CN116670948A - 激光系统的控制方法、激光系统和电子器件的制造方法 - Google Patents

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Abstract

激光系统统包含：振荡级激光器，其输出第1激光；以及放大级激光器，其对第1激光进行放大，输出第2激光。激光系统的控制方法包含以下步骤：判定放大级激光器的放大特性变化的条件；在判定为满足条件的情况下，取得第1激光的脉冲能量与第2激光的参数之间的关系；以及根据取得的关系设定第1激光的目标脉冲能量。

Description

激光系统的控制方法、激光系统和电子器件的制造方法
技术领域
本公开涉及激光系统的控制方法、激光系统和电子器件的制造方法。
背景技术
近年来，在半导体曝光装置中，随着半导体集成电路的微细化和高集成化，要求分辨率的提高。因此，从曝光用光源发射的光的短波长化得以发展。例如，作为曝光用的气体激光装置，使用输出波长大约为248nm的激光的KrF准分子激光装置、以及输出波长大约为193nm的激光的ArF准分子激光装置。
KrF准分子激光装置和ArF准分子激光装置的自然振荡光的谱线宽度较宽，大约为350～400pm。因此，在利用使KrF和ArF激光这种紫外线透过的材料构成投影透镜时，有时产生色差。其结果，分辨率会降低。因此，需要将从气体激光装置输出的激光的谱线宽度窄带化到能够无视色差的程度。因此，在气体激光装置的激光谐振器内，为了使谱线宽度窄带化，有时具有包含窄带化元件(标准具、光栅等)的窄带化模块(Line Narrowing Module：LNM)。下面，将谱线宽度被窄带化的气体激光装置称为窄带化气体激光装置。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：美国专利申请公开第2006/239309号说明书
专利文献2：日本特开2006-080279号公报
专利文献3：美国专利申请公开第2018/123312号说明书
专利文献4：美国专利申请公开第2019/280451号说明书
发明内容
在本公开的1个观点的激光系统的控制方法中，激光系统统包含：振荡级激光器，其输出第1激光；以及放大级激光器，其对第1激光进行放大，输出第2激光。激光系统的控制方法包含以下步骤：判定放大级激光器的放大特性变化的条件；在判定为满足条件的情况下，取得第1激光的脉冲能量与第2激光的参数之间的关系；以及根据取得的关系设定第1激光的目标脉冲能量。
本公开的1个观点的激光系统具有：振荡级激光器，其输出第1激光；放大级激光器，其对第1激光进行放大，输出第2激光；以及处理器，其判定放大级激光器的放大特性变化的条件，在判定为满足条件的情况下，取得第1激光的脉冲能量与第2激光的参数之间的关系，根据取得的关系设定第1激光的目标脉冲能量。
本公开的1个观点的电子器件的制造方法包含以下步骤：通过激光系统生成激光，将激光输出到曝光装置，在曝光装置内在感光基板上曝光激光，以制造电子器件，该激光系统具有：振荡级激光器，其输出第1激光；放大级激光器，其对第1激光进行放大，输出第2激光；以及处理器，其判定放大级激光器的放大特性变化的条件，在判定为满足条件的情况下，取得第1激光的脉冲能量与第2激光的参数之间的关系，根据取得的关系设定第1激光的目标脉冲能量。
附图说明
下面，参照附图将本公开的若干个实施方式作为简单例子进行说明。
图1示意地示出比较例的激光系统的结构。
图2是示出比较例中的从腔模块的设置到寿命期限到来为止的运转步骤的流程图。
图3示意地示出第1实施方式的激光系统的结构。
图4是示出第1实施方式中的从腔模块的设置到寿命期限到来为止的运转步骤的流程图。
图5是说明第1实施方式中的MO目标脉冲能量的设定处理的详细情况的流程图。
图6是例示第1激光的脉冲能量与第2激光的脉冲能量之间的关系的计测结果的曲线图。
图7是例示第1激光的脉冲能量与第2激光的脉冲能量的变化的比例之间的关系的曲线图。
图8是说明第2实施方式中的MO目标脉冲能量的设定处理的详细情况的流程图。
图9是例示第1激光的脉冲能量与第2激光的脉冲能量偏差之间的关系的计测结果的曲线图。
图10是例示第1激光的脉冲能量与第2激光的脉冲能量偏差的变化的比例的绝对值之间的关系的曲线图。
图11示意地示出第3实施方式的激光系统的结构。
图12是说明第3实施方式中的MO目标脉冲能量的设定处理的详细情况的流程图。
图13示出由干涉仪计测出的第2激光的干涉条纹的例子。
图14是例示第1激光的脉冲能量与干涉条纹的对比度之间的关系的曲线图。
图15示意地示出第4实施方式的激光系统中的主振荡器与功率振荡器之间的光路。
图16示意地示出第4实施方式的激光系统中的主振荡器与功率振荡器之间的光路。
图17示意地示出第4实施方式的激光系统中的主振荡器与功率振荡器之间的光路。
图18示意地示出第5实施方式的激光系统的结构。
图19示出从与图18不同的方向观察图18所示的功率振荡器的状况。
图20概略地示出与激光系统连接的曝光装置的结构。
具体实施方式
<内容>
1.比较例
1.1结构
1.1.1主振荡器MO
1.1.2MO能量监视器16、高反射镜31和32
1.1.3功率振荡器PO
1.1.4PO能量监视器17和光闸18
1.1.5激光控制处理器30
1.2动作
1.2.1激光控制处理器30
1.2.2主振荡器MO
1.2.3MO能量监视器16、高反射镜31和32
1.2.4功率振荡器PO
1.2.5PO能量监视器17和光闸18
1.2.6电压控制
1.2.7气压控制
1.2.8MO目标脉冲能量的设定
1.3比较例的课题
2.计测第2激光B2的脉冲能量Epo来设定MO目标脉冲能量的激光系统1a
2.1 结构
2.2 动作
2.3MO目标脉冲能量的设定处理
2.4作用
3.计测第2激光B2的脉冲能量偏差σepo来设定MO目标脉冲能量的激光系统3.1 动作
3.2 作用
4.计测第2激光B2的干涉条纹的对比度C来设定MO目标脉冲能量的激光系统4.1结构
4.2 动作
4.3 其他结构例
4.4 作用
5.MO能量监视器16还接收主振荡器MO的输出光以外的光的激光系统1d
5.1 结构和动作
5.2 作用
6.包含环形谐振器的激光系统1e
6.1 结构
6.2 动作
6.3 作用
7.其他
下面，参照附图对本公开的实施方式进行详细说明。以下说明的实施方式示出本公开的几个例子，不限定本公开的内容。此外，各实施方式中说明的结构和动作并不一定全都是本公开的结构和动作所必须的。另外，对相同结构要素标注相同参照标号并省略重复说明。
1.比较例
1.1结构
