JP7416811B2 - レーザ装置、及び電子デバイスの製造方法 - Google Patents
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Description
1.比較例に係るレーザ装置
1.1 構成
1.2 動作
1.3 比較例の課題
2.印加電圧の調整を行うレーザ装置
2.1 構成
2.2 動作
2.2.1 概略
2.2.2 パルスエネルギーE[n]の計測
2.2.3 メインルーチン
2.2.4 パラメータの更新(S1)
2.2.5 印加電圧値HV[n]の設定(S2)
2.2.5.1 データテーブルを用いた制御(S27)
2.2.5.2 オフセット値を用いた制御(S29)
2.3 作用
3.オフセット値を一定量ずつ減衰させるレーザ装置
3.1 パラメータの更新(S1)
3.2 オフセット値を用いた制御(S29)
3.3 作用
4.オフセット値の減衰量を変化させるレーザ装置
4.1 オフセット値を用いた制御(S29)
4.2 作用
5.繰返し周波数に基づいて印加電圧値を補正するレーザ装置
5.1 印加電圧値HV[n]の設定(S2)
5.2 データテーブルを用いた制御(S28c)
5.3 作用
6.繰返し周波数に基づいて合計減衰量及び減衰タイミングを補正するレーザ装置
6.1 第1の例
6.2 第2の例
6.3 作用
7.その他
1.1 構成
図1は、比較例に係るレーザ装置1の構成を概略的に示す。レーザ装置1は、外部装置としての露光装置100と共に使用される。露光装置100は、露光装置制御部110を含んでいる。
露光装置制御部110は、レーザ制御部30に対して、電圧指令値HVcmd[n]及びトリガ信号Tr[n]を送信する。レーザ制御部30は、充電器12に電圧指令値HVcmd[n]の設定信号を送信し、スイッチ13aにトリガ信号Tr[n]を送信する。
図3は、比較例において電圧指令値HVcmd[n]を一定値としてバースト発振を行った場合のパルスエネルギーE[n]の推移を示すグラフである。図3の横軸はパルス番号nを示す。バースト発振において高い繰返し周波数でパルスレーザ光を出力すると、レーザゲインが減少する場合がある。レーザゲインの減少は、図3においてパルスエネルギーE[n]の低下として現れている。すなわち、電圧指令値HVcmd[n]が一定であっても、バースト発振の開始時にはパルスエネルギーE[n]が高く、その後パルスエネルギーE[n]が低下することがある。また、パルス番号nが1である場合のパルスエネルギーE[1]が突出して高く、その後パルスエネルギーE[n]が急激に低下することがある。バースト発振の途中には、パルスエネルギーE[n]が一旦安定し、その後、さらにパルスエネルギーE[n]が低下することもある。
2.1 構成
図5は、第1の実施形態に係るレーザ装置1の構成を概略的に示す。第1の実施形態において、レーザ装置1は、エネルギーモニタ17と、記憶部31と、をさらに含む。
p=1: 休止期間が20ms以上、50ms未満
p=2: 休止期間が50ms以上、80ms未満
p=3: 休止期間が80ms以上、100ms未満
1つのトリガパルスから次のトリガパルスまでの期間が20ms未満である場合、休止期間ではなくバースト発振中であると判断される。
他の点については、第1の実施形態の構成は比較例の構成と同様である。
2.2.1 概略
図7は、レーザ制御部30の動作を概略的に示すタイムチャートである。図7において、上端から下方に向かって時間が進むものとする。露光装置制御部110から電圧指令値HVcmd[n]及びトリガ信号Tr[n]をそれぞれ受信するタイミングも併せて示されている。レーザ制御部30は、パルス番号nの値に応じて以下の処理を行う。図7及び以下の説明においてSで始まる符号は、後述のフローチャートにおいて対応するステップ番号を示す。
レーザ制御部30は、休止期間において、休止期間の長さを計測する(S22)。レーザ制御部30は、休止期間の長さに応じて区分pを決定する。
レーザ制御部30は、露光装置制御部110から電圧指令値HVcmd[1]を受信する。レーザ制御部30は、電圧指令値HVcmd[1]に基づいて目標パルスエネルギーEtを算出する(S25)。S22及びS25の処理については図11を参照しながら後述する。レーザ制御部30は、露光装置制御部110が設定している目標パルスエネルギーEtcmdを受信していないため、電圧指令値HVcmd[1]に基づいて算出された目標パルスエネルギーEtを用いて、以下の処理を行う。
印加電圧値HV[1]を設定した後、レーザ制御部30は、露光装置制御部110からトリガ信号Tr[1]を受信し、スイッチ13aにトリガ信号Tr[1]を送信する。
