the relationship between the pulse energy Emo of the first laser beam B1 and the contrast C of the interference fringes of the second laser beam B2 from the measurement results.
  • FIG. 13 shows an example of interference fringes due to the second laser beam B2 measured by the interferometer 17d.
  • the horizontal axis of FIG. 13 indicates the channel number, which corresponds to the number of each light receiving element constituting the optical sensor of the interferometer 17d.
  • the laser control processor 30 specifies the minimum value Emot of the pulse energy Emo of the first laser beam B1 at which the contrast C of the interference fringes is equal to or greater than the third predetermined value.
  • the third predetermined value is 0.9, for example.
  • FIG. 14 is a graph illustrating the relationship between the pulse energy Emo of the first laser beam B1 and the contrast C of interference fringes.
  • the interference fringe contrast C is an example of a parameter in the present disclosure and an example of the characteristics of the second laser beam B2 in the present disclosure.
  • the interference fringe contrast C is related to the ratio of the amplified spontaneous emission light contained in the second laser beam B2. The higher the proportion of spontaneous amplified light, the lower the contrast C of the interference fringes. It is preferable that the ratio of amplified spontaneous emission light is low and the contrast C of the interference fringes is high.
  • the interference fringe contrast C is desirably set to 0.9 or more, which is the third predetermined value. From FIG.
  • the minimum value Emot of the pulse energy Emo at which the characteristics of the second laser beam B2 are within the allowable range is Desired.
  • the third predetermined value is not limited to 0.9, and may be set within a range of 0.7 or more and 0.95 or less.
  • the parameter of the second laser beam B2 measured for multiple values of the pulse energy Emo of the first laser beam B1 is not limited to the contrast C of the interference fringes. Further, the parameters of the second laser beam B2 are not limited to the pulse energy Epo of the second laser beam B2 in the first embodiment and the pulse energy variation ⁇ epo of the second laser beam B2 in the second embodiment. The parameters of the second laser beam B2 may include two or more of the pulse energy Epo of the second laser beam B2, the pulse energy variation ⁇ epo of the second laser beam B2, and the contrast C of the interference fringes. .
  • the MO target pulse energy may be set to the maximum value among the minimum values Emot described in the first to third embodiments.
  • the parameter of the second laser beam B2 is a parameter relating to the ratio of amplified spontaneous emission light contained in the second laser beam B2. According to this, an appropriate MO target pulse energy can be set based on the parameter regarding the ratio of the amplified spontaneous emission light contained in the second laser beam B2.
  • the parameter relating to the proportion of amplified spontaneous emission light contained in the second laser beam B2 is measured by making the second laser beam B2 enter the interferometer 17d, which is a Fabry-Perot interferometer. is the contrast C of the interference fringes. According to this, by using the interferometer 17d, it is possible to measure a parameter relating to the ratio of the amplified spontaneous emission light contained in the second laser beam B2.
  • the interference fringe contrast C is calculated by (Imax ⁇ Imin)/(Imax+Imin) based on the maximum value Imax and the minimum value Imin of the light intensity in the interference fringes. According to this, the ratio of the amplified spontaneous emission light contained in the second laser beam B2 can be appropriately measured.
  • the MO target pulse energy is set to the minimum value Emot of the pulse energy Emo of the first laser beam B1 at which the interference fringe contrast C is equal to or greater than the third predetermined value. According to this, since the MO target pulse energy is set within a range in which the contrast C of the interference fringes is equal to or greater than the third predetermined value, the characteristics of the second laser beam B2 can be kept within the allowable range.
  • the parameters of the second laser beam B2 are the pulse energy Epo of the second laser beam B2, the pulse energy variation ⁇ epo of the second laser beam B2, and the Fabry Contrast C of interference fringes measured by entering the interferometer 17d which is a Perot interferometer.
  • the MO target pulse energy is set to the maximum value among the following first to third candidate values. 1.
  • a first candidate value calculated when the parameter includes the pulse energy Epo of the second laser beam B2, the change in the pulse energy Epo of the second laser beam B2 with respect to the change in the pulse energy Emo of the first laser beam B1 A first candidate value Emot that is the minimum value Emot of the pulse energy Emo of the first laser beam B1 at which the ratio ⁇ Epo of the first laser beam B1 is equal to or less than the first predetermined value.
  • a second candidate value Emot which is the minimum value Emot of the pulse energy Emo of the first laser beam B1 at which the absolute value
  • a third candidate value calculated when the parameter includes the contrast C of interference fringes which is the minimum value Emot of the pulse energy Emo of the first laser beam B1 at which the contrast C of the interference fringes is equal to or greater than a third predetermined value.
  • a plurality of candidate values are calculated as the minimum value Emot, and by selecting the maximum value among the plurality of candidate values, the second laser The condition that the characteristics of the light B2 are within the allowable range can be satisfied from a plurality of viewpoints.
  • the third embodiment is the same as the first embodiment.
  • FIGS. 15 to 17 schematically show optical paths between the master oscillator MO and the power oscillator PO in the laser system 1d according to the fourth embodiment. 15 to 17, illustration of the chargers 12 and 22, the pulse power modules 13 and 23, the PO energy monitor 17, etc. is omitted.
  • the light received by the optical sensor 16 c of the MO energy monitor 16 includes light L 1 that is output from the master oscillator MO and enters the MO energy monitor 16 .
  • MO energy monitor 16 measures the pulse energy of light including light L1.
  • the MO energy monitor 16 further measures the pulse energy of light including either or both of the following lights L2 and L3.
  • the light received by the optical sensor 16c of the MO energy monitor 16 is output from the master oscillator MO, reflected by the rear mirror 24, and further reflected by the output coupling mirror 15 to the MO energy monitor 16. It contains incident light L2.
  • the pulse energy of light L2 is approximately proportional to the pulse energy of light L1.
  • the MO energy monitor 16 may measure the pulse energy of light including the light L2.
  • light received by the optical sensor 16c of the MO energy monitor 16 is output from the power oscillator PO via the rear mirror 24, reflected by the output coupling mirror 15, and incident on the MO energy monitor 16.
  • the pulse energy of the light L3 is approximately proportional to the pulse energy Epo of the second laser beam B2.
  • the MO energy monitor 16 may measure the pulse energy of light including the light L3.
  • the process (S30a) of setting the MO target pulse energy based on the measurement result of the pulse energy of light including either or both of the light L2 and L3 A process (S40) of controlling the pulse energy of the light containing the to approach the MO target pulse energy is performed. According to this, either or both of the light L2 and L3 are taken into account in both the process of setting the MO target pulse energy (S30a) and the process of controlling the pulse energy (S40), so the present disclosure There is no big problem in the control of
  • the desired characteristics of the second laser beam B2 can be obtained by controlling the pulse energy Emo of the first laser beam B1 without performing a correction operation for excluding the pulse energies of the lights L2 and L3. can be obtained.
  • the operating procedure from the installation of the chamber module to the end of the life of the chamber module in the fourth embodiment, and the process of setting the MO target pulse energy may be the same as in any one of the first to third embodiments.
  • at least one of the following (8) to (11) may be added as a condition for changing the amplification characteristic of the power oscillator PO.
  • the gas pressure inside the laser chamber 10 is out of the predetermined gas pressure range.
  • the change in the gas pressure inside the laser chamber 10 after setting the MO target pulse energy in S30a exceeded a predetermined gas pressure change amount ⁇ P.
  • the high voltage applied between the discharge electrodes 11a and 11b is out of the predetermined voltage range.
  • the predetermined gas pressure range, gas pressure change amount ⁇ P, predetermined voltage range, and voltage change amount ⁇ V may be the same as those described in the first embodiment.
  • the reason why the change in the amplification characteristic of the power oscillator PO can be determined based on the conditions of the gas pressure inside the laser chamber 10 or the high voltage applied between the discharge electrodes 11a and 11b shown in (8) to (11). is as follows.
  • the pulse energy of the light L3 changes.
  • the pulse energy of light L3 may be high.
  • the laser control processor 30 can lower the pulse energy of the light L1 in an attempt to maintain the pulse energy Emo measured by the MO energy monitor 16 at the MO target pulse energy. That is, the high voltage applied between the discharge electrodes 11a and 11b can be lowered, and the gas pressure inside the laser chamber 10 can be lowered. As described above, the gas pressure inside the laser chamber 10 or the high voltage applied between the discharge electrodes 11a and 11b may change due to changes in the amplification characteristics of the power oscillator PO. It is possible to make a determination based on the condition (11).
  • the laser system 1d includes an MO energy monitor 16 arranged in the optical path of the first laser beam B1 between the master oscillator MO and the power oscillator PO.
  • the MO energy monitor 16 measures the pulse energy of light including the light L1 that is output from the master oscillator MO and is incident on the MO energy monitor 16, and measures the pulse energy of light further including either of the following lights L2 and L3. measure. 1.
  • Light L2 is output from the master oscillator MO, reflected by the rear mirror 24 included in the power oscillator PO, further reflected by the output coupling mirror 15 included in the master oscillator MO, and incident on the MO energy monitor 16. 2.
  • the pulse energy Emo of the first laser beam B1 can be controlled to a desired value without performing a correction operation for excluding the pulse energy of the lights L2 and L3.
  • the master oscillator MO is a discharge-pumped gas laser device, and the conditions under which the amplification characteristics of the power oscillator PO change are gas pressure in the master oscillator MO, change in gas pressure, and any of the applied voltage and the change in the applied voltage are out of their set ranges. According to this, by monitoring the gas pressure or applied voltage in the master oscillator MO, it is possible to determine that the amplification characteristic of the power oscillator PO may change, and set an appropriate MO target pulse energy. Otherwise, the fourth embodiment is the same as the first to third embodiments.
  • FIG. 18 schematically shows the configuration of a laser system 1e according to the fifth embodiment.
  • FIG. 19 shows how the power oscillator PO shown in FIG. 18 is viewed from a direction different from that in FIG. 18 and 19, the output direction of the second laser beam B2 output from the power oscillator PO is the Z direction, and the discharge direction between the discharge electrodes 21a and 21b is the V direction.
  • the Z direction and the V direction are perpendicular, and the direction perpendicular to both of them is the H direction.
  • the power oscillator PO is constructed using a Fabry-Perot type optical resonator, whereas in the fifth embodiment, a ring resonator is used to construct the power oscillator PO. is configured.
  • the laser system 1e according to the fifth embodiment includes high reflection mirrors 26a to 26c, an output coupling mirror 27, and a high reflection mirror instead of the rear mirror 24 and the output coupling mirror 25 in the laser system 1a according to the first embodiment. 33. 18 and 19, illustration of the chargers 12 and 22, the pulse power modules 13 and 23, etc. is omitted.
  • the output coupling mirror 27 is made of a material that transmits the first laser beam B1, and one surface thereof is coated with a partially reflective film.
  • the out-coupling mirror 27 and the highly reflective mirror 26a are located outside the laser chamber 20 and near the window 20a.
  • Highly reflective mirrors 26b and 26c are positioned outside laser chamber 20 and near window 20b. In the discharge space between the discharge electrodes 21a and 21b, the optical path from the high reflection mirror 26a to the high reflection mirror 26b and the optical path from the high reflection mirror 26c to the output coupling mirror 27 intersect.
  • the PO energy monitor 17 is arranged in the optical path of the second laser beam B2 output from the power oscillator PO.
  • the first laser beam B1 output from the master oscillator MO is reflected by the high-reflection mirrors 31, 32, and 33 in this order, and reaches the output coupling mirror 27 from outside the resonator of the power oscillator PO. Incident in the H direction.
  • the first laser beam B1 incident on the resonator via the output coupling mirror 27 is reflected by the high reflection mirrors 26a, 26b, and 26c in this order, amplified when passing through the discharge space, and is amplified inside the resonator. from the output coupling mirror 27 in the Z direction.