图1示意地示出比较例的激光系统1的结构。激光系统1包含主振荡器MO、功率振荡器PO、MO能量监视器16、PO能量监视器17、光闸18、激光控制处理器30、以及高反射镜31和32。激光系统1与曝光装置4连接。
1.1.1主振荡器MO
主振荡器MO包含激光腔10、一对放电电极11a和11b、充电器12、脉冲功率模块(PPM)13、窄带化模块14、输出耦合镜15和压力传感器P1。窄带化模块14和输出耦合镜15构成光谐振器。激光腔10被配置于光谐振器的光路上。主振荡器MO为放电激励式的气体激光装置，相当于本公开中的振荡级激光器。
在激光腔10中被封入有激光气体，该激光气体例如包含作为稀有气体的氩气或氪气、作为卤素气体的氟气、作为缓冲气体的氖气等。在激光腔10的两端设置有窗口10a和10b。
充电器12保持用于向脉冲功率模块13供给的电能。脉冲功率模块13包含未图示的充电电容器和开关13a。充电器12与脉冲功率模块13的充电电容器连接。脉冲功率模块13的充电电容器与放电电极11a连接。放电电极11b与接地电位连接。
窄带化模块14包含棱镜14a和光栅14b。也可以代替窄带化模块14而使用高反射镜。
输出耦合镜15由使窄带化模块14的选择波长的光透过的材料构成，在其1个面涂敷有部分反射膜。输出耦合镜15相当于本公开中的第2部分反射镜。
压力传感器P1被安装于激光腔10。
1.1.2MO能量监视器16、高反射镜31和32
MO能量监视器16以及高反射镜31和32被配置于从主振荡器MO输出的脉冲激光即第1激光B1的光路上。MO能量监视器16相当于本公开中的能量监视器。
MO能量监视器16包含位于第1激光B1的光路上的分束器16a、以及位于被分束器16a反射后的光的光路上的光传感器16c。也可以在分束器16a与光传感器16c之间配置未图示的聚光光学系统。光传感器16c构成为输出与输入到MO能量监视器16的第1激光B1的脉冲能量Emo对应的电信号。
MO能量监视器16不限于被配置于高反射镜31和32之间的情况。MO能量监视器16也可以被配置于主振荡器MO与高反射镜31之间，也可以被配置于高反射镜32与功率振荡器PO之间。
高反射镜31和32分别构成为能够通过未图示的致动器对位置和姿态进行变更。高反射镜31和32构成用于对第1激光B1向功率振荡器PO入射的入射位置和入射方向进行调整的射束转向单元。
1.1.3功率振荡器PO
功率振荡器PO被配置于通过MO能量监视器16和上述射束转向单元后的第1激光B1的光路上。
功率振荡器PO包含激光腔20、一对放电电极21a和21b、充电器22、脉冲功率模块23、后镜24、输出耦合镜25和压力传感器P2。在激光腔20设置有窗口20a和20b。功率振荡器PO为放电激励式的气体激光装置，相当于本公开中的放大级激光器。
后镜24由使第1激光B1透过的材料构成，在其1个面涂敷有部分反射膜。后镜24相当于本公开中的第1部分反射镜。后镜24的反射率被设定为比输出耦合镜25的反射率高。后镜24和输出耦合镜25构成法布里-珀罗型的光谐振器。在脉冲功率模块23中包含有开关23a。
关于其他方面，功率振荡器PO的上述的结构要素与主振荡器MO的对应的结构要素相同。
1.1.4PO能量监视器17和光闸18
PO能量监视器17被配置于从功率振荡器PO输出的脉冲激光即第2激光B2的光路上。PO能量监视器17包含分束器17a和光传感器17c。这些结构要素与MO能量监视器16的对应的结构要素相同。
光闸18被配置于通过PO能量监视器17后的第2激光B2的光路上。光闸18构成为，在使第2激光B2朝向曝光装置4通过的第1状态和遮断第2激光B2而停止向曝光装置4输出的第2状态之间切换。
1.1.5激光控制处理器30
激光控制处理器30是包含存储有控制程序的存储器302和执行控制程序的CPU301的处理装置。激光控制处理器30被特别地构成或编程以执行本公开中包含的各种处理。激光控制处理器30相当于本公开中的处理器。
1.2动作
1.2.1激光控制处理器30
激光控制处理器30设定第1激光B1的目标脉冲能量。下面，将第1激光B1的目标脉冲能量设为MO目标脉冲能量。
激光控制处理器30还从曝光装置4接收第2激光B2的目标脉冲能量的设定数据。下面，将从曝光装置4接收到的目标脉冲能量设为PO目标脉冲能量。
激光控制处理器30根据MO和PO目标脉冲能量向充电器12和22分别发送充电电压的设定数据。此外，激光控制处理器30向脉冲功率模块13和23发送触发信号。
1.2.2主振荡器MO
脉冲功率模块13在从激光控制处理器30接收到触发信号时，根据被充电器12充电的电能生成脉冲状的高电压，将该高电压施加在放电电极11a和11b之间。
在放电电极11a和11b之间被施加高电压时，在放电电极11a和11b之间产生放电。通过该放电的能量，激光腔10内的激光介质被激励而向高能级跃迁。然后，在被激励的激光介质向低能级跃迁时，发射与该能级差对应的波长的光。
在激光腔10内产生的光经由窗口10a和10b向激光腔10外部出射。从激光腔10的窗口10a出射的光通过棱镜14a而射束宽度被扩大，入射到光栅14b。
从棱镜14a入射到光栅14b的光被光栅14b的多个槽反射，并且向与光的波长对应的方向衍射。
棱镜14a使来自光栅14b的衍射光的射束宽度缩小，并且使该光经由窗口10a返回到激光腔10。
输出耦合镜15使从激光腔10的窗口10b出射的光中的一部分透过并输出，使另一部分反射而返回到激光腔10内。
这样，从激光腔10出射的光在窄带化模块14与输出耦合镜15之间往复，每当通过放电电极11a和11b之间的放电空间时被放大。该光每当在窄带化模块14折返时被窄带化。这样进行激光振荡而被窄带化的光作为第1激光B1从输出耦合镜15输出。
1.2.3MO能量监视器16、高反射镜31和32
MO能量监视器16检测第1激光B1的脉冲能量Emo，将检测结果输出到激光控制处理器30。
高反射镜31和32将第1激光B1引导至功率振荡器PO的后镜24。
1.2.4功率振荡器PO
脉冲功率模块23在从激光控制处理器30接收到触发信号时，根据被充电器22充电的电能生成脉冲状的高电压，将该高电压施加在放电电极21a和21b之间。以在放电电极21a和21b之间产生放电的时机与第1激光B1经由后镜24和窗口20a入射到激光腔20内的时机同步的方式，设定针对脉冲功率模块23的触发信号相对于针对脉冲功率模块13的触发信号的延迟时间。
第1激光B1在后镜24与输出耦合镜25之间往复，每当通过放电电极21a和21b之间的放电空间时被放大。被放大后的光作为第2激光B2从输出耦合镜25输出。
1.2.5PO能量监视器17和光闸18
PO能量监视器17检测第2激光B2的脉冲能量Epo，将检测结果输出到激光控制处理器30。
光闸18在将第2激光B2输出到曝光装置4的情况下被控制成使第2激光B2通过的第1状态。光闸18在激光系统1的初始调整等中停止向曝光装置4输出的情况下被控制成遮断第2激光B2的第2状态。