パルス番号nが2である場合、休止期間の区分pは既に決定されており、目標パルスエネルギーEtは既に算出されている。レーザ制御部30は、休止期間の区分pとパルス番号nとの組合せ[p,2]に基づいてデータテーブルを検索し、パルスエネルギーE[n]が所定の値Estdとなるような電圧値HVtbl[p,2]を読み出す。レーザ制御部30は、目標パルスエネルギーEt及び電圧値HVtbl[p,2]に基づいて、印加電圧値HV[2]を設定する(S271)。レーザ制御部30は、充電器12に印加電圧値HV[2]の設定信号を送信する。
印加電圧値HV[2]を設定した後、レーザ制御部30は、露光装置制御部110から受信した電圧指令値HVcmd[2]と印加電圧値HV[2]との差Difを算出する(S279)。S279の処理については図13を参照しながら後述する。トリガ信号Tr[2]の受送信と、差Difの算出とはどちらが先に行われてもよい。
パルス番号nが3である場合、レーザ制御部30は、差Difに基づいてオフセット値Offset[3]を算出する(S292)。オフセット値Offset[3]は、例えば、差Difと同じ値である。レーザ制御部30は、露光装置制御部110から受信した電圧指令値HVcmd[3]にオフセット値Offset[3]を加算することにより、印加電圧値HV[3]を設定する(S293)。レーザ制御部30は、充電器12に印加電圧値HV[3]の設定信号を送信する。S292及びS293の処理については図15を参照しながら後述する。
図5を再び参照すると、エネルギーモニタ17に含まれる集光レンズ17bは、ビームスプリッタ17aによって反射されたパルスレーザ光を光センサ17cに集束させる。光センサ17cは、集光レンズ17bによって集束させられたパルスレーザ光のパルスエネルギーE[n]に応じた電気信号をレーザ制御部30に送信する。
また、エネルギーモニタ17を用いて計測されたパルスエネルギーE[n]は、データテーブルを更新するために用いられる。これについては図13のS277の処理として後述する。
図8は、第1の実施形態におけるレーザ制御部30の処理を示すフローチャートである。レーザ制御部30は、以下の2つの処理を繰り返し行う。
パラメータの更新(S1)
印加電圧値HV[n]の設定(S2)
以下に、それぞれの処理について説明する。
図9は、第1の実施形態におけるパラメータの更新の処理を示すフローチャートである。図9に示される処理は、図8のS1のサブルーチンである。
S12において、レーザ制御部30は、キャリブレーション発振時の印加電圧値HV[n]と計測されたパルスエネルギーE[n]との関係に基づいて、パラメータGainHV及びConstを算出して更新する。キャリブレーション発振時の印加電圧値HV[n]は、露光装置制御部110から受信した電圧指令値HVcmd[n]と同じ値である。
E[n]=HV[n]×A+B
このとき、Aの値がパラメータGainHVの新たな値として設定され、Bの値がパラメータConstの新たな値として設定される。
図11は、第1の実施形態における印加電圧値HV[n]の設定の処理を示すフローチャートである。図11に示される処理は、図8のS2のサブルーチンである。
図12は、電圧指令値HVcmd[1]に基づいて目標パルスエネルギーEtを算出する原理を説明するグラフである。図10を参照しながら説明したように、印加電圧値HV[n]とパルスエネルギーE[n]とが以下の関係を有することがキャリブレーション発振時の計測結果から得られている。
E[n]=HV[n]×GainHV+Const
Et=HVcmd[1]×GainHV+Const
S29において、レーザ制御部30は、オフセット値Offset[n]を用いた制御を行う。オフセット値Offset[n]を用いた制御については、図15を参照しながら後述する。
S27又はS29の後、レーザ制御部30は図11に示されるフローチャートの処理を終了し、図8に示される処理に戻る。
図13は、第1の実施形態におけるデータテーブルを用いた制御を示すフローチャートである。図13に示される処理は、図11のS27のサブルーチンである。
HV[n]=HVtbl[p,n]+(Et-Estd)/GainHV
S276において、レーザ制御部30は、エネルギーモニタ17からパルスエネルギーE[n]の計測データを受信する。
HVtbl[p,n]
= HV[n]+(Et-E[n])×GainCont/GainHV
-(Et-Estd)/GainHV
ここで、GainContは、0より大きく2より小さい比例ゲインである。(Et-E[n])×GainCont/GainHVは、比例制御による操作量に相当する。さらに(Et-Estd)/GainHVを減算することにより、パルスエネルギーE[n]が所定の値Estdとなるような電圧値HVtbl[p,n]に換算される。
= HV[1]+(Et-E[1])×GainCont[1]/GainHV
-(Et-Estd)/GainHV
= HV[2]+(Et-E[2])×GainCont[2]/GainHV
-(Et-Estd)/GainHV
Dif=HV[n]-HVcmd[n]
差Difは、図15のS292において用いられる。