  • a part of the light incident on the output coupling mirror 27 in the Z direction is reflected in the -H direction, reflected again by the high reflection mirrors 26a, 26b, and 26c and amplified. Another portion of the light incident on the output coupling mirror 27 in the Z direction is transmitted and output as the second laser beam B2.
  • the MO target pulse energy setting process may be the same as in any one of the first to third embodiments.
  • the fifth embodiment has actions similar to those of the first to third embodiments. Otherwise, the fifth embodiment is the same as the first to third embodiments.
  • FIG. 20 schematically shows the configuration of the exposure device 4 connected to the laser system 1a.
  • the laser system 1 a generates pulsed laser light and outputs it to the exposure device 4 .
  • the exposure device 4 includes an illumination optical system 41 and a projection optical system 42 .
  • the illumination optical system 41 illuminates a reticle pattern of a reticle (not shown) arranged on the reticle stage RT with the pulsed laser light incident from the laser system 1a.
  • the projection optical system 42 reduces and projects the pulsed laser beam transmitted through the reticle to form an image on a workpiece (not shown) placed on the workpiece table WT.
  • the workpiece is a photosensitive substrate, such as a semiconductor wafer, coated with photoresist.
  • the exposure device 4 synchronously translates the reticle stage RT and the workpiece table WT, thereby exposing the workpiece to pulsed laser light reflecting the reticle pattern.
  • an electronic device can be manufactured through a plurality of processes. Any of laser systems 1c, 1d and 1e may be used instead of laser system 1a.

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Abstract

レーザシステムは、第１レーザ光を出力する発振段レーザと、第１レーザ光を増幅して第２レーザ光を出力する増幅段レーザと、を含む。レーザシステムの制御方法は、増幅段レーザの増幅特性が変化する条件を判定することと、条件が満たされると判定した場合に、第１レーザ光のパルスエネルギーと第２レーザ光のパラメータとの関係を取得することと、取得した関係に基づいて第１レーザ光の目標パルスエネルギーを設定することと、を含む。

Description

レーザシステムの制御方法、レーザシステム、及び電子デバイスの製造方法
　本開示は、レーザシステムの制御方法、レーザシステム、及び電子デバイスの製造方法に関する。
　近年、半導体露光装置においては、半導体集積回路の微細化及び高集積化につれて、解像力の向上が要請されている。このため、露光用光源から放出される光の短波長化が進められている。たとえば、露光用のガスレーザ装置としては、波長約２４８ｎｍのレーザ光を出力するＫｒＦエキシマレーザ装置、ならびに波長約１９３ｎｍのレーザ光を出力するＡｒＦエキシマレーザ装置が用いられる。
　ＫｒＦエキシマレーザ装置及びＡｒＦエキシマレーザ装置の自然発振光のスペクトル線幅は、３５０～４００ｐｍと広い。そのため、ＫｒＦ及びＡｒＦレーザ光のような紫外線を透過させる材料で投影レンズを構成すると、色収差が発生してしまう場合がある。その結果、解像力が低下し得る。そこで、ガスレーザ装置から出力されるレーザ光のスペクトル線幅を、色収差が無視できる程度となるまで狭帯域化する必要がある。そのため、ガスレーザ装置のレーザ共振器内には、スペクトル線幅を狭帯域化するために、狭帯域化素子（エタロンやグレーティング等）を含む狭帯域化モジュール（Line Narrow Module：ＬＮＭ）が備えられる場合がある。以下では、スペクトル線幅が狭帯域化されるガスレーザ装置を狭帯域化ガスレーザ装置という。
米国特許出願公開第２００６／２３９３０９号明細書 特開２００６－０８０２７９号公報 米国特許出願公開第２０１８／１２３３１２号明細書 米国特許出願公開第２０１９／２８０４５１号明細書
概要
　本開示の１つの観点に係るレーザシステムの制御方法において、レーザシステムは、第１レーザ光を出力する発振段レーザと、第１レーザ光を増幅して第２レーザ光を出力する増幅段レーザと、を含む。レーザシステムの制御方法は、増幅段レーザの増幅特性が変化する条件を判定することと、条件が満たされると判定した場合に、第１レーザ光のパルスエネルギーと第２レーザ光のパラメータとの関係を取得することと、取得した関係に基づいて第１レーザ光の目標パルスエネルギーを設定することと、を含む。
　本開示の１つの観点に係るレーザシステムは、第１レーザ光を出力する発振段レーザと、第１レーザ光を増幅して第２レーザ光を出力する増幅段レーザと、プロセッサであって、増幅段レーザの増幅特性が変化する条件を判定し、条件が満たされると判定した場合に、第１レーザ光のパルスエネルギーと第２レーザ光のパラメータとの関係を取得し、取得した関係に基づいて第１レーザ光の目標パルスエネルギーを設定する、プロセッサと、を備える。
　本開示の１つの観点に係る電子デバイスの製造方法は、第１レーザ光を出力する発振段レーザと、第１レーザ光を増幅して第２レーザ光を出力する増幅段レーザと、プロセッサであって、増幅段レーザの増幅特性が変化する条件を判定し、条件が満たされると判定した場合に、第１レーザ光のパルスエネルギーと第２レーザ光のパラメータとの関係を取得し、取得した関係に基づいて第１レーザ光の目標パルスエネルギーを設定する、プロセッサと、を備えるレーザシステムによってレーザ光を生成し、レーザ光を露光装置に出力し、電子デバイスを製造するために、露光装置内で感光基板上にレーザ光を露光することを含む。
　本開示のいくつかの実施形態を、単なる例として、添付の図面を参照して以下に説明する。
図１は、比較例に係るレーザシステムの構成を模式的に示す。 図２は、比較例におけるチャンバモジュールの設置から寿命到来までの運転手順を示すフローチャートである。 図３は、第１の実施形態に係るレーザシステムの構成を模式的に示す。 図４は、第１の実施形態におけるチャンバモジュールの設置から寿命到来までの運転手順を示すフローチャートである。 図５は、第１の実施形態におけるＭＯ目標パルスエネルギーの設定処理の詳細を説明するフローチャートである。 図６は、第１レーザ光のパルスエネルギーと第２レーザ光のパルスエネルギーとの関係の計測結果を例示するグラフである。 図７は、第１レーザ光のパルスエネルギーと第２レーザ光のパルスエネルギーの変化の割合との関係を例示するグラフである。 図８は、第２の実施形態におけるＭＯ目標パルスエネルギーの設定処理の詳細を説明するフローチャートである。 図９は、第１レーザ光のパルスエネルギーと第２レーザ光のパルスエネルギーばらつきとの関係の計測結果を例示するグラフである。 図１０は、第１レーザ光のパルスエネルギーと第２レーザ光のパルスエネルギーばらつきの変化の割合の絶対値との関係を例示するグラフである。 図１１は、第３の実施形態に係るレーザシステムの構成を模式的に示す。 図１２は、第３の実施形態におけるＭＯ目標パルスエネルギーの設定処理の詳細を説明するフローチャートである。 図１３は、干渉計によって計測される第２レーザ光による干渉縞の例を示す。 図１４は、第１レーザ光のパルスエネルギーと干渉縞のコントラストとの関係を例示するグラフである。 図１５は、第４の実施形態に係るレーザシステムにおけるマスターオシレータとパワーオシレータとの間の光路を模式的に示す。 図１６は、第４の実施形態に係るレーザシステムにおけるマスターオシレータとパワーオシレータとの間の光路を模式的に示す。 図１７は、第４の実施形態に係るレーザシステムにおけるマスターオシレータとパワーオシレータとの間の光路を模式的に示す。 図１８は、第５の実施形態に係るレーザシステムの構成を模式的に示す。 図１９は、図１８に示されるパワーオシレータを図１８と異なる方向から見た様子を示す。 図２０は、レーザシステムに接続された露光装置の構成を概略的に示す。
実施形態
＜内容＞
１．比較例
　１．１　構成
　　１．１．１　マスターオシレータＭＯ
　　１．１．２　ＭＯエネルギーモニタ１６、高反射ミラー３１及び３２
　　１．１．３　パワーオシレータＰＯ
　　１．１．４　ＰＯエネルギーモニタ１７及びシャッター１８
　　１．１．５　レーザ制御プロセッサ３０
　１．２　動作
　　１．２．１　レーザ制御プロセッサ３０
　　１．２．２　マスターオシレータＭＯ
　　１．２．３　ＭＯエネルギーモニタ１６、高反射ミラー３１及び３２
　　１．２．４　パワーオシレータＰＯ
　　１．２．５　ＰＯエネルギーモニタ１７及びシャッター１８
　　１．２．６　電圧制御
　　１．２．７　ガス圧制御
　　１．２．８　ＭＯ目標パルスエネルギーの設定