1.2.6电压控制
激光控制处理器30根据MO目标脉冲能量和从MO能量监视器16接收到的第1激光B1的脉冲能量Emo，对充电器12的充电电压进行反馈控制。
激光控制处理器30根据PO目标脉冲能量和从PO能量监视器17接收到的第2激光B2的脉冲能量Epo，对充电器22的充电电压进行反馈控制。
在反复进行基于主振荡器MO和功率振荡器PO的激光振荡时，放电电极11a、11b、21a、22b和其他光学元件有时劣化。于是，为了将第1激光B1的脉冲能量Emo和第2激光B2的脉冲能量Epo控制在各自的目标值附近所需要的充电电压逐渐变高。
1.2.7气压控制
在主振荡器MO中，在充电器12的充电电压超过阈值的情况下，激光控制处理器30对未图示的气体供给装置进行控制，使其向激光腔10内部注入激光气体，提高激光腔10内部的气压。通过提高气压，能够降低为了将第1激光B1的脉冲能量Emo控制在目标值附近所需要的充电电压。
在进一步反复进行基于主振荡器MO的激光振荡时，为了将第1激光B1的脉冲能量Emo控制在目标值附近所需要的充电电压会再变高。在充电器12的充电电压超过阈值的情况下，激光控制处理器30再次向激光腔10内部注入激光气体，进一步提高激光腔10内部的气压。因此，在长时间进行基于主振荡器MO的激光振荡时，激光腔10内部的气压逐渐变高。
在功率振荡器PO中，同样，激光腔20内部的气压也逐渐变高。
压力传感器P1和P2分别检测激光腔10和20内部的气压，将检测结果发送到激光控制处理器30。在激光腔10内部的气压超过上限值的情况下，会需要更换主振荡器MO的腔模块。在激光腔20内部的气压超过上限值的情况下，会需要更换功率振荡器PO的腔模块。
1.2.8MO目标脉冲能量的设定
图2是示出比较例中的从腔模块的设置到寿命期限到来为止的运转步骤的流程图。
在S10中，进行装置的导入或腔模块的更换。装置是指主振荡器MO或功率振荡器PO。腔模块是指主振荡器MO或功率振荡器PO的腔模块。主振荡器MO的腔模块是包含激光腔10和放电电极11a和11b的模块。功率振荡器PO的腔模块是包含激光腔20和放电电极21a和21b的模块。
由此，设置新品的腔模块。
在S20中，进行初始调整。初始调整包含光学元件的对准、向激光腔10或20充填的激光气体的调整等。在初始调整中，激光控制处理器30将光闸18控制成第2状态，以遮断第2激光B2。
在S30中，激光控制处理器30设定MO目标脉冲能量。这里被设定的MO目标脉冲能量被固定为相同的值，直到本流程图的运转步骤结束为止。
在S40中，激光控制处理器30对激光系统1进行控制，以进行用于向曝光装置4输出第2激光B2的激光振荡。激光控制处理器30将光闸18控制成第1状态，以使第2激光B2朝向曝光装置4通过。此外，激光控制处理器30对充电器12和22的充电电压进行控制，以对第1激光B1的脉冲能量Emo和第2激光B2的脉冲能量Epo进行控制。
在曝光动作开始后，激光控制处理器30每隔一定期间进行S50的判定。S50的判定是是否更换腔模块的判定。
激光控制处理器30例如在满足以下的(1)～(4)中的任意一个基准的情况下，判定为更换腔模块。
(1)S10中的装置的导入或腔模块的更换后的振荡脉冲数达到第1脉冲数Sm。
(2)S10中的装置的导入或腔模块的更换后的经过时间达到第1经过时间Tm。
(3)激光腔10或20内部的气压超过上限值。
(4)被施加在放电电极11a和11b之间、或放电电极21a和21b之间的高电压超过上限值。
这里，第1脉冲数Sm例如被设定在30×109脉冲以上、且50×109脉冲以下的范围内。第1经过时间Tm例如被设定在1年以上、且2年以下的范围内。气压的上限值例如被设定在350kPa以上、且420kPa以下的范围内。高电压的上限值例如被设定在25kV以上、且28kV以下的范围内。也可以根据充电器12或22的充电电压判定高电压是否超过上限值。
在仅主振荡器MO和功率振荡器PO中的一方满足上述的(1)～(4)中的任意一个基准的情况下，可以仅更换上述一个腔模块，也可以更换两个腔模块。
激光控制处理器30在判定为不更换腔模块的情况下(S50：否)，返回S40，继续进行曝光动作。在激光控制处理器30判定为更换腔模块的情况下(S50：是)，本流程图的运转步骤结束。
1.3比较例的课题
从得到第2激光B2的期望的特性的观点出发，优选第1激光B1的脉冲能量Emo高，但是，从延长激光腔10和20的寿命的观点出发，优选第1激光B1的脉冲能量Emo低。在比较例中，MO目标脉冲能量被固定为在上述的S30中设定的值，但是，该情况下，存在以下的(1)～(3)的课题。
(1)根据PO目标脉冲能量，有时MO目标脉冲能量的最佳值不同。例如，在MO目标脉冲能量被设定为将PO目标脉冲能量设为10mJ时的最佳值、且PO目标脉冲能量被变更为15mJ的情况下，第1激光B1的脉冲能量Emo比将PO目标脉冲能量设为15mJ时的最佳值低。因此，第2激光B2的特性可能比被期待的特性差。此外，在MO目标脉冲能量被设定为将PO目标脉冲能量设为15mJ时的最佳值、且PO目标脉冲能量被变更为10mJ的情况下，第1激光B1的脉冲能量Emo比将PO目标脉冲能量设为10mJ时的最佳值高。因此，激光腔10的寿命可能比被期待的长度短。
(2)当激光腔20及其后级的光学元件劣化时，功率振荡器PO的振荡条件变化，MO目标脉冲能量的最佳值有时变高。该情况下，第1激光B1的脉冲能量Emo比最佳值低。因此，第2激光B2的特性可能比被期待的特性差。此外，为了使第2激光B2的脉冲能量Epo维持在PO目标脉冲能量，需要提高充电器22的充电电压。因此，激光腔20的寿命可能比被期待的长度短。
(3)根据功率振荡器PO的个体差异，有时MO目标脉冲能量的最佳值不同。例如，在第1激光B1的脉冲能量Emo比最佳值低的情况下，第2激光B2的特性可能比被期待的特性差。相反，在第1激光B1的脉冲能量Emo比最佳值高的情况下，激光腔10的寿命可能比被期待的长度短。
在以下说明的若干个实施方式中，判定功率振荡器PO的放大特性变化的条件。在满足该条件的情况下，实测第1激光B1的脉冲能量Emo和第2激光B2的参数并取得它们的关系，根据取得的关系设定MO目标脉冲能量。由此，能够根据功率振荡器PO的放大特性的变化来设定适当的MO目标脉冲能量。
2.计测第2激光B2的脉冲能量Epo来设定MO目标脉冲能量的激光系统1a
2.1结构
图3示意地示出第1实施方式的激光系统1a的结构。激光系统1a与比较例的不同之处在于，激光控制处理器30从曝光装置4接收MO目标脉冲能量的设定许可，设定MO目标脉冲能量。
关于其他方面，第1实施方式的结构与比较例相同。