図15は、第1の実施形態におけるオフセット値Offset[n]を用いた制御を示すフローチャートである。図15に示される処理は、図11のS29のサブルーチンである。
Offset[n]=Dif
すなわち、図15の処理においてオフセット値Offset[n]はパルス番号nの値に関わらず一定値とされる。
HV[n]=HVcmd[n]+Offset[n]
但し、パルス番号nはi以上j未満の範囲である。ここで、jはiより大きい整数であり、例えば、1回のバースト発振のパルス数に1を加算して得られた数である。
S295の後、レーザ制御部30は図15に示されるフローチャートの処理を終了し、図11に示される処理に戻る。
(1)第1の実施形態によれば、パルス番号nがi未満であるバースト開始直後の期間では、データテーブルから読み出される電圧値HVtbl[p,n]に基づいて印加電圧値HV[n]が設定される(図13のS271)。これにより、バースト開始直後の期間に電圧指令値HVcmd[n]が変動したとしても、レーザ装置1の特性に応じて適切な印加電圧値HV[n]を設定できる。
図17~図21を用いて第2の実施形態について説明する。第2の実施形態は、オフセット値Offset[n]が一定値ではなく、バースト発振中に減衰する点で第1の実施形態と異なる。第2の実施形態においては、パルス番号nがi以上j未満である期間が減衰期間と定義され、この減衰期間にわたって、オフセット値Offset[n]が減衰する。ここで、jはiより大きい整数である。第2の実施形態に係るレーザ装置1の構成は、図5を参照しながら説明した第1の実施形態の構成と同様である。
図17は、第2の実施形態におけるパラメータの更新の処理を示すフローチャートである。第2の実施形態におけるメインルーチンは、図8を参照しながら説明した第1の実施形態におけるメインルーチンと同様である。図17に示される処理は、図8のS1のサブルーチンである。
S14aにおいて、レーザ制御部30は、キャリブレーション発振時の印加電圧値HV[n]のドリフト量Drift(x)を計測する。レーザ制御部30は、計測されたドリフト量Drift(x)に基づいて合計減衰量TDを算出し、合計減衰量TDを更新する。
TD=Sum(Drift(x-9:x))/10
ここで、Sum(Drift(x-9:x))は、過去10回分のドリフト量Drift(x)の計測結果の合計値である。合計減衰量TDは、過去10回分のドリフト量Drift(x)の移動平均値に相当する。
図19は、第2の実施形態におけるオフセット値Offset[n]を用いた制御を示すフローチャートである。第2の実施形態において印加電圧値HV[n]を設定する処理は、オフセット値Offset[n]を用いた制御以外は、第1の実施形態の処理と同様である。図19に示される処理は、図11のS29のサブルーチンである。
Offset[n]=Dif-TD×(i-n)/(j-i)
ここで、jからiを減算することによって得られるj-iは、減衰期間の長さに対応した値となる。減衰期間の開始直後においてはパルス番号nがiに近い値であるので、TD×(i-n)/(j-i)は0に近い値となる。従ってオフセット値Offset[n]は、差Difに近い値となる。減衰期間の終了直前においてはパルス番号nがjに近い値であるので、TD×(i-n)/(j-i)は-TDに近い値となる。従ってオフセット値Offset[n]は、差Difと合計減衰量TDとの和に近い値となる。合計減衰量TDをj-iで除算すると、1パルスあたりの減衰量が得られる。
S293以降の処理は、図15を参照しながら説明した第1の実施形態において対応する処理と同様である。
他の点については、第2の実施形態の動作は第1の実施形態と同様である。
図20は、第2の実施形態における印加電圧値HV[n]の推移の第1の例を示すグラフである。図19のS292aによって算出されるオフセット値Offset[n]は、Difに近い値からDif+TDに近い値まで、パルス番号nの増加に伴って一定の減衰量ずつ減衰する。これによれば、図18を参照しながら説明したドリフト量Drift(x)を補償するようにオフセット値Offset[n]が減衰するので、バースト発振中におけるレーザゲインの変化に比べて、電圧指令値HVcmd[n]の変化を緩やかにすることができる。これにより、安定したパルスエネルギーE[n]を得ることができる。
図22~図23を用いて第3の実施形態について説明する。第3の実施形態は、オフセット値Offset[n]の減衰量が一定ではなく、バースト発振中に変化する点で第2の実施形態と異なる。第3の実施形態に係るレーザ装置1の構成は、図5を参照しながら説明した第1の実施形態の構成と同様である。
図22は、第3の実施形態におけるオフセット値Offset[n]を用いた制御を示すフローチャートである。第3の実施形態におけるレーザ制御部30の処理は、オフセット値Offset[n]を用いた制御以外は、第2の実施形態の処理と同様である。図22に示される処理は、図11のS29のサブルーチンである。
(1)第1の減衰期間のパルス番号nは以下の範囲とする。