　１．３　比較例の課題
２．第２レーザ光Ｂ２のパルスエネルギーＥｐｏを計測してＭＯ目標パルスエネルギーを設定するレーザシステム１ａ
　２．１　構成
　２．２　動作
　２．３　ＭＯ目標パルスエネルギーの設定処理
　２．４　作用
３．第２レーザ光Ｂ２のパルスエネルギーばらつきσｅｐｏを計測してＭＯ目標パルスエネルギーを設定するレーザシステム１ａ
　３．１　動作
　３．２　作用
４．第２レーザ光Ｂ２による干渉縞のコントラストＣを計測してＭＯ目標パルスエネルギーを設定するレーザシステム１ｃ
　４．１　構成
　４．２　動作
　４．３　他の構成例
　４．４　作用
５．ＭＯエネルギーモニタ１６がマスターオシレータＭＯの出力光以外の光も受光するレーザシステム１ｄ
　５．１　構成及び動作
　５．２　作用
６．リング共振器を含むレーザシステム１ｅ
　６．１　構成
　６．２　動作
　６．３　作用
７．その他
　以下、本開示の実施形態について、図面を参照しながら詳しく説明する。以下に説明される実施形態は、本開示のいくつかの例を示すものであって、本開示の内容を限定するものではない。また、各実施形態で説明される構成及び動作の全てが本開示の構成及び動作として必須であるとは限らない。なお、同一の構成要素には同一の参照符号を付して、重複する説明を省略する。
１．比較例
　１．１　構成
　図１は、比較例に係るレーザシステム１の構成を模式的に示す。レーザシステム１は、マスターオシレータＭＯと、パワーオシレータＰＯと、ＭＯエネルギーモニタ１６と、ＰＯエネルギーモニタ１７と、シャッター１８と、レーザ制御プロセッサ３０と、高反射ミラー３１及び３２と、を含む。レーザシステム１は露光装置４に接続されている。
　１．１．１　マスターオシレータＭＯ
　マスターオシレータＭＯは、レーザチャンバ１０と、一対の放電電極１１ａ及び１１ｂと、充電器１２と、パルスパワーモジュール（ＰＰＭ）１３と、狭帯域化モジュール１４と、出力結合ミラー１５と、圧力センサＰ１と、を含む。狭帯域化モジュール１４と出力結合ミラー１５とが、光共振器を構成する。レーザチャンバ１０は、光共振器の光路に配置されている。マスターオシレータＭＯは放電励起式のガスレーザ装置であり、本開示における発振段レーザに相当する。
　レーザチャンバ１０には、例えばレアガスとしてアルゴンガス又はクリプトンガス、ハロゲンガスとしてフッ素ガス、バッファガスとしてネオンガス等を含むレーザガスが封入される。レーザチャンバ１０の両端にはウインドウ１０ａ及び１０ｂが設けられている。
　充電器１２は、パルスパワーモジュール１３に供給するための電気エネルギーを保持する。パルスパワーモジュール１３は、図示しない充電コンデンサと、スイッチ１３ａと、を含む。充電器１２はパルスパワーモジュール１３の充電コンデンサに接続される。パルスパワーモジュール１３の充電コンデンサは放電電極１１ａに接続される。放電電極１１ｂは接地電位に接続される。
　狭帯域化モジュール１４は、プリズム１４ａとグレーティング１４ｂとを含む。狭帯域化モジュール１４の代わりに、高反射ミラーが用いられてもよい。
　出力結合ミラー１５は、狭帯域化モジュール１４の選択波長の光を透過させる材料で構成され、その１つの面には部分反射膜がコーティングされている。出力結合ミラー１５は本開示における第２の部分反射ミラーに相当する。
　圧力センサＰ１は、レーザチャンバ１０に取り付けられている。
　１．１．２　ＭＯエネルギーモニタ１６、高反射ミラー３１及び３２
　ＭＯエネルギーモニタ１６と、高反射ミラー３１及び３２とは、マスターオシレータＭＯから出力されたパルスレーザ光である第１レーザ光Ｂ１の光路に配置されている。ＭＯエネルギーモニタ１６は本開示におけるエネルギーモニタに相当する。
　ＭＯエネルギーモニタ１６は、第１レーザ光Ｂ１の光路に位置するビームスプリッタ１６ａと、ビームスプリッタ１６ａによって反射された光の光路に位置する光センサ１６ｃと、を含む。ビームスプリッタ１６ａと光センサ１６ｃとの間に図示しない集光光学系が配置されていてもよい。光センサ１６ｃは、ＭＯエネルギーモニタ１６に入射した第１レーザ光Ｂ１のパルスエネルギーＥｍｏに応じた電気信号を出力するように構成されている。
　ＭＯエネルギーモニタ１６は、高反射ミラー３１及び３２の間に配置される場合に限定されない。ＭＯエネルギーモニタ１６は、マスターオシレータＭＯと高反射ミラー３１との間に配置されてもよく、高反射ミラー３２とパワーオシレータＰＯとの間に配置されてもよい。
　高反射ミラー３１及び３２は、それぞれ図示しないアクチュエータによって位置及び姿勢を変更できるように構成されている。高反射ミラー３１及び３２は、第１レーザ光Ｂ１のパワーオシレータＰＯへの入射位置及び入射方向を調整するためのビームステアリングユニットを構成する。
　１．１．３　パワーオシレータＰＯ
　パワーオシレータＰＯは、ＭＯエネルギーモニタ１６と、上記ビームステアリングユニットと、を通過した第１レーザ光Ｂ１の光路に配置されている。
　パワーオシレータＰＯは、レーザチャンバ２０と、一対の放電電極２１ａ及び２１ｂと、充電器２２と、パルスパワーモジュール２３と、リアミラー２４と、出力結合ミラー２５と、圧力センサＰ２と、を含む。レーザチャンバ２０にはウインドウ２０ａ及び２０ｂが設けられている。パワーオシレータＰＯは放電励起式のガスレーザ装置であり、本開示における増幅段レーザに相当する。
　リアミラー２４は、第１レーザ光Ｂ１を透過させる材料で構成され、その１つの面には部分反射膜がコーティングされている。リアミラー２４は本開示における第１の部分反射ミラーに相当する。リアミラー２４の反射率は、出力結合ミラー２５の反射率より高く設定されている。リアミラー２４と、出力結合ミラー２５とが、ファブリ・ペロー型の光共振器を構成する。パルスパワーモジュール２３には、スイッチ２３ａが含まれる。
　他の点については、パワーオシレータＰＯの上述の構成要素は、マスターオシレータＭＯの対応する構成要素と同様である。
　１．１．４　ＰＯエネルギーモニタ１７及びシャッター１８
　ＰＯエネルギーモニタ１７は、パワーオシレータＰＯから出力されたパルスレーザ光である第２レーザ光Ｂ２の光路に配置されている。ＰＯエネルギーモニタ１７は、ビームスプリッタ１７ａと、光センサ１７ｃと、を含む。これらの構成要素は、ＭＯエネルギーモニタ１６の対応する構成要素と同様である。
　シャッター１８は、ＰＯエネルギーモニタ１７を通過した第２レーザ光Ｂ２の光路に配置されている。シャッター１８は、第２レーザ光Ｂ２を露光装置４へ向けて通過させる第１の状態と、第２レーザ光Ｂ２を遮断して露光装置４への出力を停止する第２の状態とに切り替えられるように構成されている。
　１．１．５　レーザ制御プロセッサ３０
　レーザ制御プロセッサ３０は、制御プログラムが記憶されたメモリ３０２と、制御プログラムを実行するＣＰＵ３０１と、を含む処理装置である。レーザ制御プロセッサ３０は本開示に含まれる各種処理を実行するために特別に構成又はプログラムされている。レーザ制御プロセッサ３０は本開示におけるプロセッサに相当する。
　１．２　動作
　１．２．１　レーザ制御プロセッサ３０
　レーザ制御プロセッサ３０は、第１レーザ光Ｂ１の目標パルスエネルギーを設定する。第１レーザ光Ｂ１の目標パルスエネルギーを以下ではＭＯ目標パルスエネルギーとする。
　レーザ制御プロセッサ３０は、さらに、露光装置４から第２レーザ光Ｂ２の目標パルスエネルギーの設定データを受信する。露光装置４から受信した目標パルスエネルギーを以下ではＰＯ目標パルスエネルギーとする。
　レーザ制御プロセッサ３０は、ＭＯ及びＰＯ目標パルスエネルギーに基づいて、充電器１２及び２２にそれぞれ充電電圧の設定データを送信する。また、レーザ制御プロセッサ３０は、パルスパワーモジュール１３及び２３にトリガ信号を送信する。
　１．２．２　マスターオシレータＭＯ
　パルスパワーモジュール１３は、レーザ制御プロセッサ３０からトリガ信号を受信すると、充電器１２に充電された電気エネルギーからパルス状の高電圧を生成し、この高電圧を放電電極１１ａ及び１１ｂの間に印加する。
　放電電極１１ａ及び１１ｂの間に高電圧が印加されると、放電電極１１ａ及び１１ｂの間に放電が起こる。この放電のエネルギーにより、レーザチャンバ１０内のレーザ媒質が励起されて高エネルギー準位に移行する。励起されたレーザ媒質が、その後低エネルギー準位に移行するとき、そのエネルギー準位差に応じた波長の光を放出する。
　レーザチャンバ１０内で発生した光は、ウインドウ１０ａ及び１０ｂを介してレーザチャンバ１０の外部に出射する。レーザチャンバ１０のウインドウ１０ａから出射した光は、プリズム１４ａによってビーム幅を拡大させられて、グレーティング１４ｂに入射する。
　プリズム１４ａからグレーティング１４ｂに入射した光は、グレーティング１４ｂの複数の溝によって反射されるとともに、光の波長に応じた方向に回折させられる。
　プリズム１４ａは、グレーティング１４ｂからの回折光のビーム幅を縮小させるとともに、その光を、ウインドウ１０ａを介してレーザチャンバ１０に戻す。
　出力結合ミラー１５は、レーザチャンバ１０のウインドウ１０ｂから出射した光のうちの一部を透過させて出力し、他の一部を反射してレーザチャンバ１０内に戻す。
　このようにして、レーザチャンバ１０から出射した光は、狭帯域化モジュール１４と出力結合ミラー１５との間で往復し、放電電極１１ａ及び１１ｂの間の放電空間を通過する度に増幅される。この光は、狭帯域化モジュール１４で折り返される度に狭帯域化される。こうしてレーザ発振し狭帯域化された光が、出力結合ミラー１５から第１レーザ光Ｂ１として出力される。
　１．２．３　ＭＯエネルギーモニタ１６、高反射ミラー３１及び３２
　ＭＯエネルギーモニタ１６は、第１レーザ光Ｂ１のパルスエネルギーＥｍｏを検出し、検出結果をレーザ制御プロセッサ３０に出力する。
　高反射ミラー３１及び３２は、第１レーザ光Ｂ１をパワーオシレータＰＯのリアミラー２４に導く。
　１．２．４　パワーオシレータＰＯ
　パルスパワーモジュール２３は、レーザ制御プロセッサ３０からトリガ信号を受信すると、充電器２２に充電された電気エネルギーからパルス状の高電圧を生成し、この高電圧を放電電極２１ａ及び２１ｂの間に印加する。放電電極２１ａ及び２１ｂの間に放電が起こるタイミングと、第１レーザ光Ｂ１がリアミラー２４及びウインドウ２０ａを介してレーザチャンバ２０内に入射するタイミングとが同期するように、パルスパワーモジュール１３へのトリガ信号に対するパルスパワーモジュール２３へのトリガ信号の遅延時間が設定される。
　第１レーザ光Ｂ１は、リアミラー２４と出力結合ミラー２５との間で往復し、放電電極２１ａ及び２１ｂの間の放電空間を通過する度に増幅される。増幅された光が、出力結合ミラー２５から第２レーザ光Ｂ２として出力される。
　１．２．５　ＰＯエネルギーモニタ１７及びシャッター１８
　ＰＯエネルギーモニタ１７は、第２レーザ光Ｂ２のパルスエネルギーＥｐｏを検出し、検出結果をレーザ制御プロセッサ３０に出力する。