2.2动作
图4是示出第1实施方式中的从腔模块的设置到寿命期限到来为止的运转步骤的流程图。
S10和S20与比较例中对应的步骤相同。
在S30a中，激光控制处理器30设定MO目标脉冲能量。该处理的详细情况参照图5～图7在后面叙述。S30a的处理直到本流程图的运转步骤结束为止可能多次进行，每次可能设定新的MO目标脉冲能量。在S30a中，激光控制处理器30将光闸18控制成第2状态，以停止向曝光装置4输出第2激光B2。
S40和S50与比较例中对应的步骤相同。但是，在激光控制处理器30判定为不更换腔模块的情况下(S50：否)，进入S60a。
在S60a中，激光控制处理器30判定是否满足功率振荡器PO的放大特性变化的条件。例如在满足以下的(1)～(7)中的任意一方的情况下，判定为满足条件。
(1)S30a中的MO目标脉冲能量的设定后的振荡脉冲数达到第2脉冲数So。
(2)S30a中的MO目标脉冲能量的设定后的经过时间达到第2经过时间To。
(3)激光腔20内部的气压在规定的气压范围外。
(4)S30a中的MO目标脉冲能量的设定后的激光腔20内部的气压的变化超过规定的气压变化量ΔP。
(5)被施加在放电电极21a和21b之间的高电压在规定的电压范围外。
(6)S30a中的MO目标脉冲能量的设定后的被施加在放电电极21a和21b之间的高电压的变化超过规定的电压变化量ΔV。
(7)从曝光装置4接收到对PO目标脉冲能量进行变更的设定数据。
这里，第2脉冲数So是比第1脉冲数Sm小的值，例如被设定在0.5×109脉冲以上、且2×109脉冲以下的范围内。第2经过时间To是比第1经过时间Tm小的值，例如被设定在7日以上、且15日以下的范围内。规定的气压范围例如为220kPa以上、且350kPa以下的范围。气压变化量ΔP例如被设定在50kPa以上、且150kPa以下的范围。规定的电压范围例如为20kV以上、且25kV以下的范围。电压变化量ΔV例如被设定在0.5kV以上、且1kV以下的范围内。被施加在放电电极21a和21b之间的高电压也可以根据充电器22的充电电压来计算。
激光控制处理器30在判定为不满足功率振荡器PO的放大特性变化的条件的情况下(S60a：否)，返回S40，继续进行曝光动作。激光控制处理器30在判定为满足功率振荡器PO的放大特性变化的条件的情况下(S60a：是)，进入S70a。
在S70a中，激光控制处理器30向曝光装置4请求MO目标脉冲能量的设定许可。
在S80a中，激光控制处理器30判定是否从曝光装置4许可了MO目标脉冲能量的设定。在不许可MO目标脉冲能量的设定的情况下(S80a：否)，激光控制处理器30待机到许可MO目标脉冲能量的设定为止。在许可了MO目标脉冲能量的设定的情况下(S80a：是)，激光控制处理器30返回S30a，再次设定MO目标脉冲能量。
2.3MO目标脉冲能量的设定处理
图5是说明第1实施方式中的MO目标脉冲能量的设定处理的详细情况的流程图。图5所示的处理相当于图4的S30a的子例程。
在S31中，激光控制处理器30设定功率振荡器PO的振荡条件。功率振荡器PO的振荡条件包含充电器22的充电电压和激光腔20内部的气压。功率振荡器PO的振荡条件根据PO目标脉冲能量而不同。功率振荡器PO的振荡条件也可以根据从曝光装置4接收到的PO目标脉冲能量来设定。
在S32a中，激光控制处理器30设定多个值作为第1激光B1的脉冲能量Emo，针对各个值计测第2激光B2的脉冲能量Epo。在S31中被设定的振荡条件直到S32a的处理结束之前为止不被变更而被维持。激光控制处理器30根据计测的结果取得第1激光B1的脉冲能量Emo与第2激光B2的脉冲能量Epo之间的关系。第2激光B2的脉冲能量Epo是本公开中的参数的一例。
图6是例示第1激光B1的脉冲能量Emo与第2激光B2的脉冲能量Epo之间的关系的计测结果的曲线图。在图6中，示出PO目标脉冲能量为10mJ时的功率振荡器PO的第1振荡条件下的计测结果和PO目标脉冲能量为15mJ时的功率振荡器PO的第2振荡条件下的计测结果。
在图5的S33a中，激光控制处理器30确定第2激光B2的脉冲能量Epo的变化相对于第1激光B1的脉冲能量Emo的变化的比例ΔEpo为第1规定值以下的、第1激光B1的脉冲能量Emo的最小值Emot。第1规定值例如为1。
图7是例示第1激光B1的脉冲能量Emo与第2激光B2的脉冲能量Epo的变化的比例ΔEpo之间的关系的曲线图。在将图6所示的第2激光B2的脉冲能量Epo视为第1激光B1的脉冲能量Emo的函数的情况下，图7所示的变化的比例ΔEpo相当于利用脉冲能量Emo对脉冲能量Epo进行微分的结果。
第2激光B2的脉冲能量Epo的变化的比例ΔEpo是本公开中的第2激光B2的特性的一例。优选变化的比例ΔEpo为第1规定值即1以下。即，优选使第1激光B1的脉冲能量Emo变化1mJ时的第2激光B2的脉冲能量Epo的变化为1mJ以下。
根据图7，求出第1振荡条件中变化的比例ΔEpo成为1的第1激光B1的脉冲能量Emo，由此求出第2激光B2的特性在容许范围内的脉冲能量Emo的最小值Emot。在图7中，将第1振荡条件中第2激光B2的特性在容许范围内的脉冲能量Emo的最小值Emot表示为Emot10。
根据图7，求出第2振荡条件中变化的比例ΔEpo成为1的第1激光B1的脉冲能量Emo，由此求出第2激光B2的特性在容许范围内的脉冲能量Emo的最小值Emot。在图7中，将第2振荡条件中第2激光B2的特性在容许范围内的脉冲能量Emo的最小值Emot表示为Emot15。
第1规定值不限于设为1的情况，也可以被设定在0.5以上、且2.0以下的范围内。
在图5的S34中，激光控制处理器30将最小值Emot设定为MO目标脉冲能量。在S34之后，激光控制处理器30结束本流程图的处理，返回图4所示的处理。
2.4作用
(1)在第1实施方式中，激光系统1a包含：主振荡器MO，其输出第1激光B1；以及功率振荡器PO，其对第1激光B1进行放大，输出第2激光B2。激光系统1a的控制方法包含以下步骤：判定功率振荡器PO的放大特性变化的条件；在判定为满足条件的情况下，取得第1激光B1的脉冲能量Emo与第2激光B2的参数之间的关系；以及根据取得的关系设定MO目标脉冲能量。
由此，在判定为功率振荡器PO的放大特性变化的情况下，取得第1激光B1的脉冲能量Emo与第2激光B2的参数之间的关系，设定MO目标脉冲能量，因此，能够根据功率振荡器PO的放大特性的变化来设定适当的MO目标脉冲能量。
(2)在第1实施方式中，功率振荡器PO的放大特性变化的条件也可以包含上次设定了MO目标脉冲能量后的振荡脉冲数和经过时间中的任意一方达到各自的设定值即第2脉冲数So和第2经过时间To。