i≦n<g
ここでgはiより大きくj以下の整数である。
(2)第1の減衰期間と第2の減衰期間の間のパルス番号nは以下の範囲とする。
g≦n<h
ここでhはg以上j以下の整数である。
(3)第2の減衰期間のパルス番号nは以下の範囲とする。
h≦n<j
上述のg、h、及びjによって減衰期間が規定される。以下の説明では、g、h、及びjを減衰タイミングと称する。減衰タイミングg、h、及びjは、キャリブレーション発振において印加電圧値が変化するタイミングを検出することによって設定することができる。なお、第1の減衰期間と第2の減衰期間の間に減衰量が0となる期間が存在しない場合には、gはhと等しい値に設定される。第2の減衰期間が存在しない場合には、hはjと等しい値に設定される。第1の減衰期間の後に減衰量が0となる期間が存在せず、第2の減衰期間も存在しない場合には、g及びhはjと等しい値に設定される。
Offset[n]=Dif-TDa×(i-n)/(g-i)
ここで、TDaは第1の減衰期間における合計減衰量である。合計減衰量TDaは、図18を参照しながら説明したのと同様に、一定期間内におけるドリフト量Drift(x)に基づいて算出される。第1の減衰期間における1パルスあたりの減衰量Raは、合計減衰量TDaをg-iで除算して得られる。
Ra=TDa/(g-i)
Offset[n]=Dif+TDa
この期間における合計減衰量は0であり、1パルスあたりの減衰量Rmも0である。
Offset[n]=Dif+TDa-TDb×(h-n)/(j-h)
ここで、TDbは第2の減衰期間における合計減衰量である。合計減衰量TDbは、図18を参照しながら説明したのと同様に、一定期間内におけるドリフト量Drift(x)に基づいて算出される。第2の減衰期間における1パルスあたりの減衰量Rbは、合計減衰量TDbをj-hで除算して得られる。
Rb=TDb/(j-h)
Rm<Rb<Ra
Raは本開示における第1の値に相当し、Rmは本開示における第2の値に相当し、Rbは本開示における第3の値に相当する。
図23は、第3の実施形態における印加電圧値HV[n]の推移の例を示すグラフである。図22のS292bによって算出されるオフセット値Offset[n]は、第1の減衰期間(i≦n<g)及び第2の減衰期間(h≦n<j)においてそれぞれの減衰量で減衰する。このようにパルス番号nの増加に伴って減衰量を変化させることにより、レーザゲインの変化特性に合わせてオフセット値Offset[n]を減衰させることができる。従って、バースト発振中におけるレーザゲインの変化に比べて電圧指令値HVcmd[n]の変化をさらに緩やかにすることができる。これにより、安定したパルスエネルギーE[n]を得ることができる。
図24~図27を用いて第4の実施形態について説明する。第4の実施形態は、データテーブルを用いた制御において、パルスレーザ光の繰返し周波数Fに基づいて印加電圧値HV[n]を補正する点で第1~第3の実施形態と異なる。第4の実施形態に係るレーザ装置1の構成は、図5を参照しながら説明した第1の実施形態の構成と同様である。
図24は、第4の実施形態における印加電圧値HV[n]の設定の処理を示すフローチャートである。第4の実施形態におけるメインルーチンは、図8を参照しながら説明した第1の実施形態におけるメインルーチンと同様である。図24に示される処理は、図8のS2のサブルーチンである。図24に示される処理は、データテーブルを用いた制御がS27とS28cとの2通りの処理を含む点で第1~第3の実施形態と異なる。他の点については図11を参照しながら説明した処理と同様である。
パルス番号nが1より大きくi未満である場合には、S26においてパルス番号nがi未満であると判定され(S26:YES)、S28cに移行する。S28cにおいては、印加電圧値HV[n]が算出されるとともに、印加電圧値HV[n]が繰返し周波数Fに基づいて補正される。S28cの後、レーザ制御部30は図24に示されるフローチャートの処理を終了し、図8に示される処理に戻る。
図26は、第4の実施形態におけるデータテーブルを用いた制御のうちのパルス番号nが1より大きくi未満である場合の制御を示すフローチャートである。図26に示される処理は、図24のS28cのサブルーチンである。
S271において印加電圧値HV[n]を設定する処理は、図13を参照しながら説明した対応する処理と同様である。
HVa[n]=HV[n]×(1+coef×(F-Fstd)/Fstd)
ここで、Fstdは基準周波数であり、例えば4kHzである。記憶部31に記憶されたデータテーブルの電圧値HVtbl[p,n]は、基準周波数Fstdでのバースト発振においてパルスエネルギーE[n]が所定の値Estdとなるような値に設定されている。また、coefは、繰返し周波数Fと基準周波数Fstdとの差分を基準周波数Fstdで除算して得られた値(F-Fstd)/Fstdに乗算される重みづけ係数である。
HVtbl[p,n]