　シャッター１８は、第２レーザ光Ｂ２を露光装置４へ出力する場合には第２レーザ光Ｂ２を通過させる第１の状態に制御される。シャッター１８は、レーザシステム１の初期調整などにおいて露光装置４への出力を停止する場合には第２レーザ光Ｂ２を遮断する第２の状態に制御される。
　１．２．６　電圧制御
　レーザ制御プロセッサ３０は、ＭＯ目標パルスエネルギーとＭＯエネルギーモニタ１６から受信した第１レーザ光Ｂ１のパルスエネルギーＥｍｏとに基づいて、充電器１２の充電電圧をフィードバック制御する。
　レーザ制御プロセッサ３０は、ＰＯ目標パルスエネルギーとＰＯエネルギーモニタ１７から受信した第２レーザ光Ｂ２のパルスエネルギーＥｐｏとに基づいて、充電器２２の充電電圧をフィードバック制御する。
　マスターオシレータＭＯ及びパワーオシレータＰＯによるレーザ発振を繰り返すうちに、放電電極１１ａ、１１ｂ、２１ａ、２２ｂ、及びその他の光学素子が劣化することがある。すると、第１レーザ光Ｂ１のパルスエネルギーＥｍｏ及び第２レーザ光Ｂ２のパルスエネルギーＥｐｏをそれぞれの目標値付近に制御するために必要な充電電圧が次第に高くなる。
　１．２．７　ガス圧制御
　マスターオシレータＭＯにおいて、充電器１２の充電電圧が閾値を超えた場合、レーザ制御プロセッサ３０は、図示しないガス供給装置を制御し、レーザチャンバ１０の内部にレーザガスを注入させてレーザチャンバ１０の内部のガス圧を高くする。ガス圧を高くすることにより、第１レーザ光Ｂ１のパルスエネルギーＥｍｏを目標値付近に制御するために必要な充電電圧を低くすることができる。
　マスターオシレータＭＯによるレーザ発振をさらに繰り返すうちに、第１レーザ光Ｂ１のパルスエネルギーＥｍｏを目標値付近に制御するために必要な充電電圧が再び高くなり得る。充電器１２の充電電圧が閾値を超えた場合、レーザ制御プロセッサ３０は、レーザチャンバ１０の内部に再びレーザガスを注入させてレーザチャンバ１０の内部のガス圧をさらに高くする。従って、マスターオシレータＭＯによるレーザ発振を長時間行ううちに、レーザチャンバ１０の内部のガス圧が次第に高くなる。
　パワーオシレータＰＯにおいても同様に、レーザチャンバ２０の内部のガス圧が次第に高くなる。
　圧力センサＰ１及びＰ２は、それぞれレーザチャンバ１０及び２０の内部のガス圧を検出し、検出結果をレーザ制御プロセッサ３０に送信する。レーザチャンバ１０の内部のガス圧が上限値を超えた場合、マスターオシレータＭＯのチャンバモジュールの交換が必要になり得る。レーザチャンバ２０の内部のガス圧が上限値を超えた場合、パワーオシレータＰＯのチャンバモジュールの交換が必要になり得る。
　１．２．８　ＭＯ目標パルスエネルギーの設定
　図２は、比較例におけるチャンバモジュールの設置から寿命到来までの運転手順を示すフローチャートである。
　Ｓ１０において、装置の導入又はチャンバモジュールの交換が行われる。装置とはマスターオシレータＭＯ又はパワーオシレータＰＯである。チャンバモジュールとはマスターオシレータＭＯ又はパワーオシレータＰＯのチャンバモジュールである。マスターオシレータＭＯのチャンバモジュールはレーザチャンバ１０及び放電電極１１ａ及び１１ｂを含むモジュールである。パワーオシレータＰＯのチャンバモジュールはレーザチャンバ２０及び放電電極２１ａ及び２１ｂを含むモジュールである。
　これにより、新品のチャンバモジュールが設置される。
　Ｓ２０において、初期調整が行われる。初期調整は、光学素子のアライメントや、レーザチャンバ１０又は２０に充填するレーザガスの調整などを含む。初期調整においては、第２レーザ光Ｂ２を遮断するためにレーザ制御プロセッサ３０がシャッター１８を第２の状態に制御する。
　Ｓ３０において、レーザ制御プロセッサ３０は、ＭＯ目標パルスエネルギーを設定する。ここで設定されたＭＯ目標パルスエネルギーは本フローチャートの運転手順が終了するまで同じ値に固定される。
　Ｓ４０において、レーザ制御プロセッサ３０は、第２レーザ光Ｂ２を露光装置４へ出力するためのレーザ発振を行うようレーザシステム１を制御する。レーザ制御プロセッサ３０は、第２レーザ光Ｂ２を露光装置４へ向けて通過させるためにシャッター１８を第１の状態に制御する。また、レーザ制御プロセッサ３０は、第１レーザ光Ｂ１のパルスエネルギーＥｍｏ及び第２レーザ光Ｂ２のパルスエネルギーＥｐｏを制御するために充電器１２及び２２の充電電圧を制御する。
　露光動作の開始後、レーザ制御プロセッサ３０は、一定期間ごとにＳ５０の判定を行う。Ｓ５０の判定は、チャンバモジュールの交換を行うか否かの判定である。
　レーザ制御プロセッサ３０は、例えば次の（１）～（４）のいずれかの基準が満たされる場合にチャンバモジュールの交換を行うと判定する。
　（１）Ｓ１０における装置の導入又はチャンバモジュールの交換後の発振パルス数が第１パルス数Ｓｍに達した。
　（２）Ｓ１０における装置の導入又はチャンバモジュールの交換後の経過時間が第１経過時間Ｔｍに達した。
　（３）レーザチャンバ１０又は２０の内部のガス圧が上限値を超えた。
　（４）放電電極１１ａ及び１１ｂの間、又は放電電極２１ａ及び２１ｂの間に印加される高電圧が上限値を超えた。
　ここで、第１パルス数Ｓｍは、例えば３０×１０９パルス以上、５０×１０９パルス以下の範囲で設定される。第１経過時間Ｔｍは、例えば１年以上、２年以下の範囲で設定される。ガス圧の上限値は、例えば３５０ｋＰａ以上、４２０ｋＰａ以下の範囲で設定される。高電圧の上限値は、例えば２５ｋＶ以上、２８ｋＶ以下の範囲で設定される。高電圧が上限値を超えたか否かは、充電器１２又は２２の充電電圧に基づいて判定されてもよい。
　マスターオシレータＭＯ及びパワーオシレータＰＯのうちの一方だけが上述の（１）～（４）のいずれかの基準を満たす場合に、上記一方のチャンバモジュールだけを交換してもよいし、両方のチャンバモジュールを交換してもよい。
　レーザ制御プロセッサ３０は、チャンバモジュールの交換を行わないと判定した場合（Ｓ５０：ＮＯ）、Ｓ４０に戻って露光動作を続ける。レーザ制御プロセッサ３０がチャンバモジュールの交換を行うと判定した場合（Ｓ５０：ＹＥＳ）、本フローチャートの運転手順が終了する。
　１．３　比較例の課題
　第１レーザ光Ｂ１のパルスエネルギーＥｍｏは、第２レーザ光Ｂ２の望ましい特性を得る観点からは高い方が好ましいが、レーザチャンバ１０及び２０の寿命を延ばす観点からは低い方が好ましい。比較例においては、ＭＯ目標パルスエネルギーは上述のＳ３０において設定された値に固定されるが、その場合には次の（１）～（３）の課題がある。
　（１）ＰＯ目標パルスエネルギーに応じて、ＭＯ目標パルスエネルギーの最適値が異なる場合がある。例えば、ＭＯ目標パルスエネルギーがＰＯ目標パルスエネルギーを１０ｍＪとした場合の最適値に設定されていて、ＰＯ目標パルスエネルギーが１５ｍＪに変更された場合には、第１レーザ光Ｂ１のパルスエネルギーＥｍｏがＰＯ目標パルスエネルギーを１５ｍＪとした場合の最適値より低くなる。このため、第２レーザ光Ｂ２の特性が、期待される特性より悪くなってしまう可能性がある。また、ＭＯ目標パルスエネルギーがＰＯ目標パルスエネルギーを１５ｍＪとした場合の最適値に設定されていて、ＰＯ目標パルスエネルギーが１０ｍＪに変更された場合には、第１レーザ光Ｂ１のパルスエネルギーＥｍｏがＰＯ目標パルスエネルギーを１０ｍＪとした場合の最適値より高くなる。このため、レーザチャンバ１０の寿命が、期待される長さより短くなってしまう可能性がある。
　（２）レーザチャンバ２０及びその後段の光学素子が劣化すると、パワーオシレータＰＯの発振条件が変化し、ＭＯ目標パルスエネルギーの最適値が高くなる場合がある。その場合、第１レーザ光Ｂ１のパルスエネルギーＥｍｏが最適値より低くなる。このため、第２レーザ光Ｂ２の特性が、期待される特性より悪くなってしまう可能性がある。また、第２レーザ光Ｂ２のパルスエネルギーＥｐｏをＰＯ目標パルスエネルギーに維持するために充電器２２の充電電圧を高くする必要がある。このため、レーザチャンバ２０の寿命が、期待される長さより短くなってしまう可能性がある。
　（３）パワーオシレータＰＯの個体差により、ＭＯ目標パルスエネルギーの最適値が異なる場合がある。例えば、第１レーザ光Ｂ１のパルスエネルギーＥｍｏが最適値より低い場合には、第２レーザ光Ｂ２の特性が、期待される特性より悪くなってしまう可能性がある。逆に、第１レーザ光Ｂ１のパルスエネルギーＥｍｏが最適値より高い場合には、レーザチャンバ１０の寿命が、期待される長さより短くなってしまう可能性がある。
　以下に説明するいくつかの実施形態においては、パワーオシレータＰＯの増幅特性が変化する条件を判定する。この条件が満たされる場合に、第１レーザ光Ｂ１のパルスエネルギーＥｍｏと第２レーザ光Ｂ２のパラメータとを実測してこれらの関係を取得し、取得した関係に基づいてＭＯ目標パルスエネルギーを設定する。これにより、パワーオシレータＰＯの増幅特性の変化に応じて適切なＭＯ目標パルスエネルギーを設定し得る。
２．第２レーザ光Ｂ２のパルスエネルギーＥｐｏを計測してＭＯ目標パルスエネルギーを設定するレーザシステム１ａ
　２．１　構成
　図３は、第１の実施形態に係るレーザシステム１ａの構成を模式的に示す。レーザシステム１ａは、レーザ制御プロセッサ３０が露光装置４からＭＯ目標パルスエネルギーの設定許可を受信してＭＯ目標パルスエネルギーを設定する点で、比較例と異なる。
　他の点については、第１の実施形態の構成は比較例と同様である。
　２．２　動作
　図４は、第１の実施形態におけるチャンバモジュールの設置から寿命到来までの運転手順を示すフローチャートである。
　Ｓ１０及びＳ２０は、比較例において対応する手順と同様である。
　Ｓ３０ａにおいて、レーザ制御プロセッサ３０は、ＭＯ目標パルスエネルギーを設定する。この処理の詳細については図５～図７を参照しながら後述する。Ｓ３０ａの処理は本フローチャートの運転手順が終了するまでに複数回行われる可能性があり、その度に新たなＭＯ目標パルスエネルギーが設定される可能性がある。Ｓ３０ａにおいては、第２レーザ光Ｂ２の露光装置４への出力を停止するためにレーザ制御プロセッサ３０がシャッター１８を第２の状態に制御する。
　Ｓ４０及びＳ５０は、比較例において対応する手順と同様である。但し、レーザ制御プロセッサ３０がチャンバモジュールの交換を行わないと判定した場合（Ｓ５０：ＮＯ）、Ｓ６０ａに進む。
　Ｓ６０ａにおいて、レーザ制御プロセッサ３０は、パワーオシレータＰＯの増幅特性が変化する条件が満たされるか否かを判定する。例えば次の（１）～（７）のいずれかが満たされる場合に、条件が満たされると判定される。
　（１）Ｓ３０ａにおけるＭＯ目標パルスエネルギーの設定後の発振パルス数が第２パルス数Ｓｏに達した。
　（２）Ｓ３０ａにおけるＭＯ目標パルスエネルギーの設定後の経過時間が第２経過時間Ｔｏに達した。
　（３）レーザチャンバ２０の内部のガス圧が所定のガス圧範囲外となった。