由此，根据振荡脉冲数或经过时间，功率振荡器PO的腔模块劣化，判定功率振荡器PO的放大特性会变化的情况，能够设定适当的MO目标脉冲能量。
(3)在第1实施方式中，功率振荡器PO为气体激光装置，功率振荡器PO的放大特性变化的条件也可以包含功率振荡器PO中的气压和气压的变化中的任意一方在各自的设定范围外。
由此，通过监视功率振荡器PO中的气压，判定功率振荡器PO的放大特性会变化的情况，能够设定适当的MO目标脉冲能量。
(4)在第1实施方式中，功率振荡器PO为放电激励式的气体激光装置，功率振荡器PO的放大特性变化的条件也可以包含功率振荡器PO中的施加电压和施加电压的变化中的任意一方在各自的设定范围外。
由此，通过监视功率振荡器PO中的施加电压，判定功率振荡器PO的放大特性会变化的情况，能够设定适当的MO目标脉冲能量。
(5)在第1实施方式中，功率振荡器PO的放大特性变化的条件也可以包含对PO目标脉冲能量进行变更。
由此，在对PO目标脉冲能量进行变更的情况下，判定为功率振荡器PO的放大特性会变化，能够设定适当的MO目标脉冲能量。
(6)在第1实施方式中，激光系统1a构成为与曝光装置4连接，将第2激光B2输出到曝光装置4。在第1实施方式中，在判定为满足功率振荡器PO的放大特性变化的条件的情况下，停止向曝光装置4输出第2激光B2，计测第1激光B1的脉冲能量Emo和第2激光B2的参数。由此，取得第1激光B1的脉冲能量Emo与第2激光B2的参数之间的关系。
由此，停止向曝光装置4输出，因此，能够与在曝光中被使用的激光的特性不同地取得第1激光B1的脉冲能量Emo与第2激光B2的参数之间的关系。
(7)在第1实施方式中，MO目标脉冲能量被设定为第2激光B2的特性在容许范围内的、第1激光B1的脉冲能量Emo的最小值Emot。
由此，将满足如下条件的范围内的最小值Emot设为MO目标脉冲能量，该条件用于得到第2激光B2的期望的特性，由此能够抑制激光腔10和20的寿命变短。
(8)在第1实施方式中，第2激光B2的参数为第2激光B2的脉冲能量Epo。
由此，能够根据第1激光B1的脉冲能量Emo与第2激光B2的脉冲能量Epo之间的关系，设定适当的MO目标脉冲能量。
(9)在第1实施方式中，MO目标脉冲能量被设定为第2激光B2的脉冲能量Epo的变化相对于第1激光B1的脉冲能量Emo的变化的比例ΔEpo为第1规定值以下的、第1激光B1的脉冲能量Emo的最小值Emot。
由此，在变化的比例ΔEpo为第1规定值以下的范围内设定MO目标脉冲能量，因此，能够抑制脉冲能量Epo的无意的变动。
关于其他方面，第1实施方式与比较例相同。
3.计测第2激光B2的脉冲能量偏差σepo来设定MO目标脉冲能量的激光系统1a
3.1动作
图8是说明第2实施方式中的MO目标脉冲能量的设定处理的详细情况的流程图。图8所示的处理相当于图4的S30a的子例程。第2实施方式的结构和从腔模块的设置到寿命期限到来为止的运转步骤与第1实施方式相同。
S31的处理与第1实施方式相同。
在S32b中，激光控制处理器30设定多个值作为第1激光B1的脉冲能量Emo，针对各个值计测第2激光B2的脉冲能量偏差σepo。在S31中被设定的振荡条件直到S32b的处理结束为止不被变更而被维持。激光控制处理器30根据计测的结果取得第1激光B1的脉冲能量Emo与第2激光B2的脉冲能量偏差σepo之间的关系。第2激光B2的脉冲能量偏差σepo是本公开中的参数的一例。
脉冲能量偏差σepo例如为变动系数，通过以下的式子来计算。
σepo＝Eposd/Epoavg
在将第1激光B1的脉冲能量Emo设为固定值而针对第2激光B2的多个脉冲计测脉冲能量Epo时，Eposd为脉冲能量Epo的标准偏差，Epoavg为脉冲能量Epo的相加平均。
图9是例示第1激光B1的脉冲能量Emo与第2激光B2的脉冲能量偏差σepo之间的关系的计测结果的曲线图。脉冲能量偏差σepo也可以用百分率表示。
在图8的S33b中，激光控制处理器30确定第2激光B2的脉冲能量偏差σepo的变化相对于第1激光B1的脉冲能量Emo的变化的比例的绝对值|Δσepo|为第2规定值以下的、第1激光B1的脉冲能量Emo的最小值Emot。第2规定值例如为0.4。
图10是例示第1激光B1的脉冲能量Emo与第2激光B2的脉冲能量偏差σepo的变化的比例的绝对值|Δσepo|之间的关系的曲线图。在将图9所示的第2激光B2的脉冲能量偏差σepo视为第1激光B1的脉冲能量Emo的函数的情况下，图10所示的变化的比例的绝对值|Δσepo|相当于利用脉冲能量Emo对脉冲能量偏差σepo进行微分的结果的绝对值。
第2激光B2的脉冲能量偏差σepo的变化的比例的绝对值|Δσepo|是本公开中的第2激光B2的特性的一例。优选变化的比例的绝对值|Δσepo|为第2规定值即0.4以下。即，优选使第1激光B1的脉冲能量Emo变化1mJ时的第2激光B2的脉冲能量Epo的标准偏差Eposd的变化为第2激光B2的脉冲能量Epo的相加平均Epoavg的0.4％以下。
根据图10，求出变化的比例的绝对值|Δσepo|成为0.4的第1激光B1的脉冲能量Emo，由此求出第2激光B2的特性在容许范围内的脉冲能量Emo的最小值Emot。
第2规定值不限于设为0.4的情况，也可以被设定在0.2以上、且1.5以下的范围内。
图8的S34的处理与第1实施方式相同。在S34之后，激光控制处理器30结束本流程图的处理，返回图4所示的处理。
3.2作用
(10)在第2实施方式中，第2激光B2的参数为第2激光B2的脉冲能量偏差σepo。
由此，能够根据第1激光B1的脉冲能量Emo与第2激光B2的脉冲能量偏差σepo之间的关系，设定适当的MO目标脉冲能量。
(11)在第2实施方式中，MO目标脉冲能量被设定为第2激光B2的脉冲能量偏差σepo的变化相对于第1激光B1的脉冲能量Emo的变化的比例的绝对值|Δσepo|为第2规定值以下的、第1激光B1的脉冲能量Emo的最小值Emot。
由此，在变化的比例的绝对值|Δσepo|为第2规定值以下的范围内设定MO目标脉冲能量，因此，能够使第2激光B2的特性在容许范围内。
关于其他方面，第2实施方式与第1实施方式相同。
4.计测第2激光B2的干涉条纹的对比度C来设定MO目标脉冲能量的激光系统1c
4.1结构
图11示意地示出第3实施方式的激光系统1c的结构。第3实施方式的激光系统1c与第1和第2实施方式的不同之处在于，对PO能量监视器17追加了分束器17b和干涉仪17d。
分束器17b被配置于分束器17a与光传感器17c之间的光路上。干涉仪17d被配置于被分束器17b反射后的光的光路上。干涉仪17d是包含未图示的扩散板、标准具、聚光透镜和光传感器的法布里-珀罗干涉仪。干涉仪17d的光传感器也可以是将大量受光元件配置成线状的线传感器。干涉仪17d构成为计测第2激光B2的干涉条纹，将计测结果发送到激光控制处理器30。