=(HVa[n]+(Et-E[n])×GainCont/GainHV)/(1+coef×(F-Fstd)/Fstd)-(Et-Estd)/GainHV
S278~S279の処理は、図13を参照しながら説明した対応する処理と同様である。
他の点については、第4の実施形態の動作は第1~第3の実施形態と同様である。
第4の実施形態によれば、繰返し周波数Fに応じて別個にデータテーブルの電圧値HVtbl[p,n]を記憶していなくても、繰返し周波数Fに応じて適切な印加電圧値HVa[n]を設定することができる。
図28~図31を用いて第5の実施形態について説明する。第5の実施形態は、オフセット値Offset[n]を用いた制御において、パルスレーザ光の繰返し周波数Fに基づいてオフセット値Offset[n]の合計減衰量TD及び減衰タイミングjを補正する点で第1~第4の実施形態と異なる。第5の実施形態に係るレーザ装置1の構成は、図5を参照しながら説明した第1の実施形態の構成と同様である。また、第5の実施形態におけるメインルーチンは、図8を参照しながら説明した第1の実施形態におけるメインルーチンと同様である。但し、第5の実施形態においては、合計減衰量TDを算出する処理が行われる。合計減衰量TDを算出する処理については図17の処理と同様であるので説明を省略する。
図28は、第5の実施形態の第1の例におけるオフセット値Offset[n]を用いた制御を示すフローチャートである。第1の例において印加電圧値HV[n]を設定する処理は、オフセット値Offset[n]を用いた制御以外は、第1~第4の実施形態の処理と同様である。図28に示される処理は、図11のS29のサブルーチンである。あるいは、図28に示される処理は、図24のS29のサブルーチンである。
TDm=TD×F/Fstd
jm=j×F/Fstd
繰返し周波数Fに基づく補正は、係数を用いた重みづけを伴ってもよい。
TD1=TD×3/4
j1=j×3/4
TD2=TD×2/4
j2=j×2/4
TD1及びj1は、それぞれ、繰返し周波数Fが3kHzである場合の補正された合計減衰量及び減衰タイミングである。TD2及びj2は、それぞれ、繰返し周波数Fが2kHzである場合の補正された合計減衰量及び減衰タイミングである。
以上のように計算することにより、レーザ装置1の特性に応じた適切なオフセット値Offset[n]を算出することができる。
S294及びS295の処理は、それぞれ図19のS294及びS295の処理と同様である。
図30は、第5の実施形態の第2の例におけるオフセット値Offset[n]を用いた制御を示すフローチャートである。第2の例において印加電圧値HV[n]を設定する処理は、オフセット値Offset[n]を用いた制御以外は、第1~第4の実施形態の処理と同様である。図30に示される処理は、図11のS29のサブルーチンである。あるいは、図30に示される処理は、図24のS29のサブルーチンである。
TDam=TDa×F/Fstd
TDbm=TDb×F/Fstd
gm=g×F/Fstd
hm=h×F/Fstd
jm=j×F/Fstd
繰返し周波数Fに基づく補正は、係数を用いた重みづけを伴ってもよい。
TDa1=TDa×3/4
TDb1=TDb×3/4
g1=g×3/4
h1=h×3/4
j1=j×3/4
TDa2=TDa×2/4
TDb2=TDb×2/4
g2=g×2/4
h2=h×2/4
j2=j×2/4
TDa1及びTDb1は、繰返し周波数Fが3kHzである場合の補正された合計減衰量である。また、g1、h1、及びj1は、繰返し周波数Fが3kHzである場合の補正された減衰タイミングである。
TDa2及びTDb2は、繰返し周波数Fが2kHzである場合の補正された合計減衰量である。また、g2、h2、及びj2は、繰返し周波数Fが2kHzである場合の補正された減衰タイミングである。
以上のように計算することにより、レーザ装置1の特性に応じた適切なオフセット値Offset[n]を算出することができる。
S294及びS295の処理は、それぞれ図22のS294及びS295の処理と同様である。
他の点については、第5の実施形態の動作は第1~第4の実施形態と同様である。
第5の実施形態によれば、繰返し周波数Fに応じて別個に合計減衰量TD及び減衰タイミングjを記憶していなくても、繰返し周波数Fに応じて適切な印加電圧値HVa[n]を設定することができる。
図32は、レーザ装置1に接続された露光装置100の構成を概略的に示す。レーザ装置1はパルスレーザ光を生成して露光装置100に出力する。
図32において、露光装置100は、照明光学系40と投影光学系41とを含む。照明光学系40は、レーザ装置1から入射したパルスレーザ光によって、レチクルステージRT上に配置された図示しないレチクルのレチクルパターンを照明する。投影光学系41は、レチクルを透過したパルスレーザ光を、縮小投影してワークピーステーブルWT上に配置された図示しないワークピースに結像させる。ワークピースはフォトレジストが塗布された半導体ウエハ等の感光基板である。露光装置100は、レチクルステージRTとワークピーステーブルWTとを同期して平行移動させることにより、レチクルパターンを反映したパルスレーザ光をワークピースに露光する。以上のような露光工程によって半導体ウエハにレチクルパターンを転写後、複数の工程を経ることで半導体デバイスを製造することができる。