　（４）Ｓ３０ａにおけるＭＯ目標パルスエネルギーの設定後のレーザチャンバ２０の内部のガス圧の変化が所定のガス圧変化量ΔＰを超えた。
　（５）放電電極２１ａ及び２１ｂの間に印加される高電圧が所定の電圧範囲外となった。
　（６）Ｓ３０ａにおけるＭＯ目標パルスエネルギーの設定後の放電電極２１ａ及び２１ｂの間に印加される高電圧の変化が所定の電圧変化量ΔＶを超えた。
　（７）露光装置４からＰＯ目標パルスエネルギーを変更する設定データを受信した。
　ここで、第２パルス数Ｓｏは、第１パルス数Ｓｍより小さい値であり、例えば０．５×１０９パルス以上、２×１０９パルス以下の範囲で設定される。第２経過時間Ｔｏは、第１経過時間Ｔｍより小さい値であり、例えば７日以上、１５日以下の範囲で設定される。所定のガス圧範囲は、例えば２２０ｋＰａ以上、３５０ｋＰａ以下の範囲である。ガス圧変化量ΔＰは、例えば５０ｋＰａ以上、１５０ｋＰａ以下の範囲で設定される。所定の電圧範囲は、例えば２０ｋＶ以上、２５ｋＶ以下の範囲である。電圧変化量ΔＶは、例えば０．５ｋＶ以上、１ｋＶ以下の範囲で設定される。放電電極２１ａ及び２１ｂの間に印加される高電圧は、充電器２２の充電電圧に基づいて計算されてもよい。
　レーザ制御プロセッサ３０は、パワーオシレータＰＯの増幅特性が変化する条件が満たされないと判定した場合（Ｓ６０ａ：ＮＯ）、Ｓ４０に戻って露光動作を続ける。レーザ制御プロセッサ３０は、パワーオシレータＰＯの増幅特性が変化する条件が満たされると判定した場合（Ｓ６０ａ：ＹＥＳ）、Ｓ７０ａに進む。
　Ｓ７０ａにおいて、レーザ制御プロセッサ３０は、ＭＯ目標パルスエネルギーの設定許可を露光装置４に要求する。
　Ｓ８０ａにおいて、レーザ制御プロセッサ３０は、ＭＯ目標パルスエネルギーの設定が露光装置４から許可されたか否かを判定する。ＭＯ目標パルスエネルギーの設定が許可されない場合（Ｓ８０ａ：ＮＯ）、レーザ制御プロセッサ３０は、ＭＯ目標パルスエネルギーの設定が許可されるまで待機する。ＭＯ目標パルスエネルギーの設定が許可された場合（Ｓ８０ａ：ＹＥＳ）、レーザ制御プロセッサ３０は、Ｓ３０ａに戻ってＭＯ目標パルスエネルギーを再度設定する。
　２．３　ＭＯ目標パルスエネルギーの設定処理
　図５は、第１の実施形態におけるＭＯ目標パルスエネルギーの設定処理の詳細を説明するフローチャートである。図５に示される処理は、図４のＳ３０ａのサブルーチンに相当する。
　Ｓ３１において、レーザ制御プロセッサ３０は、パワーオシレータＰＯの発振条件を設定する。パワーオシレータＰＯの発振条件は、充電器２２の充電電圧及びレーザチャンバ２０の内部のガス圧を含む。パワーオシレータＰＯの発振条件はＰＯ目標パルスエネルギーに応じて異なる。パワーオシレータＰＯの発振条件は、露光装置４から受信したＰＯ目標パルスエネルギーに基づいて設定されてもよい。
　Ｓ３２ａにおいて、レーザ制御プロセッサ３０は、第１レーザ光Ｂ１のパルスエネルギーＥｍｏとして複数の値を設定し、個々の値に対して第２レーザ光Ｂ２のパルスエネルギーＥｐｏを計測する。Ｓ３１において設定された発振条件は、Ｓ３２ａの処理が終了するまで変更されずに維持される。レーザ制御プロセッサ３０は、計測の結果から第１レーザ光Ｂ１のパルスエネルギーＥｍｏと第２レーザ光Ｂ２のパルスエネルギーＥｐｏとの関係を取得する。第２レーザ光Ｂ２のパルスエネルギーＥｐｏは、本開示におけるパラメータの一例である。
　図６は、第１レーザ光Ｂ１のパルスエネルギーＥｍｏと第２レーザ光Ｂ２のパルスエネルギーＥｐｏとの関係の計測結果を例示するグラフである。図６においては、ＰＯ目標パルスエネルギーが１０ｍＪである場合のパワーオシレータＰＯの第１の発振条件における計測結果と、ＰＯ目標パルスエネルギーが１５ｍＪである場合のパワーオシレータＰＯの第２の発振条件における計測結果と、が示されている。
　図５のＳ３３ａにおいて、レーザ制御プロセッサ３０は、第１レーザ光Ｂ１のパルスエネルギーＥｍｏの変化に対する第２レーザ光Ｂ２のパルスエネルギーＥｐｏの変化の割合ΔＥｐｏが第１の所定値以下となる第１レーザ光Ｂ１のパルスエネルギーＥｍｏの最小値Ｅｍｏｔを特定する。第１の所定値は例えば１である。
　図７は、第１レーザ光Ｂ１のパルスエネルギーＥｍｏと第２レーザ光Ｂ２のパルスエネルギーＥｐｏの変化の割合ΔＥｐｏとの関係を例示するグラフである。図６に示される第２レーザ光Ｂ２のパルスエネルギーＥｐｏを第１レーザ光Ｂ１のパルスエネルギーＥｍｏの関数とみなした場合、図７に示される変化の割合ΔＥｐｏは、パルスエネルギーＥｐｏをパルスエネルギーＥｍｏで微分した結果に相当する。
　第２レーザ光Ｂ２のパルスエネルギーＥｐｏの変化の割合ΔＥｐｏは、本開示における第２レーザ光Ｂ２の特性の一例である。変化の割合ΔＥｐｏは、第１の所定値である１以下とすることが望ましい。すなわち、第１レーザ光Ｂ１のパルスエネルギーＥｍｏを１ｍＪ変化させたときの第２レーザ光Ｂ２のパルスエネルギーＥｐｏの変化が１ｍＪ以下であることが望ましい。
　図７から、第１の発振条件において変化の割合ΔＥｐｏが１となる第１レーザ光Ｂ１のパルスエネルギーＥｍｏを求めることで、第２レーザ光Ｂ２の特性が許容範囲内となるパルスエネルギーＥｍｏの最小値Ｅｍｏｔが求められる。第１の発振条件において第２レーザ光Ｂ２の特性が許容範囲内となるパルスエネルギーＥｍｏの最小値Ｅｍｏｔを、図７にＥｍｏｔ１０として示す。
　図７から、第２の発振条件において変化の割合ΔＥｐｏが１となる第１レーザ光Ｂ１のパルスエネルギーＥｍｏを求めることで、第２レーザ光Ｂ２の特性が許容範囲内となるパルスエネルギーＥｍｏの最小値Ｅｍｏｔが求められる。第２の発振条件において第２レーザ光Ｂ２の特性が許容範囲内となるパルスエネルギーＥｍｏの最小値Ｅｍｏｔを、図７にＥｍｏｔ１５として示す。
　第１の所定値は１とされる場合に限られず、０．５以上、２．０以下の範囲で設定されてもよい。
　図５のＳ３４において、レーザ制御プロセッサ３０は、最小値ＥｍｏｔをＭＯ目標パルスエネルギーに設定する。Ｓ３４の後、レーザ制御プロセッサ３０は本フローチャートの処理を終了し、図４に示される処理に戻る。
　２．４　作用
　（１）第１の実施形態において、レーザシステム１ａは、第１レーザ光Ｂ１を出力するマスターオシレータＭＯと、第１レーザ光Ｂ１を増幅して第２レーザ光Ｂ２を出力するパワーオシレータＰＯと、を含む。レーザシステム１ａの制御方法は、パワーオシレータＰＯの増幅特性が変化する条件を判定することと、条件が満たされると判定した場合に、第１レーザ光Ｂ１のパルスエネルギーＥｍｏと第２レーザ光Ｂ２のパラメータとの関係を取得することと、取得した関係に基づいてＭＯ目標パルスエネルギーを設定することと、を含む。
　これによれば、パワーオシレータＰＯの増幅特性が変化すると判定した場合に第１レーザ光Ｂ１のパルスエネルギーＥｍｏと第２レーザ光Ｂ２のパラメータとの関係を取得してＭＯ目標パルスエネルギーを設定するので、パワーオシレータＰＯの増幅特性の変化に応じて適切なＭＯ目標パルスエネルギーを設定できる。
　（２）第１の実施形態において、パワーオシレータＰＯの増幅特性が変化する条件は、ＭＯ目標パルスエネルギーを前回設定した後の発振パルス数及び経過時間のいずれかがそれぞれの設定値である第２パルス数Ｓｏ及び第２経過時間Ｔｏに達したことを含んでもよい。
　これによれば、発振パルス数又は経過時間に応じて、パワーオシレータＰＯのチャンバモジュールが劣化してパワーオシレータＰＯの増幅特性が変化し得ることを判定し、適切なＭＯ目標パルスエネルギーを設定できる。
　（３）第１の実施形態において、パワーオシレータＰＯはガスレーザ装置であり、パワーオシレータＰＯの増幅特性が変化する条件は、パワーオシレータＰＯにおけるガス圧及びガス圧の変化のいずれかがそれぞれの設定範囲外となったことを含んでもよい。
　これによれば、パワーオシレータＰＯにおけるガス圧を監視することによりパワーオシレータＰＯの増幅特性が変化し得ることを判定し、適切なＭＯ目標パルスエネルギーを設定できる。
　（４）第１の実施形態において、パワーオシレータＰＯは放電励起式のガスレーザ装置であり、パワーオシレータＰＯの増幅特性が変化する条件は、パワーオシレータＰＯにおける印加電圧及び印加電圧の変化のいずれかがそれぞれの設定範囲外となったことを含んでもよい。
　これによれば、パワーオシレータＰＯにおける印加電圧を監視することによりパワーオシレータＰＯの増幅特性が変化し得ることを判定し、適切なＭＯ目標パルスエネルギーを設定できる。
　（５）第１の実施形態において、パワーオシレータＰＯの増幅特性が変化する条件は、ＰＯ目標パルスエネルギーを変更することを含んでもよい。
　これによれば、ＰＯ目標パルスエネルギーを変更する場合にパワーオシレータＰＯの増幅特性が変化し得ることを判定し、適切なＭＯ目標パルスエネルギーを設定できる。
　（６）第１の実施形態において、レーザシステム１ａは露光装置４に接続され、第２レーザ光Ｂ２を露光装置４に出力するように構成されている。第１の実施形態においては、パワーオシレータＰＯの増幅特性が変化する条件が満たされると判定した場合に、第２レーザ光Ｂ２の露光装置４への出力を停止して第１レーザ光Ｂ１のパルスエネルギーＥｍｏと第２レーザ光Ｂ２のパラメータとを計測する。これにより、第１レーザ光Ｂ１のパルスエネルギーＥｍｏと第２レーザ光Ｂ２のパラメータとの関係を取得する。
　これによれば、露光装置４への出力を停止するので、露光に用いられるレーザ光の特性とは別に第１レーザ光Ｂ１のパルスエネルギーＥｍｏと第２レーザ光Ｂ２のパラメータとの関係を取得できる。
　（７）第１の実施形態において、ＭＯ目標パルスエネルギーは、第２レーザ光Ｂ２の特性が許容範囲内となる第１レーザ光Ｂ１のパルスエネルギーＥｍｏの最小値Ｅｍｏｔに設定される。
　これによれば、第２レーザ光Ｂ２の望ましい特性を得るための条件を満足する範囲での最小値ＥｍｏｔをＭＯ目標パルスエネルギーとすることにより、レーザチャンバ１０及び２０の寿命が短くなることを抑制し得る。
　（８）第１の実施形態において、第２レーザ光Ｂ２のパラメータは、第２レーザ光Ｂ２のパルスエネルギーＥｐｏである。
　これによれば、第１レーザ光Ｂ１のパルスエネルギーＥｍｏと第２レーザ光Ｂ２のパルスエネルギーＥｐｏとの関係に基づいて適切なＭＯ目標パルスエネルギーを設定できる。
　（９）第１の実施形態において、ＭＯ目標パルスエネルギーは、第１レーザ光Ｂ１のパルスエネルギーＥｍｏの変化に対する第２レーザ光Ｂ２のパルスエネルギーＥｐｏの変化の割合ΔＥｐｏが第１の所定値以下となる第１レーザ光Ｂ１のパルスエネルギーＥｍｏの最小値Ｅｍｏｔに設定される。
　これによれば、変化の割合ΔＥｐｏが第１の所定値以下となる範囲でＭＯ目標パルスエネルギーを設定するので、パルスエネルギーＥｐｏの意図しない変動を抑制し得る。
　その他の点については、第１の実施形態は比較例と同様である。
３．第２レーザ光Ｂ２のパルスエネルギーばらつきσｅｐｏを計測してＭＯ目標パルスエネルギーを設定するレーザシステム１ａ
　３．１　動作