4.2动作
图12是说明第3实施方式中的MO目标脉冲能量的设定处理的详细情况的流程图。图12所示的处理相当于图4的S30a的子例程。第3实施方式的从腔模块的设置到寿命期限到来为止的运转步骤与第1实施方式相同。
S31的处理与第1实施方式相同。
在S32c中，激光控制处理器30设定多个值作为第1激光B1的脉冲能量Emo，针对各个值计测第2激光B2的干涉条纹的对比度C。在S31中被设定的振荡条件直到S32c的处理结束为止不被变更而被维持。激光控制处理器30根据计测的结果取得第1激光B1的脉冲能量Emo与第2激光B2的干涉条纹的对比度C之间的关系。
图13示出由干涉仪17d计测出的第2激光B2的干涉条纹的例子。图13的横轴表示通道编号，该通道编号相当于构成干涉仪17d的光传感器的各个受光元件的编号。
干涉条纹的对比度C例如通过以下的式子来计算。
C＝(Imax-Imin)/(Imax+Imin)
Imax是干涉条纹中的光强度的最大值，Imin是干涉条纹中的光强度的最小值。
在图12的S33c中，激光控制处理器30确定干涉条纹的对比度C为第3规定值以上的、第1激光B1的脉冲能量Emo的最小值Emot。第3规定值例如为0.9。
图14是例示第1激光B1的脉冲能量Emo与干涉条纹的对比度C之间的关系的曲线图。
干涉条纹的对比度C是本公开中的参数的一例，并且是本公开中的第2激光B2的特性的一例。干涉条纹的对比度C与第2激光B2中包含的自然放射放大光的比例有关。自然放射放大光的比例越高，则干涉条纹的对比度C越低。优选自然放射放大光的比例越低，则干涉条纹的对比度C越高。优选干涉条纹的对比度C为第3规定值即0.9以上。
根据图14，求出干涉条纹的对比度C为0.9的第1激光B1的脉冲能量Emo，由此求出第2激光B2的特性在容许范围内的脉冲能量Emo的最小值Emot。
第3规定值不限于设为0.9的情况，也可以被设定在0.7以上、且0.95以下的范围内。
图12的S34的处理与第1实施方式相同。在S34之后，激光控制处理器30结束本流程图的处理，返回图4所示的处理。
4.3其他结构例
针对第1激光B1的脉冲能量Emo的多个值计测出的第2激光B2的参数不限于干涉条纹的对比度C。此外，第2激光B2的参数不限于第1实施方式中的第2激光B2的脉冲能量Epo、第2实施方式中的第2激光B2的脉冲能量偏差σepo。第2激光B2的参数也可以包含第2激光B2的脉冲能量Epo、第2激光B2的脉冲能量偏差σepo和干涉条纹的对比度C中的2个以上。
MO目标脉冲能量也可以被设定为第1～第3实施方式中分别说明的最小值Emot中的最大值。
4.4作用
(12)在第3实施方式中，第2激光B2的参数为与第2激光B2中包含的自然放射放大光的比例有关的参数。
由此，能够根据与第2激光B2中包含的自然放射放大光的比例有关的参数，设定适当的MO目标脉冲能量。
(13)在第3实施方式中，与第2激光B2中包含的自然放射放大光的比例有关的参数为使第2激光B2入射到作为法布里-珀罗干涉仪的干涉仪17d而被计测出的干涉条纹的对比度C。
由此，通过使用干涉仪17d，能够计测与第2激光B2中包含的自然放射放大光的比例有关的参数。
(14)在第3实施方式中，根据干涉条纹中的光强度的最大值Imax和最小值Imin，通过(Imax-Imin)/(Imax+Imin)来计算干涉条纹的对比度C。
由此，能够适当地计测第2激光B2中包含的自然放射放大光的比例。
(15)在第3实施方式中，MO目标脉冲能量被设定为干涉条纹的对比度C为第3规定值以上的、第1激光B1的脉冲能量Emo的最小值Emot。
由此，在干涉条纹的对比度C为第3规定值以上的范围内设定MO目标脉冲能量，因此，能够使第2激光B2的特性在容许范围内。
(16)在第3实施方式中，第2激光B2的参数包含第2激光B2的脉冲能量Epo、第2激光B2的脉冲能量偏差σepo、以及使第2激光B2入射到作为法布里-珀罗干涉仪的干涉仪17d而被计测出的干涉条纹的对比度C中的2个以上。MO目标脉冲能量被设定为以下的第1～第3候选值中的最大值。
1.在参数包含第2激光B2的脉冲能量Epo的情况下被计算出的第1候选值，该第1候选值是第2激光B2的脉冲能量Epo的变化相对于第1激光B1的脉冲能量Emo的变化的比例ΔEpo为第1规定值以下的、第1激光B1的脉冲能量Emo的最小值Emot
2.在参数包含第2激光B2的脉冲能量偏差σepo的情况下被计算出的第2候选值，该第2候选值是第2激光B2的脉冲能量偏差σepo的变化相对于第1激光B1的脉冲能量Emo的变化的比例的绝对值|Δσepo|为第2规定值以下的、第1激光B1的脉冲能量Emo的最小值Emot
3.在参数包含干涉条纹的对比度C的情况下被计算出的第3候选值，该第3候选值是干涉条纹的对比度C为第3规定值以上的、第1激光B1的脉冲能量Emo的最小值Emot
由此，从延长激光腔10的寿命的观点出发，计算多个候选值作为最小值Emot，选择多个候选值中的最大值，由此，能够在多个观点下满足第2激光B2的特性在容许范围内这样的条件。
关于其他方面，第3实施方式与第1实施方式相同。
5.MO能量监视器16还接收主振荡器MO的输出光以外的光的激光系统1d
5.1结构和动作
图15～图17示意地示出第4实施方式的激光系统1d中的主振荡器MO与功率振荡器PO之间的光路。在图15～图17中，省略充电器12和22、脉冲功率模块13和23、PO能量监视器17等的图示。
如图15所示，MO能量监视器16的光传感器16c接收的光包含从主振荡器MO输出而入射到MO能量监视器16的光L1。MO能量监视器16计测包含光L1的光的脉冲能量。
MO能量监视器16计测还包含以下的光L2和L3中的任意一方或双方的光的脉冲能量。
如图16所示，MO能量监视器16的光传感器16c接收的光包含从主振荡器MO输出且被后镜24反射、进而被输出耦合镜15反射而入射到MO能量监视器16的光L2。光L2的脉冲能量与光L1的脉冲能量大致成比例。MO能量监视器16也可以计测包含光L2的光的脉冲能量。
如图17所示，MO能量监视器16的光传感器16c接收的光包含从功率振荡器PO经由后镜24输出且被输出耦合镜15反射而入射到MO能量监视器16的光L3。光L3的脉冲能量与第2激光B2的脉冲能量Epo大致成比例。MO能量监视器16也可以计测包含光L3的光的脉冲能量。
为了准确地计算从主振荡器MO输出的光L1的脉冲能量，考虑进行将光L2和L3的脉冲能量从由MO能量监视器16计测出的脉冲能量中除外的校正运算。为了进行校正运算，例如还考虑在MO能量监视器16与功率振荡器PO之间设置未图示的光闸，另行计测特性数据，根据该计测结果计算校正系数。