Claims (18)
- 外部装置から入力される電圧指令値及びトリガ信号に従って、第1のバースト発振と、前記第1のバースト発振の次に行われる第2のバースト発振と、を含む複数回のバースト発振を行ってパルスレーザ光を出力するレーザ装置であって、
レーザ共振器と、
前記レーザ共振器の光路に配置されたチャンバと、
前記チャンバに配置された一対の電極と、
前記電極に電圧を印加する電源と、
前記パルスレーザ光のパルスエネルギーが所定の値となるような電圧値を記憶した記憶部と、
前記電極に印加される電圧の印加電圧値を設定する制御部であって、
iを1より大きい整数とし、jをiより大きい整数とし、前記複数回のバースト発振のうちの1回のバースト発振において出力される前記パルスレーザ光に含まれる複数のパルスのうちのパルスの順番を示すパルス番号が1以上i未満であるパルスを出力するための前記印加電圧値を、前記電圧指令値と、前記記憶部に記憶された前記電圧値と、に基づいて設定し、
前記パルス番号がi以上j未満であるパルスを出力するための前記印加電圧値を、前記電圧指令値と、前記電圧指令値に対するオフセット値と、に基づいて設定する前記制御部と、
を備え、
前記電圧指令値は、前記外部装置から入力される、前記電極に印加する電圧の指令値であり、
前記記憶部は、前記第1のバースト発振が終了した時から前記第2のバースト発振が開始される時までの休止期間の長さと前記パルス番号との組合せに対して、前記パルスレーザ光のパルスエネルギーが前記所定の値となるような前記電圧値を対応付けたデータテーブルを記憶しており、
前記制御部は、
前記パルス番号が1以上i未満であるパルスを出力するための前記印加電圧値を、前記データテーブルから前記休止期間の長さと前記パルス番号とに基づいて読み出される前記電圧値に基づいて設定し、
前記パルス番号がi-1であるパルスを出力するための前記電圧指令値と前記パルス番号がi-1であるパルスを出力するための前記印加電圧値との差に基づいて前記オフセット値を算出する
レーザ装置。 - 請求項1記載のレーザ装置であって、
前記制御部は、
前記電圧指令値に基づいて目標パルスエネルギーを算出し、
前記パルス番号が1以上i未満であるパルスを出力するための前記印加電圧値を、前記目標パルスエネルギーと、前記記憶部に記憶された前記電圧値と、に基づいて設定する、レーザ装置。 - 請求項2記載のレーザ装置であって、
前記制御部は、前記電圧指令値に基づいて前記目標パルスエネルギーを算出するためのパラメータを、キャリブレーション発振時の計測データに基づいて算出する、レーザ装置。 - 請求項2記載のレーザ装置であって、
前記パルスレーザ光のパルスエネルギーを計測するエネルギーモニタ
をさらに備え、
前記制御部は、前記パルスレーザ光のパルスエネルギーと前記目標パルスエネルギーとの差に基づいて、前記記憶部に記憶された前記電圧値を更新する処理を行う、レーザ装置。 - 請求項4記載のレーザ装置であって、
前記制御部は、前記パルス番号が1であるパルスが出力された後、前記パルス番号が2であるパルスが出力される前に、前記処理を行う、レーザ装置。 - 請求項1記載のレーザ装置であって、
前記制御部は、前記パルス番号がi以上j未満であるパルスを出力するための前記オフセット値を一定値とする、レーザ装置。 - 請求項1記載のレーザ装置であって、
前記制御部は、前記パルス番号がi以上j未満であるパルスを出力するための前記オフセット値を、前記パルス番号の増加に伴って減衰する値とする、レーザ装置。 - 請求項1記載のレーザ装置であって、
前記制御部は、前記パルス番号がi以上j未満であるパルスを出力するための前記オフセット値を、前記パルス番号の増加に伴って一定の減衰量ずつ減衰する値とする、レーザ装置。 - 請求項1記載のレーザ装置であって、
前記制御部は、
前記印加電圧値のドリフト量に基づいて前記オフセット値の合計減衰量を算出し、
前記合計減衰量に基づいて、前記オフセット値が前記パルス番号の増加に伴って減衰するように前記オフセット値を算出する、レーザ装置。 - 請求項9記載のレーザ装置であって、
前記制御部は、キャリブレーション発振時の前記ドリフト量に基づいて前記合計減衰量を算出する、レーザ装置。 - 請求項1記載のレーザ装置であって、
前記制御部は、前記パルス番号がi以上j未満であるパルスを出力するための前記オフセット値を、前記パルス番号の増加に伴って減衰量を変化させて得られた値とする、レーザ装置。 - 請求項1記載のレーザ装置であって、