　図８は、第２の実施形態におけるＭＯ目標パルスエネルギーの設定処理の詳細を説明するフローチャートである。図８に示される処理は、図４のＳ３０ａのサブルーチンに相当する。第２の実施形態の構成及びチャンバモジュールの設置から寿命到来までの運転手順は、第１の実施形態と同様である。
　Ｓ３１の処理は、第１の実施形態と同様である。
　Ｓ３２ｂにおいて、レーザ制御プロセッサ３０は、第１レーザ光Ｂ１のパルスエネルギーＥｍｏとして複数の値を設定し、個々の値に対して第２レーザ光Ｂ２のパルスエネルギーばらつきσｅｐｏを計測する。Ｓ３１において設定された発振条件は、Ｓ３２ｂの処理が終了するまで変更されずに維持される。レーザ制御プロセッサ３０は、計測の結果から第１レーザ光Ｂ１のパルスエネルギーＥｍｏと第２レーザ光Ｂ２のパルスエネルギーばらつきσｅｐｏとの関係を取得する。第２レーザ光Ｂ２のパルスエネルギーばらつきσｅｐｏは、本開示におけるパラメータの一例である。
　パルスエネルギーばらつきσｅｐｏは、例えば変動係数であって以下の式で算出される。
　　　σｅｐｏ＝Ｅｐｏｓｄ／Ｅｐｏａｖｇ
第１レーザ光Ｂ１のパルスエネルギーＥｍｏを一定値として第２レーザ光Ｂ２の複数のパルスについてパルスエネルギーＥｐｏを計測したとき、ＥｐｏｓｄはパルスエネルギーＥｐｏの標準偏差であり、ＥｐｏａｖｇはパルスエネルギーＥｐｏの相加平均である。
　図９は、第１レーザ光Ｂ１のパルスエネルギーＥｍｏと第２レーザ光Ｂ２のパルスエネルギーばらつきσｅｐｏとの関係の計測結果を例示するグラフである。パルスエネルギーばらつきσｅｐｏは百分率で表されてもよい。
　図８のＳ３３ｂにおいて、レーザ制御プロセッサ３０は、第１レーザ光Ｂ１のパルスエネルギーＥｍｏの変化に対する第２レーザ光Ｂ２のパルスエネルギーばらつきσｅｐｏの変化の割合の絶対値｜Δσｅｐｏ｜が第２の所定値以下となる第１レーザ光Ｂ１のパルスエネルギーＥｍｏの最小値Ｅｍｏｔを特定する。第２の所定値は例えば０．４である。
　図１０は、第１レーザ光Ｂ１のパルスエネルギーＥｍｏと第２レーザ光Ｂ２のパルスエネルギーばらつきσｅｐｏの変化の割合の絶対値｜Δσｅｐｏ｜との関係を例示するグラフである。図９に示される第２レーザ光Ｂ２のパルスエネルギーばらつきσｅｐｏを第１レーザ光Ｂ１のパルスエネルギーＥｍｏの関数とみなした場合、図１０に示される変化の割合の絶対値｜Δσｅｐｏ｜は、パルスエネルギーばらつきσｅｐｏをパルスエネルギーＥｍｏで微分した結果の絶対値に相当する。
　第２レーザ光Ｂ２のパルスエネルギーばらつきσｅｐｏの変化の割合の絶対値｜Δσｅｐｏ｜は、本開示における第２レーザ光Ｂ２の特性の一例である。変化の割合の絶対値｜Δσｅｐｏ｜は、第２の所定値である０．４以下とすることが望ましい。すなわち、第１レーザ光Ｂ１のパルスエネルギーＥｍｏを１ｍＪ変化させたときの第２レーザ光Ｂ２のパルスエネルギーＥｐｏの標準偏差Ｅｐｏｓｄの変化が、第２レーザ光Ｂ２のパルスエネルギーＥｐｏの相加平均Ｅｐｏａｖｇの０．４％以下であることが望ましい。
　図１０から、変化の割合の絶対値｜Δσｅｐｏ｜が０．４となる第１レーザ光Ｂ１のパルスエネルギーＥｍｏを求めることで、第２レーザ光Ｂ２の特性が許容範囲内となるパルスエネルギーＥｍｏの最小値Ｅｍｏｔが求められる。
　第２の所定値は０．４とされる場合に限られず、０．２以上、１．５以下の範囲で設定されてもよい。
　図８のＳ３４の処理は、第１の実施形態と同様である。Ｓ３４の後、レーザ制御プロセッサ３０は本フローチャートの処理を終了し、図４に示される処理に戻る。
　３．２　作用
　（１０）第２の実施形態において、第２レーザ光Ｂ２のパラメータは、第２レーザ光Ｂ２のパルスエネルギーばらつきσｅｐｏである。
　これによれば、第１レーザ光Ｂ１のパルスエネルギーＥｍｏと第２レーザ光Ｂ２のパルスエネルギーばらつきσｅｐｏとの関係に基づいて適切なＭＯ目標パルスエネルギーを設定できる。
　（１１）第２の実施形態において、ＭＯ目標パルスエネルギーは、第１レーザ光Ｂ１のパルスエネルギーＥｍｏの変化に対する第２レーザ光Ｂ２のパルスエネルギーばらつきσｅｐｏの変化の割合の絶対値｜Δσｅｐｏ｜が第２の所定値以下となる第１レーザ光Ｂ１のパルスエネルギーＥｍｏの最小値Ｅｍｏｔに設定される。
　これによれば、変化の割合の絶対値｜Δσｅｐｏ｜が第２の所定値以下となる範囲でＭＯ目標パルスエネルギーを設定するので、第２レーザ光Ｂ２の特性を許容範囲内とし得る。
　その他の点については、第２の実施形態は第１の実施形態と同様である。
４．第２レーザ光Ｂ２による干渉縞のコントラストＣを計測してＭＯ目標パルスエネルギーを設定するレーザシステム１ｃ
　４．１　構成
　図１１は、第３の実施形態に係るレーザシステム１ｃの構成を模式的に示す。第３の実施形態に係るレーザシステム１ｃは、ＰＯエネルギーモニタ１７にビームスプリッタ１７ｂ及び干渉計１７ｄが加えられている点で、第１及び第２の実施形態と異なる。
　ビームスプリッタ１７ｂは、ビームスプリッタ１７ａと光センサ１７ｃとの間の光路に配置されている。干渉計１７ｄは、ビームスプリッタ１７ｂによって反射された光の光路に配置されている。干渉計１７ｄは、図示しない拡散板、エタロン、集光レンズ、及び光センサを含むファブリ・ペロー干渉計である。干渉計１７ｄの光センサは多数の受光素子がライン状に配置されたラインセンサでもよい。干渉計１７ｄは、第２レーザ光Ｂ２による干渉縞を計測し、計測結果をレーザ制御プロセッサ３０に送信するように構成されている。
　４．２　動作
　図１２は、第３の実施形態におけるＭＯ目標パルスエネルギーの設定処理の詳細を説明するフローチャートである。図１２に示される処理は、図４のＳ３０ａのサブルーチンに相当する。第３の実施形態のチャンバモジュールの設置から寿命到来までの運転手順は、第１の実施形態と同様である。
　Ｓ３１の処理は、第１の実施形態と同様である。
　Ｓ３２ｃにおいて、レーザ制御プロセッサ３０は、第１レーザ光Ｂ１のパルスエネルギーＥｍｏとして複数の値を設定し、個々の値に対して第２レーザ光Ｂ２による干渉縞のコントラストＣを計測する。Ｓ３１において設定された発振条件は、Ｓ３２ｃの処理が終了するまで変更されずに維持される。レーザ制御プロセッサ３０は、計測の結果から第１レーザ光Ｂ１のパルスエネルギーＥｍｏと第２レーザ光Ｂ２による干渉縞のコントラストＣとの関係を取得する。
　図１３は、干渉計１７ｄによって計測される第２レーザ光Ｂ２による干渉縞の例を示す。図１３の横軸はチャンネル番号を示し、このチャンネル番号は干渉計１７ｄの光センサを構成する個々の受光素子の番号に相当する。
　干渉縞のコントラストＣは例えば以下の式で算出される。
　　　Ｃ＝（Ｉｍａｘ－Ｉｍｉｎ）／（Ｉｍａｘ＋Ｉｍｉｎ）
Ｉｍａｘは干渉縞における光強度の最大値であり、Ｉｍｉｎは干渉縞における光強度の最小値である。
　図１２のＳ３３ｃにおいて、レーザ制御プロセッサ３０は、干渉縞のコントラストＣが第３の所定値以上となる第１レーザ光Ｂ１のパルスエネルギーＥｍｏの最小値Ｅｍｏｔを特定する。第３の所定値は例えば０．９である。
　図１４は、第１レーザ光Ｂ１のパルスエネルギーＥｍｏと干渉縞のコントラストＣとの関係を例示するグラフである。
　干渉縞のコントラストＣは、本開示におけるパラメータの一例であるとともに、本開示における第２レーザ光Ｂ２の特性の一例である。干渉縞のコントラストＣは、第２レーザ光Ｂ２に含まれる自然放射増幅光の割合に関係する。自然放射増幅光の割合が高いほど、干渉縞のコントラストＣは低くなる。自然放射増幅光の割合が低く、干渉縞のコントラストＣが高い方が好ましい。干渉縞のコントラストＣは、第３の所定値である０．９以上とすることが望ましい。
　図１４から、干渉縞のコントラストＣが０．９となる第１レーザ光Ｂ１のパルスエネルギーＥｍｏを求めることで、第２レーザ光Ｂ２の特性が許容範囲内となるパルスエネルギーＥｍｏの最小値Ｅｍｏｔが求められる。
　第３の所定値は０．９とされる場合に限られず、０．７以上、０．９５以下の範囲で設定されてもよい。
　図１２のＳ３４の処理は、第１の実施形態と同様である。Ｓ３４の後、レーザ制御プロセッサ３０は本フローチャートの処理を終了し、図４に示される処理に戻る。
　４．３　他の構成例
　第１レーザ光Ｂ１のパルスエネルギーＥｍｏの複数の値について計測される第２レーザ光Ｂ２のパラメータは、干渉縞のコントラストＣに限定されない。また、第２レーザ光Ｂ２のパラメータは、第１の実施形態における第２レーザ光Ｂ２のパルスエネルギーＥｐｏや、第２の実施形態における第２レーザ光Ｂ２のパルスエネルギーばらつきσｅｐｏに限定されない。第２レーザ光Ｂ２のパラメータは、第２レーザ光Ｂ２のパルスエネルギーＥｐｏと、第２レーザ光Ｂ２のパルスエネルギーばらつきσｅｐｏと、干渉縞のコントラストＣと、のうちの２つ以上を含むようにしてもよい。
　ＭＯ目標パルスエネルギーは、第１～第３の実施形態においてそれぞれ説明した最小値Ｅｍｏｔのうちの最大値に設定されてもよい。
　４．４　作用
　（１２）第３の実施形態において、第２レーザ光Ｂ２のパラメータは、第２レーザ光Ｂ２に含まれる自然放射増幅光の割合に関するパラメータである。
　これによれば、第２レーザ光Ｂ２に含まれる自然放射増幅光の割合に関するパラメータに基づいて適切なＭＯ目標パルスエネルギーを設定できる。
　（１３）第３の実施形態において、第２レーザ光Ｂ２に含まれる自然放射増幅光の割合に関するパラメータは、第２レーザ光Ｂ２をファブリ・ペロー干渉計である干渉計１７ｄに入射させて計測される干渉縞のコントラストＣである。
　これによれば、干渉計１７ｄを用いることにより、第２レーザ光Ｂ２に含まれる自然放射増幅光の割合に関するパラメータを計測できる。
　（１４）第３の実施形態において、干渉縞のコントラストＣは、干渉縞における光強度の最大値Ｉｍａｘ及び最小値Ｉｍｉｎに基づいて、（Ｉｍａｘ－Ｉｍｉｎ）／（Ｉｍａｘ＋Ｉｍｉｎ）で算出される。
　これによれば、第２レーザ光Ｂ２に含まれる自然放射増幅光の割合を適切に計測できる。
　（１５）第３の実施形態において、ＭＯ目標パルスエネルギーは、干渉縞のコントラストＣが第３の所定値以上となる第１レーザ光Ｂ１のパルスエネルギーＥｍｏの最小値Ｅｍｏｔに設定される。
　これによれば、干渉縞のコントラストＣが第３の所定値以上となる範囲でＭＯ目標パルスエネルギーを設定するので、第２レーザ光Ｂ２の特性を許容範囲内とし得る。
　（１６）第３の実施形態において、第２レーザ光Ｂ２のパラメータは、第２レーザ光Ｂ２のパルスエネルギーＥｐｏと、第２レーザ光Ｂ２のパルスエネルギーばらつきσｅｐｏと、第２レーザ光Ｂ２をファブリ・ペロー干渉計である干渉計１７ｄに入射させて計測される干渉縞のコントラストＣと、のうちの２つ以上を含む。ＭＯ目標パルスエネルギーは、以下の第１～第３の候補値のうちの最大値に設定される。
１．パラメータが第２レーザ光Ｂ２のパルスエネルギーＥｐｏを含む場合に算出される第１の候補値であって、第１レーザ光Ｂ１のパルスエネルギーＥｍｏの変化に対する第２レーザ光Ｂ２のパルスエネルギーＥｐｏの変化の割合ΔＥｐｏが第１の所定値以下となる第１レーザ光Ｂ１のパルスエネルギーＥｍｏの最小値Ｅｍｏｔである第１の候補値