但是，在本公开中，进行根据包含光L2和L3中的任意一方或双方的光的脉冲能量的计测结果设定MO目标脉冲能量的处理(S30a)、以及进行控制以使包含光L2和L3中的任意一方或双方的光的脉冲能量接近MO目标脉冲能量的处理(S40)。由此，在设定MO目标脉冲能量的处理(S30a)和对脉冲能量进行控制的处理(S40)双方中考虑了光L2和L3中的任意一方或双方，因此，在本公开的控制中没有大的问题。
根据第4实施方式，即使不进行用于将光L2和L3的脉冲能量除外的校正运算，也能够对第1激光B1的脉冲能量Emo进行控制而得到第2激光B2的期望的特性。
第4实施方式的从腔模块的设置到寿命期限到来为止的运转步骤和MO目标脉冲能量的设定处理与第1～第3实施方式中的任意一方相同即可。
但是，在S60a(参照图4)中，作为功率振荡器PO的放大特性变化的条件，也可以追加以下的(8)～(11)中的至少一个。
(8)激光腔10内部的气压在规定的气压范围外。
(9)S30a中的MO目标脉冲能量的设定后的激光腔10内部的气压的变化超过规定的气压变化量ΔP。
(10)被施加在放电电极11a和11b之间的高电压在规定的电压范围外。
(11)S30a中的MO目标脉冲能量的设定后的被施加在放电电极11a和11b之间的高电压的变化超过规定的电压变化量ΔV。
规定的气压范围、气压变化量ΔP、规定的电压范围和电压变化量ΔV与第1实施方式中说明的内容相同即可。
能够根据(8)～(11)所示的激光腔10内部的气压或被施加在放电电极11a和11b之间的高电压的条件判定功率振荡器PO的放大特性的变化的理由如下所述。
当功率振荡器PO的放大特性变化时，光L3的脉冲能量变化。例如，有时光L3的脉冲能量变高。该情况下，激光控制处理器30要将由MO能量监视器16计测出的脉冲能量Emo维持在MO目标脉冲能量，会降低光L1的脉冲能量。即，会降低被施加在放电电极11a和11b之间的高电压，或者降低激光腔10内部的气压。这样，由于功率振荡器PO的放大特性的变化，激光腔10内部的气压或被施加在放电电极11a和11b之间的高电压会变化，因此，能够进行基于(8)～(11)的条件的判定。
在被施加在放电电极11a和11b之间的高电压变低、或者激光腔10内部的气压变低的情况下，光L3的脉冲能量变高的可能性高。其理由是因为，伴随着主振荡器MO的腔单元的劣化，通常是被施加在放电电极11a和11b之间的高电压变高，或者激光腔10内部的气压变高，其相反的事象表示与通常不同的状况。因此，与仅使用参照图4说明的(1)～(7)的条件相比，附加(8)～(11)的条件能够进行高精度的判定。
5.2作用
(17)在第4实施方式中，激光系统1d包含MO能量监视器16，该MO能量监视器16被配置于主振荡器MO与功率振荡器PO之间的第1激光B1的光路上。MO能量监视器16计测包含从主振荡器MO输出而入射到MO能量监视器16的光L1的光的脉冲能量，并且计测还包含以下的光L2和L3中的任意方的光的脉冲能量。
1.从主振荡器MO输出且被功率振荡器PO中包含的后镜24反射、进而被主振荡器MO中包含的输出耦合镜15反射而入射到MO能量监视器16的光L2
2.从功率振荡器PO经由后镜24输出且被输出耦合镜15反射而入射到MO能量监视器16的光L3
由此，即使不进行用于将光L2和L3的脉冲能量除外的校正运算，也能够将第1激光B1的脉冲能量Emo控制成期望的值。
(18)在第4实施方式中，主振荡器MO为放电激励式的气体激光装置，功率振荡器PO的放大特性变化的条件也可以包含主振荡器MO中的气压、气压的变化、主振荡器MO中的施加电压和施加电压的变化中的任意方在各自的设定范围外。
由此，通过监视主振荡器MO中的气压或施加电压，判定功率振荡器PO的放大特性会变化的情况，能够设定适当的MO目标脉冲能量。
关于其他方面，第4实施方式与第1～第3实施方式相同。
6.包含环形谐振器的激光系统1e
6.1结构
图18示意地示出第5实施方式的激光系统1e的结构。图19示出从与图18不同的方向观察图18所示的功率振荡器PO的状况。在图18和图19中，将从功率振荡器PO输出的第2激光B2的输出方向设为Z方向，将放电电极21a和21b之间的放电方向设为V方向。Z方向和V方向垂直，将与这双方垂直的方向设为H方向。
在第1～第4实施方式中，使用法布里-珀罗型的光谐振器构成功率振荡器PO，与此相对，在第5实施方式中，使用环形谐振器构成功率振荡器PO。
第5实施方式的激光系统1e代替第1实施方式的激光系统1a中的后镜24和输出耦合镜25而包含高反射镜26a～26c、输出耦合镜27和高反射镜33。在图18和图19中，省略充电器12和22、脉冲功率模块13和23等的图示。
输出耦合镜27由使第1激光B1透过的材料构成，在其1个面被涂敷有部分反射膜。输出耦合镜27和高反射镜26a被配置于激光腔20的外侧且窗口20a的附近。高反射镜26b和26c被配置于激光腔20的外侧且窗口20b的附近。在放电电极21a和21b之间的放电空间中，从高反射镜26a到高反射镜26b为止的光路和从高反射镜26c到输出耦合镜27为止的光路交叉。
PO能量监视器17被配置于从功率振荡器PO输出的第2激光B2的光路上。
6.2动作
从主振荡器MO输出的第1激光B1被高反射镜31、32和33依次反射，从功率振荡器PO的谐振器的外侧沿着大致-H方向入射到输出耦合镜27。经由输出耦合镜27入射到谐振器的第1激光B1被高反射镜26a、26b和26c依次反射，在通过放电空间时被放大，从谐振器的内侧沿着Z方向入射到输出耦合镜27。
沿着Z方向入射到输出耦合镜27的光的一部分沿着大致-H方向被反射，再次被高反射镜26a、26b和26c反射而被放大。沿着Z方向入射到输出耦合镜27的光的另一部分透过，作为第2激光B2而被输出。
在第5实施方式中，MO目标脉冲能量的设定处理与第1～第3实施方式中的任意一方相同即可。
6.3作用
第5实施方式具有与第1～第3实施方式相同的作用。
关于其他方面，第5实施方式与第1～第3实施方式相同。
7.其他
图20概略地示出与激光系统1a连接的曝光装置4的结构。激光系统1a生成脉冲激光并将其输出到曝光装置4。
在图20中，曝光装置4包含照明光学系统41和投影光学系统42。照明光学系统41通过从激光系统1a入射的脉冲激光对被配置于掩模版台RT上的未图示的掩模版的掩模版图案进行照明。投影光学系统42对透过掩模版后的脉冲激光进行缩小投影，使其在被配置于工件台WT上的未图示的工件上成像。工件是被涂布了光刻胶的半导体晶片等感光基板。曝光装置4使掩模版台RT和工件台WT同步地平行移动，由此在工件上曝光反映了掩模版图案的脉冲激光。通过以上这种曝光工序在半导体晶片上转印掩模版图案后，能够经过多个工序制造电子器件。