前記制御部は、gをiより大きくj未満の整数とし、hをgより大きくj未満の整数とし、前記パルス番号がi以上g未満であるパルスを出力するための前記オフセット値の減衰量を第1の値とし、前記パルス番号がg以上h未満であるパルスを出力するための前記オフセット値の減衰量を前記第1の値より小さい第2の値として前記オフセット値を算出する、レーザ装置。 - 請求項12記載のレーザ装置であって、
前記制御部は、前記パルス番号がh以上j未満であるパルスを出力するための前記オフセット値の減衰量を前記第1の値より小さく前記第2の値より大きい第3の値として前記オフセット値を算出する、レーザ装置。 - 請求項1記載のレーザ装置であって、
前記制御部は、前記パルス番号が1より大きくi未満であるパルスを出力するために、前記パルスレーザ光の繰返し周波数に基づいて補正された前記印加電圧値を設定する、レーザ装置。 - 請求項14記載のレーザ装置であって、
前記制御部は、前記パルスレーザ光の繰返し周波数が小さい方が前記印加電圧値が低くなるように補正された前記印加電圧値を設定する、レーザ装置。 - 請求項1記載のレーザ装置であって、
前記制御部は、
前記印加電圧値のドリフト量に基づいて前記オフセット値の合計減衰量を算出し、
前記パルスレーザ光の繰返し周波数に基づいて前記合計減衰量を補正し、
補正された前記合計減衰量に基づいて、前記オフセット値が前記パルス番号の増加に伴って減衰するように前記オフセット値を算出する、レーザ装置。 - 請求項1記載のレーザ装置であって、
前記制御部は、
前記印加電圧値の変化に基づいて減衰タイミングを設定し、
前記パルスレーザ光の繰返し周波数に基づいて前記減衰タイミングを補正し、
補正された前記減衰タイミングに基づいて、前記オフセット値が前記パルス番号の増加に伴って減衰するように前記オフセット値を算出する、レーザ装置。 - 電子デバイスの製造方法であって、
レーザ装置によってパルスレーザ光を生成し、
前記パルスレーザ光を露光装置に出力し、
電子デバイスを製造するために、前記露光装置内で感光基板上に前記パルスレーザ光を露光する
ことを含み、
前記レーザ装置は、
外部装置から入力される電圧指令値及びトリガ信号に従って、第1のバースト発振と、前記第1のバースト発振の次に行われる第2のバースト発振と、を含む複数回のバースト発振を行って前記パルスレーザ光を出力するレーザ装置であって、
レーザ共振器と、
前記レーザ共振器の光路に配置されたチャンバと、
前記チャンバに配置された一対の電極と、
前記電極に電圧を印加する電源と、
前記パルスレーザ光のパルスエネルギーが所定の値となるような電圧値を記憶した記憶部と、
前記電極に印加される電圧の印加電圧値を設定する制御部であって、
iを1より大きい整数とし、jをiより大きい整数とし、前記複数回のバースト発振のうちの1回のバースト発振において出力される前記パルスレーザ光に含まれる複数のパルスのうちのパルスの順番を示すパルス番号が1以上i未満であるパルスを出力するための前記印加電圧値を、前記電圧指令値と、前記記憶部に記憶された前記電圧値と、に基づいて設定し、
前記パルス番号がi以上j未満であるパルスを出力するための前記印加電圧値を、前記電圧指令値と、前記電圧指令値に対するオフセット値と、に基づいて設定する前記制御部と、
を備え、
前記電圧指令値は、前記外部装置から入力される、前記電極に印加する電圧の指令値であり、
前記記憶部は、前記第1のバースト発振が終了した時から前記第2のバースト発振が開始される時までの休止期間の長さと前記パルス番号との組合せに対して、前記パルスレーザ光のパルスエネルギーが前記所定の値となるような前記電圧値を対応付けたデータテーブルを記憶しており、
前記制御部は、
前記パルス番号が1以上i未満であるパルスを出力するための前記印加電圧値を、前記データテーブルから前記休止期間の長さと前記パルス番号とに基づいて読み出される前記電圧値に基づいて設定し、
前記パルス番号がi-1であるパルスを出力するための前記電圧指令値と前記パルス番号がi-1であるパルスを出力するための前記印加電圧値との差に基づいて前記オフセット値を算出するレーザ装置である、
電子デバイスの製造方法。
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Citations (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US20010050939A1 (en) | 2000-06-09 | 2001-12-13 | Ujazdowski Richard C. | Gas discharge laser with blade-dielectric electrode |
JP2002151767A (ja) | 2000-08-04 | 2002-05-24 | Lambda Physik Ag | 伝搬遅延一定化方法、放電回路及びエキシマー又は弗素分子レーザシステム |