２．パラメータが第２レーザ光Ｂ２のパルスエネルギーばらつきσｅｐｏを含む場合に算出される第２の候補値であって、第１レーザ光Ｂ１のパルスエネルギーＥｍｏの変化に対する第２レーザ光Ｂ２のパルスエネルギーばらつきσｅｐｏの変化の割合の絶対値｜Δσｅｐｏ｜が第２の所定値以下となる第１レーザ光Ｂ１のパルスエネルギーＥｍｏの最小値Ｅｍｏｔである第２の候補値
３．パラメータが干渉縞のコントラストＣを含む場合に算出される第３の候補値であって、干渉縞のコントラストＣが第３の所定値以上となる第１レーザ光Ｂ１のパルスエネルギーＥｍｏの最小値Ｅｍｏｔである第３の候補値
　これによれば、レーザチャンバ１０の寿命を延ばす観点から最小値Ｅｍｏｔとして複数の候補値を算出し、複数の候補値のうちの最大値を選ぶことで、第２レーザ光Ｂ２の特性が許容範囲内であるという条件を複数の観点で満たすことができる。
　その他の点については、第３の実施形態は第１の実施形態と同様である。
５．ＭＯエネルギーモニタ１６がマスターオシレータＭＯの出力光以外の光も受光するレーザシステム１ｄ
　５．１　構成及び動作
　図１５～図１７は、第４の実施形態に係るレーザシステム１ｄにおけるマスターオシレータＭＯとパワーオシレータＰＯとの間の光路を模式的に示す。図１５～図１７において、充電器１２及び２２、パルスパワーモジュール１３及び２３、ＰＯエネルギーモニタ１７等の図示は省略されている。
　図１５に示されるように、ＭＯエネルギーモニタ１６の光センサ１６ｃが受光する光は、マスターオシレータＭＯから出力されてＭＯエネルギーモニタ１６に入射する光Ｌ１を含む。ＭＯエネルギーモニタ１６は、光Ｌ１を含む光のパルスエネルギーを計測する。
　ＭＯエネルギーモニタ１６は、さらに以下の光Ｌ２及びＬ３のいずれか又は両方を含む光のパルスエネルギーを計測する。
　図１６に示されるように、ＭＯエネルギーモニタ１６の光センサ１６ｃが受光する光は、マスターオシレータＭＯから出力されて、リアミラー２４によって反射され、さらに出力結合ミラー１５によって反射されてＭＯエネルギーモニタ１６に入射する光Ｌ２を含む。光Ｌ２のパルスエネルギーは、光Ｌ１のパルスエネルギーにほぼ比例する。ＭＯエネルギーモニタ１６は、光Ｌ２を含む光のパルスエネルギーを計測してもよい。
　図１７に示されるように、ＭＯエネルギーモニタ１６の光センサ１６ｃが受光する光は、パワーオシレータＰＯからリアミラー２４を介して出力され、出力結合ミラー１５によって反射されてＭＯエネルギーモニタ１６に入射する光Ｌ３を含む。光Ｌ３のパルスエネルギーは、第２レーザ光Ｂ２のパルスエネルギーＥｐｏにほぼ比例する。ＭＯエネルギーモニタ１６は、光Ｌ３を含む光のパルスエネルギーを計測してもよい。
　マスターオシレータＭＯから出力された光Ｌ１のパルスエネルギーを正確に計算するため、ＭＯエネルギーモニタ１６によって計測されるパルスエネルギーから光Ｌ２及びＬ３のパルスエネルギーを除外する補正演算を行うことが考えられる。補正演算を行うために、例えば、ＭＯエネルギーモニタ１６とパワーオシレータＰＯとの間に図示しないシャッターを設けて特性データを別途計測し、この計測結果から補正係数を算出することも考えられる。
　しかし、本開示においては、光Ｌ２及びＬ３のいずれか又は両方を含む光のパルスエネルギーの計測結果に基づいてＭＯ目標パルスエネルギーを設定する処理（Ｓ３０ａ）と、光Ｌ２及びＬ３のいずれか又は両方を含む光のパルスエネルギーがＭＯ目標パルスエネルギーに近づくように制御する処理（Ｓ４０）と、が行われる。これによれば、ＭＯ目標パルスエネルギーを設定する処理（Ｓ３０ａ）と、パルスエネルギーを制御する処理（Ｓ４０）と、の両方で光Ｌ２及びＬ３のいずれか又は両方が加味されているので、本開示の制御において大きな支障はない。
　第４の実施形態によれば、光Ｌ２及びＬ３のパルスエネルギーを除外するための補正演算を行わなくても、第１レーザ光Ｂ１のパルスエネルギーＥｍｏを制御して第２レーザ光Ｂ２の望ましい特性を得ることができる。
　第４の実施形態のチャンバモジュールの設置から寿命到来までの運転手順、及びＭＯ目標パルスエネルギーの設定処理は、第１～第３の実施形態のいずれかと同様でよい。
　但し、Ｓ６０ａ（図４参照）において、パワーオシレータＰＯの増幅特性が変化する条件として次の（８）～（１１）の少なくとも１つが加えられてもよい。
　（８）レーザチャンバ１０の内部のガス圧が所定のガス圧範囲外となった。
　（９）Ｓ３０ａにおけるＭＯ目標パルスエネルギーの設定後のレーザチャンバ１０の内部のガス圧の変化が所定のガス圧変化量ΔＰを超えた。
　（１０）放電電極１１ａ及び１１ｂの間に印加される高電圧が所定の電圧範囲外となった。
　（１１）Ｓ３０ａにおけるＭＯ目標パルスエネルギーの設定後の放電電極１１ａ及び１１ｂの間に印加される高電圧の変化が所定の電圧変化量ΔＶを超えた。
　所定のガス圧範囲、ガス圧変化量ΔＰ、所定の電圧範囲、及び電圧変化量ΔＶについては、第１の実施形態において説明したのと同様でよい。
　（８）～（１１）に示されるレーザチャンバ１０の内部のガス圧、又は放電電極１１ａ及び１１ｂの間に印加される高電圧の条件に基づいてパワーオシレータＰＯの増幅特性の変化を判定できる理由は、次の通りである。
　パワーオシレータＰＯの増幅特性が変化すると、光Ｌ３のパルスエネルギーが変化する。例えば、光Ｌ３のパルスエネルギーが高くなる場合がある。この場合、レーザ制御プロセッサ３０はＭＯエネルギーモニタ１６で計測されるパルスエネルギーＥｍｏをＭＯ目標パルスエネルギーに維持しようとして、光Ｌ１のパルスエネルギーを低くし得る。すなわち、放電電極１１ａ及び１１ｂの間に印加される高電圧を低くしたり、レーザチャンバ１０の内部のガス圧を低くしたりし得る。このように、パワーオシレータＰＯの増幅特性の変化に起因して、レーザチャンバ１０の内部のガス圧、又は放電電極１１ａ及び１１ｂの間に印加される高電圧が変化し得るので、（８）～（１１）の条件による判定が可能である。
　放電電極１１ａ及び１１ｂの間に印加される高電圧が低くなったり、レーザチャンバ１０の内部のガス圧が低くなったりした場合には、光Ｌ３のパルスエネルギーが高くなっている可能性が高い。その理由は、マスターオシレータＭＯのチャンバユニットの劣化に伴って、放電電極１１ａ及び１１ｂの間に印加される高電圧が高くなったり、レーザチャンバ１０の内部のガス圧が高くなったりするのが通常であり、その逆の事象は通常と異なる状況を示すためである。従って、図４を参照しながら説明した（１）～（７）の条件だけを用いるよりも、（８）～（１１）の条件を加えた方が精度の高い判定を行い得る。
　５．２　作用
　（１７）第４の実施形態において、レーザシステム１ｄは、マスターオシレータＭＯとパワーオシレータＰＯとの間の第１レーザ光Ｂ１の光路に配置されたＭＯエネルギーモニタ１６を含む。ＭＯエネルギーモニタ１６は、マスターオシレータＭＯから出力されてＭＯエネルギーモニタ１６に入射する光Ｌ１を含む光のパルスエネルギーを計測するとともに、以下の光Ｌ２及びＬ３のいずれかをさらに含む光のパルスエネルギーを計測する。
１．マスターオシレータＭＯから出力されてパワーオシレータＰＯに含まれるリアミラー２４によって反射され、さらにマスターオシレータＭＯに含まれる出力結合ミラー１５によって反射されてＭＯエネルギーモニタ１６に入射する光Ｌ２
２．パワーオシレータＰＯからリアミラー２４を介して出力され、出力結合ミラー１５によって反射されてＭＯエネルギーモニタ１６に入射する光Ｌ３
　これによれば、光Ｌ２及びＬ３のパルスエネルギーを除外するための補正演算を行わなくても、第１レーザ光Ｂ１のパルスエネルギーＥｍｏを望ましい値に制御できる。
　（１８）第４の実施形態において、マスターオシレータＭＯは放電励起式のガスレーザ装置であり、パワーオシレータＰＯの増幅特性が変化する条件は、マスターオシレータＭＯにおけるガス圧、ガス圧の変化、マスターオシレータＭＯにおける印加電圧、及び印加電圧の変化のいずれかがそれぞれの設定範囲外となったことを含んでもよい。
　これによれば、マスターオシレータＭＯにおけるガス圧又は印加電圧を監視することによりパワーオシレータＰＯの増幅特性が変化し得ることを判定し、適切なＭＯ目標パルスエネルギーを設定できる。
　その他の点については、第４の実施形態は第１～第３の実施形態と同様である。
６．リング共振器を含むレーザシステム１ｅ
　６．１　構成
　図１８は、第５の実施形態に係るレーザシステム１ｅの構成を模式的に示す。図１９は、図１８に示されるパワーオシレータＰＯを図１８と異なる方向から見た様子を示す。図１８及び図１９において、パワーオシレータＰＯから出力される第２レーザ光Ｂ２の出力方向をＺ方向とし、放電電極２１ａ及び２１ｂの間の放電方向をＶ方向とする。Ｚ方向とＶ方向とは垂直であり、これらの両方に垂直な方向をＨ方向とする。
　第１～第４の実施形態においてはファブリ・ペロー型の光共振器を用いてパワーオシレータＰＯが構成されているのに対し、第５の実施形態においては、リング共振器を用いてパワーオシレータＰＯが構成されている。
　第５の実施形態に係るレーザシステム１ｅは、第１の実施形態に係るレーザシステム１ａにおけるリアミラー２４及び出力結合ミラー２５の代わりに、高反射ミラー２６ａ～２６ｃ、出力結合ミラー２７、及び高反射ミラー３３を含む。図１８及び図１９において、充電器１２及び２２、パルスパワーモジュール１３及び２３等の図示は省略されている。
　出力結合ミラー２７は、第１レーザ光Ｂ１を透過させる材料で構成され、その１つの面には部分反射膜がコーティングされている。出力結合ミラー２７及び高反射ミラー２６ａは、レーザチャンバ２０の外側であってウインドウ２０ａの付近に配置されている。高反射ミラー２６ｂ及び２６ｃは、レーザチャンバ２０の外側であってウインドウ２０ｂの付近に配置されている。放電電極２１ａ及び２１ｂの間の放電空間において、高反射ミラー２６ａから高反射ミラー２６ｂまでの光路と、高反射ミラー２６ｃから出力結合ミラー２７までの光路と、が交差する。
　ＰＯエネルギーモニタ１７は、パワーオシレータＰＯから出力された第２レーザ光Ｂ２の光路に配置されている。
　６．２　動作
　マスターオシレータＭＯから出力された第１レーザ光Ｂ１は、高反射ミラー３１、３２、及び３３によってこの順で反射され、パワーオシレータＰＯの共振器の外側から出力結合ミラー２７にほぼ－Ｈ方向に入射する。出力結合ミラー２７を介して共振器に入射した第１レーザ光Ｂ１は、高反射ミラー２６ａ、２６ｂ、及び２６ｃによってこの順で反射され、放電空間を通過する際に増幅されて、共振器の内側から出力結合ミラー２７にＺ方向に入射する。
　出力結合ミラー２７にＺ方向に入射した光の一部はほぼ－Ｈ方向に反射されて再び高反射ミラー２６ａ、２６ｂ、及び２６ｃによって反射されて増幅される。出力結合ミラー２７にＺ方向に入射した光の他の一部は透過して第２レーザ光Ｂ２として出力される。