也可以代替激光系统1a而使用激光系统1c、1d、和1e中的任意一方。
上述说明不是限制，而是简单的例示。因此，本领域技术人员明白能够在不脱离权利要求书的情况下对本公开的实施方式施加变更。此外，本领域技术人员还明白组合本公开的实施方式进行使用。
只要没有明确记载，则本说明书和权利要求书整体所使用的用语应该解释为“非限定性”用语。例如，“包含”、“有”、“具有”、“具备”等用语应该解释为“不将被记载的结构要素以外的结构要素的存在除外”。此外，修饰词“一个”应该解释为意味着“至少一个”或“一个或一个以上”。此外，“A、B和C中的至少一方”这样的用语应该解释为“A”、“B”、“C”、“A+B”、“A+C”、“B+C”或“A+B+C”。进而，应该解释为还包含它们和“A”、“B”、“C”以外的部分的组合。

Claims (20)

1.一种控制方法，其是激光系统的控制方法，所述激光系统包含：
振荡级激光器，其输出第1激光；以及
放大级激光器，其对所述第1激光进行放大，输出第2激光，
其中，所述控制方法包含以下步骤：
判定所述放大级激光器的放大特性变化的条件；
在判定为满足所述条件的情况下，取得所述第1激光的脉冲能量与所述第2激光的参数之间的关系；以及
根据所述关系设定所述第1激光的目标脉冲能量。
2.根据权利要求1所述的控制方法，其中，
所述条件包含上次设定了所述第1激光的目标脉冲能量后的振荡脉冲数和经过时间中的任意一方达到各自的设定值。
3.根据权利要求1所述的控制方法，其中，
所述放大级激光器为气体激光装置，
所述条件包含所述放大级激光器中的气压和所述气压的变化中的任意一方在各自的设定范围外。
4.根据权利要求1所述的控制方法，其中，
所述放大级激光器为放电激励式的气体激光装置，
所述条件包含所述放大级激光器中的施加电压和所述施加电压的变化中的任意一方在各自的设定范围外。
5.根据权利要求1所述的控制方法，其中，
所述条件包含对所述第2激光的目标脉冲能量进行变更。
6.根据权利要求1所述的控制方法，其中，
所述激光系统构成为与曝光装置连接，将所述第2激光输出到所述曝光装置，
在判定为满足所述条件的情况下，停止向所述曝光装置输出所述第2激光，计测所述第1激光的脉冲能量和所述第2激光的参数，由此取得所述关系。
7.根据权利要求1所述的控制方法，其中，
所述第1激光的目标脉冲能量被设定为所述第2激光的特性在容许范围内的、所述第1激光的脉冲能量的最小值。
8.根据权利要求1所述的控制方法，其中，
所述参数为所述第2激光的脉冲能量。
9.根据权利要求8所述的控制方法，其中，
所述第1激光的目标脉冲能量被设定为所述第2激光的脉冲能量的变化相对于所述第1激光的脉冲能量的变化的比例为第1规定值以下的、所述第1激光的脉冲能量的最小值。
10.根据权利要求1所述的控制方法，其中，
所述参数为所述第2激光的脉冲能量偏差。
11.根据权利要求10所述的控制方法，其中，
所述第1激光的目标脉冲能量被设定为所述第2激光的脉冲能量偏差的变化相对于所述第1激光的脉冲能量的变化的比例的绝对值为第2规定值以下的、所述第1激光的脉冲能量的最小值。
12.根据权利要求1所述的控制方法，其中，
所述参数为与所述第2激光中包含的自然放射放大光的比例有关的参数。
13.根据权利要求12所述的控制方法，其中，
与所述比例有关的参数为使所述第2激光入射到法布里-珀罗干涉仪而被计测出的干涉条纹的对比度。
14.根据权利要求13所述的控制方法，其中，
根据所述干涉条纹中的光强度的最大值Imax和最小值Imin，通过(Imax-Imin)/(Imax+Imin)来计算所述对比度。
15.根据权利要求13所述的控制方法，其中，
所述第1激光的目标脉冲能量被设定为所述对比度为第3规定值以上的、所述第1激光的脉冲能量的最小值。
16.根据权利要求1所述的控制方法，其中，
所述参数包含所述第2激光的脉冲能量、所述第2激光的脉冲能量偏差、以及使所述第2激光入射到法布里-珀罗干涉仪而被计测出的干涉条纹的对比度中的2个以上，
所述第1激光的目标脉冲能量被设定为第1候选值、第2候选值、以及第3候选值中的最大值，其中，
所述第1候选值是在所述参数包含所述第2激光的脉冲能量的情况下被计算出的，是所述第2激光的脉冲能量的变化相对于所述第1激光的脉冲能量的变化的比例为第1规定值以下的、所述第1激光的脉冲能量的最小值，
所述第2候选值是在所述参数包含所述第2激光的脉冲能量偏差的情况下被计算出的，是所述第2激光的脉冲能量偏差的变化相对于所述第1激光的脉冲能量的变化的比例的绝对值为第2规定值以下的、所述第1激光的脉冲能量的最小值，
所述第3候选值是在所述参数包含所述对比度的情况下被计算出的，是所述对比度为第3规定值以上的、所述第1激光的脉冲能量的最小值。
17.根据权利要求1所述的控制方法，其中，
所述激光系统还包含能量监视器，所述能量监视器被配置于所述振荡级激光器与所述放大级激光器之间的所述第1激光的光路上，
通过所述能量监视器计测光的脉冲能量，所述能量监视器计测的光包含从所述振荡级激光器输出而入射到所述能量监视器的光，所述能量监视器计测的光还包含从所述振荡级激光器输出且被所述放大级激光器中包含的第1部分反射镜反射进而被所述振荡级激光器中包含的第2部分反射镜反射而入射到所述能量监视器的光、以及从所述放大级激光器经由所述第1部分反射镜输出且被所述第2部分反射镜反射而入射到所述能量监视器的光中的任意方。
18.根据权利要求1所述的控制方法，其中，
所述振荡级激光器为放电激励式的气体激光装置，
所述条件包含所述振荡级激光器中的气压、所述气压的变化、所述振荡级激光器中的施加电压和所述施加电压的变化中的任意方在各自的设定范围外。
19.一种激光系统，其具有：
振荡级激光器，其输出第1激光；
放大级激光器，其对所述第1激光进行放大，输出第2激光；以及
处理器，其判定所述放大级激光器的放大特性变化的条件，在判定为满足所述条件的情况下，取得所述第1激光的脉冲能量与所述第2激光的参数之间的关系，根据所述关系设定所述第1激光的目标脉冲能量。
20.一种电子器件的制造方法，其包含以下步骤：
通过激光系统生成激光，
将所述激光输出到曝光装置，
在所述曝光装置内在感光基板上曝光所述激光，以制造电子器件，
所述激光系统具有：
振荡级激光器，其输出第1激光；
放大级激光器，其对所述第1激光进行放大，输出第2激光；以及
处理器，其判定所述放大级激光器的放大特性变化的条件，在判定为满足所述条件的情况下，取得所述第1激光的脉冲能量与所述第2激光的参数之间的关系，根据所述关系设定所述第1激光的目标脉冲能量。
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