US20040240507A1 (en) | 2003-05-19 | 2004-12-02 | Govorkov Sergei V. | MOPA excimer or molecular fluorine laser system with improved synchronization |
CN104227246A (zh) | 2013-06-05 | 2014-12-24 | 三星显示有限公司 | 激光器装置和使用其照射激光束的方法 |
WO2016084263A1 (ja) | 2014-11-28 | 2016-06-02 | ギガフォトン株式会社 | 狭帯域化レーザ装置 |
WO2017134745A1 (ja) | 2016-02-02 | 2017-08-10 | ギガフォトン株式会社 | 狭帯域化レーザ装置 |
US20180006428A1 (en) | 2015-01-23 | 2018-01-04 | Alcatel Lucent | Transient wavelength drift reduction in semiconductor lasers |
WO2018105002A1 (ja) | 2016-12-05 | 2018-06-14 | ギガフォトン株式会社 | レーザ装置 |
Family Cites Families (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP3157470B2 (ja) * | 1996-10-29 | 2001-04-16 | ファナック株式会社 | ガス放電励起レーザ装置 |
JP3830591B2 (ja) * | 1996-11-05 | 2006-10-04 | 株式会社小松製作所 | レーザ装置 |
JP3747607B2 (ja) * | 1997-12-25 | 2006-02-22 | 株式会社小松製作所 | エキシマレーザ装置のエネルギー制御装置 |
US6862307B2 (en) * | 2000-05-15 | 2005-03-01 | Lambda Physik Ag | Electrical excitation circuit for a pulsed gas laser |
JP5320745B2 (ja) * | 2008-01-11 | 2013-10-23 | 沖電気工業株式会社 | キャリア抑圧光パルス列生成装置及びキャリア抑圧光パルス列生成方法 |
JP5916074B2 (ja) * | 2011-11-21 | 2016-05-11 | Jukiオートメーションシステムズ株式会社 | 実装装置、電子部品の実装方法、基板の製造方法及びプログラム |
US11081852B2 (en) | 2017-04-24 | 2021-08-03 | Cymer, Llc | Laser light energy and dose control using repetition rate based gain estimators |
-
2019
- 2019-09-11 JP JP2021545028A patent/JP7416811B2/ja active Active
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Patent Citations (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US20010050939A1 (en) | 2000-06-09 | 2001-12-13 | Ujazdowski Richard C. | Gas discharge laser with blade-dielectric electrode |
JP2002151767A (ja) | 2000-08-04 | 2002-05-24 | Lambda Physik Ag | 伝搬遅延一定化方法、放電回路及びエキシマー又は弗素分子レーザシステム |
US20040240507A1 (en) | 2003-05-19 | 2004-12-02 | Govorkov Sergei V. | MOPA excimer or molecular fluorine laser system with improved synchronization |
CN104227246A (zh) | 2013-06-05 | 2014-12-24 | 三星显示有限公司 | 激光器装置和使用其照射激光束的方法 |
WO2016084263A1 (ja) | 2014-11-28 | 2016-06-02 | ギガフォトン株式会社 | 狭帯域化レーザ装置 |
US20180006428A1 (en) | 2015-01-23 | 2018-01-04 | Alcatel Lucent | Transient wavelength drift reduction in semiconductor lasers |
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