　第５の実施形態において、ＭＯ目標パルスエネルギーの設定処理は第１～第３の実施形態のいずれかと同様でよい。
　６．３　作用
　第５の実施形態は、第１～第３の実施形態と同様の作用を有する。
　その他の点については、第５の実施形態は第１～第３の実施形態と同様である。
７．その他
　図２０は、レーザシステム１ａに接続された露光装置４の構成を概略的に示す。レーザシステム１ａはパルスレーザ光を生成して露光装置４に出力する。
　図２０において、露光装置４は、照明光学系４１と投影光学系４２とを含む。照明光学系４１は、レーザシステム１ａから入射したパルスレーザ光によって、レチクルステージＲＴ上に配置された図示しないレチクルのレチクルパターンを照明する。投影光学系４２は、レチクルを透過したパルスレーザ光を、縮小投影してワークピーステーブルＷＴ上に配置された図示しないワークピースに結像させる。ワークピースはフォトレジストが塗布された半導体ウエハ等の感光基板である。露光装置４は、レチクルステージＲＴとワークピーステーブルＷＴとを同期して平行移動させることにより、レチクルパターンを反映したパルスレーザ光をワークピースに露光する。以上のような露光工程によって半導体ウエハにレチクルパターンを転写後、複数の工程を経ることで電子デバイスを製造することができる。
　レーザシステム１ａの代わりに、レーザシステム１ｃ、１ｄ、及び１ｅのいずれかが用いられてもよい。
　上述の説明は、制限ではなく単なる例示を意図している。従って、特許請求の範囲を逸脱することなく本開示の実施形態に変更を加えることができることは、当業者には明らかである。また、本開示の実施形態を組み合わせて使用することも当業者には明らかである。
　本明細書及び特許請求の範囲全体で使用される用語は、明記が無い限り「限定的でない」用語と解釈されるべきである。たとえば、「含む」、「有する」、「備える」、「具備する」などの用語は、「記載されたもの以外の構成要素の存在を除外しない」と解釈されるべきである。また、修飾語「１つの」は、「少なくとも１つ」又は「１又はそれ以上」を意味すると解釈されるべきである。また、「Ａ、Ｂ及びＣの少なくとも１つ」という用語は、「Ａ」「Ｂ」「Ｃ」「Ａ＋Ｂ」「Ａ＋Ｃ」「Ｂ＋Ｃ」又は「Ａ＋Ｂ＋Ｃ」と解釈されるべきである。さらに、それらと「Ａ」「Ｂ」「Ｃ」以外のものとの組み合わせも含むと解釈されるべきである。

Claims (20)

  1. 　第１レーザ光を出力する発振段レーザと、
    　前記第１レーザ光を増幅して第２レーザ光を出力する増幅段レーザと、
    を含むレーザシステムの制御方法であって、
    　前記増幅段レーザの増幅特性が変化する条件を判定することと、
    　前記条件が満たされると判定した場合に、前記第１レーザ光のパルスエネルギーと前記第２レーザ光のパラメータとの関係を取得することと、
    　前記関係に基づいて前記第１レーザ光の目標パルスエネルギーを設定することと、
    を含む、制御方法。
  2. 　請求項１に記載の制御方法であって、
    　前記条件は、前記第１レーザ光の目標パルスエネルギーを前回設定した後の発振パルス数及び経過時間のいずれかがそれぞれの設定値に達したことを含む、
    制御方法。
  3. 　請求項１に記載の制御方法であって、
    　前記増幅段レーザはガスレーザ装置であり、
    　前記条件は、前記増幅段レーザにおけるガス圧及び前記ガス圧の変化のいずれかがそれぞれの設定範囲外となったことを含む、
    制御方法。
  4. 　請求項１に記載の制御方法であって、
    　前記増幅段レーザは放電励起式のガスレーザ装置であり、
    　前記条件は、前記増幅段レーザにおける印加電圧及び前記印加電圧の変化のいずれかがそれぞれの設定範囲外となったことを含む、
    制御方法。
  5. 　請求項１に記載の制御方法であって、
    　前記条件は、前記第２レーザ光の目標パルスエネルギーを変更することを含む、
    制御方法。
  6. 　請求項１に記載の制御方法であって、
    　前記レーザシステムは露光装置に接続され、前記第２レーザ光を前記露光装置に出力するように構成されており、
    　前記条件が満たされると判定した場合に、前記第２レーザ光の前記露光装置への出力を停止して前記第１レーザ光のパルスエネルギーと前記第２レーザ光のパラメータとを計測することにより、前記関係を取得する、
    制御方法。
  7. 　請求項１に記載の制御方法であって、
    　前記第１レーザ光の目標パルスエネルギーは、前記第２レーザ光の特性が許容範囲内となる前記第１レーザ光のパルスエネルギーの最小値に設定される、
    制御方法。
  8. 　請求項１に記載の制御方法であって、
    　前記パラメータは、前記第２レーザ光のパルスエネルギーである、
    制御方法。
  9. 　請求項８に記載の制御方法であって、
    　前記第１レーザ光の目標パルスエネルギーは、前記第１レーザ光のパルスエネルギーの変化に対する前記第２レーザ光のパルスエネルギーの変化の割合が第１の所定値以下となる前記第１レーザ光のパルスエネルギーの最小値に設定される、
    制御方法。
  10. 　請求項１に記載の制御方法であって、
    　前記パラメータは、前記第２レーザ光のパルスエネルギーばらつきである、
    制御方法。
  11. 　請求項１０に記載の制御方法であって、
    　前記第１レーザ光の目標パルスエネルギーは、前記第１レーザ光のパルスエネルギーの変化に対する前記第２レーザ光のパルスエネルギーばらつきの変化の割合の絶対値が第２の所定値以下となる前記第１レーザ光のパルスエネルギーの最小値に設定される、
    制御方法。
  12. 　請求項１に記載の制御方法であって、
    　前記パラメータは、前記第２レーザ光に含まれる自然放射増幅光の割合に関するパラメータである、
    制御方法。
  13. 　請求項１２に記載の制御方法であって、
    　前記割合に関するパラメータは、前記第２レーザ光をファブリ・ペロー干渉計に入射させて計測される干渉縞のコントラストである、
    制御方法。
  14. 　請求項１３に記載の制御方法であって、
    　前記コントラストは、前記干渉縞における光強度の最大値Ｉｍａｘ及び最小値Ｉｍｉｎに基づいて、（Ｉｍａｘ－Ｉｍｉｎ）／（Ｉｍａｘ＋Ｉｍｉｎ）で算出される、
    制御方法。
  15. 　請求項１３に記載の制御方法であって、
    　前記第１レーザ光の目標パルスエネルギーは、前記コントラストが第３の所定値以上となる前記第１レーザ光のパルスエネルギーの最小値に設定される、
    制御方法。
  16. 　請求項１に記載の制御方法であって、
    　前記パラメータは、
    　　前記第２レーザ光のパルスエネルギーと、
    　　前記第２レーザ光のパルスエネルギーばらつきと、
    　　前記第２レーザ光をファブリ・ペロー干渉計に入射させて計測される干渉縞のコントラストと、
    のうちの２つ以上を含み、
    　前記第１レーザ光の目標パルスエネルギーは、
    　　前記パラメータが前記第２レーザ光のパルスエネルギーを含む場合に算出される第１の候補値であって、前記第１レーザ光のパルスエネルギーの変化に対する前記第２レーザ光のパルスエネルギーの変化の割合が第１の所定値以下となる前記第１レーザ光のパルスエネルギーの最小値である前記第１の候補値と、
    　　前記パラメータが前記第２レーザ光のパルスエネルギーばらつきを含む場合に算出される第２の候補値であって、前記第１レーザ光のパルスエネルギーの変化に対する前記第２レーザ光のパルスエネルギーばらつきの変化の割合の絶対値が第２の所定値以下となる前記第１レーザ光のパルスエネルギーの最小値である前記第２の候補値と、
    　　前記パラメータが前記コントラストを含む場合に算出される第３の候補値であって、前記コントラストが第３の所定値以上となる前記第１レーザ光のパルスエネルギーの最小値である前記第３の候補値と、
    のうちの最大値に設定される、
    制御方法。
  17. 　請求項１に記載の制御方法であって、
    　前記レーザシステムは、前記発振段レーザと前記増幅段レーザとの間の前記第１レーザ光の光路に配置されたエネルギーモニタをさらに含み、
    　前記エネルギーモニタにより、
    　　前記発振段レーザから出力されて前記エネルギーモニタに入射する光を含み、
    　　前記発振段レーザから出力されて前記増幅段レーザに含まれる第１の部分反射ミラーによって反射され、さらに前記発振段レーザに含まれる第２の部分反射ミラーによって反射されて前記エネルギーモニタに入射する光と、
    　　前記増幅段レーザから前記第１の部分反射ミラーを介して出力され、前記第２の部分反射ミラーによって反射されて前記エネルギーモニタに入射する光と、
    のいずれかをさらに含む
    光のパルスエネルギーを計測する、
    制御方法。
  18. 　請求項１に記載の制御方法であって、
    　前記発振段レーザは放電励起式のガスレーザ装置であり、
    　前記条件は、
    　　前記発振段レーザにおけるガス圧、
    　　前記ガス圧の変化、
    　　前記発振段レーザにおける印加電圧、及び
    　　前記印加電圧の変化
    のいずれかがそれぞれの設定範囲外となったことを含む、
    制御方法。
  19. 　第１レーザ光を出力する発振段レーザと、
    　前記第１レーザ光を増幅して第２レーザ光を出力する増幅段レーザと、
    　プロセッサであって、
    　　前記増幅段レーザの増幅特性が変化する条件を判定し、
    　　前記条件が満たされると判定した場合に、前記第１レーザ光のパルスエネルギーと前記第２レーザ光のパラメータとの関係を取得し、
    　　前記関係に基づいて前記第１レーザ光の目標パルスエネルギーを設定する、
    前記プロセッサと、
    を備える、レーザシステム。
  20. 　電子デバイスの製造方法であって、
    　第１レーザ光を出力する発振段レーザと、
    　前記第１レーザ光を増幅して第２レーザ光を出力する増幅段レーザと、
    　プロセッサであって、
    　　前記増幅段レーザの増幅特性が変化する条件を判定し、
    　　前記条件が満たされると判定した場合に、前記第１レーザ光のパルスエネルギーと前記第２レーザ光のパラメータとの関係を取得し、
    　　前記関係に基づいて前記第１レーザ光の目標パルスエネルギーを設定する、
    前記プロセッサと、
    を備えたレーザシステムによってレーザ光を生成し、
    　前記レーザ光を露光装置に出力し、
    　電子デバイスを製造するために、前記露光装置内で感光基板上に前記レーザ光を露光する
    ことを含む電子デバイスの製造方法。
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